KR20000027349A - 선택적 레이저 어닐링을 이용한 비정질 실리콘막의 재결정화 방법 - Google Patents
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- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 claims description 14
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 7
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 32
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 238000010956 selective crystallization Methods 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000007715 excimer laser crystallization Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/127—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement
- H01L27/1274—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02664—Aftertreatments
- H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
본 발명은 반도체 기술에 관한 것으로, 특히 선택적 레이저 어닐링을 이용한 비정질 실리콘막의 재결정화 방법에 관한 것으로, 대면적에서 균일한 특성을 가지는 다결정 실리콘 박막을 형성할 수 있는 레이저 어닐링을 이용한 비정질 실리콘막의 재결정화 방법을 제공하고자 한다. 본 발명은 대면적에서 균일한 특성을 가지는 다결정 실리콘 박막의 형성하기 위하여 비정질 실리콘 박막의 레이저 재결정화에 있어서 전체 면적에 걸친 레이저 조사 대신에 박막의 상부에 레이저 에너지를 흡수할 수 있는 흡수층을 형성시키고, 이를 패터닝한 다음 레이저를 조사함으로써 박막을 선택적으로 재결정화하는 기술이다. 이때 흡수층 패턴의 넓이와 간격을 조정함으로써 다결정 실리콘과 비정질 실리콘의 중간 특성을 갖는 동시에 상대적으로 레이저 에너지의 미세한 변동에도 균일한 특성을 갖는 박막을 구현하는 것이 가능하다.
Description
본 발명은 반도체 기술에 관한 것으로, 특히 선택적 레이저 어닐링을 이용한 비정질 실리콘막의 재결정화 방법에 관한 것이다.
박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT)는 다결정 실리콘 박막을 활성층으로 사용하는 스위칭 소자로서, 차세대이동통신시스템(International Mobile Telecommunication-2000, IMT-2000) 또는 미래공중육상이동통신시스템(Furture Public Land Mobile Telecommunication System, FPLMTS)용 이동통신 화상 단말기인 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display, LCD)의 화소 스위칭 소자로 사용하기 위해서는 보다 고품질의 다결정 실리콘 박막을 형성할 수 있는 방법을 요한다.
유리 기판에 박막 트랜지스터를 집적시키기 위해서는 유리 기판에 손상을 주지 않는 플라즈마 화학기상증착(PECVD) 등의 저온 증착법을 이용하여 비정질 실리콘을 증착한 다음 레이저 어닐링을 실시하여 다결정 실리콘으로 결정화하는 방법이 가장 유리한 것으로 보고되고 있으며, 따라서 이에 대한 많은 연구가 진행 중이다.
그러나, 이러한 레이저 어닐링에 의한 결정화 방법은 우수한 특성에 불구하고 대면적에서의 균일하지 않은 소자 특성 때문에 상업화하기에 상당히 어려운 실정이다. 이에 고상 결정화와 레이저 어닐링의 두 단계 열처리를 하여 균일도를 향상시키는 방법과 후지(Fuji), 제록스(Xerox) 등에서 제안한 여러 단계의 레이저 에너지를 조절하여 점차 균일한 그레인을 만드는 방법 등이 제시되고 있으나, 복잡한 공정으로 인해 상업화된 라인에서의 적용에는 많은 어려움이 있다.
현재 레이저 어닐링 기술을 보완하기 위하여 히타치(Hitachi), 샤프(Sharp), 세이코-엡손(Seiko-Epson) 등에서 주로 집중적으로 연구가 이루어지고 있으며, 스탠포드(Stanford) 대학에서는 미리 패터닝된 활성층의 레이저 결정화로 고품질의 다결정 실리콘 박막을 제작하는 연구가 진행되고 있으며, 일본 도쿄 기술연구소(Tokyo Institute of Technology)의 마쯔무라(Matsumura) 연구팀에서 레이저 어닐링의 메카니즘에 대한 시뮬레이션이 활발히 이루어지고 있는 실정이다.
그러나, 레이저 어닐링의 결정성 균일도 향상 연구는 아직까지 메커니즘 고찰 실험에 국한되어 있으며, 균일도 향상을 위한 새로운 실험적 접근 방식의 시도는 미비한 실정이다.
본 발명은 대면적에서 균일한 특성을 가지는 다결정 실리콘 박막을 형성할 수 있는 레이저 어닐링을 이용한 비정질 실리콘막의 재결정화 방법을 제공하고자 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 어닐링 공정 모식도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 선택적으로 결정화된 박막의 전자현미경(SEM) 사진도.
도 3은 종래의 소자와 본 발명의 일 실시예에 따른 소자의 전달 특성도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1 : 비정질 실리콘막
2 : TEOS 산화막
3 : 비정질 실리콘막
4 : 격자 선의 넓이
5 : 격자 선간의 간격
상기의 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명으로부터 제공되는 특징적인 레이저 어닐링을 이용한 비정질 실리콘막의 재결정화 방법은, 소정의 하부층 상에 비정질 실리콘막을 형성하는 단계; 상기 비정질 실리콘막 상에 레이저 광을 투과하되, 상기 레이저 광에 의해 발생된 열을 흡수하는 열흡수층을 형성하는 단계; 상기 열흡수층 상에 광 마스크 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 광 마스크 패턴을 사용하여 선택적 레이저 어닐링을 실시함으로써 상기 비정질 실리콘막의 재결정화를 이루는 단계를 포함하여 이루어진다.
본 발명은 대면적에서 균일한 특성을 가지는 다결정 실리콘 박막의 형성하기 위하여 비정질 실리콘 박막의 레이저 재결정화에 있어서 전체 면적에 걸친 레이저 조사 대신에 박막의 상부에 레이저 에너지를 흡수할 수 있는 흡수층을 형성시키고, 이를 패터닝한 다음 레이저를 조사함으로써 박막을 선택적으로 재결정화하는 기술이다. 이때 흡수층 패턴의 넓이와 간격을 조정함으로써 다결정 실리콘과 비정질 실리콘의 중간 특성을 갖는 동시에 상대적으로 레이저 에너지의 미세한 변동에도 균일한 특성을 갖는 박막을 구현하는 것이 가능하다.
이하, 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 보다 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 바람직한 실시예를 소개하기로 한다.
첨부된 도면 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 어닐링 공정 모식도로서, 차례로 적층된 비정질 실리콘막(3)/산화막(2)/비정질 실리콘막(1) 구조를 형성하고, 엑시머 레이저를 조사하여 맨 위의 비정질 실리콘막(1)이 격자 구조로 정렬되도록 하였다. 아래쪽의 비정질 실리콘막(3)은 패터닝된 상부의 비정질 실리콘막(1)에 의해 선택적으로 결정화될 수 있다. 산화막(2)은 상부의 비정질 실리콘막(1)으로부터의 열의 흐름을 차단하면서 XeCl 엑시머 레이저(λ=308㎚)를 하부의 비정질 실리콘막(3)으로 투과시킨다. 격자 선의 넓이(4)와 격자 선간의 간격(5)은 각각 1∼2㎛ 범위에서 조절하였다.
본 실시예에서 비정질 실리콘막(1, 3)은 PECVD법을 이용하여 800Å 두께로 증착하였으며, 산화막(2)은 500Å 두께의 TEOS(tetra ethyl ortho silicate) 산화막을 사용하였다. XeCl 엑시머 레이저 결정화는 250mJ/㎠의 에너지 밀도에서 행해졌다. 좁은 격자 무늬(1∼2㎛)의 마스크를 통해 레이저가 조사되는 동안, 액상 실리콘은 마스크에 의해 레이저가 가려지는 경계 부분에서 수직방향으로 응고되면서 재결정화 된다. 따라서, 그레인 경계부가 다결정 실리콘의 격자 선과 만날 때까지 그레인이 자라는 것으로 기대된다. 이때, 남아있는 비정질 영역 또한 규칙성을 가지고 배열된다.
비정질 실리콘막(3)의 선택적인 결정화가 이루어지고 난 후, 패터닝된 비정질 실리콘막(1) 및 산화막(2)을 제거하고, 통상적인 방법으로 재결정화된 비정질 실리콘막(3)을 활성층으로 하는 TFT 소자를 제작하였다. 즉, 비정질 실리콘막(3) 상부에 1000Å 두께의 TEOS 게이트 산화막과 2000Å 두께의 몰리브덴(Mo)을 차례로 증착하고, 게이트 전극과 게이트 산화막을 패터닝한 후 소스와 드레인 영역을 얻기 위해 이후에 별도의 어닐링이 필요 없는 이온 샤워(ion shower) 방법을 사용하였다. 이후, 측정용 전극을 형성하고 수소화 공정을 수행함으로써 소자의 제작은 완료된다.
첨부된 도면 도 2는 상부 비정질 실리콘막(1)과 산화막(2)을 제거한 후의 다결정 실리콘 박막의 미세구조를 도시한 SEM(scanning electron microscopy) 사진도로서, 재결정화에 사용된 XeCl 엑시머 레이저의 에너지 밀도는 250mJ/㎠이며, 기판의 온도는 상온으로 유지하였으며, 마스킹 패턴의 크기와 간격은 각각 1㎛로 설정하였다. 본 SEM 사진으로부터 마스크를 통한 선택적 결정화가 성공적으로 수행되었음을 확인하였다. 비정질 실리콘은 세코 에치 방법에 의해 쉽게 제거되며, 따라서 도면의 어두운 부분(네 모퉁이 부분)은 비정질 실리콘 영역을 나타낸다.
첨부된 도면 도 3은 종래의 소자와 본 발명의 일 실시예에 따른 소자의 전달 특성 곡선을 도시한 것으로, 채널의 폭(width)과 길이(length)의 비(W/L, ㎛ 단위)를 10/10으로, 드레인 전압(VD)이 10V의 조건에서 게이트 전압(VG)에 따른 드레인 전류(ID)를 측정한 결과를 나타내고 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 소자의 경우, 마스킹 패턴의 간격(a)과 마스킹 패턴의 크기(b)의 비(a/b, ㎛ 단위)를 각각 1/2, 2/2, 1/1, 2/1로 달리하여 측정하였다.
전체적으로 고찰할 때, 본 발명에 따른 소자는 종래의 소자에 비해 누설전류는 비교적 큰 반면, 온(ON) 전류가 크다. 온 전류 특성의 개선은 다결정 실리콘 박막의 규칙적인 미세 구조에 기인하는 것으로, 마스킹 패턴의 크기와 간격에 따라 온 전류가 다르게 나타난다. 마스킹 패턴의 크기와 간격은 채널에서 비정질 실리콘 영역과 다결정 실리콘 영역이 차지하는 비에 직접적으로 관계된다. 이로부터 우수한 온 전류 특성을 갖기 위해서는 비정질 실리콘 영역의 비가 상대적으로 줄어들어야 함을 알 수 있다. 도면을 통해 마스킹 패턴의 크기와 간격이 각각 1㎛와 2㎛ 일 때 가장 좋은 전기적 특성을 가짐을 확인할 수 있다.
누설전류의 증가는 재결정화를 위한 레이저 어닐링시 미세 결정 영역에서 결합 밀도가 증가함에 따라 나타난 현상으로 레이저의 에너지 밀도를 충분히 키워주면 높은 저항값을 갖는 비정질 영역의 채널을 가짐으로써 오프(OFF) 상태에서의 누설전류의 감소시키고자 하는 원래의 의도대로 누설전류를 감소시킬 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
예를 들어, 전술한 실시예서는 광 마스크층으로 비정질 실리콘막을, 열흡수층으로 TEOS 산화막을, 레이저 광원으로 XeCl 엑시머 레이저를 각각 일례로 들어 설명하였으나, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위라면 변경이 가능하다.
전술한 본 발명은 대면적에서 크고 규칙적으로 정렬된 다결정 박막의 그레인 영역에 의하여 양질의 온 전류 특성을 확보할 수 있는 효과가 있으며, 레이저 조건만 완전 용해 조건에 맞추어 준다면 남아 있는 비정질 실리콘 영역에 의해 누설 전류 감소의 효과도 얻을 수 있게 된다.
Claims (7)
- 소정의 하부층 상에 비정질 실리콘막을 형성하는 단계;상기 비정질 실리콘막 상에 레이저 광을 투과하되, 상기 레이저 광에 의해 발생된 열을 흡수하는 열흡수층을 형성하는 단계;상기 열흡수층 상에 광 마스크 패턴을 형성하는 단계; 및상기 광 마스크 패턴을 사용하여 선택적 레이저 어닐링을 실시함으로써 상기 비정질 실리콘막의 재결정화를 이루는 단계를 포함하여 이루어진 레이저 어닐링을 이용한 비정질 실리콘막의 재결정화 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 광 마스크 패턴이,레이저 광을 반사시키거나 흡수하는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 레이저 어닐링을 이용한 비정질 실리콘막의 재결정화 방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 광 마스크 패턴이,비정질 실리콘막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 레이저 어닐링을 이용한 비정질 실리콘막의 재결정화 방법.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 광 마스크 패턴이,상기 광 마스크 패턴 사이의 스페이스가 격자 선을 이루는 격자 무늬로 배치되는 것을 특징으로 하는 레이저 어닐링을 이용한 비정질 실리콘막의 재결정화 방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 광 마스크 패턴의 크기 및 상기 광 마스크 패턴 사이의 스페이스가,각각 1 내지 2㎛인 것을 특징으로 하는 레이저 어닐링을 이용한 비정질 실리콘막의 재결정화 방법.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 열흡수층이,TEOS 산화막인 것을 특징으로 하는 레이저 어닐링을 이용한 비정질 실리콘막의 재결정화 방법.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 레이저 어닐링에 사용되는 광원이,XeCl 엑시머 레이저인 것을 특징으로 하는 레이저 어닐링을 이용한 비정질 실리콘막의 재결정화 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980045264A KR100270315B1 (ko) | 1998-10-28 | 1998-10-28 | 선택적 레이저 어닐링을 이용한 비정질 실리콘막의 재결정화 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980045264A KR100270315B1 (ko) | 1998-10-28 | 1998-10-28 | 선택적 레이저 어닐링을 이용한 비정질 실리콘막의 재결정화 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20000027349A true KR20000027349A (ko) | 2000-05-15 |
| KR100270315B1 KR100270315B1 (ko) | 2000-10-16 |
Family
ID=19555682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019980045264A KR100270315B1 (ko) | 1998-10-28 | 1998-10-28 | 선택적 레이저 어닐링을 이용한 비정질 실리콘막의 재결정화 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100270315B1 (ko) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100409233B1 (ko) * | 2000-10-31 | 2003-12-18 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 엑시머 레이저 어닐링을 이용한 다결정 실리콘 박막트랜지스터의 제조방법 |
| KR100488894B1 (ko) * | 2001-02-08 | 2005-05-11 | 가부시끼가이샤 도시바 | 레이저 가공방법 및 그 장치 |
| KR100691247B1 (ko) * | 2005-11-15 | 2007-03-12 | 코닉시스템 주식회사 | 격자 마스크를 이용하여 균일한 입자 크기를 가지도록 하는레이저 결정화 방법 및 장치 |
| KR20160066739A (ko) | 2014-12-03 | 2016-06-13 | 기초과학연구원 | 빛을 이용한 패턴 제조방법 |
| KR20170020975A (ko) | 2015-08-17 | 2017-02-27 | 한국과학기술원 | 빛을 이용한 자기조립나노패턴 제조방법 |
| US9768019B2 (en) | 2015-11-03 | 2017-09-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Laser crystallization method |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102074431B1 (ko) | 2013-07-19 | 2020-03-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조방법, 이를 이용한 유기 발광 표시 장치 |
-
1998
- 1998-10-28 KR KR1019980045264A patent/KR100270315B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100409233B1 (ko) * | 2000-10-31 | 2003-12-18 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 엑시머 레이저 어닐링을 이용한 다결정 실리콘 박막트랜지스터의 제조방법 |
| KR100488894B1 (ko) * | 2001-02-08 | 2005-05-11 | 가부시끼가이샤 도시바 | 레이저 가공방법 및 그 장치 |
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|---|---|
| KR100270315B1 (ko) | 2000-10-16 |
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