JP2003016949A - プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネル及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマディスプレイパネルの高信頼性と高
画質化を図ることを目的とする。 【解決手段】 放電空間が間に形成されるように対向配
置した一対の前面パネル１０及び背面パネル２０と、こ
の前面パネル１０及び背面パネル２０間に複数の放電セ
ルが形成されるように配列して設けた少なくともＡｇを
含有する電極とを有し、かつ少なくとも前記前面パネル
１０をフロート法によって製造されたガラス基板１１に
より構成するとともに、ガラス基板１１の表面に金属酸
化物層１１ａを形成した。これにより、電極端子間のＡ
ｇのマイグレーションとガラス基板の黄変を防止し、高
画質のプラズマディスプレイパネルが得られる。
画質化を図ることを目的とする。 【解決手段】 放電空間が間に形成されるように対向配
置した一対の前面パネル１０及び背面パネル２０と、こ
の前面パネル１０及び背面パネル２０間に複数の放電セ
ルが形成されるように配列して設けた少なくともＡｇを
含有する電極とを有し、かつ少なくとも前記前面パネル
１０をフロート法によって製造されたガラス基板１１に
より構成するとともに、ガラス基板１１の表面に金属酸
化物層１１ａを形成した。これにより、電極端子間のＡ
ｇのマイグレーションとガラス基板の黄変を防止し、高
画質のプラズマディスプレイパネルが得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示デバイスなど
に用いるプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと
いう）及びその製造方法に関するものである。
に用いるプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと
いう）及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年ハイビジョンをはじめとする高品
位、大画面テレビへの期待が高まっている。ＣＲＴは解
像度・画質の点でプラズマディスプレイや液晶に対して
優れているが、奥行きと重量の点で４０インチ以上の大
画面には向いていない。一方液晶は、消費電力が少な
く、駆動電圧も低いという優れた性能を有しているが、
画面の大きさや視野角に限界がある。これに対して、プ
ラズマディスプレイは、大画面の実現が可能であり、す
でに４０インチクラスの製品が開発されている（例え
ば、機能材料１９９６年２月号Ｖｏｌ．１６、Ｎｏ．２
７ページ）。
位、大画面テレビへの期待が高まっている。ＣＲＴは解
像度・画質の点でプラズマディスプレイや液晶に対して
優れているが、奥行きと重量の点で４０インチ以上の大
画面には向いていない。一方液晶は、消費電力が少な
く、駆動電圧も低いという優れた性能を有しているが、
画面の大きさや視野角に限界がある。これに対して、プ
ラズマディスプレイは、大画面の実現が可能であり、す
でに４０インチクラスの製品が開発されている（例え
ば、機能材料１９９６年２月号Ｖｏｌ．１６、Ｎｏ．２
７ページ）。
【０００３】従来のＰＤＰの構成及びそのＰＤＰを用い
た表示装置の構成について、図７〜図１０を用いて説明
する。
た表示装置の構成について、図７〜図１０を用いて説明
する。
【０００４】図７は、ＰＤＰの画像表示領域における一
部を断面で示す斜視図であり、図８にそのＰＤＰにおけ
る前面ガラス基板を取り除いた概略平面図を示してい
る。なお、図８においては表示電極群、表示スキャン電
極群、アドレス電極群の本数などについては分かり易く
するため一部省略して図示している。両図を参照しなが
らＰＤＰの構造について説明する。
部を断面で示す斜視図であり、図８にそのＰＤＰにおけ
る前面ガラス基板を取り除いた概略平面図を示してい
る。なお、図８においては表示電極群、表示スキャン電
極群、アドレス電極群の本数などについては分かり易く
するため一部省略して図示している。両図を参照しなが
らＰＤＰの構造について説明する。
【０００５】図７、図８に示すように、ＰＤＰ１００
は、フロート法による硼硅素ナトリウム系ガラスよりな
る前面ガラス基板１０１と背面ガラス基板１０２とから
なり、前面ガラス基板１０１にはＮ本の表示電極１０３
とＮ本の表示スキャン電極１０４（Ｎ本目を示す場合は
その数字を付す）とが設けられ、その表示電極１０３及
び表示スキャン電極１０４上には誘電体ガラス層１０５
とＭｇＯからなる保護層１０６が設けられることにより
前面パネルが構成されている。
は、フロート法による硼硅素ナトリウム系ガラスよりな
る前面ガラス基板１０１と背面ガラス基板１０２とから
なり、前面ガラス基板１０１にはＮ本の表示電極１０３
とＮ本の表示スキャン電極１０４（Ｎ本目を示す場合は
その数字を付す）とが設けられ、その表示電極１０３及
び表示スキャン電極１０４上には誘電体ガラス層１０５
とＭｇＯからなる保護層１０６が設けられることにより
前面パネルが構成されている。
【０００６】また、背面ガラス基板１０２上には、Ｍ本
のアドレス電極１０７群（Ｍ本目を示す場合はその数字
を付す）が設けられ、そのアドレス電極１０７上に誘電
体ガラス層１０８が形成されると共に、隔壁１０９が設
けられ、そしてその隔壁１０９間に蛍光体層１１０Ｒ、
１１０Ｇ、１１０Ｂを設けることにより、背面パネルが
構成されている。
のアドレス電極１０７群（Ｍ本目を示す場合はその数字
を付す）が設けられ、そのアドレス電極１０７上に誘電
体ガラス層１０８が形成されると共に、隔壁１０９が設
けられ、そしてその隔壁１０９間に蛍光体層１１０Ｒ、
１１０Ｇ、１１０Ｂを設けることにより、背面パネルが
構成されている。
【０００７】そして、これらの前面パネルと背面パネル
とを周辺部に形成した気密シール層１２１により張り合
わせると共に、周辺部を封着し、前面パネルと背面パネ
ルとの間に形成される放電空間１２２内に放電ガスが封
入されることにより構成されている。なお、このような
構成のＰＤＰにおいては、各電極１０３、１０４、１０
７により３電極構造の電極マトリックスを有しており、
表示スキャン電極１０４とアドレス電極１０７との交点
に放電セルが形成されている。
とを周辺部に形成した気密シール層１２１により張り合
わせると共に、周辺部を封着し、前面パネルと背面パネ
ルとの間に形成される放電空間１２２内に放電ガスが封
入されることにより構成されている。なお、このような
構成のＰＤＰにおいては、各電極１０３、１０４、１０
７により３電極構造の電極マトリックスを有しており、
表示スキャン電極１０４とアドレス電極１０７との交点
に放電セルが形成されている。
【０００８】また、前面パネルの電極としては、図９
（ａ）、（ｂ）に示すように、前面ガラス基板１０１上
に透明電極１１１と銀電極１１２とから電極を形成した
ものと、前面ガラス基板１０１上に銀電極１１３からな
る電極を形成したものがある。
（ａ）、（ｂ）に示すように、前面ガラス基板１０１上
に透明電極１１１と銀電極１１２とから電極を形成した
ものと、前面ガラス基板１０１上に銀電極１１３からな
る電極を形成したものがある。
【０００９】このようなＰＤＰ１００を用いた表示装置
は、図１０に示すようにＰＤＰ１００の各電極に接続し
た表示ドライバ回路１３１、表示スキャンドライバ回路
１３２、アドレスドライバ回路１３３及びこれらの回路
の制御を行うコントローラ１３４からなる駆動装置１３
５を設け、コントローラ１３４の制御に従い、点灯させ
ようとする放電セルにおいて表示スキャン電極１０４と
アドレス電極１０７に所定の波形の電圧を印加して、そ
の間でアドレス電極を行った後に、表示電極１０３と表
示スキャン電極１０４間にパルス電圧を印加して維持放
電を行う構成である。この維持放電により、当該放電セ
ルにおいて紫外線が発生し、この紫外線により励起され
た蛍光体層が発光することで、放電セルが点灯し、各色
セルの点灯、非点灯の組み合わせによって画像が表示さ
れる。
は、図１０に示すようにＰＤＰ１００の各電極に接続し
た表示ドライバ回路１３１、表示スキャンドライバ回路
１３２、アドレスドライバ回路１３３及びこれらの回路
の制御を行うコントローラ１３４からなる駆動装置１３
５を設け、コントローラ１３４の制御に従い、点灯させ
ようとする放電セルにおいて表示スキャン電極１０４と
アドレス電極１０７に所定の波形の電圧を印加して、そ
の間でアドレス電極を行った後に、表示電極１０３と表
示スキャン電極１０４間にパルス電圧を印加して維持放
電を行う構成である。この維持放電により、当該放電セ
ルにおいて紫外線が発生し、この紫外線により励起され
た蛍光体層が発光することで、放電セルが点灯し、各色
セルの点灯、非点灯の組み合わせによって画像が表示さ
れる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のパネル
では各電極に銀（Ａｇ）電極を使用しているため、ＰＤ
Ｐの駆動中（特に高温高湿中）に電極中のＡｇが対向す
る電極に向けてマイグレーション（移動）を起こし、端
子間がショートしたり、端子間に電流がリークしたりす
る課題がある。特に、前面ガラス基板や背面ガラス基板
に、ガラス成分中にナトリウム（Ｎａ）やカリウム
（Ｋ）を３重量％〜１５重量％で含有するフロートガラ
スを用いると、Ａｇのマイグレーションを特に高温高湿
中で加速することが知られている。
では各電極に銀（Ａｇ）電極を使用しているため、ＰＤ
Ｐの駆動中（特に高温高湿中）に電極中のＡｇが対向す
る電極に向けてマイグレーション（移動）を起こし、端
子間がショートしたり、端子間に電流がリークしたりす
る課題がある。特に、前面ガラス基板や背面ガラス基板
に、ガラス成分中にナトリウム（Ｎａ）やカリウム
（Ｋ）を３重量％〜１５重量％で含有するフロートガラ
スを用いると、Ａｇのマイグレーションを特に高温高湿
中で加速することが知られている。
【００１１】また、図１１（ａ）、（ｂ）に従来のＰＤ
Ｐの電極引出し部を示しており、この図１１に示すよう
に、従来のＮＴＳＣ（ＶＧＡ）仕様のＰＤＰでは、電極
端子間の距離はアドレス電極１０７（１）と１０７
（２）の間の場合、１６０μｍ程度で、表示スキャン電
極１０４（１）と１０４（２）の間の場合、５００μｍ
程度であるが、ハイビジョンやＳＸＧＡのような高精細
パネルでは、電極端子間の距離は、ＮＴＳＣ（ＶＧＡ）
の１／２程度になると考えられる。そのため、電極間の
電解強度が２倍程度増大し、Ａｇのマイグレーションが
益々起こり易くなる。
Ｐの電極引出し部を示しており、この図１１に示すよう
に、従来のＮＴＳＣ（ＶＧＡ）仕様のＰＤＰでは、電極
端子間の距離はアドレス電極１０７（１）と１０７
（２）の間の場合、１６０μｍ程度で、表示スキャン電
極１０４（１）と１０４（２）の間の場合、５００μｍ
程度であるが、ハイビジョンやＳＸＧＡのような高精細
パネルでは、電極端子間の距離は、ＮＴＳＣ（ＶＧＡ）
の１／２程度になると考えられる。そのため、電極間の
電解強度が２倍程度増大し、Ａｇのマイグレーションが
益々起こり易くなる。
【００１２】しかも、Ａｇのマイグレーション以外に
も、フロートガラスを基板に用いた場合、Ａｇ電極の焼
成工程や誘電体ガラス層の焼成工程中に電極中のＡｇが
ガラス基板中あるいは誘電体中にＡｇイオンの形で拡散
し、そしてこの拡散したＡｇイオンがガラス基板中のス
ズ（Ｓｎ）イオンあるいはＮａイオンや誘電体ガラス中
のナトリウム（Ｎａ）イオンあるいはＰｂイオンに還元
されてＡｇのコロイド粒子を折出する。いわゆるＡｇコ
ロイドによるガラスの黄変が発生し、（例えばＪ．Ｅ．
ＳＨＥＬＢＹ ａｎｄ Ｊ．ＶＩＴＫＯ．Ｊｒ． Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆＮｏｎ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｓ
ｏｌｉｄｓ Ｖｏｌ．５０（１９８２）１０７−１１
７）パネルの画質を著しく劣化させるという課題があっ
た。特に、Ａｇコロイドによる黄変は、４００ｎｍの波
長に吸収域があるため、青色の輝度の低下及び色度の悪
化が起こり、パネルの色温度が低下するという課題が発
生していた。
も、フロートガラスを基板に用いた場合、Ａｇ電極の焼
成工程や誘電体ガラス層の焼成工程中に電極中のＡｇが
ガラス基板中あるいは誘電体中にＡｇイオンの形で拡散
し、そしてこの拡散したＡｇイオンがガラス基板中のス
ズ（Ｓｎ）イオンあるいはＮａイオンや誘電体ガラス中
のナトリウム（Ｎａ）イオンあるいはＰｂイオンに還元
されてＡｇのコロイド粒子を折出する。いわゆるＡｇコ
ロイドによるガラスの黄変が発生し、（例えばＪ．Ｅ．
ＳＨＥＬＢＹ ａｎｄ Ｊ．ＶＩＴＫＯ．Ｊｒ． Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆＮｏｎ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｓ
ｏｌｉｄｓ Ｖｏｌ．５０（１９８２）１０７−１１
７）パネルの画質を著しく劣化させるという課題があっ
た。特に、Ａｇコロイドによる黄変は、４００ｎｍの波
長に吸収域があるため、青色の輝度の低下及び色度の悪
化が起こり、パネルの色温度が低下するという課題が発
生していた。
【００１３】そこで、上述したようなＡｇマイグレーシ
ョンやＡｇによる黄変を解決するために、ナトリウムを
含有するフロートガラス上にＳｉＯ2膜をコートする方
法が行われてきたが、ＳｉＯ2膜の熱膨張係数が４．５
×１０-6（１／℃）と、フロートガラスの８．０×１０
-6（１／℃）より低いため、ＳｉＯ2を成膜した後の焼
成工程で膜中にクラックが生じるため、耐マイグレーシ
ョン特性やＡｇによる黄変防止効果が不充分であった。
特にハイビジョンやＳＸＧＡ等の高精細パネルにおいて
は、特に不充分であった。
ョンやＡｇによる黄変を解決するために、ナトリウムを
含有するフロートガラス上にＳｉＯ2膜をコートする方
法が行われてきたが、ＳｉＯ2膜の熱膨張係数が４．５
×１０-6（１／℃）と、フロートガラスの８．０×１０
-6（１／℃）より低いため、ＳｉＯ2を成膜した後の焼
成工程で膜中にクラックが生じるため、耐マイグレーシ
ョン特性やＡｇによる黄変防止効果が不充分であった。
特にハイビジョンやＳＸＧＡ等の高精細パネルにおいて
は、特に不充分であった。
【００１４】本発明は、このような課題を解決するため
になされたもので、パネルのマイグレーションの防止と
黄変の低減とを実現し、高輝度で高画質なＰＤＰを提供
することを目的とする。
になされたもので、パネルのマイグレーションの防止と
黄変の低減とを実現し、高輝度で高画質なＰＤＰを提供
することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、少なくとも前面パネルをフロート法によ
って製造されたガラス基板により構成するとともに、ガ
ラス基板の表面に金属酸化物層を形成したものである。
成するために、少なくとも前面パネルをフロート法によ
って製造されたガラス基板により構成するとともに、ガ
ラス基板の表面に金属酸化物層を形成したものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】すなわち、本発明の請求項１に記
載の発明は、放電空間が間に形成されるように対向配置
した一対の前面パネル及び背面パネルと、この前面パネ
ル及び背面パネル間に複数の放電セルが形成されるよう
に配列して設けた少なくともＡｇを含有する電極とを有
し、かつ少なくとも前記前面パネルをフロート法によっ
て製造されたガラス基板により構成するとともに、ガラ
ス基板の表面に金属酸化物層を形成したことを特徴とす
る。
載の発明は、放電空間が間に形成されるように対向配置
した一対の前面パネル及び背面パネルと、この前面パネ
ル及び背面パネル間に複数の放電セルが形成されるよう
に配列して設けた少なくともＡｇを含有する電極とを有
し、かつ少なくとも前記前面パネルをフロート法によっ
て製造されたガラス基板により構成するとともに、ガラ
ス基板の表面に金属酸化物層を形成したことを特徴とす
る。
【００１７】また、請求項２に記載の発明は、金属酸化
物層は、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化チタニウ
ム（ＴｉＯ2）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化ニ
オブ（Ｎｂ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化アンチ
モン（Ｓｂ2Ｏ3）、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化
ハフニウム（ＨｆＯ2）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、
酸化亜鉛（ＺｎＯ）のうちのいずれか１種以上から成る
ことを特徴とする。
物層は、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化チタニウ
ム（ＴｉＯ2）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化ニ
オブ（Ｎｂ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化アンチ
モン（Ｓｂ2Ｏ3）、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化
ハフニウム（ＨｆＯ2）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、
酸化亜鉛（ＺｎＯ）のうちのいずれか１種以上から成る
ことを特徴とする。
【００１８】さらに、請求項３に記載の発明は、金属酸
化物層は、４価のスズを含有する酸化物であることを特
徴とし、請求項４に記載の発明は、４価のスズを含有す
る酸化物は、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＴｉＯ
2、ＳｉＯ2とＳｎＯ2との固溶体であることを特徴とす
る。また、請求項５に記載の発明は、４価のスズを含有
する酸化物は、チタン酸スズ（ＳｎＴｉＯ4）、硅酸ス
ズ（ＳｎＳｉＯ2）、スズ酸マグネシウム（ＭｇＳｎ
Ｏ3）、スズ酸カルシウム（ＣａＳｎＯ3）、スズ酸スト
ロンチウム（ＳｒＳｎＯ3）、スズ酸バリウム（ＢａＳ
ｎＯ3）のうちのいずれか１種以上から成ることを特徴
とする。
化物層は、４価のスズを含有する酸化物であることを特
徴とし、請求項４に記載の発明は、４価のスズを含有す
る酸化物は、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＴｉＯ
2、ＳｉＯ2とＳｎＯ2との固溶体であることを特徴とす
る。また、請求項５に記載の発明は、４価のスズを含有
する酸化物は、チタン酸スズ（ＳｎＴｉＯ4）、硅酸ス
ズ（ＳｎＳｉＯ2）、スズ酸マグネシウム（ＭｇＳｎ
Ｏ3）、スズ酸カルシウム（ＣａＳｎＯ3）、スズ酸スト
ロンチウム（ＳｒＳｎＯ3）、スズ酸バリウム（ＢａＳ
ｎＯ3）のうちのいずれか１種以上から成ることを特徴
とする。
【００１９】また、請求項６に記載の発明は、金属酸化
物層は、異なる金属酸化物層を積層形成したものであ
り、請求項７に記載の発明は、金属酸化物層は、下層に
Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ｎｂ2Ｏ3、ＳｎＯ2、Ｓ
ｂ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、ＨｆＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＺｎＯ、Ｓｎ
ＴｉＯ4、ＳｎＳｉＯ2、ＭｇＳｎＯ3、ＣａＳｎＯ3、Ｓ
ｒＳｎＯ3、ＢａＳｎＯ3のうちのいずれか１種を形成
し、その上にＡｌ2Ｏ3、あるいはＳｉＯ2を積層したも
のである。
物層は、異なる金属酸化物層を積層形成したものであ
り、請求項７に記載の発明は、金属酸化物層は、下層に
Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ｎｂ2Ｏ3、ＳｎＯ2、Ｓ
ｂ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、ＨｆＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＺｎＯ、Ｓｎ
ＴｉＯ4、ＳｎＳｉＯ2、ＭｇＳｎＯ3、ＣａＳｎＯ3、Ｓ
ｒＳｎＯ3、ＢａＳｎＯ3のうちのいずれか１種を形成
し、その上にＡｌ2Ｏ3、あるいはＳｉＯ2を積層したも
のである。
【００２０】さらに、請求項８に記載の発明は、放電空
間が間に形成されるように対向配置した一対の前面パネ
ル及び背面パネルと、この前面パネル及び背面パネル間
に複数の放電セルが形成されるように配列して設けた少
なくともＡｇを含有する電極とを有し、かつ少なくとも
前記前面パネルをフロート法によって製造されたガラス
基板により構成するとともに、ガラス基板の表面にスパ
ッタ法、ＣＶＤ法あるいはディップ法で金属酸化膜を形
成することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの
製造方法である。
間が間に形成されるように対向配置した一対の前面パネ
ル及び背面パネルと、この前面パネル及び背面パネル間
に複数の放電セルが形成されるように配列して設けた少
なくともＡｇを含有する電極とを有し、かつ少なくとも
前記前面パネルをフロート法によって製造されたガラス
基板により構成するとともに、ガラス基板の表面にスパ
ッタ法、ＣＶＤ法あるいはディップ法で金属酸化膜を形
成することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの
製造方法である。
【００２１】また、請求項９に記載の発明は、放電空間
が間に形成されるように対向配置した一対の前面パネル
及び背面パネルと、この前面パネル及び背面パネル間に
複数の放電セルが形成されるように配列して設けた少な
くともＡｇを含有する電極とを有し、かつ少なくとも前
記前面パネルをフロート法によって製造されたガラス基
板により構成したプラズマディスプレイパネルの製造方
法において、フロート法によって製造されたガラス基板
表面に金属酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜上に透
明電極膜をスパッタ法で形成する工程と、前記透明電極
膜をフォトリソ法でパターニングして、透明電極を形成
する工程と、前記透明電極上に感光性銀材料を用いてフ
ォトリソ法でバス電極を形成する工程とを有するプラズ
マディスプレイパネルの製造方法である。
が間に形成されるように対向配置した一対の前面パネル
及び背面パネルと、この前面パネル及び背面パネル間に
複数の放電セルが形成されるように配列して設けた少な
くともＡｇを含有する電極とを有し、かつ少なくとも前
記前面パネルをフロート法によって製造されたガラス基
板により構成したプラズマディスプレイパネルの製造方
法において、フロート法によって製造されたガラス基板
表面に金属酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜上に透
明電極膜をスパッタ法で形成する工程と、前記透明電極
膜をフォトリソ法でパターニングして、透明電極を形成
する工程と、前記透明電極上に感光性銀材料を用いてフ
ォトリソ法でバス電極を形成する工程とを有するプラズ
マディスプレイパネルの製造方法である。
【００２２】このような本発明によれば、フロート法で
作製されたナトリウムを含有するガラス基板上に、熱膨
張係数がそのガラス基板に近い金属酸化物層を形成し、
その上に少なくともＡｇを含有する金属電極を形成する
ことにより、電極端子間におけるＡｇのマイグレーショ
ンを防止することができ、また次の誘電体の塗布焼成工
程を経ても、電極によるガラス基板や誘電体の黄変を抑
制することができる。そして、これにより従来のＡｇ電
極を用いたパネルに比べて、信頼性を高めることができ
るとともに、青色の輝度及び色度を向上させることがで
き、高画質のパネルが得られる。なお、ＰＤＰにおいて
は、電極に透明電極を用いずＡｇが用いられている場合
には、ガラス基板上に金属酸化物層を１層あるいは２層
スパッタリング法、ＣＶＤ法、ディップコート法、スプ
レー熱分解法等によって形成した後、感光性のＡｇペー
ストを用いて、フォトリソグラフィー法によって電極形
状パターンを作製し、次にこれを焼成してＡｇ電極を作
製する。また、透明電極（ＩＴＯ）を用いる場合は、ガ
ラス基板上に金属酸化物層を１層あるいは２層スパッタ
リング法、ＣＶＤ法、ディップコート法、スプレー熱分
解法等によって形成した後、その上にＩＴＯやネサ膜を
スパッタリング法で成膜し、その後フォトリソ法でＩＴ
Ｏを電極形状にエッチングして透明電極を形成し、次に
このＩＴＯ電極パターンのバス電極として、ＩＴＯ上に
Ａｇ電極を同じくフォトリソグラフィー法を用いて形成
する。
作製されたナトリウムを含有するガラス基板上に、熱膨
張係数がそのガラス基板に近い金属酸化物層を形成し、
その上に少なくともＡｇを含有する金属電極を形成する
ことにより、電極端子間におけるＡｇのマイグレーショ
ンを防止することができ、また次の誘電体の塗布焼成工
程を経ても、電極によるガラス基板や誘電体の黄変を抑
制することができる。そして、これにより従来のＡｇ電
極を用いたパネルに比べて、信頼性を高めることができ
るとともに、青色の輝度及び色度を向上させることがで
き、高画質のパネルが得られる。なお、ＰＤＰにおいて
は、電極に透明電極を用いずＡｇが用いられている場合
には、ガラス基板上に金属酸化物層を１層あるいは２層
スパッタリング法、ＣＶＤ法、ディップコート法、スプ
レー熱分解法等によって形成した後、感光性のＡｇペー
ストを用いて、フォトリソグラフィー法によって電極形
状パターンを作製し、次にこれを焼成してＡｇ電極を作
製する。また、透明電極（ＩＴＯ）を用いる場合は、ガ
ラス基板上に金属酸化物層を１層あるいは２層スパッタ
リング法、ＣＶＤ法、ディップコート法、スプレー熱分
解法等によって形成した後、その上にＩＴＯやネサ膜を
スパッタリング法で成膜し、その後フォトリソ法でＩＴ
Ｏを電極形状にエッチングして透明電極を形成し、次に
このＩＴＯ電極パターンのバス電極として、ＩＴＯ上に
Ａｇ電極を同じくフォトリソグラフィー法を用いて形成
する。
【００２３】以下、本発明の一実施の形態によるＰＤＰ
について、図面を用いて説明する。
について、図面を用いて説明する。
【００２４】図１は、本発明の一実施の形態に係る交流
面放電型ＰＤＰを示す図であり、図１（ａ）は要部を示
す斜視図、図１（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ図１（ａ）の
放電電極部分の詳細図であり、図１（ｂ）は、図１
（ａ）におけるＸ−Ｘ線矢視断面図、図１（ｃ）は、図
１（ａ）におけるＹ−Ｙ線矢視断面図である。なお、こ
れらの図では便宜上セルが３つだけ示されているが、実
際には赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色を発光する
セルが多数配列されてＰＤＰが構成されている。
面放電型ＰＤＰを示す図であり、図１（ａ）は要部を示
す斜視図、図１（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ図１（ａ）の
放電電極部分の詳細図であり、図１（ｂ）は、図１
（ａ）におけるＸ−Ｘ線矢視断面図、図１（ｃ）は、図
１（ａ）におけるＹ−Ｙ線矢視断面図である。なお、こ
れらの図では便宜上セルが３つだけ示されているが、実
際には赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色を発光する
セルが多数配列されてＰＤＰが構成されている。
【００２５】図１に示すように、本発明の一実施の形態
によるＰＤＰは、前面パネル１０と背面パネル２０とを
張り合わせ、前面パネル１０と背面パネル２０の間に形
成される放電空間３０内に放電ガスを封入した構成であ
る。
によるＰＤＰは、前面パネル１０と背面パネル２０とを
張り合わせ、前面パネル１０と背面パネル２０の間に形
成される放電空間３０内に放電ガスを封入した構成であ
る。
【００２６】そして、前面パネル１０は、フロート法に
よって作製されかつ表面に金属酸化物層（図示せず）が
形成されたフロントカバープレートとしての前面ガラス
基板１１上に、放電ギャップを設けて形成した一対の走
査電極及び維持電極からなる放電電極１２を複数配列し
て形成し、その上に誘電体ガラスペーストをダイコート
法、あるいはブレードコート法にて塗布した後焼成して
作製した誘電体ガラス層１３を形成し、さらにこの表面
上に酸化マグネシウムからなる保護層１４を形成するこ
とによって構成されている。また、図示していないが、
放電電極１２を構成する走査電極及び維持電極それぞれ
は、放電ギャップを設けて形成したＩＴＯなどの透明電
極とこの透明電極に通電するための抵抗値の低い少なく
ともＡｇを含む金属電極のバス電極とから構成されてい
る。
よって作製されかつ表面に金属酸化物層（図示せず）が
形成されたフロントカバープレートとしての前面ガラス
基板１１上に、放電ギャップを設けて形成した一対の走
査電極及び維持電極からなる放電電極１２を複数配列し
て形成し、その上に誘電体ガラスペーストをダイコート
法、あるいはブレードコート法にて塗布した後焼成して
作製した誘電体ガラス層１３を形成し、さらにこの表面
上に酸化マグネシウムからなる保護層１４を形成するこ
とによって構成されている。また、図示していないが、
放電電極１２を構成する走査電極及び維持電極それぞれ
は、放電ギャップを設けて形成したＩＴＯなどの透明電
極とこの透明電極に通電するための抵抗値の低い少なく
ともＡｇを含む金属電極のバス電極とから構成されてい
る。
【００２７】一方、背面パネル２０は、フロート法によ
って作製されかつ表面に金属酸化物層（図示せず）が形
成されたバックプレートとしての背面ガラス基板２１上
に、少なくともＡｇを含む金属電極からなるアドレス電
極２２を前記放電電極１２と交差するように複数列配列
して形成し、その上に前記誘電体ガラス層１３と同様に
して、誘電体ガラス層２３を形成するとともに、前記放
電空間３０を複数の空間に仕切るための隔壁２４をアド
レス電極２２間に形成し、そしてその隔壁２４間にＲ、
Ｇ、Ｂの各色の蛍光体層２５を形成することにより構成
されている。
って作製されかつ表面に金属酸化物層（図示せず）が形
成されたバックプレートとしての背面ガラス基板２１上
に、少なくともＡｇを含む金属電極からなるアドレス電
極２２を前記放電電極１２と交差するように複数列配列
して形成し、その上に前記誘電体ガラス層１３と同様に
して、誘電体ガラス層２３を形成するとともに、前記放
電空間３０を複数の空間に仕切るための隔壁２４をアド
レス電極２２間に形成し、そしてその隔壁２４間にＲ、
Ｇ、Ｂの各色の蛍光体層２５を形成することにより構成
されている。
【００２８】そして、この前面パネル１０と背面パネル
２０との間には、放電電極１２とアドレス電極２２とが
交差する箇所に隔壁２４によって仕切られた複数の放電
セルが形成されている。
２０との間には、放電電極１２とアドレス電極２２とが
交差する箇所に隔壁２４によって仕切られた複数の放電
セルが形成されている。
【００２９】以下、この実施の形態によるＰＤＰの製造
方法について、詳細に説明する。まず、前面パネル１０
の製造方法について説明する。
方法について、詳細に説明する。まず、前面パネル１０
の製造方法について説明する。
【００３０】前面パネル１０は、上述したように、フロ
ート法によって作製された前面ガラス基板１１表面に金
属酸化膜を形成し、その上に放電電極１２を形成すると
ともに、その放電電極１２を軟化点が６００℃以下のガ
ラス粉末を用いて作製された誘電体ガラス層１３で覆
い、この表面上に酸化マグネシウムからなる保護層１４
を形成することによって作製される。
ート法によって作製された前面ガラス基板１１表面に金
属酸化膜を形成し、その上に放電電極１２を形成すると
ともに、その放電電極１２を軟化点が６００℃以下のガ
ラス粉末を用いて作製された誘電体ガラス層１３で覆
い、この表面上に酸化マグネシウムからなる保護層１４
を形成することによって作製される。
【００３１】金属酸化物膜は、以下のようにしてフロー
ト法によって作製された前面ガラス基板１１上に作製す
る。
ト法によって作製された前面ガラス基板１１上に作製す
る。
【００３２】（１）スパッタ法による金属酸化物層の形
成について 図２は金属酸化物層をアルカリ含有のフロートガラス基
板上に形成する際に用いるスパッタ装置の概略図であ
る。このスパッタ装置４０は、スパッタ装置本体４１の
中にガラス基板４２（図１における前面ガラス基板１
１）を加熱するヒータ部４３が設けられ、スパッタ装置
本体４１内は排気装置４４で減圧にすることができるよ
うに構成されている。また、スパッタ装置本体４１の中
には、プラズマを発生させるための高周波電源４５に接
続された電極４６が設置され、金属酸化物の原料となる
酸化物（ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、あるいはＮｂ2Ｏ5、Ｂａ
ＳｎＯ3、ＳｎＯ2、Ｓｂ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＴｉ
Ｏ4、ＳｎＳｉＯ2等のターゲット４７が取り付けられ
る。
成について 図２は金属酸化物層をアルカリ含有のフロートガラス基
板上に形成する際に用いるスパッタ装置の概略図であ
る。このスパッタ装置４０は、スパッタ装置本体４１の
中にガラス基板４２（図１における前面ガラス基板１
１）を加熱するヒータ部４３が設けられ、スパッタ装置
本体４１内は排気装置４４で減圧にすることができるよ
うに構成されている。また、スパッタ装置本体４１の中
には、プラズマを発生させるための高周波電源４５に接
続された電極４６が設置され、金属酸化物の原料となる
酸化物（ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、あるいはＮｂ2Ｏ5、Ｂａ
ＳｎＯ3、ＳｎＯ2、Ｓｂ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＴｉ
Ｏ4、ＳｎＳｉＯ2等のターゲット４７が取り付けられ
る。
【００３３】Ａｒガスボンベ４８は、スパッタガスであ
るアルゴン（Ａｒ）ガスを、スパッタ装置本体４１に供
給するものである。酸素ボンベ４９は、反応ガスである
酸素（Ｏ2）をスパッタ装置本体４１に供給するもので
ある。
るアルゴン（Ａｒ）ガスを、スパッタ装置本体４１に供
給するものである。酸素ボンベ４９は、反応ガスである
酸素（Ｏ2）をスパッタ装置本体４１に供給するもので
ある。
【００３４】このスパッタ装置を用いて、スパッタリン
グを行う場合、ヒータ部４３の上に、誘電体層を上にし
てガラス基板４２を置き、所定の温度（２５０℃）に加
熱すると共に、反応容器内を排気装置４４で減圧にする
（１０-2Ｐａ程度）。次にＡｒを装置内に導入し、高周
波電源４５を駆動して１３．５６ＭＨｚの高周波電界を
印加することにより、スパッタ装置本体４１内で金属酸
化物をスパッタさせながら、金属酸化物層を形成する。
本実施の形態では、スパッタ法で０．０５〜１μｍの厚
みに形成している。
グを行う場合、ヒータ部４３の上に、誘電体層を上にし
てガラス基板４２を置き、所定の温度（２５０℃）に加
熱すると共に、反応容器内を排気装置４４で減圧にする
（１０-2Ｐａ程度）。次にＡｒを装置内に導入し、高周
波電源４５を駆動して１３．５６ＭＨｚの高周波電界を
印加することにより、スパッタ装置本体４１内で金属酸
化物をスパッタさせながら、金属酸化物層を形成する。
本実施の形態では、スパッタ法で０．０５〜１μｍの厚
みに形成している。
【００３５】（２）ＣＶＤ法による金属酸化物層の形成
について 図３は金属酸化物層をフロートガラス基板上に形成する
際に用いるＣＶＤ装置の概略図である。
について 図３は金属酸化物層をフロートガラス基板上に形成する
際に用いるＣＶＤ装置の概略図である。
【００３６】このＣＶＤ装置５０は、熱ＣＶＤ及びプラ
ズマＣＶＤのいずれも行うことができるものであって、
ＣＶＤ装置本体５１の中には、ガラス基板５２（図１に
おける前面ガラス基板１１）を加熱するヒータ部５３が
設けられ、ＣＶＤ装置本体５１内は排気装置５４で減圧
にすることができるように構成されている。また、ＣＶ
Ｄ装置本体５１の中にプラズマを発生させるための高周
波電源５５に接続された電極５６が設置されている。
ズマＣＶＤのいずれも行うことができるものであって、
ＣＶＤ装置本体５１の中には、ガラス基板５２（図１に
おける前面ガラス基板１１）を加熱するヒータ部５３が
設けられ、ＣＶＤ装置本体５１内は排気装置５４で減圧
にすることができるように構成されている。また、ＣＶ
Ｄ装置本体５１の中にプラズマを発生させるための高周
波電源５５に接続された電極５６が設置されている。
【００３７】Ａｒガスボンベ５７ａ、５７ｂは、キャリ
アであるアルゴン（Ａｒ）ガスを、気化器（バブラー）
５８ａ、５８ｂを経由してＣＶＤ装置本体５１に供給す
るものである。気化器５８ａ、５８ｂは、金属酸化物の
原料（ソース）となる金属キレートを加熱して貯え、Ａ
ｒガスボンベ５７ａ、５７ｂからＡｒガスを吹き込むこ
とによって、この金属キレートを蒸発させてＣＶＤ装置
本体５１に送り込むことができるようになっている。
アであるアルゴン（Ａｒ）ガスを、気化器（バブラー）
５８ａ、５８ｂを経由してＣＶＤ装置本体５１に供給す
るものである。気化器５８ａ、５８ｂは、金属酸化物の
原料（ソース）となる金属キレートを加熱して貯え、Ａ
ｒガスボンベ５７ａ、５７ｂからＡｒガスを吹き込むこ
とによって、この金属キレートを蒸発させてＣＶＤ装置
本体５１に送り込むことができるようになっている。
【００３８】キレートの具体例としては、アセチルアセ
トンジルコニウム〔Ｚｒ（Ｃ5Ｈ7Ｏ 2）2〕、ジルコニウ
ムジピバブロイルメタン〔Ｚｒ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2）2〕であ
る。その他の金属酸化物も同様な金属キレートが考えら
れる（Ｚｒの所が、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂａ、Ｉ
ｎ、Ｈｆ、Ｚｎ、Ｃａ等のアセチルアセトンやジピバブ
ロイルメタン）。
トンジルコニウム〔Ｚｒ（Ｃ5Ｈ7Ｏ 2）2〕、ジルコニウ
ムジピバブロイルメタン〔Ｚｒ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2）2〕であ
る。その他の金属酸化物も同様な金属キレートが考えら
れる（Ｚｒの所が、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂａ、Ｉ
ｎ、Ｈｆ、Ｚｎ、Ｃａ等のアセチルアセトンやジピバブ
ロイルメタン）。
【００３９】酸素ボンベ５９は、反応ガスである酸素
（Ｏ2）をＣＶＤ装置本体５１に供給するものである。
（Ｏ2）をＣＶＤ装置本体５１に供給するものである。
【００４０】このＣＶＤ装置を用いて熱ＣＶＤを行う場
合、ヒータ部５３の上に誘電体層側を上にしてガラス基
板５２を置き、所定の温度（２５０℃）に加熱すると共
に、反応容器内を排気装置５４で減圧にする（数十Ｔｏ
ｒｒ程度）。
合、ヒータ部５３の上に誘電体層側を上にしてガラス基
板５２を置き、所定の温度（２５０℃）に加熱すると共
に、反応容器内を排気装置５４で減圧にする（数十Ｔｏ
ｒｒ程度）。
【００４１】そして、例えばアセチルアセトンジルコニ
ウムよりＺｒ2を形成する時は気化器５８ａを、Ａｌジ
ピバブロイルメタンよりＡｌ2Ｏ3を形成する時は気化器
５８ｂをそれぞれ用い、ソースとなるキレートを、所定
の気化温度に加熱しながら、Ａｒガスボンベ５７ａまた
はＡｒガスボンベ５７ｂからＡｒガスを送り込む。ま
た、これと同時に、酸素ボンベ５９から酸素を流す。
ウムよりＺｒ2を形成する時は気化器５８ａを、Ａｌジ
ピバブロイルメタンよりＡｌ2Ｏ3を形成する時は気化器
５８ｂをそれぞれ用い、ソースとなるキレートを、所定
の気化温度に加熱しながら、Ａｒガスボンベ５７ａまた
はＡｒガスボンベ５７ｂからＡｒガスを送り込む。ま
た、これと同時に、酸素ボンベ５９から酸素を流す。
【００４２】これによって、ＣＶＤ装置本体５１内に送
り込まれるキレート化合物が、酸素と反応し、ガラス基
板５２上に金属酸化物膜が形成される。
り込まれるキレート化合物が、酸素と反応し、ガラス基
板５２上に金属酸化物膜が形成される。
【００４３】上記構成のＣＶＤ装置を用いて、プラズマ
ＣＶＤを行う場合も、熱ＣＶＤの場合とほぼ同様に行う
が、ヒータ部５３によるガラス基板５２の加熱温度は２
５０℃程度に設定し、排気装置５４を用いて反応容器内
を１３３０Ｔｏｒｒ（１７６．８９ｋＰａ）程度に減圧
し、高周波電源５５を駆動して１３．５６ＭＨｚの高周
波電界を印加することより、ＣＶＤ装置本体５１内にプ
ラズマを発生させながら、金属酸化物層を形成する。な
お、酸化物の複合膜を形成する場合は、キレートを混合
して使用する。
ＣＶＤを行う場合も、熱ＣＶＤの場合とほぼ同様に行う
が、ヒータ部５３によるガラス基板５２の加熱温度は２
５０℃程度に設定し、排気装置５４を用いて反応容器内
を１３３０Ｔｏｒｒ（１７６．８９ｋＰａ）程度に減圧
し、高周波電源５５を駆動して１３．５６ＭＨｚの高周
波電界を印加することより、ＣＶＤ装置本体５１内にプ
ラズマを発生させながら、金属酸化物層を形成する。な
お、酸化物の複合膜を形成する場合は、キレートを混合
して使用する。
【００４４】このように熱ＣＶＤ法またはプラズマＣＶ
Ｄ法によって金属酸化物層を形成すれば、緻密な層を形
成することができる。なお、ＳｎＴｉＯ4をコーティン
グするために、このＣＶＤ装置を用いて行ったＳｎＴｉ
Ｏ4を生成するための原料ガスは、テトラエトキシシラ
ン（ＴＥＯＳ）チタニウムアセチルアセトンと酸素ガス
を用いた。
Ｄ法によって金属酸化物層を形成すれば、緻密な層を形
成することができる。なお、ＳｎＴｉＯ4をコーティン
グするために、このＣＶＤ装置を用いて行ったＳｎＴｉ
Ｏ4を生成するための原料ガスは、テトラエトキシシラ
ン（ＴＥＯＳ）チタニウムアセチルアセトンと酸素ガス
を用いた。
【００４５】（３）ディップコーティング法による金属
酸化物層の形成について 図４はアルカリが含有するフロート法で得られたガラス
基板上に金属酸化物層を形成する際に用いるディップ装
置の概略図である。
酸化物層の形成について 図４はアルカリが含有するフロート法で得られたガラス
基板上に金属酸化物層を形成する際に用いるディップ装
置の概略図である。
【００４６】このディップ装置６０は、ディップ装置本
体６１の中に金属キレート（アセチルアセトン、アルコ
キド等）を有機溶剤に溶解した溶液６２（ディップ液）
が入っており、ガラス基板６３をこの溶液につけて引き
上げた後、乾燥、焼成することで得られる。
体６１の中に金属キレート（アセチルアセトン、アルコ
キド等）を有機溶剤に溶解した溶液６２（ディップ液）
が入っており、ガラス基板６３をこの溶液につけて引き
上げた後、乾燥、焼成することで得られる。
【００４７】金属キレートとして、アセチルアセトンジ
ルコニウム、ジルコニウムジピバブロイルメタン、ジル
コニウムアルコキシド等を用いる。アチルアセトン金属
キレートとしては、Ｍ〔（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）2〕（ただしＭ
は、Ｚｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｓｉ）がある。ジピバブ
ロイルメタンとしてはＭ〔（Ｃ11Ｈ19Ｏ2）2〕（ただし
Ｍは、Ｚｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｓｂ、Ｉｎ）がある。
ルコニウム、ジルコニウムジピバブロイルメタン、ジル
コニウムアルコキシド等を用いる。アチルアセトン金属
キレートとしては、Ｍ〔（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）2〕（ただしＭ
は、Ｚｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｓｉ）がある。ジピバブ
ロイルメタンとしてはＭ〔（Ｃ11Ｈ19Ｏ2）2〕（ただし
Ｍは、Ｚｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｓｂ、Ｉｎ）がある。
【００４８】これらを使用する有機溶剤としては、エチ
ルアルコール、ブチルアルコール等のアルコール類を使
用する。焼成温度は４００℃〜６００℃で焼成する。
ルアルコール、ブチルアルコール等のアルコール類を使
用する。焼成温度は４００℃〜６００℃で焼成する。
【００４９】上記で説明した金属酸化物であるＺｒ
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＺｎＯ、ＳｎＯ2、Ｔａ
2Ｏ5、ＨｆＯ2、Ｓｂ2Ｏ5、Ｉｎ2Ｏ3の熱膨張係数は、
７０×１０-6〜９０×１０-6（１／℃）であり、Ｎａを
含有するフロート法によるガラス基板の熱膨張係数８０
×１０-6（１／℃）に近い。また、金属酸化物の厚み
は、１層、２層合わせて０．１μｍ〜１．０μｍが必要
である。
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＺｎＯ、ＳｎＯ2、Ｔａ
2Ｏ5、ＨｆＯ2、Ｓｂ2Ｏ5、Ｉｎ2Ｏ3の熱膨張係数は、
７０×１０-6〜９０×１０-6（１／℃）であり、Ｎａを
含有するフロート法によるガラス基板の熱膨張係数８０
×１０-6（１／℃）に近い。また、金属酸化物の厚み
は、１層、２層合わせて０．１μｍ〜１．０μｍが必要
である。
【００５０】放電電極１２は、前面ガラス基板１１上に
形成された金属酸化物層上に形成する。次に、放電電極
の作製方法について、図５（ａ）、（ｂ）に示す２つの
方法を説明する。
形成された金属酸化物層上に形成する。次に、放電電極
の作製方法について、図５（ａ）、（ｂ）に示す２つの
方法を説明する。
【００５１】図５（ａ）に示す方法は、まず前面ガラス
基板１１の全面に、１層または２層の金属酸化物層１１
ａを０．１μｍ〜１μｍの厚みでスパッタリング法、Ｃ
ＶＤ法、ディップコーティング法で形成した後、感光性
のＡｇペースト７０を全面に塗布し、マスク７１を配置
して露光、現像、エッチングのフォトリソグラフィー法
でＡｇ電極となるべき所をパターニングする。その後こ
れを焼成して、金属電極７２を形成して表示電極とす
る。
基板１１の全面に、１層または２層の金属酸化物層１１
ａを０．１μｍ〜１μｍの厚みでスパッタリング法、Ｃ
ＶＤ法、ディップコーティング法で形成した後、感光性
のＡｇペースト７０を全面に塗布し、マスク７１を配置
して露光、現像、エッチングのフォトリソグラフィー法
でＡｇ電極となるべき所をパターニングする。その後こ
れを焼成して、金属電極７２を形成して表示電極とす
る。
【００５２】次に、図５（ｂ）に示す方法は、まず前面
ガラス基板１１の全面に、１層または２層の金属酸化物
層１１ａを０．１μｍ〜１μｍの厚みでスパッタリング
法、ＣＶＤ法、ディップコーティング法で形成した後、
全面にスパッタ法でＩＴＯ（酸化インジウム−スズ透明
導電膜）７３を０．１μｍ〜０．２μｍの膜厚でスパッ
タリング法で形成する。次に、レジスト７４を形成した
後、マスク７５を配置して露光、現像、エッチングのフ
ォトリソグラフィー法を用いてＩＴＯ７３のパターニン
グを行う。その後、図５（ａ）と同様に、感光性のＡｇ
ペースト７０をＩＴＯ７３上から全面に形成し、マスク
７６を配置して露光、現像、エッチングのフォトリソグ
ラフィー法でＡｇ電極となるべき所をパターニングし、
その後これを焼成して、バス電極７７を形成して、表示
電極とする。
ガラス基板１１の全面に、１層または２層の金属酸化物
層１１ａを０．１μｍ〜１μｍの厚みでスパッタリング
法、ＣＶＤ法、ディップコーティング法で形成した後、
全面にスパッタ法でＩＴＯ（酸化インジウム−スズ透明
導電膜）７３を０．１μｍ〜０．２μｍの膜厚でスパッ
タリング法で形成する。次に、レジスト７４を形成した
後、マスク７５を配置して露光、現像、エッチングのフ
ォトリソグラフィー法を用いてＩＴＯ７３のパターニン
グを行う。その後、図５（ａ）と同様に、感光性のＡｇ
ペースト７０をＩＴＯ７３上から全面に形成し、マスク
７６を配置して露光、現像、エッチングのフォトリソグ
ラフィー法でＡｇ電極となるべき所をパターニングし、
その後これを焼成して、バス電極７７を形成して、表示
電極とする。
【００５３】次に、誘電体ガラス層１３の作製方法につ
いて説明する。この誘電体ガラス層１３は、以下のよう
にして金属酸化物層がコートされた前面ガラス基板１１
及び放電電極１２上に形成する。
いて説明する。この誘電体ガラス層１３は、以下のよう
にして金属酸化物層がコートされた前面ガラス基板１１
及び放電電極１２上に形成する。
【００５４】まず、誘電体用ガラス（例えば、日本電気
硝子（株）製 商品名ＰＬＳ−３２４４ ＰｂＯ−Ｂ2
Ｏ3−ＳｉＯ3−ＣａＯ系ガラス熱膨張係数７８×１０-6
（１／℃）をジェットミルで平均粒径が１．５μｍまで
粉砕する。次にこのガラス粉末３５重量％〜７０重量％
とエチルセルロースを５重量％〜１５重量％を含むター
ピネオール、ブチルカルビトールアセテート、あるいは
ペンタンジオールから成るバインダー成分３０重量％〜
６５重量％を、ジェットミルでよく混練し、ダイコート
用ペーストを作製する（またペースト混練中には界面活
性剤を０．１重量％〜３．０重量％添加して、ガラス粉
体の分散性の向上や沈降防止効果を向上させている）。
硝子（株）製 商品名ＰＬＳ−３２４４ ＰｂＯ−Ｂ2
Ｏ3−ＳｉＯ3−ＣａＯ系ガラス熱膨張係数７８×１０-6
（１／℃）をジェットミルで平均粒径が１．５μｍまで
粉砕する。次にこのガラス粉末３５重量％〜７０重量％
とエチルセルロースを５重量％〜１５重量％を含むター
ピネオール、ブチルカルビトールアセテート、あるいは
ペンタンジオールから成るバインダー成分３０重量％〜
６５重量％を、ジェットミルでよく混練し、ダイコート
用ペーストを作製する（またペースト混練中には界面活
性剤を０．１重量％〜３．０重量％添加して、ガラス粉
体の分散性の向上や沈降防止効果を向上させている）。
【００５５】次にこのペーストを用いてガラス基板１
１、電極１２上に印刷法やダイコート法で塗布し、次に
乾燥後、ガラスの軟化点より少し高い５５０℃〜５９０
℃で焼成する。
１、電極１２上に印刷法やダイコート法で塗布し、次に
乾燥後、ガラスの軟化点より少し高い５５０℃〜５９０
℃で焼成する。
【００５６】次に、スパッタ法による保護層１４の形成
について説明する。この保護層１４を形成する際に用い
るスパッタ装置は、図２に示す装置と同様な装置であ
り、図２に示すスパッタ装置において、ターゲット４７
に保護層の原料となる酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、あ
るいはＭｇを取り付け、酸素ボンベ４９から反応ガスで
ある酸素（Ｏ2）をスパッタ装置本体４１に供給する。
について説明する。この保護層１４を形成する際に用い
るスパッタ装置は、図２に示す装置と同様な装置であ
り、図２に示すスパッタ装置において、ターゲット４７
に保護層の原料となる酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、あ
るいはＭｇを取り付け、酸素ボンベ４９から反応ガスで
ある酸素（Ｏ2）をスパッタ装置本体４１に供給する。
【００５７】このスパッタ装置を用いてスパッタリング
を行う場合、ヒータ部４３の上に、誘電体層を上にして
ガラス基板４２を置き、所定の温度（２５０℃）に加熱
すると共に、反応容器内を排気装置４４で減圧にする
（１０-3Ｔｏｒｒ（１３３×１０-3ＫＰａ）程度）。次
にＡｒを装置内に導入し、高周波電源４５を駆動して１
３．５６ＭＨｚの高周波電界を印加することにより、ス
パッタ装置本体４１内でＭｇＯあるいはＭｇをスパッタ
させながらＭｇＯからなる保護層１４を形成する。本実
施の形態では、スパッタ法で１．０μｍの厚みにＭｇＯ
を形成している。
を行う場合、ヒータ部４３の上に、誘電体層を上にして
ガラス基板４２を置き、所定の温度（２５０℃）に加熱
すると共に、反応容器内を排気装置４４で減圧にする
（１０-3Ｔｏｒｒ（１３３×１０-3ＫＰａ）程度）。次
にＡｒを装置内に導入し、高周波電源４５を駆動して１
３．５６ＭＨｚの高周波電界を印加することにより、ス
パッタ装置本体４１内でＭｇＯあるいはＭｇをスパッタ
させながらＭｇＯからなる保護層１４を形成する。本実
施の形態では、スパッタ法で１．０μｍの厚みにＭｇＯ
を形成している。
【００５８】次に、背面パネル２０の作製方法につい
て、説明する。
て、説明する。
【００５９】まず、背面ガラス基板２１に前述した前面
ガラス基板への金属酸化物層の形成方法及びＡｇ電極の
形成方法と同様の方法で、第２の電極としてのアドレス
電極２２を形成し、その上に前面パネル１０の場合と同
様の種類の平均粒子径（１．５μｍ）と粒度分布を有す
るガラス粉末に、平均粒子径が０．１μｍ〜０．５μｍ
の酸化チタンＴｉＯ2を添加した白色誘電体ガラス層２
３を形成する。この白色誘電体層の形成方法や誘電体イ
ンキペーストの作製方法は、前面パネルの誘電体ガラス
と同様の方法であり、白色誘電体層の焼成温度は、５４
０℃〜５８０℃とした。
ガラス基板への金属酸化物層の形成方法及びＡｇ電極の
形成方法と同様の方法で、第２の電極としてのアドレス
電極２２を形成し、その上に前面パネル１０の場合と同
様の種類の平均粒子径（１．５μｍ）と粒度分布を有す
るガラス粉末に、平均粒子径が０．１μｍ〜０．５μｍ
の酸化チタンＴｉＯ2を添加した白色誘電体ガラス層２
３を形成する。この白色誘電体層の形成方法や誘電体イ
ンキペーストの作製方法は、前面パネルの誘電体ガラス
と同様の方法であり、白色誘電体層の焼成温度は、５４
０℃〜５８０℃とした。
【００６０】そして、スクリーン印刷法やサンドブラス
ト法によって隔壁２４を所定のピッチで形成し、この隔
壁２４に挟まれた各空間内に、赤色（Ｒ）蛍光体、緑色
（Ｇ）蛍光体、青色（Ｂ）蛍光体がそれぞれ順次配列さ
れるように蛍光体層２５を形成する。Ｒ、Ｇ、Ｂ各色の
蛍光体としては、一般的にＰＤＰに用いられている蛍光
体を用いることができるが、ここでは次の蛍光体を用い
る。
ト法によって隔壁２４を所定のピッチで形成し、この隔
壁２４に挟まれた各空間内に、赤色（Ｒ）蛍光体、緑色
（Ｇ）蛍光体、青色（Ｂ）蛍光体がそれぞれ順次配列さ
れるように蛍光体層２５を形成する。Ｒ、Ｇ、Ｂ各色の
蛍光体としては、一般的にＰＤＰに用いられている蛍光
体を用いることができるが、ここでは次の蛍光体を用い
る。
【００６１】赤色蛍光体：Ｙ2Ｏ3：Ｅｕ3+
緑色蛍光体：Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ
青色蛍光体：ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ2+
ここで、隔壁２４内に形成する蛍光体層２５の作製方法
について図６を用いて説明する。先ず、平均粒径２．０
μｍの赤色蛍光体であるＹ2Ｏ3：Ｅｕ3+粉末５０重量
％、エチルセルローズ５．０重量％、溶剤（α−ターピ
ネオール）４５重量％から成る蛍光体混合物をサンドミ
ルで混合撹はんし、１．０Ｐａｓ（パスカルセック）と
した塗布液８１を準備し、その塗布液８１をサーバー８
２内に入れ、ポンプ８３の圧力で噴射装置のノズル径６
０μｍのノズル部８４からストライプ形状の隔壁２４内
に流し込むとともに、基板を直線状に移動させて、赤色
の蛍光体ライン８５を形成する。同様にして、青色（Ｂ
ａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ2+）、緑色（Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍ
ｎ）の各蛍光体ライン８５を形成し、その後、５００℃
で１０分間焼成し、蛍光体層２５を形成する。
について図６を用いて説明する。先ず、平均粒径２．０
μｍの赤色蛍光体であるＹ2Ｏ3：Ｅｕ3+粉末５０重量
％、エチルセルローズ５．０重量％、溶剤（α−ターピ
ネオール）４５重量％から成る蛍光体混合物をサンドミ
ルで混合撹はんし、１．０Ｐａｓ（パスカルセック）と
した塗布液８１を準備し、その塗布液８１をサーバー８
２内に入れ、ポンプ８３の圧力で噴射装置のノズル径６
０μｍのノズル部８４からストライプ形状の隔壁２４内
に流し込むとともに、基板を直線状に移動させて、赤色
の蛍光体ライン８５を形成する。同様にして、青色（Ｂ
ａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ2+）、緑色（Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍ
ｎ）の各蛍光体ライン８５を形成し、その後、５００℃
で１０分間焼成し、蛍光体層２５を形成する。
【００６２】次に、前面パネル１０及び背面パネル２０
の張り合わせによりＰＤＰを作製するのであるが、ま
ず、前述のようにして作製した前面パネル１０と背面パ
ネル２０との周辺部を封着用ガラスを用いて張り合わせ
ると共に、周辺部を封着用ガラスにより封着し、その後
隔壁２４で仕切られた放電空間３０内を高真空（１×１
０-4Ｐａ）に排気した後、所定の組成の放電ガスを所定
の圧力で封入することによってＰＤＰが完成される。
の張り合わせによりＰＤＰを作製するのであるが、ま
ず、前述のようにして作製した前面パネル１０と背面パ
ネル２０との周辺部を封着用ガラスを用いて張り合わせ
ると共に、周辺部を封着用ガラスにより封着し、その後
隔壁２４で仕切られた放電空間３０内を高真空（１×１
０-4Ｐａ）に排気した後、所定の組成の放電ガスを所定
の圧力で封入することによってＰＤＰが完成される。
【００６３】このようにして作製されたＰＤＰは、各電
極（表示電極及びアドレス電極）の下地層が熱膨張係数
がフロート法によるガラス基板に近いためクラックがな
く、またガラス基板の表面には緻密な金属酸化物層が存
在するため、電極層が酸化物層及び誘電体ガラス層と緻
密に結合し、フロートガラスからのＮａイオンやＳｎイ
オンの拡散を抑制することができ、これによりパネル動
作時のＡｇのマイグレーションがなく、しかも色差計の
ｂ値が−１．６〜−１．０の範囲というようにＡｇ電極
による黄変や変色が少ないＰＤＰを得ることができる。
極（表示電極及びアドレス電極）の下地層が熱膨張係数
がフロート法によるガラス基板に近いためクラックがな
く、またガラス基板の表面には緻密な金属酸化物層が存
在するため、電極層が酸化物層及び誘電体ガラス層と緻
密に結合し、フロートガラスからのＮａイオンやＳｎイ
オンの拡散を抑制することができ、これによりパネル動
作時のＡｇのマイグレーションがなく、しかも色差計の
ｂ値が−１．６〜−１．０の範囲というようにＡｇ電極
による黄変や変色が少ないＰＤＰを得ることができる。
【００６４】なお、本実施の形態では、ＰＤＰのセルサ
イズは、４０インチクラスのＳＸＧＡに適合するよう
に、セルピッチを０．１６ｍｍ、放電電極１２の電極間
距離ｄを０．１ｍｍ、取り出し電極の端子間距離をアド
レス電極部で８０μｍ、放電電極間で２５０μｍに設定
した。また、封入する放電ガスの組成は、従来から用い
られているＮｅ−Ｘｅ系であるが、Ｘｅの含有量を５体
積％以上に、封入圧力は６６．５ＫＰａ〜１００ＫＰａ
に設定することで、セルの発光輝度の向上を図った。
イズは、４０インチクラスのＳＸＧＡに適合するよう
に、セルピッチを０．１６ｍｍ、放電電極１２の電極間
距離ｄを０．１ｍｍ、取り出し電極の端子間距離をアド
レス電極部で８０μｍ、放電電極間で２５０μｍに設定
した。また、封入する放電ガスの組成は、従来から用い
られているＮｅ−Ｘｅ系であるが、Ｘｅの含有量を５体
積％以上に、封入圧力は６６．５ＫＰａ〜１００ＫＰａ
に設定することで、セルの発光輝度の向上を図った。
【００６５】以上のように本実施の形態のＰＤＰは、金
属酸化物層が全面にコートされた基板上に各電極を形成
することで、電極のＡｇによるマイグレーションやガラ
ス基板の黄変を低減でき、これにより高い信頼性のあ
る、しかも高い色温度のＰＤＰが得られる。
属酸化物層が全面にコートされた基板上に各電極を形成
することで、電極のＡｇによるマイグレーションやガラ
ス基板の黄変を低減でき、これにより高い信頼性のあ
る、しかも高い色温度のＰＤＰが得られる。
【００６６】表１には、本発明の具体的実施例に基づい
て、ＰＤＰを試作し、そのＰＤＰの特性について、実験
した結果を示している。なお、表１に示した試料Ｎｏ．
１〜Ｎｏ．３２のＰＤＰは、前記実施の形態に基づい
て、放電電極として金属酸化物上あるいはＩＴＯ上に、
少なくともＡｇを含む金属電極を形成し、その上から誘
電体ガラスペーストをダイコート法や印刷法で塗布した
後焼成して得られる膜厚が２０μｍ〜４０μｍの誘電体
ガラス層で覆い、上記で説明したＰＤＰを試作した。こ
のＰＤＰのセルサイズは、４２インチのＳＸＧＡ用のデ
ィスプレイに合わせて、隔壁２４の高さは０．１５ｍ
ｍ、隔壁２４の間隔（セルピッチ）は０．１６ｍｍに設
定し、放電電極１２の電極間距離ｄは０．１０ｍｍに設
定した。また、Ｘｅの含有量は５体積％のＮｅ−Ｘｅ系
の混合ガスを封入圧７５ＫＰａ（５６０Ｔｏｒｒ）で封
入した。ＭｇＯからなる保護層１４の形成方法について
は、保護層をスパッタ法で作製した。
て、ＰＤＰを試作し、そのＰＤＰの特性について、実験
した結果を示している。なお、表１に示した試料Ｎｏ．
１〜Ｎｏ．３２のＰＤＰは、前記実施の形態に基づい
て、放電電極として金属酸化物上あるいはＩＴＯ上に、
少なくともＡｇを含む金属電極を形成し、その上から誘
電体ガラスペーストをダイコート法や印刷法で塗布した
後焼成して得られる膜厚が２０μｍ〜４０μｍの誘電体
ガラス層で覆い、上記で説明したＰＤＰを試作した。こ
のＰＤＰのセルサイズは、４２インチのＳＸＧＡ用のデ
ィスプレイに合わせて、隔壁２４の高さは０．１５ｍ
ｍ、隔壁２４の間隔（セルピッチ）は０．１６ｍｍに設
定し、放電電極１２の電極間距離ｄは０．１０ｍｍに設
定した。また、Ｘｅの含有量は５体積％のＮｅ−Ｘｅ系
の混合ガスを封入圧７５ＫＰａ（５６０Ｔｏｒｒ）で封
入した。ＭｇＯからなる保護層１４の形成方法について
は、保護層をスパッタ法で作製した。
【００６７】表１において、試料Ｎｏ．１〜３２のＰＤ
Ｐは、前面パネルの誘電体ガラス層にＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−
ＳｉＯ2−ＣａＯ系ガラスを用い、背面パネルの誘電体
ガラス層には、前面パネルと同一のガラス組成に酸化チ
タン（ＴｉＯ2）を添加した誘電体を用いた。なお、誘
電体ガラスについては、Ｂｉ2Ｏ3系、ＺｎＯ系でも同じ
結果が得られた。
Ｐは、前面パネルの誘電体ガラス層にＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−
ＳｉＯ2−ＣａＯ系ガラスを用い、背面パネルの誘電体
ガラス層には、前面パネルと同一のガラス組成に酸化チ
タン（ＴｉＯ2）を添加した誘電体を用いた。なお、誘
電体ガラスについては、Ｂｉ2Ｏ3系、ＺｎＯ系でも同じ
結果が得られた。
【００６８】（実験１）以上のようにして作製した試料
Ｎｏ．１〜３２のＰＤＰについて、パネルの点灯実験を
行った。この時、表示電極間（維持電極間）は１８０
Ｖ、アドレス電極間は８０Ｖの電位差になっていた。ま
た、パネルの点灯実験の雰囲気は６０℃、９５％の相対
湿度中で行い、１００時間後のマイグレーションの有
無、耐圧不良の有無を調査した。
Ｎｏ．１〜３２のＰＤＰについて、パネルの点灯実験を
行った。この時、表示電極間（維持電極間）は１８０
Ｖ、アドレス電極間は８０Ｖの電位差になっていた。ま
た、パネルの点灯実験の雰囲気は６０℃、９５％の相対
湿度中で行い、１００時間後のマイグレーションの有
無、耐圧不良の有無を調査した。
【００６９】この実験１によると、試料Ｎｏ．１〜３２
のパネルの表示電極間のマイグレーションとアドレス電
極間のマイグレーションの測定結果では、従来例のパネ
ル（表１中、試料Ｎｏ．１６、３２）が１００時間で、
Ａｇのマイグレーションや耐圧不良（絶縁不良）を示し
ているのに対して、本発明のサンプル（表１中、試料１
〜１５、１７〜３１）は、マイグレーションや耐圧不良
が生じない。
のパネルの表示電極間のマイグレーションとアドレス電
極間のマイグレーションの測定結果では、従来例のパネ
ル（表１中、試料Ｎｏ．１６、３２）が１００時間で、
Ａｇのマイグレーションや耐圧不良（絶縁不良）を示し
ているのに対して、本発明のサンプル（表１中、試料１
〜１５、１７〜３１）は、マイグレーションや耐圧不良
が生じない。
【００７０】（実験２）以上のようにして作製した試料
Ｎｏ．１〜３２のＰＤＰについて、特にパネルの画質に
重要な第１電極上の誘電体ガラス層を含む、ガラス基板
について色差計〔日本電色工業（株）品番ＮＦ７７７〕
を用いて、ガラスの着色度合を示すａ値、ｂ値の値〔Ｊ
ＩＳ Ｚ８７３０色差表示方法〕を測定した。ａ値は＋
方向に大きくなると赤色が強く、−方向に大きくなると
緑色が強くなり、ｂ値は＋方向に大きくなると黄色が、
−方向に大きくなると青色が強くなる。ａ値が−５〜＋
５の範囲、ｂ値が−５〜＋５の範囲であれば、ガラス基
板の着色（黄変）はほとんど見えない。特にｂ値が１０
を超えると黄変が目立って来る。パネルの画面全白時の
色温度は、マルチチャンネル分光計〔大塚電子（株）Ｍ
ＣＰＤ−７０００〕により測定した。
Ｎｏ．１〜３２のＰＤＰについて、特にパネルの画質に
重要な第１電極上の誘電体ガラス層を含む、ガラス基板
について色差計〔日本電色工業（株）品番ＮＦ７７７〕
を用いて、ガラスの着色度合を示すａ値、ｂ値の値〔Ｊ
ＩＳ Ｚ８７３０色差表示方法〕を測定した。ａ値は＋
方向に大きくなると赤色が強く、−方向に大きくなると
緑色が強くなり、ｂ値は＋方向に大きくなると黄色が、
−方向に大きくなると青色が強くなる。ａ値が−５〜＋
５の範囲、ｂ値が−５〜＋５の範囲であれば、ガラス基
板の着色（黄変）はほとんど見えない。特にｂ値が１０
を超えると黄変が目立って来る。パネルの画面全白時の
色温度は、マルチチャンネル分光計〔大塚電子（株）Ｍ
ＣＰＤ−７０００〕により測定した。
【００７１】この実験２によると、試料Ｎｏ．１〜３２
のパネル（前面ガラス基板）のａ値、ｂ値の測定結果、
及びパネルの色温度の測定結果では、従来例のパネル
（表１中、試料Ｎｏ．１６、３２）のｂ値（黄変度合）
が＋５．５及び＋１６．３であるのに対して、本発明
は、ｂ値が−１．６〜＋１．０と低い値（黄変がほとん
どない）になっており、変色の少ない優れたパネルが得
られる。また、従来のパネルの（表１中、試料Ｎｏ．１
６、３２）色温度の値が７２５０゜Ｋ、６４５０°Ｋで
あるのに対して、本発明のパネルの色温度は、９１００
〜９５００°Ｋで色温度が高く、色再現性の良い、あざ
やかな画面のパネルが得られる。
のパネル（前面ガラス基板）のａ値、ｂ値の測定結果、
及びパネルの色温度の測定結果では、従来例のパネル
（表１中、試料Ｎｏ．１６、３２）のｂ値（黄変度合）
が＋５．５及び＋１６．３であるのに対して、本発明
は、ｂ値が−１．６〜＋１．０と低い値（黄変がほとん
どない）になっており、変色の少ない優れたパネルが得
られる。また、従来のパネルの（表１中、試料Ｎｏ．１
６、３２）色温度の値が７２５０゜Ｋ、６４５０°Ｋで
あるのに対して、本発明のパネルの色温度は、９１００
〜９５００°Ｋで色温度が高く、色再現性の良い、あざ
やかな画面のパネルが得られる。
【００７２】
【表１】
【００７３】
【発明の効果】以上述べてきたように、本発明のプラズ
マディスプレイパネルは、放電空間が間に形成されるよ
うに対向配置した一対の前面パネル及び背面パネルと、
この前面パネル及び背面パネル間に複数の放電セルが形
成されるように配列して設けた少なくともＡｇを含有す
る電極とを有し、かつ少なくとも前記前面パネルをフロ
ート法によって製造されたガラス基板により構成すると
ともに、ガラス基板の表面に金属酸化物層を形成したこ
とによって、電極にＡｇを用いてもＡｇ電極中のＡｇの
マイグレーションを防止することができると共に、Ａｇ
コロイドの折出による黄変を防止することができ、これ
により信頼性が高く色温度の高いパネルを得ることがで
きる。
マディスプレイパネルは、放電空間が間に形成されるよ
うに対向配置した一対の前面パネル及び背面パネルと、
この前面パネル及び背面パネル間に複数の放電セルが形
成されるように配列して設けた少なくともＡｇを含有す
る電極とを有し、かつ少なくとも前記前面パネルをフロ
ート法によって製造されたガラス基板により構成すると
ともに、ガラス基板の表面に金属酸化物層を形成したこ
とによって、電極にＡｇを用いてもＡｇ電極中のＡｇの
マイグレーションを防止することができると共に、Ａｇ
コロイドの折出による黄変を防止することができ、これ
により信頼性が高く色温度の高いパネルを得ることがで
きる。
【図１】（ａ）本発明の実施の形態におけるプラズマデ
ィスプレイパネルの要部斜視図 （ｂ）前記プラズマディスプレイパネルのＸ−Ｘ線矢視
断面図 （ｃ）前記プラズマディスプレイパネルのＹ−Ｙ線矢視
断面図
ィスプレイパネルの要部斜視図 （ｂ）前記プラズマディスプレイパネルのＸ−Ｘ線矢視
断面図 （ｃ）前記プラズマディスプレイパネルのＹ−Ｙ線矢視
断面図
【図２】本発明の実施の形態におけるプラズマディスプ
レイパネルを製造する際に用いるスパッタリング装置の
概略図
レイパネルを製造する際に用いるスパッタリング装置の
概略図
【図３】本発明の実施の形態におけるプラズマディスプ
レイパネルを製造する際に用いるＣＶＤ装置の概略図
レイパネルを製造する際に用いるＣＶＤ装置の概略図
【図４】本発明の実施の形態におけるプラズマディスプ
レイパネルを製造する際に用いるディッピング装置の概
略図
レイパネルを製造する際に用いるディッピング装置の概
略図
【図５】本発明の実施の形態におけるプラズマディスプ
レイパネルの電極の形成方法を示すフローチャート
レイパネルの電極の形成方法を示すフローチャート
【図６】本発明の実施の形態におけるプラズマディスプ
レイパネルを製造する際に用いる蛍光体塗布装置の概略
図
レイパネルを製造する際に用いる蛍光体塗布装置の概略
図
【図７】プラズマディスプレイパネルの画像表示領域の
構造を示す部分断面斜面図
構造を示す部分断面斜面図
【図８】プラズマディスプレイパネルの前面ガラス基板
を除いた平面図
を除いた平面図
【図９】（ａ）、（ｂ）は従来の交流型のプラズマディ
スプレイパネルの電極構成例を示す断面図
スプレイパネルの電極構成例を示す断面図
【図１０】プラズマディスプレイパネルを用いた表示装
置のブロック図
置のブロック図
【図１１】（ａ）、（ｂ）は従来のプラズマディスプレ
イパネルの要部を示す平面図
イパネルの要部を示す平面図
【符号の説明】
１０ 前面パネル
１１ 前面ガラス基板
１１ａ 金属酸化物層
１２ 放電電極
１３ 誘電体ガラス層
１４ 保護層
２０ 背面パネル
２１ 背面ガラス基板
２２ アドレス電極
２３ 誘電体ガラス層
２４ 隔壁
２５ 蛍光体層
３０ 放電空間
フロントページの続き
(72)発明者 渡邉 拓
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
Ｆターム(参考） 5C027 AA02 AA03
5C040 FA01 FA04 GA09 GB03 GC03
GC06 GC18 JA02 JA07 JA14
JA15 KA04 KB03 MA05 MA30
Claims (9)
- 【請求項１】 放電空間が間に形成されるように対向配
置した一対の前面パネル及び背面パネルと、この前面パ
ネル及び背面パネル間に複数の放電セルが形成されるよ
うに配列して設けた少なくともＡｇを含有する電極とを
有し、かつ少なくとも前記前面パネルをフロート法によ
って製造されたガラス基板により構成するとともに、ガ
ラス基板の表面に金属酸化物層を形成したことを特徴と
するプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項２】 金属酸化物層は、酸化アルミニウム（Ａ
ｌ2Ｏ3）、酸化チタニウム（ＴｉＯ2）、酸化ジルコニ
ウム（ＺｒＯ2）、酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ3）、酸化スズ
（ＳｎＯ2）、酸化アンチモン（Ｓｂ2Ｏ3）、酸化イン
ジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ2）、酸
化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）のうちの
いずれか１種以上から成ることを特徴とする請求項１記
載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項３】 金属酸化物層は、４価のスズを含有する
酸化物であることを特徴とする請求項１記載のプラズマ
ディスプレイパネル。 - 【請求項４】 ４価のスズを含有する酸化物は、Ｍｇ
Ｏ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2とＳｎ
Ｏ2との固溶体であることを特徴とする請求項３記載の
プラズマディスプレイパネル。 - 【請求項５】 ４価のスズを含有する酸化物は、チタン
酸スズ（ＳｎＴｉＯ4）、硅酸スズ（ＳｎＳｉＯ2）、ス
ズ酸マグネシウム（ＭｇＳｎＯ3）、スズ酸カルシウム
（ＣａＳｎＯ3）、スズ酸ストロンチウム（ＳｒＳｎ
Ｏ3）、スズ酸バリウム（ＢａＳｎＯ3）のうちのいずれ
か１種以上から成ることを特徴とする請求項３記載のプ
ラズマディスプレイパネル。 - 【請求項６】 金属酸化物層は、異なる金属酸化物層を
積層形成したものである請求項１記載のプラズマディス
プレイパネル。 - 【請求項７】 金属酸化物層は、下層にＡｌ2Ｏ3、Ｔｉ
Ｏ2、ＺｒＯ2、Ｎｂ2Ｏ3、ＳｎＯ2、Ｓｂ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ
3、ＨｆＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＺｎＯ、ＳｎＴｉＯ4、ＳｎＳ
ｉＯ2、ＭｇＳｎＯ3、ＣａＳｎＯ3、ＳｒＳｎＯ3、Ｂａ
ＳｎＯ3のうちのいずれか１種を形成し、その上にＡｌ2
Ｏ3、あるいはＳｉＯ2を積層したものである請求項６記
載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項８】 放電空間が間に形成されるように対向配
置した一対の前面パネル及び背面パネルと、この前面パ
ネル及び背面パネル間に複数の放電セルが形成されるよ
うに配列して設けた少なくともＡｇを含有する電極とを
有し、かつ少なくとも前記前面パネルをフロート法によ
って製造されたガラス基板により構成するとともに、ガ
ラス基板の表面にスパッタ法、ＣＶＤ法あるいはディッ
プ法で金属酸化膜を形成することを特徴とするプラズマ
ディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項９】 放電空間が間に形成されるように対向配
置した一対の前面パネル及び背面パネルと、この前面パ
ネル及び背面パネル間に複数の放電セルが形成されるよ
うに配列して設けた少なくともＡｇを含有する電極とを
有し、かつ少なくとも前記前面パネルをフロート法によ
って製造されたガラス基板により構成したプラズマディ
スプレイパネルの製造方法において、フロート法によっ
て製造されたガラス基板表面に金属酸化膜を形成する工
程と、前記酸化膜上に透明電極膜をスパッタ法で形成す
る工程と、前記透明電極膜をフォトリソ法でパターニン
グして、透明電極を形成する工程と、前記透明電極上に
感光性銀材料を用いてフォトリソ法でバス電極を形成す
る工程とを有するプラズマディスプレイパネルの製造方
法。
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