JPH06509981A

JPH06509981A - キラル触媒、接触酸化及び不均化反応並びにエポキシクロマン及びタキソルの製造方法

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Publication number: JPH06509981A
Application number: JP5504670A
Authority: JP
Inventors: ジェイコブソン　エリック　エヌ; ウェイツァン; リーデン
Original assignee: リサーチ　コーポレイション　テクノロジーズ　インコーポレイテッド
Priority date: 1991-08-26
Filing date: 1992-08-26
Publication date: 1994-11-10
Anticipated expiration: 2019-02-16
Also published as: DK0643626T3; DE69232443T2; EP0643626B1; EP0643626A1; AU2558092A; CA2116335C; ES2171159T3; JP2003340287A; DE69232443D1; ATE213663T1; AU678139B2; JP3497165B2; CA2116335A1; WO1993003838A1; EP0643626A4

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】キラル触媒、接触酸化及び不均化反応並びにエポキシクロマン及びタキソルの製造方法本発明は、不斉触媒作用の分野に関する。更に詳細には、本発明は、プロキラルオレフィンをエナンチオ選択的にエポキシ化するのに有効な有機金属触媒の分野に関する。

最近、不斉基移動の触媒作用においていくつかの進展があった。その１つは、Ｋ、　Ｂ、　５ｈａｒｐｌｅｓｓによるエナンチオマー的に純粋な合成構造ブロックが得られるアリルアルコールのエポキシ化の発見である。残念ながら、５ｈａｒｐｌｅｓｓの接触作用は、エポキシ化されるべきオレフィン上に特定の官能基、即ち、アリルアルコールの存在を必要とする。当体のことながら、この要求がエポキシ化される種々のオレフィンを厳しく制限している。

官能化されない不斉触媒作用において、ある成功が得られている。例えば、Ｋ。

Ｂ、　５ｈａｒｐｌｅｓｓは、１９８８年に、ある種のキナ皮アルカロイド誘導体がトランス−スチルベン及び他の種々のオレフィンのオスミウム触媒不斉ジヒドロキジル化において有効な配位子であることを報告している。この方法はある種のキラルジオールに対しては実用となるが、ンスオレフィンには不十分な結果を与えるものである。

本明細書に開示された触媒を除いて、官能化されないオレフィンを不斉エポキシ化するのに実用的な触媒法は現在存在しないと思われる。キラルボルフイリン錯体の使用によって、この領域が多少進歩してきている。特に、Ｊ、　Ｔ、　Ｇｒｏｖｅｓ等は、１９８３年に、キラルイオンポルフィリン触媒による不斉エポキシ化を報告している。

残念ながら、Ｇｒｏｖｅｓ系にはいくつかの欠点がある、即ち、ポルフィリン触媒は比較的調製が困難であり、基質低変換に対して酸化剤進行させ、スチレン誘導体に限定され且つエナンチオマー過剰率（ｅｅ）値が約５０％未満である。

エポキシクロマンの合成エポキシドの幅広い合成用途があるとすれば、単純なオレフィンの簡便で信頼でき且つ実用的な不斉エポキシ化方法が望ましいことは明らかである。合成用途のあるキラルエポキシドの１種は、エポキシクロマンとして一般に知られる化合物群又はクロメン誘導体のエポキシドである。例えば、６−ジアツー２，２−ジメチルクロメンのエポキシドは、クマロ力リムとして知られる化合物の合成において有効であることが見出されている。２種類のクマロカリムが図１２及び１３に示されている。これらは共に、カリウムチャネル活性化物質であると考えられており、血圧降下剤としてかなり有望であることが示されている。

図１２及び１３でわかるように、クロマカリム化合物は２つのエナンチオマーを有する。現在、これらのエナンチオマーのうちの１種、即ち、３Ｓ、４Ｒエナンチオマーだけが降圧活性を有すると考えられている。従って、前駆体クロメン誘導体のエナンチオマー的により純粋なエポキシドを製造する方法が強く望まれタキソルは臨床予備試験において有望な抗癌剤として出現した。しかしながら、タキソルは非常に複雑な分子であって完全に合成されておらず、不足した状態にある。タキソルは、２つの基本構造単位、Ｎ−ベンゾイル−３−フェニル−イソセリン側鎖及び高度に官能化したジテルペン核を有すると考えられる。核の四環状構造ははるかに大きな合成課題であり、いくつかの主導的な研究室の一致した努力にもかかわらず現在までのところかなえられていない。

従って、多数の研究グループがタキソル又はタキソル様活性を有する類縁体の半合成方法を探索している。いくつかの新規な方法は、天然ジテルペン核への側鎖合成及び結合又はタキソル同族体を含むものである。

得やすいタキソル同族体ＩＯ−デアセチルバッ力チンＩＩ＋（１０−Ｄ　Ｂ　ＩＩＩ）原料が見出されている。Ｃｈａｕｖｉｅｒｅ、　Ｇ、　、　Ｇｕｅｎａｒｄ、　Ｄ、　；ＰｉｃｏＬ、　Ｆ、　；５ｅｎｉｌｈ、　Ｖ、　；Ｐｏ煤@ｉｅｒ、　Ｐ、　Ｃ。

Ｒ，：５ｅａｎｃｅｓ　Ａｃａｄ、　Ｓｃｉ、　、　Ｓｅｒ、　２．２９３＋５０１−０３．１９８１゜Ｄｅｎｉｓ等（Ｊ、　Ａｍｅｒ、　bｈｅａｈ　Ｓｏｃ、　＋１０：５４１７、１９８８）は、Ｉ　（１−ＤＢＩＩ＋をタキソルに変換する方法を開発し、タキソルＣ１３側鎖に、保護された形の（２Ｒ，３Ｓ）−Ｎ−ベンゾイル −０−（１−エトキノエチル）−３−フェニル−イソセリンを用いている。Ｄｅｎｉｓ、　Ｊ、　−Ｎ、　；Ｇｒｅｅｎｅ、八。

Ｅ、　；５ｅｒｒａ、　Ａ、　Ａ、　；　Ｌｕｃｈｅ、　Ｍ、　−Ｊ、　Ｊ、　Ｏｒｇ、　Ｃｈｅｍ、　５１　：４６−５０．１９８６゜光学的に純粋なタキソルのＣ１３側鎖を合成する効率の良い方法が望まれている。

キラル触媒及びスルフィドの酸化本発明は、また、スルフィドをスルホキシドにエナンチオ的に酸化するのに有効な有機金属触媒の分野に関する。スルホキシドの幅広い合成用途があるとすれば、スルフィドの簡便で信頼でき且つ実用的な不斉酸化方法が望ましいことは明らかである。

キラルオキサンリジン誘導体を用いる不斉スルフィド酸化及びオレフィンエポキシ化法がＤａｖｉｓ等によって開発されており、良好から優秀までの効果があった。

これらの反応（及び化学量論的不斉エポキシ化）のエナンチオ選択的触媒は、新しい合成化学において最も興味深い課題になっている。今日までのところ、これらの両過程の場合十分に確立され且つ広く成功した方法は、末端酸化剤としてアルキルヒドロペルオキシドと密接に関連したチタン−酒石酸塩触媒を使用しているものしかない。また、末端酸化剤としてヨートンルアレーンを用いて、選択性が適度な両方のタイプの酸化過程を触媒する各種キラルポルフィリン錯体も報告血液及び種々の組織に存在する酵素カタラーゼは、過酸化水素を酸素ガス及び水に極めて急速に分解する。この過酸化水素の接触不均化（カタラーゼ反応としても知られる）は、好気的細胞を酸化ストレスから保護するので生物学的に重要な過程である。即ち、カタラーゼのように機能することができる化合物を見出すことは望ましいことである。

発明の要約簡単に述べると、本発明は、キラル触媒及びプロキラルオレフィンをエナンチオ選択的にエポキシ化するために該触媒を用いる方法である。

本発明の第１聾様によれば、キラル触媒は下記構造を有する・式中、Ｍは遷移金属イオンであり、Ａはアニオンであり、ｎは０．１又は２である。Ｘｌ又はＸｌの少なくとも１種はンリル基、アリール基、第二級アルキル基及び第三級アルキル基からなる群より選ばれ、Ｘ３又はＸ４の少なくとも１種は同し群より選ばれる。Ｙｌ、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｙ５及びＹ６は水素、ハライド、アルキル基、アリール基、ンリル基及びヘテロ原子を有するアルキル基、例えば、アルコキン又はハライドからなる群より独立して選ばれる。また、ＲＬ　Ｒ２、Ｒ３及びＲ４の少なくとも１種はＨ，ＣＨ，、Ｃ２Ｈｌ及び第一級アルキル基からなる第１群より選ばれる。更に、Ｒ１が該第１群より選ばれる場合には、Ｒ２及びＲ３はアリール基、ヘテロ原子を有する芳香族基、第二級アルキル基及び第三級アルキル基からなる第２群より選ばれる。Ｒ２が該第１群より選ばれる場合には、Ｒ１及びＲ４は該第２群より選ばれる。Ｒ３が該第１群より選ばれる場合には、Ｒ１及びＲ４は該第２群より選ばれる。Ｒ４が該第１群より選ばれる場合には、Ｒ２及びＲ３は該第２群より選ばれる。

本発明の第２態様によれば、キラル触媒は下記構造を有するより独立して選ばれる。

本発明の第３態様によれば、キラル触媒（ま下言己十葺造を有する：式中、Ｍは遷移金属イオンてあり、Ａはアニオンてあり５ｎはＯ，Ｉ又は２てあり、Ｘｌ又はＸｌの少なくとも１種はアリール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ：Ｘ３又はＸ４の少なくとも１種はアリール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ、ＹＩ又はＹ２の少なくとも１種はアリール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ、Ｙ４又はＹ５の少なくとも１種はアリール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ、￥３及びＹ６は水素及び第一級アルキル基からなる群より独立して選ばれ、ＲＬＲ２、Ｒ３及びＲ４の１又は２種は水素てあり、Ｒ１が水素である場合、Ｒ３は第一級アルキル基であり、Ｒ２が水素である場合には、Ｒ４は第一級アルキル基であり、Ｒ３が水素である場合には、Ｒ１は第一級アルキル基であり；Ｒ４が水素である場合には、Ｒ２は第一級アルキル基である。

本発明の第４態様によれば、キラル触媒は下記構造を有する・式中、Ｍは遷移金属イオンであり、Ａはアニオンであり；ｎは３．４．５又は６てあり、Ｘｌ又はＸｌの少なくとも１種はアリール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ：Ｘ３又はＸ４の少ｌｊくとも１種はアリール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ：Ｙｌ又はＹ２の少なくとも１種はアリール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ、Ｙ４又はＹ５の少なくとも１種はアリール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ、Ｙ３及びＹ６は水素及び第一級アルキル基からなる群より独立して選ばれ、Ｒ１とＲ４は相互にトランスであり、Ｒ１及びＲ４の少なくとも１種は第一級アルキル基及び水素からなる群より選ばれ；　（Ｃ）、部分の炭素は水素、アルキル基、アリール基及びヘテロ原子からなる群より選ばれた置換基を有する。

本発明の方法の態様によれば、プロキラルオレフィン、酸素原子源及び本発明の４態様の１種のキラル触媒を、該オレフィンをエポキシ化するのに必要とされる条件下及び時間反応させる。

本発明の池の方法の態様によれば、ピリジン−Ｎ−オキシド誘導体が用いられる。好ましくは、４−フェニルピリジン−Ｎ−オキシド又は４−ｊ−ブチルピリジン−Ｎ−オキシドが用いられる。更に好ましくは、４−フェニルピリジン−Ｎ− オキシドか用いられる。

キラル触媒及び触媒作用の本発明は、特定の利点を提供した。第１に、本発明の触媒は、触媒と相互作用するオレフィン上に特殊な官能基を必要とせずに−、二及び三置換オレフィンのエナンチオ選択的エポキ／化を触媒するための手段を提供するものである。換言すれば、本発明の触媒は、官能化されないオレフィンの不斉エポキシ化を触媒するのに特に適している。これは、上記で言及した５ｈａｒｐｌｅｓｓ触媒のような従来の触媒と著しく異なっている。

第２に、本発明の好ましい触媒は、シス、二置換オレフィンのエポキシ化を触媒するに当たり著しいエナンチオ特性を示すものである。下記実施例１を参照されたい、ここで第１態様の最も好ましい実施態様を用いて触媒すると、シス−β− メチルスチレンで８５％のｅｅが得られている。本発明の第４態様の最も好ましい触媒を用いる実施例１２のｅｅ値も参照されたい。上記のように、従来技術の触媒はシス、二置換オレフィンの場合４０％を超えるｅｅ値を生じていない。

第３に、本発明の触媒は、特に従来技術で開示されているポルフィリン系に比べて合成が相対的に簡便である。

簡単に述べると、本発明のまたもう１つの実施態様は、キラル触媒を用いるエポキシクロマンの製造方法である。本方法によれば、下記の酸素源及びキラル触媒を、該クロメン誘導体をエポキシ化するのに必要とされる条件下及び時間反応本発明の方法で用いられるクロメン誘導体は、下記構造を有する：式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、ＸＬ　Ｘｌ、Ｘ３及びＸ４は各々水素、アリール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ、Ｒ１及びＲ２の１種以上は水素でない。

エポキシクロマンのエナンチオ選択的製造方法は、特定の利用、を提供した。第１に、本発明の好ましい触媒は、クロメン誘導体のエポキシ化を触媒するに当たり著しいエナンチオ選択性を示す。下記実施例１７を参昭されたい、ここで６− ノアノー２．２−ツメチルクロメン及び下記で示される最も好ましい触媒を用いて９７％のｅｅが得られた。上記のように、従来技術の触媒はシス、二置換オレフィンの場合１０％を超えるｅｅ値が得られていない。

第２に、本発明は、エナンチオ選択性が非常に高いエポキシクロマンに対して効果的で簡潔な方法を提供する。エナンチオマー的に豊富にしたエポキシクロマンは、キラルな３，４−二置換クロマンの合成に有効な中間体である。

第３に、本方法は種々の置換クロメン誘導体について有効である。

第４に、本発明の触媒は、特に従来技術で開示されているポルフィリン系に比へて合成が相対的に簡便である。

本発明のまたもう１つの実施態様は、キラル触媒を用いるンンナメート誘導体のノスーエポキシドのエナンチオ選択的製造方法である。本方法によれば、ノスーンンナメート誘導体、酸素原子源及び下記のものより選ばれたキラル触媒を、該ノスーンンナメート誘導体をエポキシ化するのに必要とされる条件下及び時間反応させる。反応は、ピリジン−Ｎ−オキシド誘導体の存在下に行われることが更に好ましい。

本発明の方法において用いられるシスーノンナメート誘導体は、下記構造を有する式中、Ａｌ−Ａ３は水素、了り−ル基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、Ｆ、Ｃ１，Ｂｒ、■及びアミン基からなる群より選ばれる。

本発明のまたもう１つの実施態様は、キラル触媒を用いるタキソル又はその類縁体の側鎖を製造する方法である。本方法よれば、シス−ンナメート誘導体、酸素原子源及び下記のものより選ばれたキラル蝕媒を、該シス−シンナメート誘導体をエナンチオ選択的にエポキシ化するのに必要とされる条件下及び時間反応させる。反応は、ピリジン−Ｎ−オキシド誘導体の存在下に行われることが更に好ましい。このシスーソンナメート誘導体は、上記と同様の構造を有する。

次いで、シス−シンナメート誘導体のシス−エポキシドのエポキシドを位置選択的に開鎖（即ち、特定の１酸素結合を切断することが好ましい）して３−フェニルイソセリンアミド誘導体を製造する。この３−フェニルイソセリンアミド誘導体を加水分解して３−フェニル−イソセリン誘導体を製造し、次いで、塩化ベンゾイルと反応させてＮ−ベンゾイル−３−フェニル−イソセリン誘導体を生成する。

本発明のまた１つの実態様においては、タキソルはキラル触媒を用いて合成される。本方法によれば、エチルフェニルプロピオレートを部分的に水素化してシス −エチルシンナメートを製造する。次いで、シス−エチルシンナメート、酸素原子源及び下記のものより選ばれたキラル触媒を５．μシスーエチルシンナメートをエナンチオ選択的にエポキシ化するのに必要とされる条件下及び時間反応させる。反応は、ピリジン−Ｎ−オキシド誘導体の存在下に行われることが更に好ましい。

次いで、エチルンンナメートのシス−エポキシドのエポキシドを位置選択的に開鎖して３−フェニルイソセリンアミドを製造する。この３−フェニルイソセリンアミドを加水分解して３−フェニル−イソセリンを製造し、次いで、塩化ベンゾイルと反応させてＮ−ベンゾイル−３−フェニル−イソセリンを生成する。次いで、Ｎ−ベンゾイル−３−フェニル−イソセリンを１−クロロエチルエーテル及び第三級アミンと塩化メチレン中で反応させてＮ−ベンゾイル−０−（１−エトキシエチル）−３−フェニル−イソセリンを生成する。次いで、Ｎ−ペンゾイルー０−（＋−エトキノエチル）−３−フェニル−イソセリンを下８己のアルコールと反応させるこの得られた中間体は、ｌ−エトキノエチル及びＲ４鎖を加水分解的に除去することによりタキソルに変換される。

タキソルの側鎖をエナンチオ選択的に合成する本方法は、特定の利点を有する。

本発明の好ましい触媒は、ノス＝ノンナメート誘導体のエポキシ化を触媒するに当たり著しいエナンチオ選択性を示す。合成は、比較的安価なエチルフェニルプロピオレートで始められる。特に、ピリジン−Ｎ−オキシド誘導体を添加すると、エポキシ化の特異性及び完結性が高まる。

簡単に述へると、本発明のまたもう１つの実施態様は、キラル触媒を用いてスルフィトをエナンチオ選択的に酸化する方法である。本方法によれば、スルフィド、酸素原子源及び下記のものより選ばれたキラル触媒を、該スルフィドを酸化するのに必要とされる条件下及び時間反応させる。スルフィドは、式Ｒ１−３−Ｒ２（Ｒ，ｌは任官の芳香族基であり、Ｒ２は任意のアルキル基である）を有することが好ましい。テトラヒドロフラン、アセトン又はアセトニトリルのような共溶媒を用いることが好ましい。また、酸素原子源は、過酸化水素又はヨードスチルベンであることか好ましい。

本発明のまたもう１つの実施態様は、本発明の触媒を用いて過酸化水素を接触不均化する方法である。本方法によれば、過酸化水素及び下記のものより選ばれた触媒を、過酸化水素を二酸素と水に不均化するのに必要とされる条件下及び時間反応させる。触媒は、−金属（ザレン）Ｍｎ錯体であることが好ましい。触媒をＥｔＯＩ（、アセトン、ＣＨ，ｃ＋、又はト１，０のような溶媒と混合することも好ましい。

付随の目的及び利点と共に本発明は、添付の図面と合わせて読みとられる下記の詳細な説明によって最も良く理解されるであろう。

図面の簡単な説明図１は、本発明の第１態様の触媒の２次元一般構造を示すものである。

図２は、本発明の第１態様の最も好ましい触媒の２次元構造を示すものである。

図３は、本発明の第２態様の触媒の２次元一般構造を示すものである。

図４は、本発明の最も好ましい触媒のその提案されたオキソ中間体状態におけるコンピューター作成の３次元図である。

図５Ａ−５０は、本発明の好ましい触媒による好ましい基質の１種のエポキシ化において観察された高エナンチオ選択性に関与すると考えられる立体障害を示す図４と同様の図である。

図６は、本発明の第３態様の触媒の２次元一般構造を示すものである。

図７は、本発明の第４態様の触媒の２次元一般構造を示すものである。

図８は、本発明の第４態様の好ましい触媒の２次元構造を示すものである。

図９は、本発明の第１態様の好ましい触媒に対するプロキラルオレフィンの好ましい理論接近の２次元式である。

図１Ｏは、本発明の第２態様の好ましい触媒に対するプロキラルオレフィンの好ましい理論接近の２次元式である。　−図１１は、実施例８−１６で用いた番号系を含む本発明の種々の実施態様の２次元構造を示すものである。

図１２は、本方法で用いたクロメン誘導体の構造を示すものである。

図１３は、■クロマカリム化合物の３３．４Ｒエナンチオマーの構造を示すものである。

図１４は、もう１つのクロマカリム化合物の３３，４Ｒエナンチオマーの構造を示すものである。

図１５は、６−ノアノー２．２−ジメチル−３，４−エポキシクロマンの構造を示すものである。

図１６は、タキソルの構造を示すものである。

図１７は、本方法で用いたソンナメート誘導体の構造を示すものである。

図１８は、タキソルのＣ−１３側鎖の３８，４Ｒエナンチオマーの一般構造及び類縁体を示すものである。

図１９は、不斉スルフィド酸化で用いた好ましいキラル触媒の構造を示すものである。

図２０は、不斉スルフィド酸化で用いｔこもう１つの好ましいキラル触媒の構造を示すものである。

図２１は、スルフィド酸化反応における面選択性を示すものである。

図２２は、過酸化水素の接触不均化において用いた好ましい触媒の一般構造である。

図２３は、過酸化水素の接触不均化において用いたもう１つの好ましい触媒の一般構造である。

好ましい実施態様の詳細な説明上記のように、本発明は、キラル触媒並びにプロキラルオレフィン、クロメン誘導体及びノスーンンナメート誘導体をエナンチオ選択的にエポキシ化するために該触媒を使用する方法である。

１９９１年１２月１６日に出願された米国特許出願筒８０９．４４６号及び１９９１年８月２６ＢＩこ出願された同第７４９．４６０号並びに１９９０年３月２１日に出願された同第４９６．９９２号の一部継続出願である１９９１年３月２１日に出願された同第６７３．２０８号の全開示を参考として本明細書に引用する。

本発明の第１触媒図１は、本発明の第１態様である好ましいキラル触媒の構造を示すものである。

本発明の好ましい触媒は、金属イオンのザレン誘導体の錯体である。本明細書で用いられる“サレゾは、典型的にはサリチルアルデヒド誘導体２分子とジアミン誘導体１分子との縮合反応で生成された配位子を意味する。ザレン配位子はエチレンジアミン誘導体から生成され、一方プロビル及びブチルジアミンを用いるとサルピン及びサルベン類縁誘導体が得られる。ザレン誘導体が好ましく、その一般構造は図１に示されている。ｎがＯであるザレン誘導体は図２に示されている。

図１でわかるように、２個の窒素と２個の酸素がザレン配位子の中心の方向にに配位しているので遷移金属イオンＭに錯体形成位置を与える。この金属イオンは、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｔｉ、■、Ｒｕ及びＯｓからなる群より選ばれることが好ましい。遷移金属イオンは、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ及びＣｏからなる群より選ばれることが更に好ましい。金属イオンはＭｎであることが最も好ましい。

アニオンへの選択は、触媒の性能に重要であると見られていない。アニオンは、ＰＦ、、　（アリール）、、ＢＦ、、Ｂ（アリール）１、ハライド、アセテート　トリフレート、トシレートからなる群より選ばれることが好ましく、ハライド又はＰＦ、が更に好ましく、クロリドが最も好ましい。

図１は、また、ザレン配位子上の置換に用いうる多くの位置を示している。これらの位置のうち、ＲＬ　Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＸｌ、Ｘｌ、Ｘ３、Ｘ４、Ｙ３及びＹ６がこの第１触媒において最も重要であると考えられる。

本発明の第１態様によれば、Ｘｌ及びＸ２位の少なくとも１種及びＸ３及びＸ４位の少なくとも１種は、第二級又は第三級アルキル基、アリール基、シリル基及びアルコキン又はハライドのようなペテロ原子置換基を有するアルキル基からなる群より選ばれた置換基を包含する。下記で論じられる理由で、これらは“保護 ”置換基と言われる。ＸＩ及びＸ３位がこれらの保護置換基をもっことが好ましい。Ｘｌ及びＸ３が同一の置換基をもっことが更ｊこ好ましく、この置換基が第三級ブチルのような第三級アルキル基であることが最も好ましい。Ｘｌ及びＸ３が保護置換基をもつ場合には、Ｘｌ及びＸ４はＨ，ＣＨＩ　、Ｃ２Ｈ，及び第一級アルキル基のような非保護置換基の群より選ばれ、Ｈが最も好ましい。また、ＸＩ　Ｘｌ、Ｘ３及びＸ４の３又は４種は保護置換基の群より選ばれる。

本発明の本第１態様によれば、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４の少なくとも１種且つ２種以下は、Ｈ，ＣＨ，、Ｃ，Ｈｌ及び第一級アルキル基からなる群より選ばれる。便宜上また下記で論じられる木理論と一致させるために、この群は非保護基と言われる。Ｒ１が非保護基より選ばれる場合には、Ｒ２及びＲ３は保護基より選ばれる。Ｒ２が非保護基より選ばれる場合には、Ｒ１及びＲ４は保護基より選ばれる。同様に、Ｒ３が非保護基より選ばれる場合には、Ｒ１及びＲ４は保護基より選ばれる。最後に、Ｒ４が非保護基より選ばれる場合には、Ｒ２及びＲ３は保護基より選ばれる。

言い換えると、本発明の第１態様は、窒素に隣接した２個の炭素原子上の置換に用いつる４個の位置のうち、１又は２個が非保護基からの置換基を含むことを必要としている。本発明は、また、残りの位置が保護基からの置換基を含むことを必要としている。更に、同一炭素上に２個の非保護置換基がなく、２個の別の炭素の同し側に２個の非保護置換基がない、即ち、窒素に対してシスでないことを必要としている。

また言い換えると、非保護置換基が１個だけある場合には、その非保護置換基は４置換位置、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４のいずれか１個にあるはずであり、他の３位置は保護置換基を含めねばならない。一方、非保護置換基が２個ある場合には、これらは別の炭素原子上になければならず、相互にトランスでなければならない。

非保護置換基は、水素又はメチルであることが好ましく、水素が最も好ましい。

保護置換基は、フェニル基又は第三級ブチル基であることが好ましく、フェニル基が最も好ましい。

Ｙ３及び７６位の置換基は、配位子のコンホメーションに影響するので、エポキシ化におけるエナンチオ選択性に影響する。Ｙ３及びＹ６は、水素、メチル、アルキル又はアリールであることが好ましい。水素スはメチルが更に好ましい。

水素が最も好ましい。

Ｙｌ、Ｙ２、Ｙ４及び７５位は、重要でないように見られている。これらの位置は水素によって占められることが好ましいが、水素、ハライド、アルキル基、アリール基、アルコキン基、ニトロ基からなる群より独立して選ばれた置換基によって占められてもよい。

図２は、本発明の触媒の第１態様の最も好ましい実施態様の構造を示すものである。わかるように、Ｘｌ及びｘ３の最も好ましい置換基はＥ−ブチルである。また、Ｒ１及び８４位が同一の保護基、即ち、フェニル基を有することが最も好ましい。更に、Ｒ２及び２３位が水素によって占められることが最も好ましい。最後に、Ｘ２、Ｘ４、Ｙｌ、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｙ５及び７６位もすべて水素によって占められることが最も好ましい。

特定の理論に縛られることを望まないが、本発明の触媒の第１態様の著しいエナンチオ選択性を説明するために下記機構が提案される。最も好ましい触媒のＲ。

Ｒエナンチオマーのその提案されたオキソ中間体状態における３次元図である図４を参照すると、重要な別扱いのものと共に、ザレン配位子がマンガンイオン１３と錯体を作り且つその面に大体垂直な軸上に配列している酸素原子ｌｌと大体平面のコンホメーションをとっていることがわかる。別扱いのものは、ＸＩ及びＸ３位の各々１５及び１７に結合したｔｅｒ　ｔ−ブチル保護基及びＲ１及び２３位の各々２１及び２３に結合したフェニル保護基である。２次元で表すことが難しいが、Ｒ４のフェニル保護基２３はＲ１のフェニル保護基２１の後ろにあり、一方Ｒ４フェニル保護基２３は触媒平面の実質的に上にあり且っＲ，ｌフェニル保護基２１は触媒平面の実質的に下にある。

図５Ａ−５Ｃは、二重結合のエポキシ化で起こりうるシスー二置換オレフィン、即ち、シス−メチルスチレンの場合に可能な種々の遷移配向を示すものである。

図５Ａは、好ましい配向、即ち、オレフィンと触媒の保護基との間の立体障害が最も小さい配向を示すものである。この配向は、二重結合が前方から接近する際に生じる（図示されている）。この配向は、シス−β−メチルスチレンオキシドのＩＲ，２Ｓエナンチオマーの生成をもたらす。

図５Ｂは、メチルスチレンが１８０６回転しているのてスチレンのフェニル基がＸＩ及びＸ３位の【−ブチル基１５及び１７に接近する配向を示すものである。

スチレンのフェニル基２５とドブチル基１５及び１７との間の立体障害がこの配向を助けないと思われる。

図５０は、酸素原子に後方から接近する二重結合によって生じる配向を示すものである（図示されている）。この配向は、シス−β−メチルスチレンオキシドのＩｓ、２Ｒエナンチオマーの生成をもたらす。この配向においては、スチレンのフェニル基２５が８４位のフェニル基２３に接近する。即ち、これらの２つのフェニル基の間の立体障害が酸素原子の後方からのこの接近を助けないので、ＩＳ、２Ｒエナンチオマーの合成が容易でない。

対超的に、図５に示される配向は、前方、即ち、Ｒ１フェニル基２１が触媒平面の下にある位置からの接近によって生じるので障害にならない。この理由で、図５で表された接近が立体的に好ましいので、ｌＲ，２ｓエナンチオマーの合成が容易である。

上記機構が本発明の触媒に見られた高度のエナンチオ選択性を正確に表しているが、この機構が現在理論に過ぎないことは留意すべきである。この提案された機構だけて、後記請求の範囲によって定義された本発明の範囲を決して制限してはならない。

シスーβ−メチルスチレンオキシドの１．３．２Ｒエナンチオマーの合成が触媒のＳ、Ｓエナンチオマーを用いることにより助けられることは留意される。

最も好ましい触媒がＣ７対称、即ち、１８０’回転すると同一であることも留！される。従って、酸素原子が、図示されるように触媒の上部か又は触媒の下部に配列されるかの結果は厳密に同しである。

別の実施態様においては、触媒はほぼＣ７対称である。特に、上記の規則により、１８０°回転すると保護基が同し場所にあり且つ非保護基が同じ場所にあるように、置換基がＲ１−Ｒ４上に配置される。従って、一方からのプロキラルオレフィンの接近を助けるほぼ同し立体障害を行いながら、酸素が触媒の両方に錯体を形成することができるので、触媒のエナンチオ選択性が維持される。

また他の実施態様においては、触媒が１種の非保護基のみ有する。結果として、酸素が触媒の一方に配列する場合にのみ好ましい接近がある。即ち、触媒のエナンチオ選択性が維持される。

本発明の第２態様本発明の第２態様によれば、キラル触媒がビナフチルジアミンを用いて製造され、下記−膜構造を有する（図３も参照）。

本ビナフチル実施態様においては、遷移金属イオンＭ及びアニオンＡは、図１を用いて上記で述べたものと同様の群より選ばれることが好ましい。また上記のように、ｘｌ及びｘ２の少なくとも１種及びＸ３及びｘ４の少なくとも１種が第二級又は第三級アルキル基、アリール基、ンリル基及びアルコキシ又はノ＼ライドのようなヘテロ原子置換基を有するアルキル基からなる保護置換基の群より選ばれた基によって占められることを必要とする。これらの置換基の１種をもつＸｌ及びＸ３位であることが好ましい。ＸＩ及びＸ３が同一の置換基をもつことが更に好ましく、第三級ブチルのような第三級アルキル基であることが最も好ましい。

Ｙ３及び７６位の置換基は、配位子のコンホメーションに影響するので、エポキシ化においてエナンチオ選択性に影響する。Ｙ３及びＹ６は、水素、メチル基、アルキル基又はアリール基であることが好ましい。水素又はメチル基が更に好ましい。水素が最も好ましい。

置換基Ｚｌ及びＺ２は、提案された金属オキソ面の間の識別に影響するので、エポキシ化においてエナンチオ選択性に影響する。Ｚｌ及びＺ２は、水素、エチル基、アルキル基、ノリル基又はアリール基であることが好ましい。アルキル基又はアリール基が更に好ましい。

本第２呼様の触媒のＹＬ　Ｙ２、Ｙ４及び７５位は、重要でないこともわかる。

上記にように、これらの位置は水素で占められることが好ましいが、水素、ハライド、アルキル基、アリール基、アルコキン基、ニトロ基からなる群より独立して選ばれた置換基で占められてもよい。

表されているように、別のビナフチル実施態様は、池の図で示されている好ましい触媒と同様のエナンチオ選択性を達成する。特に、ビナフチル配位子の配置は、ナフチル基の１方が触媒の平面より上であるようにまたもう一方のナフチル基が触媒の平面より下であるようにし、これにより一方からの酸素原子への接近が容易である。

本発明の第３態様図６は、本発明の第３聾様の構造を示すものである。本態様によれば、キラル触媒は下記構造を有する第１及び第２聾様でのように、Ｍは上記の群から選ばれた遷移金属イオンであり、Ｍｎが最も好ましい。

同様に、Ａは上記の群から選ばれたアニオンであり、Ｃ１が最も好ましい。

また、ｎはＯｌｌ又は２とすることができるが、Ｏが最も好ましい。

第１及び第２聾様でのように、ＸＩ又はｘ２か又は双方に保護置換基がある。

この保護置換基は、アリール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれる。Ｘ３又はＸ４か又は双方にも同様の群より選ばれた保護置換基がある。保護置換基はＸｌ及びＸ３にあることが好ましい。同−基であることが更に好ましく、保護置換基がｔｅｒｆ−ブチルであることが最も好ましい。

第１態様との相違点として、第３態様は次の位置：Ｙｌ及びＹ２の少なくとも１つ及びＹ４及びＹ５の少なくとも１つに位置した保護置換基を必要とする。これらの保護置換基は、Ｘｌ−Ｘ４のような群、即ち、アリール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれる。これらの“側方”保護置換基の重要性は、下記で論じられる。

本第３態様においては、置換基Ｙ３及びＹ６は、水素及び第一級アルキル基からなる群より独立して選ばれる。Ｙ３及びＹ６は、水素が好ましい。

また、本第３態様においては、Ｒ１，Ｒ２、Ｒ３及びＲ４の少なくとも１種は水素である。Ｒ１が水素である場合、Ｒ３は第一級アルキル基である。Ｒ２が水素である場合、Ｒ４は第一級アルキル基である。Ｒ３が水素である場合、Ｒ１は第一級アルキル基である。最後に、Ｒ４が水素である場合、Ｒ２は第一級アルキル基である。Ｒ１及びＲ４か共に水素てあり、Ｒ２及びＲ３が第一級アルキル基であることが好ましい。Ｒ２及びＲ３がメチル基であることが最も好ましい。

わかるように、本第３態様の触媒は、第３態様が触媒の側方位置、即ち、Ｙｌ及び／又はＹ２並びにＹ４及び／又は７５位に保護置換基を必要とすることを除いて第１態様の触媒と類似している。また、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４の１又は２種は水素であることを必要とし、Ｒ位の残りの置換基はこの明示された配置において第一級アルキル基であることを必要とする。この配置の重要性及び第２触媒で提案された機構を図１０と共に下記で述へる。

本発明の第４態様図７は、本発明の第４呼様の触媒の構造を示すものである。本触媒は下記構造を有する・本実施呼様においては、遷移金属Ｍ及びアニオンＡは、同様の関係にある上記と同し群より選ばれる。

同様に、ＸＬＸ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｙｌ、２、Ｙ４及び￥５の置換基は、同様の関係にある」二記第２触媒と同し群より選ばれる。言い換えると、本実施態様は、第２触媒のように“下方”及び“側方”に保護置換基を必要とする。Ｘｌ、Ｘ３、Ｙｌ及びＹ４はすべてドブチルであることが好ましい。

￥３及びＹ６の必要条件及び意味は、第３触媒と同様である。Ｙ３及びＹ６は、水素であることが好ましい。

わかるように、本発明の第４態様の触媒は２個の窒素元素に結合した環を含み、ｎ＋２炭素の長さである。本触媒においては、ｎは３．４．５又は６とすることができる。“Ｃ６”部分の炭素は、水素、アルキル、アリール及びヘテロ原子より選ばれた置換基をもつことができる。“Ｃ０”部分の炭素上の置換基は、水素であることが好ましい。

本第４態様においては、Ｒ１とＲ４は相互にトランスであるように配置される。

また、Ｒ１及びＲ４は第一級アルキル基及び水素からなる群より選ばれる。Ｒ１及びＲ４は同一であることが好ましいｇ、　Ｒ１及びＲ４は共に水素であることが最も好ましい。本触媒は、シスーノンナメート誘導体をエポキシ化するために用いることか最も好ましい（下記参照）。

概念的には、炭素に隣接した、また窒素原子に隣接した環の炭素は、第３態様のＲ２及びＲ３位として示されているものに結合する（図６）。即ち、本第４態様は、ある点ては、ｎ炭素鎖（第一級アルキル基）の２端がＲ２及びＲ３位に結合している第３態様のサブセｙ　ｔ□である。

第３と第４醤様間の１つの相違は、第４＠様の触媒が水素又は第一級アルキル基であることかてきるＲ１及びＲ４を有することができる点である。

図８は、本発明の第４態様の好ましい実施態様を示すものである。本実施態様でわかるように、環は６員環、即ち、ｎ＝４である。また、Ｒ１とＲ４は相互にトランスであり、水素である。Ｘｌ、Ｘ３、Ｙｌ及びＹ４は、すべてドブチルである。他の置換基はすべて水素である。

図９及び１０は、本発明の第１及び第２態様に提案された機構及び第３及び第４態様に提案された機構との間の相違を示すものである。

第１及び第２態様を表す図９は、プロキラルオレフィンの提案された好ましい接近を示すものである。接近Ｃは、かさ高い（−ブチル基により好ましくないと考えられる。接近ｄも同様に、触媒の立体的にがさ高いフェニル基のために好ましくない。接近ａ及びｂは触媒の非対称により区別される。表した実施管様に示されるように、左のフェニルが紙面下にあり右のフェニルが紙面上にあることがら、接近すはオレフィンとフェニル基との間の立体相互作用のため好ましくないと予想される。左（接近ａ）からのより好ましい接近の関係においては、オレフィン上の大きな置換基が触媒上の【−ブチル基から離れて配向するようにオレフィンのオキソ基へのより好ましい接近であることが予想される。

本発明の第３及び第４態様を示す図１０は、触媒が側方保護基を有する際のオレフィンの本発明の好ましい接近を示すものである。Ｙｌ及びＹ４の側方【−ブチル基のために、左からの接近ａ及び右からの接近すは好ましくないと考えられる。

同様に、Ｘｌ及びＸ３の下方保護基のために、下側からの接近Ｃも好ましくない。

即ち、上方からの接近ｄが好ましい。更に、触媒のキラリティーのために、プロキラルオレフィンの配向も影響される６表された本実施態様に示されるように、右側の立体障害方法きいために、オレフィン自体は左側の大きな基によって配向すると予想される。

接近ｄが好ましい接近であると理論つけられることがら、Ｒ１及びＲ４の基は水素及び第一級アルキル基に限定される。言い換えれば、大きな基は接ａｄを妨害すると考えられる。

上記議論は観察された結果と一致するが、本発明の全４態様に提案された機構がこの、屯でのみ理論つけられることは留意されるべきである。従って、後記請求の範囲で定義された本発明の範囲を制限するものとして説明を考えるべきてはない。

本発明のキラル触媒を調製する好ましい経路は、置換サリチルアルデヒドと置換ジアミノとの縮合反応である。一般に、これらの化合物の量は無水エタノール中２１のモル比で反応させる。これらの溶液を典型的には１時間還流し、ザレン配位子を水の添加により分析的に純粋な形で沈澱させるか又は金属の添加によりそのアセテート、ハライド又はトリフレート塩として直接金属錯体を生成させる。

下記手順は、次のものを調製するための概略であるザレン配位子を熱無水エタノールに再溶解してＯ，１Ｍ溶液を得る。固体Ｍｎ（ＯＡｃ）＋・４　Ｈ２０（２，ｏ当量）を一度に加え、この溶液を１時間還流する。次混合液をＯｏＣまで冷却するとＭｎ（ＩＩＩ）錯体１を暗褐色結晶として生し、これをＨｔＯて十分洗浄し、ろ過により収率〜７５％で単離する。母液に８．０を滴下することにより物質の追加収量を得ることができる。触媒の合計収率が本工程の場合８９−９６％であり、光学的に純粋な１．２−ジフェニルエチレンジアミンからの全体の８１−９３％である。触媒の各々の許容しうるＣ−、Ｈ，Ｎ、　Ｃｌ及びＭｎの分析が得られている（±０４％）が、これらは粉末生成物中の水及びエタノールの取込みの程度により異なる。エポキシ化反応におけるエナンチオ選択性は一定触媒を有する別個のバッチで変化せず、触媒の溶媒含量がその有効性に影響しないことを示した。

触媒を調製する方法のもう１つの例は次のように記載される：出発ジアミンはＲ，Ｒ−又はＳ、Ｓ−１，２−ノアミノ−１，２−ジフェニルエタンであり、出発サリチルアルデヒドは３−ｔｅｒｔ−ブチルサリチルアルデヒドである。

３ｍｌの無水エタノール中２．０ミリモルの３−ｔｅｒｔ−ブチルサリチルアルデヒドの溶液を５ｍｌのエタノール中１０ミリモルの（Ｒ，Ｒ）　−１，２−ジアミノ−１，２−ジフェニルエタンの溶液に滴下する。この反応混合液を１時間加熱還流した後、１０ミリモルのＭｎ　（ＯＡｃ：ｈ・４Ｈ＋　Ｏを一度に加えて熱（６０’Ｃ）溶液を得る。添加の際に溶液の色は直ちに黄色から褐色になる。更に３０分間還流した後、室温に冷却する。次いで、１０％ＮａＣｌ　（５＋ｎｌ）の溶液を滴下し、口の混合液を０．５時間攪拌する。次いで、溶媒を減圧下で除去し、残留物を５０＋ｎｌのＣＨ。

Ｃ１ｅ及び５０＋＋＋ＩのＨｔＯで摩砕する。有機層を分離し、褐色溶液を飽和ＮａＣｌで洗浄した。有機相を分離し、溶媒を除去すると粗物質を生じ、これをＣ，Ｈ，／Ｃ，Ｉ−（、、で再結晶して０．９３８　ミリモルの上記で示した（Ｒ，Ｒ）−触媒を得た（９３．８％）。

本発明のエポキシ化法態様に従って、プロキラルオレフィン、酸素原子源及びキラル触媒を、該オレフィンをエポキシ化するのに必要とされる条件下及び時間反応させる。

プロキラルオレフィンは、−置換、１，１−二置換、シスー１．２−二置換、トランス−１，２−二置換、三置換及び四置換より選ばれる。これらのうち−置換及びメス−１，２−二置換が最も高いｅｅ値を示した。

エポキシ化されるべきプロキラルオレフィンは、一端に立体的に必要とする置換基、もう一端に小さな置換基をもつ環状オレフィンのようなシスー二置換オレフィンからなる群より選ばれることが好ましい。このプロキラルオレフィンは、二重結合の一方に第一級置換基、もう一方に第二級、第三級又はアリール置換基を有するシスニ置換オレフィンであることが更に好ましい。

プロキラルオレフィンは、また、エナミン、エノール及びα、β−不飽和不飽和ニルボニルる群より選ばれる。このプロキラルオレフィンは、ノスーβ−メチルースチレン、ジヒドロナフタレン、２−シクロヘキセニルー１．１−ノオキソラン、プロピレン、スチレン及び２．２−ジメチルクロメンからなる群より選ばれることが更に好ましい。このプロキラルオレフィンは、シス−β−メチルスチレンであることが最も好ましい。

エポキシ化反応に用いられる酸素原子源は、緩和な条件下オレフィンに対して比較的反応しない酸化剤でなければならない。酸素原子源は、Ｎａ０ＣＩ、ヨードンルメソチレン、Ｎａ　ＩＯ＋　、ＮＢｕ＋　ｌｏ＋　、ベルオキシモノ硫酸カリウム、モノペルオキシフタル酸マグネシウム及びヘキサノアノ鉄酸イオンからなる群より選ばれることが好ましい。酸素原子源は、Ｎａ０Ｃ１及びヨードソメノチレンからなる群より選ばれることが更に好ましい。経済的理由で、最も好ましい酸素原子源はＮａ０ＣＩである。

好ましい方法は、酸素原子源としてＮａ０ＣＩを用いる。便宜上この方法を方法Ａと称する。方法Ａの詳細は次の通りである：０、０５Ｍ　Ｎａｔ　Ｂｔ　Ｏｒ　ｌ　ＯＨｒ　Ｏ（１，０ｍ１）の溶液を希釈されない市販の家庭用漂白剤（Ｃｈｌｏｒｏｘ）の２５ｍ１溶液に加える。得られた緩衝溶液のｐＨは約９．５であり、ｌ！ＪＮａＯＨ溶液を数滴添加することによりこれをｐＨ約１０．５に調整する。この溶液に２．０ｍｌのＣＨ，ＣＩ□中ｏ、　０２　ミリモルの好ましい触媒及び１．０ミリモルのカスＢメチルスチレンの溶液を加える。この２相混合液を室温で攪拌し、反応の進行を毛管カスクロマトグラフィーでモニターする。約３時間後、混合液にｌ０ｍ１のＣＨ，ＣＩ、を加え、褐色有機相を分離し、ｌ０ｍ１のＨｔＯで２回、１０ｍ１のＮａＣ１飽和溶液で１１回洗浄した後、無水物ＮａｒＳＯ（で１５分間乾燥する。この溶液をろ過し、溶媒を減圧下で除去する。残留物をシリカゲルによるフラソノユクロマトグラフィ−て溶離溶媒としてＣＨ２Ｃｌ１：ヘキサンの２０：８０．！合液を用いて精製する。生成物含有留分を合わせ、減圧下で溶媒を除去して純粋なエポキシドを無色の液状物として収率７０％（０，７０ミリモル）で単離する。この物質の光学純度は下記の方法により８５％ｅｅである。

それ程好ましくない実施態様においては、ヨードシルメンチレンを酸素原子源として用いる。便宜上、この方法を方法Ｂと称し、次の好ましい詳細を有する固体ヨードンルメンチレンを０３ミリモルずっｌ　５−３０分間隔で加えながら、■ 、　Ｏミリモルのオレフィン、８ｍｌのＣＨ２Ｃｌ、及び０．０４　Ｅリモルの触媒の溶液を室温で攪拌する。６回（１，８ミリモル）の全ヨードンルメシチレンを加えた後、出発すレフインの消失が完了する。溶媒を減圧下で除去し、残留物をヘキサンで抽出し、混合液をセライトでろ過して触媒及び他の固形分を除去した。フラッソユク０７トグラフイ　（ＩＯｇＳｉＯ＊　、ＣＨ＋　Ｃ１ｚ／ヘキサン２０　：８０溶離剤）で純粋なエポキシドを得た。キラルシフト試薬としてＥｕ（ｈｆｃ）＋を用いて’ｌ＋ＮＭＲで又はスチルベンオキシドの場合には市販の（Ｒｅｇｉｓ）共有結合で結合したロインンＰｔｒｋｌｅカラムにょるＨＰＬＣて直接分離することにより、エナンチオマー過剰率をめる。αＤの容認された文献値との比較により、絶対配置を帰属させた。

別法は、また、配位する配位子としてピリジン−Ｎ−オキシド誘導体、更に酸素源としてＮａ０ＣＩを用いる。４−フェニルピリジン−Ｎ−オキシド又は４−１ −ブチルピリジン−Ｎ−オキシドを用いることが更に好ましい。４−フェニルピリジン−Ｎ−オキシドを用いることがなお更に好ましい。

トランスーエポキシドは、エポキシ化反応のがなりの（約２５％）副生成物である。ノアステレオマ−生成物の混合物はフラッシュクロマトグラフィーにより所望のノス体を多く含むことが好ましい。大規模なバッチの場合、クロマトグラフィーを行うことが更に好ましい。

次の工程をスキーム２に示す。

スキーム２７５％エポキシド混合液をアンモニアとエタノール中で反応させると所望の３−フェニル−イソセリンアミド誘導体に位置選択的に開環する。　’ＨＮＭＲにより粗アミド混合液中に位置異性体かはとんと検出されないことが好ましい。次に、粗生成混合液を再結晶してノアステレオマ−的に純粋な３−フェニル−イソセリンアミドを単離する。便宜上、この方法を方法Ｃと称する。方法Ｃの詳細は次の通りである０、０５ＭＮａ＋　肌０．・Ｉ　ＯＲ２０（１，０ｍ１）　ノ溶液又バリン酸塩ノヨうな他の適切なバッファーを２．５ｍｌ溶液の希釈されない市販の家庭用漂白剤（Ｃｈｌｏｒｏｘ■）に加える。得られた緩衝溶液のｌ）Ｈは約９．５てあり、１ＭＮａＯＨ溶液を数滴添加することによりこれをｐＨ約１０．５−１１．５に調整し、水浴で約０−４℃まで冷却する。ＩＯミリモルのアルケン及び２．０ミリモル（又は２０モル％）のピリジン−Ｎ−オキシド誘導体の分離溶液を１０ｍ１のＣＨ２Ｃｌ２に溶解する。次に、０．０５−０．６　ミリモル（０，− ５−６モル％）の触媒ｌ又は２をこのアルケン溶液に加え、水浴で別々に冷却した。

２溶液が０−４℃になった時に、これらを合わせ、２相混合液を攪拌した。反応の進行を毛管カスクロマトグラフィーでモニターした。約１〜５時間後、混合液に２００ｍ１のヘキサンを加え、を機相を分離し、１００ｍ１のＨ，Ｏで２回、１００ｍ１のＮａＣｌ飽和溶液で１回洗浄した後、無水物Ｎａｔ　Ｓｏｔで１５分間乾燥した。この溶液をろ遇し、溶媒を減圧下で除去する。残留物をクロマトグラフィー、蒸留又は結晶化で精製する。純粋なエポキシドを単離し、この物質の光学純度を下で更に詳細に記載されるようにめた。

クロメンエポキシ化の方法上記のように、本発明は、クロメン誘導体をエポキシ化する、即ち、エポキシクロマンを製造するためにキラル触媒を用いる方法である。クロメン誘導体の構造は、次の通りである。

式中、ＲＬ　Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｘｌ、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４は各々水素、アリール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ、Ｒ１及びＲ２の１種以上は水素でない。

Ｒ１及びＲ２が共に水素でない場合、即ち、クロメンがＲ１及びＲ２の位置て置換されない場合、エポキシドが生成されないことが判明した（下記実施例２４参照）。

Ｒ１及びＲ２は同−基であることが好ましい。この状態において、クロメン誘導体はブロキラルである。

また、クロメン誘導体は、Ｒ１及びＲ２共にアルキル基を含むことが好ましい。

クロメン誘導体は、Ｒ１及びＲ２にメチル基を含むことが更に好ましい。クロメン誘導体は、ノアノー２．２−ジメチルクロメン、即ち、クロマカリムを製造するための前駆体であることが最も好ましい。上記のように、この最も好ましいクロメン誘導体は、エナンチオマー的に純粋なりロマカリムを製造するのに有効なエポキシクロマンに著しく高度のエナンチオ選択性をもってエポキシ化される（下記実施例１７参照）５上記のように、本発明の実施態様は、クロメン誘導体のエポキシ化において著しいエナンチオ選択性を生じることが判明した。更に、本発明の触媒が著しく高い収率を与えることが判明した（下記実施例１７−２３及び２５参照）。上記第４箒様の触媒（図８）は、本方法において用いられる最も好ましい触媒である。

実験は、キラル触媒のラセミ混合物がその反応において用いられる場合、エポキシクロマンのラセミ混合物の比較的高い収率が達成されることを示した。従って、本発明のそれ程好ましくない実施態様によれば、エポキシクロマンのラセミ混合物が所望又は許容しうる場合、キラル触媒のラセミ混合物はクロメン誘導体と共に用いられる。しかし、エナンチオマー的に純粋なエポキシクロマンが、典型的には特に合成前駆体として強く望まれるので、エナンチオマー的に純粋なキラル触媒が好ましいことは明らかである。

本発明のエポキシクロマン合成法によれば、クロメン誘導体、酸素原子源及びキラル触媒を、該クロメン誘導体をエポキシ化するのに必要とされる条件下及び時間反応させる。また、ピリジン−Ｎ−オキシド誘導体が反応混合液に添加される。

エポキシ化反応において用いられる酸素原子源は、緩和な条件下でオレフィンに対して比較的反応しない酸化剤でなければならない。酸素原子源は、Ｎａ０Ｃ１、ヨードンルメノチレノ、Ｎａ　＋Ｏｔ　、ＮＢｕｔ　ＩＯ＋　、ペルオキシモノ硫酸カリウム、モノベルオキシフタル酸マグ卒シウム、Ｈ，Ｏ，、ペルオキシ安息香酸誘導体及びヘキサンアノ鉄酸イオンからなる群より選ばれることが好ましい。酸素原子源は、Ｎａ０ＣＩ及びヨードンルメンチレンからなる群より選ばれることが更に好ましい。経済的理由で、最も好ましい酸素原子源はＮａ０ＣＩである。

クロメンエポキシ化に最も好ましい方法においては、上記方法Ａで記載したように、Ｎａ０Ｃｌか酸素原子源である。それ程好ましくない実施態様においては、酸素原子源として上記方法Ｂて記載したように、ヨードンルメシチレンが用いられる。また、方法Ｃて記載したように、ピリジン−Ｎ−オキシド誘導体及びＮａ０ＣＩも用いられる。

シスーンンナメート誘導体のエポキシ化法及びタキソル中間体及び類縁体の調製第１工程として、タキソルのＣ−１３側鎖の合成において、市販のエチルフェニルプロピオレートを市販のＬｉｎｄｌａｒ触媒てシスーエチルンンナメートに部分的に水素化する（下記スキームｌ）。反応がよりエナンチオ選択的であることが観察されたので、出発物質としてメチルフェニルプロピオレートよりエチルフェニルプロピオレートの方が好ましい。

Ｌｉｎｄｌａｒ触媒　（Ｒ，Ｒ）−４（６モル％）９７％ｅｅ４−ｐｔｒｐｙｏ（ｏ、　２５当量）５９Ｘ収率異性体）スキーム１このようにして得られたシスーエチルンンナメートは、少量（約５％）の過剰還元物質及び出発アルキンを含むことが観察された。しかしながら、これらの不純物は、次の工程を妨害しないと思われ、後の合成順序において容易に除去される。

次に、ノスーエチルノンナメートを本発明の第１、第２、第３及び第４実施態様として上記て述へたキラル触媒の１種の存在下に市販の漂白剤でエポキシ化する。本発明の第４実施帖様（図８の（Ｒ，Ｒ）５触媒）を用いることが最も好ましく、下記に示す本エナンチオ選択的触媒の存在下に、シスーエチルソンナメートがノスーエポキシドの（Ｒ，Ｒ）−（１）エナンチオマーにエポキシ化することが観察された。

４−フェニルピリジン−Ｎ−オキシドがエポキシ化混合液に添加されること力（好ましい。この配位する配位子は、反応の完結性及びエナンチオ選択性を著しく高めると思われる。４−フェニルピリジン−Ｎ−オキシドを用（またシスーエチルノンナメートの（Ｒ，Ｒ）−（＋）エナンチオマーは過剰率９６−９７％であった。

それ程好ましくないピリノン−Ｎ−オキシド誘導体又は４−ｔ−ブチルビ１ノンンーＮ−オキシドを用いてもよいが、４−フェニルピリジン−Ｎ−オキシドの方力（好ましい。

トランスーエポキシドは、エポキシ化反応のかなりの（約２５％）票１１生成物である。ノアステレオマ−生成物の混合物はフラ・ノンユクロマトグラフイ−（こより所望のノス体を多く含むことが好ましい。大規模な／くノアの場合、クロマトグラフィーを行うことか更に好ましい。

次の工程をスキーム２に示す。

スキーム２エポキシド混合液をアンモニアとエタノール中で反応させると所望の３−フェニル−イソセリンアミド誘導体に位置選択的に開環する。　’ｔ＋ＮＭＲにより粗アミド混合液中に位置異性体かはとんと検出されなかった。次に、粗生成混合液を再結晶してノアステレオマ−的に純粋な３−フェニル−イソセリンアミドを単離しｔこ。

３−フェニル−イソセリンアミドを加水分解してアミド基を除去する。加水分解は、エビ化なしに行われることが好ましい。加水分解は、水中Ｂ　ａ　（ＯＨ）＋を用いて１テわれることが更に好ましい。

次に、加水分解塩を酸性にし、沈澱させる。Ｂａ　（ＯＨ）＋塩を加水分解に用いる場合には、硫酸の添加により溶液から沈澱させることか好ましい。

次に、生成混合液を結晶化することにより、直接３−フェニル−イソセリンが得られる。このエナンチオマー的に豊富な３−フェニル−イソセリンを用いて種々のクキツル類縁体が調製される。Ｊ−フェニル−イソセリンからクキツル側鎖上記で生成した３−フェニル−イソセリンに酸２相反応にお１する塩化ベンゾイル及び重炭酸ナトリウムを加えることにより、クキツル側鎖を調製する。引き続き、固形生成混合液をエーテル及びエタノールと攪拌することにより、安息香酸副生成物を抽出的に除去する。最後に、純粋なＮ−ベンゾイル−３−フェニル−イソセリンをろ過により集める。このようにして得られた物質を旋光分析によりめると９７％以上のｅｅを有し、天然クキツルの側鎖と同し絶対配置を有した。

Ｎ−ベンゾイル−３−フェニル−イソセリンを反応させてＮ−ベンゾイル−０− （１−エトキンエチル）−３−フェニル−イソセリンを生成し、次に第三級アミン活性化剤及び７−ドリエチルノリルバノカチン１１１　と反応させるとＣ−２ ’。

Ｃ−７保護クキツル誘導体を生成する。この誘導体を酸とエタノール中で処理するとクキツルを生成する。

本理論に縛られることを望まないが、４−フェニルピリジン−Ｎ−オキシドがノスーエポキシドの（Ｒ，Ｒ）−（＋）エナンチオマーに対するノスーエチルンンナメ−１−のエナンチオマー的選択及び完結エポキシ化の成功を効果的に高めると思われる。４−フェニルピリジン−Ｎ−オキシドが存在しないと、ｌ　５−２０モル％以上の触媒が用いられる場合でさえ、エポキシ化の選択性が１Ｏ−１５％低く且つ完結しない。対照実験は、ピリジン−Ｎ−オキシド誘導体が酸素原子源として作用せず、むしろ配位する配位子として作用することを示した。ピリジン−Ｎ−オキシド誘導体の緩和なルイス酸Ｍｎ（Ｉｌｌ）及び／又はＭｎｍオキソ中間体への配位が非生成物配位影響における基質のカルボニル官能性によって金属中心が錯体を形成したままでないように防止することを助けると思われる。

即ち、ビリンノーＮ−オキシド誘導体は、分解反応を防止し且つすべてのすレフインではないがある種オレフィンとの触媒安定性を改良すると思われる。

反応のエナンチオ選択性は、出発物質のエステル基の同一性に極めて敏感であることも判明し、ノスーメチルシンナメートはシスーエチルンンナメートと同様な条件下でエポキシ化されたが、エナンチオマー過剰率８７−８９％に過ぎなかっｌこ。

本合成法の利点は、市販のエチルスエニルブロビオレートから始まり、水素ガス、家庭用漂白剤、アンモニア及び化学量論試薬としてバリウム塩を用いることである。もう１つの利点は、Ｎ−ペソゾイルー３−フェニルーイソセリンの光学及び化学純度が高いことである。下記実施例２９−３９において明らかになるように、各工程の収率は、完全に最適化されていなくても商業的に実行可能な方法に許容しうるちのである。触媒の特異性、手順の簡便さ、安価な試薬及び分取用クロマトグラフィー分離の回避のために、本合成法がエナンチオマー的に純粋な３ −フェニル−イソセリン誘導体に対して最も実用的な経路である。

スルフィト酸化の方法上記のように、本発明は、スルフィドをスルホキッドにエナンチオ選択的に酸化するためにキラル触媒を用いる方法である。本方法は、スルフィド、酸素原子源及びキラル触媒を、スルフィドを酸化する適切な条件下で反応させることを含むものである。スルフィドは、式Ｒ１−５−Ｒ２（Ｒ１は任意の芳香族基であり、Ｒ２は任意のアルキル基である）ををすることが好ましい。酸素原子源は過酸化水素又はヨードシルベンゼンであることが好ましく、テトラヒドロフラン、アセトン又はアセトニトリルのような共溶媒を用いることが好ましい。

上記（ザレン）Ｍｎ触媒によるエナンチオ選択的エポキシ化の場合のように、化学量論酸化剤として水性次亜塩素酸ナトリウムを用いた。しかしながら、スルフィドと次亜塩素酸ナトリウムとの間の反応はエナンチオ選択的スルフィド酸化反応に有効な酸化剤には急速すぎた。ヨートンルアレーンがスルフィドと緩慢に反応することから、ヨードシルベンゼンを試みた。ヨードノルベンゼンが有効な酸素原子源として実際に役立つことが判明した。しかしながら、ヨートンルアレーンは、固体状態における不安定性、溶解性の不足、比較的高コスト及び酸素移動の副産物、ヨードアレーンの高分子量のために、化学量論酸化剤として非実用的である。

過酸化水素がスルフィド酸化に良好な酸化剤であることが決定された。過酸化水素は、スルホキシドの高収率、スルホンへの過剰酸化が最少及びヨードシルベンゼンで見られたものと一致したエナンチオ選択性を示した。これは、再酸化剤が共通のＭｎ　（Ｖ）オキソ反応性中間体を生成することを示すものである。

反応を促進するために、共溶媒を用いた。共溶媒は過酸化水素の触媒によるカタラーゼ分解を最少にし、スルフィドの完全変換を６当量未満の酸化剤で達成した。

一般に、１．２−ジアミノンクロヘキサン及び１．２−′）フェニルエチレンンアミンから誘導された触媒は、他の合成的に得られにくいジアミンから調製されたものより選択的であった。図１９及び２０は、好ましい触媒の構造を示すものてある。これらに基づく特定の触媒を不斉スルフィド酸化について試験し、その試験結果を実施例４０に示す。

過酸化水素の接触不均化上記のように、過酸化水素を酸素と水に分解することは、生物学的に重要な過程である。これまでに記載された触媒のすべてが過酸化水素の接触不均化に宵口である。しかしながら、この具体的な反応の場合、触媒はキラルでなくてもよい。

即ち、下記式を宵する任意の触媒は、分解反応において機能する。

式中、Ｍは遷移イオンであり、Ａはアニオンてあり、ｎはＯｌｌ又は２てあり、Ｘｌ−Ｘ１４は水素、ハライド、アルキル基、アリール基及びヘテロ原子を有するアルキル基からなる群より独立して選択される。

本発明の触媒は、安定であり、合成が簡便であり、低分子量を有し、高触媒活性を有する。実際に、これらの触媒活性は今日までに開発された任意のカタラーゼ合成体に匹敵しうるちのである。好ましい触媒は、図２２及び２３に示される一金属（ザレン）Ｍｎ錯体である。

不均化反応を行うために、この触媒をＥ　ｔ　Ｏ■Ｌアセトン、ＣＨ＋ＣＩ＋又：まｌ（，０のような溶媒と混合し、欠いて過酸化水素を添加する。

実施例下記実施例は、説明及び例示によって示される。これらの実施例だけで、後妃請求の範囲によって定義された本発明の範囲を限定するものとして見なすべきてはない。

触媒の調製キラルザレン触媒の調製方法下記錯体の調製・（Ｒ，Ｒ）　−１，２−ジフェニル−１，２−ビス（３−ｔｅｒｔ−プチルサリチリドアミノ）エタン（２）の調製：３ｍｌのＥｔＯＨ中３６０゜５ｍｇ　（２，０ミリモル）の３−Ｌｅｒｔ−ブチルサリチルアルデヒドの溶液を５＋ｎ１（７）ＥｔＯＨ中２１２．３＋ｎｇ　（１，０ミリモル）　（７）　（Ｒ，Ｒ）　−１，２−ジアミノ−１，２−ジフェニルエタンの溶液に滴下した。この反応混合液を１時間加熱還流し、水（５ｍｌ）を加えた。分離した油状物が放置時に固化した。

ＭｅＯＨ／Ｈ１０で再結晶すると４８５．８ｍｇ　（９１％）の黄色粉末、ｍｐ７３−７４℃を得た。’ＨＮＭＲ（ＣＤＣＩ＋）δ１．４２（ｓ、　１８ｔＬ　ＣＨＬ）、　４．７２（Ｓ、　２Ｂ、　ＣＨＮ”Ｃ）、　６．６７|７、２７（ｃ　１６Ｈ，ＡｒＨ）、　８．３５（ｓ、　２Ｈ，Ｃ）Ｉ＝Ｎ）、　１３．７９（ｓ、　２Ｈ，ＡｒＯＨ）ｐｐｍ；　１３ＣＮＭＲ（ＣＤbＩ　＋）δ２９．３゜３４．８．８０．１．１１７．８．１１８．５．１２７．５．１２８．０．１２８．３．１２９．６．１３０．１．１３７．１，１３９．５K １６０．２．１６６．８ｐｐｍ　６Ｃ！＠Ｈ１゜Ｎ、０．の分析　計算値：　Ｃ，８１，１７，Ｈ，７，５７，Ｎ、　５．２６実測値：　Ｃ，８１，１７，Ｈ，７，６０，Ｎ、　５．２５゜（（Ｒ，Ｒ）　−１，２−シフｘ−ルー１．シービス（３−ｔｅｒｔ−プチルサリチリドアミノ）エタン）−マンガン（１１）錯体（３）の調製：厳密に空気を含まない条件下、２１のＭｅＯＨ中６４゜（ｌｎｇ　（１，６ミリモル）の溶液を５ｍｌのＥｔＯＨ中４２６．ｌｏｇ　（０，８ミリモル）の（２）の溶液に窒素雰囲気上攪拌しながら滴下した。３ｍｌのＭｅＯＨ中１９６．１　ｍｇ　（０，８ミリモル）のＭｎ（ＯＡｃ）ｔ・４Ｈ２０の溶液を速やかに加え、橙色の混合液を２４時間攪拌した。

溶媒を減圧下で除去し、残留物を５ｍｌのベンゼンと攪拌し、ろ過してＮａ０Ａｃを除去した。ろ液を約１ｍｌに濃縮し、３ｍｌのヘキサンを加えた。この混合液を一３０°Ｃまて冷却し、ろ過により沈澱を集めて４１０．２ｍｇ　（８７％）の橙色粉末を得た。Ｃ＋ａＨ＋５ＭｎＮｚ０２−（ＣＨ＋０Ｈ）０．５の分析　計算値：　Ｃ，７２，８６，Ｈ，６，７０，Ｎ、　４．６６実測値　Ｃ，７３，０５，）Ｉ、　６．７６；　Ｎ、　４．３９゜（（Ｒ，Ｒ）　−１，２−ジフェニル−１，２−ビス（３−ｔｃｒｔ−プチルサリチリドアミノ）エタン）−マンガン（Ｉｌｌ）へキサフルオロホスフェート（（Ｒ，Ｒ）−１）の調製Ｎ、下、２＋ｎｌのＣＨ，ＣＮ中１６５．５＋ｎｇ　（０，５ミリモル）のフエロセニウムヘキサフルオロホスフエートの溶液を３ｍｌのＣＨ，ＣＮ中２９２．８＋ｎｇ　（０，５ミリモル）の（３）の溶液に滴下した。この反応混合液を３０分間攪拌し、溶媒を減圧下で除去した。残留物を５ｍｌのヘキサンと摩砕し、ろ過した。次いて、固形物をろ液が無色になるまてヘキサンで洗浄し、減圧下で乾燥して３６０．５ｍｇ　（９３％）の（１）を褐色粉末として得た。ＩＲ（ＣＨ，Ｃ１１）２９５５．１６１１．１５９３．１５４５．１４＋６゜１３８９、１１９８．８４１　ｃｍ　′６Ｃ，，Ｈ，，Ｆ、ＭｎＮ＊ＯｚＰ”　（ｌｌｇＯ）１．５（ＣＨｉＣＮ）０．５の分析　計算値　Ｃ，５６，９３，Ｈ，５，３０：　Ｎ、　４．５７　実測値　Ｃ，５７，＋１；　Ｈ，５，５０，Ｎ、　４．５０゜下記錯体の調製：て下記順序により調製した：（Ｒ，Ｒ）　−１，２−ジフェニル−１，２−ビス（３−ジフェニルメチルシリルサリチリドアミノ）エタン（５）の調製５ｍｌのエタノール中３４８．３ｍｇ　（１，０９ミリモル）の（４）及び１１６．０ｍｇ（０，５４６ミリモル）の（Ｒ，Ｒ）　−１，２−ジフェニル−１，２−ジフェニルエタンの溶液を０．５時間加熱還流した。この溶液から鮮黄色の油状物を分離し、放置時に固化した。この混合液をろ過し、黄色固形物を２×５ｍｌエタノールで洗浄した。　’ｌ＋ＮＭＲ解析により純粋な生成物の工程収量は４１６＋ｎｇ（９７％）であった。’ＨＦＪＭＲ（ＣＤＣＩ＋）　８０．９５（ｓ、３Ｈ）、　４．６８（ｓ、２Ｈ）、　６．７２−７．５５（ａ　３６Ｈ，ＡｒＨ）、　W．３７（ｓ。

２Ｈ）、　１３．３４（ｓ、２Ｈ）ｉｌｌ）ｍｏ（（Ｒ，Ｒ）　−１，２−ジフェニル−１，２−ビス（３−ジフェニルメチルシリルサリチリドアミノ）エタン）−マンガン（ＩＩ）錯体（６）の調製；厳密に空気を含まない条件下、２ｍｌのエタノール中３２．　Ｏｉ＋ｇ　（０，４８ミリモル）のＫＯＨの溶液を３ｍｌのエタノール中１９５ｍ　（０，２４ミリモル）の懸濁液に攪拌しながら滴下した。この不均一混合液を２０分間攪拌した後、３ｍｌのＭｅＯＨ中５１．５＋ｎｇ　（０，２４ミリモル）のＭｎ　（ＯＡＣ）？　・４）（ｔ　Ｏの溶液を速やかに加えた。黄−橙色混合液を室温で８時間攪拌した後、画工で４時間還流した。溶媒を減圧下で除去し、残留物を５ｍｌのンタノール、５ｍｌのエタノールで洗浄し、ろ過により単離した。橙色生成物の収量は１８８＋ｏｇ（９０％）であった。この物質を精製又は分析せずに次の工程で用いた。

（（Ｒ，Ｒ）　−１，２−ジフェニル−１，２−ビス（３−ジフェニルメチルシリルサリチリドアミノ）エタン）−マンガン（Ｉｌｌ）ヘキサフルオロホスフェート（（Ｒ，Ｒ）−１（７）の調製Ｎ、下、２１ｏｌのＣＨ，ＣＮ中７２ｍｇ（０，２１７ミリモル）のフエロセニウμへキサフルオロホスフェートの溶液を３ｍｌのＣＨＩ　ＣＮ９１８８ｗ＋ｇ（０，２１７ミリモル）の（６）の溶液に滴下ししこの反応混合液を３０分間攪拌し、溶媒を減圧下で除去した。固形残留物をろ液が無色になるまでヘキサンで洗浄した。褐色粉末を減圧下で乾燥して２０１．３’ｍｇ　（９２％）め（７）を得た。ＣｉｔＨｔｓＰａＭｎＮｔＯｔＰｓｉｓ・（ＣＨ，ＣＮ）　１．、５・（Ｈ，Ｏ）の分析　計算値：　Ｃ，６２，７７、Ｈ，４，８５，Ｎ、　４．５０　実測値・Ｃ，６２，８９，Ｈ，４，４７，Ｎ、　４．５７゜下記錯体の調製・２．２′−ビス（３−ｔｅｒｔ−プチルサリチリドアミノ）−１，１°−ビナフチルの調製６ｍｌのＥｔＯＨ中７２５ｍｇ　（４，０ミリモル）の３−ｔｅｒｔ −ブチル−サリチルアルデヒドの溶液を５ｍｌのＥｔＯＨ中５６９ｍｇ　（２，０ミリモル）の（＋）−２，２°−ジアミノ−１，１−ビナフチルの溶液に滴下した。この反応混合液を８時間加熱還流した後、揮発性物質を減圧下で除去した。残留物を８０ｇの５ｉＯｒによるフラッシュクロマトグラフィーて溶離剤としてヘキサン中２０％ＣＨｔ　ＣＩｔを用いて精製した。黄色の移動画分を集め、溶媒を減圧下で除去して７２５ｍｇ　（１，、２０ミリモル、収率５９％）のジイミンを黄色粉末として得゛た。

１．１’−ビナフチル−２，２゛−ビス（３−ｔｅ百−ブチルサリチリドアミノ）−マンガン（１１）錯体の調製厳密に空気を含まない条件下、２ｍｌのＭｅａｌ−（中２ミリモルのＫＯＨの溶液を５ｍｌのＥｔＯＨ中ｌミリモルの２，２゛−ビス（３−４ｅｒｔ−プチルサリチリドアミノ）−１，１’−ビナフチルの溶媒に窒素雰囲気上攪拌しながら滴下する。３ｍｌのＭｅＯＨ中１ミリモルのＭｎ　（ＯＡｃ）＋・４ＨｔＯの溶液を速やかに加え、橙色混合液を２４時間攪拌する。溶媒を減圧下で除去し、残留物を５ｍｌのベンゼンと攪拌し、ろ過してＫＯＡｃを除去した。ろ液を濃縮乾固してＭｎ（ＩＩ）錯体を橙色粉末としてＭｎ（ＩＩ）錯体を得る。

ｌ、ｌ−ビナフチル−２，２”−ビス（３−ｔｅｒｌ−プチルサリチリドアミノ）−マンガン（Ｉｌｌ）へキサフルオロホスフェートの調製Ｎ、下、２ｍｌのＣＨ，ＣＮＮ１３６５．５ｍｇ　（０，５ミリモル）のフェロセニウムへキサフルオロホスフェートの溶液を３ｍｌのＣＨ，ＣＮＮＯ３５ミリモルの１．１°−ビナフチル−２，２°−ビス（３−ｔｅｒｔ−プチルサリチリドアミノ）−マンガン（ＩＩ）錯体の溶液に滴下する。この反応混合液を３０分間攪拌し、溶媒を減圧下で除去する。

残留物を５ｍｌのヘキサンと摩砕し、ろ過する。次いで、固形物をろ液が無色になるまでヘキサンで洗浄し、減圧下で乾燥してＭｎ（ＩＩり塩を深緑色の粉末として得る。

下記錯体の調製。

本方法においては、空気又は水分を取り除く注意が必要なかった。３ｍｌの無水エタノール中３６０．５＋ｎｇ　（２，０ミリモル）の３−ｔｅｒｔ−ブチルサリチルアルデヒドの溶液を５ｍｌのエタノール中２１２．３＋＋＋ｇ　（１，、０ミリモル）の（Ｒ，Ｒ）　−１，２−ノアミノ−１，２−ジフェニルエタンの溶液に滴下した。この反応混合液を１時間加熱還流した後、この熱（６０℃）溶液に２４５．１ｍｇ　（１，０ミリモル）のＭｎ（ＯＡｃ）、・４Ｈ７０を一度に加えた。添加の際、溶液の色が直ちに黄色から褐色に変わった。３０分間更に還流した後、室温まで冷却した。次いで、１０％ＮａＣ１（５＋ｎｌ）の溶液を滴下し、この混合液を０．５時間攪拌した。次いで、溶媒を減圧下で除去し、残留物を５０＋ｎｌのＣＨ，ＣＩｔ及び５０ｍ１のＨ３Ｏと摩砕した。

有機層を分離し、褐色溶媒を飽和ＮａＣ＋で洗浄した。有機相を分離し、溶媒を除去して組物質を得、これをＣ，Ｈ，／Ｃ，Ｈ，、で再結晶して５９１　Ｉｎｇ　（０，９３８ミリモル）の（１）のクロリド塩（９４％）を得た。ＣｚｓＨ＋＋ＣＩＭｎＮｆＯｔ　・（ＨｔＯ）０．５の分析　計算値　Ｃ，６８，６３；　ＩＬ　６．２４．Ｎ、　４．４５　実測値　Ｃ，６９，０１，ＩＩ、　６．２６．　Ｎ。

４．３８゜本発明の第４態様の最も好ましい触媒の調製方法（Ｒ，Ｒ）−及び（Ｓ、５）− １，２−ビス（３，５−ジーｔｅｒｔ−プチルサリチリドーアミノ）シクロヘキサン３．５−′）−ｔ−ブチルサリチルアルデヒド（２，０当量）を固体として無水エタノール中（Ｒ，Ｒ）又は（Ｓ、Ｓ）　１．２−ノアミノシクロヘキサン（１，０当量）の０．２Ｍ溶液に加えた。この混合液を１時間加熱還流した後、ＨｔＯを冷却した鮮黄色溶液に滴下した。得られた黄色の結晶性固形物をろ過により集め、少量の９５％エタノールで洗浄した。本方法で得られた分析的に純粋なすｌノン配位子の収量は９（１−９７％であった。

ザレン配位子の分光スペクトル及び分析データ：　’ＨＮＭＲ（ＣＤＣＩ、）６１３．７２（ｓ、　ＩＨ）。

８．３０（Ｓ、　１８）、　７．３０（ｄ、　Ｊ　＝　２．３　Ｈｚ、　ＬＨ）、　６．９８（ｄ、　Ｊ　＝　２．３　Ｈｚ、　ＩＨ）、　R．３２（ｍ、　ＩＨ）、２．０ −１．８（ａ２Ｈ）、　１．８−１．６５（ａｌｌ）、　１．４５（ａｌＨ）、　１．４１（ｓ、９Ｈ）、　１．２４（ｓ、９Ｈ）。”ＣＮlＲ（ＣＤＣＩりδ１６５．８．１５８．０．１３９．８．１３６．３．１２６．０．１１７．８．７２．４．３４．９．３３．０゜３１．４．２９．４．２４．３ｏＣ，、Ｈ，、Ｎ！０２の分析　計算値：　Ｃ，７９，０７；　Ｈ，９，９５；　Ｎ、　５．１２実測値：　Ｃ，７９，１２，Ｈ，９，９７，Ｎ、　５．１２゜（Ｒ，Ｒ）−及び（Ｓ、Ｓ）−［１，、２−ビス（３，５−ジーｊｅｒｋ−プチルサリチリドーアミノ）ンクロヘキサン］マンガン（Ｉｌｌ）クロリドの調製上記ザレン配位子を直ちに熱無水エタノールに再溶解して０．１Ｍ溶液を得る。

固体Ｍｎ　（ＯＡｃ）、・４Ｈｔ　Ｏ（２，５当量）を一度に加え、この溶液を１時間還流する。次いで、約５当量の固体ＬｉＣｌを加え、この混合液を０．５時間更に加熱還流する。この混合液を０℃まで冷却し、この褐色のエタノール溶液量と同量の水を加えてＭｎ（ＩＩＩ）錯体を暗褐色の粉末として得、これをＨ，Ｏで十分に洗浄し、ろ過により収率８１−９３％で単離する。触媒の許容しうるＣ、Ｈ，Ｎ、Ｃ１及びＭｎ分析値が得られた（±０．４％）が、これらは粉末生成物中の水及びエタノール取込みの程度により異なる。エポキシ化反応におけるエナンチオ選択性は一定触媒の別個のバッチについて不変であり、触媒の溶媒含量がその有効性に影響しないことを示している。

本触媒の分析デー９　：　Ｃ＋Ｊｓ＋ＣＩＭｕＮｔＯｔ　・Ｃ＊ＦＩｓＯＨノ分析　計算値：　Ｃ，６７、１９；　Ｈ。

８．３１：　Ｃ１，５，２２；　Ｍｎ、　８．０９：　Ｎ、　４．１２　実測値：　Ｃ，６７，０５，Ｉｔ　８．３４．　ＣＩ、　５．４８G Ｍｎ、　８．３１；　Ｎ、　４．２８゜クロメン誘導体の不斉エポキシ化方法。

方法Ａ（酸素原子源としてＮａ０Ｃ１つ０．０５ＭＮａｔ　Ｂ、Ｏ−・１ＯＨｔ　Ｏ（１，ｔ）ｏｌ）の溶液を希釈されない市販の家庭用漂白剤（Ｃｈｌｏｒｏｘ）の２．５ｍｌ溶液に加えた。得られた緩衝溶液のｐＨは約９．５であり、ＩＭ　ＮａＯＨ溶液を数滴添加することによりこれをｐＨ約１０．５に調整した。

この溶液に２．ＯｍｌのＣＨ２Ｃｌ、巾約０．０　Ｏ５〜ｏ、　０２　ミリモルの触媒及び約１．０ミリモルのオレフィンの溶液を加えた。この２相混合液を室温で攪拌し、反応の進行を毛管ガスクロマトグラフィーでモニターした。反応は、約１−５時間で完結した。反応が完結した後、この混合液に１０ｍ１のＣＨ＊Ｃ１＊を加え、褐色有機相を分離し、１０ｍ１のＨ，Ｏで２回、１０ｍ１のＮａＣｌ飽和溶液で１回洗浄し、次いで無水物Ｎａｇ　Ｓｏｔで１５分間乾燥した。

この溶液をろ過し、溶媒を減圧下で除去した。残留物をｌｏｇのシリカゲルによるフラッシュクロマトグラフィーを用いて溶離溶媒としてＣＨｔ　Ｃｌ　２／ヘキサンの混合液を用いた標準法で精製した。生成物含有画分を合わせ、減圧下で溶媒を除去して純粋なエポキシドを単離した。キラルソフト試薬としてＥｕ　（ｈｆ　ｃ）ｓを用いて’ＨＮｈｌＲで又はスチルベンオキシドの場合には市販の（Ｒｅｇｉｓ）共有結合で結合したロインンＰｉｒｋｌｅカラムによるＨＰＬＣで直接分離することにより、エナンチオマー過剰率をめた。［α］Ｄの容認された文献値との比較により、絶対配置を帰属させた。

方法Ｂ（酸素原子源としてヨードシルメシチレン）固体ヨードソメシチレンを０．３ミリモルずつ１５−３０分間隔て加えながら、１．０ミリモルのオレフィン、８ｍｌのＣＨ，Ｃ１，及び０．０４−０．０８ミリモルの触媒の溶液を室温で攪拌した。４〜ＩＯ回（１，２〜３当量）の全ヨードシルメシチレンを加えた後、出発すレフインの消失が完了した。溶媒を減圧下で除去し、残留物をヘキサンで抽出し、混合液をセライトケイソウ出でろ過して触媒及び他の固形分を除去した。フラッシュクロマトグラフィー（１０ｇＳ　ｉｏ２．ＣＨｔＣｌ、／ヘキサン溶離剤）で純粋なエポキシドを得た。この物質の光学純度を上記の方法によりめた。

１　（Ｒ，Ｒ）−１５０５９１Ｒ，２Ｓ−ＯＢ２　（Ｒ，Ｒ）−１ｄ　７５　５７　Ｒ−（＋）　Ａ３　（Ｒ，Ｒ）−１ｄ　７２　６７　（＋）’　Ｂ４　（Ｒ，Ｒ）−１５２９３（−）＠Ｂ５　（Ｒ，Ｒ）−１７０８５１Ｒ，２Ｓ−（−）　Ａ６（Ｒ，Ｒ）−１’　７２　７８　１Ｒ，２３−（＋）　Ｂ７　（Ｒ，Ｒ） −１３６３ＯＲ−（＋）　Ｂ″特にことわらない限り２５°Ｃて反応を行った。

５オレフインに対する工程収率。

°符号は［α］Ｄに対応する。

６反応を５℃で行った。

゛絶対配置は未知。

上記の表は、エナンチオマー過剰率（ｅｅ）の最大値が実施例４．５及び６、即ち、シスニ置換オレフィンで見られたことを示している。対照的に、実施例７．１．に置換オレフィンは、最小値ｅｅてあった。実施例Ｉ、トランスニ置換オレフィン及び実施例２及び３、−ｉ換オレフィンは中間ｅｅ値であった。

種々の触媒を用いた以外は、下記実施例８−１６を実施例１−７と同様に行った。触媒番号系の解は、図１１にある。わかるように、実施例８は第１態様の最も好ましい実施態様に従って行った。実施例９−１６は第４態様に従って行い、実施例＋２−１６で用いた触媒は第４態様の最も好ましい実施態様である。実施例８−１６すべてが上記方法Ｂにより行ったことも留意される。

表ｉ＋８　ｐｈ　ｃ、、　（Ｒ，Ｒ）−１７０８５１Ｒ，２Ｓ−（−）９　（＝）　（Ｓ、５）−２７５４９１３，２Ｒ−（＋）１０　（Ｓ、５）−３８０１３，２Ｒ −（＋）ＩＩ　（５，５）−４５５１ｓ、２Ｒ−０）１２　（５，５）−５８２９２１Ｓ、２Ｒ−（＋）Ｐｈ　ＣＯｔＭｅ＋６　’　””’　（Ｓ、５）−５７４７５３，５−（−）″反応を０℃で行った。′オレフィンに対する工程収率。’Ｅｕ（ｈｆｃ）＋の存在下の’ｌ’ＭＲ及び市販のキラルカラム（Ｊ　＆　Ｗ　５ｃｉｅｎｔｉｆｉｃ　Ｃｙｃｌｏｄｅｘ−Ｂカラム、　３０ｍ　Ｘ　Ｏ，２５ｍｍ　１．　Ｄ、　、　０．２５μｍ膜）を用いた毛管ＧＣによりめた。６反応はすべて各触媒の両エナノチオマーを用いて２回行った。（Ｒ，Ｒ）−５を用いて行った反応は、表と反対の絶対配置及び同−ｅｅ（±２％）を有するエポキシドを生成した。符号は［α］Ｏに対応する。

実施例＋２−１５に示されるように、第４実施態様の最も好ましい触媒は、優れたエナンチオ選択性をもってシスー二置換オレフィンのエポキシ化を触媒する。

下記実施例１７−２４を行って種々のクロメン誘導体をエナンチオ選択的にエポキシ化する本方法の有効性を示した。これらの実施例で用いた触媒は、図８で示されているＲ、Ｒエナンチオマーである。上記方法への方法をこれらの実施例に用いた：結果を表１１１に示す。実施例２４の無置換クロメンがエポキシクロマンを生成しなかったことは留意される。

表Ｉ１１ ’（Ｓ、５）−４で行ったエポキシ化は反対配置の生成物を生じた。’ｅｅは特にことわらない限りＧＣ（図１に対する説明参照）でめた。°工程収率は４モル％４について１ミリモルスケールで行った反応及びフランツユクロマトグラフィーによる生成物単離に対応する。’（３Ｒ，４３）−（リ−２と相関（９ｂ参照）。°絶対配置は６と同様に帰属させた。　’ｅｅはキラルンフト試薬としてＥｕ（ｈｆｃ）＋を用いた’Ｈ畠ＩＲでめた。’Ｄｒｓ、　Ｒ，Ｇｅｒｉｃｋｓ、　Ｊ、　Ｓｏｍｂｒｏｃｋ（Ｅ、　Ｍｅｒｃｋ）の個人情報。′２．ｌ混合物の工程収率。

様に行った。工程収率は７８％であり、ｅｅは９１％であった。

実施例２６実施例２６は、上記実施例１７で製造したエポキシクロマン、即ち、６−シアノ −２，２−ツメチル−３，４−エポキシクロマンの大規模生産として行った。

市販の家庭用漂白剤（Ｃ１ｏｒｏｘ＠）の溶液のｐＨを０．０５Ｍ　Ｎａｔ　ＨＰＯ＋及び］ＮＮａＯＨでｐＨ，＝１１．３に緩衝化した後、０℃に冷却した。

５００ｍ１のこの溶液（ＮａＯＣＩ中約０．５５Ｍ）に１＄５ｍｌのＣＨ，ＣＩ、中６−ンアノー２．２−ジメチルクロメン及び触媒（３，１ｇ＋　５．０ミリモル、３７モル％）の０℃溶液に加えた。２相系を０℃で機械的に攪拌し、反応の進行をＨＰＬＣてモニターした。９時間後、不均一褐色混合液をセライトセイソウ土バンドでろ過し、有機相を分離し、５００ｍ１のＮａＣ１飽和溶液で１回洗浄した後、乾燥した（Ｎａ＋３０４）。溶媒を除去した後、得られた粗生成物のｅｅを各例についてＧＣ分析でめた。欠いて、褐色油状残留物を２００ｍ１の沸騰無水エタノールに溶解した後、水（２００ｍ１）を熱溶液に徐々に加えた。

熱重力ろ過により薄黄色溶液を得、これから結晶化エポキシクロマンを単離した。この工程収率は８１％であり、ｅｅはＧＣ分析により９９％であった。

実施例２７実施例２７は、図１３に示されているクロマカリンを製造するために行った。

実施例２６で製造したエポキシクロマン、即ち、６−ノアノー２．２−ツメチル −３，４−エポキシクロマン（Ｉｇ、４．９７ミリモル）、３−ヒドロキソ−１ −メチル−１，６−シヒドロビリダジンー６−オン（０，６５２ｇ、５．１７ミリモル）及びピリノン（０，４９１ｇ、６．２１ミリモル）を共にエタノール（ＩＯｍり中で８時間還流した。次いで、均一黄色混合液を減圧下で濃縮し、残留物を７０ｇのソリ力及び溶離剤として酢酸エチルによるフランツユクロマトグラフィーて単離した。

工程収量は、１．３８ｇ（８５％）であった。

実施例２８は、図１２に示されているクロマカリンを製造するために行った。

水素化ナトリウム（鉱油中０．１９９　ｇの６０％懸濁液、４．９７ミリモル）をＤＮＳｏ　（１，、５ｍ１）に懸濁し、この攪拌混合液に２−ピロリジノン（０，４２３ｇ。

４９７ミリモル）を乾燥窒素雰囲気上室温で加えた。次いで、実施例２６で得られたエポキシクロマン（Ｉｇ、４．９７ミリモル）を固形物として灰色の泡状物に加えた。この混合液を室温で１０時間攪拌した。欠いて、澄−赤色混合液を１０ｍ１の水で処理し、得られた濃黄色沈澱を１０ｍ１の酢酸エチルで５回抽出した。溶媒を除去し、ノリ力（１００ｇ、酢酸エチル溶離剤）でクロマトグラフィー処理して純粋な生成物を得、これを酢酸エチルで再結晶した。この工程収量は０．８０８ｇ（５６％）てあっｔ二。

−Ｔｅｍｐ　ＩＩ融点装置による開放毛細管で融点を得、補正せずに示す。沸点を補正せずに示す。’ＨＮＭＲスペクトルをＧｅｎｅｒａｌ　Ｅｌｅｃｔｒｉｃ（Ｓｃｈｅｎｅｃｔａｄｙ　Ｉｆｆ）　ＱＥ−３００（３００Ｍｔｌｚ）分光計で得た。低分解能Ｅｌガスクロマトグラフィー／質量分光（ＧＣ／ＭＳ）分析をＨｅｗｌｅｔｊ−Ｐａｃｋａｒｄ　５８９０ガスクロマトグラフにつなげたＨｅｗｌｅｔｊ−Ｐａｃｋａｒｄ（Ｐａｌｏ　Ａｌ　ｔｏ　ＣＡ）　５９７０　Ｍａｓｓ　５ｅｌｅｃｔｉｖｅ　Ｄｅｔｅｃｔｏｒで行った。他の質量スペクトルは、イリノイ大学、Ｕｒｂａｎａ、　１ｌｌｉｎｏｉｓのＭａｓｓ　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ　Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙによって提供された。元素分析は、イリノイ大学のＭｉｃｒｏａｎａｌｙｔｉｃａｌ　Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙで行った。

シリカゲルクロマトグラフイー精製は、３２−６４ｍガラスカラムに充填したＷｏｅ１ｍイーて行った。シリカゲルの重量は、下記で特にことわらない限り試料の約５０−１００倍とした。各精製の溶離溶媒を薄層クロマトグラフィー（ＴＣＬ）でめた。分析用ＴＣＬを０２５Ｍのシリカゲル６０Ｆ＋＋４で被覆したメルクガラスプレートで行った。ＴＩ−Ｃプレートを、特にことわらない限り紫外線及び／又はヨウ素チャンバで可視化した。気液クロマトグラフィー（Ｇ　Ｃ）分析は、次のカラム：　Ａ）　Ｊ　＆　Ｗ　Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ（Ｆｏｌｓｏｍ　ＣＡ）　０．３２ｍｍＸ３０ｍ　ＤＢ−５毛管カラム又はＢ）　Ｊ　＆ＶＩ　５ｃｉｅｎｔｉｆｉｃ　ＣＲＸ−８（β−シクロデキストリン）毛管カラム、３０ｍを用いてＨｅｗｌｅｔｔ−Ｐａｃｋａｒｄ　ＨＰ　５８９０ガスクロマトグラフで行った。旋光は、ジャスコ（日本スベクトロフォ］・メトリック社、東京、日本）Ｄｉｐ−３６０デジタル旋光計で測定した。

エポキシ化反応で用いた緩衝化漂白剤溶液は、Ｃ１ｏｒｏｘ［Ｆ］漂白剤からＺｈａｎｇ　Ｗ、の方法：及びＪａｃｏｂｓｅｎ、ＥＮ：　Ｊ、Ｏｒｇ、Ｃｈｅｍ、　５６：２２９６．１９９１に従って調製した。特にことわらない限り、すべての出発物質はＡｌｄｒｉｃｈから購入し、そのまま用いた。

ノスーメチルンナメート（４，５ｍｇ、　２．５ミリモル）量を６ｍｌのＣＨ，ＣＩ、に溶解した。次いで、この溶液に３．５−ジメチルピリジン−Ｎ−オキシド（１２５ｍｇ、４０モル％）を加えた後、触媒ｆｓ、Ｓ）　−４（１５０ＩＩＩｇ、ｌ　０モル％）を加えた。得られた溶液を０℃まで冷却し、４℃に予め冷却した漂白剤溶液（ｐＨ１１，２５の１５ｍ１）と混合した。反応混合液を４℃ で３時間攪拌した。次いで、反応混合液にヘキサン（６０ｎ＋ｌ）を加えた。有機相を３０＋ｎｌの水で１回、３ｍｌの食塩水で２回洗浄し、Ｎａｔ　ＳＯ＋で乾燥した。溶媒を減圧下で除去し、残留物をクロマトグラフィー（ＥｔＯＡｃ／ヘキサン−７：　９３．ｖ／ｖ）で精製してノス異性体の帰属及び立体異性体比の決定は、シス−メチル−３−フェニルグリンデートの’ｌ（ＮＭＲの文献値によった。Ｄｅｎｉｓ、Ｊ、Ｎ、　；　Ｇｒｅｅｎｅ、Ａ、Ｅ、　；　５ｅｒｒａ、Ａ、Ａ、　；Ｌｕｃｈｅ、　Ｍ、　−Ｊ、　：　Ｊ、　Ｏｒｇ、　Ｃｈｅｗ　５１　：４６．　＋９８６゜シス及びトランスーエポキシドのｅｅをＧＣ分析（上記カラムＢを用いた）によりめると、各々８７−８９％及びエチルフェニルプロピオレート（ｉｏ、８ｇ、０．０６２モル）をヘキサン（５４０＋＋＋ｌ）に溶解し、キノリン（１１，２ｇ）及びパラジウム／炭酸カルシウム（Ｌｉｎｄｌａｒ触媒、３．６ｇ）を加えた。得られた反応混合液を水素（１気圧）下室温で攪拌し、反応の進行をＧＣ分析により厳密にモニターした。水素の吸収速度が急激に減少することが見られたら、水素雰囲気を窒素に置き換えて反応を停止させた。得られた混合液をケイソウ土のパッドでろ過し、ろ液をＮａｇ　Ｓｏｔで乾燥した。溶媒を減圧下で除去した。次いで、残留物を減圧蒸留（２，５ｗ＋Ｈｇ。

９８−１００°Ｃ）　して１０．０８ｇのシス−エチルシンナメートを収率的９５％として得た。ＧＣ分析により、この生成混合液は５．７％の過剰還元アルカン及び３．５％のトランス−エチルシンナメートを含んでおり、これを精製せずに用いた。

実施例３０て記載したように調製した１、　７６　ｇ、即ちｌＯミリモルのシス −エチルシンナメートと４−フェニルピリジン−Ｎ−オキシド（４２０ｍｇ、　２．５ミリモル）とをＣＨｗ　ＣＬ　（２０ｍｌ）ｒ＆溶解した。この溶液に触媒（図８のＲ，Ｒ−エナンチオマー０３６０ｍｇ、　０．６　ミリモル）を加えた。この溶液と緩衝化漂白剤溶液（２５ｏ＋Ｉ、ｐＨ＝１１．２５）を水浴中で別々に冷却した後、４℃で合わせた。２相混合液を２時間又はＴＬＣ分析によりシスーエチルシンナメートの消失から完結したことが判断されるまで攪拌した。

次いで、この溶液に酢酸エチル（２００ｍ１）を加え、有機相を分離し、水（２Ｘ　Ｉ　Ｏ０ｍ１）及び食塩水（１×３１比で示された。残留物を蒸留（２ｒｒｒｎＨｇ、７５−７７℃）してＧＣ分析によりめた７５％のシスーエポキシド、１８％のトランス−エポキシド及び少量の各不純物を有する１、６ｇ（収率８０％）の粗混合液を得た。シス−エポキシドのｅｅをキラルシフト試薬としてＥｕ（ｈｆｃ）＋を用いた’ＨＮＭＲシフト実験によりめると９６−９７％であった。トー５．ンスーエポキシドのｅｅを同様の方法により測定すると７８％であった。この混合液を精製せずに次の反応で用いた。シス−エチル−３−フェニルグリシデー）の場合、次のものが得られた：　’ＨＮＭＲ（ＣＤＣＩ＋）６１．０２（ｔｊ＝７．２Ｈｚ、３Ｂ）、　３．８３（ｄｊ＝４．８Ｈｚ、ＩＨ）、　３．９−４．１（Ｉｎ、２）１）、　S．２７（ｄ。

Ｊ＝４．８Ｈｚ、　ＩＨ）、　７．２−７．５　（芳香族、５Ｈ）。トランス− エチル−３−フェニルグリシデートの場合、次のものが得られた：　’ＨＮＭＲ（ＣＤＣＩａ）δ１．３３（ｔ、　、Ｉ：１．２１１ｚ、　３ｔ（）、　３．５１（ｄ、　Ｊ＝２．１Ｈｚ、　Ｉ）ｌ）、　４．０９（ｄ、　Ｊ＝１．８Ｈｚ、　ＩＨ）、　４．２−４．４（Ｉｎ、　２Ｈ）、　７．２−７D５　（芳香族、５Ｈ）。

まず、実施例３１で記載したように調製した９００ｍｇ、即ち４．２２　ミリモルの（２Ｒ，３Ｒ）−３−フェニルグリシデートをアンモニアで飽和した２０ｍ１のエタノールの溶液（アンモニアをエタノールに−１５℃で１５分間通過させて調製した）に溶解した。この溶液をオートクレーブに入れ、外部攪拌しながら１００℃まで１６時間加熱した。この溶液を室温まで冷却した後、攪拌を更に８時間続けた。溶媒を減圧下で除去し、残留物をエタノールで再結晶した。重量５４０ｍｇの結晶性生成物をろ過により収率７１％として単離した。融点は、１７２−１７３℃であった。この化合物に対して次の’ＨＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄｓ／ＤＩＯ）データが得られた：６３．８７（ｄ、　Ｊ：３．３１＋ｒｒｌｌ（）、　４．０８（ｄ、　Ｊ＝３．３１＋ｚ、　ＩＨ）、　７．０−７．５i芳香族、５日）。Ｃ＊Ｈ１２０ｔＮｔの分析：計算値：　Ｃ，６０，００；　Ｈ，６，６７；　Ｎ、　１５．５５実測値：Ｃ１５９，９０，Ｈ，６，７１；　Ｎ、　１５．２５゜図８の（Ｓ、Ｓ）触媒を用いて調製したエポキシドを用いた類似の順序で対応するラセミ化合物を合成し゛た。ラセミ化合物の融点は１９２−１９３℃であり、文献値１８７−１８８℃にうまく匹敵した。Ｋａｍａｎｄｉ、　Ｅ、　；　Ｆｒａｈｍ、　Ａ、　Ｗ、　；Ｚｙｍａｌｚｏｗｓｋｉ、　Ｆ、　：　Ａｒｃｈ、　Ｐａｒｍａｚ、　３０７：８７１．１９７４゜実施例３２で調製した（２Ｒ，３Ｓ）−３−フェニルイソセリンアミド（２００ｍｇ、　１．１１ミリモル）を３５４ｉｎｇ（１，１２ミリモル）のＢａ（ＯＨ）１８Ｈ７０及び水（２ｍｌ）と混合した。得られた懸濁液を９時間加熱還流した。反応混合液を８０℃まで冷却した後、この溶液に１５＋＋＋Ｉの水を加えた。この溶液の温度を８０℃で２０分間維持した後、１ｍｌの水中１１０ｏ＋ｇ、１．１１ミリモルの濃硫酸の溶液を加えた。ｐＨ５〜７てあちだ溶液に白色沈澱が生じた。８０℃に加熱して更に２０分間維持した後、この混合液を室温まで冷却した。得られた沈澱（ＢａＳＯ，）を容器の底に遠心させ、上澄み液を分離し、溶媒を減圧下で除去した。得られた白色沈澱をアセトンで抽出し、ろ過により集めて１４８ｍｇの標記化金物を収率７４％として得た。この物質を溶融すると２３８℃で分解した。′ＨＮＭＲ（Ｄ、Ｏ／ｈＪａＯＤ）データは次の通りであった。δ３．９４（ｄ、　Ｊ＝３．９Ｈｚ、　ＩＨ）。

４、０１（ｄ、　Ｊ＝３．９Ｈｚ、　ＩＨ）、　７．０−７．５（芳香族、５Ｈ）。Ｃ，）Ｉ、、ＮＯ３の分析　計算値・Ｃ１５９，６６：　Ｈ，６，０？、　Ｎ、　７．７３　実測値：　Ｃ，５９，１０；　Ｈ，６，１１；　Ｎ、　７．６１０まず、実施例３３て調製した６　０ｍｇ　（０，３３ミリモル）の（２Ｒ，３Ｓ）−３−フェニル−イソセリンを１０％水性ＮａＨＣＯｓ（８ｍｌ）に溶解した。この溶液を４°Ｃまて冷却した後、１４３Ｉｎｇ（１，０ミリモル）の塩化ベンゾイルの１２０ｍ１の水溶液を加えた。この混合液を４℃で６時間攪拌した後、希ＭＣＩ溶液を加えてｐＨ１に酸性にした。得られた白色沈澱をろ過により集めた。ろ液容量を２ｍｌまで減少させ、第２沈澱を集め、第一生成物と合わせた。この物質は、所望の生成物と安息香酸を共に含有した。エタノールを数滴含むエーテル（３ｍｌ）中で６時間攪拌することにより安息香酸を除去した。次に、６０ｍｇの得られた生成物をろ過により白色沈澱として収率７０％で単離した。この化合物は’ＨＮＭＲにより純度９５％以上であった。融点が１７７−１７９℃であり、文献値１６７−１６９℃に匹敵するものであった。ＦＡＢＭＳ：　ｗ＋／ｅ　２８６（Ｍ”　＋１）。　’）Ｉ　ＮＭＲ（ＤＭＳＯｄａ）値は次の通りてあった：δ４．３７（ｄ、Ｊ＝４．５）１ｚ、ＩＨ）、　５．４６（ｄｄ、　Ｊ＝８．７Ｈｚ及９、　ＯＨｚ、　ＩＨ）、　１２．５−１３．０（ｂｒ、　ＩＨ）。Ｃ１５ｌ＋ｎＮ０ｔのＦＡＢ）ＩＲＭＳ　：計算値：　２８６．１０７X　実測値　２８６．１０６８ｏ　［α］”Ｄ−３５，９’、　（ｃ　Ｏ，５６５，ＥｔＯＨ）；　（２３，３Ｒ）−異性体［α］１ｓＤ−３６．５°（ｃ　１．４５．　ＥｔＯＨ）及び（２Ｒ，３３）−異性体［α］ｔｓＤ−３７．７８°（ｃ　Ｏ，９，ＥｔＯＨ）の文献値に匹敵した。ＯＪｉｍ　１．等、　Ｊ、Ｏｒｇ、Ｃｈｅｍ、　５６：１６８１，１９９１゜実施例３４て調製したＮ−ベンゾイル− （２Ｒ，３Ｓ）−３−フェニル−イソセリンを第三級アミンの存在下に１−クロロエチルエチル−エーテルで処理して光学的に純粋な（２Ｒ，３Ｓ）−Ｎ−ベンゾイル−０−（１−エトキシエチル）−３−７，＝ルーイソセリン（２）を製造する。Ｄｅｎ　ｉ　ｓ等（Ｊ、　Ａｆｆｌｅｒ、　Ｃｈｅｍ、　Ｓｏｃ、　１１０＋５４１７．１９８８）に従って合成した７−ドリーニチルシリルバツカチンｌ１１（１）を６当量の光学的に純粋な（２Ｒ，３Ｓ）　−Ｎ−ベンゾイル−〇 −（１−エトキシエチル）−３−フェニル−イソセリン（２Ｌ６当量のジー２− ピリジルカーボネート（Ｄ　Ｐ　Ｃ’ｌ及び２当量の４−（ジメチルアミノ）ピリジン（ＤＭＡＰ）のトルエン等液（０，０２Ｍ）に加える。この混合液を７３ ℃で１００時間反応させてＣ−２’、Ｃ−７保護タキソル誘導体（３）を製造する。

（３）におけるＣ−２゛及びＣ−７の保護基の付随的除去をエタノール中０．５％ＨＣＩを用いて０℃で３０時間行なってタキソルを生成し、その同定及び純度を天然産物の融点、旋光並びにスペクトル（ＩＲ，ＭＮＲ，ＦＡＢＭＳ）及びクロマトグラフ（ＴＬＣ，ＨＰＬＣ）特性を比較することにより決定する。

【３）下記表ＩＶに示されている４種のアルケンを下記の方法においてビリンノーＮ− オキシド誘導体を存在させてエポキシ化した。

１０ミリモルのアルケン及び２．０ミリモル（２０モル％）のピリジン−Ｎ−オキシド誘導体の溶液をＩＯｗ＋ｌのＣＨ＋　ＣＩ　＋に溶解した。４−フェニルピリジン媒ｌ又は２（下記参照）を加えた。各実施例において用いた触媒量を表に示す。

この溶液と緩衝化漂白剤溶液（ｐＨ−１１，２５）を水浴中で別々に冷却した後、０−４°Ｃて混合した。この２相混合液を１〜５時間攪拌した。次いで、この溶液ニ２００ＩＩ１１ノヘキサンを加え、有機相を分離し、１００ｍ１７）水で１回、ｌｏｏｍｌの食塩水で１回洗浄した。次いて、有機相をＮａｚＳＯｌで乾燥した。溶媒を減圧下で除去した。残留物を精製蒸留に供したが、クロマトグラフィー又は結晶化カラムによるＧＣ及びキラルンフト試薬（Ｅｕ　（ｈ　ｆ　ｃ）ｔ）を用いた’）Ｉ　ＮＭＲて決定した。

実施例　オレフィン　エポキシド−触媒（モル％）Ｎ−オキシド　工程　ｅｅＮｏ、　主生成物　誘導体　収率（％）（駕）議論の大部分がザレン誘導体（エチレンノアミンから製造）の使用を含むものであったが、サルビン誘導体くプロピレンジアミンから製造）及びサルベン誘導体（ブチレノノアミンから製造）も本発明の範囲内であることは留意されるへきである。これらが、後記請求の範囲で定義された本発明の範囲内にあるとみなされること（マ確かである。

スルフィドの不斉酸化実施例４０上記と同様の方法を用いて、下記触媒を調製した。

図１９及び２０並びに下記表■は、触媒の一般構造を示すものである。

表Ｖエントり一　触媒　収率ン％″　ｅｅ、〜ゝ　スルフィド酸化。

１、　（Ｒ，Ｒ）−１９０４７３−（−）２　（Ｒ，Ｒ）−２７２２４３−（− ）３　（Ｒ，Ｒ）−３８２０４（す）−４７４１４３−（）５　（Ｒ，Ｒ）−５８６３６３−（−）６　（Ｒ，Ｒ）−６６４３４３−（−）７　（Ｒ，Ｒ）−７８４７Ｒ−（＋） ″収率はすへてフラソノユクロマトグラフィーで単離した純粋な生成物に対応する。　’ｅｅはキラルセルＯＤカラムを用いたＩ（ＰＬＣてめた。°絶対配置は［α、ＩＤの符号を文献値と比較して帰属させた。

これらの７種の触媒をチオアニソールと反応させてそれらのｅｅ　ｆａを測定した。

エポキシ化において最適なエナンチオ選択性に重要であることが証明された配位子特性は、スルフィド酸化にも重要一つだことは意味のあることである。例えば、ザレン配位子の３，３゛及び５．５゛位にがさ高い置換基が存在するために選択性に著しい効果があり、これらの基が不斉ジイミン橋近傍に基質接近を導入することによりオキソ移動を生じる遷移状態において立体化学を改良することを示した。エナンチオ選択性に関する電子効果も（ザレン）Ｍｎ触媒を用いたスルフィド酸化において極めて顕著であった。エポキシ化反応において示したように、電子求引性置換基をもつ触媒は、電子を多く含んだ類縁体よりエナンチオ選択性が低い（表Ｖの′エントリー１．３及び４）。この効果は、電子求引基をもつ高原子価中間体の高い反応性及び低い付随的選択性によるものである。

表Ｖの触媒１が試験した触媒の中で最も選択的であることが明らかとなった。

従って、プロキラルスルフィドの不斉酸化を試験するために、触媒ｌを用いた。

（Ｒ，Ｒ）−１又は（Ｓ、５）−１を用いたプロキラルスルフィドの不斉酸化触媒（２−３モル％）エントリー　ニルフィト　触媒　収率（％）ｅｅ（％）スルホキシド配置０ｌ　ｃＪ（／”’ｃＨ３（Ｒ，Ｒ）−１９０４７３−（−）６　２−ｎａｐｌｈｙｌ／ｓ″ｃＨ，（Ｒ，Ｒ）−１８４４Ｂ　５−（−）７　ｅ＞ＭａＯ−Ｃ，Ｈ，／Ｓ”ＣＨ，（Ｓ、５）−１９４３４Ｒ−（＋）’８　ｆ＞ＮＯ２，Ｃ，Ｈ，／５））（、（Ｒ−Ｒ）−１８６６６３−（−）’ｌＯ呼７．。）（４，□Ｓ＼、、（Ｓ、５）−１９３５６Ｒ−（＋）’゛スルフイドグする工程収率、純粋なスルホキッド（ＧＣ分析より〉９９％）をフラノツユクロマトグラフィーて単離した。’ｅｅはキラルセルＯＤカラムを用いｔこ）ＩＰＬＣてめたが、エントリー８．９．ＩＯは（Ｒ）−（−）−２，２，２−１−リフルオロ−１−（９−アンソリル）エタノールの存在下’Ｈｈ’ＳＩＲでめた。°絶対配置は特にことわらない限り［αＩＤの符号を文献値と比較して決定した。６絶対配置はエントリー１ −６の類推により（［αＩＤの符号）帰属させた。

これらの場合の選択性は中程度であるが、基質の著しい電子効果を認めることができた。より反応性の電子を多く含んだスルフィドは低い選択性で酸化された（例えば、表Ｖｌ、エンｌ−ＩＪ　−７）が、ハライド又はニトロ基をもつ基質で選択性６０％以上ｅｅが得られた（表Ｖｌ、エントリー２、Ｌ−１１）。スルフィド酸化反応における語選択性は、アル鷺エポキシ化と同様である（図２１参即）。

これは、この２過捏の遷移状態の種類が類似していることを示すものである。

過酸化水素の接触不均化実施例４１−下記錯体の調製を５０ｍ１のＥｔＯＨと５０ｍ１のＨ，Ｏの混合液中エチレンジアミン（６，０７０ｇ。

０、　Ｉ　Ｏ０モル）の攪拌溶液に５分間かけて加えた。この反応混合液を１時間還流し、室温で一晩攪拌した。黄色結晶性生成物をろ過により分離し、２ｘ３０ｍｌの６０％冷ＥｔＯＨて洗浄し、風乾してザレン２５．７３３ｇ　（９５，９％）を得た。

＼Ｉｎ　（ＯＡｃ）＋　（２４，５０９ｇ、　Ｏ，１００モル）をＩ　０００ｍｌの９５％ＥｔＯＨ中１３．４１６ｇのサレノの攪拌溶液に加え、直ちに黄色から暗褐色に変色した。

得られた混合液を３時間還流した。溶媒を減圧下で除去し、得られた残留物を１２５０ｍ１の軌湯（６０°Ｃ）で抽出し、ろ過した。ろ液に固体ＮａＣ１（５８，４４ｇ、１．０００モル）を加え、直ちに褐色沈澱が生した。沈澱をろ過により集め、乾燥した。粗生成物をアセトン／エーテルで再結晶して９．６７２　ｇの生成物（収率５４２％）を得た。

実施例４２−反応手順隅膜を備えた小さな丸底フラスコに触媒（０，１モル％）及び１ｍｌの溶媒を充填した。この溶液にＨ２Ｏ２の緩衝溶液を加えた。反応から発生した０２を捕捉することにより、反応の速度及び変換をモニターした。下記表Ｖｌ＋は、各種触媒の回転置換値を示すものであり、これらの一般構造は図２２及び２３に示されている。回転置換は、触媒１モルに対しで破壊された８２０１モルとして定義される。

表Ｖｌ＋表Ｖｌｌ（続き）（Ｓ、５）−５（Ｒ，Ｒ）−５注　■りは酸素基が紙面からまつすぐ突き出ているＭｎ結合を示す。

フロントページの続き（５１）　Ｉｎｔ、　Ｃ１，５識別記号　庁内整理番号Ｃ０７Ｆ　１１１００　Ａ　９１５５−４Ｈ１３１００Ａ　９１５５−４Ｈ１５１００Ａ　９１５５−４ＨＤ　９１５５−４Ｈ１５１０２９１５５−４Ｈ１５１０４９１５５−４Ｈ１５１０６９１５５−４Ｈ（８１）指定国　ＥＰ（ＡＴ、ＢＥ、ＣＨ，ＤＥ。

ＤＫ、ＥＳ、ＦＲ，ＧＢ、ＧＲ，ＩＥ、ＩＴ、ＬＵ、ＭＣ，ＮＬ、ＳＥ）、ＡＵ、ＣＡ、ＪＰ、ＵＳＩ（７２）発明者　ツァン　ウェイアメリカ合衆国　ペンシルバニア州１９４５４　ノース　ウェールズ　ロワー　ステイト　ロード　７００　ビルディング　１１シー８（７２）発明者　デン　リーアメリカ合衆国　イリノイ州　６１８０１　アーバーン　オーチャード　ストリート２００２ピー

Claims

【特許請求の範囲】

１．下記構造を有するキラル触媒： ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、Ｍは遷移金属イオンであり；Ａはアニオンであり；ｎは０、１又は２であり；Ｘ１又はＸ２の少なくとも１種はアリール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ；Ｘ３又はＸ４の少なくとも１種はアリール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ；Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｙ５及びＹ６は水素、ハライド、アルキル基、アリール基及びヘテロ原子を有するアルキル基からなる群より独立して選ばれ；Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４の少なくとも１種は水素、ＣＨ３及び第一級アルキル基からなる第１群より選ばれ；Ｒ１が該第１群より選ばれる場合には、Ｒ２及びＲ３はアリール基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子を有するアルキル基からなる第２群より選ばれ；Ｒ２が該第１群より選ばれる場合には、Ｒ１及びＲ４は該第２群より選ばれ；Ｒ３が該第１群より選ばれる場合には、Ｒ１及びＲ４は該第２群より選ばれ；Ｒ４が該第１群より選ばれる場合には、Ｒ２及びＲ３は該第２群より選ばれる。
２．遷移金属イオンがＭｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｒｕ及びＯｓからなる群より選ばれる請求項１記載の触媒。
３．遷移金属イオンが、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ及びＣｏからなる群より選ばれる請求項１記載の触媒。
４．金属イオンがＭｎである請求項１記載の触媒。
５．該第１群が水素及びメチルからなる請求項１記載の触媒。
６．該第１群が水素からなる請求項１記載の触媒。
７．該第２群がｔ−ブチル及びフェニルからなる請求項１記載の触媒。
８．該第２群がフェニルからなる請求項１記載の触媒。
９．Ｒ１がＲ３と同一であり、Ｒ２がＲ４と同一である請求項１記載の触媒。
１０．該第１群が水素及びメチルからなる請求項９記載の触媒。
１１．該第２群がｔ−ブチル及びフェニルからなる請求項９記載の触媒。
１２．Ｘ１及びＸ３がｔ−ブチル及びフェニルからなる群より独立して選ばれる請求項１記載の触媒。
１３．Ｘ１及びＸ３が同一である請求項１２記載の触媒。
１４．Ｘ１及びＸ３が共にｔ−ブチルである請求項１記載の触媒。
１５．下記構造を有するキラル触媒： ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、ＭはＭｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｒｕ及びＯｓからなる群より選ばれた遷移金属であり；Ａはアニオンであり；Ｘ１及びＸ３は同一であり、アリール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ；Ｘ２、Ｘ４、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｙ５及びＹ６は水素、ハライド、アルキル基、アリール基及びヘテロ原子を有するアルキル基からなる群より独立して選ばれ；Ｒ１及びＲ４は同一であり、Ｈ、ＣＨ３、Ｃ２Ｈ５及び第一級アルキル基からなる第１群より選ばれるか又はアリール基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子を有するアルキル基からなる第２群より選ばれ；Ｒ２及びＲ３は同一であり、Ｒ１及びＲ４が該第１群より選ばれる場合には該第２群より選ばれるか又はＲ１及びＲ４が該第２群より選ばれる場合には該第１群より選ばれる。
１６．金属イオンがマンガンである請求項１５記載の触媒。
１７．該第１群が水素からなる請求項１５記載の触媒。
１８．該第２群がｔ−ブチル及びフェニルからなる請求項１５記載の触媒。
１９．該第２群がフェニルからなる請求項１５記載の触媒。
２０．下記構造を有するキラル触媒： ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、Ｍは遷移金属イオンであり；Ａはアニオンであり；Ｘ１又はＸ２の少なくとも１種はアリール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ；Ｘ３又はＸ４の少なくとも１種はアリール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ；Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｙ５、Ｙ６、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４、Ｚ５、Ｚ６、Ｚ７、Ｚ８、Ｚ９、Ｚ１０、Ｚ１１及びＺ１２は水素、ハライド、アルキル基、アリール基及びヘテロ原子を有するアルキル基からなる群より独立して選ばれる。
２１．遷移金属イオンがＭｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｒｕ及びＯｓからなる群より選ばれる請求項２０記載の触媒。
２２．遷移金属イオンがＭｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ及びＣｏからなる群より選ばれる請求項２０記載の触媒。
２３．Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｙ５、Ｙ６、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４、Ｚ５、Ｚ６、Ｚ７、Ｚ８、Ｚ９、Ｚ１０、Ｚ１１及びＺ１２が水素である請求項２０記載の触媒。
２４．Ｘ１及びＸ３がｔ−ブチル及びフェニルからなる群より独立して選ばれる請求項２０記載の触媒。
２５．Ｘ１及びＸ３が同一である請求項２０記載の触媒。
２６．下記構造を有するキラル触媒： ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、Ｍは遷移金属イオンであり；Ａはアニオンであり；ｎは０、１又は２であり；Ｘ１又はＸ２の少なくとも１種はアリール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ；Ｘ３又はＸ４の少なくとも１種はアリール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ；Ｙ１又はＹ２の少なくとも１種はアリール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ；Ｙ４又はＹ５の少なくとも１種はアリール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ；Ｙ３及びＹ６はＨ及び第一級アルキル基からなる群より独立して選ばれ；Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４の１又は２種は水素であり；Ｒ１が水素である場合には、Ｒ３は第一級アルキル基であり；Ｒ２が水素である場合には、Ｒ４は第一級アルキル基であり；Ｒ３が水素である場合には、Ｒ１は第一級アルキル基であり；Ｒ４が水素である場合には、Ｒ２は第一級アルキル基である。
２７．遷移金属イオンがＭｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｒｕ及びＯｓからなる群より選ばれる請求項２６記載の触媒。
２８．金属イオンがＭｎである請求項２６記載の触媒。
２９．Ｒ１がＲ３と同一であり、Ｒ２がＲ４と同一である請求項２６記載の触媒。
３０．Ｘ１及びＸ３がｔ−ブチル及びフェニルからなる群より独立して選ばれる請求項２６記載の触媒。
３１．Ｘ１及びＸ３が同一である請求項３０記載の触媒。
３２．Ｙ１及びＹ４がｔ−ブチル及びフェニルからなる群より独立して選ばれる請求項３０記載の触媒。
３３．Ｙ１及びＹ４が同一である請求項３２記載の触媒。
３４．Ｘ１、Ｘ３、Ｙ１及びＹ４がｔ−ブチル及びフェニルからなる群より独立して選ばれる請求項２６記載の触媒。
３５．Ｘ１、Ｘ３、Ｙ１及びＹ４がすべて同一である請求項３４記載の触媒。
３６．Ｘ１、Ｘ３、Ｙ１及びＹ４がすべてｔ−ブチルである請求項２６記載の触媒。
３７．Ｒ１及びＲ４が水素であり、Ｒ２及びＲ３がメチルである請求項２６記載の触媒。
３８．下記構造を有するキラル触媒： ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、Ｍは遷移金属イオンであり；Ａはアニオンであり；ｎは３、４、５又は６であり；Ｘ１又はＸ２の少なくとも１種はアリール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ；Ｘ３又はＸ４の少なくとも１種はアリール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ；Ｙ１又はＹ２の少なくとも１種はアリール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ；Ｙ４又はＹ５の少なくとも１種はアリール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ；Ｙ３及びＹ６は水素及び第一級アルキル基からなる群より独立して選ばれ；Ｒ１とＲ４は相互にトランスであり、Ｒ１及びＲ４の少なくとも１種は第一級アルキル基及び水素からなる群より選ばれ；（Ｃ）ｎ部分の炭素は水素、アルキル、アリール及びヘテロ原子からなる群より選ばれた置換基を有する。
３９．遷移金属イオンがＭｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｒｕ及びＯｓからなる群より選ばれる請求項３８記載の触媒。
４０．金属イオンがＭｎである請求項３８記載の触媒。
４１．Ｒ１がＲ４と同一である請求項３８記載の触媒。
４２．Ｘ１及びＸ３がｔ−ブチル及びフェニルからなる群より独立して選ばれる請求項３８記載の触媒。
４３．Ｘ１及びＸ３が同一である請求項４２記載の触媒。
４４．Ｙ１及びＹ４がｔ−ブチル及びフェニルからなる群より独立して選ばれる請求項３８記載の触媒。
４５．Ｙ１及びＹ４が同一である請求項４４記載の触媒。
４６．Ｘ１、Ｘ３、Ｙ１及びＹ４がｔ−ブチル及びフェニルからなる群より独立して選ばれる請求項３８記載の触媒。
４７．Ｘ１、Ｘ３、Ｙ１及びＹ４がすべて同一である請求項４６記載の触媒。
４８．Ｘ１、Ｘ３、Ｙ１及びＹ４がすべてｔ−ブチルである請求項３８記載の触媒。
４９．Ｒ１及びＲ４が水素である請求項４８記載の触媒。
５０．Ｒ１及びＲ４が水素及びメチルからなる群より選ばれる請求項３８記載の触媒。
５１．Ｒ１及びＲ４が水素である請求項３８記載の触媒。
５２．ｎが４である請求項３８記載の触媒。
５３．下記構造を有するキラル触媒； ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、Ｒ１とＲ４は相互にトランスであり、Ｒ１及びＲ４の少なくとも１種は第一級アルキル基及び水素からなる群より選ばれる。
５４．金属イオンがＭｎである請求項５３記載の触媒。
５５．Ｒ１がＲ４と同一である請求項５３記載の触媒。
５６．Ｒ１及びＲ４が水素である請求項５５記載の触媒。
５７．Ｘ１及びＸ３がｔ−ブチル及びフェニルからなる群より独立して選ばれる請求項５３記載の触媒。
５８．Ｘ１及びＸ３が同一である請求項５７記載の触媒。
５９．Ｙ１及びＹ４がｔ−ブチル及びフェニルからなる群より独立して選ばれる請求項５３記載の触媒。
６０．Ｙ１及びＹ４が同一である請求記載の触媒。
６１．Ｘ１、Ｘ３、Ｙ１及びＹ４がｔ−ブチル及びフェニルからなる群より独立して選ばれる請求項５３記載の触媒。
６２．Ｘ１、Ｘ３、Ｙ１及びＹ４がすべて同一である請求項６１記載の触媒。
６３．Ｘ１、Ｘ３、Ｙ１及びＹ４がすべてｔ−ブチルである請求項５３記載の触媒。
６４．Ｒ１及びＲ４が水素である請求項６３記載の触媒。
６５．Ｒ１及びＲ４が水素及びメチルからなる群より選ばれる請求項３８記載の触媒。
６６．キラル触媒を用いてプロキラルオレフィンをエナンチオ選択的にエポキシ化する方法であって、プロキラルオレフィンを供給し；酸素原子源を供給し；請求項１、１５、２０、２６、３８又は５３記載のキラル触媒を供給し；該オレフィン、該酸素原子源及び該キラル触媒を、該オレフィンをエポキシ化するのに十分な条件下及び時間反応させる：工程を含む方法。
６７．プロキラルオレフィンが一置換及びシス１，２二置換オレフィンからなる群より選ばれる請求項６６記載の方法。
６８．プロキラルが二重結合の一方に第一級置換基、もう一方に第二級、第三級又はアリール置換基を有するシス二置換オレフィンである請求項６６記載の方法。
６９．オレフィンがシス−β−メチルスチレン、ジヒドロナフタレン、２−シクロヘキセニル−１，１−ジオキソラン、２，２−ジメチルクロメン、スチレン及びプロピレンからなる群より選ばれる請求項６６記載の方法。
７０．酸素原子源がＮａＯＣｌ、ヨードソメシチレン、ＮａＩＯ４、ＮＢｕ４ＩＯ４、ペルオキシモノ硫酸カリウム、モノペルオキシフタル酸マグネシウム及びヘキサシアノ鉄酸イオンからなる群より選ばれる請求項６６記載の方法。
７１．酸素原子源がＮａＯＣｌ、ヨードソメシチレンからなる群より選ばれる請求項６６記載の方法。
７２．酸素原子源がＮａＯＣｌである請求項６６記載の方法。
７３．キラル触媒を用いてプロキラルオレフィンをエナンチオ選択的にエポキシ化する方法であって、プロキラルオレフィンを供給し；酸素原子源を供給し；請求項１、１５、２０、２６、３８又は５３記載のキラル触媒を供給し；該オレフィン、該酸素原子源、該ピリジン−Ｎ−オキシド誘導体及び該キラル触媒を、該オレフィンをエポキシ化するのに十分な条件下及び時間反応させる：工程を含む方法。
７４．プロキラルオレフィンが一置換及びシス１，２二置換オレフィンからなる群より選ばれる請求項７３記載の方法。
７５．プロキラルが二重結合の一方に第一級置換基、もう一方に第二級、第三級又はアリール置換基を有するシス二置換オレフィンである請求項７３記載の方法。
７６．ピリジン−Ｎ−オキシド誘導体が４−フェニル−Ｎ−オキシド及び４−ｔ −ブチルピリジン−Ｎ−オキシドからなる群より選ばれる請求項７３記載の方法。
７７．オレフィンがシス−β−メチルスチレン、ジヒドロナフタレン、２−シクロヘキセニル−１，１−ジオキソラン、２，２−ジメチルクロメン、スチレン及びプロピレンからなる群より選ばれる請求項７３記載の方法。
７８．酸素原子源がＮａＯＣｌ、ヨードソメシチレン、ＮａＩＯ４、ＮＢｕ４ＩＯ４、ペルオキシモノ硫酸カリウム、モノペルオキシフタル酸マグネシウム及びヘキサシアノ鉄酸イオンからなる群より選ばれる請求項７３記載の方法。
７９．酸素原子源がＮａＯＣｌ、ヨードソメシチレンからなる群より選ばれる請求項７３記載の方法。
８０．酸素原子源がＮａＯＣｌである請求項７３記載の方法。
８１．キラル触媒を用いてクロメン誘導体をエナンチオ選択的にエポキシ化する方法であって、下記式を有するクロメン誘導体を供給し：▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４は各々水素、アリール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ、Ｒ１及びＲ２の１種以上は水素でない；酸素原子源を供給し；下記式を有する触媒を供給し： ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、Ｍは遷移金属イオンであり；Ａはアニオンであり；ｎは０、１又は２であり；Ｘ１又はＸ２の少なくとも１種はアリール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ；Ｘ３又はＸ４の少なくとも１種はアリール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ；Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｙ５及びＹ６は水素、ハライド、アルキル基、アリール基及びヘテロ原子を有するアルキル基からなる群より独立して選ばれ；Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４の少なくとも１種は水素、メチル及び第一級アルキル基からなる第１群より選ばれ；Ｒ１が該第１群より選ばれる場合には、Ｒ２及びＲ３はアリール基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子を有するアルキル基からなる第２群より選ばれ；Ｒ２が該第１群より選ばれる場合には、Ｒ１及びＲ４は該第２群より選ばれ；Ｒ３が該第１群より選ばれる場合には、Ｒ１及びＲ４は該第２群より選ばれ；Ｒ４が該第１群より選ばれる場合には、Ｒ２及びＲ３は該第２群より選ばれる；該クロメン誘導体、該酸素原子源及び該キラル触媒を、該クロメン誘導体をエポキシ化するのに十分な条件下及び時間反応させてエポキシクロマンを製造する：工程を含む方法。
８２．クロメン誘導体のＲ１及びＲ２が同一である請求項８１記載の方法。
８３．クロメン誘導体のＲ１及びＲ２がアルキル基である請求項８１記載の方法。
８４．クロメン誘導体のＲ１及びＲ２がメチル基である請求項８１記載の方法。
８５．クロメン誘導体が６−シアノ−２，２−ジメチルクロメンである請求項８１記載の方法。
８６．酸素原子源がＮａＯＣｌ、ヨードソメシチレン、ＮａＩＯ４、ＮＢｕ４ＩＯ４、ペルオキシモノ硫酸カリウム、モノペルオキシフタル酸マグネシウム、Ｈ２Ｏ２、ペルオキシ安息香酸誘導体及びヘキサシアノ鉄酸イオンからなる群より選ばれる請求項８１記載の方法。
８７．酸素原子源がＮａＯＣｌである請求項８１記載の方法。
８８．遷移金属イオンがＭｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ及びＣｏからなる群より選ばれる請求項８１記載の方法。
８９．該第１群が水素及びメチルからなる請求項８１記載の方法。
９０．該第１群が水素からなる請求項８１記載の方法。
９１．該第２群がｔ−ブチル及びフェニルからなる請求項８１記載の方法。
９２．該第２群がフェニルからなる請求項８１記載の方法。
９３．触媒のＲ１がＲ３と同一であり、Ｒ２がＲ４と同一である請求項８１記載の方法。
９４．触媒のＸ１及びＸ３がｔ−ブチル及びフェニルからなる群より独立して選ばれる請求項８１記載の方法。
９５．Ｘ１及びＸ３が同一である請求項８１記載の方法。
９６．触媒のＸ１及びＸ３が共にｔ−ブチルである請求項８１記載の方法。
９７．キラル触媒の反対のエナンチオマーを含めてエポキシクロマンのラセミ混合物を製造する請求項８１記載の方法。
９８．キラル触媒を用いてクロメン誘導体をエナンチオ選択的にエポキシ化する方法であって、下記式を有するクロメン誘導体を供給し：▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４は各々水素、アリール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれＲ１及びＲ２の１種以上は水素でない；酸素原子源を供給し；下記式を有する触媒を供給し： ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、ＭはＭｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｒｕ及びＯｓからなる群より選ばれた遷移金属である；Ａはアニオンであり；Ｘ１及びＸ３は同一であり、アリール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ；Ｘ２、Ｘ４、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｙ５及びＹ６は水素、ハライド、アルキル基、アリール基及びヘテロ原子を有するアルキル基からなる群より独立して選ばれ；Ｒ１及びＲ４は同一であり、水素、メチル、ブチル及び第一級アルキル基からなる第１群より選ばれるか又はアリール基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子を有するアルキル基からなる第２群より選ばれ；Ｒ２及びＲ３は同一であり、Ｒ１及びＲ４が該第１群より選ばれる場合には該第２群より選ばれるか又はＲ１及びＲ４が該第２群より選ばれる場合には該第１群より選ばれる；該クロメン誘導体、該酸素原子源及び該キラル触媒を、該クロメン誘導体をエポキシ化するのに十分な条件下及び時間反応させる：工程を含む方法。
９９．クロメン誘導体のＲ１及びＲ２が同一である請求項９８記載の方法。
１００．クロメン誘導体のＲ１及びＲ２がアルキル基である請求項９８記載の方法。
１０１．クロメン誘導体のＲ１及びＲ２がメチル基である請求項９８記載の方法。
１０２．クロメン誘導体が６−シアノ−２，２−ジメチルクロメンである請求項９８記載の方法。
１０３．酸素原子源がＮａＯＣｌ、ヨードソメシチレン、ＮａＩＯ４、ＮＢｕ４ＩＯ４、ペルオキシモノ硫酸カリウム、モノペルオキシフタル酸マグネシウム、Ｈ２Ｏ２、ペルオキシ安息香酸誘導体及びヘキサシアノ鉄酸イオンからなる群より選ばれる請求項９８記載の方法。
１０４．酸素原子源がＮａＯＣｌである請求項９８記載の方法。
１０５．遷移金属イオンがマンガンである請求項９８記載の方法。
１０６．該第１群が水素からなる請求項９８記載の方法。
１０７．該第２群がｔ−ブチル及びフェニルからなる請求項９８記載の方法。
１０８．該第２群がフェニルからなる請求項９８記載の方法。
１０９．キラル触媒の反対のエナンチオマーを含めてエポキシクロマンのラセミ混合物を製造する請求項９８記載の方法。
１１０．キラル触媒を用いてクロメン誘導体をエナンチオ選択的にエポキシ化する方法であって：下記式を有するクロメン誘導体を供給し：▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４は各々水素、アリール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ、Ｒ１及びＲ２の１種以上は水素でない；酸素原子源を供給し；下記式を有するキラル触媒を供給し： ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、Ｍは遷移金属イオンであり；Ａはアニオンであり；ｎは０、１又は２であり；Ｘ１又はＸ２の少なくとも１種はアリール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ；Ｘ３又はＸ４の少なくとも１種はアリール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ；Ｙ１又はＹ２の少なくとも１種はアリール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ；Ｙ４又はＹ５の少なくとも１種はアリール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ；Ｙ３及びＹ６は水素及び第一級アルキル基からなる群より独立して選ばれ；Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４の１又は２種は水素であり；Ｒ１が水素である場合には、Ｒ３は第一級アルキル基であり；Ｒ２が水素である場合には、Ｒ４は第一級アルキル基であり；Ｒ３が水素である場合には、Ｒ１は第一級アルキル基であり；Ｒ４が水素である場合には、Ｒ２は第一級アルキル基である；該クロメン誘導体、該酸素原子源及び該キラル触媒を、該クロメン誘導体をエポキシ化するのに十分な条件下及び時間反応させてエポキシクロマンを製造する：工程を含む方法。
１１１．クロメン誘導体のＲ１及びＲ２が同一である請求項１１０記載の方法。
１１２．クロメン誘導体のＲ１及びＲ２がアルキル基である請求項１１０記載の方法。
１１３．クロメン誘導体のＲ１及びＲ２がメチル基である請求項１１０記載の方法。
１１４．クロメン誘導体が６−シアノ−２，２−ジメチルクロメンである請求項１１０記載の方法。
１１５．酸素原子源がＮａＯＣｌ、ヨードソメシチレン、ＮａＩＯ４、ＮＢｕ４ＩＯ４、ペルオキシモノ硫酸カリウム、モノペルオキシフタル酸マグネシウム、Ｈ２Ｏ２、ペルオキシ安息香酸誘導体及びヘキサシアノ鉄酸イオンからなる群より選ばれる請求項１１０記載の方法。
１１６．酸素原子源がＮａＯＣｌである請求項１１０記載の方法。
１１７．遷移金属イオンがマンガンである請求項１１０記載の方法。
１１８．触媒のＲ１がＲ３と同一であり、Ｒ２がＲ４と同一である請求項１１０記載の方法。
１１９．触媒のＸ１及びＸ３がｔ−ブチル及びフェニルからなる群より独立して選ばれる請求項１１０記載の方法。
１２０．触媒のＸ１及びＸ３が同一である請求項１１９記載の方法。
１２１．Ｙ１及びＹ４がｔ−ブチル及びフェニルからなる群から独立して選ばれる請求項１２０記載の方法。
１２２．Ｙ１及びＹ４が同一である請求項１２１記載の方法。
１２３．Ｘ１、Ｘ３、Ｙ１及びＹ４がｔ−ブチル及びフェニルからなる群から独立して選ばれる請求項１２２記載の方法。
１２４．Ｘ１、Ｘ３、Ｙ１及びＹ４がすべて同一である請求項１２３記載の方法。
１２５．Ｘ１、Ｘ３、Ｙ１及びＹ４がすべてｔ−ブチルである請求項１２４記載の方法。
１２６．触媒のＲ１及びＲ４が水素であり、Ｒ２及びＲ３がメチルである請求項１１０記載の方法。
１２７．キラル触媒の反対のエナンチオマーを含めてエポキシクロマンのラセミ混合物を製造する請求項１１０記載の方法。
１２８．キラル触媒を用いてクロメン誘導体をエナンチオ選択的にエポキシ化する方法であって、下記式を有するクロメン誘導体を供給し：▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４は各々水素、アリール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ、Ｒ１及びＲ２の１種以上は水素でない；酸素原子源を供給し；下記式を有するキラル触媒を供給し： ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、Ｍは遷移金属であり；Ａはアニオンであり；ｎは３、４、５又は６であり；Ｘ１又はＸ２の少なくとも１種はアリール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ；Ｘ３又はＸ４の少なくとも１種はアリール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ；Ｙ１又はＹ２の少なくとも１種はアリール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ；Ｙ４又はＹ５の少なくとも１種はアリール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ；Ｙ３及びＹ６は水素及び第一級アルキル基からなる群より独立して選ばれ；Ｒ１とＲ４は相互にトランスであり、Ｒ１及びＲ４の少なくとも１種は第一級アルキル基及び水素からなる群より選ばれ；（Ｃ）ｎ部分の炭素は水素、アルキル、アリール及びヘテロ原子からなる群より選ばれた置換基を有する；該クロメン誘導体、該酸素原子源及び該キラル触媒を、該クロメン誘導体をエポキシ化するのに十分な条件下及び時間反応させる：工程を含む方法。
１２９．クロメン誘導体のＲ１及びＲ２が同一である請求項１２８記載の方法。
１３０．クロメン誘導体のＲ１及びＲ２がアルキル基である請求項１２８記載の方法。
１３１．クロメン誘導体のＲ１及びＲ２がメチル基である請求項１２８記載の方法。
１３２．クロメン誘導体が６−シアノ−２，２−ジメチルクロメンである請求項１２８記載の方法。
１３３．酸素原子源がＮａＯＣｌ、ヨードソメシチレン、ＮａＩＯ４、ＮＢＵ４ＩＯ４、ペルオキシモノ硫酸カリウム、モノペルオキシフタル酸マグネシウム、Ｈ２Ｏ２、ベルオキシ安息香酸誘導体及びヘキサシアノ鉄酸イオンからなる群より選ばれる請求項１２８記載の方法。
１３４．酸素原子源がＮａＯＣｌである請求項１２８記載の方法。
１３５．遷移金属イオンがマンガンである請求項１２８記載の方法。
１３６．触媒のＲ１とＲ４が同一である請求項１２８記載の方法。
１３７．触媒のＸ１及びＸ３がｔ−ブチル及びフェニルからなる群より独立して選ばれる請求項１２８記載の方法。
１３８．触媒のＸ１及びＸ３が同一である請求項１３７記載の方法。
１３９．Ｙ１及びＹ４がｔ−ブチル及びフェニルからなる群から独立して選ばれる請求項１２８記載の方法。
１４０．Ｙ１及びＹ４が同一である請求項１３９記載の方法。
１４１．Ｘ１、Ｘ３、Ｙ１及びＹ４がｔ−ブチル及びフェニルからなる群から独立して選ばれる請求項１２８記載の方法。
１４２．Ｘ１、Ｘ３、Ｙ１及びＹ４がすべて同一である請求項１４１記載の方法。
１４３．Ｘ１、Ｘ３、Ｙ１及びＹ４がすべてｔ−ブチルである請求項１２８記載の方法。
１４４．Ｒ１及びＲ４が水素である請求項１４３記載の方法。
１４５．Ｒ１及びＲ４が水素及びメチルからなる群より選ばれる請求項１４３記載の方法。
１４６．触媒のＲ１及びＲ４が水素である請求項１２８記載の方法。
１４７．ｎが４である請求項１２８記載の方法。
１４８．キラル触媒の反対のエナンチオマーを含めてエポキシクロマンのラセミ混合物を製造する請求項１２８記載の方法。
１４９．キラル触媒を用いてクロメン誘導体をエナンチオ選択的にエポキシ化する方法であって、下記式を有するクロメン誘導体を供給し：▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４は各々水素、アリール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基及びヘテロ原子からなる群より選ばれ、Ｒ１及びＲ２の１種以上は水素でない；酸素原子源を供給し；下記式を有するキラル触媒を供給し： ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、Ｒ１とＲ４は相互にトランスであり、Ｒ１及びＲ４の少なくとも１種は第一級アルキル基及び水素からなる群より選ばれる；該クロメン誘導体、該酸素原子源及び該キラル触媒を、該クロメン誘導体をエポキシ化するのに十分な条件下及び時間反応させる：工程を含む方法。
１５０．クロメン誘導体のＲ１及びＲ２が同一である請求項１４９記載の方法。
１５１．クロメン誘導体のＲ１及びＲ２がアルキル基である請求項１４９記載の方法。
１５２．クロメン誘導体のＲ１及びＲ２がメチル基である請求項１４９記載の方法。
１５３．クロメン誘導体が６−シアノ−２，２−ジメチルクロメンである請求項１４９記載の方法。
１５４．酸素原子源がＮａＯＣｌ、ヨードノメシチレン、ＮａＩＯ，、ＮＢｕ４ＩＯ４、ペルオキシモノ硫酸カリウム、モノペルオキシフタル酸マグネシウム、Ｈ２Ｏ２、ペルオキシ安息香酸誘導体及びヘキサシアノ鉄酸イオンからなる群より選ばれる請求項１４９記載の方法。
１５５．酸素原子源がＮａＯＣｌである請求項１４９記載の方法。
１５６．遷移金属イオンがマンガンである請求項１４９記載の方法。
１５７．触媒のＲ１及びＲ４が同一である請求項１４９記載の方法。
１５８．Ｒ１及びＲ４が水素である請求項１５７記載の方法。
１５９．触媒のＸ１及びＸ３がｔ−ブチル及びフェニルからなる群より独立して選ばれる請求項１４９記載の方法。
１６０．Ｘ１及びＸ３が同一である請求項１５９記載の方法。
１６１．Ｙ１及びＹ４がｔ−ブチル及びフェニルからなる群より独立して選ばれる請求項１４９記載の方法。
１６２．Ｙ１及びＹ４が同一である請求項１６１記載の方法。
１６３．Ｘ１、Ｘ３、Ｙ１及びＹ４がｔ−ブチル及びフェニルからなる群より独立して選ばれる請求項１４９記載の方法。
１６４．Ｘ１、Ｘ３、Ｙ１及びＹ４がすべて同一である請求項１６３記載の方法。
１６５．Ｘ１、Ｘ３、Ｙ１及びＹ４がすべてｔ−ブチルである請求項１４９記載の方法。
１６６．Ｒ１及びＲ４が水素である請求項１６５記載の方法。
１６７．触媒のＲ１及びＲ４が水素及びメチルからなる群より選ばれる請求項１４９記載の方法。
１６８．キラル触媒の反対のエナンチオマーを含めてエポキシクロマンのラセミ混合物を製造する請求項１４９記載の方法。
１６９．キラル触媒を用いてシス−シンナメート誘導体をエナンチオ選択的にエポキシ化して該シンナメート誘導体のシス−エポキシドを製造する方法であって、下記式を有するシス−シンナメート誘導体を供給し：▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、Ａ１−Ａ５は各々水素、アリール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ及びアミン基からなる群より選ばれ；Ｂｌが無置換、一置換アミン及び二置換アミンからなる群より選ばれ；Ｇが水素及びアリール基からなる群より選ばれる；酸素原子源を供給し；請求項１、２０、２６、３８又は５３及び５６で定義されたキラル触媒を供給し；該シス−シンナメート誘導体、該酸素原子源及び該キラル触媒を、該シス−シンナメート誘導体をエポキシ化するのに十分な条件下及び時間反応させて該シンナメート誘導体のシス−エポキシドを製造する：工程を含む方法。
１７０．ピリジン−Ｎ−オキシド誘導体を供給し；該ピリジン−Ｎ−オキシド誘導体を該シス−シンナメート誘導体、該酸素原子源及び該キラル触媒と反応させる：工程を更に含む請求項１６９記載の方法。
１７１．該ピリジン−Ｎ−オキシド誘導体が４−フェニルピリジン−Ｎ−オキシド及び４−ｔ−ブチルピリジン−Ｎ−オキシドからなる群より選ばれる請求項１７０記載の方法。
１７２．シス−シンナメート誘導体のＡ１−Ａ５基がすべて同一である請求項１６９記載の方法。
１７３．シス−シンナメート誘導体のＡ１−Ａ５基が水素である請求項１６９記載の方法。
１７４．シス−シンナメート誘導体のＲ１がエチル基である請求項１６９記載の方法。
１７５．シス−シンナメート誘導体がシス−エチルシンナメートである請求項１６９記載の方法。
１７６．酸素原子源がＮａＯＣｌ、ヨードノメシチレン、ＮａＩＯ４、ＮＢｕ４ＩＯ４、ペルオキシモノ硫酸カリウム、モノペルオキシフタル酸マグネシウム、Ｈ２Ｏ２、ペルオキシ安息香酸誘導体及びヘキサシアノ鉄酸イオンからなる群より選ばれる請求項１６９記載の方法。
１７７．酸素原子源がＮａＯＣｌである請求項１６９記載の方法。
１７８．遷移金属イオンがマンガンである請求項１６９記載の方法。
１７９．タキソル又はタキソル誘導体のＣ−１３側鎖の生成方法であって、下記式を有するシス−シンナメート誘導体を供給し：▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、Ａ１−Ａ５は各々水素、アリール基、第一級アルキル基、第二級アルキル基、第三級アルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ及びアミン基からなる群より選ばれ；該アルコキシ基がアルキル基、アリール基、アロイル基又はアルカノイル基からなる群より選ばれ；Ｒ１はアルキル基である；酸素原子源を供給し；請求項５３又は５６で定義されたキラル触媒を供給し；該シス−シンナメート誘導体、該酸素原子源及び該キラル触媒を、該シス−シンナメート誘導体をエポキシ化するのに十分な条件下及び時間反応させて該シンナメート誘導体のシス−エポキシドを製造し；シンナメート誘導体の該シス−エポキシドを位置選択的に閉鎖して３−フェニル−イソセリンアミド誘導体を製造し；該３−フェニル−イソセリンアミド誘導体を加水分解して３−フェニル−イソセリン誘導体を製造し；重炭酸ナトリウム溶液中塩化ベンゾイルを供給し；該３−フェニル−イソセリン誘導体を該重炭酸ナトリウム中塩化ベンゾイルと反応させてＮ−ベンゾイル−３ −フェニル−イソセリンを生成する：工程を含む方法。
１８０．ピリジン−Ｎ−オキシド誘導体を供給し；該ピリジン−Ｎ−オキシド誘導体を該シス−シンナメート誘導体、該酸素原子源及び該キラル触媒と反応させる：工程を更に含む請求項１７９記載の方法。
１８１．該ピリジン−Ｎ−オキシドが４−フェニルピリジン−Ｎ−オキシド及び４−ｔ−ブチルピリジン−Ｎ−オキシドからなる群より選ばれる請求項１８０記載の方法。
１８２．シス−シンナメート誘導体のＡ１−Ａ５基が同一である請求項１７９記載の方法。
１８３．シス−シンナメート誘導体のＡ１−Ａ５基が水素である請求項１７９記載の方法。
１８４．シス−シンナメート誘導体のＲ１がエチル基である請求項１７９記載の方法。
１８５．シス−シンナメート誘導体がシス−エチルシンナメートである請求項１７９記載の方法。
１８６．酸素原子源がＮａＯＣｌ、ヨードソメシチレン、ＮａＩＯ４、ＮＢｕ４ＩＯ４、ペルオキシモノ硫酸カリウム、モノペルオキシフタル酸マグネシウム、Ｈ２Ｏ２、ペルオキシ安息香酸誘導体及びヘキサシアノ鉄酸イオンからなる群より選ばれる請求項１７９記載の方法。
１８７．酸素原子源がＮａＯＣｌである請求項１７９記載の方法。
１８８．遷移金属イオンがマンガンである請求項１７９記載の方法。
１８９．タキソルの製造方法であって、エチルフェニルプロピオレートを供給し；エチルフェニルプロピオレートを部分的に水素化してシス−エチルシンナメートを製造し；酸素原子源を供給し；請求項１、２０、２６、３８又は５３で定義されたキラル触媒を供給し；該シス −エチルシンナメート、該酸素原子源及び該キラル触媒を、該シス−エチルシンナメートをエポキシ化するのに十分な条件下及び時間反応させてエチルシンナメートのシス−エポキシドを製造し；該エチルシンナメートのシス−エポキシドを位置選択的に閉鎖して３−フェニル−イソセリンアミドを製造し；該３−フェニル−イソセリンアミドを加水分解して３−フェニル−イソセリンを製造し；重炭酸ナトリウム溶液中塩化ベンゾイルを供給し；該３−フェニル−イソセリンを該重炭酸ナトリウム中塩化ベンゾイルと反応させてＮ−ベンゾイル−３−フェニル−イソセリンを生成し；該Ｎ−ベンゾイル−３−フェニル−イソセリンを１ −クロロエチルエチルエーテル及び第三級アミンと塩化メチレン中で反応させてＣｌ３側鎖のＮ−ベンゾイル−Ｏ−（１−エトキシエチル）−３−フェニル−イソセリンを生成し；下記式を有するアルコールを供給し： ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、Ｒ４はヒドロキシル保護基である；第三級アミン活性化剤の存在下に該Ｎ −ベンゾイル−Ｏ−（１−エトキシエチル）−３−フェニル−イソセリンと該アルコールを反応させて中間体を生成し；Ｃｌ３側鎖のエトキシエチル及びＲ４ヒドロキシル保護基を加水分解することにより中間体をタキソルに変換する：工程を含む方法。
１９０．Ｒ４がエーテル、エステル、カーボネート及びシリル基より選ばれる請求項１８９記載の方法。
１９１．Ｒ４がエトキシエチル、トリメチル、アリル又はトリエチルシリルより選ばれる請求項１８９記載の方法。
１９２．第三級アミン活性化剤がトリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジン、Ｎ−メチルイミダゾール又は４−ジメチルアミノピリジンである請求項１８９記載の方法。
１９３．ピリジン−Ｎ−オキシド誘導体を供給し；該ピリジン−Ｎ−オキシド誘導体を該シス−シンナメート誘導体、該酸素原子源及び該キラル触媒と反応させる：工程を更に含む請求項１８９記載の方法。
１９４．該ピリジン−Ｎ−オキシド誘導体が４−フェニルピリジン−Ｎ−オキシド及び４−ｔ−ブチルピリジン−Ｎ−オキシドからなる群より選ばれる請求項１９３記載の方法。
１９５．酸素原子源がＮａＯＣｌ、ヨードソメシチレン、ＮａＩＯ４、ＮＢｕ４ＩＯ４、ペルオキシモノ硫酸カリウム、モノペルオキシフタル酸マグネシウム、Ｈ２Ｏ２、ペルオキシ安息香酸誘導体及びヘキサシアノ鉄酸イオンからなる群より選ばれる請求項１８９記載の方法。
１９６．酸素原子源がＮａＯＣｌである請求項１８９記載の方法。
１９７．遷移金属イオンがマンガンである請求項１８９記載の方法。
１９８．キラル触媒を用いてスルフィドをエナンチオ選択的に酸化する方法であって、プロキラルスルフィドを供給し；酸素原子源を供給し；請求項１、１５、２０、２６、３８又は５３記載のキラル触媒を供給し；該スルフィド、該酸素原子源及び該キラル触媒を、該スルフィドを酸化するのに十分な条件下及び時間反応させる；工程を含む方法。
１９９．プロキラルスルフィドが下記式を有する請求項１９８記載の方法：Ｒ１ −Ｓ−Ｒ２式中、Ｒ１は任意の芳香族基であり、Ｒ２は任意のアルキル基である。
２００．酸素原子源が過酸化水素及びヨードシルベンゼンからなる群より選ばれる請求項１９８記載の方法。
２０１．テトラヒドロフラン、アセトン及びアセトニトリルからなる群より選ばれた共溶媒を供給することを更に含む請求項１９８記載の方法。
２０２．下記式を有するキラル触媒： ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、Ｙ１はＯ−ＣＨ３、ｔ−ブチル、ＮＯ２及びＨからなる群より選ばれ；Ａはアニオンである。
２０３．キラル触媒を用いてスルフィドをエナンチオ選択的に酸化する方法であって、プロキラルスルフィドを供給し；酸素原子源を供給し；請求項２０２記載のキラル触媒を供給し；該スルフィド、該酸素原子源及び該キラル触媒を、該スルフィドを酸化するのに十分な条件下及び時間反応させる：工程を含む方法。
２０４．プロキラルスルフィドが下記式を有する請求項２０３記載の方法：Ｒ１ −Ｓ−Ｒ２式中、Ｒ１は任意の芳香族基であり、Ｒ２は任意のアルキル基である。
２０５．酸素原子源が過酸化水素及びヨードシルベンゼンからなる群より選ばれる請求項２０３記載の方法。
２０６．テトラヒドロフラン、アセトン及びアセトニトリルからなる群より選ばれた共溶媒を供給する工程を更に含む請求項２０３記載の方法。
２０７．下記式を有するキラル触媒： ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、Ｙ１はＯ−ＣＨ３、ｔ−ブチル及びメチルからなる群より選ばれ；Ａはアニオンである。
２０８．キラル触媒を用いてスルフィドをエナンチオ選択的に酸化する方法であって、プロキラルスルフィドを供給し；酸素原子源を供給し；請求項２０７記載のキラル触媒を供給し；該スルフィド、該酸素原子源及び該キラル触媒を、該スルフィドを酸化するのに十分な条件下及び時間反応させる：工程を含む方法。
２０９．プロキラルスルフィドが下記式を有する請求項２０８記載の方法：Ｒ１ −Ｓ−Ｒ２式中Ｒ１は任意の芳香族基であり、Ｒ２は任意のアルキル基である。
２１０．酸素原子源が過酸化水素及びヨードシルベンゼンからなる群より選ばれる請求項２０８記載の方法。
２１１．テトラヒドロフラン、アセトン及びアセトニトリルからなる群より選ばれた共溶媒を供給する工程を更に含む請求項２０８記載の方法。
２１２．過酸化水素を接触不均化する方法であって、過酸化水素を供給し；下記式を有する触媒を供給し： ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、Ｍは遷移金属であり；Ａはアニオンであり；ｎは０、１又は２であり；Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｘ８、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１１、Ｘ１２、Ｘ１３及びＸ１４は水素、ハライド、アルキル基、アリール基及びヘテロ原子を有するアルキル基からなる群より独立して選ばれる；該過酸化水素及び該触媒を、過酸化水素を二酸素と水に不均化するのに十分な条件下及び時間反応させる：工程を含む方法。
２１３．過酸化水素を接触不均化する方法であって、過酸化水素を供給し；請求項１、１５、２０、２６、３８、５３、２０２又は２０３記載の触媒を供給し；該過酸化水素及び該触媒を、過酸化水素を二酸素と水に不均化するのに十分な条件下及び時間反応させる：工程を含む方法。
２１４．過酸化水素を接触不均化する方法であって、過酸化水素を供給し；下記式を有する触媒を供給し： ▲数式、化学式、表等があります▼ 式中、Ｙはｔ−ブチル、Ｃｌ、メチル及びＯ−ＣＨ３からなる群より選ばれる；該過酸化水素及び該触媒を、過酸化水素を二酸素と水に不均化するのに十分な条件下及び時間反応させる：工程を含む方法。
２１５．ＣＨ２Ｃｌ２、ＥｔＯＨ、Ｈ２Ｏ及びアセトンからなる群より選ばれた溶媒を供給することを更に含む請求項２１４記載の方法。
２１６．過酸化水素を接触不均化する方法であって、過酸化水素を供給し；下記式を有する触媒を供給し： ▲数式、化学式、表等があります▼ 該過酸化水素及び該触媒を、過酸化水素を二酸素と水に不均化するのに十分な条件下及び時間反応させる：工程を含む方法。
２１７．ＣＨ２Ｃｌ２、ＥｔＯＨ、Ｈ２Ｏ及びアセトンからなる群より選ばれた溶媒を供給することを更に含む請求項２１６記載の方法。