JP2002300065A

JP2002300065A - テレビジョンチューナ

Info

Publication number: JP2002300065A
Application number: JP2001148947A
Authority: JP
Inventors: Masaki Yamamoto; 正喜山本
Original assignee: Alps Electric Co Ltd
Current assignee: Alps Alpine Co Ltd
Priority date: 2000-11-29
Filing date: 2001-05-18
Publication date: 2002-10-11
Also published as: KR100424691B1; KR20020042471A; US20020063804A1; CN1185869C; US6903783B2; MY127214A; CN1356826A; EP1213837A1

Abstract

(57)【要約】【課題】ＶＨＦ帯のテレビジョン信号を増幅するＦＥ
Ｔの第一ゲートのバイアス電圧を切り替えるためのスイ
ッチトランジスタの内部容量がＶＨＦ入力同調回路と結
合しないようにしてＶＨＦ入力同調回路の同調周波数範
囲を広げる。【解決手段】第一のスイッチダイオード３のアノード
に所定のバイアス電圧を印加し、スイッチトランジスタ
５のコレクタには給電抵抗６介して電源電圧を印加する
と共にそのエミッタを接地し、スイッチトランジスタ５
のコレクタを、第一の抵抗１２ａを介して第一のＦＥＴ
１２の入力端子に接続し、第一のスイッチダイオード３
とスイッチトランジスタ５をＵＨＦ帯のテレビジョン信
号を受信するとき又はＶＨＦ帯のテレビジョン信号を受
信するときに対応して共にオン又はオフに切り替えた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はＵＨＦ帯のテレビジ
ョン信号又はＶＨＦ帯のテレビジョン信号を受信するテ
レビジョンチューナに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のテレビジョンチューナの構成を図
５に示す。ＶＨＦ帯乃至ＵＨＦ帯のテレビジョン信号が
入力される入力端３１には不要な信号を除去するフィル
タ３２を介してＶＨＦチューナ部４０のＶＨＦ同調回路
４１が結合され、ＶＨＦ同調回路４１の次段には高周波
増幅器を構成する第一のＦＥＴ（デュアルゲートＦＥ
Ｔ）４２が設けられる。また、入力端３１には第一のス
イッチダイオード３３を介してＵＨＦチューナ部５０の
ＵＨＦ同調回路５１が結合され、ＵＨＦ同調回路５１の
次段には高周波増幅器を構成する第二のＦＥＴ５２が設
けられる。

【０００３】ＶＨＦ同調回路４１は、一端が直流カット
コンデンサ４１ａによって高周波的に接地されたインダ
クタンス素子４１ｂとその他端側に順次高周波的に直列
に接続された三個のインダクタンス素子４１ｃ、４１
ｄ、４１ｅと、最もホット側のインダクタンス素子４１
ｅにカソードが接続されると共にアノードが接地されて
これら四個のインダクタンス素子の全体に対して並列に
接続される第一のバラクタダイオード４１ｆと、中間の
二つのインダクタンス素子４１ｃ、４１ｄに対して高周
波的に並列に接続された第二のスイッチダイオード４１
ｇとを有している。そして、中間の二つのインダクタン
ス素子４１ｃと４１ｄとの接続点がフィルタ３２に結合
され、第二のスイッチダイオード４１ｇのアノードが第
一のスイッチダイオード３３のアノードに直流的に接続
される。

【０００４】また、直流カットコンデンサ４１ａとイン
ダクタンス素子４１ｂとの接続点には電源電圧を抵抗に
よって分圧して得た所定のバイアス電圧が印加される。
このバイアス電圧はインダクタンス素子４１ｂ、４１ｃ
等を介して第一及び第二のスイッチダイオード３３、４
１ｇの各アノードに印加される。また、第二のスイッチ
ダイオード４１ｇのカソードは抵抗４１ｈを介してバン
ド切替回路３４の第一の切替端子３４ａに接続される。

【０００５】最もホット側のインダクタンス素子４１ｅ
と第一のバラクタダイオード４１ｆのカソードとの接続
点は第一のＦＥＴ４２の入力端子である第一ゲートに結
合される。そして、第一ゲートはスイッチトランジスタ
３５のコレクタに接続される。コレクタには給電抵抗３
６を介して電源電圧が印加され、エミッタは接地され
る。

【０００６】一方、第一のスイッチダイオード３３のカ
ソードは抵抗３７を介してスイッチトランジスタ３５の
コレクタに接続される。また、第一のスイッチダイオー
ド３３のカソードはＵＨＦチューナ部５０のＵＨＦ同調
回路５１を構成する二つのインダクタンス素子５１ａ、
５１ｂの互いの接続点に結合される。二個のインダクタ
ンス素子５１ａ、５１ｂには第二のバラクタダイオード
５１ｃが並列に接続される。そしてＵＨＦ同調回路５１
は第二のＦＥＴ５２の入力端子である第一ゲートに結合
される。

【０００７】第二のＦＥＴ５２の第一ゲートにはピーキ
ングコイル５２ａの一端が接続され、その他端は高周波
的に接地される。そして、その他端がスイッチトランジ
スタ３５のベースに接続されると共にバンド切替回路３
４の第二の切替端子３４ｂに接続される。

【０００８】なお、図示はしないが、第一及び第二のバ
ラクタダイオード４１ｆ、５１ｃの各カソードには各同
調回路４１、５１の同調周波数を変えるための同調電圧
が印加され、第一及び第二のＦＥＴ４２、５２の各第二
ゲートには利得制御用のＡＧＣ電圧が印加される。さら
に、各ＦＥＴ４２、５２の後段にはそれぞれ周波数変換
用の混合器等が設けられるが図示及び説明は省略する。

【０００９】バンド切替回路３４はＶＨＦチューナ部４
０及びＵＨＦチューナ部５０の動作状態を切り替えると
共に、ＶＨＦチューナ部４０の受信帯域を切り替えるた
めの切替電圧を発生する。すなわち、第一の切替端子３
４ａの電圧は、ＶＨＦ帯のローバンドのテレビジョン信
号とＵＨＦ帯のテレビジョン信号とを受信するときにハ
イレベル（一例として電源電圧）となり、ハイバンドの
テレビジョン信号を受信するときにはローレベル（一例
として０ボルト）となる。また、第二の切替端子３４ｂ
の電圧は、ＵＨＦ帯のテレビジョン信号を受信するとき
にのみハイレベルとなり、ＶＨＦ帯のテレビジョン信号
（ローバンド、ハイバンド共に）を受信するときにはロ
ーレベルとなる。

【００１０】以上の構成において、先ず、ＶＨＦ帯のテ
レビジョン信号を受信するときには、第二の切替端子３
４ｂがローレベルとなるので、第二のＦＥＴ５２は非動
作状態となり、スイッチトランジスタ３５がオフとなっ
て第一のＦＥＴ４２の第一ゲートには給電抵抗３６を介
してバイアス電圧が印加される。このバイアス電圧は第
一のＦＥＴ４２の内部回路によって適正なほぼ１．７ボ
ルト程度となる。さらに、第一のスイッチダイオード３
３がオフとなってテレビジョン信号はＵＨＦ同調回路５
１には入力されなくなる。

【００１１】この場合、ＶＨＦ帯のローバンドのテレビ
ジョン信号を受信する場合には第一の切替端子３４ａが
ハイレベルであるので、第二のスイッチダイオード４１
ｇはオフとなり、ＶＨＦ同調回路４１はローバンドに同
調する。また、ハイバンドのテレビジョン信号を受信す
るときには第一の切替端子３４ａがローレベルとなるの
で第二のスイッチダイオード４１ｇがオンして二つのイ
ンダクタンス素子４１ｃ、４１ｄがＶＨＦ同調回路５１
から除外され、ＶＨＦ同調回路４１はハイバンドに同調
する。

【００１２】一方、ＵＨＦ帯のテレビジョン信号を受信
するときには、第二の切替端子３４ｂがハイレベルにな
るので、第二のＦＥＴ５２は第一ゲートにバイアス電圧
が印加されて動作状態となる。また、スイッチトランジ
スタ３５がオンとなることによって第一のＦＥＴ４２は
第一ゲートの電圧がほぼ０ボルトとなって非動作状態と
なる。さらに、スイッチトランジスタ３５がオンとなる
ことで第一のスイッチダイオード３３がオンとなり、Ｕ
ＨＦ帯のテレビジョン信号がＵＨＦチューナ部５０のＵ
ＨＦ同調回路５１に入力される。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】上記の構成において
は、スイッチトランジスタ３５がオフとなって第一のＦ
ＥＴ４２が動作状態のときに、スイッチトランジスタ３
５の出力容量（コレクタ・エミッタ間の内部容量）が第
一ゲートに加わる。この結果、ＶＨＦ同調回路４１の同
調周波数の変化する範囲が狭くなり、特にハイバンドの
高域までの同調が困難となってＮＦが悪化する。

【００１４】また、スイッチトランジスタ３５をオフに
するときには第一のスイッチダイオード３３もオフにす
ることから第一のスイッチダイオード３３のアノードに
印加するバイアス電圧は１．７ボルト（第一のＦＥＴ４
２の第一ゲートのバイアス電圧）よりも低くする必要が
あるが、これを例えば１．０ボルト程度に設定すると、
第一のスイッチダイオード３３のアノードとカソードと
の間の逆方向電圧が少なくなり、レベルの大きなテレビ
ジョン信号が入力されたときに第一のスイッチダイオー
ド３３が歪みを発生する。

【００１５】その対策として、第一のスイッチダイオー
ド３３のアノードに印加するバイアス電圧を低くすれば
よいが、そうすると、ハイバンド時に第二のスイッチダ
イオード４１ｇに十分な電流を流すためにはカソード側
の抵抗４１ｈの抵抗値を小さくしなければならない。こ
の抵抗４１ｈはインダクタンス素子４１ｂに並列に接続
されるのでＶＨＦ同調回路４１のＱを下げると共に、挿
入損失を増大させ、ハイバンドでのＮＦを悪化させる。

【００１６】そこで、本発明のテレビジョンチューナで
は、ＶＨＦ帯のテレビジョン信号を増幅するＦＥＴの第
一ゲートのバイアス電圧を切り替えるためのスイッチト
ランジスタの内部容量がＶＨＦ同調回路と結合しないよ
うにしてＶＨＦ同調回路の同調周波数範囲を広げること
を目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めの手段として、本発明のテレビジョンチューナは、Ｖ
ＨＦ帯乃至ＵＨＦ帯のテレビジョン信号が入力される入
力端と、前記入力端に結合されたＶＨＦ同調回路と前記
ＶＨＦ同調回路の次段に設けられて少なくとも前記ＶＨ
Ｆ帯のテレビジョン信号を増幅する第一のＦＥＴとを有
するＶＨＦチューナ部と、前記第一のＦＥＴの入力端子
のバイアス電圧を切り替えるスイッチトランジスタと、
第一のスイッチダイオードを介して前記入力端に結合さ
れ、前記ＵＨＦ帯のテレビジョン信号を受信するＵＨＦ
チューナ部とを備え、前記第一のスイッチダイオードの
アノードに所定の電圧を印加し、前記スイッチトランジ
スタのコレクタには給電抵抗を介して電源電圧を印加す
ると共にそのエミッタを接地し、前記スイッチトランジ
スタのコレクタを、第一の抵抗を介して前記第一のＦＥ
Ｔの入力端子に接続し、前記第一のスイッチダイオード
と前記スイッチトランジスタとを前記ＵＨＦ帯のテレビ
ジョン信号を受信するとき又は前記ＶＨＦ帯のテレビジ
ョン信号を受信するときに対応して共にオン又はオフに
切り替えた。

【００１８】また、前記ＶＨＦ同調回路は高周波的に互
いに直列に接続された同調用の三つ以上のインダクタン
ス素子と、前記インダクタンス素子相互の接続点のうち
二つの各接続点にアノードとカソードが接続され、アノ
ードが前記第一のスイッチダイオードのアノードに直流
的に接続された第二のスイッチダイオードとを有し、前
記第一のスイッチダイオードのカソードを第二の抵抗を
介して前記スイッチトランジスタのコレクタに接続し、
前記第二のスイッチダイオードのカソードには第三の抵
抗を介して前記ＶＨＦ帯の低い帯域のテレビジョン信号
を受信するとき又は前記高い帯域のテレビジョン信号を
受信するときに対応してハイレベル又はローレベルの第
一の切換電圧を印加した。

【００１９】また、前記ＵＨＦチューナ部には前記ＵＨ
Ｆ帯のテレビジョン信号を増幅する第二のＦＥＴを設
け、前記第二のＦＥＴの入力端子とグランドとの間に前
記ＵＨＦ帯の低域に同調するピーキングコイルを設け、
前記第二のＦＥＴの入力端子に前記ピーキングコイルを
介して前記ＵＨＦ帯のテレビジョン信号を受信するとき
又は前記ＶＨＦ帯のテレビジョン信号を受信するときに
対応してハイレベル又はローレベルの第二の切換電圧を
印加すると共に、前記第二の切換電圧を前記スイッチト
ランジスタのベースに印加した。

【００２０】また、前記第二のスイッチダイオードのカ
ソードと前記スイッチトランジスタのコレクタとを第四
の抵抗と直流カットコンデンサとの並列回路によって接
続した。

【００２１】また、前記第二のスイッチダイオードのカ
ソードと前記スイッチトランジスタのコレクタとの間に
はアノードが前記第二のスイッチダイオードのカソード
に接続され、カソードが前記スイッチトランジスタのコ
レクタに接続された第三のスイッチダイオードを設け、
前記スイッチトランジスタのコレクタを直流カットコン
デンサで接地した。

【００２２】

【発明の実施の形態】本発明のテレビジョンチューナの
構成を図１に示す。ＶＨＦ帯乃至ＵＨＦ帯のテレビジョ
ン信号が入力される入力端１には不要な信号を除去する
フィルタ２を介してＶＨＦチューナ部１０のＶＨＦ同調
回路１１が結合され、ＶＨＦ同調回路１１の次段には高
周波増幅器を構成する第一のＦＥＴ（デュアルゲートＦ
ＥＴ）１２が設けられる。また、入力端１にはフィルタ
２、第一のスイッチダイオード３、結合コンデンサ４を
直列に介してＵＨＦチューナ部２０のＵＨＦ同調回路２
１が結合され、ＵＨＦ同調回路２１の次段には高周波増
幅器を構成する第二のＦＥＴ２２が設けられる。

【００２３】ＶＨＦ同調回路１１は、一端が直流カット
コンデンサ１１ａによって高周波的に接地されたインダ
クタンス素子１１ｂと、その他端側に順次高周波的に直
列に接続された三個のインダクタンス素子１１ｃ、１１
ｄ、１１ｅと、最もホット側のインダクタンス素子１１
ｅにカソードが接続されると共にアノードが接地されて
これら四個のインダクタンス素子の全体に対して並列に
接続される第一のバラクタダイオード１１ｆと、中間の
二つのインダクタンス素子１１ｃ、１１ｄに対して高周
波的に並列に接続された第二のスイッチダイオード１１
ｇとを有している。そして、中間の二つのインダクタン
ス素子１１ｃと１１ｄとの接続点がフィルタ２に結合さ
れ、第二のスイッチダイオード１１ｇのアノードがイン
ダクタンス素子１１ｄを介して第一のスイッチダイオー
ド３のアノードに直流的に接続される。

【００２４】また、直流カットコンデンサ１１ａとイン
ダクタンス素子１１ｂとの接続点には電源電圧Ｂをバイ
アス電圧設定用抵抗１３、１４によって分圧して得た所
定のバイアス電圧が印加される。このバイアス電圧はイ
ンダクタンス素子１１ｂ、１１ｃ等を介して第一及び第
二のスイッチダイオード３、１１ｇの各アノードに印加
される。また、第二のスイッチダイオード１１ｇのカソ
ードは第三の抵抗１５を介してバンド切替回路５の第一
の切替端子５ａに接続される。

【００２５】最もホット側のインダクタンス素子１１ｅ
と第一のバラクタダイオード１１ｆのカソードとの接続
点は第一のＦＥＴ１２の入力端子である第一ゲートに結
合される。そして、第一ゲートは第一の抵抗１６を介し
てスイッチトランジスタ６のコレクタに接続される。コ
レクタには給電抵抗７を介して電源電圧Ｂが印加され、
エミッタは接地される。

【００２６】一方、第一のスイッチダイオード３のカソ
ードは第二の抵抗８を介してスイッチトランジスタ６の
コレクタに接続されると共に、結合コンデンサ４を介し
てＵＨＦ同調回路２１を構成する二つのインダクタンス
素子２１ａ、２１ｂの互いの接続点に結合される。二個
のインダクタンス素子２１ａ、２１ｂには第二のバラク
タダイオード２１ｃが並列に接続され、第二のバラクタ
ダイオード２１ｃのアノードは二個のインダクタンス素
子２１ａ、２１ｂによって直流的に接地される。そして
ＵＨＦ同調回路２１は第二のＦＥＴ２２の入力端子であ
る第一ゲートに結合される。

【００２７】第二のＦＥＴ２２の第一ゲートにはピーキ
ングコイル２３の一端が接続され、その他端は高周波的
に接地される。さらに、他端は直流的にスイッチトラン
ジスタ６のベースに接続されると共に、バンド切替回路
５の第二の切替端子５ｂに接続される。

【００２８】なお、図示はしないが、第一及び第二のバ
ラクタダイオード１１ｆ、２１ｃの各カソードには各同
調回路１１、２１の同調周波数を変えるための同調電圧
が印加され、第一及び第二のＦＥＴ１２、２２の各第二
ゲートには利得制御用のＡＧＣ電圧が印加される。さら
に、各ＦＥＴ１２、２２の後段にはそれぞれ周波数変換
用の混合器等が設けられるが図示及び説明は省略する。

【００２９】バンド切替回路５はＶＨＦチューナ部１０
及びＵＨＦチューナ部２０の動作状態を切り替えると共
に、ＶＨＦチューナ部１０の受信帯域を切り替えるため
の切替電圧を発生する。すなわち、第一の切替端子５ａ
の電圧は、ＶＨＦ帯のローバンドのテレビジョン信号又
はＵＨＦ帯のテレビジョン信号とを受信するときにハイ
レベル（一例として電源電圧）となり、ＶＨＦ帯のハイ
バンドのテレビジョン信号を受信するときにはローレベ
ル（一例として０ボルト）となる。また、第二の切替端
子５ｂの電圧は、ＵＨＦ帯のテレビジョン信号を受信す
るときにのみハイレベルとなり、ＶＨＦ帯のテレビジョ
ン信号（ローバンド、ハイバンド共に）を受信するとき
にはローレベルとなる。

【００３０】以上の構成において、先ず、ＶＨＦ帯のテ
レビジョン信号を受信するときには、第二の切替端子５
ｂがローレベルとなるので、第二のＦＥＴ２２は非動作
状態となり、スイッチトランジスタ６がオフとなって第
一のＦＥＴ１２の第一ゲートには給電抵抗６、第一の抵
抗１６を介してバイアス電圧が印加される。このバイア
ス電圧は第一のＦＥＴ１２の内部回路によって適正なほ
ぼ１．７ボルト程度となる。このときのスイッチトラン
ジスタ６のコレクタの電圧は１．７ボルトよりも高くな
るが、その値は第一の抵抗１６と給電抵抗７との抵抗値
比によって決めることが出来る。さらに、第一のスイッ
チダイオード３がオフとなってテレビジョン信号はＵＨ
Ｆ同調回路２１には入力されなくなるが、この場合、第
一のスイッチダイオード３のアノードに印加しているバ
イアス電圧（抵抗１３と１４との接続点の電圧）はスイ
ッチトランジスタ６のコレクタ電圧が高くなるのでそれ
に対応して高くしておくことが出来る。

【００３１】そして、ＶＨＦ帯のローバンドのテレビジ
ョン信号を受信する場合には第一の切替端子５ａがハイ
レベルであるので、第二のスイッチダイオード１１ｇは
オフとなり、ＶＨＦ同調回路１１はローバンドに同調す
る。また、ハイバンドのテレビジョン信号を受信すると
きには第一の切替端子５ａがローレベルとなるので第二
のスイッチダイオード１１ｇがオンして二つのインダク
タンス素子１１ｃ、１１ｄがＶＨＦ同調回路１１から除
外され、ＶＨＦ同調回路１１はハイバンドに同調する。
この場合、第一のスイッチダイオード３と第二のスイッ
チダイオード１１ｇとの各アノードに印加されるバイア
ス電圧が前述の理由によって高くしておくことができる
ので、第三の抵抗１５の抵抗値を大きくしても第二のス
イッチダイオード１１ｇに十分な電流を流してオンする
ことが出来る。従って、ハイバンドのテレビジョン信号
を受信する際のＶＨＦ同調回路１１のＱを高められる。

【００３２】一方、ＵＨＦ帯のテレビジョン信号を受信
するときには、第二の切替端子５ｂがハイレベルになる
ので、第二のＦＥＴ２２は第一ゲートにバイアス電圧が
印加されて動作状態となる。また、スイッチトランジス
タ６がオンとなることによって第一のＦＥＴ１２は第一
ゲートの電圧がほぼ０ボルトとなって非動作状態とな
る。さらに、スイッチトランジスタ６がオンとなること
で第一のスイッチダイオード３がオンとなり、ＵＨＦ帯
のテレビジョン信号が結合コンデンサ４を介してＵＨＦ
チューナ部２０のＵＨＦ同調回路２１に入力される。こ
のとき、第一の切替端子５ａもハイレベルであるので、
第二のスイッチダイオード１１ｇがオフとなり、ＶＨＦ
同調回路１１はローバンドに同調する状態となるが、第
一のＦＥＴ１２が非動作状態であるので第一のＦＥＴ１
２の出力側にはテレビジョン信号が出力されない。

【００３３】なお、図２に示すように、第二のスイッチ
ダイオード１１ｇのカソードとスイッチトランジスタ６
のコレクタとを第四の抵抗１７によって直流的に接続す
ると共に、直流カットコンデンサ１８によって高周波的
に短絡しておくと、ＵＨＦ帯のテレビジョン信号を受信
するときには第二のスイッチダイオード１１ｇがオンと
なる。従って、テレビジョン信号がＶＨＦ同調回路１１
に入力されても第二のスイッチダイオード１１ｇによっ
て歪みを発生しない。また、テレビジョン信号は第一の
バラクタダイオード１１ｆに印加されないので、第一の
バラクタダイオード１１ｆでも歪みを発生しない。

【００３４】そして、このときの等価回路は図３に示す
ように、ＶＨＦ同調回路１１における二つのインダクタ
ンス素子１１ｃ、１１ｄが第二のスイッチダイオード１
１ｇによって互いに並列に接続されると共にそれらの一
端が高周波的に接地されるので、これらの二つのインダ
クタンス素子１１ｃ、１１ｄと結合コンデンサ４とによ
ってハイパスフィルタが構成される。従って、そのカッ
トオフ周波数を適宜に設定することによって不要なＶＨ
Ｆ帯のテレビジョン信号がＵＨＦ同調回路２１に入力さ
れのを排除できる。

【００３５】さらに、図４に示すように、第二のスイッ
チダイオード１１ｇのカソードとスイッチトランジスタ
６のコレクタとを第三のスイッチダイオード１９によっ
て接続し、スイッチトランジスタ６のコレクタを直流カ
ットコンデンサ２４によって接地してもよい。この場合
も図３の様な等価回路となるが、スイッチトランジスタ
６のオン時の飽和抵抗がばらついても直流カットコンデ
ンサ２４によって飽和抵抗を無視すことが出来、また、
第三のスイッチダイオード１９のオン時の順方向電圧が
小さいので第二のスイッチダイオード１１ｇに流れる電
流が増すので、ＶＨＦ入力同調回路１１に入力されたテ
レビジョン信号が十分にシャントされる。さらに、第一
のスイッチダイオード４とＵＨＦ入力同調回路２１との
間に接続されている結合コンデンサ４とＶＨＦ入力同調
回路１１の二つのインダクタンス素子１１ｃ、１１ｄと
はＵＨＦチューナ部２０に対するハイパスフィルタとな
るが、このハイパスフィルタの特性がスイッチトランジ
スタの飽和抵抗のばらつきに関係なく安定する。

【００３６】

【発明の効果】以上のように、本発明のテレビジョンチ
ューナは、第一のスイッチダイオードのアノードに所定
の電圧を印加し、スイッチトランジスタのコレクタには
給電抵抗を介して電源電圧を印加すると共にそのエミッ
タを接地し、スイッチトランジスタのコレクタを、第一
の抵抗を介して第一のＦＥＴの入力端子に接続し、第一
のスイッチダイオードとスイッチトランジスタとをＵＨ
Ｆ帯のテレビジョン信号を受信するとき又はＶＨＦ帯の
テレビジョン信号を受信するときに対応して共にオン又
はオフに切り替えたので、オフとなったスイッチトラン
ジスタの内部容量は第一の抵抗によって第一のＦＥＴの
入力端子およびＶＨＦ同調回路とは結合しなくなり、同
調周波数の可変範囲が広がる。従って、特にＶＨＦ帯の
ハイバンドの高域のテレビジョン信号を受信するときの
ＮＦが改善される。また、オフとなったときのスイッチ
トランジスタのコレクタ電圧が高くなるので、それに伴
って第一のスイッチダイオードのオフ時の逆方向電圧も
大きくなり、大きなレベルのテレビジョン信号が入力さ
れたときの第一のスイッチダイオードによる歪みも低減
する。また、第一のスイッチダイオードのアノードに印
加するバイアス電圧も高められる。

【００３７】また、ＶＨＦ同調回路は三つ以上のインダ
クタンス素子相互の接続点のうち二つの各接続点にアノ
ードとカソードが接続され、アノードが第一のスイッチ
ダイオードのアノードに直流的に接続された第二のスイ
ッチダイオードを有し、第一のスイッチダイオードのカ
ソードを第二の抵抗を介してスイッチトランジスタのコ
レクタに接続し、第二のスイッチダイオードのカソード
には第三の抵抗を介してＶＨＦ帯の低い帯域のテレビジ
ョン信号を受信するとき又は高い帯域のテレビジョン信
号を受信するときに対応してハイレベル又はローレベル
の第一の切換電圧を印加したので、第三の抵抗の抵抗値
を大きくしても第二のスイッチダイオードに十分な電流
を流すことがでる。ＶＨＦ同調回路のＱを大きくするこ
とができ、優れた選択度特性が得られる。また、ＶＨＦ
同調回路の損失も少なくなる。

【００３８】また、ＵＨＦチューナ部に設けた第二のＦ
ＥＴの入力端子とグランドとの間にＵＨＦ帯の低域に同
調するピーキングコイルを設け、第二のＦＥＴの入力端
子にピーキングコイルを介してＵＨＦ帯のテレビジョン
信号を受信するとき又はＶＨＦ帯のテレビジョン信号を
受信するときに対応してハイレベル又はローレベルの第
二の切換電圧を印加すると共に、第二の切換電圧をスイ
ッチトランジスタのベースに印加したので、第二のＦＥ
Ｔの動作状態の切替に連動して第一のＦＥＴの動作状態
の切替が出来る。

【００３９】また、第二のスイッチダイオードのカソー
ドとスイッチトランジスタのコレクタとを第三の抵抗と
直流カットコンデンサとの並列回路によって接続したの
で、、ＶＨＦ同調回路に設けられた第二のスイッチダイ
オードがＵＨＦ帯のテレビジョン信号を受信する際にオ
ンとなり、このダイオードからは歪みが発生しない。ま
た、ＶＨＦ同調回路のインダクタンス素子と結合コンデ
ンサとによってハイパスフィルタが構成されるので、不
要となるＶＨＦ帯のテレビジョン信号の入力を排除する
ことが可能となる。

【００４０】また、第二のスイッチダイオードのカソー
ドとスイッチトランジスタのコレクタとの間にはアノー
ドが第二のスイッチダイオードのカソードに接続され、
カソードがスイッチトランジスタのコレクタに接続され
た第三のスイッチダイオードを設け、スイッチトランジ
スタのコレクタを直流カットコンデンサで接地したの
で、ＶＨＦ入力同調回路に入力されたテレビジョン信号
が十分にシャントされる。さらに、第一のスイッチダイ
オードとＵＨＦ入力同調回路との間に接続されている結
合コンデンサとＶＨＦ入力同調回路の二つのインダクタ
ンス素子とはＵＨＦチューナ部に対するハイパスフィル
タとなるが、このハイパスフィルタの特性がスイッチト
ランジスタのオン時の飽和抵抗のばらつきに関係なく安
定する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のテレビジョンチューナの構成を示す回
路図である。

【図２】本発明のテレビジョンチューナの他の構成を示
す回路図である。

【図３】本発明のテレビジョンチューナの他の構成の等
価回路図である

【図４】本発明のテレビジョンチューナの更に他の構成
を示す回路図である。

【図５】従来のテレビジョンチューナの構成を示す回路
図である。

【符号の説明】

１入力端２フィルタ３第一のスイッチダイオード４結合コンデンサ５バンド切替回路５ａ第一の切替端子５ｂ第二の切替端子６スイッチトランジスタ７給電抵抗８第二の抵抗１０ＶＨＦチューナ部１１ＶＨＦ入力同調回路１１ａ直流カットコンデンサ１１ｂ〜１１ｅインダクタンス素子１１ｆ第一のバラクタダイオード１１ｇ第二のスイッチダイオード１２第一のＦＥＴ１３、１４バイアス電圧設定用抵抗１５第三の抵抗１６第一の抵抗１７第４の抵抗１８直流カットコンデンサ１９第三のスイッチダイオード２０ＵＨＦチューナ部２１ＵＨＦ入力同調回路２１ａ、２１ｂインダクタンス素子２１ｃ第二のバラクタダイオード２２第二のＦＥＴ２３ピーキングコイル２４直流カットコンデンサ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ＶＨＦ帯乃至ＵＨＦ帯のテレビジョン信
号が入力される入力端と、前記入力端に結合されたＶＨ
Ｆ同調回路と前記ＶＨＦ同調回路の次段に設けられて少
なくとも前記ＶＨＦ帯のテレビジョン信号を増幅する第
一のＦＥＴとを有するＶＨＦチューナ部と、前記第一の
ＦＥＴの入力端子のバイアス電圧を切り替えるスイッチ
トランジスタと、第一のスイッチダイオードを介して前
記入力端に結合され、前記ＵＨＦ帯のテレビジョン信号
を受信するＵＨＦチューナ部とを備え、前記第一のスイ
ッチダイオードのアノードに所定の電圧を印加し、前記
スイッチトランジスタのコレクタには給電抵抗を介して
電源電圧を印加すると共にそのエミッタを接地し、前記
スイッチトランジスタのコレクタを、第一の抵抗を介し
て前記第一のＦＥＴの入力端子に接続し、前記第一のス
イッチダイオードと前記スイッチトランジスタとを前記
ＵＨＦ帯のテレビジョン信号を受信するとき又は前記Ｖ
ＨＦ帯のテレビジョン信号を受信するときに対応して共
にオン又はオフに切り替えたことを特徴とするテレビジ
ョンチューナ。
【請求項２】前記ＶＨＦ同調回路は第二のスイッチダ
イオードを有して前記第二のスイッチダイオードのオン
又はオフに対応して前記ＶＨＦ帯の高い帯域又は低い帯
域に同調するように構成され、前記第一のスイッチダイ
オードのカソードを第二の抵抗を介して前記スイッチト
ランジスタのコレクタに接続し、前記第二のスイッチダ
イオードのアノードには前記所定の電圧を印加し、カソ
ードには第三の抵抗を介して前記低い帯域のテレビジョ
ン信号を受信するとき又は前記高い帯域のテレビジョン
信号を受信するときに対応してハイレベル又はローレベ
ルの第一の切換電圧を印加したことを特徴とする請求項
１に記載のテレビジョンチューナ。
【請求項３】前記ＵＨＦチューナ部には前記ＵＨＦ帯
のテレビジョン信号を増幅する第二のＦＥＴを設け、前
記第二のＦＥＴの入力端子とグランドとの間に前記ＵＨ
Ｆ帯の低域に同調するピーキングコイルを設け、前記第
二のＦＥＴの入力端子に前記ピーキングコイルを介して
前記ＵＨＦ帯のテレビジョン信号を受信するとき又は前
記ＶＨＦ帯のテレビジョン信号を受信するときに対応し
てハイレベル又はローレベルの第二の切換電圧を印加す
ると共に、前記第二の切換電圧を前記スイッチトランジ
スタのベースに印加したことを特徴とする請求項１又は
２に記載のテレビジョンチューナ。
【請求項４】前記第二のスイッチダイオードのカソー
ドと前記スイッチトランジスタのコレクタとを第四の抵
抗と直流カットコンデンサとの並列回路によって接続し
たことを特徴とする請求項２又は３に記載のテレビジョ
ンチューナ。
【請求項５】前記第二のスイッチダイオードのカソー
ドと前記スイッチトランジスタのコレクタとの間にはア
ノードが前記第二のスイッチダイオードのカソードに接
続され、カソードが前記スイッチトランジスタのコレク
タに接続された第三のスイッチダイオードを設け、前記
スイッチトランジスタのコレクタを直流カットコンデン
サで接地したことを特徴とする請求項２又は３に記載の
テレビジョンチューナ。