JPH11242240A - アクティブマトリックス基板及びそれを用いた液晶表示装置 - Google Patents
アクティブマトリックス基板及びそれを用いた液晶表示装置Info
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- JPH11242240A JPH11242240A JP4386398A JP4386398A JPH11242240A JP H11242240 A JPH11242240 A JP H11242240A JP 4386398 A JP4386398 A JP 4386398A JP 4386398 A JP4386398 A JP 4386398A JP H11242240 A JPH11242240 A JP H11242240A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 比較的簡易な構成によって、アクティブマト
リックス基板の作成工程の複雑化をすることなく、反射
効率低下を大幅に改善させ、安価に高性能の反射型液晶
表示装置を提供する。 【解決手段】 アクティブ素子及びアドレス配線をマト
リックス状に具備した基板表面に絶縁膜７を形成し、こ
の絶縁膜にアクティブ素子と接続をするためのコンタク
ト穴１５を形成し、このコンタクト穴１５を被覆し、且
つアクティブ素子と接続するように反射電極８を形成し
たアクティブマトリックス基板であって、反射電極８と
して上層にＡｌ膜又はＡｌ合金膜、下層にＴｉ膜，Ｍｏ
膜又は各々の合金膜１４を含む積層構造にしたものであ
る。
リックス基板の作成工程の複雑化をすることなく、反射
効率低下を大幅に改善させ、安価に高性能の反射型液晶
表示装置を提供する。 【解決手段】 アクティブ素子及びアドレス配線をマト
リックス状に具備した基板表面に絶縁膜７を形成し、こ
の絶縁膜にアクティブ素子と接続をするためのコンタク
ト穴１５を形成し、このコンタクト穴１５を被覆し、且
つアクティブ素子と接続するように反射電極８を形成し
たアクティブマトリックス基板であって、反射電極８と
して上層にＡｌ膜又はＡｌ合金膜、下層にＴｉ膜，Ｍｏ
膜又は各々の合金膜１４を含む積層構造にしたものであ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示画素毎にアク
ティブ素子を備えたアクティブマトリックス（以下、Ａ
Ｍという）基板表面を覆う如く設けた絶縁膜を介してア
クティブ素子と、表示電極を接続したＡＭ基板とこのＡ
Ｍ基板を具備した反射型の液晶表示装置（以下、ＬＣＤ
という）に関するものである。
ティブ素子を備えたアクティブマトリックス（以下、Ａ
Ｍという）基板表面を覆う如く設けた絶縁膜を介してア
クティブ素子と、表示電極を接続したＡＭ基板とこのＡ
Ｍ基板を具備した反射型の液晶表示装置（以下、ＬＣＤ
という）に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＬＣＤのモバイル用途への拡大に
伴い、軽量・薄型・低消費電力のディスプレイを求めて
おり、バックライトを必要としない反射型ＬＣＤ、特に
カラー型が注目を集めている。反射型ＬＣＤは既に携帯
情報端末（以下ＰＤＡ：Personal Digital Assistant）
用としてのＳＴＮ−ＬＣＤのものが商品化されており、
薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）方式のＴＦＴ
−ＬＣＤも商品化に向けて、開発が激化している。今
後、多色化・色再現性の改善によって、モバイル用途の
中・小型ＬＣＤだけでなく、現在透過型ＬＣＤが主流で
あるノートＰＣ用途等にも展開が可能となることから、
大型・高精細の反射型ＬＣＤの実現に向けての開発も急
激な進展を見せている。
伴い、軽量・薄型・低消費電力のディスプレイを求めて
おり、バックライトを必要としない反射型ＬＣＤ、特に
カラー型が注目を集めている。反射型ＬＣＤは既に携帯
情報端末（以下ＰＤＡ：Personal Digital Assistant）
用としてのＳＴＮ−ＬＣＤのものが商品化されており、
薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）方式のＴＦＴ
−ＬＣＤも商品化に向けて、開発が激化している。今
後、多色化・色再現性の改善によって、モバイル用途の
中・小型ＬＣＤだけでなく、現在透過型ＬＣＤが主流で
あるノートＰＣ用途等にも展開が可能となることから、
大型・高精細の反射型ＬＣＤの実現に向けての開発も急
激な進展を見せている。
【０００３】図３は従来のアクティブ素子としてＴＦＴ
を用いた反射型ＡＭ基板の断面構造図である。ガラス基
板等の絶縁性基板１に走査線であるゲート線電極２、ゲ
ート絶縁膜である窒化シリコン（ＳiＮx)膜３、半導体
膜４、信号線であるソース線電極５及びドレイン電極６
を順次に形成することにより、アクティブ素子であるＴ
ＦＴとゲート線及びソース線のアドレス配線をマトリッ
クス状に形成し、この表面を覆うが如く絶縁膜７を形成
し、ＴＦＴと接続するためのコンタクト穴１５を介して
絶縁膜７上に反射電極８を設けたものである。また、こ
のＡＭ基板上に対向電極９、ブラックマトリックス(以
下、ＢＭという)１０、カラーフィルタ(以下、ＣＦとい
う)１１を形成した対向基板の間に配向膜１２を介して
液晶１３を挟持することによって、反射型ＬＣＤは構成
されている。
を用いた反射型ＡＭ基板の断面構造図である。ガラス基
板等の絶縁性基板１に走査線であるゲート線電極２、ゲ
ート絶縁膜である窒化シリコン（ＳiＮx)膜３、半導体
膜４、信号線であるソース線電極５及びドレイン電極６
を順次に形成することにより、アクティブ素子であるＴ
ＦＴとゲート線及びソース線のアドレス配線をマトリッ
クス状に形成し、この表面を覆うが如く絶縁膜７を形成
し、ＴＦＴと接続するためのコンタクト穴１５を介して
絶縁膜７上に反射電極８を設けたものである。また、こ
のＡＭ基板上に対向電極９、ブラックマトリックス(以
下、ＢＭという)１０、カラーフィルタ(以下、ＣＦとい
う)１１を形成した対向基板の間に配向膜１２を介して
液晶１３を挟持することによって、反射型ＬＣＤは構成
されている。
【０００４】上記のようなＡＭ基板の構成により、アド
レス配線と反射電極とは別平面に分離され、双方が近接
したとしても、短絡することが無くなる。また、積極的
に反射電極をアドレス配線にオーバーラップするような
構成が可能になり、反射電極によりアドレス配線を電気
的に遮蔽することもできるため、アドレス配線の電界に
よる表示異常に関しても抑制されることになり、先の近
接配置が可能となる事と相俟って開口率の阻害要因を解
消することができ、飛躍的に有効表示領域の向上が図れ
ることになる。また、ＡＭ基板表面に有する各種の段差
が絶縁膜によって平坦化されるために、段差に起因する
散乱が無くなるため、反射効率の損失が大幅に軽減され
ることになる。
レス配線と反射電極とは別平面に分離され、双方が近接
したとしても、短絡することが無くなる。また、積極的
に反射電極をアドレス配線にオーバーラップするような
構成が可能になり、反射電極によりアドレス配線を電気
的に遮蔽することもできるため、アドレス配線の電界に
よる表示異常に関しても抑制されることになり、先の近
接配置が可能となる事と相俟って開口率の阻害要因を解
消することができ、飛躍的に有効表示領域の向上が図れ
ることになる。また、ＡＭ基板表面に有する各種の段差
が絶縁膜によって平坦化されるために、段差に起因する
散乱が無くなるため、反射効率の損失が大幅に軽減され
ることになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このような従来のＡＭ
基板及びそれを用いたＬＣＤでは、高い反射率を得るた
めに前述のようにＡｌ膜を用いているが、Ａｌ膜はＡＭ
基板作成する工程中の様々な熱処理履歴を受け、ヒロッ
クやボイド等の表面形状変化を引き起こすため、反射電
極の反射率を著しく低下させることになる。
基板及びそれを用いたＬＣＤでは、高い反射率を得るた
めに前述のようにＡｌ膜を用いているが、Ａｌ膜はＡＭ
基板作成する工程中の様々な熱処理履歴を受け、ヒロッ
クやボイド等の表面形状変化を引き起こすため、反射電
極の反射率を著しく低下させることになる。
【０００６】また、パネルの大型化・高精細度化に対し
て、信号遅延の問題が発生するために、信号線等のアド
レス配線の低抵抗化が必要となり、比抵抗の低い金属材
料を用いる必要がある。比抵抗が低く、加工等が容易な
ことから、通常アドレス配線やアクティブ素子であるＴ
ＦＴの信号線５としてのソース線電極及びドレイン電極
６等にはＡｌ膜が用いられるが、ＴＦＴ作成工程中に表
面が酸化されるため反射電極８のＡｌ膜とのコンタクト
が難しくなる。これを改善するために、別のコンタクト
層を設ける必要があり、ＡＭ基板を作成する工程が複雑
になり、歩留まりの低下及びコストの増大を招くという
問題を有していた。
て、信号遅延の問題が発生するために、信号線等のアド
レス配線の低抵抗化が必要となり、比抵抗の低い金属材
料を用いる必要がある。比抵抗が低く、加工等が容易な
ことから、通常アドレス配線やアクティブ素子であるＴ
ＦＴの信号線５としてのソース線電極及びドレイン電極
６等にはＡｌ膜が用いられるが、ＴＦＴ作成工程中に表
面が酸化されるため反射電極８のＡｌ膜とのコンタクト
が難しくなる。これを改善するために、別のコンタクト
層を設ける必要があり、ＡＭ基板を作成する工程が複雑
になり、歩留まりの低下及びコストの増大を招くという
問題を有していた。
【０００７】この問題を解決するために、反射電極の反
射率の低下を防ぎ、且つＡＭ基板の作成工程を複雑化す
ることなく、大型化・高精細度化に対応し得るＡＭ基板
の構成が必要となる。
射率の低下を防ぎ、且つＡＭ基板の作成工程を複雑化す
ることなく、大型化・高精細度化に対応し得るＡＭ基板
の構成が必要となる。
【０００８】本発明は比較的簡単な構成で、ＡＭ基板の
作成工程を複雑にすることなく、反射電極の反射率の低
下が解消されることから、大型化・高精細度化に対応し
得る視認性の高い良好な表示性能を、安価に実現できる
反射型用のＡＭ基板及びＬＣＤを提供することを目的と
している。
作成工程を複雑にすることなく、反射電極の反射率の低
下が解消されることから、大型化・高精細度化に対応し
得る視認性の高い良好な表示性能を、安価に実現できる
反射型用のＡＭ基板及びＬＣＤを提供することを目的と
している。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題を解決
し目的を達成するため、ＡＭ基板及びＬＣＤの構造に関
して、反射電極として上層にＡｌ膜又はＡｌ合金膜、下
層にＴｉ膜，Ｍｏ膜又は各々の合金膜を含む積層構造に
したものである。
し目的を達成するため、ＡＭ基板及びＬＣＤの構造に関
して、反射電極として上層にＡｌ膜又はＡｌ合金膜、下
層にＴｉ膜，Ｍｏ膜又は各々の合金膜を含む積層構造に
したものである。
【００１０】すなわち、本発明は、アクティブ素子及び
アドレス配線をマトリックス状に具備した基板表面に絶
縁膜を形成し、この絶縁膜にアクティブ素子を接続する
ためのコンタクト穴を形成し、このコンタクト穴を被覆
し、且つアクティブ素子と接続するように反射電極を形
成したアクティブマトリックス基板であって、反射電極
として上層にＡｌ膜又はＡｌ合金膜、下層にＴｉ膜，Ｍ
ｏ膜又は各々の合金膜を含む積層構造にすることによっ
て、ＡＭ基板の作成工程を複雑にすることなく、反射電
極の反射率の低下が解消されることから、大型化・高精
細度化に対応し得る視認性の高い良好な表示性能を有す
る反射型用のＡＭ基板及びＬＣＤを安価に実現できると
いう作用を有する。
アドレス配線をマトリックス状に具備した基板表面に絶
縁膜を形成し、この絶縁膜にアクティブ素子を接続する
ためのコンタクト穴を形成し、このコンタクト穴を被覆
し、且つアクティブ素子と接続するように反射電極を形
成したアクティブマトリックス基板であって、反射電極
として上層にＡｌ膜又はＡｌ合金膜、下層にＴｉ膜，Ｍ
ｏ膜又は各々の合金膜を含む積層構造にすることによっ
て、ＡＭ基板の作成工程を複雑にすることなく、反射電
極の反射率の低下が解消されることから、大型化・高精
細度化に対応し得る視認性の高い良好な表示性能を有す
る反射型用のＡＭ基板及びＬＣＤを安価に実現できると
いう作用を有する。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図１
及び図２を用いて説明する。
及び図２を用いて説明する。
【００１２】図１は本発明の実施の形態におけるアクテ
ィブ素子としてＴＦＴを用いたＡＭ基板の断面構造図で
ある。図１において、図３と同等もしくは相当部分には
同一符号を付して、詳細な説明は省略する。ここで、ド
レイン電極６をＡｌ膜，Ｔｉ膜及びＭｏ膜のうち、少な
くともＡｌ膜を含み材料にて形成したＴＦＴ及びアドレ
ス配線がマトリックス状に形成されたＡＭ基板の表面を
覆うが如く絶縁膜７を形成し、ＴＦＴと接続するための
コンタクト穴１５を介して絶縁膜７上に、上層にＡｌ膜
又はＡｌ合金膜、下層にＴｉ膜，Ｍｏ膜又は各々の合金
膜１４の少なくとも１つの膜を積層構造にした反射電極
８を設けた構造となっている。
ィブ素子としてＴＦＴを用いたＡＭ基板の断面構造図で
ある。図１において、図３と同等もしくは相当部分には
同一符号を付して、詳細な説明は省略する。ここで、ド
レイン電極６をＡｌ膜，Ｔｉ膜及びＭｏ膜のうち、少な
くともＡｌ膜を含み材料にて形成したＴＦＴ及びアドレ
ス配線がマトリックス状に形成されたＡＭ基板の表面を
覆うが如く絶縁膜７を形成し、ＴＦＴと接続するための
コンタクト穴１５を介して絶縁膜７上に、上層にＡｌ膜
又はＡｌ合金膜、下層にＴｉ膜，Ｍｏ膜又は各々の合金
膜１４の少なくとも１つの膜を積層構造にした反射電極
８を設けた構造となっている。
【００１３】Ａｌ膜の熱処理温度とヒロック数の関係に
関して、下地膜依存性を検討した結果を図２に示す。熱
処理温度としては、フォトリソグラフィ工程で用いられ
る１５０℃で行った。図２（１）のＡｌ膜を下地にＴｉ
膜（２）やＭｏ膜（３）が有る場合にはヒロックの発生
が抑制される結果が得られた。一般的にはＡｌ膜は不純
物の混入や結晶性の悪さにより、ＴＦＴ作成工程の熱履
歴の影響を受けて、ヒロックやボイド等の表面形状変化
が発生するために、反射率が大幅に低下する。
関して、下地膜依存性を検討した結果を図２に示す。熱
処理温度としては、フォトリソグラフィ工程で用いられ
る１５０℃で行った。図２（１）のＡｌ膜を下地にＴｉ
膜（２）やＭｏ膜（３）が有る場合にはヒロックの発生
が抑制される結果が得られた。一般的にはＡｌ膜は不純
物の混入や結晶性の悪さにより、ＴＦＴ作成工程の熱履
歴の影響を受けて、ヒロックやボイド等の表面形状変化
が発生するために、反射率が大幅に低下する。
【００１４】また、不純物の低減に関しては、超高真空
下で成膜する必要があるが、大型化が急進するＬＣＤ用
の成膜装置では未だ実現は難しく、且つ実現したとして
も装置的には非常に高価なものとなってしまい、大幅な
コストの増加となることから、実用化は難しいものと考
える。
下で成膜する必要があるが、大型化が急進するＬＣＤ用
の成膜装置では未だ実現は難しく、且つ実現したとして
も装置的には非常に高価なものとなってしまい、大幅な
コストの増加となることから、実用化は難しいものと考
える。
【００１５】また、結晶性に関しても、現在実用化して
いるＬＣＤ用の成膜装置レベルではＡｌ膜の単純なる成
膜条件の改善だけでは大幅な効果を見込めない状況にあ
る。
いるＬＣＤ用の成膜装置レベルではＡｌ膜の単純なる成
膜条件の改善だけでは大幅な効果を見込めない状況にあ
る。
【００１６】前述の実験結果では、Ｔｉ膜やＭｏ膜のゲ
ッタリング効果によって、不純物の影響が低減され、Ａ
ｌ膜の耐熱性が大幅に向上したものと考えられる。ま
た、Ａｌ／Ｔｉ膜構成の方がＡｌ／Ｍｏ膜構成より耐熱
性が良好なのは、Ｔｉ膜のゲッタリング作用が大きいこ
とに起因しているものと考えられる。尚、Ｘ線回折の評
価結果では、下地にＴｉ膜やＭｏ膜がある方が無いもの
より、半値幅が小さく成ることから、結晶性に関しても
改善効果も認められた。
ッタリング効果によって、不純物の影響が低減され、Ａ
ｌ膜の耐熱性が大幅に向上したものと考えられる。ま
た、Ａｌ／Ｔｉ膜構成の方がＡｌ／Ｍｏ膜構成より耐熱
性が良好なのは、Ｔｉ膜のゲッタリング作用が大きいこ
とに起因しているものと考えられる。尚、Ｘ線回折の評
価結果では、下地にＴｉ膜やＭｏ膜がある方が無いもの
より、半値幅が小さく成ることから、結晶性に関しても
改善効果も認められた。
【００１７】以上、反射電極の上層としてＡｌ膜の場合
について述べてきたが、例えばＡｌＺｒ，ＡｌＮｄ，Ａ
ｌＹ等のＡｌ合金膜を用いるとＴＦＴ作成工程の影響に
よる表面形状変化を更に抑制することができる。また、
反射電極の下層にＴｉ及びＭｏをベースとした合金膜
（例えばＴｉＳｉ，ＭｏＳｉ，ＭｏＷ等）を用いても、
ベース金属の性質であるゲッタリング効果を有すること
から同様な効果を得ることができる。
について述べてきたが、例えばＡｌＺｒ，ＡｌＮｄ，Ａ
ｌＹ等のＡｌ合金膜を用いるとＴＦＴ作成工程の影響に
よる表面形状変化を更に抑制することができる。また、
反射電極の下層にＴｉ及びＭｏをベースとした合金膜
（例えばＴｉＳｉ，ＭｏＳｉ，ＭｏＷ等）を用いても、
ベース金属の性質であるゲッタリング効果を有すること
から同様な効果を得ることができる。
【００１８】上記のようなＡＭ基板の構成により、高価
な成膜装置を用いることなく、且つＡＭ基板の作成工程
を複雑にすることなく、反射電極の反射率の低下が解消
されることから、大型化・高精細度化に対応し得る視認
性の高い良好な表示性能が得られる。
な成膜装置を用いることなく、且つＡＭ基板の作成工程
を複雑にすることなく、反射電極の反射率の低下が解消
されることから、大型化・高精細度化に対応し得る視認
性の高い良好な表示性能が得られる。
【００１９】また、反射電極に下層にゲッタリング効果
のある金属を設けたことでドレイン電極の最上層にＡｌ
膜を形成した場合にも、十分なるコンタクト特性を得る
ことが出来る。ドレイン電極の膜構成としてはＡｌ膜に
限定されるものではない。但し、近年の大型化・高精細
度化に対応するために低抵抗なアドレス配線が必要なこ
とから、Ａｌ膜又はＡｌ合金膜を前提とすることが望ま
しい。さらに、ドレイン電極としては少なくともＡｌ膜
又はＡｌ合金膜を含み、上層としてＴｉ膜，Ｍｏ膜又は
各々の合金膜との積層構成を取ることにより、前述のコ
ンタクト特性は更に改善される事になる。
のある金属を設けたことでドレイン電極の最上層にＡｌ
膜を形成した場合にも、十分なるコンタクト特性を得る
ことが出来る。ドレイン電極の膜構成としてはＡｌ膜に
限定されるものではない。但し、近年の大型化・高精細
度化に対応するために低抵抗なアドレス配線が必要なこ
とから、Ａｌ膜又はＡｌ合金膜を前提とすることが望ま
しい。さらに、ドレイン電極としては少なくともＡｌ膜
又はＡｌ合金膜を含み、上層としてＴｉ膜，Ｍｏ膜又は
各々の合金膜との積層構成を取ることにより、前述のコ
ンタクト特性は更に改善される事になる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
比較的簡易な構成によって、ＡＭ基板の作成工程を複雑
にすることなく、反射電極の反射率の低下が解消される
ことから、大型化・高精細度化に対応し得る視認性の高
い良好な表示性能を、安価に実現できる。
比較的簡易な構成によって、ＡＭ基板の作成工程を複雑
にすることなく、反射電極の反射率の低下が解消される
ことから、大型化・高精細度化に対応し得る視認性の高
い良好な表示性能を、安価に実現できる。
【図１】本発明の実施の形態におけるアクティブ素子と
してＴＦＴを用いたＡＭ基板の断面構造図
してＴＦＴを用いたＡＭ基板の断面構造図
【図２】本発明の実施の形態における耐熱性試験でのＡ
ｌ膜表面状態図
ｌ膜表面状態図
【図３】従来の薄膜トランジスタを用いた反射型ＡＭ基
板の断面構造図
板の断面構造図
１ 絶縁性基板 ２ 走査線（ゲート線電極） ３ ゲート絶縁膜（ＳiＮx膜） ４ 半導体膜 ５ 信号線（ソース線電極） ６ ドレイン電極 ７ 絶縁膜 ８ 反射電極 ９ 対向電極 １０ ブラックマトリックス １１ カラーフィルタ １２ 配向膜 １３ 液晶 １４ Ｔｉ膜，Ｍｏ膜又は各々の合金膜 １５ コンタクト穴
Claims (2)
- 【請求項１】 アクティブ素子及びアドレス配線をマト
リックス状に具備した基板表面に絶縁膜を形成し、この
絶縁膜にアクティブ素子と接続をするためのコンタクト
穴を形成し、このコンタクト穴を被覆し、且つアクティ
ブ素子と接続するように反射電極を形成したアクティブ
マトリックス基板であって、前記反射電極として上層に
Ａｌ膜又はＡｌ合金膜、下層にＴｉ膜，Ｍｏ膜又は各々
の合金膜を含む積層構造にしたことを特徴とするアクテ
ィブマトリックス基板。 - 【請求項２】 アクティブ素子及びアドレス配線をマト
リックス状に具備した基板表面に絶縁膜を形成し、この
絶縁膜にアクティブ素子と接続をするためのコンタクト
穴を形成し、このコンタクト穴を被覆し、且つアクティ
ブ素子と接続するように反射電極を形成したアクティブ
マトリックス基板であって、前記反射電極として上層に
又はＡｌ合金膜、下層にＴｉ膜，Ｍｏ膜又は各々の合金
膜を含む積層構造にしたアクティブマトリックス基板を
用いたことを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4386398A JPH11242240A (ja) | 1998-02-25 | 1998-02-25 | アクティブマトリックス基板及びそれを用いた液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4386398A JPH11242240A (ja) | 1998-02-25 | 1998-02-25 | アクティブマトリックス基板及びそれを用いた液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11242240A true JPH11242240A (ja) | 1999-09-07 |
Family
ID=12675547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4386398A Pending JPH11242240A (ja) | 1998-02-25 | 1998-02-25 | アクティブマトリックス基板及びそれを用いた液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11242240A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100355866B1 (ko) * | 1999-12-31 | 2002-10-12 | 아남반도체 주식회사 | 반사형 마이크로 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법 |
| JP2002372720A (ja) * | 2001-06-15 | 2002-12-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置及びそれを備えた画像表示応用装置、並びに液晶表示装置の製造方法 |
| KR100476611B1 (ko) * | 2000-01-26 | 2005-03-17 | 샤프 가부시키가이샤 | 액정표시장치, 배선기판 및 이들의 제조방법 |
| JP2009069852A (ja) * | 2001-11-02 | 2009-04-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 反射−透過型液晶表示装置の製造方法 |
| US7903209B2 (en) | 2001-11-02 | 2011-03-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Reflection-transmission type liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
-
1998
- 1998-02-25 JP JP4386398A patent/JPH11242240A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100355866B1 (ko) * | 1999-12-31 | 2002-10-12 | 아남반도체 주식회사 | 반사형 마이크로 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법 |
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| US7652735B2 (en) | 2001-11-02 | 2010-01-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Reflection-transmission type liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
| US7903209B2 (en) | 2001-11-02 | 2011-03-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Reflection-transmission type liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
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