JP2002270561A

JP2002270561A - 基板処理方法及びその装置

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Publication number: JP2002270561A
Application number: JP2001072933A
Authority: JP
Inventors: Haruko Ono; 晴子大野; Ichiro Katakabe; 一郎片伯部; Akira Fukunaga; 明福永; Sachiko Kihara; 幸子木原
Original assignee: Ebara Corp
Current assignee: Ebara Corp
Priority date: 2001-03-14
Filing date: 2001-03-14
Publication date: 2002-09-20
Anticipated expiration: 2021-03-14
Also published as: JP3998426B2

Abstract

(57)【要約】【課題】例えば金属材料が露出している基板を湿式洗
浄で洗浄する際、超純水リンス時に金属が溶出して基板
に付着することを抑制できるようにした基板処理方法及
びその装置を提供する。【解決手段】基板の表面に薬液を作用させる処理を行
った後、基板の表面から薬液を除去する超純水リンス処
理を行う際に、超純水リンス処理を行う前に防錆剤を含
む超純水による処理を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板処理方法及び
その装置に係わり、特に半導体ウェハ等の基板表面の金
属汚染を抑制できるようにした基板処置方法及びその装
置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体ウェハ等における金属不純物汚染
は、半導体デバイスの電気的特性を致命的に劣化させ
る。そのため、各種の洗浄を行って、半導体ウェハ等の
表面に付着した金属汚染物を除去している。この洗浄の
一つとして、ＲＣＡ洗浄に代表される湿式（ウェット）
洗浄がある。このＲＣＡ洗浄は、酸・アルカリ系の薬品
および酸化剤を用いて基板表面を洗浄するようにしたも
ので、薬品処理の工程に引き続き、その薬品を洗い落と
すために超純水で濯ぐリンスの工程が必ず行われる。そ
して、リンス超純水中に汚染物があると、この汚染物が
基板表面に付着するため、超純水の純度の要求はより高
いものになっている。

【０００３】このように、超純水は、これに含まれる不
純物が少ないために、接した材料を溶かしこむ力が強
い。例えば、シリコンウェハにおいて、洗浄およびリン
ス後の乾燥中に、ウォータマークと呼ばれるシリコンの
溶解物の乾燥残渣が生じるのも、超純水がシリコンウェ
ハ表面を溶解するからである。

【０００４】ここで、酸化膜や窒化膜など、超純水に非
常に溶解しにくいものもあるが、例えば、基板表面に金
属の配線材料が形成され、加工処理されている場合に
は、その工程直後の洗浄や、次の工程の前洗浄における
薬品処理に引き続く超純水リンス処理中に、金属（配線
材料）の溶解が生じる。そのため、リンス水を大量に使
い、大希釈して基板への金属付着確率を下げるようにし
ている。

【０００５】ところで、配線材料にはＡｌ，Ｗといった
金属が広く用いられおり、現在のデバイスレベルでは、
金属不純物が多少付着しても問題とされていない。しか
し、近年、半導体デバイスを更に高性能にするため、配
線材料として、低抵抗の材料である銅（Ｃｕ）を用いる
動きが顕著になっている。ここで、銅は電気的に優れた
材料であるが、半導体デバイスの製造プロセスにおいて
は、使用に関連する問題がある。つまり、銅は半導体デ
バイスを形成する材料の多くに混入するため、材料中に
銅が拡散しないように注意を払わなければならない。こ
れは、例えば銅が基板の端縁や裏面に付着していると、
隣接する活性領域へ銅が移動して歩留りを低下させた
り、基板の搬送システムを汚染することが懸念されるか
らである。

【０００６】このため、銅関連の工程、例えば、パター
ニングされたトレンチの内部に銅をめっきで充填して銅
の埋込み配線を形成する工程の後には、基板表面のみな
らず、基板の端縁や裏面を洗浄することが広く行われて
いる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに、例えば銅が表面に露出している基板を洗浄する
と、洗浄薬品でせっかく洗浄しても、超純水リンス時に
露出した銅部分から銅が溶出し、銅以外の部分の基板端
縁（バリア膜、基板シリコン等）や、裏面（酸化膜、窒
化膜、基板シリコン等）に銅が付着してしまう。特に酸
化膜よりもＴａ，ＴａＮやＴｉ，ＴｉＮ等からなるバリ
ア膜やシリコンに銅が付着しやすい。

【０００８】なお、基板が接している液中に金属不純物
が含まれていると、この金属不純物が基板に付着するお
それがある。このため、例えば、酸系の洗浄薬品を使用
して洗浄する場合には、ｐＨや酸化還元電位をコントロ
ールするなどして、除去した金属汚染が基板に再付着し
難くしている。しかし、引き続く超純水リンスにおい
て、表面に金属材料が露出する場合には、前述と同様
に、金属材料からリンス水に金属が溶出し、基板にこの
溶出した金属による金属汚染が生じてしまう。

【０００９】本発明は、上記事情に鑑みて為されたもの
で、例えば金属材料が露出している基板を洗浄する際、
超純水リンス時に金属が溶出して基板に付着することを
抑制できるようにした基板処理方法及びその装置を提供
することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、基板の表面に薬液を作用させる処理を行った後、基
板の表面から薬液を除去する超純水リンス処理を行う際
に、超純水リンス処理を行う前に防錆剤を含む薬液によ
る処理を行うことを特徴とする基板処理方法である。

【００１１】これにより、例えば銅等の金属材料に対し
て特異的に反応する防錆剤で金属の露出表面に疎水性の
被覆を形成し、この疎水性の被覆（防錆剤）で超純水リ
ンス時に金属材料が溶出することを防止して、基板への
金属溶出による汚染を抑制することができる。

【００１２】請求項２に記載の発明は、前記防錆剤を含
む薬液にキレート剤を添加することを特徴とする請求項
１に記載の基板処理方法である。これにより、防錆剤が
完全に金属材料を被覆するまでに溶出する金属イオン
を、基板表面に付着するよりも優先的にキレート剤と反
応させて基板への付着を抑制することで、金属が基板に
付着するのを抑制する効果をより高めることができる。
なお、キレート剤を超純水に添加する場合、キレート剤
が多すぎると、金属材料から溶出する金属の絶対量がか
えって増大し、汚染量を増やしてしまう。そのため、キ
レート剤の含有量は、超純水中で、好ましくは０．００
１〜１０ｍｇ／Ｌの範囲であり、更に好ましくは０．０
１〜１ｍｇ／Ｌの範囲である。

【００１３】請求項３に記載の発明は、前記薬液を作用
させる処理が基板の周縁部の不要な成膜部分をエッチン
グ除去する処理であることを特徴とする請求項１または
２記載の基板処理方法である。

【００１４】請求項４に記載の発明は、基板の表面には
銅が成膜されていることを特徴とする請求項３に記載の
基板処理方法である。これにより、例えば基板表面に銅
配線を形成する際に、基板の周縁部に残った不要な銅を
エッチング除去するとともに、このエッチング除去した
基板周縁部表面への金属汚染を抑制することができる。

【００１５】請求項５に記載の発明は、基板を保持して
回転させる基板保持部と、該基板保持部で保持される基
板の表面に薬液を供給する薬液供給ノズルと、前記基板
保持部で保持される基板の表面に防錆剤を含む薬液とリ
ンス用の超純水を個別にまたは兼用して供給する洗浄液
供給ノズルとを有することを特徴とする基板処理装置で
ある。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。この例は、表面全面に、例
えばＴａＮからなるバリアメタルを形成し、このバリア
メタルの表面に、電解めっきの給電層としてのシード層
を形成し、このシード層の表面に銅めっきを施すこと
で、シリコン酸化膜に設けたコンタクトホール及び配線
用の溝（図示せず）の内部に銅を埋込むとともに、シー
ド層上に導電材料としての銅膜を堆積させた基板Ｗに処
理を施すようにした例、即ち、このような基板の周縁部
にエッチングを施して不要な銅を除去して表面を洗浄す
るようにした例を示す。

【００１７】図１は、本発明の基板処理方法を実施する
のに使用される基板処理装置の概要図で、図２は、基板
の平面図である。図１に示すように、表面の周縁部を除
く領域に回路を形成した半導体ウェハ等の基板Ｗは、そ
の周縁部の円周方向に沿った複数箇所でスピンチャック
２で把持されて基板保持部１に水平に保持されている。
これにより、基板Ｗは、基板保持部１の回転に伴って、
例えば図１のＡ方向に高速で水平回転するようになって
いる。

【００１８】この基板保持部１で保持された基板Ｗの表
面側のほぼ中央部の上方に位置して、基板Ｗの表面に薬
液を供給するセンタノズル（薬液供給ノズル）３と、基
板の表面に防錆剤を含む超純水とリンス用の超純水を兼
用して供給するセンタノズル（洗浄液供給ノズル）４が
それぞれ下向きで配置されている。更に、基板Ｗの周縁
部の上方に位置して、基板Ｗの周縁部に薬液を供給する
エッジノズル（薬液供給ノズル）５が下向きで配置され
ている。

【００１９】このエッジノズル５は、基板Ｗの周縁部か
ら中心部に向けて水平方向に移動自在で、基板Ｗの図２
に示す基板中央部の回路形成部６を除く周縁部、すなわ
ちエッジカット幅Ｂを自由に調整できるようになってい
る。

【００２０】ここで、基板の周縁部とは、基板の周縁で
回路が形成されていない領域、または基板の周縁で、回
路が形成されていても最終的にチップとして使用されな
い領域をいう。センタノズル３，４は、基板表面側の中
央部から周縁部の間に所望の位置に設置できるが、セン
タノズル３，４からの供給液は基板中央部に供給され
る。基板中央部とは、好ましくは基板直径の２０％以内
をいい、更に好ましくは基板直径の１０％以内をいう。
なお、これらの各ノズルは、目的に応じて複数個設置す
るようにしても良い。

【００２１】次に、この基板処理装置による基板処理方
法を説明する。先ず、基板Ｗをスピンチャック２を介し
て基板保持部１で水平に保持する。この状態で、基板Ｗ
の周縁部に位置する不要な銅を除去する位置、すなわち
所定のエッジカット幅Ｂが得られる位置にエッジノズル
５をセットする。

【００２２】この状態で、基板Ｗを基板保持部１と一体
に回転させつつ、センタノズル（薬液供給ノズル）３か
ら基板Ｗの表面側の中央部に酸溶液を供給する。これに
より、基板Ｗの表面の回路形成部６に銅の自然酸化膜が
形成されていても、この自然酸化膜は、基板Ｗの回転に
伴って該基板Ｗの表面全面に亘って拡がる酸溶液で直ち
に除去されて成長することはない。この酸溶液として
は、例えば半導体装置製造プロセスにおける洗浄工程で
一般に使用されている塩酸、ふっ酸、硫酸、クエン酸、
蓚酸のいずれか或いはその組合せを挙げることができる
が、非酸化性の酸であればいずれでもよい。なお、ふっ
酸であれば後述する基板Ｗの裏面側の洗浄にも使えるの
で、薬品を共通化する上で好ましい。また、ふっ酸の場
合であれば、酸化膜除去の効果を考慮し、濃度は０．１
重量％以上が好ましい。また、銅表面のあれを生じさせ
ないため５重量％以下であることが好ましい。

【００２３】同時に、エッジノズル（薬液供給ノズル）
５から基板Ｗの周縁部に酸化剤溶液を連続的または間欠
的に供給する。これにより、基板Ｗの周縁部の上面及び
端面に成膜された銅膜等は、酸化剤溶液で急速に酸化さ
れ、同時に前記センタノズル３から供給されて基板Ｗの
表面全面に拡がる酸溶液によってエッチングされて溶解
除去される。なお、酸溶液によるエッチングは、酸化剤
溶液の供給点以外でも起きるので、酸溶液の濃度及び供
給量を高くする必要はない。この酸化剤溶液としては、
例えば半導体装置製造プロセスにおける洗浄工程で一般
に使用されているオゾン、過酸化水素、硝酸、次亜塩素
酸塩のいずれか或いはその組合せを挙げることができ
る。オゾン水を使う場合であれば２０ｐｐｍ以上で２０
０ｐｐｍ以下、過酸化水素なら１０重量％以上で８０重
量％以下、次亜塩素酸塩なら１重量％以上で５０重量％
以下が好ましい。

【００２４】なお、基板Ｗの裏面側にバックノズルを配
置し、このバックノズルから基板Ｗの裏面側中央部に酸
化剤溶液とふっ酸のような酸溶液とを同時又は交互に供
給して、基板Ｗの裏面側に付着している銅等を基板のシ
リコンごと酸化剤溶液で酸化し、酸溶液でエッチングし
て除去するようにしてもよい。

【００２５】そして、このエッチングの終了直前に、セ
ンタノズル（洗浄液供給ノズル）４から防錆剤を含む超
純水を基板の表面に供給する。この防錆剤としては、金
属材料が銅の場合には、ベンゾアゾール化合物、イミダ
ゾール、アルキルイミダゾール、トリアゾール等が挙げ
られるが、その中でも良好な防錆作用を示すベンゾアゾ
ール化合物が好ましい。ベンゾアゾール化合物には、ベ
ンゾイミダゾール、メルカプトベンゾイミダゾール、ベ
ンゾトリアゾール（ＢＴＡ）、トリルトリアゾール、メ
ルカプトベンゾチアゾールあるいはこれらの誘導体が含
まれる。特にＢＴＡまたは／およびその誘導体が良好で
ある。

【００２６】ここで、ＢＴＡは、広いｐＨ範囲で特異的
に銅に吸着するため、薬液処理に引き続いて供給したと
き、基板表面では薬液と混合した状態となるが問題はな
い。むしろ薬液を飛ばして乾いた表面にしてしまうと薬
液中に溶出した金属が基板表面に残留してしまう。ま
た、ＢＴＡは空気中でも不活性ガス中でも、約２２０〜
３０度で脱離するため、後の工程で熱処理がある場合に
は残留の問題はない。

【００２７】なお、これらの防錆剤は、単独で使用して
も、例えばＥＤＴＡアンモニウム塩等のキレート剤を混
合して使用してもよい。キレート剤を添加することによ
り、例えばＢＴＡ等の防錆剤が完全に金属材料を被覆す
るまでに溶出する金属イオンを基板表面に付着するより
も優先的にキレート剤と反応させて基板への付着を抑制
し、これによって、金属が基板へ付着するのを抑制する
効果をより高めることができる。なお、キレート剤を超
純水に添加する場合、キレート剤が多すぎると、金属材
料からの溶出する金属の絶対量がかえって増大し、汚染
量を増やしてしまう。そのため、キレート剤の含有量
は、超純水中で、好ましくは０．００１〜１０ｍｇ／Ｌ
の範囲であり、更に好ましくは０．０１〜１ｍｇ／Ｌの
範囲である。この範囲より少ない場合はキレート剤とし
ての効果があまり期待できないので好ましくない。

【００２８】次に、センタノズル（薬液供給ノズル）４
から超純水を基板Ｗの表面に供給して、基板Ｗの表面に
残存する薬液を除去する超純水リンス処理を行う。しか
る後、基板Ｗを基板保持部１と一体に高速回転させて、
スピン乾燥させる。

【００２９】このように、超純水リンス処理に先だっ
て、防錆剤を含む超純水による処理を行うことにより、
例えば銅等の金属材料に対して特異的に反応する防錆剤
で金属の露出表面に疎水性の被覆を形成し、この疎水性
の被覆（防錆剤）により超純水リンス時に金属材料が溶
出することを防止して、基板への金属溶出による汚染を
抑制することができる。

【００３０】つまり、基板表面の金属汚染については、
電気的特性上１０^１１原子／ｃｍ^２未満にする必要があ
るが、例えば、銅材料が露出した基板を洗浄すると、超
純水リンス時に銅溶出が生じ、表面に接したリンス水中
の銅濃度は、数〜数百μｇ／Ｌレベルにもなる。する
と、後述の比較例で判るように、この水が基板表面のシ
リコンに接すると、表面銅濃度が１０^１１〜１０^１３原
子／ｃｍ^２の金属汚染を引き起こす。これに対して、
前述のように、金属材料に対して特異的に反応する防錆
剤で疎水性の被覆を形成して金属の溶出を防止し、更に
はキレート剤を添加することで、後述の実施例で判るよ
うに、この表面銅濃度を１０^１１原子／ｃｍ^２未満の
許容量に抑制することができる。

【００３１】図３に、前述の基板処理装置１２５を有す
る、半導体基板Ｗに銅めっきを施すめっき装置の全体図
を示す。図３に示すように、このめっき装置は、矩形状
の設備１１０内に配置されて、半導体基板の銅めっきを
連続的に行うように構成されているのであるが、この設
備１１０は、仕切壁１１１によってめっき空間１１２と
清浄空間１１３に仕切られ、これらのめっき空間１１２
と清浄空間１１３は、それぞれ独自に給排気できるよう
になっている。そして、前記仕切壁１１１には、開閉自
在なシャッタ（図示せず）が設けられている。また、清
浄空間１１３の圧力は、大気圧より低く、且つめっき空
間１１２の圧力よりも高くしてあり、これにより、清浄
空間１１３内の空気が設備１１０の外部に流出すること
がなく、且つめっき空間１１２内の空気が清浄空間１１
３内に流入することがないようになっている。

【００３２】前記清浄空間１１３内には、基板収納用カ
セットを載置する２つのカセットステージ１１５と、め
っき処理後の基板を純水で洗浄（リンス）し乾燥する２
基の洗浄・乾燥装置１１６が配置され、更に基板の搬送
を行う固定タイプで回転自在な第１搬送装置（４軸ロボ
ット）１１７が備えられている。この洗浄・乾燥装置１
１６としては、例えば基板の表裏両面に超純水を供給す
る洗浄液供給ノズルを有し、基板を高速でスピンさせて
脱水、乾燥させる形式のものが用いられる。

【００３３】一方、めっき空間１１２内には、基板のめ
っきの前処理を行い、前処理後の基板を反転機１２０で
反転させる２基の前処理ユニット１２１と、基板の表面
に該表面を下向きにして銅めっき処理を施す４基のめっ
き処理ユニット１２２と、基板を載置保持する２基の第
１基板ステージ１２３ａ，１２３ｂが配置され、更に基
板の搬送を行う自走タイプで回転自在な第２搬送装置
（４軸ロボット）１２４が備えられている。

【００３４】清浄空間１１３内に位置して、めっき後の
基板の周縁部をエッチングする２基の基板処理装置１２
５と、この基板処理装置１２５と前記洗浄・乾燥装置１
１６との間に位置して第２基板ステージ１２６ａ，１２
６ｂが配置され、更に２基の基板処理装置１２５に挟ま
れた位置に基板の搬送を行う固定タイプで回転自在な第
３搬送装置（４軸ロボット）１２７が備えられている。
前記一方の第１基板ステージ１２３ｂ及び第２基板ステ
ージ１２６ｂは、基板を水洗い可能に構成されていると
ともに、基板を反転させる反転機１２０が備えられてい
る。

【００３５】これにより、前記第１搬送装置１１７は、
前記カセットステージ１１５に載置されたカセット、洗
浄・乾燥装置１１６及び第２基板ステージ１２６ａ，１
２６ｂ間で基板を搬送し、第２搬送装置１２４は、前記
第１基板ステージ１２３ａ，１２３ｂ、前処理ユニット
１２１及びめっき処理ユニット１２２間で基板を搬送
し、第３搬送装置１２７は、前記第１基板ステージ１２
３ａ，１２３ｂ、基板処理装置１２５及び第２基板ステ
ージ１２６ａ，１２６ｂ間で基板を搬送するようになっ
ている。

【００３６】更に、前記設備１１０の内部には、前記第
１基板ステージ１２３ａの下方に位置して、調整運転用
基板を収納する容器１２８が内蔵され、第２搬送装置１
２４は、調整運転用基板を容器１２８から取出し、調整
運転終了後に再び容器１２８に戻すようになっている。
このように、調整運転用基板を収容する容器１２８を設
備１１０の内部に内蔵することで、調整運転の際に調整
運転用基板を外部から導入することに伴う汚染やスルー
プットの低下を防止することができる。

【００３７】なお、容器１２８の配置位置は、いずれか
の搬送装置で調整運転用基板の取出し及び収納が可能な
位置であれば、設備１１０内の何処でも良いが、第１基
板ステージ１２３ａの近傍に配置することで、調整運転
用基板を使用した調整運転を前処理からめっき処理と始
め、洗浄し乾燥させた後に容器１２８内に収容すること
ができる。

【００３８】ここで、基板に対するめっきの濡れ性を良
くする前処理を施す前処理ユニットを省略することもで
きる。また、めっきを施す前に基板に付着されたシード
層を補強するためのプレプレーティングを行うためのプ
レプレーティングユニットをめっきユニットの１つ、ま
たは、前処理ユニットの１つに代えて設置することもで
きる。この場合には、前処理ユニットの代わりに、プレ
プレーティングとめっきの間、及び／又は、めっき後に
水洗が行われるための水洗ユニットが設置される。

【００３９】ここで、前記搬送装置１１７として、落し
込みタイプの２本のハンドを有し、上側をドライハン
ド、下側をウェットハンドとしたものを使用し、搬送装
置１２４，１２７として、落し込みタイプの２本のハン
ドを有し、双方をウェットハンドとしたものを使用して
いるが、これに限定されないことは勿論である。

【００４０】次に、この実施の形態における基板の流れ
の概要を説明する。基板は表面（素子形成面、処理面）
を上に向けてカセットに収納されてカセットステージ１
１５に載置される。そして、第１搬送装置１１７が基板
をカセットから取出し、第２基板ステージ１２６ａ上に
移動して、基板を第２基板ステージ１２６ａ上に載置す
る。そして、第３搬送装置１２７が第２基板ステージ１
２６ａ上にあった基板を第１基板ステージ１２３ａに移
す。次に、第２搬送装置１２４が第１基板ステージ１２
３ａから基板を受け取って前処理ユニット１２１に渡
し、前処理ユニット１２１での前処理終了後、基板の表
面が下に向くように反転機１２０で基板を反転させ、再
び第２搬送装置１２４に渡す。そして、第２搬送装置１
２４は基板をめっき処理ユニット１２２のヘッド部に渡
す。

【００４１】めっき処理ユニット１２２で基板のめっき
処理及び液切りを行った後、基板を第２搬送装置１２４
に渡し、第２搬送装置１２４は基板を第１基板ステージ
１２３ｂへ渡す。基板は、第１基板ステージ１２３ｂの
反転機１２０によって、表面が上に向くように反転さ
れ、第３搬送装置１２７によって基板処理装置１２５に
移される。基板処理装置１２５において、周縁部に付着
した不要な銅膜及びシード層がエッチング除去され、純
水リンス、スピン液切りされた基板は、第３搬送装置１
２７により第１基板ステージ１２６ｂへ運ばれる。次
に、第１搬送装置１１７が第１基板ステージ１２６ｂか
ら基板を受取り、洗浄・乾燥装置１１６に基板を移送
し、洗浄・乾燥装置１１６で純水によるリンスとスピン
乾燥を行う。乾燥された基板は、第１搬送装置１１７に
よりカセットステージ１１５に載置された基板カセット
内に収納される。

【００４２】ここで、前処理ユニットでの前処理を省略
することもできる。プレプレーティングユニットを設置
した場合は、カセットから取り出された基板は、プレプ
レーティングユニットでプレプレーティングを施され、
水洗工程を経て、又は、水洗工程を経ずに、めっき処理
ユニットでめっき処理が施される。めっき後に水洗工程
を経て、または水洗工程を経ずに、第１の洗浄装置に搬
送される。

【００４３】本発明において、防錆剤を超純水に存在さ
せる方法については特に限定されない。予め超純水に溶
解しておいてもよいし、供給される寸前に高濃度の水溶
液と超純水を混合して所定の濃度にしてもよい。以下に
実施例および比較例を挙げるが、本発明はこれらの実施
例により何ら限定されるものではない。

【００４４】

【実施例】（実施例１）表面にシリコン酸化膜層、Ｔａ
Ｎからなるバリア層及び銅層からなるシード層を順次成
膜した８インチシリコン基板上に、端縁２ｍｍより中央
側一面に銅膜をめっきした。この基板を図１に示す基板
処理装置を使用し、センタノズル３から酸を、エッジノ
ズル５から過酸化水素水をそれぞれ基板に供給して、エ
ッジカット幅Ｂ＝１０ｍｍにわたって銅めっき層及びシ
ード層をエッチング除去した。エッチング終了間際から
超純水リンスが始まるまでの間、センタノズル４から４
００ｍｇ／ＬのＢＴＡを含む超純水を基板の表面に供給
した後、超純水でリンスし、スピン乾燥した。そして、
周縁部のエッチング後に露出したＴａＮ膜上に吸着した
Ｃｕ濃度を定量分析した。

【００４５】（実施例２）実施例１と同様の基板の周縁
部を実施例１と同様に酸及び過酸化水素水を用いてエッ
チング除去した。エッチング終了間際から超純水リンス
が始まるまでの間、４００ｍｇ／ＬのＢＴＡおよび２ｍ
ｇ／Ｌのキレート剤（ＥＤＴＡアンモニウム塩）を含む
超純水を基板表面に供給した後、超純水でリンスし、ス
ピン乾燥した。そして、周縁部のエッチング後に露出し
たＴａＮ膜上に吸着したＣｕ濃度を定量分析した。

【００４６】（比較例１）実施例１と同様の基板の周縁
部を実施例１と同様に酸及び過酸化水素水を用いてエッ
チング除去した。引き続き防錆剤を含まない超純水でリ
ンスし、スピン乾燥した。そして、周縁部のエッチング
後に露出したＴａＮ膜上に吸着したＣｕ濃度を定量分析
した。

【００４７】（比較例２）実施例１と同様の基板の周縁
部を実施例１と同様に酸及び過酸化水素水を用いてエッ
チング除去した。引き続き防錆剤を含まない超純水を基
板に供給してリンスしている途中で防錆剤を添加した超
純水を基板に供給し、スピン乾燥した。そして、周縁部
のエッチング後に露出したＴａＮ膜上に吸着したＣｕ濃
度を定量分析した。

【００４８】（比較例３）実施例１と同様の基板の周縁
部を実施例１と同様に酸及び過酸化水素水を用いてエッ
チング除去した。エッチング終了間際から超純水リンス
が始まるまでの間、２ｍｇ／Ｌのキレート剤（ＥＤＴＡ
アンモニウム塩）を含む超純水を基板の表面に供給した
後、超純水でリンスし、スピン乾燥した。そして、周縁
部のエッチング後に露出したＴａＮ膜上に吸着したＣｕ
濃度を定量分析した。

【００４９】前記実施例１，２及び比較例１〜３の測定
結果を表１に示す。

【表１】この表１から、実施例１にあっては、銅付着量（金属汚
染）は、６×１０^１０原子／ｃｍ^２で、１０^１１原子／
ｃｍ^２未満の許容量に抑制できることが判る。実施例２
にあっては、銅付着量は、２×１０^１０原子／ｃｍ
^２で、１０^１１原子／ｃｍ^２未満でしかも実施例１より
も銅汚染濃度が低いことが判る。

【００５０】比較例１から、銅付着量は、３×１０^１４
原子／ｃｍ^２で、１０^１１原子／ｃｍ^２未満の許容量以
上であることが判る。また、比較例２から、銅付着量
は、８×１０^１３原子／ｃｍ^２で、１０^１１原子／ｃｍ
^２未満の許容量以上であり、リンス開始前に防錆剤処理
する必要があることが判る。更に、比較例３では、銅付
着量は、６×１０^１２原子／ｃｍ^２で、１０^１１原子／
ｃｍ^２未満の許容量以上であり、実施例２と同じタイミ
ングで供給したキレート剤のみでは効果が低いことが判
る。

【００５１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
例えば金属材料が露出している基板を洗浄する際、超純
水リンス時に金属が溶出して基板に付着することを抑制
して、金属汚染を抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態の基板処置装置を示す斜視
図である。

【図２】基板を示す平面図である。

【図３】本発明に係る基板処理装置を備えた銅めっきを
施す銅めっき装置の全体図である。

【符号の説明】

１基板保持部２スピンチャック３センタノズル（薬液供給ノズル）４センタノズル（洗浄液供給ノズル）５エッジノズル（薬液供給ノズル）６回路形成部１２５基板処理装置Ｂエッジカット幅Ｗ基板

フロントページの続き (72)発明者福永明東京都大田区羽田旭町11番１号株式会社荏原製作所内 (72)発明者木原幸子東京都大田区羽田旭町11番１号株式会社荏原製作所内Ｆターム(参考） 3B201 AA03 AB01 AB33 AB47 BB21 BB91 BB96 CC01 CC13

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板の表面に薬液を作用させる処理を行
った後、基板の表面から薬液を除去する超純水リンス処
理を行う際に、超純水リンス処理を行う前に防錆剤を含
む薬液による処理を行うことを特徴とする基板処理方
法。
【請求項２】前記防錆剤を含む薬液にキレート剤を添
加することを特徴とする請求項１に記載の基板処理方
法。
【請求項３】前記薬液を作用させる処理が基板の周縁
部の不要な成膜部分をエッチング除去する処理であるこ
とを特徴とする請求項１または２記載の基板処理方法。
【請求項４】基板の表面には銅が成膜されていること
を特徴とする請求項３に記載の基板処理方法。
【請求項５】基板を保持して回転させる基板保持部
と、該基板保持部で保持される基板の表面に薬液を供給する
薬液供給ノズルと、前記基板保持部で保持される基板の表面に防錆剤を含む
薬液とリンス用の超純水を個別にまたは兼用して供給す
る洗浄液供給ノズルとを有することを特徴とする基板処
理装置。