JP2003008179A - 印刷回路及びフレキシブル配線のパターンニング方法 - Google Patents
印刷回路及びフレキシブル配線のパターンニング方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 エッチングや蒸着などの高価な設備を不要と
しながら、サイドエッチングなどの不都合が生じない、
極めて密着性に優れた回路体をプラスチック基材の上に
形成することができる印刷回路及びフレキシブル配線の
パターンニング方法を提供する。 【解決手段】 有機物からなる基材上に無機物からなる
薄膜を成膜する成膜方法において、該基材表面に酸素グ
ロー放電プラズマ照射処理及び／または窒素グロー放電
プラズマ照射処理を行って酸素及び／または窒素が導入
された官能基導入層を形成し、次いで、該導入層の上に
無機物からなる薄膜を成膜する印刷回路及びフレキシブ
ル配線のパターンニング方法。
しながら、サイドエッチングなどの不都合が生じない、
極めて密着性に優れた回路体をプラスチック基材の上に
形成することができる印刷回路及びフレキシブル配線の
パターンニング方法を提供する。 【解決手段】 有機物からなる基材上に無機物からなる
薄膜を成膜する成膜方法において、該基材表面に酸素グ
ロー放電プラズマ照射処理及び／または窒素グロー放電
プラズマ照射処理を行って酸素及び／または窒素が導入
された官能基導入層を形成し、次いで、該導入層の上に
無機物からなる薄膜を成膜する印刷回路及びフレキシブ
ル配線のパターンニング方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板やフィルムな
どのプラスチック材料の上に回路や配線を設ける印刷回
路及びフレキシブル配線のパターンニング方法に関す
る。
どのプラスチック材料の上に回路や配線を設ける印刷回
路及びフレキシブル配線のパターンニング方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】プラスチック材料を基材としてその上に
回路を構成する技術としては、銅箔を粘着剤で貼り付
け、フォトマスクを用いて、不要箇所をエッチングで削
る方法が一般的である。しかし、このような方法はエッ
チング装置が必要なため、設備投資が大きく、さらに、
高価な銅箔を用い、かつ、エッチング時にも無駄が生じ
る。さらにエッチング時にはいわゆるサイドエッチング
が生じて、所定の電流容量の回路を形成することが困難
であり、サイドエッチングを考慮して回路設計をする必
要がある。
回路を構成する技術としては、銅箔を粘着剤で貼り付
け、フォトマスクを用いて、不要箇所をエッチングで削
る方法が一般的である。しかし、このような方法はエッ
チング装置が必要なため、設備投資が大きく、さらに、
高価な銅箔を用い、かつ、エッチング時にも無駄が生じ
る。さらにエッチング時にはいわゆるサイドエッチング
が生じて、所定の電流容量の回路を形成することが困難
であり、サイドエッチングを考慮して回路設計をする必
要がある。
【０００３】また、樹脂フィルム、基板などのプラスッ
チック材表面にグロー放電プラズマを照射することによ
り表面のぬれ性を改善した上で金属蒸着をおこなう方法
が特開平１−３２１６８７号公報記載の技術で提案され
ている。しかしながらこの方法では、上記同様にエッチ
ングを行う必要がある上に、高価な設備が必要で、か
つ、生産性の悪い金属蒸着を行う必要がある。
チック材表面にグロー放電プラズマを照射することによ
り表面のぬれ性を改善した上で金属蒸着をおこなう方法
が特開平１−３２１６８７号公報記載の技術で提案され
ている。しかしながらこの方法では、上記同様にエッチ
ングを行う必要がある上に、高価な設備が必要で、か
つ、生産性の悪い金属蒸着を行う必要がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記した従
来の問題点を改善する、すなわち、エッチングや蒸着な
どの高価な設備を不要としながら、サイドエッチングな
どの不都合が生じない、極めて密着性に優れた回路体を
プラスチック基材の上に形成することができる印刷回路
及びフレキシブル配線のパターンニング方法を提供する
ことを目的とする。
来の問題点を改善する、すなわち、エッチングや蒸着な
どの高価な設備を不要としながら、サイドエッチングな
どの不都合が生じない、極めて密着性に優れた回路体を
プラスチック基材の上に形成することができる印刷回路
及びフレキシブル配線のパターンニング方法を提供する
ことを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の印刷回路及びフ
レキシブル配線のパターンニング方法は上記課題を解決
するため、請求項１に記載の通り、プラスチックからな
る基材上に印刷回路及びフレキシブル配線のパターンニ
ングを行う印刷回路及びフレキシブル配線のパターンニ
ング方法において、該基材表面に酸素グロー放電プラズ
マ照射処理及び／または窒素グロー放電プラズマ照射処
理を行ってぬれ性の異なる部分を形成した後、該基材の
上記処理面の濡れ性の低い部分に気膜を形成させなが
ら、該基材に化学メッキを行う印刷回路及びフレキシブ
ル配線のパターンニング方法であり、高価な設備を不要
としながら、非常に高密着性の回路体を形成することが
でき、かつ、サイドエッチングなどの不都合が生じな
い。
レキシブル配線のパターンニング方法は上記課題を解決
するため、請求項１に記載の通り、プラスチックからな
る基材上に印刷回路及びフレキシブル配線のパターンニ
ングを行う印刷回路及びフレキシブル配線のパターンニ
ング方法において、該基材表面に酸素グロー放電プラズ
マ照射処理及び／または窒素グロー放電プラズマ照射処
理を行ってぬれ性の異なる部分を形成した後、該基材の
上記処理面の濡れ性の低い部分に気膜を形成させなが
ら、該基材に化学メッキを行う印刷回路及びフレキシブ
ル配線のパターンニング方法であり、高価な設備を不要
としながら、非常に高密着性の回路体を形成することが
でき、かつ、サイドエッチングなどの不都合が生じな
い。
【０００６】本発明の印刷回路及びフレキシブル配線の
パターンニング方法は上記方法において、請求項２に記
載の通り、上記気膜がメッキ浴中に供給された気泡によ
り形成されたものである構成により、気膜を安定して形
成させることができる。
パターンニング方法は上記方法において、請求項２に記
載の通り、上記気膜がメッキ浴中に供給された気泡によ
り形成されたものである構成により、気膜を安定して形
成させることができる。
【０００７】本発明の印刷回路及びフレキシブル配線の
パターンニング方法は上記方法において、請求項３に記
載のように、上記化学メッキの後に電気メッキを行うこ
とにより、必要な電流容量の回路を容易かつ迅速に形成
することができる。
パターンニング方法は上記方法において、請求項３に記
載のように、上記化学メッキの後に電気メッキを行うこ
とにより、必要な電流容量の回路を容易かつ迅速に形成
することができる。
【０００８】本発明の印刷回路及びフレキシブル配線の
パターンニング方法は上記方法において、請求項４に記
載のように、予め疎水化処理を行った基材面に対してパ
ターンニングを行う構成により、より高精度かつ容易に
パターンニングを行うことが可能となる。
パターンニング方法は上記方法において、請求項４に記
載のように、予め疎水化処理を行った基材面に対してパ
ターンニングを行う構成により、より高精度かつ容易に
パターンニングを行うことが可能となる。
【０００９】本発明の印刷回路及びフレキシブル配線の
パターンニング方法は上記方法において、請求項５に記
載のように、予め粗面化処理を行った基材面に対して行
うことにより、金属層（回路）と基材との密着性をより
高いものとすることができる。
パターンニング方法は上記方法において、請求項５に記
載のように、予め粗面化処理を行った基材面に対して行
うことにより、金属層（回路）と基材との密着性をより
高いものとすることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の印刷回路及びフレキシブ
ル配線のパターンニング方法においてその表面に無機物
薄膜を形成する有機物からなる基材とは、樹脂板、フレ
キシブル基板等従来、蒸着、スパッタリングなどの通常
の手段で回路体が形成されてきたプラスチック類からな
るものであれば用いることができ、例えばアモルファス
ポリオレフィン、ポリカーボネート、ポリメチルメタク
リレート、ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹脂
又はポリイミド樹脂等が挙げられる。
ル配線のパターンニング方法においてその表面に無機物
薄膜を形成する有機物からなる基材とは、樹脂板、フレ
キシブル基板等従来、蒸着、スパッタリングなどの通常
の手段で回路体が形成されてきたプラスチック類からな
るものであれば用いることができ、例えばアモルファス
ポリオレフィン、ポリカーボネート、ポリメチルメタク
リレート、ポリエチレンテレフタレート、アクリル樹脂
又はポリイミド樹脂等が挙げられる。
【００１１】形状も酸素グロー放電プラズマ照射処理及
び／または窒素グロー放電プラズマ照射処理が可能であ
ればよく、板材、シート、フィルム、テープ或いは円筒
状等、あるいは複雑形状など、形状などを問わない。
び／または窒素グロー放電プラズマ照射処理が可能であ
ればよく、板材、シート、フィルム、テープ或いは円筒
状等、あるいは複雑形状など、形状などを問わない。
【００１２】本発明の成膜方法では充分に高い密着性を
有する回路体が得られるため、基材に対して、通常の密
着向上操作を行うことは特に必要はないが、本発明の効
果をさらに高めるため併用しても良い。
有する回路体が得られるため、基材に対して、通常の密
着向上操作を行うことは特に必要はないが、本発明の効
果をさらに高めるため併用しても良い。
【００１３】本発明の印刷回路及びフレキシブル配線の
パターンニング方法において、基材表面に酸素グロー放
電プラズマ照射処理及び／または窒素グロー放電プラズ
マ照射処理を部分的に行って、回路体形成が必要な箇所
のぬれ性を高くする。このとき、従来技術のようなイオ
ン注入などのコスト上昇となる手段は不要である。
パターンニング方法において、基材表面に酸素グロー放
電プラズマ照射処理及び／または窒素グロー放電プラズ
マ照射処理を部分的に行って、回路体形成が必要な箇所
のぬれ性を高くする。このとき、従来技術のようなイオ
ン注入などのコスト上昇となる手段は不要である。
【００１４】具体的には処理によって部分的に酸素及び
／または窒素が導入された官能基導入層を形成するが、
この処理を行った部分が周囲の処理を行わない部分に対
して後述のメッキ浴に対するぬれ性が高くなる。
／または窒素が導入された官能基導入層を形成するが、
この処理を行った部分が周囲の処理を行わない部分に対
して後述のメッキ浴に対するぬれ性が高くなる。
【００１５】ここで、回路を形成する基材面に対し、例
えばフッ素系材料を用いて予め疎水化処理を行ってぬれ
性を著しく低下させ（例えば水との濡れ角を１５０°以
上とする）、上記酸素グロー放電プラズマ照射処理及び
／または窒素グロー放電プラズマ照射処理を部分的に行
うことにより、処理部・未処理部のぬれ性の差を相対的
に大きくすることができ、回路の形成をより容易にかつ
高精度に行うことができる。
えばフッ素系材料を用いて予め疎水化処理を行ってぬれ
性を著しく低下させ（例えば水との濡れ角を１５０°以
上とする）、上記酸素グロー放電プラズマ照射処理及び
／または窒素グロー放電プラズマ照射処理を部分的に行
うことにより、処理部・未処理部のぬれ性の差を相対的
に大きくすることができ、回路の形成をより容易にかつ
高精度に行うことができる。
【００１６】このような方法としてはフルオロアルキル
シラン（ＣＦ3（ＣＦ2）ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3）
等）加水溶液によるディップコーティング（ゾルゲル
法）、フッ素ガス中、あるいは、フッ素ガスと不活性ガ
スとの混合ガス中でのプラズマ放電によるフッ素原子の
基材表面への導入等が挙げられる。
シラン（ＣＦ3（ＣＦ2）ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3）
等）加水溶液によるディップコーティング（ゾルゲル
法）、フッ素ガス中、あるいは、フッ素ガスと不活性ガ
スとの混合ガス中でのプラズマ放電によるフッ素原子の
基材表面への導入等が挙げられる。
【００１７】なお、このような疎水化処理の前に粗面化
処理として酸素グロー放電プラズマ照射処理及び／また
は窒素グロー放電プラズマ照射処理をさらに併用すると
素材表面が粗面化されて凹凸が形成され、疎水化効果が
顕著になる。
処理として酸素グロー放電プラズマ照射処理及び／また
は窒素グロー放電プラズマ照射処理をさらに併用すると
素材表面が粗面化されて凹凸が形成され、疎水化効果が
顕著になる。
【００１８】上記のように必要に応じて疎水化処理を行
った後、酸素グロー放電プラズマ照射処理、窒素グロー
放電プラズマ照射処理を行う。この処理は真空条件でも
大気圧下でも行うことができる。真空条件であっても高
真空である必要はないので、真空容器、シール、或い
は、真空ポンプ等の設備が比較的安価なもので充分であ
り、さらに、所定の真空度に達するまでの時間が短く、
そのための作業が容易であるなどの利点を有する。
った後、酸素グロー放電プラズマ照射処理、窒素グロー
放電プラズマ照射処理を行う。この処理は真空条件でも
大気圧下でも行うことができる。真空条件であっても高
真空である必要はないので、真空容器、シール、或い
は、真空ポンプ等の設備が比較的安価なもので充分であ
り、さらに、所定の真空度に達するまでの時間が短く、
そのための作業が容易であるなどの利点を有する。
【００１９】本発明において酸素グロー放電プラズマ照
射処理と窒素グロー放電プラズマ照射処理は必要に応じ
両者をおこなっても良く、あるいは、どちらか一方でも
良い。さらに、一方を先に、他方を後にして順次行って
も良く、また、酸素と窒素の混合ガスを用いて行っても
良い。
射処理と窒素グロー放電プラズマ照射処理は必要に応じ
両者をおこなっても良く、あるいは、どちらか一方でも
良い。さらに、一方を先に、他方を後にして順次行って
も良く、また、酸素と窒素の混合ガスを用いて行っても
良い。
【００２０】このような酸素グロー放電プラズマ照射処
理、窒素グロー放電プラズマ照射処理によって、有機物
からなる基材表面にラジカルや親水基（カルボニル基、
ヒドロキシル基、アンモニア基など）をもつ活性種を生
成し、予め基板上に酸素及び／または窒素を附着させ、
メッキ浴に対するぬれ性を部分的に高め、最終的に形成
される金属層（回路体）との密着性を向上させる。
理、窒素グロー放電プラズマ照射処理によって、有機物
からなる基材表面にラジカルや親水基（カルボニル基、
ヒドロキシル基、アンモニア基など）をもつ活性種を生
成し、予め基板上に酸素及び／または窒素を附着させ、
メッキ浴に対するぬれ性を部分的に高め、最終的に形成
される金属層（回路体）との密着性を向上させる。
【００２１】上記、酸素グロー放電プラズマ照射処理及
び窒素グロー放電プラズマ照射処理では基板温度を高温
とせずに処理を行うことが可能であるため、基材が熱可
塑性プラスチックのような高温での処理に適していない
ものであっても、高設備費の原因となる冷却手段を設け
ることなく処理を行うことができる。
び窒素グロー放電プラズマ照射処理では基板温度を高温
とせずに処理を行うことが可能であるため、基材が熱可
塑性プラスチックのような高温での処理に適していない
ものであっても、高設備費の原因となる冷却手段を設け
ることなく処理を行うことができる。
【００２２】グロー放電プラズマ照射処理において用い
る電源周波数は高周波でも、無線周波数でもよい。電圧
は数ｋＶから数百ｋＶの間で適宜設定する。電極間隔は
一般に入力電力に応じて数ｍｍ〜１００ｍｍまでが可能
である。チャンバ内圧力は安定したプラズマが発生でき
れば特に限定はなく、通常、０．１Ｐａ程度から大気圧
まで広い範囲から適宜選択する。
る電源周波数は高周波でも、無線周波数でもよい。電圧
は数ｋＶから数百ｋＶの間で適宜設定する。電極間隔は
一般に入力電力に応じて数ｍｍ〜１００ｍｍまでが可能
である。チャンバ内圧力は安定したプラズマが発生でき
れば特に限定はなく、通常、０．１Ｐａ程度から大気圧
まで広い範囲から適宜選択する。
【００２３】上記のようにして基材表面の、グロー放電
プラズマ照射処理によりラジカルや親水基が導入されて
形成された官能基導入層のぬれ性は高く、グロー放電プ
ラズマ照射処理の照射用入力パワー、周波数、ガス圧
力、放電条件などを制御した結果、例えば処理前の表面
の水滴に対する接触角が６２°であったアクリル板材の
接触角を１０°以下にすることができた。このように、
基材表面の必要箇所の水滴に対する接触角が１０°以下
となるようにグロー放電プラズマ照射処理を行うと後述
のメッキ処理前の気膜形成を容易に行うことができる。
プラズマ照射処理によりラジカルや親水基が導入されて
形成された官能基導入層のぬれ性は高く、グロー放電プ
ラズマ照射処理の照射用入力パワー、周波数、ガス圧
力、放電条件などを制御した結果、例えば処理前の表面
の水滴に対する接触角が６２°であったアクリル板材の
接触角を１０°以下にすることができた。このように、
基材表面の必要箇所の水滴に対する接触角が１０°以下
となるようにグロー放電プラズマ照射処理を行うと後述
のメッキ処理前の気膜形成を容易に行うことができる。
【００２４】このように部分的にメッキ浴に対してぬれ
性が異なる基材に対してメッキ浴中に浸漬し、化学メッ
キ（無電解メッキ）を行うが、このとき、基材の処理面
の濡れ性の低い部分に気膜を形成させる。例えばメッキ
浴中で細かい気泡（例えば空気や窒素ガスの気泡）を接
触させるとメッキ浴に対してぬれ性が低い部分に気膜が
形成される。
性が異なる基材に対してメッキ浴中に浸漬し、化学メッ
キ（無電解メッキ）を行うが、このとき、基材の処理面
の濡れ性の低い部分に気膜を形成させる。例えばメッキ
浴中で細かい気泡（例えば空気や窒素ガスの気泡）を接
触させるとメッキ浴に対してぬれ性が低い部分に気膜が
形成される。
【００２５】このような気膜が形成された後、メッキ浴
中のｐＨを変化させる、温度を上げる、予め添加してい
なかった主要成分（還元剤等）をメッキ浴へ添加・混合
する等によりメッキ浴のメッキ可能条件に適合させて、
気膜が形成されていない部分への化学メッキを開始す
る。ただし、用いるメッキ浴のメッキ速度が充分に遅い
場合には、気膜の形成を迅速に行うことでこのような開
始条件の設定を省くことができる。
中のｐＨを変化させる、温度を上げる、予め添加してい
なかった主要成分（還元剤等）をメッキ浴へ添加・混合
する等によりメッキ浴のメッキ可能条件に適合させて、
気膜が形成されていない部分への化学メッキを開始す
る。ただし、用いるメッキ浴のメッキ速度が充分に遅い
場合には、気膜の形成を迅速に行うことでこのような開
始条件の設定を省くことができる。
【００２６】このとき金属層（回路体）形成不要箇所に
メッキ浴が付着し、結果としてメッキ層が形成される場
合があるが水、アルコール類などの溶媒による一般的な
洗浄、あるいは、超音波洗浄等で容易に除去することが
できる。
メッキ浴が付着し、結果としてメッキ層が形成される場
合があるが水、アルコール類などの溶媒による一般的な
洗浄、あるいは、超音波洗浄等で容易に除去することが
できる。
【００２７】一般に化学メッキは厚いメッキ層を形成す
ることが困難であり、また電気メッキの方が金属原子の
配列がきれいなため低抵抗となりやすい等を勘案して、
必要に応じて化学メッキの後に電気メッキを併用し、求
められる電流容量を満足する厚さとなるよう回路体をメ
ッキにより形成する。なお、電気メッキ処理時には上記
気膜は形成されている必要がない。
ることが困難であり、また電気メッキの方が金属原子の
配列がきれいなため低抵抗となりやすい等を勘案して、
必要に応じて化学メッキの後に電気メッキを併用し、求
められる電流容量を満足する厚さとなるよう回路体をメ
ッキにより形成する。なお、電気メッキ処理時には上記
気膜は形成されている必要がない。
【００２８】以上のような本発明の印刷回路及びフレキ
シブル配線のパターンニング方法により、不要部への銅
使用及びその後のエッチング処理も不要で、サイドエッ
チング等の問題発生のおそれもなく、高価な装置を必要
とせずに基材との密着性に優れた回路体を形成すること
ができる。
シブル配線のパターンニング方法により、不要部への銅
使用及びその後のエッチング処理も不要で、サイドエッ
チング等の問題発生のおそれもなく、高価な装置を必要
とせずに基材との密着性に優れた回路体を形成すること
ができる。
【００２９】本発明の印刷回路及びフレキシブル配線の
パターンニング方法は上記のようにサイドエッチングの
発生がないため、メッキ浴中で気泡により気膜を形成す
る場合での気泡の大きさを制御することで、サイドエッ
チングの発生により０．１μｍ／ピッチ付近で高密度化
に限界に達しているピッチ密度をさらに向上させること
が可能となる。
パターンニング方法は上記のようにサイドエッチングの
発生がないため、メッキ浴中で気泡により気膜を形成す
る場合での気泡の大きさを制御することで、サイドエッ
チングの発生により０．１μｍ／ピッチ付近で高密度化
に限界に達しているピッチ密度をさらに向上させること
が可能となる。
【００３０】
【実施例】以下に本発明の印刷回路及びフレキシブル配
線のパターンニング方法について具体的に説明する。
線のパターンニング方法について具体的に説明する。
【００３１】＜粗面化処理＞アクリル平板材（厚さ２ｍ
ｍ）を基材として、その方面にプラズマ発生装置（サム
コインターナショナル研究所製ＢＰ−１、その概念図を
図１に示す。）を用い、ＲＦ１３．６ＭＨｚ、１５０ｗ
で、平行平板電極を用いて、間隔３５ｍｍとして、３ｍ
Ｔｏｒｒまで減圧した後０．２Ｔｏｒｒの圧力条件で、
アルゴンと酸素との混合ガス、及び、アルゴンと窒素ガ
スとの混合ガスをそれぞれ用いて３分間づつプラズマを
照射して粗面化処理を行った。表面が粗面となったのは
走査型電子顕微鏡にて確認した。
ｍ）を基材として、その方面にプラズマ発生装置（サム
コインターナショナル研究所製ＢＰ−１、その概念図を
図１に示す。）を用い、ＲＦ１３．６ＭＨｚ、１５０ｗ
で、平行平板電極を用いて、間隔３５ｍｍとして、３ｍ
Ｔｏｒｒまで減圧した後０．２Ｔｏｒｒの圧力条件で、
アルゴンと酸素との混合ガス、及び、アルゴンと窒素ガ
スとの混合ガスをそれぞれ用いて３分間づつプラズマを
照射して粗面化処理を行った。表面が粗面となったのは
走査型電子顕微鏡にて確認した。
【００３２】＜疎水化処理＞
【００３３】上記粗面処理を行った基材をフルオロアル
キルシラン加水溶液（フルオロアルキルシラン、水、エ
チレングリコール、イソプロピルアルコールなどを混
合、攪拌して調製）に浸漬した後、０．１５ｃｍ／秒の
速度で引き上げて８４℃、２０分間の熱処理を行い疎水
化処理を行った。その結果、処理面の水に対する濡れ角
は１２０°となった。
キルシラン加水溶液（フルオロアルキルシラン、水、エ
チレングリコール、イソプロピルアルコールなどを混
合、攪拌して調製）に浸漬した後、０．１５ｃｍ／秒の
速度で引き上げて８４℃、２０分間の熱処理を行い疎水
化処理を行った。その結果、処理面の水に対する濡れ角
は１２０°となった。
【００３４】＜グロー放電プラズマ照射処理＞基材の、
回路を形成する部分以外に金属製のマスクを施した後、
上記粗面化処理と同様に、ただし、酸素グロー放電プラ
ズマ照射処理あるいは、窒素グロー放電プラズマ照射処
理のいずれかを行い、２種のグロー放電プラズマ照射処
理済み基板を作製した。これらグロー放電プラズマ照射
処理部における水との濡れ角はともに１０°以下であっ
た。
回路を形成する部分以外に金属製のマスクを施した後、
上記粗面化処理と同様に、ただし、酸素グロー放電プラ
ズマ照射処理あるいは、窒素グロー放電プラズマ照射処
理のいずれかを行い、２種のグロー放電プラズマ照射処
理済み基板を作製した。これらグロー放電プラズマ照射
処理部における水との濡れ角はともに１０°以下であっ
た。
【００３５】＜化学メッキによる回路の形成＞上記回路
形成部分が親水化された２種の基板を、底部に設けられ
た多孔フィルタから連続的に空気泡が供給されるめっき
浴槽の化学めっき浴（硫酸銅、水酸化ナトリウム、ホル
ムアルデヒド、水からなる）に要処理面が下となるよう
に２０分間浸漬して、化学メッキによる回路の形成をお
こなった。このとき２種の基板の上記でグロー放電プラ
ズマ照射処理した箇所にのみ回路が形成された。形成さ
れた金属層（回路）の厚さはともに１μｍであり、セロ
ハン粘着テープを貼付後引き剥がしてテストしたが、基
板からの金属層の剥がれはなく、充分に高い密着性を有
していることが確認された。
形成部分が親水化された２種の基板を、底部に設けられ
た多孔フィルタから連続的に空気泡が供給されるめっき
浴槽の化学めっき浴（硫酸銅、水酸化ナトリウム、ホル
ムアルデヒド、水からなる）に要処理面が下となるよう
に２０分間浸漬して、化学メッキによる回路の形成をお
こなった。このとき２種の基板の上記でグロー放電プラ
ズマ照射処理した箇所にのみ回路が形成された。形成さ
れた金属層（回路）の厚さはともに１μｍであり、セロ
ハン粘着テープを貼付後引き剥がしてテストしたが、基
板からの金属層の剥がれはなく、充分に高い密着性を有
していることが確認された。
【００３６】
【発明の効果】本発明の印刷回路及びフレキシブル配線
のパターンニング方法は、高真空装置、エッチングや蒸
着などの高価な設備を不要としながら、サイドエッチン
グなどの不都合が生じない、極めて密着性に優れた回路
体をプラスチック基材の上に形成することができる優れ
た印刷回路及びフレキシブル配線のパターンニング方法
である。
のパターンニング方法は、高真空装置、エッチングや蒸
着などの高価な設備を不要としながら、サイドエッチン
グなどの不都合が生じない、極めて密着性に優れた回路
体をプラスチック基材の上に形成することができる優れ
た印刷回路及びフレキシブル配線のパターンニング方法
である。
【図１】プラズマ発生装置の概念図である。
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(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｃ２３Ｃ 28/02 Ｃ２３Ｃ 28/02
Ｈ０５Ｋ 3/38 Ｈ０５Ｋ 3/38 Ａ
(72)発明者 渡辺 嘉彦
静岡県裾野市御宿1500 矢崎総業株式会社
内
Ｆターム(参考） 4K022 AA13 AA42 BA08 BA31 BA35
CA02 CA09 CA12 CA13 CA22
CA29 DA01 DB13 EA04
4K044 AA16 AB02 BA06 BA21 BB03
BB10 BC04 BC14 CA04 CA07
CA16 CA18 CA53
5E343 AA02 AA12 AA33 AA36 AA39
BB15 BB21 BB71 CC22 CC50
DD33 DD43 EE36 GG04 GG08
GG11
Claims (5)
- 【請求項１】 プラスチックからなる基材上に印刷回路
及びフレキシブル配線のパターンニングを行う印刷回路
及びフレキシブル配線のパターンニング方法において、
該基材表面に酸素グロー放電プラズマ照射処理及び／ま
たは窒素グロー放電プラズマ照射処理を行ってぬれ性の
異なる部分を形成した後、該基材の上記処理面の濡れ性
の低い部分に気膜を形成させながら、該基材に化学メッ
キを行うことを特徴とする印刷回路及びフレキシブル配
線のパターンニング方法。 - 【請求項２】 上記気膜がメッキ浴中に供給された気泡
により形成されたものであることを特徴とする請求項１
に記載の印刷回路及びフレキシブル配線のパターンニン
グ方法。 - 【請求項３】 上記化学メッキの後に電気メッキを行う
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の印刷
回路及びフレキシブル配線のパターンニング方法。 - 【請求項４】 予め疎水化処理を行った基材面に対して
行うことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれ
かに記載の印刷回路及びフレキシブル配線のパターンニ
ング方法。 - 【請求項５】 予め粗面化処理を行った基材面に対して
行うことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれ
かに記載の印刷回路及びフレキシブル配線のパターンニ
ング方法。
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