TW201832857A - 雷射照射裝置及薄膜電晶體的製造方法 - Google Patents

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新井敏成
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Abstract

在包含在玻璃基板中的複數個薄膜電晶體的特性之中，有產生偏差的可能性。本發明之雷射照射裝置中，包含：光源，用以產生雷射光；及投射透鏡，用以使雷射光照射在沈積在玻璃基板上的複數個薄膜電晶體的各個之上的非晶形矽薄膜的指定區域；及投影遮罩圖案，設置在投射透鏡之上方，包含複數個遮罩，其設定了雷射光所穿透的比率的穿透率，其中投射透鏡透過包含在投影遮罩圖案中的複數個遮罩的各個而對在指定的方向上移動的玻璃基板上的複數個薄膜電晶體照射雷射光，及包含在投影遮罩圖案中的複數個遮罩的各個係設定複數個穿透率之其中一者。

Description

雷射照射裝置及薄膜電晶體的製造方法
本發明係關於一種薄膜電晶體的形成、特別是關於一種雷射照射裝置及薄膜電晶體的製造方法，其中對薄膜電晶體上的非晶形矽薄膜照射雷射光，以形成多晶矽薄膜。
作為反交錯結構的薄膜電晶體，存在有將非晶形矽薄膜使用於通道區域者。然而，由於非晶形矽薄膜的電子移動度小，因此當將該非晶形矽薄膜使用於通道區域時，則具有薄膜電晶體中之電荷的移動度變小的困難。
在此，存在有藉由雷射光對瞬間加熱非晶形矽薄膜的指定區域使其多結晶化，以形成電子移動度高的多晶矽薄膜，並將該多晶矽薄膜使用於通道區域的技術。
例如，在專利文獻1中，揭露在通道區域形成非晶形矽薄膜，之後，藉由對此非晶形矽薄膜照射準分子雷射等的雷射光，進行雷射退火，並藉由短時間的熔融凝固，進行使多晶矽薄膜結晶化的處理。在專利文獻1中記載：藉由進行該處理，可以使薄膜電晶體的源極與汲極間的通道區域成為電子移動度高的多晶矽薄膜，可以使電晶體動作高速化。
[先前技術文獻]
[專利文獻] 專利文獻1：日本專利公開公報第2016-100537號
[本發明欲解決之問題]
在專利文獻1中所記載之薄膜電晶體中，源極與汲極間的通道區域係由一處（一條）多晶矽薄膜所形成。因此，薄膜電晶體的特性就取決於一處（一條）多晶矽薄膜。
在此，準分子雷射等的雷射光的能量密度在每次照射（shot）會產生偏差，使用該雷射光所形成的多晶矽薄膜的電子移動度也會產生偏差。因此，使用該多晶矽薄膜所形成的薄膜電晶體的特性也會取決於雷射光的能量密度的偏差。
結果，包含在玻璃基板中的複數個薄膜電晶體的特性也可能會產生偏差。
本發明之目的係有鑑於上述問題點，而提供一種雷射照射裝置，薄膜電晶體及薄膜電晶體的製造方法，其可以抑制包含在玻璃基板中的複數個薄膜電晶體的特性的偏差。
[解決問題的方法]
依照本發明之一實施形態的雷射照射裝置，包含：光源，用以產生雷射光；及投射透鏡，用以使該雷射光照射在沈積在玻璃基板上的複數個薄膜電晶體的各個之上的非晶形矽薄膜的指定區域；及投影遮罩圖案，設置在該投射透鏡之上方，包含複數個遮罩，其設定了該雷射光所穿透的比率的穿透率，其中該投射透鏡透過包含在該投影遮罩圖案中的該複數個遮罩的各個而對在指定的方向上移動的該玻璃基板上的該複數個薄膜電晶體照射該雷射光，及包含在該投影遮罩圖案中的該複數個遮罩的各個係設定複數個該穿透率之其中一者。
本發明之一實施形態中之雷射照射裝置中，在該投影遮罩圖案之中，無規則地配置設定了不同的該穿透率的該遮罩。
本發明之一實施形態中之雷射照射裝置中，包含在該投影遮罩圖案中的該複數個遮罩的各個係設定預先決定的包含在指定的範圍內的該穿透率之其中一者。
本發明之一實施形態中之雷射照射裝置中，該投射透鏡係包含在能夠將該雷射光加以分離的微透鏡陣列中的複數個微透鏡，及包含在該投影遮罩圖案中的該複數個遮罩的各個係與該複數個微透鏡的各個相對應。
本發明之一實施形態中之雷射照射裝置中，包含在該投影遮罩圖案中、而在與該指定的方向垂直的一列之中，互相鄰接的該遮罩的各個的該穿透率係彼此不同。
本發明之一實施形態中之雷射照射裝置中，包含在該投影遮罩圖案中的該複數個遮罩的各個的該穿透率係彼此不同。
本發明之一實施形態中之雷射照射裝置中，該投影遮罩圖案係基於包含在該微透鏡陣列中的複數個微透鏡的各個的特性，而設定與該微透鏡的各個相對應的該遮罩的穿透率。
本發明之一實施形態中之雷射照射裝置中，該投影遮罩圖案係藉由改變穿透該微透鏡的雷射光的相位、而提高該微透鏡的解析度的相位偏移遮罩，該相位偏移遮罩係改變穿透該複數個微透鏡之中、基於該解析度所決定之微透鏡的該雷射光的相位，而提高該微透鏡的解析度。
本發明之一實施形態中之雷射照射裝置中，其中該相位偏移遮罩係改變穿透該複數個微透鏡之中、解析度相對較低的微透鏡的該雷射光的相位，而提高該微透鏡的解析度。
本發明之一實施形態中之雷射照射裝置中，該投射透鏡係用以使雷射光照射在包含在沈積在薄膜電晶體中的源極電極與汲極電極之間的非晶形矽薄膜的指定區域，而形成多晶矽薄膜。
依照本發明之一實施形態的薄膜電晶體的製造方法，包含以下步驟：第一步驟，用以產生雷射光；第二步驟，使用投射透鏡而使該雷射光照射在沈積在玻璃基板上的複數個薄膜電晶體的各個之上的非晶形矽薄膜的指定區域，而該投射透鏡係設置有一投影遮罩圖案，包含複數個遮罩，其設定了該雷射光所穿透的比率的穿透率；及第三步驟，在每次照射該雷射光時，使該玻璃基板在指定的方向上移動，其中在該第二步驟之中，透過包含設定了複數個該穿透率之其中一者的該遮罩的該投影遮罩圖案而照射該雷射光。
本發明之一實施形態中之薄膜電晶體的製造方法中，在第二步驟之中，透過設定了不同的該穿透率的該遮罩被無規則地配置的該投影遮罩圖案，而照射該雷射光。
本發明之一實施形態中之薄膜電晶體的製造方法中，在第二步驟之中，透過包含設定了預先決定的包含在指定的範圍內的該穿透率之其中一者的該遮罩的該投影遮罩圖案，而照射該雷射光。
[發明之效果]
依照本發明，提供一種雷射照射裝置及薄膜電晶體的製造方法，其可以抑制包含在玻璃基板中的複數個薄膜電晶體的特性的偏差。
以下，參考添付的圖式具體說明本發明之實施形態。 （第一實施形態）
圖1係顯示本發明之第一實施形態中之雷射照射裝置10的結構例的圖式。
在本發明之第一實施形態中，雷射照射裝置10係用以在如薄膜電晶體（TFT）20之半導體裝置的製程中，例如，僅對通道區域形成預定區域照射雷射光進行退火，以使該通道區域形成預定區域多結晶化的裝置。
雷射照射裝置10係在形成例如，液晶顯示裝置之周邊電路等的像素的薄膜電晶體時使用。在形成此種薄膜電晶體的情況下，首先，藉由濺鍍在玻璃基板30上形成由Al等金屬膜所結構之閘極電極的圖案。接著，藉由低溫電漿CVD法，在玻璃基板30上之全表面上形成由SiN膜所結構的閘極絶緣膜。之後，在閘極絶緣膜上，例如，藉由電漿CVD法形成非晶形矽薄膜21。接著，藉由圖1所示之雷射照射裝置10，在非晶形矽薄膜21之閘極電極上的指定區域照射雷射光14進行退火，使該指定區域多結晶化，以使其多晶矽化。
如圖1所示，在雷射照射裝置10中，從雷射光源11射出的雷射光係藉由耦合光學系統12使其束系統擴張，並使亮度分佈均勻。雷射光源11係，例如準分子雷射，其以指定的重複週期照射波長為308nm或248nm等的雷射光。
之後，藉由設置於微透鏡陣列13上的投影遮罩圖案15（未圖示）的複數個開口（透光區域），雷射光被分離成複數的雷射光14，並被照射至非晶形矽薄膜21的指定區域上。在微透鏡陣列13上設置有投影遮罩圖案15，藉由該投影遮罩圖案15向指定區域照射雷射光14。接著，非晶形矽薄膜21的指定區域被瞬間加熱而熔化，而非晶形矽薄膜21的一部分則變成多晶矽薄膜22。
多晶矽薄膜22比起非晶形矽薄膜21，其電子移動度高，在薄膜電晶體20中，被使用在將源極23與汲極24電性連接的通道區域中。此外，雖然在圖1的例子中顯示使用微透鏡陣列13的例子，然而使用微透鏡陣列13並非必需，也可以使用一個投射透鏡照射雷射光14。此外，在第一實施形態中，以使用微透鏡陣列13形成多晶矽薄膜22的情況作為例子進行說明。
圖2係顯示用於退火的微透鏡陣列13的結構例的圖式。如圖2所示，在微透鏡陣列13之中，在掃描方向的一列（或一行）之中，配置有二十個的微透鏡17。雷射照射裝置1使用包含在微透鏡陣列13的一列（或一行）中的二十個的微透鏡17的至少一部分，對一個薄膜電晶體20以雷射光14加以照射。又，包含在微透鏡陣列13中的一列（或一行）的微透鏡17的數量，並不限於二十個，也可以是任何數量。
如圖2所示，雖然微透鏡陣列13之一列（或一行）中包含二十個的微透鏡17，但其一行（或一列）中也可包含，例如83個。又，83個僅是例示性性，不用說，其也可以是任何數量。
圖3係顯示指定區域為退火的薄膜電晶體20的例子的概略圖。又，薄膜電晶體20係依下述般地製成：即首先形成多晶矽薄膜22，之後，在形成的多晶矽薄膜22的兩端中形成源極23與汲極24。
如圖3所示，薄膜電晶體在源極23與汲極24之間形成有多晶矽薄膜22。雷射照射裝置10使用包含在如圖2所示的微透鏡陣列13的一列（或一行）中的，例如，二十個的微透鏡17，對薄膜電晶體20以雷射光14加以照射。亦即，雷射照射裝置10以20照射（shot）的雷射光14對多晶矽薄膜22加以照射。所以，在薄膜電晶體20之中，非晶形矽薄膜21的指定區域被瞬間加熱而熔化，而變成多晶矽薄膜22。
由於雷射光14的能量密度在每一照射（shot）中有偏差，故在多晶矽薄膜22的電子移動度之中有產生偏差的可能性。如上述般地，多晶矽薄膜22的電子移動度係取決於：最後對該多晶矽薄膜22所照射的雷射光14的能量密度，亦即最後的照射（shot）的能量密度。
雷射照射裝置10以雷射光14對非晶形矽薄膜21加以照射。在此，雷射照射裝置10依指定的周期照射雷射光14，而在未照射雷射光14的時間，則使玻璃基板30移動到下一個將以該雷射光14照射的非晶形矽薄膜21的位置。如圖4所示，玻璃基板30係相對於移動方向以指定的間隔「H」配置有非晶形矽薄膜21。接著，雷射照射裝置10依指定的周期對玻璃基板30上所配置的非晶形矽薄膜21的部分以雷射光14加以照射。
接著，雷射照射裝置10使用微透鏡陣列13對玻璃基板上的複數個非晶形矽薄膜21以相同的雷射光14加以照射。例如，雷射照射裝置10對包含在圖4所示的領域A中的複數個非晶形矽薄膜21以相同的雷射光14加以照射。再者，雷射照射裝置10也對包含在圖4所示的領域B中的複數個非晶形矽薄膜21以相同的雷射光14加以照射。
在此，為了進行退火，故吾人認為：雷射照射裝置10可使用包含在圖2所示的微透鏡陣列13的一列（或一行）中的二十個的微透鏡17的各個照射雷射光14。
在此情況下，首先，使用包含在圖2所示的微透鏡陣列13中的第一微透鏡17a，以雷射光14對圖4的領域A中所有的複數個非晶形矽薄膜21加以照射。之後，使玻璃基板30僅移動指定的間隔「H」。在玻璃基板30的移動期間，雷射照射裝置10係停止雷射光14的照射。接著，在玻璃基板30僅移動「H」之後，則使用包含在圖2所示的微透鏡陣列13中的第二微透鏡17b，對領域A中所有的複數個非晶形矽薄膜21以雷射光14加以照射。又，在玻璃基板30僅移動「H」之後，雷射照射裝置10則可以對玻璃基板30以一旦停止的該雷射光14加以照射，也可以對繼續移動的該玻璃基板30以雷射光14加以照射。
又，也可以雷射照射裝置10的照射頭（亦即，雷射光源11、耦合光學系統12、微透鏡陣列13及投影遮罩150）相對於玻璃基板30產生移動。
如此一般地反覆進行，最後，雷射照射裝置10使用圖2所示的微透鏡陣列13的微透鏡17t（亦即，最後的微透鏡17），對領域A中所有的複數個非晶形矽薄膜21以雷射光14加以照射。所以，這成為：使用包含在圖2所示的微透鏡陣列13的一列（或一行）中的二十個的微透鏡17的各個，對領域A中所有的複數個非晶形矽薄膜21以雷射光14加以照射。
同樣地，雷射照射裝置10也使用包含在圖2所示的微透鏡陣列13的一列（或一行）中的二十個的微透鏡17的各個，而對圖4的領域B中所有的複數個非晶形矽薄膜21以雷射光14加以照射。然而，相較於領域A而言，由於領域B相對於玻璃基板的移動方向僅有「H」位置不同而已，故受雷射光14照射的時間點僅慢了1照射分而已。亦即，當使用第二微透鏡17b而以雷射光14照射領域A的複數個非晶形矽薄膜21時，則領域B的複數個非晶形矽薄膜21係使用第一微透鏡17a而受雷射光14的照射。接著，當使用第二十微透鏡17t（亦即，最後的微透鏡17）而以雷射光14照射領域A的複數個非晶形矽薄膜21時，則領域B的複數個非晶形矽薄膜21係成為使用前一個第十九微透鏡17s而受雷射光的照射。接著，在下一次雷射光的照射的時間點時，領域B的複數個非晶形矽薄膜21係成為使用第二十微透鏡17t（亦即，最後的微透鏡17）而受雷射光的照射。
換言之，包含在圖4所示的領域A中的複數個非晶形矽薄膜21之最後所受照射的雷射光14、與包含在領域B中的複數個非晶形矽薄膜21之最後所受照射的雷射光14將是不同的。
在此，就準分子雷射而言，脈衝之間的穩定性為0.5％左右。亦即，雷射照射裝置10在每一照射（shot）時，其雷射光14的能量密度將產生0.5％左右的偏差。因此，藉由雷射照射裝置10所形成的多晶矽薄膜22的電子移動度也有產生偏差的可能性。接著，因受到雷射光14的照射所形成的多晶矽薄膜22的電子移動度將取決於該多晶矽薄膜22之最後所受照射的雷射光14的能量密度，亦即最後的照射（shot）的能量密度。
因此，由於包含在領域A中的複數個非晶形矽薄膜21之最後所受照射的雷射光14、與包含在領域B中的複數個非晶形矽薄膜21之最後所受照射的雷射光14為不同之故，故所形成的多晶矽薄膜22的電子移動度變成彼此不同。
另一方面，由於包含在領域A中的複數個非晶形矽薄膜21同類之最後所受照射的雷射光14為相同之故，故在領域A之中，所形成的多晶矽薄膜22的電子移動度將變成相同。這種情況也同様發生在包含在領域B中的複數個非晶形矽薄膜21同類之中，故在領域B之中，所形成的多晶矽薄膜22的電子移動度也將變成相同。亦即，在玻璃基板上，雖然在互相鄰接的領域之間，電子移動度彼此不同，但相同領域内的複數個非晶形矽薄膜21同類的電子移動度將變成相同。
所以，在液晶畫面之中，將成為顯示不均勻的產生原因。如圖4所示地，因為領域A與領域B的邊界為「直線狀」之故，故有彼此不同特性的薄膜電晶體20在該「直線上」的邊界中成為相擠，而由於其特性的不同所引起的顯示的不同（例如顏色的濃淡等等的不同）將變成「直線」地顯現出來。所以，在液晶畫面中顯示不均勻將變成「一直線」，而不能視之不管地被強調出來。
因此，在本發明之第一實施形態中，例如，使用投影遮罩圖案15改變對包含在基板30中的非晶形矽薄膜21的各個所照射的雷射光14的穿透率。例如，使對非晶形矽薄膜21所照射的雷射光14的穿透率具有差異。又，穿透率為雷射光穿透遮罩150的比率。
如上所述，藉由使雷射光14的穿透率有所差異，故能夠變成以不同的穿透率的雷射光14照射非晶形矽薄膜21，而免於有以相同的雷射光14照射全部的非晶形矽薄膜21的情況。因此，即使是包含在同一領域内（例如領域A内）中的複數個非晶形矽薄膜21，鄰接的非晶形矽薄膜21也將變成受不同的穿透率的雷射光14的照射。所以，在同一領域内（例如領域A内），鄰接的非晶形矽薄膜21之所受的最後照射的雷射光14的穿透率將變成不同。又，鄰接的非晶形矽薄膜21は，並非絕對要受不同的穿透率的雷射光14的照射，藉由投影遮罩圖案15之中的遮罩150的配置，相同的穿透率的遮罩也可以是鄰接的，在此情況下，鄰接的非晶形矽薄膜21將變成受相同的穿透率的雷射光14的照射。然而，如果考慮包含在基板30中的非晶形矽薄膜21的全體，在投影遮罩圖案15之中，由於不同的穿透率的遮罩150是無規則地配置之故，故鄰接的非晶形矽薄膜21受不同的穿透率的雷射光14的照射的可能性將變高。
如此一來，在同一領域内（例如領域A内），鄰接的多晶矽薄膜22的電子移動度將變成彼此不同。所以，在同一領域内（例如領域A内），鄰接的薄膜電晶體20的特性也變成不同。如此一來，在玻璃基板30的全體之中，互相鄰接的薄膜電晶體20的特性將變成彼此不同，而由於該特性的不同所引起的顯示的不同（例如顏色的濃淡等等的不同）以「直線狀」地顯現出來的狀況將消散。因此，液晶畫面之中的顯示不均勻將不會呈「一直線」，而能夠防止該顯示不均勻被強調出來的狀況。
圖5係為了說明是否產生由於玻璃基板30之中鄰接的薄膜電晶體20所引起的顯示不均勻的圖式。在圖5（a）之中，領域A内的複數個薄膜電晶體20的特性為同樣是特性A，而領域B内的複數個薄膜電晶體20的特性為同樣是特性B。所以，在領域A與領域B的「直線狀」的邊界之中，特性A的薄膜電晶體20與特性B的薄膜電晶體20と將成為相擠，而由於特性的不同所引起的顯示的不同將變成「直線」地顯現出來。所以，在液晶畫面中顯示不均勻將變成「一直線」，而被強調出來。
另一方面，在圖5（b）之中，藉由有彼此不同穿透率的雷射光14照射同一領域内（領域A／領域B）的鄰接的薄膜電晶體20，而成為有彼此不同特性之故，故由於特性的不同所引起的顯示的不同將被消散，而不會變成「直線狀」地顯現出來。因此，可以降低液晶畫面之中的顯示不均勻。
為了實現上述的内容，故在本發明的第一實施形態中，設置在微透鏡陣列13之上方的投影遮罩圖案15係包含設定了雷射光的穿透的比率的穿透率的複數個遮罩150。接著，包含在投影遮罩圖案15中的複數個遮罩150的各個係設定複數個穿透率之其中一者。複數個穿透率為，例如，90％、91％、92％…100％的十種的穿透率之其中一者。又，在此所述的複數個穿透率僅為例示性性，而任何的穿透率都可以。再者，複數個穿透率並不限於十種，而幾種穿透率都可以。再者，複數個穿透率為，例如，在70％～100％的範圍等等，而任何的範圍也都可以。複數個穿透率的範圍也可以是預先決定的指定的範圍。例如，也可以將指定的範圍預先定在90％～100％。
再者，在投影遮罩圖案15之中，設定了不同的穿透率的遮罩150係無規則地配置。
圖6係顯示本發明的第一實施形態中的投影遮罩圖案15的遮罩150的結構例的圖式。
如圖6所示，投影遮罩圖案15之設定了不同的穿透率的遮罩150係無規則地配置。然而，穿透率不同的投影遮罩圖案15的各個並非絕對要無規則地配置，也可基於指定的條件加以配置。在此，在圖6之中，在投影遮罩圖案上所記載的數値為該投影遮罩圖案之雷射光14的穿透率。如圖6所示，將投影遮罩圖案的各個設定為，例如，穿透率為90％～100％之其中一者。又，如上所述地，投影遮罩圖案的穿透率並不需要在90～100％的範圍内，而任何的穿透率都可以。
又，也可以將互相鄰接的投影遮罩圖案15配置成具有彼此不同的穿透率。又，並非絕對要將互相鄰接的投影遮罩圖案15配置成具有彼此不同的穿透率。
再者，在包含在投影遮罩圖案15中的複數個遮罩的各個之中，在與微透鏡陣列13的移動方向（指定的方向）垂直的一列中，可使互相鄰接的遮罩150的穿透率彼此不同地配置該遮罩150。在此情況中，對一個非晶形矽薄膜21而言，雷射照射裝置10將變成：使從包含在圖2所示的微透鏡陣列13的一列（或一行）中的二十個的微透鏡17之中的至少鄰接的微透鏡17照射出的雷射光14的穿透率不同者。例如，在包含在微透鏡陣列13的一列（或一行）中的二十個的微透鏡17的各個之中，藉由配置不同的穿透率的投影遮罩圖案，俾使雷射照射裝置10能夠以具有彼此不同穿透率的雷射光14對彼此不同的非晶形矽薄膜21加以照射。
再者，各投影遮罩圖案15之中的透光區域16的寬度為，例如4μｍ。再者，在圖6所示的投影遮罩圖案15中所設的開口部，例如，其形狀為長方形，長邊為20μｍ，而短邊為10μｍ。又，投影遮罩圖案15的開口部的尺寸為例示性，只要能夠與微透鏡17的尺寸相對應，任何的尺寸皆可。
在圖6的例子中，使投影遮罩圖案15的透光區域16相對於玻璃基板30的移動方向（掃描方向）呈垂直地加以設置。又，投影遮罩圖案15的透光區域16並非絕對要與玻璃基板30的移動方向（掃描方向）呈垂直，也可以將其設置成與該移動方向（掃描方向）平行（略平行）。
雷射照射裝置10使用圖6所示的投影遮罩圖案15，以雷射光14對圖2所示的玻璃基板30加以照射的結果，在圖3所示的同一領域内（例如領域A内），例如，將成為以具有彼此不同穿透率的雷射光14對鄰接的非晶形矽薄膜21加以照射。因此，就包含在同一領域内（例如，領域A内）的複數個非晶形矽薄膜21而言，例如，對鄰接的非晶形矽薄膜21所最後照射的雷射光14之穿透率也成為彼此不同。所以，在同一領域内（例如領域A内），鄰接的多晶矽薄膜22的電子移動度成為彼此不同。
接著，在與掃描方向垂直的領域（圖3所示的領域A、領域B等）之間，如上所述地，因為受照射的雷射光14不同之故，故鄰接的領域的薄膜電晶體20成為具有彼此不同的特性。
所以，在玻璃基板30的全體之中，鄰接的薄膜電晶體20將變成具有彼此不同的特性。因此，由於薄膜電晶體20的特性的不同所引起的顯示的不同（例如顏色的濃淡等等的不同）將消散，而不會呈直線狀地顯現出來。因此，液晶畫面之中的顯示不均勻將不會呈「一直線」，而能夠防止該顯示不均勻被強調出來的狀況。
在本發明的第一實施形態中，每次藉由一個微透鏡17照射雷射光14時，玻璃基板30僅移動指定的距離。如圖2所示地，指定的距離為：玻璃基板30之中的複數個薄膜電晶體20之間的距離「H」。在使玻璃基板30移動該指定的距離的期間，雷射照射裝置10係停止雷射光14的照射。
在玻璃基板30移動指定的距離「H」之後，雷射照射裝置10則使用包含在微透鏡陣列13中的微透鏡17，以雷射光14對其照射。又，在本發明之第一實施形態中，因為使用圖6所示的投影遮罩圖案15之故，故藉由五個微透鏡17以雷射光14對一個非晶形矽薄膜21加以照射。
接著，在使用雷射退火在玻璃基板30的薄膜電晶體20之中形成多晶矽薄膜22之後，則在其它的製程之中，在該薄膜電晶體20之中形成源極23與汲極24。
如此般地，在本發明之第一實施形態中，藉由在投影遮罩圖案15之中無規則地配置不同的穿透率的遮罩150，而改變包含在該投影遮罩圖案15中的複數個遮罩150的穿透率。所以，例如，鄰接的非晶形矽薄膜21が，有彼此不同穿透率的以雷射光14加以照射成為般地。因此，鄰接的多晶矽薄膜22的電子移動度將成為彼此不同。亦即，在玻璃基板30的全體之中，互相鄰接的薄膜電晶體20的特性將變成彼此不同，而由於該特性的不同所引起的顯示的不同（例如顏色的濃淡等等的不同）以「直線狀」地顯現出來的狀況將消失。因此，液晶畫面之中的顯示不均勻將不會呈「一直線」，而能夠防止該顯示不均勻被強調出來的狀況。
（第二實施形態） 本發明的第二實施形態為：基於包含在微透鏡陣列13中的複數個微透鏡17的各個的特性，而改變（調整）投影遮罩圖案15的各個的穿透率的實施形態。
包含在微透鏡陣列13中的複數個微透鏡17的各個，其特性係彼此不同。例如，在配置在微透鏡陣列13的中心附近的微透鏡17、與配置在周圍部的微透鏡17之間，其特性會有產生差異的狀況。因此，從複數個微透鏡17的各個照射出的雷射光14，將由於微透鏡17的特性的不同而引起彼此的特性（例如，能量密度）變成不同。因此，即使雷射照射裝置10使用包含在微透鏡陣列13中的複數個微透鏡17而同時地照射雷射光14，還是會因為該複數個微透鏡17的各個的特性彼此不同之故，該雷射光14的各個的特性（能量密度等等）將變成不同。
因此，本發明的第二實施形態係基於包含在微透鏡陣列13中的複數個微透鏡17的各個的特性，而設定（調整）投影遮罩圖案15的各個的穿透率。所以，得以降低在使用複數個微透鏡17的各個所照射出的雷射光14的特性的不同。
包含在圖2所示的微透鏡陣列13中的複數個微透鏡17的各個的特性的差異為，例如，5％的範圍。又，5％僅是例示性，而複數個微透鏡陣列13的特性的差異也可以在此之上或之下的範圍內。例如，藉由對該微透鏡17的各個照射雷射光14而測量微透鏡17的特性的不同，俾能預先掌握其特性（例如，能量密度）。
因此，在本發明的第二實施形態中，基於預先掌握的微透鏡17的各個的特性，而設定（調整）投影遮罩圖案15的各個的穿透率。所以，藉由使用配置了設定（調整）穿透率的投影遮罩圖案15的微透鏡陣列13照射雷射光14，俾能降低該雷射光14的特性的不同。
例如，在穿透一個微透鏡17的雷射光14的能量密度較高的情況時，則將相對於該微透鏡17所配置的投影遮罩圖案15的穿透率設定成較低。另一方面，在穿透另一個微透鏡17的雷射光14的能量密度較低的情況時，則將相對於該另一個微透鏡17所配置的投影遮罩圖案15的穿透率設定成較高。如此般地，隨著微透鏡17的特性，而藉由設定（調整）相對於該微透鏡17所配置的投影遮罩圖案15的穿透率，俾能降低由於微透鏡17的特性的不同所引起的雷射光14的特性的不同。
圖7為投影遮罩圖案15，其包含基於微透鏡17的特性而設定（調整）的穿透率的遮罩150。圖7的例子為：在配置在微透鏡陣列13的中心附近的微透鏡17、與配置在周圍部的微透鏡17之間的特性產生差異的情況時，投影遮罩圖案15的例子。
如圖7所示，基於微透鏡的特性，而設定（調整）包含在投影遮罩圖案15中的遮罩150的穿透率。所以，雷射照射裝置10係藉由使用圖7所示的投影遮罩圖案照射雷射光14，故能降低由於包含在微透鏡陣列13中的微透鏡17的特性所引起的雷射光14的特性的不同，而能夠以具有大致相同的特性的雷射光14加以照射。
如上所述地，本發明的第二實施形態係藉由基於包含在微透鏡陣列13中的複數個微透鏡17的各個的特性而改變（調整）包含在投影遮罩圖案15中的複數個遮罩150的各個的穿透率，俾能降低由於微透鏡17的特性的不同所引起的雷射光14的特性的不同。
（第三實施形態） 本發明的第三實施形態係基於包含在微透鏡陣列13中的複數個微透鏡17的各個的特性而改變（調整）包含在投影遮罩圖案15中的複數個遮罩150的穿透率之後，為了使雷射光14的穿透率有差異，而進一步改變該遮罩150的穿透率的情況的實施形態。
在第三實施形態中，首先，基於包含在微透鏡陣列13中的複數個微透鏡17的各個的特性，改變（調整）包含在投影遮罩圖案15中的複數個遮罩150的穿透率。所以，由於包含在微透鏡陣列13中的複數個微透鏡17的各個的特性所引起的雷射光14的特性的不同將被降低。
此外，在第三實施形態中，在投影遮罩圖案15之中，無規則地配置不同的穿透率的遮罩150，而改變包含在該投影遮罩圖案15中的複數個遮罩150的穿透率。所以，例如，鄰接的非晶形矽薄膜21將變成受彼此不同的穿透率的雷射光14的照射。因此，鄰接的多晶矽薄膜22的電子移動度將變成彼此不同。所以，在玻璃基板30的全體之中，互相鄰接的薄膜電晶體20的特性將變成彼此不同，而由於該特性的不同所引起的顯示的不同（例如顏色的濃淡等等的不同）以「直線狀」地顯現出來的狀況將消失。因此，液晶畫面之中的顯示不均勻將不會呈「一直線」，而能夠防止該顯示不均勻被強調出來的狀況。
在第三實施形態中，首先，如圖7所示地，基於微透鏡17的特性，而設定（調整）包含在投影遮罩圖案15中的遮罩150的穿透率。具體而言，基於預先掌握的微透鏡17的各個的特性，而設定（調整）投影遮罩圖案15的各個的穿透率。例如，在穿透一個微透鏡17的雷射光14的能量密度較高的情況時，則將相對於該微透鏡17所配置的投影遮罩圖案15的穿透率設定成較低。另一方面，在穿透另一個微透鏡17的雷射光14的能量密度較低的情況時，則將相對於該另一個微透鏡17所配置的投影遮罩圖案15的穿透率設定成較高。
之後，就基於微透鏡17的特性而設定了其穿透率的遮罩150，以該設定的穿透率作為基準，而使穿透率在投影遮罩圖案15的全體中分散般地，進一步改變該遮罩150的穿透率。
例如，為了使穿透率在投影遮罩圖案15的全體之中有所差異，故對基於微透鏡17的特性而穿透率被設定成90％的遮罩150而進一步依照分配給該遮罩150的穿透率改變的比例改變該90％的穿透率。例如，為了使穿透率在投影遮罩圖案15的全體之中有所差異而使分配的穿透率改變的比例為95％的情況時，則進一步將90％的穿透率改變成95％的穿透率，而該遮罩150將變成85.5％的穿透率。
如此般地，在第三實施形態中，以基於微透鏡17的特性而設定了的穿透率作為基準，並進一步地，為了使穿透率在投影遮罩圖案15的全體之中有所差異而改變該穿透率。所以，能夠持續降低由於包含在微透鏡陣列13中的複數個微透鏡17的各個的特性所引起的雷射光14的特性的不同，且能夠以具有彼此不同的穿透率的雷射光14對鄰接的非晶形矽薄膜21加以照射。
所以，因為能夠持續降低基於微透鏡17的特性所引起的雷射光14的特性的不同，且能夠使鄰接的多晶矽薄膜22的電子移動度彼此不同之故，故在玻璃基板30的全體之中，互相鄰接的薄膜電晶體20的特性將變成彼此不同，而由於該特性的不同所引起的顯示的不同（例如顏色的濃淡等等的不同）以「直線狀」地顯現出來的狀況將消失。因此，液晶畫面之中的顯示不均勻將不會呈「一直線」，而能夠防止該顯示不均勻被強調出來的狀況。 （第四實施形態）
本發明的第四實施形態為：不使用微透鏡陣列13、而改用一個投射透鏡18，而進行雷射退火的情況的實施形態。
圖8係顯示本發明的第四實施形態中的雷射照射裝置10的結構例的圖式。如圖8所示，本發明的第三(?，應該是第四)實施形態中的雷射照射裝置10係包含雷射光源11、耦合光學系統12、投影遮罩圖案15、及投射透鏡18。又，由於雷射光源11、及耦合光學系統12與圖1所示之本發明的第一實施形態中的雷射光源11、及耦合光學系統12為相同的結構之故，故省略對其詳細之説明。再者，投影遮罩圖案與本發明的第一實施形態中的投影遮罩圖案為相同的結構之故，故省略對其詳細之説明。
雷射光係穿透圖6所示之投影遮罩圖案15（未圖示）的開口（透光區域），且經由投射透鏡18，而照射在非晶形矽薄膜21的指定區域。所以，非晶形矽薄膜21的指定區域被瞬間加熱而熔化，而非晶形矽薄膜21的一部分則變成多晶矽薄膜22。
在本發明的第四實施形態中也是同樣地，即雷射照射裝置10也依指定的周期照射雷射光14，而在未照射雷射光14的期間，則使玻璃基板30移動，而使其移動到得以使下一個非晶形矽薄膜21受該雷射光14照射的位置。在第二實施形態中也是同樣地，如圖3所示地，玻璃基板30係相對於移動方向，而以指定的間隔「H」配置非晶形矽薄膜21。接著，雷射照射裝置10係依指定的周期，對玻璃基板30上所配置的非晶形矽薄膜21的部分以雷射光14加以照射。
在此，在使用投射透鏡18的情況時，則依據該投射透鏡18的光學倍率換算出雷射光14。亦即，投影遮罩圖案15的圖案係依據投射透鏡18的光學倍率加以換算，而使玻璃基板30上的指定區域被加以雷射退火。
亦即，投影遮罩圖案15的圖案係依據投射透鏡18的光學倍率加以換算，而使玻璃基板30上的指定區域被加以雷射退火。例如，當投射透鏡18的光學倍率約二倍時，則使投影遮罩圖案15的遮罩圖案為約二分之一（0.5）倍，而使玻璃基板30的指定區域被加以雷射退火。又，投射透鏡18的光學倍率並不限於約二倍，而是任何倍率皆可。投影遮罩圖案15的遮罩圖案係隨著投射透鏡18的光學倍率，而使玻璃基板30上的指定區域被加以雷射退火。例如，如果投射透鏡18的光學倍率為四倍時，則使投影遮罩圖案15的遮罩圖案為約四分之一（0.25）倍，而使玻璃基板30的指定區域被加以雷射退火。
再者，在投射透鏡18呈現倒像的情況時，則投射到玻璃基板30的投影遮罩圖案15的縮小像係變成以投射透鏡18的透鏡的光軸為中心而旋轉180度的圖案。另一方面，在投射透鏡18呈現正像的情況時，則投射到玻璃基板30的投影遮罩圖案15的縮小像係正如同該投影遮罩圖案15。
又，在單一個的投射透鏡時，例如，雖然由於像差等因素的影響，即使相較於中央部而言，周圍部的照射光量、倍率等會有不同的情況，但藉由改變遮罩150的穿透率仍能夠在投影遮罩圖案15的中央部與周圍部實現一致的照射。例如，在單一個的照射透鏡時，當相較於中央部、周圍部的照射光量較少的情況時，則藉由將投影遮罩圖案15的中央部的遮罩150的穿透率設定成較高，另一方面，將周圍部的遮罩150的穿透率設定成相對低於該中央部的穿透率，則得以在投影遮罩圖案150的全體之中實現一致的照射。
如上所述地，在本發明的第四實施形態中，即使是使用一個投射透鏡18，而進行雷射退火的情況下，仍能夠以具有彼此不同的穿透率的雷射光14對鄰接的非晶形矽薄膜21加以照射。所以，在玻璃基板30的全體之中，互相鄰接的薄膜電晶體20的特性將變成彼此不同，而由於該特性的不同所引起的顯示的不同（例如顏色的濃淡等等的不同）以「直線狀」地顯現出來的狀況將消失。因此，液晶畫面之中的顯示不均勻將不會呈「一直線」，而能夠防止該顯示不均勻被強調出來的狀況。
又，在以上的説明中，在出現「垂直」、「平行」、「平面」、「正交」等的內容的情況時，吾人應理解：這些的任一內容並無嚴謹的意義。亦即，所謂「垂直」、「平行」、「平面」、「正交」，係指：在設計、製造上等的公差、誤差容許的狀況時，代表「實質地垂直」、「實質地平行」、「實質地平面」、「實質地正交」的意義。又，在此所述之公差、誤差等，係指：在不脫離本發明的結構、作用、效果的範圍內，代表單位的意義。 （第五實施形態）
本發明的第五實施形態為：基於包含在微透鏡陣列13中的複數個微透鏡17的各個的解析度，藉由在與該解析度為相對較低的微透鏡相對應的位置上採用相位偏移遮罩，而提高該解析度為相對較低的微透鏡17的解析度的實施形態。
包含在微透鏡陣列13中的複數個微透鏡17的各個之特性的其中一個的解析度會有彼此不同的情況。亦即，微透鏡陣列13會有包含解析度為相對較低的微透鏡17的情況。當微透鏡17的解析度較低時，穿透鄰接的遮罩的光將無法被正確地分解，而有無法如同投影遮罩圖案15的圖案般地加以退火之虞。所以，微晶質將使薄膜電晶體20的通道區域產生缺陷，而有對液晶畫面的顯示造成不良影響的可能性。
圖9係顯示包含在微透鏡陣列13中的微透鏡17的結構例的圖式。在圖9所示之微透鏡17之中，例如，相較於其它的微透鏡17（以白色所表示的微透鏡17）而言，以灰色所表示的微透鏡17為解析度為相對較低的。因此，當雷射照射裝置10使用圖9所示的微透鏡陣列13而照射雷射光14時，將有無法完全如同投影遮罩圖案15的圖案般地將薄膜電晶體20的通道區域加以正確地加以退火之虞。
另一方面，為了提高解析度為相對較低的微透鏡17的解析度之故，故吾人可以考慮到：將包含在微透鏡陣列13中的微透鏡17全體的解析度加以提高。然而，這將使其它的微透鏡17，亦即使解析度為相對較低的微透鏡17的解析度變成比所需更高的解析度，而這有造成該其它的微透鏡17的焦點深度（DOF: Depth of Focus）變窄之虞。所以，這將會有對使用微透鏡陣列13進行薄膜電晶體20的通道區域的退火製程造成不良影響的可能性。因此，若要提高包含在微透鏡陣列13中的微透鏡17全體的解析度是有限制的。
因此，在本發明的第五實施形態中，在包含在微透鏡陣列13中的複數個微透鏡17之中，為了要提高解析度為相對較低的微透鏡17的解析度之故，故使用相位偏移遮罩。具體而言，對解析度為相對較低的微透鏡17的局部採用相位偏移遮罩，而提高該解析度為相對較低的微透鏡17的解析度。所以，除了一方面提高解析度為相對較低的微透鏡17的解析度，另一方面，也因為並不對其它的微透鏡17的解析度採用該相位偏移遮罩之故，故該其它的微透鏡17的解析度並不會被提高到比所需更高。
所以，在微透鏡13的全體之中，能夠降低複數個微透鏡17的各個的解析度的不同，且能夠正確地執行薄膜電晶體20的非晶形矽的退火（亦即，能夠執行與遮罩的圖案完全相同的退火），而能夠抑制對液晶畫面的顯示所造成的不良影響。
圖2所示的包含在微透鏡陣列13中的複數個微透鏡17的一部分之解析度相較於其它的微透鏡17而言，例如，有低於10％的情況。又，「10％」僅是例示性，而其可以是在以上或以下的範圍內，且複數個微透鏡陣列13的各個的解析度也有不同的情況。例如，藉由對該微透鏡17的各個照射雷射光14而測量其解析度，俾能預先掌握微透鏡17的解析度的不同。
因此，在本發明的第五實施形態中，基於預先掌握的微透鏡17的各個的解析度，而對指定的解析度不足的微透鏡17採用相位偏移遮罩。
例如，指定的解析度是比複數個微透鏡17的解析度的平均値低於10％以上的解析度。又，10％僅是例示性，不用說，其可以是任何値。再者，指定的解析度也可以是預先決定的解析度（固定値）。該預先決定的解析度（固定値）為能夠正確地執行薄膜電晶體20的非晶形矽的退火的解析度。
再者，也可基於其與複數個微透鏡17之中的解析度最高的微透鏡17之差分而決定需採用相位偏移遮罩的微透鏡17。亦即，對指定値以上的微透鏡17而言，與最高的微透鏡17的解析度的差分係決定是否要採用相位偏移遮罩。
又，以任何方法決定需採用相位偏移遮罩的微透鏡17皆可，亦即，只要能夠分出無法正確地將穿透鄰接的遮罩的光加以解像、且可能有無法正確地加以退火之虞的微透鏡17，則任何方法皆可。
圖10係顯示第五實施形態之中的雷射照射裝置10的結構例的圖式。如圖10所示，第五實施形態之中的雷射照射裝置10包含位在微透鏡陣列13之上的相位偏移遮罩19。
相位偏移遮罩（Phase-Shifting Mask:PSM）19為能夠控制雷射光14的相位、穿透率等等的遮罩，且能夠改善微透鏡17的解析度、焦點深度等等。
例如，相位偏移遮罩19之中具有半色調型相位偏移遮罩，且是能夠使穿透微透鏡17的雷射光14的相位改變的遮罩。例如，在半色調型相位偏移遮罩之中，藉由在微透鏡17之上設置半透明的遮光膜（移相器），而藉由使穿透該遮光膜的雷射光14的傳遞速度變慢，而僅使該部分的該雷射光14的相位改變。接著，藉由使穿過半透明的遮光膜而相位改變的雷射光14、與未穿過該半透明的遮光膜而相位未改變的雷射光14產生干涉，俾能使該雷射光14的解析度變成向上提高。
又，第五實施形態之中的相位偏移遮罩19係如同上述的實施形態之中的投影遮罩圖案15般地，就包含在微透鏡陣列13中的微透鏡17的各個，設置用以對薄膜電晶體20的非晶形矽領域照射雷射光14的圖案。除此之外，對於解析度較低的微透鏡17，該相位偏移遮罩19係具備，例如移相器，其為能夠使解析度向上提高的結構。
在第五實施形態之中的雷射照射裝置10中，在包含在微透鏡陣列13中的微透鏡17之中，對解析度為相對較低的微透鏡17採用相位偏移遮罩19。具體而言，對圖9所示之解析度為相對較低的微透鏡17（例如，列1／行10、等列6／行7等等的微透鏡17），採用相位偏移遮罩19。所以，能夠使解析度為相對較低的微透鏡17的解析度向上提高，而能夠使與相位偏移遮罩19的圖案與完全相同的薄膜電晶體20的通道區域正確地被退火。
另一方面，對其它的微透鏡17（解析度為相對較低的微透鏡17）則不採用相位偏移遮罩19。所以，就解析度為相對較低的微透鏡17而言，一方面，向上提高其解析度，另一方面，其它的微透鏡17的解析度則維持不變，而免於有將其解析度提高到所需以上的情況。所以，如此一來，在微透鏡13的全體之中，能夠降低複數個微透鏡17的各個的解析度的不同。
如上所述地，在微透鏡13的全體之中，本發明的第五實施形態係能夠降低複數個微透鏡17的各個的解析度的不同，且能夠正確地執行薄膜電晶體20的非晶形矽的退火（亦即，能夠執行與遮罩的圖案完全相同的退火），而能夠抑制對液晶畫面的顯示所造成的不良影響。
又，在以上的說明中，在外觀上的尺寸或大小有「同一」、「相等」、「不同」等記載的情況下，該等各記載不具有嚴密的意義。亦即，「同一」、「相等」、「不同」的意思是指，容許在設計上或製造上等之公差或誤差，為「實質上同一」、「實質上相等」、「實質上不同」。此外，在此所述之公差或誤差的意思是指，不偏離本發明之結構、作用、效果的範圍內之單位。
雖然在此基於各圖式或實施形態說明了本發明，然而本行業人士應注意，基於本開示而進行各種變形或修正是容易的。因此，應留意該等變形或修正包含在本發明的範圍之內。例如，各裝置、各步驟等中所包含的功能等可以以在邏輯上不矛盾的方式再設置，可以將複數裝置或步驟等組合成一個，或是分割。又，也可以適當地組合上述實施形態中所示之結構。
10‧‧‧雷射照射裝置
11‧‧‧雷射光源
12‧‧‧耦合光學系統
13‧‧‧微透鏡陣列
14‧‧‧雷射光
15‧‧‧投影遮罩圖案
16‧‧‧透光區域
17‧‧‧微透鏡
18‧‧‧投射透鏡
19‧‧‧相位偏移遮罩
150‧‧‧投影遮罩
20‧‧‧薄膜電晶體
21‧‧‧非晶形矽薄膜
22‧‧‧多晶矽薄膜
23‧‧‧源極
24‧‧‧汲極
30‧‧‧玻璃基板
圖1係顯示雷射照射裝置10的結構例的圖式； 圖2係顯示微透鏡陣列13的結構例的圖式； 圖3係顯示指定區域為退火的薄膜電晶體20的例子的概略圖； 圖4係顯示雷射照射裝置10以雷射光14照射玻璃基板30的例子的概略圖； 圖5係顯示雷射照射裝置10以雷射光14照射玻璃基板30的另一例子的概略圖； 圖6係顯示設置於微透鏡陣列13上之投影遮罩圖案15的結構例的概略圖； 圖7係顯示設置於微透鏡陣列13上之投影遮罩圖案15的另一結構例的概略圖； 圖8係顯示雷射照射裝置10的另一結構例的圖式； 圖9係顯示微透鏡陣列13的另一結構例的圖式；以及 圖10係顯示雷射照射裝置10的另一結構例的圖式。

Claims (13)

  1. 一種雷射照射裝置，包含： 　光源，用以產生雷射光； 　投射透鏡，用以使上述雷射光照射在沈積在玻璃基板上的複數個薄膜電晶體的各個之上的非晶形矽薄膜的指定區域；及 投影遮罩圖案，設置在上述投射透鏡之上方，包含複數個遮罩，其設定了上述雷射光所穿透的比率的穿透率，其中 上述投射透鏡透過包含在上述投影遮罩圖案中的上述複數個遮罩的各個而對在指定的方向上移動的上述玻璃基板上的上述複數個薄膜電晶體照射上述雷射光，及 　包含在上述投影遮罩圖案中的上述複數個遮罩的各個係設定複數個上述穿透率之其中一者。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之雷射照射裝置，其中在上述投影遮罩圖案之中，無規則地配置設定了不同的上述穿透率的上述遮罩。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之雷射照射裝置，其中包含在上述投影遮罩圖案中的上述複數個遮罩的各個係設定預先決定的包含在指定的範圍內的上述穿透率之其中一者。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之雷射照射裝置，其中包含在上述投影遮罩圖案中、而在與上述指定的方向垂直的一列之中，互相鄰接的上述遮罩的各個的上述穿透率係彼此不同。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之雷射照射裝置，其中包含在上述投影遮罩圖案中的上述複數個遮罩的各個的上述穿透率係彼此不同。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之雷射照射裝置，其中： 　上述投射透鏡係包含在能夠將上述雷射光加以分離的微透鏡陣列中的複數個微透鏡，及 　包含在上述投影遮罩圖案中的上述複數個遮罩的各個係與上述複數個微透鏡的各個相對應。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之雷射照射裝置，其中上述投影遮罩圖案係基於包含在上述微透鏡陣列中的複數個微透鏡的各個的特性，而設定與該微透鏡的各個相對應的上述遮罩的穿透率。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之雷射照射裝置，其中上述投影遮罩圖案係藉由改變穿透上述微透鏡的雷射光的相位、而提高該微透鏡的解析度的相位偏移遮罩，及 　上述相位偏移遮罩係改變穿透上述複數個微透鏡之中、基於上述解析度所決定之微透鏡的上述雷射光的相位，而提高該微透鏡的解析度。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之雷射照射裝置，其中上述相位偏移遮罩係改變穿透上述複數個微透鏡之中、解析度相對較低的微透鏡的上述雷射光的相位，而提高該微透鏡的解析度。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之雷射照射裝置，其中上述投射透鏡係用以使雷射光照射在包含在沈積在薄膜電晶體中的源極電極與汲極電極之間的非晶形矽薄膜的指定區域，而形成多晶矽薄膜。
  11. 一種薄膜電晶體的製造方法，包含以下步驟： 　第一步驟，用以產生雷射光； 　第二步驟，使用投射透鏡而使上述雷射光照射在沈積在玻璃基板上的複數個薄膜電晶體的各個之上的非晶形矽薄膜的指定區域，而上述投射透鏡係設置有投影遮罩圖案，包含複數個遮罩，其設定了上述雷射光所穿透的比率的穿透率；及 第三步驟，在每次照射上述雷射光時，使上述玻璃基板在指定的方向上移動，其中 在上述第二步驟之中，透過包含設定了複數個上述穿透率之其中一者的上述遮罩的上述投影遮罩圖案而照射上述雷射光。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之薄膜電晶體的製造方法，其中在上述第二步驟之中，透過設定了不同的上述穿透率的上述遮罩被無規則地配置的上述投影遮罩圖案，而照射上述雷射光。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之薄膜電晶體的製造方法，其中在上述第二步驟之中，透過包含設定了預先決定的包含在指定的範圍內的上述穿透率之其中一者的上述遮罩的上述投影遮罩圖案，而照射上述雷射光。
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