JP2003013247A - 無電解銅めっき浴及び高周波用電子部品 - Google Patents
無電解銅めっき浴及び高周波用電子部品Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】セラミック表面の粗さが小さくて平滑な表面で
あっても銅めっき膜の良好な密着性を確保することが可
能であるとともに、高周波電導性が良好でＱ値の高い高
周波用電子部品を作製することができる無電解銅めっき
浴と、この無電解銅めっき浴を使用して作製された高周
波用電子部品とを提供する。 【解決手段】本発明にかかる無電解銅めっき浴は、銅イ
オンと、ニッケルイオンと、ホルムアルデヒドまたはそ
の誘導体と、酒石酸またはその塩とを含んでいることを
特徴とする。そして、銅イオンの１００モルに対するニ
ッケルイオンの添加量は、０．０１〜１．０モルの範囲
内とされている。また、本発明にかかる高周波用電子部
品は、上記の無電解銅めっき浴を使用しためっき処理に
よって形成された銅めっき膜を有していることを特徴と
する。
あっても銅めっき膜の良好な密着性を確保することが可
能であるとともに、高周波電導性が良好でＱ値の高い高
周波用電子部品を作製することができる無電解銅めっき
浴と、この無電解銅めっき浴を使用して作製された高周
波用電子部品とを提供する。 【解決手段】本発明にかかる無電解銅めっき浴は、銅イ
オンと、ニッケルイオンと、ホルムアルデヒドまたはそ
の誘導体と、酒石酸またはその塩とを含んでいることを
特徴とする。そして、銅イオンの１００モルに対するニ
ッケルイオンの添加量は、０．０１〜１．０モルの範囲
内とされている。また、本発明にかかる高周波用電子部
品は、上記の無電解銅めっき浴を使用しためっき処理に
よって形成された銅めっき膜を有していることを特徴と
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、無電解銅めっき浴
と、この無電解銅めっき浴を使用して形成された銅めっ
き膜を有する高周波用電子部品とに関する。
と、この無電解銅めっき浴を使用して形成された銅めっ
き膜を有する高周波用電子部品とに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、高周波用導体として用いられ
る銅めっき膜を形成する際には、銅イオンを含む水溶液
であり、かつ、還元剤としてのホルムアルデヒドと、錯
化剤としてのＥＤＴＡとを含んでなるアルカリ性の無電
解銅めっき浴を使用するのが一般的である。また、８０
０〜２０００ＭＨｚ帯で使用される誘電体同軸共振器や
２０〜３０ＧＨｚ帯で使用されるミリ波用共振器などの
ような高周波用電子部品では、無電解銅めっき浴を使用
して形成された膜厚２〜４μｍ程度の銅めっき膜が電極
として利用されている。
る銅めっき膜を形成する際には、銅イオンを含む水溶液
であり、かつ、還元剤としてのホルムアルデヒドと、錯
化剤としてのＥＤＴＡとを含んでなるアルカリ性の無電
解銅めっき浴を使用するのが一般的である。また、８０
０〜２０００ＭＨｚ帯で使用される誘電体同軸共振器や
２０〜３０ＧＨｚ帯で使用されるミリ波用共振器などの
ような高周波用電子部品では、無電解銅めっき浴を使用
して形成された膜厚２〜４μｍ程度の銅めっき膜が電極
として利用されている。
【０００３】ところで、高周波用電子部品、例えば、そ
の一例である誘電体共振器においては、銅めっき膜の有
する導電性が良好であるとともに、これらの銅めっき膜
にフクレが発生しておらず、セラミックに対する銅めっ
き膜の密着性が良好であることが重要となる。そして、
ＥＤＴＡを含んでいる従来の無電解銅めっき浴では、フ
ッ酸を含んだエッチング剤を用いてセラミック素体の表
面を予め強くエッチングしておくことにより、セラミッ
ク表面の凹凸によるアンカー効果を最大限利用しながら
銅めっき膜の密着性を確保するようにしている。
の一例である誘電体共振器においては、銅めっき膜の有
する導電性が良好であるとともに、これらの銅めっき膜
にフクレが発生しておらず、セラミックに対する銅めっ
き膜の密着性が良好であることが重要となる。そして、
ＥＤＴＡを含んでいる従来の無電解銅めっき浴では、フ
ッ酸を含んだエッチング剤を用いてセラミック素体の表
面を予め強くエッチングしておくことにより、セラミッ
ク表面の凹凸によるアンカー効果を最大限利用しながら
銅めっき膜の密着性を確保するようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、強いエ
ッチングによってセラミック表面の粗さが大きくなって
いると、高周波電導性が低下し、電極となる銅めっき膜
自体の有するＱ値（共振の先鋭度）、いわゆるＱc 値は
勿論のこと、誘電体共振器の有するＱ値、いわゆるＱo
値までもが低下してしまう。そこで、このような不都合
を避ける必要上、ＥＤＴＡを含んだ従来の無電解銅めっ
き浴を使用する場合でもセラミック素体の表面に対する
エッチングを弱めることとし、セラミック表面の凹凸を
小さくすることが考えられている。
ッチングによってセラミック表面の粗さが大きくなって
いると、高周波電導性が低下し、電極となる銅めっき膜
自体の有するＱ値（共振の先鋭度）、いわゆるＱc 値は
勿論のこと、誘電体共振器の有するＱ値、いわゆるＱo
値までもが低下してしまう。そこで、このような不都合
を避ける必要上、ＥＤＴＡを含んだ従来の無電解銅めっ
き浴を使用する場合でもセラミック素体の表面に対する
エッチングを弱めることとし、セラミック表面の凹凸を
小さくすることが考えられている。
【０００５】ところが、セラミック表面の凹凸を小さく
したうえでのめっき処理を施した際には、銅めっき膜に
フクレが発生し、セラミック素体に対する銅めっき膜の
良好な密着性を確保できなくなってしまう。そして、こ
のような事態が生じるのは、無電解銅めっき浴に含まれ
た還元剤であるホルムアルデヒドの分解に伴って水素が
激しく発生し、発生した水素がセラミック素体の表面に
存在する小さな凹凸の内部への銅の析出を阻害すること
となり、アンカー効果を弱めるためであると考えられ
る。
したうえでのめっき処理を施した際には、銅めっき膜に
フクレが発生し、セラミック素体に対する銅めっき膜の
良好な密着性を確保できなくなってしまう。そして、こ
のような事態が生じるのは、無電解銅めっき浴に含まれ
た還元剤であるホルムアルデヒドの分解に伴って水素が
激しく発生し、発生した水素がセラミック素体の表面に
存在する小さな凹凸の内部への銅の析出を阻害すること
となり、アンカー効果を弱めるためであると考えられ
る。
【０００６】本発明はこのような不都合に鑑みて創案さ
れたものであり、セラミック表面が粗さの小さい平滑な
表面であったとしても銅めっき膜の良好な密着性を確保
することが可能であるとともに、高周波電導性が良好と
なってＱo 値の高い高周波用電子部品を作製することが
できる無電解銅めっき浴と、この無電解銅めっき浴を使
用して作製された高周波用電子部品との提供を目的とし
ている。
れたものであり、セラミック表面が粗さの小さい平滑な
表面であったとしても銅めっき膜の良好な密着性を確保
することが可能であるとともに、高周波電導性が良好と
なってＱo 値の高い高周波用電子部品を作製することが
できる無電解銅めっき浴と、この無電解銅めっき浴を使
用して作製された高周波用電子部品との提供を目的とし
ている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１にかか
る無電解銅めっき浴は、銅イオンと、ニッケルイオン
と、ホルムアルデヒドまたはその誘導体と、酒石酸また
はその塩とを含んでいることを特徴とする。そして、本
発明の請求項２にかかる無電解銅めっき浴は請求項１に
記載したものであり、銅イオンの１００モルに対するニ
ッケルイオンの添加量が０．０１〜１．０モルの範囲内
であることを特徴としている。
る無電解銅めっき浴は、銅イオンと、ニッケルイオン
と、ホルムアルデヒドまたはその誘導体と、酒石酸また
はその塩とを含んでいることを特徴とする。そして、本
発明の請求項２にかかる無電解銅めっき浴は請求項１に
記載したものであり、銅イオンの１００モルに対するニ
ッケルイオンの添加量が０．０１〜１．０モルの範囲内
であることを特徴としている。
【０００８】錯化剤としての酒石酸またはその塩を含ん
でおり、ニッケルを添加していない無電解銅めっき浴で
は、銅の析出が進行しないままでめっき処理が停止して
しまうため、２μｍ以上の膜厚を有する銅めっき膜を形
成できないのが実状である。にも拘わらず、ニッケルを
添加した本発明にかかる無電解銅めっき浴であれば、ニ
ッケルが銅の析出触媒として作用することになり、銅を
持続的に析出させることが可能になるため、高周波用導
体として一般的な膜厚の厚い銅めっき膜を容易に形成し
得る。
でおり、ニッケルを添加していない無電解銅めっき浴で
は、銅の析出が進行しないままでめっき処理が停止して
しまうため、２μｍ以上の膜厚を有する銅めっき膜を形
成できないのが実状である。にも拘わらず、ニッケルを
添加した本発明にかかる無電解銅めっき浴であれば、ニ
ッケルが銅の析出触媒として作用することになり、銅を
持続的に析出させることが可能になるため、高周波用導
体として一般的な膜厚の厚い銅めっき膜を容易に形成し
得る。
【０００９】また、表面粗さが小さいセラミック素体に
対するめっき処理であっても、本発明にかかる無電解銅
めっき浴ならば、添加したニッケルと錯化剤である酒石
酸との作用によってホルムアルデヒドの分解に伴う水素
の発生量が少なくなり、セラミック表面に存在する小さ
な凹凸の内部へも銅が析出しやすくなるため、銅めっき
膜にフクレが発生せず、セラミック素体に対する銅めっ
き膜の強固な密着性が確保される。なお、ニッケルの添
加量は微量であるから、純粋な銅とほぼ同等の電導性が
得られる。さらにまた、微量に添加されたニッケルは、
酸素を介したうえでセラミック素体に対する銅めっき膜
の密着性を高める作用も発揮する。
対するめっき処理であっても、本発明にかかる無電解銅
めっき浴ならば、添加したニッケルと錯化剤である酒石
酸との作用によってホルムアルデヒドの分解に伴う水素
の発生量が少なくなり、セラミック表面に存在する小さ
な凹凸の内部へも銅が析出しやすくなるため、銅めっき
膜にフクレが発生せず、セラミック素体に対する銅めっ
き膜の強固な密着性が確保される。なお、ニッケルの添
加量は微量であるから、純粋な銅とほぼ同等の電導性が
得られる。さらにまた、微量に添加されたニッケルは、
酸素を介したうえでセラミック素体に対する銅めっき膜
の密着性を高める作用も発揮する。
【００１０】本発明の請求項３にかかる高周波用電子部
品は、請求項１または請求項２に記載の無電解銅めっき
浴を使用したうえでのめっき処理によって形成された銅
めっき膜を有していることを特徴とする。また、本発明
の請求項４にかかる高周波用電子部品は、誘導体セラミ
ックと、この誘導体セラミックの表面に形成された金属
膜とからなるものであって、前記金属膜は少なくともニ
ッケルイオンを含む銅を主成分としており、銅に対する
ニッケルの比率が０．０１〜１．０モル％の範囲内であ
ることを特徴としている。
品は、請求項１または請求項２に記載の無電解銅めっき
浴を使用したうえでのめっき処理によって形成された銅
めっき膜を有していることを特徴とする。また、本発明
の請求項４にかかる高周波用電子部品は、誘導体セラミ
ックと、この誘導体セラミックの表面に形成された金属
膜とからなるものであって、前記金属膜は少なくともニ
ッケルイオンを含む銅を主成分としており、銅に対する
ニッケルの比率が０．０１〜１．０モル％の範囲内であ
ることを特徴としている。
【００１１】このような高周波用電子部品、その一例と
しての誘電体共振器は、高周波用導体として好ましい銅
めっき膜、つまり、膜厚の厚い銅めっき膜からなる電極
を有している。従って、高周波電導性が良好であり、か
つ、高いＱo 値が得られるという利点が確保される。
しての誘電体共振器は、高周波用導体として好ましい銅
めっき膜、つまり、膜厚の厚い銅めっき膜からなる電極
を有している。従って、高周波電導性が良好であり、か
つ、高いＱo 値が得られるという利点が確保される。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明にかかる実施の形態を説明する。
明にかかる実施の形態を説明する。
【００１３】（実施例１）実施例１にかかる無電解銅め
っき浴は、銅イオンと、ニッケルイオンと、ホルムアル
デヒドまたはその誘導体と、酒石酸またはその塩とを含
んでいることを特徴とする。そして、図１は誘電体共振
器の一部を破断して示す斜視図であり、この誘電体共振
器は、実施例１にかかる無電解銅めっき浴を使用しため
っき処理によって形成された電極としての銅めっき膜を
有している。以下、無電解銅めっき浴を使用して作製さ
れる誘電体共振器の作製手順を説明することにより、実
施例１にかかる無電解銅めっき浴と、これを使用して作
製される誘電体共振器とのそれぞれを説明する。すなわ
ち、以下においては、高周波用電子部品が誘電体共振器
であるとして説明する。
っき浴は、銅イオンと、ニッケルイオンと、ホルムアル
デヒドまたはその誘導体と、酒石酸またはその塩とを含
んでいることを特徴とする。そして、図１は誘電体共振
器の一部を破断して示す斜視図であり、この誘電体共振
器は、実施例１にかかる無電解銅めっき浴を使用しため
っき処理によって形成された電極としての銅めっき膜を
有している。以下、無電解銅めっき浴を使用して作製さ
れる誘電体共振器の作製手順を説明することにより、実
施例１にかかる無電解銅めっき浴と、これを使用して作
製される誘電体共振器とのそれぞれを説明する。すなわ
ち、以下においては、高周波用電子部品が誘電体共振器
であるとして説明する。
【００１４】実施例１にかかる誘電体共振器の作製手順
にあっては、ＢａＴｉ4Ｏ9・Ｂａ2Ｔｉ9Ｏ20とＢａＳｍ
2Ｔｉ4Ｏ12の混合系セラミックからなり、かつ、図１で
示すような円板形状を有するセラミックユニット１を試
料として用意する。なお、これらセラミックユニット１
の外直径は、２７ｍｍとされる。そして、１０００♯，
２０００♯，４０００♯，鏡面と研磨による表面粗さを
変化させつつ、厚みが５ｍｍ程度となるまでセラミック
ユニット１のそれぞれをラップ研磨する。さらに、研磨
済みとなったセラミックユニット１のそれぞれをアルカ
リ性の界面活性剤でもって洗浄し、かつ、中和した後、
パラジュウムアルカリイオン触媒に浸漬し、還元するこ
とによって活性化した。
にあっては、ＢａＴｉ4Ｏ9・Ｂａ2Ｔｉ9Ｏ20とＢａＳｍ
2Ｔｉ4Ｏ12の混合系セラミックからなり、かつ、図１で
示すような円板形状を有するセラミックユニット１を試
料として用意する。なお、これらセラミックユニット１
の外直径は、２７ｍｍとされる。そして、１０００♯，
２０００♯，４０００♯，鏡面と研磨による表面粗さを
変化させつつ、厚みが５ｍｍ程度となるまでセラミック
ユニット１のそれぞれをラップ研磨する。さらに、研磨
済みとなったセラミックユニット１のそれぞれをアルカ
リ性の界面活性剤でもって洗浄し、かつ、中和した後、
パラジュウムアルカリイオン触媒に浸漬し、還元するこ
とによって活性化した。
【００１５】また、上記の作業とは別の工程において、
銅イオンと、ニッケルイオンと、ホルムアルデヒドまた
はその誘導体（例えば、パラホルムアルデヒドやグリオ
キシル酸）と、酒石酸またはその塩とを含んでなる無電
解銅めっき浴を用意する。つまり、具体的には、表１で
示すように、銅の水溶性塩（硫酸銅：ＣｕＳＯ4・５Ｈ2
Ｏ）と、ニッケルの水溶性塩（硫酸ニッケル：ＮｉＳＯ
4・６Ｈ2Ｏ）と、錯化剤である酒石酸塩、例えば、酒石
酸ナトリウムカリウム四水和物（ロッシェル塩）（ＫＮ
ａＣ4Ｈ4Ｏ6・４Ｈ2Ｏ）と、還元剤であるホルムアルデ
ヒド（ＨＣＨＯ）とを含んでおり、各成分の１Ｌ（リッ
トル）当たりの添加量（モル）が表１中に記載の通りと
されたうえ、ＮａＯＨによってｐＨが１２．７に調整さ
れた無電解銅めっき浴を用意する。なお、この無電解銅
めっき浴には、界面活性剤としてのポリエチレングリコ
ールも添加されている。
銅イオンと、ニッケルイオンと、ホルムアルデヒドまた
はその誘導体（例えば、パラホルムアルデヒドやグリオ
キシル酸）と、酒石酸またはその塩とを含んでなる無電
解銅めっき浴を用意する。つまり、具体的には、表１で
示すように、銅の水溶性塩（硫酸銅：ＣｕＳＯ4・５Ｈ2
Ｏ）と、ニッケルの水溶性塩（硫酸ニッケル：ＮｉＳＯ
4・６Ｈ2Ｏ）と、錯化剤である酒石酸塩、例えば、酒石
酸ナトリウムカリウム四水和物（ロッシェル塩）（ＫＮ
ａＣ4Ｈ4Ｏ6・４Ｈ2Ｏ）と、還元剤であるホルムアルデ
ヒド（ＨＣＨＯ）とを含んでおり、各成分の１Ｌ（リッ
トル）当たりの添加量（モル）が表１中に記載の通りと
されたうえ、ＮａＯＨによってｐＨが１２．７に調整さ
れた無電解銅めっき浴を用意する。なお、この無電解銅
めっき浴には、界面活性剤としてのポリエチレングリコ
ールも添加されている。
【００１６】
【表１】
【００１７】引き続き、セラミックユニット１のそれぞ
れを、表１で示した無電解めっき浴に浸漬し、かつ、こ
の無電解銅めっき浴に空気を吹き込みながら３６℃の温
度下で所定の時間にわたるめっき処理を施す。すると、
各セラミックユニット１の表面上には、図１で示すよう
に、無電解銅めっき膜２が全面にわたって形成されるこ
とになり、蛍光Ｘ線膜厚計を用いて測定したところによ
れば、無電解銅めっき膜２の膜厚は約３．５μｍとなっ
ている。なお、この時、無電解銅めっき膜２が形成され
たセラミックユニット１のいずれにも、銅めっき膜２の
フクレは認められなかった。
れを、表１で示した無電解めっき浴に浸漬し、かつ、こ
の無電解銅めっき浴に空気を吹き込みながら３６℃の温
度下で所定の時間にわたるめっき処理を施す。すると、
各セラミックユニット１の表面上には、図１で示すよう
に、無電解銅めっき膜２が全面にわたって形成されるこ
とになり、蛍光Ｘ線膜厚計を用いて測定したところによ
れば、無電解銅めっき膜２の膜厚は約３．５μｍとなっ
ている。なお、この時、無電解銅めっき膜２が形成され
たセラミックユニット１のいずれにも、銅めっき膜２の
フクレは認められなかった。
【００１８】一方、錯化剤としてのＥＤＴＡを含んでな
る従来同様の無電解銅めっき浴、つまり、具体的には、
表２で示すように、硫酸銅と、ＥＤＴＡと、ホルムアル
デヒドとを含んでおり、各成分の１Ｌ（リットル）当た
りの添加量（モル）が表２中に記載の通りとされたう
え、ＮａＯＨによってｐＨが１３に調整された無電解銅
めっき浴を、実施例１で説明した無電解銅めっき浴の比
較例として用意した。なお、この無電解銅めっき浴に
も、界面活性剤としてのポリエチレングリコールが添加
されている。
る従来同様の無電解銅めっき浴、つまり、具体的には、
表２で示すように、硫酸銅と、ＥＤＴＡと、ホルムアル
デヒドとを含んでおり、各成分の１Ｌ（リットル）当た
りの添加量（モル）が表２中に記載の通りとされたう
え、ＮａＯＨによってｐＨが１３に調整された無電解銅
めっき浴を、実施例１で説明した無電解銅めっき浴の比
較例として用意した。なお、この無電解銅めっき浴に
も、界面活性剤としてのポリエチレングリコールが添加
されている。
【００１９】
【表２】
【００２０】そして、表２で示した無電解めっき浴に対
してセラミックユニット１を浸漬したうえ、膜厚が約
３．５μｍの銅めっき膜２が形成されるまで、無電解め
っき浴に対して空気を吹き込みながら３７℃の温度下で
所定の時間にわたるめっき処理を施した。しかしなが
ら、比較例にかかる無電解銅めっき浴を使用している際
において、セラミックユニット１が鏡面である場合には
めっき処理中に剥がれてしまうために銅めっき膜２が形
成されず、また、セラミックユニット１の表面粗さが２
０００♯及び４０００♯である場合には銅めっき膜２に
フクレが発生し、良好な密着性が得られなかった。
してセラミックユニット１を浸漬したうえ、膜厚が約
３．５μｍの銅めっき膜２が形成されるまで、無電解め
っき浴に対して空気を吹き込みながら３７℃の温度下で
所定の時間にわたるめっき処理を施した。しかしなが
ら、比較例にかかる無電解銅めっき浴を使用している際
において、セラミックユニット１が鏡面である場合には
めっき処理中に剥がれてしまうために銅めっき膜２が形
成されず、また、セラミックユニット１の表面粗さが２
０００♯及び４０００♯である場合には銅めっき膜２に
フクレが発生し、良好な密着性が得られなかった。
【００２１】引き続き、銅めっき膜２が形成されたセラ
ミックユニット１のそれぞれを窒素雰囲気中における６
５０℃の温度下で１時間にわたって熱処理し、かつ、各
セラミックユニット１の外周部をセンタレス研磨するこ
とによってＴＭモードの円板型誘電体共振器を作製し
た。その後、作製された誘電体共振器それぞれの有する
Ｑo 値を測定してみたところ、表３で示すような測定結
果が得られた。また、セラミックユニット１それぞれの
表面に形成された銅めっき膜２を過硫酸ソーダ溶液でエ
ッチングすることによって除去した後、触針式表面粗さ
計（ＤＥＫＴＡＫ３ＳＴ）を用いてセラミックユニット
１の表面粗さを測定したところ、表４で示すような測定
結果が得られた。
ミックユニット１のそれぞれを窒素雰囲気中における６
５０℃の温度下で１時間にわたって熱処理し、かつ、各
セラミックユニット１の外周部をセンタレス研磨するこ
とによってＴＭモードの円板型誘電体共振器を作製し
た。その後、作製された誘電体共振器それぞれの有する
Ｑo 値を測定してみたところ、表３で示すような測定結
果が得られた。また、セラミックユニット１それぞれの
表面に形成された銅めっき膜２を過硫酸ソーダ溶液でエ
ッチングすることによって除去した後、触針式表面粗さ
計（ＤＥＫＴＡＫ３ＳＴ）を用いてセラミックユニット
１の表面粗さを測定したところ、表４で示すような測定
結果が得られた。
【００２２】
【表３】
【００２３】
【表４】
【００２４】そして、表３で示された測定結果によれ
ば、実施例１にかかる無電解銅めっき浴、つまり、微量
のニッケルが添加されており、酒石酸を錯化剤として含
んだ無電解銅めっき浴を使用している場合には、高いＱ
o 値を有する誘電体共振器が得られることが分かる。ま
た、表４の測定結果によれば、セラミックユニット１の
表面が鏡面であっても銅めっき膜２にフクレが発生しな
いことが確認される。
ば、実施例１にかかる無電解銅めっき浴、つまり、微量
のニッケルが添加されており、酒石酸を錯化剤として含
んだ無電解銅めっき浴を使用している場合には、高いＱ
o 値を有する誘電体共振器が得られることが分かる。ま
た、表４の測定結果によれば、セラミックユニット１の
表面が鏡面であっても銅めっき膜２にフクレが発生しな
いことが確認される。
【００２５】（実施例２）実施例２にかかる無電解銅め
っき浴は、銅イオンと、ニッケルイオンと、ホルムアル
デヒドまたはその誘導体と、酒石酸またはその塩とを含
んでおり、かつ、銅イオンの１００モルに対するニッケ
ルイオンの添加量が０．０１〜１．０モルの範囲内とさ
れていることを特徴とする。そして、図２は誘電体共振
器の一部を破断して示す斜視図であり、この誘電体共振
器は実施例２にかかる無電解銅めっき浴を使用して形成
された銅めっき膜を有している。以下、無電解銅めっき
浴を使用して作製される誘電体共振器の作製手順を説明
することとし、この作製手順に基づきながら実施例２に
かかる無電解銅めっき浴と、これを使用して作製された
電極を有する誘電体共振器とを説明する。
っき浴は、銅イオンと、ニッケルイオンと、ホルムアル
デヒドまたはその誘導体と、酒石酸またはその塩とを含
んでおり、かつ、銅イオンの１００モルに対するニッケ
ルイオンの添加量が０．０１〜１．０モルの範囲内とさ
れていることを特徴とする。そして、図２は誘電体共振
器の一部を破断して示す斜視図であり、この誘電体共振
器は実施例２にかかる無電解銅めっき浴を使用して形成
された銅めっき膜を有している。以下、無電解銅めっき
浴を使用して作製される誘電体共振器の作製手順を説明
することとし、この作製手順に基づきながら実施例２に
かかる無電解銅めっき浴と、これを使用して作製された
電極を有する誘電体共振器とを説明する。
【００２６】実施例２にかかる誘電体共振器の作製手順
では、まず、ＢａＴｉ4Ｏ9・Ｂａ2Ｔｉ9Ｏ20とＢａＳｍ
2Ｔｉ4Ｏ12の混合系セラミックからなり、かつ、図２で
示すように、縦３ｍｍ×横３ｍｍ×高さ５ｍｍの直方体
形状とされたうえで軸心位置に直径１ｍｍの貫通孔３ａ
が形成されたセラミックユニット３の複数個を用意す
る。そして、０．２５モル／Ｌ（リットル）のＨＦ水溶
液からなるエッチング液を用意し、かつ、７０℃の温度
とされたエッチング液に各セラミックユニット３を１０
分間ずつ浸漬することにより、セラミックユニット３そ
れぞれの表面をエッチングする。その後、セラミックユ
ニット３の各々をアルカリ性の界面活性剤で洗浄し、か
つ、中和したうえ、パラジュウムアルカリイオン触媒に
浸漬し、還元することによって活性化した。
では、まず、ＢａＴｉ4Ｏ9・Ｂａ2Ｔｉ9Ｏ20とＢａＳｍ
2Ｔｉ4Ｏ12の混合系セラミックからなり、かつ、図２で
示すように、縦３ｍｍ×横３ｍｍ×高さ５ｍｍの直方体
形状とされたうえで軸心位置に直径１ｍｍの貫通孔３ａ
が形成されたセラミックユニット３の複数個を用意す
る。そして、０．２５モル／Ｌ（リットル）のＨＦ水溶
液からなるエッチング液を用意し、かつ、７０℃の温度
とされたエッチング液に各セラミックユニット３を１０
分間ずつ浸漬することにより、セラミックユニット３そ
れぞれの表面をエッチングする。その後、セラミックユ
ニット３の各々をアルカリ性の界面活性剤で洗浄し、か
つ、中和したうえ、パラジュウムアルカリイオン触媒に
浸漬し、還元することによって活性化した。
【００２７】一方、セラミックユニット３を作製する工
程とは別の工程において、銅イオンと、ニッケルイオン
と、ホルムアルデヒドまたはその誘導体と、酒石酸また
はその塩とを含んでなり、かつ、銅イオンに対するニッ
ケルイオンのモル比、いわゆるニッケル濃度が互いに異
なっている複数の無電解銅めっき浴を用意する。すなわ
ち、ここでの無電解銅めっき浴は、表１で示したのと同
じく、硫酸銅と、硫酸ニッケルと、錯化剤である酒石酸
ナトリウムカリウム四水和物と、還元剤であるホルムア
ルデヒドとを含んでおり、ＮａＯＨでもってｐＨが調整
されたものであるが、表５で示すように、各無電解銅め
っき浴における硫酸ニッケルの添加量、つまり、銅イオ
ンの１００モルに対するニッケルイオンの添加量が０．
０１〜１．５モルと互いに相違している。なお、これら
の無電解銅めっき浴には、ポリエチレングリコールも添
加されている。
程とは別の工程において、銅イオンと、ニッケルイオン
と、ホルムアルデヒドまたはその誘導体と、酒石酸また
はその塩とを含んでなり、かつ、銅イオンに対するニッ
ケルイオンのモル比、いわゆるニッケル濃度が互いに異
なっている複数の無電解銅めっき浴を用意する。すなわ
ち、ここでの無電解銅めっき浴は、表１で示したのと同
じく、硫酸銅と、硫酸ニッケルと、錯化剤である酒石酸
ナトリウムカリウム四水和物と、還元剤であるホルムア
ルデヒドとを含んでおり、ＮａＯＨでもってｐＨが調整
されたものであるが、表５で示すように、各無電解銅め
っき浴における硫酸ニッケルの添加量、つまり、銅イオ
ンの１００モルに対するニッケルイオンの添加量が０．
０１〜１．５モルと互いに相違している。なお、これら
の無電解銅めっき浴には、ポリエチレングリコールも添
加されている。
【００２８】
【表５】
【００２９】さらに、セラミックユニット３をバレル内
に投入したうえ、ニッケル濃度が異なる無電解銅めっき
浴のそれぞれに対してバレルを浸漬する。その後、バレ
ルの回転速度を１ＲＰＭとし、３６℃の温度を維持する
ようにして無電解銅めっき浴の各々に空気を吹き込みつ
つ、セラミックユニット３それぞれの表面上に約３μｍ
の膜厚を有する銅めっき膜４が形成されるまでめっき処
理を施す。なお、この際における空気の吹き込み量は、
銅イオンの１００モルに対するニッケルイオンの添加量
が０．０１〜１．５モルであるため、０．１〜０．５Ｌ
（リットル）／ｍｉｎの範囲内となるよう調整されてい
る。
に投入したうえ、ニッケル濃度が異なる無電解銅めっき
浴のそれぞれに対してバレルを浸漬する。その後、バレ
ルの回転速度を１ＲＰＭとし、３６℃の温度を維持する
ようにして無電解銅めっき浴の各々に空気を吹き込みつ
つ、セラミックユニット３それぞれの表面上に約３μｍ
の膜厚を有する銅めっき膜４が形成されるまでめっき処
理を施す。なお、この際における空気の吹き込み量は、
銅イオンの１００モルに対するニッケルイオンの添加量
が０．０１〜１．５モルであるため、０．１〜０．５Ｌ
（リットル）／ｍｉｎの範囲内となるよう調整されてい
る。
【００３０】ところで、空気の吹き込み量を調整するの
は、銅イオンの１００モルに対するニッケルイオンの添
加量が０．０１〜１．５モルの範囲内であるにも拘わら
ず、空気の吹き込み量が０．１Ｌ／ｍｉｎ以下である
と、銅の析出速度が速くなって析出粒子が粗くなり、結
果的には高周波電導性が低下するからである。また、空
気の吹き込み量が０．５Ｌ／ｍｉｎ以上である場合に
は、銅めっき膜４の応力が高くなってフクレが発生しや
すくなるからであり、空気の吹き込み量は０．２〜０．
４Ｌ／ｍｉｎの範囲内であることが好ましい。
は、銅イオンの１００モルに対するニッケルイオンの添
加量が０．０１〜１．５モルの範囲内であるにも拘わら
ず、空気の吹き込み量が０．１Ｌ／ｍｉｎ以下である
と、銅の析出速度が速くなって析出粒子が粗くなり、結
果的には高周波電導性が低下するからである。また、空
気の吹き込み量が０．５Ｌ／ｍｉｎ以上である場合に
は、銅めっき膜４の応力が高くなってフクレが発生しや
すくなるからであり、空気の吹き込み量は０．２〜０．
４Ｌ／ｍｉｎの範囲内であることが好ましい。
【００３１】そして、上記しためっき処理を施すと、セ
ラミックユニット１それぞれの表面上には、その全面に
わたる無電解銅めっき膜４が形成される。そこで、銅め
っき膜４が形成されたセラミックユニット３のそれぞれ
を窒素雰囲気中における６５０℃の温度下で１時間にわ
たって熱処理した後、各セラミックユニット３の軸心方
向に沿う一方側の端面上に形成された銅めっき膜４を研
磨除去することによって開放面３ｂを形成すると、図２
で示すような構成とされたＴＥＭモードの誘電体共振器
が得られる。さらに、このようにして作製された誘電体
共振器それぞれの有するＱo 値を測定したところ、表５
に付記して示すような測定結果が得られた。
ラミックユニット１それぞれの表面上には、その全面に
わたる無電解銅めっき膜４が形成される。そこで、銅め
っき膜４が形成されたセラミックユニット３のそれぞれ
を窒素雰囲気中における６５０℃の温度下で１時間にわ
たって熱処理した後、各セラミックユニット３の軸心方
向に沿う一方側の端面上に形成された銅めっき膜４を研
磨除去することによって開放面３ｂを形成すると、図２
で示すような構成とされたＴＥＭモードの誘電体共振器
が得られる。さらに、このようにして作製された誘電体
共振器それぞれの有するＱo 値を測定したところ、表５
に付記して示すような測定結果が得られた。
【００３２】表５で示した測定結果からは、銅イオンの
１００モルに対するニッケルイオンの添加量が０．０１
〜１．０モルの範囲内であれば、誘電体共振器の有する
Ｑo値が高くなっていることが分かる。すなわち、ここ
では、ニッケルイオンを含む銅を主成分とする銅めっき
膜４が誘導体セラミックからなるセラミックユニット３
の表面に金属膜として形成されているのであり、この銅
めっき膜４は銅に対するニッケルの比率が０．０１〜
１．０モル％の範囲内とされた金属膜であることになっ
ている。
１００モルに対するニッケルイオンの添加量が０．０１
〜１．０モルの範囲内であれば、誘電体共振器の有する
Ｑo値が高くなっていることが分かる。すなわち、ここ
では、ニッケルイオンを含む銅を主成分とする銅めっき
膜４が誘導体セラミックからなるセラミックユニット３
の表面に金属膜として形成されているのであり、この銅
めっき膜４は銅に対するニッケルの比率が０．０１〜
１．０モル％の範囲内とされた金属膜であることになっ
ている。
【００３３】なお、ニッケルイオンの添加量が０．０１
モル未満の無電解銅めっき浴である場合には必要とする
膜厚が確保できず、銅めっき膜４のフクレが認められ
た。また、ニッケルイオンの添加量が１．０モルを超え
ている際には、高周波電導性が低下することになり、か
つ、銅めっき膜４の柔軟性が損なわれることに起因して
誘電体共振器の角部における銅めっき膜４が欠損したた
め、Ｑo 値が低下することも確認されている。
モル未満の無電解銅めっき浴である場合には必要とする
膜厚が確保できず、銅めっき膜４のフクレが認められ
た。また、ニッケルイオンの添加量が１．０モルを超え
ている際には、高周波電導性が低下することになり、か
つ、銅めっき膜４の柔軟性が損なわれることに起因して
誘電体共振器の角部における銅めっき膜４が欠損したた
め、Ｑo 値が低下することも確認されている。
【００３４】次に、誘電体共振器が具備しているセラミ
ック素体の表面粗さと銅めっき膜４との関係を説明す
る。まず、表１で示したのと同様の組成とされた無電解
銅めっき浴、つまり、銅イオンと、ニッケルイオンと、
酒石酸塩と、ホルムアルデヒドとを含んでおり、かつ、
銅イオンの１００モルに対するニッケルイオンの添加量
が０．２モルとされた無電解銅めっき浴を用意する。
ック素体の表面粗さと銅めっき膜４との関係を説明す
る。まず、表１で示したのと同様の組成とされた無電解
銅めっき浴、つまり、銅イオンと、ニッケルイオンと、
酒石酸塩と、ホルムアルデヒドとを含んでおり、かつ、
銅イオンの１００モルに対するニッケルイオンの添加量
が０．２モルとされた無電解銅めっき浴を用意する。
【００３５】そして、０．２５モル／Ｌ（リットル）の
ＨＦ水溶液からなる７０℃のエッチング液に対してセラ
ミックユニット３の各々を５分，１０分，１５分，２０
分，２５分，３０分と浸漬時間を変えながら浸漬してエ
ッチングする。次に、エッチング済みとなったセラミッ
クユニット３をバレル内に投入し、かつ、ニッケル濃度
が異なる無電解銅めっき浴のそれぞれに対してバレルを
浸漬する。その後、バレルの回転速度を１ＲＰＭとし、
かつ、無電解銅めっき浴の温度を３６℃としたうえで空
気を吹き込みつつ、約３μｍの膜厚を有する銅めっき膜
４が電極として各セラミックユニット３の表面上に形成
されるまでの所定時間にわたるめっき処理を施す。
ＨＦ水溶液からなる７０℃のエッチング液に対してセラ
ミックユニット３の各々を５分，１０分，１５分，２０
分，２５分，３０分と浸漬時間を変えながら浸漬してエ
ッチングする。次に、エッチング済みとなったセラミッ
クユニット３をバレル内に投入し、かつ、ニッケル濃度
が異なる無電解銅めっき浴のそれぞれに対してバレルを
浸漬する。その後、バレルの回転速度を１ＲＰＭとし、
かつ、無電解銅めっき浴の温度を３６℃としたうえで空
気を吹き込みつつ、約３μｍの膜厚を有する銅めっき膜
４が電極として各セラミックユニット３の表面上に形成
されるまでの所定時間にわたるめっき処理を施す。
【００３６】その一方、錯化剤としてＥＤＴＡを含んで
いる無電解銅めっき浴、つまり、表２で示したのと同様
の組成とされた無電解銅めっき浴を比較例として用意す
る。さらに、セラミックユニット３をバレル内に投入
し、このバレルを無電解銅めっき浴中に浸漬したうえ、
無電解銅めっき浴に空気を吹き込みながら３７℃の温度
下で所定の時間にわたるめっき処理を施すことにより、
約３μｍの膜厚となった銅めっき膜４を各セラミックユ
ニット３の表面上に形成した。
いる無電解銅めっき浴、つまり、表２で示したのと同様
の組成とされた無電解銅めっき浴を比較例として用意す
る。さらに、セラミックユニット３をバレル内に投入
し、このバレルを無電解銅めっき浴中に浸漬したうえ、
無電解銅めっき浴に空気を吹き込みながら３７℃の温度
下で所定の時間にわたるめっき処理を施すことにより、
約３μｍの膜厚となった銅めっき膜４を各セラミックユ
ニット３の表面上に形成した。
【００３７】そして、銅めっき膜４が形成されたセラミ
ックユニット３のそれぞれを６５０℃の窒素雰囲気中で
熱処理して誘電体共振器を作製し、かつ、作製された誘
電体共振器それぞれのＱo 値を測定してみたところ、表
６で示すような測定結果が得られた。また、各セラミッ
クユニット３の表面上に形成された銅めっき膜４におけ
るフクレの発生状況と、その大きさとを検討してみたと
ころ、表７で示すような検討結果が得られた。
ックユニット３のそれぞれを６５０℃の窒素雰囲気中で
熱処理して誘電体共振器を作製し、かつ、作製された誘
電体共振器それぞれのＱo 値を測定してみたところ、表
６で示すような測定結果が得られた。また、各セラミッ
クユニット３の表面上に形成された銅めっき膜４におけ
るフクレの発生状況と、その大きさとを検討してみたと
ころ、表７で示すような検討結果が得られた。
【００３８】
【表６】
【００３９】
【表７】
【００４０】これらの表６及び表７によれば、従来同様
の無電解銅めっき浴である際には銅めっき膜４が形成さ
れなかったり大きなフクレが発生したりするのに対し、
微量のニッケルが添加され、かつ、酒石酸を錯化剤とし
て含む無電解銅めっき浴を使用している際には、エッチ
ング時間が短くてセラミックユニット３の表面に対する
エッチングが弱い場合であっても、銅めっき膜４が剥が
れたりフクレが発生したりすることは起こらないことが
分かる。また、高いＱo 値を有する誘電体共振器が得ら
れることも明らかとなっている。
の無電解銅めっき浴である際には銅めっき膜４が形成さ
れなかったり大きなフクレが発生したりするのに対し、
微量のニッケルが添加され、かつ、酒石酸を錯化剤とし
て含む無電解銅めっき浴を使用している際には、エッチ
ング時間が短くてセラミックユニット３の表面に対する
エッチングが弱い場合であっても、銅めっき膜４が剥が
れたりフクレが発生したりすることは起こらないことが
分かる。また、高いＱo 値を有する誘電体共振器が得ら
れることも明らかとなっている。
【００４１】さらに、引き続き、銅めっき膜４の密着強
度を説明する。この際においては、縦１．５ｍｍ×横
１．５ｍｍの大きさとされた正方形状底面を有する金属
ブロックと、これに連結されたワイヤリングとから構成
されてなる引っ張り試験用治具を用意する。そして、誘
電体共振器それぞれの電極である銅めっき膜４に対して
引っ張り試験用治具を半田づけした後、この引っ張り試
験用治具を銅めっき膜４の法線方向へと引っ張り付勢す
ることにより、銅めっき膜４がセラミックユニット３の
表面から剥離する時までの引っ張り強度（Ｎ）を測定し
てみた。すると、表８で示すような測定結果が得られ
た。
度を説明する。この際においては、縦１．５ｍｍ×横
１．５ｍｍの大きさとされた正方形状底面を有する金属
ブロックと、これに連結されたワイヤリングとから構成
されてなる引っ張り試験用治具を用意する。そして、誘
電体共振器それぞれの電極である銅めっき膜４に対して
引っ張り試験用治具を半田づけした後、この引っ張り試
験用治具を銅めっき膜４の法線方向へと引っ張り付勢す
ることにより、銅めっき膜４がセラミックユニット３の
表面から剥離する時までの引っ張り強度（Ｎ）を測定し
てみた。すると、表８で示すような測定結果が得られ
た。
【００４２】
【表８】
【００４３】すなわち、表８で示された測定結果によれ
ば、本実施例の無電解銅めっき浴、つまり、微量のニッ
ケルが添加され、かつ、酒石酸を錯化剤として含んでな
る無電解銅めっき浴を使用している際には、エッチング
時間が短くても、従来同様の無電解銅めっき浴を使用し
ている場合に比べて強い密着強度が得られることが分か
る。ところで、必要がある際には、無電解銅めっき膜が
形成された誘電体共振器に対し、さらに、電解銅めっき
膜を形成することも行われる。
ば、本実施例の無電解銅めっき浴、つまり、微量のニッ
ケルが添加され、かつ、酒石酸を錯化剤として含んでな
る無電解銅めっき浴を使用している際には、エッチング
時間が短くても、従来同様の無電解銅めっき浴を使用し
ている場合に比べて強い密着強度が得られることが分か
る。ところで、必要がある際には、無電解銅めっき膜が
形成された誘電体共振器に対し、さらに、電解銅めっき
膜を形成することも行われる。
【００４４】また、本発明にかかる高周波用電子部品が
誘電体共振器のみに限定されることはなく、誘電体共振
器以外の高周波用電子部品に対しても本発明を適用し得
ることは勿論である。すなわち、本発明の実施例では高
周波用電子部品が誘電体共振器であるとしているが、こ
れら実施例の説明によって高周波用電子部品が誘電体共
振器のみに限定されることはないのであり、本発明の適
用される高周波用電子部品が、例えば、誘電体共振器を
用いて構成されるフィルタやディプレクサなどであって
もよく、さらには、誘電体共振器以外の高周波用電子部
品に対して本発明を適用することも可能である。
誘電体共振器のみに限定されることはなく、誘電体共振
器以外の高周波用電子部品に対しても本発明を適用し得
ることは勿論である。すなわち、本発明の実施例では高
周波用電子部品が誘電体共振器であるとしているが、こ
れら実施例の説明によって高周波用電子部品が誘電体共
振器のみに限定されることはないのであり、本発明の適
用される高周波用電子部品が、例えば、誘電体共振器を
用いて構成されるフィルタやディプレクサなどであって
もよく、さらには、誘電体共振器以外の高周波用電子部
品に対して本発明を適用することも可能である。
【００４５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明にかかる無
電解銅めっき浴は、銅イオンと、ニッケルイオンと、ホ
ルムアルデヒドまたはその誘導体と、酒石酸またはその
塩とを含んでいる。また、この無電解銅めっき浴では、
銅イオンの１００モルに対するニッケルイオンの添加量
が０．０１〜１．０モルの範囲となるように調整されて
いる。そこで、めっき処理時における水素の発生量が少
なくて済むことになり、平滑なセラミック表面に対して
も膜厚の厚い銅めっき膜を形成しやすいこととなるた
め、銅めっき膜にフクレが発生することは起こらず、セ
ラミック素体に対する銅めっき膜の密着性が良好になる
という効果が得られる。
電解銅めっき浴は、銅イオンと、ニッケルイオンと、ホ
ルムアルデヒドまたはその誘導体と、酒石酸またはその
塩とを含んでいる。また、この無電解銅めっき浴では、
銅イオンの１００モルに対するニッケルイオンの添加量
が０．０１〜１．０モルの範囲となるように調整されて
いる。そこで、めっき処理時における水素の発生量が少
なくて済むことになり、平滑なセラミック表面に対して
も膜厚の厚い銅めっき膜を形成しやすいこととなるた
め、銅めっき膜にフクレが発生することは起こらず、セ
ラミック素体に対する銅めっき膜の密着性が良好になる
という効果が得られる。
【００４６】本発明にかかる高周波用電子部品は無電解
銅めっき浴を使用しためっき処理によって形成された銅
めっき膜を有するもの、具体的には、誘導体セラミック
と、この誘導体セラミックの表面に形成された金属膜と
からなり、かつ、この金属膜が少なくともニッケルイオ
ンを含む銅を主成分とし、銅に対するニッケルの比率が
０．０１〜１．０モル％の範囲内とされたものである。
そして、本発明にかかる無電解銅めっき浴を使用してい
る結果、本発明にかかる高周波用電子部品は、膜厚が厚
くて密着性が良好な高周波導体として適切な銅めっき膜
からなる電極を有していることになる。従って、高周波
電導性が良好となり、かつ、この高周波用電子部品にお
けるＱo 値が高くなるという効果が確保される。
銅めっき浴を使用しためっき処理によって形成された銅
めっき膜を有するもの、具体的には、誘導体セラミック
と、この誘導体セラミックの表面に形成された金属膜と
からなり、かつ、この金属膜が少なくともニッケルイオ
ンを含む銅を主成分とし、銅に対するニッケルの比率が
０．０１〜１．０モル％の範囲内とされたものである。
そして、本発明にかかる無電解銅めっき浴を使用してい
る結果、本発明にかかる高周波用電子部品は、膜厚が厚
くて密着性が良好な高周波導体として適切な銅めっき膜
からなる電極を有していることになる。従って、高周波
電導性が良好となり、かつ、この高周波用電子部品にお
けるＱo 値が高くなるという効果が確保される。
【図１】実施の形態１にかかる誘電体共振器の一部を破
断して示す斜視図である。
断して示す斜視図である。
【図２】実施の形態２にかかる誘電体共振器の一部を破
断して示す斜視図である。
断して示す斜視図である。
１ 円板形状のセラミックユニット
２ 銅めっき膜
３ 直方体形状のセラミックユニット
４ 銅めっき膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4K022 AA04 AA41 BA08 BA14 BA31
BA32 DA01 DB06
5J006 HA03 HC03 LA02 LA27
Claims (4)
- 【請求項１】 銅イオンと、ニッケルイオンと、ホルム
アルデヒドまたはその誘導体と、酒石酸またはその塩と
を含んでいることを特徴とする無電解銅めっき浴。 - 【請求項２】 銅イオンの１００モルに対するニッケル
イオンの添加量は０．０１〜１．０モルの範囲内である
ことを特徴とする請求項１に記載した無電解銅めっき
浴。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の無電解
銅めっき浴を使用しためっき処理によって形成された銅
めっき膜を有していることを特徴とする高周波用電子部
品。 - 【請求項４】 誘導体セラミックと、この誘導体セラミ
ックの表面に形成された金属膜とからなる高周波用電子
部品であって、 前記金属膜は少なくともニッケルイオンを含む銅を主成
分としており、銅に対するニッケルの比率が０．０１〜
１．０モル％の範囲内であることを特徴とする高周波用
電子部品。
Priority Applications (5)
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|---|---|---|---|
| JP2002036242A JP2003013247A (ja) | 2001-04-24 | 2002-02-14 | 無電解銅めっき浴及び高周波用電子部品 |
| US10/120,510 US6743479B2 (en) | 2001-04-24 | 2002-04-12 | Electroless copper plating solution and high-frequency electronic component |
| DE10218077A DE10218077B4 (de) | 2001-04-24 | 2002-04-23 | Verfahren zum Aufbringen einer Kupferplattierungsschicht auf einem dielektrischen keramischen Substrat |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001-125260 | 2001-04-24 | ||
| JP2001125260 | 2001-04-24 | ||
| JP2002036242A JP2003013247A (ja) | 2001-04-24 | 2002-02-14 | 無電解銅めっき浴及び高周波用電子部品 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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ID=26614056
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|---|---|---|---|
| JP2002036242A Pending JP2003013247A (ja) | 2001-04-24 | 2002-02-14 | 無電解銅めっき浴及び高周波用電子部品 |
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| CN (1) | CN1384222A (ja) |
| DE (1) | DE10218077B4 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006152431A (ja) * | 2004-10-21 | 2006-06-15 | Alps Electric Co Ltd | めっき基板、無電解めっき方法およびこの方法を用いた回路形成方法 |
| JP2017050400A (ja) * | 2015-09-02 | 2017-03-09 | 学校法人神奈川大学 | フレキシブル熱電変換部材の作製方法 |
| WO2022030645A1 (ja) * | 2020-08-07 | 2022-02-10 | 東洋鋼鈑株式会社 | 銅張積層体及びその製造方法 |
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| US7576968B2 (en) * | 2002-04-15 | 2009-08-18 | Avx Corporation | Plated terminations and method of forming using electrolytic plating |
| TWI260657B (en) | 2002-04-15 | 2006-08-21 | Avx Corp | Plated terminations |
| US6960366B2 (en) * | 2002-04-15 | 2005-11-01 | Avx Corporation | Plated terminations |
| US6982863B2 (en) * | 2002-04-15 | 2006-01-03 | Avx Corporation | Component formation via plating technology |
| US7463474B2 (en) * | 2002-04-15 | 2008-12-09 | Avx Corporation | System and method of plating ball grid array and isolation features for electronic components |
| US7177137B2 (en) * | 2002-04-15 | 2007-02-13 | Avx Corporation | Plated terminations |
| US7152291B2 (en) * | 2002-04-15 | 2006-12-26 | Avx Corporation | Method for forming plated terminations |
| JP4848752B2 (ja) | 2005-12-09 | 2011-12-28 | イビデン株式会社 | 部品実装用ピンを有するプリント配線板及びこれを使用した電子機器 |
| JP4654897B2 (ja) * | 2005-12-09 | 2011-03-23 | イビデン株式会社 | 部品実装用ピンを有するプリント配線板の製造方法 |
| JP2007165383A (ja) * | 2005-12-09 | 2007-06-28 | Ibiden Co Ltd | 部品実装用ピンを形成したプリント基板 |
| US20080248194A1 (en) * | 2007-04-04 | 2008-10-09 | L'air Liquide - Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Method for producing a copper layer on a substrate in a flat panel display manufacturing process |
| CN104294244B (zh) * | 2014-10-24 | 2017-05-31 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 激光辅助化学混合镀实现二维表面金属结构的方法 |
| US20220081776A1 (en) * | 2020-09-11 | 2022-03-17 | Macdermid Enthone Inc. | High Elongation Electroless Copper Process |
| KR102413300B1 (ko) * | 2020-12-10 | 2022-06-27 | 와이엠티 주식회사 | 금속박, 이를 포함하는 캐리어 부착 금속박 및 이를 포함하는 인쇄회로기판 |
| CN115029688A (zh) * | 2021-12-28 | 2022-09-09 | 中国矿业大学 | 三维多孔陶瓷表面化学镀铜镀液、制备方法及镀铜工艺 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US3615732A (en) * | 1968-08-13 | 1971-10-26 | Shipley Co | Electroless copper plating |
| US3765936A (en) * | 1968-08-13 | 1973-10-16 | Shipley Co | Electroless copper plate |
| US3649350A (en) * | 1970-06-29 | 1972-03-14 | Gen Electric | Electroless copper plating |
| JPS4965537A (ja) * | 1972-10-28 | 1974-06-25 | ||
| SU497359A1 (ru) * | 1973-12-14 | 1975-12-30 | Воронежский технологический институт | Раствор дл химического меднени диэлектриков |
| JPS6027750B2 (ja) * | 1977-05-25 | 1985-07-01 | 株式会社東芝 | 無電解銅メツキ液 |
| US4265943A (en) * | 1978-11-27 | 1981-05-05 | Macdermid Incorporated | Method and composition for continuous electroless copper deposition using a hypophosphite reducing agent in the presence of cobalt or nickel ions |
| EP0060294B1 (en) * | 1980-09-15 | 1985-12-27 | Shipley Company Inc. | Electroless alloy plating |
| JPS57192255A (en) * | 1981-05-18 | 1982-11-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electroless copper plating solution |
| GB8518945D0 (en) * | 1985-07-26 | 1985-09-04 | Ngk Insulators Ltd | Forming copper film on ceramic body |
| JP2956160B2 (ja) * | 1990-08-02 | 1999-10-04 | 住友化学工業株式会社 | 熱可塑性樹脂組成物 |
| RU2069457C1 (ru) * | 1992-07-14 | 1996-11-20 | Институт физики твердого тела и полупроводников АНБ | Раствор химического меднения |
| US5897692A (en) * | 1996-09-10 | 1999-04-27 | Denso Corporation | Electroless plating solution |
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| JP2001020077A (ja) * | 1999-07-07 | 2001-01-23 | Sony Corp | 無電解めっき方法及び無電解めっき液 |
-
2002
- 2002-02-14 JP JP2002036242A patent/JP2003013247A/ja active Pending
- 2002-04-12 US US10/120,510 patent/US6743479B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-04-23 DE DE10218077A patent/DE10218077B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2002-04-24 KR KR10-2002-0022443A patent/KR100483111B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-04-24 CN CN02118658A patent/CN1384222A/zh active Pending
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