JP2002541325A - ベーシックメタライゼーションを備えたバンプおよびベーシックメタライゼーションの製造方法 - Google Patents
ベーシックメタライゼーションを備えたバンプおよびベーシックメタライゼーションの製造方法Info
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Abstract
Description
では、ターミナル面上に電気分解的に堆積された亜鉛粒子が、ベーシックメタラ
イゼーション上にその後に自触媒作用的に堆積されるコンタクトメタライゼーシ
ョンのための核としての役割を果たすように、ターミナル面を亜鉛酸塩で電気分
解的にコーティングすることによってベーシックメタライゼーションを生ずるた
めにターミナル面が核化される。加えて、本発明は請求項12の前提条件による
ベーシックメタライゼーションを備えたバンプの構造に関する。
基板の、通常アルミニウムのターミナル面に、いわゆるバンプと呼ばれる高くな
ったコンタクトメタライゼーションを備えることが知られている。特に、コンタ
クトメタライゼーションを、金属の自触媒作用的な堆積を通してターミナル面に
付着させるとき、ターミナル面に自触媒作用的に堆積された金属の接着性を向上
させるために、コンタクトメタライゼーションをターミナル面に直接付着させる
のではなく、むしろターミナル面とコンタクトメタライゼーションとの間にベー
シックメタライゼーションを設けることが必要であることが明らかになっている
。コンタクトメタライゼーションが、自触媒作用的に堆積される金属のニッケル
および金からなるときこれは特に当てはまる。
めに、自触媒作用的な堆積の前に、ターミナル面を亜鉛酸塩で電気分解的にコー
ティングすることが有益であることが分かっている。亜鉛酸塩やここでは亜鉛酸
塩の中の亜鉛は、好ましくはターミナル面の比較的粗いアルミニウムの結晶粒界
において堆積し、それによってターミナル面上に比較的粗い核の分布を生ずる。
この核化は、ターミナル面上に金属の良好な接着、次いで自触媒作用的な堆積を
生じる。しかしながら、粗く与えられ分布された核化は、自触媒的に堆積された
金属において対応して粗い構造を生じるに過ぎない。この比較的粗い構造は、容
易に構造上の欠陥を形成し、この欠陥はこのように形成されたコンタクトメタラ
イゼーションの信頼性を結果的に制限する。
後の自触媒作用的な金属の堆積を準備するためにターミナル面をパラジウムで電
気分解的なコーティングにさらすことが知られている。結果的に、達成されたタ
ーミナル面の核化は比較的大きい数の核化で著しく純化した構造を有する。これ
はまた、すぐ後に自触媒作用的に堆積される金属構造の、対応して微細な結晶粒
の形成を可能にする。しかしながら、パラジウムの核化の不都合な点は、パラジ
ウムの際立った触媒特性がこれに限定された選択性のみを与え、その結果、パラ
ジウムで集中的に核化することが、ターミナル面上だけでなく、半導体基板の全
表面上にも、パラジウムを堆積してしまうことである。加えて、パラジウムの核
化は、特に亜鉛酸塩による核化と比べて、その後の自触媒作用的に堆積されるメ
タライゼーションとのわずかな接着を可能にするに過ぎない。
ンを備えたバンプを製造する方法を提供することであり、これによりコンタクト
メタライゼーションの品質をさらに向上させることができる。
明による方法は、亜鉛の粒子と共にターミナル面上に堆積されたパラジウムの粒
子が、ターミナル面上に続いて自触媒作用的に堆積されるコンタクトメタライゼ
ーションのための核としての役割を果たすような方法で、ターミナル面をパラジ
ウムで電気分解的にコーティングすることを可能にする。
ウムのコーティングの組み合わせは、混成の核化を生じ、これはターミナル面に
良好に接着するコンタクトメタライゼーションを生じ、かつ対応して滑らかな表
面の形態を伴って微細な構造を有する。これはコンタクトメタライゼーションに
向上した信頼性を与える。
ング(亜鉛酸塩コーティング)することを第一の方法ステップで実行し、続いて
すぐ後の方法ステップにおいて、ターミナル面をパラジウムによって電気分解的
にコーティング(パラジウムコーティング)する。この変形例において、その後
のパラジウムコーティングは亜鉛酸塩コーティングによって生じた核化構造を純
化する。
グを行うことは、亜鉛酸塩コーティングによって引き起こされたターミナル面上
での比較的高いエロージョンレートをパラジウムの比較的低いエロージョンレー
トによって減少させる。コンタクトメタライゼーションのためのより優れた表面
のなめらかさが得られるので、この効果はまた、コンタクトメタライゼーション
の表面形態上に有益な効果を有する。
プで行うのではなく、亜鉛酸塩コーティングを中断しパラジウムコーティングを
間に行うことを含み、その結果、亜鉛の粒子がパラジウムコーティングの前に少
なくとも部分的に取り除かれ、続いて亜鉛酸塩コーティングを繰り返す。 他の可能性は、パラジウムでターミナル面を電気分解的にコーティング(パラ
ジウムコーティング)することを一つの方法ステップで行い、かつその後の方法
ステップにおいてターミナル面を亜鉛酸塩で電気分解的にコーティング(亜鉛酸
塩コーティング)しなければならないことである。
せることで達成できる核化構造の純化は、亜鉛酸塩コーティングの後、亜鉛の粒
子を少なくとも部分的に取り除くことによってさえも向上させることができ、次
いで亜鉛コーティングのプロセスを更新する。 もし最初の方法ステップにおいて最初に亜鉛酸塩でターミナル面の電気分解的
なコーティング(亜鉛酸塩コーティング)を行い、続く方法ステップにおいてパ
ラジウムでターミナル面の電気分解的なコーティング(パラジウムコーティング
)を行い、かつ第二の亜鉛酸塩コーティングを他の方法ステップにおいて行うな
らば、混成の核化は、自触媒作用的なメタルの堆積に続き、これによりコンタク
トメタライゼーションを、コンタクトメタライゼーションのために非常に均一な
表面形態を与えられたターミナル面上に特別に良好に接着させる。
グの前に、亜鉛の粒子を少なくとも部分的に取り除くことによって、コンタクト
メタライゼーションの表面形態をさらに向上させることが可能となる。 もしも、亜鉛酸塩でターミナル面を電気分解的にコーティング(亜鉛酸塩コー
ティング)し、かつパラジウムでターミナル面を電気分解的にコーティング(パ
ラジウムコーティング)することを結合された方法ステップで行い、結合され即
ち混合された電気分解(亜鉛酸塩/パラジウムコーティング)により、亜鉛酸塩
コーティングをパラジウムコーティングと同時に行うように、ターミナル面が亜
鉛酸塩とパラジウムイオンとからなる結合された電気分解において核化されるな
らば、ターミナル面を核化する単一の方法ステップのみに基づいた平らな表面形
態と同様に、良好に接着する、自触媒的に堆積したコンタクトメタライゼーショ
ンを得ることを可能とする。
的な除去を行い、亜鉛酸塩/パラジウムコーティングの後に再び亜鉛酸塩のコー
ティングを始める。 代わりに、亜鉛酸塩/パラジウムコーティングに関して、ターミナル面の亜鉛
酸塩コーティングを先に行い、亜鉛酸塩の粒子の少なくとも部分的な除去をその
後に行うこともまた可能である。
関し特に有利であることが分かっている。 代わりに選択された方法にもかわらず、本発明による方法を、上述したように
異なる変形例に言及する図面のように適用することが、請求項12によるバンプ
の構造体を生じ、これは構成要素として亜鉛とパラジウムの双方を備えた本発明
によるベーシックメタライゼーションを有している。
に説明する。
面21はここではアルミニウムでできており、その周囲境界エリアは、半導体基
板20の表面上に延在しているパッシベーション層22によって覆われている。
ターミナル面21を核化する方法の変形例に関する以下の記載は、例示のように
、すなわちアルミニウムのようにここでは選択されたターミナル面21の材質に
限定されることがないことを強調する。
ーミナル面21を示す。明らかなように、亜鉛粒子即ち亜鉛の結晶粒24は、タ
ーミナル面材料の結晶粒界23上に好ましくは堆積されている。それ故、ターミ
ナル面21上に亜鉛粒子24の比較的粗い分布を生じている。 図3は、亜鉛による最初の電気分解的なコーティングに続いてパラジウムによ
る第二の電気分解的コーティングした後のターミナル面21を示す。パラジウム
コーティングにより、亜鉛酸塩コーティングの後にターミナル面21の中間表面
26上に比較的自由な状態で残るパラジウム粒子即ちパラジウムの結晶粒25の
比較的細かい分布を生じている。
とによって、粒子24および25の比較的細かく分布された配置を生じ、これら
はターミナル面21をニッケルですぐ後に自触媒的にコーティングする間、堆積
する核化としての役割を果たす。 図4に示すように、亜鉛粒子24とパラジウム粒子25との相互作用を通じて
微細に構成され、すぐ後の自触媒的なニッケルの堆積と協働してターミナル面材
料の結晶粒界23を包み込む核化構造27は、平坦な表面形態を有する均一なN
iコーティング28をターミナル面21上に生じる。
ステップによって補足されることができ、これは酸化層を除去するためにターミ
ナル面21の予備的な処理と、すぐ後のNiを堆積する方法ステップを含み、こ
こではターミナル面21上に作られたニッケルコーティング28が、自触媒的な
堆積によって同様に作られるAuの堆積を付加的に備えている。この場合、Ni
の堆積は、Auの堆積と結合してコンタクトメタライゼーションを形成する。
よびパラジウムで電気分解的にコーティングすることを介して核化するための好
ましい変形例を概略的な形態で示す。 図6によると、ターミナル面21は、亜鉛酸塩で最初にコーティングされるこ
とで核化され、次いで亜鉛酸塩コーティングを通してターミナル面21上に電気
分解的に堆積された亜鉛の結晶粒を剥離し、亜鉛酸塩コーティングのステップを
繰り返し、パラジウムコーティングのステップで終了する。
ナル面21を亜鉛酸塩コーティングする第二の核化ステップに続く。 図8によると、最初の核化ステップは、ターミナル面21のパラジウムコーテ
ィングを有し、最初の亜鉛酸塩コーティングに続き、最初の亜鉛酸塩コーティン
グのステップにおいてターミナル面21上に電気分解的に堆積された亜鉛の結晶
粒を剥離し、最後に第二の亜鉛酸塩コーティングのステップを行う。
グを有し、パラジウムのコーティングに続き、最後にターミナル面21の第二の
亜鉛酸塩コーティングを行う。 図10によると、ターミナル面21を核化する最初のステップは、最初の亜鉛
酸塩コーティングを有し、最初の亜鉛酸塩コーティングによってターミナル面2
1上に電気分解的に堆積された亜鉛の結晶粒を剥離することに続き、パラジウム
コーティング、最後にターミナル面21の第二の亜鉛酸塩コーティングを行う。
る電気分解によってパラジウム/亜鉛酸塩コーティングを伴う単一の方法ステッ
プにおいて核化される。 図12によると、ターミナル面21を核化するための最初の方法ステップは、
パラジウム/亜鉛酸塩コーティングを有し、パラジウム−亜鉛酸塩コーティング
によってターミナル面21上に電気分解的に堆積された亜鉛の結晶粒を剥離する
ことに続き、最後にターミナル面21の亜鉛酸塩コーティングを行う。
初に亜鉛酸塩コーティングを有し、亜鉛酸塩コーティングによってターミナル面
21上に電気分解的に堆積された亜鉛の結晶粒を剥離することに続き、最後にタ
ーミナル面21のパラジウム/亜鉛酸塩コーティングを行う。
断面図であり、最初の状態である。
ーミナル面である。
ーミナル面である。
る。
トメタライゼーションを生じる方法の概略図である。
では、ターミナル面上に電気分解的に堆積された亜鉛粒子が、ベーシックメタラ
イゼーション上にその後に自触媒作用的に堆積されるコンタクトメタライゼーシ
ョンのための核としての役割を果たすように、ターミナル面を亜鉛酸塩で電気分
解的にコーティングすることによってベーシックメタライゼーションを生ずるた
めにターミナル面が核化される。加えて、本発明は請求項12の前提条件による
ベーシックメタライゼーションを備えたバンプの構造に関する。
基板の、通常アルミニウムのターミナル面に、いわゆるバンプと呼ばれる高くな
ったコンタクトメタライゼーションを備えることが知られている。特に、コンタ
クトメタライゼーションを、金属の自触媒作用的な堆積を通してターミナル面に
付着させるとき、ターミナル面に自触媒作用的に堆積された金属の接着性を向上
させるために、コンタクトメタライゼーションをターミナル面に直接付着させる
のではなく、むしろターミナル面とコンタクトメタライゼーションとの間にベー
シックメタライゼーションを設けることが必要であることが明らかになっている
。コンタクトメタライゼーションが、自触媒作用的に堆積される金属のニッケル
および金からなるときこれは特に当てはまる。
めに、自触媒作用的な堆積の前に、ターミナル面を亜鉛酸塩で電気分解的にコー
ティングすることが有益であることが分かっている。亜鉛酸塩やここでは亜鉛酸
塩の中の亜鉛は、好ましくはターミナル面の比較的粗いアルミニウムの結晶粒界
において堆積し、それによってターミナル面上に比較的粗い核の分布を生ずる。
この核化は、ターミナル面上に金属の良好な接着、次いで自触媒作用的な堆積を
生じる。しかしながら、粗く与えられ分布された核化は、自触媒的に堆積された
金属において対応して粗い構造を生じるに過ぎない。この比較的粗い構造は、容
易に構造上の欠陥を形成し、この欠陥はこのように形成されたコンタクトメタラ
イゼーションの信頼性を結果的に制限する。
後の自触媒作用的な金属の堆積を準備するためにターミナル面をパラジウムで電
気分解的なコーティングにさらすことが知られている。結果的に、達成されたタ
ーミナル面の核化は比較的大きい数の核化で著しく純化した構造を有する。これ
はまた、すぐ後に自触媒作用的に堆積される金属構造の、対応して微細な結晶粒
の形成を可能にする。しかしながら、パラジウムの核化の不都合な点は、パラジ
ウムの際立った触媒特性がこれに限定された選択性のみを与え、その結果、パラ
ジウムで集中的に核化することが、ターミナル面上だけでなく、半導体基板の全
表面上にも、パラジウムを堆積してしまうことである。加えて、パラジウムの核
化は、特に亜鉛酸塩による核化と比べて、その後の自触媒作用的に堆積されるメ
タライゼーションとのわずかな接着を可能にするに過ぎない。
ィングをターミナル面上に最初にくっ付け、その後、この方法でくっ付けられた
亜鉛層が平らなパラジウム層で覆われることによって、改良されたコンタクトメ
タライゼーションがチップのターミナル面上に形成される方法が記載されている
。
プのターミナル面を覆うパラジウム/亜鉛合金からなる平らな中間層が、はんだ
バンプを形成する前にチップのターミナル面上に形成される、はんだバンプを形
成する方法が記載されている。 日本の特許要約第09283557 A 号(特開平9−283557)には、
ターミナル面を覆う平らな層が、はんだバンプを形成する前に、半導体基板のコ
ンタクト面上にくっ付けられる方法が記載され、ここでは、層はそれぞれ材質を
変えている3つの層からなる。この3つの層はパラジウム/メタル合金層、ニッ
ケル層、および他のパラジウム/メタル合金層からなり、ここでは亜鉛、鉛、ヒ
素、ビスマス、スズ、アンチモン、テルル、ニッケル、コバルト、銅、鉄、マン
ガン、金、水銀、銀、カドミウムおよびイオウが金属として提案されている。
初の平らな層が、半導体基板のターミナル面上にはんだバンプを形成する前に、
コンタクト面にくっ付けられる方法が記載されている。 米国特許明細書第5,182,006号には、平らなメタル面を亜鉛コートさ
れたアルミニウム基板上に形成する方法が記載されている。
のターミナル面上に製造する方法を提供することであり、これによりコンタクト
メタライゼーションの質をさらに向上させることを可能にする。
よる方法は、亜鉛の粒子と共にターミナル面上に堆積されたパラジウムの粒子が
、ターミナル面上に続いて自触媒的に堆積されるコンタクトメタライゼーション
の核としての役割を果たすような方法で、ターミナル面をパラジウムで電気分解
的にコーティングすることを可能とし、ベーシックメタライゼーションは非常に
多くの独立した亜鉛の粒子とパラジウムの粒子の形態をとる。
ーティングとの組み合わせは、混成の核化を生じ、これはターミナル面に良好に
接着するコンタクトメタライゼーションを生じ、対応して滑らかな表面形態を伴
う微細な構造を有する。これはコンタクトメタライゼーションの信頼性を向上さ
せる。
ーティング(亜鉛酸塩コーティング)することがひとつの方法ステップで行われ
、続いてすぐ後の方法ステップにおいて、ターミナル面をパラジウムによって電
気分解的にコーティング(パラジウムコーティング)する。この変形例において
、その後のパラジウムコーティングは亜鉛酸塩コーティングによって生じた核化
構造を純化する。
グを行うことは、亜鉛酸塩コーティングによって引き起こされたターミナル面上
での比較的高いエロージョンレートをパラジウムの比較的低いエロージョンレー
トによって減少させる。コンタクトメタライゼーションのためのより優れた表面
のなめらかさが得られるので、この効果はまた、コンタクトメタライゼーション
の表面形態上に有益な効果を有する。
プで行うのではなく、亜鉛酸塩コーティングを中断しパラジウムコーティングを
間に行うことを含み、その結果、亜鉛の粒子がパラジウムコーティングの前に少
なくとも部分的に取り除かれ、続いて亜鉛酸塩コーティングを繰り返す。 他の可能性は、パラジウムでターミナル面を電気分解的にコーティング(パラ
ジウムコーティング)することを一つの方法ステップで行い、かつその後の方法
ステップにおいてターミナル面を亜鉛酸塩で電気分解的にコーティング(亜鉛酸
塩コーティング)しなければならないことである。
せることで達成できる核化構造の純化は、亜鉛酸塩コーティングの後、亜鉛の粒
子を少なくとも部分的に取り除くことによってさえも向上させることができ、次
いで亜鉛コーティングのプロセスを更新する。 もし最初の方法ステップにおいて最初に亜鉛酸塩でターミナル面の電気分解的
なコーティング(亜鉛酸塩コーティング)を行い、続く方法ステップにおいてパ
ラジウムでターミナル面の電気分解的なコーティング(パラジウムコーティング
)を行い、かつ第二の亜鉛酸塩コーティングを他の方法ステップにおいて行うな
らば、混成の核化は、自触媒作用的なメタルの堆積に続き、これによりコンタク
トメタライゼーションを、コンタクトメタライゼーションのために非常に均一な
表面形態を与えられたターミナル面上に特別に良好に接着させる。
グの前に、亜鉛の粒子を少なくとも部分的に取り除くことによって、コンタクト
メタライゼーションの表面形態をさらに向上させることが可能となる。 もしも、亜鉛酸塩でターミナル面を電気分解的にコーティング(亜鉛酸塩コー
ティング)し、かつパラジウムでターミナル面を電気分解的にコーティング(パ
ラジウムコーティング)することを結合された方法ステップで行い、結合され即
ち混合された電気分解(亜鉛酸塩/パラジウムコーティング)により、亜鉛酸塩
コーティングをパラジウムコーティングと同時に行うように、ターミナル面が亜
鉛酸塩とパラジウムイオンとからなる結合された電気分解において核化されるな
らば、ターミナル面を核化する単一の方法ステップのみに基づいた平らな表面形
態と同様に、良好に接着する、自触媒的に堆積したコンタクトメタライゼーショ
ンを得ることを可能とする。
的な除去を行い、亜鉛酸塩/パラジウムコーティングの後に再び亜鉛酸塩のコー
ティングを始める。 代わりに、亜鉛酸塩/パラジウムコーティングに関して、ターミナル面の亜鉛
酸塩コーティングを先に行い、亜鉛酸塩の粒子の少なくとも部分的な除去をその
後に行うこともまた可能である。
関し特に有利であることが分かっている。 代わりに選択された方法にもかわらず、本発明による方法を、上述したように
異なる変形例に言及する図面のように適用することが、請求項12によるバンプ
の構造体を生じ、これは構成要素として亜鉛とパラジウムの双方を備えた本発明
によるベーシックメタライゼーションを有し、ベーシックメタライゼーションの
少なくとも1つの構成要素が多数の独立したエリアの形態をとる。
に説明する。 図1は、半導体基板20、例えばウエハやチップの断面図を示し、ターミナル
面21はここではアルミニウムでできており、その周囲境界エリアは、半導体基
板20の表面上に延在しているパッシベーション層22によって覆われている。
ターミナル面21を核化する方法の変形例に関する以下の記載は、例示のように
、すなわちアルミニウムのようにここでは選択されたターミナル面21の材質に
限定されることがないことを強調する。
ーミナル面21を示す。明らかなように、亜鉛粒子即ち亜鉛の結晶粒24は、タ
ーミナル面材料の結晶粒界23上に好ましくは堆積されている。 それ故、ターミナル面21上に亜鉛粒子24の比較的粗い分布を生じている。 図3は、亜鉛による最初の電気分解的なコーティングに続いてパラジウムによ
る第二の電気分解的コーティングした後のターミナル面21を示す。パラジウム
コーティングにより、亜鉛酸塩コーティングの後にターミナル面21の中間表面
26上に比較的自由な状態で残るパラジウム粒子即ちパラジウムの結晶粒25の
比較的細かい分布を生じている。概して、ターミナル面21を亜鉛酸塩およびパ
ラジウムでコーティングすることによって、粒子24および25の比較的細かく
分布された配置を生じ、これらはターミナル面21をニッケルですぐ後に自触媒
的にコーティングする間、堆積する核化としての役割を果たす。
微細に構成され、すぐ後の自触媒的なニッケルの堆積と協働してターミナル面材
料の結晶粒界23を包み込む核化構造27は、平坦な表面形態を有する均一なN
iコーティング28をターミナル面21上に生じる。 図5に概略的に示すように、図1から図4に示した方法は、核化を進める方法
ステップによって補足されることができ、これは酸化層を除去するためにターミ
ナル面21の予備的な処理と、すぐ後のNiを堆積する方法ステップを含み、こ
こではターミナル面21上に作られたニッケルコーティング28が、自触媒的な
堆積によって同様に作られるAuの堆積を付加的に備えている。この場合、Ni
の堆積は、Auの堆積と結合してコンタクトメタライゼーションを形成する。
よびパラジウムで電気分解的にコーティングすることを介して核化するための好
ましい変形例を概略的な形態で示す。 図6によると、ターミナル面21は、亜鉛酸塩で最初にコーティングされるこ
とで核化され、次いで亜鉛酸塩コーティングを通してターミナル面21上に電気
分解的に堆積された亜鉛の結晶粒を剥離し、亜鉛酸塩コーティングのステップを
繰り返し、パラジウムコーティングのステップで終了する。
ナル面21を亜鉛酸塩コーティングする第二の核化ステップに続く。 図8によると、最初の核化ステップは、ターミナル面21のパラジウムコーテ
ィングを有し、最初の亜鉛酸塩コーティングに続き、最初の亜鉛酸塩コーティン
グのステップにおいてターミナル面21上に電気分解的に堆積された亜鉛の結晶
粒を剥離し、最後に第二の亜鉛酸塩コーティングのステップを行う。
グを有し、パラジウムのコーティングに続き、最後にターミナル面21の第二の
亜鉛酸塩コーティングを行う。 図10によると、ターミナル面21を核化する最初のステップは、最初の亜鉛
酸塩コーティングを有し、最初の亜鉛酸塩コーティングによってターミナル面2
1上に電気分解的に堆積された亜鉛の結晶粒を剥離することに続き、パラジウム
コーティング、最後にターミナル面21の第二の亜鉛酸塩コーティングを行う。
る電気分解によってパラジウム/亜鉛酸塩コーティングを伴う単一の方法ステッ
プにおいて核化される。 図12によると、ターミナル面21を核化するための最初の方法ステップは、
パラジウム/亜鉛酸塩コーティングを有し、パラジウム−亜鉛酸塩コーティング
によってターミナル面21上に電気分解的に堆積された亜鉛の結晶粒を剥離する
ことに続き、最後にターミナル面21の亜鉛酸塩コーティングを行う。
初に亜鉛酸塩コーティングを有し、亜鉛酸塩コーティングによってターミナル面
21上に電気分解的に堆積された亜鉛の結晶粒を剥離することに続き、最後にタ
ーミナル面21のパラジウム/亜鉛酸塩コーティングを行う。
Claims (12)
- 【請求項1】 半導体基板のターミナル面上にバンプを製造する方法であって、
ターミナル面上に電気分解的に堆積した亜鉛粒子がその後にベーシックメタライ
ゼーションの上に自触媒的に堆積するコンタクトメタライゼーションの核として
の役割を果たすように、ターミナル面を亜鉛酸塩で電気分解的にコーティングす
ることによってベーシックメタライゼーションを生じるためにターミナル面を核
化する方法において、 亜鉛の粒子(24)に加えて、ターミナル面(21)上に堆積されたパラジウ
ムの粒子(25)が、ターミナル面上にその後に自触媒的に堆積されるコンタク
トメタライゼーション(28,29)のための核としての役割を果たすように、
ターミナル面(21)を亜鉛酸塩で電気分解的にコーティングするのに加えて、
パラジウムで電気分解的にコーティングすることを特徴とする製造方法。 - 【請求項2】 請求項1による方法であって、ターミナル面(21)を亜鉛酸塩
で電気分解的にコーティング(亜鉛酸塩コーティング)することをひとつの方法
ステップで行い、ターミナル面をパラジウムで電気分解的にコーティング(パラ
ジウムコーティング)することをすぐ後の方法ステップで行うことを特徴とする
方法。 - 【請求項3】 請求項2による方法であって、パラジウムコーティングに関して
、亜鉛の粒子(24)の少なくとも部分的な除去を先に行い、亜鉛酸塩コーティ
ングをその後に再び行うことを特徴とする方法。 - 【請求項4】 請求項1による方法であって、ターミナル面(21)をパラジウ
ムで電気分解的にコーティング(パラジウムコーティング)することをひとつの
方法ステップで行い、かつターミナル面(21)を亜鉛酸塩で電気分解的にコー
ティング(亜鉛酸塩コーティング)することをすぐ後の方法ステップで行うこと
を特徴とする方法。 - 【請求項5】 請求項4による方法であって、亜鉛酸塩コーティングの後に亜鉛
粒子(24)の少なくとも部分的な取り除きを行い、その後に再び亜塩酸塩コー
ティングを行うことを特徴とする方法。 - 【請求項6】 請求項1による方法であって、ターミナル面(21)を亜鉛酸塩
で最初の電気分解的なコーティング(亜鉛酸塩コーティング)することを第一の
方法ステップで行い、ターミナル面をパラジウムで電気分解的なコーティング(
パラジウムコーティング)することをすぐ後の方法ステップで行い、第二の亜鉛
酸塩コーティングを他の方法ステップで行うことを特徴とする方法。 - 【請求項7】 請求項6による方法であって、亜鉛粒子(24)の少なくとも部
分的な取り除きを、第一の亜鉛酸塩コーティングの後でパラジウムコーティング
の前に行うことを特徴とする方法。 - 【請求項8】 請求項1による方法であって、亜鉛酸塩コーティングが混合され
た電気分解を介してパラジウムコーティングと同時に起こる(亜鉛酸塩/パラジ
ウムコーティング)ように、ターミナル面(21)を亜鉛酸塩で電気分解的にコ
ーティング(亜鉛酸塩コーティング)することと、ターミナル面をパラジウムで
電気分解的にコーティング(パラジウムコーティング)することを単一の方法ス
テップで行うこと特徴とする方法。 - 【請求項9】 請求項8による方法であって、亜鉛酸塩/パラジウムコーティン
グに続いて亜鉛粒子(24)の少なくとも部分的な取り除きを行い、続いて、再
びターミナル面(21)の亜鉛酸塩コーティングを行うことを特徴とする方法。 - 【請求項10】 請求項8による方法であって、亜鉛酸塩/パラジウムコーティ
ングに関して、ターミナル面(21)の亜鉛酸塩コーティングを先に行い、亜鉛
粒子(24)の少なくとも部分的な取り除きを後に行うことを特徴とする方法。 - 【請求項11】 請求項1乃至請求項10のいずれかに記載の方法であって、亜
鉛粒子(24)の少なくとも部分的な取り除きを、剥離を介して行うことを特徴
とする方法。 - 【請求項12】 半導体基板のターミナル面上に位置したベーシックメタライゼ
ーションと、ベーシックメタライゼーションの上に位置したコンタクトメタライ
ゼーションとを伴うバンプの構成であって、ベーシックメタライゼーションは構
成要素として亜鉛とパラジウムを有することを特徴とする構成。
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