KR100691247B1 - 격자 마스크를 이용하여 균일한 입자 크기를 가지도록 하는레이저 결정화 방법 및 장치 - Google Patents

격자 마스크를 이용하여 균일한 입자 크기를 가지도록 하는레이저 결정화 방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 격자 마스크를 이용하여 균일한 크기의 결정 입자를 얻을 수 있는 레이저 결정화 방법 및 장치에 관한 것으로서, 기판(30) 상에 비정질층(40a)을 형성하고, 그 후에 격자 마스크(50)를 비정질층(40a) 상부에 설치하고 격자 마스크(50)를 통과하여 레이저 빔이 비정질층(40a) 조사되도록 함으로써 격자 마스크의 격자(50a)에 대응하는 부분에 결정 씨앗(s)을 형성하다. 그리고 격자 마스크(50)를 비정질층(40a) 상부에서 제거한 후에 기판(30)에 직접 레이저 빔을 조사한다. 본 발명에 의하면, 격자 마스크(50)를 이용하여 결정 씨앗을 균일하게 형성한 후에 레이저 빔을 조사함으로써 균일한 크기의 결정 입자를 얻을 수 있게 된다. 따라서 이를 다결정 실리콘 박막 트랜지스터에 적용하면 하나의 기판 내에서 소자간의 특성이 균일하면서 스위칭 속도가 빠른 구동 매트릭스를 구현할 수 있게 된다.
격자 마스크, 레이저, 입자. 씨앗, 다결정 실리콘, ELA

Description

격자 마스크를 이용하여 균일한 입자 크기를 가지도록 하는 레이저 결정화 방법 및 장치{Method and apparatus for laser crystallization having uniform grain size with lattice mask}
도 1a 내지 도 1c는 종래의 ELA 방법을 설명하기 위한 도면들로서, 도 1a는 ELA 장치의 개략도이고, 도 1b 및 도 1c는 다결정 실리콘의 불균일한 입자를 설명하기 위한 도면들;
도 2a 내지 도 2c, 도 3a 내지 도 3c, 도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 레이저 결정화 장치와 방법을 설명하기 위한 도면들로서, 도 2a 내지 도 2c는 씨앗(seed) 형성과정을 설명하기 위한 도면들이고, 도 3a 내지 도 3c는 결정성장이 완료되어 크고 균일한 입자를 갖는 다결정 실리콘층을 설명하기 위한 도면들이고, 도 4는 레이저 결정화 방법을 종합적으로 설명하기 위한 도면;
도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 레이저 결정화 장치와 방법을 설명하기 위한 도면;
도 6은 본 발명의 제3실시예에 따른 레이저 결정화 장치와 방법을 설명하기 위한 도면이다.
<도면의 주요부분에 대한 참조번호 및 참조부호의 설명>
10, 10': 레이저 장치 20, 20': 반사경
25: 스플리터 30: 기판
40a: 비정질 실리콘층 40b: 다결정 실리콘층
50: 격자 마스크 50a: 격자
g: 결정 입자 s: 결정 씨앗
본 발명은 레이저 결정화 방법에 관한 것으로서, 특히 격자 마스크를 이용하여 결정 씨앗(crystal seed)을 형성한 후에 레이저 빔을 조사함으로써 균일한 크기의 결정 입자(crystal grain)를 얻을 수 있는 레이저 결정화 방법에 관한 것이다. 또한 본 발명은 상기 레이저 결정화 방법에 적합한 레이저 결정화 장치에 관한 것이기도 하다.
유리를 기판으로 사용하는 액정 패널의 스위칭 소자로서 비정질 실리콘을 사용할 경우에는 액정패널 구동소자의 전기적 특성과 신뢰성 저하 및 표시소자의 대면적화에 어려움이 생긴다. 따라서 표시소자의 대면적화, 높은 해상도, 밝기 등을 향상시키기 위해서 비정질 실리콘 대신에 우수한 전기적 특성(예: 전계효과 이동도)과 고주파 동작 특성 및 낮은 누설전류를 갖는 다결정 실리콘을 스위칭 소자로 사용한다.
액정패널의 스위칭 소자로 사용되는 LTPS(Low Temperature Poly Silicon) 박막 트랜지스터는 비정질 실리콘층을 증착한 후에 이를 결정화시켜 만드는데, 상기 결정화 방법으로는 ELA(Eximer Laser Annealing)와 SLS(sequential lateral solidification) 등이 있다.
SLS 방법은 측면 성장을 유도하여 단결정에 가까운 결정을 얻는 방법으로서 이렇게 해서 얻어진 결정은 큰 전계효과 이동도를 갖는다. 그러나 조사되는 레이저 빔의 에너지 의존도가 높아 공정 마진이 크지 않고, 기판이 올려놓여지는 스테이지의 정밀도가 공정에 크게 영향을 미치기 때문에 기판 전체에 대해 균일한 결과를 얻기가 어렵다.
ELA 방법은 버티칼 성장을 유도하는 방법으로서 SLS 방법에 비하여 결정화 특성은 떨어지나 기판 전체에 대한 균일도는 더 좋으므로 양산화에 가장 적극적으로 검토되고 있다. 그러나 이 방법 역시 기판 전체에 대해 입자(grain)의 크기가 불균일하기 때문에 구동소자마다 다른 구동속도를 가지게 되어 표시소자의 특성이 저하되는 문제가 있다. 어느 정도 균일한 입자를 얻기 위해서는 많은 레이저 펄스(overlap)를 필요로 하기 때문에 생산성이 떨어진다.
다결정 실리콘의 입자(grain)의 크기 및 균일도는 전계효과 이동도를 변화시키는 중요한 파라미터임에도 불구하고 상술한 바와 같이 종래의 결정화 방법에 의할 경우에는 균일한 입자(grain)를 얻기가 어렵다. 입자의 크기가 클수록 전계효과 이동도가 커지고, 입자가 균일할수록 소자간의 특성차이가 줄어들기 때문에, 입자가 크고 균일한 다결정 실리콘을 얻는 게 소자의 특성 향상에 중요하다.
도 1a 내지 도 1c는 종래의 ELA 방법을 설명하기 위한 도면들로서, 도 1a는 ELA 장치의 개략도이고, 도 1b 및 도 1c는 다결정 실리콘의 불균일한 입자(grain)를 설명하기 위한 것이다.
도 1a에 도시된 바와 같이, 스테이지(미도시) 상에는 비정질 실리콘층(40a)이 형성되어 있는 기판(30)이 수평하게 올려놓여진다. 레이저 장치(10)에서 출사된 레이저 빔은 반사경(20)에서 반사되어 기판(30)의 윗면에 조사된다. 그러면 도 1b 및 도 1c에 도시된 바와 같이 비정질 실리콘층(40a)이 다결정 실리콘층(40b)으로 상변태(phase transformation)하는데, 이 때 다결정 실리콘의 핵생성이 랜덤(random)하게 여러 장소에 이루어지기 때문에 입자(g)의 크기가 작고 불균일하게 된다. 따라서 하나의 기판에서 소자간의 특성이 균일하지 못하고, 스위칭 속도도 늦어진다.
따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 입자가 크고 균일한 다결정을 얻음으로서 상술한 종래의 문제점을 해결할 수 있는 레이저 결정화 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 기술적 과제를 달성하는 데 적합한 레이저 결정화 장치를 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 예에 따른 레이저 결정화 방법은 기판 상에 비정질층을 형성하는 단계; 격자 형태로 일정하게 복수개의 구멍이 뚫린 격자 마스크를 상기 비정질층 상부에 설치하고 상기 격자 마스크를 통과하여 레이저 빔이 상기 비정질층에 조사되도록 함으로써 상기 격자 마스크의 격자에 대응하는 부분에 결정 씨앗를 형성하는 단계; 및 상기 격자 마스크를 상기 비정질층 상부에서 제거한 후에 상기 기판에 직접 레이저 빔을 조사하는 단계;를 포함하여 균일한 입자 크기를 가지는 다결정층을 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 예에 따른 레이저 결정화 방법은, 기판 상에 비정질층을 형성하는 단계; 및 상기 비정질층에 레이저 빔을 두 군데 조사하되, 한 군데에는 격자 형태로 일정하게 복수개의 구멍이 뚫린 격자 마스크를 통과하여 레이저 빔이 조사되도록 하고, 다른 한군데에는 격자 마스크를 거치지 않고 레이저 빔이 조사되도록 하면서, 상기 격자 마스크를 통과한 레이저 빔이 조사된 부분이 상기 격자 마스크를 거치지 않은 레이저 빔에 의해 나중에 다시 조사되도록 상기 기판을 이동시키는 단계;를 포함하여 균일한 입자 크기를 가지는 다결정층을 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기 비정질층은 비정질 실리콘층일 수 있으며, 이 경우 상기 다결정층은 다결정 실리콘층이 된다.
상기 격자 마스크의 격자 모양은 원형 또는 사각형일 수 있다.
상기 격자 마스크의 격자 크기는 0.1~5um인 것이 바람직하며, 이 경우 격자간 간격은 0.2~10um인 것이 바람직하다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 예에 따른 레이저 결정화 장치는, 기판이 수평하게 올려놓여 지는 스테이지; 상기 기판 윗면에 레이저를 조사하는 레이저 장치; 및 상기 레이저 장치에 의해 상기 기판에 조사되는 레이저의 경로 상에 수평이동 가능하게 설치되며 복수개의 구멍이 격자 형태로 뚫린 격자 마스크;를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 예에 따른 레이저 결정화 장치는, 기판이 수평하게 올려놓여지며 수평이동이 가능하도록 설치되는 스테이지; 레이저를 출사하는 레이저 장치; 상기 레이저 장치에서 출사되는 레이저를 제1경로 및 제2경로 분리하여 상기 제1경로의 광이 상기 기판 윗면에 조사되도록 하는 스플리터; 상기 스플리터와 상기 스테이지 사이에 설치되며 복수개의 구멍이 격자 형태로 뚫린 격자 마스크; 및 상기 스플리터에 의해 분리되는 제2경로의 광을 반사시켜 상기 기판 윗면에 제2경로의 광이 조사되도록 하되, 상기 제1경로의 광이 조사되는 지점과 다른 위치에 조사되도록 하는 반사경;을 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 예에 따른 레이저 결정화 장치는, 기판이 올려놓여지며 수평이동이 가능하도록 설치되는 스테이지; 상기 기판 윗면에 레이저를 조사하는 제1 레이저 장치; 상기 기판 윗면에 레이저를 조사하되 상기 제1 레이저 장치에 의해 조사되는 부분과는 다른 부분에 조사하는 제2 레이저 장치; 및 상기 제1 레이저 장치 및 제2 레이저 장치 중에서 선택된 어느 하나와 상기 스테이지 사이에 설치되며, 복수개의 구멍이 격자 형태로 뚫린 격자 마스크;를 구비하는 것을 특징으로 한다.
이하에서, 본 발명의 바람직한 실시예들을 첨부한 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 도면에 있어서, 동일한 참조번호는 동일기능을 수행하는 구성요소를 나타낸다. 아래의 실시예들은 본 발명의 내용을 이해하기 위해 제시된 것일 뿐이며 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상 내에서 많은 변형이 가능할 것이다. 따라서 이러한 실시예들은 각각 독립적으로 구현되어야만 하는 것은 아니고 여러개의 실시예들이 유기적으로 결합되어 구현될 수 있음은 당연하고, 본 발명의 권리범위가 이러한 실시예들에 한정되는 것으로 해석돼서는 안 된다.
[실시예1]
도 2a 내지 도 2c, 도 3a 내지 도 3c, 및 도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 레이저 결정화 장치와 방법을 설명하기 위한 도면들로서, 도 2a 내지 도 2c는 씨앗(seed) 형성과정을 설명하기 위한 도면들이고, 도 3a 내지 도 3c는 결정성장이 완료되어 크고 균일한 입자를 갖는 다결정 실리콘층(40b)을 설명하기 위한 도면들이다. 그리고, 도 4는 레이저 결정화 방법을 종합적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 2a에 도시된 바와 같이, 스테이지(미도시) 상에는 비정질 실리콘층(40a)이 형성되어 있는 기판(30)이 수평하게 올려놓여진다. 레이저 장치(10)에서 출사된 레이저 빔은 반사경(20)에서 반사되어 기판(30)의 윗면에 조사된다. 기판(30)에 조사되는 레이저 빔의 경로 상에 수평이동 가능하게 격자 마스크(50)가 설치되는데, 격자 마스크(50)에는 복수개의 구멍이 격자(50a) 형태로 뚫려 있다. 따라서 레이저 빔은 격자 마스크의 격자(50a)를 통과하여 비정질 실리콘층(40a)에 조사된다. 그러면 도 2b 및 도 2c에 도시된 바와 같이 격자 마스크의 격자(50a)에 대응하는 부분에만 결정 씨앗(crystal seed, s)이 형성된다.
그런 다음에, 도 3a에 도시된 바와 같이 격자 마스크(50)를 기판(30) 상부에서 제거하여 기판에 직접 레이저 빔을 조사한다. 그러면 도 3b 및 도 3c에 도시된 바와 같이 결정 씨앗(seed)이 성장하여 종래의 경우보다 크기가 더 크며 균일한 입자(g)를 갖는 다결정 실리콘층(40b)을 얻을 수 있게 된다.
입자의 크기가 큰 이유는 격자 마스크(50)를 통하여 결정 씨앗(s)이 생길 수 있는 부분을 의도적으로 제한하여 랜덤하게 핵생성되는 종래의 경우보다 핵생성 사이트를 줄였기 때문이며, 입자의 크기가 균일한 이유는 규칙적인 격자(50a) 배열에 의하여 씨앗(s)이 일정한 간격으로 형성되었기 때문이다.
격자 마스크의 격자(50a)의 모양은 원형 또는 사각형일 수 있으며 본 발명에서는 그 모양에 특별히 한정되지 않는다. 격자(50a)의 크기는 0.1~5um인 것이 바람직하며, 격자(50a) 사이의 간격은 0.2~10um인 것이 바람직하다. 예컨대 격자(50a)의 크기가 0.5um이고, 격자(50a) 사이의 간격이 1um이면 입자(g) 하나의 크기는 1um가 될 것이다.
도 4의 (a)에 도시된 바와 같이, 본 발명은 작은 격자(50a)들이 형성된 격자 마스크(50)를 광학 시스템의 중간에 삽입하여 1차적으로 기판(30)에 레이저 빔을 조사하면서 기판(30)을 왼쪽으로 수평이동시켜 격자 마스크(50)를 통과하는 레이저 빔을 실질적으로 오른쪽 방향으로 스캐닝되도록 하여 기판(30) 전체에 격자 형태로 배열되는 결정 씨앗(s)을 형성한 후에, 도 4의 (b)에 도시된 바와 같이 격자 마스크(50)가 제거된 상태에서 레이저 빔이 다시 원래의 왼쪽으로 돌아와 오른쪽 방향으로 2차적으로 스캐닝하여 측면 성장을 유도함으로써 균일한 결정 성장을 유도한다.
이렇게 하면, 1차적인 결정 씨앗(s)의 형성과 2차적인 측면 성장의 유도를 적은 레이저 빔 펄스(overlap)로 모두 구현할 수 있으므로, 두 번에 걸쳐 기판(30) 전체에 레이저 빔을 조사함에도 불구하고 종래의 ELA 방식에 비해 생산성을 향상시킬 수 있다. 격자 마스크(50)를 자동 이동 스테이지(motorized stage)에 장착하면 상기 자동이동 스테이지의 수평이동에 의하여 격자 마스크(50)를 용이하게 기판(30) 상에서 제거할 수 있다. 격자 마스크(50)는 도 4에 도시된 바와같이 막대형태일 수도 있으며 폭이 더 넓은 사각형태일 수도 있다.
[실시예 2]
도 5는 본 발명의 제2실시예에 따른 레이저 결정화 장치와 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 5를 참조하면, 레이저 장치(10)에서 출사된 레이저는 스플리터(25)에 의해 제1경로(M) 및 제2경로(B)로 분리되며, 제1경로(M)의 광은 기판(30)의 윗면에 조사된다. 제1경로(M) 상에는 격자 마스크(50)가 설치되며, 따라서 제1경로(M)의 광은 격자 마스크(50)를 거쳐 기판(30)에 조사된다. 제2경로(B)의 광은 반사경(20)에 의해 반사되어 기판(30)의 윗면에 조사된다. 제2경로(B)의 광이 기판(20)에 조 사되는 부분은 제1경로(M)의 광이 조사되는 지점(A)과는 다르다.
기판(30)은 수평이동이 가능하도록 설치되는 스테이지(미도시) 상에 수평하게 올려놓여지므로, 제1경로(M)의 광이 조사된 부분(A)이 나중에 제2경로(B)의 광에 의해 조사되도록 상기 스테이지를 수평이동시키면, 제1실시예의 경우와 마찬가지로 균일한 결정 씨앗(s)을 먼저 얻은 후에 입자 성장을 유도할 수 있게 된다.
따라서 비정질 실리콘층에 레이저 빔을 두군데 조사하되, 한 군데에는 격자 마스크(50)를 통과하여 레이저 빔이 조사되도록 하고, 다른 한군데에는 격자 마스크(50)를 거치지 않고 레이저 빔이 조사되도록 하면서, 격자 마스크(50)를 통과한 레이저 빔이 조사된 부분(A)이 격자 마스크(50)를 거치지 않은 레이저 빔에 의해 나중에 다시 조사되도록 기판(30)을 이동시킴으로써, 제1실시예의 경우와 같이 종래의 경우보다 크기가 더 크며 균일한 입자(g)를 갖는 다결정 실리콘층을 얻을 수 있게 된다.
[실시예 3]
도 6은 본 발명의 제3실시예에 따른 레이저 결정화 장치와 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 6를 참조하면, 제1 레이저 장치(10)에서 출사되는 레이저는 제1 반사경(20)에 의해 반사되어 격자 마스크(50)를 통과하여 기판(30)에 조사되며, 제2 레이저 장치(10')에서 출사되는 레이저는 제2 반사경(20')에 의해 반사되어 직접 기판(30)에 조사된다. 제2 반사경(20')에 의해 반사된 레이저 빔은 격자 마스크(50)를 통과하여 조사되는 부분과는 다른 부분에 조사된다. 이러한 상태에서 제2실시예의 경우와 같이 기판(30)을 이동시키면 균일한 결정 씨앗(s)을 먼저 얻은 후에 입자 성장을 유도할 수 있게 되므로 종래의 경우보다 크기가 더 크며 균일한 입자(g)를 갖는 다결정 실리콘층을 얻을 수 있게 된다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 격자 마스크(50)를 이용하여 결정 씨앗(seed)을 균일하게 형성한 후에 레이저 빔을 조사함으로써 균일한 크기의 결정 입자(crystal grain)를 얻을 수 있게 된다. 따라서 이를 다결정 실리콘 박막 트랜지스터에 적용하면 하나의 기판 내에서 소자간의 특성이 균일하면서 스위칭 속도가 빠른 구동 매트릭스를 구현할 수 있게 된다. 또한, 결정 씨앗(s)을 형성하는 1차 레이저 빔 조사 펄스(overlap)가 상당히 적고, 격자 마스크(50) 없이 2차 조사하는 레이저 빔의 펄스(overlap)도 종래의 ELA 방식에 비해 줄일 수 있어 두 번의 조사에도 불구하고 생산성을 향상시킬 수 있다.

Claims (9)

  1. 기판 상에 비정질층을 형성하는 단계;
    격자 형태로 일정하게 복수개의 구멍이 뚫린 격자 마스크를 상기 비정질층 상부에 설치하고 상기 격자 마스크를 통과하여 레이저 빔이 상기 비정질층에 조사되도록 함으로써 상기 격자 마스크의 격자에 대응하는 부분에 결정 씨앗를 형성하는 단계; 및
    상기 격자 마스크를 상기 비정질층 상부에서 제거한 후에 상기 기판에 직접 레이저 빔을 조사하는 단계;를 포함하여 균일한 입자 크기를 가지는 다결정층을 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 방법.
  2. 기판 상에 비정질층을 형성하는 단계; 및
    상기 비정질층에 레이저 빔을 두군데 조사하되, 한 군데에는 격자 형태로 일정하게 복수개의 구멍이 뚫린 격자 마스크를 통과하여 레이저 빔이 조사되도록 하고, 다른 한군데에는 격자 마스크를 거치지 않고 레이저 빔이 조사되도록 하면서, 상기 격자 마스크를 통과한 레이저 빔이 조사된 부분이 상기 격자 마스크를 거치지 않은 레이저 빔에 의해 나중에 다시 조사되도록 상기 기판을 이동시키는 단계;를 포함하여 균일한 입자 크기를 가지는 다결정층을 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 비정질층은 비정질 실리콘층이고, 상기 다결정층은 다결정 실리콘층인 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 격자 마스크의 격자 모양이 원형 또는 사각형인 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 격자 마스크의 격자 크기가 0.1~5um 인 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 격자 마스크의 격자간 간격이 0.2~10um인 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 방법.
  7. 기판이 수평하게 올려놓여 지는 스테이지;
    상기 기판 윗면에 레이저를 조사하는 레이저 장치; 및
    상기 레이저 장치에 의해 상기 기판에 조사되는 레이저의 경로 상에 수평이동 가능하게 설치되며 복수개의 구멍이 격자 형태로 뚫린 격자 마스크;를 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 장치.
  8. 기판이 수평하게 올려놓여지며 수평이동이 가능하도록 설치되는 스테이지;
    레이저를 출사하는 레이저 장치;
    상기 레이저 장치에서 출사되는 레이저를 제1경로 및 제2경로 분리하여 상기 제1경로의 광이 상기 기판 윗면에 조사되도록 하는 스플리터;
    상기 스플리터와 상기 스테이지 사이에 설치되며 복수개의 구멍이 격자 형태로 뚫린 격자 마스크; 및
    상기 스플리터에 의해 분리되는 제2경로의 광을 반사시켜 상기 기판 윗면에 제2경로의 광이 조사되도록 하되, 상기 제1경로의 광이 조사되는 지점과 다른 위치에 조사되도록 하는 반사경;을 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 장치.
  9. 기판이 올려놓여지며 수평이동이 가능하도록 설치되는 스테이지;
    상기 기판 윗면에 레이저를 조사하는 제1 레이저 장치;
    상기 기판 윗면에 레이저를 조사하되 상기 제1 레이저 장치에 의해 조사되는 부분과는 다른 부분에 조사하는 제2 레이저 장치; 및
    상기 제1 레이저 장치 및 제2 레이저 장치 중에서 선택된 어느 하나와 상기 스테이지 사이에 설치되며, 복수개의 구멍이 격자 형태로 뚫린 격자 마스크;를 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 결정화 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20000027349A (ko) * 1998-10-28 2000-05-15 이계철 선택적 레이저 어닐링을 이용한 비정질 실리콘막의 재결정화 방법
JP2000306859A (ja) 1999-04-19 2000-11-02 Sony Corp 半導体薄膜の結晶化方法及びレーザ照射装置
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KR20050067743A (ko) * 2003-12-29 2005-07-05 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 다결정실리콘막 형성방법

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