JP2011133885A - スルホンアミドフェノール正孔阻止光導電体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板、スルホンアミド樹脂とフェノール樹脂の混合物に分散された金属酸化物を有するその上の下引き層、光生成層、電荷輸送層を備える光導電体。
【選択図】なし
Description
式中、Rは 約1〜約5基であり、各Rは独立して、例えば、約1〜約12、1〜約10.1、1〜約6もしくは1〜約4の炭素原子を有する水素、アルキルまたは置換アルキルを表す。
式中、Xはアルキル、アルコキシ、およびアリールのような適切な炭化水素;ハロゲン、またはそれらの混合物であり、特に、ClおよびCH3から成る群から選択される置換基;、並びに以下の化学式を有する分子である。
式中、X、Y、Zは、例えば、独立して、アルキル、アルコキシ、またはアリールなどの炭化水素;ハロゲンまたはそれらの混合物のような適切な置換基であり、この場合、YまたはZのうちの少なくとも1つが存在する。アルキルおよびアルコキシは、例えば、1〜約25個の炭素原子、より具体的には、1〜約12個の炭素原子を包含し、例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、および対応するアルコキシドがある。アリールは6〜約36個の炭素原子を包含することができ、例えばフェニルなどがある。ハロゲンは、塩化物、臭化物、ヨウ化物、およびフッ化物を含む。実施形態において、置換アルキル、アルコキシ、およびアリールも選択することもできる。少なくとも1つの電荷輸送層は、例えば、1層、1〜約7層、1〜約4層、および1〜約2層を指す。
18グラムのTiO2(MT−150W、テイカ株式会社製,日本)および24グラムのフェノール樹脂(VARCUM(登録商標)29159、OxyChem社、50/50の比率で、キシレン/1−ブタノール内で約50パーセント)とを、キシレンと1−ブタノール(50/50混合)の混合溶媒の中で、総固形分約48%とし、約0.4〜約0.6ミリメートルサイズのZrO2ビーズと共に磨砕器中で6.5時間粉砕し、次いで得られた混合物を20ミクロンのナイロンフィルタでろ過して正孔阻止層の分散液を調製した。次いで、30ミリメートルのアルミニウムドラム基板を、本明細書に示した公知のコーティング技術を用いて、上述の生成した分散液でコーティングした。160℃で20分間乾燥した後、フェノール樹脂内で約6ミクロンの厚さのTiO2(TiO2/フェノール樹脂の比率60/40)の正孔阻止層が得られた。
光導電体を、以下を除く上述の比較例1のプロセスを繰り返すことによって調製した。正孔阻止層の分散液は、18グラムのTiO2(MT−150W、テイカ株式会社製,日本)と、16.8グラムのフェノール樹脂(VARCUM(登録商標)29159、OxyChem社、キシレン/1−ブタノール内で約50パーセント、50/50)および3.6グラムのトルエンスルホンアミドホルムアルデヒド樹脂 (UNIPLEX(登録商標)600、 硬い無色の固体、GPCによる重量平均分子量約508、数平均分子量約453、Greensboro,NCのUnitex Chemical社から入手可能)を、キシレンと1−ブタノール(50/50混合)の混合溶媒の中で、総固形分約48%とし、約0.4〜約0.6ミリメートルサイズのZrO2ビーズと共に磨砕器中で6.5時間粉砕し、次いで20ミクロンのナイロンフィルタでろ過した。次いで、30ミリメートルのアルミニウムドラム基板を、本明細書に示す公知のコーティング技術を用いて、上述の生成した分散液でコーティングした。160℃で20分間乾燥した後、フェノール樹脂およびトルエンスルホンアミドホルムアルデヒド樹脂 (TiO2/フェノール樹脂/トルエンスルホンアミドホルムアルデヒド樹脂の比率は、60/28/12)内でTiO2の正孔阻止層は、約6ミクロンの厚さで得られた。
光導電体を、以下を除く、上述の比較例1のプロセスを繰り返すことによって調製した。正孔阻止層の分散液は、18グラムのTiO2(MT−150W、テイカ株式会社製,日本)と、14.4グラムのフェノール樹脂(VARCUM(登録商標)29159、OxyChem社、キシレン/1−ブタノール内で約50パーセント、50/50)および4.8グラムのトルエンスルホンアミドホルムアルデヒド樹脂 (UNIPLEX(登録商標)600、 硬い無色の固体、GPCによる重量平均分子量約508、数平均分子量約453、Greensboro,NCのUnitex Chemical社から入手可能)を、キシレンと1−ブタノール(50/50混合)の混合溶媒の中で、総固形分約48%とし、約0.4〜約0.6ミリメートルサイズのZrO2ビーズと共に磨砕器中で6.5時間粉砕し、次いで20ミクロンのナイロンフィルタでろ過した。次いで、30ミリメートルのアルミニウムドラム基板を、本明細書に示す公知のコーティング技術を用いて、上述の生成した分散液でコーティングした。160℃で20分間乾燥した後、フェノール樹脂およびトルエンスルホンアミドホルムアルデヒド樹脂 (TiO2/フェノール樹脂/トルエンスルホンアミドホルムアルデヒド樹脂の比率は、60/24/16)内でTiO2の正孔阻止層は、約6ミクロンの厚さで得られた。
光導電体を、以下を除く上述の比較例1のプロセスを繰り返すことによって調製した。正孔阻止層の分散液は、18グラムのTiO2(MT−150W、テイカ株式会社製,日本)と、12グラムのフェノール樹脂(VARCUM(登録商標)29159、OxyChem社、キシレン/1−ブタノール内で約50パーセント、50/50)および6グラムのトルエンスルホンアミドホルムアルデヒド樹脂 (UNIPLEX(登録商標)600、 硬い無色の固体、重量平均分子量約508、数平均分子量約453、GPCによる、Greensboro,NCのUnitex Chemical社から入手可能)を、キシレンと1−ブタノール(50/50混合)の混合溶媒の中で、総固形分約48%とし、約0.4〜約0.6ミリメートルサイズのZrO2ビーズと共に磨砕器中で6.5時間粉砕し、次いで20ミクロンのナイロンフィルタでろ過した。次いで、30ミリメートルのアルミニウムドラム基板を、本明細書に示す公知のコーティング技術を用いて、上述の生成した分散液でコーティングした。160℃で20分間乾燥した後、フェノール樹脂およびトルエンスルホンアミドホルムアルデヒド樹脂 (TiO2/フェノール樹脂/トルエンスルホンアミドホルムアルデヒド樹脂の比率は、60/20/20)内でTiO2の正孔阻止層は、約6ミクロンの厚さで得られた。
Claims (3)
- 基板、スルホンアミド樹脂とフェノール樹脂の混合物に分散された金属酸化物を有するその上の下引き層、光生成層、電荷輸送層を備える光導電体。
- 支持基板、金属酸化物、スルホンアミド樹脂とフェノール樹脂の混合物から成るその上の下引き層、光生成層および電荷輸送層を備える光導電体であって、前記樹脂混合物は架橋高分子網目を形成する、光導電体。
- 支持基板、金属酸化物並びにスルホンアミドホルムアルデヒド樹脂とフェノールホルムアルデヒド樹脂の架橋共重合体網目混合物から成るその上の下引き層、光生成層および正孔輸送層を備える光導電体であって、前記スルホンアミドホルムアルデヒド樹脂は、o−トルエンスルホンアミドホルムアルデヒド樹脂、p−トルエンスルホンアミドホルムアルデヒド樹脂、またはベンゼンスルホンアミドホルムアルデヒド樹脂から成る群から選択され、前記フェノールホルムアルデヒド樹脂は、フェノールホルムアルデヒド、p−tert−ブチルフェノールホルムアルデヒド、クレゾールホルムアルデヒド樹脂、4,4’−(1−メチルエチリデン)ビスフェノールホルムアルデヒド樹脂、フェノールおよびクレゾールホルムアルデヒド樹脂、あるいはフェノールおよびp−tert−ブチルフェノールホルムアルデヒド樹脂並びにそれらの混合物から成る群から選択され、前記金属酸化物は、酸化チタン, 酸化亜鉛, 酸化錫, 酸化アルミニウム, 酸化シリコン, 酸化ジルコニウム, 酸化インジウム、および酸化モリブデンからなる群から選択され、前記光生成層は、顔料および樹脂バインダから成り、前記正孔輸送層は、アリールアミン分子と樹脂バインダから成り、前記架橋の値は、約40〜約90パーセントである、光導電体。
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