JP2002372720A - 液晶表示装置及びそれを備えた画像表示応用装置、並びに液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置及びそれを備えた画像表示応用装置、並びに液晶表示装置の製造方法Info
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- JP2002372720A JP2002372720A JP2001182226A JP2001182226A JP2002372720A JP 2002372720 A JP2002372720 A JP 2002372720A JP 2001182226 A JP2001182226 A JP 2001182226A JP 2001182226 A JP2001182226 A JP 2001182226A JP 2002372720 A JP2002372720 A JP 2002372720A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 反射電極とドレイン電極及び共通容量電極と
のコンタクト抵抗を低下させ、且つ反射率の高い反射型
の液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 層間絶縁膜９に形成されたコンタクトホ
ール１１を介してドレイン電極７と電気的に接続する反
射電極２４を二層構造とし、上層に配置された上層反射
電極２４ａをＡｌにて形成して、下層に配置された下層
反射電極２４ｂをＡｌを主成分とする合金にて形成す
る。さらに、ドレイン電極７はＴｉ又はＴａにて形成す
る。
のコンタクト抵抗を低下させ、且つ反射率の高い反射型
の液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 層間絶縁膜９に形成されたコンタクトホ
ール１１を介してドレイン電極７と電気的に接続する反
射電極２４を二層構造とし、上層に配置された上層反射
電極２４ａをＡｌにて形成して、下層に配置された下層
反射電極２４ｂをＡｌを主成分とする合金にて形成す
る。さらに、ドレイン電極７はＴｉ又はＴａにて形成す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、画素毎に設けられ
たアクティブ素子を用いて液晶を駆動する液晶表示装置
及びそれを備えた画像表示応用装置、さらに前記液晶表
示装置の製造方法に関するものである。
たアクティブ素子を用いて液晶を駆動する液晶表示装置
及びそれを備えた画像表示応用装置、さらに前記液晶表
示装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】外光を反射させることにより表示を行う
反射型の液晶表示装置（以下、反射型ＬＣＤ（Liquid C
rystal Display）と称する。）においては、入射した外
光をできるだけ効率よく反射させるように反射率を高め
る必要がある。
反射型の液晶表示装置（以下、反射型ＬＣＤ（Liquid C
rystal Display）と称する。）においては、入射した外
光をできるだけ効率よく反射させるように反射率を高め
る必要がある。
【０００３】反射型ＬＣＤに設けられた反射板の反射率
を高める従来方法としては、例えば、それまでは液晶表
示セルの外側に設けられていた反射板を液晶表示セルの
内部に設け、さらに反射板の構成材料として、反射率が
高く、且つ電気抵抗値の低いアルミニウム（Ａｌ）を用
いることにより、反射板としての機能と画素電極として
の機能とを兼ね備えた反射電極を形成する技術が、特開
平８−１０１３８４号公報に開示されている。
を高める従来方法としては、例えば、それまでは液晶表
示セルの外側に設けられていた反射板を液晶表示セルの
内部に設け、さらに反射板の構成材料として、反射率が
高く、且つ電気抵抗値の低いアルミニウム（Ａｌ）を用
いることにより、反射板としての機能と画素電極として
の機能とを兼ね備えた反射電極を形成する技術が、特開
平８−１０１３８４号公報に開示されている。
【０００４】また、このような反射電極としては、例え
ば、銀（Ａｇ）を主成分とする合金を用いた一層構造の
ものが特開平８−４３８３９号公報に開示され、Ａｌ又
はＡｇを主成分とする合金とＩＴＯ（Indium Tin Oxid
e）との積層構造のものが特開平１０−２３９７０４号
公報に開示されている。
ば、銀（Ａｇ）を主成分とする合金を用いた一層構造の
ものが特開平８−４３８３９号公報に開示され、Ａｌ又
はＡｇを主成分とする合金とＩＴＯ（Indium Tin Oxid
e）との積層構造のものが特開平１０−２３９７０４号
公報に開示されている。
【０００５】図３に、従来の反射型ＬＣＤの構成例を示
す断面図が示されている。この反射型ＬＣＤは、反射電
極１０が配置されたアレイ基板１と、アレイ基板１に対
向配置された対向基板２と、これら両基板１，２に挟持
された液晶層３とからなる液晶表示セルに、一枚の偏光
板４が設けられて構成されている。
す断面図が示されている。この反射型ＬＣＤは、反射電
極１０が配置されたアレイ基板１と、アレイ基板１に対
向配置された対向基板２と、これら両基板１，２に挟持
された液晶層３とからなる液晶表示セルに、一枚の偏光
板４が設けられて構成されている。
【０００６】アレイ基板１には、ゲート電極５、ソース
電極６、及びドレイン電極７等により構成される薄膜ト
ランジスタ（以下、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）と
記す。）８がアクティブ素子として画素毎に配置されて
おり、層間絶縁膜９上に反射電極１０が配置されてい
る。層間絶縁膜９の表面は凹凸が規則的に配置された凹
凸形状となっている。この層間絶縁膜９の上層に配置さ
れる反射電極１０には層間絶縁膜９の凹凸形状が反映さ
れるため、同様にその表面が凹凸形状となっている。層
間絶縁膜９にはドレイン電極７の部分にコンタクトホー
ル１１が設けられており、このコンタクトホール１１を
介して反射電極１０がドレイン電極７に電気的に接続さ
れている。反射電極１０にはＴＦＴ８のスイッチング動
作により電圧が印加される。反射電極１０は画素電極と
して液晶層３に電圧を印加する作用を行う。なお、図３
において、１２はガラス基板、１３はゲート絶縁膜、１
４はカラーフィルタ、１５は透明電極を示している。
電極６、及びドレイン電極７等により構成される薄膜ト
ランジスタ（以下、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）と
記す。）８がアクティブ素子として画素毎に配置されて
おり、層間絶縁膜９上に反射電極１０が配置されてい
る。層間絶縁膜９の表面は凹凸が規則的に配置された凹
凸形状となっている。この層間絶縁膜９の上層に配置さ
れる反射電極１０には層間絶縁膜９の凹凸形状が反映さ
れるため、同様にその表面が凹凸形状となっている。層
間絶縁膜９にはドレイン電極７の部分にコンタクトホー
ル１１が設けられており、このコンタクトホール１１を
介して反射電極１０がドレイン電極７に電気的に接続さ
れている。反射電極１０にはＴＦＴ８のスイッチング動
作により電圧が印加される。反射電極１０は画素電極と
して液晶層３に電圧を印加する作用を行う。なお、図３
において、１２はガラス基板、１３はゲート絶縁膜、１
４はカラーフィルタ、１５は透明電極を示している。
【０００７】前記反射型ＬＣＤは、配置する偏光板を一
枚にした一枚偏光板方式と、表面が凹凸形状の反射電極
を液晶表示セル内に設ける方式とを併用した構成であ
り、反射電極に散乱性を付与して拡散反射率を高めるこ
とで視認性の向上を図ったものである。
枚にした一枚偏光板方式と、表面が凹凸形状の反射電極
を液晶表示セル内に設ける方式とを併用した構成であ
り、反射電極に散乱性を付与して拡散反射率を高めるこ
とで視認性の向上を図ったものである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】以上のような構成の反
射型ＬＣＤにおいては反射電極の材料として高反射率が
特徴であるＡｌが用いられている。しかしながら、反射
電極としてＡｌを単層で用いた場合、反射電極とドレイ
ン電極や共通容量電極とのコンタクト抵抗が高くなると
いう問題がある。
射型ＬＣＤにおいては反射電極の材料として高反射率が
特徴であるＡｌが用いられている。しかしながら、反射
電極としてＡｌを単層で用いた場合、反射電極とドレイ
ン電極や共通容量電極とのコンタクト抵抗が高くなると
いう問題がある。
【０００９】以下、この問題点について、図４を用いて
詳細に説明する。図４において、（ａ）はアレイ基板１
における一画素当たりの構成が示された平面図であり、
（ｂ）は（ａ）中のＢ−Ｂ断面図を示している。
詳細に説明する。図４において、（ａ）はアレイ基板１
における一画素当たりの構成が示された平面図であり、
（ｂ）は（ａ）中のＢ−Ｂ断面図を示している。
【００１０】図４（ａ）（ｂ）において、５はゲート配
線、１６はソース配線、１７は共通容量配線、１８はゲ
ート配線５とソース配線１６との交差部に発生するショ
ートを防止するための絶縁膜、１９はＴＦＴ８のチャネ
ル層、２０はチャネル層１９とソース電極６及びドレイ
ン電極７とをオーミックコンタクトさせるコンタクト
層、２１は共通容量電極、２２は共通容量電極２１と反
射電極１０とを電気的に接続させるためのコンタクトホ
ール、２３はトランジスタ保護のための絶縁膜を示して
いる。なお、図３で示した構成と同じ構成には同じ参照
番号を付記している。また、ゲート配線はゲート電極と
一体的に形成されているので、図４においてはゲート配
線に対してゲート電極と同じ参照番号を付記している。
線、１６はソース配線、１７は共通容量配線、１８はゲ
ート配線５とソース配線１６との交差部に発生するショ
ートを防止するための絶縁膜、１９はＴＦＴ８のチャネ
ル層、２０はチャネル層１９とソース電極６及びドレイ
ン電極７とをオーミックコンタクトさせるコンタクト
層、２１は共通容量電極、２２は共通容量電極２１と反
射電極１０とを電気的に接続させるためのコンタクトホ
ール、２３はトランジスタ保護のための絶縁膜を示して
いる。なお、図３で示した構成と同じ構成には同じ参照
番号を付記している。また、ゲート配線はゲート電極と
一体的に形成されているので、図４においてはゲート配
線に対してゲート電極と同じ参照番号を付記している。
【００１１】次に、このアレイ基板１におけるアレイ構
造の製造方法について、図５を用いて説明する。
造の製造方法について、図５を用いて説明する。
【００１２】第１の工程が図５（ａ）に示されている。
この工程においては、まずガラス基板１２上にゲート電
極（ゲート配線）５を形成し、さらにゲート絶縁膜１３
が形成される。次に、ゲート電極５の上部にアモルファ
スシリコン（ａ−Ｓｉ）及び窒化シリコン（ＳｉＮｘ）
を積層し、チャネル層１９を形成する。さらに、コンタ
クト層２０を形成した後、ソース電極６及びドレイン電
極７を形成してＴＦＴ８を作製する。さらに、ＴＦＴ８
を保護する絶縁膜２３を形成する。
この工程においては、まずガラス基板１２上にゲート電
極（ゲート配線）５を形成し、さらにゲート絶縁膜１３
が形成される。次に、ゲート電極５の上部にアモルファ
スシリコン（ａ−Ｓｉ）及び窒化シリコン（ＳｉＮｘ）
を積層し、チャネル層１９を形成する。さらに、コンタ
クト層２０を形成した後、ソース電極６及びドレイン電
極７を形成してＴＦＴ８を作製する。さらに、ＴＦＴ８
を保護する絶縁膜２３を形成する。
【００１３】第２の工程が図５（ｂ）に示されている。
この工程においては、形成した層間絶縁膜９の表面にフ
ォトリソグラフィ工程によって凹凸を形成し、その後、
ドライエッチングにより層間絶縁膜９のドレイン電極７
部分にコンタクトホール１１を形成する。また、このと
き同時に共通容量電極部分のコンタクトホール２２も形
成する。
この工程においては、形成した層間絶縁膜９の表面にフ
ォトリソグラフィ工程によって凹凸を形成し、その後、
ドライエッチングにより層間絶縁膜９のドレイン電極７
部分にコンタクトホール１１を形成する。また、このと
き同時に共通容量電極部分のコンタクトホール２２も形
成する。
【００１４】第３の工程が図５（ｃ）に示されている。
表面に凹凸形状、及びコンタクトホール１１，２２が形
成された層間絶縁膜９上に、Ａｌ層を積層し、このＡｌ
層を所定の形状にパターニングして、さらにエッチング
を行うことにより反射電極１０を形成する。
表面に凹凸形状、及びコンタクトホール１１，２２が形
成された層間絶縁膜９上に、Ａｌ層を積層し、このＡｌ
層を所定の形状にパターニングして、さらにエッチング
を行うことにより反射電極１０を形成する。
【００１５】このようなアレイ構造においては、コンタ
クトホール１１，２２を介してコンタクトがとられてい
る反射電極１０と共通容量電極２１及びドレイン電極７
との間のコンタクト抵抗が高くなってしまうという問題
があった。この問題は、反射電極１０の材料であるＡｌ
が様々な雰囲気下において非常に影響を受けやすい材料
であり、このＡｌが、チャネル部のエッチングの際に生
成されてドレイン電極７や共通容量電極２１と接触する
界面に存在するフッ素系の生成物とフッ素系化合物を作
って不導体化するために生じる。フッ素系の生成物と
は、チャネル部のエッチングにおいて、フッ素系のガス
（例えば、ＳＦ6，ＣＨＦ3）を用いた場合に生じるフッ
素系ポリマーである。このフッ素系ポリマーを除去する
工程を設けていても完全に除去することは困難であるた
め、残存するフッ素系ポリマーによってこのような問題
が生じる。また、コンタクト抵抗に影響を及ぼす他の要
因として、Ａｌの酸化も考えられる。層間絶縁膜を形成
する際、コンタクト部に残る残さを除去するために酸素
にてアッシング処理を行うが、この処理の際に用いられ
る酸素によってＡｌが酸化し、不導体化するためであ
る。
クトホール１１，２２を介してコンタクトがとられてい
る反射電極１０と共通容量電極２１及びドレイン電極７
との間のコンタクト抵抗が高くなってしまうという問題
があった。この問題は、反射電極１０の材料であるＡｌ
が様々な雰囲気下において非常に影響を受けやすい材料
であり、このＡｌが、チャネル部のエッチングの際に生
成されてドレイン電極７や共通容量電極２１と接触する
界面に存在するフッ素系の生成物とフッ素系化合物を作
って不導体化するために生じる。フッ素系の生成物と
は、チャネル部のエッチングにおいて、フッ素系のガス
（例えば、ＳＦ6，ＣＨＦ3）を用いた場合に生じるフッ
素系ポリマーである。このフッ素系ポリマーを除去する
工程を設けていても完全に除去することは困難であるた
め、残存するフッ素系ポリマーによってこのような問題
が生じる。また、コンタクト抵抗に影響を及ぼす他の要
因として、Ａｌの酸化も考えられる。層間絶縁膜を形成
する際、コンタクト部に残る残さを除去するために酸素
にてアッシング処理を行うが、この処理の際に用いられ
る酸素によってＡｌが酸化し、不導体化するためであ
る。
【００１６】本発明はこれらの問題を解決するために、
反射電極とドレイン電極及び共通容量電極とのコンタク
ト抵抗が低く、且つ反射率の高い反射型の液晶表示装置
およびその製造方法を提供し、さらにその液晶表示装置
を備えた画像表示応用装置も提供することを目的とす
る。
反射電極とドレイン電極及び共通容量電極とのコンタク
ト抵抗が低く、且つ反射率の高い反射型の液晶表示装置
およびその製造方法を提供し、さらにその液晶表示装置
を備えた画像表示応用装置も提供することを目的とす
る。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の液晶表示装置は、配線層に配置されたア
クティブ素子と、前記配線層上に配置された層間絶縁膜
と、前記層間絶縁膜上に配置され、前記層間絶縁膜に設
けられたコンタクトホールを介して前記アクティブ素子
と電気的に接続された反射電極とを有するアレイ基板を
備えた反射型又は半透過型の液晶表示装置において、前
記反射電極が複数の層からなり、前記複数の層のうち最
上層に配置された最上層反射電極はアルミニウムからな
り、最下層に配置された最下層反射電極はアルミニウム
を主成分とする合金からなることを特徴とする。
めに、本発明の液晶表示装置は、配線層に配置されたア
クティブ素子と、前記配線層上に配置された層間絶縁膜
と、前記層間絶縁膜上に配置され、前記層間絶縁膜に設
けられたコンタクトホールを介して前記アクティブ素子
と電気的に接続された反射電極とを有するアレイ基板を
備えた反射型又は半透過型の液晶表示装置において、前
記反射電極が複数の層からなり、前記複数の層のうち最
上層に配置された最上層反射電極はアルミニウムからな
り、最下層に配置された最下層反射電極はアルミニウム
を主成分とする合金からなることを特徴とする。
【００１８】また、本発明の液晶表示装置は、配線層に
配置されたアクティブ素子と、前記配線層上に配置され
た層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に配置され、前記層
間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して前記ア
クティブ素子と電気的に接続された反射電極とを有する
アレイ基板を備えた反射型又は半透過型の液晶表示装置
において、前記反射電極が複数の層からなり、前記複数
の層のうち最上層に配置された最上層反射電極はアルミ
ニウムからなり、最下層に配置された最下層反射電極は
モリブデンを主成分とする合金又はチタンからなる構成
とすることもできる。
配置されたアクティブ素子と、前記配線層上に配置され
た層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に配置され、前記層
間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して前記ア
クティブ素子と電気的に接続された反射電極とを有する
アレイ基板を備えた反射型又は半透過型の液晶表示装置
において、前記反射電極が複数の層からなり、前記複数
の層のうち最上層に配置された最上層反射電極はアルミ
ニウムからなり、最下層に配置された最下層反射電極は
モリブデンを主成分とする合金又はチタンからなる構成
とすることもできる。
【００１９】ここで、最上層とは外光が入射する側に配
置された層であり、最下層とは層間絶縁膜上に配置され
た層である。すなわち、コンタクトホールを介してアク
ティブ素子と電気的に接続されるのは最下層反射電極で
ある。前記本発明の液晶表示装置の構成によれば、アク
ティブ素子との接続に用いられる最下層反射電極が、酸
素等に影響を与えられにくい、活性しにくい材料であ
る、アルミニウムを主成分とする合金、モリブデンを主
成分とする合金、又はチタンからなる。従って、反射電
極がアクティブ素子のドレイン電極と接続する場合、反
射電極とドレイン電極とのコンタクト部において、反射
電極が酸化等により不導体化することがないため、コン
タクト抵抗を低下させることができる。また、反射電極
が例えば共通容量電極とコンタクトホールを介して電気
的に接続される場合であっても、同様にコンタクト抵抗
を低下させることが可能となる。さらに、外光を反射さ
せる最上層反射電極は従来と同様に高反射率のアルミニ
ウムからなるので、反射率を従来と同程度に維持するこ
ともできる。
置された層であり、最下層とは層間絶縁膜上に配置され
た層である。すなわち、コンタクトホールを介してアク
ティブ素子と電気的に接続されるのは最下層反射電極で
ある。前記本発明の液晶表示装置の構成によれば、アク
ティブ素子との接続に用いられる最下層反射電極が、酸
素等に影響を与えられにくい、活性しにくい材料であ
る、アルミニウムを主成分とする合金、モリブデンを主
成分とする合金、又はチタンからなる。従って、反射電
極がアクティブ素子のドレイン電極と接続する場合、反
射電極とドレイン電極とのコンタクト部において、反射
電極が酸化等により不導体化することがないため、コン
タクト抵抗を低下させることができる。また、反射電極
が例えば共通容量電極とコンタクトホールを介して電気
的に接続される場合であっても、同様にコンタクト抵抗
を低下させることが可能となる。さらに、外光を反射さ
せる最上層反射電極は従来と同様に高反射率のアルミニ
ウムからなるので、反射率を従来と同程度に維持するこ
ともできる。
【００２０】これにより、反射電極とアクティブ素子
（例えばドレイン電極）や共通容量電極とのコンタクト
抵抗を低下させ、且つ反射率の高い反射型又は半透過型
の液晶表示装置を提供することができる。
（例えばドレイン電極）や共通容量電極とのコンタクト
抵抗を低下させ、且つ反射率の高い反射型又は半透過型
の液晶表示装置を提供することができる。
【００２１】さらに、前記反射電極の表面は凹凸形状で
あることが好ましい。
あることが好ましい。
【００２２】この構成によれば、入射した外光を効率よ
く反射させることができるので、表示品位の高い液晶表
示装置を提供することができる。
く反射させることができるので、表示品位の高い液晶表
示装置を提供することができる。
【００２３】さらに、前記層間絶縁膜は感光性のアクリ
ル樹脂からなることが好ましい。
ル樹脂からなることが好ましい。
【００２４】この構成によれば、例えば層間絶縁膜の表
面に凹凸を形成したりコンタクトホールを形成したりす
る加工工程において、通常のフォトリソグラフィ工程で
使用する装置を共用することができ、且つレジスト膜を
別途形成する必要もなくなる。
面に凹凸を形成したりコンタクトホールを形成したりす
る加工工程において、通常のフォトリソグラフィ工程で
使用する装置を共用することができ、且つレジスト膜を
別途形成する必要もなくなる。
【００２５】これにより、製造工程数の削減やコストダ
ウンが可能となる。また、最下層反射電極がアルミニウ
ムを主成分とする合金からなる場合、アクティブ素子に
設けられ前記反射電極との接続に用いられる電極は、チ
タン又はタンタルからなることが好ましい。
ウンが可能となる。また、最下層反射電極がアルミニウ
ムを主成分とする合金からなる場合、アクティブ素子に
設けられ前記反射電極との接続に用いられる電極は、チ
タン又はタンタルからなることが好ましい。
【００２６】さらに、前記アルミニウムを主成分とする
合金は、副成分としてタンタル、ジルコニウム、チタ
ン、及びネオジウムのうち少なくとも一つの組成物を含
有しており、各組成物の含有率はタンタルが０．５〜５
質量％、ジルコニウムが０．５〜２０質量％、チタンが
０．５〜１０質量％、ネオジウムが０．５〜３０質量％
であることが好ましい。
合金は、副成分としてタンタル、ジルコニウム、チタ
ン、及びネオジウムのうち少なくとも一つの組成物を含
有しており、各組成物の含有率はタンタルが０．５〜５
質量％、ジルコニウムが０．５〜２０質量％、チタンが
０．５〜１０質量％、ネオジウムが０．５〜３０質量％
であることが好ましい。
【００２７】これらの構成によれば、反射電極とアクテ
ィブ素子の電極（例えばドレイン電極）との低いコンタ
クト抵抗を安定して得ることができる。
ィブ素子の電極（例えばドレイン電極）との低いコンタ
クト抵抗を安定して得ることができる。
【００２８】また、前記反射電極が二層構造とし、最下
層反射電極をアルミニウムを主成分とする合金にて形成
することにより、製造時のフォトリソグラフィ工程にお
けるエッチング制御が容易に行える。
層反射電極をアルミニウムを主成分とする合金にて形成
することにより、製造時のフォトリソグラフィ工程にお
けるエッチング制御が容易に行える。
【００２９】また、最下層反射電極がモリブデンを主成
分とする合金又はチタンからなる構成の場合、前記アク
ティブ素子に設けられ前記反射電極との接続に用いられ
る電極は、チタン、タンタル、及びアルミニウムのうち
何れか一つからなることが好ましい。
分とする合金又はチタンからなる構成の場合、前記アク
ティブ素子に設けられ前記反射電極との接続に用いられ
る電極は、チタン、タンタル、及びアルミニウムのうち
何れか一つからなることが好ましい。
【００３０】さらに、前記モリブデンを主成分とする合
金は、副成分としてタングステンを０．５〜３０質量％
含有することが好ましい。
金は、副成分としてタングステンを０．５〜３０質量％
含有することが好ましい。
【００３１】これらの構成によれば、反射電極とアクテ
ィブ素子の電極（例えばドレイン電極）との低いコンタ
クト抵抗を安定して得ることができる。
ィブ素子の電極（例えばドレイン電極）との低いコンタ
クト抵抗を安定して得ることができる。
【００３２】本発明の液晶表示装置の製造方法は、配線
層に配置されたアクティブ素子と、前記配線層上に配置
された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に配置され、前
記層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して前
記アクティブ素子と電気的に接続された反射電極とを有
するアレイ基板を備えた反射型又は半透過型の液晶表示
装置の製造方法であって、前記反射電極を複数の層にて
形成し、前記複数の層のうち最上層に配置される最上層
反射電極をアルミニウムにて形成し、最下層に配置され
る最下層反射電極をアルミニウムを主成分とする合金に
て形成することを特徴とする。
層に配置されたアクティブ素子と、前記配線層上に配置
された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に配置され、前
記層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して前
記アクティブ素子と電気的に接続された反射電極とを有
するアレイ基板を備えた反射型又は半透過型の液晶表示
装置の製造方法であって、前記反射電極を複数の層にて
形成し、前記複数の層のうち最上層に配置される最上層
反射電極をアルミニウムにて形成し、最下層に配置され
る最下層反射電極をアルミニウムを主成分とする合金に
て形成することを特徴とする。
【００３３】また、本発明の液晶表示装置の製造方法
は、配線層に配置されたアクティブ素子と、前記配線層
上に配置された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に配置
され、前記層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを
介して前記アクティブ素子と電気的に接続された反射電
極とを有するアレイ基板を備えた反射型又は半透過型の
液晶表示装置の製造方法であって、前記反射電極を複数
の層にて形成し、前記複数の層のうち最上層に配置され
る最上層反射電極をアルミニウムにて形成し、最下層に
配置される最下層反射電極をモリブデンを主成分とする
合金又はチタンにて形成する方法とすることもできる。
は、配線層に配置されたアクティブ素子と、前記配線層
上に配置された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に配置
され、前記層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを
介して前記アクティブ素子と電気的に接続された反射電
極とを有するアレイ基板を備えた反射型又は半透過型の
液晶表示装置の製造方法であって、前記反射電極を複数
の層にて形成し、前記複数の層のうち最上層に配置され
る最上層反射電極をアルミニウムにて形成し、最下層に
配置される最下層反射電極をモリブデンを主成分とする
合金又はチタンにて形成する方法とすることもできる。
【００３４】これらの方法によれば、反射電極がアクテ
ィブ素子のドレイン電極と接続する場合、反射電極とド
レイン電極とのコンタクト抵抗を低下させることができ
る。また、反射電極が例えば共通容量電極とコンタクト
ホールを介して電気的に接続される場合であっても、同
様にコンタクト抵抗を低下させることが可能となる。さ
らに、外光を反射させる最上層反射電極は従来と同様に
高反射率のアルミニウムからなるので、反射率を従来と
同程度に維持することもできる。
ィブ素子のドレイン電極と接続する場合、反射電極とド
レイン電極とのコンタクト抵抗を低下させることができ
る。また、反射電極が例えば共通容量電極とコンタクト
ホールを介して電気的に接続される場合であっても、同
様にコンタクト抵抗を低下させることが可能となる。さ
らに、外光を反射させる最上層反射電極は従来と同様に
高反射率のアルミニウムからなるので、反射率を従来と
同程度に維持することもできる。
【００３５】これにより、反射電極とアクティブ素子
（例えばドレイン電極）や共通容量電極とのコンタクト
抵抗を低下させ、且つ反射率の高い反射型又は半透過型
の液晶表示装置を提供することができる。
（例えばドレイン電極）や共通容量電極とのコンタクト
抵抗を低下させ、且つ反射率の高い反射型又は半透過型
の液晶表示装置を提供することができる。
【００３６】なお、最上層及び最下層についての説明
は、本発明の液晶表示装置において説明した通りである
ため、ここでは省略する。
は、本発明の液晶表示装置において説明した通りである
ため、ここでは省略する。
【００３７】さらに、前記反射電極の表面を凹凸形状に
形成することが好ましい。
形成することが好ましい。
【００３８】この方法によれば、入射した外光を効率よ
く反射させることができるので、表示品位の高い液晶表
示装置を製造することができる。
く反射させることができるので、表示品位の高い液晶表
示装置を製造することができる。
【００３９】さらに、前記層間絶縁膜を感光性のアクリ
ル樹脂にて形成することが好ましい。
ル樹脂にて形成することが好ましい。
【００４０】この方法によれば、例えば層間絶縁膜の表
面に凹凸を形成したりコンタクトホールを形成したりす
る加工工程において、通常のフォトリソグラフィ工程で
使用する装置を共用することができ、且つレジスト膜を
別途形成する必要もなくなる。 これにより、製造工程
数の削減やコストダウンが可能となる。
面に凹凸を形成したりコンタクトホールを形成したりす
る加工工程において、通常のフォトリソグラフィ工程で
使用する装置を共用することができ、且つレジスト膜を
別途形成する必要もなくなる。 これにより、製造工程
数の削減やコストダウンが可能となる。
【００４１】また、最下層反射電極をアルミニウムを主
成分とする合金にて形成する場合、前記アクティブ素子
に設けられ前記反射電極との接続に用いられる電極をチ
タン又はタンタルにて形成することが好ましい。
成分とする合金にて形成する場合、前記アクティブ素子
に設けられ前記反射電極との接続に用いられる電極をチ
タン又はタンタルにて形成することが好ましい。
【００４２】さらに、前記アルミニウムを主成分とする
合金は、副成分としてタンタル、ジルコニウム、チタ
ン、及びネオジウムのうち少なくとも一つの組成物を含
有しており、各組成物の含有率はタンタルが０．５〜５
質量％、ジルコニウムが０．５〜２０質量％、チタンが
０．５〜１０質量％、ネオジウムが０．５〜３０質量％
であることが好ましい。
合金は、副成分としてタンタル、ジルコニウム、チタ
ン、及びネオジウムのうち少なくとも一つの組成物を含
有しており、各組成物の含有率はタンタルが０．５〜５
質量％、ジルコニウムが０．５〜２０質量％、チタンが
０．５〜１０質量％、ネオジウムが０．５〜３０質量％
であることが好ましい。
【００４３】これらの方法によれば、反射電極とアクテ
ィブ素子の電極（例えばドレイン電極）との低いコンタ
クト抵抗を安定して得ることができる。
ィブ素子の電極（例えばドレイン電極）との低いコンタ
クト抵抗を安定して得ることができる。
【００４４】また、前記反射電極を二層にて形成し、最
下層反射電極をアルミニウムを主成分とする合金とすれ
ば、製造時のフォトリソグラフィ工程におけるエッチン
グ制御が容易に行える。
下層反射電極をアルミニウムを主成分とする合金とすれ
ば、製造時のフォトリソグラフィ工程におけるエッチン
グ制御が容易に行える。
【００４５】また、最下層反射電極をモリブデンを主成
分とする合金又はチタンにて形成する場合、前記アクテ
ィブ素子に設けられ前記反射電極との接続に用いられる
電極を、チタン、タンタル、及びアルミニウムのうち何
れか一つにて形成することが好ましい。
分とする合金又はチタンにて形成する場合、前記アクテ
ィブ素子に設けられ前記反射電極との接続に用いられる
電極を、チタン、タンタル、及びアルミニウムのうち何
れか一つにて形成することが好ましい。
【００４６】さらに、前記モリブデンを主成分とする合
金は、副成分としてタングステンを０．５〜３０質量％
含有することが好ましい。
金は、副成分としてタングステンを０．５〜３０質量％
含有することが好ましい。
【００４７】これらの方法によれば、反射電極とアクテ
ィブ素子の電極（例えばドレイン電極）との低いコンタ
クト抵抗を安定して得ることができる。
ィブ素子の電極（例えばドレイン電極）との低いコンタ
クト抵抗を安定して得ることができる。
【００４８】本発明の画像表示装用機器は、本発明の液
晶表示装置を備えたことを特徴とする。この構成によれ
ば、画質の良好な画像表示応用機器の提供が可能とな
る。
晶表示装置を備えたことを特徴とする。この構成によれ
ば、画質の良好な画像表示応用機器の提供が可能とな
る。
【００４９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て、図１〜図３を参照しながら説明する。
て、図１〜図３を参照しながら説明する。
【００５０】本実施の形態に係る反射型ＬＣＤの構成
は、反射電極以外については図３に示した従来の反射型
ＬＣＤと同じである。図１は、本実施の形態に係る反射
型ＬＣＤのアレイ基板１の構造、すなわちアレイ構造を
示している図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）
のＡ−Ａ断面図である。以下に、図１を参照しながら、
本実施の形態に係る反射型ＬＣＤのアレイ構造について
説明する。なお、図１において、図４に示した従来の反
射型ＬＣＤと同じ機能を有する構成については同じ参照
番号を付記している。これらの構成は従来技術において
説明したとおりであるため、ここでは省略する。
は、反射電極以外については図３に示した従来の反射型
ＬＣＤと同じである。図１は、本実施の形態に係る反射
型ＬＣＤのアレイ基板１の構造、すなわちアレイ構造を
示している図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）
のＡ−Ａ断面図である。以下に、図１を参照しながら、
本実施の形態に係る反射型ＬＣＤのアレイ構造について
説明する。なお、図１において、図４に示した従来の反
射型ＬＣＤと同じ機能を有する構成については同じ参照
番号を付記している。これらの構成は従来技術において
説明したとおりであるため、ここでは省略する。
【００５１】本実施の形態に係る反射型ＬＣＤは、反射
電極の構成が従来のものとは異なる。図１（ｂ）に示す
ように、本実施の形態における反射電極２４は、上層反
射電極（最上層反射電極）２４ａと下層反射電極(最下
層反射電極)２４ｂとで構成された二層構造である。上
層反射電極２４ａはＡｌにて形成されている。下層反射
電極２４ｂは、副組成としてタンタル（Ｔａ）を０．５
〜５質量％含有するＡｌ合金である。なお、下層反射電
極２４ｂの材料はこのＡｌ−Ｔａ合金に限定されるもの
ではなく、Ａｌを主成分とする合金であって、副成分と
してＴａを０．５〜５質量％、又はジルコニウム（Ｚ
ｒ）を０．５〜２０質量％、又はチタン（Ｔｉ）を０．
５〜１０質量％、又はネオジウム（Ｎｄ）を０．５〜３
０質量％含有するものであればよい。また、これら副成
分組成が組み合わされて含有されているＡｌ合金であっ
てもよい．反射電極２４を以上のように二層構造とし
て、ドレイン電極７や共通容量電極２１と接する下層反
射電極２４ｂを、酸素等に影響を与えられにくい、活性
しにくい材料である、Ａｌを主成分とする合金にて形成
する。これにより、反射電極２４とドレイン電極７及び
共通容量電極２１とのコンタクト抵抗を低下させること
ができる。さらに、入射光を反射させるのは上層反射電
極２４ａ部分であり、この上層反射電極２４ａは従来ど
おりＡｌにて形成されているため、反射率が低下するこ
とはない。
電極の構成が従来のものとは異なる。図１（ｂ）に示す
ように、本実施の形態における反射電極２４は、上層反
射電極（最上層反射電極）２４ａと下層反射電極(最下
層反射電極)２４ｂとで構成された二層構造である。上
層反射電極２４ａはＡｌにて形成されている。下層反射
電極２４ｂは、副組成としてタンタル（Ｔａ）を０．５
〜５質量％含有するＡｌ合金である。なお、下層反射電
極２４ｂの材料はこのＡｌ−Ｔａ合金に限定されるもの
ではなく、Ａｌを主成分とする合金であって、副成分と
してＴａを０．５〜５質量％、又はジルコニウム（Ｚ
ｒ）を０．５〜２０質量％、又はチタン（Ｔｉ）を０．
５〜１０質量％、又はネオジウム（Ｎｄ）を０．５〜３
０質量％含有するものであればよい。また、これら副成
分組成が組み合わされて含有されているＡｌ合金であっ
てもよい．反射電極２４を以上のように二層構造とし
て、ドレイン電極７や共通容量電極２１と接する下層反
射電極２４ｂを、酸素等に影響を与えられにくい、活性
しにくい材料である、Ａｌを主成分とする合金にて形成
する。これにより、反射電極２４とドレイン電極７及び
共通容量電極２１とのコンタクト抵抗を低下させること
ができる。さらに、入射光を反射させるのは上層反射電
極２４ａ部分であり、この上層反射電極２４ａは従来ど
おりＡｌにて形成されているため、反射率が低下するこ
とはない。
【００５２】このように、本実施の形態の反射電極２４
によれば、反射率を低下させることなく、反射電極２４
とドレイン電極７及び共通容量電極２１とのコンタクト
抵抗を低下させることができる。
によれば、反射率を低下させることなく、反射電極２４
とドレイン電極７及び共通容量電極２１とのコンタクト
抵抗を低下させることができる。
【００５３】また、Ａｌ合金の副組成を前記のように設
定することにより、低いコンタクト抵抗をより安定して
得ることが可能となる。
定することにより、低いコンタクト抵抗をより安定して
得ることが可能となる。
【００５４】また、本実施の形態におけるドレイン電極
７はＴｉにより形成されている。これにより、Ａｌ合金
からなる下層反射電極２４ｂとドレイン電極７とのコン
タクト抵抗をより安定して低く抑えることができる。な
お、本実施の形態においてはＴｉを用いているが、Ｔａ
を用いても同様の効果が得られる。
７はＴｉにより形成されている。これにより、Ａｌ合金
からなる下層反射電極２４ｂとドレイン電極７とのコン
タクト抵抗をより安定して低く抑えることができる。な
お、本実施の形態においてはＴｉを用いているが、Ｔａ
を用いても同様の効果が得られる。
【００５５】また、本実施の形態における層間絶縁膜９
はアクリル樹脂にて形成されている。これにより、層間
絶縁膜９の加工工程を通常のフォトリソグラフィー工程
の装置を用いて行うことができる。
はアクリル樹脂にて形成されている。これにより、層間
絶縁膜９の加工工程を通常のフォトリソグラフィー工程
の装置を用いて行うことができる。
【００５６】次に、アレイ基板１の製造方法について図
２を用いて説明する。
２を用いて説明する。
【００５７】第１の工程が図２（ａ）に示されている。
この工程においては、まずガラス基板１２上にゲート電
極（ゲート配線）５を形成し、さらにゲート絶縁膜１３
を形成する。次に、ゲート電極５の上部にアモルファス
シリコン（ａ−Ｓｉ）及び窒化シリコン（ＳｉＮｘ）を
積層し、チャネル層１９を形成する。さらに、ｎ型アモ
ルファスシリコンにてコンタクト層２０を形成した後、
Ｔｉによりソース電極６及びドレイン電極７を形成して
ＴＦＴ８を作製し、さらにＴＦＴ８を保護する絶縁膜２
３を窒化シリコン膜にて形成する。
この工程においては、まずガラス基板１２上にゲート電
極（ゲート配線）５を形成し、さらにゲート絶縁膜１３
を形成する。次に、ゲート電極５の上部にアモルファス
シリコン（ａ−Ｓｉ）及び窒化シリコン（ＳｉＮｘ）を
積層し、チャネル層１９を形成する。さらに、ｎ型アモ
ルファスシリコンにてコンタクト層２０を形成した後、
Ｔｉによりソース電極６及びドレイン電極７を形成して
ＴＦＴ８を作製し、さらにＴＦＴ８を保護する絶縁膜２
３を窒化シリコン膜にて形成する。
【００５８】第２の工程が図２（ｂ）に示されている。
この工程においては、アクリル樹脂にて形成した層間絶
縁膜９の表面にフォトリソグラフィ工程によって凹凸を
形成し、その後、ドライエッチングによりドレイン電極
７上部の層間絶縁膜９にコンタクトホール１１を形成す
る。また、このとき同時に、共通容量電極２１部分のコ
ンタクトホール２２も形成する。
この工程においては、アクリル樹脂にて形成した層間絶
縁膜９の表面にフォトリソグラフィ工程によって凹凸を
形成し、その後、ドライエッチングによりドレイン電極
７上部の層間絶縁膜９にコンタクトホール１１を形成す
る。また、このとき同時に、共通容量電極２１部分のコ
ンタクトホール２２も形成する。
【００５９】第３の工程が図２（ｃ）に示されている。
この工程においては、Ａｌを主成分とする合金層及びＡ
ｌ層を各々１０００Å厚で連続成膜してフォトリソグラ
フィ工程によりパターニングを行う際に、上層反射電極
２４ａと下層反射電極２４ｂとを一括でウエットエッチ
ングして反射電極２４を形成する。このように、本実施
の形態においては反射電極がＡｌとＡｌ合金とからなる
二層構造であるため、エッチングの制御が容易である。
この工程においては、Ａｌを主成分とする合金層及びＡ
ｌ層を各々１０００Å厚で連続成膜してフォトリソグラ
フィ工程によりパターニングを行う際に、上層反射電極
２４ａと下層反射電極２４ｂとを一括でウエットエッチ
ングして反射電極２４を形成する。このように、本実施
の形態においては反射電極がＡｌとＡｌ合金とからなる
二層構造であるため、エッチングの制御が容易である。
【００６０】なお、本実施の形態においては、下層反射
電極２４ｂをＡｌを主成分とする合金により作製してい
るが、モリブデン（Ｍｏ）を主成分とする合金又はＴｉ
を用いても同様の効果を得ることができる。この場合、
ドレイン電極７をＴｉ又はＡｌ又はＴａを用いて作製す
ると、下層反射電極２４ｂとドレイン電極７とのコンタ
クト抵抗をより安定して低く抑えることができる。な
お、ここで用いるＭｏ合金は、副成分としてのタングス
テン（Ｗ）の組成が０．５質量％〜３０質量％であるも
のが好ましい。副成分の組成をこのように設定すること
により、低いコンタクト抵抗をより安定して得ることが
可能となる。
電極２４ｂをＡｌを主成分とする合金により作製してい
るが、モリブデン（Ｍｏ）を主成分とする合金又はＴｉ
を用いても同様の効果を得ることができる。この場合、
ドレイン電極７をＴｉ又はＡｌ又はＴａを用いて作製す
ると、下層反射電極２４ｂとドレイン電極７とのコンタ
クト抵抗をより安定して低く抑えることができる。な
お、ここで用いるＭｏ合金は、副成分としてのタングス
テン（Ｗ）の組成が０．５質量％〜３０質量％であるも
のが好ましい。副成分の組成をこのように設定すること
により、低いコンタクト抵抗をより安定して得ることが
可能となる。
【００６１】また、本実施の形態においては反射電極２
４を二層構造としているが、三層以上の多層構造とする
ことも可能である。この場合、光の反射面となる最上層
反射電極は上層反射電極２４ａと同様にＡｌで形成し、
ドレイン電極７及び共通容量電極２１と接触する層とな
る最下層反射電極は、下層反射電極２４ｂと同様にＡｌ
を主成分とする合金、又はＭｏを主成分とする合金、又
はＴｉにより形成する。これにより、本実施の形態の反
射型ＬＣＤと同様の効果を得ることができる。
４を二層構造としているが、三層以上の多層構造とする
ことも可能である。この場合、光の反射面となる最上層
反射電極は上層反射電極２４ａと同様にＡｌで形成し、
ドレイン電極７及び共通容量電極２１と接触する層とな
る最下層反射電極は、下層反射電極２４ｂと同様にＡｌ
を主成分とする合金、又はＭｏを主成分とする合金、又
はＴｉにより形成する。これにより、本実施の形態の反
射型ＬＣＤと同様の効果を得ることができる。
【００６２】また、本構成の反射型ＬＣＤを画像表示応
用装置に備えることにより、画質のよい画像表示応用装
置を実現することができる。
用装置に備えることにより、画質のよい画像表示応用装
置を実現することができる。
【００６３】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明の液晶表
示装置によれば、反射率を低下させることなくドレイン
電極や共通容量電極と反射電極とのコンタクト抵抗を低
下させた反射型又は半透過型の液晶表示装置を提供でき
る。さらに、この液晶表示装置を画像表示応用装置に備
えることにより、画質の良好な画像表示応用装置を実現
することも可能となる。
示装置によれば、反射率を低下させることなくドレイン
電極や共通容量電極と反射電極とのコンタクト抵抗を低
下させた反射型又は半透過型の液晶表示装置を提供でき
る。さらに、この液晶表示装置を画像表示応用装置に備
えることにより、画質の良好な画像表示応用装置を実現
することも可能となる。
【図１】 本発明の一実施形態の反射型ＬＣＤにおける
アレイ基板の構成を示す図であり、（ａ）は前記アレイ
基板の平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ断面図で
ある。
アレイ基板の構成を示す図であり、（ａ）は前記アレイ
基板の平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ断面図で
ある。
【図２】 （ａ）〜（ｃ）は、前記アレイ基板の製造工
程を示す工程図である。
程を示す工程図である。
【図３】 従来の反射型ＬＣＤの構成を示す断面図であ
る。
る。
【図４】 従来の反射型ＬＣＤにおけるアレイ基板の構
成を示す図であり、（ａ）は前記アレイ基板の平面図、
（ｂ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。
成を示す図であり、（ａ）は前記アレイ基板の平面図、
（ｂ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ断面図である。
【図５】 （ａ）〜（ｃ）は、前記アレイ基板の製造工
程を示す工程図である。
程を示す工程図である。
１ アレイ基板 ２ 対向基板 ３ 液晶層 ５ ゲート電極（ゲート配線） ６ ソース電極 ７ ドレイン電極 ８ 薄膜トランジスタ（アクティブ素子） ９ 層間絶縁膜 １１ コンタクトホール ２１ 共通容量電極 ２２ コンタクトホール ２４ 反射電極 ２４ａ 上層反射電極（最上層反射電極） ２４ｂ 下層反射電極（最下層反射電極）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/35 Ｇ０９Ｆ 9/35 (72)発明者 坪井 伸行 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H092 GA12 GA13 GA17 GA19 GA25 GA29 HA02 HA05 JA00 JB07 JB08 JB16 KB13 MA01 MA02 NA01 5C094 AA10 BA03 BA43 CA19 DA15 EA04 EA06 EA07 ED11 FB12 JA01
Claims (19)
- 【請求項１】 配線層に配置されたアクティブ素子と、
前記配線層上に配置された層間絶縁膜と、前記層間絶縁
膜上に配置され、前記層間絶縁膜に設けられたコンタク
トホールを介して前記アクティブ素子と電気的に接続さ
れた反射電極とを有するアレイ基板を備えた反射型又は
半透過型の液晶表示装置において、 前記反射電極が複数の層からなり、前記複数の層のうち
最上層に配置された最上層反射電極はアルミニウムから
なり、最下層に配置された最下層反射電極はアルミニウ
ムを主成分とする合金からなることを特徴とする液晶表
示装置。 - 【請求項２】 配線層に配置されたアクティブ素子と、
前記配線層上に配置された層間絶縁膜と、前記層間絶縁
膜上に配置され、前記層間絶縁膜に設けられたコンタク
トホールを介して前記アクティブ素子と電気的に接続さ
れた反射電極とを有するアレイ基板を備えた反射型又は
半透過型の液晶表示装置において、 前記反射電極が複数の層からなり、前記複数の層のうち
最上層に配置された最上層反射電極はアルミニウムから
なり、最下層に配置された最下層反射電極はモリブデン
を主成分とする合金又はチタンからなることを特徴とす
る液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記反射電極の表面は凹凸形状であるこ
とを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記層間絶縁膜は感光性のアクリル樹脂
からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶
表示装置。 - 【請求項５】 前記アクティブ素子に設けられ前記反射
電極との接続に用いられる電極は、チタン又はタンタル
からなることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装
置。 - 【請求項６】 前記アルミニウムを主成分とする合金
は、副成分としてタンタル、ジルコニウム、チタン、及
びネオジウムのうち少なくとも一つの組成物を含有して
おり、各組成物の含有率はタンタルが０．５〜５質量
％、ジルコニウムが０．５〜２０質量％、チタンが０．
５〜１０質量％、ネオジウムが０．５〜３０質量％であ
ることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項７】 前記反射電極が二層構造であることを特
徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項８】 前記アクティブ素子に設けられ前記反射
電極との接続に用いられる電極は、チタン、タンタル、
及びアルミニウムのうち何れか一つからなることを特徴
とする請求項２に記載の液晶表示装置。 - 【請求項９】 前記モリブデンを主成分とする合金は、
副成分としてタングステンを０．５〜３０質量％含有す
ることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。 - 【請求項１０】 配線層に配置されたアクティブ素子
と、前記配線層上に配置された層間絶縁膜と、前記層間
絶縁膜上に配置され、前記層間絶縁膜に設けられたコン
タクトホールを介して前記アクティブ素子と電気的に接
続された反射電極とを有するアレイ基板を備えた反射型
又は半透過型の液晶表示装置の製造方法であって、 前記反射電極を複数の層にて形成し、前記複数の層のう
ち最上層に配置される最上層反射電極をアルミニウムに
て形成し、最下層に配置される最下層反射電極をアルミ
ニウムを主成分とする合金にて形成することを特徴とす
る液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１１】 配線層に配置されたアクティブ素子
と、前記配線層上に配置された層間絶縁膜と、前記層間
絶縁膜上に配置され、前記層間絶縁膜に設けられたコン
タクトホールを介して前記アクティブ素子と電気的に接
続された反射電極とを有するアレイ基板を備えた反射型
又は半透過型の液晶表示装置の製造方法であって、 前記反射電極を複数の層にて形成し、前記複数の層のう
ち最上層に配置される最上層反射電極をアルミニウムに
て形成し、最下層に配置される最下層反射電極をモリブ
デンを主成分とする合金又はチタンにて形成することを
特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１２】 前記反射電極の表面を凹凸形状とする
ことを特徴とする請求項１０又は１１に記載の液晶表示
装置の製造方法。 - 【請求項１３】 前記層間絶縁膜を感光性のアクリル樹
脂にて形成することを特徴とする請求項１０又は１１に
記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１４】 前記アクティブ素子に設けられ前記反
射電極との接続に用いられる電極をチタン又はタンタル
にて形成することを特徴とする請求項１０に記載の液晶
表示装置の製造方法。 - 【請求項１５】 前記アルミニウムを主成分とする合金
は、副成分としてタンタル、ジルコニウム、チタン、及
びネオジウムのうち少なくとも一つの組成物を含有して
おり、各組成物の含有率はタンタルが０．５〜５質量
％、ジルコニウムが０．５〜２０質量％、チタンが０．
５〜１０質量％、ネオジウムが０．５〜３０質量％であ
ることを特徴とする請求項１４に記載の液晶表示装置の
製造方法。 - 【請求項１６】 前記反射電極を二層にて形成すること
を特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置の製造方
法。 - 【請求項１７】 前記アクティブ素子に設けられ前記反
射電極との接続に用いられる電極を、チタン、タンタ
ル、及びアルミニウムのうち何れか一つにて形成するこ
とを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置の製造
方法。 - 【請求項１８】 前記モリブデンを主成分とする合金
は、副成分としてタングステンを０．５〜３０質量％含
有することを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装
置の製造方法。 - 【請求項１９】 請求項１〜請求項９の何れか一項に記
載の液晶表示装置を備えたことを特徴とする画像表示応
用機器。
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2001
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