JP2002524663A

JP2002524663A - 密閉可能容器中の電子部品の無電解金属めっき

Info

Publication number: JP2002524663A
Application number: JP2000569928A
Authority: JP
Inventors: バーハバーベク，ステイーブン; マツコネル，クリストフアー・エフ
Original assignee: シーエフエムテイ・インコーポレーテツド
Priority date: 1998-09-17
Filing date: 1999-09-16
Publication date: 2002-08-06
Also published as: EP1115503A1; KR20010073173A; US6165912A; WO2000015352A1; CN1317997A; TW467767B; AU6043799A

Abstract

(57)【要約】本発明は、密閉可能な単一容器（２０）を使用して、電子部品（２２）の表面上へ金属を無電解めっきする方法を提供する。本発明の方法は、電子部品（２２）を活性化溶液と接触させ、次に電子部品（２２）を金属めっき液と接触させることを含む。本発明の好ましい態様においては、改善された処理結果をもたらす方法で、活性化溶液及び金属めっき液中の酸素レベルが制御される。本発明のもう一つの好ましい態様においては、活性化溶液及び金属めっき液は再使用せずに、１度だけ使用される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【関連出願に対するクロスレファレンス】

本出願は、その明細が本明細書にその全体を引用することにより取り込まれて
いる、１９９８年９月１７日出願の、米国特許暫定出願第６０／１００，８７０
号の権利を主張する。

【０００２】（技術分野）本発明は密閉可能な容器を使用する、電子部品上に金属を無電解めっきする方
法に関する。より具体的には、本発明は、密閉可能な単一容器内で、電子部品の
表面を活性化し、電子部品上に無電解で金属めっきするための湿式処理法に関す
る。

【０００３】（発明の背景）近年は、電子部品の表面上に金属（例えば、銅、コバルト、金、及びニッケル
）を析出又はめっきする（depositing or plating）ために電子部品産業に使用
されている様々な方法がある。これらの方法は例えば、化学蒸着、金属スパッタ
ー、電気めっき、及び無電解金属めっきを含む。

【０００４】無電解金属めっきは、近年、より頻繁に使用されるようになり、電流の不在下
で（すなわち無電解で）、電子部品の表面に金属めっきすることに関与する。無
電解金属めっきが電子集成産業において使用されてきた例は、印刷された回路基
板上の銅のめっきにおいてである。更に、半導体において、無電解めっきはボン
ディングパック上にニッケルめっきするために使用され、マルチチップモジュー
ルにおいては、無電解めっきが相互結合体を銅めっきするために使用される。

【０００５】金属の無電解めっきは具体的には、電子部品の表面への金属めっきを促進する
であろう物質を種晶添加又はめっきすることにより電子部品の表面を最初に「活
性化すること」により実施される。しかし、種晶添加を必要としないことも可能
である。例えば、コバルト、ニッケル、ロジウム、又はパラジウムを含む基板上
では、種晶添加は金属めっきを促進するのに必要ではないかも知れない。種晶添
加は、所望の場合は、例えば、種晶添加剤を含む溶液中に電子部品を浸漬するこ
とにより達成することができる。活性化後に、電子部品は具体的には、金属イオ
ン及び還元剤を含む溶液に浸漬される。還元剤は金属イオンのために電子源を提
供するので、電子部品の表面の近位の又は表面の金属イオンが金属に還元されて
、電子部品上にめっきされる。

【０００６】例えば、銅、ニッケル、コバルト、金、銀、パラジウム、白金、ロジウム、鉄
、アルミナム、タンタル、窒化チタン、チタン、タングステン、窒化タンタル、
窒化タングステン、リン化コバルトタングステン（Cobalt Tungsten Phosphrous
）、又はそれらの組み合わせ物を含む、電子部品上に無電解めっきすることがで
きる様々な金属がある。最近特に興味を引いてきた金属は銅である。

【０００７】銅の無電解めっきは最も一般的には、パラジウム含有溶液中に電子部品を短時
間浸漬することにより電子部品の表面に種晶添加又はそれを活性化することによ
り実施される。パラジウムは電子部品と接触すると、酸化物を含む表面を種晶添
加されずに残しながら、アルミナム、窒化チタン、窒化タンタル、タングステン
及び銅のような伝導性金属表面上に析出するであろう。

【０００８】種晶添加後、無電解銅めっきは具体的には、２段階の反応、種晶添加伝導性表
面の還元、続いて還元された伝導性表面上へのイオン化銅のめっき、を含む。銅
の無電解めっきのための典型的な還元剤は、ホルムアルデヒド（ＣＨ₂Ｏ）であ
る。この場合は、第１段階はＣＨ₂Ｏ＋２ＯＨ → ＨＣＯＯ^-＋Ｈ_ad＋Ｈ₂Ｏ＋ｅ^- （等式１）［ここで、Ｈ_adは表面上に吸着された水素を表す］により与えられる。吸着された水素は更に２種類の方法のうちの一方で反応する
可能性がある、２Ｈ_ad → Ｈ₂ （等式２）又はＨ_ad＋ＯＨ^- → Ｈ₂Ｏ＋ｅ^- （等式３）。

【０００９】水素ガスの形成（等式２）は泡、及びそれに続き不均一な金属めっきをもたら
す可能性があるので、水と追加の電子を形成させる（すなわち、等式３）ことが
好ましい。従って、高いｐＨ及び遅い金属めっき速度のような、等式３に都合が
よい反応条件が好ましい。電子部品の表面が一旦還元されると、イオン性の銅（
酸化状態における銅）が表面の近位又は表面に存在する場合は、それは表面に析
出するであろう（Ｃｕ⁺⁺／Ｃｕ⁺は電子を供給する伝導性表面上で、Ｃｕ⁰に還元
される）、Ｃｕ⁺⁺ ＋２ｅ^- → Ｃｕ⁰ （等式４）Ｃｕ⁺ ＋ｅ^- → Ｃｕ⁰ （等式５）。

【００１０】無電解金属めっきは湿式処理システムで実施される時は、具体的には、複数の
開放浴（例えば、湿式ベンチ）を含むシステムで実施されてきた。複数の開放浴
システムの使用は数々の欠点を有する。例えば、無電解金属めっきには酸素が影
響をもつ。例えば、活性化期間中、酸素は種晶添加を妨げ、そしてまた、一旦め
っきされた後に、種晶添加剤と反応して、金属めっき中に、種晶添加剤を無効に
させる可能性がある。しかし、金属めっき段階中に、酸素は金属めっき液の分解
を防止し、更に、過程のよりよい制御のために、金属めっきの速度を遅くするこ
とができる。開放複数浴システムにおいては、浴が雰囲気に開放され、電子部品
がある浴からもう１つの浴に移動されるので、酸素レベルを制御することは非常
に困難である。更に、浴溶液はめったに交換されないので、溶液中の試薬の分解
又は濃度の変動により、しばしば、金属めっきにおけるバッチごとの変動に遭遇
される。

【００１１】Ｓｈａｃｈａｍ−Ｄｉａｍａｎｄｅｔａｌ．に対する米国特許第５，８３
０，８０５号（以後「’８０５号特許」と称される）は、開放浴システムに認め
られる酸素にさらす問題に対する解決策を提案している。’８０５号特許は、様
々な流体を連続的に処理室内に供給することができる単一の密閉された処理室内
に処理用ウエファーを含む無電解めっきの装置及び方法を開示している。密閉処
理室を使用する利点にもかかわらず、’８０５号特許に開示された装置及び方法
はまた欠点を有する。例えば、’８０５号特許は、無電解金属めっきにおいては
、ある段階における酸素の利点にもかかわらず、すべての処理段階において酸素
レベルを最小にすること（例えば、空気の不在下）を開示している。

【００１２】更に、’８０５号特許に開示された装置及び方法は、その溶液を再利用し、再
循環する。しかし、研究により、例えば、新鮮な活性化溶液は再利用された活性
化溶液に比して、著しく改善された金属めっき率をもたらすことが示された。本
明細書に引用により取り込まれて入る、Ｒ．Ｐａｌｍａｎｓ，Ｋ．Ｍａｅｘ，Ｆ
ｅａｓｉｂｉｌｉｔｙＳｔｕｄｙｏｆＥｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓＣｏｐｐ
ｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎｆｏｒＶＬＳＩ，５３ＡｐｐｌｉｅｄＳｕ
ｒｆａｃｅＳｃｉｅｎｃｅ（１９９１），ｐｐ．３４５−３５２を参照された
い。更に、再利用による溶液の濃度の変化は複数の開放浴システムと同様に、一
定しない処理結果をもたらす可能性がある。

【００１３】本発明は、活性化溶液及び金属めっき液が好ましくは、例えば、再利用されず
に１度だけ使用される場合の、無電解金属めっきの方法を提供することにより、
これらの問題を克服することを目的とする。本発明はまた、例えば、電子部品と
接触される溶液の種類に基づいて、無電解金属めっき期間中の溶液中の酸素レベ
ルを制御する方法を提供する。

【００１４】（発明の要約）本発明は、密閉可能な単一容器内において、電子部品上に金属を無電解めっき
する方法を提供する。本発明の方法は、活性化及び金属めっき液が好ましくは再
使用されずに、一回だけ電子部品と接触される点が好都合である。更に、本発明
の本は好ましくは、一定の処理結果のためにはこのような制御が必要な、溶液中
の酸素レベルの制御を提供する。

【００１５】一態様においては、本発明の方法は、密閉可能な単一容器中に複数の電子部品
を充填すること、及び少なくとも１種類の種晶添加剤を含む活性化溶液を形成す
ることを含み、ここで、活性化溶液は酸素を実質的に含まない。次に活性化溶液
が容器中に供給され、第１の接触時間の間、容器内の電子部品と接触され、そし
て、容器から除去される。活性化溶液との電子部品の接触に加えて、本発明は、
少なくとも１種類の金属イオン源、少なくとも１種類の還元剤、及び酸素を含む
金属めっき液を形成することを含む。形成された金属めっき液は容器中に供給さ
れ、第２の接触時間の間、容器中の電子部品と接触されて、電子部品の表面上に
金属をめっきさせる。第２の接触時間の少なくとも一部の期間、電子部品はまた
、音波エネルギーにさらされる。金属めっき液との接触後、金属めっき液は容器
から除去される。

【００１６】本発明の好ましい態様においては、活性化溶液及び金属めっき液の両方が１回
だけ使用される。更に、より一定の処理結果のためには、活性化溶液及び金属め
っき液はインラインで調製されることが好ましい。

【００１７】本発明の方法はまた、金属が種晶添加なしで無電解めっきされることができる
場合は、電子部品の表面に種晶添加するための活性化段階は必要ではないかも知
れないと想定している。

【００１８】（発明の詳細な記述）本発明は湿式処理法を使用する、電子部品の表面上への金属の無電解めっきの
方法を提供する。本明細書で使用される「無電解の」又は「無電解に」により、
少なくとも１種類の金属が、電流の使用を伴わずに、電子部品の表面上にめっき
されることを意味する。「湿式処理」により、所望の方法で電子部品を処理する
ために、電子部品が１種類以上の液体（以後「処理液」と呼ばれる）と接触され
ることを意味する。例えば本発明においては、電子部品は好ましくは、少なくと
も１種類の活性化溶液及び少なくとも１種類の金属めっき液と接触される。しか
し、電子部品を、エッチング、洗浄、又は濯ぎ液のようなその他の処理液と接触
させることが所望される可能性がある。湿式処理はまた、電子部品がガス、蒸気
、又はそれらの組み合わせ物のようなその他の流体と接触される段階を含む可能
性がある。本明細書で使用される、「流体」の語は、液体、気体、それらの蒸気
相にある液体、又はあらゆるそれらの組み合わせ物を含む。

【００１９】本発明の方法は、無電解金属めっきのための準備をすることができるか又はす
でに準備されている表面の少なくとも一部をもつあらゆる電子部品上への金属め
っきに有用である。無電解金属めっきに適した電子部品の表面の例は、アルミナ
ム、窒化チタン、窒化タンタル、タングステン、銅、ケイ素、コバルト、ニッケ
ル、ロジウム、パラジウム又はそれらの組み合わせ物のような金属表面を含む。
二酸化ケイ素のような酸化物の存在は概して、活性化及び金属めっき段階を妨げ
、従って、無電解に金属めっきすることを所望される電子部品の部位には望まし
くない。本発明の方法に有用な電子部品は、半導体ウエファー、フラットパネル
、及び電子部品の製造に使用されるその他の部品（すなわち、集積回路）、ＣＤ
ＲＯＭディスク、ハードドライブのメモリーディスク、マルチチップモジュー
ル、又はそれらの組み合わせ物、のような電子部品プリカーサーを含む。

【００２０】無電解めっきされ得るあらゆる金属を、本発明の方法に使用することができる
。無電解めっきすることができる金属は例えば、銅、ニッケル、コバルト、金、
銀、パラジウム、白金、ロジウム、鉄、アルミナム、タンタル、窒化チタン、チ
タン、タングステン、窒化タンタル、窒化タングステン、リン化コバルトタング
ステン、又はそれらの組み合わせ物、、そしてより好ましくは、銅、ニッケル、
コバルト、金、又はそれらの組み合わせ物、を含む。最も好ましい態様において
は、銅が無電解めっきされる。

【００２１】本発明の方法は、層間の相互連結体（例えば、プラグ及びビア（ｖｉａｓ））
を充填すること、及び接触子を形成することのような適用における、電子部品の
表面上への金属めっきに特に有用である。好ましい適用は、それに続く、銅の電
解めっきを可能にするための、銅の準備的層の無電解めっきを含む。

【００２２】本発明の方法は、数々の利点を有する。例えば、下記により詳細に説明される
ような、活性化段階及び金属めっき段階が密閉可能な単一容器内で実施される。
「密閉可能な単一容器」により、その容器が雰囲気に対して密閉することができ
ること、及び、電子部品の取り出しを伴わずに、同一容器内で活性化段階及び金
属めっき段階が実施されること、を意味する。密閉可能な単一容器を使用するこ
とは、全体の湿式処理工程を通して、電子部品がさらされる酸素のレベルを制御
させる。酸素レベルのこのような制御は単一バッチ内及びバッチ間に、より均一
な結果をもたらす可能性がある。更に、酸素レベルの更なる制御及び維持として
、密閉可能な単一容器を含むシステムは好ましくは、下記に、より詳細に説明さ
れるように、電子部品と接触される処理液に酸素を添加又はそれから酸素を除去
するためのガス調節ユニットを含む。

【００２３】本発明の方法のもう一つの利点は、活性化溶液及び金属めっき液が好ましくは
、電子部品の異なるバッチで再利用されることと異なり、一度だけ使用されて廃
棄される点である。更に、好ましくは、活性化溶液及び金属めっき液は、ウエフ
ァーの同一バッチに対して連続的に再循環されることと異なり、１回だけの通過
で（再循環されず）電子部品と接触される。活性化溶液及び金属めっき液の一度
だけの使用及び１回の通過使用は例えば、電子部品の汚染減少及び、電子部品の
同一バッチ内で又は異なるバッチ間で、より均一な金属めっきをもたらす。

【００２４】本発明の方法においては、電子部品は密閉可能な単一容器内に充填される。あ
らゆる活性化段階の前に、電子部品は場合によっては、あらゆる所望の湿式処理
法に従って前処理することができる。例えば、電子部品の表面上の元来の酸化物
を除去するために電子部品を洗浄又はエッチングすることが所望されるかも知れ
ない。あらゆる、場合による前処理段階の後に、活性化溶液が形成され、容器内
に供給される。活性化溶液は第１の接触時間の間、容器内の電子部品と接触され
、容器から取り出される。活性化溶液の除去中又は除去後のある時点で、金属め
っき液が容器中に供給される。金属めっき液は第２の接触時間の間、電子部品と
接触され、一方、電子部品は第２の接触時間の少なくとも一部の間に、音波エネ
ルギーにさらされる。金属めっき液の除去後に、電子部品は容器から取り出され
る前に、所望のあらゆる更なる方法で処理することができる。

【００２５】前記に説明されたように、本発明の方法はまた、ある状況においては、電子部
品を活性化溶液と接触させずに実施することができると想定される。例えば、電
子部品の表面が、コバルト、ニッケル、ロジウム、パラジウム、又はそれらの組
み合わせ物を含む場合は、金属は種晶添加剤の存在を伴わずに、これらのタイプ
の表面上に無電解で析出するであろうと考えられるので、活性化溶液との接触は
必要ではないかも知れない。

【００２６】前記のように、活性化溶液及び金属めっき液は好ましくは、１回のパスで１度
だけ使用され、再使用又は再循環されない。その結果、経済的理由により、電子
部品１個当たりに要される活性化溶液及び金属めっき液の容量を減少させること
が望ましい。本発明の好ましい態様においては、電子部品は約１／４ピッチない
し約１／２ピッチの範囲の間隔で容器中に充填される。本明細書で使用される「
ピッチ」の語は、ＭｏｕｎｔａｉｎＶｉｅｗ，Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａに存在す
るＳＥＭＩにより確立された電子部品間の標準間隔を意味する。この標準間隔又
はピッチは具体的には、異なるサイズの電子部品によって異なる。従って、例え
ば、１／４ピッチで容器中に充填された電子部品の間隔を決定するためには、容
器中に充填された電子部品のタイプに対する標準ピッチを決定し、次に０．２５
（すなわち、１／４）だけ標準ピッチにかけると、１／４ピッチの間隔を得るで
あろう。本発明の好ましい態様においては、電子部品は、電子部品１個当たりに
必要な処理液の容量を減少するためには１／２、１／３、又は１／４ピッチの間
隔で配置される。本発明の方法に適したピッチ間隔の更なる詳細は、その明細の
全体を引用により本明細書に取り込まれている、１９９９年５月４日出願の米国
特許出願第０９／３０４，５８７号に開示されている。

【００２７】容器中に電子部品を充填後、電子部品は第１の接触時間の間、活性化溶液と接
触される。電子部品が接触される活性化溶液は、電子部品上に析出する種晶添加
剤を含み、電子部品の表面上への金属の析出を容易にするであろうあらゆる液体
である。好ましくは、活性化溶液は水を基礎にしているが（すなわち、その他の
成分のための溶媒として水を含む）、しかし、またエチレングリコール、炭酸プ
ロピレン、又はメタノール、又はそれらの組み合わせ物のような少量の有機溶媒
を含むことができる。当業者は、使用することができる様々な適した種晶添加剤
があり、種晶添加剤の選択は、電子部品の表面の組成、及び無電解めっきされる
であろう１種類の金属又は複数の金属のような変数に依存するであろう。適した
種晶添加剤は、例えば、パラジウム、金、又はそれらの組み合わせ物を含むイオ
ン、元素、又は化合物を含む。銅、ニッケル、コバルト、パラジウム、金、白金
、銀、あるいはリン及び／又はホウ素を含む合金、あるいはそれらの組み合わせ
物の無電解メッキのためには、好ましくは、元素のパラジウム又はイオン、ある
いはパラジウムを含む化合物が使用される。

【００２８】活性化溶液中の種晶添加剤の所望の濃度は、選択された種晶添加剤、所望の処
理条件（温度、接触時間のような）及び処理される電子部品の組成のようなファ
クターに依存するであろう。好ましくは、濃度は、単層より薄い種晶添加剤（パ
ラジウムのような）がめっきされ、そしてより好ましくは、電子部品１ｃｍ²当
たり、１０¹²ないし１０¹⁴の原子又は分子の種晶添加剤がめっきされるようなも
のである。更に、活性化溶液との接触時間が最少であるように、十分高濃度の種
晶添加剤を含むことが望ましい。具体的には、活性化溶液中の種晶添加剤の好ま
しい濃度は、約０．０００１モル／ｌ（Ｍ）ないし約０．０１Ｍ、より好ましく
は約０．０００３Ｍないし約０．００７Ｍ、そして最も好ましくは約０．０００
５Ｍないし約０．００４Ｍである。

【００２９】種晶添加剤に加えて、活性化溶液中にはその他の成分を含むことができる。例
えば、塩酸のような、望まれない酸化物を除去又はそれらの形成を妨げるのに有
効な化合物、あるいはフッ化水素酸のようなエッチング剤を含むことができる。
更に、酢酸のような弱酸を含むこともまた望ましいかも知れない。本発明の好ま
しい態様においては、活性化溶液は、パラジウム化合物（塩化パラジウムのよう
な）又はパラジウムイオン、フッ化水素酸、塩酸、及び酢酸を含む水溶液である
。銅の無電解めっきに特に有用な活性化溶液に好ましい組成物は表１に示されて
いる。更に、例えば、その全体を引用により本明細書に取り込まれている、Ｃ．
Ｈ．Ｔｉｎｇｅｔａｌ．，ＳｅｌｅｃｔｉｖｅＥｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ
ＭｅｔａｌＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎｆｏｒｖｉａＨｏｌｅＦｉｌｌｉｎ
ｇｉｎＶＳＬＩＭｕｌｔｉｌｅｖｅｌＩｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ
Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ，Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｖｏｌ．１
３６，Ｎｏ．２，Ｆｅｂｒｕａｒｙ１９８９，ｐｐ．４６２−４６６を参照さ
れたい。

【００３０】表１活性化溶液の好ましい組成活性化溶液中の成分量ＰｄＣｌ₂ ０．０５ｇ／ｌないし０．８ｇ／ｌＨＣｌ０．１ｍｌないし２ｍｌＣＨ₃ＣＯＯＨ１００ｍｌないし９００ｍｌＨＦ（５０：１容量、Ｈ₂Ｏ：ＨＦ）５０ｍｌないし５００ｍｌＨ₂Ｏ５０ｍｌないし５００ｍｌ例えば、典型的な活性化溶液は好ましくは、約０．２ｇ／ｌのＰｄＣｌ₂、約
１ｍｌの塩酸、約５００ｍｌの氷酢酸、約２５０ｍｌの５０：１容量比の水：フ
ッ化水素酸、並びに約２４５ｍｌの脱イオン水を含むことができる。

【００３１】活性化溶液はまた、界面活性剤、錆止め剤のようなその他の添加剤、あるいは
活性化溶液に典型的に添加されるあらゆるその他の通常の添加剤を含むことがで
きる。好ましくは、これらのその他の添加剤は約５．０容量パーセント未満、そ
してより好ましくは、約１．０容量パーセント未満の量で活性化溶液中に存在す
る。使用することができる界面活性剤の例は、その明細の全体を引用により本明
細書に取り込まれている、例えば、Ｋｉｒｋ−ＯｔｈｍｅｒＣｏｎｃｉｓｅ
ＥｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａｏｆＣｈｅｍｉｃａｌＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，
ｐｕｂｌｉｓｈｅｄｂｙＪｏｈｎＷｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，ＮＹ，１９８５
，ｐａｇｅｓ１１４２−１１４４及び、ＭｃＣｕｔｃｈｅｏｎ’ｓＤｅｔｅ
ｒｇｅｎｔｓａｎｄＥｍｕｌｓｉｆｉｅｒｓ，１９８１ＮｏｒｔｈＡｍ
ｅｒｉｃａｎＥｄｉｔｉｏｎ，ＭＣＰｕｂｌｉｓｈｉｎｇＣｏｍｐａｎｙ
，ＧｌｅｎＲｏｃｋ，Ｎ．Ｊ．１９８１に開示された、アニオン、非イオン、
カチオン及び両親媒性界面活性剤を含む。本発明に有用な錆止め剤の一例はベン
ゾトリアゾールである。

【００３２】電子部品は好ましくは、金属の無電解めっきを容易にするために、電子部品の
表面上に種晶添加剤を十分にめっきするための接触時間だけ活性化溶液と接触さ
れる。本明細書で使用される「接触時間」により、電子部品が処理液にさらされ
る時間を意味する。例えば、接触時間は、処理液で容器を充填中に電子部品が処
理液にさらされる時間、電子部品が処理液に浸漬される時間、及び処理液が容器
から除去されつつある間に電子部品が処理液にさらされる時間を含むであろう。
選択される実際の接触時間は、活性化溶液中に存在する種晶添加剤、種晶添加剤
の濃度、及び活性化溶液の温度のようなファクターに依存するであろう。好まし
くは、接触時間は、種晶添加剤（パラジウムのような）の単原子層又は単分子層
より薄く、そしてより好ましくは、１ｃｍ²当たり、約１０¹²ないし約１０¹⁴原
子又は分子の種晶添加剤をめっきするための時間の量である。この種晶添加量を
達成するためには、好ましくは、接触時間は約１秒ないし約６０秒、そしてより
好ましくは、約５秒ないし約３０秒であろう。

【００３３】接触中の活性化溶液の温度は、電子部品上への種晶添加剤のめっきが有効に実
施され得るようなものである。好ましくは、活性化溶液の温度は６０℃未満、よ
り好ましくは約１５℃ないし約４０℃である。

【００３４】活性化溶液との電子部品の接触は、当業者に知られたあらゆる方法を使用して
、密閉可能な単一容器内で実施することができる。例えば、電子部品を容器内に
入れ、接触を達成するために、容器を溶液で充填するように、活性化溶液を容器
中に誘導することができる。接触は動的条件下（例えば、電子部品を含む容器中
に溶液を連続的に誘導すること）で、静的条件下で（例えば、電子部品を溶液中
に浸漬すること）あるいは両方の組み合わせで（例えば、一定時間は溶液を容器
中に流し、次に更なる期間中には、電子部品を溶液に浸漬させること）実施する
ことができる。本発明の好ましい態様においては、活性化溶液は容器中を、少な
くとも１容器容量そしてより好ましくは約２容器容量ないし約３容器容量の活性
化溶液を通過させるのに十分な時間の間、約５ガロン／分（ｇｐｍ）ないし約３
０ｇｐｍの流速で、容器中に連続的に供給される。電子部品を接触させるのに適
した湿式処理システムは下記に、より詳細に説明される。

【００３５】活性化溶液との電子部品の接触はまた、好ましくは、電子部品の酸素への露出
量を最少にする方法で実施される。酸素は金属表面を酸化し、それにより種晶添
加過程を妨げるので、活性化段階中の酸素の存在は望ましくない。更に、酸素は
金属めっき段階の前に析出される種晶を望ましくなく、酸化する可能性がある。
従って、本発明の方法は、両方の溶液による処理期間中、雰囲気に対して閉鎖を
維持する１個の容器中で活性化溶液及び金属めっき液と電子部品を接触させるこ
とにより、酸素の効果を最少にする。更に、本発明の好ましい態様においては、
活性化溶液及び／又は活性化溶液の１種類以上の成分（水のような）は溶解又は
懸濁された酸素を除去するように処理される。好ましくは、活性化溶液は、酸素
を実質的に含まない。「酸素を実質的に含まない」により、活性化溶液が、約０
．２５パーセント未満、より好ましくは、０．１パーセント未満、そして最も好
ましくは、０．０１パーセント未満の、飽和時に活性化溶液中に溶解された酸素
レベル（酸素の飽和レベルは湿式処理段階中の容器中の条件下で決定される）を
含むことを意味する。典型的な湿式処理温度下では、典型的には活性化溶液は好
ましくは、流体の総重量を基礎にして、約５０ｐｐｂ未満の溶解又は懸濁酸素、
そして最も好ましくは、できるだけ低い酸素レベルを含む。

【００３６】電子部品が十分に長い時間、活性化溶液と接触された後に、活性化溶液を容器
から除去される。活性化溶液は当業者に知られたあらゆる方法で容器から除去す
ることができる。例えば活性化溶液を容器から排水して、次の所望の処理液を、
活性化溶液の排水後又はその期間中に容器中に導入することができる。本発明の
好ましい態様においては、活性化溶液を、電子部品と接触させることを所望され
る、次の処理液と活性化溶液を直接入れ換えることにより除去する。例えば、活
性化溶液を濯ぎ液又は金属めっき液により入れ換えることができるであろう。直
接的入れ換えに適した方法は、例えば、その明細の全体を引用により本明細書に
取り込まれている、米国特許第４，７７８，５３２号明細書に開示されている。

【００３７】活性化溶液を除去するための直接的入れ換えを使用する利点は、電子部品が気
体−液体界面にさらされず、電子部品の粒子汚染及び／又は酸化の減少をもたら
すことである。更に、直接的入れ換えは、活性化溶液に最初にさらされる電子部
品が次の処理液にさらされる最初の電子部品であるような方法で実施することが
できる。容器中のすべての電子部品に対する接触時間が大体同一であるので、こ
の「最初に入るものが最初に出る」処理法が、より均一な結果をもたらす。

【００３８】活性化溶液との電子部品の接触に続き、電子部品は金属めっき液と接触される
。金属めっき液は金属源（金属イオン又は金属イオンを含む又は形成する化合物
）を含むあらゆる液体である。金属は、電子部品の金属めっき液との接触により
電子部品の表面上にめっきされる。好ましくは、金属めっき液は少なくとも１種
類の金属イオン源及び少なくとも１種類の還元剤を含む。還元剤は、金属イオン
（正の酸化状態）を元素の金属（ゼロの酸化状態）に還元するための電子源を提
供する。金属イオン源は例えば、遊離金属イオン、金属イオンを含む化合物、又
は液体に溶解される時に金属イオンを形成する化合物の可能性がある。金属イオ
ン源がそれに溶解又は分散されている液体溶液は好ましくは水であるが、またエ
チレングリコール、酢酸、炭酸プロピレン、又はメタノール、又はそれらの組み
合わせ物のような有機溶媒であるか又はそれらを含むこともできる。

【００３９】本発明に有用な金属イオン源の例は、その金属が正の酸化状態にある金属塩を
含む。金属塩は例えば、銅、ニッケル、コバルト、金、銀、パラジウム、白金、
ロジウム、鉄、アルミナム、タンタル、チタン、タングステン、又はそれらの組
み合わせ物の塩を含む。特に好ましい金属塩は例えば、硫酸銅、塩化銅、硫酸コ
バルト、塩化コバルト、硫酸ニッケル六水和物、塩化コバルト六水和物、硫酸コ
バルト七水和物、塩化パラジウム、窒化チタン、窒化タンタル、窒化タングステ
ン、又はそれらの組み合わせ物を含む。当業者は、本発明に使用することができ
る金属イオンのその他の様々な源が存在することを認めるであろう。

【００４０】適切な還元剤は、金属めっき液に電子を供与することができるあらゆる化合物
を含む。還元剤の例は例えば、次亜リン酸ナトリウム、ホルムアルデヒド、水素
化ホウ素、ジメチルアミンボランのようなアミンボラン、ヒドラジン、又はそれ
らの組み合わせ物を含む。ホルムアルデヒドは銅の無電解めっきのための特に好
ましい還元剤であるが、次亜リン酸ナトリウム、水素化ホウ素、アミンボラン又
はヒドラジンは、ニッケル又はコバルトの無電解めっきに特に好ましい。

【００４１】金属めっき液はまた好ましくは、金属錯体形成剤及びｐＨ調整添加剤を含む。
金属錯体形成剤は、金属めっき液のｐＨで金属イオン源を可溶性に維持するため
に使用される。従って、金属めっき液のｐＨが金属イオン源が可溶性であるよう
なものである場合は、金属錯体形成剤は必要ではないかもしれない。適した金属
錯体形成剤は例えば、酒石酸塩、クエン酸ナトリウムのようなクエン酸塩、乳酸
、コハク酸ナトリウムのようなコハク酸塩、アンモニア、ＥＤＴＡ又はそれらの
組み合わせ物のような金属錯体形成基を含む化合物を含む。ｐＨ調整添加剤は、
還元剤が、場合によっては電子を生成するであろうｐＨに、金属めっき液のｐＨ
を調整するために使用される。適したｐＨ調整剤は例えば、水酸化ナトリウム、
水酸化アンモニウム、塩酸、酢酸、又はそれらの組み合わせ物を含む。金属めっ
き液はまた、錆止め剤のようなその他の添加剤、界面活性剤（前記の）のような
、めっき中の水素ガス形成を減少させる添加剤、又は活性化剤（例えば、Ｐｄ）
、又はそれらの組み合わせ物を含むことができる。通常の当業者の一人は、金属
めっき液中に含まれることができる様々な金属錯体形成剤、ｐＨ調整添加剤、及
びその他の添加剤が存在することを認めるであろう。これらの添加剤の選択は、
めっきされる金属、電子部品の表面の組成、及び処理条件のようなファクターに
依存するであろう。

【００４２】金属めっき液中の、金属イオン源、還元剤、金属錯体形成剤、ｐＨ調整添加剤
、及びその他の添加剤の濃度は、めっきされる金属、選択された金属イオン源、
所望のめっき速度、並びに、金属めっき液の温度のような処理条件及び接触時間
、のようなファクターに依存するであろう。好ましくは、金属めっき液中の金属
イオンの濃度は少なくとも約０．００５Ｍ、そしてより好ましくは、約０．００
５Ｍないし約０．７Ｍであろう。金属めっき液中の還元剤の濃度は好ましくは、
少なくとも約０．００５Ｍ、より好ましくは約０．００５Ｍないし約１０Ｍ、そ
して最も好ましくは、約０．５Ｍないし約５Ｍであろう。好ましい金属めっき液
の組成物の幾つかの例は、下記の表IIに示されている。更に、例えば、Ｃ．Ｈ．
Ｔｉｎｇｅｔａｌ．，ＳｅｌｅｃｔｉｖｅＥｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓＭｅ
ｔａｌＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎｆｏｒｖｉａＨｏｌｅＦｉｌｌｉｎｇ
ｉｎＶＬＳＩＭｕｌｔｉｌｅｖｅｌＩｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎＳ
ｔｒｕｃｔｕｒｅｓ，Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｖｏｌ．１３６
，Ｎｏ．２，Ｆｅｂｒｕａｒｙ１９８９，ｐｐ．４６２−４６６を参照された
い。表IIにおける組成物は例としてのみ提供されており、通常の当業者の一人は
、様々な濃度の金属めっき液を使用することができることを認めるであろう。

【００４３】

【表１】

【００４４】本発明の好ましい一態様においては、銅を無電解めっきすることを所望される
場合は、好ましくは、金属めっき液は、約０．０１４ＭのＣｕＳＯ₄（金属イオ
ン源）、約０．０７９Ｍの酒石酸二ナトリウム（金属錯体形成剤）、約１．８Ｍ
のホルムアルデヒド（還元剤）及び、ｐＨを約１１．３に調整するのに十分なＮ
ａＯＨを含む。

【００４５】本発明においては、遅いめっき速度（例えば、１分当たり金属を約１ｎｍ未満
）で金属をめっきすることが好ましいことが判明した。酸化された電子部品の表
面又は容器壁のようなその他の表面と異なり、金属のめっきがより選択的で、好
ましくは、金属の種晶添加表面上に析出するように、金属の遅いめっき速度をも
つことが好ましい。更に、遅い析出速度は、ホルムアルデヒドのような還元剤の
還元中の水素ガスの形成を最少にするために望ましい。金属めっき速度に影響す
るファクターは、金属めっき液中の金属イオン及び還元剤の濃度、金属めっき液
中に溶解又は懸濁された酸素の量、金属めっき液のｐＨ、及び金属めっき液の温
度を含む。例えば金属めっき速度は、金属イオン及び還元剤の濃度を減少し、金
属めっき液中に溶解又は懸濁された酸素の濃度を増加し、そして溶液の温度を低
下させることにより減少される。金属めっき速度に対するｐＨの影響はめっきさ
れる金属に依存するであろう。

【００４６】金属めっき液中に溶解又は懸濁された酸素は好ましくは、飽和時の金属めっき
液中の（ここで、酸素の飽和レベルは容器中の金属めっき液の状態で決定される
）溶解酸素レベルの、少なくとも約０．２５％、より好ましくは、約０．２５％
ないし約２５％、そして最も好ましくは、約２．５％ないし約９％である濃度で
維持される。典型的な湿式処理条件に対しては、好ましくは、金属めっき液中の
酸素濃度は約５０ｐｐｂないし約５ｐｐｍ、そしてより好ましくは約０．５ｐｐ
ｍないし約１．７ｐｐｍの範囲にあろう。前記のように、これらのレベルの酸素
を含むことにより、金属めっきはより遅い速度で進行するであろう。更に、酸素
の存在はまた、例えば、金属めっき液中の金属イオン源の安定性を高めて、分解
を抑制することができる。

【００４７】電子部品は好ましくは、少なくとも約５ｎｍ、そしてより好ましくは約２０ｎ
ｍないし約５０ｎｍの厚さをもつ金属層をめっきするのに十分な接触時間の間、
金属めっき液と接触される。選択される実際の接触時間は、金属イオン源、還元
剤及び、金属めっき液中に溶解又は懸濁された酸素の濃度、金属めっき液のｐＨ
及び温度のようなファクターに依存するであろう。好ましくは、接触時間は少な
くとも約１分間、そしてより好ましくは約２分間ないし約６０分間であろう。

【００４８】接触期間中の金属めっき液の温度は、金属めっきが制御され、遅いめっき速度
が達成される（例えば、好ましくは毎分約１ｎｍ以下）ものである。好ましくは
、金属めっき液の温度は約３５℃未満、より好ましくは、約１５℃ないし約３０
℃、そして最も好ましくは約２０℃ないし約３０℃である。

【００４９】金属メッキ液との電子部品の接触は、活性化溶液との電子部品の接触について
前記に説明されたあらゆる湿式処理法により実施することができる。接触を達成
するためには、例えば、溶液で容器を完全に充填するように、金属めっき液を容
器内に誘導することができる。更に、接触は、動的条件下、静的条件下又は両方
の組み合わせで実施することができる。好ましい態様においては、接触は、金属
めっき液で容器を完全に充填し、所望の浸漬時間だけ、金属めっき液中に電子部
品を浸漬することにより実施される。浸漬後、本明細書の前記に説明されたいず
れかの方法を使用して、金属めっき液を容器から除去することができる。好まし
い態様においては、金属めっき液は、濯ぎ液のようなもう１種類の溶液で金属め
っき液を直接置き換えることにより容器から除去される。

【００５０】本発明の好ましい態様においては、金属めっき液との接触時間の少なくとも一
部の間、電子部品を、大体１８ｋＨｚ以上、そしてより好ましくは、約２０ｋＨ
ｚないし約２ＭＨｚの周波数の音波エネルギーにさらされる。接触期間中に音波
エネルギーを導入することにより、増加された撹拌、望ましくない粒子の除去、
及び／又はめっき過程に不都合な影響を与える可能性がある気泡を除去すること
により、より均一なめっきの成果を達成することができる。音波エネルギーは、
大量の移動の制約を克服するための撹拌を提供するために、静的条件（例えば、
浸漬）下における接触期間中に特に好ましい。本発明の好ましい態様においては
、電子部品は約６００ＫＨｚないし約２ＭＨｚの範囲、そしてより好ましくは、
約６００ｋＨｚないし約１．２ＭＨｚの範囲の音波エネルギーにさらされる。こ
の「高周波数」の音波エネルギー範囲は一般に「メガソニックス」と称される。
好ましくは、音波エネルギーは接触時間の少なくとも５０％、より好ましくは接
触時間の少なくとも８０％、そして最も好ましくは接触時間の少なくとも９５％
の間、継続する。

【００５１】音波エネルギーは当業者に知られたあらゆる方法に従い発生することができる
。例えば、音波エネルギーは、機械的応力を受けると電気的に分極され、電気的
に分極されると、機械的に変形するであろう、圧電材料から製造されたトランス
ジューサーを通して発生され、伝達されることができる。例えば、Ｇａｌｅｅ
ｔａｌ．，ＥｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌＳｔｕｄｙｏｆＵｌｔｒａｓｏｎ
ｉｃａｎｄＭｅｇａｓｏｎｉｃＰａｒｔｉｃｌｅＲｅｍｏｖａｌ，Ｐｒ
ｅｃｉｓｉｏｎＣｌｅａｎｉｎｇ，Ｖｏｌ．II，Ｎｏ．４，Ａｐｒｉｌ１９
９４（“ＧａｌｅＡｒｔｉｃｌ”）を参照されたい。

【００５２】金属が電子部品上にめっきされた後に、好ましくは電子部品を金属めっき液と
接触後に、電子部品と接触されたあらゆる流体は酸素を実質的に含まない。好ま
しくは、これらの流体は具体的には、流体の総重量に基づいて、溶解又は懸濁酸
素を約５０ｐｐｂ未満、そして最も好ましくは、できるだけ低レベルを含む。こ
れらの流体中に低レベルの溶解又は懸濁酸素を含むことにより、電子部品の表面
上の金属を酸化する危険性は著しく減少される。

【００５３】電子部品を活性化溶液及び金属めっき液と接触させることに加えて、電子部品
は、所望の結果を達成するために、あらゆる数のその他の化学処理用流体（例え
ば、ガス、液体、蒸気又はそれらのあらゆる組み合わせ物）と接触されることが
できる。「化学処理用流体」又は「化学処理液」により、電子部品の表面と何ら
かの方法で反応して、電子部品の表面の組成を変化させるあらゆる液体又は流体
を意味する。例えば、化学処理液又は流体は粒状物、金属、光レジスト、又は有
機物質のような、電子部品の表面に接着又は化学結合された汚染物を除去する活
性、あるいは、電子部品の表面をエッチングする活性、あるいは、電子部品の表
面に酸化物層を成長させる活性をもつ可能性がある。従って、電子部品は、例え
ば、エッチングし（以後、エッチング流体と呼ばれる）、酸化物層を成長させ（
以後、酸化物成長流体と呼ばれる）、光レジストを除去し（以後、光レジスト除
去流体と呼ばれる）、洗浄を高め（以後、洗浄流体と呼ばれる）、又はそれらの
組み合わせを実施するために使用される化学処理用流体と接触されることができ
る。電子部品はまた、湿式処理法の期間中いつでも、濯ぎ用流体で濯ぐことがで
きる。好ましくは、化学処理用流体及び濯ぎ用流体は液体である。

【００５４】本発明に有用な化学処理用流体は、所望の表面処理を達成するための１種類以
上の化学的反応性薬剤を含む。好ましくは、これらの化学的反応性薬剤の濃度は
、化学処理用流体の重量に基づいて、１０００ｐｐｍを越える、そしてより好ま
しくは、１０，０００ｐｐｍを越えるであろう。更に、化学処理用流体として１
種類以上の化学的反応性薬剤を１００％含むことも可能である。例えば、洗浄用
流体は具体的には、酸又は塩基のような１種類以上の腐蝕剤を含む。洗浄に適切
な酸は例えば、硫酸、塩酸、硝酸、又は王水を含む。適切な塩基は例えば、水酸
化アンモニウムを含む。洗浄用流体中の腐蝕剤の所望の濃度は、選択された特定
の腐蝕剤及び、洗浄の所望の量に依存するであろう。これらの腐蝕剤はまた、オ
ゾン又は過酸化水素のような酸化剤とともに使用することができる。好ましい洗
浄液は水、アンモニア、及び過酸化水素を含む「ＳＣ１」溶液並びに水、過酸化
水素、及び塩酸を含む「ＳＣ２」溶液である。ＳＣ１溶液に対する具体的な濃度
は、約５：１：１ないし約２００：１：１：容量部のＨ₂Ｏ：Ｈ₂Ｏ₂：ＮＨ₄ＯＨ
である。ＳＣ２溶液に対する具体的な濃度は、約５：１：１：ないし約１０００
：０：１：容量部のＨ₂Ｏ：Ｈ₂Ｏ₂：ＨＣｌである。

【００５５】洗浄用流体に加えて、更に、アセトン、イソプロパノール、Ｎ−メチルピロリ
ドン、又はそれらの組み合わせ物のような溶媒と電子部品を接触させることも望
ましい可能性がある。これらの溶媒は例えば、有機物を除去するか又はその他の
洗浄効果を提供するために使用される化学的反応性薬剤である。

【００５６】本発明に有用な適したエッチング流体は、酸化物を除去することができる薬剤
を含む。本発明に有用な一般的エッチング剤は例えば、フッ化水素酸、緩衝フッ
化水素酸、フッ化アンモニウム、又は、溶液中にフッ化水素酸を発生するその他
の物質である。フッ化水素酸含有エッチング溶液は例えば、約４：１ないし約１
０００：１容量部のＨ₂Ｏ：ＨＦを含むことができる。

【００５７】本発明に有用な光レジスト除去用流体は例えば、硫酸、及び、過酸化水素、オ
ゾン又はそれらの組み合わせ物のような酸化物質を含む溶液を含む。

【００５８】当業者は、湿式処理中に使用することができる様々な処理用流体が存在するこ
とを認めるであろう。湿式処理中に使用することができる処理用流体のその他の
例は、その明細の全体を引用により本明細書に取り込まれている、Ａｃａｄｅｍ
ｉｃＰｒｅｓｓ，ＮＹ１９７８により刊行され、ＪｏｈｎＬ．Ｖｏｓｓｅ
ｒｅｔａｌ．により編集され、ＴｈｉｎＦｉｌｍＰｒｏｃｅｓｓｅｓ，
ｐａｇｅｓ，４０１−４９６中のＷｅｒｎｅｒＫｅｒｎｅｔａｌ．による
“ＣｈｅｍｉｃａｌＥｔｃｈｉｎｇ”中に開示されている。

【００５９】電子部品を化学処理用流体と接触させることに加えて、電子部品はまた、濯ぎ
用流体と接触させることができる。濯ぎ用流体は、電子部品及び／又は容器の残
留化学処理用流体から、反応副生物、及び／又は化学処理段階により遊離また放
出された粒子又はその他の汚染物を除去するために使用される。濯ぎ用流体はま
た、電子部品又は容器上に遊離された粒子又は汚染物の再析出を防止するために
使用することができる。好ましくは、濯ぎ用流体の温度は６０℃未満、より好ま
しくは約２０℃ないし約６０℃、そして最も好ましくは、約２０℃ないし約４０
℃である。

【００６０】前記の効果を達成するのに有効な、あらゆる濯ぎ用流体を選択することができ
る。濯ぎ用流体を選択する時には、濯がれる電子部品の表面の本質、化学処理用
流体中に溶解された汚染物の本質、並びに濯がれる化学処理用流体の本質のよう
なファクターを考慮しなければならない。更に、提唱された濯ぎ用流体は、流体
と接触する構成物質と相容性（すなわち、比較的非反応性である）でなければな
らない。使用することができる濯ぎ用流体は例えば、水、有機溶媒、有機溶媒の
混合物、オゾン添加水、又はそれらの組み合わせ物を含む。好ましい有機溶媒は
、Ｃ₁ないしＣ₁₀アルコール、そして好ましくはＣ₁ないしＣ₆アルコールのよう
な下記に開示される乾燥用溶液として有用な有機化合物を含む。好ましくは、濯
ぎ用流体は液体であり、より好ましくは、脱イオン水である。

【００６１】濯ぎ用流体はまた、場合によっては濯ぎを増強するための低レベルの化学的反
応性薬剤を含むことができる。例えば、濯ぎ用流体は例えば、電子部品の表面上
への金属めっきを防止するために、塩酸又は酢酸の希薄水溶液にすることができ
る。界面活性剤、錆止め剤及び／又はオゾンは、濯ぎ用流体中に使用されるその
他の添加剤である。濯ぎ用流体中のこれらの添加剤の濃度は微小である。例えば
、その濃度は好ましくは、濯ぎ用流体の総重量に基づいて、約１０００重量ｐｐ
ｍ以下、そしてより好ましくは１００重量ｐｐｍ以下である。オゾンの場合には
、好ましくは、濯ぎ用流体の濃度は５ｐｐｍ以下である。

【００６２】当業者は、化学処理用流体の選択及び、化学処理用流体と濯ぎ用流体の順序が
所望の湿式処理の結果に依存するであろうことを認めるであろう。例えば、電子
部品は１種類以上の化学的処理段階の前又は後に、濯ぎ用流体と接触させること
ができるであろう。代替的には、幾つかの湿式処理段階においては、２種類の化
学的処理段階の間に、濯ぎ用流体との電子部品の接触を伴わずに（すなわち、介
入濯ぎなしで）ある化学的処理段階をもう１つの化学的処理段階の直後に続ける
ことが望ましい可能性がある。介入の濯ぎを伴わない、これらの連続的湿式処理
は例えば、その明細の全体を引用により本明細書に取り込まれている、１９９８
年１月２９日公開の、ＰＣＴ出願の国際公開第９８／０３２７３号パンフレット
に記載されている。

【００６３】本発明の一態様においては、電子部品は、活性化溶液との接触の前に、あらゆ
る数の化学的処理用流体及び／又は濯ぎ用流体と接触させることができる。これ
らの処理は、無電解金属めっきを妨げる可能性がある汚染物又はその他の物質を
除去するために必要であるかも知れない。例えば、活性化溶液との接触の前に、
電子部品を、光レジスト除去用溶液、洗浄液、及び／又はエッチング溶液と接触
させることが望まれるかも知れない。本発明の好ましい態様においては、電子部
品は、電子部品の表面上に存在する可能性のあるあらゆる元来の酸化物を除去す
るために処理される。元来の酸化物を除去するためには、好ましくは、電子部品
はフッ化水素酸含有溶液のようなエッチング溶液と接触させられる。

【００６４】本発明のもう一つの態様においては、容器中に電子部品を充填する前又は後の
どちらかに、しかし活性化溶液との電子部品の接触の前に、塩酸又は塩基を含む
溶液のような洗浄用溶液と容器を接触させることが所望されるかも知れない。塩
酸又は塩基を含む溶液との接触は、電子部品の以前のバッチにおいて容器壁上に
析出した可能性がある残留種晶添加剤を除去するために好ましい。塩酸の溶液は
容器から残留パラジウムを除去するために特に好まれる。電子部品の表面が洗浄
液により不都合に影響を受けない場合には、電子部品は洗浄液との接触中に容器
中に存在することができる。電子部品が洗浄液により不都合に影響を受ける場合
には、洗浄液は好ましくは、容器中に電子部品を充填する前に、容器を濯ぐため
に使用される。

【００６５】本発明のもう一つの態様においては、電子部品の表面がすでに、汚染物及び元
来の酸化物を含まない場合には、活性化溶液と電子部品を接触させる前に、電子
部品の表面を湿潤化させるために、電子部品を脱イオン水のような濯ぎ用流体と
接触させることが望ましい可能性がある。好ましくは、このような湿式処理段階
においては、濯ぎ用流体は約２０℃ないし約６０℃、そしてより好ましくは、約
２０℃ないし約４０℃の温度にある。

【００６６】本発明のもう一つの態様においては、電子部品を活性化溶液と接触後に、しか
し電子部品を金属めっき液と接触させる前に、濯ぎ用流体と電子部品を接触させ
ることが望まれる可能性がある。この態様における濯ぎ用流体は好ましくは、約
２０℃ないし約６０℃の温度の脱イオン水である。電子部品は好ましくは、残留
化学薬品及び／又は、活性化中に生成された反応副生物を除去するのに十分な接
触時間の間、濯ぎ用流体と接触させられる。この態様においては、好ましくは、
濯ぎ用流体は酸素を実質的に含まない。更に、前記のように、電子部品を活性化
溶液と接触させて、２種類の化学的処理段階の間に介入する濯ぎを伴わずに、そ
の直後に電子部品を金属めっき液と接触させることもできる。

【００６７】電子部品の金属めっき液との接触後に、本発明においては、電子部品を約２０
℃ないし約６０℃の温度をもつ脱イオン水の濯ぎ用流体と接触させることが好ま
しい。この濯ぎ段階は好ましくは、電子部品を金属めっき液と接触させた後に、
容器中、あるいは電子部品の表面上に残る残留化学薬品及び／又は反応副生物を
除去するために実施される。濯ぎ用流体は好ましくは、めっきされた金属の酸化
の危険性を最少にするために酸素を実質的に含まない。

【００６８】従って、本発明の方法に従って電子部品を湿式処理することができる様々なタ
イプの方法が存在する。例えば、湿式処理は、洗浄を高めるため又はより均一な
金属のめっきのために、処理液との電子部品の接触期間の間、音波エネルギー（
メガ音波エネルギー範囲におけるような）を使用して実施することができる。こ
れらの方法は例えば、その明細の全体を引用により本明細書に取り込まれている
、米国特許第５，３８３，４８４号、１９９８年１月２９日に公開されたＰＣＴ
出願国際公開第９８／０３２７３号、及び１９９９年６月１７日公開の国際公開
第９９／３０３５５号、１９９９年２月１９日出願の米国特許出願第０９／２５
３，１５７号及び１９９９年２月２５日出願の同第０９／２５７，４８８号、及
び１９９９年６月２日出願の同第０９／３２４，８１３号、及び１９９８年１２
月８日出願の米国暫定特許出願第６０／１１１，３５０号、及び１９９９年１月
５日出願の同第６０／１１４，７５７号に開示されている湿式処理法を含む可能
性がある。

【００６９】容器内における最後の湿式処理段階の後に、電子部品を乾燥することが好まし
い。「乾燥」又は「乾燥する」により、電子部品が好ましくは液滴を実質的に含
まないようにされることを意味する。乾燥中に液滴を除去することにより、液滴
が蒸発する時に、液滴中に存在する不純物が電子部品の表面上に残らない。この
ような不純物は電子部品の表面上に望ましくなく、痕跡（例えば、水の痕跡）又
はその他の残渣を残す。しかしまた、乾燥は、単に、例えば乾燥用流体流の助け
により、又は当業者に知られたその他の手段により、処理用流体又は濯ぎ用流体
を除去することに関与すると想定される。

【００７０】乾燥のあらゆる方法又はシステムを使用することができる。乾燥の適切な方法
は例えば、蒸発、スピン濯ぎ機乾燥機における遠心力、蒸気又は化学薬品乾燥、
あるいはそれらの組み合わせ物を含む。

【００７１】乾燥の好ましい方法は、電子部品が乾燥の前に容器内で接触されている最後の
処理溶液を直接置き換えるために（以後、「直接置き換え乾燥」と呼ばれる）、
乾燥用流体流を使用する。直接置き換え乾燥に適切な方法及びシステムは例えば
、米国特許第４，７７８，５３２号、第４，７９５，４９７号、第４，９１１，
７６１号、第４，９８４，５９７号、第５，５７１，３３７号及び第５，５６９
，３３０号に開示されている。使用することができる、その他の直接置き換え乾
燥機は、Ｓｔｅａｇ、Ｄａｉｎｉｐｐｏｎ、及びＹｉｅｌｄＵｐのような製造業
者により供給されるＭａｒａｎｇｏｎｉタイプの乾燥機を含む。最も好ましくは
、米国特許第４，９１１，７６１号のシステム及び方法が、電子部品の乾燥に使
用される。

【００７２】好ましくは、乾燥用流体流は部分的又は完全に蒸発された乾燥用溶液から形成
される。乾燥用流体流は例えば、過熱された、蒸気及び液体の混合物、飽和蒸気
、又は蒸気と非凝縮性ガスの混合物の可能性がある。

【００７３】乾燥用流体流を形成するために選択された乾燥用溶液は好ましくは、容器中の
最後の処理用流体と混和性で、電子部品の表面と非反応性である。乾燥用溶液は
また好ましくは、乾燥を容易にするために比較的低い沸点を有する。例えば、乾
燥用溶液は好ましくは、大気圧で約１４０℃未満の沸点を有する有機化合物から
選択される。使用することができる乾燥用溶液の例は、蒸気、メタノール、エタ
ノール、１−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ｓｅｃブタノ
ール、ｔｅｒｔブタノール、又はｔｅｒｔ−アミルアルコールのようなアルコー
ル、アセトン、アセトニトリル、ヘキサフルオロアセトン、ニトロメタン、酢酸
、ピロピオン酸、エチレングリコールモノ−メチルエーテル、ジフルオロエタン
、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、１，１，２−トリクロロ−１，２，２−トリ
フルオロエタン、１，２−ジクロロエタン、トリクロロエタン、ペルフルオロ−
２−ブチルテトラヒドロフラン、ペルフルオロ−１，４−ジメチルシクロヘキサ
ン又はそれらの組み合わせ物である。好ましくは、乾燥用溶液は、例えば、メタ
ノール、エタノール、１−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、
ｓｅｃブタノール、ｔｅｒｔブタノール、ｔｅｒｔ−アミルアルコール、ペンタ
ノール、ヘキサノール又はそれらの組み合わせ物のようなＣ₁ないしＣ₆アルコー
ルである。

【００７４】本発明の好ましい態様においては、乾燥の直前に処理容器内に存在する処理用
溶液と混和性で、処理用溶液と最低沸点共沸混合物を形成する乾燥用溶液が選択
される。水は化学処理又は濯ぎ用流体のための最も便利な、一般的に使用される
溶媒であるので、水と最低沸点共沸混合物を形成する乾燥用溶液が特に好ましい
。発明の方法は、単一の密閉可能な容器システム内で実施される。発明の好ま
しい態様においては、電子部品は、その明細の全体を引用により本明細書に取り
込まれている、米国特許第４，７７８，５３２号、第４，９１７，１２３号、第
４，９１１，７６１号、第４，７９５，４９７号、第４，８９９，７６７号、第
４，９８４，５９７号、第４，６３３，８９３号、第４，９１７，１２３号、第
４，７３８，２７２号、第４，５７７，６５０号、第５，５７１，３３７号及び
第５，５６９，３３０号に開示されたもののような単一容器システム中に収納さ
れている。好ましい市販の単一容器システムは、ＣＦＭＴｅｃｈｎｏｌｏｇｉ
ｅｓ，Ｉｎｃ．に製造されたようなＦｕｌｌ−Ｆｌｏｗ^TM容器、Ｓｔｅａｇによ
り製造されたＰｏｓｅｉｄｏｎ、及びＤａｉｎｉｐｐｏｎＳｃｒｅｅｎにより
製造されたＦＬ８２０Ｌである。これらのシステムは、酸素レベルをより容易に
調節することができるので好ましい。更に、これらのシステムは、湿式処理及び
乾燥を同一容器内で実施できるようになっていて、電子部品の酸化及び汚染の危
険の減少をもたらすので好ましい。

【００７５】本発明に有用な密閉可能な単一容器システムは好ましくは、様々な順序で異な
る処理用流体を受け入れることができる。処理用流体を容器に配布する好ましい
方法は、もう１種類の流体とのある流体の直接的置き換えによるものである。Ｃ
ＦＭＴｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ，Ｉｎｃ．により製造されたＦｕｌｌ−Ｆｌｏ
ｗ^TM湿式処理システムは直接的置き換えにより流体を配布することができるシス
テムの一例である。

【００７６】本発明のもう一つの好ましい態様においては、密閉可能な単一システムは、容
器に侵入する前に、活性化溶液及び金属めっき液のような処理液をインラインで
形成することができる。この「使用地点における混合」は多数の利点をもつ。例
えば、活性化溶液及び金属めっき液をインラインで形成することにより、望まし
くない副反応は最少化され、活性化溶液及び金属めっき液の分解が起こりにくい
。例えば、典型的な銅の金属めっき液中では、酸素の溶解度はＨＣＯＯ^-（蟻酸
イオン）の濃度に依存する。金属めっき液の寿命が増加するに従って、蟻酸イオ
ンの濃度が増加して、酸素の溶解度の変化をもたらす。本明細書に前述されたよ
うに、金属めっき液中の酸素レベルの変化は金属めっき速度に影響を与える。従
って、金属めっき速度を一定に維持するためには、金属めっき液は好ましくは、
使用地点での混合により、できるだけ新鮮に維持される。更に、貯蔵容器中の活
性化溶液及び金属めっき液の自動めっき（auto-plating）を回避することができ
、容器中で起こる自動めっきの危険も、使用地点での混合により減少される。従
って、使用地点での混合は、活性化溶液及び金属めっき液中の反応物の、より一
定な濃度を提供し、バッチ内及びバッチ間の変動性の減少をもたらすことができ
る。本明細書で前述されたように、ある時には活性化溶液及び金属めっき液を
使用し、容器に侵入する前には、インラインで溶液を形成することの組み合わせ
は処理の結果を更に改善させることができる。例えば、溶液濃度は常に、より一
定に維持することができ、めっきされた金属層の厚さのバッチからバッチの非均
一性の回避をもたらす。

【００７７】活性化溶液及び金属めっき液のインラインの形成（すなわち、使用地点での混
合）は様々な方法で実施することができる。例えば、安定な濃厚形態の、ある溶
液を前以て混合又は購入して、使用前にそれらを貯蔵することが所望される可能
性がある。その場合、１種類以上の貯蔵された溶液をシステム中に別々の流れと
して供給し、脱イオン水と合わせることができる。次に、生成された流れを電子
部品との接触のための容器中に供給する。貯蔵された溶液は例えば、１種類の試
薬又は、一緒に合わせると貯蔵安定性をもつ試薬の混合物を含むことができる。
好ましくは、貯蔵された溶液は、より少ない貯蔵スペースが必要なように、濃厚
化形態にある。

【００７８】活性化溶液については、活性化溶液中に存在する種晶添加剤及びその他の成分
がそれぞれ、別個に貯蔵されて、インラインで脱イオン水と一緒に合わせて、活
性化溶液を形成することができる。代替的には、種晶添加剤及び、フッ化水素酸
、酢酸、及び塩酸のような、活性化溶液中の１種類以上、又はすべてのその他の
成分を、１種類の濃厚化溶液として（貯蔵溶液が貯蔵安定性を有する限り）貯蔵
し、容器中に供給される前に、脱イオン水及びあらゆるその他の所望の溶液とイ
ンラインで合わせることができる。

【００７９】金属めっき液に関しては、貯蔵安定性のためには、金属イオン源（金属塩のよ
うな）を含む溶液及び、還元剤を含む溶液を別個に貯蔵し、脱イオン水とインラ
インで合わせることが好ましい。更に、金属錯体形成剤（存在する場合は）は別
個に又は金属イオン源を含む溶液とともに貯蔵されることが好ましい。金属錯体
形成剤はまた、還元剤を含む溶液とともに貯蔵することもできるであろう。好ま
しくは、ｐＨ調整添加剤は別個に、又は金属イオン源を含む溶液、還元剤を含む
溶液、又は両方、のいずれかとともに貯蔵される。

【００８０】例えば、ある処理液をもう１種の処理液で直接置き換え、そしてインラインで
処理液を形成することができる、本発明の方法で有用な、好ましい密閉可能な単
一容器システムが図１に示されている。図１は本発明の方法に有用な密閉可能な
単一の容器システム１０を示している。単一容器システム１０は次のもの、容器
モジュール２、容器モジュール２に乾燥用流体流６４を供給するための乾燥用流
体モジュール５０、容器モジュール２から往復して処理液を押し出すポンプモジ
ュール５２、注入モジュール５４、脱イオン水混合モジュール５６、及び脱イオ
ン水中のガスレベルを制御するためのガス制御ユニット５８、を含む。

【００８１】容器モジュール２はウエファー２２を支持するための支持体（図示されていな
い）をもつ処理容器２０、及び上部及び下部それぞれの流体出口２４、２６を含
む。脱イオン水混合モジュールは、脱イオン水流３０を提供し、それを、場合に
より、更に、脱イオン水流３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ、及び３０Ｄに小分割するこ
とができる。

【００８２】注入モジュール５４は容器モジュール２に１種類以上の化学薬品流３２Ａ、３
２Ｂ、３２Ｃ、及び３２Ｄを供給する。処理容器２０に導入される前に、１種類
以上の化学薬品流３２Ａ、３２Ｂ、３２Ｃ、及び３２Ｄを場合によっては、脱イ
オン水流３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ、及び３０Ｄそれぞれと混合弁３６Ａから３６
Ｄにおいて合わせることができる。次に、生成された１種類以上の希釈化学薬品
流を、処理用流体流３８として弁１７を介して処理容器２０中に誘導することが
できる。図１に示されるように、処理用流体流３８は脱イオン水のみ、１処理以
上の化学薬品、又は脱イオン水と１種類以上の化学薬品との混合物を含むことが
できる。従って、このような注入モジュール５４は本明細書で前述されたような
使用地点での混合をもたらすことができる。

【００８３】図１に示されたもう一つの特徴は、処理用流体流３８中の化学薬品の濃度が安
定化するために時間を与えるために、処理用流体流３８を、放出弁１８を開放し
、弁１７を閉鎖して排水ライン９６を経由して、排水口９８に誘導することがで
きることである。

【００８４】処理用流体流３８は好ましくは、ライン２５を経て処理容器２０に侵入し、底
部の流体口２６を通って、ウエファー２２に接触し、そして次にライン２３を経
て上部の流体口２４か排出する。更に、処理用流体流３８を上部から底部に供給
することも可能である。次に、所望の処理に応じて、上部流体口２４から排出す
る処理用流体を、弁１６を開放し、弁１２を閉鎖して、ライン９５、排出ライン
９６及び排出口９８に誘導することができる。ポンプモジュール５２は流れ５３
及び５５を経てシステムラインを通り、脱イオン水３０を押し出すために使用す
ることができる。

【００８５】ガス制御ユニット５８は、処理容器２０に配達される前に、脱イオン水中の、
酸素のようなガスのレベルを制御するために使用される。好ましい態様において
は、ガス制御ユニットは、ＨｏｅｃｈｓｔＣｅｌａｎｅｓｅＣｏｒｐｏｒａ
ｔｉｏｎ，Ｃｈａｒｌｏｔｔｅ，ＮＣのＳｅｐａｒａｔｉｏｎＰｒｏｄｕｃｔ
ｓＧｒｏｕｐにより製造されたＬｉｑｕｉ−Ｃｅｌ^(R)ガス−液体接触器を使
用している。好ましくは、ガス制御ユニットは、制御された様態で真空を引いて
維持し、制御された様態で追加のガスを追加し、そして、様々な流速をもつ処理
液を処理する性能をもつ。適切なガス制御ユニットについての更なる詳細及び、
これらのユニットの操作は例えば、その明細の全体を引用により本明細書に取り
込まれている、１９９９年２月１９日出願の米国特許出願第０９／２５３，１５
７号に開示されている。

【００８６】乾燥用流体モジュール５０は弁６５及び１２（弁１６は閉鎖して）を経て処理
容器２０に乾燥用流体流６４を供給する。従って、乾燥用流体流６４は好ましく
は、上部の流体口２４から処理容器２０に供給される。乾燥は、乾燥用流体流６
４を弁６５及び弁１２を通り、上部流体口２４を通りそして処理容器２０中に誘
導することにより最初は処理用流体で充填された処理容器で達成することができ
る。乾燥用流体流が、処理用流体を置き換えるに従って、乾燥用流体流は好まし
くは、処理用流体と混合し、処理用流体の上部に独特の乾燥用流体の層（図示さ
れていない）を形成する。処理用流体及び乾燥用流体層はライン２５を通って処
理容器２０を排出し、次に弁１４、７８、７９、及び８１を通って誘導される。
排出ポンプ８０は場合によっては、乾燥を最適化させるために処理用流体及び乾
燥用流体流の下降速度をよりよく制御させるために使用することができる。弁８
２はライン８３を経て、処理用流体／乾燥用流体流を乾燥用流体の回収システム
（図示されていない）か、あるいはライン８５を経て排出口９８のどちらかに誘
導するために使用される。

【００８７】乾燥後、電子部品を、容器から取り出して、更にあらゆる所望の方法で処理す
ることができる。

【００８８】本発明は具体的な好ましい態様に関して前記に説明されてきたが、当業者には
、これらのデザインに対し、数々の改良及び変更を実施することができることは
明白であろう。提供された説明は、例示的目的のためのもので、発明を制約する
意図はもたれない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の方法に有用な密閉可能な単一容器システムのスキームによる表示であ
る。

【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書

【提出日】平成１２年９月２５日（２０００．９．２５）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】請求項１

【補正方法】変更

【補正内容】

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】請求項１５

【補正方法】変更

【補正内容】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ，ＺＷ )，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷＦターム(参考） 4K022 AA05 AA41 BA03 BA06 BA08 BA14 BA31 CA04 CA13 CA14 CA21 DA01 DB11

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】（ａ）密閉可能な単一容器中に複数の電子部品を充填するこ
と、（ｂ）少なくとも１種類の種晶添加剤を含んでなる活性化溶液を形成すること
、ここで、活性化溶液は酸素を実質的に含まない、（ｃ）容器中に活性化溶液を供給し、第１の接触時間の間、活性化溶液と、容
器中の電子部品を接触させ、そして容器から活性化溶液を除去すること、ここで
、活性化溶液は電子部品と一回だけ接触される、（ｄ）少なくとも１種類の金属イオン源、少なくとも１種類の還元剤、及び酸
素を含んでなる、金属めっき液を形成すること、（ｅ）金属めっき液を容器中に供給し、そして容器中の電子部品を、第２の接
触時間の間、金属めっき液と接触させて電子部品の表面上に金属をめっきするこ
と、ここで、金属めっき液は電子部品と一回だけ接触される、（ｆ）第２の接触時間の少なくとも一部分の間、電子部品を音波エネルギーに
さらすこと、並びに（ｇ）容器から金属めっき液を除去すること、を含んでなる、電子部品上へ金属を無電解めっきする方法。
【請求項２】濃厚貯蔵溶液の少なくとも１本の流れを脱イオン水の流れと
合わせて、容器中に供給される活性化溶液又は金属めっき液の流れを形成するこ
とにより、活性化溶液又は金属めっき液、又はその両方がインラインで形成され
る、請求項１の方法。
【請求項３】金属イオン源を含んでなる少なくとも１本の流れ、還元剤を
含んでなる流れ、及び脱イオン水の流れを合わせて、容器中に供給される金属め
っき液の流れを形成することにより、金属めっき液がインラインで形成される、
請求項１の方法。
【請求項４】金属めっき液の流れが更に、少なくとも１種類のｐＨ調整添
加剤及び少なくとも１種類の金属錯体形成剤を含んでなる、請求項３の方法。
【請求項５】金属錯体形成剤及びｐＨ調整添加剤が、金属イオン源を含ん
でなる流れ中に存在するかあるいは、金属イオン源を含んでなる流れ及び還元剤
を含んでなる流れと別個に合わされる、請求項４の方法。
【請求項６】金属イオン源が、銅、コバルト、ニッケル、金又はそれらの
組み合わせ物からなる群から選択される金属イオンを提供する、請求項１の方法
。
【請求項７】金属イオンが銅イオンである、請求項６の方法。
【請求項８】種晶添加剤が、パラジウムの少なくとも１種類の化合物、元
素又はイオン又はそれらの組み合わせ物を含む、請求項１の方法。
【請求項９】活性化溶液又は金属めっき液、又は両方がもう１種類の処理
液による直接的置き換えにより容器から除去される、請求項１の方法。
【請求項１０】活性化溶液が金属めっき液により直接置き換えられる、請
求項９の方法。
【請求項１１】活性化溶液が濯ぎ液により直接置き換えられ、濯ぎ液が金
属めっき液により直接置き換えられる、請求項９の方法。
【請求項１２】電子部品を活性化溶液と接触させた後に、そして電子部品
を金属めっき液と接触させる前に、電子部品を濯ぎ溶液と接触させることを更に
含んでなる、請求項１の方法。
【請求項１３】容器からの金属めっき液の除去中又はその後に、電子部品
を濯ぐ段階を更に含んでなる、請求項１の方法。
【請求項１４】乾燥用流体流を使用して、容器中の電子部品を乾燥する段
階を更に含んでなる、請求項１の方法。
【請求項１５】電子部品が約１／２ピッチないし約１／４ピッチだけ容器
内で間隔を空けられている、請求項１の方法。
【請求項１６】電子部品を活性化溶液と接触させる前に、容器中に塩酸を
供給すること及び容器から塩酸を除去することの段階を更に含んでなる、請求項
１の方法。
【請求項１７】電子部品を活性化溶液と接触させる前に、電子部品の表面
から酸化物を除去する溶液と、電子部品を接触させる段階を更に含んでなる、請
求項１の方法。
【請求項１８】金属めっき液との電子部品の接触が、容器を金属めっき液
で充填すること、メガ音波エネルギーの存在下で、電子部品を金属めっき液に浸
漬すること、並びに、浸漬後に、容器から金属めっき液を除去することを含んで
なる、請求項１の方法。
【請求項１９】活性化溶液との電子部品の接触が、少なくとも１容器容量
の活性化溶液を容器中を通過させること、並びにもう１種類の処理液による直接
的置き換えにより活性化溶液を除去すること、を含んでなる、請求項１の方法。
【請求項２０】金属めっき液中の酸素が、約５０ｐｐｂないし約５ｐｐｍ
の範囲のレベルで維持される、請求項１の方法。