JP2002521719A - 電荷発生バインダブレンドを備える光導電体 - Google Patents
電荷発生バインダブレンドを備える光導電体Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】
【解決手段】 光導電体の電荷発生層はバインダと電荷発生化合物とを含み、バインダは、ポリビニルブチラールポリマーと、電荷発生層が含まれる光導電体の少なくとも一つの電気的特性を改善する少なくとも一つの樹脂とを含むブレンドを含む。光導電体は、基材と電荷移動層とに組合された電荷発生層を含む。
Description
【０００１】発明の分野 本発明は、バインダ及び電荷発生化合物を含む光導電体の電荷発生層に関する
。このバインダは、ポリビニルブチラールポリマー及び少なくとも一つの樹脂か
らなり、この樹脂は、特にバインダがこのような樹脂を含まないでポリビニルブ
チラールからなる電荷発生層を含む光導電体の電気的特性に比べて、電荷発生層
を含む光導電体の電気的特性の少なくとも一つを改善する。本発明はまた、この
ような電荷発生層を含む光導電体、ならびに、このような電荷発生層を調製する
ためのディスパージョンに関する。
。このバインダは、ポリビニルブチラールポリマー及び少なくとも一つの樹脂か
らなり、この樹脂は、特にバインダがこのような樹脂を含まないでポリビニルブ
チラールからなる電荷発生層を含む光導電体の電気的特性に比べて、電荷発生層
を含む光導電体の電気的特性の少なくとも一つを改善する。本発明はまた、この
ような電荷発生層を含む光導電体、ならびに、このような電荷発生層を調製する
ためのディスパージョンに関する。
【０００２】発明の背景 電子写真技術では、まず光導電性材料のような画像部材の表面を均一に帯電し
、次いでこの表面を光で選択的に露光することによって、画像部材表面に潜像を
形成する。光に露光される部分と露光されない部分間に、静電電荷密度の差が形
成される。静電トナーによって、静電潜像が可視像に現像される。このトナーは
、光導電体面、現像電極及びトナーの静電電荷に依存して光導電体面の露光部分
又は非露光部分のいずれかに引き付けられる。
、次いでこの表面を光で選択的に露光することによって、画像部材表面に潜像を
形成する。光に露光される部分と露光されない部分間に、静電電荷密度の差が形
成される。静電トナーによって、静電潜像が可視像に現像される。このトナーは
、光導電体面、現像電極及びトナーの静電電荷に依存して光導電体面の露光部分
又は非露光部分のいずれかに引き付けられる。
【０００３】 一般的には、電子写真用の二層光導電体は、金属の基平面部材のような基材を
備え、この基材上に、電荷発生層（ＣＧＬ）と電荷移動層（ＣＴＬ）とがコーテ
ィングされる。電荷移動層は、ホール移動物質又は電子移動物質からなる電荷移
動物質を含有する。簡単のために以下の説明では、電荷移動化合物としてホール
移動物質を含有する電荷移動層を用いた場合について記載する。電荷移動層がホ
ール移動物質ではなく電子移動物質を含有するものであってもよく、光導電体面
に発生する電荷がここで説明するのと反対の極性であってもいことは、当業者に
理解されるであろう。
備え、この基材上に、電荷発生層（ＣＧＬ）と電荷移動層（ＣＴＬ）とがコーテ
ィングされる。電荷移動層は、ホール移動物質又は電子移動物質からなる電荷移
動物質を含有する。簡単のために以下の説明では、電荷移動化合物としてホール
移動物質を含有する電荷移動層を用いた場合について記載する。電荷移動層がホ
ール移動物質ではなく電子移動物質を含有するものであってもよく、光導電体面
に発生する電荷がここで説明するのと反対の極性であってもいことは、当業者に
理解されるであろう。
【０００４】 ホール移動物質を含有する電荷移動層が電荷発生層の上に設けられ、一般的に
は、光導電体面に負電荷が形成される。これとは逆に、電荷移動層の上に電荷発
生層が設けられる場合には、一般的には、光導電体面に正電荷が形成される。従
来、電荷発生層は、例えばスクアリン顔料、フタロシアニン又はアゾ化合物を単
独又はバインダと組合せた電荷発生化合物又は電荷発生分子を含む。電荷移動層
は、一般的には、電荷移動化合物又は電荷移動分子を含有すポリマーバインダを
含む。電荷発生層内の電荷移動化合物は、画像形成のための光放射に対して感応
性であり、このような光放射を吸収することにより電子−ホールのペアーをその
中に発生させる。電荷移動層は、通常、画像形成のための光放射を吸収せず、電
荷移動化合物が負に帯電された光導電体面へのホールの移動を担う。このタイプ
の光導電体は、アドレイ(Adley)らの米国特許第５，１３０，２１５号及びバル
ディス(Balthis)らの米国特許第５，５４５，４９９号に開示されている。
は、光導電体面に負電荷が形成される。これとは逆に、電荷移動層の上に電荷発
生層が設けられる場合には、一般的には、光導電体面に正電荷が形成される。従
来、電荷発生層は、例えばスクアリン顔料、フタロシアニン又はアゾ化合物を単
独又はバインダと組合せた電荷発生化合物又は電荷発生分子を含む。電荷移動層
は、一般的には、電荷移動化合物又は電荷移動分子を含有すポリマーバインダを
含む。電荷発生層内の電荷移動化合物は、画像形成のための光放射に対して感応
性であり、このような光放射を吸収することにより電子−ホールのペアーをその
中に発生させる。電荷移動層は、通常、画像形成のための光放射を吸収せず、電
荷移動化合物が負に帯電された光導電体面へのホールの移動を担う。このタイプ
の光導電体は、アドレイ(Adley)らの米国特許第５，１３０，２１５号及びバル
ディス(Balthis)らの米国特許第５，５４５，４９９号に開示されている。
【０００５】 チャンプ(Champ)らの米国特許第５，１３０，２１７号は、電荷発生層がスク
アリリウムの調製溶液を含む光導電体を開示する。チャン(Chang)らの米国特許
第４，３９１，８８８号及び４，３５３，９７１号は、ポリマーバインダを使用
することなく電荷発生層における電荷発生化合物の混合物の使用を開示する。こ
のような層はその下層への接着性に通常欠けるので、特に高温及び／又は高湿度
の条件下において層が剥離する結果となる。さらに、バインダと共に又はバイン
ダを用いないで電荷発生化合物の溶液から電荷移動層を調製することが知られて
いるが、用いられる一般的な溶媒にはモルホリン及びピロリジンのようなアミン
溶媒が含まれる。これらの溶媒は環境に有害であり、溶液は一般的に例えば約２
時間程度の短いポットライフを有する。従って、このような溶液は使用するのに
扱い難く、製造コストが高くなる結果となる。
アリリウムの調製溶液を含む光導電体を開示する。チャン(Chang)らの米国特許
第４，３９１，８８８号及び４，３５３，９７１号は、ポリマーバインダを使用
することなく電荷発生層における電荷発生化合物の混合物の使用を開示する。こ
のような層はその下層への接着性に通常欠けるので、特に高温及び／又は高湿度
の条件下において層が剥離する結果となる。さらに、バインダと共に又はバイン
ダを用いないで電荷発生化合物の溶液から電荷移動層を調製することが知られて
いるが、用いられる一般的な溶媒にはモルホリン及びピロリジンのようなアミン
溶媒が含まれる。これらの溶媒は環境に有害であり、溶液は一般的に例えば約２
時間程度の短いポットライフを有する。従って、このような溶液は使用するのに
扱い難く、製造コストが高くなる結果となる。
【０００６】 改善された機械的な完全性をもった電荷発生層がポリマーバインダによって提
供され、かつ、このポリマーバインダによって電荷発生層の下層である例えば光
導電体面に対する接着性が改善される。電荷発生層のバインダとしてポリビニル
ブチラールを使用することが、日本の文献である６１−７３７７０号（１９８６
）、イエン(Yeng)らの米国特許第５，２７０，１３９号、ツァイ(Tsai) の米国
特許第４，９８３，４８３号、ならびに、ロー(Law)のジャーナル オブ イメ
イジング サイエンス、３１（３）：８３−９２（１９８７）を含む様々な文献
に開示されている。電荷発生層のバインダとしてポリビニルブチラールを用いる
ことは、電荷発生層の基材に対する接着性がかなり改善されることにおいて利点
がある。残念ながら、ポリビニルブチラールはインターアリア特性、高暗衰微特
性及び残存電位特性を引起こし、得られる光導電体の電気的特性に不利な影響を
及ぼす欠点を有する。日本の文献第６１−６２０３８（１９８６）及びマクアン
ネイ(McAneney)らの米国特許第４，５５９，２８７号は、電荷発生層のバインダ
としてポリエステルを使用することを開示し、ヨーロッパの文献第４１５，８６
４号は、電荷発生層のバインダとしてコポリエステルカーボネートを使用するこ
とを開示する。ヨーロッパの文献第２２０，４８９号は、電荷発生層のバインダ
としてポリエステル接着剤と共にアリールスルホンアミド樹脂を使用することを
更に開示する。これらのバインダから形成される電荷発生層を含む光導電体は良
好な電気的特性を示すが、特に高温及び／又は高湿度の条件下において、基材に
対する電荷発生層の接着性が一般的に比較的乏しい。基材に対する電荷発生層の
接着性が乏しいことにより基材から電荷発生層が剥離してしまい、これにより光
導電体の有効寿命が低減する。電荷発生層の接着性が乏しいことはまた、光導電
体の製造中において次に形成される電荷移動層の溶液又はディスパージョンへ電
荷発生層が抽出又は流出する結果となる。
供され、かつ、このポリマーバインダによって電荷発生層の下層である例えば光
導電体面に対する接着性が改善される。電荷発生層のバインダとしてポリビニル
ブチラールを使用することが、日本の文献である６１−７３７７０号（１９８６
）、イエン(Yeng)らの米国特許第５，２７０，１３９号、ツァイ(Tsai) の米国
特許第４，９８３，４８３号、ならびに、ロー(Law)のジャーナル オブ イメ
イジング サイエンス、３１（３）：８３−９２（１９８７）を含む様々な文献
に開示されている。電荷発生層のバインダとしてポリビニルブチラールを用いる
ことは、電荷発生層の基材に対する接着性がかなり改善されることにおいて利点
がある。残念ながら、ポリビニルブチラールはインターアリア特性、高暗衰微特
性及び残存電位特性を引起こし、得られる光導電体の電気的特性に不利な影響を
及ぼす欠点を有する。日本の文献第６１−６２０３８（１９８６）及びマクアン
ネイ(McAneney)らの米国特許第４，５５９，２８７号は、電荷発生層のバインダ
としてポリエステルを使用することを開示し、ヨーロッパの文献第４１５，８６
４号は、電荷発生層のバインダとしてコポリエステルカーボネートを使用するこ
とを開示する。ヨーロッパの文献第２２０，４８９号は、電荷発生層のバインダ
としてポリエステル接着剤と共にアリールスルホンアミド樹脂を使用することを
更に開示する。これらのバインダから形成される電荷発生層を含む光導電体は良
好な電気的特性を示すが、特に高温及び／又は高湿度の条件下において、基材に
対する電荷発生層の接着性が一般的に比較的乏しい。基材に対する電荷発生層の
接着性が乏しいことにより基材から電荷発生層が剥離してしまい、これにより光
導電体の有効寿命が低減する。電荷発生層の接着性が乏しいことはまた、光導電
体の製造中において次に形成される電荷移動層の溶液又はディスパージョンへ電
荷発生層が抽出又は流出する結果となる。
【０００７】 したがって、下層基材への良好な接着性を示し、かつ良好な電気的特性を示す
電荷発生層を含む光導電体に対する継続的な要請がある。
電荷発生層を含む光導電体に対する継続的な要請がある。
【０００８】発明の概要 したがって、従来技術の欠点を解消する新規な電荷発生層を提供することが本
発明の目的である。下層への良好な接着性を示す電荷発生層を提供することが、
本発明のより特定的な目的である。用いられる光導電体の良好な電気的特性に不
利にもたらさない電荷発生層を提供することが、本発明の更なる目的である。従
来の環境に有害な溶媒の使用を回避しつつディスパージョンから好都合に調製す
ることができる電荷発生層を提供することが、本発明の他の目的である。このよ
うな電荷発生層を組込んだ光導電体を提供することが、本発明の更に他の目的で
ある。
発明の目的である。下層への良好な接着性を示す電荷発生層を提供することが、
本発明のより特定的な目的である。用いられる光導電体の良好な電気的特性に不
利にもたらさない電荷発生層を提供することが、本発明の更なる目的である。従
来の環境に有害な溶媒の使用を回避しつつディスパージョンから好都合に調製す
ることができる電荷発生層を提供することが、本発明の他の目的である。このよ
うな電荷発生層を組込んだ光導電体を提供することが、本発明の更に他の目的で
ある。
【０００９】 これらの及び更なる目的及び利点が、本発明の電荷発生層及び光導電体によっ
て提供される。電荷発生層はバインダ及び電荷発生化合物を含み、このバインダ
は、ポリビニルブチラールポリマー及び少なくとも一つの樹脂からなり、この樹
脂は、特にバインダがこのような樹脂を含まないでポリビニルブチラールからな
る電荷発生層を含む光導電体の電気的特性に比べて、電荷発生層を含む光導電体
の電気的特性の少なくとも一つを改善する。好ましくは、この樹脂はエポキシ樹
脂、フェノキシ樹脂、フェノール樹脂又はポリヒドロキシスチレンを含む。この
光導電体は基材、電荷発生層及び電荷移動層からなり、電荷発生層はバインダ及
び電荷発生化合物を含み、更に、バインダはポリビニルブチラールポリマー及び
少なくとも一つの樹脂からなり、この樹脂は上述の電荷発生層を含む光導電体の
電気的特性の少なくとも一つを改善する。
て提供される。電荷発生層はバインダ及び電荷発生化合物を含み、このバインダ
は、ポリビニルブチラールポリマー及び少なくとも一つの樹脂からなり、この樹
脂は、特にバインダがこのような樹脂を含まないでポリビニルブチラールからな
る電荷発生層を含む光導電体の電気的特性に比べて、電荷発生層を含む光導電体
の電気的特性の少なくとも一つを改善する。好ましくは、この樹脂はエポキシ樹
脂、フェノキシ樹脂、フェノール樹脂又はポリヒドロキシスチレンを含む。この
光導電体は基材、電荷発生層及び電荷移動層からなり、電荷発生層はバインダ及
び電荷発生化合物を含み、更に、バインダはポリビニルブチラールポリマー及び
少なくとも一つの樹脂からなり、この樹脂は上述の電荷発生層を含む光導電体の
電気的特性の少なくとも一つを改善する。
【００１０】 本発明に係るバインダは驚くべきことに、電荷発生層が形成される電荷発生化
合物の安定なディスパージョンを提供する。上記樹脂を含まないでポリビニルブ
チラールからなる電荷発生層を含む光導電体に比べて、この電荷発生層は、例え
ば暗衰微の低減及び／又は感応性の改善といった光導電体の電気的特性を改善し
つつ、特に光導電体基材である下層への良好な接着性を示す。これらの及び更な
る目的および利点が、以下の詳細な説明の観点において更に容易に明らかとなる
であろう。
合物の安定なディスパージョンを提供する。上記樹脂を含まないでポリビニルブ
チラールからなる電荷発生層を含む光導電体に比べて、この電荷発生層は、例え
ば暗衰微の低減及び／又は感応性の改善といった光導電体の電気的特性を改善し
つつ、特に光導電体基材である下層への良好な接着性を示す。これらの及び更な
る目的および利点が、以下の詳細な説明の観点において更に容易に明らかとなる
であろう。
【００１１】詳細な説明 本発明に係る電荷発生層は、二層光導電体に用いるのに好適である。このよう
な光導電体は、通常、基材、電荷発生層及び電荷移動層を含む。ここで議論する
本発明の様々な実施態様は、基材上に形成され、かつ上に形成される電荷移動層
を備える電荷発生層について言及するが、基材上に形成され、かつ上に形成され
る電荷発生層を備える電荷移動層についても同様に本発明の範囲内にある。
な光導電体は、通常、基材、電荷発生層及び電荷移動層を含む。ここで議論する
本発明の様々な実施態様は、基材上に形成され、かつ上に形成される電荷移動層
を備える電荷発生層について言及するが、基材上に形成され、かつ上に形成され
る電荷発生層を備える電荷移動層についても同様に本発明の範囲内にある。
【００１２】 本発明に係る電荷発生層は、バインダと電荷発生化合物とを含む。この技術分
野において様々な有機及び無機の電荷発生化合物が知られており、これらのいず
れもが本発明の電荷移動層の使用に適している。本発明の電荷発生層の使用に特
に好適な電荷発生化合物の一つのタイプは、スクアリン(squaraines)を含むスク
アリリウム(squarylium)−ベースの顔料である。スクアリリウム顔料は、米国特
許第３，６１７，２７０号、第３，８２４，０９９号、第４，１７５，９５６号
、第４，４８６，５２０号及び第４，５０８，８０３号に記載されるような酸ル
ートによって調製してもよく、この酸ルートでは、簡単な手順及び装置が用いら
れ、反応時間が短く、収率が高い。したがって、スクアリリウム顔料は、非常に
廉価で、かつ容易に入手可能である。
野において様々な有機及び無機の電荷発生化合物が知られており、これらのいず
れもが本発明の電荷移動層の使用に適している。本発明の電荷発生層の使用に特
に好適な電荷発生化合物の一つのタイプは、スクアリン(squaraines)を含むスク
アリリウム(squarylium)−ベースの顔料である。スクアリリウム顔料は、米国特
許第３，６１７，２７０号、第３，８２４，０９９号、第４，１７５，９５６号
、第４，４８６，５２０号及び第４，５０８，８０３号に記載されるような酸ル
ートによって調製してもよく、この酸ルートでは、簡単な手順及び装置が用いら
れ、反応時間が短く、収率が高い。したがって、スクアリリウム顔料は、非常に
廉価で、かつ容易に入手可能である。
【００１３】 本発明の使用に好適で好ましいスクアリリウム顔料は、構造式（Ｉ）によって
表わされる。
表わされる。
【００１４】
【化１】
【００１５】 ここで、Ｒ１はヒドロキシ、水素又はＣ１−５アルキルを表わし、好ましくは
ヒドロキシ、水素又はメチルであり、各Ｒ２は別個にＣ１−５アルキル又は水素
を表わす。更に好適な実施態様では、顔料はヒドロキシスクアリン顔料を含み、
上述の式（Ｉ）の各Ｒ１はヒドロキシを含む。
ヒドロキシ、水素又はメチルであり、各Ｒ２は別個にＣ１−５アルキル又は水素
を表わす。更に好適な実施態様では、顔料はヒドロキシスクアリン顔料を含み、
上述の式（Ｉ）の各Ｒ１はヒドロキシを含む。
【００１６】 本発明の電荷発生層の使用に特に好適な顔料の他のタイプは、フタロシアニン
−ベースの化合物である。好適なフタロシアニン化合物は、Ｘ型の金属非含有フ
タロシアニンのような金属非含有型、ならびに、金属含有フタロシアニンの両方
を含む。好適な実施態様では、フタロシアニン電荷発生化合物は、遷移金属又は
第ＩＩＩＡ金属族の金属を含有するフタロシアニンからなる。これら金属含有フ
タロシアニン電荷発生化合物は、銅、チタニウム又はマンガンのような遷移金属
を含有するもの、又は第ＩＩＩＡ金属族としてアルミニウムを含有するものが好
ましい。これら金属含有フタロシアニン電荷発生化合物は、オキシ、チオール又
はジハロ置換を更に含んでいてもよい。米国特許第４，６６４，９９７号、第４
，７２５，５１９号及び４，７７７，２５１号に開示されるようなチタニウム含
有フタロシアニンであって、オキソ−チタニルフタロシアニン、これらの様々な
多形体で例えばタイプＩＶ多形体、ならびに、これらの誘導体でクロロチタニル
フタロシアニンのような例えばハロゲン置換された誘導体を含むチタニウム含有
フタロシアニンが、本発明の電荷発生層に使用するのに適している。
−ベースの化合物である。好適なフタロシアニン化合物は、Ｘ型の金属非含有フ
タロシアニンのような金属非含有型、ならびに、金属含有フタロシアニンの両方
を含む。好適な実施態様では、フタロシアニン電荷発生化合物は、遷移金属又は
第ＩＩＩＡ金属族の金属を含有するフタロシアニンからなる。これら金属含有フ
タロシアニン電荷発生化合物は、銅、チタニウム又はマンガンのような遷移金属
を含有するもの、又は第ＩＩＩＡ金属族としてアルミニウムを含有するものが好
ましい。これら金属含有フタロシアニン電荷発生化合物は、オキシ、チオール又
はジハロ置換を更に含んでいてもよい。米国特許第４，６６４，９９７号、第４
，７２５，５１９号及び４，７７７，２５１号に開示されるようなチタニウム含
有フタロシアニンであって、オキソ−チタニルフタロシアニン、これらの様々な
多形体で例えばタイプＩＶ多形体、ならびに、これらの誘導体でクロロチタニル
フタロシアニンのような例えばハロゲン置換された誘導体を含むチタニウム含有
フタロシアニンが、本発明の電荷発生層に使用するのに適している。
【００１７】 これらは例えばイシカワらの米国特許第４，４１３，０４５号に開示されてい
るようなジアゾ化合物や、トリス、テトラキス化合物を含む更なる従来の電荷発
生化合物がこの技術分野において知られており、これらもまた本発明の電荷発生
層の使用に適している。なお、上記ジアゾ化合物、トリス、テトラキス化合物に
限定されるものではない。電荷発生層において電荷発生顔料又は電荷発生化合物
の混合物を用いることもまた、本発明の範囲内にある。
るようなジアゾ化合物や、トリス、テトラキス化合物を含む更なる従来の電荷発
生化合物がこの技術分野において知られており、これらもまた本発明の電荷発生
層の使用に適している。なお、上記ジアゾ化合物、トリス、テトラキス化合物に
限定されるものではない。電荷発生層において電荷発生顔料又は電荷発生化合物
の混合物を用いることもまた、本発明の範囲内にある。
【００１８】 本発明の重要な特徴によれば、電荷発生層のバインダはバインダ成分のブレン
ドを含む。このブレンドは、ポリビニルブチラールポリマー及び少なくとも一つ
の樹脂からなり、この樹脂は、特にバインダがこのような樹脂を含まないでポリ
ビニルブチラールからなる電荷発生層を含む光導電体の電気的特性に比べて、電
荷発生層を含む光導電体の電気的特性の少なくとも一つを改善する。好適な樹脂
は、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、フェノール樹脂及びポリヒドロキシスチレ
ンを含む。本発明者らは、これらのバインダブレンドが驚くべきことに、電荷発
生化合物と共に好適なディスパージョンを形成し、かつ、電荷発生層が含まれる
光導電体の電気的特性を改善しつつ下層への良好な接着性を有する電荷発生層の
形成を許容することを発見した。特に、バインダブレンドによって、暗衰微の低
減、感応性の改善及び／又は同様の特性などの改善された電気的特性が光導電体
に付与される。バインダとしてポリビニルブチラールポリマーを単独で使用する
ことにより電荷発生層が通常得られることから、本発明の電荷発生層によって与
えられるこれらの利点は特に驚くべきことである。エポキシ樹脂、フェノキシ樹
脂、フェノール樹脂及びポリヒドロキシスチレンは、電荷発生層を形成するのに
用いられるコーティングディスパージョンにおいて顔料とバインダとの相分離を
引起すので、通常、安定なコーティングディスパージョンの生成能力に欠ける一
方、ポリビニルブチラールポリマーは光導電体の電気的特性に不利な影響を及ぼ
すからである。このようなディスパージョンに高分子量の樹脂固体を用いると、
許容範囲を超える厚さを有し、かつ望ましくない高光学密度を示す電荷発生層が
得られる。一方、ポリビニルブチラールポリマーと上述の少なくとも一つの樹脂
とを含む本発明のバインダによって、これらの欠点が解消される。
ドを含む。このブレンドは、ポリビニルブチラールポリマー及び少なくとも一つ
の樹脂からなり、この樹脂は、特にバインダがこのような樹脂を含まないでポリ
ビニルブチラールからなる電荷発生層を含む光導電体の電気的特性に比べて、電
荷発生層を含む光導電体の電気的特性の少なくとも一つを改善する。好適な樹脂
は、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、フェノール樹脂及びポリヒドロキシスチレ
ンを含む。本発明者らは、これらのバインダブレンドが驚くべきことに、電荷発
生化合物と共に好適なディスパージョンを形成し、かつ、電荷発生層が含まれる
光導電体の電気的特性を改善しつつ下層への良好な接着性を有する電荷発生層の
形成を許容することを発見した。特に、バインダブレンドによって、暗衰微の低
減、感応性の改善及び／又は同様の特性などの改善された電気的特性が光導電体
に付与される。バインダとしてポリビニルブチラールポリマーを単独で使用する
ことにより電荷発生層が通常得られることから、本発明の電荷発生層によって与
えられるこれらの利点は特に驚くべきことである。エポキシ樹脂、フェノキシ樹
脂、フェノール樹脂及びポリヒドロキシスチレンは、電荷発生層を形成するのに
用いられるコーティングディスパージョンにおいて顔料とバインダとの相分離を
引起すので、通常、安定なコーティングディスパージョンの生成能力に欠ける一
方、ポリビニルブチラールポリマーは光導電体の電気的特性に不利な影響を及ぼ
すからである。このようなディスパージョンに高分子量の樹脂固体を用いると、
許容範囲を超える厚さを有し、かつ望ましくない高光学密度を示す電荷発生層が
得られる。一方、ポリビニルブチラールポリマーと上述の少なくとも一つの樹脂
とを含む本発明のバインダによって、これらの欠点が解消される。
【００１９】 ポリビニルブチラールポリマーはこの技術分野においてよく知られ、様々な供
給源から入手可能である。これらのポリマーは、例えば硫酸のような酸触媒の存
在下にブチルアルデヒドでポリビニルアルコールを縮合することによって通常製
造され、式（ＩＩ）の繰返し単位を有する。
給源から入手可能である。これらのポリマーは、例えば硫酸のような酸触媒の存
在下にブチルアルデヒドでポリビニルアルコールを縮合することによって通常製
造され、式（ＩＩ）の繰返し単位を有する。
【００２０】
【化２】
【００２１】 典型的には、ポリビニルブチラールポリマーは、約２０，０００〜約３００，
０００の数平均分子量を有するであろう。
０００の数平均分子量を有するであろう。
【００２２】 ポリビニルブチラールポリマーは、発生層を含む光導電体の電気的特性を改善
する上述のような少なくとも一つの樹脂と組合される。好ましくは、この樹脂は
、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、フェノール樹脂又はポリヒドロキシスチレン
、又はこれらの誘導体を含む。これら樹脂の全てがこの技術分野において良く知
られており、様々な供給源から入手可能である。通常、エポキシ樹脂はエピクロ
ロヒドリンのようなエポキシ化合物から形成され、架橋前にエポキシド基を含有
している。一般に、エポキシ樹脂はエピクロロヒドリンをビスフェノールＡで縮
合することによって形成され、得られるポリマーの各末端にエポキシド基が確実
に含まれるようにするために、好ましくは過剰のエピクロロヒドリンが用いられ
る。このようなエポキシ樹脂は、通常、下記式（ＩＩＩ）を有する。
する上述のような少なくとも一つの樹脂と組合される。好ましくは、この樹脂は
、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、フェノール樹脂又はポリヒドロキシスチレン
、又はこれらの誘導体を含む。これら樹脂の全てがこの技術分野において良く知
られており、様々な供給源から入手可能である。通常、エポキシ樹脂はエピクロ
ロヒドリンのようなエポキシ化合物から形成され、架橋前にエポキシド基を含有
している。一般に、エポキシ樹脂はエピクロロヒドリンをビスフェノールＡで縮
合することによって形成され、得られるポリマーの各末端にエポキシド基が確実
に含まれるようにするために、好ましくは過剰のエピクロロヒドリンが用いられ
る。このようなエポキシ樹脂は、通常、下記式（ＩＩＩ）を有する。
【００２３】
【化３】
【００２４】 エポキシ樹脂は、典型的には、約３，０００〜約１０，０００の数平均分子量
を有する。これより高分子量のエポキシ樹脂もまた使用できる。
を有する。これより高分子量のエポキシ樹脂もまた使用できる。
【００２５】 同様に、フェノキシ樹脂もこの技術分野において良く知られており、様々な供
給源から入手可能である。一般に、フェノキシ樹脂はエピクロロヒドリンとビス
フェノールＡから形成されるが、エポキシ基を含有していない。フェノキシ樹脂
は、通常、下記式（ＩＶ）の繰返し単位を有し、
給源から入手可能である。一般に、フェノキシ樹脂はエピクロロヒドリンとビス
フェノールＡから形成されるが、エポキシ基を含有していない。フェノキシ樹脂
は、通常、下記式（ＩＶ）の繰返し単位を有し、
【００２６】
【化４】
【００２７】 典型的には、約２，０００〜約４０，０００の数平均分子量を有する。
【００２８】 フェノール樹脂もこの技術分野において良く知られており、様々な供給源から
入手可能であり、下記式（Ｖ）の繰返し単位を含む。
入手可能であり、下記式（Ｖ）の繰返し単位を含む。
【００２９】
【化５】
【００３０】 ここで、ＲはＣ１−８のアルキル基であり、ａは０〜３である。ノボラック樹
脂は一般的なフェノール樹脂である。更に、ヒドロキシ基がエポキシド基又は置
換エポキシド基に転換されたフェノール樹脂は、一般的にエポキシノボラックと
言われ、本発明のブレンドの使用に適したフェノール樹脂の範囲内に含まれる。
フェノール樹脂は、典型的には、少なくとも約６００の数平均分子量を有する。
脂は一般的なフェノール樹脂である。更に、ヒドロキシ基がエポキシド基又は置
換エポキシド基に転換されたフェノール樹脂は、一般的にエポキシノボラックと
言われ、本発明のブレンドの使用に適したフェノール樹脂の範囲内に含まれる。
フェノール樹脂は、典型的には、少なくとも約６００の数平均分子量を有する。
【００３１】 最後に、ポリヒドロキシスチレンは、典型的には、下記式（ＶＩ）を有する。
【００３２】
【化６】
【００３３】 ここで、ＲはＣ１−８のアルキル基であり、ａは０〜３である。ポリヒドロキ
シスチレンノボラックは、本発明のブレンドの使用に適したポリヒドロキシスチ
レンの範囲内に含まれる。典型的には、ポリヒドロキシスチレンは、約４，００
０〜約２０，０００の数平均分子量を有する。
シスチレンノボラックは、本発明のブレンドの使用に適したポリヒドロキシスチ
レンの範囲内に含まれる。典型的には、ポリヒドロキシスチレンは、約４，００
０〜約２０，０００の数平均分子量を有する。
【００３４】 通常、特にバインダがポリビニルブチラールポリマーからのみ形成される電荷
発生層を含む光導電体の電気的特性に比べて、電荷発生層を含む光導電体の電気
的特性を改善するのに十分な量の樹脂をバインダは含む。典型的には、バインダ
は、ポリビニルブチラールポリマーと樹脂とを約１：５０〜約５０：１の重量比
で含み、好ましくは、ポリビニルブチラールポリマーと樹脂とを約１：２０〜約
２０：１の重量比で含む。更に好適な実施態様では、本発明に係る電荷発生層は
、ポリビニルブチラールポリマーと樹脂とを約１：２０〜約１：１の重量比で含
むバインダを有し、このバインダの少なくとも約半分は、エポキシ樹脂、フェノ
キシ樹脂、フェノール樹脂又はポリヒドロキシスチレンの少なくとも一つを含む
。
発生層を含む光導電体の電気的特性に比べて、電荷発生層を含む光導電体の電気
的特性を改善するのに十分な量の樹脂をバインダは含む。典型的には、バインダ
は、ポリビニルブチラールポリマーと樹脂とを約１：５０〜約５０：１の重量比
で含み、好ましくは、ポリビニルブチラールポリマーと樹脂とを約１：２０〜約
２０：１の重量比で含む。更に好適な実施態様では、本発明に係る電荷発生層は
、ポリビニルブチラールポリマーと樹脂とを約１：２０〜約１：１の重量比で含
むバインダを有し、このバインダの少なくとも約半分は、エポキシ樹脂、フェノ
キシ樹脂、フェノール樹脂又はポリヒドロキシスチレンの少なくとも一つを含む
。
【００３５】 電荷発生層は、従来この技術分野で用いられている量において、電荷発生化合
物及びバインダをを含んでいてもよい。典型的には、電荷発生層は、約５〜８０
重量％の電荷発生化合物を含み、好ましくは少なくとも約１０重量％の電荷発生
化合物を含み、最も好ましくは約１５〜６０重量％の電荷発生化合物を含み、約
２０〜９５重量％のバインダを含み、好ましくは約９０重量％以下のバインダを
含み、最も好ましくは約４０〜８５重量％のバインダを含む。これら全ての重量
％は電荷発生層を基準とする。電荷発生層は、この技術分野において使用するこ
とが知られている従来の添加剤をその中に更に含有していてもよい。
物及びバインダをを含んでいてもよい。典型的には、電荷発生層は、約５〜８０
重量％の電荷発生化合物を含み、好ましくは少なくとも約１０重量％の電荷発生
化合物を含み、最も好ましくは約１５〜６０重量％の電荷発生化合物を含み、約
２０〜９５重量％のバインダを含み、好ましくは約９０重量％以下のバインダを
含み、最も好ましくは約４０〜８５重量％のバインダを含む。これら全ての重量
％は電荷発生層を基準とする。電荷発生層は、この技術分野において使用するこ
とが知られている従来の添加剤をその中に更に含有していてもよい。
【００３６】 本発明に係る電荷発生層を形成するには、バインダと電荷発生化合物とを有機
溶液にそれぞれ溶解及び分散する。有機溶液は通常溶媒と言われ典型的にはバイ
ンダを溶解するが、技術的にはこの液は溶液ではなく顔料のディスパージョンを
形成する。バインダと顔料が、同時に又は任意の順序で連続して有機溶液に加え
られる。好適な有機溶液には好ましくは本質的にアミンが含まれず、したがって
、アミン溶媒の使用によって従来に起こった環境事故が回避される。好適な有機
溶液はテトラヒドロフラン、シクロペンタノン等を含むが、これらに限定される
ものではない。電荷発生化合物とバインダブレンドを分散するのに適した他の溶
媒は、当業者に明らかであろう。
溶液にそれぞれ溶解及び分散する。有機溶液は通常溶媒と言われ典型的にはバイ
ンダを溶解するが、技術的にはこの液は溶液ではなく顔料のディスパージョンを
形成する。バインダと顔料が、同時に又は任意の順序で連続して有機溶液に加え
られる。好適な有機溶液には好ましくは本質的にアミンが含まれず、したがって
、アミン溶媒の使用によって従来に起こった環境事故が回避される。好適な有機
溶液はテトラヒドロフラン、シクロペンタノン等を含むが、これらに限定される
ものではない。電荷発生化合物とバインダブレンドを分散するのに適した他の溶
媒は、当業者に明らかであろう。
【００３７】 この技術分野において通常知られる技術によれば、ディスパージョンは、好ま
しくは、バインダと電荷発生化合物の両方を組合せて含む固形分を約１０重量％
以下において含有する。したがって、このディスパージョンは、所望の厚さ、典
型的には約５ミクロン以下、より好ましくは約１ミクロン以下の厚さの電荷発生
層を形成するのに用いられる。更に、ポリビニルブチラールポリマーと上記少な
くとも一つの樹脂のブレンドを含むバインダが有機溶液中で電荷発生化合物と安
定なディスパージョンを形成するので、例えばディプコーティング等の従来技術
を用いて均質層が容易に形成される。これらのディスパージョンはまた、電荷発
生層に続いて塗布される電荷移動層のコーティング中へ電荷発生化合物が抽出又
は流出するのを低減する。
しくは、バインダと電荷発生化合物の両方を組合せて含む固形分を約１０重量％
以下において含有する。したがって、このディスパージョンは、所望の厚さ、典
型的には約５ミクロン以下、より好ましくは約１ミクロン以下の厚さの電荷発生
層を形成するのに用いられる。更に、ポリビニルブチラールポリマーと上記少な
くとも一つの樹脂のブレンドを含むバインダが有機溶液中で電荷発生化合物と安
定なディスパージョンを形成するので、例えばディプコーティング等の従来技術
を用いて均質層が容易に形成される。これらのディスパージョンはまた、電荷発
生層に続いて塗布される電荷移動層のコーティング中へ電荷発生化合物が抽出又
は流出するのを低減する。
【００３８】 上述のように、本発明に係る電荷発生層は下層への良好な接着性を示す。典型
的には、電荷発生層は、その上に形成される電荷移動層と共に光導電体の基材に
塗布されるであろう。この技術分野において知られる技術によれば、一つ以上の
バリア層を基材と電荷発生層との間に設けてもよい。典型的には、このようなバ
リア層は、約０．０５〜約２０ミクロンの厚さを有する。電荷移動層が光導電体
の基材上にまず形成され、次いでこの電荷移動層上に電荷発生層が形成されるも
のも等しく本発明の範囲内にある。
的には、電荷発生層は、その上に形成される電荷移動層と共に光導電体の基材に
塗布されるであろう。この技術分野において知られる技術によれば、一つ以上の
バリア層を基材と電荷発生層との間に設けてもよい。典型的には、このようなバ
リア層は、約０．０５〜約２０ミクロンの厚さを有する。電荷移動層が光導電体
の基材上にまず形成され、次いでこの電荷移動層上に電荷発生層が形成されるも
のも等しく本発明の範囲内にある。
【００３９】 光導電体の基材は、例えば可撓性ウエブ又はベルトの形状の可撓性であっても
よく、又は、例えばドラムの形状の非可撓性であってもよい。典型的には、光導
電体の基材は、電気的接地面として機能する金属であって好ましくはアルミニウ
ムの薄層で均一にコーティングされる。更に好ましい実施態様では、アルミニウ
ムは、アルミニウム面をより厚い酸化アルミニウム面に転換するために陽極酸化
される。これに代わって、アルミニウム、酸化錫又は酸化インジウムなどが表面
に真空蒸着されたアルミニウム又はニッケルのような金属プレート、金属ドラム
、金属フォイル又はプラスチックフィルムを備えた接地面部材を設けてもよい。
典型的には、光導電体の基材は、要求される機械的な安定を得るのに十分な厚さ
を有するであろう。例えば、可撓性ウエブ基材は、通常、約０．０１〜約０．１
ミクロンの厚さを有し、ドラム基材は、通常、約０．７５ｍｍ〜約１ｍｍの厚さ
を有する。
よく、又は、例えばドラムの形状の非可撓性であってもよい。典型的には、光導
電体の基材は、電気的接地面として機能する金属であって好ましくはアルミニウ
ムの薄層で均一にコーティングされる。更に好ましい実施態様では、アルミニウ
ムは、アルミニウム面をより厚い酸化アルミニウム面に転換するために陽極酸化
される。これに代わって、アルミニウム、酸化錫又は酸化インジウムなどが表面
に真空蒸着されたアルミニウム又はニッケルのような金属プレート、金属ドラム
、金属フォイル又はプラスチックフィルムを備えた接地面部材を設けてもよい。
典型的には、光導電体の基材は、要求される機械的な安定を得るのに十分な厚さ
を有するであろう。例えば、可撓性ウエブ基材は、通常、約０．０１〜約０．１
ミクロンの厚さを有し、ドラム基材は、通常、約０．７５ｍｍ〜約１ｍｍの厚さ
を有する。
【００４０】 本発明の二層光導電体の電荷移動層は、バインダと電荷移動化合物とを含有す
る。当技術分野において従来から行なわれているように、当技術分野において二
層光導電体に用いられる一般的に公知のバインダ及び電荷移動化合物を、本発明
に用いる電荷移動層は含有する。通常、バインダはポリマーであって、ポリビニ
ルクロライド、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセテートなどのビニルポリ
マー；スチレンポリマー；上記ビニルポリマーのコポリマー；アクリル酸及びア
クリレートポリマーとそのコポリマー；ポリカーボネートポリマー；ビスフェノ
ールＡから誘導されるポリカーボネート−Ａ、シクロヘキシリデンビスフェノー
ルから誘導されるポリカーボネート−Ｚ、メチルビスフェノールＡから誘導され
るポリカーボネート−Ｃ、ポリエステルカーボネート、ポリエステル、アルキド
樹脂、ポリアミド、ポリウレタン及びエポキシ樹脂等を含むコポリマーを含む。
しかしながら、バインダはこれらのポリマーに限定されるものではない。電荷移
動層のポリマーバインダは、電荷移動特性を示さない不活性であるのが好ましい
。
る。当技術分野において従来から行なわれているように、当技術分野において二
層光導電体に用いられる一般的に公知のバインダ及び電荷移動化合物を、本発明
に用いる電荷移動層は含有する。通常、バインダはポリマーであって、ポリビニ
ルクロライド、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセテートなどのビニルポリ
マー；スチレンポリマー；上記ビニルポリマーのコポリマー；アクリル酸及びア
クリレートポリマーとそのコポリマー；ポリカーボネートポリマー；ビスフェノ
ールＡから誘導されるポリカーボネート−Ａ、シクロヘキシリデンビスフェノー
ルから誘導されるポリカーボネート−Ｚ、メチルビスフェノールＡから誘導され
るポリカーボネート−Ｃ、ポリエステルカーボネート、ポリエステル、アルキド
樹脂、ポリアミド、ポリウレタン及びエポキシ樹脂等を含むコポリマーを含む。
しかしながら、バインダはこれらのポリマーに限定されるものではない。電荷移
動層のポリマーバインダは、電荷移動特性を示さない不活性であるのが好ましい
。
【００４１】 本発明の光導電体の電荷移動層に用いる好適な電荷移動化合物は、光照射によ
って発生するホール又は電子が電荷発生層から電荷移動層に注入可能とし、かつ
、これらホール又は電子が電荷移動層を通って表面電荷に選択的に放電可能とす
るものでなければならない。電荷移動層中に用いられる好適な電荷移動化合物は
、これらに限定されるものではないが、下記のものが含まれる。
って発生するホール又は電子が電荷発生層から電荷移動層に注入可能とし、かつ
、これらホール又は電子が電荷移動層を通って表面電荷に選択的に放電可能とす
るものでなければならない。電荷移動層中に用いられる好適な電荷移動化合物は
、これらに限定されるものではないが、下記のものが含まれる。
【００４２】 １．米国特許第４，３０６，００８号、同４，３０４，８２９号、同４，２３
３，３８４号、同４，２３３，３８４号、同４，２２９，８９７号、同４，２６
５，９９０号及び／又は同４，０８１，２７４号に開示されるジアミンタイプの
移動分子。典型的なジアミン移動分子は、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ビス（アルキ
ルフェニル）−[１，１’−ビフェニル]−４，４’−ジアミンのような置換ベン
ジデンを含むベンジデン(bendidene)化合物を含み、ここで、アルキルは、例え
ばメチル、エチル、プロピル、ｎ−ブチル等、又は、ハロゲン置換されたこれら
の誘導体等である。
３，３８４号、同４，２３３，３８４号、同４，２２９，８９７号、同４，２６
５，９９０号及び／又は同４，０８１，２７４号に開示されるジアミンタイプの
移動分子。典型的なジアミン移動分子は、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ビス（アルキ
ルフェニル）−[１，１’−ビフェニル]−４，４’−ジアミンのような置換ベン
ジデンを含むベンジデン(bendidene)化合物を含み、ここで、アルキルは、例え
ばメチル、エチル、プロピル、ｎ−ブチル等、又は、ハロゲン置換されたこれら
の誘導体等である。
【００４３】 ２．米国特許第４，３１５，９８２号、同４，２７８，７４６号及び同３，８
３７，８５１号に開示されるようなピラゾリン移動分子。典型的なピラゾリン移
動分子は、１−[レピジル−（２）]−３−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−５
−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、１−[キノリル−（２）]−３−
（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾ
リン、１−[ピリジル−（２）]−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（
ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、１−[６−メトキシピリジルピリジ
ル−（２）]−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミ
ノフェニル）ピラゾリン、１−フェニル−３−[ｐ−ジエチルアミノスチリル]−
５−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）ピラゾリン、１−フェニル−３−[ｐ−ジ
エチルアミノスチリル]−５−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）ピラゾリン等を
含む。
３７，８５１号に開示されるようなピラゾリン移動分子。典型的なピラゾリン移
動分子は、１−[レピジル−（２）]−３−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−５
−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、１−[キノリル−（２）]−３−
（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾ
リン、１−[ピリジル−（２）]−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（
ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、１−[６−メトキシピリジルピリジ
ル−（２）]−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミ
ノフェニル）ピラゾリン、１−フェニル−３−[ｐ−ジエチルアミノスチリル]−
５−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）ピラゾリン、１−フェニル−３−[ｐ−ジ
エチルアミノスチリル]−５−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）ピラゾリン等を
含む。
【００４４】 ３．米国特許第４，２４５，０２１号に開示されるような置換されたフルオレ
ン電荷移動分子。典型的なフルオレン電荷移動分子は、９−（４’−ジメチルア
ミノベンジリデン）フルオレン、９−（４’−メトキシベンジリデン）フルオレ
ン、９−（２，４’−ジメトキシベンジリデン）フルオレン、２−ニトロ−９−
ベンジリデン−フルオレン、２−ニトロ−９−（４’−ジエチルアミノベンジリ
デン）フルオレン等を含む。
ン電荷移動分子。典型的なフルオレン電荷移動分子は、９−（４’−ジメチルア
ミノベンジリデン）フルオレン、９−（４’−メトキシベンジリデン）フルオレ
ン、９−（２，４’−ジメトキシベンジリデン）フルオレン、２−ニトロ−９−
ベンジリデン−フルオレン、２−ニトロ−９−（４’−ジエチルアミノベンジリ
デン）フルオレン等を含む。
【００４５】 ４．ドイツ特許第１，０５８，８３６号、同１，０６０，２６０号及び同１，
１２０，８７５号、ならびに、米国特許第３，８９５，９４４号に開示される２
，５−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、
イミダゾール、トリアゾール等のオキサジアゾール移動分子。
１２０，８７５号、ならびに、米国特許第３，８９５，９４４号に開示される２
，５−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、
イミダゾール、トリアゾール等のオキサジアゾール移動分子。
【００４６】 ５．例えば米国特許第４，１５０，９８７号に開示されるような、ｐ−ジエチ
ルアミノベンズアルデヒド−（ジフェニルヒドラゾン）、ｐ−ジフェニルアミノ
ベンズアルデヒド−（ジフェニルヒドラゾン）、ｏ−エトキシ−ｐ−ジエチルア
ミノベンズアルデヒド−（ジフェニルヒドラゾン）、ｏ−メチル−ｐ−ジエチル
アミノベンズアルデヒド−（ジフェニルヒドラゾン）、ｏ−メチル−ｐ−ジメチ
ルアミノベンズアルデヒド−（ジフェニルヒドラゾン）、ｐ−ジプロピルアミノ
ベンズアルデヒド−（ジフェニルヒドラゾン）、ｐ−ジエチルアミノベンズアル
デヒド−（ベンジルフェニルヒドラゾン）、ｐ−ジブチルアミノベンズアルデヒ
ド−（ベンジルフェニルヒドラゾン）、ｐ−ジメチルアミノベンズアルデヒド−
（ジフェニルヒドラゾン）等を含むヒドラゾン移動分子。他のヒドラゾン移動分
子は、１−ナフタレンカルバルデヒド１−メチル−１−フェニルヒドラゾン、１
−ナフタレンカルバルデヒド１，１−フェニルヒドラゾン、４−メトキシナフタ
レン−１−カルバルデヒド１−メチル−１−フェニルヒドラゾンのような化合物
、及び、例えば米国特許第４，３８５，１０６号、同４，３３８，３８８号、同
４，３８７，１４７号、同４，３９９，２０８号及び同４，３９９，２０７号に
開示されるような他のヒドラゾン移動分子を含む。更に他のヒドラゾン移動分子
は、９−メチルカルバゾール−３−カルバルデヒド−１，１−ジフェニルヒドラ
ゾン、９−エチルカルバゾール−３−カルバルデヒド−１−メチル−１−フェニ
ルヒドラゾン、９−エチルカルバゾール−３−カルバルデヒド−１−エチル−１
−フェニルヒドラゾン、９−エチルカルバゾール−３−カルバルデヒド−１−エ
チル−１−ベンジル−１−フェニルヒドラゾン、９−エチルカルバゾール−３−
カルバルデヒド−１−１−ジフェニルヒドラゾンのようなカルバゾールフェニル
ヒドラゾン、及び、例えば米国特許第４，２５６，８２１号に開示されるような
他の好適なカルバゾールフェニルヒドラゾン移動分子を含む。例えば米国特許第
４，２９７，４２６号に、同様のヒドラゾン移動分子が開示されている。
ルアミノベンズアルデヒド−（ジフェニルヒドラゾン）、ｐ−ジフェニルアミノ
ベンズアルデヒド−（ジフェニルヒドラゾン）、ｏ−エトキシ−ｐ−ジエチルア
ミノベンズアルデヒド−（ジフェニルヒドラゾン）、ｏ−メチル−ｐ−ジエチル
アミノベンズアルデヒド−（ジフェニルヒドラゾン）、ｏ−メチル−ｐ−ジメチ
ルアミノベンズアルデヒド−（ジフェニルヒドラゾン）、ｐ−ジプロピルアミノ
ベンズアルデヒド−（ジフェニルヒドラゾン）、ｐ−ジエチルアミノベンズアル
デヒド−（ベンジルフェニルヒドラゾン）、ｐ−ジブチルアミノベンズアルデヒ
ド−（ベンジルフェニルヒドラゾン）、ｐ−ジメチルアミノベンズアルデヒド−
（ジフェニルヒドラゾン）等を含むヒドラゾン移動分子。他のヒドラゾン移動分
子は、１−ナフタレンカルバルデヒド１−メチル−１−フェニルヒドラゾン、１
−ナフタレンカルバルデヒド１，１−フェニルヒドラゾン、４−メトキシナフタ
レン−１−カルバルデヒド１−メチル−１−フェニルヒドラゾンのような化合物
、及び、例えば米国特許第４，３８５，１０６号、同４，３３８，３８８号、同
４，３８７，１４７号、同４，３９９，２０８号及び同４，３９９，２０７号に
開示されるような他のヒドラゾン移動分子を含む。更に他のヒドラゾン移動分子
は、９−メチルカルバゾール−３−カルバルデヒド−１，１−ジフェニルヒドラ
ゾン、９−エチルカルバゾール−３−カルバルデヒド−１−メチル−１−フェニ
ルヒドラゾン、９−エチルカルバゾール−３−カルバルデヒド−１−エチル−１
−フェニルヒドラゾン、９−エチルカルバゾール−３−カルバルデヒド−１−エ
チル−１−ベンジル−１−フェニルヒドラゾン、９−エチルカルバゾール−３−
カルバルデヒド−１−１−ジフェニルヒドラゾンのようなカルバゾールフェニル
ヒドラゾン、及び、例えば米国特許第４，２５６，８２１号に開示されるような
他の好適なカルバゾールフェニルヒドラゾン移動分子を含む。例えば米国特許第
４，２９７，４２６号に、同様のヒドラゾン移動分子が開示されている。
【００４７】 好ましくは、電荷移動層に含有される電荷移動化合物は、ヒドラゾン、芳香族
アミン（ベンジデンのような芳香族ジアミンを含む）、置換された芳香族アミン
（置換ベンジデンのような置換された芳香族ジアミンを含む）、又は、これらの
混合物を含む。好適なヒドラゾン移動分子は、アミノベンズアルデヒド、シナミ
ックエステル又はヒドロキシ化されたベンズアルデヒドの誘導体を含む。アミノ
ベンズアルデヒドから誘導されたヒドラゾンの具体例は、アンダーソンらの米国
特許第４，１５０，９８７及び同４，３６２，７９８号に記載されるヒドラゾン
を含む。シナミックエステルから誘導されたヒドラゾン及びヒドロキシ化された
ベンズアルデヒドから誘導されたヒドラゾンの具体例は、レビンらの米国出願番
号第０８／９８８，６００号及び同０８／９８８，７９１号に記載されるヒドラ
ゾンをそれぞれ含む。これら全ての特許及び出願は、参考文献としてここに挙げ
たものである。
アミン（ベンジデンのような芳香族ジアミンを含む）、置換された芳香族アミン
（置換ベンジデンのような置換された芳香族ジアミンを含む）、又は、これらの
混合物を含む。好適なヒドラゾン移動分子は、アミノベンズアルデヒド、シナミ
ックエステル又はヒドロキシ化されたベンズアルデヒドの誘導体を含む。アミノ
ベンズアルデヒドから誘導されたヒドラゾンの具体例は、アンダーソンらの米国
特許第４，１５０，９８７及び同４，３６２，７９８号に記載されるヒドラゾン
を含む。シナミックエステルから誘導されたヒドラゾン及びヒドロキシ化された
ベンズアルデヒドから誘導されたヒドラゾンの具体例は、レビンらの米国出願番
号第０８／９８８，６００号及び同０８／９８８，７９１号に記載されるヒドラ
ゾンをそれぞれ含む。これら全ての特許及び出願は、参考文献としてここに挙げ
たものである。
【００４８】 電荷移動層は、通常、電荷移動層の重量を基準として約５〜約６０重量％の量
で、より好ましくは電荷移動層の重量を基準として約１５〜約４０重量％で、電
荷移動化合物を含有する。電荷移動層の残存物はバインダ及び従来用いられる添
加剤である。
で、より好ましくは電荷移動層の重量を基準として約１５〜約４０重量％で、電
荷移動化合物を含有する。電荷移動層の残存物はバインダ及び従来用いられる添
加剤である。
【００４９】 電荷移動層は、典型的には約１０〜約４０ミクロンの厚さを有するであろうし
、この技術分野において知られる従来技術によって形成してもよい。都合の良い
ことに、電荷移動層は、ポリマーバインダと有機溶媒中に電荷移動化合物を分散
又は溶解し、ディスパージョン及び／又は溶液を各下層にコーティングし、乾燥
することによって形成してもよい。
、この技術分野において知られる従来技術によって形成してもよい。都合の良い
ことに、電荷移動層は、ポリマーバインダと有機溶媒中に電荷移動化合物を分散
又は溶解し、ディスパージョン及び／又は溶液を各下層にコーティングし、乾燥
することによって形成してもよい。
【００５０】 本発明に係る電荷発生層、ディスパージョン及び光導電体の様々な実施態様
及び利点が、以下の実施例によって例示される。これらの実施例及びこの明細書
を通して、部及び％は特に示さない限り重量に基づく。
及び利点が、以下の実施例によって例示される。これらの実施例及びこの明細書
を通して、部及び％は特に示さない限り重量に基づく。
【００５１】実施例１ この実施例では、本発明に係る電荷発生層と従来の電荷発生層をそれぞれ用い
て本発明の光導電体と比較例の光導電体を調製した。陽極酸化処理したアルミニ
ウムドラム基材上に電荷発生層のディスパージョンをディップコーティングして
これを乾燥することによって電荷発生層を形成し、次いで、電荷発生層上に電荷
移動層のディスパージョンをディップコーティングしてこれを乾燥することによ
って電荷移動層を形成することにより、この実施例に記載する各光導電体を調製
した。この実施例の各光導電体では、電荷移動層は、約６０重量％のビスフェノ
ールＡ−ポリカーボネーポリマー（バイエル(Bayer)によって供給されるMakrolo
n-5208））と、約４０重量％のｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド（ジフェニ
ルヒドラゾン）（ＤＥＨ）を含む電荷移動化合物とを含有する。
て本発明の光導電体と比較例の光導電体を調製した。陽極酸化処理したアルミニ
ウムドラム基材上に電荷発生層のディスパージョンをディップコーティングして
これを乾燥することによって電荷発生層を形成し、次いで、電荷発生層上に電荷
移動層のディスパージョンをディップコーティングしてこれを乾燥することによ
って電荷移動層を形成することにより、この実施例に記載する各光導電体を調製
した。この実施例の各光導電体では、電荷移動層は、約６０重量％のビスフェノ
ールＡ−ポリカーボネーポリマー（バイエル(Bayer)によって供給されるMakrolo
n-5208））と、約４０重量％のｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド（ジフェニ
ルヒドラゾン）（ＤＥＨ）を含む電荷移動化合物とを含有する。
【００５２】 この実施例の各光導電体１Ａ〜１Ｉにおける電荷発生層の組成を表１に示す。
各光導電体において、電荷発生化合物は、ヒドロキシスクワリン（（２，４−ビ
ス（４−ジメチルアミノ−２−ヒドロキシフェニル）シクロブテンジリウム−１
，３−ジオレイト））を含む。光導電体１Ａ、１Ｃ及び１Ｇの電荷発生層は比較
例の層であり、約９８，０００ｇ／モルの数平均分子量を有するポリビニルブチ
ラール（ＰＶＢ）からなるバインダを含む。このＰＶＢは、セキスイケミカルカ
ンパニー(Sekisui Chemical Company)からＢＸ−５５Ｚの名称で供給され、下記
式（ＶＩＩ）を有する。
各光導電体において、電荷発生化合物は、ヒドロキシスクワリン（（２，４−ビ
ス（４−ジメチルアミノ−２−ヒドロキシフェニル）シクロブテンジリウム−１
，３−ジオレイト））を含む。光導電体１Ａ、１Ｃ及び１Ｇの電荷発生層は比較
例の層であり、約９８，０００ｇ／モルの数平均分子量を有するポリビニルブチ
ラール（ＰＶＢ）からなるバインダを含む。このＰＶＢは、セキスイケミカルカ
ンパニー(Sekisui Chemical Company)からＢＸ−５５Ｚの名称で供給され、下記
式（ＶＩＩ）を有する。
【００５３】
【化７】
【００５４】 一方、光導電体１Ｂ、１Ｄ〜Ｆ、１Ｈ及び１Ｉは本発明に係る電荷発生層を含
有し、バインダはポリビニルブチラールとエポキシ樹脂のブレンドを表１に示す
重量比で含む。エポキシ樹脂は、エピクロロヒドリンとビスフェノールＡとから
から形成され、シェルケミカルカンパニー(Shell Chemical Company)から名称Ｅ
ｐｏｎ １００９として供給され、約９８８１ｇ／モルの数平均分子量を有する
。各光導電体の電荷発生層は、テトラヒドロフランとシクロペンタノンとの混合
物に分散しヒドロキシスクワリンと各バインダとのディスパージョンから形成し
た。各ディスパージョンは、通常、約５〜６重量％の固形分を有していた。
有し、バインダはポリビニルブチラールとエポキシ樹脂のブレンドを表１に示す
重量比で含む。エポキシ樹脂は、エピクロロヒドリンとビスフェノールＡとから
から形成され、シェルケミカルカンパニー(Shell Chemical Company)から名称Ｅ
ｐｏｎ １００９として供給され、約９８８１ｇ／モルの数平均分子量を有する
。各光導電体の電荷発生層は、テトラヒドロフランとシクロペンタノンとの混合
物に分散しヒドロキシスクワリンと各バインダとのディスパージョンから形成し
た。各ディスパージョンは、通常、約５〜６重量％の固形分を有していた。
【００５５】 この実施例で示す光導電体の光学密度及び様々な電気的特性を測定した。具体
的には、光学密度はマクベス(Macbeth) ＴＲ５２４光学濃度計を用いて測定した
。暗状態に維持された光導電体表面からの電荷損失である暗衰微もまた測定した
。像とバックグランド領域との間のコントラストポテンシャルを低減させて像の
薄れや無彩色スケールの損失を招くので、暗衰微は好ましくない特性である。暗
衰微はまた、光が光導電体表面に戻る際に光導電プロセスが受ける電界を低減し
、それによって、光導電体の作動効率を減少させる。最後に、静電プローブが取
付けられた静電感光度計を用いて、光導電体表面を７８０ｎｍレーザで照射する
光エネルギーの関数として電位の大きさを測定することにより、光感応測定を行
なった。ドラムはコロナによって帯電され、全ての測定における露光−現像時間
は２２２ｍｓであった。光感応度は、０．９マイクロジュール／ｃｍ２の光エネ
ルギーで約−６５０Ｖに予め帯電された光導電体ドラム上の放電電位として測定
される。これらの全測定結果を表Ｉに示す。
的には、光学密度はマクベス(Macbeth) ＴＲ５２４光学濃度計を用いて測定した
。暗状態に維持された光導電体表面からの電荷損失である暗衰微もまた測定した
。像とバックグランド領域との間のコントラストポテンシャルを低減させて像の
薄れや無彩色スケールの損失を招くので、暗衰微は好ましくない特性である。暗
衰微はまた、光が光導電体表面に戻る際に光導電プロセスが受ける電界を低減し
、それによって、光導電体の作動効率を減少させる。最後に、静電プローブが取
付けられた静電感光度計を用いて、光導電体表面を７８０ｎｍレーザで照射する
光エネルギーの関数として電位の大きさを測定することにより、光感応測定を行
なった。ドラムはコロナによって帯電され、全ての測定における露光−現像時間
は２２２ｍｓであった。光感応度は、０．９マイクロジュール／ｃｍ２の光エネ
ルギーで約−６５０Ｖに予め帯電された光導電体ドラム上の放電電位として測定
される。これらの全測定結果を表Ｉに示す。
【００５６】
【表１】
【００５７】 表Ｉに記載の結果は、バインダブレンドを有する電荷発生層を含有する本発明
の各光導電体１Ｂ、１Ｄ〜１Ｆ、１Ｈ及び１Ｉが、ＰＶＢとエポキシ樹脂のバイ
ンダブレンドではなくＰＶＢバインダを含有し同様量の電荷発生化合物を含む各
比較例としての光導電体１Ａ、１Ｃ及び１Ｄに比べて、暗衰微をかなり低減し及
び／又は残存電圧をかなり低減することを示した。電荷発生層のポリビニルブチ
ラールがブレンドされたエポキシ樹脂バインダが、約３，０００〜約１０，００
０ｇ／モルの数平均分子量Ｍｎを有する場合に、本発明の光導電体において同様
の改善が観察された。
の各光導電体１Ｂ、１Ｄ〜１Ｆ、１Ｈ及び１Ｉが、ＰＶＢとエポキシ樹脂のバイ
ンダブレンドではなくＰＶＢバインダを含有し同様量の電荷発生化合物を含む各
比較例としての光導電体１Ａ、１Ｃ及び１Ｄに比べて、暗衰微をかなり低減し及
び／又は残存電圧をかなり低減することを示した。電荷発生層のポリビニルブチ
ラールがブレンドされたエポキシ樹脂バインダが、約３，０００〜約１０，００
０ｇ／モルの数平均分子量Ｍｎを有する場合に、本発明の光導電体において同様
の改善が観察された。
【００５８】 この実施例では、本発明の光導電体１Ｂ、１Ｄ〜１Ｆ、１Ｈ及び１Ｉについて
、ＡＳＴＭＤ３３５９に従ったテープリフトオフ法を用いた接着性の試験も行な
った。本発明に係る光導電体は、比較のための光導電体と同様に全体的に良好な
接着性を示し、かつ、電荷発生層がヒドロキシスクワリン溶液又はコポリエステ
ルカーボネート−ヒドロキシスクワリンのディスパージョンから形成される従来
の光導電体よりかなり良好な接着性を示した。
、ＡＳＴＭＤ３３５９に従ったテープリフトオフ法を用いた接着性の試験も行な
った。本発明に係る光導電体は、比較のための光導電体と同様に全体的に良好な
接着性を示し、かつ、電荷発生層がヒドロキシスクワリン溶液又はコポリエステ
ルカーボネート−ヒドロキシスクワリンのディスパージョンから形成される従来
の光導電体よりかなり良好な接着性を示した。
【００５９】実施例２ この実施例では、本発明に係る別の光導電体と比較例としての別の光導電体を
調製した。これらの光導電体は、本発明の電荷発生層と比較のための電荷発生層
をそれぞれ含有する。各光導電体は、実施例１において大略示した手順を用いて
調製した。この実施例の光導電体における電荷移動層は、実施例１に示したビス
フェノールＡ−ポリカーボネートバインダを約７０重量％と、Ｎ，Ｎ‘−ビス（
３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビスフェノールベンジジン（ＴＰＤ）を約３
０重量％含む。
調製した。これらの光導電体は、本発明の電荷発生層と比較のための電荷発生層
をそれぞれ含有する。各光導電体は、実施例１において大略示した手順を用いて
調製した。この実施例の光導電体における電荷移動層は、実施例１に示したビス
フェノールＡ−ポリカーボネートバインダを約７０重量％と、Ｎ，Ｎ‘−ビス（
３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビスフェノールベンジジン（ＴＰＤ）を約３
０重量％含む。
【００６０】 この実施例の各光導電体に含まれる電荷発生層の組成を表ＩＩに示す。ここで
、各電荷発生化合物は、ヒドロキシスクワリンを含有し、ＰＶＢとエポキシ樹脂
は実施例１において示したものである。表ＩＩから明らかなように、光導電体２
Ｂ、２Ｄ〜２Ｆ、２Ｈ及び２Ｉは本発明に係るものであって本発明に係る電荷発
生層を含有し、バインダはポリビニルブチラールとエポキシ樹脂のブレンドを含
有する。また、光導電体２Ａ、２Ｃ及び２Ｇは比較例の光導電体であってブレン
ドではなくポリビニルブチラールを単独で含有する電荷発生層を有する。各光導
電体の電荷発生層は、実施例１に大略示したディスパージョンから形成した。
、各電荷発生化合物は、ヒドロキシスクワリンを含有し、ＰＶＢとエポキシ樹脂
は実施例１において示したものである。表ＩＩから明らかなように、光導電体２
Ｂ、２Ｄ〜２Ｆ、２Ｈ及び２Ｉは本発明に係るものであって本発明に係る電荷発
生層を含有し、バインダはポリビニルブチラールとエポキシ樹脂のブレンドを含
有する。また、光導電体２Ａ、２Ｃ及び２Ｇは比較例の光導電体であってブレン
ドではなくポリビニルブチラールを単独で含有する電荷発生層を有する。各光導
電体の電荷発生層は、実施例１に大略示したディスパージョンから形成した。
【００６１】 この実施例の光導電体について、実施例１に示した手順に従って、光学密度、
暗衰微及び光感応性の測定を行なった。これらの測定結果を表ＩＩに示す。
暗衰微及び光感応性の測定を行なった。これらの測定結果を表ＩＩに示す。
【００６２】
【表２】
【００６３】 表ＩＩに記載の結果から、電荷発生層が約２０重量％のヒドロキシスクワリン
と約８０重量％のポリビニルブチラールバインダを含む光導電体２Ａでは、かな
りの残留電圧によって証明されるように、電荷発生層はベンジジンを含有する電
荷移動層内に注入されないことを当業者は認識するであろう。しかしながら、約
２０重量％のヒドロキシスクワリンと約８０重量％のバインダとを電荷発生層に
含むものの、バインダがポリビニルブチラールとエポキシ樹脂とのブレンドを含
む本発明に係る光導電体２Ｂでは、電荷発生層と電荷移動層の界面における電荷
注入は劇的に改善され、その結果、残留電圧がかなり低減し、それによって機能
可能な光導電体が提供される。光導電体２Ｄ〜２Ｆ、２Ｈ及び２Ｉもまた、同様
量の電荷発生化合物を含有する比較のための光導電体２Ｃ及び２Ｇと比べて、暗
衰微と感応性の実質的な低減をそれぞれ示した。
と約８０重量％のポリビニルブチラールバインダを含む光導電体２Ａでは、かな
りの残留電圧によって証明されるように、電荷発生層はベンジジンを含有する電
荷移動層内に注入されないことを当業者は認識するであろう。しかしながら、約
２０重量％のヒドロキシスクワリンと約８０重量％のバインダとを電荷発生層に
含むものの、バインダがポリビニルブチラールとエポキシ樹脂とのブレンドを含
む本発明に係る光導電体２Ｂでは、電荷発生層と電荷移動層の界面における電荷
注入は劇的に改善され、その結果、残留電圧がかなり低減し、それによって機能
可能な光導電体が提供される。光導電体２Ｄ〜２Ｆ、２Ｈ及び２Ｉもまた、同様
量の電荷発生化合物を含有する比較のための光導電体２Ｃ及び２Ｇと比べて、暗
衰微と感応性の実質的な低減をそれぞれ示した。
【００６４】 本発明に係るこの実施例の光導電体（２Ｂ、２Ｄ〜２Ｆ、２Ｈ及び２Ｉ）につ
いてもまた、ＡＳＴＭＤ３３５９に従った接着性の試験も行ない、比較のための
光導電体２Ａ、２Ｃ及び２Ｇと同様に全体的に良好な接着性を示し、かつ、ヒド
ロキシスクワリン溶液又はコポリエステルカーボネート−ヒドロキシスクワリン
のディスパージョンから形成される電荷発生層を含有する従来の光導電体よりか
なり良好な接着性を示した。
いてもまた、ＡＳＴＭＤ３３５９に従った接着性の試験も行ない、比較のための
光導電体２Ａ、２Ｃ及び２Ｇと同様に全体的に良好な接着性を示し、かつ、ヒド
ロキシスクワリン溶液又はコポリエステルカーボネート−ヒドロキシスクワリン
のディスパージョンから形成される電荷発生層を含有する従来の光導電体よりか
なり良好な接着性を示した。
【００６５】実施例３ この実施例では、実施例１において大略示した手順を用いて、本発明に係る別
の光導電体を調製した。各光導電体の電荷移動層は、表ＩＩＩに示される量で、
電荷移動化合物としてのＴＰＤ又は電荷移動化合物としてのＤＥＨのいずれか、
ならびに、実施例１において示したビスフェノールＡ−ポリカーボネートバイン
ダを含有する。
の光導電体を調製した。各光導電体の電荷移動層は、表ＩＩＩに示される量で、
電荷移動化合物としてのＴＰＤ又は電荷移動化合物としてのＤＥＨのいずれか、
ならびに、実施例１において示したビスフェノールＡ−ポリカーボネートバイン
ダを含有する。
【００６６】 この実施例の各光導電体の電荷発生層は、実施例１に示したポリビニルブチラ
ール（ＰＶＢ）と、フェノール樹脂又はフェノキシ樹脂のいずれかとのブレンド
を含むバインダを含有する。フェノール樹脂（ＰＨＬ）は名称ＨＲＪ１１４８２
としてシェネクタディインターナショナル(Schenectady International)から供
給され、一般式（ＶＩＩＩ）を有する。
ール（ＰＶＢ）と、フェノール樹脂又はフェノキシ樹脂のいずれかとのブレンド
を含むバインダを含有する。フェノール樹脂（ＰＨＬ）は名称ＨＲＪ１１４８２
としてシェネクタディインターナショナル(Schenectady International)から供
給され、一般式（ＶＩＩＩ）を有する。
【００６７】
【化８】
【００６８】 フェノキシ樹脂（ＰＨＸ）は、フェノキシアソシエイツ(Phenoxy Associates)
から名称ＰＫＨＪとして供給され、下記式（ＩＸ）を有する。
から名称ＰＫＨＪとして供給され、下記式（ＩＸ）を有する。
【００６９】
【化９】
【００７０】 この実施例における本発明に係る各光導電体３Ａ〜３Ｅの具体的なバインダ組
成を表ＩＩＩに示す。
成を表ＩＩＩに示す。
【００７１】 この実施例の光導電体について、実施例１に示した手順に従って、光学密度、
暗衰微及び感応性の測定を行なった。これらの測定結果もまたを表ＩＩＩに示す
。比較の目的のために、実施例１及２の比較のための幾つかの光導電体とその様
々な特性を表ＩＩＩに示す。
暗衰微及び感応性の測定を行なった。これらの測定結果もまたを表ＩＩＩに示す
。比較の目的のために、実施例１及２の比較のための幾つかの光導電体とその様
々な特性を表ＩＩＩに示す。
【００７２】
【表３】
【００７３】 光導電体３Ａ〜３Ｅは、同様量の電荷発生化合物を中に有する比較のための光
導電体と比べて、低減された暗衰微と改善された光感応性を示すことが、表ＩＩ
Ｉに記載の結果から明らかである。本発明に係るこの実施例の光導電体について
もまた、ＡＳＴＭ−３３５９のテープリフトオフ法に従った試験を行なった際に
おいて良好な接着性を示した。
導電体と比べて、低減された暗衰微と改善された光感応性を示すことが、表ＩＩ
Ｉに記載の結果から明らかである。本発明に係るこの実施例の光導電体について
もまた、ＡＳＴＭ−３３５９のテープリフトオフ法に従った試験を行なった際に
おいて良好な接着性を示した。
【００７４】 このように、本発明に係る光導電体が良好な電気的特性を示し、かつ、本発明
の電荷発生層が下層への良好な接着性を示すことを、これらの実施例は示す。こ
れらの実施例はまた、従来の溶媒に比べて環境に悪影響を及ぼさない有機溶液を
用いた安定なディスパージョンから電荷発生層が容易に形成されることを示す。
の電荷発生層が下層への良好な接着性を示すことを、これらの実施例は示す。こ
れらの実施例はまた、従来の溶媒に比べて環境に悪影響を及ぼさない有機溶液を
用いた安定なディスパージョンから電荷発生層が容易に形成されることを示す。
【００７５】 請求の範囲に示す発明を更に説明するために、ここに示す様々な好適な実施態
様及び実施例が記載されているが、これらは請求の範囲に示す発明を限定するも
のではない。請求の範囲に示す発明の範囲内にある更なる実施態様及び変更例は
、当業者にとって明らかであろう。
様及び実施例が記載されているが、これらは請求の範囲に示す発明を限定するも
のではない。請求の範囲に示す発明の範囲内にある更なる実施態様及び変更例は
、当業者にとって明らかであろう。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，Ｅ Ａ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ， ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，Ｇ Ｅ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ， ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，Ｍ Ｎ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ， ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，Ｚ Ｗ (72)発明者 スリニヴァサン、カストゥリ・ランガン アメリカ合衆国 80503 コロラド、ロン グモント、ブルーグラス・ドライブ 740 Ｆターム(参考） 2H068 AA13 AA19 AA20 AA34 AA37 BA05 BA12 BA35 BB10 BB16 BB30 BB35 BB54 EA13 EA14
Claims (28)
- 【請求項１】 バインダ及び電荷発生化合物を含む光導電体用電荷発生層に
おいて、 前記バインダが、ポリビニルブチラールポリマーと、当該電荷発生層が含まれ
る前記光導電体の少なくとも一つの電気的特性を改善する少なくとも一つの樹脂
とのブレンドを含む光導電体用電荷発生層。 - 【請求項２】 前記樹脂がエポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、フェノール樹脂
又はポリヒドロキシスチレンを含む、請求項１に記載の光導電体用電荷発生層。 - 【請求項３】 前記電荷発生化合物がスクアリリウム顔料を含む、請求項２
に記載の光導電体用電荷発生層。 - 【請求項４】 前記電荷発生化合物がヒドロキシ置換されたスクアリリウム
顔料を含む、請求項２に記載の光導電体用電荷発生層。 - 【請求項５】 前記バインダが、ポリビニルブチラールポリマーと前記樹脂
とを約１：５０〜約５０：１の重量比で含む、請求項１に記載の光導電体用電荷
発生層。 - 【請求項６】 前記バインダが、ポリビニルブチラールポリマーと前記樹脂
とを約１：２０〜約２０：１の重量比で含む、請求項１に記載の光導電体用電荷
発生層。 - 【請求項７】 前記バインダが、ポリビニルブチラールポリマーと前記樹脂
とを約１：２０〜約２０：１の重量比で含む、請求項１に記載の光導電体用電荷
発生層。 - 【請求項８】 前記バインダがポリビニルブチラールポリマーとエポキシ樹
脂とを含む、請求項７に記載の光導電体用電荷発生層。 - 【請求項９】 前記バインダがポリビニルブチラールポリマーとフェノキシ
樹脂とを含む、請求項７に記載の光導電体用電荷発生層。 - 【請求項１０】 前記バインダがポリビニルブチラールポリマーとフェノー
ル樹脂とを含む、請求項７に記載の光導電体用電荷発生層。 - 【請求項１１】 前記バインダがポリビニルブチラールポリマーとポリヒド
ロキシスチレンとを含む、請求項７に記載の光導電体用電荷発生層。 - 【請求項１２】 約５〜約８０重量％の電荷発生化合物と約２０〜約９５重
量％のバインダとを含む、請求項１に記載の光導電体用電荷発生層。 - 【請求項１３】 基材と電荷発生層と電荷移動層とを含む光導電体において
、 前記電荷発生層がバインダと電荷発生化合物とを含み、 前記バインダが、ポリビニルブチラールポリマーと、当該光導電体の少なくと
も一つの電気的特性を改善する少なくとも一つの樹脂とのブレンドを含む光導電
体。 - 【請求項１４】 前記樹脂がエポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、フェノール樹
脂又はポリヒドロキシスチレンを含む、請求項１３に記載の光導電体。 - 【請求項１５】 前記電荷発生化合物がスクアリリウム顔料を含む、請求項
１４に記載の光導電体。 - 【請求項１６】 前記電荷移動層がバインダとベンジデン電荷移動化合物と
を含む、請求項１５に記載の光導電体。 - 【請求項１７】 前記電荷発生層が、約５〜約８０重量％の電荷発生化合物
と約２０〜約９５重量％のバインダとを含む、請求項１６に記載の光導電体。 - 【請求項１８】 前記電荷移動層がバインダとヒドラゾン電荷移動化合物と
を含む、請求項１５に記載の光導電体。 - 【請求項１９】 前記電荷発生層が、約５〜約８０重量％の電荷発生化合物
と約２０〜約９５重量％のバインダとを含む、請求項１８に記載の光導電体。 - 【請求項２０】 基材と電荷発生層と電荷移動層とを含む光導電体において
、 前記電荷発生層が、約２０〜約９５重量％のバインダと約５〜約８０重量％の
スクワリリウム電荷発生化合物とを含み、 前記バインダが、ポリビニルブチラールポリマーと、当該光導電体の電気的特
性を改善する少なくとも一つの樹脂とのブレンドを含む光導電体。 - 【請求項２１】 前記樹脂がエポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、フェノール樹
脂又はポリヒドロキシスチレンを含む、請求項２０に記載の光導電体。 - 【請求項２２】 前記バインダが、ポリビニルブチラールポリマーと前記樹
脂とを約１：２０〜約１：１の重量比で含む、請求項２１に記載の光導電体 - 【請求項２３】 前記電荷移動層がバインダとベンジデン電荷移動化合物と
を含む、請求項２２に記載の光導電体。 - 【請求項２４】 前記電荷移動層がバインダとヒドラゾン電荷移動化合物と
を含む、請求項２２に記載の光導電体。 - 【請求項２５】 電荷発生層を調製するためのディスパージョンにおいて、 当該ディスパージョンを有機液体中に安定に分散させるスクワリリウム顔料及
びバインダを含み、 前記バインダが、ポリビニルブチラールポリマーと、当該ディスパージョンか
ら形成される電荷発生層を含む光導電体の少なくとも一つの電気的特性を改善す
る少なくとも一つの樹脂とのブレンドを含むディスパージョン。 - 【請求項２６】 前記樹脂がエポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、フェノール樹
脂又はポリヒドロキシスチレンを含む、請求項２５に記載のディスパージョン。 - 【請求項２７】 前記有機液体がテトラヒドロフラン、シクロペンタノン又
はこれらの混合物を含む、請求項２５に記載のディスパージョン。 - 【請求項２８】 前記有機液体が本質的にアミンを含まない、請求項２５に
記載のディスパージョン。
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