JP2001218123A - テレビジョンチューナの入力回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 チャンネル１乃至チャンネル３を受信する特
のチャンネル６乃至チャンネル１０による妨害を十分に
低減し、上記チャンネル以外のチャンネルを受信する場
合はトラップ回路による伝送ロスを少なくする。 【解決手段】 チャンネル１乃至チャンネル３を含む第
一の周波数バンド又はチャンネル６乃至チャンネル１０
を含む第二の周波数バンドに同調するように切り替えら
れる同調回路３と、第一のトラップ回路４及び第二のト
ラップ回路５とを備え、同調回路３をチャンネル１乃至
チャンネル３に同調したときには第一のトラップ回路４
のトラップ周波数をチャンネル６乃至チャンネル１０の
間の帯域内の第一の周波数に位置させ、第二のトラップ
回路５のトラップ周波数を第一の周波数から離間してチ
ャンネル６乃至チャンネル１０の間の帯域内の第二の周
波数に位置させた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、国内仕様のＣＡＴ
Ｖシステムに使用して好適なテレビジョンチューナの入
力回路に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のテレビジョンチューナの入力回路
を図６に従って説明する。入力端５１と出力端５２との
間にはトラップ回路５３と同調回路５４とがカスケード
接続され、トラップ回路５３は入力端５１側、同調回路
５４は出力端５２側に設けられる。トラップ回路５３は
コンデンサ５５とインダクタンス素子５６とからなる並
列共振回路によって構成され、インダクタンス素子５６
は直流カットコンデンサ５７を介してコンデンサ５５に
並列接続される。また、トラップ回路５３には第一のス
イッチダイオード５８が並列接続される。

【０００３】トラップ回路５３はチャンネル１を受信し
たときのチャンネル６による妨害、チャンネル２を受信
したときのチャンネル８による妨害、チャンネル３を受
信したときのチャンネル１０による妨害を低減するため
のものであり、この妨害は図示しない混合器において発
生する。そのため、トラップ回路５３のトラップ周波
数、即ち並列共振回路の共振周波数を国内仕様の第６チ
ャンネルと第１０チャンネルの間の周波数（例えば、チ
ャンネル８の映像搬送波周波数）となるように設定され
ている。

【０００４】同調回路５４は第一の周波数バンド（チャ
ンネル１からチャンネルＭ１０までのローバンド）又は
それよりも周波数が高い第二の周波数バンド（チャンネ
ル４からチャンネルＳ１６までのハイバンド）に同調可
能なように切り替えられる。そして、図示の通りに高周
波的に互いに直列に接続された四個のインダクタンス素
子５９、６０、６１、６２と、これらのインダクタンス
素子５９乃至６２の全体に対して高周波的に並列に接続
される第一のバラクタダイオード６３と、第一の周波数
バンドに同調するときにオフとなり、第二の周波数バン
ドに同調するときにオンとなって二つのインダクタンス
素子６０と６１とを並列に接続する第二のスイッチダイ
オード６４と等を有している。

【０００５】また、第一のバラクタダイオード６３のカ
ソードは同調電圧印加端子６５に接続され、第一及び第
二のスイッチダイオード５８、６４の各カソードは第一
の端子６６に接続され、各アノードは第二の端子６７に
接続される。同調回路５４と出力端子５２との間には第
二のバラクタダイオード６８と結合コンデンサ６９とが
直列に接続され、出力端子５２には高周波増幅器（図示
せず）が接続される。第二のバラクタダイオード６８の
カソードも同調電圧印加端子６５に接続される。図７に
おけるその他のコンデンサは全て直流カットコンデンサ
である。

【０００６】以上の構成において、第一の端子６６に切
替電圧が印加されると、第一及び第二のスイッチダイオ
ード５８、６４は共にオフ状態となる。この結果、トラ
ップ回路５３が有効となり、チャンネル６乃至チャンネ
ル１０の間に設定されたトラップ周波数で減衰する特性
が得られる。また、同調回路５４は第一の周波数バンド
に同調可能となり、その同調周波数は同調電圧印加端子
６５に印加される同調電圧によって変えられる。

【０００７】一方、第二の端子６７に切替電圧が印加さ
れると、第一及び第二のスイッチダイオード５８、６４
は共にオン状態となる。この結果、トラップ回路５３が
無効となり、同調回路５４は、第二の周波数バンドに同
調可能となる。同調周波数は同調電圧印加端子６５に印
加される同調電圧によって変えられる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上記構成におけるトラ
ップ回路５３のトラップ周波数は、一例としてチャンネ
ル８の周波数に合わせているので、例えば、出力端子５
２における伝送特性は図７のカーブＡに示すように、チ
ャンネル８の周波数では十分に減衰するがチャンネル６
及びチャンネル１０の周波数では十分に減衰しない。従
って、チャンネル１又はチャンネル３を受信する場合は
それぞれチャンネル６又はチャンネル１０による妨害が
十分に低減されない。

【０００９】また、第一の周波数バンドの最高周波数の
チャンネル（この場合はチャンネルＭ１０）を受信した
ときの伝送特性は、トラップ周波数が相対的に近づくた
めに、図７のカーブＢに示すように、最高チャンネルに
おける伝送ロス（Ｒ）が増加し、利得の低下とＮＦの悪
化が問題となる。

【００１０】そこで、本発明は、チャンネル１乃至チャ
ンネル３を受信するときのチャンネル６乃至チャンネル
１０の信号による妨害を十分に低減し、上記チャンネル
以外のチャンネルを受信する場合はトラップ回路による
伝送ロスを少なくすることを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明のテレビジョンチューナの入力回路は、日本
国仕様の少なくともチャンネル１乃至チャンネル３を含
む第一の周波数バンド又は少なくともチャンネル６乃至
チャンネル１０を含む第二の周波数バンドに同調するよ
うに切り替えられる同調回路と、前記同調回路にカスケ
ード接続された第一のトラップ回路及び第二のトラップ
回路とを備え、前記同調回路を前記チャンネル１乃至前
記チャンネル３に同調したときには前記第一のトラップ
回路のトラップ周波数を前記チャンネル６乃至チャンネ
ル１０の間の帯域内の第一の周波数に位置させ、前記第
二のトラップ回路のトラップ周波数を前記第一の周波数
から離間して前記チャンネル６乃至チャンネル１０の間
の帯域内の第二の周波数に位置させた。

【００１２】また、前記同調回路を前記第一の周波数バ
ンドにおける前記チャンネル１乃至チャンネル３以外の
チャンネルに同調したときには前記第一のトラップ回路
のトラップ周波数を前記第一の周波数よりも高い第三の
周波数とし、前記第二のトラップ回路のトラップ動作を
不能にした。

【００１３】また、前記第三の周波数を前記第一の周波
数バンドにおける最高周波数のチャンネルに対応するイ
メージ周波数の近傍に位置させた。

【００１４】また、前記同調回路を前記第二の周波数バ
ンドに同調したときには前記第一のトラップ回路のトラ
ップ動作と前記第二のトラップ回路のトラップ動作とを
不能にした。

【００１５】また、前記第一のトラップ回路はその両端
間に接続されたバラクタダイオードを有する並列共振回
路から構成されると共に信号経路に直列に挿入され、前
記並列共振回路は前記バラクタに第一の逆バイアス電圧
を印加したときに前記第一の周波数に共振すると共に前
記第一の逆バイアス電圧よりも大きい第二の逆バイアス
電圧を印加したときに前記第三の周波数に共振するよう
に構成され、前記第二のトラップ回路は前記第二の周波
数に共振する直列共振回路と前記直列共振回路に直列に
接続されたスイッチトランジスタとから構成されると共
に信号経路とグランドとの間に接続され、前記同調回路
を前記チャンネル１乃至チャンネル３に同調するときに
は前記バラクタダイオードに前記第一の逆バイアス電圧
を印加すると共に前記スイッチトランジスタをオンさ
せ、前記同調回路を前記チャンネル１乃至チャンネル３
以外の前記第一の周波数バンドに同調するときには前記
バラクタダイオードに前記第二の逆バイアス電圧を印加
すると共に前記スイッチトランジスタをオフさせ、前記
同調回路を前記第二の周波数バンドに同調するときには
前記バラクタダイオードに順方向電圧を印加すると共に
前記スイッチトランジスタをオフにした。

【００１６】また、前記同調回路を前記第一の周波数バ
ンドに切り替えるためのバンド切替電圧を印加する第一
の端子と、前記同調回路を前記第二の周波数バンドに切
り替えるためのバンド切替電圧を印加する第二の端子
と、前記スイッチトランジスタをオンするための電圧を
印加する第三の端子をとを有し、前記バラクタダイオー
ドのカソードを前記第一の端子に直流的に接続すると共
に第一の抵抗を介して直流的に接地し、前記バラクタダ
イオードのアノードを前記第二の端子に直流的に接続す
ると共に第二の抵抗を介して直流的に接地し、前記バラ
クタダイオードのアノードと前記第三の端子との間に第
三の抵抗とダイオードとを直列に介して接続し、前記バ
ラクタダイオードのＰＮ接合の方向と前記ダイオードの
ＰＮ接合の方向とを互いに同じにした。

【００１７】また、前記同調回路は同調インダクタンス
素子と、前記バンド切替電圧によってオン又はオフに切
り替えられると共に前記同調インダクタンス素子のイン
ダクタンス値を切り替えるスイッチダイオードと、前記
スイッチダイオードのカソードを直流的に接地する第一
の接地抵抗と、前記スイッチダイオードのアノードを直
流的に接地する第二の接地抵抗とを有し、前記バラクタ
ダイオードのカソードを前記同調インダクタンス素子を
介して前記第一の端子に接続し、前記第一の抵抗を前記
第一の接地抵抗とし、前記第二の抵抗を前記第二の接地
抵抗とした。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下本発明のテレビジョンチュー
ナの入力回路を図面に従って説明する。図１は本発明の
テレビジョンチューナの入力回路の構成を示す回路図、
図２は本発明のテレビジョンチューナの入力回路の第一
の周波数バンドにおける等価回路図、図３は本発明のテ
レビジョンチューナの入力回路の伝送特性図、図４は本
発明のテレビジョンチューナの入力回路の第一の周波数
バンドにおける他の等価回路図、図５は本発明のテレビ
ジョンチューナの入力回路の第二の周波数バンドにおけ
る等価回路図を示す。

【００１９】先ず、図１において、入力端１と出力端２
との間には同調回路３と第一のトラップ回路４と第二の
トラップ回路５とがカスケード接続され、第二のトラッ
プ回路５が入力端１側、同調回路３が出力端２側に設け
られ、第一のトラップ回路４は同調回路３と第二のトラ
ップ回路５との間に設けられる。なお、同調回路３と第
一のトラップ回路４と第二のトラップ回路５とのカスケ
ード接続順序は上記の通りに限られることはない。

【００２０】同調回路３は二つの周波数バンドに同調可
能なように切り替えられる構成を有している。一例とし
て、第一の周波数バンドは国内仕様のＣＡＴＶシステム
のチャンネル１（映像搬送波周波数が９１．２５ＭＨ
ｚ）からチャンネルＭ１０（映像搬送波周波数が１６
５．２５ＭＨｚ）までのローバンドであり、第二の周波
数バンドは第一の周波数バンドよりも高い、チャンネル
４（映像搬送波周波数が１７１．２５ＭＨｚ）からチャ
ンネルＳ１６（映像搬送波周波数が３１３．２５ＭＨ
ｚ）までのハイバンドである。

【００２１】そして、図示の通りに高周波的に互いに直
列に接続された四個の同調用インダクタンス素子６、
７、８、９と、これらのインダクタンス素子６乃至９の
全体に対して高周波的に並列に接続される同調用バラク
タダイオード１０と、第一の周波数バンドに同調すると
きにオフとなり、第二の周波数バンドに同調するときに
オンとなって二つのインダクタンス素子７と８とを並列
に接続して同調周波数に寄与するインダクタンス値を切
り替えるスイッチダイオード１１と等を有している。イ
ンダクタンス素子９の一端は高周波的に接地されてい
る。

【００２２】スイッチダイオード１１のカソードはイン
ダクタンス素子７、８、９を介して第一の端子１２に接
続され、さらに、インダクタンス素子７、８、９と第一
の抵抗１３とを直列に介して接地される。また、アノー
ドは第二の端子１４に接続されると共に、第二の抵抗１
５を介して接地される。従って、第一の抵抗１３はスイ
ッチダイオード１１のカソードを直流的に接地する第一
の接地抵抗となり、第二の抵抗１５はスイッチダイオー
ド１１のアノードを直流的に接地する第二の接地抵抗と
なる。さらに、同調用バラクタダイオード１０のアノー
ドは直流的に接地され、カソードは高周波的に接地され
ると共に同調電圧印加端子１６に接続される。

【００２３】第一の端子１２には同調回路３を第一の周
波数バンドに同調可能なように切り替えるためのバンド
切替電圧（例えば、５ボルト）が印加され、第二の端子
１１４には同調回路３を第二の周波数バンドに同調可能
なように切り替えるためのバンド切替電圧（例えば、５
ボルト）が印加される。

【００２４】同調回路３と出力端子２との間には結合用
バラクタダイオード１７と結合コンデンサ１８とが直列
に接続され、出力端子２には高周波増幅器（図示せず）
が接続される。結合用バラクタダイオード１７のアノー
ドは直流的に接地され、カソードも同調電圧印加端子１
６に接続される。図７におけるその他のコンデンサは全
て直流カットコンデンサである。

【００２５】第一のトラップ回路４はバラクタダイオー
ド２１とコンデンサ２２とインダクタンス素子２３とが
互いに並列に接続されて並列共振回路を構成し、信号経
路に直列に挿入され、その共振周波数はバラクタダイオ
ード２１に印加される逆バイアス電圧によって変化する
ようになっている。インダクタンス素子２３は直流カッ
トコンデンサ２４を介してバラクタダイオード２１及び
コンデンサ２２に並列に接続される。

【００２６】そして、バラクタダイオード２１のカソー
ドはインダクタンス素子７と８との接続点に接続され
て、インダクタンス素子８、９を直列に介して第一の端
子１２に接続されると共に、インダクタンス素子８、９
と第一の抵抗１３とを直列に介して接地される。また、
アノードは第二の端子１４に接続されると共に、第二の
抵抗１５を介して接地され、さらに、第三の抵抗２５と
逆流防止用ダイオード２６を直列に介して第三の端子２
７に接続される。逆流防止用ダイオード２６のＰＮ接合
の方向はバラクタダイオード２１のＰＮ接合の方向と同
じとなっている。第三の端子２７には同調回路３をチャ
ンネル１乃至チャンネル３に同調させるときにだけ電圧
（例えば、５ボルト）が印加される。

【００２７】ここで、第一のトラップ回路４の共振周波
数、即ち、トラップ周波数は第一の端子１２及び第二の
端子１４に印加されるバンド切替電圧と第三の端子２７
に印加される電圧とによって決まるが、同調回路３をチ
ャンネル１乃至チャンネル３に同調させる場合には第一
の端子１２と第三の端子２７に電圧が印加されてバラク
タダイオード２１のアノードとカソード間には第一の逆
バイアス電圧が印加され、チャンネル１乃至チャンネル
３以外の第一の周波数バンドでは第一の端子１２にのみ
電圧が印加されてバラクタダイオード２１には第二の逆
バイアス電圧が印加される。第二の逆バイアス電圧は第
一の逆バイアス電圧よりも大きくなる。

【００２８】そして、第一の逆バイアス電圧のときのト
ラップ周波数は、チャンネル６からチャンネル１０まで
の帯域における高域側、例えばチャンネル１０の周波数
の近傍の第一の周波数となるように設定し、第二の逆バ
イアス電圧のときのトラップ周波数は、チャンネル１０
の周波数よりも高くし、例えば第一の周波数バンドにお
ける最高チャンネル（実施例ではチャンネルＭ１０）に
対応するイメージ周波数の近傍（約２８０ＭＨｚとな
り、チャンネルＳ１０の周波数の近傍となる）の第三の
周波数となるように設定しておく。

【００２９】第二のトラップ回路５はインダクタンス素
子３１とコンデンサ３２とからなる直列共振回路とこの
直列共振回路に直列に接続されたスイッチトランジスタ
３３とから構成され、信号経路とグランドとの間に接続
される。そして、スイッチトランジスタ３３のベースは
第三の端子２７に接続される。第二のトラップ回路５の
共振周波数、即ちトラップ周波数は、チャンネル６から
チャンネル１０までの帯域における低域側、例えばチャ
ンネル６の周波数の近傍の第二の周波数に設定して第一
の周波数から離間する。

【００３０】以上の構成において、第一の端子１２にバ
ンド切替電圧が印加されると、スイッチダイオード１１
がオフ状態となる。この結果、同調回路３は第一の周波
数バンドに同調可能となり、その同調周波数は同調電圧
印加端子１６に印加される同調電圧によって変えられ
る。そして、チャンネル１乃至チャンネル３に同調させ
るときには第三の端子２７にも電圧が印加されるのでバ
ラクタダイオード２１には第一の学バイアス電圧が印加
される。また、スイッチトランジスタ３３がオンとなっ
て第二のトラップ回路５が有効に動作し、入力回路の等
価回路は図２に示した通りとなる。従って、伝送特性は
図３のカーブＡに示すように第一のトラップ回路４及び
第二のトラップ回路５によってチャンネル６乃至チャン
ネル１０の広い帯域にわたって減衰する特性が得られ、
これらのチャンネルの信号による妨害を低減できる。

【００３１】また、チャンネル１乃至チャンネル３以外
のチャンネルに同調する場合は第三の端子２７には電圧
が印加されないので、バラクタダイオード２１には第二
の逆バイアス電圧が印加され、スイッチトランジスタ３
３はオフとなる。従って、第二のトラップ回路５はその
動作が不能となって、等価回路は図４に示すようにな
る。また、伝送特性は図３のカーブＢで示すように、第
一のトラップ回路４によるトラップ周波数は第三の周波
数に高く移動し、第一の周波数バンドの最高周波数のチ
ャンネルに同調したときにも伝送ロスが少なくなる。ま
た、イメージ妨害も受けにくくなる。

【００３２】一方、第二の端子１４にバンド切替電圧が
印加されると、スイッチダイオード１１とバラクタダイ
オード２１とには順方向の電圧が印加されてオンし、同
調回路３は第二の周波数バンドに同調すると共に第一の
トラップ回路４はその動作が不能となる。このとき、第
二の端子１４に印加されたバンド切替電圧は逆流防止用
ダイオード２６のためにスイッチトランジスタ３３のベ
ースには印加されないので第二のトラップ回路５の動作
も不能となり、等価回路は図５に示すようになる。同調
周波数は同調電圧印加端子１６に印加される同調電圧に
よって変えられる。

【００３３】

【発明の効果】以上のように、本発明のテレビジョンチ
ューナの入力回路は、チャンネル１乃至チャンネル３を
含む第一の周波数バンド又はチャンネル６乃至チャンネ
ル１０を含む第二の周波数バンドに同調するように切り
替えられる同調回路と、第一のトラップ回路及び第二の
トラップ回路とを備え、同調回路をチャンネル１乃至チ
ャンネル３に同調したときには第一のトラップ回路のト
ラップ周波数をチャンネル６乃至チャンネル１０の間の
帯域内の第一の周波数に位置させ、第二のトラップ回路
のトラップ周波数を第一の周波数から離間してチャンネ
ル６乃至チャンネル１０の間の帯域内の第二の周波数に
位置させたので、チャンネル６からチャンネル１０まで
の広い帯域の信号を減衰できる。これによって、チャン
ネル１乃至チャンネル３の受信に対する妨害を低減でき
る。

【００３４】また、同調回路を第一の周波数バンドにお
けるチャンネル１乃至チャンネル３以外のチャンネルに
同調したときには第一のトラップ回路のトラップ周波数
を第一の周波数よりも高い第三の周波数とし、第二のト
ラップ回路のトラップ動作を不能にしたので、第一の周
波数バンドにおける最高周波数のチャンネルを受信する
場合でも第一のトラップ回路の影響が無くなって伝送ロ
スが少なくなり、利得の低下やＮＦの悪化も無くなる。

【００３５】また、第三の周波数を第一の周波数バンド
における最高周波数のチャンネルに対応するイメージ周
波数の近傍に位置させたので、最高チャンネルのみなら
ず他のチャンネルに対してもイメージ妨害の低減を図る
ことが出来る。

【００３６】また、同調回路を第二の周波数バンドに同
調したときには第一のトラップ回路のトラップ動作と第
二のトラップ回路のトラップ動作とを不能にしたので、
第二の周波数バンドのいずれのチャンネルを受信した場
合でも二つのトラップ回路の影響を受けることはない。

【００３７】また、第一のトラップ回路はその両端間に
接続されたバラクタダイオードを有する並列共振回路か
ら構成され、また、バラクタに第一の逆バイアス電圧を
印加したときに第一の周波数に共振すると共に第二の逆
バイアス電圧を印加したときに第三の周波数に共振する
ように構成され、第二のトラップ回路は第二の周波数に
共振する直列共振回路とスイッチトランジスタとから構
成され、同調回路をチャンネル１乃至チャンネル３に同
調するときにはバラクタダイオードに第一の逆バイアス
電圧を印加すると共にスイッチトランジスタをオンさ
せ、同調回路をチャンネル１乃至チャンネル３以外に同
調するときにはバラクタダイオードに第二の逆バイアス
電圧を印加すると共にスイッチトランジスタをオフさ
せ、同調回路を第二の周波数バンドに同調するときには
バラクタダイオードに順方向電圧を印加すると共にスイ
ッチトランジスタをオフにしたので、第一のトラップ回
路のトラップ周波数の切替が簡単になると共に、第一の
トラップ回路と第二のトラップ回路とのトラップ動作を
簡単に動作不能に切り替えられる。

【００３８】また、第一の周波数バンドに切り替えるた
めの第一の端子と、第二の周波数バンドに切り替えるた
めの第二の端子と、スイッチトランジスタをオンするた
めの第三の端子をとを有し、バラクタダイオードのカソ
ードを第一の端子に直流的に接続すると共に第一の抵抗
を介して直流的に接地し、バラクタダイオードのアノー
ドを第二の端子に直流的に接続すると共に第二の抵抗を
介して直流的に接地し、バラクタダイオードのアノード
と第三の端子との間に第三の抵抗とダイオードとを直列
に介して接続し、バラクタダイオードのＰＮ接合の方向
と前記ダイオードのＰＮ接合の方向とを互いに同じにし
たので、第一の抵抗乃至第三の抵抗の抵抗値設定によっ
てバラクタダイオードに印加する第一の逆バイアス電圧
及び第二の逆バイアス電圧を異ならせることが出来る。
また、第二の周波数バンドに同調するときにはダイオー
ドが逆流防止の役目を果たすので、スイッチトランジス
タがオンすることはない。

【００３９】また、同調回路は同調インダクタンス素子
と、そのインダクタンス値を切り替えるスイッチダイオ
ードと、スイッチダイオードのカソードを直流的に接地
する第一の接地抵抗と、スイッチダイオードのアノード
を直流的に接地する第二の接地抵抗とを有し、バラクタ
ダイオードのカソードを同調インダクタンス素子を介し
て第一の端子に接続し、第一の抵抗を第一の接地抵抗と
し、第二の抵抗を第二の接地抵抗としたので、同調回路
を構成するこれらの回路素子を使用してバラクタダイオ
ードに電圧を印加できる。従って、構成が簡素化され
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のテレビジョンチューナの入力回路の構
成を示す回路図である。

【図２】本発明のテレビジョンチューナの入力回路の第
一の周波数バンドにおける等価回路図である。

【図３】本発明のテレビジョンチューナの入力回路の伝
送特性図である。

【図４】本発明のテレビジョンチューナの入力回路の第
一の周波数バンドにおける他の等価回路図である。

【図５】本発明のテレビジョンチューナの入力回路の第
二の周波数バンドにおける等価回路図である。

【図６】従来のテレビジョンチューナの入力回路の構成
を示す回路図である。

【図７】従来のテレビジョンチューナの入力回路の伝送
特性図である。

【符号の説明】

１ 入力端 ２ 出力端 ３ 同調回路 ４ 第一のトラップ回路 ５ 第二のトラップ回路 ６、７、８、９ 同調インダクタンス素子 １０ 同調用バラクタダイオード １１ スイッチダイオード １２ 第一の端子 １３ 第一の抵抗（第一の接地抵抗） １４ 第二の端子 １５ 第二の抵抗（第二の接地抵抗） １６ 同調電圧印加端子 １７ 結合用バラクタダイオード １８ 結合コンデンサ ２１ バラクタダイオード ２２ コンデンサ ２３ インダクタンス素子 ２４ 直流カットコンデンサ ２５ 第三の抵抗 ２６ 逆流防止用ダイオード ２７ 第三の端子 ３１ インダクタンス素子 ３２ コンデンサ ３３ スイッチトランジスタ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｂ 15/02 Ｈ０４Ｂ 15/02 Ｆターム(参考） 5C025 AA25 DA10 5J103 AA07 CB05 DA00 DA02 DA41 EA00 EA03 EA05 EA08 5K052 BB03 DD00 DD09 FF04 GG11 GG21 GG31 5K062 AA06 AB02 AC05 BA00 BB00 BB03 BB09 BB13 BC06

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 日本国仕様の少なくともチャンネル１乃
   至チャンネル３を含む第一の周波数バンド又は少なくと
   もチャンネル６乃至チャンネル１０を含む第二の周波数
   バンドに同調するように切り替えられる同調回路と、前
   記同調回路にカスケード接続された第一のトラップ回路
   及び第二のトラップ回路とを備え、前記同調回路を前記
   チャンネル１乃至前記チャンネル３に同調したときには
   前記第一のトラップ回路のトラップ周波数を前記チャン
   ネル６乃至チャンネル１０の間の帯域内の第一の周波数
   に位置させ、前記第二のトラップ回路のトラップ周波数
   を前記第一の周波数から離間して前記チャンネル６乃至
   チャンネル１０の間の帯域内の第二の周波数に位置させ
   たことを特徴とするテレビジョンチューナの入力回路。
2. 【請求項２】 前記同調回路を前記第一の周波数バンド
   における前記チャンネル１乃至チャンネル３以外のチャ
   ンネルに同調したときには前記第一のトラップ回路のト
   ラップ周波数を前記第一の周波数よりも高い第三の周波
   数とし、前記第二のトラップ回路のトラップ動作を不能
   にしたことを特徴とする請求項１記載のテレビジョンチ
   ューナの入力回路。
3. 【請求項３】 前記第三の周波数を前記第一の周波数バ
   ンドにおける最高周波数のチャンネルに対応するイメー
   ジ周波数の近傍に位置させたことを特徴とする請求項２
   記載のテレビジョンチューナの入力回路。
4. 【請求項４】 前記同調回路を前記第二の周波数バンド
   に同調したときには前記第一のトラップ回路のトラップ
   動作と前記第二のトラップ回路のトラップ動作とを不能
   にしたことを特徴とする請求項１又は２又は３記載のテ
   レビジョンチューナの入力回路。
5. 【請求項５】 前記第一のトラップ回路はその両端間に
   接続されたバラクタダイオードを有する並列共振回路か
   ら構成されると共に信号経路に直列に挿入され、前記並
   列共振回路は前記バラクタに第一の逆バイアス電圧を印
   加したときに前記第一の周波数に共振すると共に前記第
   一の逆バイアス電圧よりも大きい第二の逆バイアス電圧
   を印加したときに前記第三の周波数に共振するように構
   成され、前記第二のトラップ回路は前記第二の周波数に
   共振する直列共振回路と前記直列共振回路に直列に接続
   されたスイッチトランジスタとから構成されると共に信
   号経路とグランドとの間に接続され、前記同調回路を前
   記チャンネル１乃至チャンネル３に同調するときには前
   記バラクタダイオードに前記第一の逆バイアス電圧を印
   加すると共に前記スイッチトランジスタをオンさせ、前
   記同調回路を前記チャンネル１乃至チャンネル３以外の
   前記第一の周波数バンドに同調するときには前記バラク
   タダイオードに前記第二の逆バイアス電圧を印加すると
   共に前記スイッチトランジスタをオフさせ、前記同調回
   路を前記第二の周波数バンドに同調するときには前記バ
   ラクタダイオードに順方向電圧を印加すると共に前記ス
   イッチトランジスタをオフにしたことを特徴とする請求
   項４記載のテレビジョンチューナの入力回路。
6. 【請求項６】 前記同調回路を前記第一の周波数バンド
   に切り替えるためのバンド切替電圧を印加する第一の端
   子と、前記同調回路を前記第二の周波数バンドに切り替
   えるためのバンド切替電圧を印加する第二の端子と、前
   記スイッチトランジスタをオンするための電圧を印加す
   る第三の端子をとを有し、前記バラクタダイオードのカ
   ソードを前記第一の端子に直流的に接続すると共に第一
   の抵抗を介して直流的に接地し、前記バラクタダイオー
   ドのアノードを前記第二の端子に直流的に接続すると共
   に第二の抵抗を介して直流的に接地し、前記バラクタダ
   イオードのアノードと前記第三の端子との間に第三の抵
   抗とダイオードとを直列に介して接続し、前記バラクタ
   ダイオードのＰＮ接合の方向と前記ダイオードのＰＮ接
   合の方向とを互いに同じにしたことを特徴とする請求項
   ５記載のテレビジョンチューナの入力回路。
7. 【請求項７】 前記同調回路は同調インダクタンス素子
   と、前記バンド切替電圧によってオン又はオフに切り替
   えられると共に前記同調インダクタンス素子のインダク
   タンス値を切り替えるスイッチダイオードと、前記スイ
   ッチダイオードのカソードを直流的に接地する第一の接
   地抵抗と、前記スイッチダイオードのアノードを直流的
   に接地する第二の接地抵抗とを有し、前記バラクタダイ
   オードのカソードを前記同調インダクタンス素子を介し
   て前記第一の端子に接続し、前記第一の抵抗を前記第一
   の接地抵抗とし、前記第二の抵抗を前記第二の接地抵抗
   としたことを特徴とする請求項６記載のテレビジョンチ
   ューナの入力回路。