KR20050067743A - 다결정실리콘막 형성방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 비정질 실리콘막의 결정화를 통한 다결정 실리콘막 형성방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 다결정 실리콘막 형성방법은, 유리기판 상에 버퍼막의 개재하에 증착된 비정질 실리콘막을 소정의 마스크를 이용한 레이저 조사를 통해 결정화시키는 다결정 실리콘막 형성방법으로서, 상기 마스크는, 동일하게 일정한 길이를 갖는 제1샷 지역과 제2샷 지역 및 제3샷 지역으로 구분되고, 상기 제1샷 지역 및 제2샷 지역은 투과부와 비투과부가 교번적으로 배치되면서 상호간에 투과부와 비투과부의 위치가 서로 반대이면서 각 지역의 투과부들 가장자리가 일정 부분은 겹치는 형상을 가지며, 상기 제3샷 지역은 투과부와 비투과부가 교번적으로 배치되되 상기 투과부가 제1샷 지역 및 제2샷 지역에서의 투과부 중앙에 대응하는 위치에 배치되는 형상을 갖는 마스크 패턴을 구비하도록 설계되고, 상기 마스크 패턴을 갖는 마스크를 이용해서 상기 유리기판을 일정한 거리 단위로 평행이동시키면서 n차까지의 레이저 조사를 행하여 비정질 실리콘막의 전체를 결정화시키는 것을 특징으로 한다.

Description

다결정실리콘막 형성방법{Method for forming polycrystalline silicon film}
본 발명은 액정표시장치 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 다결정실리콘 박막트랜지스터를 형성하기 위한 다결정실리콘막 형성방법에 관한 것이다.
액정표시장치 또는 유기발광표시장치 등에서 스위칭 소자로 사용되는 박막트랜지스터(Thin Film Transistor : 이하, TFT)는 상기의 평판표시장치들의 성능에 있어 가장 중요한 구성요소이다. 여기서, 상기 TFT의 성능을 판단하는 기준인 이동도(mobility) 또는 누설전류 등은 전하 운반자가 이동하는 경로인 활성층이 어떤 상태(state) 또는 구조를 갖느냐, 즉, 활성층의 재료인 실리콘 박막이 어떤 상태 또는 구조를 갖느냐에 크게 좌우된다. 현재 상용화되어 있는 액정표시장치의 경우 TFT의 활성층은 대부분 비정질실리콘(amorphous silicon: 이하, a-Si)이다.
그런데, 활성층으로서 a-Si을 적용한 a-Si TFT는 이동도가 0.5㎠/Vs 내외로 매우 낮기 때문에 액정표시장치에 들어가는 모든 스위칭 소자를 만들기엔 제한적이다. 이것은 액정표시장치의 주변회로용 구동 소자는 매우 빠른 속도로 동작해야 하는데, a-Si TFT는 주변회로용 구동 소자에서 요구하는 동작 속도를 만족시킬 수 없으므로, 상기 a-Si TFT로는 주변회로용 구동 소자의 구현이 실질적으로 곤란하다는 것을 의미한다.
한편, 활성층으로서 다결정실리콘(polycrystalline silicon: 이하, poly-Si)을 적용한 poly-Si TFT는 이동도가 수십∼수백㎠/Vs로 높기 때문에 주변회로용 구동 소자에 대응 가능한 높은 구동속도를 낼 수 있다. 이 때문에, 유리기판 상에 poly-Si막을 형성시키면, 화소 스위칭 소자 뿐만 아니라 주변회로용 구동 부품들 또한 구현이 가능하게 된다. 따라서, 주변회로 형성에 필요한 별도의 모듈 공정이 필요치 않을 뿐만 아니라, 화소영역을 형성할 때 함께 주변회로 구동 부품들까지 형성할 수 있으므로 주변회로용 구동 부품 비용의 절감을 기대할 수 있다.
뿐만 아니라, poly-Si TFT는 높은 이동도 때문에 a-Si TFT 보다 작게 만들 수 있고, 그리고, 집적 공정을 통해 주변회로의 구동 소자와 화소영역의 스위칭 소자를 동시에 형성할 수 있기 때문에, 선폭 미세화가 보다 용이해져 a-Si TFT-LCD에서 실현이 힘든 고해상도를 얻는데 매우 유리하다.
게다가, poly-Si TFT는 높은 전류 특성을 갖기 때문에 차세대 평판표시장치인 유기발광표시장치의 구동 소자로서 적합하며, 이에 따라, 최근 유리기판 상에서 poly-Si막을 형성시켜 TFT를 제조하는 poly-Si TFT의 연구가 활발하게 진행되고 있다.
상기 poly-Si막을 유리기판 상에 형성시키기 위한 방법으로서는 a-Si막의 증착후 열처리를 행하여 상기 a-Si막을 결정화시키는 방법을 들 수 있다. 그런데, 이 경우에는 600℃ 이상의 고온에서 유리기판의 변형이 일어나게 되고, 그래서, 신뢰성 및 수율 감소를 초래하게 된다.
이에, 유리기판에 열적 손상(thermal damage)을 주지않고 a-Si막만을 결정화시킬 수 있는 방법으로 엑시머 레이저 어닐링(Excimer Laser Annealing) 방법이 제안되었고, 다른 방법으로서 연속 측면 결정화(Sequential Lateral Solidification: 이하, SLS) 방법이 제안되었다.
여기서, 상기 SLS 방법은 펄스 레이저(pulse laser)와 선택적으로 투과부를 제공하는 슬릿 패턴을 구비한 마스크를 이용하여 a-Si을 poly-Si으로 결정화시키는 방법으로서, 이 방법의 경우 마스크의 형태와 진행방법에 따라 결정화 형태가 크게 달라진다.
이러한 SLS 방법은 먼저 형성된 poly-Si을 시드(seed)로 하여 다음의 poly-Si을 성장시키게 되며, 그 대표적 공정으로 디렉셔널(directional), 2-샷(2-shot), 3-샷(3-shot), n-샷(n-shot) 공정 등이 있다.
3-샷 SLS 방법에 있어서, 제1샷의 슬릿 패턴, 즉, 투과부 양쪽에서 측면 성장하는 poly-Si 결정립들이 가운데에서 충돌하여 돌출부(protrusion)를 형성하면서 성장이 멈춘다. 제2샷은 제1샷에서 형성된 결정립을 시드(seed)로 하여 성장하다가 역시 투과부 양쪽에서 측면 성장하는 결정립의 충돌에 의해 성장이 멈춘다. 그리고, 제3샷 역시 이미 형성된 결정립을 시드로해서 성장하다가 충돌에 의해 성장이 멈춘다.
그런데, 상기 3-샷 SLS 방법에 따르면, 양쪽에서 측면 성장하는 결정립들의 충돌에 의해 성장이 멈추게 되므로 결정립이 최대로 성장하지 못하며, 이에 따라, poly-Si의 크기가 제한적일 수 밖에 없는 바, 결국 poly-Si TFT의 성능 향상에 한계를 갖게 된다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 3-샷 SLS 방법을 이용하면서도 결정립 크기를 극대화시킬 수 있는 poly-Si막 형성방법을 제공함에 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 3-샷 SLS 방법을 이용하면서도 결정립 크기를 극대화시킴으로써 TFT의 성능을 향상시킬 수 있는 poly-Si막 형성방법을 제공함에 그 다른 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 유리기판 상에 버퍼막의 개재하에 증착된 a-Si막을 소정의 마스크를 이용한 레이저 조사를 통해 결정화시키는 poly-Si막 형성방법으로서, 상기 마스크는, 동일하게 일정한 길이를 갖는 제1샷 지역과 제2샷 지역 및 제3샷 지역으로 구분되고, 상기 제1샷 지역 및 제2샷 지역은 투과부와 비투과부가 교번적으로 배치되면서 상호간에 투과부와 비투과부의 위치가 서로 반대이면서 각 지역의 투과부들 가장자리가 일정 부분은 겹치는 형상을 가지며, 상기 제3샷 지역은 투과부와 비투과부가 교번적으로 배치되되 상기 투과부가 제1샷 지역 및 제2샷 지역에서의 투과부 중앙에 대응하는 위치에 배치되는 형상을 갖는 마스크 패턴을 구비하도록 설계되고, 상기 마스크 패턴을 갖는 마스크를 이용해서 상기 유리기판을 일정한 거리 단위로 평행이동(translation)시키면서 n차까지의 레이저 조사를 행하여 a-Si막의 전체를 결정화시키는 것을 특징으로 poly-Si막 형성방법을 제공한다.
여기서, 상기 제1샷 지역 및 제2샷 지역의 투과부는 이를 통한 레이저 조사시 자발적 핵생성이 일어날 수 있고, 제3샷 지역의 투과부를 통한 레이저 조사에 의해 다결정 실리콘으로 결정화될 수 있는 두께를 갖도록 설계된다. 상기 제3샷 지역의 투과부는 제1 및 제2샷 지역의 투과부 보다 작은 두께를 갖도록 설계된다.
상기 레이저 조사는 a-Si막 또는 poly-Si막을 완전 용융시키는 에너지로 수행하며, 또한, 펄스 지속 시간이 증가되도록 펄스 지속 증량기(pulse duration extender)를 이용하여 수행한다.
(실시예)
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하도록 한다.
먼저, 본 발명의 기술적 원리를 설명하면, 본 발명은 3-샷 SLS 방법에 따라 a-Si을 poly-Si으로 결정화시킴에 있어서 마스크 패턴의 형상을 변경시켜 최종적으로 얻어지는 poly-Si막에서의 결정립 크기를 종래 방법에 따라 얻어진 poly-Si막에서의 그것 보다 현격하게 커지도록 만든다.
즉, SLS 방법에서의 결정립 성장은 양쪽에서 측면 성장하는 결정립들이 중앙에서 충돌하면서 성장을 멈추게 되는데, 이때, 성장된 결정립의 크기는 a-Si을 완전 용융시키는 슬릿 패턴의 두께와 관련이 있다. 이에 따라, 구체적으로 언급하지는 않겠지만, 종래에는 레이저가 투과되는 슬릿 패턴의 두께가 작기 때문에, 양쪽에서 측면 성장하는 결정립의 성장 길이가 짧은 것으로 인해 결정립의 성장 크기가 작을 수 밖에 없으며, 그래서, 최종적으로 얻어진 poly-Si막에서의 결정립 크기가 제한적일 수 밖에 없다.
따라서, 본 발명은 3-샷 공정을 진행함에 있어서, 사용되는 마스크에서의 마스크 패턴을 3개의 지역으로 나누어 구성하되, 제1샷 지역 및 제2샷 지역은 투과부와 비투과부의 위치만 서로 반대되도록 구성하면서 투과부인 슬릿 패턴의 두께를 종래 보다 크고 중앙에서 자발적인 핵생성이 일어날 수 있을 정도의 크기로 넓히며, 그리고, 제3샷 지역은 제1샷 및 제2샷에서 핵생성이 일어난 영역이 재차 용융 및 측면 성장될 수 있도록 하는 위치에 투과부를 배치시킨다.
이렇게 하면, 제1샷 및 제2샷에 의해 성장되는 결정립의 크기가 종래 방법에 따라 성장된 그것의 크기 보다 커지므로, 결과적으로, 본 발명은 종래 보다 큰 크기의 결정립을 갖는 poly-Si막을 형성할 수 있게 되고, 이에 따라, poly-Si TFT의 성능을 개선시킬 수 있게 된다.
자세하게, 도 1 내지 도 3은 본 발명에 따른 SLS 방법을 이용한 poly-Si막 형성방법을 설명하기 위한 도면들로서, 이를 설명하면 다음과 같다.
여기서, 도 1은 본 발명에 따른 poly-Si막 형성방법에서의 마스크 패턴을 도시한 도면이고, 도 2는 본 발명에 따른 poly-Si막 형성방법을 설명하기 위한 도면이며, 그리고, 도 3은 본 발명에 따라 형성된 poly-Si막의 미세 구조를 보여주는 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 poly-Si막 형성방법에서 사용되는 마스크(30)는 그의 마스크 패턴이 동일하게 일정 길이를 갖는 3개의 지역, 즉, 제1샷 지역과 제2샷 지역 및 제3샷 지역으로 구분되어 구비되고, 이때, 각 샷 지역은 슬릿 패턴에 해당하는 투과부(A)와 슬릿 패턴이 아닌 비투과부(B)가 수직 방향에 대해 교번적으로 배치된 형상을 갖는다.
자세하게, 제1샷 지역은 투과부(A)와 비투과부(B)가 교번적으로 배치된 형상이며, 이때, 상기 투과부(A)는 중앙에서 자발적인 핵생성(nucleation)이 발생할 수 있을 만큼의 넓이, 즉, 두께(d)를 갖도록 구비된다. 한편, 상기 핵생성이 일어나는 영역(이하, 핵생성 영역)은 이후 제3샷에 의해 모두 용융되어 측면 성장한 poly-Si으로 바뀔 수 있을 만큼의 두께(d)를 갖도록 설계한다.
제2샷 지역은 제1샷 지역과 마찬가지로 투과부(A)와 비투과부(B)가 교번적으로 배치되는 형상으로 구성하되, 상기 제1샷 지역과 비교할 때, 상기 투과부(A)와 비투과부(B)의 위치를 반대로 하며, 아울러, 연속적인 결정 성장이 이루어질 수 있도록 투과부(A)의 가장자리가 제1샷의 그것과 겹치도록 구성한다. 마찬가지로, 상기 투과부(A)는 중앙에 핵생성이 일어날 수 있을 만큼의 두께를 갖도록 구비된다.
제3샷 지역은 마찬가지로 투과부(A)와 비투과부(B)가 교번적으로 배치되는 형상으로 구성하되, 상기 투과부(A)가 제1샷 및 제2샷 지역에서 핵생성 지역에 대응하는 위치에 배치되도록 구성하며, 이를 통해, 상기 제1샷 및 제2샷 지역에서의핵생성 영역을 측면 성장에 의해 poly-Si 영역이 되도록 만든다. 이때, 상기 투과부(A)의 두께는 핵생성 영역의 그것 보다 약간 크도록 설계함이 바람직하다.
한편, 각 샷 지역의 길이는 이러한 마스크 패턴을 구비한 마스크를 이용한 3-샷 SLS 공정 진행시 마스크 패턴의 평행이동(translation) 거리가 된다.
이와 같은 본 발명의 마스크(30)를 이용한 poly-Si막 형성방법은 도 2에 도시된 바와 같다.
도 2를 참조하면, 유리기판(20) 상에 SiOx, SiOxNy 또는 SiNx 등의 실리콘 함유 산화막 또는 질화막, Al, Cu, Ag, Ti 및 W과 같은 금속막, 또는, 금속 질화막 및 금속 산화막 등으로 이루어진 버퍼막(22)을 형성한 후, 상기 버퍼막(22) 상에 a-Si막(24)을 증착한다.
그런다음, 상기 a-Si막(24)의 상부에 도 1에 도시된 바와 같은 마스크 패턴을 갖는 마스크(30)를 배치시킨 상태에서, 상기 a-Si막(24)에 대해 해당 a-Si 영역을 완전 용융시킬 수 있는 에너지 이상의 펄스 레이저로 1차 레이저 조사(32)를 수행한다.
이때, 마스크 패턴 제1샷 지역의 투과부로만 레이저가 조사되고, 조사된 영역의 a-Si은 완전 용융된다. 그리고, 완전 용융된 a-Si만 부분은시간이 지남에 따라 온도가 낮아지면서 레이저가 투과된 영역의 가장자리에서부터 poly-Si으로 응고 (solidification) 및 측면 성장(lateral growth)이 일어난다. 특히, 양쪽에서 성장하는 결정립(grain)은 용융된 영역의 중앙에서 발생하는 핵생성과의 충돌에 의해 그 측면 성장이 멈추게 되는 바, 자발적인 색생성이 일어날 때까지 측면 성장을 할 수 있어서 본 발명은 종래 보다 더 큰 결정립의 poly-Si을 얻을 수 있게 된다.
이어서, 유리기판(20)은 마스크 패턴에서의 평행이동 거리만큼을 이동시켜서 펄스 레이저로 2차 레이저 조사(34)를 수행한다. 이 경우, 1차 레이저 조사에서 결정화 지역의 가장자리를 포함한 결정화되지 못한 a-Si막 부분에 레이저 조사가 이루어지며, 마찬가지로 레이저 조사가 이루어져 완전 용융된 a-Si 영역은 시간이 지남에 따라 온도가 낮아지면서 레이저가 투과된 영역의 가장자리에서부터 poly-Si으로 응고 및 측면 성장이 일어난다. 이때, 측면 성장은 제1샷에서 형성된 poly-Si을 시드(seed)로 하여 성장하기 때문에 결정립이 연속적으로 성장할 수 있다. 또한, 양쪽에서 성장하는 결정립은 용융된 영역의 중앙에서 발생하는 핵생성과의 충돌에 의해 그 측면 성장이 멈추게 되는 바, 마찬가지로 자발적인 색생성이 일어날 때까지 측면 성장을 할 수 있어서 본 발명은 종래 보다 더 큰 결정립의 poly-Si을 얻을 수 있게 된다.
상기 1차 및 2차 레이저 조사 결과, 마스크 패턴에서의 제1샷 지역과 제2샷 지역에 의해 양쪽에서 측면 성장한 큰(large) 결정립의 poly-Si과 내부에서 핵생성에 의해 발생한 작은(small) 결정립의 poly-Si이 함께 공존하는 구조를 갖게 된다.
한편, 상기 작은 결정립의 poly-Si 영역은 전체 poly-Si막의 특성에 악영향을 줄 수 있다. 따라서, 이후의 3차 레이저 조사를 통해 상기 작은 결정립의 poly-Si 영역은 제거한다.
계속해서, 유리기판(20)을 재차 평행이동 거리만큼 이동시켜 펄스 레이저로 3차 레이저 조사(36)를 수행한다. 이때, 실질적인 레이저 조사는 1차 및 2차 레이저 조사(32, 34)시 자발적인 핵생성이 일어난 영역, 즉, 작은 결정립의 poly-Si 영역에 대해 수행되는 것이며, 따라서, 상기 3차 레이저 조사(36)는 상기 작은 결정립의 poly-Si 영역을 완전 용융시킬 수 있는 에너지로 수행한다.
상기 3차 레이저 조사의 결과, 작은 결정립의 poly-Si 영역이 완전 용융됨은 물론, 시간이 지남에 따라 온도가 낮아지면서 레이저가 투과된 가장자리에서부터 poly-Si으로 응고 및 측면 성장이 일어나고, 이때, 측면 성장은 제1샷 및 제2샷에 의해 형성된 poly-Si을 시드로 하여 성장하기 때문에 결정립은 연속적으로 자랄 수 있다. 아울러, 투과부 양쪽에서 측면 성장하는 결정립은 용융된 영역의 가운데에서 서로 충돌하여 돌출부(protrusion)를 형성함으로써 그 측면 성장이 멈추게 된다.
여기서, 3차 레이저 조사(36)에 의한 poly-Si의 형성은 종래와 마찬가지로 양쪽에서 측면 성장하다가 가운데에서 서로 충돌하여 성장을 멈추는 바, 결정립의 크기가 크지 않겠지만, 이미 1차 및 2차 레이저 조사를 통해 큰 결정립의 poly-Si을 형성하였고, 아울러, 3차 레이저 조사 대상 지역은 핵생성 영역이고, 또한, 완전 용융되는 지역의 크기 또한 약간 증가시켰으므로, 3차 레이저 조사 지역에서도 종래 보다는 큰 결정립의 poly-Si을 얻을 수 있다.
이후, 상기한 과정들을 연속해서 수행하여, 즉, 유리기판(20)을 평행이동 거리만큼 이동시키면서 펄스 레이저로 n차 레이저 조사(38)를 수행하여 a-Si막 전체를 결정화시키고, 이를 통해, 최종적으로 도 3에 도시된 바와 같은 미세 구조의 큰 결정립을 갖는 poy-Si막(26)을 형성한다.
한편, 전술한 본 발명의 실시예에 있어서, 유리기판 대신에 플라스틱 기판이 적용 가능하다. 또한, 레이저 조사는 펄스 지속 시간(pulse duration time)이 증가되도록 펄스 지속 증량기(pulse duration extender)를 이용하여 수행함이 바람직하다. 게다가, 레이저 조사시 기판 이동방향은 전방향 및 후방향의 모두를 이용할 수 있다.
그리고, 전술한 본 발명의 방법은 a-Si막을 결정화시키는 것 이외에 a-Ge, a-SixGey, a-Ga, a-GaNx, 또는, a-GaxAsy 등도 결정화시킬 수 있으며, 아울러, 상기한 다결정막들 자체도 결정화시킬 수도 있다.
이상에서와 같이, 본 발명은 SLS 방법에 따라 a-Si을 결정화시켜 poly-Si을 형성하되, 상기 결정화시 사용되는 마스크 패턴의 형상을 변경시켜 결정립의 측면 성장이 중앙부에서의 자발적인 핵생성이 일어날 때까지 진행되도록 함으로서 종래 보다 큰 크기의 결정립을 갖는 poly-Si을 형성할 수 있다.
따라서, 본 발명은 큰 결정립의 poly-Si을 형성할 수 있으므로, poly-Si TFT의 성능을 향상시킬 수 있으며, 나아가, 이러한 poly-Si TFT가 적용되는 액정표시장치의 품질을 향상시킬 수 있다.
이상, 여기에서는 본 발명의 특정 실시예에 대하여 설명하고 도시하였지만, 당업자에 의하여 이에 대한 수정과 변형을 할 수 있다. 따라서, 이하, 특허청구의 범위는 본 발명의 진정한 사상과 범위에 속하는 한 모든 수정과 변형을 포함하는 것으로 이해할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 다결정실리콘막 형성방법에서의 마스크 패턴을 설명하기 위한 도면.
도 2는 본 발명에 따른 다결정실리콘막 형성방법을 설명하기 위한 도면.
도 3은 본 발명에 따라 형성된 다결정실리콘막의 미세구조를 보여주는 도면.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
20 : 유리기판 22 : 버퍼막
24 : 비정질 실리콘막 26 : 다결정 실리콘막
30 : 마스크 32 : 1차 레이저 조사
34 : 2차 레이저 조사 36 : 3차 레이저 조사
38 : n차 레이저 조사

Claims (5)

  1. 유리기판 상에 버퍼막의 개재하에 증착된 비정질 실리콘막을 소정의 마스크를 이용한 레이저 조사를 통해 결정화시키는 다결정 실리콘막 형성방법으로서,
    상기 마스크는, 동일하게 일정한 길이를 갖는 제1샷 지역과 제2샷 지역 및 제3샷 지역으로 구분되고, 상기 제1샷 지역 및 제2샷 지역은 투과부와 비투과부가 교번적으로 배치되면서 상호간에 투과부와 비투과부의 위치가 서로 반대이면서 각 지역의 투과부들 가장자리가 일정 부분은 겹치는 형상을 가지며, 상기 제3샷 지역은 투과부와 비투과부가 교번적으로 배치되되 상기 투과부가 제1샷 지역 및 제2샷 지역에서의 투과부 중앙에 대응하는 위치에 배치되는 형상을 갖는 마스크 패턴을 구비하도록 설계되고,
    상기 마스크 패턴을 갖는 마스크를 이용해서 상기 유리기판을 일정한 거리 단위로 평행이동(translation)시키면서 n차까지의 레이저 조사를 행하여 비정질 실리콘막의 전체를 결정화시키는 것을 특징으로 다결정 실리콘막 형성방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제1샷 지역 및 제2샷 지역의 투과부는 이를 통한 레이저 조사시 자발적 핵생성(nucleation)이 일어날 수 있고, 그리고, 제3샷 지역의 투과부를 통한 레이저 조사에 의해 다결정 실리콘으로 결정화될 수 있는 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘막 형성방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 제3샷 지역의 투과부는 제1 및 제2샷 지역의 투과부 보다 작은 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘막 형성방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 레이저 조사는 비정질 실리콘막 또는 다결정 실리콘막을 완전 용융시키는 에너지로 수행하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘막 형성방법.
  5. 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 레이저 조사는 펄스 지속 시간이 증가되도록 펄스 지속 증량기(pulse duration extender)를 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘막 형성방법.
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