JP2002368639A - テレビジョンチューナ - Google Patents

テレビジョンチューナ

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 各部品の集積度を向上すると共に相互接続の
ための配線を簡素化する。 【解決手段】 第一及び第二のFET21、22と第三
のFET23とを同一のパッケージ内に集積回路化する
と共に集積回路部品20を構成し、集積回路部品20内
で第一及び第二のFET21、22の各第二ゲート間、
第三のFET23のソースと第一のFET21のソース
との間、第三のFET23のゲートと第二のFET22
の第一ゲートとの間をそれぞれ直流的に接続すると共
に、第三のFET23のドレインと第一のFET21の
第一ゲートとの間を第一の抵抗24で接続し、第一のF
ET21の第二ゲートにAGC電圧を印加すると共に、
ソースを接地した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はUHF帯のテレビジ
ョン信号又はVHF帯のテレビジョン信号を受信するテ
レビジョンチューナに関する。
【0002】
【従来の技術】従来のテレビジョンチューナの構成を図
2に示す。VHF帯乃至UHF帯のテレビジョン信号が
入力される入力端31には不要な信号を除去するフィル
タ32を介してVHF入力同調回路33が結合される。
VHF入力同調回路33の内部にはアノードに電圧が印
加されたスイッチダイオード33aが設けられ、このス
イッチダイオードのオン又はオフに対応してVHF入力
同調回路33がVHF帯のハイバンド又はローバンドに
同調するように切り替えられる。なお、スイッチダイオ
ードのオン/オフを切り替えるための回路は省略する。
【0003】VHF入力同調回路33の次段には高周波
増幅器を構成する第一のFET(デュアルゲートFE
T)34が設けられる。そして、第一ゲート(G1)が
VHF入力同調回路33に結合され、第二ゲート(G
2)は直流カットコンデンサ35によって高周波的に接
地されると共に、抵抗36を介してAGC端子37に接
続される。AGC端子37にはAGC電圧が印加され
る。また、ソース(S)はバイアス抵抗38によって接
地されると共に直流カットコンデンサ39によって高周
波的に接地され、ドレイン(D)には図示しないVHF
段間同調回路が接続され、VHF段間同調回路を介して
ドレインに電源電圧が供給される。さらに、第一ゲート
にはスイッチトランジスタ40のコレクタが抵抗41を
介して接続され、コレクタは抵抗42を介して電源端子
43に接続される。電源端子43には電源電圧が印加さ
れる。エミッタは接地される。
【0004】フィルタ32にはスイッチダイオード44
のアノードが結合される。スイッチダイオード44のア
ノードにはVHF入力同調回路33から電圧が供給され
ており、カソードにはUHF入力同調回路45が結合さ
れる。そして、スイッチダイオード44のカソードが抵
抗46を介してスイッチトランジスタ40のコレクタに
接続される。
【0005】UHF入力同調回路44の次段には高周波
増幅器を構成する第二のFET(デュアルゲートFE
T)47が設けられる。そして、第二のFET47の第
一ゲートがUHF入力同調回路45に結合される。第一
ゲートにはピーキングコイル48の一端が接続され、そ
の他端は直流カットコンデンサ49によって高周波的に
接地される。ピーキングコイル48と直流カットコンデ
ンサ49との接続点が切替端子50に接続されると共に
抵抗51を介してスイッチトランジスタ40のベースに
接続される。また、第二ゲートは直流カットコンデンサ
52によって高周波的に接地されると共に、抵抗53を
介してAGC端子37に接続される。また、ソースはバ
イアス抵抗54によって接地されると共に直流カットコ
ンデンサ55によって高周波的に接地され、ドレインに
は図示しないUHF段間同調回路が接続され、UHF段
間同調回路を介してドレインに電源電圧が供給される。
【0006】以上の構成において、UHF帯のテレビジ
ョン信号を受信する場合は、切替端子50にハイレベル
の切替電圧が印加される。すると、第二のFET47の
第一ゲートには動作に必要な所定のバイアス電圧が加わ
り、動作状態となる。同時に、スイッチトランジスタ4
0がオンとなり、これによってスイッチダイオード44
がオンとなるのでテレビジョン信号はUHF入力同調回
路45に入力可能となる。このとき、第一のFET34
の第一ゲートが0ボルトのバイアス電圧となり、動作不
可となる。
【0007】また、VHF帯のテレビジョン信号を受信
する場合には、切替端子50がローレベルとなるので、
第二のFET47は第二ゲートが0ボルトのバイアス電
圧となって動作不可となり、スイッチトランジスタ40
もオフとなる。このため、スイッチダイオード44もオ
フとなってUHF入力同調回路45にはテレビジョン信
号が入力されない。さらに、スイッチトランジスタ40
がオフであるので、第一のFET34の第一ゲートには
動作に必要な所定のバイアス電圧が印加される。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、スイッ
チトランジスタ40によって第一のFET34とスイッ
チダイオード44との動作切替を行うようにしている
が、第一のFET34と第二のFET47とは個別の部
品を使用しているのでスイッチトランジスタ40と各F
ET34、47との相互の接続のための配線が煩雑にな
ると共に、各部品を基板上に配置する場合のスペースフ
ァクタが低下するという問題があった。
【0009】そこで、各部品の集積度を向上すると共に
相互接続のための配線を簡素化することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めの手段として、第一ゲートにVHF帯のテレビジョン
信号が入力されるデュアルゲート型の第一のFETと、
第一ゲートにUHF帯のテレビジョン信号とハイレベル
又はローレベルの切替電圧が入力されるデュアルゲート
型の第二のFETと、ドレインにプルアップ抵抗を介し
て電圧が印加されるシングルゲート型の第三のFETと
を備え、前記第一、第二及び第三のFETを同一のパッ
ケージ内に集積回路化すると共に集積回路部品を構成
し、前記集積回路部品内で前記第一及び第二のFETの
各第二ゲート間、前記第三のFETのソースと前記第一
のFETのソースとの間、前記第三のFETのゲートと
前記第二のFETの第一ゲートとの間をそれぞれ直流的
に接続すると共に、前記第三のFETのドレインと前記
第一のFETの第一ゲートとの間を第一の抵抗で接続
し、前記第一のFETの第二ゲートにAGC電圧を印加
すると共に、ソースを接地した。
【0011】また、前記第一のFETの第二ゲートと前
記第二のFETの第二ゲートとを前記集積回路部品内で
第二の抵抗によって互いに接続した。
【0012】また、前記第一のFETのソースと前記第
二のFETのソースとを前記集積回路部品内で第三の抵
抗によって互いに接続し、前記第一のFETのソースを
直接接地し、前記第二のFETのソースを帰還コンデン
サを介して接地した。
【0013】また、前記第三のFETのゲートと前記第
二のFETの第一ゲートとを前記集積回路部品内で第四
の抵抗によって互いに接続した。
【0014】
【発明の実施の形態】本発明のテレビジョンチューナの
構成を図1に示す。入力端1にはVHF帯乃至UHF帯
のテレビジョン信号が入力される。入力端1には不要な
信号を除去するフィルタ2を介してVHF入力同調回路
3が結合される。VHF入力同調回路3はバンド切替型
同調回路であり、その内部にはアノードに電圧が印加さ
れたスイッチダイオード3aとバラクタダイオード3b
とが設けられ、スイッチダイオード3aのオン又はオフ
に対応してVHF入力同調回路3がVHF帯のハイバン
ド又はローバンドに同調するように切り替えられる。そ
して、バラクタダイオードによって同調周波数が変化す
る。なお、VHF入力同調回路3及びスイッチダイオー
ド3aのオン/オフを切り替えるための回路は省略す
る。
【0015】また、フィルタ2にはスイッチダイオード
4を介してUHF入力同調回路5が結合される。スイッ
チダイオード4のアノードにはVHF入力同調回路3か
ら電圧が印加されている。UHF入力同調回路5にはバ
ラクタダイオード5aが設けられ、バラクタダイオード
5aによって同調周波数が変えられる。そして、VHF
入力同調回路3の出力端とUHF入力同調回路5の出力
端がそれぞれ集積回路部品20に結合される。集積回路
部品20内にはデュアルゲート型の第一及び第二のFE
T21、22、シングルゲート型の第三のFET23、
およびこれらを相互に接続する抵抗が同一のパッケージ
内に集積回路化されている。
【0016】即ち、集積回路部品20の中では、第一の
FET21の第一ゲート(G1)と第三のFET23の
ドレイン(D)との間が数十kΩの抵抗値を有する第一
の抵抗24によって接続され、第一のFET21の第二
ゲート(G2)と第二のFET22の第二ゲートとの間
が数十Ωの抵抗値を有する第二の抵抗25によって接続
され、第一のFET21のソース(S)と第二のFET
22のソースとの間が十数Ωの抵抗値を有する第三の抵
抗26によって接続され、第三のFET23のゲート
(G)と第二のFET22の第一ゲートとの間が数十k
Ωの抵抗値を有する第四の抵抗27によってに接続され
る。
【0017】集積回路部品20には、第一のFET21
の第一ゲートに接続された第一の外部端子20aと、第
一のFET21の第二ゲートに接続された第二の外部端
子20bと、第三のFET23のドレインに接続された
第三の外部端子20cと、第二のFET22の第一ゲー
トに接続された第四の外部端子20dと、第二のFET
22のソースに接続された第五の外部端子20eと、第
二のFET22のドレインに接続された第六の外部端子
20fと、第一のFET21のソースに接続された第七
の外部端子20gと、第一のFET21のドレインに接
続された第八の外部端子20hとが設けられる。
【0018】そして、VHF入力同調回路3の出力端が
第一の外部端子20aに接続され、UHF入力同調回路
5の出力端が第四の外部端子20dに接続される。これ
によってVHF帯のテレビジョン信号は第一のFET2
1の第一ゲートに入力され、UHF帯のテレビジョン信
号が第二のFET22の第一ゲートに入力される。ま
た、第二の外部端子20bは直流カットコンデンサ6に
よって高周波的に接地されると共に、抵抗7を介してA
GC端子8に接続される。AGC端子にはAGC電圧が
印加される。これによって、第一のFET21及び第二
のFET22の第二ゲートにAGC電圧が印加される。
【0019】また、第四の外部端子20dにはピーキン
グコイル9の一端が接続され、その他端が直流カットコ
ンデンサ10によって高周波的に接地されると共に、切
替端子11に接続される。切替端子11に印加される切
替電圧はUHF帯のテレビジョン信号を受信するときに
ハイレベルとなり、VHF帯のテレビジョン信号を受信
するときにはローレベルとなる。さらに、第三の外部端
子20cは抵抗12を介してスイッチダイオード4のカ
ソードに接続されると共に、プルアップ抵抗13を介し
て電源端子14に接続される。
【0020】第八の外部端子20hには図示しないVH
F段間同調回路が接続される。VHF段間同調回路には
電源電圧が印加されており、それが第八の外部端子20
hを介して第一のFET21のドレインに供給される。
また、第七の外部端子20gは直接接地される。第六の
外部端子20fには図示しないUHF段間同調回路が接
続される。UHF段間同調回路には電源電圧が印加され
ており、それが第六の外部端子20fを介して第二のF
ET22のドレインに供給される。また、第五の外部端
子20eはコンデンサ15によって接地される。コンデ
ンサ15はUHF帯において或る程度のインピーダンス
を有する。
【0021】以上の構成において、UHF帯のテレビジ
ョン信号を受信する場合は、切替端子11にハイレベル
の切替電圧が印加される。すると、第二のFET22の
第一ゲートには動作に必要な所定のバイアス電圧が加わ
り、動作状態となる。同時に、第三のFET23がオン
となり、これによってスイッチダイオード4がオンとな
るのでテレビジョン信号はUHF入力同調回路5に入力
可能となる。そして、UHF入力同調回路5によって選
択されたテレビジョン信号が第二のFET22の第一ゲ
ートに入力される。この状態で、第二のFET22の第
一ゲートと第三のFET23のゲートとの間には第四の
抵抗27が接続されているので、入力されたUHF帯の
テレビジョン信号は減衰することはない。また、第二の
FET22の増幅動作においてはソースに接続された帰
還コンデンサ15と集積回路部品20内の第三の抵抗2
6とによって負帰還が掛かり、UHF帯の低い方の周波
数の利得が抑えられ、UHF帯の全体としてほぼフラッ
トな利得となる。
【0022】また、第二のFET22の第二ゲートには
第二の抵抗25を介してAGC電圧が印加されるので、
此によっても負帰還が掛かり、寄生発振を起こしにくく
なると共に、特にAGC電圧を低下して利得を35dB
程度減衰した状態での歪みが改善される。なお、第三の
FET23がオンとなることで、第一のFET21は第
一ゲートが0ボルトのバイアス電圧となり、動作不可と
なる。
【0023】一方、VHF帯のテレビジョン信号を受信
する場合には、切替端子11にローレベルの切替電圧が
印加される。すると、第二のFET22は第二ゲートが
0ボルトのバイアス電圧となって動作不可となる。ま
た、第三のFET23はオフとなるので、スイッチダイ
オード4もオフとなってUHF入力同調回路5にはテレ
ビジョン信号が入力されない。さらに、第三のFET2
3がオフであるので、第一のFET21の第一ゲートに
は動作に必要な所定のバイアス電圧が印加され、第一の
FET21は動作可能となる。そしてVHF入力同調回
路3によって選択されたVHF帯のテレビジョン信号が
第一のFET21の第一ゲートに入力され、増幅され
る。この場合、第三のFET23のドレインと第一のF
ET21の第一ゲートとは第一の抵抗24によって接続
されているので、第三のFET23が有する出力容量成
分が直接第一ゲートに結合しない。そのため、この出力
容量成分はVHF入力同調回路3に付加されないので、
VHF入力同調回路3の同調周波数の変化範囲を狭くす
ることがない。
【0024】
【発明の効果】以上説明したように、第一、第二及び第
三のFETを同一のパッケージ内に集積回路化すると共
に集積回路部品を構成し、集積回路部品内で第一及び第
二のFETの各第二ゲート間、第三のFETのソースと
第一のFETのソースとの間、第三のFETのゲートと
第二のFETの第一ゲートとの間をそれぞれ直流的に接
続すると共に、第三のFETのドレインと第一のFET
の第一ゲートとの間を第一の抵抗で接続し、第一のFE
Tの第二ゲートにAGC電圧を印加すると共に、ソース
を接地したので、集積回路部品の外部における回路配線
が簡素化され、小型化にも寄与する。
【0025】また、第一のFETの第二ゲートと第二の
FETの第二ゲートとを集積回路部品内で第二の抵抗に
よって互いに接続したことで、第二のFETの第二ゲー
トには第二の抵抗を介してAGC電圧が印加され、第二
のFETには負帰還が掛かり、寄生発振を起こしにくく
なると共に、特にAGC電圧を低下して利得を35dB
程度減衰した状態での歪みが改善される。
【0026】また、第一のFETのソースと第二のFE
Tのソースとを集積回路部品内で第三の抵抗によって互
いに接続し、第一のFETのソースを直接接地したの
で、第三のFETがオンし易くなる。また、第二のFE
Tのソースを帰還コンデンサを介して接地したので、第
二のFETの増幅動作においてはソースに接続された帰
還コンデンサと集積回路部品内の第三の抵抗とによって
負帰還が掛かり、UHF帯の低い方の周波数の利得が抑
えられ、UHF帯の全体としてほぼフラットな利得とな
る。
【0027】また、第三のFETのゲートと第二のFE
Tの第一ゲートとを集積回路部品内で第四の抵抗によっ
て互いに接続したので、入力されたUHF帯のテレビジ
ョン信号が減衰することはない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のテレビジョンチューナの構成を示す回
路図である。
【図2】従来のテレビジョンチューナの構成を示す回路
図である。
【符号の説明】
1 入力端 2 フィルタ 3 VHF入力同調回路 3a スイッチダイオード 3b バラクタダイオード 4 スイッチダイオード 5 UHF入力同調回路 5a バラクタダイオード 6 直流カットコンデンサ 7 抵抗 8 AGC端子 9 ピーキングコイル 10 直流カットコンデンサ 11 切替端子 12 抵抗 13 抵抗 14 電源端子 15 帰還コンデンサ 20 集積回路部品 20a 第一の外部端子 20b 第二の外部端子 20c 第三の外部端子 20d 第四の外部端子 20e 第五の外部端子 20f 第六の外部端子 20g 第七の外部端子 20h 第八の外部端子 21 第一のFET 22 第二のFET 23 第三のFET 24 第三の抵抗 25 第二の抵抗 26 第四の抵抗 27 第一の抵抗

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第一ゲートにVHF帯のテレビジョン信
    号が入力されるデュアルゲート型の第一のFETと、第
    一ゲートにUHF帯のテレビジョン信号とハイレベル又
    はローレベルの切替電圧が入力されるデュアルゲート型
    の第二のFETと、ドレインにプルアップ抵抗を介して
    電圧が印加されるシングルゲート型の第三のFETとを
    備え、前記第一、第二及び第三のFETを同一のパッケ
    ージ内に集積回路化すると共に集積回路部品を構成し、
    前記集積回路部品内で前記第一及び第二のFETの各第
    二ゲート間、前記第三のFETのソースと前記第一のF
    ETのソースとの間、前記第三のFETのゲートと前記
    第二のFETの第一ゲートとの間をそれぞれ直流的に接
    続すると共に、前記第三のFETのドレインと前記第一
    のFETの第一ゲートとの間を第一の抵抗で接続し、前
    記第一のFETの第二ゲートにAGC電圧を印加すると
    共に、ソースを接地したことを特徴とするテレビジョン
    チューナ。
  2. 【請求項2】 前記第一のFETの第二ゲートと前記第
    二のFETの第二ゲートとを前記集積回路部品内で第二
    の抵抗によって互いに接続したことを特徴とする請求項
    1に記載のテレビジョンチューナ。
  3. 【請求項3】 前記第一のFETのソースと前記第二の
    FETのソースとを前記集積回路部品内で第三の抵抗に
    よって互いに接続し、前記第一のFETのソースを直接
    接地し、前記第二のFETのソースを帰還コンデンサを
    介して接地したことを特徴とする請求項1又は2に記載
    のテレビジョンチューナ。
  4. 【請求項4】 前記第三のFETのゲートと前記第二の
    FETの第一ゲートとを前記集積回路部品内で第四の抵
    抗によって互いに接続したことを特徴とする請求項1乃
    至3のいずれかに記載のテレビジョンチューナ。
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