DE10160174A1

DE10160174A1 - Chemisch/mechanischer Polierschlamm und chemisch/mechanischer Polierprozeß und Seichtgraben-Isolationsprozeß unter Verwendung des Polierprozesses

Info

Publication number: DE10160174A1
Application number: DE10160174A
Authority: DE
Inventors: Jong-Won Lee; Jae-Dong Lee; Bo-Un Yoon; Sang-Rok Hah
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 2001-04-05
Filing date: 2001-12-07
Publication date: 2002-10-17
Anticipated expiration: 2021-12-08
Also published as: SG102648A1; KR20020077636A; US6914001B2; JP2002313760A; DE10160174B4; KR100459696B1; TW573001B; US20030148616A1; JP2007005820A; JP3868809B2; US20030022499A1; US6540935B2

Abstract

Eine CMP Oxidaufschlämmung enthält eine wäßrige Lösung mit Abriebteilchen und mit zwei oder mehreren unterschiedlichen Passivierungsagens. In bevorzugter Weise ist die wäßrige Lösung aus deionisiertem Wasser hergestellt und die Abriebteilchen bestehen aus Metalloxid, ausgewählt aus der Gruppe, bestehend aus Zerdioxid, Silika, Tonerde, Titandioxid, Zirkondioxid und Germaniumdioxid. Auch kann ein erstes Passivierungsagens aus einem anionischen, kationischen oder nicht ionischen Tensid bestehen und ein zweites Passivierungsagens kann aus einer Phthalsäure und deren Salze bestehen. Bei einem Beispiel besteht das erste Passivierungsagens aus einer Polyvinylsulfonsäure und das zweite Passivierungsagens besteht aus Kaliumwasserstoffphthalat. Die Aufschlämmung weist eine hohe Oxid-zu-Siliziumnitrid-Beseitigungsselektivität auf.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG 1. Gebiet der Erfindung

Die vorliegende Erfindung betrifft einen chemisch/mechanischen Polierprozeß (CMP) von Mikroelektronikvorrichtungen und die vorliegende Erfindung betrifft spezi eller CMP Aufschlämmungen und einen Herstellungsprozeß unter Verwendung der CMP Aufschlämmungen.

2. Beschreibung des Standes der Technik

Mit der Fortführung und Zunahme des Integrationsgrades von Mikroelektronik vorrichtungen werden die Planierungsprozesse, die bei der Herstellung derartiger Vor richtungen angewendet werden, mehr und mehr kritisch. D. h. die Anstrengungen, um hoch integrierte Halbleitervorrichtungen zu erzielen, sind in typischer Weise mit der Stapelung von Vielfachverbindungs- und anderen Schichten auf einem Halbleiterwafer verknüpft. Die resultierende Unebenheit der Waferoberfläche führt zu einer Vielfalt an Problemen, die auf dem vorliegenden Gebiet gut dokumentiert sind. Die Planierungs prozesse werden somit an verschiedene Stufen der Herstellung angepaßt und zwar in einem Bestreben Unregelmäßigkeiten auf der Waferoberfläche minimal zu gestalten.

Eine derartige Planierungstechnik besteht aus einem chemisch/mechanischen Po liervorgang (CMP). Bei dem CMP Vorgang wird die Waferoberfläche gegen ein Polier kissen angedrückt, welches sich in Rotation relativ zu diesem befindet. Während des Poliervorgangs wird bewirkt, daß eine Abtrag- und chemischreaktive Lösung, die als ein CMP Schlamm bekannt ist, in das Polierkissen hinein fließt. Diese CMP Technik führt zu einer Planierung oder Ebnung der Waferoberfläche mit Hilfe von chemischen und physikalischen Reaktionen, d. h. durch Zuführen des chemisch reaktiven Schlammes auf eine in ein Muster gebrachte Oberfläche des Wafers, während zur gleichen Zeit die re lativ in Drehung befindliche Oberfläche des Polierkissens physikalisch gegen die Ober fläche des Wafers angedrückt wird.

Fig. 1 zeigt ein schematisches Diagramm, welches ein herkömmliches Beispiel ei nes CMP Gerätes wiedergibt, welches bei der Herstellung von Halbleitervorrichtungen verwendet wird. Das dargestellte CMP Gerät enthält einen Polierkopf 102, einen Polier tisch 104, eine Schlammversorgungsleitung 106 und ein Polierkissen 108. Der CMP Prozeß wird auf dem Poliertisch 104 durchgeführt, auf dem das Polierkissen 108 ausge bildet ist. D. h. während ein Schlamm von der Schlammversorgungsleitung 106 zuge führt wird, wird ein Polierkopf 102 veranlaßt sich zu drehen, während das Substrat 100 gegen das Polierkissen 108 gedrückt wird. Auf diese Weise wird ein Poliervorgang er reicht.

Eine allgemeine Anwendung von CMP ist die Seichtgraben-Isolation (STI). Bei den STI Techniken werden relativ seichte Isoliergräben ausgebildet, die als Feldzonen fungieren und dazu verwendet werden, die aktiven Zonen auf einem Wafer zu trennen. Ein herkömmliches Beispiel eines STI Prozesses ist in den Fig. 2(a) bis 2(d) ge zeigt. Bei diesem Prozeß wird eine Kissenoxidschicht 202 und eine Siliziumnitrid (SiN) -Stoppschicht 204 aufeinanderfolgend auf einem Halbleitersubstrat 200 gestapelt. Da nach wird ein Fotoresistmuster (nicht gezeigt) oben auf der SiN-Stoppschicht 204 aus gebildet. Dann wird unter Verwendung eines Fotoresistmaterials als Maske die SiN- Stoppschicht 204, die Kissen-Oxidschicht 202 und das Halbleitersubstrat 200 teilweise geätzt, um eine Vielzahl an Gräben 207 auszubilden, wie dies in Fig. 2(a) dargestellt ist. Anschließend wird, wie in Fig. 2(b) gezeigt ist, eine Isolieroxidschicht 208 (welche ul timativ die Graben-Oxidzonen bildet) niedergeschlagen, um die Gräben 206 zu füllen und um die Oberfläche der SiN-Stoppschicht 204 zu bedecken. Die Oxidschicht 208 wird dann einem CMP Prozeß unterworfen, um dadurch die Oxidschicht 208 bis herab zur Ebene der SiN-Stoppschicht 204 zu entfernen. Als ein Ergebnis wird die Konfigura tion gemäß Fig. 2(c) erhalten. Es werden dann die SiN-Stoppschicht 204 und die Kis sen-Oxidschicht 202 auf den aktiven Zonen mit Hilfe eines Ätzprozesses entfernt. Da nach wird eine Gate-Oxidschicht 210 auf der Oberfläche des Halbleitersubstrats 200 ausgebildet, wie dies in Fig. 2(d) gezeigt ist.

Während des zuerst genannten CMP Prozesses, wird die Oxidschicht 208 so lange entfernt, bis die obere Fläche des SiN-Stoppschicht 204 freigelegt ist. Aufgrund unter schiedlicher chemischer und physikalischer Eigenschaften dieser Schicht zeitigt das Oxid der SiN Schichten unterschiedliche Beseitigungsraten, wenn diese dem CMP Pro zeß unterworfen werden und zwar unter Verwendung von bekannten Aufschlämmun gen. Das Verhältnis dieser Beseitigungsraten definiert zumindest teilweise die "Selekti vität" des verwendeten Schlammes. Je niedriger die Selektivität des Schlammes ist je mehr SiN wird während des CMP Prozesses weg poliert.

In idealer Weise sollte der CMP Prozeß nichts von der SiN Schicht entfernen, d. h. die Selektivität würde dann unendlich sein. Jedoch zeitigen die gegenwärtigen CMP Aufschlämmungen eine niedrige Selektivität (ca. 4 bis 1, Oxid zu SiN) und sie polieren daher die SiN Schicht mit unannehmbar hohen Raten. Als ein Ergebnis können die SiN Muster nur irregulär während des CMP Prozesses entfernt werden, wodurch die Dic kenwerte des SiN Muster über den Wafer hinweg variieren können. Dies ist speziell bei dem Fall problematisch, bei dem das Halbleitersubstrat sowohl dicht verteilte als auch spärlich verteilte Muster auf der Oberfläche aufweist. Das Endergebnis besteht aus Stu fendifferenzen zwischen den aktiven Zonen und den Feldzonen, wenn die Ausbildung der Feldzonen vervollständigt worden ist. Dies kann die sich anschließende Herstellung der Vorrichtung nachteilig beeinflussen, was wiederum die Transistor- und Vorrich tungs-Eigenschaften verschlechtern kann und somit die Grenzen des Prozesses redu ziert.

Es ist daher in Verbindung mit einem STI Prozeß wünschenswert, daß die SiN- Schichtmuster einheitliche Dicken besitzen und zwar nach dem Beseitigen der Oxid schicht mit Hilfe des CMP Prozesses. Es sind jedoch einheitliche Dicken der SiN Mu ster nur extrem schwierig zu erzielen, da die gegenwärtigen CMP Aufschlämmungen keine ausreichende Selektivität zwischen den Oxidschichten und den SiN Schichten besitzen.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine CMP Aufschläm mung anzugeben, die eine verbesserte Beseitigungs-Selektivität zwischen Oxidschich ten und Siliziumnitridschichten zeitigt.

Ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung besteht darin, einen CMP Prozeß zu schaffen, der eine verbesserte Beseitigungsselektivität zwischen Oxidschichten und Sili ziumnitridschichten zeitigt.

Ein noch weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung besteht darin, einen STI Pro zeß zu schaffen, der einen CMP verwendet, der eine hohe Beseitigungsselektivität zwi schen Oxidschichten und Siliziumnitridschichten besitzt.

Gemäß einem Aspekt der Erfindung wird ein CMP Schlamm geschaffen, der eine wäßrige Lösung enthält, die Abtrag- oder Abreibteilchen und zwei oder mehrere unter schiedliche Passivierungsagens enthält. In bevorzugter Weise ist die wäßrige Lösung aus deionisiertem Wasser gebildet und die Abriebteilchen bestehen aus Metalloxid, welches aus der Gruppe ausgewählt ist, bestehend aus Zerdioxid, Silika, Tonerde, Ti tandioxid, Zirkonerde und Germaniumdioxid. Auch kann ein erstes Passivierungsagens aus einem anionischen, kationischen oder nicht ionischen Tensid und einem zweiten Passivierungsagens in Form einer Phthalsäure bestehen. Bei einem Beispiel besteht das erste Passivierungsagens aus einer Polyvinyl-schwefeligen Säure und das zweite Passi vierungsagens besteht aus Kaliumwasserstoffphthalat.

Die wäßrige Lösung, die den CMP Schlamm bildet, kann einen Beseitigungsra tenbeschleuniger enthalten wie beispielsweise Ammonium-Wasserstoffphosphat. Die wäßrige Lösung kann ferner einen pH Controller zum Steuern eines pH Wertes dersel ben enthalten.

Gemäß einem anderen Aspekt der Erfindung wird ein CMP Verfahren geschaffen, bei dem eine Oberfläche eines Halbleiterwafers dazu gebracht wird, eine Oberfläche eines Polierkissens zu kontaktieren, wobei eine wäßrige Lösung, die Abriebteilchen und unterschiedliche erste und zweite Passivierungsagens enthält, einer Zwischenschicht zugeführt wird und zwar zwischen der Oberfläche des Polierkissens und der Oberfläche des Halbleiterwafers und wobei die Oberfläche des Halbleiterwafers dazu gebracht wird sich relativ zur Oberfläche des Polierkissens zu drehen.

Bei einem noch anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein STI Verfah ren geschaffen, bei dem eine Kissen-Oxidschicht und eine Siliziumnitridschicht aufein anderfolgend über einer Oberfläche eines Halbleitersubstrats ausgebildet werden, wobei eine Vielzahl an Gräben durch die Siliziumnitridschicht und die Kissenoxidschicht hin durch ausgebildet werden und zwar in das Halbleitersubstrat hinein, eine Isolier- Oxidschicht innerhalb der Vielzahl der Gräben ausgebildet wird und auch über der Sili ziumnitridschicht, wobei dann die Isolier-Oxidschicht dem CMP Prozeß unterzogen wird, um die isolierende Oxidschicht bis herab zu einer Ebene der Siliziumnitridschicht zu beseitigen, und wobei die Kissenoxidschicht und die Siliziumnitridschicht dann be seitigt oder entfernt werden. Bei diesem STI Verfahren umfaßt der CMP Prozeß einen Schritt, bei dem eine Oberfläche der Isolieroxidschicht mit einer Oberfläche eines Po lierkissens in Kontakt gebracht wird, eine wäßrige Lösung, die Abriebteilchen und un terschiedliche erste und zweite Passivierungsagens enthält, einer Zwischenschicht zwi schen der Oberfläche des Polierkissens und der Oberfläche der Isolieroxidschicht zuge führt wird, und wobei die Oberfläche des Halbleiterwafers relativ zur Oberfläche des Polierkissens in Drehung versetzt wird.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Die oben genannten und weitere Ziele, Merkmale und Vorteile der Erfindung er geben sich klarer aus der folgenden detaillierten Beschreibung unter Hinweis auf die beigefügten Zeichnungen, in denen zeigen:

Fig. 1 ein schematisches Diagramm eines herkömmlichen che misch/mechanischen Polier (CMP) Gerätes;

Fig. 2(a) bis 2(d) Stufen eines herkömmlichen Seichtgraben-Isolationsprozesses (STI);

Fig. 3 eine Variation in der Rate der Oxidbeseitigung in Bezug auf die Gewichtsprozent eines Beschleunigers für die Beseitigungsrate, welcher einem Oxidschlamm hinzugefügt ist;

Fig. 4 eine Variation sowohl in der Oxidbeseitigungsrate als auch der Siliziumnitrid (SiN) Beseitigungsrate als eine Funktion eines Ge wichtsprozentsatzes eines ersten Passivierungsagens;

Fig. 5 eine Variation sowohl hinsichtlich der Oxidbeseitigungsrate als auch der Siliziumnitrid (SiN) Beseitigungsrate als Funktion eines Gewichtsprozentsatzes eines zweiten Passivierungsagens;

Fig. 6 eine Variation hinsichtlich sowohl der Oxidbeseitigungsrate als auch der Siliziumnitrid (SiN) Beseitigungsrate als Funktion eines Gewichtsprozentsatzes des zweiten Passivierungsagens in Kom bination mit einer festen Menge des ersten Passivierungsagens;

Fig. 7 eine Variation sowohl hinsichtlich der Oxidbeseitigungsrate, der Siliziumnitrid (SiN) Beseitigungsrate, und eine Selektivität ge mäß Oxid-zu-SiN als eine Funktion des pH Wertes;

Fig. 8 ein Prozeß-Flußdiagramm eines CMP Verfahrens der vorliegen den Erfindung;

Fig. 9 ein Prozeß-Flußdiagramm eines Seichtgraben-Isolations verfahrens der vorliegenden Erfindung.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG VON BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN

Die chemisch/mechanische Polier(CMP) Aufschlämmung der vorliegenden Erfin dung besteht aus einer wäßrigen Lösung, die beispielsweise deioniertes Wasser enthält. Wie noch weiter in Einzelheiten erläutert wird, ist die vorliegende Erfindung wenigstens teilweise gekennzeichnet durch die Entdeckung, daß der Einschluß von zwei oder meh reren unterschiedlichen Passivierungsagens zusammen mit den Abreibteilchen des CMP Schlammes zu einer unerwartet hohen Selektivität zwischen Oxid und dem Siliziumni trid (SiN) führt.

In bevorzugter Weise besteht ein erstes Passivierungsagens aus einem anioni schen, kationischen oder nicht ionischen Tensid, und ein zweites Passivierungsagens besteht aus einer Phthalsäure. Während des CMP Prozesses führen das erste und das zweite Passivierungsagens zu einer selektiven Passivierung der SiN-Stoppschicht und zwar lediglich dazu, wodurch das Wegätzen der SiN-Stoppschicht (was seinerseits die Selektivität erhöht) reduziert wird. In bezug auf das erste Passivierungsagens kann das anionische Tensid aus der Gruppe ausgewählt werden, die besteht aus Karbonsäure und deren Salz, Schwefelsäureester oder dessen Salz, Sulfosäure oder dessen Salz, und ei nem Phosphorsäureester oder dessen Salz, wobei das kationische Tensid (surfactant) aus der Gruppe ausgewählt sein kann, die besteht aus einem primären Amin oder dessen Salz, einem sekundären Amin oder dessen Salz, einem tertiären Amin oder dessen Salz, und einem quaternären Amin oder dessen Salz, und wobei das nicht ionische Tensid aus der Gruppe ausgewählt sein kann, bestehend aus einem Polyethylenglycol-Tensid und aus einem Polyhydroxy-Alkohol-Tensid. Bei einem Beispiel besteht das erste Pas sivierungsagens aus einer Polyvinyl-Schwefelsäure; und das zweite Passivierungsagens besteht aus Kalium-Wasserstoffphthalat.

Der Gewichtsprozentsatz des ersten Passivierungsagens in der wäßrigen Lösung kann bei 0,001-10 Gew.-%, und bevorzugt bei 0,01-5 Gew.-% liegen. Der Gewichtspro zentsatz des zweiten Passivierungsagens in der wäßrigen Lösung kann bei 0,001-1 Gew.-%, bevorzugt bei 0,02-0,5 Gew.-% liegen.

Auch die wäßrige Lösung, welche die CMP Aufschlämmung bildet, enthält in be vorzugter Weise einen die Beseitigungsrate betreffenden Beschleuniger. Der Beseiti gungsrate-Beschleuniger kann aus einem solchen bestehen, der aus der Gruppe ausge wählt ist, bestehend aus Ammoniumdihydrogenphosphat, Kaliumdihydrogenphosphat, bis(2-Ethylhexyl)Phosphat, 2-Aminoethyldihydrogenphosphat, 4- Chlorbenzendiazonium-Hexafluorphosphat, Nitrobenzendiazonium-Hexofluorphosphat, Ammoniumhexafluorphosphat, bis(2,4 Dichlorphenyl)Chlorphosphat, bis(2- Ethylhexyl)Hydrogenphosphat, bis(2-Ethylhexyl)Phosphid, Kalziumfluorphosphat, Diethylchlorphosphat, Diethylchlorthiophosphat, Kaliumhexafluorphosphat, Pyrophos phorsäure, Tetrabutylammoniumhexafluorphosphat, und Tetraethylammoniumhexaflu orphosphat. Bei einem Beispiel besteht der Beseitigungsratenbeschleuniger aus Ammo nium-Wasserstoffphosphat und der Gewichtsprozentsatz des Ammonium- Wasserstoffphosphats in der wäßrigen Lösung kann bei 0,001-10 Gew.-% und bevorzugt bei 0,01-1 Gew.-% liegen.

Die wäßrige Lösung, welche die CMP Aufschlämmung bildet, enthält ferner in bevorzugter Weise einen pH-Controller. Beispielsweise kann der pH Wert der wäßrigen Lösung zwischen 2 und 6, inklusive, liegen. Die wäßrige Lösung kann aus einer Säure lösung wie beispielsweise Schwefelsäurelösung, Chlorsäure, Phosphorsäure, Nitridsäure oder ähnlichem bestehen oder die wäßrige Lösung kann aus einer alkalischen Lösung wie beispielsweise Kaliumhydroxid, Natriumhydroxid, Ammoniumhydroxid oder ähnli chem bestehen.

Die Abreibteilchen der CMP Aufschlämmung bestehen in bevorzugter Weise aus einem Metalloxid, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Zerdioxid, Silika, Tonerde, Titandioxid, Zirkoniumdioxid und Germaniumdioxid. Bei einem Beispiel bestehen die Abreibteilchen aus Zerdioxid und ein Gewichtsprozentsatz der Abriebteilchen in der wäßrigen Lösung liegt bei 0,1-25 Gew.-%.

Wie weiter unten gezeigt werden wird, kann der CMP Schlamm der vorliegenden Erfindung eine Oxid-zu-Siliziumnitrid-Selektivität von 50 : 1 und höher liefern.

Zuerst wird jedoch auf Fig. 3 eingegangen, welche die Wirkungen eines Beseiti gungsratenbeschleunigers veranschaulicht wie beispielsweise Ammonium- Wasserstoffphosphat. Insbesondere zeigt diese Figur die Variation in der Rate (in Å/Min) der Oxidbeseitigung in Bezug auf den Gewichtsprozentsatzbetrag von Ammoni um-Wasserstoffphosphat, welches der Oxidaufschlämmung hinzugefügt ist. Bei diesem Beispiel besteht der Abriebstoff, der in der Aufschlämmung enthalten ist, aus Zeroxid. Wie aus Fig. 3 ersehen werden kann, nimmt die CMP Beseitigungsrate des Oxids im wesentlichen nach der Hinzugabe des Ammonium-Wasserstoffphosphats zu der Oxi daufschlämmung zu.

Um nun auf Fig. 4 einzugehen, so ist in dieser die Wirkung der Kombination aus einem einzelnen Passivierungsagens mit dem Beseitigungsratenbeschleuniger gezeigt. Insbesondere zeigt diese Figur eine Variation sowohl hinsichtlich der Oxid (PETEOS) Beseitigungsrate als auch hinsichtlich der Siliziumnitrid (SiN) Beseitigungsrate als Funktion eines Gewichtsprozentsatzes der Polyvinyl-Sulfonsäure, die aus einem anioni schen Tensid (surfactant) besteht, welches als ein einziges oder einzelnes Passivie rungsagens der Oxidaufschlämmung hinzugefügt ist. Bei diesem Beispiel enthält die Oxidaufschlämmung auch das Ammonium-Wasserstoffphosphat (den Beseitigungsra tenbeschleuniger), der weiter oben in Verbindung mit Fig. 3 erläutert wurde. Wie aus Fig. 4 ersehen werden kann, nimmt die Oxidbeseitigungsrate etwas relativ zu derjenigen von Fig. 3 zu. Jedoch ist die Oxid-zu-SiN-Selektivität der Aufschlämmung in nachteili ger Weise niedrig.

Um nun als nächstes auf Fig. 5 einzugehen, so ist in dieser die Wirkung der Kom bination aus einem unterschiedlichen einzelnen Passivierungsagens mit dem Beseiti gungsratenbeschleuniger dargestellt. Insbesondere zeigt diese Figur eine Variation so wohl hinsichtlich der Oxid (PETEOS) Beseitigungsrate als auch hinsichtlich der Silizi umnitrid (SiN) Beseitigungsrate als Funktion eines Gewichtsprozentsatzes des Kalium wasserstoffphthalats, welches als einziges oder einzelnes Passivierungsagens der Oxi daufschlämmung hinzugefügt ist. Bei diesem Beispiel enthält die Oxidaufschlämmung auch das Ammonium-Wasserstoffphosphat (den Beseitigungsratenbeschleuniger), der weiter oben in Verbindung mit Fig. 3 erläutert wurde. Wie aus Fig. 5 ersehen werden kann, gibt es unwesentliche Änderungen in der Oxidbeseitigungsrate und die Silizium nitrid-Beseitigungsraten sind etwas abgefallen. Ferner bleibt die Oxid-zu-SiN- Selektivität niedrig.

Wie somit aus den Fig. 4 und 5 ersehen werden kann, führt die Zugabe des einzelnen Passivierungsagens (entweder Polyvinylsulfosäure oder Kaliumwasser stoffphthalat) zu den CMP Schlamm nicht zu einer relativ hohen Oxid-zu-SiN- Selektivität.

Wie an früherer Stelle bereits festgehalten wurde, ist die vorliegende Erfindung wenigstens zum Teil durch die Erkenntnis gekennzeichnet, daß der Einschluß oder die mit Einbeziehung von zwei oder mehreren unterschiedlichen Passivierungsagens mit den Abriebteilchen der CMP Aufschlämmung zu einer unerwartet hohen Oxid-zu- Siliziumnitrid (SiN) Selektivität führt. Dies wird am Beispiel von Fig. 6 demonstriert. Insbesondere zeigt diese Figur, ähnlich wie Fig. 5. eine Variation sowohl hinsichtlich der Oxid (PETEOS)-Beseitigungsrate als auch hinsichtlich der Siliziumnitrid-(SiN)- Beseitigungsrate als eine Funktion des Gewichtsprozentsatzes des Kaliumwasser stoffphthalats, welches als ein Passivierungsagens der Oxidaufschlämmung hinzugefügt wurde. Im Gegensatz zu dem Beispiel von Fig. 5, enthält jedoch die Oxidaufschläm mung von Fig. 6 ein zusätzliches Passivierungsagens (Polyvinyl-Sulfosäure) als auch das Ammonium-Wasserstoffphosphat (den Beseitigungsratenbeschleuniger). D. h. die Aufschlämmung des Beispiels von Fig. 6 enthält zwei unterschiedliche Passivierungsa gens und zwar ein erstes Passivierungsagens aus einer Polyvinyl-Sulfosäure, und ein zweites Passivierungsagens aus Kaliumwasserstoffphthalat als auch einen Beseitigungs ratenbeschleuniger. Hier liegt die prozentuale Menge der Polyvinyl-Sulfosäure bei 0,05 Gew.-%. Es kann unmittelbar aus den großen Abweichungen in den Oxid- und SiN- Beseitigungsraten, die in Fig. 6 gezeigt werden, eine überraschend hohe Oxid-zu-SiN- CMP-Selektivität erkannt werden, die durch Hinzufügen von zwei unterschiedlichen Passivierungsagens (z. B. Polyvinyl-Sulfosäure und Kaliumwasserstoffphthalat) zu der CMP Aufschlämmung erreicht wird.

Wie an früherer Stelle dargelegt wurde, enthält der CMP-Schlamm der vorliegen den Erfindung in bevorzugter Weise einen pH Controller. Der pH Controller kann den pH Wert des Schlammes dadurch steuern, indem die Zusammensetzung einer Säurelö sung wie beispielsweise Schwefelsäure, Phosphorsäure, Chlorwasserstoffsäure, Nitrid säure oder Karbonsäure oder eine alkaline Lösung wie beispielsweise Ammoniumhy droxid oder Kaliumhydroxid variiert wird und zwar abhängig von den Gewichtsprozent sätzen des Beseitigungsrate-Beschleunigers und des ersten und des zweiten Passivie rungsagens, die zu dem Schlamm hinzugefügt wurden. Bei dieser Ausführungsform wird der pH Wert des Schlammes unter Verwendung von Schwefelsäure und Kalium hydroxid gesteuert.

Fig. 7 zeigt die Oxid- und Soliziumnitrid-Beseitigungsraten eines CMP- Schlammes als Funktion des pH Wertes. Hierbei enthält der Schlamm den Beseitigungs rate-Beschleuniger und das erste und das zweite Passivierungsagens und der pH Wert des resultierenden Schlammes wurde willkürlich unter Verwendung des pH Controllers gesteuert. Wie aus Fig. 7 ersehen werden kann, zeitigt die höchste Oxid-zu-SiN- Selektivität einen pH Wert von 4.

Um das Verständnis der vorliegenden Erfindung noch weiter zu erhöhen, werden unten eine Anzahl von unterschiedlichen Testbeispielen beschrieben.

Erste Testproben

Drei Aufschlämmungsproben wurden hergestellt, um die Variationen in den Ei genschaften der Aufschlämmung abzuschätzen und zwar in Bezug auf eine Menge der Phosphatzusammensetzung, die der Aufschlämmung hinzu gegeben wurde. In einem Probe-Wafer, der aus einem PEPEOS Deck-Wafer bestand, wurde das PETEOS in einer Dicke von 10000 Å auf einem Polysiliziumsubstrat niedergeschlagen und es wurde eine Zerdioxid-Polierlösung von 1 Gew.% als Polieragens verwendet. Der Poliervorgang wurde in einer 6" PRESI-Ausrüstung unter Verwendung eines IC 1400 Stapelkissens und eines R200 Trägerfilms von der RODEL Gesellschaft bei einem Abwärtsdruck von 5 psi, einer Tischdrehzahl von 65 Umdrehungen/Minute, einer Spindeldrehzahl von 35 Umdrehungen/Minute und einer Schlammflußrate von 250 ml/Min. durchgeführt. Die Ergebnisse der Schätzung der drei Schlammproben sind in der folgenden Tabelle 1 dar gestellt.

Tabelle 1

Wie aus der Tabelle 1 ersehen werden kann, wird dann, wenn eine kleine Menge (ca. 0,05 Gew.-%) des Ammonium-Waserstoffphosphats, welches aus einer Phosphat verbindung besteht, zu der Aufschlämmungszusammensetzung hinzugefügt wird, die Oxid-Beseitigungsrate wesentlich erhöht.

Zweite Testproben

Es wurden fünf Schlammproben hergestellt, um die Oxid- und SiN- Beseitigungsraten und die Selektivität relativ zu dem Gewichtsprozentsatz der hinzuge fügten Polyvinyl-Sulfosäure in einem Zustand zu schätzen, bei dem die Menge des Ammonium-Wasserstoffphosphats bei 0,25 Gew.-% festgelegt ist. Jeder Probe-Wafer bestand aus einem PETEOS Deck-Wafer oder einem Siliziumnitrid-Deck-Wafer (blan ket wafer). Wenn der Probe-Wafer aus einem PETEOS-Deck-Wafer bestand, wurde PETEOS in einer Dicke von 10000 Å auf ein Polysiliziumsubstrat niedergeschlagen. Wenn der Probe-Wafer aus einem Siliziumnitrid-Deck-Wafer bestand, wurde ein Hochtemperatur-Oxid- und Siliziumnitrid anschließend in einer Dicke von 1000 Å bzw. 2000 Å niedergeschlagen und zwar auf ein Polysiliziumsubstrat. Bei dem Probe-Wafer wurde eine Zerdioxid-Polierlösung von 1 Gew.% als Polieragens verwendet. Der Polier vorgang wurde mit einer 6" PRESI Ausrüstung durchgeführt und zwar unter Verwen dung eines IC 1400 Stapelkissens und eines R200 Trägerfilms von der RODEL Gesell schaft, bei einem Abwärtsdruck von 5 psi, einer Tischdrehzahl von 65 Umdrehun gen/Minute, einer Spindeldrehzahl von 35 Umdrehungen/Minute und einer Schlamm- Fließrate von 250 ml/Min. Die Ergebnisse der Abschätzung bzw. die Testergebnisse der fünf Schlammproben sind in der folgenden Tabelle 2 gezeigt.

Tabelle 2

Wie aus der Tabelle 2 ersehen werden kann, nehmen dann, wenn die Gewichts prozentsätze der Polyvinyl-Sulfosäure zunehmen die Beseitigungsraten von sowohl dem Oxid als auch dem SiN in einer allgemein linearen Weise zu. Als ein Ergebnis ergibt sich keine Verbesserung in der Selektivität.

Dritte Testproben

Es wurden fünf Schlammproben hergestellt, um die Oxid- und SiN- Beseitigungsraten und die Selektivität relativ zu dem Gewichtsprozentsatz des hinzuge fügten Kalium-Wasserstoffphthalats in einem Zustand abzuschätzen oder zu ermitteln, bei dem die Menge des Ammonium-Wasserstoffphosphats bei 0,2 Gew.-% fixiert war.

Jeder Probe-Wafer bestand aus einem PETEOS Deck-Wafer (blanket wafer) oder aus einem Siliziumnitrid-Deck-Wafer. Wenn der Probe-Wafer aus einem PETEOS Deck-Wafer bestand, wurde das PETEOS in einer Dicke von 10000 Å auf ein Polysilizi umsubstrat niedergeschlagen. Wenn der Probe-Wafer aus einem Siliziumnitrid-Deck- Wafer bestand, wurde Hochtemperatur-Oxid- und Siliziumnitrid anschließend mit Dic ken von 1000 Å bzw. 2000 Å auf einem Polysiliziumsubstrat niedergeschlagen. Bei dem Probe-Wafer wurde eine Zerdioxid-Polierlösung von 1 Gew.% als Polieragens verwen det. Der Poliervorgang wurde mit einer 6" PRESI Ausrüstung unter Verwendung eines IC 1400 Stapelkissens und eines R200 Trägerfilms von der RODEL Gesellschaft durch geführt und zwar bei einem Abwärtsdruck von 5 psi, einer Tischdrehzahl von 65 Um drehungen/Minute, einer Spindeldrehzahl von 35 Umdrehungen/Minute und bei einer Schlammfließrate von 250 ml/Min. Die Ergebnisse des Tests bzw. Schätzung von den fünf Schlammproben sind in der folgenden Tabelle 3 wiedergegeben.

Tabelle 3

Wie aus der Tabelle 3 ersehen werden kann, nimmt dann, wenn der Gewichtspro zentsatz des Kaliumwasserstoffphthalats erhöht wird, die Oxidbeseitigungsrate etwas zu und die SiN-Beseitigungsrate nimmt etwas ab, was zu einer Zunahme in der Selektivität führt. Nichtsdestoweniger ist die Selektivität weiterhin relativ niedrig.

Vierte Testproben

In diesem Fall wurden fünf Schlammproben hergestellt, um die Oxid- und SiN- Beseitigungsraten und die Selektivität relativ zu dem Gewichtsprozentsatz des hinzuge gebenen Kalium-Wasserstoffphthalats abzuschätzen, welches ein Passivierungsagens ist, und zwar in einem Zustand, bei dem der Gewichtsprozentsatz des Ammonium- Wasserstoffphosphats, welches einen Beseitigungsrate-Beschleuniger darstellt, und der Polyvinylsulfosäure, die ein anderes Passivierungsagens darstellt, bei 0,05 Gew.-% fi xiert sind.

Jeder Probe-Wafer bestand aus einem PETEOS Deck-Wafer oder aus einem Sili ziumnitrid-Deck-Wafer. Wenn der Probe-Wafer aus einem PETEOS Deck-Wafer be stand, wurde PETEOS in einer Dicke von 10000 Å auf ein Polysiliziumsubstrat nieder geschlagen. Wenn der Probe-Wafer aus einem Siliziumnitrid-Deck-Wafer bestand, wur de Hochtemperatur-Oxid und Silizium-Nitrid anschließend in einer Dicke von 1000 Å bzw. 2000 Å auf einem Polysiliziumsubstrat niedergeschlagen. Bei dem Probe-Wafer wurde eine Zerdioxid-Polierlösung von 1 Gew.% als Polieragens verwendet. Der Polier vorgang wurde mit einer 6" PRESI Ausrüstung unter Verwendung eines IC 1400 Stapel kissens und eines R200 Trägerfilms der RODEL Gesellschaft durchgeführt und zwar bei einem Abwärtsdruck (down pressure) von 5 psi, einer Tischdrehzahl von 65 Umdrehun gen/Minute, einer Spindeldrehzahl von 35 Umdrehungen/Minute und einer Schlamm fließrate von 250 ml/Min. Die Ergebnisse der Abschätzung bzw. des Tests der fünf Schlammproben sind in der Tabelle 4 gezeigt.

Tabelle 4

Wie aus der Tabelle 4 unmittelbar ersehen werden kann, ist die Oxid-zu-SiN- Selektivität wesentlich durch die Hinzugabe der unterschiedlichen ersten und zweiten Passivierungsagens erhöht worden (wie beispielsweise Polyvinylsulfosäure und Kali umwasserstoffphthalat) und zwar zu dem CMP Schlamm, der den Beseitigungsrate- Beschleuniger enthält. In der Tat kann eine Selektivität von 50 : 1 oder mehr erreicht werden. Dies steht in einem günstigen Vergleichsverhältnis zu den herkömmlichen Auf schlämmungen, die in typischer Weise eine Selektivität von ca. 4 : 1 oder ähnlich besit zen.

Fünfte Testproben

In diesem Fall wurden drei Schlammproben hergestellt, um die Oxid und SiN- Beseitigungsraten relativ zu unterschiedlichen pH Werten in einem Zustand abzuschät zen, bei der die Gewichtsprozentsätze des Ammonium-Wasserstoffphosphats, der Po lyvinylsulfosäure und des Kaliumwasserstoffphthalats auf 0,05 Gew.-% fixiert sind.

Jeder Probe-Wafer bestand aus einem PETEOS Deck-Wafer oder einem Silizium nitrid-Deck-Wafer. Wenn der Probe-Wafer aus einem PETEOS Deck-Wafer bestand, wurde PETEOS in einer Dicke von 10000 Å auf ein Polysiliziumsubstrat niedergeschla gen. Wenn der Probe-Wafer aus einem Siliziumnitrid-Deck-Wafer bestand, wurde Hochtemperaturoxid und Siliziumnitrid anschließend in einer Dicke von 1000 Å bzw. 2000 Å auf einem Polysiliziumsubstrat niedergeschlagen. Bei dem Probe-Wafer wurde eine Zerdioxid-Polierlösung von 1 Gew.% als Polieragens verwendet. Der Poliervorgang wurde in einer 6" PRESI Ausrüstung unter Verwendung eines IC 1400 Stapelkissens und eines R200 Trägerfilms der RODEL Gesellschaft durchgeführt und zwar bei einem Ab wärtsdruck von 5 psi, einer Tischdrehzahl von 65 Umdrehungen/Minute, einer Spin deldrehzahl von 35 Umdrehungen/Minute und einer Schlammfließrate von 250 ml/Min. Die Ergebnisse der Abschätzung bzw. Tests der drei Schlammproben sind in der fol genden Tabelle 5 dargestellt.

Tabelle 5

Wie aus der Tabelle 5 ersehen werden kann, nimmt der pH Wert des Schlammes zu, die Beseitigungsrate des PETEOS nimmt ab, während jedoch die Beseitigungsrate des Siliziumnitrids wesentlich zunimmt. Konsequenter Weise nimmt die Selektivität von PETEOS in Bezug auf SiN wesentlich ab. Demzufolge wurde bei dieser speziellen Ausführungsform festgelegt, daß ein Schlamm mit einem pH Wert von 6 oder weniger eine hohe Selektivität zeitigt. Als solches kann die Selektivität speziell durch die Ver wendung des ersten und des zweiten Passivierungsagens zusammen mit einem pH Con troller erhöht werden, was zu einem pH Wert von 6 oder weniger führt.

Um nun auf das Prozeß-Flußdiagramm von Fig. 8 einzugehen, so soll im folgen den ein CMP Prozeß nach der vorliegenden Erfindung beschrieben werden. Bei dem Schritt 802 wird eine Oberfläche eines Halbleiterwafers, der poliert werden soll, in Kontakt mit der Oberfläche eines Polierkissens gebracht. Bei dem Schritt 804 wird eine wäßrige Lösung, die Abriebteilchen enthält und die unterschiedliche erste und zweite Passivierungsagens enthält, einer Zwischenschicht zwischen der Oberfläche des Polier kissens und der Oberfläche des Halbleiterwafers zugeführt. Dann wird bei dem Schritt 806 veranlaßt, daß sich die Oberfläche des Halbleiterwafers relativ zur Oberfläche des Polierkissens dreht.

Wie an früherer Stelle erwähnt wurde, kann das erste Passivierungsagens aus einer Polyvinyl-Sulfosäure bestehen, und das zweite Passivierungsagens kann aus Kalium- Wasserstoffphthalat bestehen. Es kann auch ein Beseitigungsrate-Beschleuniger und/oder ein pH Controller zu der wäßrigen Lösung hinzugefügt werden, die den CMP Schlamm bildet.

Fig. 9 zeigt ein Prozeßflußdiagramm eines Seichtgraben-Isolierverfahrens nach der vorliegenden Erfindung. Bei dem Schritt 902 wird eine Kissen-Oxidschicht über einer Oberfläche eines Halbleitersubstrats ausgebildet. Dann wird bei dem Schritt 904 eine Siliziumnitridschicht über der Kissen-Oxidschicht in solcher Weise ausgebildet, daß die Kissenoxidschicht zwischen dem Halbleitersubstrat und der Siliziumnitrid schicht zwischengefügt wird. Als nächstes werden bei dem Schritt 906 eine Vielzahl an Gräben ausgebildet, die sich durch die Siliziumnitridschicht und die Kissen-Oxidschicht erstrecken und zwar in das Halbleitersubstrat hinein. Bei dem Schritt 908 wird eine Iso lier-Oxidschicht innerhalb der Vielzahl der Gräben und über der Siliziumnitridschicht ausgebildet. Als nächstes wird bei dem Schritt 910 die Isolieroxidschicht beseitigt und zwar herab bis zu einer Höhe oder Ebene der Siliziumnitridschicht, in dem diese einem chemisch/mechanischen Polierprozeß unterworfen wird, der in Verbindung mit Fig. 8 beschrieben wurde. Auch hier kann das erste Passivierungsagens aus der Polyvinyl- Sulfosäure bestehen, und das zweite Passivierungsagens kann aus dem Kaliumwasser stoffphthalat bestehen. Auch kann ein Beseitigungsrate-Beschleuniger und/oder ein pH Controller zu der wäßrigen Lösung hinzugegeben werden, welche die CMP Auf schlämmung darstellt. Dann wird bei dem Schritt 912 die Kissenoxidschicht und die Siliziumnitridschicht entfernt, was dazu führt, daß eine Vielzahl von Graben-Oxidzonen in der Oberfläche des Halbleitersubstrats verbleiben.

Während die vorliegende Erfindung unter Hinweis auf die offenbarten spezifi schen Ausführungsformen beschrieben wurde, sei darauf hingewiesen, daß Abwandlun gen vorgenommen werden können, ohne dadurch den Rahmen der Erfindung zu verlas sen. Der Rahmen der Erfindung ist nicht auf die Beschreibung und die hier dargestellten Beispiele eingeschränkt, sondern wird vielmehr durch die anhängenden Ansprüche defi niert.

Claims

1. Chemisch/mechanische Polieraufschlämmung, mit einer wäßrigen Lösung, die Abriebteilchen und unterschiedliche erste und zweite Passivierungsagens enthält.

2. Chemisch/mechanische Polieraufschlämmung nach Anspruch 1, bei der das erste Passivierungsagens aus einem anionischen, kationischen oder nicht ionischen Tensid (surfactant) besteht.

3. Chemisch/mechanische Polieraufschlämmung nach Anspruch 1, bei der das erste Passivierungsagens aus einer Polyvinyl-Sulfosäure besteht.

4. Chemisch/mechanische Polieraufschlämmung nach Anspruch 2 oder 3, bei der ein Gewichtsprozentsatz des ersten Passivierungsagens in der wäßrigen Lösung bei 0,001-10 Gew.-% liegt.

5. Chemisch/mechanische Polieraufschlämmung nach Anspruch 2 oder 3, bei der ein Gewichtsprozentsatz des ersten Passivierungsagens in der wäßrigen Lösung bei 0,01-5 Gew.-% liegt.

6. Chemisch/mechanische Polieraufschlämmung nach Anspruch 1, bei der das zweite Passivierungsagens aus einer Phthalsäure und deren Salze besteht.

7. Chemisch/mechanische Polieraufschlämmung nach Anspruch 1, bei der das zweite Passivierungsagens aus Kaliumwasserstoffphthalat besteht.

8. Chemisch/mechanische Polieraufschlämmung nach Anspruch 6 oder 7, bei der ein Gewichtsprozentsatz des zweiten Passivierungsagens in der wäßrigen Lösung bei 0,001-1 Gew.% liegt.

9. Chemisch/mechanische Polieraufschlämmung nach Anspruch 6 oder 7, bei der ein Gewichtsprozentsatz des zweiten Passivierungsagens in der wäßrigen Lösung bei 0,02-0,5 Gew.-% liegt.

10. Chemisch/mechanische Polieraufschlämmung nach Anspruch 2, bei der das zweite Passivierungsagens aus einer Phthalsäure und deren Salze besteht.

11. Chemisch/mechanische Polieraufschlämmung nach Anspruch 3, bei der das zweite Passivierungsagens aus Kaliumwasserstoffphthalat besteht.

12. Chemisch/mechanische Polieraufschlämmung nach Anspruch 10, bei der eine Menge des ersten Passivierungsagens in der wäßrigen Lösung 0,001-10 Gew.% beträgt und bei der eine Menge des zweiten Passivierungsagens in der wäßrigen Lösung 0,001-1 Gew.-% beträgt.

13. Chemisch/mechanischer Polieraufschlämmung nach Anspruch 11, bei der eine Menge des ersten Passivierungsagens in der wäßrigen Lösung 0,001-10 Gew.-% beträgt, und bei der eine Menge des zweiten Passivierungsagens in der wäßrigen Lösung 0,001-1 Gew.-% beträgt.

14. Chemisch/mechanischer Polieraufschlämmung nach Anspruch 10, bei der eine Menge eines ersten Passivierungsagens in der wäßrigen Lösung 0,01-5 Gew.-% beträgt, und bei der eine Menge des zweiten Passivierungsagens in der wäßrigen Lösung 0,02-0,5 Gew.-% beträgt.

15. Chemisch/mechanischer Polieraufschlämmung nach Anspruch 11, bei der eine Menge des ersten Passivierungsagens in der wäßrigen Lösung 0,01-5 Gew.-% be trägt, und bei der eine Menge des zweiten Passivierungsagens in der wäßrigen Lö sung 0,02-0,5 Gew.-% beträgt.

16. Chemisch/mechanischer Polieraufschlämmung nach Anspruch 2, bei der das anionische Tensid aus der Gruppe ausgewählt ist, bestehend aus Karbonsäure oder deren Salz, Schwefelsäureester oder dessen Salz, Sulfonsäure oder deren Salz, und Phosphorsäureester oder dessen Salz, wobei das kationische Tensid (surfactant) aus der Gruppe ausgewählt ist bestehend aus einem primären Amin oder dessen Salz, einem sekundären Amin oder dessen Salz, einem tertiären Amin oder dessen Salz und einem quarternären Amin oder dessen Salz, und bei der das nicht ioni sche Tensid ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus einem Polyethylengly kol-Tensid und einem Polyhydroxi-Alkohol-Tensid.

17. Chemisch/mechanischer Polieraufschlämmung nach irgendeinem der Ansprüche 1, 2, 3, 10 oder 11, bei der die wäßrige Lösung ferner einen Beschleuniger für die Beseitigungsrate enthält.

18. Chemisch/mechanischer Polieraufschlämmung nach Anspruch 17, bei der der Beschleuniger für die Beseitigungsrate aus Ammoniumwasserstoffphosphat be steht und bei der ein Gewichtsprozentsatz des Ammoniumwasserstoffphoshats in der wäßrigen Lösung im Bereich von 0,001-10 Gew.-% liegt.

19. Chemisch/mechanischer Polieraufschlämmung nach Anspruch 17, bei der der Beschleuniger für die Beseitigungsrate aus einem solchen besteht, der aus der Gruppe ausgewählt ist, bestehend aus Ammoniumdihydrophosphat, Kaliumdihy drogenphosphat, bis(2-Ethylhexyl) Phosphat, 2-Aminoethyldihydrogenphoshat, 4-Chlorbenzendiazonhexafluorphoshat, Nitrobenzendiazonhexafluorphosphat, Ammoniumhexafluorphosphat, bis(2,4-Dichlorphenyl)Chlorphosphat, bis(2- Ethylhexyl)Hydrogenphosphat, bis(2-Ethylhexyl)Phosphid, Kalziumfluorphos phat, Diethylchlorphosphat, Diethylchlorthiophosphat, Kaliumhexafluorphosphat, Pyrophosphorsäure, Tetrapothylammoniumhexafluorphosphat und Tetraethylam moniumhexafluorphoshat.

20. Chemisch/mechanischer Polieraufschlämmung nach irgendeinem der Ansprüche 1, 2, 3, 10 oder 11, bei der die wäßrige Lösung ferner einen pH Controller enthält.

21. Chemischer/mechanischer Polieraufschlämmung nach Anspruch 17, bei der die wäßrige Lösung ferner einen pH Controller enthält.

22. Chemisch/mechanischer Polieraufschlämmung nach Anspruch 21, bei der die wäßrige Lösung einen pH Wert zwischen 2 und 6, inklusive, enthält.

23. Chemisch/mechanischer Polieraufschlämmung nach Anspruch 1, bei der die Ab riebteilchen aus Metalloxid bestehen und aus der Gruppe ausgewählt sind, die be steht aus Zerdioxid, Silika, Tonerde, Titandioxid, Zirkondioxid und Germanium dioxid.

24. Chemisch/mechanischer Polieraufschlämmung nach Anspruch 1, bei der ein Ge wichtsprozentsatz der Abriebteilchen in der wäßrigen Lösung im Bereich zwi schen 0,1-25 Gew.-% liegt.

25. Chemisch/mechanischer Polieraufschlämmung nach Anspruch 1, bei der eine Oxid-zu-Siliziumnitrid-Selektivität der wäßrigen Lösung wenigstens 50 : 1 beträgt.

26. Chemisch/mechanischer Polieraufschlämmung nach Anspruch 11, bei der eine Oxid-zu-Siliziumnitrid-Selektivität der wäßrigen Lösung bei wenigstens 50 : 1 liegt.

27. Chemisch/mechanisches Polierverfahren, mit den folgenden Schritten:
in Kontaktbringen einer Oberfläche eines Halbleiterwafers mit einer Oberfläche eines Polierkissens;
Zuführen einer wäßrigen Lösung, welche Abriebteilchen und unterschiedliche erste und zweite Passivierungsagens enthält, zu einer Zwischenschicht zwischen der Oberfläche des Polierkissens und der Oberfläche des Halbleiterwafers; und
Drehen der Oberfläche des Halbleiterwafers relativ zur Oberfläche des Polierkis sens.

28. Chemisch/mechanisches Polierverfahren, mit den folgenden Schritten:
in Kontaktbringen einer Oberfläche eines Halbleiterwafers mit einer Oberfläche eines Polierkissens;
Zuführen einer wäßrigen Lösung, die Abriebteilchen, Polyvinyl-Sulfosäure, und Kaliumwasserstoffphthalat enthält, zu einer Zwischenschicht zwischen der Ober fläche des Polierkissens und der Oberfläche des Halbleiterwafers; und
Drehen der Oberfläche des Halbleiterwafers relativ zur Oberfläche des Polierkis sens.

29. Chemisch/mechanisches Polierverfahren nach Anspruch 28, bei dem die zuge führte wäßrige Lösung ferner einen pH Controller und einen Beschleuniger für ei ne Beseitigungsrate enthält.

30. Chemisch/mechanisches Polierverfahren nach Anspruch 28, bei dem die zuge führte wäßrige Lösung einen pH Wert im Bereich zwischen 2 und 6, inklusive, enthält und ferner Ammonium-Wasserstoffphosphat enthält.

31. Seichtgraben-Isolierverfahren, mit den folgenden Schritten:
Ausbilden einer Kissenoxidschicht über einer Oberfläche eines Halbleitersub strats;
Ausbilden einer Siliziumnitridschicht über der Kissen-Oxidschicht in solcher Weise, daß die Kissen-Oxidschicht zwischen dem Halbleitersubstrat und der Sili ziumnitridschicht zwischengefügt wird;
Ausbilden einer Vielzahl an Gräben durch die Siliziumnitridschicht und die Kis sen-Oxidschicht hindurch bis in das Halbleitersubstrat hinein;
Ausbilden einer Isolieroxidschicht innerhalb der Vielzahl der Gräben und über der Siliziumnitridschicht;
Aussetzen der Isolieroxidschicht einem chemisch/mechanischen Poliervorgang, um die Isolieroxidschicht herab bis zur Ebene oder Höhe der Siliziumnitridschicht zu beseitigen, wobei der chemisch/mechanische Poliervorgang enthält: (a) in Kontaktbringen einer Oberfläche der Isolieroxidschicht mit einer Oberfläche eines Polierkissens, (b) Zuführen einer wäßrigen Lösung, die Abriebteilchen und unter schiedliche erste und zweite Passivierungsagens enthält, zu einer Zwischenschicht zwischen der Oberfläche des Polierkissens und der Oberfläche der Isolieroxid schicht, und (c) Drehen der Oberfläche des Halbleiterwafers relativ zur Oberfläche des Polierkissens; und
Entfernen der Kissenoxidschicht und der Siliziumnitridschicht.

32. Seichtgraben-Isolierverfahren, mit den folgenden Schritten:
Ausbilden einer Kissenoxidschicht über einer Oberfläche eines Halbleitersub strats;
Ausbilden einer Siliziumnitridschicht über der Kissenoxidschicht in solcher Wei se, daß die Kissenoxidschicht zwischen dem Halbleitersubstrat und der Silizium nitridschicht zwischengefügt wird;
Ausbilden einer Vielzahl von Gräben durch die Siliziumnitridschicht und die Kis senoxidschicht hindurch bis in das Halbleitersubstrat hinein,
Ausbilden einer Isolieroxidschicht innerhalb der Vielzahl der Gräben und über der Siliziumnitridschicht;
Aussetzen der Isolieroxidschicht einem chemisch/mechanischen Poliervorgang, um die Isolieroxidschicht bis herab zu einer Ebene oder Höhe der Siliziumnitrid schicht zu beseitigen, wobei der chemisch/mechanische Poliervorgang folgendes umfaßt: (a) in Kontaktbringen einer Oberfläche der Isolieroxidschicht mit einer Oberfläche eines Polierkissens, (b) Zuführen einer wäßrigen Lösung, die Abrieb teilchen, eine Polyvinyl-Sulfosäure und Kaliumwasserstoffphthalat enthält, zu ei ner Zwischenschicht zwischen der Oberfläche des Polierkissens und der Oberflä che der Isolieroxidschicht, und (c) Drehen der Oberfläche des Halbleiterwafers relativ zur Oberfläche des Polierkissens; und
Entfernen der Kissenoxidschicht und der Siliziumnitridschicht.

33. Chemisch/mechanisches Polierverfahren nach Anspruch 32, bei dem die zuge führte wäßrige Lösung ferner einen pH Controller und einen Beschleuniger für die Beseitigungsrate enthält.

34. Chemisch/mechanisches Polierverfahren nach Anspruch 32, bei dem die zuge führte wäßrige Lösung einen pH Wert im Bereich zwischen 2 und 6, inklusive, und ferner Ammoniumwasserstoffphosphat enthält.