JP2002289596A - プラズマを利用した表面処理装置及び方法 - Google Patents

プラズマを利用した表面処理装置及び方法

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JP2002289596A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 シリコン基板表面の自然酸化膜、化学的酸化
膜、及びシリコン基板表面の損傷部位、メタル表面の汚
染物質などを除去するためのプラズマを利用した表面処
理装置及び方法の提供。 【解決手段】 プラズマ発生部と基板との間に接地され
たグリッドまたはバッフルを備えて電荷を吸収すること
により、ラジカルのみを基板に通過させ、第２工程ガス
としてＨＦガスを使用する。従って、コンタクトホール
の食刻のときシリコン基板上に形成された自然酸化膜、
化学的酸化膜、または損傷部位が除去され、各ウェーハ
工程の後、コンディショニングガスを流入させてチェン
バー内の環境を一定に保持することにより工程再現性を
向上させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマを利用し
た表面処理装置及び方法に関し、特に、半導体素子また
はＴＦＴ(Thin Film Transistor；ＴＦＴ)ＬＣＤ(Liqui
d Crystal Display；ＬＣＤ)などのような集積回路の製
造過程で大気中の酸素とシリコン表面に反応して発生す
る自然酸化膜(native oxide layer)、工程過程でシリコ
ン表面に化学的に形成される酸化膜、シリコン表面上の
損傷部位、またはシリコン表面及びコンタクトホールの
側壁に発生する汚染物質などを除去するためのプラズマ
を利用した表面処理装置及び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体、ＴＦＴ ＬＣＤ、また
はＦＰＤ(Flat Panel Display)などの集積回路を製造す
るためには、下部のシリコン基板上に形成された素子を
金属層によって配線するための金属配線工程(metalizat
ion)が要求され、このためには、コンタクトホールを形
成する過程が必須的である。前記コンタクトホールは、
プラズマを利用した酸化膜に乾式食刻(dry etching)を
行って形成されることが一般的であり、このとき、コン
タクトホールを形成する過程のうちに下部のシリコン表
面が露出する。従って、乾式食刻後に、プラズマからイ
オン衝撃などによって損傷部位が形成され、また、食刻
ガスから解離(dissociation)された物質と食刻された物
質で構成された汚染物質がシリコン表面及び側壁に付着
する。このような損傷部位及び汚染物質は、素子特性に
致命的欠陥となるコンタクト抵抗(contact resistance)
または漏れ電流(leakage current)を増加させ得るの
で、集積回路の製造工程では、これを乾式洗浄(dry cle
aning)または湿式洗浄(wet cleaning)を施して除去す
る。また、前記損傷部位及び汚染物質以外にも、シリコ
ン表面及び空気中の酸素と反応して形成される自然酸化
膜が存在する。従って、コンタクトホールの形成後、導
電性物質の蒸着前に乾式洗浄または湿式洗浄を施して自
然酸化膜を取り除かなければならない。
【０００３】また、酸化膜は、シリコン表面と食刻後処
理工程で使用するＨ２Ｏ２、Ｈ２ＳＯ４、及び純水(dei
onized water)の混合溶液との反応によって化学的に形
成されることもある。このような酸化膜は、後続工程に
悪影響を及ぼし、電気的接触特性を劣化させ、これによ
り、製造された半導体またはＴＦＴ ＬＣＤ回路の特性
を低下させる。
【０００４】また、最近、集積回路の線幅(Critical De
mension；ＣＤ)の減少とともに自己整列コンタクト(sel
f-aligned contact；以下、ＳＡＣと称する。)構造が幅
広く使用されている。このようなＳＡＣ食刻工程を進行
する間、シリコン室化膜からなる食刻ストッパー層(etc
h stopper layer)が露出する。従って、前記室化膜で囲
まれた電極とコンタクトホールを充填する導電物質間の
短絡(shortage)または漏れ電流(leakage current)を防
止するためには、表面処理が行われる間、シリコン酸化
膜からなる側壁または室化膜のどちらかが食刻されては
ならない。
【０００５】また、コンタクトホール下部のシリコン基
板の表面が露出しない場合であっても、ゲート、キャパ
シタ製造用のポリシリコン電極、または配線が露出する
ことがある。この場合も、前記シリコン基板の表面が露
出する場合と同様に、損傷部位、酸化膜、または汚染物
質を除去しなければならない。
【０００６】必要な場合には、ゲート電極またはメモリ
のビットラインにメタルを使用するが、コンタクトホー
ルを食刻するときメタルの上部が露出する。このとき
も、メタル上部及び壁面の汚染物質を除去しなければな
らない。しかし、食刻されたメタル成分が汚染物質に含
まれており、容易に除去されない。従って、工程上注意
を払わなければならない。
【０００７】図１は、従来技術によるフッ素酸(fluorin
e acid)塗布装置の概略的構成を示す。図１を参照する
と、従来のフッ素酸塗布装置は、フッ素酸溶液１０、加
熱チェンバー２０、基板３０、基板積載部４０、前記フ
ッ素酸溶液６０で満ちたフッ素溶液タンク５０、フッ素
酸供給パイプ７０及び８０とからなる。自然酸化膜の形
成を防止するために、シリコン表面に酸素と反応するフ
ッ素酸層(fluorine acid layer)を形成して酸素を予め
取り除く。このような方法にて、フッ素酸塗布装置を利
用してフッ素酸蒸気を発生させてシリコン表面にフッ素
酸層を形成し、前記フッ化物層に熱を加えて硬化させ
る。そうすると、フッ素酸層が形成された基板を食刻す
るために、食刻装置内へ流入する酸素、または、食刻装
置内に残留する酸素は、基板の表面上のフッ素酸層と化
学的に反応して除去される。
【０００８】しかし、前記のような従来技術は、素子構
成及び概念を単純化させる長所にもかかわらず、微細な
工程変数を効率的に制御し難いという短所があった。
【０００９】また、表面処理のためには、紫外線(Ultra
Violet；ＵＶ)及びオゾン(Ｏ３)を使用することができ
る。すなわち、シリコン表面を紫外線によって解離され
たオゾンＯ３との反応を利用して酸化させ、前記酸化層
の湿式食刻を行って取り除く方法である。しかし、この
ような方法は、シリコン表面の酸化のとき長い時間がか
かるので、工程の進行が遅延する短所があった。
【００１０】図２は、従来技術によるプラズマを利用し
た食刻装置の概略的構成を示す。第１工程ガス流入口９
０を通じてＨ２及びＮ２を流入させてプラズマ発生部１
００でプラズマを発生させた後、第２工程ガス流入口１
１０を通じてＮＦ３ガスを流入させる。これにより、チ
ェンバー１４０内のシリコン基板１２０を食刻し、排出
口１３０を通じてガスが排出される。
【００１１】しかし、従来技術は、ＮＦ３ガスを工程ガ
スとして主に使用するが、この場合、プラズマによる解
離及び活性化が活発して食刻過程に含まれるフッ素原子
及びイオンが過度に発生する。その結果、シリコン表面
が損傷部位より過度に食刻され、またはＢＰＳＧ(borop
hosphosilicate glass)酸化膜または室化膜も食刻され
る問題点があった。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、ゲート酸化膜の成長前にシリコン表面に形成された
自然酸化膜または化学的酸化膜を取り除くことにより、
ゲート酸化膜の特性低下を防止するプラズマを利用した
表面処理装置及び方法を提供することにある。
【００１３】本発明の他の目的は、コンタクトホール形
成のための絶縁膜食刻のとき露出するシリコン表面に形
成される自然酸化膜または化学的酸化膜、損傷部位、及
び汚染物質を取り除くことにより、コンタクト抵抗及び
漏れ電流の増加を防止するためのプラズマを利用した表
面処理装置及び方法を提供することにある。
【００１４】本発明のまた他の目的は、下部メタル層と
の配線のためのコンタクトホールを食刻するとき、コン
タクトホールの側壁及び下部メタル層の上部表面に形成
されたポリマーのような汚染物質を取り除くためのプラ
ズマを利用した表面処理装置及び方法を提供することに
ある。
【００１５】本発明のさらに他の目的は、集積回路の製
造のときエピタキシャル(epitaxial)シリコン成長工程
でシリコン表面の自然酸化膜または化学的酸化膜を取り
除いて良質のエピタキシャルシリコンを成長させるため
のプラズマを利用した表面処理装置及び方法を提供する
ことにある。
【００１６】本発明のなお他の目的は、半球形(hemisph
erical grain；ＨＳＧ)シリコン形成工程で下部のシリ
コン表面の自然酸化膜または化学的酸化膜を取り除いて
良質の半球形を成長させるためのプラズマを利用した表
面処理装置及び方法を提供することにある。
【００１７】本発明のなおかつ他の目的は、工程再現性
(uniformity)を向上させるためのプラズマを利用した表
面処理装置及び方法を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の一態様によるプラズマを利用した表面処理
装置は、真空状態で保持可能なチェンバーと、前記チェ
ンバー内に備えられ、シリコン基板を積載する基板積載
部と、前記チェンバー内にプラズマ発生及び保持のため
のキャリアガスが流入する第１工程ガス流入部と、前記
第１工程ガスからプラズマを形成するプラズマ発生部
と、前記プラズマ発生部と前記基板積載部との間に備え
られ、前記基板へラジカルのみを通過させるためのフィ
ルタと、前記プラズマ発生部と前記フィルタとの間に備
えられ、前記チェンバー内に第２工程ガスが流入する第
２工程ガス流入部とからなることを特徴とする。
【００１９】望ましくは、前記プラズマ発生部は、マイ
クロ波発生装置を前記プラズマ発生のためのエネルギー
供給源として使用することを特徴とする。
【００２０】望ましくは、前記ラジカルの蒸着及び前記
ラジカルを利用した副産物層の形成を防止して前記ラジ
カルが前記基板の表面に集中するように前記チェンバー
壁面を所定の温度で保持するために加熱部をさらに備え
ることを特徴とする。
【００２１】望ましくは、前記フィルタが接地される
か、または、矩形波または正弦波の交流(alternating c
urrent；ＡＣ)電圧が印加されたバッフル(baffle)また
はグリッド(grid)を前記フィルタとして使用することを
特徴とする。
【００２２】さらに望ましくは、各ウェーハ工程の後、
チェンバー内の環境を一定に保持するために、前記チェ
ンバー内にコンディショニングガス(conditioning gas)
が流入する第３工程ガス流入部をさらに備えることを特
徴とする。
【００２３】また、本発明の一態様によるプラズマを利
用した表面処理方法は、絶縁層を含んで少なくとも１つ
以上の層を有するシリコン基板上にコンタクトホールを
形成するための食刻のとき発生する望まない酸化膜及び
損傷部位を除去するためのプラズマを利用した表面処理
方法において、前記酸化膜の上にポリマー膜を形成する
ステップと、アニーリングして前記ポリマー膜及び前記
酸化膜を除去するステップと、前記シリコン基板の表面
の損傷部位を除去するステップとからなることを特徴と
する。
【００２４】望ましくは、前記ポリマー膜を形成するス
テップは、Ｈ２またはＮ２を含む第１工程ガスを流入さ
せてプラズマを形成するステップと、前記プラズマをフ
ィルタリングして前記シリコン基板へラジカルのみを通
過させるステップと、ハロゲン元素を含む第２工程ガス
を流入させるステップとを含むことを特徴とする。
【００２５】望ましくは、前記第２工程ガスは、ＨＦ、
ＨＣｌ、ＢＣｌ３、ＨＢｒまたはＣｌＦ３のうち少なく
とも１つであることを特徴とする。
【００２６】望ましくは、前記ポリマー膜及び前記酸化
膜は、加熱チェンバーでアニーリングしてＵＶランプま
たはＩＲランプで加熱して除去されることを特徴とす
る。
【００２７】望ましくは、前記シリコン基板表面の損傷
部位は、加熱チェンバーでアニーリングして除去される
ことを特徴とする。
【００２８】さらに望ましくは、前記損傷部位を除去す
るステップは、前記ポリマー膜及び酸化膜を除去した
後、同一のチェンバー内でインシチュー(in-situ)にて
遂行されることを特徴とする。
【００２９】さらに、本発明は、真空状態で保持される
ことができるチェンバーと、シリコン基板を積載する基
板積載部と、プラズマの発生及び保持のためのキャリア
ガスが流入する第１工程ガス流入部と、プラズマ発生部
と、前記基板へラジカルのみ通過させるためのフィルタ
と、第２工程ガス流入部と、各ウェーハ工程の後、チェ
ンバー内の環境を一定に保持するための第３工程ガスが
流入する第３工程ガス流入部とを備える表面処理装置内
の集積回路の製造のためのプラズマを利用した表面処理
方法において、前記チェンバー内に第１工程ガスを流入
させるステップと、前記プラズマ発生部で前記第１工程
ガスからプラズマを形成するステップと、前記チェンバ
ー内に第２工程ガスを流入させるステップと、各ウェー
ハ工程の後、チェンバー内の環境を一定に保持するため
の第３工程ガスを流入させるステップとからなることを
特徴とする。
【００３０】望ましくは、前記第１工程ガスは、Ｈ２ま
たはＮ２のうち１つであることを特徴とする。
【００３１】望ましくは、前記フィルタは接地される
か、またはＡＣ電圧を受信することを特徴とする。
【００３２】さらに望ましくは、前記第２工程ガスは、
ＨＦ、ＨＣｌ、ＢＣｌ３、ＨＢｒまたはＣｌＦ３のうち
少なくとも１つであることを特徴とする。
【００３３】望ましくは、前記第３工程ガスは、Ｈ、
Ｆ、ＯまたはＮのうち少なくとも１つであることを特徴
とする。
【００３４】
【発明の実施の形態】以下、本発明による好適な実施形
態を添付図面を参照しつつ詳しく説明する。下記の説明
において、本発明の要旨のみを明瞭にするために公知の
機能及び構成に対する詳細な説明は省略する。
【００３５】図３は、本発明の一実施形態によるプラズ
マ食刻装置の構成を示す。このプラズマ食刻装置は、マ
イクロ波プラズマを利用した乾式洗浄工程を遂行する。
図３を参照すると、シリコン基板１８０は、真空状態で
保持可能なチェンバー１４０の下に位置した基板積載部
１６０に備えられ、Ｎ２、Ｈ２、またはこれらの混合ガ
スは、第１工程ガス流入口１３０を通じて流入する。こ
のとき、Ｎ２、Ｈ２、またはこれらの混合ガスは、プラ
ズマ発生及び保持のためのキャリアガスとして作用す
る。次いで、プラズマは、マイクロ波ソースモジュール
(microwave source module)１１０及びプラズマアプリ
ケータ１２０を動作させることによって発生し、ＨＦガ
スは、第２工程ガス流入口１９０を通じて流入する。こ
のとき、ＨＦガス以外にフッ素を含むハロゲン元素、Ｈ
Ｃｌ、ＢＣｌ３、ＨＢｒ、またはＣｌＦ３などのハロゲ
ン元素も第２工程ガスとして使用することができる。前
記プラズマは、基板１８０の下方へ動く間フィルタ１５
０を通過する。このとき、前記フィルタ１５０は、接地
されたバッフルまたはグリッドなどで電荷(potential)
を吸収し、結局、シリコン基板１８０にはラジカル(rad
ical)のみが到達する。アニーリング(annealing)するた
めのヒーター２１０によって加熱チェンバーをアニーリ
ングし、これにより、前記シリコン基板表面の損傷部位
を取り除く。壁面加熱ジャケット(wall heat jacket)２
２０は、チェンバーの壁面を適正の温度で保持してラジ
カルがチェンバー１４０の壁面に蒸着されて副産物層の
形成を防止し、ラジカルがシリコン基板１８０の表面に
集中する。また、コンディショニングガスとしてのＨま
たはＦガスは、第３工程ガス流入口２００を通じて注入
されて前記チェンバー１４０内の環境を一定に保持さ
せ、これにより、食刻の後、食刻再現性を向上させる。
このとき、前記コンディショニングガスとしては、Ｈ、
Ｆ、ＯまたはＮ、あるいはこれらの混合ガスを使用する
ことができる。
【００３６】前記使用された工程ガスは、排出口１７０
を通じて排出される。
【００３７】図４は、本発明の他の実施形態によるプラ
ズマ食刻装置の構成を示す。このプラズマ食刻装置は、
リモートプラズマを利用して乾式洗浄工程を遂行する。
図４を参照すると、プラズマを発生させるためにＲＦパ
ワーを印加することを除いては、前記プラズマ食刻装置
は、前記マイクロ波プラズマを利用したプラズマ食刻装
置と類似している。前記プラズマ食刻装置は、該当技術
分野における通常の知識を有する者には自明であるの
で、詳細な説明は省略する。
【００３８】図５Ａ乃至図５Ｅは、本発明の一実施形態
による自然酸化膜及びシリコン基板表面の損傷部位を除
去する過程を順次に示す断面図である。
【００３９】図５Ａは、シリコン基板４０上に層間絶縁
層４１を形成した後、接触領域での前記層間絶縁層４１
を食刻してコンタクトホールを形成した状態を示す。こ
のとき、接触領域で露出した前記シリコン基板４０の表
面が食刻のとき損傷される。その結果、損傷部位４２及
び自然酸化膜４３は、前記シリコン基板４０上に順次に
形成される。このとき、前記自然酸化膜４３及び損傷部
位４２は、コンタクト抵抗または漏れ電流を増加させて
素子特性を低下させる致命的欠陥要因として作用するの
で、これを除去する工程が要求される。
【００４０】図５Ｂは、Ｈ２またはＮ２ガスから発生し
たプラズマ及び第２工程ガスとしてのＨＦガスを利用し
て、層間絶縁層４１、コンタクトホールの側壁、及び自
然酸化膜４３の上部にＮｘＨｙＦｚポリマー膜または副
産物層を形成した状態を示す。このとき、プラズマをフ
ィルタリングするためのグリッドまたはバッフルを接地
させるか、または交流電圧を印加してプラズマのうちラ
ジカルのみ基板表面に接触させる。
【００４１】図５Ｃは、アニーリングしてポリマー膜４
４を除去した状態を示す。このとき、アニーリングによ
ってポリマー膜４４の構成成分が分解されつつ、下部の
自然酸化膜４３の構成成分と結合してＮ２Ｏ、Ｏ、Ｆ、
ＨＦ、ＮＨ３、及びＳｉＦ４などで励起される。アニー
リングの代わりに、ポリマー膜または副産物層は、紫外
線(ＵＶ)ランプまたは赤外線(InfraRed；ＩＲ)ランプを
利用して除去されることもできる。
【００４２】図５Ｄは、アニーリングして自然酸化膜４
３が除去された後、シリコン基板の表面が疎水処理(Hyd
rophobic Cleaning)された状態を示す。
【００４３】図５Ｅは、同一のチェンバーでインシチュ
ーにてシリコン損傷部位４２を除去した状態を示す。こ
のとき、シリコン損傷部位４２は、ＨＦ／Ｈ２、ＨＦ／
Ｏ２、ＮＦ３／Ｏ２、ＳＦ６／Ｏ２、及びＣＦ４/Ｏ２
のうち少なくとも１つのリモートプラズマを利用して除
去されることもでき、または、ＮＦ３、ＣＦ４、及びＣ
２Ｆ２などのガス、Ｏ２、ＣＯ２、ＮＯ２、及びＮ２な
どのガス、及びＨｅ、Ｎｅ、Ｘｅ、及びＡｒなどの非活
性ガスを適切に混合して除去されることもできる。金属
接触窓の形成のための食刻のようなメタル食刻を含む工
程のとき発生したシリコン基板表面の損傷を除去する場
合、ＨＣｌ及びＣｌＦ３などのようなＣｌを含むリモー
トプラズマを利用すればより効率的である。
【００４４】下記《表１》は、第２工程ガスとしてのＨ
Ｆガスを利用した本発明と第２工程ガスとしてのＮＦ３
ガスを利用した従来技術との比較表である。下記《表
１》から分かるように、本発明は、食刻率(Etching Rat
e)、シリコン基板の平坦度(Roughness)、及び金属汚染
などの項目で改善する。
【表１】
【００４５】図６Ａは、自然酸化膜を除去する前のコン
タクトプロファイルを示し、図６Ｂは、６０秒の間自然
酸化膜の工程が行われる間のコンタクトプロファイルを
示す。線幅変化及び基板損傷などのコンタクトプロファ
イルにほぼ変化がないことを分かる。
【００４６】前述の如く、本発明の詳細な説明では具体
的な実施形態を参照して詳細に説明してきたが、本発明
の範囲は前記実施形態によって限られるべきではなく、
本発明の範囲内で様々な変形が可能であるということ
は、当該技術分野における通常の知識を持つ者には明ら
かである。
【００４７】
【発明の効果】以上述べてきたように、本発明による
と、ゲート酸化膜の成長の前シリコン表面に形成された
自然酸化膜または化学的酸化膜を取り除くことにより、
ゲート酸化膜の特性低下を防止することができ、コンタ
クトホールの形成のための食刻の後露出するシリコン表
面に形成される自然酸化膜または化学的酸化膜及び食刻
のとき発生するシリコン表面の損傷部位を除去してコン
タクト抵抗及びコンタクト部位の漏れを防止することが
できる。また、メタルコンタクトホールの食刻のとき、
コンタクトホールの側壁と下部メタルとの境界部位に存
在するポリマーなどの有機汚染物を除去してメタルコン
タクト抵抗を小さくすることができ、エピタキシャルシ
リコンの成長工程で、シリコン表面の自然酸化膜または
化学的酸化膜を除去して良質のエピタキシャルシリコン
を成長させることができ、半球形(ＨＳＧ)シリコン形成
工程でシリコン表面の自然酸化膜または化学的酸化膜を
除去して良質のＨＳＧを成長させることができる。さら
に、各ウェーハ工程の後、コンディショニングガスを流
入させてチェンバー内の環境を一定に保持することによ
り工程再現性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術によるフッ素酸塗布装置の概略構成
図。
【図２】従来技術によるプラズマを利用した食刻装置の
概略構成図。
【図３】本発明の一実施形態によるプラズマ食刻装置の
構成図。
【図４】本発明の他の実施形態によるプラズマ食刻装置
の構成図。
【図５】本発明の一実施形態による自然酸化膜及びシリ
コン基板表面の損傷部位を除去する過程を順次に示す断
面図。
【図６】コンタクトプロファイルを示すＳＥＭ(Scannin
g Electron Microscope)図。
【符号の説明】
４０ シリコン基板 ４１ 層間絶縁層 ４２ 損傷部位 ４３ 自然酸化膜 ４４ ポリマー膜 １１０ マイクロ波ソースモジュール １２０ プラズマアプリケータ １３０ 第１工程ガス流入口 １４０ チェンバー １５０ フィルタ １６０ 基板積載部 １７０ 排出口 １８０ シリコン基板 １９０ 第２工程ガス流入口 ２００ 第３工程ガス流入口 ２１０ ヒーター
フロントページの続き (72)発明者 ギル−ガン リー 大韓民国 423−060 キョンギ−ド カン ミョン−シ ハアン−ドン ジュゴンアパ ート ＃812−405 Ｆターム(参考） 5F004 AA06 AA14 BA03 BA20 DA00 DA01 DA11 DA17 DA18 DA20 DA24 DA25 DA26 DA29 DB01 DB03 EA13 EB01 FA01

Claims (28)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 絶縁層を含んで少なくとも１つ以上の層
    を有するシリコン基板上にコンタクトホールを形成する
    ための食刻のとき発生する望まない酸化膜及び損傷部位
    を除去するためのプラズマを利用した表面処理方法にお
    いて、 前記酸化膜の上にポリマー膜を形成するステップと、 アニーリングして前記ポリマー膜及び前記酸化膜を除去
    するステップと、 前記シリコン基板の表面の損傷部位を除去するステップ
    と、からなることを特徴とするプラズマを利用した表面
    処理方法。
  2. 【請求項２】 前記ポリマー膜を形成するステップは、
    Ｈ２またはＮ２を含む第１工程ガスを流入させてプラズ
    マを形成するステップと、前記プラズマをフィルタリン
    グして前記シリコン基板へラジカル(radical)のみを通
    過させるステップと、ハロゲン元素を含む第２工程ガス
    を流入させるステップとを含むことを特徴とする請求項
    １に記載のプラズマを利用した表面処理方法。
  3. 【請求項３】 前記第２工程ガスは、ＨＦ、ＨＣｌ、Ｂ
    Ｃｌ３、ＨＢｒまたはＣｌＦ３のうち少なくとも１つで
    あることを特徴とする請求項２に記載のプラズマを利用
    した表面処理方法。
  4. 【請求項４】 前記ポリマー膜及び前記酸化膜は、紫外
    線ランプまたは赤外線ランプでアニーリングして除去さ
    れることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の
    プラズマを利用した表面処理方法。
  5. 【請求項５】 前記ポリマー膜及び前記酸化膜は、加熱
    チェンバーでアニーリングして除去されることを特徴と
    する請求項１または請求項２に記載のプラズマを利用し
    た表面処理方法。
  6. 【請求項６】 前記シリコン基板表面の損傷部位は、フ
    ッ素(Ｆ)を含むガスで形成されたリモートプラズマを利
    用して除去されることを特徴とする請求項１に記載のプ
    ラズマを利用した表面処理方法。
  7. 【請求項７】 前記フッ素を含むガスは、ＨＦ／Ｈ２、
    ＨＦ／Ｏ２、ＮＦ３／Ｏ２、ＳＦ６／Ｏ２、またはＣＦ
    ４/Ｏ２のうち少なくとも１つであることを特徴とする
    請求項６に記載のプラズマを利用した表面処理方法。
  8. 【請求項８】 前記シリコン基板表面の損傷部位は、Ｃ
    ｌを含むガスで形成されたリモートプラズマを利用して
    除去されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ
    を利用した表面処理方法。
  9. 【請求項９】 前記シリコン基板表面の損傷部位は、加
    熱チェンバーでアニーリングして除去されることを特徴
    とする請求項１に記載のプラズマを利用した表面処理方
    法。
  10. 【請求項１０】 前記損傷部位を除去するステップは、
    前記ポリマー膜及び酸化膜を除去した後、同一のチェン
    バー内でインシチュー(in-situ)にて遂行されることを
    特徴とする請求項５に記載のプラズマを利用した表面処
    理方法。
  11. 【請求項１１】 真空状態で保持されることができるチ
    ェンバーと、シリコン基板を積載する基板積載部と、プ
    ラズマの発生及び保持のためのキャリアガスが流入する
    第１工程ガス流入部と、プラズマ発生部と、前記基板へ
    ラジカルのみ通過させるためのフィルタと、第２工程ガ
    ス流入部とを備える表面処理装置内の集積回路の製造の
    ためのプラズマを利用した表面処理方法において、 前記チェンバー内に第１工程ガスを流入させるステップ
    と、 前記プラズマ発生部で前記第１工程ガスからプラズマを
    形成するステップと、 前記チェンバー内へ第２工程ガスを流入させるステップ
    と、からなることを特徴とするプラズマを利用した表面
    処理方法。
  12. 【請求項１２】 前記第１工程ガスは、Ｈ２またはＮ２
    のうち１つを含むことを特徴とする請求項１１に記載の
    プラズマを利用した表面処理方法。
  13. 【請求項１３】 前記第２工程ガスは、ハロゲン元素を
    含むことを特徴とする請求項１１に記載のプラズマを利
    用した表面処理方法。
  14. 【請求項１４】 前記第２工程ガスは、ＨＦ、ＨＣｌ、
    ＢＣｌ３、ＨＢｒまたはＣｌＦ３のうち少なくとも１つ
    であることを特徴とする請求項１１に記載のプラズマを
    利用した表面処理方法。
  15. 【請求項１５】 真空状態で保持されることができるチ
    ェンバーと、シリコン基板を積載する基板積載部と、プ
    ラズマの発生及び保持のためのキャリアガスが流入する
    第１工程ガス流入部と、プラズマ発生部と、前記基板へ
    ラジカルのみ通過させるためのフィルタと、第２工程ガ
    ス流入部と、各ウェーハ工程の後、チェンバー内の環境
    を一定に保持するための第３工程ガスが流入する第３工
    程ガス流入部とを備える表面処理装置内の集積回路の製
    造のためのプラズマを利用した表面処理方法において、 前記チェンバー内に第１工程ガスを流入させるステップ
    と、 前記プラズマ発生部で前記第１工程ガスからプラズマを
    形成するステップと、 前記チェンバー内に第２工程ガスを流入させるステップ
    と、 各ウェーハ工程の後、チェンバー内の環境を一定に保持
    するための第３工程ガスを流入させるステップと、から
    なることを特徴とするプラズマを利用した表面処理方
    法。
  16. 【請求項１６】 前記第１工程ガスは、Ｈ２またはＮ２
    のうち１つであることを特徴とする請求項１５に記載の
    プラズマを利用した表面処理方法。
  17. 【請求項１７】 前記第２工程ガスは、ハロゲン元素を
    含むことを特徴とする請求項１５に記載のプラズマを利
    用した表面処理方法。
  18. 【請求項１８】 前記第２工程ガスは、ＨＦ、ＨＣｌ、
    ＢＣｌ３、ＨＢｒまたはＣｌＦ３のうち少なくとも１つ
    であることを特徴とする請求項１５に記載のプラズマを
    利用した表面処理方法。
  19. 【請求項１９】 前記第３工程ガスは、Ｈ、Ｆ、Ｏ、ま
    たはＮのうち少なくとも１つであることを特徴とする請
    求項１５乃至請求項１８のいずれか１項に記載のプラズ
    マを利用した表面処理方法。
  20. 【請求項２０】 プラズマを利用した表面処理装置にお
    いて、 真空状態で保持可能のチェンバーと、 前記チェンバー内に備えられ、シリコン基板を積載する
    基板積載部と、 前記チェンバー内にプラズマ発生及び保持のためのキャ
    リアガスが流入する第１工程ガス流入部と、 前記第１工程ガスからプラズマを形成するプラズマ発生
    部と、 前記プラズマ発生部と前記基板積載部との間に備えら
    れ、前記基板へラジカルのみを通過させるためのフィル
    タと、 前記プラズマ発生部と前記フィルタとの間に備えられ、
    前記チェンバー内に第２工程ガスが流入する第２工程ガ
    ス流入部と、からなることを特徴とするプラズマを利用
    した表面処理装置。
  21. 【請求項２１】 前記プラズマ発生部は、マイクロ波発
    生装置を前記プラズマ発生のためのエネルギー供給源と
    して使用することを特徴とする請求項２０に記載のプラ
    ズマを利用した表面処理装置。
  22. 【請求項２２】 前記ラジカルがチェンバーの壁面に蒸
    着されて副産物層の形成を防止し、前記ラジカルが前記
    シリコン基板の表面に集中するように前記チェンバーの
    壁面を所定の温度で保持するための加熱部をさらに備え
    ることを特徴とする請求項２０に記載のプラズマを利用
    した表面処理装置。
  23. 【請求項２３】 前記フィルタが接地されていることを
    特徴とする請求項２０に記載のプラズマを利用した表面
    処理装置。
  24. 【請求項２４】 前記フィルタは、交流電圧が印加され
    たグリッド(grid)であることを特徴とする請求項２０に
    記載のプラズマを利用した表面処理装置。
  25. 【請求項２５】 前記第１工程ガスは、Ｈ２またはＮ２
    のうち１つであることを特徴とする請求項２０に記載の
    プラズマを利用した表面処理装置。
  26. 【請求項２６】 前記第２工程ガスは、ＨＦ、ＨＣｌ、
    ＢＣｌ３、ＨＢｒまたはＣｌＦ３のうち少なくとも一つ
    であることを特徴とする請求項２０に記載のプラズマを
    利用した表面処理装置。
  27. 【請求項２７】 各ウェーハ工程の後、チェンバー内の
    環境を一定に保持するための第３工程ガスが前記チェン
    バー内に流入する第３工程ガス流入部をさらに備えるこ
    とを特徴とする請求項２０に記載のプラズマを利用した
    表面処理装置。
  28. 【請求項２８】 前記第３工程ガスは、Ｈ、Ｆ、Ｏまた
    はＮのうち少なくとも一つであることを特徴とする請求
    項２７に記載のプラズマを利用した表面処理装置。
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