JP2003057676A - 反射型液晶表示装置 - Google Patents
反射型液晶表示装置Info
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- JP2003057676A JP2003057676A JP2001242867A JP2001242867A JP2003057676A JP 2003057676 A JP2003057676 A JP 2003057676A JP 2001242867 A JP2001242867 A JP 2001242867A JP 2001242867 A JP2001242867 A JP 2001242867A JP 2003057676 A JP2003057676 A JP 2003057676A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 反射型液晶表示装置の画像品質を向上できる
構造を提供する。 【解決手段】 マトリクス状に配置された複数の信号配
線４および走査配線１、その各交差点に対応して少なく
とも一つ以上のスイッチング素子、信号配線４、走査配
線１、スイッチング素子上に形成された略平坦表面を有
する絶縁膜、および、この絶縁膜の略平坦表面上に、絶
縁膜に設けられたコンタクトホール７を介してスイッチ
ング素子に接続するように形成された反射画素電極８を
有する反射型液晶表示装置において、信号配線４が反射
画素電極８下に重畳して形成される構成とする。
構造を提供する。 【解決手段】 マトリクス状に配置された複数の信号配
線４および走査配線１、その各交差点に対応して少なく
とも一つ以上のスイッチング素子、信号配線４、走査配
線１、スイッチング素子上に形成された略平坦表面を有
する絶縁膜、および、この絶縁膜の略平坦表面上に、絶
縁膜に設けられたコンタクトホール７を介してスイッチ
ング素子に接続するように形成された反射画素電極８を
有する反射型液晶表示装置において、信号配線４が反射
画素電極８下に重畳して形成される構成とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話、ＰＤＡ
（Personal Digital Assistance）、ノートパソコン
などの携帯端末機器などのディスプレイとして用いるこ
とのできる反射型液晶表示装置に関する。
（Personal Digital Assistance）、ノートパソコン
などの携帯端末機器などのディスプレイとして用いるこ
とのできる反射型液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の反射型液晶表示装置のアレイ基板
の２画素部分の平面概略構成を図２に示す。図に示すよ
うに複数の走査配線１、共通配線２及び信号配線４が直
交するように形成され、走査配線１と信号配線４の各交
差点に対応してスイッチング素子であるＴＦＴ３が設け
られる。また、共通配線２上に付加容量電極６が形成さ
れている。そして図のように、走査配線１と信号配線４
に掛かるように反射画素電極８が形成され、コンタクト
ホール７を介して、ドレイン電極５、付加容量電極６に
電気的に接続されている。
の２画素部分の平面概略構成を図２に示す。図に示すよ
うに複数の走査配線１、共通配線２及び信号配線４が直
交するように形成され、走査配線１と信号配線４の各交
差点に対応してスイッチング素子であるＴＦＴ３が設け
られる。また、共通配線２上に付加容量電極６が形成さ
れている。そして図のように、走査配線１と信号配線４
に掛かるように反射画素電極８が形成され、コンタクト
ホール７を介して、ドレイン電極５、付加容量電極６に
電気的に接続されている。
【０００３】次に製作工程を説明する。ガラス基板の上
にアルミニウム（Ａｌ）を積層させ、フォトリソグラフ
ィ法によって走査配線１と共通配線２をパターン形成す
る。走査配線１上にはＴＦＴ３のゲート絶縁膜として働
く窒化シリコン（ＳｉＮｘ）の第１絶縁体層を積層させ
る。さらに第１絶縁体層上にＴＦＴのスイッチ機能を司
るアモルファスシリコン（α−Ｓｉ）の半導体層、及び
この半導体層と信号配線４、ドレイン電極５をオーミッ
クコンタクトさせるｎ＋半導体層を連続して堆積する。
そして、ＴＦＴ部分に前記半導体層とｎ＋半導体層から
なるパターンを形成する。その後、チタン（Ｔｉ）、ア
ルミニウム（Ａｌ）の２層を連続堆積させ、一括パター
ン形成を行い、信号配線４、ドレイン電極５と付加容量
電極６を図のように形成した。
にアルミニウム（Ａｌ）を積層させ、フォトリソグラフ
ィ法によって走査配線１と共通配線２をパターン形成す
る。走査配線１上にはＴＦＴ３のゲート絶縁膜として働
く窒化シリコン（ＳｉＮｘ）の第１絶縁体層を積層させ
る。さらに第１絶縁体層上にＴＦＴのスイッチ機能を司
るアモルファスシリコン（α−Ｓｉ）の半導体層、及び
この半導体層と信号配線４、ドレイン電極５をオーミッ
クコンタクトさせるｎ＋半導体層を連続して堆積する。
そして、ＴＦＴ部分に前記半導体層とｎ＋半導体層から
なるパターンを形成する。その後、チタン（Ｔｉ）、ア
ルミニウム（Ａｌ）の２層を連続堆積させ、一括パター
ン形成を行い、信号配線４、ドレイン電極５と付加容量
電極６を図のように形成した。
【０００４】そして、絶縁保護膜と機能する第２絶縁体
層を堆積させ、ドレイン電極５上の第２絶縁体層上にコ
ンタクトホール７を開ける。その後、感光性の樹脂であ
る平坦化膜を塗布した後、フォトリソグラフィの工程に
よって、第２絶縁体層に形成されたコンタクトホール７
と同位置にコンタクトホール７をさらに形成する。そし
て最後に、反射率の高いアルミニウム、銀等からなる反
射画素電極８を形成する。反射画素電極は、平坦化膜上
に形成したコンタクトホールと、第２絶縁体層上に形成
したコンタクトホールを介して、ドレイン電極５と接続
される。
層を堆積させ、ドレイン電極５上の第２絶縁体層上にコ
ンタクトホール７を開ける。その後、感光性の樹脂であ
る平坦化膜を塗布した後、フォトリソグラフィの工程に
よって、第２絶縁体層に形成されたコンタクトホール７
と同位置にコンタクトホール７をさらに形成する。そし
て最後に、反射率の高いアルミニウム、銀等からなる反
射画素電極８を形成する。反射画素電極は、平坦化膜上
に形成したコンタクトホールと、第２絶縁体層上に形成
したコンタクトホールを介して、ドレイン電極５と接続
される。
【０００５】このように完成した薄膜トランジスタアレ
イ基板とカラーフィルタ、ＩＴＯ（ＩｎＯｘ−ＳｎＯ
ｘ）の透明対向電極を具備した対向基板に配向膜を塗布
し、ラビング処理を行った。その後、４μｍのギャップ
を形成して貼り合わせ、その間に誘電率異方性が正の液
晶を注入し、対向基板の外側に偏光位相差板を配置して
液晶表示装置を作製した。
イ基板とカラーフィルタ、ＩＴＯ（ＩｎＯｘ−ＳｎＯ
ｘ）の透明対向電極を具備した対向基板に配向膜を塗布
し、ラビング処理を行った。その後、４μｍのギャップ
を形成して貼り合わせ、その間に誘電率異方性が正の液
晶を注入し、対向基板の外側に偏光位相差板を配置して
液晶表示装置を作製した。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のように従来構成
では、信号配線に掛かるように反射画素電極が形成され
る。すなわち平面的に見て隣接する反射画素電極の間に
信号配線が配置される構成となっている。画素電極と対
向電極間に電圧が印加されていない時に白表示の場合
（ノーマリーホワイト）、電圧を印加していくと液晶分
子が動き画素電極上は黒表示になるが、信号配線と対向
電極間の電位差は小さいため隣接画素電極間の信号配線
上では、白表示時の液晶分子配列になっている。このた
め画面が黒表示でも隣接画素電極間は信号配線が反射板
として働き白表示になってしまう。従って黒表示時の反
射率を上げてしまい、コントラストを低下させる課題が
発生する。
では、信号配線に掛かるように反射画素電極が形成され
る。すなわち平面的に見て隣接する反射画素電極の間に
信号配線が配置される構成となっている。画素電極と対
向電極間に電圧が印加されていない時に白表示の場合
（ノーマリーホワイト）、電圧を印加していくと液晶分
子が動き画素電極上は黒表示になるが、信号配線と対向
電極間の電位差は小さいため隣接画素電極間の信号配線
上では、白表示時の液晶分子配列になっている。このた
め画面が黒表示でも隣接画素電極間は信号配線が反射板
として働き白表示になってしまう。従って黒表示時の反
射率を上げてしまい、コントラストを低下させる課題が
発生する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の反射型液晶表示装置は、マトリクス状に配
置された複数の信号配線および走査配線と、その各交差
点に対応して設けられた少なくとも一つ以上のスイッチ
ング素子と、前記信号配線、前記走査配線、および前記
スイッチング素子上に形成された略平坦表面を有する絶
縁膜と、前記絶縁膜の略平坦表面上に、前記絶縁膜に設
けられたコンタクトホールを介して前記スイッチング素
子に接続するように形成された反射画素電極とを有する
反射型液晶表示装置であって、前記信号配線が、前記反
射型液晶表示装置の表示面法線方向からみて前記走査線
方向に隣接する２つの前記反射画素電極の間隙部と重な
らないよう、前記反射画素電極下に重畳して形成される
構成をとる。また、信号配線の少なくとも反射型液晶表
示装置の表示面側の表面は反射性を有する構成とする。
に、本発明の反射型液晶表示装置は、マトリクス状に配
置された複数の信号配線および走査配線と、その各交差
点に対応して設けられた少なくとも一つ以上のスイッチ
ング素子と、前記信号配線、前記走査配線、および前記
スイッチング素子上に形成された略平坦表面を有する絶
縁膜と、前記絶縁膜の略平坦表面上に、前記絶縁膜に設
けられたコンタクトホールを介して前記スイッチング素
子に接続するように形成された反射画素電極とを有する
反射型液晶表示装置であって、前記信号配線が、前記反
射型液晶表示装置の表示面法線方向からみて前記走査線
方向に隣接する２つの前記反射画素電極の間隙部と重な
らないよう、前記反射画素電極下に重畳して形成される
構成をとる。また、信号配線の少なくとも反射型液晶表
示装置の表示面側の表面は反射性を有する構成とする。
【０００８】信号配線が反射画素電極下に重畳して形成
される構成とすることにより、隣接画素電極間の間隙部
に信号配線、すなわち、反射板を配置しない構成にする
ことができ、黒表示時に隣接画素電極間が白表示となら
ず、コントラスト向上が図られる。
される構成とすることにより、隣接画素電極間の間隙部
に信号配線、すなわち、反射板を配置しない構成にする
ことができ、黒表示時に隣接画素電極間が白表示となら
ず、コントラスト向上が図られる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら詳細に説明する。
て、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１０】本発明の反射型液晶表示装置のアレイ基板
の２画素部分の構成を図１に示す。図に示すように複数
の走査配線１、共通配線２及び信号配線４が直交するよ
うに形成され、走査配線１と信号配線４の各交差点に対
応してスイッチング素子であるＴＦＴ３が設けられる。
また、共通配線２上に付加容量電極６が形成されてい
る。そして図のように、表示面法線方向からみて、走査
線方向に隣接する２つの反射電極の間隙部に信号配線が
重ならないよう、信号配線４に重畳するように反射画素
電極８が形成され、コンタクトホール７を介して、ドレ
イン電極５、付加容量電極６に電気的に接続されてい
る。
の２画素部分の構成を図１に示す。図に示すように複数
の走査配線１、共通配線２及び信号配線４が直交するよ
うに形成され、走査配線１と信号配線４の各交差点に対
応してスイッチング素子であるＴＦＴ３が設けられる。
また、共通配線２上に付加容量電極６が形成されてい
る。そして図のように、表示面法線方向からみて、走査
線方向に隣接する２つの反射電極の間隙部に信号配線が
重ならないよう、信号配線４に重畳するように反射画素
電極８が形成され、コンタクトホール７を介して、ドレ
イン電極５、付加容量電極６に電気的に接続されてい
る。
【００１１】次に製作工程を説明する。ガラス基板の上
にアルミニウム（Ａｌ）を積層させ、フォトリソグラフ
ィ法によって走査配線１と共通配線２をパターン形成す
る。走査配線１上にはＴＦＴ３のゲート絶縁膜として働
く窒化シリコン（ＳｉＮｘ）の第１絶縁体層を積層させ
る。さらに第１絶縁体層上にＴＦＴのスイッチ機能を司
るアモルファスシリコン（α−Ｓｉ）の半導体層、及び
本半導体層と信号配線４、ドレイン電極５をオーミック
コンタクトさせるｎ＋半導体層を連続して堆積させる。
そして、ＴＦＴ部分に前記半導体層とｎ＋半導体層から
なるパターンを形成する。その後、チタン（Ｔｉ）、ア
ルミニウム（Ａｌ）の２層を連続堆積させ、一括パター
ン形成を行い、信号配線４、ドレイン電極５と付加容量
電極６を図のように形成した。
にアルミニウム（Ａｌ）を積層させ、フォトリソグラフ
ィ法によって走査配線１と共通配線２をパターン形成す
る。走査配線１上にはＴＦＴ３のゲート絶縁膜として働
く窒化シリコン（ＳｉＮｘ）の第１絶縁体層を積層させ
る。さらに第１絶縁体層上にＴＦＴのスイッチ機能を司
るアモルファスシリコン（α−Ｓｉ）の半導体層、及び
本半導体層と信号配線４、ドレイン電極５をオーミック
コンタクトさせるｎ＋半導体層を連続して堆積させる。
そして、ＴＦＴ部分に前記半導体層とｎ＋半導体層から
なるパターンを形成する。その後、チタン（Ｔｉ）、ア
ルミニウム（Ａｌ）の２層を連続堆積させ、一括パター
ン形成を行い、信号配線４、ドレイン電極５と付加容量
電極６を図のように形成した。
【００１２】そして、絶縁保護膜と機能する第２絶縁体
層を堆積させ、ドレイン電極５上の第２絶縁体層上にコ
ンタクトホール７を開ける。その後、感光性の樹脂であ
る平坦化膜を塗布した後、フォトリソグラフィの工程に
よって、第２絶縁体層に形成されたコンタクトホール７
と同位置にコンタクトホール７をさらに形成する。そし
て最後に、反射率の高いアルミニウム、銀等からなる反
射画素電極８を形成する。反射画素電極は、平坦化膜上
に形成したコンタクトホールと、第２絶縁体層上に形成
したコンタクトホールを介して、ドレイン電極５と接続
される。
層を堆積させ、ドレイン電極５上の第２絶縁体層上にコ
ンタクトホール７を開ける。その後、感光性の樹脂であ
る平坦化膜を塗布した後、フォトリソグラフィの工程に
よって、第２絶縁体層に形成されたコンタクトホール７
と同位置にコンタクトホール７をさらに形成する。そし
て最後に、反射率の高いアルミニウム、銀等からなる反
射画素電極８を形成する。反射画素電極は、平坦化膜上
に形成したコンタクトホールと、第２絶縁体層上に形成
したコンタクトホールを介して、ドレイン電極５と接続
される。
【００１３】このように完成した薄膜トランジスタアレ
イ基板とカラーフィルタ、ＩＴＯ（ＩｎＯｘ−ＳｎＯ
ｘ）の透明対向電極を具備した対向基板に配向膜を塗布
し、ラビング処理を行った。その後、４μｍのギャップ
を形成して貼り合わせ、その間に誘電率異方性が正の液
晶を注入し、対向基板の外側に偏光位相差板を配置して
液晶表示装置を作製した。この反射型液晶表示装置のコ
ントラストを測定したところ、従来構成では１５：１程
度であったが、３０：１のコントラストが得られ、大幅
に特性を向上することができた。
イ基板とカラーフィルタ、ＩＴＯ（ＩｎＯｘ−ＳｎＯ
ｘ）の透明対向電極を具備した対向基板に配向膜を塗布
し、ラビング処理を行った。その後、４μｍのギャップ
を形成して貼り合わせ、その間に誘電率異方性が正の液
晶を注入し、対向基板の外側に偏光位相差板を配置して
液晶表示装置を作製した。この反射型液晶表示装置のコ
ントラストを測定したところ、従来構成では１５：１程
度であったが、３０：１のコントラストが得られ、大幅
に特性を向上することができた。
【００１４】
【発明の効果】以上のように本発明では、信号配線が反
射画素電極下に重畳して形成される構成をとることによ
り、隣接画素電極間に信号配線すなわち反射板を配置し
ない構成にすることができ、黒表示時に隣接画素電極間
が白表示にならない。したがって、簡易な構成により画
質課題のコントラストを大幅に向上することができる。
射画素電極下に重畳して形成される構成をとることによ
り、隣接画素電極間に信号配線すなわち反射板を配置し
ない構成にすることができ、黒表示時に隣接画素電極間
が白表示にならない。したがって、簡易な構成により画
質課題のコントラストを大幅に向上することができる。
【図１】本発明の実施形態の反射型液晶表示装置におけ
るアレイ基板の画素領域の平面構成を示す概略平面図
るアレイ基板の画素領域の平面構成を示す概略平面図
【図２】従来例の反射型液晶表示装置におけるアレイ基
板の画素領域の平面構成を示す概略平面図
板の画素領域の平面構成を示す概略平面図
１ 走査配線
２ 共通配線
３ ＴＦＴ
４ 信号配線
５ ドレイン電極
６ 付加容量電極
７ コンタクトホール
８ 反射画素電極
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 2H092 GA17 HA05 HA06 JA24 JA34
JA37 JA41 JA46 JB22 JB33
JB58 NA01 PA03 PA08 PA10
PA11
Claims (2)
- 【請求項１】マトリクス状に配置された複数の信号配線
および走査配線と、 その各交差点に対応して設けられた少なくとも一つ以上
のスイッチング素子と、 前記信号配線、前記走査配線、および前記スイッチング
素子上に形成された略平坦表面を有する絶縁膜と、 前記絶縁膜の略平坦表面上に、前記絶縁膜に設けられた
コンタクトホールを介して前記スイッチング素子に接続
するように形成された反射画素電極とを有する反射型液
晶表示装置であって、 前記信号配線が、前記反射型液晶表示装置の表示面法線
方向からみて前記走査線方向に隣接する２つの前記反射
画素電極の間隙部と重ならないよう、前記反射画素電極
下に重畳して形成された反射型液晶表示装置。 - 【請求項２】信号配線の少なくとも反射型液晶表示装置
の表示面側の表面は反射性を有する請求項１記載の反射
型液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001242867A JP2003057676A (ja) | 2001-08-09 | 2001-08-09 | 反射型液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001242867A JP2003057676A (ja) | 2001-08-09 | 2001-08-09 | 反射型液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003057676A true JP2003057676A (ja) | 2003-02-26 |
Family
ID=19073073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001242867A Pending JP2003057676A (ja) | 2001-08-09 | 2001-08-09 | 反射型液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003057676A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1761024A1 (en) | 2003-03-04 | 2007-03-07 | Ricoh Company, Ltd. | Image forming apparatus and image processing apparatus |
| CN100368904C (zh) * | 2003-08-29 | 2008-02-13 | 友达光电股份有限公司 | 薄膜晶体管液晶显示器基板 |
| WO2010035548A1 (ja) * | 2008-09-24 | 2010-04-01 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置、アクティブマトリクス基板、電子機器 |
| JP2011133604A (ja) * | 2009-12-24 | 2011-07-07 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、および電子機器 |
| WO2022057021A1 (zh) * | 2020-09-15 | 2022-03-24 | 信利半导体有限公司 | 一种显示基板及液晶显示装置 |
-
2001
- 2001-08-09 JP JP2001242867A patent/JP2003057676A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1761024A1 (en) | 2003-03-04 | 2007-03-07 | Ricoh Company, Ltd. | Image forming apparatus and image processing apparatus |
| EP1761023A1 (en) | 2003-03-04 | 2007-03-07 | Ricoh Company, Ltd. | Image forming apparatus and image processing apparatus |
| EP1761025A1 (en) | 2003-03-04 | 2007-03-07 | Ricoh Company, Ltd. | Image forming apparatus and image processing apparatus |
| CN100368904C (zh) * | 2003-08-29 | 2008-02-13 | 友达光电股份有限公司 | 薄膜晶体管液晶显示器基板 |
| WO2010035548A1 (ja) * | 2008-09-24 | 2010-04-01 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置、アクティブマトリクス基板、電子機器 |
| US8421726B2 (en) | 2008-09-24 | 2013-04-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device, active matrix substrate, and electronic device |
| JP5290307B2 (ja) * | 2008-09-24 | 2013-09-18 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置、アクティブマトリクス基板、電子機器 |
| JP2011133604A (ja) * | 2009-12-24 | 2011-07-07 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、および電子機器 |
| WO2022057021A1 (zh) * | 2020-09-15 | 2022-03-24 | 信利半导体有限公司 | 一种显示基板及液晶显示装置 |
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