JP2003043203A - 反射防止膜、その製造方法、反射防止膜製造用スタンパ、その製造方法、スタンパ製造用鋳型及びその製造方法 - Google Patents
反射防止膜、その製造方法、反射防止膜製造用スタンパ、その製造方法、スタンパ製造用鋳型及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 任意のサイズの反射防止膜及びその反射防止
膜を安価に大量生産する方法を提供することである。 【解決手段】 光透過性プラスチック基体の少なくとも
一方の表面に、微細な凹凸を有し、前記凹凸の周期が３
５ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内であり、かつ、前記凹凸の
深さが１００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲内であることを特
徴とする反射防止膜。この反射防止膜は、Ｎｉ基体の一
方の表面に、微細な凹凸を有し、前記凹凸の周期が３５
ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内であり、かつ、前記凹凸の深
さが１００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲内であるスタンパを
用いて光透過性プラスチック樹脂を型押しするか、又は
このスタンパにプラスチック樹脂をキャスティングする
ことによりスタンパの表面形状が転写された任意のサイ
ズの光透過性プラスチック反射防止膜を安価に大量生産
することができる。
膜を安価に大量生産する方法を提供することである。 【解決手段】 光透過性プラスチック基体の少なくとも
一方の表面に、微細な凹凸を有し、前記凹凸の周期が３
５ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内であり、かつ、前記凹凸の
深さが１００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲内であることを特
徴とする反射防止膜。この反射防止膜は、Ｎｉ基体の一
方の表面に、微細な凹凸を有し、前記凹凸の周期が３５
ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内であり、かつ、前記凹凸の深
さが１００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲内であるスタンパを
用いて光透過性プラスチック樹脂を型押しするか、又は
このスタンパにプラスチック樹脂をキャスティングする
ことによりスタンパの表面形状が転写された任意のサイ
ズの光透過性プラスチック反射防止膜を安価に大量生産
することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は反射防止膜に関す
る。更に詳細には、本発明は反射防膜を安価に量産化す
る技術に関する。
る。更に詳細には、本発明は反射防膜を安価に量産化す
る技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】情報社会の発展に伴い、携帯電話や個人
情報端末機器が急速に普及している。一般的に、携帯電
話や個人携帯端末の表示部には可視光の反射を防止する
ための反射防止膜が配設されている。
情報端末機器が急速に普及している。一般的に、携帯電
話や個人携帯端末の表示部には可視光の反射を防止する
ための反射防止膜が配設されている。
【０００３】このような従来の光反射防止膜は屈折率の
異なる最低２層の薄膜で構成され、最近では４層から構
成されたものが一般的になっている。この光反射防止膜
は通常プラスティック基板上に成膜されるため成膜時の
温度が上昇を防ぐ必要がある。また、プラスティック基
板との密着性を高める事も必要とされる。さらに４層の
薄膜を成膜するため、成膜のタクトに時間を要し、量産
化の際に大きな問題となっている。
異なる最低２層の薄膜で構成され、最近では４層から構
成されたものが一般的になっている。この光反射防止膜
は通常プラスティック基板上に成膜されるため成膜時の
温度が上昇を防ぐ必要がある。また、プラスティック基
板との密着性を高める事も必要とされる。さらに４層の
薄膜を成膜するため、成膜のタクトに時間を要し、量産
化の際に大きな問題となっている。
【０００４】また、従来の光反射防止膜はスパッタ法で
成膜されていたので、小サイズの光反射防止膜は製造で
きるが、大きなサイズの光反射防止膜を製造することは
困難であった。
成膜されていたので、小サイズの光反射防止膜は製造で
きるが、大きなサイズの光反射防止膜を製造することは
困難であった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、任意のサイズの反射防止膜及びその反射防止膜を安
価に大量生産する方法を提供することである。
は、任意のサイズの反射防止膜及びその反射防止膜を安
価に大量生産する方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記課題は、基体の一方
の表面に、微細な凹凸を有し、前記凹凸の周期が３５ｎ
ｍ〜４００ｎｍの範囲内であることを特徴とする反射防
止膜製造用スタンパを使用することにより解決される。
の表面に、微細な凹凸を有し、前記凹凸の周期が３５ｎ
ｍ〜４００ｎｍの範囲内であることを特徴とする反射防
止膜製造用スタンパを使用することにより解決される。
【０００７】本発明では、基体表面に周期が可視光の波
長より短い微細な凹凸を有する反射防止膜製造用スタン
パを提供する。可視光より波長の短い微細な凹凸が基体
表面に存在すると、その微細な凹凸のスロープに従って
屈折率が徐々に変化し、可視光の反射防止効果が誘起さ
れる。しかし、可視光の波長よりも短く、かつ規則性を
有する微細な凹凸はこれまで作製する事が出来なかっ
た。本発明では微細孔径が３５ｎｍ〜４００ｎｍの陽極
酸化ポーラスアルミナをマスクに用いるため、基体表面
に可視光の波長よりも短い微細な凹凸を形成する事が出
来る。
長より短い微細な凹凸を有する反射防止膜製造用スタン
パを提供する。可視光より波長の短い微細な凹凸が基体
表面に存在すると、その微細な凹凸のスロープに従って
屈折率が徐々に変化し、可視光の反射防止効果が誘起さ
れる。しかし、可視光の波長よりも短く、かつ規則性を
有する微細な凹凸はこれまで作製する事が出来なかっ
た。本発明では微細孔径が３５ｎｍ〜４００ｎｍの陽極
酸化ポーラスアルミナをマスクに用いるため、基体表面
に可視光の波長よりも短い微細な凹凸を形成する事が出
来る。
【０００８】従って、本発明によれば、前記スタンパは
任意のサイズに製造することができ、このスタンパを用
いてプラスチック樹脂を型押しするか、又はこのスタン
パにプラスチック樹脂をキャスティングすることにより
スタンパの表面形状が転写されたプラスチック製の反射
防止膜を安価に大量生産することができる。
任意のサイズに製造することができ、このスタンパを用
いてプラスチック樹脂を型押しするか、又はこのスタン
パにプラスチック樹脂をキャスティングすることにより
スタンパの表面形状が転写されたプラスチック製の反射
防止膜を安価に大量生産することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の反射防止膜及びその製造用スタンパ並びにその製造方
法について説明する。図１は本発明による反射防止膜の
一例の概要断面図である。本発明の反射防止膜１は例え
ば、光透過性のプラスチック（例えば、ポリカーボネー
ト樹脂、アクリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂など）
基板３から形成されている。反射防止膜１は一方の面に
凹凸状の突起５を有する。この突起の形状は例えば、略
四角錐、略三角錐、略円錐などの略錐体形状であること
が好ましい。反射防止効果が得られるので有ればこれら
以外の形状も使用できる。
の反射防止膜及びその製造用スタンパ並びにその製造方
法について説明する。図１は本発明による反射防止膜の
一例の概要断面図である。本発明の反射防止膜１は例え
ば、光透過性のプラスチック（例えば、ポリカーボネー
ト樹脂、アクリレート樹脂、ポリオレフィン樹脂など）
基板３から形成されている。反射防止膜１は一方の面に
凹凸状の突起５を有する。この突起の形状は例えば、略
四角錐、略三角錐、略円錐などの略錐体形状であること
が好ましい。反射防止効果が得られるので有ればこれら
以外の形状も使用できる。
【００１０】本発明の反射防止膜１における突起５間の
周期又は間隔（Ｗ）は３５ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内で
あることが好ましい。突起５間の周期Ｗが３５ｎｍ未満
の場合、突起配列の規則性が悪くなり、均一な反射防止
効果が得られなくなる。一方、突起５間の周期Ｗが４０
０ｎｍ超の場合、可視光の領域に入ることとなり、可視
光の反射防止効果が低下する。
周期又は間隔（Ｗ）は３５ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内で
あることが好ましい。突起５間の周期Ｗが３５ｎｍ未満
の場合、突起配列の規則性が悪くなり、均一な反射防止
効果が得られなくなる。一方、突起５間の周期Ｗが４０
０ｎｍ超の場合、可視光の領域に入ることとなり、可視
光の反射防止効果が低下する。
【００１１】また、本発明の反射防止膜１における突起
５の深さ（Ｄ）は１００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲内であ
ることが好ましい。突起５の深さＤは可視光から赤外光
の波長の１／４程度でないと、可視光及び赤外光の反射
率を低減させることができない。
５の深さ（Ｄ）は１００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲内であ
ることが好ましい。突起５の深さＤは可視光から赤外光
の波長の１／４程度でないと、可視光及び赤外光の反射
率を低減させることができない。
【００１２】本発明の反射防止膜１では、凹凸状の突起
５は基板３の一方の面だけに形成することができるが、
所望により、基板３の両方の面に形成することもでき
る。基板３の両方の面に凹凸状の突起５を形成すると、
一方の面にだけ凹凸状の突起５を形成した場合の反射率
よりも倍以上も反射率が改善される。
５は基板３の一方の面だけに形成することができるが、
所望により、基板３の両方の面に形成することもでき
る。基板３の両方の面に凹凸状の突起５を形成すると、
一方の面にだけ凹凸状の突起５を形成した場合の反射率
よりも倍以上も反射率が改善される。
【００１３】図２（Ａ）は、図１に示された本発明の反
射防止膜１を製造するのに使用されるスタンパ８の部分
断面図である。図示されているように、スタンパ８は反
射防止膜１の形状の反転形の表面形状を有する。スタン
パ８は例えば、Ｎｉなどの金属から形成されている。
射防止膜１を製造するのに使用されるスタンパ８の部分
断面図である。図示されているように、スタンパ８は反
射防止膜１の形状の反転形の表面形状を有する。スタン
パ８は例えば、Ｎｉなどの金属から形成されている。
【００１４】図２（Ｂ）は、図２（Ａ）に示されたスタ
ンパ８を製造するための鋳型７の部分断面図である。鋳
型７は本発明の反射防止膜１と略同一の断面形状を有す
る。鋳型７はアルミニウム、アルミナなどの金属又はシ
リコンなどの無機材料から形成されている。
ンパ８を製造するための鋳型７の部分断面図である。鋳
型７は本発明の反射防止膜１と略同一の断面形状を有す
る。鋳型７はアルミニウム、アルミナなどの金属又はシ
リコンなどの無機材料から形成されている。
【００１５】図１に示された本発明の反射防止膜１は、
図２（Ａ）に示されたスタンパ８を金型として用いて射
出成型することにより、光透過性プラスチック基板表面
に周期が３５ｎｍ〜４００ｎｍの微細な凹凸を転写する
ことができる。また、マスターマザー法により、凹凸の
パターンを反転させることもできる。特に、射出成型法
によれば、周期が３５ｎｍ〜４００ｎｍの微細な凹凸を
表面に有する光透過性プラスチック基板を安価に、か
つ、大量に生産することができ、反射防止膜の製造コス
トを大幅に低減させることができるばかりか、大型の反
射防止膜も容易に、かつ安価に製造することができる。
図２（Ａ）に示されたスタンパ８を金型として用いて射
出成型することにより、光透過性プラスチック基板表面
に周期が３５ｎｍ〜４００ｎｍの微細な凹凸を転写する
ことができる。また、マスターマザー法により、凹凸の
パターンを反転させることもできる。特に、射出成型法
によれば、周期が３５ｎｍ〜４００ｎｍの微細な凹凸を
表面に有する光透過性プラスチック基板を安価に、か
つ、大量に生産することができ、反射防止膜の製造コス
トを大幅に低減させることができるばかりか、大型の反
射防止膜も容易に、かつ安価に製造することができる。
【００１６】鋳型７がアルミニウム又はアルミナから形
成されている場合、柔らか過ぎるために、この鋳型７を
射出成型用の金型として用いて直接反射防止膜を製造す
ることはできない。また、鋳型７がシリコンから形成さ
れている場合、逆に、硬すぎて割れやすいので、射出成
型用の金型として用いることはできない。従って、本発
明の反射防止膜１を製造するには、先ず、図２（Ｂ）に
示される鋳型７を製造し、次いで、この鋳型７からＮｉ
スタンパ８を製造し、このＮｉスタンパ８を射出成型用
の金型として用いなければならない。
成されている場合、柔らか過ぎるために、この鋳型７を
射出成型用の金型として用いて直接反射防止膜を製造す
ることはできない。また、鋳型７がシリコンから形成さ
れている場合、逆に、硬すぎて割れやすいので、射出成
型用の金型として用いることはできない。従って、本発
明の反射防止膜１を製造するには、先ず、図２（Ｂ）に
示される鋳型７を製造し、次いで、この鋳型７からＮｉ
スタンパ８を製造し、このＮｉスタンパ８を射出成型用
の金型として用いなければならない。
【００１７】本発明の反射防止膜１は、Ｎｉスタンパ８
を用いることにより比較的大きなサイズに形成すること
ができるので、その用途としては、携帯電話などの表示
画面の他に、ＰＤＡなどのような携帯用表示装置、ノー
ト型パソコンの表示画面などにも使用することができ
る。従来の方法では、このような大型の表示装置の反射
防止膜を形成することが不可能であるか、又は極めて困
難であったので、本発明のスタンパを用いることからな
る反射防止膜の製造方法は画期的である。
を用いることにより比較的大きなサイズに形成すること
ができるので、その用途としては、携帯電話などの表示
画面の他に、ＰＤＡなどのような携帯用表示装置、ノー
ト型パソコンの表示画面などにも使用することができ
る。従来の方法では、このような大型の表示装置の反射
防止膜を形成することが不可能であるか、又は極めて困
難であったので、本発明のスタンパを用いることからな
る反射防止膜の製造方法は画期的である。
【００１８】図３は本発明の鋳型７の製造方法の一例を
示す模式図である。ステップ（Ａ）において、シリコン
などの無機材料の基体９の一方の表面にアルミニウムな
どの金属を物理蒸着する。得られたＡｌ蒸着膜１１を陽
極酸化する。これにより、基体９のＡｌ蒸着膜１１上に
陽極酸化ポーラスアルミナ層１３が形成される。
示す模式図である。ステップ（Ａ）において、シリコン
などの無機材料の基体９の一方の表面にアルミニウムな
どの金属を物理蒸着する。得られたＡｌ蒸着膜１１を陽
極酸化する。これにより、基体９のＡｌ蒸着膜１１上に
陽極酸化ポーラスアルミナ層１３が形成される。
【００１９】次いで、ステップ（Ｂ）において、陽極酸
化ポーラスアルミナ層１３の底部に存在するアルミナを
湿式又は乾式エッチングにより除去して基体９の表面を
露出させ、陽極酸化ポーラスアルミナ層１３をマスクに
して露出基体を湿式又は乾式エッチングする。最後に、
ステップ（Ｃ）において、陽極酸化ポーラスアルミナ層
１３及び残留Ａｌ層１１を全て除去すると、図２（Ｂ）
に示されるような鋳型７が得られる。
化ポーラスアルミナ層１３の底部に存在するアルミナを
湿式又は乾式エッチングにより除去して基体９の表面を
露出させ、陽極酸化ポーラスアルミナ層１３をマスクに
して露出基体を湿式又は乾式エッチングする。最後に、
ステップ（Ｃ）において、陽極酸化ポーラスアルミナ層
１３及び残留Ａｌ層１１を全て除去すると、図２（Ｂ）
に示されるような鋳型７が得られる。
【００２０】金属Ａｌを硫酸、シュウ酸、燐酸中で陽極
酸化するとポーラスアルミナが膜面垂直方向に形成され
る。ポーラスアルミナ中の微細孔周期は陽極酸化時の電
解電圧で３５ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内に制御できる。
このポーラスアルミナを基体上に配置し、これをマスク
として基体を湿式或いは乾式な手法でエッチングを行う
ことにより、基体表面に周期３５ｎｍ〜４００ｎｍで微
細な凹凸を形成できる。ポーラスアルミナの周期は金属
Ａｌを陽極酸化する際に印加する直流電圧に密接に関係
している。陽極酸化を行う際に印加する直流電圧をＶＤ
Ｃとすると、得られるポーラスアルミナの周期Ｃｐは実
験式Ｃｐ＝２．６ＶＤＣ（ｎｍ）に従う。従って例えば
３００ｎｍの周期を有するポーラスアルミナを得るため
には、陽極酸化する際に印加する直流電圧ＶＤＣを約１
１５Ｖにすれば良い。また陽極酸化時に形成される微細
孔径Ｄｐも実験式Ｄｐ＝１／３Ｃｐに従う。従ってＣｐ
＝３００ｎｍの場合、Ｄｐは約１００ｎｍである。ま
た、陽極酸化後、微細孔の周期を変えずに微細孔径のみ
を拡大できる。例えば周期３００ｎｍ、微細孔径１００
ｎｍのポーラスアルミナを燐酸水溶液中に浸漬する事に
より、微細孔径をＣｐ近くまで拡大できる。
酸化するとポーラスアルミナが膜面垂直方向に形成され
る。ポーラスアルミナ中の微細孔周期は陽極酸化時の電
解電圧で３５ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内に制御できる。
このポーラスアルミナを基体上に配置し、これをマスク
として基体を湿式或いは乾式な手法でエッチングを行う
ことにより、基体表面に周期３５ｎｍ〜４００ｎｍで微
細な凹凸を形成できる。ポーラスアルミナの周期は金属
Ａｌを陽極酸化する際に印加する直流電圧に密接に関係
している。陽極酸化を行う際に印加する直流電圧をＶＤ
Ｃとすると、得られるポーラスアルミナの周期Ｃｐは実
験式Ｃｐ＝２．６ＶＤＣ（ｎｍ）に従う。従って例えば
３００ｎｍの周期を有するポーラスアルミナを得るため
には、陽極酸化する際に印加する直流電圧ＶＤＣを約１
１５Ｖにすれば良い。また陽極酸化時に形成される微細
孔径Ｄｐも実験式Ｄｐ＝１／３Ｃｐに従う。従ってＣｐ
＝３００ｎｍの場合、Ｄｐは約１００ｎｍである。ま
た、陽極酸化後、微細孔の周期を変えずに微細孔径のみ
を拡大できる。例えば周期３００ｎｍ、微細孔径１００
ｎｍのポーラスアルミナを燐酸水溶液中に浸漬する事に
より、微細孔径をＣｐ近くまで拡大できる。
【００２１】本発明において、陽極酸化ポーラスアルミ
ナをマスクにして湿式或いは乾式な手法でエッチングさ
れる基体９はＳｉが適している。ＳｉをＫＯＨ水溶液中
で異方性エッチングすると、ピラミッド状の凹凸が形成
される。
ナをマスクにして湿式或いは乾式な手法でエッチングさ
れる基体９はＳｉが適している。ＳｉをＫＯＨ水溶液中
で異方性エッチングすると、ピラミッド状の凹凸が形成
される。
【００２２】本発明において基体に金属Ａｌを物理蒸着
する場合、金属Ａｌが粒成長し結晶粒径が増大する事を
抑制するために、Ａｌ中にＳｉ，Ｔの少なくとも一方の
元素を添加することが有効である。Ａｌの融点は６６０
℃と低いため、物理蒸着する際、そのエネルギーで容易
に結晶粒が成長し易い。結晶粒が大きくなりすぎると、
後の陽極酸化の過程で規則性を有するポーラスアルミナ
が得られにくい。ＴｉとＳｉはＡｌに対して固溶しにく
いため、Ａｌと同じに物理蒸着する事によりＡｌ結晶粒
が成長することを抑制し、結果として微細な結晶粒が得
られる。Ｔｉ或いはＳｉの組成は１〜５at％が適する。
１at％未満の場合、Ａｌ結晶粒の成長を抑制する効果が
不充分であり、５at％を超えると後の陽極酸化に悪影響
を及ぼす。
する場合、金属Ａｌが粒成長し結晶粒径が増大する事を
抑制するために、Ａｌ中にＳｉ，Ｔの少なくとも一方の
元素を添加することが有効である。Ａｌの融点は６６０
℃と低いため、物理蒸着する際、そのエネルギーで容易
に結晶粒が成長し易い。結晶粒が大きくなりすぎると、
後の陽極酸化の過程で規則性を有するポーラスアルミナ
が得られにくい。ＴｉとＳｉはＡｌに対して固溶しにく
いため、Ａｌと同じに物理蒸着する事によりＡｌ結晶粒
が成長することを抑制し、結果として微細な結晶粒が得
られる。Ｔｉ或いはＳｉの組成は１〜５at％が適する。
１at％未満の場合、Ａｌ結晶粒の成長を抑制する効果が
不充分であり、５at％を超えると後の陽極酸化に悪影響
を及ぼす。
【００２３】図４は、本発明の鋳型７の製造方法の別の
例を示す模式図である。先ず、ステップ（Ａ）におい
て、アルミニウム地金１５を準備する。アルミニウム地
金１５の表面は予め電解研磨しておくことが好ましい。
このアルミニウム地金を電解液中で陽極酸化すると、ア
ルミニウム基板表面に酸化被膜が生成する。このとき形
成されるバリヤ層の厚みは印加電圧に比例し、１Ｖあた
り１２〜１３オングストローム（以下「Ａ」で示す）の
膜厚を与える。中性の電解液を用いた場合には、緻密で
一定の厚さの酸化被膜が形成されるのに対し、硫酸、シ
ュウ酸、燐酸などの酸性電解液中で陽極酸化を行うと、
陽極酸化時間に比例した膜厚を有する酸化被膜が生成さ
れる。一定の厚みの酸化被膜が表面に生成した後、酸性
電解液中では、酸の作用による溶解が生じる。一旦溶解
が起こり、微小孔が発生すると、膜厚方向の電場強度が
増大し、被膜の溶解が加速される。並行して、溶解によ
り厚みが減少した分、酸化被膜のＡｌ地金側への成長が
進行する。このように、一旦、孔が形成された部分では
優先的に酸化被膜の溶解、酸化層の成長が進行すること
となる。このように局所的な酸化被膜の溶解・生成が進
行することにより、陽極酸化アルミナには“セル”１７
と呼ばれる独特の構造が形成される。図示されているよ
うに、セルは局所的な被膜の溶解・成長の結果形成され
る円柱状の構造であり、細孔底部部分１９（バリア層と
よばれる）で被膜の溶解・成長が同時進行する。バリヤ
層１９の厚みは前記の定数（１２〜１３Ａ／Ｖ）に従
う。セルサイズは、バリヤ層厚みのほぼ２倍に相当し、
印加電圧に比例して直線的に増加する。同時に各セルの
中心に位置する細孔５の間隔も電圧と比例関係を示す。
酸化被膜が成長する過程でこのようなセル構造が生じ、
これらがバランスして成長することで細孔２１がほぼ等
間隔に配列した独特な構造が形成される。細孔２１の規
則性が生じるのは、酸化被膜の成長が定常状態になり、
セル間にバランスが生じた後である。この陽極酸化を適
切な条件で行うと、数μｍ以上の長距離にわたって、自
己組織化的に細孔が六方最密配列した高規則性ポーラス
構造が得られる。
例を示す模式図である。先ず、ステップ（Ａ）におい
て、アルミニウム地金１５を準備する。アルミニウム地
金１５の表面は予め電解研磨しておくことが好ましい。
このアルミニウム地金を電解液中で陽極酸化すると、ア
ルミニウム基板表面に酸化被膜が生成する。このとき形
成されるバリヤ層の厚みは印加電圧に比例し、１Ｖあた
り１２〜１３オングストローム（以下「Ａ」で示す）の
膜厚を与える。中性の電解液を用いた場合には、緻密で
一定の厚さの酸化被膜が形成されるのに対し、硫酸、シ
ュウ酸、燐酸などの酸性電解液中で陽極酸化を行うと、
陽極酸化時間に比例した膜厚を有する酸化被膜が生成さ
れる。一定の厚みの酸化被膜が表面に生成した後、酸性
電解液中では、酸の作用による溶解が生じる。一旦溶解
が起こり、微小孔が発生すると、膜厚方向の電場強度が
増大し、被膜の溶解が加速される。並行して、溶解によ
り厚みが減少した分、酸化被膜のＡｌ地金側への成長が
進行する。このように、一旦、孔が形成された部分では
優先的に酸化被膜の溶解、酸化層の成長が進行すること
となる。このように局所的な酸化被膜の溶解・生成が進
行することにより、陽極酸化アルミナには“セル”１７
と呼ばれる独特の構造が形成される。図示されているよ
うに、セルは局所的な被膜の溶解・成長の結果形成され
る円柱状の構造であり、細孔底部部分１９（バリア層と
よばれる）で被膜の溶解・成長が同時進行する。バリヤ
層１９の厚みは前記の定数（１２〜１３Ａ／Ｖ）に従
う。セルサイズは、バリヤ層厚みのほぼ２倍に相当し、
印加電圧に比例して直線的に増加する。同時に各セルの
中心に位置する細孔５の間隔も電圧と比例関係を示す。
酸化被膜が成長する過程でこのようなセル構造が生じ、
これらがバランスして成長することで細孔２１がほぼ等
間隔に配列した独特な構造が形成される。細孔２１の規
則性が生じるのは、酸化被膜の成長が定常状態になり、
セル間にバランスが生じた後である。この陽極酸化を適
切な条件で行うと、数μｍ以上の長距離にわたって、自
己組織化的に細孔が六方最密配列した高規則性ポーラス
構造が得られる。
【００２４】自己組織化的に細孔が六方最密配列した高
規則性ポーラス構造が得られたら、その後、ステップ
（Ｂ）において、残った地金部分１５を除去してアルミ
ナモールド２３を形成する。この地金部分１５は例え
ば、飽和昇汞（塩化第１水銀）溶液などを使用すること
により選択的に溶解・除去することができる。その後、
必要に応じて、アルミナモールド２３の細孔２１の孔径
拡大処理（Ｐ．Ｗ．）を行うこともできる。このような
孔径拡大処理は例えば、５wt％のリン酸水溶液に、例え
ば、３０℃で所定時間浸漬させることにより行われる。
一例として、「Ｐ．Ｗ．２０」とは、５wt％のリン酸水
溶液に３０℃で２０分間浸漬させて孔径拡大処理したこ
とを意味する。
規則性ポーラス構造が得られたら、その後、ステップ
（Ｂ）において、残った地金部分１５を除去してアルミ
ナモールド２３を形成する。この地金部分１５は例え
ば、飽和昇汞（塩化第１水銀）溶液などを使用すること
により選択的に溶解・除去することができる。その後、
必要に応じて、アルミナモールド２３の細孔２１の孔径
拡大処理（Ｐ．Ｗ．）を行うこともできる。このような
孔径拡大処理は例えば、５wt％のリン酸水溶液に、例え
ば、３０℃で所定時間浸漬させることにより行われる。
一例として、「Ｐ．Ｗ．２０」とは、５wt％のリン酸水
溶液に３０℃で２０分間浸漬させて孔径拡大処理したこ
とを意味する。
【００２５】その後、ステップ（Ｃ）において、アルミ
ナモールド２３をＳｉ基体９の上面に密着させ、アルミ
ナモールド２３のバリヤ層１９を湿式又は乾式エッチン
グにより除去し、基体９の表面を露出させ、アルミナモ
ールド２３をマスクにして露出基体を湿式又は乾式エッ
チングする。図示されていないが、図３と同様に、最後
にアルミナモールド２３を除去して図２（Ｂ）に示され
るような鋳型７を得る。
ナモールド２３をＳｉ基体９の上面に密着させ、アルミ
ナモールド２３のバリヤ層１９を湿式又は乾式エッチン
グにより除去し、基体９の表面を露出させ、アルミナモ
ールド２３をマスクにして露出基体を湿式又は乾式エッ
チングする。図示されていないが、図３と同様に、最後
にアルミナモールド２３を除去して図２（Ｂ）に示され
るような鋳型７を得る。
【００２６】図５は、本発明の鋳型７の製造方法の更に
別の例を示す模式図である。ステップ（Ａ）は図３に示
された方法のステップ（Ａ）と同一である。ステップ
（Ｂ）において、陽極酸化ポーラスアルミナ層１３の底
部に存在するアルミナを湿式又は乾式エッチングにより
除去して基体９の表面を露出させた後、この陽極酸化ポ
ーラスアルミナ層１３をマスクにして、基体９の露出面
上に、酸及びアルカリに耐性のある材料２５を物理蒸着
する。「酸及びアルカリに耐性のある材料」とは例え
ば、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｔ又はこれらの合金類などである。
物理蒸着の手法自体は当業者に周知であり、説明を要し
ないであろう。酸及びアルカリに耐性のある材料２５の
膜厚は一般的に、１０ｎｍ〜３０ｎｍの範囲内であるこ
とが好ましい。材料層２５の膜厚が１０ｎｍ未満の場
合、マスキング効果が不十分となり、マスクした部分も
エッチングを受ける可能性がある。一方、材料層２５の
膜厚が３０ｎｍ超の場合、マスキング効果が飽和し、不
経済となるだけである。その後、ステップ（Ｃ）におい
て、陽極酸化ポーラスアルミナ層１３と残存しているＡ
ｌ層１１を基体９から除去し、上面に酸及びアルカリに
耐性のある材料層２５からなるマスクを有する基体９を
湿式又は乾式エッチング手法によりエッチングし、最後
に酸及びアルカリに耐性のある材料層２５を湿式又は乾
式エッチング手法により除去すると、図２（Ｂ）に示さ
れるような鋳型７が得られる。
別の例を示す模式図である。ステップ（Ａ）は図３に示
された方法のステップ（Ａ）と同一である。ステップ
（Ｂ）において、陽極酸化ポーラスアルミナ層１３の底
部に存在するアルミナを湿式又は乾式エッチングにより
除去して基体９の表面を露出させた後、この陽極酸化ポ
ーラスアルミナ層１３をマスクにして、基体９の露出面
上に、酸及びアルカリに耐性のある材料２５を物理蒸着
する。「酸及びアルカリに耐性のある材料」とは例え
ば、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｔ又はこれらの合金類などである。
物理蒸着の手法自体は当業者に周知であり、説明を要し
ないであろう。酸及びアルカリに耐性のある材料２５の
膜厚は一般的に、１０ｎｍ〜３０ｎｍの範囲内であるこ
とが好ましい。材料層２５の膜厚が１０ｎｍ未満の場
合、マスキング効果が不十分となり、マスクした部分も
エッチングを受ける可能性がある。一方、材料層２５の
膜厚が３０ｎｍ超の場合、マスキング効果が飽和し、不
経済となるだけである。その後、ステップ（Ｃ）におい
て、陽極酸化ポーラスアルミナ層１３と残存しているＡ
ｌ層１１を基体９から除去し、上面に酸及びアルカリに
耐性のある材料層２５からなるマスクを有する基体９を
湿式又は乾式エッチング手法によりエッチングし、最後
に酸及びアルカリに耐性のある材料層２５を湿式又は乾
式エッチング手法により除去すると、図２（Ｂ）に示さ
れるような鋳型７が得られる。
【００２７】別法として、図６に示されるように、図５
に示される方法のステップ（Ｃ）において、上面に酸及
びアルカリに耐性のある材料層２５からなるマスクを有
する基体９を熱処理して表面を酸化させ、その後、酸及
びアルカリに耐性のある材料層２５を湿式又は乾式エッ
チング手法により除去し、表面酸化層２７をマスクにし
て基体９を湿式又は乾式エッチング手法によりエッチン
グすると、図２（Ｂ）に示されるような鋳型７が得られ
る。
に示される方法のステップ（Ｃ）において、上面に酸及
びアルカリに耐性のある材料層２５からなるマスクを有
する基体９を熱処理して表面を酸化させ、その後、酸及
びアルカリに耐性のある材料層２５を湿式又は乾式エッ
チング手法により除去し、表面酸化層２７をマスクにし
て基体９を湿式又は乾式エッチング手法によりエッチン
グすると、図２（Ｂ）に示されるような鋳型７が得られ
る。
【００２８】基体９の熱処理条件は例えば、加熱温度と
しては基体の種類にもよるが、一般的に、９００℃〜１
２００℃の範囲内であることが好ましい。加熱温度が９
００℃未満の場合、表面酸化層の形成が不十分となる。
一方、加熱温度が１２００℃超の場合、表面酸化層の形
成が飽和して不経済となるばかりか、基体に熱応力変形
を生じるので好ましくない。加熱処理は大気中又は不活
性雰囲気中の何れの雰囲気中でも実施できる。熱処理の
時間は使用する熱処理温度に応じて変化するが、一般的
に、３０分間〜１時間の範囲内であることが好ましい。
しては基体の種類にもよるが、一般的に、９００℃〜１
２００℃の範囲内であることが好ましい。加熱温度が９
００℃未満の場合、表面酸化層の形成が不十分となる。
一方、加熱温度が１２００℃超の場合、表面酸化層の形
成が飽和して不経済となるばかりか、基体に熱応力変形
を生じるので好ましくない。加熱処理は大気中又は不活
性雰囲気中の何れの雰囲気中でも実施できる。熱処理の
時間は使用する熱処理温度に応じて変化するが、一般的
に、３０分間〜１時間の範囲内であることが好ましい。
【００２９】更に別法として、図７に示されるように、
図５に示される方法のステップ（Ｃ）における上面に物
理蒸着膜２５からなるマスクを有する基体９で、物理蒸
着膜２５がＡｕからなる場合、これを真空中で、例え
ば、５００℃程度の高温度で３０分間〜６０分間の期間
にわたって加熱処理すると、Ａｕ膜２５は基体９のＳｉ
と共に、Ａｕ／Ｓｉの共晶体の円錐状突起２９に成長す
る。この円錐状突起２９を有する基体９はそのまま鋳型
７として使用することもできる。
図５に示される方法のステップ（Ｃ）における上面に物
理蒸着膜２５からなるマスクを有する基体９で、物理蒸
着膜２５がＡｕからなる場合、これを真空中で、例え
ば、５００℃程度の高温度で３０分間〜６０分間の期間
にわたって加熱処理すると、Ａｕ膜２５は基体９のＳｉ
と共に、Ａｕ／Ｓｉの共晶体の円錐状突起２９に成長す
る。この円錐状突起２９を有する基体９はそのまま鋳型
７として使用することもできる。
【００３０】図８はＡｌ地金から本発明の鋳型７を製造
する方法を示す模式図である。図４のステップ（Ａ）で
説明したように、アルミニウム地金１５を準備する。ア
ルミニウム地金１５の表面は予め電解研磨しておくこと
が好ましい。このアルミニウム地金を電解液中で陽極酸
化すると、アルミニウム基板表面に酸化被膜が生成す
る。このとき形成される酸化被膜は除去することが好ま
しい。一定の陽極酸化膜（０．２５μｍ以上）を設ける
とアルマイトの規則性が向上するためである。その後、
再び同じ条件で陽極酸化を行うと、陽極酸化ポーラスア
ルミナ層１７内にに細孔２１が形成される。細孔底部部
分はバリア層１９とよばれる。次に、ステップ（Ｂ）に
おいて、必要に応じて細孔２１の孔径拡大処理（Ｐ．
Ｗ．）を行う。次いで、細孔２１の底部のバリヤ層１９
を湿式又は乾式エッチング手法により除去して地金のＡ
ｌ表面を露出させる。その後、ステップ（Ｃ）におい
て、残った陽極酸化ポーラスアルミナ層１７をマスクに
して、湿式又は乾式エッチング手法により、下層の金属
Ａｌ層をエッチングし、最後に陽極酸化ポーラスアルミ
ナ層１７を除去して本発明の鋳型７を得る。
する方法を示す模式図である。図４のステップ（Ａ）で
説明したように、アルミニウム地金１５を準備する。ア
ルミニウム地金１５の表面は予め電解研磨しておくこと
が好ましい。このアルミニウム地金を電解液中で陽極酸
化すると、アルミニウム基板表面に酸化被膜が生成す
る。このとき形成される酸化被膜は除去することが好ま
しい。一定の陽極酸化膜（０．２５μｍ以上）を設ける
とアルマイトの規則性が向上するためである。その後、
再び同じ条件で陽極酸化を行うと、陽極酸化ポーラスア
ルミナ層１７内にに細孔２１が形成される。細孔底部部
分はバリア層１９とよばれる。次に、ステップ（Ｂ）に
おいて、必要に応じて細孔２１の孔径拡大処理（Ｐ．
Ｗ．）を行う。次いで、細孔２１の底部のバリヤ層１９
を湿式又は乾式エッチング手法により除去して地金のＡ
ｌ表面を露出させる。その後、ステップ（Ｃ）におい
て、残った陽極酸化ポーラスアルミナ層１７をマスクに
して、湿式又は乾式エッチング手法により、下層の金属
Ａｌ層をエッチングし、最後に陽極酸化ポーラスアルミ
ナ層１７を除去して本発明の鋳型７を得る。
【００３１】図９はＡｌ地金から本発明の鋳型７を製造
する別の方法を示す模式図である。図４のステップ
（Ａ）で説明したように、アルミニウム地金１５を準備
する。アルミニウム地金１５の表面は予め電解研磨して
おくことが好ましい。このアルミニウム地金を電解液中
で陽極酸化すると、アルミニウム基板表面に酸化被膜が
生成する。このとき形成される酸化被膜は除去し、再び
同じ条件で陽極酸化を行うと、陽極酸化ポーラスアルミ
ナ層１７内に細孔２１が形成される。細孔底部部分はバ
リア層１９とよばれる。次に、ステップ（Ｂ）におい
て、必要に応じて細孔２１の孔径拡大処理（Ｐ．Ｗ．）
を行う。次いで、陽極酸化ポーラスアルミナ層１７の一
部を湿式又は乾式な手法によりエッチングし除去する。
アルミニウム地金１５の上面に陽極酸化ポーラスアルミ
ナ層１７が残るので、この状態のアルミニウム地金１５
を鋳型７として使用することができる。
する別の方法を示す模式図である。図４のステップ
（Ａ）で説明したように、アルミニウム地金１５を準備
する。アルミニウム地金１５の表面は予め電解研磨して
おくことが好ましい。このアルミニウム地金を電解液中
で陽極酸化すると、アルミニウム基板表面に酸化被膜が
生成する。このとき形成される酸化被膜は除去し、再び
同じ条件で陽極酸化を行うと、陽極酸化ポーラスアルミ
ナ層１７内に細孔２１が形成される。細孔底部部分はバ
リア層１９とよばれる。次に、ステップ（Ｂ）におい
て、必要に応じて細孔２１の孔径拡大処理（Ｐ．Ｗ．）
を行う。次いで、陽極酸化ポーラスアルミナ層１７の一
部を湿式又は乾式な手法によりエッチングし除去する。
アルミニウム地金１５の上面に陽極酸化ポーラスアルミ
ナ層１７が残るので、この状態のアルミニウム地金１５
を鋳型７として使用することができる。
【００３２】図１０は本発明の鋳型７の製造方法の更に
他の例を示す模式図である。ステップ（Ａ）において、
シリコン基体９を熱処理し、表面酸化層（すなわち、酸
化シリコン層）２７を形成し、この表面酸化層上にＡｌ
を物理蒸着する。次いで、このＡｌを陽極酸化する。そ
の後、ステップ（Ｂ）において、アルマイト層１３の底
部のバリヤ層を湿式又は乾式な手法によりエッチングし
除去し、酸化シリコン層２７を露出させ、アルマイト層
１３をマスクとして、露出酸化シリコン層２７をドライ
エッチングして除去し、Ｓｉ基体を露出させる。その
後、ステップ（Ｃ）において、アルマイト層を除去し、
Ｓｉ基体上に残存した酸化シリコン層２７をマスクとし
て、Ｓｉ基体を湿式又は乾式な手法によりエッチングす
る。最後にステップ（Ｄ）において、酸化シリコン層マ
スクをドライエッチングにより除去すると、図２（Ｂ）
に示されるような鋳型７が得られる。
他の例を示す模式図である。ステップ（Ａ）において、
シリコン基体９を熱処理し、表面酸化層（すなわち、酸
化シリコン層）２７を形成し、この表面酸化層上にＡｌ
を物理蒸着する。次いで、このＡｌを陽極酸化する。そ
の後、ステップ（Ｂ）において、アルマイト層１３の底
部のバリヤ層を湿式又は乾式な手法によりエッチングし
除去し、酸化シリコン層２７を露出させ、アルマイト層
１３をマスクとして、露出酸化シリコン層２７をドライ
エッチングして除去し、Ｓｉ基体を露出させる。その
後、ステップ（Ｃ）において、アルマイト層を除去し、
Ｓｉ基体上に残存した酸化シリコン層２７をマスクとし
て、Ｓｉ基体を湿式又は乾式な手法によりエッチングす
る。最後にステップ（Ｄ）において、酸化シリコン層マ
スクをドライエッチングにより除去すると、図２（Ｂ）
に示されるような鋳型７が得られる。
【００３３】本発明のスタンパ８は図３〜図１０に示さ
れたような方法により製造された鋳型７から製造され
る。図１１はこのようなスタンパの製造方法を説明する
模式図である。先ず、ステップ（１）で、図３〜図１０
に示されたような方法により製造された鋳型７を準備す
る。次に、ステップ(2)で、鋳型７の凹凸面に導電膜３
１を形成する。導電膜３１を形成するのは後の金属メッ
キ工程のためである。従って、導電膜３１の素材は例え
ば、Ｎｉなどの導電性金属である。導電膜３１の膜厚は
一般的に、０．０５μｍ〜０．１μｍの範囲内である。
導電膜３１の膜が０．０５μｍ未満の場合、均一な導電
膜を形成することが困難となる。一方、導電膜３１の膜
厚が０．１μｍ超の場合、導電膜の存在効果が飽和し、
不経済となる。導電膜３１の形成方法は例えば、真空蒸
着、スパッタ、無電解メッキなどである。次に、ステッ
プ（３）で、導電膜３１を陰極として、Ｎｉを電解メッ
キし、Ｎｉ電解メッキ層３３を形成する。電解メッキ法
自体は当業者に周知であり、説明を要しないであろう。
Ｎｉ以外の金属として、Ｃｏなども使用できるが、硬度
やコストの点でＮｉが好ましい。電解メッキ層３３の膜
厚はこれをスタンパとして使用する際に必要とされる機
械強度を満たすのに必要十分な厚さであればよい。一般
的に、電解メッキ層３３の膜厚は２８０μｍ〜３００μ
ｍの範囲内であることが好ましい。その後、ステップ
（４）において、鋳型７から電解メッキ層３３を剥離
し、Ｎｉスタンパ８を得る。
れたような方法により製造された鋳型７から製造され
る。図１１はこのようなスタンパの製造方法を説明する
模式図である。先ず、ステップ（１）で、図３〜図１０
に示されたような方法により製造された鋳型７を準備す
る。次に、ステップ(2)で、鋳型７の凹凸面に導電膜３
１を形成する。導電膜３１を形成するのは後の金属メッ
キ工程のためである。従って、導電膜３１の素材は例え
ば、Ｎｉなどの導電性金属である。導電膜３１の膜厚は
一般的に、０．０５μｍ〜０．１μｍの範囲内である。
導電膜３１の膜が０．０５μｍ未満の場合、均一な導電
膜を形成することが困難となる。一方、導電膜３１の膜
厚が０．１μｍ超の場合、導電膜の存在効果が飽和し、
不経済となる。導電膜３１の形成方法は例えば、真空蒸
着、スパッタ、無電解メッキなどである。次に、ステッ
プ（３）で、導電膜３１を陰極として、Ｎｉを電解メッ
キし、Ｎｉ電解メッキ層３３を形成する。電解メッキ法
自体は当業者に周知であり、説明を要しないであろう。
Ｎｉ以外の金属として、Ｃｏなども使用できるが、硬度
やコストの点でＮｉが好ましい。電解メッキ層３３の膜
厚はこれをスタンパとして使用する際に必要とされる機
械強度を満たすのに必要十分な厚さであればよい。一般
的に、電解メッキ層３３の膜厚は２８０μｍ〜３００μ
ｍの範囲内であることが好ましい。その後、ステップ
（４）において、鋳型７から電解メッキ層３３を剥離
し、Ｎｉスタンパ８を得る。
【００３４】鋳型７がアルミニウム地金から形成されて
いる場合、Ｎｉスタンパ８の表面に付着残存しているか
もしれないアルミニウム及び陽極酸化層を除去するため
に仕上げ作業を行うことが好ましい。
いる場合、Ｎｉスタンパ８の表面に付着残存しているか
もしれないアルミニウム及び陽極酸化層を除去するため
に仕上げ作業を行うことが好ましい。
【００３５】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に例証す
る。
る。
【００３６】実施例１
Ｓｉウエハ上にＡｌを２μｍ物理蒸着した。この基板を
３wt％のシュウ酸溶液中でＰｔを対極とし、４０Ｖで
１．５μｍ陽極酸化した。得られたポーラスアルミナの
周期は１００ｎｍであった。この後、この陽極酸化皮膜
を５wt％、３０℃の燐酸水溶液中に浸漬して除去した。
この後、同一条件で残りのＡｌを０．５μｍ陽極酸化し
た。この後、３０℃、５wt％の燐酸溶液中に基板を浸漬
し、微細孔径を６０ｎｍに拡大処理すると同時にアルマ
イト底部のバリヤ層を除去した。その後、微細孔の周期
１００ｎｍ、微細孔径６０ｎｍのポーラスアルミナをマ
スクとし、Ｓｉ基板を塩素系ガスでドライエッチングし
た。この後、基板を３０℃の５wt％燐酸溶液中に浸漬し
てポーラスアルミナのマスクを除去し、Ｓｉ基板表面に
Ｎｉ導電膜を蒸着し、これを陰極としてＮｉスタンパを
３００μｍ電解メッキした。メッキ終了後、Ｎｉスタン
パをＳｉ基板から剥離し、金型にＮｉスタンパを装着
し、射出成型により表面に微細な凹凸を有するてポリカ
ーボネイト基体を得た。得られたポリカーボネイト基体
の表面形状をＡＦＭで測定した結果、周期１００ｎｍ、
深さ５００ｎｍの凹凸が形成されていた。この得られた
ポリカーボネイト基体の反射率を分光光度計で測定した
結果、波長４００ｎｍ〜７５０ｎｍの領域において反射
率は２％以下であった。
３wt％のシュウ酸溶液中でＰｔを対極とし、４０Ｖで
１．５μｍ陽極酸化した。得られたポーラスアルミナの
周期は１００ｎｍであった。この後、この陽極酸化皮膜
を５wt％、３０℃の燐酸水溶液中に浸漬して除去した。
この後、同一条件で残りのＡｌを０．５μｍ陽極酸化し
た。この後、３０℃、５wt％の燐酸溶液中に基板を浸漬
し、微細孔径を６０ｎｍに拡大処理すると同時にアルマ
イト底部のバリヤ層を除去した。その後、微細孔の周期
１００ｎｍ、微細孔径６０ｎｍのポーラスアルミナをマ
スクとし、Ｓｉ基板を塩素系ガスでドライエッチングし
た。この後、基板を３０℃の５wt％燐酸溶液中に浸漬し
てポーラスアルミナのマスクを除去し、Ｓｉ基板表面に
Ｎｉ導電膜を蒸着し、これを陰極としてＮｉスタンパを
３００μｍ電解メッキした。メッキ終了後、Ｎｉスタン
パをＳｉ基板から剥離し、金型にＮｉスタンパを装着
し、射出成型により表面に微細な凹凸を有するてポリカ
ーボネイト基体を得た。得られたポリカーボネイト基体
の表面形状をＡＦＭで測定した結果、周期１００ｎｍ、
深さ５００ｎｍの凹凸が形成されていた。この得られた
ポリカーボネイト基体の反射率を分光光度計で測定した
結果、波長４００ｎｍ〜７５０ｎｍの領域において反射
率は２％以下であった。
【００３７】実施例２
厚さ１００μｍの圧延Ａｌ板を過塩素酸とエタノールの
混合溶液中で電解研磨した。このＡｌ板を３wt％のシュ
ウ酸溶液中でＰｔを対極とし、４０Ｖで陽極酸化皮膜を
２５μｍ生成させた。このＡｌ板を３０℃の５wt％燐酸
溶液中に浸漬して２５μｍのポーラスアルミナ層を除去
した。この後、このＡｌ板を３wt％のシュウ酸溶液中で
Ｐｔを対極として４０Ｖで陽極酸化し、ポーラスアルミ
ナ層を０．５μｍ生成させた。得られたポーラスアルミ
ナの周期は１００ｎｍであった。この後、３０℃、５wt
％の燐酸溶液中に基板を浸漬し、微細孔径を６０ｎｍに
拡大処理した。その後Ａｌ板を飽和ＨｇＣｌ２水溶液に
浸漬して金属Ａｌをアマルガムにして除去した。残った
ポーラスアルミナを水洗し、微細孔開口部を下側にして
Ｓｉウエハ上に載せ乾燥させた。その後、塩素系ガスで
ポーラスアルミナマスクをエッチングし、先ず微細孔底
部のバリヤ層を除去した。続いて貫通したポーラスアル
ミナをマスクとしてＳｉウエハをドライエッチングし
た。その後、ポーラスアルミナマスクを３０℃の５wt％
燐酸溶液中に浸漬して除去した。次にＳｉウエハ表面に
Ｎｉ導電膜を蒸着し、これを陰極としてＮｉスタンパを
３００μｍ電解メッキした。メッキ終了後、Ｎｉスタン
パをＳｉ基板から剥離し、金型にＮｉスタンパを装着
し、射出成型により表面に微細な凹凸を有するポリカー
ボネイト基体を得た。得られたポリカーボネイト基体の
表面形状をＡＦＭで測定した結果、周期１００ｎｍ、深
さ５００ｎｍの凹凸が形成されていた。この得られたポ
リカーボネイト基体の反射率を分光光度計で測定した結
果、波長４００ｎｍ〜７５０ｎｍの領域において反射率
は２％以下であった。
混合溶液中で電解研磨した。このＡｌ板を３wt％のシュ
ウ酸溶液中でＰｔを対極とし、４０Ｖで陽極酸化皮膜を
２５μｍ生成させた。このＡｌ板を３０℃の５wt％燐酸
溶液中に浸漬して２５μｍのポーラスアルミナ層を除去
した。この後、このＡｌ板を３wt％のシュウ酸溶液中で
Ｐｔを対極として４０Ｖで陽極酸化し、ポーラスアルミ
ナ層を０．５μｍ生成させた。得られたポーラスアルミ
ナの周期は１００ｎｍであった。この後、３０℃、５wt
％の燐酸溶液中に基板を浸漬し、微細孔径を６０ｎｍに
拡大処理した。その後Ａｌ板を飽和ＨｇＣｌ２水溶液に
浸漬して金属Ａｌをアマルガムにして除去した。残った
ポーラスアルミナを水洗し、微細孔開口部を下側にして
Ｓｉウエハ上に載せ乾燥させた。その後、塩素系ガスで
ポーラスアルミナマスクをエッチングし、先ず微細孔底
部のバリヤ層を除去した。続いて貫通したポーラスアル
ミナをマスクとしてＳｉウエハをドライエッチングし
た。その後、ポーラスアルミナマスクを３０℃の５wt％
燐酸溶液中に浸漬して除去した。次にＳｉウエハ表面に
Ｎｉ導電膜を蒸着し、これを陰極としてＮｉスタンパを
３００μｍ電解メッキした。メッキ終了後、Ｎｉスタン
パをＳｉ基板から剥離し、金型にＮｉスタンパを装着
し、射出成型により表面に微細な凹凸を有するポリカー
ボネイト基体を得た。得られたポリカーボネイト基体の
表面形状をＡＦＭで測定した結果、周期１００ｎｍ、深
さ５００ｎｍの凹凸が形成されていた。この得られたポ
リカーボネイト基体の反射率を分光光度計で測定した結
果、波長４００ｎｍ〜７５０ｎｍの領域において反射率
は２％以下であった。
【００３８】実施例３
Ｓｉウエハ上にＡｌを２μｍ物理蒸着し、この基板を３
wt％のシュウ酸溶液中でＰｔを対極とし、４０Ｖで１．
５μｍ陽極酸化した。得られたポーラスアルミナの周期
は１００ｎｍであった。この後、この陽極酸化皮膜を５
wt％、３０℃の燐酸水溶液中に浸漬して除去した。この
後、同一条件で残りのＡｌを０．５μｍ陽極酸化した。
この後、３０℃、５wt％の燐酸溶液中に基板を浸漬し、
微細孔径を６０ｎｍに拡大処理すると同時にアルマイト
底部のバリヤ層を除去した。その後、微細孔の周期１０
０ｎｍ、微細孔径６０ｎｍのポーラスアルミナをマスク
とＳｉウエハ上にＡｕを０．５μｍ物理蒸着した。この
後３０℃、５wt％の燐酸溶液中にＳｉウエハを浸漬しポ
ーラスアルミナマスクをＳｉウエハ上から除去し、Ａｕ
をマスクにしてＳｉウエハを塩素系ガスでドライエッチ
ングした。その後、Ａｕを王水で除去し、Ｓｉウエハ表
面にＮｉ導電膜を蒸着し、これを陰極としてＮｉスタン
パを３００μｍ電解メッキした。メッキ終了後、Ｎｉス
タンパをＳｉ基板から剥離し、金型にＮｉスタンパを装
着し、射出成型により表面に微細な凹凸を有するてポリ
カーボネイト基体を得た。得られたポリカーボネイト基
体の表面形状をＡＦＭで測定した結果、周期１００ｎ
ｍ、深さ５００ｎｍの凹凸が形成されていた。この得ら
れたポリカーボネイト基体の反射率を分光光度計で測定
した結果、波長４００ｎｍ〜７５０ｎｍの領域において
反射率は２％以下であった。
wt％のシュウ酸溶液中でＰｔを対極とし、４０Ｖで１．
５μｍ陽極酸化した。得られたポーラスアルミナの周期
は１００ｎｍであった。この後、この陽極酸化皮膜を５
wt％、３０℃の燐酸水溶液中に浸漬して除去した。この
後、同一条件で残りのＡｌを０．５μｍ陽極酸化した。
この後、３０℃、５wt％の燐酸溶液中に基板を浸漬し、
微細孔径を６０ｎｍに拡大処理すると同時にアルマイト
底部のバリヤ層を除去した。その後、微細孔の周期１０
０ｎｍ、微細孔径６０ｎｍのポーラスアルミナをマスク
とＳｉウエハ上にＡｕを０．５μｍ物理蒸着した。この
後３０℃、５wt％の燐酸溶液中にＳｉウエハを浸漬しポ
ーラスアルミナマスクをＳｉウエハ上から除去し、Ａｕ
をマスクにしてＳｉウエハを塩素系ガスでドライエッチ
ングした。その後、Ａｕを王水で除去し、Ｓｉウエハ表
面にＮｉ導電膜を蒸着し、これを陰極としてＮｉスタン
パを３００μｍ電解メッキした。メッキ終了後、Ｎｉス
タンパをＳｉ基板から剥離し、金型にＮｉスタンパを装
着し、射出成型により表面に微細な凹凸を有するてポリ
カーボネイト基体を得た。得られたポリカーボネイト基
体の表面形状をＡＦＭで測定した結果、周期１００ｎ
ｍ、深さ５００ｎｍの凹凸が形成されていた。この得ら
れたポリカーボネイト基体の反射率を分光光度計で測定
した結果、波長４００ｎｍ〜７５０ｎｍの領域において
反射率は２％以下であった。
【００３９】実施例４
Ｓｉウエハ上にＡｌを２μｍ物理蒸着した。この基板を
３wt％のシュウ酸溶液中でＰｔを対極とし、４０Ｖで
１．５μｍ陽極酸化した。得られたポーラスアルミナの
周期は１００ｎｍであった。この後、この陽極酸化皮膜
を５wt％、３０℃の燐酸水溶液中に浸漬して除去した。
この後、同一条件で残りのＡｌを０．５μｍ陽極酸化し
た。この後、３０℃、５wt％の燐酸溶液中に基板を浸漬
し、微細孔径を６０ｎｍに拡大処理すると同時にアルマ
イト底部のバリヤ層を除去した。その後、微細孔の周期
１００ｎｍ、微細孔径６０ｎｍのポーラスアルミナをマ
スクとＳｉウエハ上にＡｕを０．５μｍ物理蒸着した。
この後、３０℃、５wt％の燐酸溶液中にＳｉウエハを浸
漬しポーラスアルミナマスクをＳｉウエハ上から除去
し、ＡｕをマスクにしてＳｉウエハを１１００℃で熱酸
化した。次に王水でＡｕを除去し、露出したＳｉ部分を
ドライエッチングした。その後、Ｓｉウエハ基板表面に
Ｎｉ導電膜を蒸着し、これを陰極としてＮｉスタンパを
３００μｍ電解メッキした。メッキ終了後、Ｎｉスタン
パをＳｉ基板から剥離し、金型にＮｉスタンパを装着
し、射出成型により表面に微細な凹凸を有するてポリカ
ーボネイト基体を得た。得られたポリカーボネイト基体
の表面形状をＡＦＭで測定した結果、周期１００ｎｍ、
深さ５００ｎｍの凹凸が形成されていた。この得られた
ポリカーボネイト基体の反射率を分光光度計で測定した
結果、波長４００ｎｍ〜７５０ｎｍの領域において反射
率は２％以下であった。
３wt％のシュウ酸溶液中でＰｔを対極とし、４０Ｖで
１．５μｍ陽極酸化した。得られたポーラスアルミナの
周期は１００ｎｍであった。この後、この陽極酸化皮膜
を５wt％、３０℃の燐酸水溶液中に浸漬して除去した。
この後、同一条件で残りのＡｌを０．５μｍ陽極酸化し
た。この後、３０℃、５wt％の燐酸溶液中に基板を浸漬
し、微細孔径を６０ｎｍに拡大処理すると同時にアルマ
イト底部のバリヤ層を除去した。その後、微細孔の周期
１００ｎｍ、微細孔径６０ｎｍのポーラスアルミナをマ
スクとＳｉウエハ上にＡｕを０．５μｍ物理蒸着した。
この後、３０℃、５wt％の燐酸溶液中にＳｉウエハを浸
漬しポーラスアルミナマスクをＳｉウエハ上から除去
し、ＡｕをマスクにしてＳｉウエハを１１００℃で熱酸
化した。次に王水でＡｕを除去し、露出したＳｉ部分を
ドライエッチングした。その後、Ｓｉウエハ基板表面に
Ｎｉ導電膜を蒸着し、これを陰極としてＮｉスタンパを
３００μｍ電解メッキした。メッキ終了後、Ｎｉスタン
パをＳｉ基板から剥離し、金型にＮｉスタンパを装着
し、射出成型により表面に微細な凹凸を有するてポリカ
ーボネイト基体を得た。得られたポリカーボネイト基体
の表面形状をＡＦＭで測定した結果、周期１００ｎｍ、
深さ５００ｎｍの凹凸が形成されていた。この得られた
ポリカーボネイト基体の反射率を分光光度計で測定した
結果、波長４００ｎｍ〜７５０ｎｍの領域において反射
率は２％以下であった。
【００４０】実施例５
Ｓｉウエハ上にＡｌを２μｍ物理蒸着した。この基板を
３wt％のシュウ酸溶液中でＰｔを対極とし、４０Ｖで
１．５μｍ陽極酸化した。得られたポーラスアルミナの
周期は１００ｎｍであった。この後、この陽極酸化皮膜
を５wt％、３０℃の燐酸水溶液中に浸漬して除去した。
この後、同一条件で残りのＡｌを０．５μｍ陽極酸化し
た。この後、３０℃、５wt％の燐酸溶液中に基板を浸漬
し、微細孔径を６０ｎｍに拡大処理すると同時にアルマ
イト底部のバリヤ層を除去した。その後、微細孔の周期
１００ｎｍ、微細孔径６０ｎｍのポーラスアルミナをマ
スクとＳｉウエハ上にＡｕを０．５μｍ物理蒸着した。
この後３０℃、５wt％の燐酸溶液中にＳｉウエハを浸漬
しポーラスアルミナマスクをＳｉウエハ上から除去し
た。その後、Ｓｉウエハを真空中、５５０℃で熱処理し
た。この熱処理によりＳｉとＡｕの共晶化合物が円錐状
に成長した。その後、Ｓｉウエハ基板表面にＮｉ導電膜
を蒸着し、これを陰極としてＮｉスタンパを３００μｍ
電解メッキした。メッキ終了後、ＮｉスタンパをＳｉ基
板から剥離し、金型にＮｉスタンパを装着し、射出成型
により表面に微細な凹凸を有するてポリカーボネイト基
体を得た。得られたポリカーボネイト基体の表面形状を
ＡＦＭで測定した結果、周期１００ｎｍ、深さ５００ｎ
ｍの凹凸が形成されていた。この得られたポリカーボネ
イト基体の反射率を分光光度計で測定した結果、波長４
００ｎｍ〜７５０ｎｍの領域において反射率は２％以下
であった。
３wt％のシュウ酸溶液中でＰｔを対極とし、４０Ｖで
１．５μｍ陽極酸化した。得られたポーラスアルミナの
周期は１００ｎｍであった。この後、この陽極酸化皮膜
を５wt％、３０℃の燐酸水溶液中に浸漬して除去した。
この後、同一条件で残りのＡｌを０．５μｍ陽極酸化し
た。この後、３０℃、５wt％の燐酸溶液中に基板を浸漬
し、微細孔径を６０ｎｍに拡大処理すると同時にアルマ
イト底部のバリヤ層を除去した。その後、微細孔の周期
１００ｎｍ、微細孔径６０ｎｍのポーラスアルミナをマ
スクとＳｉウエハ上にＡｕを０．５μｍ物理蒸着した。
この後３０℃、５wt％の燐酸溶液中にＳｉウエハを浸漬
しポーラスアルミナマスクをＳｉウエハ上から除去し
た。その後、Ｓｉウエハを真空中、５５０℃で熱処理し
た。この熱処理によりＳｉとＡｕの共晶化合物が円錐状
に成長した。その後、Ｓｉウエハ基板表面にＮｉ導電膜
を蒸着し、これを陰極としてＮｉスタンパを３００μｍ
電解メッキした。メッキ終了後、ＮｉスタンパをＳｉ基
板から剥離し、金型にＮｉスタンパを装着し、射出成型
により表面に微細な凹凸を有するてポリカーボネイト基
体を得た。得られたポリカーボネイト基体の表面形状を
ＡＦＭで測定した結果、周期１００ｎｍ、深さ５００ｎ
ｍの凹凸が形成されていた。この得られたポリカーボネ
イト基体の反射率を分光光度計で測定した結果、波長４
００ｎｍ〜７５０ｎｍの領域において反射率は２％以下
であった。
【００４１】実施例６
厚さ１００μｍの圧延Ａｌ板を過塩素酸とエタノールの
混合溶液中で電解研磨した。このＡｌ板を３wt％のシュ
ウ酸溶液中でＰｔを対極とし、４０Ｖで陽極酸化皮膜を
２５μｍ生成させた。このＡｌ板を３０℃の５wt％燐酸
溶液中に浸漬して２５μｍのポーラスアルミナ層を除去
した。この後、このＡｌ板を３wt％のシュウ酸溶液中で
Ｐｔを対極として４０Ｖで陽極酸化し、ポーラスアルミ
ナ層を０．５μｍ生成させた。得られたポーラスアルミ
ナの周期は１００ｎｍであった。この後、３０℃、５wt
％の燐酸溶液中に基板を浸漬し、微細孔径を６０ｎｍに
拡大すると同じに微細孔低部に存在するバリヤ層を除去
し、金属Ａｌを露出させた。この後、ポーラスアルミナ
をマスクとして金属Ａｌをドライエッチングした。次に
３０℃、５wt％の燐酸溶液中に基板を浸漬しポーラスア
ルミナマスクを金属Ａｌ上から除去した。その後、金属
Ａｌ表面にＮｉ導電膜を蒸着し、これを陰極としてＮｉ
スタンパを３００μｍ電解メッキした。メッキ終了後、
ＮｉスタンパをＡｌ基板から剥離し、Ｎｉスタンパ表面
に残存するポーラスアルミナマスクを除去後、金型にＮ
ｉスタンパを装着し、射出成型により表面に微細な凹凸
を有するてポリカーボネイト基体を得た。得られたポリ
カーボネイト基体の表面形状をＡＦＭで測定した結果、
周期１００ｎｍ、深さ５００ｎｍの凹凸が形成されてい
た。この得られたポリカーボネイト基体の反射率を分光
光度計で測定した結果、波長４００ｎｍ〜７５０ｎｍの
領域において反射率は２％以下であった。
混合溶液中で電解研磨した。このＡｌ板を３wt％のシュ
ウ酸溶液中でＰｔを対極とし、４０Ｖで陽極酸化皮膜を
２５μｍ生成させた。このＡｌ板を３０℃の５wt％燐酸
溶液中に浸漬して２５μｍのポーラスアルミナ層を除去
した。この後、このＡｌ板を３wt％のシュウ酸溶液中で
Ｐｔを対極として４０Ｖで陽極酸化し、ポーラスアルミ
ナ層を０．５μｍ生成させた。得られたポーラスアルミ
ナの周期は１００ｎｍであった。この後、３０℃、５wt
％の燐酸溶液中に基板を浸漬し、微細孔径を６０ｎｍに
拡大すると同じに微細孔低部に存在するバリヤ層を除去
し、金属Ａｌを露出させた。この後、ポーラスアルミナ
をマスクとして金属Ａｌをドライエッチングした。次に
３０℃、５wt％の燐酸溶液中に基板を浸漬しポーラスア
ルミナマスクを金属Ａｌ上から除去した。その後、金属
Ａｌ表面にＮｉ導電膜を蒸着し、これを陰極としてＮｉ
スタンパを３００μｍ電解メッキした。メッキ終了後、
ＮｉスタンパをＡｌ基板から剥離し、Ｎｉスタンパ表面
に残存するポーラスアルミナマスクを除去後、金型にＮ
ｉスタンパを装着し、射出成型により表面に微細な凹凸
を有するてポリカーボネイト基体を得た。得られたポリ
カーボネイト基体の表面形状をＡＦＭで測定した結果、
周期１００ｎｍ、深さ５００ｎｍの凹凸が形成されてい
た。この得られたポリカーボネイト基体の反射率を分光
光度計で測定した結果、波長４００ｎｍ〜７５０ｎｍの
領域において反射率は２％以下であった。
【００４２】実施例７
厚さ１００μｍの圧延Ａｌ板を過塩素酸とエタノールの
混合溶液中で電解研磨した。このＡｌ板を３wt％のシュ
ウ酸溶液中でＰｔを対極とし、４０Ｖで陽極酸化皮膜を
２５μｍ生成させた。このＡｌ板を３０℃の５wt％燐酸
溶液中に浸漬して２５μｍのポーラスアルミナ層を除去
した。この後、このＡｌ板を３wt％のシュウ酸溶液中で
Ｐｔを対極として４０Ｖで陽極酸化し、ポーラスアルミ
ナ層を０．５μｍ生成させた。得られたポーラスアルミ
ナの周期は１００ｎｍであった。その後、このポーラス
アルミナ層を塩素系ガスでドライエッチングした。その
後、ドライエッチングされたポーラスアルミナ層表面に
Ｎｉ導電膜を蒸着し、これを陰極としてＮｉスタンパを
３００μｍ電解メッキした。メッキ終了後、Ｎｉスタン
パをＡｌ基板から剥離し、Ｎｉスタンパ表面に残存する
ポーラスアルミナマスクを除去後、金型にＮｉスタンパ
を装着し、射出成型により表面に微細な凹凸を有するて
ポリカーボネイト基体を得た。得られたポリカーボネイ
ト基体の表面形状をＡＦＭで測定した結果、周期１００
ｎｍ、深さ５００ｎｍの凹凸が形成されていた。この得
られたポリカーボネイト基体の反射率を分光光度計で測
定した結果、波長４００ｎｍ〜７５０ｎｍの領域におい
て反射率は２％以下であった。
混合溶液中で電解研磨した。このＡｌ板を３wt％のシュ
ウ酸溶液中でＰｔを対極とし、４０Ｖで陽極酸化皮膜を
２５μｍ生成させた。このＡｌ板を３０℃の５wt％燐酸
溶液中に浸漬して２５μｍのポーラスアルミナ層を除去
した。この後、このＡｌ板を３wt％のシュウ酸溶液中で
Ｐｔを対極として４０Ｖで陽極酸化し、ポーラスアルミ
ナ層を０．５μｍ生成させた。得られたポーラスアルミ
ナの周期は１００ｎｍであった。その後、このポーラス
アルミナ層を塩素系ガスでドライエッチングした。その
後、ドライエッチングされたポーラスアルミナ層表面に
Ｎｉ導電膜を蒸着し、これを陰極としてＮｉスタンパを
３００μｍ電解メッキした。メッキ終了後、Ｎｉスタン
パをＡｌ基板から剥離し、Ｎｉスタンパ表面に残存する
ポーラスアルミナマスクを除去後、金型にＮｉスタンパ
を装着し、射出成型により表面に微細な凹凸を有するて
ポリカーボネイト基体を得た。得られたポリカーボネイ
ト基体の表面形状をＡＦＭで測定した結果、周期１００
ｎｍ、深さ５００ｎｍの凹凸が形成されていた。この得
られたポリカーボネイト基体の反射率を分光光度計で測
定した結果、波長４００ｎｍ〜７５０ｎｍの領域におい
て反射率は２％以下であった。
【００４３】実施例８
実施例１で得られたＮｉスタンパを２枚作製し、２枚の
Ｎｉスタンパを金型に装着し、射出成型により表裏面に
微細な凹凸を有するポリカーボネイト基体を得た。得ら
れたポリカーボネイト基体の表裏面の形状をＡＦＭで測
定した結果、周期１００ｎｍ、深さ５００ｎｍの凹凸が
形成されていた。この得られたポリカーボネイト基体の
反射率を分光光度計で測定した結果、波長４００ｎｍ〜
７５０ｎｍの領域において反射率は１％以下であった。
Ｎｉスタンパを金型に装着し、射出成型により表裏面に
微細な凹凸を有するポリカーボネイト基体を得た。得ら
れたポリカーボネイト基体の表裏面の形状をＡＦＭで測
定した結果、周期１００ｎｍ、深さ５００ｎｍの凹凸が
形成されていた。この得られたポリカーボネイト基体の
反射率を分光光度計で測定した結果、波長４００ｎｍ〜
７５０ｎｍの領域において反射率は１％以下であった。
【００４４】実施例９
実施例１で得られたＮｉスタンパ上に溶融したプラステ
ィック流し込み、冷却後固体状態になったプラスティッ
クをＮｉスタンパから剥離した。得られたプラスティッ
ク基体表面には周期１００ｎｍ、深さ５００ｎｍの凹凸
が存在し、この表面の反射率を分光光度計で測定した結
果、波長４００ｎｍ〜７５０ｎｍの領域において反射率
は２％以下であった。
ィック流し込み、冷却後固体状態になったプラスティッ
クをＮｉスタンパから剥離した。得られたプラスティッ
ク基体表面には周期１００ｎｍ、深さ５００ｎｍの凹凸
が存在し、この表面の反射率を分光光度計で測定した結
果、波長４００ｎｍ〜７５０ｎｍの領域において反射率
は２％以下であった。
【００４５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
反射防止膜製造用のスタンパを金型として用いて射出成
型することにより、光透過性プラスチック基板表面に周
期が３５ｎｍ〜４００ｎｍの微細な凹凸を転写すること
ができる。また、マスターマザー法により、凹凸のパタ
ーンを反転させることもできる。特に、射出成型法によ
れば、周期が３５ｎｍ〜４００ｎｍの微細な凹凸を表面
に有する光透過性プラスチック基板を安価に、かつ、大
量に生産することができ、反射防止膜の製造コストを大
幅に低減させることができるばかりか、大型の反射防止
膜も容易に、かつ安価に製造することができる。
反射防止膜製造用のスタンパを金型として用いて射出成
型することにより、光透過性プラスチック基板表面に周
期が３５ｎｍ〜４００ｎｍの微細な凹凸を転写すること
ができる。また、マスターマザー法により、凹凸のパタ
ーンを反転させることもできる。特に、射出成型法によ
れば、周期が３５ｎｍ〜４００ｎｍの微細な凹凸を表面
に有する光透過性プラスチック基板を安価に、かつ、大
量に生産することができ、反射防止膜の製造コストを大
幅に低減させることができるばかりか、大型の反射防止
膜も容易に、かつ安価に製造することができる。
【図１】本発明の反射防止膜の一例の部分概要断面図で
ある。
ある。
【図２】（Ａ）は図１に示された反射防止膜を製造する
ためのスタンパの一例の部分概要断面図であり、（Ｂ）
は（Ａ）に示されたスタンパを製造するための鋳型の一
例の部分概要断面図である。
ためのスタンパの一例の部分概要断面図であり、（Ｂ）
は（Ａ）に示されたスタンパを製造するための鋳型の一
例の部分概要断面図である。
【図３】鋳型の製造方法の一例を説明する模式図であ
る。
る。
【図４】鋳型の製造方法の別の例を説明する模式図であ
る。
る。
【図５】鋳型の製造方法の他の例を説明する模式図であ
る。
る。
【図６】鋳型の製造方法の更に他の例を説明する模式図
である。
である。
【図７】鋳型の製造方法の更に別の例を説明する模式図
である。
である。
【図８】鋳型の製造方法の更に他の例を説明する模式図
である。
である。
【図９】鋳型の製造方法の更に別の例を説明する模式図
である。
である。
【図１０】鋳型の製造方法の更に他の例を説明する模式
図である。
図である。
【図１１】スタンパの製造方法の一例を説明する模式図
である。
である。
１ 本発明の反射防止膜
３ 光透過性プラスチック基体
５ 凹凸
７ 鋳型
８ スタンパ
９ Ｓｉ基体
１１ Ａｌ蒸着膜
１３ 陽極酸化ポーラスアルミナ層１３
１７ セル構造
１９ バリヤ層
２１ 細孔
２３ アルミナモールド
２５ 耐酸及び耐アルカリ材料層
２７ 表面酸化層
２９ Ａｕ／Ｓｉ共晶体突起
３１ 導電膜
３３ Ｎｉ電解メッキ膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｂ３２Ｂ 7/02 １０３ Ｇ０２Ｂ 5/02 Ｂ
Ｇ０２Ｂ 5/02 Ｂ２９Ｋ 23:00
// Ｂ２９Ｋ 23:00 33:04
33:04 69:00
69:00 Ｂ２９Ｌ 11:00
Ｂ２９Ｌ 11:00 Ｇ０２Ｂ 1/10 Ａ
(72)発明者 三瓶 哲彦
大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ
クセル株式会社内
(72)発明者 酒本 章人
大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ
クセル株式会社内
Ｆターム(参考） 2H042 BA03 BA13 BA15 BA20
2K009 AA12 BB01 CC03 CC09 CC14
CC21 CC24 CC34 CC42 DD03
DD12 DD15
4F100 AA19D AA19E AB10D AB10E
AB16D AB24D AB24E AK01A
AK03A AK25A AK45A AK52D
AK52E AR00B AR00C AT00A
BA02 BA03 BA04 BA05 BA06
BA07 BA10A BA10B BA10C
BA10D BA10E DD07B DD07C
EH36 EH362 GB41 JN01A
JN06 YY00B YY00C
4F202 AA03 AA21 AA28 AF01 AG01
AG05 AG26 AH73 AJ02 AJ09
AR13 CA11 CB01 CD02 CD24
CD30 CK11 CK43
Claims (20)
- 【請求項１】 光透過性プラスチック基体の少なくとも
一方の表面に、微細な凹凸を有し、前記凹凸の周期が３
５ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内であり、かつ、前記凹凸の
深さが１００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲内であることを特
徴とする反射防止膜。 - 【請求項２】 光透過性プラスチック基体はポリカーボ
ネート樹脂、ポリオレフィン樹脂又はアクリル樹脂から
なることを特徴とする請求項１に記載の反射防止膜。 - 【請求項３】 ニッケル基体の一方の表面に、微細な凹
凸を有し、前記凹凸の周期が３５ｎｍ〜４００ｎｍの範
囲内であり、かつ、前記凹凸の深さが１００ｎｍ〜７０
０ｎｍの範囲内であることを特徴とする反射防止膜製造
用スタンパ。 - 【請求項４】 アルミニウム、アルミナ及びシリコンか
らなる群から選択される材料からなる基体の一方の表面
に、微細な凹凸を有し、前記凹凸の周期が３５ｎｍ〜４
００ｎｍの範囲内であり、かつ、前記凹凸の深さが１０
０ｎｍ〜７００ｎｍの範囲内であることを特徴とするス
タンパ製造用鋳型。 - 【請求項５】 (a)ニッケル基体の一方の表面に、微細
な凹凸を有し、前記凹凸の周期が３５ｎｍ〜４００ｎｍ
の範囲内であり、かつ、前記凹凸の深さが１００ｎｍ〜
７００ｎｍの範囲内であるスタンパを金型に装着するス
テップと、 (b)前記スタンパ装着金型に光透過性プラスチック樹脂
を注型して射出成型するステップと、 (c)前記金型から、光透過性プラスチック基体の少なく
とも一方の表面に、前記スタンパの凹凸が反転した形状
の微細な凹凸を有し、前記反転凹凸の周期が３５ｎｍ〜
４００ｎｍの範囲内であり、かつ、前記反転凹凸の深さ
が１００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲内である反射防止膜を
離型するステップとからなることを特徴とする反射防止
膜の製造方法。 - 【請求項６】 光透過性プラスチック樹脂はポリカーボ
ネート樹脂、ポリオレフィン樹脂又はアクリル樹脂から
なることを特徴とする請求項５に記載の反射防止膜の製
造方法。 - 【請求項７】 (a)ニッケル基体の一方の表面に、微細
な凹凸を有し、前記凹凸の周期が３５ｎｍ〜４００ｎｍ
の範囲内であり、かつ、前記凹凸の深さが１００ｎｍ〜
７００ｎｍの範囲内であるスタンパ表面に、溶融した光
透過性プラスチック樹脂を流し込むステップと、 (b)前記溶融プラスチック樹脂を冷却して固化するステ
ップと、 (c)前記スタンパ表面から、固化光透過性プラスチック
基体の少なくとも一方の表面に、前記スタンパの凹凸が
反転した形状の微細な凹凸を有し、前記凹凸の周期が３
５ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内であり、かつ、前記凹凸の
深さが１００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲内である反射防止
膜を剥離するステップとからなることを特徴とする反射
防止膜の製造方法。 - 【請求項８】 光透過性プラスチック樹脂はポリカーボ
ネート樹脂、ポリオレフィン樹脂又はアクリル樹脂から
なることを特徴とする請求項７に記載の反射防止膜の製
造方法。 - 【請求項９】 (a)アルミニウム、アルミナ及びシリコ
ンからなる群から選択される材料からなる基体の一方の
表面に、微細な凹凸を有し、前記凹凸の周期が３５ｎｍ
〜４００ｎｍの範囲内であり、かつ、前記凹凸の深さが
１００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲内である鋳型を準備する
ステップと、 (b)前記鋳型の凹凸面に導電膜を形成するステップと、 (c)前記導電膜を陰極としてＮｉを電解メッキするステ
ップと、 (d)前記Ｎｉ電解メッキ膜を前記鋳型から剥離し、ニッ
ケル基体の一方の表面に、前記鋳型の凹凸が反転した形
状の微細な凹凸を有し、前記凹凸の周期が３５ｎｍ〜４
００ｎｍの範囲内であり、かつ、前記凹凸の深さが１０
０ｎｍ〜７００ｎｍの範囲内であるスタンパを形成する
ステップとからなることを特徴とする反射防止膜製造用
スタンパの製造方法。 - 【請求項１０】 Ａｌを陽極酸化し、得られた陽極酸化
皮膜をＡｌから剥離し、陽極酸化ポーラスアルミナ低部
のアルミナを湿式或いは乾式な手法でエッチングして陽
極酸化ポーラスアルミナを貫通させ、この貫通させた陽
極酸化ポーラスアルミナをシリコン基体上に配置し、陽
極酸化ポーラスアルミナをマスクにしてシリコン基体を
湿式或いは乾式な手法でエッチングすることにより、シ
リコン基体の一方の表面に、微細な凹凸を有し、前記凹
凸の周期が３５ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内であり、か
つ、前記凹凸の深さが１００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲内
である鋳型を形成することを特徴とする鋳型の製造方
法。 - 【請求項１１】 シリコン基体上にＡｌを物理蒸着し、
この後、シリコン基体上のＡｌを陽極酸化し、得られた
陽極酸化ポーラスアルミナ底部に存在するアルミナを湿
式或いは乾式な手法で除去してシリコン基体を露出さ
せ、陽極酸化ポーラスアルミナをマスクにしてシリコン
基体を湿式或いは乾式な手法でエッチングすることによ
り、シリコン基体の一方の表面に、微細な凹凸を有し、
前記凹凸の周期が３５ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内であ
り、かつ、前記凹凸の深さが１００ｎｍ〜７００ｎｍの
範囲内である鋳型を形成することを特徴とする鋳型の製
造方法。 - 【請求項１２】 シリコン基体上にＡｌを物理蒸着し、
この後、シリコン基体上のＡｌを陽極酸化し、得られた
陽極酸化ポーラスアルミナ底部に存在するアルミナを湿
式或いは乾式な手法で除去してシリコン基体を露出さ
せ、陽極酸化ポーラスアルミナをマスクにしてシリコン
基体上に酸及びアルカリに耐性のある材料を物理蒸着
し、この後、陽極酸化ポーラスアルミナをシリコン基体
上から除去し、酸及びアルカリに耐性のある材料をマス
クにしてシリコン基体を湿式或いは乾式な手法でエッチ
ングすることにより、シリコン基体の一方の表面に、微
細な凹凸を有し、前記凹凸の周期が３５ｎｍ〜４００ｎ
ｍの範囲内であり、かつ、前記凹凸の深さが１００ｎｍ
〜７００ｎｍの範囲内である鋳型を形成することを特徴
とする鋳型の製造方法。 - 【請求項１３】 酸及びアルカリに耐性のある材料がＡ
ｕ、Ｐｔ又はこれらの合金であることを特徴とする請求
項１２に記載の鋳型の製造方法。 - 【請求項１４】 シリコン基体上にＡｌを物理蒸着し、
この後、シリコン基体上のＡｌを陽極酸化し、得られた
陽極酸化ポーラスアルミナ底部に存在するアルミナを湿
式或いは乾式な手法で除去してシリコン基体を露出さ
せ、陽極酸化ポーラスアルミナをマスクにしてシリコン
基体上に酸及びアルカリに耐性のある材料を物理蒸着
し、この後、陽極酸化ポーラスアルミナをシリコン基体
上から除去し、その後、シリコン基体を熱処理して表面
を酸化させ、その後、酸及びアルカリに耐性のある材料
を乾式或いは湿式な方法で除去し、前記表面酸化層をマ
スクにしてシリコン基体を湿式或いは乾式な手法でエッ
チングすることにより、シリコン基体の一方の表面に、
微細な凹凸を有し、前記凹凸の周期が３５ｎｍ〜４００
ｎｍの範囲内であり、かつ、前記凹凸の深さが１００ｎ
ｍ〜７００ｎｍの範囲内である鋳型を形成することを特
徴とする鋳型の製造方法。 - 【請求項１５】 酸及びアルカリに耐性のある材料がＡ
ｕ，Ｐｔ或いはこれらの合金であることを特徴とする請
求項１４に記載の鋳型の製造方法。 - 【請求項１６】 シリコン基体上にＡｌを物理蒸着し、
この後、シリコン基体上のＡｌを陽極酸化し、得られた
陽極酸化ポーラスアルミナ底部に存在するアルミナを湿
式或いは乾式な手法で除去してシリコン基体を露出さ
せ、陽極酸化ポーラスアルミナをマスクにして基体上に
Ａｕを物理蒸着し、この後陽極酸化ポーラスアルミナを
除去し、Ａｕ物理蒸着膜付きシリコン基体を真空中で加
熱処理することによりシリコン基体表面にＡｕ／Ｓｉ共
晶体柱を形成させることにより、シリコン基体の一方の
表面に、微細な凹凸を有し、前記凹凸の周期が３５ｎｍ
〜４００ｎｍの範囲内であり、かつ、前記凹凸の深さが
１００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲内である鋳型を形成する
ことを特徴とする鋳型の製造方法。 - 【請求項１７】 前記シリコン基体表面に物理蒸着され
るＡｌは、その金属Ａｌ中に、Ｔｉ及びＳｉからなる群
から選択される少なくとも１種類の元素を含有すること
を特徴とする請求項１１〜１６の何れかに記載の鋳型の
製造方法。 - 【請求項１８】 Ａｌ基板を陽極酸化し、その後この陽
極酸化層を除去し、再び同じ条件で陽極酸化層を設け、
微細孔底部に存在するバリヤ層を乾式或いは湿式な手法
で除去後、この陽極酸化層をマスクとして乾式或いは湿
式な手法で下層の金属Ａｌ層をエッチングし、その後陽
極酸化層を除去することにより、アルミニウム基体の一
方の表面に、微細な凹凸を有し、前記凹凸の周期が３５
ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内であり、かつ、前記凹凸の深
さが１００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲内である鋳型を形成
することを特徴とする鋳型の製造方法。 - 【請求項１９】 Ａｌ基板を陽極酸化し、その後、この
陽極酸化層を除去し、再び同じ条件で陽極酸化層を設
け、前記陽極酸化層の一部を乾式或いは湿式な手法でエ
ッチングして除去し、前記Ａｌ基板上に陽極酸化層の一
部を残すことにより、アルミニウム基体の一方の表面
に、微細な凹凸を有し、前記凹凸の周期が３５ｎｍ〜４
００ｎｍの範囲内であり、かつ、前記凹凸の深さが１０
０ｎｍ〜７００ｎｍの範囲内である鋳型を形成すること
を特徴とする鋳型の製造方法。 - 【請求項２０】 シリコン基体を熱酸化処理して表面に
酸化シリコン層を形成させ、前記酸化シリコン層上にＡ
ｌを物理蒸着し、この後、前記Ａｌを陽極酸化し、得ら
れた陽極酸化ポーラスアルミナ底部に存在するアルミナ
を湿式或いは乾式な手法で除去して前記酸化シリコン層
を露出させ、前記陽極酸化ポーラスアルミナをマスクに
して酸化シリコンをドライエッチングで除去してシリコ
ン基体を露出させ、その後、前記陽極酸化ポーラスアル
ミナをシリコン基体上から除去し、その後、残存する酸
化シリコン層をマスクにして露出シリコン基体を乾式或
いは湿式な手法でエッチングすることにより、シリコン
基体の一方の表面に、微細な凹凸を有し、前記凹凸の周
期が３５ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内であり、かつ、前記
凹凸の深さが１００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲内である鋳
型を形成することを特徴とする鋳型の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001233503A JP2003043203A (ja) | 2001-08-01 | 2001-08-01 | 反射防止膜、その製造方法、反射防止膜製造用スタンパ、その製造方法、スタンパ製造用鋳型及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| JP2003043203A true JP2003043203A (ja) | 2003-02-13 |
Family
ID=19065271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001233503A Withdrawn JP2003043203A (ja) | 2001-08-01 | 2001-08-01 | 反射防止膜、その製造方法、反射防止膜製造用スタンパ、その製造方法、スタンパ製造用鋳型及びその製造方法 |
Country Status (1)
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