JP2002513734A - 主族金属に基づく不斉触媒、およびその応用 - Google Patents

主族金属に基づく不斉触媒、およびその応用

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Abstract

(57)【要約】 本発明は、基質の反応性π結合への求核試薬の立体選択的付加のための方法および触媒に関する。本発明のキラルな非ラセミ触媒は、主族金属および3座または4座配位子を含む求核付加のための触媒の初めての例である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 発明の背景 鏡像体的に純粋な化合物への要求が近年急速に増えてきている。このようなキ
ラルなラセミ化合物の1つの重要な用途は、製薬工業における合成の中間体とし
ての用途である。例えば、鏡像体的に純粋な薬剤は、ラセミ混合薬剤に比べて多
くの利点を有することが次第に明らかになってきた。これらの利点(例えば、Sti
nson, S.C., Chem Eng News, Sept. 28, 1992, pp. 46-79に概説されている)と
して、鏡像体的に純粋な薬剤のより少ない副作用、およびより大きな効能が挙げ
られる。
【０００２】 有機合成の伝統的方法は、しばしばラセミ原料を生成するために最適化されて
きた。鏡像体的に純粋な原料の生成は、歴史的に、2つの方法：天然供給源由来
の鏡像体的に純粋な出発原料（いわゆる“キラルプール”）の使用；または古典
的技術によるラセミ混合物の分割：のいずれかにおいてなされてきた。しかしな
がら、これらの方法はそれぞれ、重大な欠点を有する。キラルプールは、天然に
見られる化合物に限定され、従って、特定の構造および立体配置のみが容易に利
用できる。ラセミ化合物の分割は、しばしば分割剤の使用が必要である：このプ
ロセスは不都合なものであり、確実に時間がかかる。さらには、分割とは、望ま
しくない鏡像体を処分することであり、従って原料の半分を無駄にすることを意
味する。
【０００３】 発明の概要 本発明の1つの態様において、鏡像体的に濃縮された生成物(enantiomerically
enriched product)を生じさせるために、キラルな非ラセミ触媒の存在下におい
て、通常π結合に対して求核試薬を付加することを含む、鏡像体選択的(enantio
selective)化学合成を提供する。π結合含有基質は、炭素−炭素、または炭素−
ヘテロ原子のπ結合を含み、求核試薬は主として弱酸の共役塩基であり、キラル
な触媒は主族金属イオンと錯体形成した不斉4座または3座配位子を含む。4座配
位子の例において、触媒錯体は、長方平面(rectangular planar)、または長方錐
(rectangular pyramidal)の立体配置を有する。三座配位子−金属錯体は、平面
または三角錐の立体配置であると想定されている。ある好ましい実施形態におい
て、配位子は、少なくとも1つの触媒コアで金属に配位したシッフ塩基窒素を有
する。別の好ましい実施形態において、配位子は、金属に配位する配位原子の2
つの結合内に少なくとも1つの立体中心(stereogenic center)を提供する。
【０００４】 通常、金属原子は、1、2、12、13または14族の主族金属であり、最も酸化され
た状態にあって差し支えない。好ましい実施形態において、金属原子は、Li、Be
、Na、Mg、K、Ca、B、Al、Ga、In、Zn、Cd、Hg、Si、GeおよびSnより成る群から
選択される。非常に好ましい実施形態において、金属はAlである。
【０００５】 本不斉求核付加反応の模範的な基質として、アルデヒド、エナール(enals)、
ケトン、エノン(enones)、エノエート(enoates)、α、β不飽和イミド、イミン、
オキシムおよびヒドラゾンが挙げられる。
【０００６】 好ましい実施形態において、本変換は、化学式1から化学式2への変換によって
表すことができ、化学式2の星印は、不斉中心を指示し：
【化２４】 ここで、R、R'およびR''はそれぞれ独立して、水素、アルキル、アルケニル、ア
ルキニル、アシル、チオアシル、アルキルチオ、イミン、アミド、ホスホリル、
ホスホネート、ホスフィン、カルボニル、カルボキシル、カルボキサミド、アン
ヒドリド、シリル、チオアルキル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、
セレノアルキル、ケトン、アルデヒド、エステル、ヘテロアルキル、アミジン、
アセタール、ケタール、アリール、ヘテロアリール、アジリジン、カルバメート
、エポキシド、ヒドロキサム酸、イミド、オキシム、スルホンアミド、チオアミ
ド、チオカルバメート、尿素、チオ尿素、または−(CH2)m−R80を表し； Xは、CR2、O、S、SeおよびNR"より成る群から選択され； Yは、それぞれ独立して、H、Li、Na、K、Mg、Ca、B、Al、Cu、Ag、Ti、Zr、SiR3 、およびSnR3よりなる群から選択され；かつ Nuは、例えばシアン化物、アジド、イソシアネート、チオシアネート、アルコキ
シド、チオアルコキシド、カルボキシレート、チオカルボキシレートおよびカル
バニオンのような弱ブレーンステズ酸の共役塩基よりなる群から選択され； R80は、未置換の、または置換されたアリール、シクロアルキル、シクロアルケ
ニル、複素環、または多環を表し；さらに ｍは、0から8の範囲に含まれる整数である。
【０００７】 好ましい実施形態において、その方法は、この中に記載しているように、反応
性π結合、求核試薬、およびキラルな非ラセミ触媒から成る基質を混合し、さら
にキラルな触媒が基質の反応性π結合に対する求核試薬の立体選択的付加を触媒
するのに適切な条件下でその混合物を維持することを含む。
【０００８】 好ましい実施形態において、本反応において使用されるキラルな触媒は、一般
化学式：
【化２５】 により表すことができ； ここでZ1、Z2、Z3およびZ4はそれぞれルイス塩基を表し； Z1、Z3およびMで形成されるC1部分、およびZ2、Z4およびMで形成されるC2部分は
、それぞれ独立して、複素環を形成し； R1、R2、R'1およびR'2は、それぞれ独立して、存在しないか、またはそれが結合
する電子供与原子の原子価要求によって許容される有機または無機の置換基での
共有結合置換を表し、 R40およびR41は、それぞれ独立して、存在しないか、またはそれが結合する環原
子(ring atom)の原子価要求によって許容される有機または無機の置換基でのC1
およびC2の1つ以上の共有結合置換を表し、 あるいはR1、R2、R'1、R'2、R40およびR41の任意の2つ以上が合わさって、架橋
置換基を形成し； C1が少なくとも1つの部位でR1、R'1またはR41によって置換され、かつC2が少な
くとも1つの部位でR2、R'2またはR40によって置換され、さらにR1、R'1およびR4 1 の少なくとも1つがR2、R'2またはR40の少なくとも1つと合わさって、4座配位子
としてZ1、Z2、Z3およびZ4を提供するように架橋置換基を形成していることを条
件とし； Mは主族金属イオンを表し； Aは対イオンまたは求核試薬を表し、 ここでR1、R2、R'1、R2、R40およびR41は、4座配位子において、少なくとも1つ
の立体中心を提供するように選択される。
【０００９】 模範的な実施形態において、R1、R2、R'1およびR2は、それぞれ独立して、水
素、ハロゲン、アルキル、アルケニル、アルキニル、ヒドロキシル、アルコキシ
ル、シリロキシル、アミノ、ニトロ、チオール、アミン、イミン、アミド、ホス
ホリル、ホスホネート、ホスフィン、カルボニル、カルボキシル、シリル、エー
テル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテル、ケトン、アルデヒド、エス
テル、または−(CH2)m−R8を表し； 化学式100におけるR40およびR41は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、アル
キル、アルケニル、アルキニル、ヒドロキシル、アミノ、ニトロ、チオール、ア
ミン、イミン、アミド、ホスホリル、ホスホネート、ホスフィン、カルボニル、
カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテル
、ケトン、アルデヒド、エステル、または−(CH2)m−R8を表し； R8は、アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環または多環を表し
； Z1、Z2、Z3およびZ4は、それぞれ独立して、窒素、酸素、リン、ヒ素、硫黄より
成る群から選択され；さらに ｍはゼロまたは1から8の範囲内の整数である。
【００１０】 例えば、触媒は、一般化学式：
【化２６】 により表すことができ； ここで、置換基R1、R2、Y1、Y2、X1、X2、X3およびX4は、それぞれ独立して、水
素、ハロゲン、アルキル、アルケニル、アルキニル、ヒドロキシル、アルコキシ
ル、シリロキシル、アミノ、ニトロ、チオール、アミン、イミン、アミド、ホス
ホリル、ホスホネート、ホスフィン、カルボニル、カルボキシル、シリル、エー
テル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテル、ケトン、アルデヒド、エス
テル、または−(CH2)m−R8を表し、 あるいは任意の2つ以上の置換基が合わさって、環構造内に4から8原子を有する
炭素環式または複素環式環を形成し、 R1、Y1、X1およびX2の少なくとも1つが、R2、Y2、X3およびX4の少なくとも1つに
共有結合し、4座配位子としてそれらが結合するβ−イミノカルボニルを提供し
、かつY1およびY2の少なくとも1方が水素であることを条件とし； R8は、アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環または多環を表し
； ｍはゼロまたは1から8の範囲内の整数であり； Mは主族金属を表し；かつ Aは対イオンまたは求核試薬を表し、 ここで置換基R1、R2、Y1、Y2、X1、X2、X3およびX4は、それぞれ、その触媒が不
斉になるように選択される。
【００１１】 例えば、触媒の好ましいクラスは、一般化学式：
【化２７】 により表すことができ； ここで、B1部分は−R15−R16−R17−によって表されるジイミン架橋置換基を表
し、ここでR15およびR17は、それぞれ独立して、存在しないか、またはアルキル
、アルケニルもしくはアルキニルを表し、かつR16は存在しないか、またはアミ
ン、イミン、アミド、ホスホリル、カルボニル、シリル、酸素、硫黄、スルホニ
ル、セレニウム、カルボニルもしくはエステルを表し； B2およびB3は、それぞれ独立して、その環構造内に4から8原子を含む、シクロア
ルキル、シクロアルケニル、アリール、および複素環より成る群から選択された
環を表し； Y1およびY2は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、アルキル、アルケニル、ア
ルキニル、ヒドロキシル、アルコキシル、シリロキシル、アミノ、ニトロ、チオ
ール、アミン、イミン、アミド、ホスホリル、ホスホネート、ホスフィン、カル
ボニル、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノ
エーテル、ケトン、アルデヒド、エステル、または−(CH2)m−R8を表し、 R12、R13およびR14は、それぞれ独立して、存在しないか、または、ハロゲン、
アルキル、アルケニル、アルキニル、ヒドロキシル、アミノ、ニトロ、チオール
、アミン、イミン、アミド、ホスホリル、ホスホネート、ホスフィン、カルボニ
ル、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノエー
テル、ケトン、アルデヒド、エステル、または−(CH2)m−R8によるB1、B2および
B3の少なくとも1つの共有結合置換を表し、ここで、R12は、−R15−R16−R17−
の1つ以上の位置に存在でき、 あるいはR12、R13、R14、Y1およびY2の任意の2つ以上が合わさって、架橋置換基
を形成し； R8は、アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環または多環を表し
； ｍはゼロまたは1から8の範囲内の整数であり； Mは主族金属を表し；かつ Aは対イオンまたは求核試薬を表し、 ここで置換基R12、R13、R14、Y1、Y2は、その触媒が不斉になるように選択され
る。
【００１２】 さらに好ましい実施形態において、触媒は、一般化学式：
【化２８】 により表されるメタロサレネート(metallosalenate)触媒であり； ここで、置換基R1、R2、R3、R4、R5、Y1、Y2、X1、X2、X3、X4、X5、X6、X7およ
びX8は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、アルキル、アルケニル、アルキニ
ル、ヒドロキシル、アルコキシル、シリロキシル、アミノ、ニトロ、チオール、
アミン、イミン、アミド、ホスホリル、ホスホネート、ホスフィン、カルボニル
、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテ
ル、ケトン、アルデヒド、エステル、または−(CH2)m−R8を表し； あるいは、任意の2つ以上の置換基が合わさって、環構造内に4から10原子を有す
る炭素環または複素環を形成し； R8は、アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環または多環を表し
； ｍはゼロまたは1から8の範囲内の整数であり； Mは主族金属を表し；かつ Aは対イオンまたは求核試薬を表し、 ここで、もしR5が存在しなければ、R1とR2の少なくとも1方がR3とR4の少なくと
も1方と合わさって、架橋置換基を形成し、さらに化学式106の置換基のそれぞれ
が、サレネートが不斉になるように選択される。
【００１３】 あるいは、触媒は、一般化学式：
【化２９】 により表される配位子のような3座配位子を有していて差し支えなく； ここで、Z1、Z2およびZ3はそれぞれルイス塩基を表し； Z1、Z2およびMで形成されているE1部分、およびZ2、Z3およびMで形成されている
E2部分は、それぞれ独立して、複素環を形成し； R80およびR81は、それぞれ独立して、存在しないか、または、水素、ハロゲン、
アルキル、アルケニル、アルキニル、ヒドロキシル、アルコキシル、シリロキシ
ル、アミノ、ニトロ、チオール、アミン、イミン、アミド、ホスホネート、ホス
フィン、カルボニル、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホ
ニル、セレノエーテル、ケトン、アルデヒド、エステル、または−(CH2)m−R8を
表し、あるいはR80、R81の置換基の任意の2つ以上が合わさって、架橋置換基を
形成し； R8は、アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環または多環を表し
； ｍはゼロまたは1から8の範囲内の整数であり； Mは主族金属を表し；かつ Aは対イオンまたは求核試薬を表し、 ここで3座配位子は不斉である。
【００１４】 発明の詳細な説明 鏡像体的に純粋な化合物への要求が近年急速に増えてきている。このようなキ
ラルなラセミ化合物の1つの重要な用途は、製薬工業における合成の中間体とし
ての用途である。例えば、鏡像体的に純粋な薬剤は、ラセミ混合薬剤に比べて多
くの利点を有することが次第に明らかになってきた。これらの利点(例えば、Sti
nson, S.C., Chem Eng News, Sept. 28, 1992, pp. 46-79に概説されている)と
して、鏡像体的に純粋な薬剤のより少ない副作用およびより大きな効能が挙げら
れる。ここに記載されているように、本発明は、求核付加反応を含む鏡像体選択
的合成のための方法および試薬を提供する。以下にさらに詳細に示されている本
方法のおもな構成は、特定の4座または3座配位の立体配置である非ラセミ金属触
媒、キラルまたはプロキラルな炭素−炭素または炭素−ヘテロ原子のπ結合、お
よび求核試薬――通常、弱酸またはその共役塩基から成り、反応性π結合含有基
質および求核試薬は、その反応の結果が前記キラルな非ラセミ触媒の存在によっ
て影響されるように選択される。
【００１５】I. 定義 便宜のために、明細書、実施例、および請求項において用いられている特定の
用語をここに集める。
【００１６】 「求核試薬」の用語は、当業界で公認されており、さらに、ここで用いられて
いるように、反応性電子対を有する化学基(chemical moiety)を意味する。求核
試薬の例として、アミン、メルカプタン、およびアルコールのような荷電してい
ない化合物、ならびにアルコキシド、チオレート、カルバニオン、および種々の
有機および無機の陰イオンのような荷電した化学基が挙げられる。例示的な陰イ
オン求核試薬として、アジド、シアン化物、チオシアネート、シアネート、ホル
メートまたはクロロホルメート、および亜硫酸水素塩のような簡単な陰イオンが
挙げられる。有機銅(organocuprates)、有機亜鉛、有機リチウムのような有機金
属試薬、グリニャール試薬、エノレート、アセチリド等が、適当な反応条件下に
おいて、適切な求核試薬と成り得る。基質の還元が望ましい場合には、水素付加
物が適切な求核試薬となり得る。
【００１７】 「求電子試薬」の用語は、当業界で公認されており、上記の求核試薬から電子
対を受け取ることができる化学基を称する。本発明の方法において有用である求
電子試薬として、エポキシド、アジリジン、エピスルフィド、環式スルフェート
、カルボネート、ラクトン、ラクタム等のような環式化合物が挙げられる。非環
式求電子試薬として、スルフェート、スルホネート（例えばトシレート）、塩化
物、臭化物、ヨウ化物等が挙げられる。
【００１８】 ここで用いられている「求電子原子」、「求電子中心」および「反応中心」の
用語は、求核試薬によって攻撃され、かつ求核試薬に対する新たな結合を形成す
るような基質の原子を称する。ほとんどの場合（全てではないが）、それは、残
りの基(leaving group)が外れる原子でもあるだろう。
【００１９】 「ルイス塩基」および「ルイス塩基性」の用語は、当業界で公認されており、
特定の反応条件下で、電子対を供与できる化学基を称する。ルイス塩基性基の例
として、アルコール、チオール、オレフィン、およびアミンのような荷電してい
ない化合物、ならびにアルコキシド、チオレート、カルバニオン、および種々の
他の有機陰イオンのような荷電した基が挙げられる。
【００２０】 「電子吸引基」の用語は、当業界で公認されており、さらに、ここで用いられ
ているように、同じ位置において水素原子よりも強く電子を引き寄せる官能基を
意味する。例示的な電子吸引基として、ニトロ、ケトン、アルデヒド、スルホニ
ル、トリフルオロメチル、−CN、塩化物等が挙げられる。ここで用いられている
「電子供与基」の用語は、同じ位置において水素原子よりも弱く電子を引き寄せ
る官能基を意味する。例示的な電子供与基として、アミノ、メトキシ等が挙げら
れる。
【００２１】 「キレート剤」の用語は、金属イオンへの供与に利用できる非共有電子対を有
する有機分子を称する。金属イオンは、このように、キレート剤によって配位さ
れる。
【００２２】 「2座キレート剤」、「3座キレート剤」、および「4座キレート剤」の用語は、
それぞれ、そのキレート剤によって配位される金属イオンに対して同時に供与で
きる2、3、および4つの電子対を有するキレート剤を称する。
【００２３】 「触媒」の用語は、それが存在すると化学反応の速度が上昇するが、それ自身
は消費されず、または永久的な化学変化を受けないような物質を称する。
【００２４】 「2座触媒」、「3座触媒」、および「4座触媒」の用語は、それぞれ、触媒の基
質と接触する部位を2つ、3つおよび4つ有する触媒を称する。
【００２５】 「配位」の用語は、電子対供与体が1つの金属イオンに対して配位結合している
（「配位している」）場合における相互作用を称する。
【００２６】 「配位結合」の用語は、電子対供与体と金属イオンとの間の求引力を誘導する
、電子対供与体と金属イオン上の配位部位との間の相互作用を称する。
【００２７】 「配位部位」の用語は、例えばキレート剤によって供与された電子対を受け取
ることができる金属イオン上の位置を称する。
【００２８】 「自由配位部位」の用語は、水分子、またはヒスチジンタグのようなポリアミ
ノ酸タグよりも弱く電子対を供与するような他の分子によって占有される金属イ
オン上の配位部位を称する。
【００２９】 「配位数」の用語は、電子対を受け取るために利用できる金属イオン上の配位
部位の数を称する。
【００３０】 明細書および請求項で用いられている「錯体」の用語は、独立して存在できる1
つ以上の電子的に豊富である(electronically rich)分子または原子と、同様に
独立して存在できる1つ以上の電子的に乏しい(electronically poor)分子または
原子との結合によって形成される配位化合物を意味する。
【００３１】 「環拡張(ring expansion)」の用語は、環式化合物の環における原子の数が増加
するプロセスを称する。環拡張の具体例として、環式カルボネートを生成するた
めにエポキシドを二酸化炭素と反応させる。
【００３２】 オルト、メタ、およびパラの用語は、それぞれ、1,2−、1、3−、および1,4−
２基置換ベンゼンに用いられる。例えば、1,2−ジメチルベンゼンとオルト−ジ
メチルベンゼンとは同義である。
【００３３】 トリフリル(triflyl)、トシル、メシル、およびノナフリル(nonaflyl)の用語
は、当業界で公認されており、それぞれ、トリフルオロメタンスルホニル、p−
トルエンスルホニル、メタンスルホニル、およびノナフルオロブタンスルホニル
の基を称する。トリフレート、トシレート、メシレート、およびノナフレートの
用語は当業界で公認されており、それぞれ、トリフルオロメタンスルホン酸エス
テル、ｐ−トルエンスルホン酸エステル、メタンスルホン酸エステル、およびノ
ナフルオロブタンスルホン酸エステルの官能基およびその基を含む分子を称する
。
【００３４】 省略形Me、Et、Ph、Tf、Nf、Ts、Msは、それぞれ、メチル、エチル、フェニル
、トリフルオロメタンスルホニル、ノナフルオロブタンスルホニル、ｐ−トルエ
ンスルホニル、およびメタンスルホニルを表す。当業界で通常の技術を有する有
機化学者によって用いられる省略形の総覧が、Journal of Organic Chemistryの
各巻の創刊号に示されている：この一覧は、Standard List of Abbreviationsと
題された表に示されている。前記の一覧に含まれる省略形、および当業界で通常
の技術を有する有機化学者によって用いられる全ての省略形が、引例としてこの
中に組込まれている。
【００３５】 ここで用いられている「保護基」の語句は、望ましくない化学変化から潜在的
に反応性である官能基を保護するような一時的な置換基を意味する。そのような
保護基の例として、カルボン酸のエステル、アルコールのシリルエーテル、およ
びアルデヒドのアセタールおよびケトンのケタールが挙げられる。保護基化学の
分野について概説されている（Greene et al., Protective Groups in Organic Synthesis , 2nd ed.; Wiley: New York,1991を参照）。
【００３６】 「メソ化合物」の用語は、当業界で公認されており、少なくとも2つのキラル
中心を有するが、分子内に対称面または対称点があるためアキラルである化合物
を意味する。
【００３７】 「キラル」の用語は、その鏡像体に重ね合わせることができない性質を有する
分子を称し、一方、「アキラル」の用語は、その鏡像体に重ね合わせることがで
きる分子を称する。「プロキラル分子」は、特定のプロセスにおいて、キラル分
子に変換される可能性を有する分子である。
【００３８】 「立体異性体」の用語は、同一の化学構造を有するが、原子又は基の空間的配
置が異なる化合物を称する。詳細には、「鏡像体」は、お互いの鏡像を重ね合わ
せることができない化合物の2つの立体異性体を称する。一方で、「ジアステレ
オマー」は、2つ以上の不斉中心を有し、かつそれらの分子がお互いの鏡像では
ない立体異性体を称する。
【００３９】 さらに、「立体選択的プロセス」とは、反応生成物の特定の立体異性体が、そ
の生成物の他の可能性のある立体異性体に優先して生成されるプロセスである。
「鏡像体選択的プロセス」とは、反応生成物の2つの可能性のある鏡像体の一方
を優先的に生成するプロセスである。本方法は、その生成物の特定の立体異性体
の収率が、キラルな触媒の非存在下において実施した同じ反応から生じたその立
体異性体の収率と比較して、統計的に有意に高い収率である場合に、「立体異性
体的に濃縮された」（例えば、鏡像体的に濃縮された、またはジアステレオマー
的に濃縮された）生成物を生じたと言う。例えば、日常的にラセミ混合物を生成
する反応は、本キラルな触媒の1つによって触媒された場合に、その生成物の特
定の鏡像体のe.e.をもたらすであろう。
【００４０】 「レジオアイソマー(regioisomer)」の用語は、同じ分子式を有するが、原子
の結合性が異なる化合物を称する。従って、「レジオアイソマー選択的(regiose
lective)プロセス」とは、例えば、その反応が、特定のレジオアイソマーを統計
的に有意に多量に生成するような、特定のレジオアイソマーを他よりも優先的に
生成するプロセスである。
【００４１】 「反応生成物」の用語は、2つの基質分子の反応の結果生じる化合物を意味す
る。通常ここでは、「反応生成物」の用語は、安定で分離可能な化合物を称する
のに用いられ、不安定な中間体または遷移状態を称するためには用いられないで
あろう。
【００４２】 明細書および請求項で用いられている「錯体」の用語は、独立して存在でき
る1つ以上の電子的に豊富である分子または原子と、同様に独立して存在できる1
つ以上の電子的に乏しい分子または原子との結合によって形成される配位化合物
を意味する。
【００４３】 「基質」の用語は、少なくとも1つの立体中心を有する生成物を生じさせるため
の本条件下において反応できる化合物を意味する。
【００４４】 「触媒量」の用語は、当業界で公認されており、反応物質に対する触媒の不足
当量(substoichiometric amount)を意味する。ここで用いられているように、触
媒量は、反応物質に対して、0.0001から90モルパーセントの触媒量を意味し、よ
り好ましくは、0.001から50モルパーセント、さらに好ましくは0.01から10モル
パーセント、さらにより好ましくは反応物質に対して0.1から5モルパーセントの
触媒量である。
【００４５】 以下により詳細に記載しているように、本発明において熟慮されている反応は
、鏡像体選択的、ジアステレオマー選択的(diastereoselective)、および／また
はレジオアイソマー選択的な反応を含む。鏡像体選択的反応は、アキラルな反応
物質を一方の鏡像体が濃縮されたキラルな生成物に変換させる反応である。鏡像
体選択性は、下記のように定義される「鏡像体超過(enantiomeric excess)」(e.
e.)として定量化され： ％鏡像体超過A(e.e.) ＝ （％ 鏡像体 A）−（％ 鏡像体 B） ここで、AおよびBは、生成された鏡像体である。鏡像体選択性と関連して用いら
れている付加的用語として、「光学純度」または「光学活性」が挙げられる。鏡
像体選択的反応は、ゼロより大きいe.e.を有する生成物を生じる。好ましい鏡像
体選択的反応は、20%より大きいe.e.を有する生成物を生じ、より好ましくは50%
より大きく、さらに好ましくは70%より大きく、最も好ましくは80%より大きいe.
e.を有する生成物を生じる。
【００４６】 ジアステレオマー選択的反応は、反応物質（アキラル、ラセミ、非ラセミまた
は鏡像体的に純粋のいずれであってもよい）を1つのジアステレオマーが濃縮さ
れた生成物に変換させる。もしキラルな反応物質がラセミ体である場合に、キラ
ルな非ラセミ試薬または触媒の存在下において、1方の鏡像体は他方に比べて反
応が遅い。この効果は、鏡像体的に濃縮された生成物を生じさせるために反応物
質鏡像体(reactant enantiomer)が差別的速度によって分割される速度分割(kine
tic resolution)と称される。速度分割は、通常、１方の反応物質鏡像体と反応
するために十分な量の試薬（例えば、ラセミ基質モル当たり0.5モルの試薬）の
使用によって達成できる。ラセミ反応物質の速度分割のために使用されている触
媒反応の例として、シャープレス(Sharpless)エポキシ化およびノイオリ(Noyori
)水素付加が挙げられる。
【００４７】 レジオアイソマー選択的反応は、1つの反応中心において、別の反応中心より
も優先的に生じる反応である。例えば、不斉1,3,5−トリエン基質のレジオアイ
ソマー選択的な環状付加反応は、基質に含まれる２つの1,3−ジエンの１方にお
いて優先的に生じるであろう。
【００４８】 「非ラセミの」の用語は、所望の立体異性体を50%より多く含む調製物を意味
し、より好ましくは、75%以上である。「本質的に非ラセミの」とは、所望の立
体異性体のe.e.が90%より大きい調製物を称し、より好ましくは、e.e.が95%より
大きい調製物である。
【００４９】 「アルキル」の用語は、直鎖アルキル基、分岐アルキル基、シクロアルキル（
脂環式）基、アルキル置換シクロアルキル基、およびシクロアルキル置換アルキ
ル基を含む、飽和脂肪族基を意味する。好ましい実施形態において、直鎖または
分岐アルキルは、その主鎖に30以下の炭素原子（例えば直鎖ではC1−C30、分岐
では、C3−C30）を有し、かつより好ましくは20以下の炭素原子を有する。同様
に、好ましいシクロアルキルは、その環構造内に4−10の炭素原子を有し、かつ
より好ましくは、その環構造内に5、6または7の炭素原子を有する。
【００５０】 さらには、本明細書、実施例および請求項にわたり用いられている「アルキル
」の用語は、「未置換アルキル」および「置換アルキル」の両方を含むことが意
図されており、後者の「置換アルキル」は、炭化水素主鎖の1つ以上の炭素上の
水素に置き換わった置換基を有するアルキル基を意味する。そのような置換基と
して、例えば、ハロゲン、ヒドロキシル、アルコキシル、シリロキシル、カルボ
ニルおよびエステル、ホスホリル、アミン、アミド、イミン、チオール、チオエ
ーテル、チオエステル、スルホニル、アミノ、ニトロ、または有機金属基が挙げ
られる。適当な場合は、炭化水素鎖上の置換された基それ自体が、置換され得る
ことを、当業者は理解するであろう。例えば、置換アルキルの置換基として、置
換された、ならびに未置換の形態のアミン、イミン、アミド、ホスホリル（ホス
ホネートおよびホスフィンを含む）、スルホニル（スルフェート、スルホネート
を含む）、シリル、ならびにエ−テル、チオエーテル、セレノエーテル、カルボ
ニル（ケトン、アルデヒド、カルボキシレート、およびエステルを含む）、−CF 3 、−CN等の基が挙げられる。模範的な置換アルキルを以下に記載する。シクロ
アルキルは、アルキル、アルケニル、アルコキシ、チオアルキル、アミノアルキ
ル、カルボニル置換アルキル、−CF3、−CN等でさらに置換することができる。
【００５１】 「アルケニル」、および「アルキニル」の用語は、長さ、および可能な置換に
おいて上記のアルキルに類似するが、それぞれ、1つ以上の2重結合、または3重
結合を含む不飽和脂肪族基を称する。
【００５２】 特に炭素の数が別記されていない限り、ここで用いられている「低級アルキル
」は、上述のごとく定義したようなアルキニル基であるが、その主鎖構造におい
て1から10の炭素原子を有するアルキル基を意味し、より好ましくは、1から6の
炭素原子を有するアルキニル基である。同様に、「低級アルケニル」および「低
級アルキニル」も類似の鎖長を有する。
【００５３】 ここで用いられているように、「アミノ」の用語は−NH2を意味し；「ニトロ
」の用語は−NO2を意味し；「ハロゲン」の用語は−F、−Cl、−Br、または−I
を意味し；「チオール」の用語は−SHを意味し；「ヒドロキシル」の用語は−OH
を意味し；さらに“スルホニル”は−SO2を意味し、さらに「有機金属」は、金
属原子（例えば水銀、亜鉛、鉛、マグネシウム、もしくはリチウム等）、または
ジフェニルメチルシリル基のような炭素原子に直接結合した半金属原子（例えば
、シリコン、ヒ素、もしくはセレニウム等）を称する。
【００５４】 さらに、ここで用いられている「アルキルアミン」の用語は、置換された、ま
たは未置換のアミンが結合した、上述のごとく定義したアルキル基を意味する。
例示的な実施形態において、「アミン」は、一般化学式：
【化３０】 により表すことができ； ここで、R8およびR9は、それぞれ独立して、水素、アルキル、アルケニル、−(C
H2)m−R7、−C(=O)−アルキル、−C(=O)−アルケニル、−C(=O)−アルキニル、
−C(=O)−(CH2)m−R7を表し、またはR8およびR9は、それらが結合しているN原子
と合わさって、その環構造内に4から8原子を有する複素環を完成しており；R7は
、アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環もしくは多環を表し；
さらにmはゼロまたは1から8までの範囲の整数である 同様に、「アルキルアミド」の用語は、置換した、または未置換のアミド基が
結合したアルキニル基を称する。例えば、「アミド」は、一般化学式：
【化３１】 により表すことができ； ここでR8およびR9は、上述のごとく定義したものである。
【００５５】 「アルキルイミン」の用語は、置換した、または未置換のイミンが結合したア
ルキル基を称する。「イミン」は、一般化学式：
【化３２】 により表すことができ； ここでR8は、上述のごとく定義したものである。
【００５６】 「チオアルキル」の用語は、スルヒドリル基、またはチオエーテル基が結合し
た、上記で定義したようなアルキル基を称する。好ましい実施形態において、「
チオエーテル」基は、−S−アルキル、−S−アルケニル、−S−アルキニル、お
よび−S−(CH2)m−R7の中の1つによって表され、ここでmおよびR7は上述のごと
く定義されたものである。
【００５７】 ここで用いられている「カルボニル置換アルキル」の用語は、置換された、ま
たは未置換のカルボニル基が結合した、前述のごとく定義されたアルキル基を意
味し、さらにアルデヒド、ケトン、カルボキシレートおよびエステルを含む。模
範的な実施形態において、「カルボニル」基は、一般化学式：
【化３３】 により表すことができ、ここで、Xは、存在しないか、または酸素もしくは硫黄
を表し、R10は、水素、アルキル、アルケニル、もしくは−(CH2)m−R7を表し、
ここでｍおよびR7は上述のごとく定義されたものである。Xが酸素である場合、
化学式は「エステル」を表す。Xが硫黄である場合、化学式は「チオエステル」
表す。Xが存在しなくて、かつR10が水素でない場合、上記の化学式は「ケトン」
基を表す。上記化学式の酸素原子が硫黄で置換されている場合、化学式は「チオ
カルボニル」基を表す。
【００５８】 ここで用いられている「アルコキシル」または「アルコキシ」の用語は、酸素
基が結合した、上述のごとく定義したアルキル基を称する。代表的なアルコキシ
ル基として、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、tert（第三）−ブトキシ等が挙
げられる。「エーテル」は、酸素によって2つの炭化水素が共有結合したもので
ある。従って、アルキルをエーテルにするようなアルキルの置換基は、−O−ア
ルキル、−O−アルケニル、−O−アルキニル、−O−(CH2)m−R7の中の1つで表さ
れるようなアルコキシルであるか、またはそれらに似ており、ここでmおよびR7
は上述のごとく定義されたものである。
【００５９】 さらに、ここで用いられている「ホスホリルアルキル」の用語は、置換された
または未置換のホスホリル基が結合した、上述のごとく定義したアルキル基を意
味する。「ホスホリル」は、一般化学式：
【化３４】 により表すことができ； ここでQ1はSまたはOを表し、かつR46は水素、低級アルキルまたはアリールを表
す。アルキルを置換するために用いる場合、ホスホリルアルキルのホスホリル基
は、一般化学式：
【化３５】 により表すことができ； ここでQ1はSまたはOを表し、かつ各R46は、独立して、水素、低級アルキルまた
はアリールを表し、Q2はO、SまたはNを表す。
【００６０】 「メタロアルキル」の用語は、置換されたまたは未置換の有機金属基が結合し
た、上述のごとく定義したアルキル基を称する。「シリルアルキル」は、置換さ
れたシリコンが結合した、上述のごとく定義したアルキル基を称する。好ましい
実施形態において、アルキル上において置換され得る「シリル」基は、一般化学
式：
【化３６】 により表すことができ； ここで、R10、R'10およびR''10は、それぞれ独立して、水素、アルキル、アルケ
ニル、または−(CH2)m−R7を表し、ここでｍおよびR7は上述のごとく定義された
ものである。
【００６１】 同様に、「セレノアルキル」は、置換されたセレノ基が結合したアルキル基を
称する。アルキル上で置換され得る模範的な「セレノエーテル」は、−Se−アル
キル、−Se−アルケニル、−Se−アルキニル、および−Se−(CH2)m−R7の中の1
つから選択され、かつｍおよびR7は上述のごとく定義されたものである。
【００６２】 ここで用いられている「スルホニル」の用語は、2つの炭素原子に結合したS(O
)2基を意味する。従って、好ましい実施形態において、スルホネートは以下の構
造：
【化３７】 を有し； ここで、炭素と硫黄の間は単結合である。
【００６３】 ここで用いられている「スルホネート」の用語は、ヒドロキシル基、アルキロ
キシ(alkyloxy)基、またはアリーロキシ(aryloxy)基に結合した、上述のごとく
定義されたスルホニル基である。従って、好ましい実施形態において、スルホネ
ートは構造：
【化３８】 を有し； ここで、R11は、存在しないか、あるいは水素、アルキルまたはアリールである
。
【００６４】 ここで用いられている「スルフェート」の用語は、2つのヒドロキシル基また
はアルコキシ基に結合した、上述のごとく定義されたスルホニル基を意味する。
従って、好ましい実施形態において、スルフェートは、構造：
【化３９】 を有し； ここでR40およびR41は、独立して、存在しないか、あるいは水素、アルキル、ま
たはアリールである。さらには、R40およびR41は、それらが結合しているスルホ
ニル基および酸素原子と合わさって、5から10員を有する環構造を形成していて
も差し支えない。
【００６５】 例えば、アルケニルアミン、アルキニルアミン、アルケニルアミド、アルキニ
ルアミド、アルケニルイミン、アルキニルイミン、チオアルケニル、チオアルキ
ニル、カルボニル置換アルケニルもしくはアルキニル、アルケノキシル、アルキ
ノキシル、メタロアルケニル、メタロアルキニルを作成するために、アルケニル
基およびアルキニル基に対して、類似の置換を行うことができる。
【００６６】 ここで用いられている「アリ−ル」の用語は、例えば、ベンゼン、ピロ−ル、
フラン、チオフェン、イミダゾ−ル、オキサゾ−ル、チアゾ−ル、トリアゾ−ル
、ピラゾ−ル、ピリジン、ピラジン、ピリダジンおよびピリミジン等の、ゼロか
ら4のヘテロ原子を含み得る、4、5、6、7員環の単環式芳香族基を含む。環構造
内にヘテロ原子を有するこれらのアリ−ル基は、「アリ−ル複素環」として称し
てもよい。芳香族環は、例えばハロゲン、アルキル、アルケニル、アルキニル、
ヒドロキシル、アミノ、ニトロ、チオール、イミン、アミド、ホスホネート、ホ
スフィネート、カルボニル、カルボキシル、シリル、エ−テル、チオエーテル、
スルホニル、セレノエーテル、ケトン、アルデヒド、エステル、または−(CH2)m −R7、−CF3、−CN等の上記の置換基で、環の1つ以上の位置において置換されて
いても差し支えない。
【００６７】 「複素環」または「複素環式基」の用語は、その環構造が1から4のヘテロ原子
を含む、4から10員環構造、さらに好ましくは、3から7員環構造を称する。複素
環として、ピロリジン、オキソラン(oxolane)、チオラン(thiolane)、イミダゾ
ール、オキサゾ−ル、ピペリジン、ピペラジン、モルホリンが挙げられる。複素
環は、例えば、ハロゲン、アルキル、アルケニル、アルキニル、ヒドロキシル、
アミノ、ニトロ、チオール、イミン、アミド、ホスホネート、ホスフィン、カル
ボニル、カルボキシル、シリル、エ−テル、チオエーテル、スルホニル、セレノ
エーテル、ケトン、アルデヒド、エステル、または−(CH2)m−R7、−CF3、−CN
等の上記の置換基で、1つ以上の位置において置換されていても差し支えない。
【００６８】 「多環」または「多環式基」の用語は、例えばその環が「縮合環」であるよう
な2つの隣接する環において2つ以上の炭素原子が共有されている、2つ以上の環
式環（例えば、シクロアルキル、シクロアルケニル、シクロアルキニル、アリ−
ルおよび／または複素環）を意味する。非隣接原子を介して結合している環は、
「架橋」環(bridged ring)と呼ぶ。多環の各環は、例えば、ハロゲン、アルキル
、アラルキル、アルケニル、アルキニル、ヒドロキシル、アルコキシル、シリロ
キシル、アミノ、ニトロ、チオール、アミン、イミン、アミド、ホスホネート、
ホスフィン、カルボニル、カルボキシル、シリル、エ−テル、チオエーテル、ス
ルホニル、セレノエーテル、ケトン、アルデヒド、エステル、または−(CH2)m−
R7、−CF3、−CN等の上記の置換基で置換されていても差し支えない。
【００６９】 ここで用いられている「ヘテロ原子」の用語は、炭素、または水素以外の任意
の原子を意味する。好ましいヘテロ原子は、窒素、酸素、硫黄、リン、セレニウ
ムである。
【００７０】 「架橋置換基」は、置換部位の間で共有結合架橋を形成するような、触媒のコ
ア構造での2つ（もしくはそれ以上）の部位における、同じ(same)（等しい(iden
tical)ではない）置換基による置換を称する。例えば、架橋置換基は、一般化学
式、または−R15−R16−R17−によって表すことができ、ここでR15、およびR17
はそれぞれ独立して、存在しないか、またはアルキル、アルケニル、もしくはア
ルキニルを表し、好ましくはC1からC10であり、さらにR16は、存在しないか、ま
たはアミン、イミン、アミド、ホスホリル、カルボニル、シリル、酸素、スルホ
ニル、硫黄、セレニウム、もしくはエステルを表す。模範的な架橋置換基は、例
えば以下に記載したポルフィリン触媒の「ピクニックバスケット」型によって与
えられる。
【００７１】 本発明の目的に関して、化学元素は、the Periodic Table of the Elements,C
AS version, Handbook of Chemistry and Physics, 67 th Ed., 1986-87, insid
e coverに従って特定される。また、本発明の目的に関して、「炭化水素」の用
語は、少なくとも1つの水素原子および1つの炭素原子を有する全ての許容される
化合物を含むものと考える。広い態様において、許容される炭化水素は、非環式
および環式、分岐および非分岐、炭素環式および複素環式、芳香族および非芳香
族の有機化合物を含み、それらは置換されていても、未置換であっても差し支え
ない。
【００７２】 「アミノ酸」の用語は、アミノ酸類似物および誘導体を含む、天然のものであ
っても、合成のものであっても、アミノの機能と酸の機能の両方を有するような
全ての化合物を含むことが意図されている。また、「アミノ酸」の用語は、β−
シアノアラニン、ノルロイシン、3−ホスホセリン、ホモセリン、ジヒドロキシ
フェニルアラニン、5−ヒドロキシトリプトファン等のようなアミノ酸模倣物も
含む。
【００７３】 ここで用いられている「置換された」の用語は、有機化合物の全ての許容され
る置換基を含むものと考えられる。広い態様において、前記の許容される置換基
は、有機化合物の非環式と環式、分岐と非分岐、炭素環式と複素環式、芳香族と
非芳香族の置換基を含む。代表的な置換基としては、例えば、上述したような置
換基が挙げられる。許容される置換基は、1つ以上であっても、さらには特有の
有機化合物について同一または異なっていても差し支えない。本発明の目的に関
して、窒素のようなヘテロ原子は、水素置換基および／またはヘテロ原子の原子
価を満たすようなここに記載した有機化合物の任意の許容される置換基を有して
いてもよい。本発明は、有機化合物の許容される置換基によって、いかようにも
制限されることを意図するものではない。
【００７４】II．触媒作用による反応 本発明の1つの態様において、少なくとも1つの立体中心を有する化合物を立体
選択的に生成するためのプロセスを提供する。本発明の利点は、アキラルな、ま
たはラセミ体の反応物質から鏡像体的に濃縮された生成物を合成できることであ
る。別の利点は、望ましくない鏡像体の生成に関連した収率の損失を実質的に減
らすことができることである。
【００７５】 概して、本発明は、反応性π結合、求核試薬、および特定の特性（以下に記載
のような）を有する少なくとも触媒量のキラルな非ラセミ触媒から構成される基
質を混合することを含む、立体選択的求核付加プロセスを特徴づける。その混合
物は、基質の反応性π結合に対して求核試薬を立体選択的に付加する反応をキラ
ルな触媒が触媒するのに適切な条件下において維持される。その反応は、鏡像体
選択的プロセス、ならびにジアステレオマー選択的プロセスに適用できる。また
、レジオアイソマー選択的反応にも適合させることができる。本発明に従って触
媒され得るような鏡像体選択的反応、速度分割、およびレジオアイソマー選択的
反応の実施例が以下に示されている。
【００７６】 模範的な実施形態において、シアン化物イオンは、本キラルな非ラセミ触媒の
存在下において、イミン官能基の炭素に付加して非ラセミα−アミノニトリル生
成物を生じる。その実施形態は、本鏡像体選択的求核付加反応の例である。本反
応の生成物は、単一のステップにおいて非ラセミN−メチルフェニルグリシン（
非天然のα−アミノ酸）に変換され得る。
【００７７】
【化４０】 本発明の別の態様において、求核付加反応は、キラルな非ラセミ触媒の存在下
において、ジアステレオマー選択的な様式で生じる。本発明のジアステレオマー
選択的な反応の例示的な実施例が以下に示されている。
【００７８】
【化４１】 別の例示的な実施形態において、本発明は、α−立体中心を含有するイミンラ
セミ混合物の速度分割の方法を提供する。ラセミイミン基質を含む本触媒が介在
する速度分割プロセスにおいて、イミンの1つの鏡像体は未反応基質として回収
できるが、他方は所望の生成物に変換される。本発明のこの態様は、ラセミ開始
原料から機能的な非ラセミ生成物を合成する方法を提供する。本実施形態は、同
様にジアステレオマー選択的プロセスでもある。
【００７９】
【化４２】 本方法を用いて可能である第二の型の速度分割は、ラセミ求核試薬の分割を含
む。以下に示された模範的な実施形態は、触媒反応によるO−メチルベンゾフェ
ノンオキシムとの反応におけるチオールのラセミ混合物の分割を中心としている
。本方法において、約0.5当量のオキシムエーテルを用いると、非ラセミ体の未
反応チオールと非ラセミ体の付加生成物の両方を含む反応混合物を提供するであ
ろう。
【００８０】
【化４３】 熟練者は、本発明が、異なる反応性の2つの反応性π結合を含む基質に適用でき
ることを認識するであろう。以下の例示的実施形態は、2つのイミンの立体環境
が異なるようなジイミン基質を含む；本方法は、他の全ての因子は同じであり、
より障害の少ないイミン基における求核付加を選択的に触媒することが期待され
ている。
【００８１】
【化４４】 さらには、熟練者は、本発明が異なる種類の反応性π結合を含む基質に適用で
きることを認識するであろう。以下の例示的実施形態は、イミンとヒドラゾンの
両方を含有する基質を含む。本方法は、他の全ての因子は同じであり、イミン基
における求核反応を選択的に触媒することが期待されている。
【００８２】
【化４５】 また、本方法および触媒は、分子間の分別においても利用できる。以下に示さ
れる例示的実施形態において、キラルな非ラセミ触媒は、N−アリルイミンに対
するチオールの分子間鏡像体選択的付加を触媒する。
【００８３】
【化４６】 本方法のプロセスは、非常に高い立体選択性（例えば鏡像体選択性、もしくは
ジアステレオマー選択性）、またはレジオアイソマー選択性を有する光学活性生
成物を提供する。本鏡像体選択的反応の好ましい実施形態において、本発明のプ
ロセスによって、好ましくは50%より高い、さらに好ましくは75%より高い、最も
好ましくは90%より高い鏡像体超過(e.e.)を得ることができる。同様に、レジオ
アイソマー選択的反応に関して、本発明のプロセスによって、好ましくは5：1よ
り大きい、より好ましくは10：1より大きい、最も好ましくは25：1より大きい、
望ましいレジオアイソマー／望ましくないレジオアイソマーの比を得ることがで
きる。本発明のプロセスは、商業的利用に適した反応速度で生じる。
【００８４】 上記の検討から明白であるように、本発明の不斉合成プロセスによって生成さ
れるキラル生成物は、それらの所望の誘導体を提供するためにさらに反応を受け
ることができる。このような許容される誘導体化反応は、当業界で公知の従来法
に従って実施できる。例えば、可能な誘導体化反応として、エポキシ化、オゾン
分解、ハロゲン化、ハロゲン水素化、水素付加、エステル化、アルコールのアル
デヒド、ケトンおよび／またはカルボン酸誘導体への酸化、アミドのN−アルキ
ル化、アルデヒドのアミドへの付加、ニトリル還元、アルコールのエステルによ
るアシル化、アミンのアシル化等が挙げられる。さらに例示のために、本立体選
択的反応を含むスキームによって合成され得る医薬品の模範的な分野として、心
臓脈管薬、非ステロイド性抗炎症薬、中枢神経薬、および抗ヒスタミン薬が挙げ
られる。
【００８５】III．触媒 本方法において用いられている触媒として、不斉求核付加反応のために制御さ
れた立体環境を提供するようなキラルな錯体が挙げられる。概して、本発明によ
って意図されている触媒は、多くの特性によって特徴づけることができる。例え
ば、本発明によって考えられている触媒のそれぞれの顕著な態様は、その分子の
触媒部位近くに固定(rigid)のまたは半固定(semi-rigid)の環境を提供する金属
配位子の使用に関する。キレート化された金属がもたらす構造的固さによるこの
特徴は、触媒部位に対する基質の選択的な接近を確立するために使用でき、従っ
て、求核付加反応において立体選択性および／またはレジオアイソマー選択性を
もたらす。さらには、配位子は、好ましくは、金属の配位圏に制限を設ける。
【００８６】 触媒の別の態様は、その触媒のための金属原子の選択に関する。通常、触媒を
形成するために、例えば、周期表の1、2、12、13、または14族の1つから選択さ
れた金属のような任意の主族金属を用いることができる。しかしながら、好まし
い実施形態において、金属は、12、13、または14族から選択されるであろう。例
えば、適切な金属として、Li、Na、K、Pb、Be、Mg、Ca、Sr、Zn、Cd、Hg、B、Al
、Ga、In、Si、Ge、およびSnが挙げられる。特に好ましい金属は、13または14族
からのものであり、とりわけAl(III)である。
【００８７】A． キラルな4座触媒 これら所望の特徴を考慮して、あるクラスの特に好ましいキラルな触媒として
、いくらかの歪みは考えられるが、実質的に正方平面(square planar)または正
方錐(square pyramidal)の立体配置で主族金属に配位するキラルな4座配位子を
提供する。言い換えると、これらの正方構造は、ルイス塩基原子が実質的に同じ
平面にあり、あるいは金属もその平面内（正方平面）、またはその平面の上もし
くは下（正方錐）にある4座配位子を称する。
【００８８】 本発明において用い得る好ましい正方4座触媒は、一般化学式100：
【化４７】 により表すことができ； ここでZ1、Z2、Z3およびZ4は、窒素（例えばイミン、アミンおよびアミド）、酸
素、リン（例えばホスフィンまたはホスフィニート）、ヒ素（アルシン）、およ
び硫黄を含む基から選択されるようなルイス塩基を表す。
【００８９】 C1部分（Z1、Z3およびMで形成されている）およびC2部分（Z2、Z4およびMで形
成されている）は、それぞれ独立して、複素環を形成している。上記の化学式に
表されるC1およびC2構造は、金属Mとの共有結合の欠損のために共有結合によっ
て閉じた環でなくても差し支えなく、この開示の目的に関して、その場合でも、
金属触媒原子Mを含む本構造および類似構造は、複素環として称されるであろう
し、さらにそれらの置換基は、複素環の学名に関連して称されるであろう（例え
ば、「縮合環」または「架橋環」）。R1、R2、R'1、およびR'2における置換に加
えて、C1およびC2環は、R40およびR41によって例示されているように、適当な場
合には、環の他の位置において置換されていても当然差し支えない。さらには、
ある実施形態において、C1の2つ以上の置換基が、お互いに共有結合して、C1環
原子を含む縮合環または架橋環を提供し得ることは、高く評価されるであろう。
同様の構造がC2環においても提供され得る。
【００９０】 従って、例示された構造100において、R1、R2、R'1、およびR'2は、それぞれ
独立して、存在しないか、またはルイス塩基原子の原子価要求によって許容され
るようないくつかの置換を表し、その置換は、水素、ハロゲン、アルキル、アル
ケニル、アルキニル、ヒドロキシル、アルコキシル、シリロキシル、アミノ、ニ
トロ、チオ、アミン、イミン、アミド、ホスホネート、ホスフィン、カルボニル
、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテ
ル、ケトン、アルデヒド、エステル、または−(CH2)m−R7による置換であって差
し支えなく；R40およびR41は、それぞれ独立して、存在しないか、またはそれが
結合する環原子の原子価要求によって許容される有機または無機の置換基でのC1 およびC2の1つ以上の共有結合置換を表し、あるいはR1、R2、R'1、R'2、R40およ
びR41の任意の2つ以上が合わさって、架橋置換基を形成し；4座配位子としてC1
およびC2を形成するために、R1、R'1およびR41の少なくとも1つが、R2、R'2また
はR40の少なくとも1つと共に架橋置換基を形成することを条件とし；R7がアリー
ル、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環もしくは多環を表し、さらにｍ
はゼロまたは1から8の範囲内の整数である。
【００９１】 C1およびC2の実際の置換基は、特定の反応スキームの必要に応じて広範囲に変
化し得るが、1つの重要な条件として、Mと正方平面錯体を形成する4座配位子を
提供するために、C1の少なくとも1つの置換基はC2の少なくとも1つの置換基と共
有結合を形成しなければならない。すなわち、配位子は、C1およびC2を包含する
架橋環または多環である。さらには、触媒が、例えば立体選択的反応を触媒でき
るようにキラルであるために、R1、R2、R'1、R'2、ならびにC1およびC2の他の置
換基は、例えば配位子が不斉であるように、少なくとも1つの立体中心または1つ
の不均斉の軸をもたらすように選択される。
【００９２】 一般構造100において、Mは周期表の1、2、12、13、または14族の主族金属を表
す。もっとも好ましい実施形態において、Mは例えば12、13、または14族の金属
のような後期(late)主族金属の群から選択されるであろう。さらに好ましくは、
MはAl(III)であろう。さらには、金属は、対陰イオンまたは求核試薬によって配
位され得る。
【００９３】 このクラスの模範的な触媒は、例えば、サレン(salen)、ポルフィリン、クラ
ウンエーテル、アザクラウン(azacrown)エーテル、シクラム(cyclam)、フタロシ
アニン等から誘導された配位子を含む。
【００９４】 特に好ましい実施形態において、本反応は、キラルな配位子のイミン、好まし
くはジイミン架橋を介して錯体形成した金属イオンを有するキラルな触媒を使用
する。従って、構造100のこのような変異体は、任意の1つ以上のルイス塩基がイ
ミンであり、イミンの金属−シッフ塩基の形態が非常に好ましいような実施形態
において提供できる。
【００９５】 さらに例示として、本方法において有用である4座触媒は、キラルなサレンま
たはサレン様配位子（下記において「サレネート(salenate)」）を用いて作成で
きる。不斉メタロサレネート触媒は、以下に記載されているメタロポルフィネー
トのような他の多くのキラルな4座触媒と比べて、サレネート配位子が金属から
ちょうど2結合の長さ離れて位置する立体中心を有し得るといった明確な利点を
もたらす。この反応性部位に対するキラル中心の近接性は、高い立体選択性をも
たらすことができる。
【００９６】 ここに開示されたように、サレン錯体は、不斉求核付加反応にとって非常に有効
な触媒である。この反応群は、単に、その高い立体選択性−鏡像体選択性、ジア
ステレオマー選択性等−およびその生成物の有用性のためだけでなく、また触媒
プロセスとしての顕著な効率のために注目に値する。
【００９７】 さらには、キラルなサレネートの合成は、文献に報告されている150以上の異
なるキラルなメタロサレネートを用いて、当業界でよく特徴づけられている（再
考のため、Collman et al. (1993) Science 261: 1404-1411を参照）。これらの
配位子は、Larrow et al., J Org Chem (1994) 59: 1939-1942に記載されている
ように、容易に利用できる原料から大規模で開始し、容易に、かつ安価に合成さ
れる。重要なことに、メタロサレネート合成の全体的な精通性および容易性によ
り、配位子の立体的または電子的特徴に適合させるために系統的方法でその置換
基を容易に変化させることが可能となっている。この特徴は、特定の型の反応ま
たは基質に対して最適化された配位子の合成を可能とする。このような触媒の立
体的または電子的「調節(tuning)」（以下に記載）が、不斉反応において形成さ
れる生成物の収率、およびe.e.に有意な効果を与え得ることが認められている。
特に、大きなブロッキング置換基(blocking substituent)の使用は、不斉求核付
加反応において、生成物の高いe.e.を達成するために望ましい。さらには、立体
的基(stereogenic moiety)は鏡像体選択性を改善するために容易に修飾され得る
。
【００９８】 通常、キラルなメタロサレネート触媒として本方法において有用であるサレネ
ート配位子は、少なくとも1つの立体中心を有する4座配位子を形成するために連
結している2つの置換されたβ−イミノカルボニルとして特徴付けることができ
る。模範的な実施形態において、本発明の不斉求核付加プロセスにおいて有用で
あるメタロサレネート触媒は、一般化学式：
【化４８】 を有する2つの置換されたβ−イミノカルボニルとの金属錯体により表すことが
でき； ここで、置換基R1、R2、Y1、Y2、X1、X2、X3およびX4は、それぞれ独立して、水
素、ハロゲン、アルキル、アルケニル、アルキニル、ヒドロキシル、アルコキシ
ル、シリロキシル、アミノ、ニトロ、チオール、アミン、イミン、アミド、ホス
ホネート、ホスフィン、カルボニル、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエ
ーテル、スルホニル、セレノエーテル、ケトン、アルデヒド、エステル、または
−(CH2)m−R7を表し、 あるいは、任意の2つ以上の置換基が合わさって、環構造内に4から8原子を有す
る炭素環または複素環を形成し、その環構造は、例えば、X1とX2が環を形成して
いる場合には縮合環となり得、またはその環は、R1、R2およびX4、もしくはY1お
よびX2が単一置換基の異なる末端を表す場合には、架橋環であり得、 R1、Y1、X1およびX2の少なくとも1つが、R2、Y2、X3およびX4の少なくとも1つに
共有結合し、4座配位子としてβ−イミノカルボニルを提供することを条件とし
ており； R7は、アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環または多環を表し
； ｍはゼロまたは1から8の範囲内の整数であり； Mは主族金属を表し；かつ Aは対イオンまたは求核試薬を表し、 ここでβ−イミノカルボニルの各置換基、例えばR1、R2、Y1、Y2、X1、X2、X3お
よびX4は、それぞれ、その触媒が不斉になるように選択される。
【００９９】 R1、R2、Y1、Y2、X1、X2、X3およびX4のそれぞれの選択は、例えば、特定の基
質セットのための触媒の調節、ならびに反応が実施される溶媒系のような電気的
および立体的な検討材料に依存する。
【０１００】 サレネート配位子のキラリティー（掌性）は、1つ以上のキラル原子（例えば
炭素、硫黄、リン、もしくはキラリティーの能力がある他の原子）が存在する結
果であり、または回転制限、ヘリシティー(helicity)、モレキュラーノッティン
グ(molecular knotting)、もしくはキラルな金属錯体形成による、不斉軸(axix
of asymmetry)の結果であり得る。さらに、置換基の特定の選択に関する指針が
ここに示されている。
【０１０１】 好ましい実施形態において、R1、R2、Y1、Y2、X1、X2、X3およびX4の選択は、
一般化学式：
【化４９】 により表される1つのクラスの触媒をもたらし： ここでB1部分は、例えば各β−イミノカルボニルのイミノ窒素に連結している架
橋置換基のようなジイミン架橋を表し、かつ好ましくは、サレン配位子の少なく
とも1つのキラル中心を含む。例えば、β−イミノカルボニルの金属配位イミン
と合わさっているＢ1は、アルキル、アルケニル、アルケニルのジイミン、また
は−R15−R16−R17−のジイミンを表していても差し支えなく、ここでR15および
R17は、それぞれ独立して、存在しないか、またはアルキル、アルケニルもしく
はアルキニルを表し、かつR16は存在しないか、またはアミン、イミン、アミド
、ホスホネート、ホスフィン、カルボニル、カルボキシル、シリル、酸素、硫黄
、スルホニル、セレニウム、もしくはエステルを表し；B2およびB3は、それぞれ
独立して、環構造内に4から8原子を含む、シクロアルキル、シクロアルケニル、
アリール、および複素環より成る群から選択された環を表す。R12、R13およびR1 4 は、それぞれ独立して、存在しないか、または、ハロゲン、アルキル、アルケ
ニル、アルキニル、ヒドロキシル、アルコキシル、シリロキシ、アミノ、ニトロ
、チオール、アミン、イミン、アミド、ホスホネート、ホスフィン、カルボニル
、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテ
ル、ケトン、アルデヒド、エステル、または−(CH2)m−R7によるB1、B2およびB3 の少なくとも1つの共有結合置換を表し（置換基R12は、−R15−R16−R17−の1つ
以上の位置に存在できる）；R7は、アリール、シクロアルキル、シクロアルケニ
ル、複素環または多環を表し；ｍはゼロまたは1から8の範囲内の整数である。さ
らには、合わさって置換されたR12、R13、R14、Y1およびY2の任意の2つ以上が、
架橋置換基を形成して、2つのβ−イミノカルボニルを架橋し、および／または
同じβ−イミノカルボニルの異なる部分を架橋することができる。上記のように
、キラルな触媒を提供するために、キラル配位子を確立するようにＢ2およびＢ3 の選択（それらの置換基を含む）および／またはＢ1における置換基の選択（例
えば、Ｂ1は立体中心を有する）が成される。
【０１０２】 Aは求核試薬または対イオンを表す。
【０１０３】 特に、添付実施例に記載されているように、サレネート配位子は、置換された
サリシルアルデヒドと、置換されたジアミン、好ましくはキラルなジアミンの1
つの立体異性体とを縮合させることによって得ることができ、さらに、所望の金
属と反応させてサレン（N,N'−ビス(サリシリデンアミノ)アルキル）金属錯体を
形成することができる。サレン配位子を生成するための模範的反応は、Zhang an
d Jacobsen J Org Chem (1991) 56: 2296-2298、およびJacobsen et al.国際特
許出願第WO93/03838号に基づき：
【化５０】 により構成される。
【０１０４】 その反応スキームおよび当業界で周知の他の反応スキームを利用することによっ
て、一般化学式：
【化５１】 により表される、あるクラスのサレンを提供でき； ここで、R1、R2、R3、R4、R5、Y1、Y2、X1、X2、X3 、X4、X5、X6、X7およびX8
は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、アルキル、アルケニル、アルキニル、
ヒドロキシル、アルコキシル、シリロキシル、アミノ、ニトロ、チオール、アミ
ン、イミン、アミド、ホスホリル、ホスホネート、ホスフィン、カルボニル、カ
ルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテル、
ケトン、アルデヒド、エステル、または−(CH2)m−R7を表し； あるいは、任意の2つ以上の置換基が合わさって、環構造内に少なくとも4原子を
有する炭素環または複素環を形成し； R7は、アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環または多環を表し
； ｍはゼロまたは1から8の範囲内の整数であり； Mは主族金属を表し； ここで、もしＲ5が存在しなければ、Ｒ1およびＲ2の少なくとも1つがＲ3および
Ｒ4の少なくとも1つと共有結合し；かつサレネートが、例えば不斉である等、少
なくとも1つの立体中心を有するように、サレネート配位子の置換基が選択され
る。さらには、金属は対イオンによって配位され得る（以下に記載の古い触媒(a
ged catalyst)におけるように）。
【０１０５】 キラル配位子の作成に関して、特定の置換基を選択する場合に、サレネート配
位子が、例えば配位子の4つの配位原子の平面に対して、触媒の両方の“側”に
潜在的な触媒部位を有するように注意することが重要である。従って、上記の実
施形態においてβ−イミノカルボニルの適切な置換基を選択する場合に、（1）
触媒の両方の側が同一の立体選択性をもたらす立体中心を有するか、もしくは（
2）適切な立体選択性の立体中心を有する側は接近しやすいが、他の側は実質的
にその側において金属原子の接近を阻害するようなブロッキング構造を有するか
のどちらかであることが重要である。
【０１０６】 これら選択肢の前者（1）が好ましい。すなわち、サレネート配位子の各側に
おいて少なくとも1つの立体中心を有し、それぞれが同じ絶対配置（ＲまたはＳ
）を有することが好ましい。例えば、実施例1に記載されている(R,R)−1,2−ジ
フェニル−1,2−ビス（3−tert−ブチルサリシリドアミノ）エタンは、触媒の各
側に同一の立体選択的な表面を生じさせる2つの立体中心をジイミン架橋上に含
む。このC2−対称触媒(C2-symmetric catalyst)は、たとえ不自然でも、選択性
の喪失無しに、基質の接近がいずれの表面からも生じ得るため、「漏れ(leakage
)」反応を受けにくいという利点を有する。
【０１０７】 対照的に、「片面 (mono-faced)」触媒の反応性制御は、望まれていない表面
への基質の接近を立体的に阻害することによって達成できる。例えば、化学式10 6 において、R1、R2およびR3がプロトン（陽子）であり、かつR4がフェニルであ
るようなサレネート(R)−2−フェニル−1,2−ビス（３−tert−ブチルサリシリ
ドアミノ）エタンは、鏡像体選択性に関して不等価な2つの表面を有する。従っ
て、「自由」表面(free face)（例えば、ジイミンのC1およびC2の両方のプロト
ンを有する表面）への接近をブロックする基でサレネート配位子を誘導体化する
ことによって、1つの鏡像体表面(enantiotopic face)を有するキラルな触媒とし
てその配位子を確立できる。例えば、ジイミン架橋のフェニル基が触媒の「正面
」にあり、かつX4およびX8が共有結合して触媒の「背面」で架橋を形成しており
、そのような架橋置換が背面からの金属への接近を不可能としているような「ピ
クニックバスケット」型の配位子を作成できる。当業者は、他の片面および両面
の実施形態を認識するであろう（例えば、Collman et al. (1993) Science 261:
1404を参照）。
【０１０８】 本方法において有用となり得るメタロサレネートの合成スキーム、またはそれ
らの前駆体を文献から適用できる。例えば、Zhang et al. (1990) J Am Chem So
c 112: 2801；Zhang et al. (1991) J Org Chem 56: 2296；Jacobsen et al. (1
991) J Am Chem Soc 113:7063；Jacobsen et al. (1991) J Am Chem Soc 113: 6
703；Lee et al. (1991) Tetrahedron Lett 32: 5055；Jacobsen, E.N. In Cata
lytic Asymmetric Synthesis, Ojima, I., Ed., VCH: New York, 1993, chapter
4.2；E.N. Jacobsen 国際特許出願公開第WO81/14694号および第WO93/03838号；
Larrow et al. (1994) J Am Chem Soc 116: 12129；Larrow et al. (1994) J Or
g Chem 59: 1939；Irie et al. (1990) Tetrahedron Lett 31: 7345；Irie et a
l. (1991) Synlett 265；Irei et al. (1991) Tetrahedron Lett 32: 1056；Iri
e et al. (1991) Tetrahedron Asymmetry 2: 481；Katsuki et al. 米国特許出
願第5,352,814号；Collman et al. (1993) Science 261: 1404；Sasaki et al.
(1994) Tetrahedron 50: 11827；Palucki et al. (1992) Tetrahedron Lett 33:
7111；およびSrinivasan et al. (1986) J Am Chem Soc 108: 2309を参照。上
記引例、ならびに添付実施例に記載されている模範的なサレネート配位子を以下
に示す［Ph=フェニル；tBu＝tert−ブチル］。
【０１０９】
【化５２】 本方法のさらに別の実施形態において、化学式100の４座触媒は、金属原子と
共に、一般化学式：
【化５３】 により表されるキラルな4座配位子として作成され； ここで、D1、D2、D3およびD4は、それぞれ、ピロール、ピロリジン、ピリジン、
ピペリジン、イミダゾール、ピラジン等のような複素環を表し； 構造内に生じている各R18は、隣接する複素環を連結している架橋置換基であり
、かつ好ましくは少なくとも1つの配位子の立体中心を含む。例えば、各R18はア
ルキル、アルケニル、アルキニル、または−R15−R16−R17−を表し、ここでR15 およびR17は、それぞれ独立して、存在しないか、またはアルキル、アルケニル
もしくはアルケニルを表し、かつR16は存在しないか、またはアミン、イミン、
アミド、ホスホネート、ホスフィン、カルボニル、カルボキシル、シリル、酸素
、スルホニル、硫黄、セレニウム、もしくはエステルを表し； 各R19は、それぞれ独立して、存在しないか、またはそれが結合している複素環
の1つ以上の置換基を表し、各置換基は、それぞれ独立して、ハロゲン、アルキ
ル、アルケニル、アルキニル、ヒドロキシル、アルコキシル、シリロキシル、ア
ミノ、ニトロ、チオール、アミン、イミン、アミド、ホスホネート、ホスフィン
、カルボニル、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、
セレノエーテル、ケトン、アルデヒド、エステル、および−(CH2)m−R7より成る
群から選択され； あるいは、置換基R18およびR19の２つ以上が共有結合して架橋置換基を形成し； R7は、アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環または多環を表し
； ｍはゼロまたは1から8の範囲内の整数であり；さらに Mは主族金属を表し、 ここで置換基R18およびR19のそれぞれが、例えばその触媒が少なくとも1つの立
体中心を含む等、その触媒が不斉となるように選択される。金属は、通常、対イ
オンによって配位され得る（以下に記載の古い触媒におけるように）。
【０１１０】 好ましい実施形態において、D1−D4は置換されたピロールであり、かつその触
媒はキラルなポルフィリンまたはポルフィリン様配位子（下記に「ポルフィリネ
ート」として記載）である。上記のサレネート配位子の場合と同様に、膨大な数
のポルフィリネートの合成が文献で報告されている。通常、ほとんどのキラルな
ポルフィリンが3つの方法で調製されている。最も一般的な試みは、予め形成さ
れたアミノ−またはヒドロキシ−置換ポルフィリン誘導体のようなポルフィリン
に対してキラル単位(chiral units)を結合させることを含む（Groves et al. (1
983) J Am Chem Soc 105: 5791を参照）。あるいは、キラルなアルデヒドをピロ
ールと縮合させることによって、ポルフィリン形成段階においてキラル置換基を
誘導できる（O'Malley et al. (1989) J Am Soc 111: 9116を参照）。また、キ
ラルなポルフィリンは、キラルな基を結合させないで調製することもできる。上
記のサレネートにおいて記載された架橋した鏡像体表面と同様に、架橋ポルフィ
リンは、隣接したおよび／または反対側のピロール位置における交差連結によっ
て作成でき、さらにキラルな固定相 (chiral stationary phase)を用いた予備的
HPLCにより、生成された片方の鏡像体を分離できる（Konishi et al. (1992) J
Am Chem Soc 114: 1313を参照）。キラルなサレネート配位子の場合と同様に、
生成されたポルフィリネートは、キラルとみなすためには、鏡面(mirror plane)
を有してはならない。
【０１１１】 化学式100に関連して、メタロポルフィリネート触媒は、化学式108により表され
ているのに加えて、Z1、Z2、Z3およびZ4のそれぞれが窒素を表し、かつC1および
C2が、それらの置換基（R1、R2、R'1、R'2を含む）と共に、Z1、Z2、Z3およびZ4 を含む4つの置換されたピロール環を形成している場合に、化学式100の化合物に
よって一般的に表すことができる。正方形型4座配位子を完成するために、各ピ
ロール環は2つの隣接ピロール環に共有結合している。
【０１１２】 好ましい実施形態において、メタロポルフィリネート触媒は、一般化学式110
：
【化５４】 により表され； ここで、構造110内に存在するR20は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、アル
キル、アルケニル、アルキニル、ヒドロキシル、アルコキシル、シリロキシル、
アミノ、ニトロ、チオ、アミン、イミン、アミド、ホスホネート、ホスフィン、
カルボニル、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セ
レノエーテル、ケトン、アルデヒド、エステル、または−(CH2)m−R7を表し； 構造110内に存在するR19およびR'19は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、ア
ルキル、アルケニル、アルキニル、ヒドロキシル、アルコキシル、シリロキシル
、アミノ、ニトロ、チオ、アミン、イミン、アミド、ホスホネート、ホスフィン
、カルボニル、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、
セレノエーテル、ケトン、アルデヒド、エステル、または−(CH2)m−R7を表し； あるいは、同じピロール上の任意の2つのR19およびR'19置換基は、合わさって、
環構造内に4から7の原子を有する縮合炭素環または縮合複素環を形成しても差し
支えなく； あるいは、R19、R'19およびR20置換基の任意の2つ以上が共有結合して交差連結
し、架橋置換基を形成し； R7は、アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環または多環を表し
； ｍはゼロまたは1から8の範囲内の整数であり；さらに Mは主族金属を表し、 ここで置換基R19、R'19およびR20それぞれが、例えばその触媒が不斉である等、
その触媒が少なくとも1つの立体中心を有するように選択される。金属は、通常
、対イオンによって配位されているであろう（以下に記載の古い触媒におけるよ
うに）。
【０１１３】 上記のサレネート配位子と同様に、反応収率およびe.e.を最適化するためにポ
ルフィリン配位子を立体的、または電子的に「調節する」ことが可能である。適
切なポルフィリン配位子および合成スキームの例は、当業技術から適合させるこ
とができる。例えば、Chang et al. (1979) J Am Chem Soc 101: 3413；Groves
et al. (1989) J Am Chem Soc 111: 8537；Groves et al. (1990) J Org Chem 5
5: 3628；Mansuy et al. (1985) J Chem Soc Chem Commun p 155；Nauta et al.
(1991) J Am Chem Soc 113: 6865；Coll,an et al. (1993) J Am Chem Soc 115
: 3834；およびKruper et al. (1995) J Org Chem 60: 725を参照。
【０１１４】 一般化学式100によって表され、本不斉合成反応において有用である、さらに
別のクラスの4座触媒は、化学式：
【化５５】 により表すことができ； ここで、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13およびR14は、それぞれ独
立して、水素、ハロゲン、アルキル、アルケニル、アルキニル、ヒドロキシル、
アルコキシル、シリロキシル、アミノ、ニトロ、チオ、アミン、イミン、アミド
、ホスホネート、ホスフィン、カルボニル、カルボキシル、シリル、エーテル、
チオエーテル、スルホニル、セレノエーテル、ケトン、アルデヒド、エステル、
または−(CH2)m−R7を表し； あるいは、任意の2つ以上の置換基が合わさって、その環構造内に少なくとも4原
子を有する炭素環または複素環を形成し； R7は、アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環または多環を表し
； ｍはゼロまたは1から8の範囲内の整数であり；さらに Mは主族金属を表し、 ここで、もしＲ5が存在しないならば、R1およびR2の少なくとも1つがＲ3および
Ｒ4の少なくとも1つと共有結合し、さらに、 その触媒が不斉となるように置換基が選択される。金属は、通常、対イオンによ
って配位されているであろう（以下に記載の古い触媒におけるように）。
【０１１５】 化学式112の模範的な触媒として：
【化５６】 が挙げられる。
【０１１６】 これら触媒および他の関連する触媒の合成は、文献から適合させることができる
。例えば、Ozaki et al. (1990) J Chem Soc Perkin Trans 2: 353；Collins et
al. (1986) J Chem Soc 108: 2088；およびBrewer et al. (1988) J Am Chem S
oc 110: 423を参照。
【０１１７】 さらに別の実施形態において、化学式100の４座触媒は、一般化学式114：
【化５７】 により表される配位子を有するアザマクロサイクル(azamacrocycle)のクラスか
ら選択でき； ここで、Ｒ21、およびＲ22は、それぞれ、水素、ハロゲン、アルキル、アルケニ
ル、アルキニル、ヒドロキシル、アルコキシル、シリロキシル、アミノ、ニトロ
、チオ、アミン、イミン、アミド、ホスホネート、ホスフィン、カルボニル、カ
ルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテル、
ケトン、アルデヒド、エステル、または−(CH2)m−R7を表し； R20は、存在しないか、またはそれが結合しているピリジンの１つ以上の置換基
を表し、ここで各置換基は、それぞれ独立して、ハロゲン、アルキル、アルケニ
ル、アルキニル、ヒドロキシル、アルコキシル、シリロキシル、アミノ、ニトロ
、チオ、アミン、イミン、アミド、ホスホネート、ホスフィン、カルボニル、カ
ルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテル、
ケトン、アルデヒド、エステル、または−(CH2)m−R7より成る群から選択され； R23およびR24は、それぞれ独立して、存在しないか、またはそれらが結合してい
る1,3−ジイミノプロピルの１つ以上の置換基を表し、各置換基は、それぞれ独
立して、ハロゲン、アルキル、アルケニル、アルキニル、ヒドロキシル、アルコ
キシル、シリロキシル、アミノ、ニトロ、チオ、アミン、イミン、アミド、ホス
ホネート、ホスフィン、カルボニル、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエ
ーテル、スルホニル、セレノエーテル、ケトン、アルデヒド、エステル、または
−(CH2)m−R7より成る群から選択され； あるいは、置換基R20、R21、R22、R23、およびR24の2つ以上が共有結合して架橋
置換基を形成し； R7は、アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環または多環を表し
； ｍはゼロまたは1から8の範囲内の整数であり； ここで置換基R20、R21、R22、R23、およびR24は、その触媒が不斉となるように
選択される。
【０１１８】 このクラスの４座触媒の1つの利点は、サレネートと同様に、その配位子が金属
−シッフ塩基錯体を提供するという事実から派生する。さらには、立体中心が、
金属中心の2結合の長さの範囲内に存在し得る。化学式114の模範的な配位子とし
て：
【化５８】 が挙げられる。
【０１１９】 これらおよび化学式114および他の実施形態の合成が、Prince et al. (1974) In
org Chim Acta 9: 51-54 およびその中で挙げられている引例において記載され
ている。
【０１２０】 本発明の方法のさらに別のクラスの4座配位子は、一般化学式116：
【化５９】 により表されるようなシクラムであり； ここで、置換基Q8のそれぞれは、独立して、存在しないか、または水素もしくは
低級アルキルであり、かつR25、R26、R27、およびR28は、それぞれ独立して、そ
れらが結合しているエチルまたはプロピルジイミン上の１つ以上の置換基を表し
、それら置換基は、水素、ハロゲン、アルキル、アルケニル、アルキニル、ヒド
ロキシル、アルコキシル、シリロキシル、アミノ、ニトロ、チオ、アミン、イミ
ン、アミド、ホスホネート、ホスフィン、カルボニル、カルボキシル、シリル、
エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテル、ケトン、アルデヒド、
エステル、および−(CH2)m−R7より成る群から選択され；あるいは、任意の２つ
以上の置換基が合わさって、架橋置換基を形成し；R7は、アリール、シクロアル
キル、シクロアルケニル、複素環または多環を表し；かつｍはゼロまたは1から8
の範囲内の整数である。ここで置換基は、その触媒が不斉となるように選択され
る。本発明において有用であるキラルなシクラムの模範的な実施例および合成ス
キームは、当業技術から適合させることができる。例えば、Burrowns et al. 米
国特許出願第5,126,464号、Kimura et al. (1984) Inorg Chem 23: 4181； Kimu
ra et al. (1984) J Am Chem Soc 106: 5497；Kushi et al. (1985) J Chem Soc
Chem Commun 216；Machida et al. (1986) Inor Chem 25: 3461；Kimura et al
. (1988) J Am Chem Soc 110: 3679；およびTabuchi et al. (1977) Tetrahedro
n Lett 18: 1049を参照。
【０１２１】Ｂ．キラルな3座触媒 本方法のさらに別の実施形態において、反応においてもたらされるキラルな触
媒は、上記のようにその立体配置に多少の歪みが考えられるが、実質的に平面型
の立体配置において主族金属に配位する3座配位子を有するようなあるクラスの
キラルな触媒である。
【０１２２】 本反応において用い得る好ましい平面型3座触媒は、一般化学式140：
【化６０】 により表すことができ； ここで、Z1、Z2、Z3およびZ4は、それぞれ、窒素、酸素、リン、ヒ素、および硫
黄より成る群から選択されるようなルイス塩基を表し； Z1、Z2およびMで形成されるE1部分、およびZ2、Z3およびMで形成されるE2部分は
、それぞれ独立して、複素環を形成し； R80、およびR81は、それぞれ独立して、存在しないか、またはそれが結合する環
原子の原子価要求によって許容される有機または無機の置換基での1つ以上の共
有結合置換を表し、 あるいは、置換基R80、およびR81の任意の2つ以上が合わさって、架橋置換基を
形成し；さらに、Mは主族金属イオンを表し、ここで置換基R1、R2、R'1、R'2、R 80 およびR81は、前記3座配位子において少なくとも1つの立体中心を提供するよ
うに選択される。好ましい実施形態において、化学式140において存在するR80、
およびR81は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、アルキル、アルケニル、ア
ルキニル、ヒドロキシル、アルコキシル、シリロキシル、アミノ、ニトロ、チオ
ール、アミン、イミン、アミド、ホスホネート、ホスフィン、カルボニル、カル
ボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテル、ケ
トン、アルデヒド、エステル、または−(CH2)m−R7を表し；R7は、アリール、シ
クロアルキル、シクロアルケニル、複素環または多環を表し；かつｍはゼロまた
は1から8の範囲内の整数である。金属は、対イオンによって配位されているであ
ろう（以下に記載の古い触媒におけるように）。
【０１２３】 例えば、本立体選択的反応において有用であるキラルな3座触媒は、一般化学
式142および144：
【化６１】 により表される配位子を有していて差し支えなく； ここで、R100、R102およびR104は、それぞれ独立して、存在しないか、またはそ
れが結合している複素環の1つ以上の共有結合置換を表し、あるいは、その置換
基の任意の2つ以上が合わさって、架橋置換基を形成し；ここで、置換基R100、R 102 およびR104は、それぞれ、もし存在するならば、ハロゲン、アルキル、アル
ケニル、アルキニル、ヒドロキシル、アルコキシル、シリロキシル、アミノ、ニ
トロ、チオール、アミン、イミン、アミド、ホスホネート、ホスフィン、カルボ
ニル、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノエ
ーテル、ケトン、アルデヒド、エステル、または−(CH2)m−R7より成る群から選
択することができ；R7は、アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素
環または多環を表し；かつｍはゼロまたは1から8の範囲内の整数である。また、 142 の置換基は、3座配位子において少なくとも1つの立体中心をもたらすことが
意図されている。2,2':6',2"−テルピリジン(terpyridine)配位子142の模範的実
施形態は、例えば、Pstts et al. (1987) J Am Chem Soc 109: 3961；Hadda et
al. (1988) Polyhedron 7: 575；Potts et al. (1985) Org Synth 66: 189；お
よびConstable et al. (1988) Inorg Chim Acta 141: 201から適合させることが
できる。模範的2,6−ビス(N−ピラゾリル)ピリジン配位子144は、例えば、Sreel
et al. (1983) Inorg Chem 22: 1488；およびJameson et al. (1990) J Org Ch
em 55: 4992から適合させることができる。
【０１２４】 本立体選択的反応において有用であるさらに別のクラスの平面型3座配位子は
、一般化学式146：
【化６２】 により表される配位子を有していて差し支えなく； ここで、ここで、R106、R108およびR110は、それぞれ、水素、ハロゲン、アルキ
ル、アルケニル、アルキニル、ヒドロキシル、アルコキシル、シリロキシル、ア
ミノ、ニトロ、チオール、アミン、イミン、アミド、ホスホネート、ホスフィン
、カルボニル、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、
セレノエーテル、ケトン、アルデヒド、エステル、または−(CH2)m−R7より成る
群から選択でき；R112は、存在しないか、またはそれが結合している複素環の1
つ以上の共有結合置換を表し；あるいは置換基R106、R108、R110、およびR112の
任意の2つ以上が合わさって、架橋置換基を形成し；R7は、アリール、シクロア
ルキル、シクロアルケニル、複素環または多環を表し；かつｍはゼロまたは1か
ら8の範囲内の整数である。146の置換基の選択は、そのキラリティーを増強する
ことが意図されている。サリシルアルデヒド誘導配位子146の模範的実施形態お
よびその合成は、例えば、Desimoni et al. (1992) Gazzetta Chimica Italiana
122: 269から適合させることができる。
【０１２５】 好ましい実施形態において、3座配位子は、一般化学式150：
【化６３】 により与えられ； ここで、R106は、水素、ハロゲン、アルキル、アルケニル、アルキニル、ヒドロ
キシル、アルコキシル、シリロキシル、アミノ、ニトロ、チオール、アミン、イ
ミン、アミド、ホスホネート、ホスフィン、カルボニル、カルボキシル、シリル
、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテル、ケトン、アルデヒド
、エステル、または−(CH2)m−R7を表し；R112およびR'112は、存在しないか、
または、R106のために指定されたような、それが結合している複素環の1つ以上
の共有結合置換を表し；R7は、アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、
複素環または多環を表し；かつｍはゼロまたは1から8の範囲内の整数である。例
えば、添付された実施例に記載されているように、好ましいサリシルアルデヒド
誘導配位子は、一般化学式152：
【化６４】 により与えられ、R112はそれぞれ独立して選択される。
【０１２６】 本立体選択的反応において有用である、さらに別のクラスの平面3座触媒は、
一般化学式148：
【化６５】 により表される配位子を有し； ここで、R100は上述のごとく定義したものであり、R116およびR114は、水素、ハ
ロゲン、アルキル、アルケニル、アルキニル、ヒドロキシル、アルコキシル、シ
リロキシル、アミノ、ニトロ、チオール、アミン、イミン、アミド、ホスホネー
ト、ホスフィン、カルボニル、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル
、スルホニル、セレノエーテル、ケトン、アルデヒド、エステル、または−(CH2 )m−R7より成る群から選択でき；あるいは、任意の2つ以上の置換基が合わさっ
て架橋置換基を形成し；R7は、アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、
複素環または多環を表し；かつｍはゼロまたは1から8の範囲内の整数である。14 8 の置換基の選択は、その3座配位子において、少なくとも1つの立体中心をもた
らすことを意図している。サリシルアルデヒド誘導配位子148の模範的な実施形
態およびその合成は、例えば、Marangoni et al. (1993) Polyhedron 12: 1669
から適合させることができる。
【０１２７】Ｃ．触媒の調節 配位子置換基は、反応の選択性、および触媒の安定性を最適化するように選択
される。メタロサレネート触媒作用による求核付加反応の作用の正確な機構は、
まだ正確には判明していない。しかしながら、基質と触媒との間の立体選択的な
非結合相互作用の必要性は、この触媒および本反応の他のキラルな平面型触媒の
特徴である。任意の特定の学説によって固定されるのは好ましくないが、本求核
付加反応は、触媒と基質の立体特異的な非結合対の形成、すなわち基質とキラル
な触媒の配位子との間の立体的および電気的相互作用による不斉の誘導の大きな
原因となっている2つの因子を含むと考えられる。通常、「調節」とは、基質の
接近を制限するために配位子の立体的な嵩を変化させること、基質と配位子置換
基との間の立体的反発を利用すること、基質と配位子との間の電子相互作用に影
響を及ぼすために配位子の電子特性を変化させること、ならびに触媒される反応
の速度や機構を変化させることを称する。例えば、「ブロッキング基」として適
切な置換基の選択によって、ある方向からの接近が優先的になされ、他方は接近
しにくくなる。
【０１２８】 さらには、置換基の選択は、触媒の安定性にも影響し得る；通常、より嵩張っ
た置換基が、より高い触媒の代謝回転数をもたらすことが見出されている。Mn（
サレン）錯体によるオレフィンの不斉エポキシ化のために、t−ブチル基（また
は他の第三の基）が、立体選択性を最適化し、かつ触媒の代謝回転数を高めるの
に適した嵩張った基であることが見出されている。
【０１２９】 好ましい上記の各実施形態は、5,000 a.m.u.より小さい分子量、より好ましく
は、3,000 a.m.u.より小さい、かつさらに好ましくは2,500 a.m.u.より小さい分
子量を有する触媒を提供する。別の好ましい実施形態において、コア配位子、ま
たはその配位子が金属に配位している任意の分子の置換基は、いずれもその分子
量が1,000 a.m.u.を越えず、さらに好ましくはその分子量は500 a.m.u.未満であ
り、かつさらに好ましくは250 a.m.u.未満である。また、配位子上の置換基の選
択は、特定の溶媒系における触媒の溶解性に影響を与えるために利用できる。
【０１３０】 また、上記において詳細に述べたように、配位子の置換基の選択は、触媒の電
子特性に影響を与えることができる。電子が豊富な（電子供与）基（例えば、ア
ルコキシ、アミノ基を含む）で配位子を置換すると、配位子、および金属中心に
おいて電子密度が増加する。逆に、配位子上の電子吸引基（例えば、クロロ、ま
たはトリフルオロメチル）は、結果として、配位子および金属中心の電子密度を
減少させる。配位子の電子密度は、基質との相互作用（πスタッキング(π-stac
king)のような）の可能性のため重要である（例えば、Hamada et al. Tetrahedr
on (1994) 50: 11827を参照）。金属中心における電子密度は、金属のルイス酸
性に影響を与え得る。従って、適切な置換基の選択は、反応速度およびその反応
の立体選択性の「調節」を可能とする。
【０１３１】基質 本発明において有用である基質は、いくつかの基準に基づき、熟練者が特定する
ことができる。通常、適切な基質は、1つ以上の以下の特性を有するであろう：1
）基質は、本条件下において求核付加反応に加わることができるであろう；2）
前記求核付加反応によって有用な生成物が生じるであろう；3）基質は、望まし
くない官能基において反応しないであろう；4）基質は、少なくとも部分的に、
キラルな触媒によって触媒される機構を介して反応するであろう；5）基質は望
みのように反応した後、さらに望ましくない反応を著しくは受けないであろう；
6）基質は、例えば基質の変換速度よりも速い速度で、実質的に触媒と反応しな
いであろうし、または触媒の質を低下させないであろう。望ましくない副反応（
触媒の質の低下のような）は生じるであろうが、そのような反応の速度は、反応
物質および条件の選択により操作できる；これらの操作は、望ましい反応の速度
と比較して、望ましくない副反応の速度を遅くするであろう。
【０１３２】 ある実施形態において、反応基質は、同じ分子内に含まれていても差し支えな
く、従って、結果的に分子内求核付加反応をもたらす。
【０１３３】 上記のように、多種多様の基質が、本発明の方法において有用である。基質の
選択は、望みの生成物のような因子に左右されるであろうし、さらに適切な基質
は、熟練者に明白であろう。基質は、好ましくは、いずれの妨害官能基も含んで
いないことを理解するであろう。通常、適切な基質は、反応性π結合および／ま
たは求核座(nucleophilic locus)を含んでいるであろう。
【０１３４】反応条件 ここに挙げられている溶媒および温度の範囲は、限定的なものではなく、単に
本発明のプロセスの好ましい様式に相当するものであると理解されるであろうが
、本発明の不斉付加反応は、広範囲の条件下において実施できる。
【０１３５】 通常、反応は、基質、触媒、または生成物に悪影響を与えないような穏やかな
条件で実施することが望ましいであろう。例えば、反応温度は、反応速度、並び
に反応物質および触媒の安定性に影響する。反応は、通常、-78℃から100℃の範
囲内の温度で実施し、より好ましくは-30℃から50℃の範囲内であり、さらに好
ましくは-30℃から25℃の範囲内の温度で実施するであろう。
【０１３６】 通常、本発明の不斉合成反応は、液体反応媒体中で実施される。反応は、溶媒
の添加なしに実施できる。あるいは、反応は、不活性溶媒、好ましくは触媒を含
む反応原料が実質的に溶解するような不活性溶媒中において実施できる。適切な
溶媒として、ジエチルエーテル、1,2−ジメトキシエタン、ジグリム(diglyme)、
ｔ−ブチルメチルエーテル、テロラヒドロフラン等のようなエーテル；クロロホ
ルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロベンゼン等のハロゲン化溶媒；
ベンゼン、トルエン、ヘキサン、ペンタン等のような脂肪族または芳香族炭化水
素；エチルアセテート、アセトン、および2−ブタノンのようエステルおよびケ
トン；アセトニトリル、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド等の極性
プロトン性溶媒；あるいはそれらの2つ以上の溶媒の組合せが挙げられる。さら
には、ある実施形態において、用いられる条件下で、基質に対して不活性でない
溶媒を用いることが有利となり得る。ある実施形態において、エーテル溶媒が好
ましい。
【０１３７】 また、本発明は、二相性の溶媒混合液中、乳濁液もしくは懸濁液中における反
応、または脂質小胞(vesicle)もしくは脂質二重層中における反応を考えている
。ある実施形態において、固相において触媒反応を実施することが好ましいであ
ろう。
【０１３８】 ある実施形態において、反応は、反応性ガスの環境下において実施できる。反
応性ガスの分圧は、0.1から1000気圧の範囲であり得、より好ましくは0.5から10
0気圧であり、もっとも好ましくは、約1から約10気圧の範囲である。ある実施形
態において、窒素またはアルゴンのような不活性ガスの環境下において反応を実
施することが好ましい。
【０１３９】 本発明の不斉合成プロセスは、連続の、半連続の、またはバッチ方式において
実施でき、さらに、要望のように、液体再利用および／またはガス再利用の操作
を含めても差し支えない。本発明のプロセスは、好ましくは、バッチ方式で実施
する。同様に、反応原料、触媒、および溶媒の添加の様式、または順序も重要で
はなく、かつ任意の従来の方式において実施できる。ある実施形態において、基
質、求核試薬、触媒、および溶媒の組合せの特定の順序は、結果として生成物の
収率の上昇、立体もしくはレジオアイソマー選択性の向上、および／または反応
速度の上昇をもたらすことができる。
【０１４０】 本反応は、単一の反応区画(reaction zone)または複数の反応区画において、
連続して、または並行して実施でき、あるいは細長い管状区画または一連のその
ような区画において、バッチ方式で、または連続して実施できる。用いられる組
成原料は、反応の間、開始原料−基質、求核試薬、触媒、および溶媒−に対して
不活性でなければならず、さらに、装置の組立ては、反応温度、および圧力に耐
え得るものでなければならない。一連の反応の間、反応区画にバッチ方式で、ま
たは連続的に取り込まれる開始原料または材料の量を取り込み、および／または
調整する手段は、特に開始原料の所望のモル比を維持するためのプロセスにおい
て、便利に利用できる。反応ステップは、開始原料の1つを他の原料に追加で添
加することによって成立し得る。また、反応ステップは、光学活性な金属−配位
子錯体触媒に対して開始原料を統合して添加(joint addition)することによって
一体化することができる。完全転換(complete conversion)が望ましくなく、ま
たは不可能な場合には、開始原料を生成物から分離してもよく、さらに反応区画
に戻して再利用しても差し支えない。
【０１４１】 そのプロセスは、ガラスの、ガラス関連の、ステンレス鋼のまたは同様の型の
反応容器において実施できる。反応区画は、過度の温度変動を制御し、または反
応温度が「暴走」しないようにするために、1つ以上の内部のまたは外部の熱交
換器を装備していても差し支えない。
【０１４２】 さらには、キラルな触媒は、例えば、配位子の1つ以上の置換基での誘導体化
によって、高分子または他の不溶性マトリックスに固定化し、あるいは組み込む
ことができる。固定化した配位子は、キラルな金属触媒を形成するため、所望の
金属と錯体形成することができる。触媒、特にここで検討されている「エイジド
（aged）」触媒は、例えば濾過または遠心によって、反応後に容易に回収される
。
【０１４３】 実施例 これまで本発明は概して記載されており、単に本発明のある態様および実施形
態を例示する目的のため含まれ、かつ本発明を限定することを意図していない以
下の実施例を参照することによって、さらに容易に理解できるであろう。
【０１４４】 実施例1 本実施例は、キラルな（サレン）Al(III)錯体8によって触媒されるイミンに対
するHCNの鏡像体選択的付加 (シュトレッカー反応)を示す。不斉触媒反応におけ
る（サレン）主族金属錯体の最初の成功した応用において、アリール置換イミン
のシアン化水素化で優れた鏡像体選択性が得られている。鏡像体として純粋なア
ミノ酸誘導体の実践的合成に対する本方法論の適用が、6mmol規模での鏡像体的
に純粋な (S)−2−ナフチルグリシンメチルエステルの合成において例示されて
いる。
【０１４５】 イミンに対するシアン化合物の付加（シュトレッカー反応）1は、α−アミノ
酸誘導体の不斉合成のための最も直接的かつ実行可能な方法を構成する。共有結
合したキラルな助剤(auxiliaries)を有するイミンを用いた本反応の立体選択的
な反応の開発において顕著な進展が成されている2。しかしながら、シュトレッ
カー反応の鏡像体選択的触媒反応の明らかな実践的可能性にかかわらず、これま
でに、限られた成功のみが達成されている3。本実施例において、我々は、キラ
ルな(サレン)Al(III)錯体を用いた、金属の触媒反応による鏡像体選択的シュト
レッカー反応の最初の例を示している。
【０１４６】
【表１】 キラルな（サレン）−金属錯体は、メソエポキシドへのTMSN3 4およびカルボン
酸の付加5、ヘテロディールス−アルダー反応(hetero Diels-Alder)6、およびア
ルデヒドへのTMSCN付加7を含む一連の不斉求核−求電子反応を触媒する。また、
(サレン)Crおよび(サレン)Co錯体は、TMSN3 8およびH2O9を用いた末端エポキシド
の速度分割において、顕著な効果を示している。(サレン)−金属触媒作用による
鏡像体選択的反応における求電子試薬としてのアルデヒドおよびエポキシドの実
績のある効果に促されて、我々は、イミンの不斉変換に対するこれら触媒の範囲
を拡大する可能性を評価した。これまでに、我々は、N−アリルベンズアルジミ
ン(N-allyl benzaldimine)(9a)に対するTMSCNの付加を触媒するために容易に利
用できるサレン配位子1の一連の金属錯体をスクリーニングした。Ti、Cr、Mn、C
o、Ru、およびAlの錯体が、様々な程度の変換率および鏡像体選択性において、
室温で反応を触媒することが見出された金属の全てである10。最高の結果はAl錯
体8で得られ11,12、それは完全な基質変換をもたらし、かつ生成物10aを45%e.e
で生じさせた。興味深いことに、8によって触媒される反応において、厳密に無
水の条件下では反応は観察されず、従って反応している化合物は、TMSCNよりも
むしろHNCであることを示唆する。室温において、HCNと9aとの間の非触媒反応は
、非常に速い反応であるが、その反応は、-70℃で完全に抑制された。そのよう
なより低い温度において、8の触媒反応による9ａとHCN(1.2当量)の反応13は15時
間内に完結し、かつ91%の単離収率(isolated yield)および95%のe.e.で10aを生
成した(表1、実験a)14,15。
【０１４７】
【表２】 種々のN−アリルイミンは、8によって触媒される反応において評価された（表
1）。生成物10a-iは、良好な収率および適度な優れた鏡像体選択性で(S)−トリ
フルオロアセトアミドとして単離された。置換されたアリールイミン(9a-g)は、
明らかに最高の基質であり、非常に高い鏡像体選択性を示した(実験a-g)。対照
的に、アルキル置換イミンは、かなり低いe.e.でHCN付加を受けた(実験h-i)。
【０１４８】 アルキル置換イミンで得られた結果を改善することを目的として、我々は、触
媒構造、およびイミン窒素置換基の鏡像体選択性への影響を評価した。(サレン)
AlCl配位子構造の立体的および電子的特性を広く変化させたが、触媒8で得られ
た反応の鏡像体選択性を超える鏡像体選択性の改善を得ることはできなかった。
tert−ロイシンの不斉合成のための興味深い開始原料であるピバルアルデヒド(p
ivalaldehyde)のいくつかのN−置換イミンを合成し、さらにスクリーニングした
（表2）。驚くことに、N−置換基は反応の鏡像体選択性にあまり有意な影響を与
えなかった。N−ベンジル誘導体11において、ほんのわずかなe.e.の上昇が得ら
れたのみであるが、対応する生成物14の再結晶化によって、合理的に良好な回収
率で、鏡像体純度が97.5%まで高められた。
【０１４９】
【表３】 不斉シュトレッカー反応の主な合成の有用性は、鏡像体的に濃縮されたα−ア
ミノ酸誘導体の調製のためである。本方法の適用の例示として、イミン9gは、ク
ロマトグラフィーを必要としない3ステップ反応によって、6mmol規模でアミノメ
チルエステル塩酸塩18に変換された（スキーム1）。8の触媒添加を減らしても(2
mol%)、まだ対応するアミノニトリルは15時間内に高い収率および92%のe.e.で得
られる。ラセミ化を含まない2つのステップにわたる、メタノール／HClを用いた
還流によるシアン化水素付加物の加水分解によって、78%の収率でアリル保護ア
ミノエステル17を生成した。ジメチルバルビツール酸をアリルスカベンジャーと
して用いたPd(0)触媒作用による脱アリル化によって脱保護し、続いて、再結晶
化によって、60%の収率、および鏡像体的に純粋な形態(>99% e.e.)で18を提供し
た。
【０１５０】
【化６６】 8により触媒される不斉シュトレッカー反応は、少量の触媒を用いて、容易に利
用できる基質および触媒前駆体から、鏡像体的に濃縮されたαアミノ酸誘導体を
簡単に提供する。触媒は、大規模で容易に調製され、かつ周囲条件下で保管され
た場合でさえ、無限の「保管寿命」を有するように思われる。我々の知る限りで
は、これが、(サレン)主族金属錯体が非常に効果的な不斉触媒として特定されて
いる最初の例である。この新規な鏡像体選択的変換の機序を解明し、かつどの程
度この反応が他のクラスの（サレン）金属触媒反応による求核−求電子反応に機
序的に関連しているかを確立するための実験を進行中である。
【０１５１】 引例および注釈 （1）Strecker, A. Ann. Chem. Pharm. 1850, 75, 27. （2）(a) Williams, R.M. Synthesis of Optically Active α-Amino Acids: Ox
ford, 1984, Chap, 5 and references cited therein. (b) Williams, R. M.; H
endrix, J. A. Chem. Rev. 1992, 92, 889-917. (c) Duthaler, R.O. Tetrahedr
on 1994, 50, 1539. （3）(a) lyer, M. S.; Gigstad, K.M.; Namdev, N.D.; Lipton, M. J. Am. Che
m. Soc. 1996, 118, 4910. (b) Sigman, M.S.; Jacobsen, E. N. J. Am. Chem.
Soc., in press. （4）Martinez, L.E.; Leighton, J. L.; Carsten, D. H.; Jacobsen, E. N. J.
Am. Chem. Soc. 1995, 117,5897. （5）Jacobsen, E.N.; Kakiuchi, F.; Konsler, R. G.; Larrow, J. F.; Tokuna
ga, M. Tetrahedron Lett. 1997, 38, 773. （6）Schaus, S.E.; Branalt, J.; Jacobsen, E. N. J. Org. Chem. 1998, 63,
403. （7）(a) Belokon, Y.; Flego, M.; Ikonnikov, N.; Moscalenko, M.; North, M
.; Orizu, C.; Ikonikov, N.; Tasinazzo, M. J. Chem. Perkin Trans. 1 1997
, 1293. (b) Belokon, Y; Ikonikov, N.; Moscalenko, M.; North, M.; Orlova,
S.; Tararov, V.; Yashkina, L. Tetrahedron: Asymmetry 1996, 7, 851. （8）Larrow, J.F.; Schaus, S.E.; Jacobsen, E. N. J. Am. Chem. Soc. 1996,
118, 7420. （9）Tokunaga, M.; Larrow, J. F.; Kakiuchi. F.; Jacobsen, E. N. Science
1997, 277, 936. （10）対応するバナジル、Fe(III)、Ni(II)、Cu(II)およびSn(IV)サレン錯体は
、5%未満の変換率で反応させることが見出された。
【０１５２】 （11）触媒調製（8）：かき混ぜ棒(stir bar)を装備した、火炎乾燥(flamed dri
ed)した100mlの丸底フラスコ中において、1.52g(2.78mmol)の(R,R)−(-)−N,N'
−ビス(3,5−ジ−tert−ブチルサリシリデン)−1,2−シクロヘキサンジアミン、
および20mlのCH2Cl2(CaH2から新たに蒸留した)を混合し、かつ攪拌した。室温に
おいて、1.54mlのジエチル塩化アルミニウム(トルエン中、1.8M溶液、2.78mmol)
を攪拌している溶液中にゆっくりと添加した。2時間攪拌した後、溶媒を真空で
除去し、さらに得られた黄色の固形物を50mlのヘキサンで洗浄した。その固形物
を真空で乾燥させ、黄色の固形物として8（1.59g、95%の収率）を生成した。Mp>
350℃(dec)；IR(KBr)2966, 2953, 2867, 1640, 1544, 848cm-1；1H NMR(400MHz,
C6D6)δ7.84(s,2H), 7.77(s,2H), 7.61(s,2H), 3.51(m,2H),1.91(s,18H), 1.39
(s,18H), 1.36(m,4H), 0.59(m,4H)； 13C NMR{1H}(100MHz, CD2Cl2)δ162.7, 14
1.2, 139.3, 131.4, 128.7, 128.4, 118.7, 64.6(broad), 35.9, 34.4, 31.6, 2
8.2, 24.1；Anal calcd.for C36H52AlClN2O2: C,71.20; H,8.42; Al,4.44; Cl,5
.84; N,4.61. Found: C,71.05; H,8.63; Al,4.49; Cl,5.73; N,4.56. （12）(サレン)Al錯体の合成のために：(a) Dzugan, S.J.; Goedlken, V. L. In
org. Chem. 1986, 25, 2858. (b) Gurian, P. L.; Cheatham, L. K.; Ziller, J
.W.; Barron, A. R. J. Chem. Soc., Dalton Trans. 1991, 1449. (c) Atwood,
D. A.; Jegier, J.A.; Rutherford, D. Inorg. Chem. 1996, 35, 63.を参照。
【０１５３】 （13）Ziegler, K. In Organic Synth. Coll. Vol. 1, Gilman, H., Blatt, A.
H. Eds.; Willey: New York, 1932; p.314. 注意！シアン化水素は毒性が高く
、かつ揮発性の化合物であるため、吸入を避けるために慎重に取り扱わなければ
ならない。
【０１５４】 （14）HCN付加の直接生成物は、シリカゲルに曝されるとラセミ化を受けること
が観察された。対応するトリフルオロアセトアミド誘導体は安定であることが見
出されており、従って、全ての収率およびe.e.の決定は、それら誘導体において
成された。
【０１５５】 （15）代表的な手順：化合物10ａの合成。かき混ぜ棒を装備した、火炎乾燥した
100mlの丸底フラスコ中において、12mgの8(5mol%、0.02mmol)および1.4mlのトル
エンを混合した。触媒が完全に溶解するまで反応混合物を室温で攪拌した。反応
フラスコを恒温槽で-70℃に冷やし、さらに1.2当量のHCNを添加した(トルエン中
の0.59mmol、0.85M溶液690μl)。5分後、71mg(0.49mmol)の9aをシリンジで1部分
に添加した。15時間後、103μlのトリフルオロ酢酸無水物(0.73mmol、1.5当量)
で反応を停止させ、さらに室温まで暖めた。溶媒を真空で除去し、生じた残留物
をフラッシュクロマトグラフィー（flash chromatography(3:2 ヘキサン：CH2Cl 2 )）で精製し、透明な油として10aを得た(119mg、91%の収率)。
【０１５６】 （16）Garro-Helion, F.; Merzouk, A.; Guibe, F. J. Org. Chem. 1993, 58, 6
109. （17）Hanson, K.B.; Leighton, J. L.; Jacobsen, E. N. J.Am. Chem. Soc. 19
96, 44, 10924. 実施例1の関係情報一般的手順 ：全ての化合物において、本実施例の本文中の補足説明15で10aのた
めに概略を説明したものと同じ手順に従った。
【０１５７】
【化６７】 (10a)：生成物は、フラッシュクロマトグラフィー(3:2 ヘキサン：CH2Cl2)によ
って精製した後、透明な油として収率91%で、かつキラルGC分析(γ−TA, 112℃,
23min, 3℃/min to 123℃, tr(major)=21.5min, tr(minor)=23.9min)によると9
5%のe.eで得られた；［α］D23＝57.7°(c=1.0, CH2Cl2)；IR(thin film) 2936,
2249, 1701cm-1；1H NMR(400MHz,CDCl3)δ7.45(m,5H), 6.65(s,1H), 5.66(m,1H
), 5.19(d,J=102Hz), 5.13(d,J=17.0Hz,1H), 4.15(dd,J=4.7,17.0Hz,1H), 3.91(
dd, J=6.0,7.0Hz,1H) ；13C NMR{1H}(100MHz,CDCl3)δ157.9(q,J=38Hz), 131.1,
130.1, 129.4, 127.8, 120.3, 117.5(q,J=288Hz), 115.2, 49.8, 48.6；HRMS m
/z(M+NH4+)calcd 286.1167, obsd 286.1163.
【化６８】 (10b)：生成物は、フラッシュクロマトグラフィー(3:2 ヘキサン：CH2Cl2)によ
って精製した後、透明な油として収率93%で、かつキラルHPLC分析（(キラルセル
AS, 5%IPA/ヘキサン, 1ml/min, tr(major)=9.7min, tr(minor)=11.5min) による
と91%のe.e.で得られた；［α］D23＝56.1°(c=1.0, CH2Cl2)；IR(thin film)
2940, 1701, 1613cm-1；1H NMR(400MHz, CDCl3)δ7.36(d,J=8.6Hz,2H), 6.94(d,
J=8.6Hz,2H), 6.57(s,1H), 5.65(m,1H), 5.19(d,J=10.2Hz,1H), 5.14(d, J=17.
2Hz,1H), 4.15(dd,J=4.2,17.0Hz,1H), 3.87(dd,J=6.2,17.0Hz,1H), 3.83(s, 3H
)；13C NMR{1H}(100MHz,CDCl3)δ160.9, 157.8(q,J=38Hz), 131.4, 129.5, 121.
9, 120.1, 117.5(q,J=288Hz), 115.6, 114.8, 55.5, 49.4, 48.3；HRMS m/z(M+)
calcd 298.0929, obsd 298.0936.
【化６９】 (10c)：生成物は、フラッシュクロマトグラフィー(3:2 ヘキサン：CH2Cl2)によ
って精製した後、透明な油として収率99%で、かつキラルHPLC分析（(キラルセル
AS, 5%IPA/ヘキサン,1ml/min, tr(major)=5.5min, tr(minor)=7.6min) によると
94%のe.e.で得られた；［α］D23＝42.4°(c=1.0, CH2Cl2)；IR(thin film) 29
30, 2249, 1703cm-1；1H NMR(400MHz, CDCl3)δ7.32(d,J=7.9Hz,2H), 7.24(d,J=
7.9Hz,2H), 6.60(s,1H), 5.68(m,1H), 5.20(d,J=10.2Hz,1H), 5.14(d, J=17.2Hz
,1H), 4.14(dd,J=4.8,17.0Hz,1H), 3.86(dd,J=6.5,17.0Hz,1H), 2.39(s, 3H)；1 3 C NMR{1H}(100MHz,CDCl3)δ157.4(J=37Hz), 140.3, 131.2, 130.0, 127.8, 127
.0, 120.2, 117.4(q,J=286Hz), 115.4, 49.5, 48.4, 21.1；HRMS m/z(M+)calcd
282.0980, obsd 282.0981.
【化７０】 (10d)：生成物は、フラッシュクロマトグラフィー(3:2 ヘキサン：CH2Cl2)によ
って精製した後、透明な油として収率92%で、かつキラルHPLC分析（(キラルセル
AS, 5%IPA/ヘキサン,1ml/min, tr(major)=5.9min, tr(minor)=8.4min) によると
81%のe.e.で得られた；［α］D23＝45.9°(c=1.0, CH2Cl2)；IR(thin film) 29
36, 1703cm-1；1H NMR(400MHz, CDCl3)δ7.40(m,4H), 6.56(s,1H), 5.65(m,1H),
5.22(d,J=10.4Hz,1H), 5.17(d,J=17.2Hz,1H), 4.16(dd,J=5.0,17.0Hz, 1H), 3.
94(dd,J=5.9,17.0Hz,1H),13C NMR{1H}(100MHz,CDCl3)δ157.4(J=37Hz), 136.3,
130.9, 129.6, 129.2, 128.8, 117.3(q,J=286Hz), 114.8, 49.4, 48.9；HRMS m/
z(M+)calcd 302.0434, obsd 302.0448.
【化７１】 (10e)：生成物は、フラッシュクロマトグラフィー(3:2 ヘキサン：CH2Cl2)によ
って精製した後、透明な油として収率93%で、かつキラルHPLC分析（(キラルセル
AS, 5%IPA/ヘキサン,1ml/min, tr(major)=6.2min, tr(minor)=8.1min) によると
79%のe.e.で得られた；［α］D23＝48.0°(c=1.0, CH2Cl2)；IR(thin film) 29
36, 1701cm-1；1H NMR(400MHz, CDCl3)δ7.56(d,J=8.4Hz,2H), 7.31(d,J=8.4Hz,
2H), 6.52(s,1H), 5.65(m,1H), 5.21(d,J=10.2Hz,1H), 5.15(d, J=17.1Hz,1H),
4.15(dd,J=5.5,17.0Hz,1H), 3.92(dd,J=6.3,17.0Hz,1H), 13C NMR{1H}(100MHz,C
DCl3)δ157.7, 132.7, 131.0, 129.5, 124.5, 120.8, 117.4, 114.8, 114.5, 49
.6, 49.0；HRMS m/z(M+)calcd 345.9929, obsd 345.9931.
【化７２】 (10f)：生成物は、フラッシュクロマトグラフィー(3:2 ヘキサン：CH2Cl2)によ
って精製した後、透明な油として収率95%で、かつキラルHPLC分析（(キラルセル
AS, 5%IPA/ヘキサン,1ml/min, tr(major)=5.3min, tr(minor)=10.0min) による
と93%のe.e.で得られた；［α］D23＝72.4°(c=1.0, CH2Cl2)；mp92-95℃；IR(
KBr) 2920, 1697cm-1；1H NMR(400MHz, CDCl3)δ7.93(m,3H), 7.55(m,4H),7.29(
s,1H), 5.46(m,1H), 5.01(d,J=10.2Hz,1H), 4.86(d,J=17.1Hz, 1H), 4.03(dd,J=
4.3,17.1Hz,1H), 3.50(dd,J=7.2,17.1Hz,1H), 13C NMR{1H} (100MHz,CDCl3)δ15
7.4(J=37Hz),133.6, 131.5, 131.0, 130.1, 129.3, 128.7, 128.0, 126.9, 124.
4, 121.3, 119.7, 117.4(q,J=286Hz), 115.9, 47.9, 47.3；HRMS m/z(M+)calcd
318.0980, obsd 318.0984.
【化７３】 (10g)：生成物は、フラッシュクロマトグラフィー(3:2 ヘキサン：CH2Cl2)によ
って精製した後、透明な油として収率93%で、かつキラルHPLC分析（(キラルセル
AS, 5%IPA/ヘキサン,1ml/min, tr(major)=7.0min, tr(minor)=8.4min) によると
93%のe.e.で得られた；最少量のヘキサンから0℃で再結晶化すると、HPLC分析に
よって>99%のe.e.で54%（イミンから）の細い針状物(thin needle)を生成した。
［α］D23＝96.8°(c=1.0, CH2Cl2)；mp72-73℃；IR(thin film) 3061, 2934,
1701cm-1；1H NMR(400MHz, CDCl3)δ8.06(s,1H), 7.90(m,3H), 7.59(m,2H), 7.3
7(m,1H), 6.85(s,1H), 5.69(m,1H), 5.17(d,J=10.4Hz,1H), 5.12(d,J=17.2Hz, 1
H), 4.20(dd,J=4.9,17.0Hz,1H), 3.50(dd,J=7.2,17.1Hz,1H), 13C NMR{1H} (100
MHz,CDCl3)δ157.9(q,J=38Hz) ,133.6,132.9, 131.2, 129.8, 128.3, 128.1, 12
7.9, 127.7, 127.4, 124.2, 120.4, 117.6(q,J=287Hz),115.4, 114.7, 50.0, 48
.6；HRMS m/z(M+)calcd 318.0980, obsd 318.0974.
【化７４】 (10h)：生成物は、フラッシュクロマトグラフィー(3:2 ヘキサン：CH2Cl2)によ
って精製した後、透明な油として収率77%で、かつキラルGC分析(γ−TA, 120℃
恒温, tr(major)=15.1min, tr(minor)=17.4min)によると57%のe.e.で得られた；
［α］D23＝-10.4°(c=1.0, CH2Cl2)；IR(thin film) 2936, 2859, 1704cm-1； 1 H NMR(400MHz, CDCl3)δ5.85(m,1H), 5.38(d,J=15.7Hz,1H), 5.35(d,J=9.8Hz,
1H), 4.65(d,J=10.6Hz,1H), 4.26(dd,J=4.9,16.9Hz,1H), 4.26(dd,J=6.9,16.9Hz
, 1H), 2.09(m,2H), 1.84-1.60(m,4H),1.40-0.85(m,5H)；13C NMR{1H}(100MHz,
CDCl3)δ157.8(J=37Hz),131.6, 120.6, 117.4(q,J=286Hz), 115.9, 53.6, 50.4,
38.3, 30.0, 28.9, 25.7, 25.3, 25.1；HRMS m/z(M+NH4 +)calcd 292.1637, obs
d 292.1625.
【化７５】 (10i)：生成物は、フラッシュクロマトグラフィー(3:2 ヘキサン：CH2Cl2)によ
って精製した後、透明な油として収率69%で、かつキラルGC分析(γ−TA, 112℃
恒温, tr(major)=4.4min, tr(minor)=6.4min)によると37%のe.e.で得られた；［
α］D23＝-20.4°(c=1.0, CH2Cl2)；IR(thin film) 2972, 1705cm-1；1H NMR(4
00MHz, CDCl3)δ5.87(m,1H), 5.33(d,J=10.4Hz,1H), 5.25(d,J=17.2Hz,1H), 4.2
5(s(br), 2H),1.16(s,9H)；13C NMR{1H}(100MHz, CDCl3)δ157.5(J=37Hz),132.0
, 119.0, 117.4(q,J=286Hz), 115.3, 56.7, 40.5, 38.1, 26.9；HRMS m/z(M+NH 4 + )calcd 266.1480, obsd 266.1481.
【化７６】 (14)：生成物は、フラッシュクロマトグラフィー(3:2 ヘキサン：CH2Cl2)によ
って精製した後、白い固形物として収率88%で、かつキラルGC分析(γ−TA, 120
℃恒温, tr(major)=26.4min, tr(minor)=28.4min)によると49%のe.e.で得られた
。EtOA：ヘキサン、1：10から再結晶化すると、ラセミ結晶を生成し、さらにキ
ラルGC分析によると97.5%のe.e.の生成物をもとの液体から48%（イミンから）生
成した。；［α］D23＝-56.2°(c=1.0, CH2Cl2)；mp95-96℃；IR(thin film) 2
975, 2946,1691cm-1；1H NMR(400MHz, CDCl3)δ7.39(m,3H), 7.19(m,2H), 4.97(
d,J=16.7Hz,1H), 4.72(d,J=16.7Hz,1H), 1.14(s,9H)；13C NMR{1H}(100MHz, CDC
l3)δ157.4(J=37Hz),134.7, 129.1, 128.5, 126.3, 117.5(q,J=287Hz), 115.0,
57.6, 52.4, 38.6, 27.3；HRMS m/z(M+)calcd 298.1293, obsd 298.1297.
【化７７】 (15)：生成物は、フラッシュクロマトグラフィー(3:2 ヘキサン：CH2Cl2)によ
って精製した後、白い固形物として収率67%で、かつキラルGC分析(γ−TA, 132
℃恒温, tr(major)=57.9min, tr(minor)=61.3min)によると43%のe.e.で得られた
；［α］D23＝-28.7°(c=1.0, CH2Cl2)；108-109℃；IR(thin film) 3014, 294
2, 1696, 1518cm-1；1H NMR(400MHz, CDCl3)δ5.12(d,J=8.3Hz,2H), 6.91(d,J=8
.3Hz, 2H), 4.92(d,J=16.3Hz,1H), 4.65(d,J=16.3Hz,1H), 3.80(s,3H),1.13(s,9
H)；13C NMR{1H}(100MHz,CDCl3)δ159.8 ,157.3(J=37Hz), 127.9, 126.3, 117.6
(q, J=287Hz), 115.0, 114.6, 57.4, 55.3, 52.1, 38.5, 27.3；HRMS m/z(M+Na) + calcd 351.1296, obsd 351.1301.
【化７８】 (16)：生成物は、フラッシュクロマトグラフィー(3:2 ヘキサン：CH2Cl2)によ
って精製した後、白い固形物として収率74%で、かつキラルHPLC分析(トリフルオ
ロアミドとして)(キラルセルAS, 0.05%から1%のIPA/ヘキサン,25min, 1ml/min,
tr(major)=20.9min, tr(minor)=16.7min)によると40%のe.e.で得られた；［α］
D23＝54.2°(c=1.0, CH2Cl2)；IR(KBr) 3399, 2968, 2940, 2911, 2230, 1602,
1511cm-1；1H NMR(400MHz, CDCl3)δ6.92(m,1H), 6.83(m,2H), 6.72(m,1H), 4.
47(d,J=10.1Hz,1H), 3.96(d,J=10.1Hz,1H), 3.87(s,3H), 1.21(s,9H)；13C NMR{ 1 H}(100MHz, CDCl3)δ147.5, 135.4, 121.3, 119.1, 119.0, 111.4, 110.1, 56.
2, 55.7, 34.8, 26.2；HRMS m/z(M+)calcd 218.1419, obsd 218.1417.
【化７９】 (17)：火炎乾燥した100mlの丸底フラスコに1.17gの9h(6.00mmol)、73mgの8(0.12
mmol、2mol%)、および20mlの新たに蒸留したトルエンを混合し、均一になるまで
攪拌した。反応物を‐78℃に冷却し、さらに8.5mlのHCNトルエン溶液(0.85M、7.
2mmol、1.2当量)をシリンジ添加した。混合物を-70℃で15時間攪拌し、続いて無
水メタノール／HCl(3ml)を添加した。真空で溶媒を除去し、さらに得られた残存
物を25mlのMeOHに溶解させた。その混合物を0℃に冷却し、反応が飽和状態にな
るまでHClガスを泡立てて添加した(bubbled)。溶液を加熱し、6時間還流させ、
冷却し、さらにH2Oを添加した(3ml)。溶媒を真空で除去し、得られた残存物を50
mlのH2Oに溶解させ、さらにヘキサンで洗浄した(3ｘ30ml)。水相に飽和Na2CO3を
添加してアルカリ性にし、さらにCH2Cl2で抽出した(5x50ml)。有機抽出物をNa2S
O4上で乾燥し、さらに溶媒を真空で除去し、1.191g(78%)の透明な油を生成した
；IR(thin film) 1737cm-1；1H NMR(400MHz, CDCl3)δ7.82(m,4H), 7.49(m,3H),
5.91(ddt,J=17.2,10.1,7.1Hz,1H), 5.21(d, J=17.2Hz,1H), 5.13(d,J=10.1Hz,1
H), 4.59(s,1H), 3.70(s,3H), 3.24(d,J=7.1Hz, 2H), 2.11(s(br),1H)；13C NMR
{1H}(100MHz, CDCl3)δ173.4, 136.0, 135.4, 133.3, 133.1, 128.5, 128.0, 12
7.7, 126.7, 126.2, 126.1, 125.1, 116.7, 64.5, 52.3, 50.0；HRMS m/z(M+)ca
lcd 256.1338, obsd 256.1335.
【化８０】 (18)：12mlの脱ガスCH2Cl2中のアリル保護アミノエステル17(1.191g、4.67mmol)
溶液を1.09gのジメチルバルビツール酸(7.00mmol、1.5当量)および270mgのPd(pp
h3)4(0.23mmol、5mol%)を含有するシュレンク(schlenk)フラスコに添加した。反
応物を2時間攪拌し、続いて真空で溶媒を除去した。得られた混合物を50mlのジ
エチルエーテルに溶解させ、さらに飽和Na2CO3(3x50ml)およびH2O(2x50ml)で洗
浄した。次に有機相を4N HCl(4x50ml)で抽出し、さらに得られた水相を酢酸エチ
ル(2x50ml)で洗浄した。次に水相を濾過してパラジウム塩を除去し、さらに得ら
れた固形物をメタノールで洗浄した。水相およびメタノール洗浄液を合せて、真
空で溶媒を除去した。得られた白色の粉末を高真空下で乾燥して1.109g(94%)の
アミン塩酸塩を生成した。MeOH:Et2O(4:1)から再結晶化させて、60%の収率で、
かつキラルHPLC分析(キラルセルAS, 5%IPA/ヘキサン, 1ml/min, tr(major)=8.4m
in, tr(minor)=10.1min) によるとトリフルオロアミドとして91%のe.e.で生成物
が得られた；［α］D23＝134.9°(c=1.0,MeOH)；IR(KBr)2973,2846,1740cm-1；1 H NMR(400MHz, DMSO-d6)δ9.29(s(broad),3H), 7.93(m,4H), 7.59(m,3H), 5.43
(s,1H), 3.70(s,3H)；13C NMR{1H}(100MHz, DMSO-d6) δ168.8, 133.0, 132.4,
130.0, 128.7, 128.0, 127.9, 127.7, 127.1, 126.9, 125.1, 55.5, 53.1；HRMS
m/z(M+)calcd 215.0946, obsd 215.0941. 実施例2 (R,R)−1,2−ジフェニル−1,2−ビス(3−tert−ブチルサリシリドアミノ)エタン
の調製
【化８１】 3mlのEtOH中の360.5mg(2.0mmol)の3−tert−ブチルサリシルアルデヒド溶液を5m
lのEtOH中の212.3mg(1.0mmol)の(R,R)−1,2−ジアミノ−ジフェニルエタン溶液
に滴下して添加した。反応混合物を加熱して1時間還流させ、その後水(5ml)を添
加した。分離した油は、放置して凝固させた。MeOH/H2Oから再結晶化させると、
485.8mg(91%)の黄色の粉末(mp73-74℃)が得られた。1H NMR(CDCl3)δ1.42(s,18H
,CH3), 4.72(s,2H,CHN=C), 6.67-7.27(m, 16H,ArH), 8.35(s,2H,CN=N), 13.79(s
,2H,ArOH)ppm；13C NMR(CDCl3) δ29.3, 34.8, 80.1, 117.8, 118.5, 127.5, 12
8.0, 128.3, 129.6, 130.1, 137.1, 139.5, 160.2, 166.8ppm. Anal Calcd. For
C36H40N2O2. C,81.17; H,7.57; N,5.26. Found: C,81.17; H,7.60; N,5.25. 実施例3 (R,R)−1,2−ジフェニル−1,2−ビス(3−ジフェニルメチルシリルサリシリド
アミノ)エタンの調製
【化８２】 確立された手順に従って、5ステップで2−ブロモフェノールから3−(ジフェニ
ルメチルシリル)サリシルアルデヒドを調製した。5mlのエタノール中の348.3mg(
1.09mmol)の3−(ジフェニルメチルシリル)サリシルアルデヒドと116.0mg(0.546m
mol)の(R,R)−1,2−ジアミノ−1,2−ジフェニルエタンとを加熱して0.5時間還流
させた。山吹色(bright yellow)の油が溶液から分離し、放置して凝固させた。
その混合物を濾過し、さらに黄色の固形物を2x5mlのエタノールで洗浄した。1H
NMR分析による純粋な生成物の単離収率は、416mg(97%)であった。1H NMR(CDCl3)
δ0.95(s,3H), 4.68(s,2H), 6.72-7.55(m,36H,ArH), 8.37(s,2H),13.34(s,2H)pp
m. 実施例4 2,2'−ビス(3−tert−ブチルサリシリドアミノ)−1,1−バイナフチルの調製
【化８３】 6mlのEtOH中の725mg(4.0mmol)の3−tert−ブチル−サリシルアルデヒドの溶液
を5mlのEtOH中の569mg(2.0mmol)の(+)−2,2'−ジアミノ−1,1−バイナフチルの
溶液に滴下して添加した。反応混合物を加熱して8時間還流させ、その後揮発性
原料を真空下で除去した。溶出液としてヘキサン中の20%CH2Cl2を用いて、80gの
SiO2上でのフラッシュクロマトグラフィーにより残存物を精製した。黄色の溶出
分画を回収し、さらに真空下で溶媒を除去して黄色の粉末として725mg(1.20mmol
、収率59%)のジイミンを得た。
【０１５８】 実施例5 (S,S)−1,2−ビス(3,5−ジ−tert−ブチルサリシリドアミノ)シクロヘキサン(2)
の調製
【化８４】 3,5−ジ−t−ブチルサリシルアルデヒド(2.0当量)(商業的に利用可能である安
価な2,4−ジ−t−ブチルフェノールからLarrow, J.F.; Jacobsen, E.N.; Gao, Y
.; Hong, Y.; Nie, X.; Zepp, C.M. J Org Chem 1994, 59, 1939に従って調製し
た)を固形物として、無水エタノール中の(S,S)-1,2−ジアミノシクロヘキサン(1
.0当量)(Aldrich Chemical Co., Milwaukee, WI)の0.2M溶液に添加した。その混
合物を加熱して1時間還流し、さらにH2Oを冷却した山吹色の溶液に滴下して添加
した。濾過によって得られた黄色の結晶固形物を回収し、さらに少量の95%エタ
ノールで洗浄した。このやり方で得られた分析的に純粋なサレン配位子2の収率
は、90-97%であった。
【０１５９】 サレン配位子の分光分析デ−タ：1H NMR(CDCl3)δ13.72(s,1H), 8.30(s,1H),
7.30(d,J=2.3Hz,1H), 6.98(d,J=2.3Hz,1H), 3.32(m,1H), 2.0-1.8(m,2H), 1.8-1
.65(m,1H), 1.45(m,1H), 1.41(s,9H). 13C NMR(CDCl3) δ165.8, 158.0, 139.8,
136.3, 126.0, 117.8, 72.4, 34.9, 33.0, 31.4, 29.4, 24.3. Anal Calcd. fo
r C36H54N2O2. C,79.07; H,9.95; N,5.12. Found: C,79.12; H,9.97; N,5.12. 実施例6 キラルなポルフィリン配位子の合成 ピロール(1.0当量)およびサリシルアルデヒド(1.2当量)をプロピオン酸(1リッ
トル／20mlピロール)中に溶解させ、さらにその溶液を30分間還流させた。反応
混合物を室温まで冷却し、さらに1日間放置した。その混合物を濾過し、さらに
生成物を再結晶化させて5,10,15,20−テトラビス(2'−ヒドロキシフェニル)ポル
フィリンを生成した。
【０１６０】 上記のポルフィリンをジメチルホルムアミドに溶解させ、0℃まで冷却し、さ
らに水素化ナトリウム(4当量)で処理した。その混合物を30分間攪拌し、その後
、DMF中のD−トレイトール 1,4−ジトシレート(Aldrich Chemical Co.)溶液をゆ
っくり添加した。添加が終了すると反応混合物をさらに30分間攪拌し、その後注
意深く急冷した。有機相をかん水(brine)で洗浄し、さらにその溶媒を蒸発させ
た。残存物をHPLCで精製してキラルなポルフィリンを生成した。
【０１６１】
【化８５】 トルエン中にN−エチルマレイミド、NH3(マレイミドに対して過剰に)、および
上記の(サレン)AlN3触媒(マレイミドに対して10mol%)を含む溶液を-30℃で18時
間保持した。その反応混合物の標準的な急冷、および処理後、粗生成物を精製し
て2−アジド−N−エチルスクシニミドを生成した(93%、93%e.e.)。
【０１６２】 引例 この中で挙げられた全ての特許および公開公報は引例により組み込まれている
。
【０１６３】 等価物 当業者は、日常的な実験のみを用いて、この中に記載されている本発明の特定
の実施形態の多くの等価物を認識し、または確認できるであろう。そのような等
価物は請求項に含まれることが意図されている。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図1は、触媒反応による種々のN−アリルアリールアルジミン(N-allyl arylald
imine)へのシアン化物の立体選択的付加において得られた収率および鏡像体選択
性を表す。
【図２】 図２は、触媒反応による種々のエナミド(enamide)へのアジドの立体選択的共役
付加において得られた収率および鏡像体選択性、ならびに共役付加の生成物から
β−アミノ酸を調製するための条件を表す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０７Ｃ 253/08 Ｃ０７Ｃ 253/08 255/42 255/42 // Ｃ０７Ｃ 251/24 251/24 (72)発明者 シグマン，マシュー エス アメリカ合衆国 マサチューセッツ州 02144 サマーヴィル エリントン スト リート 23 Ｆターム(参考） 4G069 AA06 BA27A BA27B BC01A BC02A BC03A BC04A BC06A BC08A BC09A BC10A BC11A BC12A BC13A BC15A BC16A BC16B BC17A BC18A BC20A BC21A BC22A BC23A BC34A BC35A BC36A BC37A BD03A BD05A BE13A BE20A BE20B BE36A BE36B BE37A BE37B BE38A BE39A CB57 4H006 AA02 AC48 AC52 AC81 AC83 BA10 BA14 BA16 BA23 BA46 BJ50 BT32 BU38 QN10

Claims (130)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 立体異性体的に濃縮された付加生成物を生じさせるためにキ
    ラルな非ラセミ触媒の存在下でπ結合含有基質と求核試薬とを反応させることを
    含む、立体選択的化学合成のプロセスにおいて、該基質が炭素−炭素または炭素
    −ヘテロ原子のπ結合を含み、該求核試薬が少なくとも1対のルイス塩基電子を
    含み、かつ該キラルな非ラセミ触媒が主族金属原子と錯体形成した不斉4座配位
    子を含み、該触媒が長方平面または長方錐の立体配置を有することを特徴とする
    立体選択的化学合成のプロセス。
  2. 【請求項２】 前記金属原子が、1、2、12、13、または14族の主族金属であ
    ることを特徴とする請求項1記載のプロセス。
  3. 【請求項３】 前記金属原子が、12、13、または14族から選択されることを
    特徴とする請求項2記載のプロセス。
  4. 【請求項４】 前記金属原子が、Li、Na、K、Pb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba
    、Zn、Cd、Hg、B、Al、Ga、In、Si、GeおよびSnより成る群から選択されること
    を特徴とする請求項2記載のプロセス。
  5. 【請求項５】 前記4座配位子が、化学式102により表されるキラルな非ラセ
    ミ配位子、化学式104により表されるキラルな非ラセミ配位子、化学式106により
    表されるキラルな非ラセミ配位子、化学式108により表されるキラルな非ラセミ
    配位子、化学式110により表されるキラルな非ラセミ配位子、化学式112により表
    されるキラルな非ラセミ配位子、化学式114により表されるキラルな非ラセミ配
    位子、化学式116により表されるキラルな非ラセミ配位子、およびキラルな非ラ
    セミクラウンエーテルより成る群から選択されることを特徴とする請求項1記載
    のプロセス。
  6. 【請求項６】 前記4座配位子が、主族金属原子に配位した少なくとも1つの
    シッフ塩基を有することを特徴とする請求項1記載のプロセス。
  7. 【請求項７】 前記キラルな触媒が、5,000a.m.u.未満の分子量を有するこ
    とを特徴とする請求項1記載のプロセス。
  8. 【請求項８】 前記π結合含有基質が一般化学式1により表され、前記求核
    試薬がNuYにより表され、かつ該プロセスの生成物が一般化学式2により表され： 【化１】 ここで、R、R'およびR''が、それぞれ独立して、水素、アルキル、アルケニル、
    アルキニル、アシル、チオアシル、アルキルチオ、イミン、アミド、ホスホリル
    、ホスホネート、ホスフィン、カルボニル、カルボキシル、カルボキサミド、ア
    ンヒドリド、シリル、チオアルキル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル
    、セレノアルキル、ケトン、アルデヒド、エステル、ヘテロアルキル、アミジン
    、アセタール、ケタール、アリール、ヘテロアリール、アジリジン、カルバメー
    ト、エポキシド、ヒドロキサム酸、イミド、オキシム、スルホンアミド、チオア
    ミド、チオカルバメート、尿素、チオ尿素、または−(CH2)m−R80を表し； XがCR2、O、S、SeおよびNR"より成る群から選択され； Yが、それぞれ独立して、H、Li、Na、K、Mg、Ca、B、Al、Cu、Ag、Ti、Zr、SiR3 、およびSnR3よりなる群から選択され；かつ Nuが、例えばシアン化物、アジド、イソシアネート、チオシアネート、アルコキ
    シド、チオアルコキシド、カルボキシレート、チオカルボキシレートおよびカル
    バニオンのような弱ブレーンステズ酸の共役塩基よりなる群から選択され； R80が、未置換の、または置換されたアリール、シクロアルキル、シクロアルケ
    ニル、複素環、または多環を表し；さらに ｍが0から8の範囲に含まれる整数である； ことを特徴とする請求項1記載のプロセス。
  9. 【請求項９】 化学式1における前記RおよびR'が合わさって、その環構造内
    に4から8原子を有する炭素環または複素環を形成することを特徴とする請求項8
    記載のプロセス。
  10. 【請求項１０】 前記RおよびR'が、化学式1が分子内対称面を持たないよう
    に選択されることを特徴とする請求項8記載のプロセス。
  11. 【請求項１１】 前記π結合含有基質が、アルデヒド、共役エナール、チオ
    アルデヒド、共役チオエナール、セレノアルデヒド、共役セレノエナール、ケト
    ン、共役エノン、チオケトン、共役チオエノン、セレノケトン、共役セレノエノ
    ン、イミン、オキシム、ヒドラゾン、グリオキシレート、ピルベート、共役エノ
    エート、α,β−不飽和アミド、α,β−不飽和イミド、ラクトン、チオノラクト
    ン、チオラクトン、ジチオラクトン、ラクタム、およびチオラクタムより成る群
    から選択され；かつ前記求核試薬が、例えば、シアン化物、アジド、イソシアネ
    ート、チオシアネート、アルコキシド、チオアルコキシド、カルボキシレート、
    チオカルボキシレートおよびカルバニオンのような弱ブレーンステズ酸の共役塩
    基よりなる群から選択されることを特徴とする請求項1記載のプロセス。
  12. 【請求項１２】 前記触媒が、不溶性マトリックスに固定化されていること
    を特徴とする請求項1記載のプロセス。
  13. 【請求項１３】 鏡像体選択的反応であることを特徴とする請求項1記載の
    プロセス。
  14. 【請求項１４】 ジアステレオマー選択的反応であることを特徴とする請求
    項1記載のプロセス。
  15. 【請求項１５】 前記ジアステレオマー選択的反応が、速度分割をもたらす
    ことを特徴とする請求項14記載のプロセス。
  16. 【請求項１６】 立体異性体的に濃縮された生成物を生じさせるために、キ
    ラルな非ラセミ触媒の存在下で、キラルな、またはプロキラルなπ結合含有基質
    と求核試薬とを反応させることを含む立体選択的化学合成のプロセスにおいて、
    該π結合含有基質が炭素−炭素または炭素−ヘテロ原子のπ結合を含み、該求核
    試薬が少なくとも1対のルイス塩基電子を含み、かつ該キラルな非ラセミ触媒が
    主族金属原子と錯体形成した不斉3座配位子を含むことを特徴とする立体選択的
    化学合成のプロセス。
  17. 【請求項１７】 立体選択的求核付加プロセスにおいて： 立体異性体的に濃縮された生成物を生じさせるために、キラルな非ラセミ触媒の
    存在下で、キラルな、またはプロキラルなπ結合含有基質と求核試薬とを混合し
    、該π結合含有基質が少なくとも1つの炭素−炭素または炭素−ヘテロ原子のπ
    結合を含み、該求核試薬が少なくとも1対のルイス塩基電子を含み、かつ該キラ
    ルな非ラセミ触媒が、主族金属原子に配位した少なくとも1つのシッフ塩基窒素
    を含み；さらに、 該キラルな非ラセミ触媒が、該キラルな、またはプロキラルなπ結合含有基質と
    該求核試薬との間の立体選択的求核付加反応を触媒するのに適した条件下におい
    て、その混合物を保持する； ことを含む立体選択的求核付加プロセス。
  18. 【請求項１８】 前記主族金属が、周期表の1、2、12、13、または14族から
    選択されることを特徴とする請求項17記載のプロセス。
  19. 【請求項１９】 前記金属が、12、13、または14族の主族金属であることを
    特徴とする請求項17記載のプロセス。
  20. 【請求項２０】 前記金属原子が、Li、Na、K、Pb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、B
    a、Zn、Cd、Hg、B、Al、Ga、In、Si、GeおよびSnより成る群から選択されること
    を特徴とする請求項17記載のプロセス。
  21. 【請求項２１】 前記触媒が、4座配位子を含むことを特徴とする請求項17記
    載のプロセス。
  22. 【請求項２２】 前記触媒が、一般化学式： 【化２】 により表され； ここで、置換基R1、R2、Y1、Y2、X1、X2、X3およびX4が、それぞれ独立して、水
    素、ハロゲン、アルキル、アルケニル、アルキニル、ヒドロキシル、アルコキシ
    ル、シリロキシル、アミノ、ニトロ、チオール、アミン、イミン、アミド、ホス
    ホリル、ホスホネート、ホスフィン、カルボニル、カルボキシル、シリル、エー
    テル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテル、ケトン、アルデヒド、エス
    テル、または−(CH2)m−R7を表し、 あるいは任意の2つ以上の置換基が合わさって、環構造内に4から8原子を有する
    炭素環または複素環を形成し、 R1、Y1、X1およびX2の少なくとも1つが、R2、Y2、X3およびX4の少なくとも1つに
    共有結合して4座配位子としてそれらが結合するβ−イミノカルボニルを提供し
    、かつY1およびY2の少なくとも1方が水素であることを条件とし； R7がアリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環または多環を表し； ｍがゼロまたは1から8の範囲内の整数であり； Mが主族金属を表し；かつ Aが対イオンまたは求核試薬を表し、 ここで置換基R1、R2、Y1、Y2、X1、X2、X3およびX4が、それぞれ、該触媒が不斉
    になるように選択される； ことを特徴とする請求項21記載のプロセス。
  23. 【請求項２３】 前記触媒が、3座配位子を含むことを特徴とする請求項17
    記載のプロセス。
  24. 【請求項２４】 前記π結合含有基質が、一般化学式1により表され、前記
    求核試薬がNuYにより表され、かつ該プロセスの生成物が2により表され： 【化３】 ここで、R、R'およびR''が、それぞれ独立して、水素、アルキル、アルケニル、
    アルキニル、アシル、チオアシル、アルキルチオ、イミン、アミド、ホスホリル
    、ホスホネート、ホスフィン、カルボニル、カルボキシル、カルボキサミド、ア
    ンヒドリド、シリル、チオアルキル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル
    、セレノアルキル、ケトン、アルデヒド、エステル、ヘテロアルキル、アミジン
    、アセタール、ケタール、アリール、ヘテロアリール、アジリジン、カルバメー
    ト、エポキシド、ヒドロキサム酸、イミド、オキシム、スルホンアミド、チオア
    ミド、チオカルバメート、尿素、チオ尿素、または−(CH2)m−R80を表し； XがCR2、O、S、SeおよびNR"より成る群から選択され； Yがそれぞれ独立して、H、Li、Na、K、Mg、Ca、B、Al、Cu、Ag、Ti、Zr、SiR3、
    およびSnR3よりなる群から選択され；かつ Nuが、例えばシアン化物、アジド、イソシアネート、チオシアネート、アルコキ
    シド、チオアルコキシド、カルボキシレート、チオカルボキシレートおよびカル
    バニオンのような弱ブレーンステズ酸の共役塩基よりなる群から選択され； R80が、未置換の、または置換されたアリール、シクロアルキル、シクロアルケ
    ニル、複素環、または多環を表し；さらに ｍが0から8の範囲に含まれる整数である； ことを特徴とする請求項17記載のプロセス。
  25. 【請求項２５】 化学式１における前記RおよびR'が合わさって、その環構
    造内に4から8原子を有する炭素環または複素環を形成することを特徴とする請求
    項24記載のプロセス。
  26. 【請求項２６】 前記RおよびR'が、化学式1が分子内対称面を持たないよう
    に選択されることを特徴とする請求項24記載のプロセス。
  27. 【請求項２７】 前記π結合含有基質が、アルデヒド、共役エナール、チオ
    アルデヒド、共役チオエナール、セレノアルデヒド、共役セレノエナール、ケト
    ン、共役エノン、チオケトン、共役チオエノン、セレノケトン、共役セレノエノ
    ン、イミン、オキシム、ヒドラゾン、グリオキシレート、ピルベート、共役エノ
    エート、α,β−不飽和アミド、α,β−不飽和イミド、ラクトン、チオノラクト
    ン、チオラクトン、ジチオラクトン、ラクタム、およびチオラクタムより成る群
    から選択され；かつ前記求核試薬が、例えばシアン化物、アジド、イソシアネー
    ト、チオシアネート、アルコキシド、チオアルコキシド、カルボキシレート、チ
    オカルボキシレートおよびカルバニオンのような弱ブレーンステズ酸の共役塩基
    よりなる群から選択されることを特徴とする請求項17記載のプロセス。
  28. 【請求項２８】 鏡像体選択的反応であることを特徴とする請求項17記載の
    プロセス。
  29. 【請求項２９】 ジアステレオマー選択的反応であることを特徴とする請求
    項17記載のプロセス。
  30. 【請求項３０】 前記ジアステレオマー選択的反応が、速度分割を生じさせ
    ることを特徴とする請求項29記載のプロセス。
  31. 【請求項３１】 前記キラルな非ラセミ触媒が、5,000 a.m.u.未満の分子量
    を有することを特徴とする請求項17記載のプロセス。
  32. 【請求項３２】 立体選択的求核付加反応を触媒させる方法において： 立体異性体的に濃縮された生成物を生じさせるために、キラルな非ラセミ触媒の
    存在下で、キラルな、またはプロキラルなπ結合含有基質と求核試薬とを混合し
    、該π結合含有基質が少なくとも1つの炭素−炭素または炭素−ヘテロ原子のπ
    結合を含み、該求核試薬が少なくとも1対のルイス塩基電子を含み、かつ該キラ
    ルな触媒が、主族金属と錯体形成したキラルな4座配位子を含み；さらに、 該キラルな非ラセミ触媒が該π結合含有基質と求核試薬との間の立体選択的求核
    付加反応を触媒するのに適した条件下において、その混合物を保持する； ことを含む立体選択的求核付加反応を触媒させる方法。
  33. 【請求項３３】 前記キラルな非ラセミ触媒が、一般化学式100： 【化４】 により表され； ここでZ1、Z2、Z3およびZ4がそれぞれルイス塩基を表し； Z1、Z3およびMで形成されるC1部分、およびZ2、Z4およびMで形成されるC2部分が
    、それぞれ独立して、複素環を形成し； R1、R2、R'1およびR'2が、それぞれ独立して、存在しないか、またはそれが結合
    する電子供与原子の原子価要求によって許容される有機または無機の置換基での
    共有結合置換を表し、 R40およびR41が、それぞれ独立して、存在しないか、またはそれが結合する環原
    子の原子価要求によって許容される有機または無機の置換基でのC1およびC2の1
    つ以上の共有結合置換を表し、 あるいはR1、R2、R'1、R'2、R40およびR41の任意の2つ以上が合わさって、架橋
    置換基を形成し； C1が少なくとも1つの部位でR1、R'1またはR41によって置換され、かつC2が少な
    くとも1つの部位でR2、R'2またはR40によって置換され、さらにR1、R'1およびR4 1 の少なくとも1つがR2、R'2またはR40の少なくとも1つと合わさって、4座配位子
    としてZ1、Z2、Z3およびZ4を提供するように架橋置換基を形成していることを条
    件とし； Mが主族金属イオンを表し； Aが対イオンまたは求核試薬を表し、 ここでR1、R2、R'1、R2、R40およびR41が、それぞれ、該4座配位子において少な
    くとも1つの立体中心を提供するように選択される； ことを特徴とする請求項32記載の方法。
  34. 【請求項３４】 前記R1、R2、R'1およびR2が、それぞれ独立して、水素、
    ハロゲン、アルキル、アルケニル、アルキニル、ヒドロキシル、アルコキシル、
    シリロキシル、アミノ、ニトロ、チオール、アミン、イミン、アミド、ホスホリ
    ル、ホスホネート、ホスフィン、カルボニル、カルボキシル、シリル、エーテル
    、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテル、ケトン、アルデヒド、エステル
    、または−(CH2)m−R7を表し； 化学式100におけるR40およびR41が、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、アル
    キル、アルケニル、アルキニル、ヒドロキシル、アミノ、ニトロ、チオール、ア
    ミン、イミン、アミド、ホスホリル、ホスホネート、ホスフィン、カルボニル、
    カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテル
    、ケトン、アルデヒド、エステル、または−(CH2)m−R7を表し； R7がアリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環または多環を表し； ｍがゼロまたは1から8の範囲内の整数である； ことを特徴とする請求項33記載の方法。
  35. 【請求項３５】 前記Z1、Z2、Z3およびZ4が、それぞれ独立して、窒素、酸
    素、リン、ヒ素、硫黄より成る群から選択されることを特徴とする請求項33記載
    の方法
  36. 【請求項３６】 前記Mが周期表の1、2、12、13、または14族から選択され
    た主族金属を表すことを特徴とする請求項33記載の方法。
  37. 【請求項３７】 前記金属原子が、Li、Na、K、Pb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、B
    a、Zn、Cd、Hg、B、Al、Ga、In、Si、GeおよびSnより成る群から選択されること
    を特徴とする請求項33記載の方法。
  38. 【請求項３８】 前記Mが12、13、または14族の主族金属であることを特徴
    とする請求項33記載の方法。
  39. 【請求項３９】 前記MがAl(III)であることを特徴とする請求項38記載の方
    法。
  40. 【請求項４０】 前記4座配位子が、化学式102により表されるキラルな非ラ
    セミ配位子、化学式104により表されるキラルな非ラセミ配位子、化学式106によ
    り表されるキラルな非ラセミ配位子、化学式108により表されるキラルな非ラセ
    ミ配位子、化学式110により表されるキラルな非ラセミ配位子、化学式112により
    表されるキラルな非ラセミ配位子、化学式114により表されるキラルな非ラセミ
    配位子、化学式116により表されるキラルな非ラセミ配位子、およびキラルな非
    ラセミクラウンエーテルより成る群から選択されることを特徴とする請求項32記
    載の方法。
  41. 【請求項４１】 前記π結合含有基質が、一般化学式1により表され、前記
    求核試薬がNuYにより表され、かつ該方法の生成物が一般化学式2により表され： 【化５】 ここで、R、R'およびR''が、それぞれ独立して、水素、アルキル、アルケニル、
    アルキニル、アシル、チオアシル、アルキルチオ、イミン、アミド、ホスホリル
    、ホスホネート、ホスフィン、カルボニル、カルボキシル、カルボキサミド、ア
    ンヒドリド、シリル、チオアルキル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル
    、セレノアルキル、ケトン、アルデヒド、エステル、ヘテロアルキル、アミジン
    、アセタール、ケタール、アリール、ヘテロアリール、アジリジン、カルバメー
    ト、エポキシド、ヒドロキサム酸、イミド、オキシム、スルホンアミド、チオア
    ミド、チオカルバメート、尿素、チオ尿素、または−(CH2)m−R80を表し； XがCR2、O、S、SeおよびNR"より成る群から選択され； Yがそれぞれ独立して、H、Li、Na、K、Mg、Ca、B、Al、Cu、Ag、Ti、Zr、SiR3、
    およびSnR3よりなる群から選択され；かつ Nuが、例えばシアン化物、アジド、イソシアネート、チオシアネート、アルコキ
    シド、チオアルコキシド、カルボキシレート、チオカルボキシレートおよびカル
    バニオンのような弱ブレーンステズ酸の共役塩基よりなる群から選択され； R80が未置換の、または置換されたアリール、シクロアルキル、シクロアルケニ
    ル、複素環、または多環を表し；さらに ｍが0から8の範囲に含まれる整数である； ことを特徴とする請求項32記載の方法。
  42. 【請求項４２】 化学式1における前記RおよびR'が合わさって、その環構造
    内に4から8原子を有する炭素環または複素環を形成することを特徴とする請求項
    41記載の方法。
  43. 【請求項４３】 前記RおよびR'が、化学式1が分子内対称面を持たないよう
    に選択されることを特徴とする請求項41記載の方法。
  44. 【請求項４４】 前記π結合含有基質が、アルデヒド、共役エナール、チオ
    アルデヒド、共役チオエナール、セレノアルデヒド、共役セレノエナール、ケト
    ン、共役エノン、チオケトン、共役チオエノン、セレノケトン、共役セレノエノ
    ン、イミン、オキシム、ヒドラゾン、グリオキシレート、ピルベート、共役エノ
    エート、α,β−不飽和アミド、α,β−不飽和イミド、ラクトン、チオノラクト
    ン、チオラクトン、ジチオラクトン、ラクタム、およびチオラクタムより成る群
    から選択され；かつ前記求核試薬が、例えばシアン化物、アジド、イソシアネー
    ト、チオシアネート、アルコキシド、チオアルコキシド、カルボキシレート、チ
    オカルボキシレートおよびカルバニオンのような弱ブレーンステズ酸の共役塩基
    よりなる群から選択されることを特徴とする請求項32記載の方法。
  45. 【請求項４５】 プロセスが、鏡像体選択的反応であることを特徴とする請
    求項32記載の方法。
  46. 【請求項４６】 プロセスが、ジアステレオマー選択的反応であることを特
    徴とする請求項32記載の方法。
  47. 【請求項４７】 前記ジアステレオマー選択的反応が、速度分割を生じさせ
    ることを特徴とする請求項46記載の方法。
  48. 【請求項４８】 立体選択的求核付加反応を触媒させる方法において： 立体異性体的に濃縮された生成物を生じさせるために、キラルな非ラセミ触媒の
    存在下で、キラルな、またはプロキラルなπ結合含有基質と求核試薬とを混合し
    、該π結合含有基質が少なくとも1つの炭素−炭素または炭素−ヘテロ原子のπ
    結合を含み、該求核試薬が少なくとも1対のルイス塩基電子を含み、かつ該キラ
    ルな触媒が主族金属と錯体形成したキラルな3座配位子を含み；さらに、 該キラルな非ラセミ触媒が該π結合含有基質と該求核試薬との間の立体選択的求
    核付加反応を触媒するのに適した条件下において、その混合物を保持する； ことを含む立体選択的求核付加反応を触媒させる方法。
  49. 【請求項４９】 前記キラルな触媒のキラルな3座配位子が、一般化学式： 【化６】 により表され； ここで、Z1、Z2およびZ3が、それぞれ、ルイス塩基を表し； Z1、Z2およびMで形成されているE1部分、およびZ2、Z3およびMで形成されている
    E2部分が、それぞれ独立して、複素環を形成し； R80およびR81が、それぞれ独立して、存在しないか、または、ハロゲン、アルキ
    ル、アルケニル、アルキニル、ヒドロキシル、アルコキシル、シリロキシル、ア
    ミノ、ニトロ、チオール、アミン、イミン、アミド、ホスホリル、ホスホネート
    、ホスフィン、カルボニル、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、
    スルホニル、セレノエーテル、ケトン、アルデヒド、エステル、または−(CH2)m −R7を表し、あるいはR80、R81の置換基の任意の2つ以上が合わさって、架橋置
    換基を形成し； R7が、アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環または多環を表し
    ； ｍがゼロまたは1から8の範囲内の整数であり； Mが主族金属を表し；かつ Aが対イオンまたは求核試薬を表し、 ここで3座配位子が不斉である； ことを特徴とする請求項48記載の方法。
  50. 【請求項５０】 立体異性体的に濃縮されたキラル化合物を合成する方法に
    おいて： キラルな触媒の非存在下においてプロキラルなπ結合含有基質の場合に生成され
    たラセミ混合物と比較して、またはキラルな触媒の非存在下においてπ結合含有
    基質がキラルである場合に生成された1：1比のジアステレオマーと比較して、立
    体異性体的に濃縮された生成物を生じさせるために、キラルな非ラセミ触媒の存
    在下で、かつ該キラルな触媒がπ結合含有基質と求核試薬との間の立体選択的求
    核付加反応を触媒するような条件下で、キラルな、またはプロキラルなπ結合含
    有基質と求核試薬とを反応させることを含み； 該π結合含有基質が一般化学式1により表され、該求核試薬がNuYにより表され、
    かつ該方法の生成物が一般化学式 2により表され： 【化７】 ここで、R、R'およびR''が、それぞれ独立して、水素、アルキル、アルケニル、
    アルキニル、アシル、チオアシル、アルキルチオ、イミン、アミド、ホスホリル
    、ホスホネート、ホスフィン、カルボニル、カルボキシル、カルボキサミド、ア
    ンヒドリド、シリル、チオアルキル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル
    、セレノアルキル、ケトン、アルデヒド、エステル、ヘテロアルキル、アミジン
    、アセタール、ケタール、アリール、ヘテロアリール、アジリジン、カルバメー
    ト、エポキシド、ヒドロキサム酸、イミド、オキシム、スルホンアミド、チオア
    ミド、チオカルバメート、尿素、チオ尿素、または−(CH2)m−R80を表し； XがCR2、O、S、SeおよびNR"より成る群から選択され； Yが、それぞれ独立して、H、Li、Na、K、Mg、Ca、B、Al、Cu、Ag、Ti、Zr、SiR3 、およびSnR3よりなる群から選択され；かつ Nuが、例えばシアン化物、アジド、イソシアネート、チオシアネート、アルコキ
    シド、チオアルコキシド、カルボキシレート、チオカルボキシレートおよびカル
    バニオンのような弱ブレーンステズ酸の共役塩基よりなる群から選択され； R80が、未置換の、または置換されたアリール、シクロアルキル、シクロアルケ
    ニル、複素環、または多環を表し； ｍが0から8の範囲に含まれる整数であり；さらに 該キラルな触媒が、一般化学式： 【化８】 により表され； ここで、置換基R1、R2、Y1、Y2、X1、X2、X3およびX4が、それぞれ独立して、水
    素、ハロゲン、アルキル、アルケニル、アルキニル、ヒドロキシル、アルコキシ
    ル、シリロキシル、アミノ、ニトロ、チオール、アミン、イミン、アミド、ホス
    ホリル、ホスホネート、ホスフィン、カルボニル、カルボキシル、シリル、エー
    テル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテル、ケトン、アルデヒド、エス
    テル、または−(CH2)m−R7を表し、 あるいは任意の2つ以上の置換基が合わさって、環構造内に4から8原子を有する
    炭素環式または複素環式環を形成し、 R1、Y1、X1およびX2の少なくとも1つが、R2、Y2、X3およびX4の少なくとも1つに
    共有結合し、4座配位子としてそれらが結合するβ−イミノカルボニルを提供し
    、かつY1およびY2の少なくとも1方が水素であることを条件とし； R7が、アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環または多環を表し
    ； ｍがゼロまたは1から8の範囲内の整数であり； Mが主族金属を表し；かつ Aが対イオンまたは求核試薬を表し、ここで置換基R1、R2、Y1、Y2、X1、X2、X3
    およびX4が、それぞれ、該触媒が不斉になるように選択される； ことを特徴とする立体異性体的に濃縮されたキラル化合物を合成する方法。
  51. 【請求項５１】 前記Mが、周期表の1、2、12、13、または14族から選択さ
    れた主族金属を表すことを特徴とする請求項50記載の方法。
  52. 【請求項５２】 前記金属原子が、Li、Na、K、Pb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、B
    a、Zn、Cd、Hg、B、Al、Ga、In、Si、GeおよびSnより成る群から選択されること
    を特徴とする請求項51記載の方法。
  53. 【請求項５３】 前記Mが12、13、または14族の主族金属であることを特徴
    とする請求項50記載の方法。
  54. 【請求項５４】 前記MがAl(III)であることを特徴とする請求項53記載の方
    法。
  55. 【請求項５５】 前記キラルな非ラセミ触媒が、一般化学式104： 【化９】 により表され； ここで、B1部分が、−R15−R16−R17−によって表されるジイミン架橋置換基を
    表し、R15およびR17が、それぞれ独立して、存在しないか、またはアルキル、ア
    ルケニルもしくはアルキニルを表し、かつR16が存在しないか、またはアミン、
    イミン、アミド、ホスホリル、カルボニル、シリル、酸素、硫黄、スルホニル、
    セレニウム、カルボニルもしくはエステルを表し； B2およびB3が、それぞれ独立して、その環構造内に4から8原子を含む、シクロア
    ルキル、シクロアルケニル、アリール、および複素環より成る群から選択された
    環を表し； Y1およびY2が、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、アルキル、アルケニル、ア
    ルキニル、ヒドロキシル、アルコキシル、シリロキシル、アミノ、ニトロ、チオ
    ール、アミン、イミン、アミド、ホスホリル、ホスホネート、ホスフィン、カル
    ボニル、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノ
    エーテル、ケトン、アルデヒド、エステル、または−(CH2)m−R7を表し、 R12、R13およびR14が、それぞれ独立して、存在しないか、または、ハロゲン、
    アルキル、アルケニル、アルキニル、ヒドロキシル、アミノ、ニトロ、チオール
    、アミン、イミン、アミド、ホスホリル、ホスホネート、ホスフィン、カルボニ
    ル、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノエー
    テル、ケトン、アルデヒド、エステル、または−(CH2)m−R7によるB1、B2および
    B3の少なくとも1つの共有結合置換を表し、ここでR12は、−R15−R16−R17−の1
    つ以上の位置に存在でき、 あるいはR12、R13、R14、Y1およびY2の任意の2つ以上が合わさって、架橋置換基
    を形成し； R7がアリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環または多環を表し； ｍがゼロまたは1から8の範囲内の整数であり； Mが主族金属を表し；かつ Aが対イオンまたは求核試薬を表し、 ここで置換基R12、R13、R14、Y1、およびY2は、該触媒が不斉になるように選択
    される； ことを特徴とする請求項50記載の方法。
  56. 【請求項５６】 化学式1における前記RおよびR'が合わさって、その環構造
    内に4から8原子を有する炭素環または複素環を形成することを特徴とする請求項
    50記載の方法。
  57. 【請求項５７】 前記RおよびR'が、化学式1が分子内対称面を持たないよう
    に選択されることを特徴とする請求項50記載の方法。
  58. 【請求項５８】 前記π結合含有基質が、アルデヒド、共役エナール、チオ
    アルデヒド、共役チオエナール、セレノアルデヒド、共役セレノエナール、ケト
    ン、共役エノン、チオケトン、共役チオエノン、セレノケトン、共役セレノエノ
    ン、イミン、オキシム、ヒドラゾン、グリオキシレート、ピルベート、共役エノ
    エート、α,β−不飽和アミド、α,β−不飽和イミド、ラクトン、チオノラクト
    ン、チオラクトン、ジチオラクトン、ラクタム、およびチオラクタムより成る群
    から選択され；かつ前記求核試薬が、例えばシアン化物、アジド、イソシアネー
    ト、チオシアネート、アルコキシド、チオアルコキシド、カルボキシレート、チ
    オカルボキシレートおよびカルバニオンのような弱ブレーンステズ酸の共役塩基
    よりなる群から選択されることを特徴とする請求項50記載の方法。
  59. 【請求項５９】 プロセスが、鏡像体選択的反応であることを特徴とする請
    求項50記載の方法。
  60. 【請求項６０】 プロセスが、ジアステレオマー選択的反応であることを特
    徴とする請求項50記載の方法。
  61. 【請求項６１】 前記ジアステレオマー選択的反応が、速度分割を生じさせ
    ることを特徴とする請求項60記載の方法。
  62. 【請求項６２】 プロキラルな、またはキラルなπ結合含有基質に対する求
    核試薬の立体選択的付加を実施する方法において、該π結合含有基質が、一般化
    学式1により表され、該求核試薬がNuYにより表され、かつ該方法の生成物が2に
    より表され： 【化１０】 ここで、R、R'およびR''が、それぞれ独立して、水素、アルキル、アルケニル、
    アルキニル、アシル、チオアシル、アルキルチオ、イミン、アミド、ホスホリル
    、ホスホネート、ホスフィン、カルボニル、カルボキシル、カルボキサミド、ア
    ンヒドリド、シリル、チオアルキル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル
    、セレノアルキル、ケトン、アルデヒド、エステル、ヘテロアルキル、アミジン
    、アセタール、ケタール、アリール、ヘテロアリール、アジリジン、カルバメー
    ト、エポキシド、ヒドロキサム酸、イミド、オキシム、スルホンアミド、チオア
    ミド、チオカルバメート、尿素、チオ尿素、または−(CH2)m−R80を表し； XがCR2、O、S、SeおよびNR"より成る群から選択され； Yが、それぞれ独立して、H、Li、Na、K、Mg、Ca、B、Al、Cu、Ag、Ti、Zr、SiR3 、およびSnR3よりなる群から選択され；かつ Nuが、例えばシアン化物、アジド、イソシアネート、チオシアネート、アルコキ
    シド、チオアルコキシド、カルボキシレート、チオカルボキシレートおよびカル
    バニオンのような弱ブレーンステズ酸の共役塩基よりなる群から選択され； R80が未置換の、または置換されたアリール、シクロアルキル、シクロアルケニ
    ル、複素環、または多環を表し； ｍが0から8の範囲に含まれる整数であり；さらに 該方法が、少なくとも触媒量のキラルなメタロサレネート触媒の存在下で該π結
    合含有基質を該求核試薬と反応させることを含む； ことを特徴とするプロキラルな、またはキラルなπ結合含有基質に対する求核試
    薬の立体選択的付加を実施する方法。
  63. 【請求項６３】 前記メタロサレネート触媒が、一般化学式106： 【化１１】 により表され； ここで、置換基R1、R2、R3、R4、R5、Y1、Y2、X1、X2、X3、X4、X5、X6、X7およ
    びX8が、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、アルキル、アルケニル、アルキニ
    ル、ヒドロキシル、アルコキシル、シリロキシル、アミノ、ニトロ、チオール、
    アミン、イミン、アミド、ホスホリル、ホスホネート、ホスフィン、カルボニル
    、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテ
    ル、ケトン、アルデヒド、エステル、または−(CH2)m−R7を表し； あるいは、任意の2つ以上の置換基が合わさって、環構造内に4から10原子を有す
    る炭素環または複素環を形成し； R7が、アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環または多環を表し
    ； ｍがゼロまたは1から8の範囲内の整数であり； Mが主族金属を表し；かつ Aが対イオンまたは求核試薬を表し、 ここで、もしR5が存在しなければ、R1とR2の少なくとも1方がR3とR4の少なくと
    も1方と合わさって、架橋置換基を形成し、さらに化学式106の置換基のそれぞれ
    が、サレネートが不斉になるように選択される； ことを特徴とする請求項62の方法。
  64. 【請求項６４】 置換基R1、R2、R3、およびR4が、それぞれ独立して、水素
    、ハロゲン、アルキル、アルケニル、アルキニル、ヒドロキシル、アルコキシル
    、シリロキシル、アミノ、ニトロ、チオール、アミン、イミン、アミド、ホスホ
    リル、ホスホネート、ホスフィン、カルボニル、カルボキシル、シリル、エーテ
    ル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテル、ケトン、アルデヒド、エステ
    ル、または−(CH2)m−R7を表し； あるいは、R1、R2、およびR50、またはR3およびR4の任意の2つ以上の置換基が合
    わさって、環構造内に4から8原子を有する炭素環または複素環を形成し； R7が、アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環または多環を表し
    ； かつｍがゼロまたは1から8の範囲内の整数である； ことを特徴とする請求項62記載の方法。
  65. 【請求項６５】 前記RおよびR'が、化学式1が分子内対称面を持たないよう
    に選択されることを特徴とする請求項62記載の方法。
  66. 【請求項６６】 前記π結合含有基質が、アルデヒド、共役エナール、チオ
    アルデヒド、共役チオエナール、セレノアルデヒド、共役セレノエナール、ケト
    ン、共役エノン、チオケトン、共役チオエノン、セレノケトン、共役セレノエノ
    ン、イミン、オキシム、ヒドラゾン、グリオキシレート、ピルベート、共役エノ
    エート、α,β−不飽和アミド、α,β−不飽和イミド、ラクトン、チオノラクト
    ン、チオラクトン、ジチオラクトン、ラクタム、およびチオラクタムより成る群
    から選択され；かつ前記求核試薬が、例えば、シアン化物、アジド、イソシアネ
    ート、チオシアネート、アルコキシド、チオアルコキシド、カルボキシレート、
    チオカルボキシレートおよびカルバニオンのような弱ブレーンステズ酸の共役塩
    基よりなる群から選択されることを特徴とする請求項62記載の方法。
  67. 【請求項６７】 前記Mが周期表の1、2、12、13、または14族から選択され
    た主族金属を表すことを特徴とする請求項63記載の方法。
  68. 【請求項６８】 前記金属原子が、Li、Na、K、Pb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、B
    a、Zn、Cd、Hg、B、Al、Ga、In、Si、GeおよびSnより成る群から選択されること
    を特徴とする請求項67記載の方法。
  69. 【請求項６９】 前記Mが12、13、または14族の主族金属であることを特徴
    とする請求項63記載の方法。
  70. 【請求項７０】 前記MがAl(III)であることを特徴とする請求項69記載の方
    法。
  71. 【請求項７１】 プロセスが、鏡像体選択的反応であることを特徴とする請
    求項62記載の方法。
  72. 【請求項７２】 プロセスが、ジアステレオマー選択的反応であることを特
    徴とする請求項62記載の方法。
  73. 【請求項７３】 前記ジアステレオマー選択的反応が、速度分割を生じさせ
    ることを特徴とする請求項72記載の方法。
  74. 【請求項７４】 それぞれ、一般化学式1、およびNuY： 【化１２】 により表されるキラルなπ結合含有基質のラセミ混合物、またはキラルな求核試
    薬のラセミ混合物から鏡像体を分割する方法において； ここで、R、R'およびR''が、それぞれ独立して、水素、アルキル、アルケニル、
    アルキニル、アシル、チオアシル、アルキルチオ、イミン、アミド、ホスホリル
    、ホスホネート、ホスフィン、カルボニル、カルボキシル、カルボキサミド、ア
    ンヒドリド、シリル、チオアルキル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル
    、セレノアルキル、ケトン、アルデヒド、エステル、ヘテロアルキル、アミジン
    、アセタール、ケタール、アリール、ヘテロアリール、アジリジン、カルバメー
    ト、エポキシド、ヒドロキサム酸、イミド、オキシム、スルホンアミド、チオア
    ミド、チオカルバメート、尿素、チオ尿素、または−(CH2)m−R80を表し； XがCR2、O、S、SeおよびNR"より成る群から選択され； Yがそれぞれ独立して、H、Li、Na、K、Mg、Ca、B、Al、Cu、Ag、Ti、Zr、SiR3、
    およびSnR3よりなる群から選択され；かつ Nuが、例えばシアン化物、アジド、イソシアネート、チオシアネート、アルコキ
    シド、チオアルコキシド、カルボキシレート、チオカルボキシレートおよびカル
    バニオンのような弱ブレーンステズ酸の共役塩基よりなる群から選択され； R80が未置換の、または置換されたアリール、シクロアルキル、シクロアルケニ
    ル、複素環、または多環を表し； ｍが0から8の範囲に含まれる整数であり； 該方法が、化学式： 【化１３】 により表されるキラルな触媒の存在下において、該π結合含有基質（1）のラセ
    ミ混合物または該求核試薬のラセミ混合物を、それぞれ、アキラルな求核試薬ま
    たはアキラルなπ結合含有基質と接触させることを含み； ここでZ1、Z2、Z3およびZ4がそれぞれルイス塩基を表し； Z1、Z3およびMで形成されるC1部分、およびZ2、Z4およびMで形成されるC2部分が
    、それぞれ独立して、複素環を形成し； R1、R2、R'1およびR'2が、それぞれ独立して、存在しないか、またはそれが結合
    する電子供与原子の原子価要求によって許容される有機または無機の置換基での
    共有結合置換を表し、 R40およびR41が、それぞれ独立して、存在しないか、またはそれが結合する環原
    子の原子価要求によって許容される有機または無機の置換基でのC1およびC2の1
    つ以上の共有結合置換を表し、 あるいはR1、R2、R'1、R'2、R40およびR41の任意の2つ以上が合わさって、架橋
    置換基を形成し； C1が少なくとも1つの部位でR1、R'1またはR41によって置換され、かつC2が少な
    くとも1つの部位でR2、R'2またはR40によって置換され、さらにR1、R'1およびR4 1 の少なくとも1つがR2、R'2またはR40の少なくとも1つと合わさって、4座配位子
    としてZ1、Z2、Z3およびZ4を提供するように架橋置換基を形成していることを条
    件とし； Mが主族金属イオンを表し； Aが対イオンまたは求核試薬を表し、 ここでR1、R2、R'1、R2、R40およびR41が、該4座配位子において、少なくとも1
    つの立体中心を提供するように選択され； 該ラセミ基質の他の鏡像体を実質的に変化させないで残す求核付加において、ラ
    セミπ結合含有基質またはラセミ求核試薬の1つの鏡像体が、アキラルな求核試
    薬またはアキラルなπ結合含有基質とそれぞれ反応するような条件下である； ことを特徴とする鏡像体を分割する方法。
  75. 【請求項７５】 化学式100におけるR1、R2、R'1およびR'2が、それぞれ独
    立して、水素、ハロゲン、アルキル、アルケニル、アルキニル、ヒドロキシル、
    アミノ、ニトロ、チオール、アミン、イミン、アミド、ホスホリル、ホスホネー
    ト、ホスフィン、カルボニル、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル
    、スルホニル、セレノエーテル、ケトン、アルデヒド、エステル、または−(CH2 )m−R7を表し； 化学式100におけるR40およびR41が、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、アル
    キル、アルケニル、アルキニル、ヒドロキシル、アミノ、ニトロ、チオール、ア
    ミン、イミン、アミド、ホスホリル、ホスホネート、ホスフィン、カルボニル、
    カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテル
    、ケトン、アルデヒド、エステル、または−(CH2)m−R7を表し； R7がアリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環または多環を表し； ｍがゼロまたは1から8の範囲内の整数である； ことを特徴とする請求項74記載の方法。
  76. 【請求項７６】 Z1、Z2、Z3およびZ4が、それぞれ独立して、窒素、酸素、
    リン、ヒ素、および硫黄より成る群から選択されることを特徴とする請求項74記
    載の方法。
  77. 【請求項７７】 キラルな非ラセミαアミノニトリルが形成されるように、
    キラルな非ラセミ触媒の存在下において、プロキラルな、またはキラルなイミン
    をシアン化水素、またはその代用物と反応させることを含むキラルな非ラセミア
    ミノニトリルを提供する方法において、該キラルな非ラセミ触媒が主族金属原子
    と錯体形成した不斉4座配位子を含み、該錯体が長方平面、または長方錐の立体
    配置を有することを特徴とするキラルな非ラセミアミノニトリルを提供する方法
    。
  78. 【請求項７８】 キラルな非ラセミαアミノニトリルを形成するように、キ
    ラルな非ラセミ触媒の存在下において、プロキラルな、またはキラルなイミンを
    シアン化水素、またはその代用物と反応させることを含むキラルな非ラセミアミ
    ノニトリルを提供する方法において、該キラルな非ラセミ触媒が主族金属原子と
    錯体形成した不斉3座配位子を含み、該錯体が平面、または三方錐の立体配置を
    有することを特徴とするキラルな非ラセミアミノニトリルを提供する方法。
  79. 【請求項７９】 前記キラルな触媒のキラルな非ラセミ3座配位子が、一般
    化学式： 【化１４】 により表され； ここで、R106が、水素、ハロゲン、アルキル、アルケニル、アルキニル、ヒドロ
    キシル、アルコキシル、シリロキシル、アミノ、ニトロ、チオール、アミン、イ
    ミン、アミド、ホスホネート、ホスフィン、カルボニル、カルボキシル、シリル
    、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテル、ケトン、アルデヒド
    、エステル、または−(CH2)m−R7を表し；R112およびR'112が、それぞれ、存在
    しないか、または、それが結合している複素環の1つ以上の共有結合置換を表し
    ；R7が、アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環または多環を表
    し；かつｍがゼロまたは1から8の範囲内の整数である； ことを特徴とする請求項49記載の方法。
  80. 【請求項８０】 一般化学式： 【化１５】 により表されるキラルな触媒において； ここで、置換基R1、R2、Y1、Y2、X1、X2、X3およびX4が、それぞれ独立して、水
    素、ハロゲン、アルキル、アルケニル、アルキニル、ヒドロキシル、アルコキシ
    ル、シリロキシル、アミノ、ニトロ、チオール、アミン、イミン、アミド、ホス
    ホリル、ホスホネート、ホスフィン、カルボニル、カルボキシル、シリル、エー
    テル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテル、ケトン、アルデヒド、エス
    テル、または−(CH2)m−R7を表し、 あるいは任意の2つ以上の置換基が合わさって、環構造内に4から8原子を有する
    炭素環または複素環を形成し、 R1、Y1、X1およびX2の少なくとも1つが、R2、Y2、X3およびX4の少なくとも1つに
    共有結合して4座配位子としてそれらが結合するβ−イミノカルボニルを提供し
    、かつY1およびY2の少なくとも1方が水素であることを条件とし； R7がアリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環または多環を表し； ｍがゼロまたは1から8の範囲内の整数であり； Mが主族金属を表し；かつ Aが対イオンまたは求核試薬を表し、 ここで置換基R1、R2、Y1、Y2、X1、X2、X3およびX4が、それぞれ、該触媒が不斉
    になるように選択される； ことを特徴とするキラルな触媒。
  81. 【請求項８１】 前記主族金属が周期表の1、2、12、13、または14族から選
    択されることを特徴とする請求項80記載の触媒。
  82. 【請求項８２】 前記主族金属が12、13、または14族から選択されることを
    特徴とする請求項80記載の触媒。
  83. 【請求項８３】 前記Mが、Li、Na、K、Pb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、C
    d、Hg、B、Al、Ga、In、Si、GeおよびSnより成る群から選択されることを特徴と
    する請求項80記載の触媒。
  84. 【請求項８４】 前記MがAl(III)であることを特徴とする請求項80記載の触
    媒。
  85. 【請求項８５】 一般化学式104： 【化１６】 により表されるキラルな触媒において； ここで、B1部分が−R15−R16−R17−によって表されるジイミン架橋置換基を表
    し、ここでR15およびR17が、それぞれ独立して、存在しないか、またはアルキル
    、アルケニルもしくはアルキニルを表し、かつR16が存在しないか、またはアミ
    ン、イミン、アミド、ホスホリル、カルボニル、シリル、酸素、硫黄、スルホニ
    ル、セレニウム、カルボニルもしくはエステルを表し； B2およびB3が、それぞれ独立して、その環構造内に4から8原子を含む、シクロア
    ルキル、シクロアルケニル、アリール、および複素環より成る群から選択された
    環を表し； Y1およびY2が、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、アルキル、アルケニル、ア
    ルキニル、ヒドロキシル、アルコキシル、シリロキシル、アミノ、ニトロ、チオ
    ール、アミン、イミン、アミド、ホスホリル、ホスホネート、ホスフィン、カル
    ボニル、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノ
    エーテル、ケトン、アルデヒド、エステル、または−(CH2)m−R7を表し、 R12、R13およびR14が、それぞれ独立して、存在しないか、または、ハロゲン、
    アルキル、アルケニル、アルキニル、ヒドロキシル、アミノ、ニトロ、チオール
    、アミン、イミン、アミド、ホスホリル、ホスホネート、ホスフィン、カルボニ
    ル、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノエー
    テル、ケトン、アルデヒド、エステル、または−(CH2)m−R7によるB1、B2および
    B3の少なくとも1つの共有結合置換を表し、ここで、R12は、−R15−R16−R17−
    の1つ以上の位置に存在でき、 あるいはR12、R13、R14、Y1およびY2の任意の2つ以上が合わさって、架橋置換基
    を形成し； R7がアリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環または多環を表し； ｍがゼロまたは1から8の範囲内の整数であり； Mが主族金属を表し；かつ Aが対イオンまたは求核試薬を表し、 ここで置換基R12、R13、R14、Y1、Y2は、該触媒が不斉になるように選択される
    ； ことを特徴とするキラルな触媒。
  86. 【請求項８６】 前記主族金属が周期表の1、2、12、13、または14族から選
    択されることを特徴とする請求項85記載の触媒。
  87. 【請求項８７】 前記主族金属が12、13、または14族から選択されることを
    特徴とする請求項85記載の触媒。
  88. 【請求項８８】 前記MがLi、Na、K、Pb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd
    、Hg、B、Al、Ga、In、Si、GeおよびSnより成る群から選択されることを特徴と
    する請求項85記載の触媒。
  89. 【請求項８９】 前記MがAl(III)であることを特徴とする請求項85記載の触
    媒。
  90. 【請求項９０】 一般化学式106： 【化１７】 により表されるキラルな触媒において； ここで、置換基R1、R2、R3、R4、R5、Y1、Y2、X1、X2、X3、X4、X5、X6、X7およ
    びX8が、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、アルキル、アルケニル、アルキニ
    ル、ヒドロキシル、アルコキシル、シリロキシル、アミノ、ニトロ、チオール、
    アミン、イミン、アミド、ホスホリル、ホスホネート、ホスフィン、カルボニル
    、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテ
    ル、ケトン、アルデヒド、エステル、または−(CH2)m−R7を表し； あるいは、任意の2つ以上の置換基が合わさって、環構造内に4から10原子を有す
    る炭素環または複素環を形成し； R7がアリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環または多環を表し； ｍがゼロまたは1から8の範囲内の整数であり； Mが主族金属を表し；かつ Aが対イオンまたは求核試薬を表し； ここで、もしR5が存在しなければ、R1とR2の少なくとも1方がR3とR4の少なくと
    も1方と合わさって架橋置換基を形成し、さらに化学式106の置換基のそれぞれが
    、サレネートが不斉になるように選択される； ことを特徴とするキラルな触媒。
  91. 【請求項９１】 前記主族金属が周期表の1、2、12、13、または14族から選
    択されることを特徴とする請求項90記載の触媒。
  92. 【請求項９２】 前記主族金属が12、13、または14族から選択されることを
    特徴とする請求項90記載の触媒。
  93. 【請求項９３】 前記Mが、Li、Na、K、Pb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、C
    d、Hg、B、Al、Ga、In、Si、GeおよびSnより成る群から選択されることを特徴と
    する請求項90記載の触媒。
  94. 【請求項９４】 前記MがAl(III)であることを特徴とする請求項90記載の触
    媒。
  95. 【請求項９５】 一般化学式100： 【化１８】 により表されるキラルな触媒において； ここでZ1、Z2、Z3およびZ4がそれぞれルイス塩基を表し； Z1、Z3およびMで形成されるC1部分、およびZ2、Z4およびMで形成されるC2部分が
    、それぞれ独立して、複素環を形成し； R1、R2、R'1およびR'2が、それぞれ独立して、存在しないか、またはそれが結合
    する電子供与原子の原子価要求によって許容される有機または無機の置換基での
    共有結合置換を表し、 R40およびR41が、それぞれ独立して、存在しないか、またはそれが結合する環原
    子の原子価要求によって許容される有機または無機の置換基でのC1およびC2の1
    つ以上の共有結合置換を表し、 あるいはR1、R2、R'1、R'2、R40およびR41の任意の2つ以上が合わさって、架橋
    置換基を形成し； C1が少なくとも1つの部位でR1、R'1またはR41によって置換され、かつC2が少な
    くとも1つの部位でR2、R'2またはR40によって置換され、さらにR1、R'1およびR4 1 の少なくとも1つがR2、R'2またはR40の少なくとも1つと合わさって、4座配位子
    としてZ1、Z2、Z3およびZ4を提供するように架橋置換基を形成していることを条
    件とし； Mが主族金属イオンを表し； Aが対イオンまたは求核試薬を表し； R1、R2、R'1、R2、R40およびR41が該4座配位子において、少なくとも1つの立体
    中心を提供するように選択される； ことを特徴とするキラルな触媒。
  96. 【請求項９６】 前記R1、R2、R'1およびR2が、それぞれ独立して、水素、
    ハロゲン、アルキル、アルケニル、アルキニル、ヒドロキシル、アルコキシル、
    シリロキシル、アミノ、ニトロ、チオール、アミン、イミン、アミド、ホスホリ
    ル、ホスホネート、ホスフィン、カルボニル、カルボキシル、シリル、エーテル
    、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテル、ケトン、アルデヒド、エステル
    、または−(CH2)m−R7を表し； 化学式100におけるR40およびR41が、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、アル
    キル、アルケニル、アルキニル、ヒドロキシル、アミノ、ニトロ、チオール、ア
    ミン、イミン、アミド、ホスホリル、ホスホネート、ホスフィン、カルボニル、
    カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテル
    、ケトン、アルデヒド、エステル、または−(CH2)m−R7を表し； R7がアリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環または多環を表し； ｍがゼロまたは1から8の範囲内の整数である； ことを特徴とする請求項95記載の触媒。
  97. 【請求項９７】 前記Z1、Z2、Z3およびZ4が、それぞれ独立して、窒素、酸
    素、リン、ヒ素、硫黄より成る群から選択されることを特徴とする請求項95また
    は96記載の触媒。
  98. 【請求項９８】 前記主族金属が周期表の1、2、12、13、または14族から選
    択されることを特徴とする請求項95、96、または97記載の方法。
  99. 【請求項９９】 前記主族金属が12、13、または14族から選択されることを
    特徴とする請求項98記載の触媒。
  100. 【請求項１００】 前記Mが、Li、Na、K、Pb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn
    、Cd、Hg、B、Al、Ga、In、Si、GeおよびSnより成る群から選択されることを特
    徴とする請求項99記載の触媒。
  101. 【請求項１０１】 前記MがAl(III)であることを特徴とする請求項100記載
    の触媒。
  102. 【請求項１０２】 古いメタロサレネート触媒を含む組成物において、該触
    媒が一般化学式： 【化１９】 により表され； ここで、置換基R1、R2、R3、R4、R5、Y1、Y2、X1、X2、X3、X4、X5、X6、X7およ
    びX8が、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、アルキル、アルケニル、アルキニ
    ル、ヒドロキシル、アルコキシル、シリロキシル、アミノ、ニトロ、チオール、
    アミン、イミン、アミド、ホスホリル、ホスホネート、ホスフィン、カルボニル
    、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテ
    ル、ケトン、アルデヒド、エステル、または−(CH2)m−R7を表し； あるいは、任意の2つ以上の置換基が合わさって、環構造内に4から10原子を有す
    る炭素環または複素環を形成し； R7がアリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環または多環を表し； ｍがゼロまたは1から8の範囲内の整数であり； Mが主族金属を表し；かつ Aが対イオンまたは求核試薬を表し； ここで、もしR5が存在しなければ、R1とR2の少なくとも1方がR3とR4の少なくと
    も1方と合わさって架橋置換基を形成し、さらに化学式106の置換基のそれぞれが
    、サレネートが不斉になるように選択される； ことを特徴とするエイジドメタロサレネートを含む組成物。
  103. 【請求項１０３】 前記主族金属が周期表の1、2、12、13、または14族から
    選択されることを特徴とする請求項102記載の組成物。
  104. 【請求項１０４】 前記主族金属が12、13、または14族から選択されること
    を特徴とする請求項102記載の組成物。
  105. 【請求項１０５】 前記Mが、Li、Na、K、Pb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn
    、Cd、Hg、B、Al、Ga、In、Si、GeおよびSnより成る群から選択されることを特
    徴とする請求項102記載の組成物。
  106. 【請求項１０６】 前記MがAl(III)であることを特徴とする請求項102記載
    の組成物。
  107. 【請求項１０７】 一般化学式140： 【化２０】 により表されるキラルな触媒において； ここで、Z1、Z2およびZ3が、それぞれ、ルイス塩基を表し； Z1、Z2およびMで形成されているE1部分、およびZ2、Z3およびMで形成されている
    E2部分が、それぞれ独立して、複素環を形成し； R80およびR81が、それぞれ独立して、存在しないか、または、ハロゲン、アルキ
    ル、アルケニル、アルキニル、ヒドロキシル、アルコキシル、シリロキシル、ア
    ミノ、ニトロ、チオール、アミン、イミン、アミド、ホスホリル、ホスホネート
    、ホスフィン、カルボニル、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、
    スルホニル、セレノエーテル、ケトン、アルデヒド、エステル、または−(CH2)m −R7を表し、あるいはR80、R81の置換基の任意の2つ以上が合わさって、架橋置
    換基を形成し； R7がアリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環または多環を表し； ｍがゼロまたは1から8の範囲内の整数であり； Mが主族金属を表し； Aが対イオンまたは求核試薬を表し；かつ 3座配位子が不斉である； ことを特徴とするキラルな触媒。
  108. 【請求項１０８】 前記主族金属が周期表の1、2、12、13、または14族から
    選択されることを特徴とする請求項107記載の触媒。
  109. 【請求項１０９】 前記主族金属が12、13、または14族から選択されること
    を特徴とする請求項107記載の触媒。
  110. 【請求項１１０】 前記Mが、Li、Na、K、Pb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn
    、Cd、Hg、B、Al、Ga、In、Si、GeおよびSnより成る群から選択されることを特
    徴とする請求項107記載の触媒。
  111. 【請求項１１１】 前記MがAl(III)であることを特徴とする請求項107記載
    の触媒。
  112. 【請求項１１２】 一般化学式150： 【化２１】 により表されるキラルな触媒において； ここで、R106が、水素、ハロゲン、アルキル、アルケニル、アルキニル、ヒドロ
    キシル、アルコキシル、シリロキシル、アミノ、ニトロ、チオール、アミン、イ
    ミン、アミド、ホスホネート、ホスフィン、カルボニル、カルボキシル、シリル
    、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノエーテル、ケトン、アルデヒド
    、エステル、または−(CH2)m−R7を表し； R112およびR'112が、それぞれ、存在しないか、またはそれが結合している複素
    環の1つ以上の共有結合置換を表し； R7が、アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環または多環を表し
    ；ｍはゼロまたは1から8の範囲内の整数であり； Mが主族金属を表し；かつ Aが対イオンまたは求核試薬を表す； ことを特徴とするキラルな触媒。
  113. 【請求項１１３】 前記主族金属が周期表の1、2、12、13、または14族から
    選択されることを特徴とする請求項112記載の触媒。
  114. 【請求項１１４】 前記主族金属が12、13、または14族から選択されること
    を特徴とする請求項112記載の触媒。
  115. 【請求項１１５】 前記MがLi、Na、K、Pb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、C
    d、Hg、B、Al、Ga、In、Si、GeおよびSnより成る群から選択されることを特徴と
    する請求項112記載の触媒。
  116. 【請求項１１６】 前記MがAl(III)であることを特徴とする請求項112記載
    の触媒。
  117. 【請求項１１７】 一般化学式108： 【化２２】 により表されるキラルな触媒において； ここで、D1、D2、D3およびD4が、それぞれ、ピロール、ピロリジン、ピリジン、
    ピペリジン、イミダゾール、ピラジンを含む群から選択された複素環を表し； R18が、それぞれ、隣接する複素環を連結している架橋置換基を表し； R19が、それぞれ独立して、存在しないか、またはそれが結合している複素環の1
    つ以上の置換基を表し；該置換基が、それぞれ独立して、ハロゲン、アルキル、
    アルケニル、アルキニル、ヒドロキシル、アルコキシル、シリロキシル、アミノ
    、ニトロ、チオール、アミン、イミン、アミド、ホスホネート、ホスフィン、カ
    ルボニル、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレ
    ノエーテル、ケトン、アルデヒド、エステル、および−(CH2)m−R7より成る群か
    ら選択され、あるいは置換基R18およびR19の２つ以上が共有結合して架橋置換基
    を形成し； R7が、アリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環または多環を表し
    ； ｍがゼロまたは1から8の範囲内の整数であり；さらに Mが主族金属を表し、かつ 該触媒が不斉である； ことを特徴とするキラルな触媒。
  118. 【請求項１１８】 前記主族金属が周期表の1、2、12、13、または14族から
    選択されることを特徴とする請求項117記載の触媒。
  119. 【請求項１１９】 前記主族金属が12、13、または14族から選択されること
    を特徴とする請求項117記載の触媒。
  120. 【請求項１２０】 前記MがLi、Na、K、Pb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、C
    d、Hg、B、Al、Ga、In、Si、GeおよびSnより成る群から選択されることを特徴と
    する請求項117記載の触媒。
  121. 【請求項１２１】 前記MがAl(III)であることを特徴とする請求項117記載
    の触媒。
  122. 【請求項１２２】 一般化学式110： 【化２３】 により表されるキラルな触媒において； ここで、R19、R'19およびR20が、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、アルキル
    、アルケニル、アルキニル、ヒドロキシル、アルコキシル、シリロキシル、アミ
    ノ、ニトロ、チオ、アミン、イミン、アミド、ホスホネート、ホスフィン、カル
    ボニル、カルボキシル、シリル、エーテル、チオエーテル、スルホニル、セレノ
    エーテル、ケトン、アルデヒド、エステル、または−(CH2)m−R7を表し； 同じピロール上の任意の2つのR19およびR'19置換基が合わさって、環構造内に4
    から7の原子を有する縮合炭素環または縮合複素環を形成することができ； R19、R'19およびR20置換基の任意の2つ以上が共有結合して交差連結し、架橋置
    換基を形成していて差し支えなく； R7がアリール、シクロアルキル、シクロアルケニル、複素環または多環を表し； ｍがゼロまたは1から8の範囲内の整数であり；さらに Mが主族金属を表し；かつ 該触媒が不斉である； ことを特徴とするキラルな触媒。
  123. 【請求項１２３】 前記主族金属が周期表の1、2、12、13、または14族から
    選択されることを特徴とする請求項122記載の触媒。
  124. 【請求項１２４】 前記主族金属が12、13、または14族から選択されること
    を特徴とする請求項122記載の触媒。
  125. 【請求項１２５】 前記Mが、Li、Na、K、Pb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn
    、Cd、Hg、B、Al、Ga、In、Si、GeおよびSnより成る群から選択されることを特
    徴とする請求項122記載の触媒。
  126. 【請求項１２６】 前記MがAl(III)であることを特徴とする請求項122記載
    の触媒。
  127. 【請求項１２７】 (a)主族金属原子またはイオン；および(b)不斉4座配位
    子：を含むキラルな触媒において；少なくとも1つの不斉反応を触媒することを
    特徴とするキラルな触媒。
  128. 【請求項１２８】 (a)主族金属原子またはイオン；および(b)不斉3座配位
    子：を含むキラルな触媒において；少なくとも1つの不斉反応を触媒することを
    特徴とするキラルな触媒。
  129. 【請求項１２９】 エポキシ化、アジリジン化、付加環化、シグマトロピー
    転位、π結合への求核試薬の付加、および開環反応を含む不斉反応の群から選択
    された少なくとも1つの不斉反応の例を触媒することを特徴とする請求項127また
    は128記載のキラルな触媒。
  130. 【請求項１３０】エポキシ化、アジリジン化、開環反応、ヘテロ−ディール
    ス−アルダー反応、ヘテロ−エン反応(hetero-ene reaction)、クライセン(Clai
    sen)転位、カルボニル還元、カルボニル基への求核試薬の付加、および炭素−窒
    素π結合への求核試薬の付加を含む不斉反応の群から選択された少なくとも1つ
    の不斉反応の例を触媒することを特徴とする請求項127または128記載のキラルな
    触媒。
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