WO2010143345A1

WO2010143345A1 - プラズマディスプレイパネル

Info

Publication number: WO2010143345A1
Application number: PCT/JP2010/002238
Authority: WO
Inventors: 井上修; 浅野洋; 奥井やよい; 奥山浩二郎
Original assignee: パナソニック株式会社
Priority date: 2009-06-10
Filing date: 2010-03-29
Publication date: 2010-12-16
Also published as: CN102047374A; JPWO2010143345A1; KR20120036243A; US20110175554A1

Abstract

　本発明は、低い駆動電圧で良好な画像表示性能の発揮を期待できるプラズマディスプレイパネルを提供することを目的とする。　具体的には、表示電極５を形成した前面板１の表面に、放電空間１４に臨むように、ＳｒＣｅＯ_３、ＢａＣｅＯ_３から選択される一種類以上、あるいはこれら相互の固溶体よりなる結晶性酸化物を用いて保護層７を形成する。ＳｒＣｅＯ_３、ＢａＣｅＯ_３、あるいはこれら相互の固溶体よりなる結晶性酸化物を用いることで、二次電子放出効率をあまり低下させずに化学的な安定性を高めることができる。これらの化合物を用いることで、ＭｇＯを用いた場合よりも駆動電圧が低下したＰＤＰが得られる。

Description

プラズマディスプレイパネル

　本発明は、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）に関し、特に保護層周辺の材料の改良技術に関する。

　プラズマディスプレイパネル（以下ＰＤＰと略す）は、薄型ディスプレイパネルの中で、大型化が容易、高速表示が可能、低コストといった特徴から、実用化され、急速に普及している。

　現在実用化されている一般的なＰＤＰの構造は、それぞれ前面基板と背面基板となる、２枚の対向するガラス基板に、それぞれ規則的に配列した複数の電極（表示電極対またはアドレス電極）を設け、これらの各電極を前記ガラス基板上で被覆するように低融点ガラス等の誘電体層を設ける。背面基板の誘電体層上には蛍光体層を設ける。前面基板の誘電体層上には、誘電体層を放電時のイオン衝撃に対して保護し、かつ二次電子放出を目的とした保護層として、ＭｇＯ層が設けられる。そして２枚の基板を放電空間を介して内部封止するとともに、放電空間にＮｅ、Ｘｅ等の不活性ガスを主体とするガスを封入する。駆動時には、電極間に電圧を印加して放電を発生させることにより蛍光体を発光させて表示を行う。

　ＰＤＰにおいては高効率化が強く要求されている。その手段としては誘電体層を低誘電率化する方法や、放電ガスのＸｅ分圧を上げる方法が知られている。しかしながら、このような手段を用いると放電開始電圧や維持電圧が上昇してしまう問題点があった。

　一方、保護層の材料として二次電子放出係数の高い材料を用いれば、放電開始電圧や維持電圧の低減が可能であることが知られている。これにより高効率化や、耐圧の低い素子を用いることによる低コスト化が実現可能となる。このため、ＭｇＯの代わりに同じアルカリ土類金属酸化物であるが、より二次電子放出係数の高い、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯを用いたり、これら同士の固溶体を用いることが検討されている（特許文献１、２参照）。

特開昭５２－６３６６３号公報特開２００７－９５４３６号公報

　しかしながら、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯなどは、ＭｇＯに比べて化学的に不安定であり、空気中またはパネル内に残留する水分や炭酸ガスと比較的容易に反応して、水酸化物や炭酸化物を形成する。このような化合物が形成されると、保護層の二次電子放出係数が低下して、期待した程度の低電圧化の効果が得られないという問題点があった。

　こうした化学反応による劣化は、実験室レベルで少量かつ小型のＰＤＰを作製する場合には、作業の雰囲気ガスを制御するといった方法で回避可能である。しかしながら、現実的に製造工場で全ての製造工程を雰囲気管理するのは困難であり、また可能であっても高コスト化につながる。特に大型のＰＤＰを製造する場合は、この問題は顕著になる。このため、従来より二次電子放出係数の高い材料の使用が検討されてきたにもかかわらず、未だに実用化されているのはＭｇＯのみであり、充分な低電圧化や高効率化が実現されていなかった。

　また、ＭｇＯ以外の材料を保護層として用いた場合、イオン衝撃耐性が低いために、ＰＤＰ駆動時のガスによるスパッタリング量が大きくなる。これにより、ＰＤＰの寿命が短くなるという問題点があった。

　本発明は以上の課題に鑑みてなされたものであって、良好な二次電子放出特性を有する化合物を用いることにより、優れた画像表示性能を低電圧駆動で発揮することが期待できるＰＤＰを提供することを目的とする。

　上記課題を解決するために、本発明は、複数の電極と蛍光体を備え、前記複数の電極のいずれかの間に電圧を印加して放電空間内で放電させ、当該放電を前記蛍光体で可視光に変換して発光するプラズマディスプレイパネルであって、前記放電空間に臨む領域に、ＳｒＣｅＯ_３、ＢａＣｅＯ_３から選択される一種類以上、あるいはこれら相互の固溶体よりなる結晶性酸化物を配した構成とした。

　ここで、前記結晶性酸化物に含まれるＣｅの一部が、３価金属または４価金属によって置換されている構成とすることもできる。

　ここで、Ｃｅを置換する３価金属としてはＩｎまたは希土類金属が好適である。

　また、Ｃｅを置換する４価金属としてはＳｎが望ましい。

　さらに本発明は、複数の第一電極（表示電極）が形成された第一基板（前面ガラス基板）の表面に、前記第一電極を覆うように第一誘電体層が形成され、前記第一誘電体層上に保護層が形成された第一パネル（前面板）と、複数の第二電極（アドレス電極）が形成された第二基板（背面ガラス基板）の表面に、前記第二電極を覆うように第二誘電体層が形成され、第二誘電体層の上に蛍光体層が形成されてなる第二パネル（背面パネル）を有し、前記保護層が前記した本発明の結晶性酸化物を用いて構成され、第一パネルと第二パネルとが放電空間を挟んで対向配置されたプラズマディスプレイパネルとした。

　ここで、前記保護層上には、さらにＭｇＯからなる材料が、粉末粒子の状態で前記材料とともに分散配置することもできる。

　あるいは本発明は、複数の第一電極が形成された第一基板の表面に、前記第一電極を覆うように第一誘電体層が形成され、前記第一誘電体層上に保護層が形成された第一パネルと、複数の第二電極が形成された第二基板の表面に、前記第二電極を覆うように第二誘電体層が形成され、第二誘電体層の上に蛍光体層が形成されてなる第二パネルを有し、保護層の表面に、請求項１記載の結晶性酸化物が粉末粒子の状態で分散配置され、第一パネルと第二パネルとが放電空間を挟んで対向配置されたプラズマディスプレイパネルとした。

　ここで、保護層に対する前記結晶性酸化物の被覆率を１％以上２０％以下とするのが好適である。

　また保護層の表面に、前記結晶性酸化物の粉末粒子とともに、ＭｇＯからなる材料が粉末粒子の状態で分散配置されている構成とすることもできる。

　或いは前記結晶性酸化物の上に、ＭｇＯからなる材料が、粉末粒子の状態で分散配置されている構成とすることもできる。

　このように本発明は、ＳｒＣｅＯ_３、ＢａＣｅＯ_３から選択される一種類以上、あるいはこれら相互の固溶体よりなる結晶性酸化物を、放電空間に臨む領域に、電子放出材料として配したことを特徴とするプラズマディスプレイパネルである。

　前記化合物は、Ｃｅの一部が、３価金属または４価金属によって置換されていることが望ましい。さらに、ＭｇＯからなる保護層の上に、前記化合物を、粒子の状態で、分散配置していることが望ましい。

　本発明によれば、従来のＭｇＯに比べて化学的に安定化された二次電子放出係数の高い所定の化合物を用いることにより、良好な画像表示を低電圧で駆動することが可能なプラズマディスプレイパネルを提供できる。

　或いは、保護層としては従来どおり、イオン衝撃耐性の高いＭｇＯをベースとして用い、これに併せて前記化合物を電子放出材料として用いることにより、駆動電圧が低くて良好な画像表示性能が発揮されるとともに、長寿命のプラズマディスプレイパネルを提供できる。

本発明の実施の形態１のＰＤＰの構成について説明するための分解斜視図である。図１に示したＰＤＰの縦断面図である。本発明の実施の形態２のＰＤＰの構成について説明するための分解斜視図である。図３に示したＰＤＰの縦断面図である。ＸＰＳによる価電子帯スペクトルの測定例である。ＸＰＳによるＣ１ｓスペクトルの測定例である。

　＜本発明の化合物（結晶性酸化物）について＞
　本願発明者等は、二次電子放出効率は高いが化学的に不安定なＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯの原料と各種の金属、Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ等の酸化物を反応させて、非常に多種にわたる化合物を合成した。そして、その化学的安定性と二次電子放出能を詳細に検討した結果、ＣｅＯ_２を反応させた、ＳｒＣｅＯ_３、ＢａＣｅＯ_３、あるいはこれら相互の固溶体よりなる結晶性酸化物とすることにより、二次電子放出効率をあまり低下させずに化学的な安定性を高めることができた。そして、これらの化合物を用いれば、ＭｇＯを用いた場合よりも駆動電圧が低下したＰＤＰが得られることを見出した。

　ＳｒＣｅＯ_３とＢａＣｅＯ_３は、どちらも同じペロブスカイト型構造を持つ金属酸化物であり、相互に全域で固溶可能であり、その組成比率に応じて、中間的な特性を示す。二次電子放出効率は、ＳｒＣｅＯ_３よりもＢａＣｅＯ_３のほうが高いが、化学的安定性はその逆の順序になる。必要とされる化学的安定性は、実際に製造を行う工程条件により様々であるので、その環境に応じて適当な比率の固溶体、またはＳｒＣｅＯ_３、ＢａＣｅＯ_３化合物のいずれかを用いれば良い。

　また、ＳｒＣｅＯ_３、ＢａＣｅＯ_３はあるいはこれら相互の固溶体は、ペロブスカイト型構造を保つ範囲内で、アルカリ土類のサイトをＣａやＬａで部分置換したり、ＣｅのサイトをＩｎやＹ等の３価の希土類金属、Ｓｎ、Ｚｒ等で部分置換したり、ＯをＦで部分置換しても良い。この際、Ｃｅを同じ４価金属であるＳｎで置換すると、二次電子放出効率は若干低下するが、化学的安定性をより高めることができる。また、Ｃｅを３価金属であるＩｎやＹ等の３価の希土類金属で置換すると、化学的安定性を改善しながら、二次電子放出効率をさらに改善することができる。よって、これらの置換により、その特性を微調整することが可能となる。こうした置換は、２種類以上を同時に行ことも可能である。しかしながら、こうした置換組成においても、あくまで主成分はアルカリ土類とＣｅとＯである必要がある。

　さらに、ＳｒＣｅＯ_３、ＢａＣｅＯ_３、あるいはこれらの固溶体を、雰囲気調整を行わない、通常の製造プロセスで用いる場合、Ｓｒ、Ｂａの合計量と、Ｃｅの配合モル比、（Ｓｒ＋Ｂａ）／Ｃｅが、０．９９５以下であることが望ましい。これは、比率が１．０００の場合でも、組成の不均一性により、アルカリ土類酸化物原料とＣｅＯ_２の反応過程で、ＳｒＯやＢａＯが極微量ながら残存してしまい、雰囲気調整を行わない条件下では、これがＳｒＣＯ_３やＢａＣＯ_３となって表面を覆ってしまい、二次電子放出係数が低下してしまうためと考えられる。

　なお、アルカリ土類サイトやＣｅのサイトを前述した部分置換を行っている場合は、それら置換元素を合わせた合計の比率を０．９９５以下とすれば良い。また、この比率をさらに低下させると、ある程度以下ではＣｅＯ_２が余剰となって析出するが、このような状態では、前述したアルカリ土類の多い組成の生成は妨げられるため、ＣｅＯ_２との混合物となっているのも良い。

　ＳｒＣｅＯ_３、ＢａＣｅＯ_３、あるいはこれら相互の固溶体から選択される一種類以上の結晶性酸化物を合成する方法としては、その形態として、固相法、液相法、気相法が挙げられる。

　固相法は、それぞれの金属を含む原料粉末（金属酸化物、金属炭酸塩等）を混合し、ある程度以上の温度で熱処理して反応させる方法である。

　液相法は、それぞれの金属を含む溶液を作り、これより固相を沈殿させたり、あるいは基板上にこの溶液を塗布後、乾燥し、ある程度以上の温度で熱処理等を行って固相とする方法である。

　気相法は、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ等の方法によって膜状の固相を得る方法である。

　本発明では、上記したいずれの方法を用いることも可能である。前記化合物を粉末形態で用いるのであれば、通常は、比較的製造コストが低く、大量に製造することも容易な固相法が好適である。

　次に、前記化合物をＰＤＰのどの部分に配設するかについては、少なくとも放電空間に臨む領域に配設すればよい。一般的には、前面板の電極を覆う誘電体層の上に配設するのが好適である。しかしながらこれに限定するものではなく、他の部位、例えば蛍光体部やリブ表面等の位置に形成したり、蛍光体に混合してもよい。このように化合物を放電空間に臨むように配設することによって、前記化合物を用いないＰＤＰに比べると駆動電圧の減低効果があることが実験により確認されている。

　なお、蛍光体層に前記化合物を配設する場合には、蛍光体の発光特性を損なわないように、配設量を適切に制御することが望ましい。

　次に、これらの化合物の形態については、例えば前面板の電極を覆う誘電体層の上に形成する場合を考えると、図１、２に示すように誘電体層の上に通常保護層として形成されるＭｇＯ膜のかわりに、これらの化合物の膜を形成したり、これらの粉末を散布する、あるいは図３、４に示すようにＭｇＯ膜を形成したさらに上に、これらの化合物の膜を形成したり、これらの化合物の粉末を散布する、といった方法をとれば良い。

　ただし、これらの化合物は高融点で安定な化合物ではあるが、ＭｇＯに比べると、スパッタリング耐性はやや劣り、透明性もやや劣る。従って、これらの化合物を保護層の代わりに誘電体層上に粉末状で散布すると、透明性低下による輝度劣化が問題となることもある。よって、保護層としては従来どおりＭｇＯ膜を用い、その上に、透過率が問題とならないレベルで粉末を分散散布する方法が望ましい。

　透過率が問題とならないレベルとして、被覆率は２０％以下が良い。また、化合物の粉末が少なすぎると粉末による効果が低くなる。このため、被覆率は１％以上２０％以下の範囲が好適である。化合物を粉末で用いる場合の粒子径は、０．１μｍ～１０μｍ程度の範囲内で、セルサイズ等にあわせて選択すれば良い。例えば、分散配置させる場合は、ＭｇＯ膜上での粉末の移動や落下が生じないように、３μｍ以下、より望ましくは１μｍ以下が良い。粒径が大きすぎると粒子の質量によっては放電空間側に落下する場合があるので注意する。

　このような構成とすると、保護層としては従来どおり、高融点のＭｇＯ膜がその役割をはたし、二次電子放出は、本発明の化合物がその役割を担い、かつその被覆率が低いために輝度低下もなく、低電圧で、かつ長寿命なＰＤＰを得ることができる。

　また、最近になって、ＰＤＰの高精細化に伴う放電遅れの問題を解決するために、初期の電子放出効率が良い、結晶性のＭｇＯ粉末を、ＭｇＯからなる保護層の上に分散散布することが行われている。この場合のＭｇＯ粉末の配設方法としては、ＭｇＯ粉末に有機成分を混合してペースト状とし、ＭｇＯからなる保護層上に印刷した後、適当な温度で熱処理して、有機成分を除去するといった方法が用いられる。本発明の結晶性酸化物の粉末も、全く同じプロセスで分散散布可能である。

　粉末の配設形態としては、上記した結晶性酸化物とＭｇＯの各粉末をともに保護層の表面に分散配置してもよい。この場合、本発明の結晶性酸化物の粉末と結晶性のＭｇＯ粉末の両方を含むペーストを作製する。このペーストをＭｇＯからなる保護層上に印刷した後、適当な温度で熱処理して、有機成分を除去すれば、一回のプロセスで結晶性酸化物の粉末と結晶性のＭｇＯ粉末をＭｇＯからなる保護層上に配置できるため、効率的である。

　なお、保護層に対し、一方の種類の粉末を配置した後、その上に他方の種類を積層して配置してもよい。この場合、各種類の粉末を含む２種類のペーストをそれぞれ用意し、印刷・熱処理を行う。

　ここで基本的には、保護層に対し、本発明の結晶性酸化物の粉末と結晶性のＭｇＯ粉末のいずれを先に配置してもよい。

　ただし、ＭｇＯ粉末を本発明の結晶性酸化物の粉末が覆ってしまうと、ＭｇＯ粉末を散布した効果が、やや発現されにくくなる事がある。この場合には、まず本発明の結晶性酸化物の粉末を散布した後、ＭｇＯ粉末を散布する事が望ましい。この構成では、本発明の結晶性酸化物の粉末がＭｇＯ粉末によって覆われる場合が生じるが、結晶性酸化物の粉末の効果がＭｇＯ粉末によって薄れることは少ないため、十分に期待できる。

　このようにすれば、従来ＭｇＯ膜が担っていた３つの機能、すなわち、保護と低電圧化と放電遅れ解消の役割を、ＭｇＯ膜、本発明の結晶性酸化物、結晶性ＭｇＯ粉末が、それぞれ果たすことになり、それぞれ最適のものを用いることが可能となって、良好な特性のＰＤＰとすることができる。

　なお、本明細書においては、化合物を、例えば「ＢａＣｅＯ_３」のように記載している。しかしながら、Ｃｅは、Ｃｅ^４＋以外に、その一部がＣｅ^３＋となりやすい元素であり、その場合には結晶中に酸素欠陥が生じる。従って、より正確には「ＢａＣｅＯ_３－δ」と記載すべきであるが、このδは、製造条件等によって変動し、必ずしも一定値とはならない。よって便宜上「ＢａＣｅＯ_３」のように記載しているが、これは、化合物の結晶中における酸素欠陥の存在を否定しているものではない。他の化合物についても同様に、結晶中に酸素欠陥が存在する場合も含む。

　＜実施の形態１＞
　次に、本発明のＰＤＰの具体例を図を用いて説明する。

　本発明によるＰＤＰの一例（実施の形態１）を図１および２に示す。図１は、当該ＰＤＰ１００の分解斜視図である。図２は、当該ＰＤＰ１００の縦断面図（図１、Ｉ－Ｉ線断面図）である。

　図１および２に示すように、ＰＤＰ１００は、前面板１と背面板８とを有している。前面板１と背面板８との間には、放電空間１４が形成されている。このＰＤＰは、ＡＣ面放電型であって、保護層７が上述した化合物（ＳｒＣｅＯ_３、ＢａＣｅＯ_３から選択される一種類以上、あるいはこれら相互の固溶体よりなる結晶性酸化物）を電子放出材料として用いることで形成されている以外は、従来例にかかるＰＤＰと同様の構成を有する。

　前面板１は、前面ガラス基板２と、その内側面（放電空間１４に臨む面）に形成された複数の表示電極５と、表示電極５を覆うように形成された誘電体層６と、誘電体層６上に形成された保護層７とを備えている。

　各表示電極５は、ＩＴＯまたは酸化スズからなる透明導電膜３に、良好な導電性を確保するためのＡｇ等からなるバス電極４が積層されて形成され、隣接する表示電極（走査電極及び維持電極）を一対とし、当該一対の表示電極５、５の間で維持放電がなされるようになっている。

　ここで、保護層７は前記した化合物（本発明の結晶性酸化物）を用いて構成されている。ここで、保護層７は上記化合物のみで構成してもよいし、ＭｇＯと混在させるように用いてもよい。

　背面板８は、背面ガラス基板９と、その片面に形成した複数のアドレス（データ）電極１０と、アドレス電極１０を覆うように形成された誘電体層１１と、誘電体層１１の上面に設けられた隔壁（リブ）１２と、隔壁１２の間に形成された蛍光体層とを備えている。蛍光体層は、赤色蛍光体層１３（Ｒ）、緑色蛍光体層１３（Ｇ）および青色蛍光体層１３（Ｂ）がこの順に配列する
ように配列するように形成される。

　上記蛍光体層を構成する蛍光体としては、例えば、青色蛍光体としてＢａＭｇＡｌ_１０Ｏ_１７：Ｅｕ、緑色蛍光体としてＺｎ_２ＳｉＯ_４：Ｍｎ、赤色蛍光体としてＹ_２Ｏ_３：Ｅｕを用いることができる。

　前面板１および背面板８は、表示電極５とアドレス電極１０の各々の長手方向が互いに直交し、かつ互いに対向するように配置し、封着部材（図示せず）を用いて接合される。ここで、一対の表示電極５、５と１本のアドレス電極１０とが互いに直交する各領域に合わせて放電セルが配置されることとなる。

　放電空間１４には、Ｈｅ、Ｘｅ、Ｎｅ等の希ガス成分からなる放電ガスが封入されている。

　表示電極５の走査電極及び維持電極、並びにアドレス電極１０は、それぞれ外部の駆動回路（図示せず）と接続される。駆動時には、各駆動回路から各電極５、１０に所定のタイミングで電圧印加することにより、放電空間１４内において所定の走査電極及びアドレス電極１０の間でアドレッシングを行い、一対の表示電極５、５の間で維持放電を発生させる。この維持放電に伴って発生する短波長（波長１４７ｎｍ）の紫外線により、蛍光体層１３が励起され、発生した可視光が前面板１を透過して画像表示に供される。

　このような構成を持つＰＤＰ１００では、保護層７が上記化合物で構成されることにより従来に比べて化学的に安定であり、かつ、優れた二次電子放出特性を発揮する。したがって、長期にわたり、放電空間１４内で良好な維持放電を行うことが可能であり、良好な画像表示性能を低電力駆動で発揮することができるようになっている。

　また、このＰＤＰ１００は、製造工程のすべてを雰囲気管理しなくても製造できるため、比較的低コストで実現できるメリットを有する。

　＜実施の形態２＞
　次に、本発明によるＰＤＰの他の一例（実施の形態２）を、図３および４に示す。図３は、当該ＰＤＰ２００の分解斜視図である。図４は、当該ＰＤＰ２００の縦断面図（図３、Ｉ－Ｉ線断面図）である。

　ＰＤＰ２００は、保護層７がＭｇＯからなり、上述した化合物粉末２０が保護層７上に粒子の形態で配置されていること以外は、ＰＤＰ１００と同様の構造を有する。ＰＤＰ２００においても、化合物粉末２０は、放電空間１４に面しており、当該放電空間１４に臨むように配置されている。

　このような構成を持つＰＤＰ２００においても、ＰＤＰ１００と同様に優れた画像表示性能の発揮と低電力駆動の両立効果が発揮される。これに加え、ＭｇＯからなる層７を利用していることにより、当該層７の諸特性（良好な耐イオン衝撃性による誘電体層６の保護効果と長寿命化等）が併せて発揮されるメリットを有している。

　＜ＰＤＰの製造方法＞
　次に、本発明の化合物粉末を散布したＰＤＰの作製方法について、一例を挙げて説明する。なお、以下のＰＤＰの製造方法は例示に過ぎず、同一の発明の範囲内において適宜変更が可能である。

　まず、前面板を作製する。平坦な前面ガラス基板２の一主面に、複数のライン状の透明電極３を形成する。引き続き、透明電極３上に銀ペーストを塗布した後、当該基板全体を加熱することによって銀ペーストを焼成し、バス電極４を形成して表示電極５を得る。

　表示電極５を覆うように、前面ガラス基板２の上記主面に誘電体層用ガラスを含むガラスペーストをブレードコーター法によって塗布する。その後、当該基板全体を９０℃で３０分間保持してガラスペーストを乾燥させ、次いで、５８０℃前後の温度で１０分間焼成を行う。これにより誘電体層６を得る。

　次に、実施の形態１の構成を得る場合には、ＭｇＯからなる保護層のかわりに、上述した化合物を厚膜として形成する。具体的には化合物粉末をビヒクルや溶媒等と混合して、比較的化合物粉末含有率の高いペースト状とし、これを印刷法等の方法で誘電体層６の表面に薄く広げて塗布する。その後は焼成して厚膜状とする。

　或いは実施の形態２の構成を得る場合には、誘電体層６の上にＭｇＯからなる保護層７を形成し、その表面に化合物粉末を散布する。まず、誘電体層上に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を電子ビーム蒸着法によって成膜し、保護層７を形成する。続いて、ＭｇＯからなる保護層７の表面に化合物粉末２０を配設する。その配設方法としては、比較的化合物粉末含有率の低いペーストを用意して印刷法等により塗布する方法、溶媒に粉末を分散させて散布する方法、スピンコーター等を用いる方法等で化合物粉末を保護層７上に配置した後、これを５００度前後の温度で焼成する方法が例示できる。

　このうち、印刷法に基づく場合には、エチルセルロース等のビヒクルに本発明の化合物粉末２０を混合し、ペースト状としたものを調整する。これをＭｇＯからなる保護層７上に印刷法等により塗布する。ペースト塗布後はこれを乾燥させ、５００℃前後の温度で焼成する。これにより、所定の化合物粉末２０からなる散布層が形成される。

　以上で前面板が作製される。

　上記前面板とは別工程で、背面板を作製する。平坦な背面ガラス基板の一主面に、銀ペーストをライン状に複数本塗布した後、背面ガラス基板全体を加熱して銀ペーストを焼成することによって、アドレス電極を形成する。

　隣り合うアドレス電極の間にガラスペーストを塗布し、背面ガラス基板全体を加熱してガラスペーストを焼成することによって、隔壁を形成する。

　隣り合う隔壁同士の間に、Ｒ、Ｇ、Ｂ各色の蛍光体インクを塗布し、背面ガラス基板を約５００℃に加熱して上記蛍光体インクを焼成することによって、蛍光体インク内の樹脂
成分（バインダー）等を除去して蛍光体層を形成する。

　こうして得た前面板と背面板とを封着ガラスを用いて貼り合わせる。この時の温度は５００℃前後である。その後、封止された内部を高真空排気した後、希ガスからなる所定の放電ガスを封入する。

　以上の各製造工程を経ると、本発明のＰＤＰが得られる。

　＜実施例の性能評価実験＞
　以下、本発明の化合物及びこれを用いたPDPについて行った性能評価実験について、さらに詳細に説明する。

実験１

[結晶性化合物の化学安定性の評価］
　固相粉末法に基づき、ＳｒＯ、ＢａＯの原料粉末にＣｅＯ_２粉末を反応させて合成した結晶性化合物について、化学的安定性の改善効果を評価した。

　出発原料として、試薬特級以上のＣａＣＯ_３、ＳｒＣＯ_３、ＢａＣＯ_３およびＣｅＯ_２を用いた。これらの原料を、各金属イオンのモル比が表１に示す値になるように秤量し、ボールミルを用いて湿式混合した。その後、乾燥することにより、混合粉末を得た（試料Ｎｏ．２～６）。

　これらの混合粉末を白金坩堝に入れ、電気炉にて空気中で１１００℃～１３００℃で２時間焼成した。得られた粉末の平均粒径を測定し、粒径の大きいものについては、エタノールを溶媒に用いて湿式ボールミル粉砕した。いずれの組成においても、平均粒径を約３μｍとした。この粉砕して得られた粉末の一部をＸ線回折法を用いて分析し、生成相を同定した。

　次に、粉砕粉末の一部を秤量した後、吸湿性のない多孔質のセルに充填し、このセルを温度３５℃湿度６０％空気中の恒温恒湿槽に入れて１２時間放置した。放置後、再度重量を測定し、重量増加率を測定した。その後、さらに温度６５℃湿度８０％の空気中の恒温恒湿槽に入れて１２時間放置した。放置後、再度重量を測定し、重量増加率（積算値）を算出した。このときの重量増加率が低いほど、化合物が、化学的安定性に優れていることを意味する。一部の試料に対しては、恒温恒湿槽処理後のＸ線回折測定も行った。

　また比較のため、試料Ｎｏ．０としてＭｇＯ粉末、試料Ｎｏ．７としてＣｅＯ_２の代わりに同じ４価金属の酸化物であるＳｉＯ_２を用いて、ＳｒＣＯ_３と反応させた試料について、同様の重量増加率を測定した。

　表１に示す結果から、生成相のＸ線回折による分析では、ＣｅＯ_２と反応させない試料Ｎｏ．１～３の内、試料Ｎｏ．１はＣａＯの生成が認められた。しかし、試料Ｎｏ．２はＳｒＯに一部Ｓｒ（ＯＨ）_２が混在しており、試料Ｎｏ．３はＢａＯ自体は観察されず、Ｂａ（ＯＨ）_２とＢａＣＯ_３の混合物であった。これは、ＣａＯよりＳｒＯ、ＳｒＯよりＢａＯとなるほど化学的に不安定となるために、焼成後の冷却中に空気中の水分や炭酸ガスと反応し、水酸化物や炭酸塩となったものと考えられる。試料Ｎｏ．３では、既にＢａＯが存在しなかったので最も不安定であることは明白であり、恒温恒湿槽での重量増加率測定は行わなかった。

　試料Ｎｏ．４では、ＣａＯとＣｅＯ_２の混合物となった。これは、両者の化合物が存在しないためである。

　一方、試料Ｎｏ．５、６、７については、それぞれ目的のＳｒＣｅＯ_３、ＢａＣｅＯ_３、ＳｒＳｉＯ_３化合物の生成が認められた。

　次に、恒温恒湿処理における重量増加率測定を行った結果をみると、試料Ｎｏ．１のＣａＯ、Ｎｏ．２のＳｒＯでは、３５℃６０％１２ｈ放置でも増加率が非常に大きく、処理後の各試料のＸ線回折では、酸化物の回折ピークは消失し、水酸化物と炭酸塩の生成が認められた。この結果より、Ｎｏ．１のＣａＯ、Ｎｏ．２のＳｒＯのいずれもＮｏ．３のＢａＯについで不安定であることは明白であるため、これらの試料について６５℃８０％１２ｈの追加条件の実験は行わなかった。

　また、試料Ｎｏ．４も、３５℃６０％１２ｈ放置でも増加率が非常に大きく、処理後の試料のＸ線回折では、ＣａＯの回折ピークは消失し、Ｃａ（ＯＨ）_２、ＣａＣＯ_３とＣｅＯ_２の混合物となった。これはＣａＯとＣｅＯ_２が化合物を形成しないためである。

　一方、試料Ｎｏ．５、６は、試料Ｎｏ．１～４に比べて重量増加率が小さくなっており、６５℃８０％１２ｈの条件でも重量増加は僅かであった。さらに処理後のＸ線回折でも、それぞれＳｒＣｅＯ_３、ＢａＣｅＯ_３の回折ピークのみが認められ、比較例である試料Ｎｏ．０のＭｇＯと同程度の安定性が確認された。

　また、試料Ｎｏ．７の試料は、重量増加は若干大きくなったが、試料Ｎｏ．２に比べれば少なく、処理後のＸ線回折でもＳｒＳｉＯ_３の回折ピークのみが認められ、比較的安定であった。

　［ＸＰＳによる評価］
　ＰＤＰの放電空間に臨むように化合物粉末を配設する場合、配設した化合物粉末を安定に保つとともに、保護層の二次電子放出係数を低下させないことが重要である。しかしながら、ＰＤＰにおける二次電子放出係数を当該化合物粉末に対して直接測定することは容易ではない。その間接的な証拠としては、ＰＤＰの放電電圧が低下するのを確認すれば良いが、全ての材料に対してＰＤＰを作製するのも容易ではない。

　そこで発明者等は詳細な検討の結果、ＸＰＳ（Ｘ－ｒａｙ　Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ測定、以下ＸＰＳと略す）により、価電子帯端のエネルギー位置と、炭酸塩起因のカーボン量を測定比較することにより、ＰＤＰの放電電圧を低下させることのできる材料の選別が、ある程度可能であることを見出した。ＸＰＳは、試料表面にＸ線を照射して放出される電子のスペクトルを測定するものであり、その分析深さは、通常数原子～十数原子層とされている。これにより、ＰＤＰにおける二次電子放出に係る深さと比較的近い深さの試料の表面の情報が得られる。

　二次電子放出係数は、一般にバンドギャップ幅と電子親和力の和が小さいほど大きくなるとされている。価電子帯端のエネルギー位置が低エネルギー側にあるほどバンドギャップ幅は小さくなるので、二次電子放出係数は大きくなることとなる。

　一方、試料表面の炭酸塩起因のカーボン量は、アルカリ土類金属を含む化合物において、表１の吸湿性測定よりも、より感度の高い、化学的安定性の指標である。試料が化学的に不安定であれば、空気中の炭酸ガスと反応して、表面カーボン量は増加する。表面カーボン量がある程度以上多いと、粒子表面が、ＢａＣＯ_３等の、二次電子放出係数の低いアルカリ土類炭酸塩で完全に覆われてしまうことになる。そして、たとえ価電子帯端のエネルギー位置が低エネルギー側にあっても、高い二次電子放出係数は得られない。

　よってＸＰＳを利用すれば、価電子帯端のエネルギー位置と、炭酸塩起因のカーボン量を測定比較することにより、ＰＤＰの放電電圧を低下させることのできる材料の選別が、ある程度可能であると思われる。

　そこで次に、その目安となるＸ－ｒａｙ　Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ測定（以下ＸＰＳと略す）を試料Ｎｏ．０～７について行った。

　図５に、表１の試料Ｎｏ．０、２、５、７、すなわちＭｇＯ、ＳｒＯ、ＳｒＣｅＯ_３、ＳｒＳｉＯ_３の価電子帯端の、また図６には当該試料のＣ１ｓ軌道のＸＰＳスペクトルを示す。当図では、バックグラウンドノイズは差し引いて示している。図５より、ＭｇＯに比較して、ＳｒＯの価電子帯端位置は同程度、ＳｒＳｉＯ_３は少し高エネルギー側にあり、ＳｒＣｅＯ_３は大幅に低エネルギー側にあることが分かる。

　一方、図６において、炭酸化合物起因のＣのピークは２８８～２９０ｅＶ付近に現れるが、ＳｒＯのピークはＭｇＯよりも遥かに高い。ＳｒＳｉＯ_３とＳｒＣｅＯ_３の各ピークも、ＭｇＯのピークより高いが、ＳｒＯのピークよりは遥かに低い。

　ＳｒＯは、本来ＭｇＯよりも高γなので、図５の価電子帯端位置は、より低エネルギー側に出るはずである。しかし実験結果がそうならないのは、図６のように、表面Ｃ量が非常に多く、表面は既にＳｒＯではなく、ＳｒＣＯ_３となっているためと考えられる。一方、ＳｒＳｉＯ_３は、Ｃ量はあまり多くないにもかかわらず、価電子帯端位置はＭｇＯより高エネルギー側にある。これは、ＳｒＯがＳｉＯ_２と化合物を形成することによって安定化はされているが、γも低下してしまっていることを示している。

　これらに対して、ＳｒＣｅＯ_３は表面Ｃ量はＳｒＯよりずっと少ないことから安定化されており、価電子帯端位置がＭｇＯよりずっと低エネルギー側にあることから、二次電子放出効率が高くなることが期待される。

　次に、表１の各種の化合物（試料Ｎｏ．０～７）について、ＸＰＳを測定した結果を表２に示す。表２中では、価電子帯端位置とＣ量を半定量的に示すために、３ｅＶおよび２ｅＶにおけるＸＰＳのＩｎｔｅｎｓｉｔｙ（大きいほど低エネルギーシフトで二次電子放出特性が優れる）と、２８８～２９０ｅＶ付近に現れる、炭酸化合物起源のＣ１ｓピークのＩｎｔｅｎｓｉｔｙ（小さいほど化学的に安定）を示す。表２中に示す値は、いずれもバックグラウンド値を差し引いたものである。

　表２に示す結果では、本発明の化合物（試料Ｎｏ．５、６）は、３ｅＶおよび２ｅＶのＸＰＳ　ＩｎｔｅｎｓｉｔｙがＮｏ．１～３のアルカリ土類単独のものに比べて大きく、かつＣ量が少ないことが確認できた。しかしながら、試料Ｎｏ．５、６は試料Ｎｏ．０のＭｇＯに比べるとＣ量は多いことが分かった。

実験２

　次に、ＢａＣｅＯ_３を中心に、各化合物について元素の置換を行ったことによる効果を評価した。

　実験１と同様の方法で、出発原料として試薬特級以上のＳｒＣＯ_３、ＢａＣＯ_３、ＣｅＯ_２および各種金属の酸化物を用いた。これらの各原料を、各元素比が、表３に示すようになるように秤量し、混合、乾燥、焼成して、各種の化合物粉末を合成した（試料Ｎｏ．１１～１６）。そして、これら生成した化合物について、Ｘ線回折による同定、比表面積の測定、ＸＰＳの測定を行った。

　表３に示すように、試料Ｎｏ．１１～１３は、ＣｅをＩｎで置換していったものである。試料Ｎｏ．１４はＣｅをＹで、試料Ｎｏ．１５と試料Ｎｏ．１６はＣｅをＳｎで、それぞれ部分置換したものである。試料Ｎｏ．６のＢａＣｅＯ_３を含め、Ｘ線回折では、これらは全てペロブスカイト型構造の回折パターンを示した。

　試料Ｎｏ．１１～１４の結果から、ＣｅをＩｎやＹで部分置換すると、２ｅＶにおけるＸＰＳの強度が大きくなり、表面Ｃ量が減少することが分かった。しかし、試料Ｎｏ．１２のように置換量が多すぎると、２ｅＶにおけるＸＰＳの強度は逆に低下し、Ｃ量も増加し始める。さらにＣｅをＩｎで全置換した試料Ｎｏ．１３では、２ｅＶ強度、Ｃ量とも、置換を行わなかった試料Ｎｏ．６より劣化することが確認できた。

　次に試料Ｎｏ．１５、１６の結果より、ＣｅをＳｎで部分置換すると、表面Ｃ量は減少するが、置換量が増えると、２ｅＶにおけるＸＰＳの強度は若干低下した。

　以上のように、Ｃｅの３価または４価金属イオンによる置換は、２ｅＶ強度やＣ量を改善する効果が認められた。また、ここでは例は挙げないが、同様の効果は、ＳｒＣｅＯ_３のＣｅの置換においても認められた。この実験により、Ｃｅを置換する３価金属としては、ＩｎまたはＹを含む希土類金属のいずれかが好適であると考えられる。

実験３

　次に、本発明の化学的安定性が改善された化合物を用いたＰＤＰについて性能評価した。
［ＰＤＰの作製］
　厚さ約２．８ｍｍの平坦なソーダライムガラスからなる前面ガラス基板を用意した。この前面ガラス基板の面上に、ＩＴＯ（透明電極）の材料を所定のパターンで塗布し、乾燥した。次いで、銀粉末と有機ビヒクルとの混合物である銀ペーストをライン状に複数本塗布した。その後、上記前面ガラス基板を加熱することにより、上記銀ペーストを焼成して表示電極を形成した。

　表示電極を作製したフロントパネルに、ガラスペーストをブレードコーター法を用いて塗布した。その後、９０℃で３０分間保持してガラスペーストを乾燥させ、５８５℃の温度で１０分間焼成することによって、厚さ約３０μｍの誘電体層を形成した。

　上記誘電体層上に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を電子ビーム蒸着法によって蒸着した後、５００℃で焼成して保護層を形成した。

　次に、表２、表３に示した粉末のうちの何種かの粉末を約２重量部とし、これとエチルセルロース系のビヒクル１００重量部と混合し、３本ロールを通してペーストとした。ペーストを印刷法に基づき、保護層（下地膜）上に薄く塗布した後、１２０℃で乾燥させた。その後は５００℃にて空気中で焼成した。この際、ペーストの濃度調整により、焼成後に保護層が粉末で被覆される割合を１５％程度に調整した。なお比較のため、ＭｇＯからなる保護層のみを備え、その上にペーストを印刷しない構成（試料Ｎｏ．０）も作製した。

　一方、以下の方法で背面板を作製した。まず、ソーダライムガラスからなる背面ガラス基板上にスクリーン印刷によって銀を主体とするアドレス電極をストライプ状に形成し、引き続き、前面板と同様の方法で、厚さ約８μｍの誘電体層を形成した。

　次に、誘電体層上に、隣り合うアドレス電極の間に、ガラスペーストを用いて隔壁を形成した。隔壁は、スクリーン印刷および焼成を繰り返すことによって形成した。

　引き続き、隔壁の壁面と隔壁間で露出している誘電体層の表面に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の蛍光体ペーストを塗布し、乾燥および焼成して蛍光体層を作製した。

　作製した前面板、背面板を封着ガラスを用いて５００℃で貼り合わせた。そして、放電空間の内部を排気した後、放電ガスとしてＸｅを封入し、ＰＤＰを作製した（ＰＤＰの試料Ｎｏ．０、５～７、１１～１６）。

　作製した各ＰＤＰを駆動回路に接続してエージングを行った。エージング時間が５０時間及び２００時間のぞれぞれに達したときに放電維持電圧を測定した。ここでエージング処理は、ＭｇＯ膜や散布粉末の表面を、スパッタリングにより、ある程度清浄化するために行うものである。ＰＤＰの製造工程ではエージング処理は普通に実施され、これを行わないパネルは、粉末散布の有無にかかわらず、駆動電圧が高いものとなる。

　このエージング処理が駆動電圧に及ぼす結果を表４に示す。

　ＭｇＯからなる保護層の上に粉末を配置しない比較例の試料Ｎｏ．０と比較して、保護層の上にＳｒＣｅＯ_３、ＢａＣｅＯ_３を散布した実施例のパネル（試料Ｎｏ．５、６）では、エージング初期の電圧こそ高いが、エージング時間の延長に伴って低電圧化が図られており、本発明の効果を確認できた。一方、保護層上にＳｒＳｉＯ_３を散布した比較例のＮｏ．７は、下ＭｇＯからなる保護層の上に粉末を配置しない比較例の試料Ｎｏ．０と、ほとんど差が見られなかった。

　次に、ＢａＣｅＯ_３のＣｅをＩｎ、Ｙ、Ｓｎによって置換した実施例の試料Ｎｏ．１１～１６では、いずれもエージング処理を５０時間にわたり行った場合の電圧上昇が比較的低く抑えられ、エージングが比較的短時間で良いことが分かる。エージングが時間が長く必要だと、それだけ生産性が低下して、コスト上昇にもつながる可能性があるが、このようにＢａＣｅＯ_３のＣｅをＩｎ、Ｙ、Ｓｎによって置換することによる、本発明の改善効果も確認することができた。

実験４

　次に、ＭｇＯからなる保護層上に対し、ＳｒＣｅＯ_３粉末を、被覆率を変えて散布した場合のＰＤＰの特性を評価した。

　具体的には実験１と同様の方法で、ＳｒとＣｅの比率を０．９９５：１として配合し、空気中１１５０℃で２時間焼成し、粒径約１μｍの粉末を合成した。得られた粉末より、実験１と同様の方法で、ペースト濃度が表５の試料Ｎｏ．２１～２６に示す値となる６種類の印刷用ペーストを作製した。また、表５の試料Ｎｏ．３１に示すように、ＳｒＣｅＯ_３粉末１％と、放電遅れ改善用のＭｇＯ粉末２％を含むペーストも作製した。これらのペーストより、実験１と同様の方法で、ＭｇＯからなる保護層上に所定の被覆率で粉末が散布された７種類のＰＤＰを作製した。この各ＰＤＰについて、粉末によるＭｇＯ層の被覆率を測定した。、また実験３と同様に、各ＰＤＰについてエージング処理を行い、エージング時間が５０時間後および２００時間後のに達したときの各放電電圧を測定した。この測定結果を表５に示した。

　表５に示す結果から、ＭｇＯからなる保護層の上にペーストを塗布してＳｒＣｅＯ_３粉末を散布した場合、ペーストの濃度にかかわらず、エージング２００ｈ後では、散布しないもの（試料Ｎｏ．０）に対して放電電圧が低電圧化することが確認できる（試料Ｎｏ．２１～３１）。

　ペースト濃度が濃いほど保護層に対する粉末の被覆率が高くなるのは当然であるが、ペースト濃度に比例してエージング５０ｈ後の時点の放電電圧が高くなるとともに、低電圧化に必要とするエージング時間が長くなる傾向が認められた。

　このように、エージング５０ｈ後の時点での放電電圧は、ペースト濃度が高く、被覆率が高いほど高くなる傾向がある。特に１００％に近い被覆率となる試料Ｎｏ．２６では、エージング２００ｈ後でも、電圧低下効果は認められるが、比較的小さな効果に留まっている。これは、被覆率が高いほど粉末量が多くなるため、その分、粉末表面のクリーニングに長時間が必要となり、結果として若干の残留物が生じたのが影響したものと考えられる。

　一方、被覆率１．１％の試料Ｎｏ．２１は、短時間のエージングでも低電圧化してはいるものの、その低下幅が少ない。これは粉末量が少ないため、その粉末量に応じて低電圧効果が小さく抑えられたものと考えられる。

　なお、ＭｇＯ粉末が同時に散布されている試料Ｎｏ．３１においても、ＭｇＯ粉末のない試料Ｎｏ．２２と同程度の電圧低下が認められた。これにより、ＭｇＯ粉末をＳｒＣｅＯ_３粉末と併用しても、何ら悪影響はなく、ＳｒＣｅＯ_３粉末を用いたことによる良好な効果が得られることが確認できた。

　以上の実験結果と発明者等の検討によれば、被覆率が１．０％を切ると、低電圧化の効果が少なくなり過ぎる。一方、被覆率が２０％を越えると、エージング時間が長くなり過ぎる。

　よって本発明では、保護層に対する前記粉末の被覆率としては、１．０％以上２０％以下の範囲が望ましいと考えられる。

　本発明は、公共施設や家庭用テレビ等に幅広く利用でき、この場合に放電特性が改善されたプラズマディスプレイパネルを提供できるなど、その利用可能性は極めて広いといえる。

　１　　前面板
　２　　前面ガラス基板
　３　　透明導電膜
　４　　バス電極
　５　　表示電極
　６　　誘電体層
　７　　保護層
　８　　背面板
　９　　背面ガラス基板
　１０　　アドレス電極
　１１　　誘電体層
　１２　　隔壁
　１３　　蛍光体層
　１４　　放電空間
　２０　　化合物
　１００、２００　　プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）

Claims

　複数の電極と蛍光体を備え、前記複数の電極のいずれかの間に電圧を印加して放電空間内で放電させ、当該放電を前記蛍光体で可視光に変換して発光するプラズマディスプレイパネルであって、
　前記放電空間に臨む領域に、ＳｒＣｅＯ_３、ＢａＣｅＯ_３から選択される一種類以上、あるいはこれら相互の固溶体よりなる結晶性酸化物を配した
　プラズマディスプレイパネル。
　前記結晶性酸化物に含まれるＣｅの一部が、３価金属または４価金属によって置換されている
　請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
　前記３価金属がＩｎまたは希土類金属である
　請求項２に記載のプラズマディスプレイパネル。
　前記４価金属がＳｎである
　請求項２に記載のプラズマディスプレイパネル。
　複数の第一電極が形成された第一基板の表面に、前記第一電極を覆うように第一誘電体層が形成され、前記第一誘電体層上に保護層が形成された第一パネルと、複数の第二電極が形成された第二基板の表面に、前記第二電極を覆うように第二誘電体層が形成され、第二誘電体層の上に蛍光体層が形成されてなる第二パネルを有し、
　前記保護層が請求項１記載の結晶性酸化物を用いて構成され、
　第一パネルと第二パネルとが放電空間を挟んで対向配置されたプラズマディスプレイパネル。
　前記保護層上には、さらにＭｇＯからなる材料が、粉末粒子の状態で前記材料とともに分散配置されている
　請求項５に記載のプラズマディスプレイパネル。
　複数の第一電極が形成された第一基板の表面に、前記第一電極を覆うように第一誘電体層が形成され、前記第一誘電体層上保護層が形成された第一パネルと、複数の第二電極が形成された第二基板の表面に、前記第二電極を覆うように第二誘電体層が形成され、第二誘電体層の上に蛍光体層が形成されてなる第二パネルを有し、
　保護層の表面に、請求項１記載の結晶性酸化物が粉末粒子の状態で分散配置され、
　第一パネルと第二パネルとが放電空間を挟んで対向配置されたプラズマディスプレイパネル。
　保護層に対する前記結晶性酸化物の被覆率が１％以上２０％以下である
　請求項７に記載のプラズマディスプレイパネル。
　保護層の表面に、前記結晶性酸化物の粉末粒子とともに、ＭｇＯからなる材料が粉末粒子の状態で分散配置されている
　請求項７に記載のプラズマディスプレイパネル。
　前記結晶性酸化物の上に、ＭｇＯからなる材料が、粉末粒子の状態で分散配置されている
　請求項７に記載のプラズマディスプレイパネル。