JP2003024704A

JP2003024704A - 液晶材料精製装置及び液晶材料精製方法

Info

Publication number: JP2003024704A
Application number: JP2001219609A
Authority: JP
Inventors: Tomoaki Hara; 智章原; Harumi Oishi; 晴己大石
Original assignee: Dainippon Ink and Chemicals Co Ltd
Current assignee: DIC Corp
Priority date: 2001-07-19
Filing date: 2001-07-19
Publication date: 2003-01-28
Anticipated expiration: 2021-07-19
Also published as: JP5654189B2

Abstract

(57)【要約】【課題】液晶材料中に存在するイオン性不純物を除去
し、液晶材料の電圧保持率を高めうる精製装置、及び該
装置を使用した液晶材料精製方法を提供することであ
る。【解決手段】電極間に液晶材料を注入できる構造を有
し、更に吸着剤を液晶材料中、または電極表面に有する
ことを特徴とする液晶材料精製装置。この吸着剤として
は、例えば、シリカゲル、酸化アルミニウム、酸化マグ
ネシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化チタンが挙げられ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶材料中に存在
する不純物、特に液晶表示素子中において電圧印加時に
電流を発生するイオン性不純物を除去する液晶材料の精
製装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置(LCD)は、電卓のディスプ
レイとして登場して以来、コンピューターの開発と歩み
を同じくして、TN-LCD(捻れネマチック液晶表示装置)か
ら、STN-LCDへと表示容量の拡大に対応してきた。STN-L
CDは、シェファー(Scheffer)等［SID '85 Digest, 120
頁(1985年)］、あるいは衣川等［SID '86 Digest, 122
頁(1986年)］によって、開発され、ワードプロセッサ、
パーソナルコンピュータなどの高情報処理用の表示に広
く普及している。特に、各画素に薄膜トランジスタをつ
けたアクティブマトリクス液晶表示素子(AM-LCD)は、CR
Tにも代替できる高画質を備え、フラット化、省エネル
ギー化の後押しを受けて、現在最も有望なディスプレイ
として成長を続けている。

【０００３】AM-LCDではコントラストを上げるために、
各画素に薄膜トランジスタやダイオードのスイッチング
素子をつけて、画素に電圧を供給する。AM-LCDはTN、ST
Nのパッシブ駆動方式とは異なり、スイッチング素子を
通して、各画素に数十msec毎に電荷を供給することによ
り駆動する。このため、電荷が供給されてから数十msec
後の次の書き込み時間までの間は、与えられた電荷を完
全に保持できないと、表示の悪化をきたすことになる。
電荷が逃げると電極間の電位が下がり、透過光強度が変
化してコントラストが低下してしまう。このため、AM-L
CDでは、高い電圧保持特性が求められる。高い電圧保持
特性を得るため、AM-LCD用液晶材料には、高比抵抗を維
持しやすい化合物を取捨選択して使用しており、これに
より高い電圧保持率を得ている。

【０００４】液晶材料の電圧保持率には液晶材料中に含
まれる不純物の影響が大きく、特にイオン電流の発生に
より液晶表示素子の電圧降下をきたすイオン性不純物の
影響が大きい。これを防止するためには液晶材料を高純
度に精製する必要がある。従来、液晶材料から不純物を
除く方法としては、例えば再結晶、蒸留、液体クロマト
グラフィー等、一般有機化合物の精製で通常行われてい
る方法があるが、これらの方法だけでは液晶材料から有
害なイオン性不純物を完全に取り除くことは困難であっ
た。

【０００５】このイオン性不純物には、水分、金属、ハ
ロゲン、塩類などの無機物の他に有機酸、有機アルカ
リ、有機極性物質といった有機物があり、外部電界がな
くてもイオンとして存在しているものもあれば、液晶材
料を液晶表示素子中に入れ、表示動作に必要な電圧をか
けることによって初めてイオンとして振る舞う潜在的イ
オン源もある。特に後者の潜在的イオン源は従来の精製
方法で除去することが極めて困難であった。

【０００６】イオン性不純物の除去という目的で液晶化
合物をシリカゲルと接触させる方法(特開昭62-210420号
公報)、活性アルミナと接触させる方法(特公平3-2918号
公報)、イオン交換樹脂で処理する方法(特開昭52-59081
号公報)や、ゼオライトと接触させる方法(特開昭63-261
224号公報)等が提示されているが、液晶中の水分や金属
イオンを取り除く効果は大きいものの、いまだ十分では
なかった。

【０００７】更に、対向する一対の電極間に液晶材料を
入れ、電界をかけることによりイオン性の不純物を除去
する方法(特開昭50-108186号公報、特開昭51-11069号公
報、特開平4-86812号公報)等が提示されている。これら
の方法はイオン性不純物の捕集という面から非常に有効
であるが、電極面に集められたイオン性不純物が液晶材
料中に再拡散しやすく、イオン性不純物の除去を完全に
行うことができないという問題があった。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は液晶材料中に存在するイオン性の不純物を除
去し、液晶材料の電圧保持率を高めうる精製装置、及び
該装置を使用した液晶材料精製方法を提供することであ
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題は本発明を用い
ることによって達成される。すなわち本発明は第一に電
極間に液晶材料を注入できる構造を有し、更に吸着剤を
液晶材料中または電極表面に有することを特徴とする液
晶精製装置であり、第二に吸着剤を電極表面に有するこ
とを特徴とする上記第一の液晶材料精製装置であり、第
三に吸着剤がシリカゲル、酸化アルミニウム、酸化マグ
ネシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化チタンの中から選
ばれた一種類、またはこれら二種類以上の組み合わせか
らなることを特徴とする上記第一から第二の液晶材料精
製装置であり、第四に電極が平行に配置された平面構造
を有することを特徴とする上記第一から第三の液晶材料
精製装置であり、第五に上記第一から第四の液晶材料精
製装置を使用することを特徴とする液晶精製方法であ
る。

【００１０】本発明によって生ずる作用は、液晶材料に
電圧を印加し、液晶材料中に存在するイオン源となりう
る不純物を電界の力で正負のイオンに解離させ、このよ
うにして生成したイオンと元々電圧印加前から存在して
いたイオンの両方を電界の力により泳動させ、吸着剤に
よって捕集することによって液晶材料を高純度化すると
いうものである。特に本発明による液晶材料精製装置で
は液晶材料中または電極表面に吸着剤を有するので電気
的な力で電極方向に引きつけられたイオン性不純物が吸
着剤に化学的、物理的な力で吸着され、液晶材料中に再
拡散しないため液晶材料中のイオン性不純物を高い効率
で除去することができる。本発明の液晶材料精製装置に
おいて、印加電圧を液晶表示素子中で液晶材料に印加さ
れるのと同等の電界強度が得られる電圧とすれば、液晶
表示素子内における駆動電圧で初めて泳動する潜在的な
イオン性不純物をも除去できるため液晶材料の電圧保持
率向上に極めて有用である。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明の精製装置で精製される液
晶材料は、液晶表示素子、すなわちTN(ねじれネマチッ
ク)型素子、STN(超ねじれネマチック)型液晶素子、PDLC
(ポリマー分散型液晶)型液晶素子、OCB(光学自己補償型
複屈折)型素子等に一般に使用されるネマチック液晶化
合物およびネマチック液晶組成物、あるいはFLCD(強誘
電性液晶ディスプレイ)に一般に使用されるスメクチッ
クまたはカイラルスメクチック液晶化合物、およびスメ
クチック液晶組成物またはカイラルスメクチック組成物
等が挙げられる。本発明の精製装置に用いられる具体的
な化合物の例としては、下記一般式(I)に示す構造を有
する液晶化合物、一般式(I)

【００１２】

【化１】

【００１３】(式中、R¹、R²はそれぞれ独立的にフッ素
置換されていても良い炭素原子数1〜16のアルキル基も
しくはアルコキシル基、炭素原子数2〜16のアルケニル
基、炭素原子数3〜16のアルケニルオキシ基、もしくは
炭素原子数1〜10のアルコキシル基で置換された炭素原
子数1〜12のアルキル基を表し、環A、環B及び環Cはそれ
ぞれ独立的にフッ素原子により置換されていてもよい1,
4-フェニレン基、2-メチル-1,4-フェニレン基、3-メチ
ル-1,4-フェニレン基、フッ素原子により置換されてい
てもよいナフタレン-2,6-ジイル基、フッ素原子により
置換されていてもよいフェナントレン-2,7-ジイル基、
フッ素原子により置換されていてもよいフルオレン-2,7
-ジイル基、トランス-1,4-シクロヘキシレン基、フッ素
原子により置換されていてもよい1,2,3,4-テトラヒドロ
ナフタレン-2,6-ジイル基、デカヒドロナフタレン-2,6-
ジイル基、トランス-1,3-ジオキサン-2,5-ジイル基、ピ
リジン-2,5-ジイル基、ピリミジン-2,5-ジイル基、ピラ
ジン-2,5-ジイル基もしくはピリダジン-2,5-ジイル基を
表し、mは0、1もしくは2を表し、L¹及びL²はそれぞれ独
立的に単結合、-CH₂CH₂-、-(CH₂)₄-、-OCH₂-、-CH₂O-もし
くは-C≡C-を表し、環C及びL²が複数存在する場合はそ
れらは同一でも良く異なっていても良い。)や、一般式
(IIa)、一般式(IIb)、一般式(IIc)に示す構造を有する
液晶化合物がある。特に、一般式(IIa)、一般式(IIb)、
一般式(IIc)に示す極性基を有する化合物に関しては、
有用である。

【００１４】

【化２】

【００１５】(式中R³はフッ素置換されていても良い炭
素原子数1〜16のアルキル基もしくはアルコキシル基、
炭素原子数2〜16のアルケニル基、炭素原子数3〜16のア
ルケニルオキシ基、もしくは炭素原子数1〜10のアルコ
キシル基で置換された炭素原子数1〜12のアルキル基を
表し、環D及び環Eはそれぞれ相互に独立して、 (a) トランス-1,4-シクロへキシレン基(この基中に存在
する1個のCH₂基もしくは隣接していない2個以上のCH₂基
は-O-及びもしくは-S-に置き換えられてもよい) (b) 1,4-フェニレン基(この基中に存在する1個のCH₂基
もしくは隣接していない2個以上のCH₂基は-N-に置き換
えられてもよい) (c) 1,4-シクロヘキセニレン、1,4-ビシクロ(2.2.2)オ
クチレン、ピペリジン-1,4-ジイル、ナフタレン-2,6-ジ
イル、1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2,6-ジイル及
びデカヒドロナフタレン-2,6-ジイルからなる群より選ばれる基であり、上記の基(a)、基
(b)、基(c)はCNもしくはハロゲンで置換されていても良
いが、1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2,6-ジイルを
表す場合、無置換であるか、少なくとも2つ以上のハロ
ゲンによって置換されており、L³、L⁴はそれぞれ相互に
独立して-COO-、-OCO-、-CH₂O-、-OCH₂-、-CH₂CH₂-、-C
H=CH-、-C≡C-、-(CH₂)₄-、-CH=CH-CH₂CH₂-、-CH₂CH₂-C
H=CH-もしくは単結合であり、X¹、X²、X³、X⁴、X⁵、は
それぞれ独立してHもしくはFであり、nは、0、1もしく
は2であり、kは、0もしくは1であり、Y¹は、-H、-F、-C
lもしくはCNであり、Q¹は、単結合、-CF₂-もしくは-OCF
₂-である。) 更に、一般式(I)、一般式(IIa)、一般式(IIb)、一般式
(IIc)から選ばれる化合物を二種類以上を混合してなる
液晶組成物に対しても好適に用いることができる。

【００１６】本発明による液晶精製装置では電極間に液
晶材料を注入し、電圧を印加することによってイオン源
となりうる不純物をイオンに解離させた上で電気泳動さ
せ、これを吸着剤で捕集することによって液晶材料の精
製を行うが、この際電極間に印加する電圧としては印加
電圧を電極間距離で除した電界強度が0.02kV／cm以上10
0kV／cm以下となるようにすることが好ましい。この電
界強度が0.02kV／cm未満の場合は、電気泳動によるイオ
ンの除去が殆ど行われない。また、100kV／cmを超える
電界強度を与えるのは絶縁破壊が発生する危険性が高く
なる。さらに好ましい電界強度は0.1kV／cm以上50kV／c
m以下である。

【００１７】印加する電圧は直流または交流が使用でき
るが、交流である場合は周波数10Hz以下の交流またはそ
れらを重畳したものが好ましい。交流電圧を印加する場
合周波数が高すぎると電界によるイオンの移動距離が不
十分になるため精製効率が低下する。交流電圧の場合は
矩形波として印加するのが好ましく、矩形波を用いない
場合でも高電界強度を維持する時間が長くなるようにす
るのが好ましい。

【００１８】本発明の液晶精製装置で用いる吸着剤は液
晶材料中に存在していても、電極表面に固定化されてい
ても良いが、イオン捕集の効率と取り扱いの容易さを考
慮して電極表面に固定化することが好ましい。吸着剤が
電極表面に固定化されていれば電気泳動によって集めら
れた正負のイオンが最も遠い距離を隔てて蓄積されるた
め、再結合により再拡散する恐れがない。さらに電極表
面を吸着剤で被覆することにより、むき出しの電極面で
イオンが電極反応により中性化し再度液晶材料中に拡散
することなく効率よく吸着剤に捕集される。また、電極
表面に吸着剤が固定されていれば、液晶材料中に混入し
た吸着剤を後処理で取り除く必要もなく、取り扱いを簡
便化することができる。

【００１９】本発明の液晶精製装置で用いる吸着剤とし
ては、無機系の吸着剤と有機系の吸着剤が挙げられる。
無機系の吸着剤としては、シリカゲル、酸化アルミニウ
ム、酸化マグネシウム、ケイ酸マグネシウム、ゼオライ
ト、酸化チタン等が挙げられ、有機系の吸着剤として
は、スチレン系、アクリル系、フェノール系、セルロー
ス系等の合成吸着剤が挙げられる。液晶の配向膜として
よく用いられるポリイミドは、本発明で用いる吸着剤に
は含まれない。一部のポリイミドには若干の吸着作用は
あるものの、吸着剤としては効力が弱く、ポリイミド自
身からのイオンの放出、いったん吸着されたイオンの再
放出が起こりやすいため本発明に用いる吸着剤としては
好ましくない。上記に挙げた吸着剤のうち特にシリガゲ
ル、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、ケイ酸マグ
ネシウム、酸化チタンの中から選ばれた一種またはこれ
らの組み合わせを用いることが好ましい。吸着剤の選択
は精製する液晶材料によって異なってくるが、多くの液
晶材料ではシリカゲルまたは酸化アルミニウムを用いる
ことが適切である場合が多い。これらの吸着剤は液晶材
料中に入れるか電極表面に固定して用いるが、電極表面
に固定する場合は電極表面全域かその大部分を被覆する
ように設けるのが好ましい。この場合電極表面に層状に
設けるのが好ましく、粉末とした吸着剤を結着剤で電極
上に固定するか、電極上に焼結させて固定することが好
ましい。また、電極上にゾル−ゲル法等を用いて無機吸
着剤層を形成させてもよい。吸着剤の表面に突起が存在
すると電圧印加の際に絶縁破壊の原因になりやすいので
平滑な吸着剤層を設けることが好ましい。

【００２０】本発明の液晶精製装置では、電極間にある
液晶材料が電極間に働く電場の作用によって精製される
ので、精製されるべき液晶材料の全てがこの電極の間に
入っているか、電極間を通過することが好ましい。この
ため本発明の精製装置の形態としては、例えば、対向す
る平行平板電極間に液晶材料を充填するバッチ式のも
の、平行平板電極間を液晶材料が通過する連続式のも
の、液晶材料が入った漕内に平行平板電極を入れて液晶
材料を撹拌する方式のものなどが挙げられる。またこの
他に、二重構造を持った円筒形電極の間に液晶材料を入
れて螺旋状に液状材料を流す構造、電極間に電極と平行
に細管を配しこの細管内に液晶材料を流す構造等を持っ
ていてもよい。このような精製装置を用いて精製された
液晶化合物は、しきい値電圧以上の高電界下に置かれて
も高い電圧保持率を示す。

【００２１】

【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を更に詳述する
が、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。なお、実施例、比較例中における電圧保持率は以下
の条件に従って測定したものである。測定セル：JSR(株)製AL-1051を配向膜として有するセル
ギャップ6μm、ITO電極の面積0.64cm²のツイストネマチ
ックセルを使用した。

【００２２】測定条件：図1に示すように、±5V、2.5Hz
の矩形波から成るソース電圧V_SをゲートパルスV_Gによる
高インピーダンスFETスイッチングにより、64μ秒だけ
テストセルに印加し、遮断する。テストセルの両電極間
の電圧V_Lが1／2周期に描くカーブより図中斜線部分の面
積を求める。V_Lの減衰が全くない場合の面積を100%と
し、これに対する面積比率を電圧保持率として算出し
た。測定温度：８０℃

【００２３】電圧保持率測定用液晶組成物：液晶化合物
の電圧保持率は下記に示す構造を有する液晶化合物1と
液晶化合物2の等質量混合物をベース組成物とし、この
ベース組成物80質量部に対して、各実施例、比較例で精
製された液晶化合物を20質量部混合した液晶組成物を調
製し、この液晶組成物を測定セルに注入して電圧保持率
を測定することによって評価した。

【００２４】（液晶化合物１）

【００２５】

【化３】

【００２６】（液晶化合物２）

【００２７】

【化４】

【００２８】［ベース組成物の評価結果］各実施例、比
較例にて精製された液晶化合物を混合させない、ベース
組成物のみの電圧保持率を評価したところ95.3%であっ
た。

【００２９】［実施例１］図2に示すような断面構造を
有する液晶精製装置を作製した。図2において、1,2は基
板であり、この表面に電極3,4が形成されている。この
電極3,4の表面に吸着剤層5,6を設ける。対向電極はスペ
ーサー7,8により一定の電極間距離を保持しており、電
極3,4は直流電源9によって電圧印加される。精製される
液晶材料は注入孔(図示せず)から注入され、吸着剤層5,
6間を通過する際に電極3,4間に印加された電界により精
製される。精製された液晶材料は排出孔(図示せず)から
排出される。この間液晶材料はポンプ(図示せず)により
送液される。

【００３０】本実施例1においては基板1,2はプラスチッ
ク、電極3,4は銅、吸着剤層5,6は樹脂結着したシリカゲ
ル微粉末から成り層厚は0.1mmである。スペーサー7,8は
プラスチックを用い電極間距離は1mmに調整した。直流
電源9は市販の直流電源を使用した。

【００３１】下記に構造を示す液晶化合物3をネマチッ
ク液晶相で注入孔から注入して1kVの電圧を印加しなが
ら吸着剤層5,6の間を通過させて精製を行い、排出孔か
ら精製された液晶化合物3を得た。この際液晶化合物3の
流れの任意の部分が吸着剤層5,6の間を通過する時間が3
0分となるようにポンプの流速を調整した。得られた精
製液晶化合物3を所定の割合でベース液晶組成物と混合
して電圧保持率を測定したところ94.3%であった。

【００３２】（液晶化合物３）

【００３３】

【化５】

【００３４】［実施例２］吸着剤層5,6に用いる吸着剤
を酸化アルミニウムとした以外は全て実施例1と同様に
して液晶化合物3の精製を行った。精製された液晶化合
物3を所定の割合でベース液晶組成物と混合して電圧保
持率を測定したところ93.8%であった。

【００３５】［実施例３］吸着剤層5,6に用いる吸着剤
を酸化マグネシウムとした以外は全て実施例1と同様に
して液晶化合物3の精製を行った。精製された液晶化合
物3を所定の割合でベース液晶組成物と混合して電圧保
持率を測定したところ93.9%であった。

【００３６】［実施例４］吸着剤層5,6に用いる吸着剤
をケイ酸マグネシウムとした以外は全て実施例1と同様
にして液晶化合物3の精製を行った。精製された液晶化
合物3を所定の割合でベース液晶組成物と混合して電圧
保持率を測定したところ94.5%であった。

【００３７】［実施例５］吸着剤層5,6に用いる吸着剤
を酸化チタンとした以外は全て実施例1と同様にして液
晶化合物3の精製を行った。精製された液晶化合物3を所
定の割合でベース液晶組成物と混合して電圧保持率を測
定したところ93.6%であった。

【００３８】［実施例６］基板1,2をガラス、電極3,4を
ITO膜とした以外は全て実施例1と同様にして液晶化合物
3の精製を行った。精製された液晶化合物3を所定の割合
でベース液晶組成物と混合して電圧保持率を測定したと
ころ94.1%であった。

【００３９】［実施例７］スペーサー7,8を調整するこ
とによって電極3,4間の距離を2mmとした以外は全て実施
例1と同様にして液晶化合物3の精製を行った。精製され
た液晶化合物3を所定の割合でベース液晶組成物と混合
して電圧保持率を測定したところ93.2%であった。

【００４０】［実施例８］実施例1と同様にして下記に
構造を示す液晶化合物4を精製した。精製された液晶化
合物4を所定の割合でベース液晶組成物と混合して電圧
保持率を測定したところ95.2%であった。

【００４１】（液晶化合物４）

【００４２】

【化６】

【００４３】［実施例９］実施例1と同様にしてベース
液晶組成物を精製した。精製されたベース液晶組成物を
所定の割合でベース液晶組成物と混合して電圧保持率を
測定したところ97.7%であった。

【００４４】［実施例１０］実施例1と同様にしてベー
ス液晶組成物の80質量部と液晶化合物3の20質量部を混
合した組成物を精製した。精製された液晶組成物の電圧
保持率を測定したところ95.0%であった。

【００４５】［実施例１１］実施例1と同様にして下記
の液晶組成物Aを精製した。精製前の電圧保持率は96.0%
であったが、精製後の電圧保持率は98.5%まで精製され
た。また、液晶組成物Aのネマチック相−等方相転移温
度(Tni)：81℃、複屈折(Δn)：0.097、比誘電率異方性
(Δε)：6は精製前後で変化は無かった。

【００４６】（液晶組成物A）下記の組成表に記載の%
は、質量%を示す。

【００４７】

【化７】

【００４８】［比較例１］吸着剤層5,6を設けなかった
こと以外は全て実施例1と同様にして液晶化合物3の精製
を行った。精製された液晶化合物3を所定の割合でベー
ス液晶組成物と混合して電圧保持率を測定したところ8
8.7%であった。

【００４９】［比較例２］吸着剤層5,6を設けなかった
こと以外は全て実施例6と同様にして液晶化合物3の精製
を行った。精製された液晶化合物3を所定の割合でベー
ス液晶組成物と混合して電圧保持率を測定したところ8
9.1%であった。

【００５０】［比較例３］比較例1と同様にして液晶化
合物4の精製を行った。精製された液晶化合物4を所定の
割合でベース液晶組成物と混合して電圧保持率を測定し
たところ90.7%であった。

【００５１】［比較例４］吸着剤層5,6を市販のポリイ
ミド配向膜(JSR(株)製 AL-1051)とした以外は全て実施
例1と同様にして液晶化合物3の精製を行った。精製され
た液晶化合物3を所定の割合でベース液晶組成物と混合
して電圧保持率を測定したところ89.6%であった。

【００５２】［比較例５］本発明の実施例、比較例に挙
げた精製を行わず、蒸留、シリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー、再結晶により精製した液晶化合物3を所定の
割合でベース液晶組成物と混合して電圧保持率を測定し
たところ84.8%であった。

【００５３】［比較例６］本発明の実施例、比較例に挙
げた精製を行わず、蒸留、シリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー、再結晶により精製した液晶化合物4を所定の
割合でベース液晶組成物と混合して電圧保持率を測定し
たところ87.9%であった。

【００５４】以上の実施例と比較例から本発明による液
晶材料精製装置で液晶化合物または液晶組成物の精製を
行うと電圧保持率を著しく高められることが確認でき
る。また、吸着剤層5,6がない場合及びこれがポリイミ
ド膜からなる場合は、電圧印加する精製により電圧保持
率の向上は認められるものの本発明による液晶精製装置
を用いた場合ほど効果が顕著ではない。これは電極に引
きつけられたイオンの液晶材料中への拡散を防止するこ
とができないためである。

【００５５】

【発明の効果】本発明の精製装置により、液晶材料中の
イオン性不純物を極めて少なくすることができ、電圧保
持率を向上させることができる。このためアクティブ駆
動方式等のディスプレイにおける画像品位を向上させる
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例及び比較例によって精製され
た液晶化合物を注入したテストセルをアクティブ駆動さ
せたときの電圧波形の一例を示す概略説明図である。

【図２】本発明の一実施例を示す概略説明図である。

【符号の説明】

Ｖ_Ｓ・・・ソース電圧Ｖ_Ｇ・・・ゲート電圧Ｖ_Ｌ・・・両電極間にかかる電圧１，２・・・基板３，４・・・電極５，６・・・吸着剤７，８・・・スペーサー９・・・・・直流電源

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００Ｆターム(参考） 4D017 AA03 BA03 CA05 EA10 EB08 4D054 FA10 FB02 FB15 4H027 BD04 CM04 CQ04 CR04 CT04 CU04 DK04

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電極間に液晶材料を注入できる構造を有
し、更に吸着剤を液晶材料中または電極表面に有するこ
とを特徴とする液晶材料精製装置。
【請求項２】吸着剤を電極表面に有する請求項1記載
の液晶材料精製装置。
【請求項３】吸着剤がシリカゲル、酸化アルミニウ
ム、酸化マグネシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化チタ
ンの中から選ばれた一種類、又はこれら二種類以上の組
み合わせからなる請求項1又は2記載の液晶材料精製装
置。
【請求項４】電極が平行に配置された平面構造を有す
る請求項1から3記載の液晶材料精製装置。
【請求項５】請求項1から4記載の液晶材料精製装置を
使用することを特徴とする液晶材料精製方法。