JP2003022969A - マスクを利用したシリコンの結晶化方法 - Google Patents

マスクを利用したシリコンの結晶化方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 結晶サイズが大きい多結晶シリコンの製作方
法、均一な結晶を有する多結晶シリコンの製作方法並び
に、結晶サイズが大きくかつ均一な多結晶シリコンを利
用して特性の向上した薄膜トランジスタの提供。 【解決手段】 順次側面固状化（ＳＬＳ）法によってシ
リコン膜を結晶化する方法に関する。第１及び第２方向
に配列されて交互に直交する方向のストライプパターン
を各々有する４領域でなされたマスクを利用して、非晶
質シリコン膜が形成された基板をマスク幅の１／４だけ
移動させてレーザービームを照射することによって、正
四角形状の一定な大きさを有するグレーンを形成する。
前記多結晶シリコン膜を利用して、電界効果移動度が高
く均一な特性を有する薄膜トランジスタを製作する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は非晶質シリコンの結
晶化方法に係り、さらに詳細には均一なグレーンを有す
る多結晶シリコンを形成するための順次側面固状化（se
quential lateralsolidification：ＳＬＳ）方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】情報化社会の急速な発展と共に薄形化、
軽量化、低消費電力化などの優秀な特性を有する平板表
示装置の必要性が高まりつつある。中でも、色再現性な
どが優秀な液晶表示装置が活発に開発されている。
【０００３】一般的に液晶表示装置は、電界生成電極が
各々形成されている２つの基板を２つの電極が形成され
ている面が向かい合うように配置して２つの基板間に液
晶物質を挿入し、２つの電極に電圧を印加して生成する
電界によって液晶分子を動かして液晶分子の動きによっ
て変化する光の透過率によって画像を表現する装置であ
る。
【０００４】液晶表示装置の下部基板は、スイッチング
素子である薄膜トランジスタを含むが、薄膜トランジス
タに用いられるアクティブ層は非晶質シリコンａ−Ｓ
ｉ：Ｈ）が主流をなしている。これは非晶質シリコンが
低温で廉価なガラス基板のような大型基板上に形成する
ことが可能なためである。
【０００５】ところで、このような非晶質シリコンを利
用した薄膜トランジスタを駆動するためには駆動回路が
必要である。駆動回路は多数のＣＭＯＳ素子を含むが、
このようなＣＭＯＳ素子を形成するためには単結晶シリ
コンが利用される。
【０００６】したがって、液晶表示装置は、非晶質シリ
コンで製作された薄膜トランジスタアレー基板に単結晶
シリコンで製作された高密度集積回路をＴＡＢ（tape a
utomated bonding）などの方法で連結して駆動する。し
かし、駆動回路の値段が非常に高いためにこのような液
晶表示装置は値段が高い短所がある。
【０００７】近来になって多結晶シリコンを利用した薄
膜トランジスタを採用する液晶表示装置が広く研究及び
開発されている。多結晶シリコンを利用した液晶表示装
置では薄膜トランジスタと駆動回路を同一基板上に形成
することができ、薄膜トランジスタと駆動回路を連結す
る過程が不要なので製造工程を単純化することができ
る。また、多結晶シリコンは非晶質シリコンに比べて電
界効果移動度が１００ないし２００倍程度大きいので応
答速度が速く、温度と光に対する安全性も優秀である長
所を有する。
【０００８】このような多結晶シリコンは、直接蒸着し
たり、プラズマ化学気相蒸着法または低圧化学気相蒸着
法で非晶質シリコンを蒸着した後に、これを結晶化する
ことによって形成することができる。
【０００９】非晶質シリコンを利用して多結晶シリコン
を形成する方法としては固状結晶化（ＳＰＣ：solid ph
ase crystallization）法、金属誘導結晶化（metal ind
ucedcrystallization：ＭＩＣ）法やレーザー熱処理（l
aser annealing）法などがある。
【００１０】ここで、固状結晶化方法は、非晶質シリコ
ンを高温で長時間熱処理することによって多結晶シリコ
ンを形成する方法であって、６００°Ｃ以上の高温に耐
えることができる石英基板に不純物の拡散を防止するた
めに所定の厚さで緩衝層を形成して、緩衝層上に非晶質
シリコンを蒸着した後、ファーネスで高温長時間熱処理
する。
【００１１】ところで、このような固状結晶化法は、高
温で長時間遂行され必ずしも所望する多結晶シリコン相
が得られるとは限らず、グレーン成長の方向が不規則に
なるので、薄膜トランジスタに応用した場合には多結晶
シリコンと接触するゲート絶縁膜が不規則に成長して素
子の降伏電圧が低くなる。また、多結晶シリコンのグレ
ーンの大きさが不均一で素子の電気的特性を低下させる
のみならず、高価な石英基板を使用しなければならない
問題がある。
【００１２】一方、金属誘導結晶化法は、非晶質シリコ
ン上に金属を蒸着してこの金属を利用して多結晶シリコ
ンを形成する方法で、金属が非晶質シリコンの結晶化温
度を低減するので大面積のガラス基板を用いることがで
きるが、触媒で用いられた金属物質がシリコン膜内に残
って不純物となる。
【００１３】レーザー熱処理法は、非晶質シリコンが蒸
着された基板にレーザービームを照射して多結晶シリコ
ンを形成する方法で、非晶質シリコンを蒸着した基板に
瞬間的に（数十ないし数百ナノ秒）レーザーエネルギー
を供給して非晶質シリコンを熔融状態にした後、続いて
冷却することによって多結晶シリコンを形成する。この
ようなレーザー熱処理による結晶化方法は４００°Ｃ以
下の低温で結晶化が可能であるが、結晶化が不均一で均
一度が低い。また、レーザービームの１回の照射によっ
て結晶化されたシリコン薄膜は非常に小さな大きさのグ
レーンを有するために、グレーンの大きさを小さくする
には、同じ位置に約１０回程度レーザービームを照射し
て小さなシリコングレーンを再結晶化しなければならな
い。それゆえ、レーザー熱処理方法は生産性が低い問題
がある。
【００１４】一方、レーザービームが照射されたシリコ
ン膜の表面温度は、約１４００°Ｃ程度になるので、シ
リコン膜の表面は酸化しやすい。特に、このようなレー
ザー熱処理結晶化方法ではレーザービームの照射が多数
回なされるために、大気中でレーザー熱処理を実施する
場合、レーザービームが照射されたシリコン膜の表面が
酸化してＳｉＯ２を形成する。したがって、レーザー熱
処理は約１０−７ないし１０−６ｔｏｒｒ程度の真空で
実施することが必要になる。
【００１５】このようなレーザー熱処理結晶化方法の短
所を克服するために、最近レーザーを利用して順次側面
固状化（ＳＬＳ）によって結晶化する方法が提案されて
広く研究されている。
【００１６】ＳＬＳ法は、シリコンのグレーンは、シリ
コン液状領域とシリコン固状領域の境界面でその境界面
に対して垂直方向に成長するという現象を利用したもの
で、レーザーエネルギーの大きさとレーザービームの照
射範囲を適切に移動してグレーンを所定の長さだけ側面
成長させることによって、シリコングレーンの大きさを
向上させる非晶質シリコン薄膜の結晶化方法（Robert
S. Sposilli, M. A. Crowder and James S. Im, Mat. R
es. Soc. Symp. Proc. Vol. 452, pp.956-957,1997）で
ある。ＳＬＳ方法は基板上にシリコングレーンの大きさ
が画期的に大きいＳＬＳシリコン薄膜を形成することに
よって、単結晶シリコンチャネル領域を有する薄膜トラ
ンジスタの製造を可能にする。
【００１７】このようなＳＬＳ結晶化方法を以下添付し
た図面を参照して説明する。図１は一般的なＳＬＳ装置
の概略図である。
【００１８】一般的なＳＬＳ結晶化装置は、光源１と減
衰器２、焦点レンズ５、マスク６、イメージングレンズ
７、そして非晶質シリコンを含む試料９が置かれる移動
ステージ１０が順次に配列されており、減衰器２と焦点
レンズ５間及びイメージングレンズ７と移動ステージ１
０間には入射した光を所定の角度で反射して光の方向を
変化させるための反射鏡３、４、８が各々位置する。
【００１９】ここで、光源１はエキシマレーザーであっ
て波長３０８ｎｍのＸｅＣｌや２４８ｎｍのＫｒＦを主
に利用し、減衰器２はエキシマレーザー１から発生した
レーザービームが所定エネルギーを有するように調節す
るためのものである。焦点レンズ５とイメージングレン
ズ７はレーザービームを集束させる役割をするが、特に
焦点レンズ５は不均一なレーザービームの焦点距離を同
じにして透過されるレーザービームのエネルギーを均一
にする。次に、マスク６はパターニングされていてレー
ザービームを所定の形態で透過させる役割をする。
【００２０】したがって、光源１から放出されたレーザ
ービームは、減衰器２を通過してエネルギーの大きさが
調節されて、反射鏡３、４で反射されて焦点レンズ５に
よって集束する。続いて、レーザービームはマスク６に
よって一部のみ通過して、イメージングレンズ７と反射
鏡８を経て試料９に照射される。次に、試料９が置かれ
た移動ステージ１０を移動させてレーザービーム照射を
繰り返す。
【００２１】図２ないし図４は、図１の装置を利用して
ＳＬＳ方法によって非晶質シリコン膜を多結晶シリコン
膜に結晶化する過程を示した平面図である。
【００２２】まず、図２に示したように非晶質シリコン
膜２０のＡ領域にレーザービームを１次照射して結晶を
成長させる。前述したようにシリコンは液状領域と固状
領域の境界面から側面成長をするので、レーザービーム
が照射された領域Ａの境界からグレーン２２ａ、２２ｂ
が成長して結晶が出会う部分ＩＩａ線で成長が停止す
る。
【００２３】続いて、図３に示したように、非晶質シリ
コン膜２０のＢ領域にレーザービームを２次照射して結
晶を成長させる。ここで、Ｂ領域はレーザービームが１
次照射された領域（図２のＡ領域）の一部を含み、レー
ザービームが照射されたＢ領域の境界から結晶が成長し
てグレーン２３ａ、２３ｂが生成する。この際、Ａ領域
とＢ領域が一部重畳するＡＢ領域ではレーザービームの
１次照射時に生成したグレーン（図２の２２ａ）が結晶
化の核として働いて成長が促進される。図３で結晶成長
はＩＩｂ線で停止する。図示したように２次レーザービ
ーム照射後に生成したグレーン２３ａは、図２のグレー
ン２２ａと２２ｂより大きい。
【００２４】次に、非晶質シリコン膜２０のＣ領域にレ
ーザービームを３次照射することによって結晶を成長さ
せれば、図４に示したようなグレーン２４ａ、２４ｂが
生成する。この際のＣ領域はレーザービームが２次照射
されたＢ領域の一部を含む。したがって、Ｃ領域中、Ｂ
領域と一部重畳される領域（ＢＣ領域）に形成されるグ
レーンはレーザービームの２次照射時に生成したグレー
ン（図３の２３ａ）が結晶化の核として働いてさらに大
きいグレーン２４ａが成長する。
【００２５】このような方法でレーザービーム照射を繰
り返して非晶質シリコンが形成された薄膜全体を走査す
ることにより、グレーンの大きな多結晶シリコンを製作
することができる。また同じ位置に照射されるレーザー
ビームの回数が少なくなるので収率が高くなる。
【００２６】しかし、ＳＬＳ方法で成長したグレーン
は、大きさと成長方向が異なるために、ＳＬＳ法で形成
された多結晶シリコンを利用して薄膜トランジスタに適
用する場合は、薄膜トランジスタの特性もグレーンの成
長方向によって大幅に異なるようになる。
【００２７】従来のＳＬＳ方法による多結晶シリコンを
利用して製作した薄膜トランジスタの電流−電圧特性グ
ラフを図５に示した。ソースとドレーン方向すなわち、
電流が流れるチャネルの方向と結晶の成長方向が一致す
る場合（実線）、４５度をなす場合（短い点線）、９０
度をなす場合（長い点線）に対して、各々ドレーン電圧
Ｖｄが０．１Ｖの場合と１０Ｖの場合を示す。ここで、
横軸はゲート電圧Ｖｇを、縦軸はドレーン電流Ｉｄを示
す。図示したように、チャネル方向と結晶の成長方向が
なす角が小さいほどグレーン境界数が少ないために電流
−電圧特性が優秀なことが分かる。
【００２８】このように、薄膜トランジスタのチャネル
方向と結晶の成長方向が一致する場合、素子の特性は最
大になるが、チャネル方向と結晶の成長方向が９０度を
なす場合には素子特性が最小になる。したがって、ＳＬ
Ｓ法によって形成された多結晶シリコン膜を薄膜トラン
ジスタに利用する場合は、均一な特性を得ることは困難
である。
【００２９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記した従来
の問題点を解決するために案出されたものであって、本
発明の目的は、結晶の大きさが大きい多結晶シリコンの
製作方法を提供することである。
【００３０】本発明の他の目的は、均一な結晶を有する
多結晶シリコンの製作方法を提供することである。
【００３１】本発明のさらに他の目的は、結晶が大き
く、均一な多結晶シリコンを利用して薄膜トランジスタ
を製造することによって、薄膜トランジスタの特性を向
上させることである。
【００３２】
【課題を解決するための手段】前記した目的を達成する
ために、本発明による順次側面固状化マスクは、第１ス
リットによって分離された多数の第１ストライプを有す
る第１領域と、第２スリットによって分離されて前記多
数の第１ストライプと直交する多数の第２ストライプを
有する第２領域と、第３スリットによって分離されて前
記第１ストライプと平行な多数の第３スリットを有する
第３領域と、第４スリットによって分離されて前記第２
ストライプと平行な多数の第４スリットを有する第４領
域とを含む。
【００３３】本発明による非晶質シリコン膜の結晶化方
法は、ａ）第１スリットによって分離された多数の第１
ストライプを有する第１領域と、ｂ）第２スリットによ
って分離されて前記多数の第１ストライプと直交する多
数の第２ストライプを有する第２領域と、ｃ）第３スリ
ットによって分離されて前記第１スリットに対応する多
数の第３スリットを有する第３領域と、ｄ）第４スリッ
トによって分離されて前記第２スリットと対応する多数
の第４スリットを有する第４領域とを含むマスクを利用
して順次側面固状化方法で非晶質シリコン膜を結晶化す
る過程において、非晶質シリコン膜を有する基板上に前
記マスクを配置する段階と、前記マスクを通して前記非
晶質シリコン膜にレーザービームを照射して前記第１な
いし第４領域に対応する領域を結晶化する段階と、前記
結晶化された領域を有する基板を前記マスクの１／４幅
だけ移動させる段階と、前記基板を前記マスクの１／４
幅だけ移動させた後前記非晶質シリコン膜にレーザービ
ームを繰り返して加える段階とを含む。
【００３４】このように、本発明では、配列方向が第１
及び第２方向に配列されて、相互交差する方向のストラ
イプパターンを各々有する４領域でなされたマスクを利
用して、非晶質シリコンが形成された基板をマスク幅の
１／４だけ移動させながらレーザービームを照射するこ
とによって均一な大きさ及び結晶方向を有する多結晶シ
リコン膜を形成する。
【００３５】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面を参照して本
発明による多結晶シリコンの製造方法に対して詳細に説
明する。
【００３６】図６は、本発明によって多結晶シリコンを
製造するためのマスクの概略図である。図示したよう
に、本発明によるマスク１００は、第１ないし第４から
なる４つの領域１１０、１２０、１３０、１４０から構
成される。第１領域１１０は横方向に延びるストライプ
パターン１１１で、第２領域１２０は縦方向に延びるス
トライプパターン１２１を有し、第３領域１３０は横方
向のストライプパターン１３１を有しているが、このパ
ターン１３１は第１領域のストライプパターン１１１の
間の間隔（以下スリットという）１１２に対応する。次
に、第４領域１４０は縦方向のストライプパターン１４
１を有し、このパターン１４１は第２領域のスリット１
２２と対応して第２領域のストライプパターン１２１と
直行する方向に配置されている。
【００３７】各領域のストライプパターン１１１、１２
１、１３１、１４１は、遮光幕で形成されており、レー
ザービームを照射する際にレーザービームの透過を阻止
し、スリット１１２、１２２、１３２、１４２はレーザ
ービームが透過するように透明である。この際、結晶化
される非晶質シリコンの全領域がレーザービームに露出
されるようにするためには、ストライプパターン１１
１、１２１、１３１、１４１の幅はスリット１１２、１
２２、１３２、１４２の幅以下であることが望ましい。
ストライプパターン１１１、１２１、１３１、１４１の
幅は２μｍないし１０μｍ程度とすることができるが、
ストライプパターン１１１、１２１、１３１、１４１の
幅はレーザービームのエネルギー密度や薄膜の状態等に
応じて調節することができる。
【００３８】このようなマスク１００において、第１な
いし第４領域１１０、１２０、１３０、１４０の配置位
置は任意である。すなわち、図６は第１ないし第４領域
１１０、１２０、１３０、１４０が順次に配列された場
合を図示しているが、第１領域１１０、第３領域１３
０、第２領域１２０、第４領域１４０の順に配列するこ
ともでき、また他の順序で配列してもよい。
【００３９】この際、第１ないし第４領域１１０、１２
０、１３０、１４０の幅（横長さ）は同一であることが
望ましい。
【００４０】図６のマスクで非晶質シリコン膜にレーザ
ービームを１次照射して結晶化し、次に、非晶質シリコ
ン膜が形成された基板をマスク１００の幅（横長さ）の
１／４だけ移動させて、レーザービームを２次照射して
再び結晶化する。続いて、基板をマスク１００の幅の１
／４だけ移動させて３次レーザービーム照射及び結晶化
を実施して、再び基板をマスク１００の幅の１／４だけ
移動させた後４次レーザービームを照射して結晶化す
る。
【００４１】ここで、照射されるレーザービームの大き
さを調節するために、レンズでレーザービームを縮少し
て照射することができるが、マスク１００の横方向長さ
を１６ｍｍにしてレーザービームの縮少比を１／４にす
ると、非晶質シリコン膜が形成された基板上では１ｍｍ
ずつ移動することになる。
【００４２】図６のマスクを利用して本発明によって非
晶質シリコン膜を多結晶シリコン膜に結晶化する過程を
図７ないし図１０に示したが、この際、図１で説明した
装置を用いることもできる。ここで、図示された領域は
レーザービームの１次照射時マスクの第１領域に対応す
る部分の中の一部、すなわち図６のＳに該当する領域の
みを図示した。
【００４３】図７に示したように、図６のマスク１００
を利用して非晶質シリコン膜２００にレーザービームを
１次照射する。この際、レーザービームはマスク１００
のスリット１１２に対応する領域２１０にのみ照射され
る。レーザービームが照射された領域２１０は熔融して
冷却されてグレーン２１１、２１２が形成される。グレ
ーン２１１、２１２はレーザービームが照射された領域
２１０の縁から領域の中央に成長して、相異なるグレー
ンが出会う境界部分（Ｖａ線）で停止する。
【００４４】続いて、図８に示したように基板２００を
マスク１００の幅の１／４だけ左側に移動させた後、レ
ーザービームを２次照射して結晶化を進める。ここで、
レーザービームが１次照射された領域にはマスク１００
の第２領域１２０が対応するので、第２領域１２０のス
リット１２２に対応する領域２２０でのみ結晶化が起き
る。この際、図７の結晶成長方向と垂直の方向に結晶化
が起きて、Ｖｂ線で成長が停止するが、レーザービーム
が１次照射された領域と重畳する領域Ｅでは、１次レー
ザービーム照射時形成されたグレーン（図７の２１１、
２１２）が結晶化の核として働いて図７のグレーン２１
１、２１２より大きいグレーン２２１、２２２が形成さ
れる。
【００４５】次に、図９に示したように、基板２００を
マスク１００の幅の１／４だけ左側に移動させた後、レ
ーザービームを３次照射してシリコン膜を結晶化させ
る。ここで図面符号２３０は３次レーザービームが照射
されて結晶化が進められる領域であって、２次レーザー
ビームが照射された領域と重畳する領域Ｆでは２次レー
ザービームの照射時に生成したグレーン２２１、２２２
が結晶化の核として働いてこれよりさらに大きなグレー
ン２３１、２３２が生成する。
【００４６】次に、図１０に示したように、基板２００
をマスク１００の幅の１／４だけ左側に移動させた後、
レーザービームを４次照射してシリコンを結晶化させ
る。この際、レーザービームが照射される領域２４０の
中の３次レーザービームが照射された領域と重畳する領
域Ｇでは、３次レーザービームの照射時に生成したグレ
ーン（図９の２３１、２３２）が結晶化の核として働い
て結晶化がなされるので、図示したように正四角形状の
グレーン２４１、２４２が成長する。
【００４７】このような過程を繰り返すことによって結
晶が大きく均一な多結晶シリコン膜を形成することがで
きるので、この多結晶シリコン膜で製造された薄膜トラ
ンジスタの特性はチャネルの方向に影響を受けず、均一
な特性が得られる。
【００４８】また、本発明によるシリコン膜の結晶化方
法では一つの領域に４回のレーザービームを照射して結
晶化がなされるので、膜表面の酸化程度が小さく、大気
中で結晶化工程を遂行することができる。
【００４９】一方、本発明による多結晶シリコン形成方
法を利用して液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板を製
作する場合には、駆動回路を薄膜トランジスタ基板に同
時に形成することができるので製造工程及び製造費用を
削減することができる。
【００５０】本発明は上述の実施例に限らず、本発明の
技術的思想の範囲内で多様な変化と変形が可能である。
【００５１】
【発明の効果】本発明はＳＬＳ法で非晶質シリコンを結
晶化する過程において、配列方向が第１及び第２方向に
配列されて相互に交差するストライプパターンを各々有
する４領域でなされたマスクを利用して、非晶質シリコ
ン膜が形成された基板をマスク幅の１／４だけ移動させ
てレーザービームを照射することによって正四角形状の
一定な大きさを有するグレーンを形成することができ
る。したがって、このような方法で形成された多結晶シ
リコン膜を利用して、電界効果移動度が高く、均一な特
性を有する薄膜トランジスタを作ることができる。
【００５２】また、本発明によって形成された多結晶シ
リコン膜を利用して液晶表示装置の薄膜トランジスタ基
板を製造する場合、ＣＭＯＳのような素子を含む駆動回
路を薄膜トランジスタ基板上に一緒に形成することがで
きるので、製造費用及び製造工程を削減することができ
る。
【００５３】本発明による非晶質シリコン膜の結晶化方
法では、同じ位置にレーザービームが照射される回数が
４回と少ないために薄膜表面の酸化が少なく、大気中で
結晶化を実施できるので、工程がさらに単純化される。
【図面の簡単な説明】
【図１】 一般的な順次側面固状化装置の概略図
【図２】 従来の順次側面固状化方法によって非晶質シ
リコン膜を多結晶シリコン膜に結晶化する過程を示した
平面図
【図３】 従来の順次側面固状化方法によって非晶質シ
リコン膜を多結晶シリコン膜に結晶化する過程を示した
平面図
【図４】 従来の順次側面固状化方法によって非晶質シ
リコン膜を多結晶シリコン膜に結晶化する過程を示した
平面図
【図５】 従来の順次側面固状化方法による多結晶シリ
コンで製作した薄膜トランジスタの電流−電圧特性を図
示したグラフ
【図６】 本発明によって多結晶シリコンを製造するた
めのマスクの概略図
【図７】 本発明によって非晶質シリコン膜を多結晶シ
リコン膜に結晶化する過程を示した平面図
【図８】 本発明によって非晶質シリコン膜を多結晶シ
リコン膜に結晶化する過程を示した平面図
【図９】 本発明によって非晶質シリコン膜を多結晶シ
リコン膜に結晶化する過程を示した平面図
【図１０】 本発明によって非晶質シリコン膜を多結晶
シリコン膜に結晶化する過程を示した平面図

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１スリットによって分離された多数の
    第１ストライプを有する第１領域と、 第２スリットによって分離されて前記多数の第１ストラ
    イプと直交する多数の第２ストライプを有する第２領域
    と、 第３スリットによって分離されて前記第１ストライプと
    平行な多数の第３スリットを有する第３領域と、 第４スリットによって分離されて前記第２ストライプと
    平行な多数の第４スリットを有する第４領域とを含む順
    次側面固状化マスク。
  2. 【請求項２】 前記第１ないし第４ストライプは、遮光
    幕で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の
    順次側面固状化マスク。
  3. 【請求項３】 前記第１ないし第４ストライプの幅は、
    前記第１ないし第４スリットの幅以下であることを特徴
    とする請求項１に記載の順次側面固状化マスク。
  4. 【請求項４】 前記第２領域は、前記第１領域と第３領
    域の間に位置することを特徴とする請求項１に記載の順
    次側面固状化マスク。
  5. 【請求項５】 前記第３領域は、前記第１領域と第２領
    域の間に位置することを特徴とする請求項１に記載の順
    次側面固状化マスク。
  6. 【請求項６】 前記第１領域は、前記第４領域に隣接す
    ることを特徴とする請求項１に記載の順次側面固状化マ
    スク。
  7. 【請求項７】 ａ）第１スリットによって分離された多
    数の第１ストライプを有する第１領域と、ｂ）第２スリ
    ットによって分離されて前記多数の第１ストライプと直
    交する多数の第２ストライプを有する第２領域と、ｃ）
    第３スリットによって分離されて前記第１スリットに対
    応する多数の第３スリットを有する第３領域と、ｄ）第
    ４スリットによって分離されて前記第２スリットと対応
    する多数の第４スリットを有する第４領域を含むマスク
    を利用して順次側面固状化方法で非晶質シリコン膜を結
    晶化する過程において、非晶質シリコン膜を有する基板
    上に前記マスクを配置する段階と、 前記マスクを通して前記非晶質シリコン膜にレーザービ
    ームを加えて前記第１ないし第４領域に対応する領域を
    結晶化する段階と、 前記結晶化された領域を有する基板を前記マスクの１／
    ４幅だけ移動させる段階と、 前記基板を前記マスクの１／４幅だけ移動させた後、前
    記非晶質シリコン膜にレーザービームを繰り返して照射
    する段階とを含むことを特徴とする非晶質シリコン膜の
    結晶化方法。
  8. 【請求項８】 前記レーザービームを、前記非晶質シリ
    コン膜の一つの領域に４回照射することを特徴とする請
    求項７に記載の非晶質シリコン膜の結晶化方法。
  9. 【請求項９】 前記第１ないし第４ストライプは、遮光
    幕で構成されていることを特徴とする請求項７に記載の
    非晶質シリコン膜の結晶化方法。
  10. 【請求項１０】 前記第１ないし第４ストライプの幅
    は、前記第１ないし第４スリットの幅以下であることを
    特徴とする請求項７に記載の非晶質シリコン膜の結晶化
    方法。
  11. 【請求項１１】 前記マスクの第２領域は、前記第１領
    域と第３領域の間に位置することを特徴とする請求項７
    に記載の非晶質シリコン膜の結晶化方法。
  12. 【請求項１２】 前記マスクの第３領域は、前記第１領
    域と第２領域の間に位置することを特徴とする請求項７
    に記載の非晶質シリコン膜の結晶化方法。
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