JP6388761B2 - 電磁干渉抑制シート及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、変動磁場や電磁波を吸収し、抑制する電磁干渉抑制体に関する。

扁平状の軟磁性粒子と、有機結合剤により構成した電磁干渉抑制体が用いられており、近年は、特に高周波帯域での電磁干渉の抑制が求められている。

特許文献１では、過冷却液体の温度範囲ΔＴｘが２５℃以上のＦｅ基非晶質合金を軟磁性粒子とし、段落００２３に記載ある通り、結着剤と混合して固化形成した後、キュリー点温度以上、結晶化開始温度以下の温度で熱処理することで、数ＧＨｚ帯域での電磁波抑制に適した電波吸収体の技術が開示されている。

特開２００３−４５７０８号公報

特許文献１では、キュリー点温度以上の高温で電波吸収体を熱処理するため、結着剤は高温の熱処理に耐え得るものに限られ、さらに熱処理により結着剤が熱劣化する恐れがあるという課題がある。

また、新たな通信規格であるＬＴＥ（Ｌｏｎｇ Ｔｅｒｍ Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）の普及等の事情により、さらに高周波の１．１ＧＨｚ〜１０．０ＧＨｚ帯域での電磁干渉の抑制が求められているが、特許文献１記載の技術では充分に対応できていないという課題がある。

従って本発明は、有機結合剤の熱劣化が防止され、１．１ＧＨｚ〜１０．０ＧＨｚ帯域での電磁干渉抑制が可能な電磁干渉抑制体の提供を行うことを目的とする。

上記課題を本発明は、鉄系非晶質合金からなる扁平状の軟磁性粒子と、有機結合剤を主に含有し、前記鉄系非晶質合金は、組成式が｛Ｆｅ_ａ（Ｓｉ_ｘＢ_ｙＰ_ｚ）_１−ａ｝_{１００−ｂ}Ｌ_ｂ、ＬはＡｌ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗから選ばれる１種以上の元素であり、ａ、ｂ、ｘ、ｙ、ｚは０．７０≦ａ≦０．８２、０＜ｂ≦８原子％、０．０５≦ｘ≦０．６０、０．１０≦ｙ≦０．８５、０．０５≦ｚ≦０．７０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満たすものであり、１０ＧＨｚにおける虚部透磁率μ’’が７以上であることを特徴とする電磁干渉抑制体によって解決する。

また、鉄系非晶質合金からなる扁平状の軟磁性粒子と、有機結合剤を主に含有し、前記鉄系非晶質合金は、組成式が（Ｆｅ_１−ａＴＭ_ａ）_{１００−ｗ−ｘ−ｙ−ｚ}Ｐ_ｗＢ_ｘＬ_ｙＳｉ_ｚ、ＴＭはＣｏ、Ｎｉから選ばれる１種以上の元素であり、ＬはＡｌ、Ｖ、Ｃｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗから選ばれる１種以上の元素であり、ａ、ｗ、ｘ、ｙ、ｚは０≦ａ≦０．９８原子％、２≦ｗ≦１６原子％、２≦ｘ≦１６原子％、０＜ｙ≦１０原子％、０≦ｚ≦８原子％を満たすものであり、１０ＧＨｚにおける虚部透磁率μ’’が７以上であってもよい。

また、前記虚部透磁率μ’’の極大値が６ＧＨｚ以上、１０ＧＨｚ以下にあることが望ましい。

また、鉄系非晶質合金からなる扁平状の軟磁性粒子と、有機結合剤を主に含有する成形シートを、前記鉄系非晶質合金のキュリー点よりも低い温度で、かつ１００℃以上、３００℃以下の温度により熱処理されていることが望ましい。

また、前記扁平状の軟磁性粒子は、体積平均粒径（Ｄ５０）が１０μｍ以上、６０μｍ以下であり、厚さｔの平均値が０．５μｍ以上、１．５μｍ以下であることが望ましい。

また、前記扁平状の軟磁性粒子は、１２．０×１０^−６以上、３８．０×１０^−６以下の飽和磁歪λｓを有することが望ましい。

また、前記扁平状の軟磁性粒子は、１７．０×１０^−６以上、２８．０×１０^−６以下の飽和磁歪λｓを有することが望ましい。

また、前記扁平状の軟磁性粒子の飽和磁束密度が１．２テスラ以上、１．６テスラ以下であることが望ましい。

また、前記有機結合剤は、アクリルゴム、フッ素樹脂、ポリイソブチレン、エチレンプロピレン、ポリエチレン、イソプレンゴム、ブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム、ポリスチレン、ニトリルゴム、ウレタンゴム、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリビニルアルコール、ポリアミド、ポリイミドアミドのいずれかであることが望ましい。

また、さらに絶縁粒子を備え、前記軟磁性粒子の表面に前記絶縁粒子が付着していることが望ましい。

また、さらに軟磁性粒子小片を備え、前記軟磁性粒子の表面に前記絶縁粒子を介して前記軟磁性粒子小片が付着していることが望ましい。

また、前記絶縁粒子の１０％累積体積平均粒径（Ｄ１０）が１ｎｍ以上、かつ９０％累積体積平均粒径（Ｄ９０）が１００ｎｍ以下であることが望ましい。

また、前記軟磁性粒子小片の断面における長軸の長さＬ１と、前記軟磁性粒子の断面における長軸の長さＬ２の比（Ｌ１／Ｌ２）の平均値は、１／２より小さいことが望ましい。

また、前記軟磁性粒子の断面において、前記軟磁性粒子に付着した前記絶縁粒子は、１個以上、３０個未満であることが望ましい。

また、組成式が｛Ｆｅ_ａ（Ｓｉ_ｘＢ_ｙＰ_ｚ）_１−ａ｝_{１００−ｂ}Ｌ_ｂ、ＬはＡｌ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗから選ばれる１種以上の元素であり、ａ、ｂ、ｘ、ｙ、ｚは０．７０≦ａ≦０．８２、０＜ｂ≦８原子％、０．０５≦ｘ≦０．６０、０．１０≦ｙ≦０．８５、０．０５≦ｚ≦０．７０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満たすか、または組成式が（Ｆｅ_１−ａＴＭ_ａ）_{１００−ｗ−ｘ−ｙ−ｚ}Ｐ_ｗＢ_ｘＬ_ｙＳｉ_ｚ、ＴＭはＣｏ、Ｎｉから選ばれる１種以上の元素であり、ＬはＡｌ、Ｖ、Ｃｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗから選ばれる１種以上の元素であり、ａ，ｗ，ｘ，ｙ，ｚは０≦ａ≦０．９８、２≦ｗ≦１６原子％、２≦ｘ≦１６原子％、０＜ｙ≦１０原子％、０≦ｚ≦８原子％を満たし、飽和磁歪λｓが１７．０×１０ ^−６ 以上、２８．０×１０ ^−６ 以下となる鉄系非晶質合金からなる扁平状の軟磁性粒子と、アクリルゴム、フッ素樹脂、ポリイソブチレン、エチレンプロピレン、ポリエチレン、イソプレンゴム、ブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム、ポリスチレン、ニトリルゴム、ウレタンゴム、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリビニルアルコール、ポリアミド、ポリイミドアミドのいずれかである有機結合剤を主に含有するシートを成形し、前記シートを、前記鉄系非晶質合金のキュリー点よりも低い温度で、かつ１００℃以上、３００℃以下の温度により熱処理を行うことが望ましい。

本発明によって、有機結合剤の熱劣化が防止され、１０ＧＨｚ帯域での電磁干渉抑制が可能な電磁干渉抑制体を提供することができる。

本発明の電磁干渉抑制体における軟磁性粒子の扁平化処理の様子を示す断面図である。図１（ａ）は扁平化処理中の様子を示し、図１（ｂ）は扁平化処理終了後の様子を示している。 本発明におけるシート状の電磁干渉抑制体の厚み方向に沿った断面図を示している。 本発明における電磁干渉抑制体の透磁率の周波数特性を示す図である。図３（ａ）は実部透磁率μ’及び虚部透磁率μ’’の２．４５ＧＨｚまでの周波数特性、図３（ｂ）は虚部透磁率μ’’の１０ＧＨｚまでの周波数特性を示す。 本発明における電磁干渉抑制体の厚み方向断面の走査型電子顕微鏡写真である。図４（ａ）が実施例１の断面、図４（ｂ）が比較例１の断面を示している。 本発明の電磁干渉抑制体の扁平化された軟磁性粒子の走査型電子顕微鏡写真である。 本発明における電磁干渉抑制体の飽和磁歪と２．４５ＧＨｚにおける虚部透磁率μ’’の関係を示す図である。

図１は、本発明の電磁干渉抑制体における軟磁性粒子の扁平化処理の様子を示す断面図である。図１（ａ）は扁平化処理中の様子を示し、図１（ｂ）は扁平化処理終了後の様子を示している。軟磁性粒子１は、ビーズミル、ボールミル、アトライタ（登録商標）加工機等を用いて押し潰すことで扁平化することができる。

仮に、扁平化処理後に軟磁性粒子１に絶縁粒子２を付着させようとすると、扁平化された軟磁性粒子１が力を受けて変形したり、ちぎれる恐れがある。

そこで、非常に強い力で軟磁性粒子１に絶縁粒子２を付着させるため、軟磁性粒子１に絶縁粒子２を配合し、そのまま扁平化処理を行えば、図１（ａ）に示すように、軟磁性粒子１を押し潰す力により絶縁粒子２を表面に付着させることができ、軟磁性粒子１に絶縁粒子２を付着させるために新たな工程を設ける必要がない。

ここで、図１（ａ）に示すように、軟磁性粒子１の扁平化処理の際に一部が引きちぎれて軟磁性粒子小片１１もできるが、上記の扁平化処理を利用する場合は、このような軟磁性粒子小片１１が軟磁性粒子１の表面に絶縁粒子２を介して付着するのは避けられないことが多い。

このような絶縁粒子２を同時に付着させる軟磁性粒子１の扁平化処理により、図１（ｂ）に示すような、表面に絶縁粒子２や軟磁性粒子小片１１が付着した軟磁性粒子１ができる。

図２は、本発明におけるシート状の電磁干渉抑制体の厚み方向に沿った断面図を示している。

扁平状の軟磁性粒子１の表面には絶縁粒子２が付着し、さらに絶縁粒子２を介して軟磁性粒子小片１１が付着しているものもある。

軟磁性粒子１は、結合剤３により結合し、成形されている。

結合剤３としては、有機系の結合剤として、アクリルゴム、塩素化ポリエチレン、ポリブタジエン、ポリイソプロピレン、ＥＰＭ、ＥＰＤＭ、ＳＢＲ、ニトリルゴム、エピクロルヒドリン、ネオプレン、ブチル、ポリサルファイド、ウレタンゴム等のエラストマー・ゴム、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、アクリル、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ナイロン、ウレタン、ＰＢＴ、ＰＥＴ、ＡＢＳ等の熱可塑性樹脂、メラミン、フェノール、エポキシ、ウレタン、ポリイミド、ジアリルフタネート、不飽和ポリエステル、フラン等の熱硬化性樹脂であるが、これに限定されるものではない。

また、この結合剤中には、複合磁性体に難燃性を付与・向上させるために２００℃以上の温度で吸熱作用のある水酸化マグネシウムやメラミンシアヌレートなどの非磁性微粒子や、２００℃以上の温度で不燃膜を形成する赤燐などの非磁性微粒子が含まれていても良い。

ここで軟磁性粒子小片１１の長径は、軟磁性粒子１の半分以下、あるいは１／５以下となる場合が多い。

すなわち、軟磁性粒子１表面に絶縁粒子２や微細な軟磁性粒子小片１１が付着した粒子の集合体を構成することがあっても、軟磁性粒子１同士が絶縁粒子２によって結合した粒子の集合体を構成しないことが望ましい。

これにより、個別の軟磁性粒子１が、未硬化の結合剤３の中を軟磁性粒子１の間の隙間を最密充填するように流動しつつ配置され、軟磁性粒子１の電磁干渉抑制体全体に占める充填率が高まることで、電磁干渉抑制体の透磁率を高めることができる。

同時に、軟磁性粒子１表面に付着した絶縁粒子２等によって、隣接する軟磁性粒子１の間に均一で微小な隙間を生じさせ、電磁干渉抑制体全体の電気絶縁性を確保することができる。

絶縁粒子２はガラス組成物等の無機物であることが望ましく、上記充填率と電気絶縁性が両立するためには、粒径のＤ１０が１ｎｍ以上、かつＤ９０が１００ｎｍ以下であることが望ましく、Ｄ１０が１０ｎｍ以上、かつＤ９０が６０ｎｍ以下であればより望ましい。

なお、特に高い電気絶縁性が必要でない場合は、軟磁性粒子１の表面に絶縁粒子２や軟磁性粒子小片１１を付着させなくともよい。

すなわち本発明は、非晶質合金からなる扁平状の軟磁性粒子と、有機結合剤を主に含有し、前記非晶質合金は、組成式が｛Ｆｅ_ａ（Ｓｉ_ｘＢ_ｙＰ_ｚ）_１−ａ｝_{１００−ｂ}Ｌ_ｂ、ＬはＡｌ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗから選ばれる１種以上の元素であり、ａ、ｂ、ｘ、ｙ、ｚは０．７０≦ａ≦０．８２、０＜ｂ≦８原子％、０．０５≦ｘ≦０．６０、０．１０≦ｙ≦０．８５、０．０５≦ｚ≦０．７０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満たすか、または組成式が（Ｆｅ_１−ａＴＭ_ａ）_{１００−ｗ−ｘ−ｙ−ｚ}Ｐ_ｗＢ_ｘＬ_ｙＳｉ_ｚ、ＴＭはＣｏ、Ｎｉから選ばれる１種以上の元素であり、ＬはＡｌ、Ｖ、Ｃｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗから選ばれる１種以上の元素であり、ａ，ｗ，ｘ，ｙ，ｚは０≦ａ≦０．９８、２≦ｗ≦１６原子％、２≦ｘ≦１６原子％、０＜ｙ≦１０原子％、０≦ｚ≦８原子％を満たすものであり、１０ＧＨｚにおける虚部透磁率μ’’が７以上である電磁干渉抑制体の実施形態を取り得る。

Ｔｘを結晶化開始温度、Ｔｇをガラス遷移温度、ΔＴ＝Ｔｘ−Ｔｇとすると、上記組成の非晶質合金は、ΔＴが２５℃以上となり、優れた軟磁気特性を示す。

このような非晶質合金に、後述の製法で熱処理を行うことにより、１０ＧＨｚにおける虚部透磁率μ’’を７以上とすることで、磁気損失による電磁干渉抑制機能を高めることができる。

また、前記虚部透磁率μ’’の極大値が６ＧＨｚ以上、１０ＧＨｚ以下にあることが望ましい。

極大値が上記周波数範囲にあれば、１０ＧＨｚにおける電磁干渉抑制を、より高めることができる。

さらに、鉄系非晶質合金からなる扁平状の軟磁性粒子と、有機結合剤を主に含有する成形シートを、前記鉄系非晶質合金のキュリー点よりも低い温度で、かつ１００℃以上、３００℃以下の温度により熱処理されていることが望ましい。

熱処理前の扁平状の軟磁性粒子は、未硬化の有機結合剤との濡れ性が良いため、熱処理前にシート成形を行い、成形シートを上記温度で熱処理することで、熱処理による有機結合剤の熱劣化が防止されつつも、１０ＧＨｚにおける充分な電磁干渉抑制効果を得ることができる。

すなわち、１．１ＧＨｚ〜１０．０ＧＨｚにおける充分な電磁干渉抑制効果を得るためには、上記の比較的低い温度での熱処理が必要であるとの新たな知見を利用し、熱処理をシート成形後に行うことで、扁平状の軟磁性粒子と未硬化の有機結合剤の濡れ性が良く、電磁干渉抑制体への扁平状の軟磁性粒子の含有率を高めることで透磁率も高めることも可能となり、最終的には１０ＧＨｚにおける電磁干渉抑制効果をより高める相乗効果を得ることとなる。

また、前記扁平状の軟磁性粒子は、平均粒径（Ｄ５０）が１０μｍ以上、６０μｍ以下であり、厚さｔの平均値が０．５μｍ以上、１．５μｍ以下であることが望ましい。

１０ＧＨｚにおける電磁干渉抑制を高める上で、より好ましい形状であるためである。

また、前記扁平状の軟磁性粒子の飽和磁歪λｓは、１２．０×１０^−６以上、３８．０×１０^−６以下とすることが望ましく、１７．０×１０^−６以上、２８．０×１０^−６以下とすることが、より望ましい。

飽和磁歪をλｓ、弾性歪みをσとすると、１．１ＧＨｚ〜１０．０ＧＨｚにおける虚部透磁率μ’’は、λｓ×σに対する依存性が高いことから、上記範囲へ飽和磁歪λｓを調整することにより、１．１ＧＨｚ〜１０ＧＨｚにおける虚部透磁率μ’’を、さらに高めることができる。

すなわち、透磁率を高めようとすれば、通常は透磁率を阻害する飽和磁歪λｓを可能な限り小さく、零に近づけようとするが、本発明では、１．１ＧＨｚ〜１０ＧＨｚではむしろ飽和磁歪λｓを一定範囲まで大きくしたほうが虚部透磁率μ’’を高めることができるという、新たな知見を見出している。

また、上記扁平状の軟磁性粒子の飽和磁束密度が１．２テスラ以上、１．６テスラ以下であることが望ましい。

飽和磁束密度を上記範囲とすることで、強磁性共鳴周波数を高め、１．１ＧＨｚ〜１０．０ＧＨｚにおける虚部透磁率μ’’をさらに高めることができる。

（実施例）
組成式は原子％で、Ｆｅ_７７Ｐ_９Ｂ_１１Ｎｂ_２Ｃｒとなる軟磁性粒子を水アトマイズ法で作成し、Ｘ線回折により非晶質であることを確認した。

次に、リン酸塩系ガラスフリットからなる絶縁粒子を軟磁性粒子に重量比で２．５％以上１０．０％以下の範囲内で配合し、扁平化処理を行った。

扁平化処理後もＸ線回折により確認したところ、軟磁性粒子は依然として非晶質であった。

軟磁性粒子は体積平均粒径（Ｄ５０）が２０μｍ、厚さに対する長径の比の平均値（アスペクト比）が５０であった。

扁平化された軟磁性粒子に有機溶媒、アクリルゴム、メラミンシアヌレート、赤燐を配合し、混練することで塗液を作成し、剥離可能なシートに塗布し、乾燥することでシート成形品を得た。

さらにシート成形品を鉄板で挟み、加圧しながら１分間、熱処理を行い、シート状の複合磁性体を得た。

ここで、熱処理温度１５０℃の複合磁性体を実施例１、熱処理温度２００℃の複合磁性体を実施例２、熱処理温度２７０℃の複合磁性体を実施例３、熱処理温度３００℃の複合磁性体を実施例４とする。

（比較例）
実施例と同じ組成の軟磁性粒子を、絶縁粒子を配合せず、そのまま扁平化処理を行い、扁平化した軟磁性粒子を４００℃、２時間、窒素雰囲気中で熱処理した。

次に実施例と同様に有機溶媒、アクリルゴム、メラミンシアヌレート、赤燐を配合し、得たシート成形品を比較例１とする。

図３は、本発明における電磁干渉抑制体の透磁率の周波数特性を示す図である。図３（ａ）は実部透磁率μ’及び虚部透磁率μ’’の２．４５ＧＨｚまでの周波数特性、図３（ｂ）は虚部透磁率μ’’の１０ＧＨｚまでの周波数特性を示す。

図３（ａ）におけるμ’１、μ’’１は実施例１、μ’２、μ’’２は実施例２、μ’３、μ’’３は実施例３、μ’４、μ’’４は実施例４、μ’０、μ’’０は比較例１に対応している。

図３（ａ）より、実施例１乃至４は、比較例よりも全ての周波数範囲に渡って実部透磁率μ’、虚部透磁率μ’’共に高い。

また、図３（ｂ）は、１０ＧＨｚにおける透磁率は、熱処理温度の最も低い実施例１が最も高いことを示している。

図４は、本発明における電磁干渉抑制体の厚み方向断面の走査型電子顕微鏡写真である。図４（ａ）が実施例１の断面、図４（ｂ）が比較例１の断面を示している。

実施例１よりも比較例１のほうが扁平状の軟磁性粒子間の気泡及び隙間が大きいことを示している。

これは、扁平状の軟磁性粒子を熱処理することで結合剤への親和性や濡れ性がなくなったことに起因することを示している。

図５は、本発明の電磁干渉抑制体の扁平化された軟磁性粒子の走査型電子顕微鏡写真である。

図５は、実施例１乃至４の軟磁性粒子であり、扁平状の軟磁性粒子１の表面には絶縁粒子２が付着し、さらに絶縁粒子２を介して軟磁性粒子小片１１が付着していることがわかる。

図６は、本発明における電磁干渉抑制体の飽和磁歪と２．４５ＧＨｚにおける虚部透磁率μ’’の関係を示す図である。

図６には、実施例３の電磁干渉抑制体と、軟磁性粒子の材料のみ異なり、他は同一の条件で作成した実施例５乃至７、比較例３乃至７の結果を示している。

実施例５はＦｅ−Ｓｉ−Ｂ系、実施例６、７はＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｐ系、比較例２はＦｅ−Ｎｉ系、比較例３、４はＦｅ−Ｓｉ系、比較例５はＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ系、比較例６はＦｅ−Ａｌ系、比較例７はＦｅ−Ｃｏ系の材料である。

実施例３、実施例５乃至７は非晶質の軟磁性合金であり、比較例２乃至７は結晶質の軟磁性合金であり、それぞれのグループに分けると、飽和磁歪が３０．０×１０ ^−６ の辺りが最も虚部透磁率μ’’が高く、１２．０×１０ ^−６ 以上、３８．０×１０ ^−６ 以下の範囲でも高い値を得ることができる。

１ 軟磁性粒子
２ 絶縁粒子
３ 結合剤
１１ 軟磁性粒子小片

Claims (15)

1. 鉄系非晶質合金からなる扁平状の軟磁性粒子と、
   有機結合剤を主に含有し、
   前記鉄系非晶質合金は、組成式が｛Ｆｅ_ａ（Ｓｉ_ｘＢ_ｙＰ_ｚ）_１−ａ｝_{１００−ｂ}Ｌ_ｂ、ＬはＡｌ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗから選ばれる１種以上の元素であり、ａ、ｂ、ｘ、ｙ、ｚは０．７０≦ａ≦０．８２、０＜ｂ≦８原子％、０．０５≦ｘ≦０．６０、０．１０≦ｙ≦０．８５、０．０５≦ｚ≦０．７０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満たすものであり、
   １０ＧＨｚにおける虚部透磁率μ’’が７以上であることを特徴とする電磁干渉抑制体。
2. 鉄系非晶質合金からなる扁平状の軟磁性粒子と、
   有機結合剤を主に含有し、
   前記鉄系非晶質合金は、組成式が（Ｆｅ_１−ａＴＭ_ａ）_{１００−ｗ−ｘ−ｙ−ｚ}Ｐ_ｗＢ_ｘＬ_ｙＳｉ_ｚ、ＴＭはＣｏ、Ｎｉから選ばれる１種以上の元素であり、ＬはＡｌ、Ｖ、Ｃｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗから選ばれる１種以上の元素であり、ａ、ｗ、ｘ、ｙ、ｚは０≦ａ≦０．９８原子％、２≦ｗ≦１６原子％、２≦ｘ≦１６原子％、０＜ｙ≦１０原子％、０≦ｚ≦８原子％を満たすものであり、
   １０ＧＨｚにおける虚部透磁率μ’’が７以上であることを特徴とする電磁干渉抑制体。
3. 前記虚部透磁率μ’’の極大値が６ＧＨｚ以上、１０ＧＨｚ以下にあることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電磁干渉抑制体。
4. 前記扁平状の軟磁性粒子は、体積平均粒径（Ｄ５０）が１０μｍ以上、６０μｍ以下であり、
   厚さｔの平均値が０．５μｍ以上、１．５μｍ以下であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の電磁干渉抑制体。
5. 前記扁平状の軟磁性粒子は、
   １２．０×１０ ^−６ 以上、３８．０×１０ ^−６ 以下の飽和磁歪λｓを有することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の電磁干渉抑制体。
6. 前記扁平状の軟磁性粒子は、
   １７．０×１０ ^−６ 以上、２８．０×１０ ^−６ 以下の飽和磁歪λｓを有することを特徴とする請求項５に記載の電磁干渉抑制体。
7. 前記扁平状の軟磁性粒子の飽和磁束密度が１．２テスラ以上、１．６テスラ以下であることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載の電磁干渉抑制体。
8. 前記有機結合剤は、アクリルゴム、フッ素樹脂、ポリイソブチレン、エチレンプロピレン、ポリエチレン、イソプレンゴム、ブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム、ポリスチレン、ニトリルゴム、ウレタンゴム、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリビニルアルコール、ポリアミド、ポリイミドアミドのいずれかであることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれかに記載の電磁干渉抑制体。
9. さらに絶縁粒子を備え、
   前記軟磁性粒子の表面に前記絶縁粒子が付着していることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれかに記載の電磁干渉抑制体。
10. さらに軟磁性粒子小片を備え、
    前記軟磁性粒子の表面に前記絶縁粒子を介して前記軟磁性粒子小片が付着していることを特徴とする請求項９に記載の電磁干渉抑制体。
11. 前記絶縁粒子の１０％累積体積平均粒径（Ｄ１０）が１ｎｍ以上、かつ９０％累積体積平均粒径（Ｄ９０）が１００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１０に記載の電磁干渉抑制体。
12. 前記軟磁性粒子小片の断面における長軸の長さＬ１と、前記軟磁性粒子の断面における長軸の長さＬ２の比（Ｌ１／Ｌ２）の平均値は、１／２より小さいことを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載の電磁干渉抑制体。
13. 前記軟磁性粒子の断面において、前記軟磁性粒子に付着した前記絶縁粒子は、１個以上、３０個未満であることを特徴とする請求項９から請求項１２のいずれかに記載の電磁干渉抑制体。
14. 前記鉄系非晶質合金からなる扁平状の軟磁性粒子と、有機結合剤を主に含有する成形シートを、前記鉄系非晶質合金のキュリー点よりも低い温度で、かつ１００℃以上、３００℃以下の温度により熱処理を行うことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の電磁干渉抑制体の製造方法。
15. 組成式が｛Ｆｅ_ａ（Ｓｉ_ｘＢ_ｙＰ_ｚ）_１−ａ｝_{１００−ｂ}Ｌ_ｂ、ＬはＡｌ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗから選ばれる１種以上の元素であり、ａ、ｂ、ｘ、ｙ、ｚは０．７０≦ａ≦０．８２、０＜ｂ≦８原子％、０．０５≦ｘ≦０．６０、０．１０≦ｙ≦０．８５、０．０５≦ｚ≦０．７０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満たすか、
    または組成式が（Ｆｅ_１−ａＴＭ_ａ）_{１００−ｗ−ｘ−ｙ−ｚ}Ｐ_ｗＢ_ｘＬ_ｙＳｉ_ｚ、ＴＭはＣｏ、Ｎｉから選ばれる１種以上の元素であり、ＬはＡｌ、Ｖ、Ｃｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗから選ばれる１種以上の元素であり、ａ，ｗ，ｘ，ｙ，ｚは０≦ａ≦０．９８、２≦ｗ≦１６原子％、２≦ｘ≦１６原子％、０＜ｙ≦１０原子％、０≦ｚ≦８原子％を満たし、
    飽和磁歪λｓが１７．０×１０ ^−６ 以上、２８．０×１０ ^−６ 以下となる鉄系非晶質合金からなる扁平状の軟磁性粒子と、
    アクリルゴム、フッ素樹脂、ポリイソブチレン、エチレンプロピレン、ポリエチレン、イソプレンゴム、ブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム、ポリスチレン、ニトリルゴム、ウレタンゴム、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリビニルアルコール、ポリアミド、ポリイミドアミドのいずれかである有機結合剤を主に含有するシートを成形し、
    前記シートを、前記鉄系非晶質合金のキュリー点よりも低い温度で、かつ１００℃以上、３００℃以下の温度により熱処理を行うことを特徴とする電磁干渉抑制体の製造方法。

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