JP2005171287A - 無電解銅めっき浴、および高周波用電子部品 - Google Patents
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Abstract
【課題】 導電性が良好でふくれなどが発生せず、またセラミック素体に対する密着性が良好なめっき膜が得られる無電解銅めっき浴、およびこの銅めっき浴を用いて高いQ0値でかつ特性ばらつきの少ない品質特性を有する高周波用電子部品を提供する。
【解決手段】 無電解銅めっき浴は、銅イオンと、ニッケルイオンと、ホルムアルデヒトまたはその誘導体と、酒石酸またはその塩と、ポリエチレングリコールとを含み、ニッケルイオンの濃度が1×10-5〜7×10-4mol/L、ポリエチレングリコールの濃度が5×10-5〜5×10-4mol/Lに設定されている。
【選択図】 図1
【解決手段】 無電解銅めっき浴は、銅イオンと、ニッケルイオンと、ホルムアルデヒトまたはその誘導体と、酒石酸またはその塩と、ポリエチレングリコールとを含み、ニッケルイオンの濃度が1×10-5〜7×10-4mol/L、ポリエチレングリコールの濃度が5×10-5〜5×10-4mol/Lに設定されている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、高周波用電子部品の高周波用導体となる銅めっき膜を形成するために使用される無電解銅めっき浴、およびこれを使用して形成された銅めっき膜を有する高周波用電子部品に関するものである。
一般に、800〜2000MHz帯で使用される誘電体共振器や、20〜30GHz帯で使用されるミリ波用共振器などの高周波用電子部品においては、無電解銅めっき浴を使用して形成された銅めっき膜が電極として設けられている。
ところで、上記の高周波用電子部品としての誘電体共振器やミリ波用共振器等においては、共振器のQ0値(つまり共振の先鋭度)が高いことが求められており、そのためには、銅めっき膜の特性として、導電性が良好であること、フクレなどが発生していないこと、セラミック素体に対する密着性が良好であることなどが必要となる。
従来、高周波用電子部品の銅めっき膜を形成するための無電解銅めっき浴としては、銅イオンと、還元剤としてのホルムアルデヒトと、錯化剤としてのEDTAと、を含んでなるアルカリ性水溶液が使用されている。
このような従来の無電解銅めっき浴は、予めフッ酸を含んだエッチング剤によりセラミック素体の表面を強くエッチングすることでセラミック素体表面の凹凸を大きくし、これらの凹凸によるアンカー効果を利用して密着性を確保するようにしている。
ところが、このようにセラミック素体表面の粗さを大きくすると、高周波導電性が低下して共振器の有するQ0値を高くすることが難しい。これに対処するためにセラミック素体表面の凹凸を小さくすると、還元剤であるホルムアルデヒトの分解に伴って発生した水素がセラミック素体の表面に存在する凹凸内部への銅の析出を阻害し、その結果、フクレが発生し易くなってセラミック素体に対する銅めっき膜の密着性が劣化してしまう。
そこで、従来技術では、銅イオンと、ニッケルイオンと、ホルムアルデヒトまたはその誘導体と、酒石酸またはその塩とを含む無電解銅めっき浴が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
この従来技術によれば、ニッケルイオンが銅の析出触媒として作用するために銅を持続的に析出することができ、膜厚の厚い銅めっき膜を容易に形成することができる。また、ニッケルイオンと錯化剤である酒石酸との作用によってホルムアルデヒトの分解に伴う水素の発生が抑えられるので、フクレが発生し難くなり、セラミック素体に対する銅めっき膜の密着性をある程度まで改善することが可能になる。
特開2003−13247号公報
ところで、特許文献1に記載されている無電解銅めっき浴は、銅めっき膜形成後のニッケル含有率が比較的大きく、そのため、共振器の有するQ0値を従来よりもさらに一層高めようとする上で自ずと限界がある。
すなわち、銅めっき膜を形成する上で、ニッケルイオンは銅の析出触媒として作用するために有益な成分であるが、ニッケルは、本来、銅に比べて導電率が低いので、銅めっき膜中のニッケル含有率が高いと銅めっき膜全体の導電率を下げることになり、その結果、Q0値を今までのものより高くすることが難しい。
また、この特許文献1に記載されている従来技術では、界面活性剤としてポリエチレングリコールを添加する点については示唆されているが、ポリエチレングリコールをどの程度添加すればよいのかまでは十分に検討されていない。
界面活性剤としてのポリエチレングリコールは、銅めっき膜を形成する際の析出粒子を微細化して緻密なめっき膜を形成する上で有益であるが、その添加量が多すぎるとセラミック素体表面への吸着により、銅の析出触媒として作用するニッケルイオンの触媒活性能を低下させる。この結果、銅めっき膜の膜厚がばらつき、ひいては、高周波用電子部品としてのQ0値のばらつきが大きくなって良好な品質のものが得られなくなる等の不具合を生じる。
本発明は、上記の課題を解決するためになされたもので、ニッケルイオンおよび界面活性剤としてのポリエチレングリコールの添加量を最適化することにより、銅めっき膜の導電性が良好で、ふくれなどが発生せず、しかもセラミック素体に対する密着性が良好な無電解銅めっき浴を提供すること、ならびに、このめっき浴を用いることにより、高いQ0値でかつ特性ばらつきの少ない優れた品質特性を有する高周波用電子部品を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために、請求項1記載の発明に係る無電解銅めっき浴は、銅イオンと、ニッケルイオンと、ホルムアルデヒトまたはその誘導体と、酒石酸またはその塩と、ポリエチレングリコールとを含み、前記ニッケルイオンの濃度が1×10-5〜7×10-4mol/L、前記ポリエチレングリコールの濃度が5×10-5〜5×10-4mol/Lであることを特徴としている。
特に、前記ポリエチレングリコールの濃度は、請求項2に記載のように、1×10-4〜5×10-4mol/Lであることが好ましい。
また、請求項3記載の発明に係る高周波用電子部品は、請求項1または請求項2に記載の無電解銅めっき浴を使用しためっき処理によって形成された銅めっき膜をセラミック素体上に有していることを特徴としている。
本発明の無電解銅めっき浴は、ニッケルイオンおよび界面活性剤としてのポリエチレングリコールの添加量が最適化されているので、セラミック素体の表面に銅めっき膜を形成する際に、銅の析出速度、および銅めっき膜中に含まれるニッケルの含有量が適切な値になるように制御することができる。このため、銅めっき膜の導電性が良好で、ふくれなどが発生せず、しかも、セラミック素体の表面が比較的平滑であるに場合にも密着性が良好となる。
その結果、本発明に係る無電解銅めっき浴を使用しためっき処理によって形成された銅めっき膜を有する高周波用電子部品は、高いQ0値で、かつ特性ばらつきの少ない優れた品質特性のものが得られる。
本発明の実施の形態に係る無電解銅めっき浴は、めっき析出体としての銅イオンと、銅の析出触媒としてのニッケルイオンと、還元剤としてのホルムアルデヒトまたはその誘導体と、錯化剤としての酒石酸またはその塩と、界面活性剤としてのポリエチレングリコールとを含む。そして、ニッケルイオンの濃度は1×10-5〜7×10-4mol/Lの範囲に、また、ポリエチレングリコールの濃度は5×10-5〜5×10-4mol/Lの範囲、特に好ましくは1×10-4〜5×10-4mol/Lの範囲となるように設定されている。
このように、ニッケルイオンおよび界面活性剤としてのポリエチレングリコールの添加量を最適化することにより、セラミック素体に銅めっき膜を形成する際に、銅の析出速度、および銅めっき膜中に含まれるニッケルの含有率が適切な値となるように制御される。
すなわち、ニッケルイオンは銅の析出触媒として作用して銅を持続的に析出することができ、十分な膜厚の銅めっき膜を形成することができる。また、銅めっき膜中のニッケル含有率が小さく抑えられるので、純粋な銅とほぼ同等の導電性が得られる。また、ニッケルイオンと錯化剤である酒石酸との作用によってホルムアルデヒトの分解に伴う水素の発生が少なくなるので、フクレが発生し難くなり、セラミック素体の表面が比較的平滑であってもセラミック素体に対する密着性が良好となる。
これにより、本発明に係る無電解銅めっき浴を使用しためっき処理によって形成された銅めっき膜を有する高周波用電子部品は、高いQ0値で、かつ特性ばらつきの少ない優れた品質特性を有するものとなる。
図1に示すTMモード円板型の誘電体共振器1を作製するために、まず、BaTi4O9・Ba2Ti9O20とBaSm2Ti4O12とを混合したセラミック材料からなる外径が27mm、厚みが5mmの円板状のセラミック素体11を準備する。そして、このセラミック素体11の銅めっき膜形成箇所の表面の粗さがそれぞれ1000#、2000#、4000#、および鏡面となるようにラップ研摩して、各表面粗さが互いに異なるものを作成した。
次に、研摩後のセラミック素体11のそれぞれについて、めっき前処理としてアルカリ性の界面活性剤で洗浄、中和した後、パラジウムアルカリイオン触媒に浸漬し、還元することによって活性化した。
一方、表1に示す組成および濃度を有する本発明に係る無電解銅めっき浴を用意する。すなわち、この無電解銅めっき浴は、めっき析出体としての銅イオンを生成する硫酸銅(CuSO4・5H2O)、銅の析出触媒としてのニッケルイオンを生成する硫酸ニッケル(NiSO4・6H2O)、錯化剤としての酒石酸塩(KNaC4H4O6・4H2O)、還元剤としてのホルムアルデヒド(HCHO)、界面活性剤としてのポリエチレングリコール(PEG−1000)を含み、さらに、pH調整剤としての水酸化ナトリウム(NaOH)を添加してpHが12.4としたアルカリ性水溶液である。また、これらの組成の1リットル当たりの添加量(mol)は表1のようになっている。
そして、めっき前処理後のセラミック素体11のそれぞれを表1に示した無電解銅めっき浴中に浸漬し、同じく表1に示すめっき条件(浴温度36℃×めっき時間80分)の下で、セラミック素体11の表面に電極となる銅めっき膜12を形成した。この場合の銅めっき膜12の厚みの目標値は3.5μmとしている。
なお、この実施例1では、従来の無電解銅めっき浴との比較評価を行うため、上記と同じ材料および寸法のセラミック素体11を同じ手順で準備した上で、表2に示す組成および濃度を有する従来の無電解銅めっき浴を用いて、同じく表2に示すめっき条件の下で、上記と同じ手順でセラミック素体11に銅めっき膜12を形成した。
このようにして銅めっき膜が形成されたセラミック素体11について、窒素雰囲気中で650℃×1時間の熱処理を施した後、外周部をセンタレス研摩して不要な銅めっき膜を除くことで図1に示すTMモード円板型の誘電体共振器1を得た。
これらの誘電体共振器1について、Q0値、およびそのばらつきR(=最大値−最小値)を調査した結果を表3に、また、銅めっき膜12の膜厚、膜中のニッケル含有率、およびそれらのばらつきR(=最大値−最小値)を調査した結果を表4にそれぞれ示す。なお、表3,4において、実施例1は本発明に係る無電解銅めっき浴(表1)を用いて作製した誘電体共振器1の特性を、比較例は従来の無電解銅めっき浴(表2)を用いて作製した誘電体共振器1の特性をそれぞれ示している。
まず、表3から分かるように、本発明に係る無電解銅めっき浴を用いて作製した誘電体共振器1のQ0値は、いずれの研磨条件においても従来の場合と比較して大きく、また、Q0値のばらつきRも従来の場合に比べて小さい。
また、銅めっき膜12のフクレの有無についても調査したが、本発明に係る無電解銅めっき浴を使用した場合には、セラミック素体11の表面が鏡面であっても銅めっき膜12にはフクレが発生しなかった。
次に、表4から分かるように、いずれの研磨条件においても、本発明に係る無電解銅めっき浴を用いた場合の銅めっき膜12の膜厚のばらつきRは、従来の無電解銅めっき浴を用いた場合の銅めっき膜の膜厚のばらつきRよりも小さい。また、いずれの研磨条件においても、本発明に係る無電解銅めっき浴を用いた場合の銅めっき膜12中のニッケル含有率は、従来の無電解銅めっき浴を用いた場合の銅めっき膜12中のニッケル含有率よりも小さい。
したがって、本発明に係る無電解銅めっき浴を用いて銅めっき膜12を形成することにより、優れた品質特性を有する誘電体共振器1が得られることが理解される。
図2に示す直方体形状の誘電体共振器2を作製するために、まず、BaTi4O9・Ba2Ti9O20とBaSm2Ti4O12とを混合したセラミック材料からなる外径が3mm×3mm×5mmの直方体で中心に直径1mmの貫通孔23が形成されたセラミック素体21を準備する。そして、このセラミック素体21を0.25mol/LのHF水溶液を70℃に加熱した中に10分間浸漬してエッチングを行った。
次に、エッチング後のセラミック素体21について、めっき前処理としてアルカリ性の界面活性剤で洗浄、中和した後、パラジウムアルカリイオン触媒に浸漬し、還元することによって活性化した。
一方、表1において、表面活性剤であるポリエチレングリコールの濃度のみを0〜6×10-4mol/Lの範囲で変化させ、その他の組成および濃度は表1に示したものと同じ無電解銅めっき浴を準備する。そして、これらの無電解銅めっき浴中に、めっき前処理後のセラミック素体21を浸漬してセラミック素体の表面に電極となる銅めっき膜22を形成した。この場合のめっき条件も表1に示した場合と同じである。
このようにして銅めっき膜22が形成されたセラミック素体21について、窒素雰囲気中で650℃×1時間の熱処理を施した後、貫通孔23が開口している上下の面の内、一方の面をセンタレス研摩して除くことで図2に示す誘電体共振器2を得た。
これらの誘電体共振器2について、Q0値、銅めっき膜22の膜厚、および膜中のニッケル含有率について調査した結果を表5に示す。
表5から分かるように、界面活性剤であるポリエチレングリコールを無添加とした場合は銅めっき膜22の析出速度が低下する。また、セラミック素体21の角部において被膜切れが発生し、十分な特性が得られない。一方、ポリエチレングリコールの添加量が6×10-4mol/Lと多い場合には、銅めっき膜22が粗く、かつニッケル含有率が高くて十分なQ0値が得られない。したがって、無電解銅めっき浴の添加剤として使用するポリエチレングリコールの濃度は、5×10-5〜5×10-4mol/Lの範囲が適当である。特に、銅めっき膜22のニッケル成分はセラミック素体21に対する密着性を高める作用があることを考慮すると、銅めっき膜22中に幾分ともニッケルが含有されていることが好ましく、したがって、ポリエチレングリコールの濃度は、1×10-4〜5×10-4mol/Lの範囲が一層好適である。
この実施例3では、図2に示す直方体形状の誘電体共振器2を作製するにあたり、表1において、ニッケルイオン濃度のみを0〜8×10-4mol/Lの範囲で変化させた無電解銅めっき浴を準備した。なお、その他の組成および濃度は表1に示したものと同一とした。
そして、これらの無電解銅めっき浴中に、めっき前処理後のセラミック素体21を浸漬してセラミック素体21の表面に電極となる銅めっき膜22を形成した。この場合のセラミック素体21の寸法、材質、ならびにめっき前処理、めっき条件、めっき後処理については実施例2の場合と同じである。
このようにして作製された誘電体共振器2について、Q0値、銅めっき膜22の膜厚、および膜中のニッケル含有率について調査した結果を表6に示す。
表6から分かるように、無電解銅めっき浴中のニッケルイオンが無添加の場合は銅めっき膜22の析出速度が低下し、十分な大きさのQ0値および膜厚が得られない。また、ニッケルイオン濃度が8×10-4mol/Lでは、銅めっき膜22中のニッケル含有率が高くて十分なQ0値が得られない。したがって、無電解銅めっき浴中のニッケルイオン濃度は1×10-5〜7×10-4mol/Lの範囲が好適であることが理解される。
上記の実施例1〜3では、誘電体共振器1,2の電極となる銅めっき膜12,22を形成する場合について説明したが、本発明は、このような誘電体共振器1,2への適用に限定されるものではなく、その他の高周波用電子部品に対しても適用可能であることは勿論である。
1,2 誘電体共振器
11,21 セラミック素体
12,22 銅めっき膜
11,21 セラミック素体
12,22 銅めっき膜
Claims (3)
- 銅イオンと、ニッケルイオンと、ホルムアルデヒトまたはその誘導体と、酒石酸またはその塩と、ポリエチレングリコールとを含み、
前記ニッケルイオンの濃度が1×10-5〜7×10-4mol/L、前記ポリエチレングリコールの濃度が5×10-5〜5×10-4mol/Lであることを特徴とする、無電解銅めっき浴。 - 前記ポリエチレングリコールの濃度が1×10-4〜5×10-4mol/Lであることを特徴とする、請求項1記載の無電解銅めっき浴。
- 請求項1または請求項2に記載の無電解銅めっき浴を使用しためっき処理によって形成された銅めっき膜をセラミック素体上に有していることを特徴とする高周波用電子部品。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2003409930A JP2005171287A (ja) | 2003-12-09 | 2003-12-09 | 無電解銅めっき浴、および高周波用電子部品 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008056603A1 (fr) * | 2006-11-06 | 2008-05-15 | Alps Electric Co., Ltd. | Procédé simple de placage non électrolytique de cuivre |
WO2022030645A1 (ja) * | 2020-08-07 | 2022-02-10 | 東洋鋼鈑株式会社 | 銅張積層体及びその製造方法 |
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2003
- 2003-12-09 JP JP2003409930A patent/JP2005171287A/ja active Pending
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JP5149805B2 (ja) * | 2006-11-06 | 2013-02-20 | アルプス電気株式会社 | 無電解銅めっき方法 |
WO2022030645A1 (ja) * | 2020-08-07 | 2022-02-10 | 東洋鋼鈑株式会社 | 銅張積層体及びその製造方法 |
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