JP2002313760A - 化学機械的研磨スラリー、化学機械的研磨方法及びこれを採用する浅いトレンチ素子分離方法 - Google Patents
化学機械的研磨スラリー、化学機械的研磨方法及びこれを採用する浅いトレンチ素子分離方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 化学機械的研磨スラリー、化学機械的研磨方
法及びこれを採用する浅いトレンチ素子分離方法を提供
する。 【解決手段】 化学機械的な研磨酸化物スラリーは研磨
粒子と二つまたはそれ以上の相異なるパッシベーション
剤を含む水溶液とよりなる。望ましくは、水溶液は脱イ
オン水を含んでなり、研磨粒子はセリア、シリカ、アル
ミナ、チタニア、ジルコニア及びゲルマニアを含んでな
る一群から選択された金属酸化物である。第１パッシベ
ーション剤は陰イオン性、陽イオン性、または非イオン
性界面活性剤でありえ、第２パッシベーション剤はフタ
リック酸及びその塩でありうる。例えば、第１パッシベ
ーション剤はポリ-ビニールスルホン酸であり、第２パ
ッシベーション剤はポタシウムハイドロジェンフタレー
トである。このようなスラリーは高いシリコン窒化膜に
対する酸化物の除去選択比を示す。
法及びこれを採用する浅いトレンチ素子分離方法を提供
する。 【解決手段】 化学機械的な研磨酸化物スラリーは研磨
粒子と二つまたはそれ以上の相異なるパッシベーション
剤を含む水溶液とよりなる。望ましくは、水溶液は脱イ
オン水を含んでなり、研磨粒子はセリア、シリカ、アル
ミナ、チタニア、ジルコニア及びゲルマニアを含んでな
る一群から選択された金属酸化物である。第１パッシベ
ーション剤は陰イオン性、陽イオン性、または非イオン
性界面活性剤でありえ、第２パッシベーション剤はフタ
リック酸及びその塩でありうる。例えば、第１パッシベ
ーション剤はポリ-ビニールスルホン酸であり、第２パ
ッシベーション剤はポタシウムハイドロジェンフタレー
トである。このようなスラリーは高いシリコン窒化膜に
対する酸化物の除去選択比を示す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は超小型半導体素子を
製造する化学機械的研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanica
l Polishing Slurry）に係り、特に、ＣＭＰスラリー及
びこのＣＭＰスラリーを採用する半導体素子の製造方法
に関する。
製造する化学機械的研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanica
l Polishing Slurry）に係り、特に、ＣＭＰスラリー及
びこのＣＭＰスラリーを採用する半導体素子の製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】超小型半導体素子の集積度が高くなるに
伴い、このような素子を製造するのに用いられる平坦化
工程が一層重要になりつつある。一般に、高集積化した
半導体素子を得ようとする努力の一環として、半導体ウ
ェーハ上に多重連結配線及び複数の層を積層する工程が
行われている。これらの工程が行われた後に生じるウェ
ーハ表面の不均一性は極めて多くの問題点を引き起こし
ており、また、これらの問題は広く知られている。した
がって、ウェーハ表面における不均一性を最小化するた
めに、平坦化技術が各種の製造工程段階に採用されてい
る。
伴い、このような素子を製造するのに用いられる平坦化
工程が一層重要になりつつある。一般に、高集積化した
半導体素子を得ようとする努力の一環として、半導体ウ
ェーハ上に多重連結配線及び複数の層を積層する工程が
行われている。これらの工程が行われた後に生じるウェ
ーハ表面の不均一性は極めて多くの問題点を引き起こし
ており、また、これらの問題は広く知られている。した
がって、ウェーハ表面における不均一性を最小化するた
めに、平坦化技術が各種の製造工程段階に採用されてい
る。
【０００３】このような平坦化技術の一つは、化学機械
的な研磨（ＭＣＰ）である。ＣＭＰ中に、ウェーハの表
面は、相対的に回転する研磨パッドに突き合わせられて
押される。研磨中に、研磨剤及びＣＭＰスラリーとして
知られた化学的な反応溶液は研磨パッドに流れる。この
ようなＣＭＰ技術は化学的及び物理的な作用によりウェ
ーハの表面を平坦化させる。すなわち、このようなＣＭ
Ｐ技術は相対的に回転する研磨パッドの表面をウェーハ
表面に突き合わせて押さえ、これと同時に、化学的な反
応スラリーをパターンの形成されたウェーハの表面に供
給することによりウェーハ表面を平坦化させる。
的な研磨（ＭＣＰ）である。ＣＭＰ中に、ウェーハの表
面は、相対的に回転する研磨パッドに突き合わせられて
押される。研磨中に、研磨剤及びＣＭＰスラリーとして
知られた化学的な反応溶液は研磨パッドに流れる。この
ようなＣＭＰ技術は化学的及び物理的な作用によりウェ
ーハの表面を平坦化させる。すなわち、このようなＣＭ
Ｐ技術は相対的に回転する研磨パッドの表面をウェーハ
表面に突き合わせて押さえ、これと同時に、化学的な反
応スラリーをパターンの形成されたウェーハの表面に供
給することによりウェーハ表面を平坦化させる。
【０００４】図１は、半導体素子を製造するのに用いら
れるＣＭＰ装置の典型的な例を示した概略図である。示
されたように、ＣＭＰ装置は、研磨ヘッド１０２と、研
磨テーブル１０４と、スラリー供給管１０６及び研磨パ
ッド１０８を含む。ＣＭＰ工程は研磨テーブル１０４上
で行われ、研磨テーブル１０４はその上に形成された研
磨パッド１０８を有する。スラリーがスラリー供給管１
０６から供給される間に、研磨ヘッド１０２が基板１０
０を研磨パッド１０８に押さえつつ、これと同時に回転
して研磨が行われる。
れるＣＭＰ装置の典型的な例を示した概略図である。示
されたように、ＣＭＰ装置は、研磨ヘッド１０２と、研
磨テーブル１０４と、スラリー供給管１０６及び研磨パ
ッド１０８を含む。ＣＭＰ工程は研磨テーブル１０４上
で行われ、研磨テーブル１０４はその上に形成された研
磨パッド１０８を有する。スラリーがスラリー供給管１
０６から供給される間に、研磨ヘッド１０２が基板１０
０を研磨パッド１０８に押さえつつ、これと同時に回転
して研磨が行われる。
【０００５】ＣＭＰ工程を適用する通常の例の一つが、
浅いトレンチ素子分離（Ｓhallow Trench Isolation、
以下、ＳＴＩ）である。ＳＴＩ技術では相対的に浅い素
子分離トレンチが形成され、これらのトレンチはウェー
ハ上で活性領域を分離させるフィールド領域を形成する
のに用いられる。ＳＴＩ工程の典型的な例が図２Ａない
し図２Ｄに示されている。このような工程において、パ
ッド酸化膜２０２及びシリコン窒化膜（ＳｉＮ）エッチ
ング終了層２０４が半導体基板２００上に順次積層され
る。次に、フォトレジストパターン（図示せず）がＳｉ
Ｎエッチング終了層２０４上に形成される。次に、図２
Ａに示されたように、フォトレジストパターンをマスク
としてＳｉＮエッチング終了層２０４、パッド酸化膜２
０２及び半導体基板２００が部分的にエッチングされて
多数のトレンチ２０６を形成する。次に、図２Ｂに示さ
れたように、フィールド領域を形成するためにトレンチ
２０６を充填し、ＳｉＮエッチング終了層２０４の表面
を覆うように絶縁酸化膜２０８を蒸着する。
浅いトレンチ素子分離（Ｓhallow Trench Isolation、
以下、ＳＴＩ）である。ＳＴＩ技術では相対的に浅い素
子分離トレンチが形成され、これらのトレンチはウェー
ハ上で活性領域を分離させるフィールド領域を形成する
のに用いられる。ＳＴＩ工程の典型的な例が図２Ａない
し図２Ｄに示されている。このような工程において、パ
ッド酸化膜２０２及びシリコン窒化膜（ＳｉＮ）エッチ
ング終了層２０４が半導体基板２００上に順次積層され
る。次に、フォトレジストパターン（図示せず）がＳｉ
Ｎエッチング終了層２０４上に形成される。次に、図２
Ａに示されたように、フォトレジストパターンをマスク
としてＳｉＮエッチング終了層２０４、パッド酸化膜２
０２及び半導体基板２００が部分的にエッチングされて
多数のトレンチ２０６を形成する。次に、図２Ｂに示さ
れたように、フィールド領域を形成するためにトレンチ
２０６を充填し、ＳｉＮエッチング終了層２０４の表面
を覆うように絶縁酸化膜２０８を蒸着する。
【０００６】次に、前記ＳｉＮエッチング終了層２０４
が露出されるまで絶縁酸化膜２０８がＣＭＰされる。結
果的に、図２Ｃの形状が得られる。次に、活性領域上の
ＳｉＮ終了層２０４及びパッド酸化膜２０２はエッチン
グ工程を通じて除去される。次に、ゲート酸化膜２１０
が、図２Ｄに示されたように、半導体基板２００の表面
上に形成される。
が露出されるまで絶縁酸化膜２０８がＣＭＰされる。結
果的に、図２Ｃの形状が得られる。次に、活性領域上の
ＳｉＮ終了層２０４及びパッド酸化膜２０２はエッチン
グ工程を通じて除去される。次に、ゲート酸化膜２１０
が、図２Ｄに示されたように、半導体基板２００の表面
上に形成される。
【０００７】前述したＣＭＰ工程である前記絶縁酸化膜
２０８を除去する過程において、前記絶縁酸化膜２０８
及びＳｉＮエッチング終了層２０４の化学的及び物理的
な特性の差のために、これらの層は相異なる除去速度を
示す。
２０８を除去する過程において、前記絶縁酸化膜２０８
及びＳｉＮエッチング終了層２０４の化学的及び物理的
な特性の差のために、これらの層は相異なる除去速度を
示す。
【０００８】このような除去速度の比はスラリーの“除
去選択比”として示される。スラリーの除去選択比が低
くなるほど、ＳｉＮエッチング終了層２０４の除去量は
多くなる。理想的には、前記ＳｉＮエッチング終了層２
０４は除去されてはいけない。すなわち、絶縁酸化膜２
０８に対するＳｉＮエッチング終了層２０４の除去選択
比は無限である必要がある。それにも拘わらず、現在用
いられるＣＭＰスラリーの絶縁酸化膜２０８に対するＳ
ｉＮエッチング終了層２０４の除去選択比は約４:１で
低いため、実際の工程において、ＳｉＮエッチング終了
層２０４がエッチング許容範囲以上に研磨されている。
結果的に、ＳｉＮエッチング終了層２０４パターンはＣ
ＭＰ工程中にウェーハの部位別に均一に除去されない場
合があるため、ウェーハ全体に亘ってＳｉＮエッチング
終了層２０４の厚さの変化幅が極めて大きくならざるを
得ない。これは、半導体基板の表面が高密度のパターン
と低密度のパターンとを合わせ持つ場合に特に問題にな
りうる。このような問題のため、フィールド領域の形成
された最終構造は前記活性領域とフィールド領域との段
差を引き起こす。これは後続する素子製造工程のマージ
ンを減少させ、結果的にトランジスタ及び素子の特性を
劣化させる。したがって、ＳｉＮエッチング終了層２０
４パターンはＣＭＰにより酸化膜を除去した後にも均一
な厚さを有することが望ましい。それにも拘わらず、現
在のＣＭＰスラリーは酸化膜とＳｉＮ層との間に十分な
除去選択比を具現できないため、ＣＭＰ後に均一な厚さ
のＳｉＮパターンが極めて得られ難い。
去選択比”として示される。スラリーの除去選択比が低
くなるほど、ＳｉＮエッチング終了層２０４の除去量は
多くなる。理想的には、前記ＳｉＮエッチング終了層２
０４は除去されてはいけない。すなわち、絶縁酸化膜２
０８に対するＳｉＮエッチング終了層２０４の除去選択
比は無限である必要がある。それにも拘わらず、現在用
いられるＣＭＰスラリーの絶縁酸化膜２０８に対するＳ
ｉＮエッチング終了層２０４の除去選択比は約４:１で
低いため、実際の工程において、ＳｉＮエッチング終了
層２０４がエッチング許容範囲以上に研磨されている。
結果的に、ＳｉＮエッチング終了層２０４パターンはＣ
ＭＰ工程中にウェーハの部位別に均一に除去されない場
合があるため、ウェーハ全体に亘ってＳｉＮエッチング
終了層２０４の厚さの変化幅が極めて大きくならざるを
得ない。これは、半導体基板の表面が高密度のパターン
と低密度のパターンとを合わせ持つ場合に特に問題にな
りうる。このような問題のため、フィールド領域の形成
された最終構造は前記活性領域とフィールド領域との段
差を引き起こす。これは後続する素子製造工程のマージ
ンを減少させ、結果的にトランジスタ及び素子の特性を
劣化させる。したがって、ＳｉＮエッチング終了層２０
４パターンはＣＭＰにより酸化膜を除去した後にも均一
な厚さを有することが望ましい。それにも拘わらず、現
在のＣＭＰスラリーは酸化膜とＳｉＮ層との間に十分な
除去選択比を具現できないため、ＣＭＰ後に均一な厚さ
のＳｉＮパターンが極めて得られ難い。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する技術的課題は、酸化膜とシリコン窒化膜との間に改
善された除去選択比を示すＣＭＰスラリーを提供すると
ころにある。
する技術的課題は、酸化膜とシリコン窒化膜との間に改
善された除去選択比を示すＣＭＰスラリーを提供すると
ころにある。
【００１０】本発明が解決しようとする他の技術的課題
は、酸化膜とシリコン窒化膜との間に改善された除去選
択比を示すＣＭＰ方法を提供するところにある。
は、酸化膜とシリコン窒化膜との間に改善された除去選
択比を示すＣＭＰ方法を提供するところにある。
【００１１】本発明が解決しようとするさらに他の技術
的課題は、酸化膜とシリコン窒化膜との間に改善された
除去選択比を示すＣＭＰ方法を用いるＳＴＩ方法を提供
するところにある。
的課題は、酸化膜とシリコン窒化膜との間に改善された
除去選択比を示すＣＭＰ方法を用いるＳＴＩ方法を提供
するところにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の一観点によれば、研磨粒子と、二つまたは
それ以上の相異なるパッシベーション剤とを含むＣＭＰ
スラリーが提供される。望ましくは、水溶液は脱イオン
水を含んでなり、研磨粒子はセリア、シリカ、アルミ
ナ、チタニア、ジルコニア及びゲルマニアを含んでなる
一群から選ばれた金属酸化物である。また、第１パッシ
ベーション剤は陰イオン性、陽イオン性、または非イオ
ン性界面活性剤を含み、第２パッシベーション剤はフタ
ル酸を含む。例えば、第１パッシベーション剤はポリ-
ビニールスルホン酸であり、第２パッシベーション剤は
ポタシウムハイドロジェンフタレートである。
に、本発明の一観点によれば、研磨粒子と、二つまたは
それ以上の相異なるパッシベーション剤とを含むＣＭＰ
スラリーが提供される。望ましくは、水溶液は脱イオン
水を含んでなり、研磨粒子はセリア、シリカ、アルミ
ナ、チタニア、ジルコニア及びゲルマニアを含んでなる
一群から選ばれた金属酸化物である。また、第１パッシ
ベーション剤は陰イオン性、陽イオン性、または非イオ
ン性界面活性剤を含み、第２パッシベーション剤はフタ
ル酸を含む。例えば、第１パッシベーション剤はポリ-
ビニールスルホン酸であり、第２パッシベーション剤は
ポタシウムハイドロジェンフタレートである。
【００１３】ＣＭＰスラリーを形成する水溶液はアンモ
ニウムジハイドロジェンフォスフェートなどの除去速度
加速剤をさらに含みうる。また、前記水溶液のｐＨを調
節するためのｐＨ調節剤をさらに含みうる。
ニウムジハイドロジェンフォスフェートなどの除去速度
加速剤をさらに含みうる。また、前記水溶液のｐＨを調
節するためのｐＨ調節剤をさらに含みうる。
【００１４】前記技術的課題を達成するために、本発明
の他の観点によれば、半導体ウェーハの表面を研磨パッ
ドの表面と接触させ、研磨粒子と相異なる第１及び第２
パッシベーション剤とを含む水溶液を前記研磨パッドの
表面と前記半導体ウェーハの表面と間の界面に供給し、
前記半導体ウェーハの表面を前記研磨パッドの表面に対
して回転させることを含む化学機械的研磨方法が提供さ
れる。
の他の観点によれば、半導体ウェーハの表面を研磨パッ
ドの表面と接触させ、研磨粒子と相異なる第１及び第２
パッシベーション剤とを含む水溶液を前記研磨パッドの
表面と前記半導体ウェーハの表面と間の界面に供給し、
前記半導体ウェーハの表面を前記研磨パッドの表面に対
して回転させることを含む化学機械的研磨方法が提供さ
れる。
【００１５】前記技術的課題を達成するために、本発明
のさらに他の観点によれば、半導体基板の表面を覆うパ
ッド酸化膜及びシリコン窒化膜を順次形成し、前記シリ
コン窒化膜及び前記パッド酸化膜を貫通して前記半導体
基板内に延びる多数のトレンチを形成し、前記多数のト
レンチ内に、そして前記シリコン窒化膜上に絶縁酸化膜
を形成し、前記絶縁酸化膜を除去して前記シリコン窒化
膜の表面が露出されるように前記絶縁酸化膜に化学機械
的研磨を行い、次に、前記パッド酸化膜及び前記シリコ
ン窒化膜を除去するＳＴＩ形成方法が提供される。前記
ＳＴＩ形成方法において、前記ＣＭＰ工程は前記絶縁酸
化膜の表面を研磨パッドの表面と接触させ、研磨粒子と
相異なる第１及び第２パッシベーション剤とを含む水溶
液を前記研磨パッドの表面と前記絶縁酸化膜の表面との
間の界面に供給し、前記半導体ウェーハの表面を前記研
磨パッドの表面に対して回転させる段階を含む。
のさらに他の観点によれば、半導体基板の表面を覆うパ
ッド酸化膜及びシリコン窒化膜を順次形成し、前記シリ
コン窒化膜及び前記パッド酸化膜を貫通して前記半導体
基板内に延びる多数のトレンチを形成し、前記多数のト
レンチ内に、そして前記シリコン窒化膜上に絶縁酸化膜
を形成し、前記絶縁酸化膜を除去して前記シリコン窒化
膜の表面が露出されるように前記絶縁酸化膜に化学機械
的研磨を行い、次に、前記パッド酸化膜及び前記シリコ
ン窒化膜を除去するＳＴＩ形成方法が提供される。前記
ＳＴＩ形成方法において、前記ＣＭＰ工程は前記絶縁酸
化膜の表面を研磨パッドの表面と接触させ、研磨粒子と
相異なる第１及び第２パッシベーション剤とを含む水溶
液を前記研磨パッドの表面と前記絶縁酸化膜の表面との
間の界面に供給し、前記半導体ウェーハの表面を前記研
磨パッドの表面に対して回転させる段階を含む。
【００１６】本発明によれば、酸化膜とシリコン窒化膜
との間に改善された除去選択比を示すＣＭＰスラリーを
提供できる。
との間に改善された除去選択比を示すＣＭＰスラリーを
提供できる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施形態を挙げて
詳細に説明する。本発明の化学機械的研磨（ＣＭＰ）ス
ラリーは、例えば、脱イオン水を含む水溶液である。以
下、詳細に説明するが、本発明は、ＣＭＰスラリーの研
磨粒子及び二つ以上の相異なるパッシベーション剤を含
むことにより、シリコン窒化物（ＳｉＮ）に対する酸化
物の高い除去選択比を得ることができる。
詳細に説明する。本発明の化学機械的研磨（ＣＭＰ）ス
ラリーは、例えば、脱イオン水を含む水溶液である。以
下、詳細に説明するが、本発明は、ＣＭＰスラリーの研
磨粒子及び二つ以上の相異なるパッシベーション剤を含
むことにより、シリコン窒化物（ＳｉＮ）に対する酸化
物の高い除去選択比を得ることができる。
【００１８】望ましくは、第１パッシベーション剤は陰
イオン性、陽イオン性、または非イオン性界面活性剤で
あり、第２パッシベーション剤はフタル酸である。ＣＭ
Ｐ工程中に、第１及び第２パッシベーション剤はＳｉＮ
エッチング終了層だけを選択的にパッシベーションし、
これにより、ＳｉＮエッチング終了層のエッチング率が
減少され、その結果、絶縁酸化物に対するＳｉＮエッチ
ング終了層の除去選択比が高くなる。第１パッシベーシ
ョン剤において、陰イオン性界面活性剤はカルボン酸ま
たはその塩、スルホンエステルまたはその塩、スルホン
酸またはその塩、及びリンエステル及びその塩を含んで
なる一群から選択でき、陽イオン性界面活性剤は第１ア
ミンまたはその塩、第２アミンまたはその塩、第３アミ
ンまたはその塩、及び第４アミンまたはその塩を含んで
なる一群から選択でき、非イオン性界面活性剤は、ポリ
エチレングリコール型界面活性剤及びポリヒドロキシア
ルコール型界面活性剤を含んでなる一群から選択でき
る。例えば、第１パッシベーション剤はポリ-ビニール
スルホン酸であり、第２パッシベーション剤はポタシウ
ムハイドロジェンフタレートである。
イオン性、陽イオン性、または非イオン性界面活性剤で
あり、第２パッシベーション剤はフタル酸である。ＣＭ
Ｐ工程中に、第１及び第２パッシベーション剤はＳｉＮ
エッチング終了層だけを選択的にパッシベーションし、
これにより、ＳｉＮエッチング終了層のエッチング率が
減少され、その結果、絶縁酸化物に対するＳｉＮエッチ
ング終了層の除去選択比が高くなる。第１パッシベーシ
ョン剤において、陰イオン性界面活性剤はカルボン酸ま
たはその塩、スルホンエステルまたはその塩、スルホン
酸またはその塩、及びリンエステル及びその塩を含んで
なる一群から選択でき、陽イオン性界面活性剤は第１ア
ミンまたはその塩、第２アミンまたはその塩、第３アミ
ンまたはその塩、及び第４アミンまたはその塩を含んで
なる一群から選択でき、非イオン性界面活性剤は、ポリ
エチレングリコール型界面活性剤及びポリヒドロキシア
ルコール型界面活性剤を含んでなる一群から選択でき
る。例えば、第１パッシベーション剤はポリ-ビニール
スルホン酸であり、第２パッシベーション剤はポタシウ
ムハイドロジェンフタレートである。
【００１９】水溶液における第１パッシベーション剤の
重さ百分率は０．００１-１０ｗｔ％であり、望ましく
は、０．０１-５ｗｔ％である。水溶液における第２パ
ッシベーション剤の重さ百分率は０．００１-１ｗｔ％
であり、望ましくは、０．０２-０．５ｗｔ％である。
重さ百分率は０．００１-１０ｗｔ％であり、望ましく
は、０．０１-５ｗｔ％である。水溶液における第２パ
ッシベーション剤の重さ百分率は０．００１-１ｗｔ％
であり、望ましくは、０．０２-０．５ｗｔ％である。
【００２０】また、ＣＭＰスラリーを形成する水溶液
は、望ましくは、除去速度加速剤を含む。除去速度加速
剤はフォスフェート化合物であって、例えば、アンモニ
ウムジハイドロジェンフォスフェート、ポタシウムジハ
イドロジェンフォスフェート、ビス（２-エチルヘキシ
ル）フォスフェート、２-アミノエチルジハイドロジェ
ンフォスフェート、４-クロロベンゼンジアゾニウムヘ
キサフルオロフォスフェート、ニトロベンゼンジアゾニ
ウムヘキサフルオロフォスフェート、アンモニウムヘキ
サフルオロフォスフェート、ビス（２，４ジクロロフェ
ニル）クロロフォスフェート、ビス（２−エチルヘキシ
ル）ハイドロジェンフォスフェート、ビス（２-エチル
ヘキシル）フォスファイト、カルシウムフルオロフォス
フェート、ジエチルクロロフォスフェート、ジエチルク
ロロチオフォスフェート、ポタシウムヘキサフルオロフ
ォスフェート、ピロリン酸、テトラブチルアンモニウム
ヘキサフルオロフォスフェート、及びテトラエチルアン
モニウムヘキサフルオロフォスフェートを含んでなる一
群から選択されるいずれか一つである。例えば、除去速
度加速剤はアンモニウムハイドロジェンフォスフェート
であり、水溶液におけるアンモニウムハイドロジェンフ
ォスフェートの重さ百分率は０．００１-１０ｗｔ％で
あり、望ましくは、０．０１-１ｗｔ％である。
は、望ましくは、除去速度加速剤を含む。除去速度加速
剤はフォスフェート化合物であって、例えば、アンモニ
ウムジハイドロジェンフォスフェート、ポタシウムジハ
イドロジェンフォスフェート、ビス（２-エチルヘキシ
ル）フォスフェート、２-アミノエチルジハイドロジェ
ンフォスフェート、４-クロロベンゼンジアゾニウムヘ
キサフルオロフォスフェート、ニトロベンゼンジアゾニ
ウムヘキサフルオロフォスフェート、アンモニウムヘキ
サフルオロフォスフェート、ビス（２，４ジクロロフェ
ニル）クロロフォスフェート、ビス（２−エチルヘキシ
ル）ハイドロジェンフォスフェート、ビス（２-エチル
ヘキシル）フォスファイト、カルシウムフルオロフォス
フェート、ジエチルクロロフォスフェート、ジエチルク
ロロチオフォスフェート、ポタシウムヘキサフルオロフ
ォスフェート、ピロリン酸、テトラブチルアンモニウム
ヘキサフルオロフォスフェート、及びテトラエチルアン
モニウムヘキサフルオロフォスフェートを含んでなる一
群から選択されるいずれか一つである。例えば、除去速
度加速剤はアンモニウムハイドロジェンフォスフェート
であり、水溶液におけるアンモニウムハイドロジェンフ
ォスフェートの重さ百分率は０．００１-１０ｗｔ％で
あり、望ましくは、０．０１-１ｗｔ％である。
【００２１】ＣＭＰスラリーを形成する水溶液は、望ま
しくは、ｐＨ調節剤をさらに含む。例えば、水溶液のｐ
Ｈは１〜７であり、望ましくは、２〜６に含まれる値で
ありうる。水溶液はスルホン酸、塩素酸、フォスフォリ
ック酸、硝酸などの酸溶液であるか、あるいはポタシウ
ムヒドロキシド、ナトリウムヒドロキシド、またはアン
モニウムヒドロキシドなどのアルカリ溶液でありうる。
しくは、ｐＨ調節剤をさらに含む。例えば、水溶液のｐ
Ｈは１〜７であり、望ましくは、２〜６に含まれる値で
ありうる。水溶液はスルホン酸、塩素酸、フォスフォリ
ック酸、硝酸などの酸溶液であるか、あるいはポタシウ
ムヒドロキシド、ナトリウムヒドロキシド、またはアン
モニウムヒドロキシドなどのアルカリ溶液でありうる。
【００２２】ＣＭＰスラリーの研磨粒子は、望ましく
は、セリア、シリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア
及びゲルマニアを含んでなる一群から選択された金属酸
化物でありうる。例えば、研磨粒子はセリウム酸化物で
あり、水溶液における研磨粒子の重さ百分率は０．１-
２５ｗｔ％である。
は、セリア、シリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア
及びゲルマニアを含んでなる一群から選択された金属酸
化物でありうる。例えば、研磨粒子はセリウム酸化物で
あり、水溶液における研磨粒子の重さ百分率は０．１-
２５ｗｔ％である。
【００２３】後述するように、本発明のＣＭＰスラリー
は５０：１またはそれ以上のシリコン窒化膜に対する酸
化物の除去選択比を提供できる。
は５０：１またはそれ以上のシリコン窒化膜に対する酸
化物の除去選択比を提供できる。
【００２４】まず、図３は、アンモニウムハイドロジェ
ンフォスフェートなどの除去速度加速剤の効果を示す。
特に、図３は、酸化物スラリーに添加されたアンモニウ
ムハイドロジェンフォスフェートの重さ百分率に対する
酸化物の除去速度（Å／分）の変化を示す。この例にお
いて、スラリーに含まれた研磨剤はセリウム酸化物であ
る。図３から明らかなように、酸化物スラリーにアンモ
ニウムハイドロジェンフォスフェートを添加する場合、
酸化物のＣＭＰ除去速度は大幅に増加する。
ンフォスフェートなどの除去速度加速剤の効果を示す。
特に、図３は、酸化物スラリーに添加されたアンモニウ
ムハイドロジェンフォスフェートの重さ百分率に対する
酸化物の除去速度（Å／分）の変化を示す。この例にお
いて、スラリーに含まれた研磨剤はセリウム酸化物であ
る。図３から明らかなように、酸化物スラリーにアンモ
ニウムハイドロジェンフォスフェートを添加する場合、
酸化物のＣＭＰ除去速度は大幅に増加する。
【００２５】図４は、ＣＭＰスラリーに除去速度加速剤
及び第１パッシベーション剤を添加した場合の除去速度
の変化を示す。特に、図４は、ポリ-ビニールスルホン
酸の重さ百分率の関数としての酸化物（ＰＥＴＥＯＳ）
除去速度及びシリコン窒化膜（ＳｉＮ）除去速度の変化
を示す。ここで、ポリ-ビニールスルホン酸は陰イオン
性界面活性剤であって、酸化物スラリーに第１パッシベ
ーション剤として添加される。この例において、酸化物
スラリーは、図３で上述した除去速度加速剤であるアン
モニウムハイドロジェンフォスフェートを含んでいる。
図４から明らかなように、酸化物除去速度は図３に示さ
れる除去速度に比べてやや増加するが、スラリーのＳｉ
Ｎに対する酸化物の除去選択比はやや減少する。
及び第１パッシベーション剤を添加した場合の除去速度
の変化を示す。特に、図４は、ポリ-ビニールスルホン
酸の重さ百分率の関数としての酸化物（ＰＥＴＥＯＳ）
除去速度及びシリコン窒化膜（ＳｉＮ）除去速度の変化
を示す。ここで、ポリ-ビニールスルホン酸は陰イオン
性界面活性剤であって、酸化物スラリーに第１パッシベ
ーション剤として添加される。この例において、酸化物
スラリーは、図３で上述した除去速度加速剤であるアン
モニウムハイドロジェンフォスフェートを含んでいる。
図４から明らかなように、酸化物除去速度は図３に示さ
れる除去速度に比べてやや増加するが、スラリーのＳｉ
Ｎに対する酸化物の除去選択比はやや減少する。
【００２６】図５は、除去速度加速剤及び第２パッシベ
ーション剤を添加した場合の除去速度の変化を示す。特
に、図５は、酸化物スラリーに第２パッシベーション剤
として添加されるポタシウムハイドロジェンフタレート
の重さ百分率の関数としての酸化物（ＰＥＴＥＯＳ）除
去速度及びシリコン窒化膜（ＳｉＮ）除去速度の変化を
示す。この例において、酸化物スラリーは、図３で述べ
た除去速度加速剤であるアンモニウムハイドロジェンフ
ォスフェートを含んでいる。図５から明らかなように、
酸化物除去速度への実質的な変化はなく、シリコン窒化
膜の除去速度はやや減少する。さらに、ＳｉＮに対する
酸化物の選択比は依然として低く保たれる。
ーション剤を添加した場合の除去速度の変化を示す。特
に、図５は、酸化物スラリーに第２パッシベーション剤
として添加されるポタシウムハイドロジェンフタレート
の重さ百分率の関数としての酸化物（ＰＥＴＥＯＳ）除
去速度及びシリコン窒化膜（ＳｉＮ）除去速度の変化を
示す。この例において、酸化物スラリーは、図３で述べ
た除去速度加速剤であるアンモニウムハイドロジェンフ
ォスフェートを含んでいる。図５から明らかなように、
酸化物除去速度への実質的な変化はなく、シリコン窒化
膜の除去速度はやや減少する。さらに、ＳｉＮに対する
酸化物の選択比は依然として低く保たれる。
【００２７】図４及び図５から明らかなように、ＣＭＰ
スラリーにポリ-ビニールスルホン酸またはポタシウム
ハイドロジェンフタレートの各々の単一パッシベーショ
ン剤を添加する場合には、ＳｉＮに対する酸化物の除去
選択比があまり高くないことが分かる。
スラリーにポリ-ビニールスルホン酸またはポタシウム
ハイドロジェンフタレートの各々の単一パッシベーショ
ン剤を添加する場合には、ＳｉＮに対する酸化物の除去
選択比があまり高くないことが分かる。
【００２８】図６は、酸化物スラリーにパッシベーショ
ン剤として添加されるポタシウムハイドロジェンフタレ
ートの重さ百分率の関数としての酸化物（ＰＥＴＥＯ
Ｓ）除去速度及びシリコン窒化膜（ＳｉＮ）除去速度の
変化を示す。図６の酸化物スラリーは除去速度加速剤で
あるアンモニウムハイドロジェンフォスフェートだけで
はなく、第１パッシベーション剤であるポリ-ビニール
スルホン酸及び第２パッシベーション剤であるポタシウ
ムハイドロジェンフタレートを含む。ここで、第１パッ
シベーション剤であるポリ-ビニールスルホン酸の重さ
百分率は０．０５ｗｔ％に固定した。図６において、Ｃ
ＭＰスラリーに相異なる二つのパッシベーション剤を添
加する場合、極めて高いＳｉＮに対する酸化物のＣＭＰ
除去選択比が得られる。もちろん、前記実施形態におい
て、前記酸化物スラリーに除去速度加速剤を添加しない
場合にも高いＳｉＮに対する酸化物の除去選択比が得ら
れる。
ン剤として添加されるポタシウムハイドロジェンフタレ
ートの重さ百分率の関数としての酸化物（ＰＥＴＥＯ
Ｓ）除去速度及びシリコン窒化膜（ＳｉＮ）除去速度の
変化を示す。図６の酸化物スラリーは除去速度加速剤で
あるアンモニウムハイドロジェンフォスフェートだけで
はなく、第１パッシベーション剤であるポリ-ビニール
スルホン酸及び第２パッシベーション剤であるポタシウ
ムハイドロジェンフタレートを含む。ここで、第１パッ
シベーション剤であるポリ-ビニールスルホン酸の重さ
百分率は０．０５ｗｔ％に固定した。図６において、Ｃ
ＭＰスラリーに相異なる二つのパッシベーション剤を添
加する場合、極めて高いＳｉＮに対する酸化物のＣＭＰ
除去選択比が得られる。もちろん、前記実施形態におい
て、前記酸化物スラリーに除去速度加速剤を添加しない
場合にも高いＳｉＮに対する酸化物の除去選択比が得ら
れる。
【００２９】望ましくは、本発明のＣＭＰスラリーはｐ
Ｈ調節剤をさらに含む。ｐＨ調節剤はスラリーに添加さ
れる第１及び第２パッシベーション剤及び除去速度加速
剤の重さ百分率により、スルホン酸、フォスフォリック
酸、ハイドロ塩素酸、硝酸またはカルボン酸などの酸溶
液、またはアンモニウムヒドロキシドまたはポタシウム
ヒドロキシドなどのアルカリ溶液の組成を変えることに
よりスラリーのｐＨを調節できる。この実施形態におい
ては、スラリーのｐＨはフルファリック酸またはポタシ
ウムヒドロキシドを用いて調節する。もちろん、前記実
施形態において、前記スラリーに除去速度加速剤は含ま
れない場合もある。
Ｈ調節剤をさらに含む。ｐＨ調節剤はスラリーに添加さ
れる第１及び第２パッシベーション剤及び除去速度加速
剤の重さ百分率により、スルホン酸、フォスフォリック
酸、ハイドロ塩素酸、硝酸またはカルボン酸などの酸溶
液、またはアンモニウムヒドロキシドまたはポタシウム
ヒドロキシドなどのアルカリ溶液の組成を変えることに
よりスラリーのｐＨを調節できる。この実施形態におい
ては、スラリーのｐＨはフルファリック酸またはポタシ
ウムヒドロキシドを用いて調節する。もちろん、前記実
施形態において、前記スラリーに除去速度加速剤は含ま
れない場合もある。
【００３０】図７は、ｐＨの関数としてのＣＭＰスラリ
ーの酸化物及びシリコン窒化膜除去速度を示す。ここ
で、スラリーは除去速度加速剤と、第１及び第２パッシ
ベーション剤とを含み、スラリーのｐＨはｐＨ調節剤を
用いて任意に調節される。図７に示されたように、最も
高いＳｉＮに対する酸化物の選択比はｐＨ ４の時であ
る。
ーの酸化物及びシリコン窒化膜除去速度を示す。ここ
で、スラリーは除去速度加速剤と、第１及び第２パッシ
ベーション剤とを含み、スラリーのｐＨはｐＨ調節剤を
用いて任意に調節される。図７に示されたように、最も
高いＳｉＮに対する酸化物の選択比はｐＨ ４の時であ
る。
【００３１】本発明のより詳細な理解のために、各種の
実験例が開示される。
実験例が開示される。
【００３２】第１実験例 スラリーに添加される除去速度加速剤であるフォスフェ
ート化合物の量に対するスラリーの特性の変化を測定す
るために３本の試片が製造された。試片ウェーハはシリ
コン基板上に１０，０００Å厚さのＰＥＴＥＯＳが蒸着
されたＰＥＴＥＯＳブランケットシリコン基板であり、
セリア研磨剤が１ｗｔ％含まれた研磨溶液を使用した。
研磨溶液のｐＨは４に固定した。研磨はロデル（ＲＯＤ
ＥＬ）社のＲ２００キャリアフィルム及びＩＣＩ１４０
０スタックパッドを使用する６”ＰＲＥＳＩ装備におい
て、５ｐｓｉ下向き圧力、６５ｒｐｍテーブル速度、３
５ｒｐｍの主軸回転速度及び２５０ｍｌ／分のスラリー
流れ速度で行われた。３本のスラリー試片に対する測定
結果は、下記表１に示す。
ート化合物の量に対するスラリーの特性の変化を測定す
るために３本の試片が製造された。試片ウェーハはシリ
コン基板上に１０，０００Å厚さのＰＥＴＥＯＳが蒸着
されたＰＥＴＥＯＳブランケットシリコン基板であり、
セリア研磨剤が１ｗｔ％含まれた研磨溶液を使用した。
研磨溶液のｐＨは４に固定した。研磨はロデル（ＲＯＤ
ＥＬ）社のＲ２００キャリアフィルム及びＩＣＩ１４０
０スタックパッドを使用する６”ＰＲＥＳＩ装備におい
て、５ｐｓｉ下向き圧力、６５ｒｐｍテーブル速度、３
５ｒｐｍの主軸回転速度及び２５０ｍｌ／分のスラリー
流れ速度で行われた。３本のスラリー試片に対する測定
結果は、下記表１に示す。
【００３３】
【表１】
【００３４】表１から明らかなように、除去速度加速剤
であるアンモニウムハイドロジェンフォスフェートの量
が約０．０５ｗｔ％であるとき、酸化物除去速度が大き
く増加する。表に示してはいないが、微量の除去速度加
速剤が添加される場合、例えば、０．００１ｗｔ％のア
ンモニウムハイドロジェンフォスフェートが添加される
場合であっても、酸化物除去速度の向上効果は具現でき
る。
であるアンモニウムハイドロジェンフォスフェートの量
が約０．０５ｗｔ％であるとき、酸化物除去速度が大き
く増加する。表に示してはいないが、微量の除去速度加
速剤が添加される場合、例えば、０．００１ｗｔ％のア
ンモニウムハイドロジェンフォスフェートが添加される
場合であっても、酸化物除去速度の向上効果は具現でき
る。
【００３５】第２実験例 除去速度加速剤であるアンモニウムハイドロジェンフォ
スフェートを０．２５ｗｔ％に固定した状態で、第１パ
ッシベーション剤であるポリ-ビニールスルホン酸の重
さ百分率に対する酸化物及びＳｉＮ除去速度とスラリー
の除去選択比を測定するために５本の試片が製造され
た。各試片ウェーハはＰＥＴＥＯＳブランケット蒸着シ
リコン基板であるか、あるいはシリコン窒化膜ブランケ
ット蒸着シリコン基板である。試片がＰＥＴＥＯＳブラ
ンケット蒸着シリコン基板である場合、ＰＥＴＥＯＳは
シリコン基板上に１０，０００Åの厚さにて蒸着され
た。また、試片がシリコン窒化膜ブランケット蒸着シリ
コン基板である場合、高温酸化物及びシリコン窒化膜が
シリコン基板上に各々１，０００Å及び２，０００Åの
厚さにて蒸着された。研磨溶液は、セリア研磨剤が約１
ｗｔ％添加された研磨溶液を使用した。研磨はロデル
（ＲＯＤＥＬ）社のＲ２００キャリアフィルム及びＩＣ
Ｉ１４００スタックパッドを用いる６”ＰＲＥＳＩ装備
において、５ｐｓｉ下向き圧力、６５ｒｐｍテーブル速
度、３５ｒｐｍの主軸回転速度及び２５０ｍｌ／分のス
ラリー流れ速度で行われた。５本のスラリー試片の測定
結果は、下記表２に示す。
スフェートを０．２５ｗｔ％に固定した状態で、第１パ
ッシベーション剤であるポリ-ビニールスルホン酸の重
さ百分率に対する酸化物及びＳｉＮ除去速度とスラリー
の除去選択比を測定するために５本の試片が製造され
た。各試片ウェーハはＰＥＴＥＯＳブランケット蒸着シ
リコン基板であるか、あるいはシリコン窒化膜ブランケ
ット蒸着シリコン基板である。試片がＰＥＴＥＯＳブラ
ンケット蒸着シリコン基板である場合、ＰＥＴＥＯＳは
シリコン基板上に１０，０００Åの厚さにて蒸着され
た。また、試片がシリコン窒化膜ブランケット蒸着シリ
コン基板である場合、高温酸化物及びシリコン窒化膜が
シリコン基板上に各々１，０００Å及び２，０００Åの
厚さにて蒸着された。研磨溶液は、セリア研磨剤が約１
ｗｔ％添加された研磨溶液を使用した。研磨はロデル
（ＲＯＤＥＬ）社のＲ２００キャリアフィルム及びＩＣ
Ｉ１４００スタックパッドを用いる６”ＰＲＥＳＩ装備
において、５ｐｓｉ下向き圧力、６５ｒｐｍテーブル速
度、３５ｒｐｍの主軸回転速度及び２５０ｍｌ／分のス
ラリー流れ速度で行われた。５本のスラリー試片の測定
結果は、下記表２に示す。
【００３６】
【表２】
【００３７】表２から明らかなように、第１パッシベー
ション剤であるポリ-ビニールスルホン酸の重さ百分率
が増加する時、酸化物及びＳｉＮの除去速度がいずれも
線形的に増加する。したがって、除去選択比は向上され
ない。
ション剤であるポリ-ビニールスルホン酸の重さ百分率
が増加する時、酸化物及びＳｉＮの除去速度がいずれも
線形的に増加する。したがって、除去選択比は向上され
ない。
【００３８】第３実験例 除去速度加速剤であるアンモニウムハイドロジェンフォ
スフェートを０．２ｗｔ％に固定した状態で、第２パッ
シベーション剤であるポタシウムハイドロジェンフタレ
ートの重さ百分率に対する酸化物及びＳｉＮ除去速度と
除去選択比を測定するために、５本の試片が製造され
た。各試片ウェーハはＰＥＴＥＯＳブランケット蒸着シ
リコン基板であるか、あるいはシリコン窒化膜ブランケ
ット蒸着シリコン基板である。試片がＰＥＴＥＯＳブラ
ンケット蒸着シリコン基板である場合、ＰＥＴＥＯＳは
シリコン基板上に１０，０００Åの厚さにて蒸着され
た。試片がシリコン窒化膜ブランケット蒸着シリコン基
板である場合、高温酸化膜及びシリコン窒化膜をシリコ
ン基板上に各々１，０００Å及び２，０００Åの厚さに
て蒸着した。研磨溶液はセリア研磨剤が約１ｗｔ％添加
されたものを使用した。研磨はロデル（ＲＯＤＥＬ）社
のＲ２００キャリアフィルム及びＩＣＩ１４００スタッ
クパッドを用いる６”ＰＲＥＳＩ装備において、５ｐｓ
ｉ下向き圧力、６５ｒｐｍテーブル速度、３５ｒｐｍの
主軸回転速度及び２５０ｍｌ／分のスラリー流れ速度で
行われた。５本のスラリー試片の測定結果は、下記表３
に示す。
スフェートを０．２ｗｔ％に固定した状態で、第２パッ
シベーション剤であるポタシウムハイドロジェンフタレ
ートの重さ百分率に対する酸化物及びＳｉＮ除去速度と
除去選択比を測定するために、５本の試片が製造され
た。各試片ウェーハはＰＥＴＥＯＳブランケット蒸着シ
リコン基板であるか、あるいはシリコン窒化膜ブランケ
ット蒸着シリコン基板である。試片がＰＥＴＥＯＳブラ
ンケット蒸着シリコン基板である場合、ＰＥＴＥＯＳは
シリコン基板上に１０，０００Åの厚さにて蒸着され
た。試片がシリコン窒化膜ブランケット蒸着シリコン基
板である場合、高温酸化膜及びシリコン窒化膜をシリコ
ン基板上に各々１，０００Å及び２，０００Åの厚さに
て蒸着した。研磨溶液はセリア研磨剤が約１ｗｔ％添加
されたものを使用した。研磨はロデル（ＲＯＤＥＬ）社
のＲ２００キャリアフィルム及びＩＣＩ１４００スタッ
クパッドを用いる６”ＰＲＥＳＩ装備において、５ｐｓ
ｉ下向き圧力、６５ｒｐｍテーブル速度、３５ｒｐｍの
主軸回転速度及び２５０ｍｌ／分のスラリー流れ速度で
行われた。５本のスラリー試片の測定結果は、下記表３
に示す。
【００３９】
【表３】
【００４０】表３から明らかなように、第２パッシベー
ション剤であるポタシウムハイドロジェンフタレートの
重さ百分率が増加する時、酸化物除去速度はやや増加
し、ＳｉＮの除去速度はやや減少するが、除去選択比は
依然として相対的に低い。
ション剤であるポタシウムハイドロジェンフタレートの
重さ百分率が増加する時、酸化物除去速度はやや増加
し、ＳｉＮの除去速度はやや減少するが、除去選択比は
依然として相対的に低い。
【００４１】第４実験例 除去速度加速剤であるアンモニウムハイドロジェンフォ
スフェートと第１パッシベーション剤であるポリ-ビニ
ールスルホン酸とを各々約０．０５ｗｔ％に固定した状
態で、他の第２パッシベーション剤であるポタシウムハ
イドロジェンフタレートの重さ百分率に対する酸化物及
びＳｉＮ除去速度と除去選択比とを測定するために５本
の試片が製造された。
スフェートと第１パッシベーション剤であるポリ-ビニ
ールスルホン酸とを各々約０．０５ｗｔ％に固定した状
態で、他の第２パッシベーション剤であるポタシウムハ
イドロジェンフタレートの重さ百分率に対する酸化物及
びＳｉＮ除去速度と除去選択比とを測定するために５本
の試片が製造された。
【００４２】各試片ウェーハはＰＥＴＥＯＳブランケッ
ト蒸着シリコン基板であるか、あるいはシリコン窒化膜
ブランケット蒸着シリコン基板である。試片がＰＥＴＥ
ＯＳブランケット蒸着シリコン基板である場合、ＰＥＴ
ＥＯＳはシリコン基板上に１０，０００Åの厚さにて蒸
着された。試片がシリコン窒化膜ブランケット蒸着シリ
コン基板である場合、高温酸化膜及びシリコン窒化膜が
シリコン基板上に各々１，０００Å及び２，０００Åの
厚さにて蒸着された。研磨溶液はセリア研磨剤が約１ｗ
ｔ％添加されたものが使用された。研磨はロデル（ＲＯ
ＤＥＬ）社のＲ２００キャリアフィルム及びＩＣＩ１４
００スタックパッドを用いる６”ＰＲＥＳＩ装備におい
て、５ｐｓｉ下向き圧力、６５ｒｐｍテーブル速度、３
５ｒｐｍの主軸回転速度及び２５０ｍｌ／分のスラリー
流れ速度で行われた。５本のスラリー試片の測定結果
は、下記表４に示す。
ト蒸着シリコン基板であるか、あるいはシリコン窒化膜
ブランケット蒸着シリコン基板である。試片がＰＥＴＥ
ＯＳブランケット蒸着シリコン基板である場合、ＰＥＴ
ＥＯＳはシリコン基板上に１０，０００Åの厚さにて蒸
着された。試片がシリコン窒化膜ブランケット蒸着シリ
コン基板である場合、高温酸化膜及びシリコン窒化膜が
シリコン基板上に各々１，０００Å及び２，０００Åの
厚さにて蒸着された。研磨溶液はセリア研磨剤が約１ｗ
ｔ％添加されたものが使用された。研磨はロデル（ＲＯ
ＤＥＬ）社のＲ２００キャリアフィルム及びＩＣＩ１４
００スタックパッドを用いる６”ＰＲＥＳＩ装備におい
て、５ｐｓｉ下向き圧力、６５ｒｐｍテーブル速度、３
５ｒｐｍの主軸回転速度及び２５０ｍｌ／分のスラリー
流れ速度で行われた。５本のスラリー試片の測定結果
は、下記表４に示す。
【００４３】
【表４】
【００４４】表４から明らかなように、第１パッシベー
ション剤であるポリ-ビニールスルホン酸及び第２パッ
シベーション剤であるポタシウムハイドロジェンフタレ
ートなど、相異なるパッシベーション剤をＣＭＰスラリ
ーに添加する場合、ＳｉＮに対する酸化物の除去選択比
が大きく増加する。実際に、５０:１またはそれ以上の
除去選択比が得られる。この点は、約４:１の除去選択
比を有する従来のスラリーに比べて極めて優秀である。
また、除去速度加速剤であるアンモニウムハイドロジェ
ンフォスフェートを添加する場合、除去選択比を高める
のに寄与できる。
ション剤であるポリ-ビニールスルホン酸及び第２パッ
シベーション剤であるポタシウムハイドロジェンフタレ
ートなど、相異なるパッシベーション剤をＣＭＰスラリ
ーに添加する場合、ＳｉＮに対する酸化物の除去選択比
が大きく増加する。実際に、５０:１またはそれ以上の
除去選択比が得られる。この点は、約４:１の除去選択
比を有する従来のスラリーに比べて極めて優秀である。
また、除去速度加速剤であるアンモニウムハイドロジェ
ンフォスフェートを添加する場合、除去選択比を高める
のに寄与できる。
【００４５】第５実験例 除去速度加速剤であるアンモニウムハイドロジェンフォ
スフェートと、第１及び第２パッシベーション剤である
ポリ-ビニールスルホン酸及びポタシウムハイドロジェ
ンフタレートを各々０．０５ｗｔ％に固定した状態で、
スラリー溶液の相異なるｐＨ値に対する酸化物及びＳｉ
Ｎ除去速度を測定するために３本の試片が製造された。
スフェートと、第１及び第２パッシベーション剤である
ポリ-ビニールスルホン酸及びポタシウムハイドロジェ
ンフタレートを各々０．０５ｗｔ％に固定した状態で、
スラリー溶液の相異なるｐＨ値に対する酸化物及びＳｉ
Ｎ除去速度を測定するために３本の試片が製造された。
【００４６】各試片ウェーハはＰＥＴＥＯＳブランケッ
ト蒸着シリコン基板であるか、あるいはシリコン窒化膜
ブランケット蒸着シリコン基板である。試片がＰＥＴＥ
ＯＳブランケット蒸着基板である場合、ＰＥＴＥＯＳは
シリコン基板上に１０，０００Åの厚さにて蒸着され
た。試片がシリコン窒化膜ブランケット蒸着シリコン基
板である場合、高温酸化膜及びシリコン窒化膜がシリコ
ン基板上に各々１，０００Å及び２，０００Åの厚さに
て蒸着された。研磨溶液はセリア研磨剤が約１ｗｔ％添
加されたものを使用した。研磨はロデル（ＲＯＤＥＬ）
社のＲ２００キャリアフィルム及びＩＣＩ１４００スタ
ックパッドを用いる６”ＰＲＥＳＩ装備において、５ｐ
ｓｉ下向き圧力、６５ｒｐｍのテーブル速度、３５ｒｐ
ｍの主軸回転速度及び２５０ｍｌ／分のスラリー流れ速
度で行われた。３本の試片の測定結果は、下記表５に示
す。
ト蒸着シリコン基板であるか、あるいはシリコン窒化膜
ブランケット蒸着シリコン基板である。試片がＰＥＴＥ
ＯＳブランケット蒸着基板である場合、ＰＥＴＥＯＳは
シリコン基板上に１０，０００Åの厚さにて蒸着され
た。試片がシリコン窒化膜ブランケット蒸着シリコン基
板である場合、高温酸化膜及びシリコン窒化膜がシリコ
ン基板上に各々１，０００Å及び２，０００Åの厚さに
て蒸着された。研磨溶液はセリア研磨剤が約１ｗｔ％添
加されたものを使用した。研磨はロデル（ＲＯＤＥＬ）
社のＲ２００キャリアフィルム及びＩＣＩ１４００スタ
ックパッドを用いる６”ＰＲＥＳＩ装備において、５ｐ
ｓｉ下向き圧力、６５ｒｐｍのテーブル速度、３５ｒｐ
ｍの主軸回転速度及び２５０ｍｌ／分のスラリー流れ速
度で行われた。３本の試片の測定結果は、下記表５に示
す。
【００４７】
【表５】
【００４８】表５から明らかなように、スラリー溶液の
ｐＨが増加するに伴い、ＰＥＴＥＯＳの除去速度は減少
するのに対し、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）の除去速度は
大きく増加する。具体的に、スラリー溶液のｐＨが８以
上である場合、ＳｉＮに対するＰＥＴＥＯＳの除去選択
比が急減する。したがって、７またはそれ以下のｐＨを
有するスラリーが高い選択比を示すと判断される。この
ように、第１及び第２パッシベーション剤を用いると共
に、７またはそれ以下のｐＨを有するようにｐＨ調節剤
を用いることにより、除去選択比を大きく増加できる。
ｐＨが増加するに伴い、ＰＥＴＥＯＳの除去速度は減少
するのに対し、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）の除去速度は
大きく増加する。具体的に、スラリー溶液のｐＨが８以
上である場合、ＳｉＮに対するＰＥＴＥＯＳの除去選択
比が急減する。したがって、７またはそれ以下のｐＨを
有するスラリーが高い選択比を示すと判断される。この
ように、第１及び第２パッシベーション剤を用いると共
に、７またはそれ以下のｐＨを有するようにｐＨ調節剤
を用いることにより、除去選択比を大きく増加できる。
【００４９】以下、図８の工程フローチャートを参照
し、本発明のＣＭＰ方法について説明する。８０２段階
において、研磨される半導体ウェーハの表面は研磨パッ
ドの表面に接触する。８０４段階において、研磨粒子と
相異なる第１及び第２パッシベーション剤とを含む水溶
液を研磨パッドの表面と半導体ウェーハの表面との界面
に供給する。８０６段階において、半導体ウェーハの表
面を研磨パッドの表面に対して相対的に回転させる。
し、本発明のＣＭＰ方法について説明する。８０２段階
において、研磨される半導体ウェーハの表面は研磨パッ
ドの表面に接触する。８０４段階において、研磨粒子と
相異なる第１及び第２パッシベーション剤とを含む水溶
液を研磨パッドの表面と半導体ウェーハの表面との界面
に供給する。８０６段階において、半導体ウェーハの表
面を研磨パッドの表面に対して相対的に回転させる。
【００５０】前述したように、第１パッシベーション剤
はポリ-ビニールスルホン酸でありえ、第２パッシベー
ション剤はポタシウムハイドロジェンフタレートであり
うる。また、除去速度加速剤及び／またはｐＨ調節剤が
ＣＭＰスラリー水溶液に添加できる。
はポリ-ビニールスルホン酸でありえ、第２パッシベー
ション剤はポタシウムハイドロジェンフタレートであり
うる。また、除去速度加速剤及び／またはｐＨ調節剤が
ＣＭＰスラリー水溶液に添加できる。
【００５１】図９は、本発明の浅いトレンチ素子分離方
法の工程フローチャートである。９０２段階において、
パッド酸化膜が半導体基板の表面を覆うように形成され
る。次に、９０４段階において、パッド酸化膜が半導体
基板とシリコン窒化膜との間に位置するようにパッド酸
化膜を覆うシリコン窒化膜が形成される。次に、９０６
段階において、シリコン窒化膜及びパッド酸化膜を貫通
して半導体基板内に延びる多数のトレンチが形成され
る。９０８段階において、絶縁酸化膜が多数のトレンチ
内に、そしてシリコン窒化膜を覆うように形成される。
次に、９１０段階において、図８で説明したように化学
機械的研磨工程を行い、前記シリコン窒化膜の表面が露
出されるように絶縁酸化膜を除去する。言い加えれば、
第１パッシベーション剤はポリ-ビニールスルホン酸で
ありえ、第２パッシベーション剤はポタシウムハイドロ
ジェンフタレートでありうる。また、除去速度加速剤及
び／またはｐＨ調節剤をＣＭＰスラリー水溶液に添加で
きる。次に、９１２段階において、パッド酸化膜及びシ
リコン窒化膜を除去して半導体基板の表面内に多数のト
レンチ酸化物領域を形成する。
法の工程フローチャートである。９０２段階において、
パッド酸化膜が半導体基板の表面を覆うように形成され
る。次に、９０４段階において、パッド酸化膜が半導体
基板とシリコン窒化膜との間に位置するようにパッド酸
化膜を覆うシリコン窒化膜が形成される。次に、９０６
段階において、シリコン窒化膜及びパッド酸化膜を貫通
して半導体基板内に延びる多数のトレンチが形成され
る。９０８段階において、絶縁酸化膜が多数のトレンチ
内に、そしてシリコン窒化膜を覆うように形成される。
次に、９１０段階において、図８で説明したように化学
機械的研磨工程を行い、前記シリコン窒化膜の表面が露
出されるように絶縁酸化膜を除去する。言い加えれば、
第１パッシベーション剤はポリ-ビニールスルホン酸で
ありえ、第２パッシベーション剤はポタシウムハイドロ
ジェンフタレートでありうる。また、除去速度加速剤及
び／またはｐＨ調節剤をＣＭＰスラリー水溶液に添加で
きる。次に、９１２段階において、パッド酸化膜及びシ
リコン窒化膜を除去して半導体基板の表面内に多数のト
レンチ酸化物領域を形成する。
【００５２】
【発明の効果】以上、本発明を開示された具体的な実施
形態を参照して詳細に説明したが、本発明の技術的な思
想から逸脱しない範囲内において十分な改良が可能であ
るということは言うまでもない。
形態を参照して詳細に説明したが、本発明の技術的な思
想から逸脱しない範囲内において十分な改良が可能であ
るということは言うまでもない。
【００５３】前述したように、本発明によれば、酸化膜
とシリコン窒化膜との間に改善された除去選択比を示す
ＣＭＰスラリーを提供できる。
とシリコン窒化膜との間に改善された除去選択比を示す
ＣＭＰスラリーを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 従来の化学機械的研磨装置の概略図である。
【図２Ａ】 従来の浅いトレンチ素子分離方法の段階を
示すフローチャートである。
示すフローチャートである。
【図２Ｂ】 従来の浅いトレンチ素子分離方法の段階を
示すフローチャートである。
示すフローチャートである。
【図２Ｃ】 従来の浅いトレンチ素子分離方法の段階を
示すフローチャートである。
示すフローチャートである。
【図２Ｄ】 従来の浅いトレンチ素子分離方法の段階を
示すフローチャートである。
示すフローチャートである。
【図３】 酸化物スラリーに添加された除去速度加速剤
の重さ百分率に対する酸化物除去速度の変化を示す図で
ある。
の重さ百分率に対する酸化物除去速度の変化を示す図で
ある。
【図４】 第１パッシベーション剤の重さ百分率の関数
としての酸化物除去速度とシリコン窒化膜（ＳｉＮ）除
去速度の各々の変化を示す図である。
としての酸化物除去速度とシリコン窒化膜（ＳｉＮ）除
去速度の各々の変化を示す図である。
【図５】 第２パッシベーション剤の重さ百分率の関数
としての酸化物除去速度とシリコン窒化膜（ＳｉＮ）除
去速度の各々の変化を示す図である。
としての酸化物除去速度とシリコン窒化膜（ＳｉＮ）除
去速度の各々の変化を示す図である。
【図６】 一定量の第１パッシベーション剤に組み合わ
せられる第２パッシベーション剤の重さ百分率の関数と
しての酸化物除去速度とシリコン窒化膜（ＳｉＮ）除去
速度の各々の変化を示す図である。
せられる第２パッシベーション剤の重さ百分率の関数と
しての酸化物除去速度とシリコン窒化膜（ＳｉＮ）除去
速度の各々の変化を示す図である。
【図７】 ｐＨの関数としての酸化物除去速度、シリコ
ン窒化膜（ＳｉＮ）除去速度及びシリコン窒化膜（Ｓｉ
Ｎ）に対する酸化物の除去選択比の各々の変化を示す図
である。
ン窒化膜（ＳｉＮ）除去速度及びシリコン窒化膜（Ｓｉ
Ｎ）に対する酸化物の除去選択比の各々の変化を示す図
である。
【図８】 本発明のＣＭＰ方法の工程フローチャートで
ある。
ある。
【図９】 本発明の浅いトレンチ素子分離方法の工程フ
ローチャートである。
ローチャートである。
２００ 半導体基板 ２０２ パッド酸化膜 ２０４ エッチング終了層 ２０６ トレンチ ２０８ 絶縁酸化膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０９Ｋ 3/14 Ｃ０９Ｋ 3/14 ５５０Ｋ ５５０Ｍ (72)発明者 尹 普彦 大韓民国ソウル特別市永登浦区汝矣島洞41 番地大橋アパート２棟702号 (72)発明者 河 商録 大韓民国ソウル特別市江南区新沙洞565− 19番地韓州ビル５階 Ｆターム(参考） 3C047 FF08 GG15 3C058 AA07 CB01 DA17
Claims (37)
- 【請求項１】 研磨粒子と、 相異なる第１及び第２パッシベーション剤を含む水溶液
とを含むことを特徴とする化学機械的研磨スラリー。 - 【請求項２】 前記第１パッシベーション剤は、 陰イオン性、陽イオン性または非イオン性の界面活性剤
であることを特徴とする請求項１に記載の化学機械的研
磨スラリー。 - 【請求項３】 前記第１パッシベーション剤は、 ポリ-ビニールスルホン酸であることを特徴とする請求
項１に記載の化学機械的研磨スラリー。 - 【請求項４】 前記水溶液における前記第１パッシベー
ション剤の重さ百分率は、０．００１-１０ｗｔ％であ
ることを特徴とする請求項２または３に記載の化学機械
的研磨スラリー。 - 【請求項５】 前記水溶液における前記第１パッシベー
ション剤の重さ百分率は、０．０１-５ｗｔ％であるこ
とを特徴とする請求項２または３に記載の化学機械的研
磨スラリー。 - 【請求項６】 前記第２パッシベーション剤は、 フタル酸及びその塩であることを特徴とする請求項１に
記載の化学機械的研磨スラリー。 - 【請求項７】 前記第２パッシベーション剤は、 ポタシウムハイドロジェンフラレートであることを特徴
とする請求項１に記載の化学機械的研磨スラリー。 - 【請求項８】 前記水溶液における前記第２パッシベー
ション剤の重さ百分率は、０．００１-１ｗｔ％である
ことを特徴とする請求項６または７に記載の化学機械的
研磨スラリー。 - 【請求項９】 前記水溶液における前記第２パッシベー
ション剤の重さ百分率は、０．０２-０．５ｗｔ％であ
ることを特徴とする請求項６または７に記載の化学機械
的研磨スラリー。 - 【請求項１０】 前記第２パッシベーション剤は、 フタル酸及びその塩であることを特徴とする請求項２に
記載の化学機械的研磨スラリー。 - 【請求項１１】 前記第２パッシベーション剤は、 ポッタシウムハイドロジェンフタレートであることを特
徴とする請求項３に記載の化学機械的研磨スラリー。 - 【請求項１２】 前記水溶液における前記第１パッシベ
ーション剤の量は０．００１-１０ｗｔ％であり、前記
水溶液における前記第２パッシベーション剤の量は０．
００１-１ｗｔ％であることを特徴とする請求項１０に
記載の化学機械的研磨スラリー。 - 【請求項１３】 前記水溶液における前記第１パッシベ
ーション剤の量は０．００１-１０ｗｔ％であり、前記
水溶液における前記第２パッシベーション剤の量は０．
００１-１ｗｔ％であることを特徴とする請求項１１に
記載の化学機械的研磨スラリー。 - 【請求項１４】 前記水溶液における前記第１パッシベ
ーション剤の量は０．０１-５ｗｔ％であり、前記水溶
液における前記第２パッシベーション剤の量は０．０２
-０．５ｗｔ％であることを特徴とする請求項１０に記
載の化学機械的研磨スラリー。 - 【請求項１５】 前記水溶液における前記第１パッシベ
ーション剤の量は０．０１-５ｗｔ％であり、前記水溶
液における前記第２パッシベーション剤の量は０．０２
-０．５ｗｔ％であることを特徴とする請求項１１に記
載の化学機械的研磨スラリー。 - 【請求項１６】 前記陰イオン性の界面活性剤は、 カルボン酸またはその塩、硫エステルまたはその塩、ス
ルホン酸またはその塩、リンエステル及びその塩を含ん
でなる一群から選ばれ、 前記陽イオン性の界面活性剤は、 第１アミンまたはその塩、第２アミンまたはその塩、第
３アミンまたはその塩、及び第４アミンまたはその塩を
含んでなる一群から選ばれ、 前記非イオン性の界面活性剤は、 ポリエチレングリコール型界面活性剤及びポリヒドロキ
シアルコール型界面活性剤を含んでなる一群から選ばれ
ることを特徴とする請求項２に記載の化学機械的研磨ス
ラリー。 - 【請求項１７】 前記水溶液は、 除去速度加速剤をさらに含むことを特徴とする請求項
１、２、３、１０及び１１のいずれか１項に記載の化学
機械的研磨スラリー。 - 【請求項１８】 前記除去速度加速剤は、 アンモニウムハイドロジェンフォスフェートであり、 前記水溶液における前記アンモニウムハイドロジェンフ
ォスフェートの重さ百分率は０．００１-１０ｗｔ％で
あることを特徴とする請求項１７に記載の化学機械的研
磨スラリー。 - 【請求項１９】 前記除去速度加速剤は、アンモニウム
ジハイドロジェンフォスフェート、ポタシウムジハイド
ロジェンフォスフェート、ビス（２-エチルヘキシル）
フォスフェート、２-アミノエチルジハイドロジェンフ
ォスフェート、４-クロロベンゼンジアゾニウムヘキサ
フルオロフォスフェート、ニトロベンゼンジアゾニウム
ヘキサフルオロフォスフェート、アンモニウムヘキサフ
ルオロフォスフェート、ビス（２，４ジクロロフェニ
ル）クロロフォスフェート、ビス（２-エチルヘキシ
ル）ハイドロジェンフォスフェート、ビス（２-エチル
ヘキシル）フォスファイト、カルシウムフルオロフォス
フェート、ジエチルクロロフォスフェート、ジエチルク
ロロチオフォスフェート、ポタシウムヘキサフルオロフ
ォスフェート、ピロリン酸、テトラブチルアンモニウム
ヘキサフルオロフォスフェート、及びテトラエチルアン
モニウムヘキサフルオロフォスフェートを含んでなる一
群から選ばれるいずれか一種であることを特徴とする請
求項１７に記載の化学機械的研磨スラリー。 - 【請求項２０】 前記水溶液は、 ｐＨ調節剤をさらに含むことを特徴とする請求項１、
２、３、１０及び１１のいずれか1項に記載の化学機械
的研磨スラリー。 - 【請求項２１】 前記水溶液は、 ｐＨ調節剤をさらに含むことを特徴とする請求項１７に
記載の化学機械的研磨スラリー。 - 【請求項２２】 前記水溶液は、 １ないし７のｐＨ値を有することを特徴とする請求項２
１に記載の化学機械的研磨スラリー。 - 【請求項２３】 前記水溶液は、 ２ないし６のｐＨ値を有することを特徴とする請求項２
２に記載の化学機械的研磨スラリー。 - 【請求項２４】 前記研磨粒子は、 セリア、シリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア及び
ゲルマニアよりなる一群から選ばれるいずれか一種の金
属酸化物であることを特徴とする請求項１に記載の化学
機械的研磨スラリー。 - 【請求項２５】 前記水溶液における前記研磨粒子の重
さ百分率は、 ０．１-２５ｗｔ％であることを特徴とする請求項１に
記載の化学機械的研磨スラリー。 - 【請求項２６】 前記水溶液のシリコン窒化膜に対する
酸化物の選択比は、少なくとも５０：１であることを特
徴とする請求項１に記載の化学機械的研磨スラリー。 - 【請求項２７】 前記水溶液のシリコン窒化膜に対する
酸化物の選択比は、少なくとも５０：１であることを特
徴とする請求項１１に記載の化学機械的研磨スラリー。 - 【請求項２８】 半導体ウェーハの表面を研磨パッドの
表面と接触させる段階と、 研磨粒子と相異なる第１及び第２パッシベーション剤を
含む水溶液を前記研磨パッドの表面と前記半導体ウェー
ハの表面との界面に供給する段階と、 前記半導体ウェーハの表面を前記研磨パッドの表面に対
して回転させる段階とを含むことを特徴とする化学機械
的研磨方法。 - 【請求項２９】 半導体ウェーハの表面を研磨パッドの
表面と接触させる段階と、 研磨粒子と、ポリ-ビニールスルホン酸、及びポタシウ
ムハイドロジェンフタレートを含む水溶液を前記研磨パ
ッドの表面と前記半導体ウェーハの表面との界面に供給
する段階と、 前記半導体ウェーハの表面を前記研磨パッドの表面に対
して回転させる段階とを含むことを特徴とする化学機械
的研磨方法。 - 【請求項３０】 前記供給される水溶液は、 ｐＨ調節剤及び除去速度加速剤をさらに含むことを特徴
とする請求項２９に記載の化学機械的研磨方法。 - 【請求項３１】 前記供給される水溶液は、 １ないし７のｐＨ値を有し、アンモニウムハイドロジェ
ンフォスフェートをさらに含むことを特徴とする請求項
２９に記載の化学機械的研磨方法。 - 【請求項３２】 前記供給される水溶液は、 ２ないし６のｐＨ値を有することを特徴とする請求項２
９に記載の化学機械的研磨方法。 - 【請求項３３】 半導体基板の表面を覆うパッド酸化膜
を形成する段階と、 前記パッド酸化膜上に窒化膜を形成する段階と、 前記窒化膜及び前記パッド酸化膜を貫通して前記半導体
基板内に延びる多数のトレンチを形成する段階と、 前記多数のトレンチ内に、そして前記窒化膜上に絶縁酸
化膜を形成する段階と、 前記窒化膜の表面が露出されるように前記絶縁酸化膜を
除去する段階と、 前記パッド酸化膜及び前記窒化膜を除去する段階とを含
み、 前記絶縁酸化膜を除去する段階は、 （イ）前記絶縁酸化膜の表面を研磨パッドの表面と接触
させる段階と、 （ロ）研磨粒子と相異なる第１及び第２パッシベーショ
ン剤を含む水溶液とを前記研磨パッドの表面と前記絶縁
酸化膜の表面との界面に供給する段階と、 （ハ）前記半導体ウェーハの表面を前記研磨パッドの表
面に対して回転させる段階とを含む化学機械的研磨によ
り行われることを特徴とする浅いトレンチ素子分離方
法。 - 【請求項３４】 半導体基板の表面を覆うパッド酸化膜
を形成する段階と、 前記パッド酸化膜上に窒化膜を形成する段階と、 前記窒化膜及び前記パッド酸化膜を貫通して前記半導体
基板内に延びる多数のトレンチを形成する段階と、 前記多数のトレンチ内に、そして前記窒化膜上に絶縁酸
化膜を形成する段階と、 前記窒化膜の表面が露出されるように前記絶縁酸化膜を
除去する段階と、 前記パッド酸化膜及び前記窒化膜を除去する段階とを含
み、 前記絶縁酸化膜を除去する段階は、 （イ）前記絶縁酸化膜の表面を研磨パッドの表面と接触
させる段階と、 （ロ）研磨粒子と、ポリ-ビニールスルホン酸、及びポ
タシウムハイドロジェンフタレートを含む水溶液とを前
記研磨パッドの表面と前記絶縁酸化膜の表面との界面に
供給する段階と、 （ハ）前記半導体ウェーハの表面を前記研磨パッドの表
面に対して回転させる段階とを含む化学機械的研磨によ
り行われることを特徴とする浅いトレンチ素子分離方
法。 - 【請求項３５】 前記供給される水溶液は、 ｐＨ調節剤及び除去速度加速剤をさらに含むことを特徴
とする請求項３４に記載の浅いトレンチ素子分離方法。 - 【請求項３６】 前記供給される水溶液は、 １ないし７のｐＨ値を有し、アンモニウムハイドロジェ
ンフォスフェートをさらに含むことを特徴とする請求項
３４に記載の浅いトレンチ素子分離方法。 - 【請求項３７】 前記供給される水溶液は、 ２ないし６のｐＨ値を有することを特徴とする請求項３
４に記載の浅いトレンチ素子分離方法。
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