JPS62102250A - 電子写真用光導電体 - Google Patents
電子写真用光導電体Info
- Publication number
- JPS62102250A JPS62102250A JP20979686A JP20979686A JPS62102250A JP S62102250 A JPS62102250 A JP S62102250A JP 20979686 A JP20979686 A JP 20979686A JP 20979686 A JP20979686 A JP 20979686A JP S62102250 A JPS62102250 A JP S62102250A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoconductor
- layer
- squarylium
- substrate
- dark
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0601—Acyclic or carbocyclic compounds
- G03G5/0609—Acyclic or carbocyclic compounds containing oxygen
- G03G5/0611—Squaric acid
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0666—Dyes containing a methine or polymethine group
Landscapes
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Emergency Medicine (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ、産業上の利用分野
本発明は電子写真用光導電体に係り、具体的には、金属
下地面に被着されたスクアリン酸メチン染料電荷発生層
を有する光導電体に関するものである。下地面（ｇｒｏ
ｕｎｄ ｐｌａｎｅ）は障壁層の性質を示す。
下地面に被着されたスクアリン酸メチン染料電荷発生層
を有する光導電体に関するものである。下地面（ｇｒｏ
ｕｎｄ ｐｌａｎｅ）は障壁層の性質を示す。
Ｂ、従来技術
本発明は改良された電子写真用光導電体に係り。
さらに詳細には、ある特定の障壁層下地面部材とスクア
リリウム化合物を含む電荷発生層（ＣＧＬ）との間にの
み存在する相乗関係に関するものであ ゛る。
リリウム化合物を含む電荷発生層（ＣＧＬ）との間にの
み存在する相乗関係に関するものであ ゛る。
障壁層の性質を示す下地面を使用すること、およびスク
アリリウム分子をベースとするＣＧＬを使用することは
、先行技術ではそれぞれ知られている。しかし、本明細
書で定義する特定のＣＧＬおよび下地面部材を使用して
、電子写真用光導電体を形成することは、これまで知ら
れていなかった。また、そのような組合わせで暗壊変や
暗所疲労などスクアリリウム分子をベースとするＣＧＬ
に付随する問題を解決できることも知られていなかった
。
アリリウム分子をベースとするＣＧＬを使用することは
、先行技術ではそれぞれ知られている。しかし、本明細
書で定義する特定のＣＧＬおよび下地面部材を使用して
、電子写真用光導電体を形成することは、これまで知ら
れていなかった。また、そのような組合わせで暗壊変や
暗所疲労などスクアリリウム分子をベースとするＣＧＬ
に付随する問題を解決できることも知られていなかった
。
先行技術では、光導電体の導電性金属下地面とＣＧＬの
間に障壁層、すなわち、電気絶縁体に似た層を使用する
ことの利点が認められている。
間に障壁層、すなわち、電気絶縁体に似た層を使用する
ことの利点が認められている。
米国特許第４４８５１］Ｌ号はその例である。
この装置では、障壁層は、暗壊変、すなわち、光が存在
しないとき生じる下地面への電荷の漏洩を減らす働きを
する。この特許はまた、ＣＧＬを障壁層に被着するため
に使用される溶媒に溶けない障壁層材料が必要なことを
認めている。
しないとき生じる下地面への電荷の漏洩を減らす働きを
する。この特許はまた、ＣＧＬを障壁層に被着するため
に使用される溶媒に溶けない障壁層材料が必要なことを
認めている。
本発明の障壁層の１つは、ポリアミド障壁層である。光
導電体の下地面の下にそのような層を使用することは、
米国特許第４３０７１６６号に教示されている。
導電体の下地面の下にそのような層を使用することは、
米国特許第４３０７１６６号に教示されている。
米国特許第４４９５２６３号は、上記特許に類似してい
る。その上、この特許には、ポリアミド障壁層を下地面
とＣＧＬの間に配置することは、ベース、不安定な感光
性または不安定な被覆性が生じるので、好ましくないと
記載されている。
る。その上、この特許には、ポリアミド障壁層を下地面
とＣＧＬの間に配置することは、ベース、不安定な感光
性または不安定な被覆性が生じるので、好ましくないと
記載されている。
ＣＧＬがスクアリリウム製剤であるとき、米国特許第４
４９５２６３号に述べられた問題は発生しないことが分
った。さらに、ポリアミド障壁層をスクアリリウムをベ
ースとするＣＧＬと共に使用すると、電子写真法で導電
性被覆の欠陥が光導電体の性能に及ぼす効果を低減して
、電気的性能が向上する。
４９５２６３号に述べられた問題は発生しないことが分
った。さらに、ポリアミド障壁層をスクアリリウムをベ
ースとするＣＧＬと共に使用すると、電子写真法で導電
性被覆の欠陥が光導電体の性能に及ぼす効果を低減して
、電気的性能が向上する。
本発明はまた、スクアリリウムをベースにするＣＧＬが
被着される障壁層形式の下地面として、特定のアルミニ
ウム合金を使用することを教示する。米国特許第４４６
１８２０号は、非晶質シリコンが酸化アルミニウム基板
上に置かれた光導電体を記載している点で、関係がある
。アルミニウム合金を基板として使用することも提案さ
れている。
被着される障壁層形式の下地面として、特定のアルミニ
ウム合金を使用することを教示する。米国特許第４４６
１８２０号は、非晶質シリコンが酸化アルミニウム基板
上に置かれた光導電体を記載している点で、関係がある
。アルミニウム合金を基板として使用することも提案さ
れている。
上述したように、本発明のスクアリリウムを特徴とする
特定のＣＧＬは先行技術で知られている。「国際技術公
報（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇ
ｙＤｉｓｃｌｏｓｕｒｅｓ） ｊ 、第１巻、第１３号
、１９８３年１１月に所載の「電子写真用光導電体（Ｘ
ｅｒｏｇｒａｐｈｉｃ Ｐｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｏｒ
） ｊと題する論文はその例である。米国特許第３８２
４０９９号にも、光導電体構造中の発光種（Ｐｈｏｔｏ
ｇｅｎｓｒａｔｉｎｇｓｐｅｃｉｅ）としてのスクアリ
リウム染料分子が記載されている。
特定のＣＧＬは先行技術で知られている。「国際技術公
報（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇ
ｙＤｉｓｃｌｏｓｕｒｅｓ） ｊ 、第１巻、第１３号
、１９８３年１１月に所載の「電子写真用光導電体（Ｘ
ｅｒｏｇｒａｐｈｉｃ Ｐｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｏｒ
） ｊと題する論文はその例である。米国特許第３８２
４０９９号にも、光導電体構造中の発光種（Ｐｈｏｔｏ
ｇｅｎｓｒａｔｉｎｇｓｐｅｃｉｅ）としてのスクアリ
リウム染料分子が記載されている。
Ｃ８発明が解決しようとする問題点
本発明は、電気的応答および電気的有効寿命が改善され
た電子写真用感光板を製造するのに有用な光導電体を提
供することを目的とする。
た電子写真用感光板を製造するのに有用な光導電体を提
供することを目的とする。
０１間厘点を解決するための手段
本発明の電子写真用光導電体は、不活性基板に加えて、
クリティカルな構成および配置をもつ導電性下地面と、
クリティカルなスクアリリウム電荷発生種のＣＧＬを含
んでいる。
クリティカルな構成および配置をもつ導電性下地面と、
クリティカルなスクアリリウム電荷発生種のＣＧＬを含
んでいる。
輸送分子（ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｍｏｌｅｃｕｌｅ）を
独立した電荷輸送層（Ｃｈａｒｇｅ ｔｒａｎｓｐｏｒ
ｔ １ａｙｅｒ＝ ＣＴ Ｌ ）中で、またはＣＧＬ自
体と共に使って、正孔または電子を移動しやすくするこ
とができる。
独立した電荷輸送層（Ｃｈａｒｇｅ ｔｒａｎｓｐｏｒ
ｔ １ａｙｅｒ＝ ＣＴ Ｌ ）中で、またはＣＧＬ自
体と共に使って、正孔または電子を移動しやすくするこ
とができる。
かかる電子写真用感光板は非常に高感度であり、９００
０オングストロ一ム単位に及ぶパンクロマティック（ｐ
ａｎｃｈｒｏａ＋ａｔｉｃ）応答を有する。これらの感
光板を使用するのに特に適した分野は、７５００ないし
８５００オングストロームの範囲で放射する固体レーザ
とともに使用する分野である。
０オングストロ一ム単位に及ぶパンクロマティック（ｐ
ａｎｃｈｒｏａ＋ａｔｉｃ）応答を有する。これらの感
光板を使用するのに特に適した分野は、７５００ないし
８５００オングストロームの範囲で放射する固体レーザ
とともに使用する分野である。
現在、周知の幾つかの電子写真式複写法が使用されてい
る。それらは、その実行方法、特に、（通常はコロナを
使った）帯電および照照の実行順序が異なっている。し
かし、どの電子写真式複写法も、選択的露光により光導
電体の一部分を選択的に導電性にする工程段階を含んで
いる。
る。それらは、その実行方法、特に、（通常はコロナを
使った）帯電および照照の実行順序が異なっている。し
かし、どの電子写真式複写法も、選択的露光により光導
電体の一部分を選択的に導電性にする工程段階を含んで
いる。
光導電は、少なくとも２つのステップ、すなおち、１）
電荷の発生と、２）電荷の輸送を含んでいる１本発明で
は、スクアリリウム染料種の特性を利用して、光の吸収
時に電子−正孔対を効率的に発生させ、適当なキャリヤ
を導電性下地面および輸送分子に注入した後、静電潜像
を生成させる。
電荷の発生と、２）電荷の輸送を含んでいる１本発明で
は、スクアリリウム染料種の特性を利用して、光の吸収
時に電子−正孔対を効率的に発生させ、適当なキャリヤ
を導電性下地面および輸送分子に注入した後、静電潜像
を生成させる。
最初、かかる光導電体の動作は非常に効率的であり、そ
の動作は広範囲の環境条件にわたって一定している。し
かし、反復使用すると、光導電体は疲労する。すなわち
、もはや新しかったときと同じ感光測定上の応答を持た
ない。その結果、変化を補償するように機械のパラメー
タを調節するか、または光導電体を交換しなければなら
ない。
の動作は広範囲の環境条件にわたって一定している。し
かし、反復使用すると、光導電体は疲労する。すなわち
、もはや新しかったときと同じ感光測定上の応答を持た
ない。その結果、変化を補償するように機械のパラメー
タを調節するか、または光導電体を交換しなければなら
ない。
反復使用の結果変化する感光測定上の応答としては、暗
電荷、残留電位、感度および暗壊変（ｄａｒｋ ｄｅｃ
ａｙ）がある。
電荷、残留電位、感度および暗壊変（ｄａｒｋ ｄｅｃ
ａｙ）がある。
スクアリリウムをベースとする従来技術の光導電体に付
随する問題は、相対湿度が１５％以下のとき暗壊変が増
大することである。この状態は、この環境条件で光導電
体を繰返し露光した後で生じる。この暗壊変の増大は、
導電性下地面の特性の関数として変動し、また、この暗
壊変特性は非常に不安定になることがあり、最終的にこ
の環境条件で実行しなければならないマシンから得られ
るプリントの品質が不十分になることがあり得る。
随する問題は、相対湿度が１５％以下のとき暗壊変が増
大することである。この状態は、この環境条件で光導電
体を繰返し露光した後で生じる。この暗壊変の増大は、
導電性下地面の特性の関数として変動し、また、この暗
壊変特性は非常に不安定になることがあり、最終的にこ
の環境条件で実行しなければならないマシンから得られ
るプリントの品質が不十分になることがあり得る。
発光体としてスクアリリウム染料を用い、導電性下地面
としてアルミニウムを用いて作成された従来技術の光導
電体は、この低湿度での暗壊変の増大の点で大きなばら
つきを示す、高品質の製品を確保するためにテストを増
やす必要があるので。
としてアルミニウムを用いて作成された従来技術の光導
電体は、この低湿度での暗壊変の増大の点で大きなばら
つきを示す、高品質の製品を確保するためにテストを増
やす必要があるので。
このばらつきは光導電体の製造原価に大きく影響する。
この暗壊変効果は、通常光導電体を反復使用するとき、
低い相対湿度で生じるが、特定の導電性下地面をスクア
リリウムをベースとするＣＧＬと組合わせることによっ
て、改善されることがわかった。そうすることにより、
反復使用によって生じる好ましくない暗壊変の増大が大
幅に軽減され、また光導電体の他の感光測定上のパラメ
ータも改善される。
低い相対湿度で生じるが、特定の導電性下地面をスクア
リリウムをベースとするＣＧＬと組合わせることによっ
て、改善されることがわかった。そうすることにより、
反復使用によって生じる好ましくない暗壊変の増大が大
幅に軽減され、また光導電体の他の感光測定上のパラメ
ータも改善される。
導電性下地面を本発明にもとづく障壁状材料で被覆する
場合、コーティングは、後で受光体を製造するのに使わ
れるコーティング用溶媒、特にＣＧＬを下地面のコーテ
ィング上に被覆するのに使われるコーティング用溶媒に
対して不溶性でなければならない０通常、光導電体を製
造するために通常は有機化学製品を使用するので、これ
らの溶媒によって大きな影響を受けない障壁状被覆材料
を見つけることは非常に難しい、この不浸透性を示す数
種のポリマーを発見した。アルコールに可溶なポリアミ
ドが本発明では特に有用であり、交差結合したエポキシ
樹脂および水溶性ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）も同
様である。
場合、コーティングは、後で受光体を製造するのに使わ
れるコーティング用溶媒、特にＣＧＬを下地面のコーテ
ィング上に被覆するのに使われるコーティング用溶媒に
対して不溶性でなければならない０通常、光導電体を製
造するために通常は有機化学製品を使用するので、これ
らの溶媒によって大きな影響を受けない障壁状被覆材料
を見つけることは非常に難しい、この不浸透性を示す数
種のポリマーを発見した。アルコールに可溶なポリアミ
ドが本発明では特に有用であり、交差結合したエポキシ
樹脂および水溶性ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）も同
様である。
ＣＧＬとアルミニウム下地面の間に一体的な層として製
造された二酸化シリコンも、同様の働きをすることがわ
かった。
造された二酸化シリコンも、同様の働きをすることがわ
かった。
アルミニウムの幾つかの合金、特にシリコン合金、カル
シウム合金およびガリウム合金も、本発明にもとづく下
地面の働きをすることがわかった。
シウム合金およびガリウム合金も、本発明にもとづく下
地面の働きをすることがわかった。
本発明による下地面は、スクアリリウムをベースとする
光導電体にすぐれた電気特性を付与するための比較的低
価格で容易な方法をもたらす。
光導電体にすぐれた電気特性を付与するための比較的低
価格で容易な方法をもたらす。
本発明のもう一つの利点は、導電性下地面への電子注入
によって生じる電気的欠陥が大幅に減ることである。被
覆ステップ以前に導電性基板内またはその上に存在する
仕事関数の大きな汚染物によって、かかる欠陥が生じる
ことがあり得る。
によって生じる電気的欠陥が大幅に減ることである。被
覆ステップ以前に導電性基板内またはその上に存在する
仕事関数の大きな汚染物によって、かかる欠陥が生じる
ことがあり得る。
したがって、電界を印加するとＣＧＬの発生種またはＣ
ＴＬの輸送種から汚染物が非常に注入されやすくなり、
後のコピーまたはプリント中に暗壊変欠陥ができる。か
かる汚染物は、仕事関数の大きな金属である鉄を含む通
常のちりとして存在することがあり得る。
ＴＬの輸送種から汚染物が非常に注入されやすくなり、
後のコピーまたはプリント中に暗壊変欠陥ができる。か
かる汚染物は、仕事関数の大きな金属である鉄を含む通
常のちりとして存在することがあり得る。
Ｅ、実施例
デュポン社（Ｄｕｐｏｎ）のポリエステル・タイプＡ、
３００ゲージ・フィルムを、光学密度１．７までアルミ
ナイズした。この基板を２つの部分、すなわち、本発明
にもとづく処理用のものと、従来通りの処理用のものと
の２つの部分に分割した。
３００ゲージ・フィルムを、光学密度１．７までアルミ
ナイズした。この基板を２つの部分、すなわち、本発明
にもとづく処理用のものと、従来通りの処理用のものと
の２つの部分に分割した。
処理される基板に、０．１ミクロンのエルバミド（Ｅｌ
ｖａ＋ｗｉｄｅ） ８０６１ （デュポン社）、すなわ
ち、アルコールに対する溶解性が低いカプロラクタムヘ
キサメチルアジポアミドおよびヘキサメチレンセパポア
ミドの共重合ポリアミドを被着した。
ｖａ＋ｗｉｄｅ） ８０６１ （デュポン社）、すなわ
ち、アルコールに対する溶解性が低いカプロラクタムヘ
キサメチルアジポアミドおよびヘキサメチレンセパポア
ミドの共重合ポリアミドを被着した。
メタノール溶媒を使った。光導電体をｍ造するため、次
に両方の基板に下記の層を被着した。
に両方の基板に下記の層を被着した。
１、サントライト（Ｓａｎｔｏｌｉｔｅ） Ｍ ＨＰ
（モンサント社、Ｍｏｎ５ａｎｔｏ）とポリエステル接
着剤であるＰＥ−２００（デュポン社）の等しい重量比
の混合物を含む、厚さ約０．１ミクロンの接着補助層。
（モンサント社、Ｍｏｎ５ａｎｔｏ）とポリエステル接
着剤であるＰＥ−２００（デュポン社）の等しい重量比
の混合物を含む、厚さ約０．１ミクロンの接着補助層。
サントライトはアリルスルフォンアミド樹脂である。
２．サントライトＭＨＰおよび水酸化スクアリリウムの
重量化８０／２０の混合物を含む、厚さ約０．１ミクロ
ンのスクアリリウム電荷発生層。コーティング用溶媒は
ピロリジン、モルフォリン、テトラヒドロフランであっ
た。
重量化８０／２０の混合物を含む、厚さ約０．１ミクロ
ンのスクアリリウム電荷発生層。コーティング用溶媒は
ピロリジン、モルフォリン、テトラヒドロフランであっ
た。
３、メルロン（Ｍｅｒｌｏｎ） Ｍ−６０ポリカーボネ
ート樹脂（モーペイ社、 Ｍｏｂａｙ）を５５重量部、
ＰＥ−２００を５重量部、およびジエチルアミノベンズ
アルデヒドの１．１−ジフェニルヒドラゾンを４０重量
部含む混合物を有する、厚さ約２０ミクロンの電荷輸送
層。コーティング用溶媒はテトラヒドロフランであった
。
ート樹脂（モーペイ社、 Ｍｏｂａｙ）を５５重量部、
ＰＥ−２００を５重量部、およびジエチルアミノベンズ
アルデヒドの１．１−ジフェニルヒドラゾンを４０重量
部含む混合物を有する、厚さ約２０ミクロンの電荷輸送
層。コーティング用溶媒はテトラヒドロフランであった
。
つぎに、処理済みおよび未処理の光導電体（発明例１お
よび比較例１）を５％以下の相対湿度で感光針でテスト
した。−６７５ボルトの初期電荷を光導電体に与えるよ
うに、帯電コロナをセットした。２０００回反復使用後
、暗電圧および暗壊変速度を測定した。暗疲労は、初期
暗電圧から２０００回反復使用後の光導電体上の電圧を
差し引いて、決定する。暗壊変は電圧の時間変化を監視
して決定するが、その単位はボルト７秒である。
よび比較例１）を５％以下の相対湿度で感光針でテスト
した。−６７５ボルトの初期電荷を光導電体に与えるよ
うに、帯電コロナをセットした。２０００回反復使用後
、暗電圧および暗壊変速度を測定した。暗疲労は、初期
暗電圧から２０００回反復使用後の光導電体上の電圧を
差し引いて、決定する。暗壊変は電圧の時間変化を監視
して決定するが、その単位はボルト７秒である。
全暗変位（ＴＤＫ）と表示された量は、暗疲労と暗壊変
速度の和である。この和は、低い値の方がよい。参照さ
れた２種のフィルムのＴＤｘを、次に列挙する。
速度の和である。この和は、低い値の方がよい。参照さ
れた２種のフィルムのＴＤｘを、次に列挙する。
１、未処理の光導電体：ＴＤｘ＝１８０２、処理済みの
光導電体：ＴＤｘ＝９９陽画現象系を用いる複写機でこ
れらの光導電体を使用し、低い湿度で多数回それを反復
使用して作成したプリントは、本発明の処理済みの光導
電体を使ったときよりも、未処理の光導電体を使ったと
きの方が、著しく低い光学密度を示した。
光導電体：ＴＤｘ＝９９陽画現象系を用いる複写機でこ
れらの光導電体を使用し、低い湿度で多数回それを反復
使用して作成したプリントは、本発明の処理済みの光導
電体を使ったときよりも、未処理の光導電体を使ったと
きの方が、著しく低い光学密度を示した。
つぎに、エルバミド層の厚さを０．０５ミクロンにし、
アルミナイズされた基板に対する接着力を改善するため
に３５重量％のサントライトＭＨＰを含む点以外は、こ
の例と同様にして光導電体を調製した。つぎに、ＴＤＫ
を相対湿度の関数として監視した。各示度は、上記のよ
うに２０００回反復使用後に計算した。
アルミナイズされた基板に対する接着力を改善するため
に３５重量％のサントライトＭＨＰを含む点以外は、こ
の例と同様にして光導電体を調製した。つぎに、ＴＤＫ
を相対湿度の関数として監視した。各示度は、上記のよ
うに２０００回反復使用後に計算した。
１、相対湿度３％ ＴＤＫ２０５
２、相対湿度４％ ＴＤｘ１５０
３、相対湿度９％ ＴＤｘ１３０
４、相対湿度１５％ ＴＤｘｌｌＯ５、相対湿度２
４％ ＴＤｘ ９０接着を改善するために行なっ
た譲歩が、エルバミド層全体の有利な効果に対して有害
だったことがわかる。
４％ ＴＤｘ ９０接着を改善するために行なっ
た譲歩が、エルバミド層全体の有利な効果に対して有害
だったことがわかる。
これらの例では、アルミナイズされたマイラ。
タイプＡも使用した。この場合も未処理のアルミナイズ
された基板から１つの光導電体を調整し。
された基板から１つの光導電体を調整し。
もう一つの光導電体のアルミニウム表面を本発明にもと
づいて以下のように処理した。
づいて以下のように処理した。
エポン（Ｅｐｏｎ） １−００１’（シェル社、５ｈｅ
ｌｌ）０．５ｇをテトラヒドロフラン２５ｍＱに溶かし
た。これに、テトラヒドロフラン中にパーサミド（Ｖｅ
ｒｓａｍｉｄ） Ｖ −１５０ポリアミド樹脂（ジェネ
ラル・ミルズ社、Ｇｅｎｅｒａｌ Ｍｉｌｌｓ）を１０
重量％含む溶液１ 、５ ｍ Ｑを加えた。その結果得
られた溶液をアルミニウム表面に厚さ約０．２５ミクロ
ンになるまでコーティングし、１００℃で２時間硬化し
た。
ｌｌ）０．５ｇをテトラヒドロフラン２５ｍＱに溶かし
た。これに、テトラヒドロフラン中にパーサミド（Ｖｅ
ｒｓａｍｉｄ） Ｖ −１５０ポリアミド樹脂（ジェネ
ラル・ミルズ社、Ｇｅｎｅｒａｌ Ｍｉｌｌｓ）を１０
重量％含む溶液１ 、５ ｍ Ｑを加えた。その結果得
られた溶液をアルミニウム表面に厚さ約０．２５ミクロ
ンになるまでコーティングし、１００℃で２時間硬化し
た。
エポンは、エピクロルヒドリンとビスフェノールＡの一
連の縮合生成物の商標名である。
連の縮合生成物の商標名である。
つぎにこの２つの基板に下記の電荷発生層および電荷輸
送層を被着して受光体を製造した。
送層を被着して受光体を製造した。
１、エポン１００９ （シェル社）１．５ｇをテトラヒ
ドロフラン２５ｒｎＱに溶かして得られた発生層。この
溶液に、水酸化スクアリリウム０．３ ｇをエチレンニ
ジアミン１ｒｒ＋Ｑに溶かした溶液を加えた。つぎに、
コーティングを１００℃で２時間硬化した後、厚さが約
１ミクロンになるまでこれをコーティングした。
ドロフラン２５ｒｎＱに溶かして得られた発生層。この
溶液に、水酸化スクアリリウム０．３ ｇをエチレンニ
ジアミン１ｒｒ＋Ｑに溶かした溶液を加えた。つぎに、
コーティングを１００℃で２時間硬化した後、厚さが約
１ミクロンになるまでこれをコーティングした。
２．２４ｇのメルロンＭ−６０をテトラヒドロフラン２
００ｍＱに溶かして得られた輸送層。これに、Ｐ−ジエ
チルアミノベンズアルデヒドの１゜１−ジフェニル・ヒ
ドラゾン１６ｇを加え、その結果得られた溶液を乾燥厚
さが約１５ミクロンになるまでコーティングした。硬化
は１００℃で１時間であった。
００ｍＱに溶かして得られた輸送層。これに、Ｐ−ジエ
チルアミノベンズアルデヒドの１゜１−ジフェニル・ヒ
ドラゾン１６ｇを加え、その結果得られた溶液を乾燥厚
さが約１５ミクロンになるまでコーティングした。硬化
は１００℃で１時間であった。
ＩＢＭ３８００レーザ・プリンタをシミュレートする感
光計でテストしたとき、未処理のフィルムのＴＤｘは３
３９であり、処理済みのフィルムのそれは７１であった
０両方の光導電体を１０％以下の相対湿度でテストし、
この感光測定上の違いを確認するため４時間反復使用し
た。
光計でテストしたとき、未処理のフィルムのＴＤｘは３
３９であり、処理済みのフィルムのそれは７１であった
０両方の光導電体を１０％以下の相対湿度でテストし、
この感光測定上の違いを確認するため４時間反復使用し
た。
明 ３ ＰｖＡ）
アルミナイズされた基板を処理するために使ったコーテ
ィングがポリビニルアルコール（ＰＶＡ）水溶液（アル
ドリッチ化学社（Ａｌｄｒｉｃｈ ＣｈｅｍｉｃａｌＣ
ｏ、））である魚具外は、発明例１と同様にして光導電
体を調整した６例１で説明したように感光計でテストし
たとき、この試料の金曜変位（ｄａｒｋｅｘｃｕｒｓｉ
ｏｎ）は１４７であった。これは、アルミニウム表面が
未処理であるコントロール光導電体のＴＤｘ１８０に対
して、３３だけ改善されている。
ィングがポリビニルアルコール（ＰＶＡ）水溶液（アル
ドリッチ化学社（Ａｌｄｒｉｃｈ ＣｈｅｍｉｃａｌＣ
ｏ、））である魚具外は、発明例１と同様にして光導電
体を調整した６例１で説明したように感光計でテストし
たとき、この試料の金曜変位（ｄａｒｋｅｘｃｕｒｓｉ
ｏｎ）は１４７であった。これは、アルミニウム表面が
未処理であるコントロール光導電体のＴＤｘ１８０に対
して、３３だけ改善されている。
タイプＡのマイラ・フィルムを純粋なアルミニウムでア
ルミナイズして比較例を形成し、つぎに。
ルミナイズして比較例を形成し、つぎに。
フィルムを下記の合金で金属化（金属被覆）して本発明
の３つの例（Ｉ、■および■）と１つの比較例（ＩＶ）
を形成した。ｌ−ＡｌＣａ （９５：５） 、ＩＩ−Ａ
ＱＳｉ （９５：５）、ｍ−ＡｌＧａ（９５： ５）
、 ＩＶ−ＡＱＳｎ （９５： ５） 、例１と同様に
して光導電体を調整し、例２と同様にしてＴＤｘを決定
した。
の３つの例（Ｉ、■および■）と１つの比較例（ＩＶ）
を形成した。ｌ−ＡｌＣａ （９５：５） 、ＩＩ−Ａ
ＱＳｉ （９５：５）、ｍ−ＡｌＧａ（９５： ５）
、 ＩＶ−ＡＱＳｎ （９５： ５） 、例１と同様に
して光導電体を調整し、例２と同様にしてＴＤｘを決定
した。
１、比較例ＴＤｘ２６６
２、Ｉ ＴＤＸ１０２
３．１１ ＴＤＸ１４０
４、ｍ ＴＤＸ１６０
５、ＩＶ ＴＤｘ３７３
このデータから、アルミニウムの合金ｌ、■および■を
使うと、低湿度の金曜変位が減少することは明らかであ
る。
使うと、低湿度の金曜変位が減少することは明らかであ
る。
例１で説明したようにアルミナイズしたマイラ、タイプ
Ａを使用した。この基板の半分を電子ビームで処理して
、アルミニウムの表面に厚さ３０オングストロームの二
酸化シリコン層を蒸着した。
Ａを使用した。この基板の半分を電子ビームで処理して
、アルミニウムの表面に厚さ３０オングストロームの二
酸化シリコン層を蒸着した。
つぎに、例１で製造した光導電体を未処理および処理済
みのアルミナイズされたマイラ上に被着した１例１と同
様にテストしたとき、ＴＤＸの値は次の通りであった。
みのアルミナイズされたマイラ上に被着した１例１と同
様にテストしたとき、ＴＤＸの値は次の通りであった。
１、未処理：ＴＤｘ１９３
２、処理済み：ＴＤｘ１０６
Ｆ０発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明による光導電体
を使用すれば、電気的応答が良く電気的有効寿命が長い
電子写真用感光板を製造すること。
を使用すれば、電気的応答が良く電気的有効寿命が長い
電子写真用感光板を製造すること。
ができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 導電性下地面層上に被着されたスクアリン酸メチン染料
を含む感光層を有し、 前記下地面は、 前記染料層と金属導電層の間にあり、電荷発生種を前記
導電層から分離するための不浸透性有機ポリマー層、 ＡｌＣａ、ＡｌＳｉまたはＡｌＧａのうちの何れかのア
ルミニウム合金、及び 前記染料層と金属導電層の間にあり、電荷発生種を前記
導電層から分離するための二酸化シリコン層 のうちの何れかである電子写真用光導電体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US79185585A | 1985-10-28 | 1985-10-28 | |
| US791855 | 1991-11-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62102250A true JPS62102250A (ja) | 1987-05-12 |
Family
ID=25154981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20979686A Pending JPS62102250A (ja) | 1985-10-28 | 1986-09-08 | 電子写真用光導電体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0220489B1 (ja) |
| JP (1) | JPS62102250A (ja) |
| DE (1) | DE3670383D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011133885A (ja) * | 2009-12-22 | 2011-07-07 | Xerox Corp | スルホンアミドフェノール正孔阻止光導電体 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6042980A (en) * | 1998-07-21 | 2000-03-28 | Lexmark Internatonal, Inc. | Photoconductor with charge generation binder blend |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50125741A (ja) * | 1974-03-20 | 1975-10-03 | ||
| JPS5225638A (en) * | 1975-08-22 | 1977-02-25 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Electrophotographic light sensitive material |
| JPS52100240A (en) * | 1976-02-19 | 1977-08-23 | Mitsubishi Chem Ind | Photosensitive body for electrophotography |
| JPS52121325A (en) * | 1976-04-06 | 1977-10-12 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Electrophotographic light sensitive material |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4461820A (en) * | 1981-02-06 | 1984-07-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Amorphous silicon electrophotographic image-forming member having an aluminum oxide coated substrate |
| US4391888A (en) * | 1981-12-16 | 1983-07-05 | Pitney Bowes Inc. | Multilayered organic photoconductive element and process using polycarbonate barrier layer and charge generating layer |
| US4415639A (en) * | 1982-09-07 | 1983-11-15 | Xerox Corporation | Multilayered photoresponsive device for electrophotography |
| US4471041A (en) * | 1983-05-09 | 1984-09-11 | Xerox Corporation | Photoconductive devices containing novel squaraine compositions |
| US4495263A (en) * | 1983-06-30 | 1985-01-22 | Eastman Kodak Company | Electrophotographic elements containing polyamide interlayers |
-
1986
- 1986-09-08 JP JP20979686A patent/JPS62102250A/ja active Pending
- 1986-09-23 DE DE8686113052T patent/DE3670383D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1986-09-23 EP EP19860113052 patent/EP0220489B1/en not_active Expired
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50125741A (ja) * | 1974-03-20 | 1975-10-03 | ||
| JPS5225638A (en) * | 1975-08-22 | 1977-02-25 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Electrophotographic light sensitive material |
| JPS52100240A (en) * | 1976-02-19 | 1977-08-23 | Mitsubishi Chem Ind | Photosensitive body for electrophotography |
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| JP2011133885A (ja) * | 2009-12-22 | 2011-07-07 | Xerox Corp | スルホンアミドフェノール正孔阻止光導電体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3670383D1 (en) | 1990-05-17 |
| EP0220489A1 (en) | 1987-05-06 |
| EP0220489B1 (en) | 1990-04-11 |
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