JP2002285377A - セラミック電子部品およびその銅電極形成方法 - Google Patents
セラミック電子部品およびその銅電極形成方法Info
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- JP2002285377A JP2002285377A JP2001093293A JP2001093293A JP2002285377A JP 2002285377 A JP2002285377 A JP 2002285377A JP 2001093293 A JP2001093293 A JP 2001093293A JP 2001093293 A JP2001093293 A JP 2001093293A JP 2002285377 A JP2002285377 A JP 2002285377A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ダイレクトプレーティング法によってセラミ
ック材料の表面に電極を形成した電子部品と、その電極
形成方法を得る。 【解決手段】 セラミック材料で形成された基体を、導
電化溶液に浸漬し、基体表面に導電化材料を付着させ、
この導電化材料を下地として、電解めっきを行ない、基
体表面に銅電極を形成する。電解銅めっき液として、ア
ミン類あるいはオキシカルボン酸類を錯化剤として含有
するものを用いる。
ック材料の表面に電極を形成した電子部品と、その電極
形成方法を得る。 【解決手段】 セラミック材料で形成された基体を、導
電化溶液に浸漬し、基体表面に導電化材料を付着させ、
この導電化材料を下地として、電解めっきを行ない、基
体表面に銅電極を形成する。電解銅めっき液として、ア
ミン類あるいはオキシカルボン酸類を錯化剤として含有
するものを用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、セラミック電子
部品およびその銅電極形成方法に関し、特に、たとえば
セラミック材料、あるいはセラミックと樹脂との複合セ
ラミック材料で形成された基体の表面に銅電極が形成さ
れたセラミック電子部品と、その銅電極形成方法に関す
る。
部品およびその銅電極形成方法に関し、特に、たとえば
セラミック材料、あるいはセラミックと樹脂との複合セ
ラミック材料で形成された基体の表面に銅電極が形成さ
れたセラミック電子部品と、その銅電極形成方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】非導電性あるいは導電性に乏しい材料で
形成された基体の表面に銅電極を形成する方法として
は、たとえばスパッタ法、蒸着法、導電ペーストの印刷
法、無電解めっき法、あるいはこれらの方法により基体
の表面に下地金属を形成した後に電解めっきを施す方法
など、種々の方法が用いられている。
形成された基体の表面に銅電極を形成する方法として
は、たとえばスパッタ法、蒸着法、導電ペーストの印刷
法、無電解めっき法、あるいはこれらの方法により基体
の表面に下地金属を形成した後に電解めっきを施す方法
など、種々の方法が用いられている。
【０００３】これらの方法では、たとえば大量生産に適
当でなかったり、基体の電気的特性が変化したり、めっ
き浴の管理に手間がかかるなどの問題がある。このよう
な問題点を解決する電極形成方法として、近年、ダイレ
クトプレーティング法と呼ばれる方法が注目されてい
る。この方法は、プリント基板などに形成されたスルー
ホールの内表面にパラジウム−スズコロイドやカーボ
ン、グラファイト粒子を吸着させて導電化したのち、電
解めっき法により、この導電化材料を伝ってめっきが逐
次析出していき（総じて、めっき伝播という）、スルー
ホール内にめっき金属を析出させて電極を形成するもの
である。この方法によれば、電解めっきを行なう前の下
地金属の形成プロセスを簡略化することができ、電極の
形成コストを大幅に抑制することができる。
当でなかったり、基体の電気的特性が変化したり、めっ
き浴の管理に手間がかかるなどの問題がある。このよう
な問題点を解決する電極形成方法として、近年、ダイレ
クトプレーティング法と呼ばれる方法が注目されてい
る。この方法は、プリント基板などに形成されたスルー
ホールの内表面にパラジウム−スズコロイドやカーボ
ン、グラファイト粒子を吸着させて導電化したのち、電
解めっき法により、この導電化材料を伝ってめっきが逐
次析出していき（総じて、めっき伝播という）、スルー
ホール内にめっき金属を析出させて電極を形成するもの
である。この方法によれば、電解めっきを行なう前の下
地金属の形成プロセスを簡略化することができ、電極の
形成コストを大幅に抑制することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ダイレ
クトプレーティング法をセラミック材料で形成された基
体に適用するには、いくつかの問題点がある。すなわ
ち、用いられるパラジウム−スズコロイドなどの導電化
材料は、水酸基やカルボニル基などの化学的な官能基と
結合しやすいという性質を有している。プリント基板な
どの樹脂材料では、アルカリなどでエッチングすること
により、その表面にこれらの官能基を形成することが可
能であり、プリント基板表面に導電化材料を付着させる
ことができる。
クトプレーティング法をセラミック材料で形成された基
体に適用するには、いくつかの問題点がある。すなわ
ち、用いられるパラジウム−スズコロイドなどの導電化
材料は、水酸基やカルボニル基などの化学的な官能基と
結合しやすいという性質を有している。プリント基板な
どの樹脂材料では、アルカリなどでエッチングすること
により、その表面にこれらの官能基を形成することが可
能であり、プリント基板表面に導電化材料を付着させる
ことができる。
【０００５】ところが、セラミック材料においては、エ
ッチングなどによってもその表面に官能基を形成するこ
とが困難で、必要量の導電化材料を基体表面に付着させ
ることができず、表面抵抗が高かった。そのため、電解
めっきを施した場合、プリント基板などの樹脂材料で形
成された基体ではめっきが伝播しやすく、所定の部分に
めっきがつき回るが、セラミック材料で形成された基体
ではめっきが伝播しにくく、所定部分にめっきが完全に
つき回らず、一部に不めっき部分が生じて電極を形成で
きなかった。さらに、このような電解めっきに用いられ
る電解銅めっき浴は、ほとんどの場合が硫酸をベースに
した強酸性浴であり、酸に対して耐性の弱いセラミック
材料では、電解めっき液に侵食されて電気的特性が劣化
するなどの問題があった。
ッチングなどによってもその表面に官能基を形成するこ
とが困難で、必要量の導電化材料を基体表面に付着させ
ることができず、表面抵抗が高かった。そのため、電解
めっきを施した場合、プリント基板などの樹脂材料で形
成された基体ではめっきが伝播しやすく、所定の部分に
めっきがつき回るが、セラミック材料で形成された基体
ではめっきが伝播しにくく、所定部分にめっきが完全に
つき回らず、一部に不めっき部分が生じて電極を形成で
きなかった。さらに、このような電解めっきに用いられ
る電解銅めっき浴は、ほとんどの場合が硫酸をベースに
した強酸性浴であり、酸に対して耐性の弱いセラミック
材料では、電解めっき液に侵食されて電気的特性が劣化
するなどの問題があった。
【０００６】それゆえに、この発明の主たる目的は、ダ
イレクトプレーティング法によってセラミック材料の表
面に銅電極を形成したセラミック電子部品と、その銅電
極形成方法を提供することである。
イレクトプレーティング法によってセラミック材料の表
面に銅電極を形成したセラミック電子部品と、その銅電
極形成方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、セラミック
材料、あるいはセラミックと樹脂との複合セラミック材
料を用いた基体の表面に銅電極を形成するためのセラミ
ック電子部品の銅電極形成方法であって、基体の表面に
導電化材料を付着させる工程と、基体の表面に付着した
導電化材料を下地として電解めっき法によって銅電極を
形成する工程とを含み、電解めっき法に用いられる電解
銅めっき液が、アミン類あるいはオキシカルボン酸類を
銅イオンの錯化剤として含有することを特徴とする、セ
ラミック電子部品の銅電極形成方法である。このような
セラミック電子部品の銅電極形成方法において、電解銅
めっき液の錯化剤として、トリエタノールアミン、エチ
レンジアミン、エチレンジアミン四酢酸から選ばれる少
なくとも１種を用いることができる。また、電解銅めっ
き液の錯化剤として、リンゴ酸、クエン酸、酒石酸、グ
ルコン酸から選ばれる少なくとも１種を用いることがで
きる。さらに、電解銅めっき液の錯化剤濃度が、０．１
〜１．０ｍｏｌ／Ｌの範囲にあることが好ましい。ま
た、電解銅めっき液の銅イオン濃度が、０．０５〜０．
５ｍｏｌ／Ｌの範囲にあることが好ましい。さらに、電
解銅めっき液のｐＨが、４．０〜１０．０の範囲にある
ことが好ましい。また、導電化溶液としては、パラジウ
ム、スズ、銀、銅から選ばれる１つ以上を含有するコロ
イド、前述のいずれかの金属の錯体、前述のいずれかの
金属の水酸化物を用いることができる。また、この発明
は、セラミック材料、あるいはセラミックと樹脂との複
合セラミック材料を用いた基体の表面に銅電極が形成さ
れたセラミック電子部品において、銅電極は、上述のい
ずれかに記載の電極形成方法によって形成されたことを
特徴とする、セラミック電子部品である。
材料、あるいはセラミックと樹脂との複合セラミック材
料を用いた基体の表面に銅電極を形成するためのセラミ
ック電子部品の銅電極形成方法であって、基体の表面に
導電化材料を付着させる工程と、基体の表面に付着した
導電化材料を下地として電解めっき法によって銅電極を
形成する工程とを含み、電解めっき法に用いられる電解
銅めっき液が、アミン類あるいはオキシカルボン酸類を
銅イオンの錯化剤として含有することを特徴とする、セ
ラミック電子部品の銅電極形成方法である。このような
セラミック電子部品の銅電極形成方法において、電解銅
めっき液の錯化剤として、トリエタノールアミン、エチ
レンジアミン、エチレンジアミン四酢酸から選ばれる少
なくとも１種を用いることができる。また、電解銅めっ
き液の錯化剤として、リンゴ酸、クエン酸、酒石酸、グ
ルコン酸から選ばれる少なくとも１種を用いることがで
きる。さらに、電解銅めっき液の錯化剤濃度が、０．１
〜１．０ｍｏｌ／Ｌの範囲にあることが好ましい。ま
た、電解銅めっき液の銅イオン濃度が、０．０５〜０．
５ｍｏｌ／Ｌの範囲にあることが好ましい。さらに、電
解銅めっき液のｐＨが、４．０〜１０．０の範囲にある
ことが好ましい。また、導電化溶液としては、パラジウ
ム、スズ、銀、銅から選ばれる１つ以上を含有するコロ
イド、前述のいずれかの金属の錯体、前述のいずれかの
金属の水酸化物を用いることができる。また、この発明
は、セラミック材料、あるいはセラミックと樹脂との複
合セラミック材料を用いた基体の表面に銅電極が形成さ
れたセラミック電子部品において、銅電極は、上述のい
ずれかに記載の電極形成方法によって形成されたことを
特徴とする、セラミック電子部品である。
【０００８】本発明者の研究の結果、銅イオンの特定の
錯化剤を含有する電解銅めっき液を用いることにより、
セラミック材料で形成された基体の表面に十分に導電化
材料を付着させることができなくても、めっきが伝播し
やすく、所定部分にめっきがつき回り、良好な銅電極を
形成できることが見出された。このめっき伝播性は、一
般的に表現されている均一電着性とは異なる性質である
ことが明らかになった。このような効果を得ることがで
きる銅イオンの錯化剤としては、アミン類あるいはオキ
シカルボン酸類があるが、これらの錯化剤を用いた電解
銅めっき液においては、ｐＨを弱酸性から弱アルカリ性
において使用できるため、セラミック材料を侵食する恐
れがない。
錯化剤を含有する電解銅めっき液を用いることにより、
セラミック材料で形成された基体の表面に十分に導電化
材料を付着させることができなくても、めっきが伝播し
やすく、所定部分にめっきがつき回り、良好な銅電極を
形成できることが見出された。このめっき伝播性は、一
般的に表現されている均一電着性とは異なる性質である
ことが明らかになった。このような効果を得ることがで
きる銅イオンの錯化剤としては、アミン類あるいはオキ
シカルボン酸類があるが、これらの錯化剤を用いた電解
銅めっき液においては、ｐＨを弱酸性から弱アルカリ性
において使用できるため、セラミック材料を侵食する恐
れがない。
【０００９】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、以下の発明の実施の形態の詳細な説明
から一層明らかとなろう。
徴および利点は、以下の発明の実施の形態の詳細な説明
から一層明らかとなろう。
【００１０】
【発明の実施の形態】まず、セラミック材料、あるいは
セラミックと樹脂との複合セラミック材料（以下、セラ
ミック材料と総称する）で形成された基体が準備され
る。このようなセラミック材料としては、たとえば絶縁
体、誘電体、圧電体、焦電体、磁性体などのセラミック
や、これらのセラミックと樹脂との複合セラミック材料
が含まれる。この電子部品の電極形成方法が適用される
基体としては、その表面に直接電解めっきを施すことが
できないような導電性の乏しい表面を持つ基体である。
これらの基体の形状や寸法は特に問題とされず、貫通孔
や凹凸を有する基体に対しても、この発明の電極形成方
法を好適に適用することができる。
セラミックと樹脂との複合セラミック材料（以下、セラ
ミック材料と総称する）で形成された基体が準備され
る。このようなセラミック材料としては、たとえば絶縁
体、誘電体、圧電体、焦電体、磁性体などのセラミック
や、これらのセラミックと樹脂との複合セラミック材料
が含まれる。この電子部品の電極形成方法が適用される
基体としては、その表面に直接電解めっきを施すことが
できないような導電性の乏しい表面を持つ基体である。
これらの基体の形状や寸法は特に問題とされず、貫通孔
や凹凸を有する基体に対しても、この発明の電極形成方
法を好適に適用することができる。
【００１１】このような基体の表面に導電化材料を付着
させるために、導電化溶液が準備される。導電化溶液に
は、パラジウム、スズ、銀、銅から選ばれる１つ以上を
含有するコロイド、前述のいずれかの金属の錯体、前述
のいずれかの金属の水酸化物が含まれる。この導電化溶
液に、脱脂やエッチングなどにより表面の洗浄された基
体が浸漬される。それによって、基体の表面に導電化材
料が付着する。このとき、基体の全面に導電化材料を付
着させてもよいし、レジストなどのマスキング方法を用
いて、選択的に基体表面に導電化材料を付着させてもよ
い。
させるために、導電化溶液が準備される。導電化溶液に
は、パラジウム、スズ、銀、銅から選ばれる１つ以上を
含有するコロイド、前述のいずれかの金属の錯体、前述
のいずれかの金属の水酸化物が含まれる。この導電化溶
液に、脱脂やエッチングなどにより表面の洗浄された基
体が浸漬される。それによって、基体の表面に導電化材
料が付着する。このとき、基体の全面に導電化材料を付
着させてもよいし、レジストなどのマスキング方法を用
いて、選択的に基体表面に導電化材料を付着させてもよ
い。
【００１２】導電化材料を付着させた基体には、そのま
ま電解銅めっき処理を施してもよいし、さらに置換溶液
に浸漬して、導電化材料に含まれる金属を部分的に他の
金属に置換した後に電解銅めっき処理を施してもよい。
このような置換溶液には、導電化溶液に含まれる金属よ
り導電性が高く、電位的に貴な金属が含まれる。また、
このような基体の導電化処理と置換処理とを繰り返した
後に、電解銅めっき処理を施してもよい。
ま電解銅めっき処理を施してもよいし、さらに置換溶液
に浸漬して、導電化材料に含まれる金属を部分的に他の
金属に置換した後に電解銅めっき処理を施してもよい。
このような置換溶液には、導電化溶液に含まれる金属よ
り導電性が高く、電位的に貴な金属が含まれる。また、
このような基体の導電化処理と置換処理とを繰り返した
後に、電解銅めっき処理を施してもよい。
【００１３】表面が導電化処理された基体には、電解め
っきによって銅電極が形成される。電解銅めっきで用い
られるめっき液は、銅イオン、銅イオンの錯化剤、電導
度剤、ｐＨ調整剤を含有し、必要に応じて界面活性剤が
添加される。銅イオンについては、銅イオンとして供給
されるものであればよく、たとえば、硫酸銅、塩化第二
銅、酢酸銅などを用いることができる。めっき液中の銅
イオン濃度は、０．０１〜０．８ｍｏｌ／Ｌの範囲で使
用され、より好ましくは、０．０５〜０．５ｍｏｌ／Ｌ
の範囲で使用される。
っきによって銅電極が形成される。電解銅めっきで用い
られるめっき液は、銅イオン、銅イオンの錯化剤、電導
度剤、ｐＨ調整剤を含有し、必要に応じて界面活性剤が
添加される。銅イオンについては、銅イオンとして供給
されるものであればよく、たとえば、硫酸銅、塩化第二
銅、酢酸銅などを用いることができる。めっき液中の銅
イオン濃度は、０．０１〜０．８ｍｏｌ／Ｌの範囲で使
用され、より好ましくは、０．０５〜０．５ｍｏｌ／Ｌ
の範囲で使用される。
【００１４】錯化剤としては、アミン類あるいはオキシ
カルボン酸類が用いられる。アミン類としては、トリエ
タノールアミン、エチレンジアミン、エチレンジアミン
四酢酸などが好適に用いられる。また、オキシカルボン
酸類としては、リンゴ酸、クエン酸、酒石酸、グルコン
酸などが好適に用いられる。その中でも、特に好適であ
るのは、アミン類ではエチレンジアミンであり、オキシ
カルボン酸類ではクエン酸である。めっき液中の錯化剤
濃度は、０．０２〜２．０ｍｏｌ／Ｌであり、より好ま
しくは、０．１〜１．０ｍｏｌ／Ｌである。
カルボン酸類が用いられる。アミン類としては、トリエ
タノールアミン、エチレンジアミン、エチレンジアミン
四酢酸などが好適に用いられる。また、オキシカルボン
酸類としては、リンゴ酸、クエン酸、酒石酸、グルコン
酸などが好適に用いられる。その中でも、特に好適であ
るのは、アミン類ではエチレンジアミンであり、オキシ
カルボン酸類ではクエン酸である。めっき液中の錯化剤
濃度は、０．０２〜２．０ｍｏｌ／Ｌであり、より好ま
しくは、０．１〜１．０ｍｏｌ／Ｌである。
【００１５】電導度剤としては、硫酸ナトリウム、硫酸
カリウム、硫酸アンモニウム、塩化ナトリウム、塩化カ
リウム、塩化アンモニウムなどを用いることができ、め
っき液中の電導度剤濃度は、０．１〜２．５ｍｏｌ／Ｌ
で使用される。
カリウム、硫酸アンモニウム、塩化ナトリウム、塩化カ
リウム、塩化アンモニウムなどを用いることができ、め
っき液中の電導度剤濃度は、０．１〜２．５ｍｏｌ／Ｌ
で使用される。
【００１６】ｐＨ調整剤としては、水酸化ナトリウム、
水酸化カリウム、水酸化リチウム、アンモニア水、硫
酸、塩酸などを用いることができ、めっき液のｐＨが
３．０〜１１．０となるように調整され、より好ましく
は、ｐＨが４．０〜１０．０となるように調整される。
このように、めっき液が、弱酸性から弱アルカリ性であ
れば、酸に対する耐性の弱いセラミック材料で形成され
た基体に銅めっきを施す場合にも、基体を侵食する恐れ
がない。
水酸化カリウム、水酸化リチウム、アンモニア水、硫
酸、塩酸などを用いることができ、めっき液のｐＨが
３．０〜１１．０となるように調整され、より好ましく
は、ｐＨが４．０〜１０．０となるように調整される。
このように、めっき液が、弱酸性から弱アルカリ性であ
れば、酸に対する耐性の弱いセラミック材料で形成され
た基体に銅めっきを施す場合にも、基体を侵食する恐れ
がない。
【００１７】さらに、めっき皮膜の特性改良のために、
ノニオン性、アニオン性、カチオン性または両性の界面
活性剤を適宜添加してもよい。界面活性剤の添加量は、
０．０５〜５ｇ／Ｌ程度が望ましい。
ノニオン性、アニオン性、カチオン性または両性の界面
活性剤を適宜添加してもよい。界面活性剤の添加量は、
０．０５〜５ｇ／Ｌ程度が望ましい。
【００１８】電解めっき工程においては、バレルめっき
法やラックめっき法など、種々のめっき法を用いること
ができる。ただし、チップ形状の電子部品の場合、バレ
ルめっき法によって基体表面に銅電極を形成することが
好ましい。
法やラックめっき法など、種々のめっき法を用いること
ができる。ただし、チップ形状の電子部品の場合、バレ
ルめっき法によって基体表面に銅電極を形成することが
好ましい。
【００１９】この電極形成方法では、電解銅めっき液と
して、銅イオンの特定の錯化剤を含有するものを用いる
ことにより、導電化材料が十分に付着されないセラミッ
ク材料で形成された基体表面に、電解めっき法によって
銅電極を形成することができる。このように、基体を導
電化溶液に浸漬して導電化し、電解めっきを施すことに
より銅電極を形成することができ、銅電極の形成プロセ
スを簡単にすることができる。したがって、セラミック
材料を用いた電子部品などの製造コストを低くすること
ができる。
して、銅イオンの特定の錯化剤を含有するものを用いる
ことにより、導電化材料が十分に付着されないセラミッ
ク材料で形成された基体表面に、電解めっき法によって
銅電極を形成することができる。このように、基体を導
電化溶液に浸漬して導電化し、電解めっきを施すことに
より銅電極を形成することができ、銅電極の形成プロセ
スを簡単にすることができる。したがって、セラミック
材料を用いた電子部品などの製造コストを低くすること
ができる。
【００２０】
【実施例】（実施例１〜９）チタン酸バリウムを主原料
とした誘電体共振器用の基体を準備した。基体のサイズ
は、２０×８×５ｍｍであり、直径０．４〜１．０ｍｍ
の貫通孔が形成されたものである。この基体の全面に、
以下の方法によって、外部銅電極を形成した。
とした誘電体共振器用の基体を準備した。基体のサイズ
は、２０×８×５ｍｍであり、直径０．４〜１．０ｍｍ
の貫通孔が形成されたものである。この基体の全面に、
以下の方法によって、外部銅電極を形成した。
【００２１】この基体をアルカリ系のクリーナーにより
洗浄後、水洗し、ともに１〜３％程度の濃度をもつフッ
酸と塩酸の混合溶液に浸漬して表面をエッチングし、再
度水洗した。次に、塩化パラジウム０．１５ｍｏｌ／
Ｌ、塩化スズ０．４ｍｏｌ／Ｌ、塩酸０．０５ｍｏｌ／
Ｌ、塩化ナトリウム１．０ｍｏｌ／ＬからなるｐＨ２．
０、浴温５０℃の導電化溶液（金属コロイドを含む）を
準備した。この導電化溶液に、基体を１０分間浸漬し、
水洗した。このとき、基体表面に付着した導電化材料量
は１２μｍ／ｃｍ2 であり、そのときの抵抗率は５００
ｋΩ・ｃｍであった。
洗浄後、水洗し、ともに１〜３％程度の濃度をもつフッ
酸と塩酸の混合溶液に浸漬して表面をエッチングし、再
度水洗した。次に、塩化パラジウム０．１５ｍｏｌ／
Ｌ、塩化スズ０．４ｍｏｌ／Ｌ、塩酸０．０５ｍｏｌ／
Ｌ、塩化ナトリウム１．０ｍｏｌ／ＬからなるｐＨ２．
０、浴温５０℃の導電化溶液（金属コロイドを含む）を
準備した。この導電化溶液に、基体を１０分間浸漬し、
水洗した。このとき、基体表面に付着した導電化材料量
は１２μｍ／ｃｍ2 であり、そのときの抵抗率は５００
ｋΩ・ｃｍであった。
【００２２】そして、表１に示す電解銅めっき浴によっ
て、電流密度を０．５Ａ／ｄｍ2 に設定し、バレルめっ
き法によって１時間のめっき（膜厚３μｍ程度）を行な
った。評価として、めっきのつき回り（めっき伝播
性）、膜厚分布、セラミック材料の侵食性の有無を調べ
た。
て、電流密度を０．５Ａ／ｄｍ2 に設定し、バレルめっ
き法によって１時間のめっき（膜厚３μｍ程度）を行な
った。評価として、めっきのつき回り（めっき伝播
性）、膜厚分布、セラミック材料の侵食性の有無を調べ
た。
【００２３】また、表１に示す電解銅めっき液によっ
て、周知のハルセル試験法で均一電着性を評価した。ハ
ルセル試験は、２６７ｍｌハルセル槽を用い、サイズが
１００×６７ｍｍで、材質がＳＵＳ３０４の試験板を使
用した。評価は、試験板の強電側の端部から１０ｍｍと
６０ｍｍの位置の膜厚を測定し、その比率を算出した。
て、周知のハルセル試験法で均一電着性を評価した。ハ
ルセル試験は、２６７ｍｌハルセル槽を用い、サイズが
１００×６７ｍｍで、材質がＳＵＳ３０４の試験板を使
用した。評価は、試験板の強電側の端部から１０ｍｍと
６０ｍｍの位置の膜厚を測定し、その比率を算出した。
【００２４】
【表１】
【００２５】表１において、めっきつき回り性について
は、○：完全にめっきが伝播しつき回る、△：不めっき
部分が１０％未満、×：不めっき部分が１０％以上であ
ることを示す。また、膜厚分布（膜厚の最大値と最小値
の比）については、◎：２０％未満、○：２０％以上〜
４０％未満、△：４０％以上〜６０％未満、×：６０％
以上であることを示す。さらに、均一電着性について
は、◎：９０％以上、○：９０％未満〜７０％以上、
△：７０％未満〜５０％以上、×：５０％未満であるこ
とを示す。なお、以後の表２〜表４についても、同様の
判断基準とする。
は、○：完全にめっきが伝播しつき回る、△：不めっき
部分が１０％未満、×：不めっき部分が１０％以上であ
ることを示す。また、膜厚分布（膜厚の最大値と最小値
の比）については、◎：２０％未満、○：２０％以上〜
４０％未満、△：４０％以上〜６０％未満、×：６０％
以上であることを示す。さらに、均一電着性について
は、◎：９０％以上、○：９０％未満〜７０％以上、
△：７０％未満〜５０％以上、×：５０％未満であるこ
とを示す。なお、以後の表２〜表４についても、同様の
判断基準とする。
【００２６】表１からわかるように、実施例１〜３、実
施例５〜８に示した錯化剤を用いた場合、基体の全面に
銅電極が形成された。その中でも、実施例２に示したエ
チレンジアミンおよび実施例６に示したクエン酸を用い
た場合、膜厚分布も少なく、良好な銅電極を形成するこ
とができた。一方、実施例４，９に示した錯化剤を用い
た場合、銅電極が形成されたものの、一部で不めっき部
分が生じた。
施例５〜８に示した錯化剤を用いた場合、基体の全面に
銅電極が形成された。その中でも、実施例２に示したエ
チレンジアミンおよび実施例６に示したクエン酸を用い
た場合、膜厚分布も少なく、良好な銅電極を形成するこ
とができた。一方、実施例４，９に示した錯化剤を用い
た場合、銅電極が形成されたものの、一部で不めっき部
分が生じた。
【００２７】（実施例１０〜１２、比較例１〜３）実施
例１〜９に示した電解銅めっき浴に変えて、表２に示す
電解銅めっき浴によって、電流密度を０．５Ａ／ｄｍ2
に設定し、バレルめっき法で１時間のめっきを行ない、
基体の全面に銅電極を形成した。
例１〜９に示した電解銅めっき浴に変えて、表２に示す
電解銅めっき浴によって、電流密度を０．５Ａ／ｄｍ2
に設定し、バレルめっき法で１時間のめっきを行ない、
基体の全面に銅電極を形成した。
【００２８】
【表２】
【００２９】表２からわかるように、実施例１０〜実施
例１２に示すように、錯化剤としてクエン酸を用いた場
合、いずれの銅イオン濃度および錯化剤濃度において
も、めっきが完全に伝播してつき回り、膜厚分布も少な
い良好な銅電極が形成された。さらに、ｐＨ４．０の弱
酸性のめっき浴であるため、基体が侵食されているよう
なことはなかった。
例１２に示すように、錯化剤としてクエン酸を用いた場
合、いずれの銅イオン濃度および錯化剤濃度において
も、めっきが完全に伝播してつき回り、膜厚分布も少な
い良好な銅電極が形成された。さらに、ｐＨ４．０の弱
酸性のめっき浴であるため、基体が侵食されているよう
なことはなかった。
【００３０】一方、比較例１〜比較例３に示す硫酸をベ
ースにした電解銅めっき浴では、比較例３の場合を除
き、めっきが完全に伝播せず、一部で不めっき部分が生
じるなど、良好な銅電極を形成することができなかっ
た。また、比較例１〜比較例３の全てにおいて、ｐＨ１
以下の強酸性浴であるため、基体が侵食されて電気的特
性が劣化するなどの不具合が生じた。
ースにした電解銅めっき浴では、比較例３の場合を除
き、めっきが完全に伝播せず、一部で不めっき部分が生
じるなど、良好な銅電極を形成することができなかっ
た。また、比較例１〜比較例３の全てにおいて、ｐＨ１
以下の強酸性浴であるため、基体が侵食されて電気的特
性が劣化するなどの不具合が生じた。
【００３１】（実施例１３〜１８）実施例１〜９および
実施例１０〜１２、比較例１〜３に示した電解銅めっき
浴に変えて、表３に示す電解銅めっき浴によって、電流
密度を０．５Ａ／ｄｍ2 に設定し、バレルめっき法で１
時間のめっきを行ない、基体の全面に銅電極を形成し
た。
実施例１０〜１２、比較例１〜３に示した電解銅めっき
浴に変えて、表３に示す電解銅めっき浴によって、電流
密度を０．５Ａ／ｄｍ2 に設定し、バレルめっき法で１
時間のめっきを行ない、基体の全面に銅電極を形成し
た。
【００３２】
【表３】
【００３３】表３からわかるように、実施例１３〜実施
例１５に示すように、錯化剤としてエチレンジアミンを
用いた場合、いずれの銅イオンおよび銅錯化剤濃度にお
いても、めっきが完全に伝播してつき回り、膜厚分布の
少ない良好な電極が形成された。一方、実施例１６〜１
８に示すジエチレントリアミン五酢酸を用いた場合、銅
電極が形成されたものの、一部で不めっき部分が生じ
た。
例１５に示すように、錯化剤としてエチレンジアミンを
用いた場合、いずれの銅イオンおよび銅錯化剤濃度にお
いても、めっきが完全に伝播してつき回り、膜厚分布の
少ない良好な電極が形成された。一方、実施例１６〜１
８に示すジエチレントリアミン五酢酸を用いた場合、銅
電極が形成されたものの、一部で不めっき部分が生じ
た。
【００３４】（実施例１９〜２７）実施例１〜実施例１
８と同様に、表４に示す電解銅めっき浴によって、電流
密度を０．５Ａ／ｄｍ2 に設定し、バレルめっき法で１
時間のめっきを行ない、基体の全面に銅電極を形成し
た。
８と同様に、表４に示す電解銅めっき浴によって、電流
密度を０．５Ａ／ｄｍ2 に設定し、バレルめっき法で１
時間のめっきを行ない、基体の全面に銅電極を形成し
た。
【００３５】
【表４】
【００３６】表４からわかるように、クエン酸を錯化剤
として用いた電解銅めっき浴の場合、銅イオンは０．０
５〜０．５ｍｏｌ／Ｌ、錯化剤は０．１〜１．０ｍｏｌ
／Ｌ、ｐＨは４〜１０の範囲が、めっきの伝播性がよ
く、膜厚分布が少ない良好な銅電極を形成することがで
きる範囲であると考えられる。
として用いた電解銅めっき浴の場合、銅イオンは０．０
５〜０．５ｍｏｌ／Ｌ、錯化剤は０．１〜１．０ｍｏｌ
／Ｌ、ｐＨは４〜１０の範囲が、めっきの伝播性がよ
く、膜厚分布が少ない良好な銅電極を形成することがで
きる範囲であると考えられる。
【００３７】
【発明の効果】この発明によれば、セラミック材料で形
成された基体の表面に、チップ型電子部品としての特性
を劣化させることなく、電極を形成することができる。
このとき、樹脂板に適用していたダイレクトプレーティ
ング法をセラミック材料で形成された基体に適用するこ
とができ、簡単な電極形成プロセスとすることができる
ため、チップ型電子部品などを製造する際に、製造コス
トを低減することができる。
成された基体の表面に、チップ型電子部品としての特性
を劣化させることなく、電極を形成することができる。
このとき、樹脂板に適用していたダイレクトプレーティ
ング法をセラミック材料で形成された基体に適用するこ
とができ、簡単な電極形成プロセスとすることができる
ため、チップ型電子部品などを製造する際に、製造コス
トを低減することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K023 AA19 BA06 CA01 CB03 CB05 CB12 DA02 DA06 DA11 4K024 AA09 AB01 AB17 BA15 BB09 CA02 CA03 DA07 DA10 GA16
Claims (8)
- 【請求項１】 セラミック材料、あるいはセラミックと
樹脂との複合セラミック材料を用いた基体の表面に銅電
極を形成するためのセラミック電子部品の銅電極形成方
法であって、 前記基体の表面に導電化材料を付着させる工程、および
前記基体の表面に付着した前記導電化材料を下地として
電解めっき法によって前記銅電極を形成する工程を含
み、 電解めっき法に用いられる電解銅めっき液が、アミン類
あるいはオキシカルボン酸類を銅イオンの錯化剤として
含有することを特徴とする、セラミック電子部品の銅電
極形成方法。 - 【請求項２】 前記電解銅めっき液の錯化剤が、トリエ
タノールアミン、エチレンジアミン、エチレンジアミン
四酢酸から選ばれる少なくとも１種であることを特徴と
する、請求項１に記載のセラミック電子部品の銅電極形
成方法。 - 【請求項３】 前記電解銅めっき液の錯化剤が、リンゴ
酸、クエン酸、酒石酸、グルコン酸から選ばれる少なく
とも１種であることを特徴とする、請求項１に記載のセ
ラミック電子部品の銅電極形成方法。 - 【請求項４】 前記電解銅めっき液の錯化剤濃度が、
０．１〜１．０ｍｏｌ／Ｌであることを特徴とする、請
求項１ないし請求項３のいずれかに記載のセラミック電
子部品の銅電極形成方法。 - 【請求項５】 前記電解銅めっき液の銅イオン濃度が、
０．０５〜０．５ｍｏｌ／Ｌであることを特徴とする、
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のセラミック
電子部品の銅電極形成方法。 - 【請求項６】 前記電解銅めっき液のｐＨが、４．０〜
１０．０であることを特徴とする、請求項１ないし請求
項５のいずれかに記載のセラミック電子部品の銅電極形
成方法。 - 【請求項７】 前記導電化溶液は、パラジウム、スズ、
銀、銅から選ばれる１つ以上を含有するコロイド、前記
いずれかの金属の錯体、または前記いずれかの金属の水
酸化物であることを特徴とする、請求項１ないし請求項
６のいずれかに記載のセラミック電子部品の銅電極形成
方法。 - 【請求項８】 セラミック材料、あるいはセラミックと
樹脂との複合セラミック材料を用いた基体の表面に銅電
極が形成されたセラミック電子部品において、前記銅電
極は、請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の電極
形成方法によって形成されたことを特徴とする、セラミ
ック電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001093293A JP4207394B2 (ja) | 2001-03-28 | 2001-03-28 | セラミック電子部品の銅電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001093293A JP4207394B2 (ja) | 2001-03-28 | 2001-03-28 | セラミック電子部品の銅電極形成方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002285377A true JP2002285377A (ja) | 2002-10-03 |
| JP2002285377A5 JP2002285377A5 (ja) | 2005-09-22 |
| JP4207394B2 JP4207394B2 (ja) | 2009-01-14 |
Family
ID=18947646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001093293A Expired - Lifetime JP4207394B2 (ja) | 2001-03-28 | 2001-03-28 | セラミック電子部品の銅電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4207394B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004079055A1 (ja) * | 2003-03-05 | 2004-09-16 | Tdk Corporation | 希土類磁石の製造方法およびめっき浴 |
| JP2006199994A (ja) * | 2005-01-19 | 2006-08-03 | Ishihara Chem Co Ltd | 電気銅メッキ浴、並びに銅メッキ方法 |
| WO2007096390A1 (en) * | 2006-02-21 | 2007-08-30 | Alchimer | Method and compositions for direct copper plating and filling to form interconnects in the fabrication of semiconductor devices |
| JP2009024203A (ja) * | 2007-07-18 | 2009-02-05 | Okuno Chem Ind Co Ltd | 電気銅めっき方法 |
| JP2009509044A (ja) * | 2005-09-20 | 2009-03-05 | アルスィメール | 基材表面を金属でコーティングするための電気めっき用組成物 |
| WO2018110198A1 (ja) * | 2016-12-16 | 2018-06-21 | コニカミノルタ株式会社 | 透明導電膜の形成方法及び電解メッキ用メッキ液 |
-
2001
- 2001-03-28 JP JP2001093293A patent/JP4207394B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004079055A1 (ja) * | 2003-03-05 | 2004-09-16 | Tdk Corporation | 希土類磁石の製造方法およびめっき浴 |
| US7473343B2 (en) | 2003-03-05 | 2009-01-06 | Tdk Corporation | Method of manufacturing rare-earth magnet, and plating bath |
| JP2006199994A (ja) * | 2005-01-19 | 2006-08-03 | Ishihara Chem Co Ltd | 電気銅メッキ浴、並びに銅メッキ方法 |
| JP4704761B2 (ja) * | 2005-01-19 | 2011-06-22 | 石原薬品株式会社 | 電気銅メッキ浴、並びに銅メッキ方法 |
| JP2009509044A (ja) * | 2005-09-20 | 2009-03-05 | アルスィメール | 基材表面を金属でコーティングするための電気めっき用組成物 |
| WO2007096390A1 (en) * | 2006-02-21 | 2007-08-30 | Alchimer | Method and compositions for direct copper plating and filling to form interconnects in the fabrication of semiconductor devices |
| US7579274B2 (en) | 2006-02-21 | 2009-08-25 | Alchimer | Method and compositions for direct copper plating and filing to form interconnects in the fabrication of semiconductor devices |
| JP2009024203A (ja) * | 2007-07-18 | 2009-02-05 | Okuno Chem Ind Co Ltd | 電気銅めっき方法 |
| WO2018110198A1 (ja) * | 2016-12-16 | 2018-06-21 | コニカミノルタ株式会社 | 透明導電膜の形成方法及び電解メッキ用メッキ液 |
| JPWO2018110198A1 (ja) * | 2016-12-16 | 2019-10-24 | コニカミノルタ株式会社 | 透明導電膜の形成方法及び電解メッキ用メッキ液 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4207394B2 (ja) | 2009-01-14 |
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