JP2002280484A - 半導体パッケージおよび半導体パッケージの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 配線基板（インタポーザ）を使用しないウェ
ハレベルＣＳＰ（ChipSize/Scale Package）等の半導体
パッケージ、半導体装置にあっては、メタルポスト等の
端子に形成された半田バンプの接合強度が、回路基板等
に接続する際に作用する応力に対して不足すると、剥
離、抵抗増大等を生じる可能があるため、これを確実に
防止できる技術の開発が求められていた。 【解決手段】 樹脂製突部４に導電層１６０を被覆形成
することで、樹脂製突部４の変形性能により応力を分
散、吸収できる構成のポスト７を採用し、さらに、ポス
ト頂部７ａに形成された凹凸によって半田バンプ１１の
接合強度が向上されている半導体パッケージ２０、その
製造方法を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、配線基板（インタ
ポーザ）を使用しないウェハレベルＣＳＰ（ChipSize/S
cale Package）等の半導体パッケージおよび半導体パッ
ケージの製造方法に係り、特に、接続時にポストに働く
応力の影響を緩和して信頼性を向上できる半導体パッケ
ージおよび半導体パッケージの製造方法に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体装置の小型化が促進されて
おり、これに伴ってそのパッケージの小型化が注目され
ている。例えば、日経マイクロデバイス１９９８年８月
号及び１９９９年２月号等に種々の半導体パッケージが
提案されている。その中でも、特にＣＳＰと呼ばれる半
導体パッケージによるウェハレベルＣＳＰは、パッケー
ジの小型化及びコストの低減に高い効果を示す。このＣ
ＳＰは、ウェハごと樹脂封止されたパッケージである。
図１５は従来のＣＳＰの構成を示す断面図である。な
お、図１５は回路基板へ搭載される状態を示しており、
以下の説明では図１５とは上下関係が逆になっている。

【０００３】従来のＣＳＰにおいては、ウェハ５１上に
複数個のＡｌパッド５２が形成されている。また、ウェ
ハ５１の全面にＡｌパッド５２を覆うＳｉＮ層５３及び
ポリイミド層５４が形成されている。ＳｉＮ層５３及び
ポリイミド層５４には、その表面からＡｌパッド５２ま
で達するビアホールが形成されている。そして、ビアホ
ール内に導体層５５が埋め込まれている。更に、ポリイ
ミド層５４上には、導体層５５に接続された再配線層５
６が形成されている。再配線層５６は、例えばＣｕから
なる。そして、ポリイミド層５４の全面に再配線層５６
を覆う封止樹脂層５７が設けられている。封止樹脂層５
７の内部には、その表面から再配線層５６まで達するメ
タルポストとしてＣｕポスト５８が形成されている。Ｃ
ｕポスト５８上には、バリアメタル層５９が形成されて
おり、このバリアメタル層５９上に半田等のソルダボー
ル６０が形成されている。

【０００４】次に、上述のような従来のＣＳＰの製造方
法について説明する。図１６（ａ）〜（ｅ）は従来のＣ
ＳＰの製造方法を工程順に示す断面図である。なお、図
１６（ａ）〜（ｅ）においては、再配線層及びポリイミ
ド層等は省略している。まず、図１６（ａ）に示すよう
に、表面が平坦なウェハ６１を準備する。そして、図１
６（ｂ）に示すように、ウェハ６１上に複数個のＣｕポ
スト等のメタルポスト６２をめっきにより形成する。次
いで、図１６（ｃ）に示すように、全てのメタルポスト
６２を覆うように樹脂封止を行い、樹脂封止層６３を形
成する。その後、図１６（ｄ）に示すように、封止樹脂
層６３の表面を研磨することにより、各メタルポスト６
２を露出させる。そして、図１６（ｅ）に示すように、
メタルポスト６２上に半田等のソルダボール６４を搭載
する。このようにして、前述のようなＣＳＰが形成され
る。このＣＳＰは、その後、所定の大きさにダイジング
される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、一般に、半
導体パッケージと回路基板等との熱膨張率は相違してい
るので、この熱膨張率の相違に基づく応力が半導体パッ
ケージの端子（Ｃｕポスト等のメタルポスト）に集中す
る。前述のようなＣＳＰにおいても半田接続を用いるか
ら、半導体パッケージと回路基板等との熱膨張率の相違
に基づく応力が半導体パッケージの端子に集中しやす
く、この端子に集中する応力による歪みが大きくなる
と、電極剥離、抵抗値の増大等の問題が生じてくる。半
導体パッケージの端子と半田バンプとの間の接合強度が
不充分であると、前記端子に働く応力によって、半田バ
ンプの剥離、抵抗値の増大等の問題が生じやすくなる。
このような問題を回避するには、例えば、半導体パッケ
ージのウェハと基板とを直接接続せず、間に入れた緩衝
部材を介して接続すること等により応力緩和を図ってい
る。しかしながら、前記緩衝部材を利用した応力緩和で
は、半導体パッケージと回路基板とを接続した後の厚さ
寸法が大きくなるし、構造の複雑化、コストの上昇等を
回避できない。また、ポストを大型化（通常、回路基板
等の接触部分の接触面積の大型化には限界があるから、
高さの大型化になる）して、応力を分散、吸収すること
も考えられるが、これでは、目的の高さのメタルポスト
を形成するためのめっき時間が非常に長くなり、半導体
パッケージの製造能率を低下させてしまうため、問題を
解決できない。なお、前述の半田バンプの剥離、抵抗値
の増大等の問題は、前述のようなメタルポストを有する
ＣＳＰに限定されるものでは無く、インタポーザ、ＢＧ
Ａ基板、フリップチップ等でも、半田バンプを有する構
造体では、半田バンプの接合強度に起因して同様に発生
する。このため、構造体の導電体（前述のＣＳＰの端子
等）と半田バンプとの間の接合強度を向上できる具体的
な技術の開発が求められていた。

【０００６】本発明は、前述の課題に鑑みてなされたも
ので、（１）樹脂製突部を有するポスト（端子）の変形
によって、回路基板等の接続に伴う応力集中を効率良く
緩和できる、（２）しかも、ポストの頂部に形成した凹
凸によって、ポストと半田バンプとの間の接合強度を向
上でき、ポストの変形による前記応力集中の緩和を、よ
り効果的に確実に行える、半導体パッケージおよび半導
体パッケージの製造方法を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の半導体パ
ッケージは、電極が設けられたウェハ上に形成された絶
縁層と、この絶縁層の前記電極に整合する領域に形成さ
れた開口部を介して前記電極に接続された再配線層と、
前記ウェハ、前記絶縁層及び前記再配線層を封止する封
止樹脂層と、この封止樹脂層を貫通し頂部に半田バンプ
が形成されたポストとを有し、前記ポストは、前記絶縁
層上に形成された樹脂製突部と、この樹脂製突部の頂部
を含んで前記樹脂製突部を被覆して前記再配線層と前記
半田バンプとに接続された導電層とを有し、該ポストの
頂部には凹凸が形成されていることを特徴とする。請求
項２記載の発明は、請求項１記載の半導体パッケージに
おいて、前記ポスト頂部の凹凸が、前記樹脂製突部頂部
の凹凸に沿って被覆された導電層によって形成されてい
ることを特徴とする。請求項３記載の発明は、請求項１
記載の半導体パッケージにおいて、前記ポストの頂部に
は、前記導電層が形成されていない導電層被覆除外部が
前記導電層を穴状あるいは溝状に切り欠いた形状に確保
され、この導電層被覆除外部と前記導電層とによって、
前記ポスト頂部の凹凸が形成されていることを特徴とす
る。

【０００８】この発明では、回路基板等が半田バンプを
介して接続されるポストが、樹脂製突部に導電層を形成
したものであるため、接続時にポストに発生した応力を
樹脂製突部の変形（圧縮、曲げ等の変形）によって分
散、吸収できる。この構成により、緩衝部材を設けて接
続時の厚さ寸法を増大させたり、ポストの大型化により
ポストの形成時間の長時間化、半導体パッケージの製造
能率の低下を生じさせること無く、接続時に発生する応
力を効率良く分散、吸収することができる。本発明で
は、さらに、ポストの頂部に形成された凹凸によって、
ポストと半田バンプとの接合強度を充分に確保できる点
が重要である。半田バンプは、ポストの頂部に形成され
た凹凸に一部入り込むようにして形成されたり、回路基
板等との接続時に溶融された際にポスト上部の凹凸に一
部入り込むことで、ポストとの接合強度が確保される。
この構成により、回路基板等と半導体パッケージとの間
に発生した応力をポストに確実に伝達して、ポストによ
って確実に分散、吸収させることができる。接合強度の
向上によって、半田バンプの剥離等の不都合を確実に防
止できる。

【０００９】請求項４記載の半導体パッケージの製造方
法は、電極が設けられたウェハ上に、前記電極に整合す
る領域に開口部が設けられた絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に樹脂製突部を形成する工程と、前記開口
部を介して前記電極に接続された再配線層を形成する工
程と、前記樹脂製突部の頂部に凹凸を形成する工程と、
前記樹脂製突部の頂部を含んで前記樹脂製突部を被覆す
る導電層を前記再配線層に接続させて形成する工程と、
前記導電層上に半田バンプを形成する工程とを有し、前
記樹脂製突部に前記導電層を形成するにあたって、前記
樹脂製突部の頂部では、前記頂部の凹凸に沿わせて前記
導電層を被覆形成することで、該導電層に前記樹脂製突
部の頂部の凹凸に沿った凹凸の表面形状を得ることを特
徴とする。請求項５記載の半導体パッケージの製造方法
は、電極が設けられたウェハ上に、前記電極に整合する
領域に開口部が設けられた絶縁層を形成する工程と、前
記絶縁層上に樹脂製突部を形成する工程と、前記開口部
を介して前記電極に接続された再配線層を形成する工程
と、前記樹脂製突部をその頂部を含んで被覆する導電層
を前記再配線層に接続させて形成し、前記樹脂製突部の
頂部には、前記導電層が形成されていない導電層被覆除
外部を前記導電層を穴状あるいは溝状に切り欠いた形状
に確保して前記導電層を形成する工程と、前記樹脂製突
部の頂部を被覆する導電層上に半田バンプを形成する工
程とを有することを特徴とする。請求項６記載の半導体
パッケージの製造方法は、電極が設けられたウェハ上
に、前記電極に整合する領域に開口部が設けられた絶縁
層を形成する工程と、前記絶縁層上に樹脂製突部を形成
する工程と、前記開口部を介して前記電極に接続された
再配線層を形成する工程と、前記樹脂製突部をその頂部
を含んで被覆する導電層を前記再配線層に接続させて形
成する工程と、前記樹脂製突部の頂部を被覆する導電層
を粗面化する工程と、前記樹脂製突部の頂部を被覆する
導電層上に半田バンプを形成する工程とを有することを
特徴とする。

【００１０】本発明に係る半導体パッケージの製造方法
は、半田バンプとポストとの間の接合強度の確保のため
に、頂部に凹凸を有するポストを形成するものである。
樹脂製突部に被覆した導電層は、樹脂製突部表面に沿っ
た形状の層を形成するため、本発明に係る製造方法で
は、樹脂製突部の外形にほぼ沿った外形のポストが形成
される。樹脂製突部への導電層の被覆は、例えば、めっ
き、蒸着、スパッタ等が採用可能である。半田バンプの
形成は、ボールマウント、めっき、ディスペンスなどに
よってポスト頂部に設けた半田の再溶融（リフロー）等
によって行う。この再溶融によって、ポスト頂部の凹凸
に半田が入り込むようにして接合することで、ポストと
半田バンプとの間に優れた接合強度を確保できる。ま
た、請求項４から６記載の製造方法では、例えば、樹脂
製突部を形成する工程と樹脂製突部に導電層を形成する
工程との間に、アンダーバンプメタルとして働く金属層
をシード層として樹脂製突部に被覆する工程を有してい
たり、導電層の形成後に少なくとも樹脂製突部の頂部に
位置する導電層上に前記シード層を被覆する工程を追加
することも可能である。

【００１１】請求項４記載の製造方法では、樹脂製突部
の頂部に形成した凹凸に沿った凹凸形状に被覆形成され
た導電層によって、ポスト頂部に凹凸が形成される。樹
脂製突部の頂部への凹凸の形成には、ウェットエッチン
グ、プラズマエッチングに代表されるドライエッチン
グ、レーザ加工等による一部除去等の手法が採用され
る。また、樹脂製突部の頂部への凹凸の形成は、樹脂製
突部の頂部の一部除去に限定されず、樹脂製突部頂部に
樹脂等からなる小突起を形成することなどによっても可
能である。なお、この製造方法では、樹脂製突部へのめ
っきにより導電層を被覆する場合、光沢浴（光沢剤を用
いた光沢めっき）を用いることが好ましい。これによ
り、より安定膜厚の導電層が形成されるから、樹脂製突
部頂部の凹凸に沿った凹凸形状の導電層を安定膜厚で形
成することができ、ポスト頂部の凹凸が確実に得られ
る。

【００１２】請求項５記載の発明は、樹脂製突部の頂部
上に導電層被覆除外部を確保して導電層を形成すること
で、ポスト頂部の凹凸を形成するものである。樹脂製突
部の頂部に、導電層と、該導電層の一部切り欠いた形状
の導電層被覆除外部とを形成する手法としては、例えば
以下のものが採用可能である。 フォトリソグラフィ技術を利用して、前記導電層被覆
除外部を確保するレジスト膜をパタン形成し、めっき、
スパッタ、蒸着等により導電層の金属層を形成する、 形成した導電層をウェットエッチング、プラズマ加工
等のドライエッチング、レーザ加工等により、一部を切
り取るようにして除去して導電層被覆除外部を形成す
る。 のめっきによる導電層の形成では、無光沢浴を用いる
ことが好ましい。すなわち、光沢浴を用いた場合はめっ
きによって形成される導電層の膜厚が安定するが、無光
沢浴では、光沢剤による膜厚安定化が作用しない分、凹
凸の大きいめっき表面が得られる。

【００１３】請求項６記載の製造方法は、樹脂製突部頂
部を被覆する導電層の粗面化によりポスト頂部の凹凸を
形成するものである。導電層の粗面化は、例えば、回路
基板製造等において用いられている公知の表面粗化エッ
チングや、レーザ加工等により行うことができる。前記
表面粗化エッチングは、回路基板製造等において、銅層
の表面を粗して絶縁層との密着性を向上すること等に用
いられている。

【００１４】また、請求項４から６記載の発明では、ウ
ェハ、絶縁層及び再配線層を封止し、前記樹脂製突部に
前記導電層が被覆されたポストを露出させる開口部を有
する封止樹脂層を形成する工程を備えていても良い。こ
の場合、前記封止樹脂層の開口部において前記導電層上
に半田バンプを形成する。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。

【００１６】（第１実施形態）図１は本発明に係る第１
実施形態の半導体パッケージ２０を示す断面図、図２は
図１の半導体パッケージ２０のポスト７を示す斜視図で
ある。なお、図１等では、後述するパッシベーション膜
９等の図示を省略している。

【００１７】図１、図２に示すように、半導体パッケー
ジ２０は、電極２が設けられたウェハ１上に形成された
絶縁層３と、この絶縁層３の前記電極２に整合する領域
に形成された開口部３ａと、この開口部３ａを介して前
記電極２に接続された導電層である再配線層６ａと、前
記ウェハ１、前記絶縁層３及び前記再配線層６ａを封止
する封止樹脂層８と、この封止樹脂層８を貫通し頂部７
ａに半田バンプ１１が形成されたポスト７とを有してい
る。ここでは、ウェハ１として、シリコンウェハを採用
しており、以下「Ｓｉウェハ１」と称する場合がある。
電極２としては、各種導電性材料が採用可能であるが、
ここではアルミニウム製パッドを採用している。

【００１８】前記ポスト７は、前記絶縁層３上に形成さ
れた樹脂製突部４と、この樹脂製突部４を被覆して、前
記再配線層６ａ及び前記半田バンプ１１に接続された導
電層１６０とを有している。樹脂製突部４に形成された
前記導電層１６０は、再配線層６ａと半田バンプ１１と
の間を電気的に接続する機能を果たす。このポスト７
は、具体的には、円錐台状の樹脂製突部４に導電層１６
０を被覆形成したものであり、樹脂製突部４の外形に沿
った円錐台状の外形を有する。ポスト７の頂部７ａと
は、樹脂製突部４の頂部４ａの上面４ｂ上に導電層１６
０が形成された部分である。前記樹脂製突部上面４ｂに
は凹凸が形成されており（図１、図２では凹部４ｄによ
って凹凸が形成。ここでは凹部４ｄは溝）、この樹脂製
突部上面４ｂの凹凸に沿って導電層１６０が凹凸形状に
被覆形成されて、ポスト頂部７ａの上面７ｃに凹凸（凹
部７ｂ）が形成されている。半田バンプ１１は、ポスト
７の頂部７ａの上面７ｃに設けた半田ボールの再溶融、
前記ポスト上面７ｃへの金属めっき等によって、一部
が、ポスト上面７ｃの凹部７ｂに入り込んだ状態に形成
されるため、ポスト７（詳細にはポスト上面７ｃ）との
間の接合強度を向上できる。

【００１９】図１、図２では、半田バンプ１１が形成さ
れるポスト上面７ｃに一本の直線状の溝状の凹部７ｂが
形成された構成を例示しているが、これに限定されず、
例えば、図３、図４（図４はポスト上面７ｃを示す平面
図）に示すように、半田バンプ１１が形成されるポスト
上面７ｃに複数本の直線状の溝である凹部７ｂを形成す
れば、半田バンプ１１とポスト７との間の接合強度を一
層高めることができる。また、図５（ａ）に示すよう
に、ポスト上面７ｃに円形の溝状の凹部７ｄを形成した
り、図５（ｂ）に示すように、穴状の凹部７ｅを形成す
ること等によっても、ポスト上面７ｃの凹凸を形成でき
る。これら凹部７ｂ、７ｄ、７ｅはいずれも、樹脂製突
部上面４ｂを被覆する導電層が、樹脂製突部上面４ｂに
形成された凹凸に沿った凹凸形状に形成されることで形
成される。なお、ポスト上面における直線あるいは円形
の溝状の凹部７ｂ、７ｄや穴状の凹部７ｅの形成数、大
きさ、形状等は、図示したものに限定されず、適宜変更
可能であることは言うまでも無い。溝状の凹部は、平面
視形状（ポストを頂部側から見た形状）が、例えば、波
形に湾曲された形状、屈曲箇所を複数有する形状等、各
種形状が採用可能である。

【００２０】次に、半導体パッケージ２０の製造方法の
一例を図面を参照して具体的に説明する。図６（ａ）〜
（ｄ）、図７（ａ）〜（ｃ）は、本発明に係る半導体パ
ッケージ２０の製造方法を工程順に示す断面図である。

【００２１】まず、図６（ａ）に示すように、集積回路
（図示せず）及びその電極、例えば、電極２が設けられ
たＳｉウェハ１の全面（上面１ａの全面。以下もウェハ
１の「全面」とは、上面１ａ全面のことを指す）にＳｉ
Ｎなどのパッシベーション膜９を直接形成したものを準
備し、このパッシベーション膜９の電極２に整合する位
置に開口部を形成し、電極２を露出させる。

【００２２】次に、図６（ｂ）に示すように、電極２に
整合する位置に開口部３ａを有する樹脂製の絶縁層３を
形成する。絶縁層３は、例えばポリイミド、エポキシ樹
脂又はシリコーン樹脂等からなり、その厚さは、例えば
５〜５０μｍ程度である。また、絶縁層３は、例えば回
転塗布法、印刷法、ラミネート法等により形成すること
ができる。開口部３ａは、例えば、樹脂層３を構成する
ポリイミド等の膜をウェハ１全面に成膜した後に、フォ
トリソグラフィ技術を利用してパターニングすることに
より形成できる。

【００２３】次に、図６（ｃ）に示すように、ウェハ１
上において電極とは離れた位置に、絶縁層３上に樹脂か
らなる樹脂製突部４を形成する。この樹脂製突部４は、
絶縁層３上に隆起した突起状であり、断面が台形状ある
いは半円状等の、絶縁層３からの突出寸法が最も大きい
部分である頂部４ａを有する形状に形成されるものであ
り、ここでは円錐の頂部付近を除いて平坦な上面４ｂを
形成した形状（円錐台状）である。樹脂製突部４は、例
えばポリイミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等から
なり、その厚さは、例えば２５〜１００μｍ程度であ
る。また、樹脂製突部４は前述のポリイミド等の樹脂を
用いた、回転塗布法（スピンコート）、印刷法、ラミネ
ート法等により形成することができる。

【００２４】図６（ｄ）に示すように、樹脂製突部４の
上面４ｂには、凹凸を形成する。この凹凸は、例えば、
フォトリソグラフィ技術で形成したパタンを用いたエッ
チング等により樹脂製突部４の上面４ｂに形成すること
ができる。プラズマエッチングを代表とするドライエッ
チング、レーザ加工等も採用可能である。

【００２５】次に、図７（ａ）に示すように、電解めっ
き用の薄いシード層５をウェハ１の全面又は必要領域
（後述の導電層６を形成する領域）に形成する。ここ
で、シード層５は、樹脂製突部４の表面に沿った形状に
被覆形成されるため、樹脂製突部４の頂部４ａでは、樹
脂製突部上面４ｂの凹凸に適合する凹凸形状に形成され
る。このシード層５は、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｗ、
Ｔａ、Ｍｇ、Ａｕ等をそれぞれ単独に用いた金属層ある
いは合金層であり、具体的には、例えばスパッタ法によ
り形成されたＣｕ層及びＣｒ層の積層体又はＣｕ層及び
Ｔｉ層の積層体等として形成される。また、無電解Ｃｕ
めっき層であっても良く、蒸着法、塗布法又は化学気相
成長（ＣＶＤ）法等により形成された金属薄膜層であっ
てもよく、これらを組み合わせても良い。

【００２６】次に、前記シード層５上にレジスト膜（図
示略）を形成し、図７（ｂ）に示すように、このレジス
ト膜をマスクとして露出したシード層５上に、めっき、
スパッタ、蒸着等により導電層６である金属層を形成す
る。この導電層６の形成によって、ポスト７の導電層１
６０や、絶縁層３上の再配線層６ａが形成される。樹脂
製突部４に目的形状の導電層１６０が被覆形成されるこ
とで、ポスト７が形成される。ポスト７の導電層１６０
は、樹脂製突部４の表面に沿った形状（詳細にはシード
層５の表面に沿った形状）に形成される。ポスト７の頂
部７ａでは、樹脂製突部上面４ｂの凹凸に沿った凹凸形
状に導電層１６０が形成される。つまり、ここでは、樹
脂製突部上面４ｂの凹部４ｄに対応して、導電層１６０
にも凹部７ｂが形成される。これにより、ポスト上面７
ｃの凹凸が形成される。

【００２７】導電層６である金属層としては、樹脂製突
部４に対する被覆膜厚の安定や、被着性、膜強度等の点
では、めっきにより形成されたＣｕめっき層等が適切で
あるが、これに限定されず、Ｃｕ以外の金属のめっきに
よる金属めっき層、スパッタ、蒸着等により形成された
各種金属層であっても良い。この工程により、Ｓｉウェ
ハ１上に導電層６からなる回路パタンが形成される（再
配線層６ａを含む）。導電層６の厚さは、例えば５〜５
０μｍ程度である。その後、導電層６上に、例えばＮｉ
めっき層及びＡｕめっき層（いずれも図示略）を形成し
て、後の工程で形成する半田バンプの濡れ性の向上を図
ること等も可能である。導電層６の形成後、レジスト膜
を除去し、ウェハ１面上に露出している不要なシード層
５をエッチング等により除去して導電層６以外の部分に
絶縁層３を露出させる。

【００２８】レジスト膜には、開口部３ａ、樹脂製突部
４及びこれらを含む領域における導電層６の形成位置に
整合する開口部が、フォトリソグラフィ技術により形成
される。また、レジスト膜は、例えばフィルムレジスト
をラミネートする方法、液体レジストを回転塗布する方
法等により形成することができる。

【００２９】絶縁層３上に形成される再配線層６ａや、
樹脂製突部４に被覆、形成される導電層１６０は、この
工程により形成された導電層６の一部分である。但し、
再配線層６ａは、導電層６の形成工程に従って目的の回
路パタンに形成されるものの、樹脂製突部４に被覆、形
成する導電層は、必ずしも導電層６の形成と同時に目的
の形状に形成することに限定されない。例えば、樹脂製
突部４の一部又は全部を覆うようにして形成した導電層
６の一部を除去することで、ポスト側面に樹脂製突部を
露出させる露出部を有する形状等の、目的の形状に形成
しても良い。このことは、後述する第２〜第４実施形態
についても同様である。ポスト側面の一部に樹脂製突部
を露出させる形状の導電層は、後述する第２〜第４実施
形態についても採用可能である。目的形状の導電層１６
０の形成が完了することで、目的のポスト７がウェハ１
上に形成される。

【００３０】ポスト側面に樹脂製突部を露出させる露出
部を有する形状に形成された導電層の一例を図８
（ａ）、（ｂ）に示す。なお、この導電層も、前述の図
７（ｂ）に示される工程により形成される導電層６の一
部として樹脂製突部４に被覆される導電層１６０である
が、説明の便宜上、符号１６１を付して区別することと
する。図８（ａ）、（ｂ）に示す導電層１６１は、樹脂
製突部４の頂部４ａ（具体的には樹脂製突部上面４ｂ）
に形成された頂部導電層６ｃと、この頂部導電層６ｃか
ら複数方向に放射状に延びるようにして前記樹脂製突部
４の側面４ｃ上に線状に被覆された複数本の側面導電層
６ｄとを有している。前記側面導電層６ｄは、樹脂製突
部４の上面４ｂと略一致する円形の頂部導電層６ｃの周
方向の４箇所にほぼ均等配置して形成されている。導電
層１６１の側面導電層６ｄは、樹脂製突部４の周囲を取
り囲むようにして絶縁層３上にリング状に形成された再
配線層６ａである突部囲繞部６ｂと接続されており、こ
れにより、半田バンプ１１と接続される頂部導電層６ｃ
と再配線層６ａとの間を接続する。

【００３１】前述の導電層６の形成工程に従えば、例え
ば、感光性のレジスト膜を用い、フォトリソグラフィ技
術により、ポストの導電層の形成位置に整合するパタン
を形成し、Ｃｕ等の金属めっき等により導電層６を形成
することで、再配線層６ａとともにポストの導電層１６
０をも目的形状に形成する方法が採用される。樹脂製突
部４に形成した導電層６の一部を除去することで目的の
形状に形成する方法としては、まず、樹脂製突部４の全
体を覆うように導電層６を形成した後、この導電層６の
一部を、エキシマレーザ、炭酸ガスレーザ、ＵＶ−ＹＡ
Ｇレーザ等の加工用レーザを用いて除去したり、樹脂製
突部４の全体を覆うように形成した導電層６にフォトリ
ソグラフィ技術によりパタンを形成し、ウェットエッチ
ング、プラズマ加工等のドライエッチングにより、前記
導電層６の一部を除去する方法等が採用される。

【００３２】次に、図１に示すように、厚さ１０〜１５
０μｍ程度の表面保護用の封止樹脂層８を、少なくとも
ポスト７の中央部を露出（平面視で、ポスト７の頂部７
ａ上の平坦な上面の中央部が露出）するようにしてウェ
ハ１上に形成する。封止樹脂層８としては、ポリイミド
樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等が好適に用いら
れる。なお、ここでは、封止樹脂層８の具体的構成を、
図１、図９、図１０に例示しているが、説明の便宜上、
区別のため、図１に示すものを封止樹脂層８ａ、図９に
示すものを封止樹脂層８ｂ、図１０に示すものを封止樹
脂層８ｃとして説明する。

【００３３】図１では、ポスト７よりも高く盛り上げる
ようにして形成した封止樹脂層８ａを、ポスト７の上面
（頂部７ａの上面７ｃ）の周縁部上にまで形成し、その
内側である開口部１０にポスト７の頂部７ａ上面の少な
くとも中央部が露出されるようにしている。封止樹脂層
８ａの円形の開口部１０の面積は、ポスト７の円形の頂
部７ａの面積よりも小さくなっている。

【００３４】ポスト７を露出させる開口部を有する封止
樹脂層８（具体的には封止樹脂層８ａ〜８ｃ）を形成す
る工程は、例えば、封止樹脂層８を感光性ポリイミド樹
脂等の感光性樹脂から構成し、これをフォトリソグラフ
ィ技術によりパターニングすること等が採用可能である
が、これに限定されず、各種方法が採用可能である。

【００３５】図１等に示す半導体パッケージ２０に適用
可能な封止樹脂層８としては、図１の封止樹脂層８ａに
限定されず、図８、図９に示した封止樹脂層８ｂ、８ｃ
も採用可能である。図９、図１０に示す封止樹脂層８
ｂ、８ｃは、いずれも、ポスト７の頂部７ａが露出され
るようにしてウェハ１上を覆って封止するものである。
図９に示す封止樹脂層８ｂはポスト７の周囲に溝を形成
した形状であり、この封止樹脂層８ｂには、ポスト７の
外側にポスト７の円形の頂部７ａの外側に同心円状に、
前記ポスト頂部７ａよりも面積が大きい円形の開口部１
０ａが形成されている。封止樹脂層８ｂの開口部１０ａ
は、外側から内側に向かって落ち込んで、ポスト７の周
囲を取り囲むようなリング状の溝を形成している。図１
０に示す封止樹脂層８ｃは、ポスト７の頂部７ａ付近を
除く部分を埋設、封止した形状になっている。この封止
樹脂層８ｃの開口部１０ｂは、ポスト７を取り囲むよう
になっているため、その開口面積は、ポスト７の頂部７
ａよりも大きいことは言うまでも無い。また、この封止
樹脂層８ｃは、ポスト７の下部を上面として形成されて
おり、ポスト７の傾斜された側面（樹脂製突部４の外形
に対応してポスト７の側面も傾斜されている）に乗り上
げた形状の薄肉部８ｄによってポスト７の側面下部及び
その周囲を封止するようになっている。但し、封止樹脂
層８ｃでは、ポスト７の側面下部及びその周囲を変形容
易な薄肉部８ｄで封止してポスト７の変形を容易にする
ことが重要であり、ポスト７から離れた所では、その上
面位置等は自由であり、例えば、上面位置がポスト７の
頂部７ａよりも高くなる厚さで形成することも可能であ
る。

【００３６】封止樹脂層を形成したら、次に、ポスト７
上に半田バンプ１１を形成する。この半田バンプ１１の
形成方法としては、めっき法、印刷法、メタルジェット
法、ボールマウント等により、ポスト上面７ａ上に半田
を設け、この半田を再溶融（リフロー）する。再溶融さ
れた半田がポスト上面７ａの凹凸の凹部に入り込むた
め、これにより形成された半田バンプ１１のポスト７に
対する接合強度が充分に確保される。ここで、半田バン
プ１１と樹脂製突部４の中心同士が、平面視（ウェハ１
上から見た方向）で一致していることが、応力分散の点
で好ましい。具体的には、平面視で円形の半田バンプ１
１と、円形の樹脂製突部４の中心位置とが一致すること
が好ましい。

【００３７】このようにして製造された半導体パッケー
ジのポスト７は、例えば、高さが３０μｍ程度の円錐台
状の樹脂製突部４を覆うようにして、シード層５と厚さ
２０μｍ程度の導電層１６０が形成され、全体として高
さが５０μｍ程度の突起状に形成される。シード層５及
びウェハ１上に形成した導電層６は、半田バンプ１１と
電極２との間を接続する機能を果たす。

【００３８】前記半導体パッケージ２０では、回路基板
等に対する接続、実装時に生じた応力を、柔軟性を有す
る樹脂製の突部４により分散するため、ウェハ１に与え
る歪みを緩和できる。したがって、例えば、ウェハ上に
形成した非常に厚い導電層によってポストを形成して応
力分散する場合に比べて、短時間でポスト７を形成する
ことができ、半導体パッケージの製造能率の向上、低コ
スト化を実現できる。また、ポスト７の高さは、樹脂製
突部４の高さによって簡単に調整できるといった利点も
ある。さらに、この半導体パッケージ２０では、ポスト
上面７ａの凹凸によって、ポスト７と半田バンプ１１と
の間の接合強度を向上できるため、回路基板等に対する
接続、実装時に生じた応力を突部４に確実に伝達して、
ポスト７の変形により効果的に分散することができると
いった利点があり、半田バンプ１１の剥離、抵抗値の増
大等の不都合を確実に防止できる。なお、図８（ａ）、
（ｂ）に例示したように、ポストの導電層が、樹脂製突
部の側面の一部のみを被覆する形状であると、ポストが
より変形しやすくなるため、回路基板等の接続時の応力
を、非常に効率良く分散、吸収することができる。

【００３９】また、ポスト７の応力分散、吸収性能は、
ウェハ１上を封止する封止樹脂層の形状によっても左右
される。例えば、図９に示す封止樹脂層８ｂは、ポスト
７の上部を除く部分を覆うようにして形成されているた
め、特にポスト７上部の変形が封止樹脂層８によって拘
束されず、図１に示す封止樹脂層８ａに比べてポスト７
が変形しやすくなっているため、ポスト７による応力分
散、吸収性能を向上できる。図１０に示す封止樹脂層８
ｃでは、ポスト７の側面に乗り上げるようにして形成さ
れた薄肉部８ｄによってポスト７側面を覆う形状であ
り、図１の封止樹脂層８ａに比べて、ポスト７が変形し
やすくなっており、この形状の封止樹脂層８ｃを採用す
ることで、ポスト７の応力分散、吸収性能を向上でき
る。しかも、この封止樹脂層８ｃでは、薄肉部８ｄによ
ってポスト７側面全体を覆ってポスト７近傍の封止を確
実にすることが可能であり、また、その場合でも、変形
容易な薄肉部８ｄによってポスト７の変形を拘束しない
から、ポスト７に優れた応力分散、吸収性能を確保でき
る。

【００４０】上面位置をポスト７の頂部７ａよりも低く
形成した封止樹脂層８ｃでは、ポスト７の頂部７ａを確
実に露出させることができ、回路基板等に対するポスト
７の接続状態、電気導通を確実に確保でき、信頼性を向
上できる等の利点がある。なお、図１、図９、図１０に
示す封止樹脂層８ａ、８ｂ、８ｃは、後述する各実施形
態の半導体パッケージ等、本発明に係る各種半導体パッ
ケージに適用できる。

【００４１】（第２実施形態）次に、本発明の第２実施
形態を、図１１、図１２（ａ）、（ｂ）を参照して説明
する。図１１に示すように、第２実施形態の半導体パッ
ケージ３０は、第１実施形態の半導体パッケージ２０の
ポスト７と異なるポスト３７を備えたものである。この
半導体パッケージ３０の他の部分の構成は、第１実施形
態の半導体パッケージ２０と同様である。この半導体パ
ッケージ３０のポスト３７は、頂部４ａに平坦な上面４
ｂを有する円錐台状の樹脂製突部４にシード層５及び導
電層１６０が被覆されたものである点は第１実施形態の
ポスト７と同様であるが、その頂部３７ａには、前記導
電層１６０と、該導電層１６０が形成されずに前記導電
層１６０を穴状あるいは溝状に切り欠いた形状に確保さ
れた導電層被覆除外部３１とが形成され、前記導電層被
覆除外部３１及び前記導電層１６０によって、凹凸を有
する上面３７ｂが形成されている。

【００４２】この半導体パッケージ３０の製造方法は、
ポスト３７の形成に係る工程のみが第１実施形態の半導
体パッケージ２０の製造方法と異なっており、ウェハ１
上に絶縁層３を形成し、この絶縁層３上に樹脂製突部４
を形成する工程（図６（ｃ）に示される工程）までは、
第１実施形態の半導体パッケージ２０の製造方法と同様
に行うことができる。図６（ｃ）に示される工程によっ
て、平坦な上面４ｂを有する樹脂製突部４が形成された
なら、この上面４ｂに凹凸を形成することなく、電解め
っき用の薄いシード層５をウェハ１の全面又は必要領域
（ポスト３７の導電層１６０や、絶縁層３上の再配線層
６ａ等を形成する領域）に形成する（図１２（ａ）参
照）。シード層５の材質、形成手法等は、第１実施形態
にて説明したものと同様である。シード層５は樹脂製突
部４の表面に沿った形状に被覆形成されるが、ここで
は、樹脂製突部上面４ｂには凹凸を形成していないの
で、樹脂製突部上面４ｂ上に形成されるシード層５は、
平坦な樹脂製突部上面４ｂに対応する平坦形状に形成さ
れる。

【００４３】次いで、このシード層５上に形成したレジ
スト膜（図示略）をマスクとして露出したシード層５上
に、ポスト３７の導電層１６０や再配線層６ａ等となる
導電層６である金属層を銅めっき、あるいは銅、ニッケ
ル、金の三層めっきにより形成する。前記レジスト膜に
よって、導電層被覆除外部３１（図１１参照）が確保さ
れる。これにより、図１２（ｂ）に示すように、ポスト
上面３７ｂの位置に、所望の形状の導電層被覆除外部３
１を確保して、導電層１６０が形成される。導電層１６
０や再配線層６ａ等である導電層６の形成が完了した
ら、めっきに用いたレジスト膜を除去し、導電層被覆除
外部３１に露出したシード層５等の必要なシード層５を
保護膜で保護して、不要なシード層５をエッチングによ
り除去した後、前記保護膜の除去等を行うことで、ポス
ト３７が完成される。ポスト３７が形成されたなら、封
止樹脂層８や半田バンプ１１の形成を、第１実施形態と
同様に行うことで、半導体パッケージ３０を形成するこ
とができる。

【００４４】この半導体パッケージ３０でも、柔軟性を
有する樹脂製の突部４を内蔵するポスト３７を有するこ
とによる効果、すなわち、回路基板等に対する接続、実
装時に生じた応力の分散によってウェハ１に与える歪み
を緩和できること、特にポストのめっき時間の短縮によ
って短時間かつ低コストでポスト３７を形成できること
等は、第１実施形態と同様である。また、ポスト上面３
７ａの凹凸によって、ポスト３７と半田バンプ１１との
間の接合強度を向上できるため、回路基板等に対する接
続、実装時に生じた応力を突部４に確実に伝達して、ポ
スト３７により効果的に分散できることも、第１実施形
態と同様である。この半導体パッケージ３０の製造方法
では、樹脂製突部上面４ｂへの凹凸の形成ではなく、樹
脂製突部４への導電層１６０のめっき工程において導電
層被覆除外部３１を確保することで、ポスト上面３７ｂ
の凹凸を形成できるため、ポスト３７の形成に掛かる時
間の短縮が容易である（図６（ｄ）の樹脂製突部上面４
ｂに凹凸を形成する工程が不要）。また、この半導体パ
ッケージ３０では、導電層被覆除外部３１に露出するシ
ード層５が、半田バンプ１１と樹脂製突部４との界面に
残り、半田バンプ１１の密着性の向上と金属拡散の防止
のためのアンダーバンプメタル（ＵＢＭ）層として機能
するため、ポスト３７に対する半田バンプ１１の接合強
度の一層の向上や、一層の長期信頼性の確保を実現でき
る。

【００４５】（第３実施形態）本発明の第３実施形態
を、図１３（ａ）〜（ｄ）を参照して説明する。この第
３実施形態では、前述の第２実施形態の製造方法と同様
の手順で、樹脂製突部４を被覆（詳細には樹脂製突部４
を被覆するシード層５上を被覆）する導電層１６０を形
成（図１３（ａ）参照。導電層６による形成）した後、
導電層被覆除外部３１に露出するシード層５を含めて不
要なシード層５をエッチングにより除去する（図１３
（ｂ）参照）。次いで、図１３（ｃ）に示すように、ウ
ェハ、絶縁層及び再配線層を封止するとともに導電層１
６０が被覆された樹脂製突部４の頂部を露出させる開口
部４３を有する封止樹脂層８を第１実施形態と同様に形
成し、前記開口部４３の内側の領域にアンダーバンプメ
タル層４２（以下「ＵＢＭ層４２」と略称する場合があ
る）を被覆することでポスト４１を形成する（図１３
（ｄ）参照）。そして、半田バンプ１１（図示略）をポ
スト４１の頂部４１ａ上に形成することで、半導体パッ
ケージが形成される。ポスト４１の頂部４１ａでは、導
電層１６０の表面や前記導電層被覆除外部３１に露出す
る樹脂製突部４（あるいは樹脂製突部４上に形成された
保護層）上に被覆されて凹凸形状に形成されたＵＢＭ層
４２によって、ポスト頂部４１ａの上面４１ｂに凹凸が
形成されているから、ポスト４１に対する半田バンプ１
１の接合強度を向上できる。この実施形態の半導体パッ
ケージでは、ポスト上面４１ｂがＵＢＭ層４２によって
被覆されるため、半田バンプ１１の接合状態等の長期信
頼性を向上できるといった利点もある。また、この実施
形態の半導体パッケージの製造方法では、ＵＢＭ層４２
を被覆する工程を、封止樹脂層８の形成後に、この封止
樹脂層８をマスクとして行えるため、別途、レジスト膜
を形成する必要が無く、工程数を減少できるといった利
点もある。

【００４６】第２、第３実施形態では、樹脂製突部４に
導電層を被覆する工程を、無光沢浴を用いて、低電流密
度でのめっきで行うことで、樹脂製突部上面４ｂに被覆
される導電層１６０と導電層被覆除外部３１とによって
形成される凹凸をより大きくすることができるため、半
田バンプ１１とポストとの間の接合強度の向上の点でよ
り好ましい。

【００４７】（第４実施形態）次に、本発明の第４実施
形態を図１４を参照して説明する。この第４実施形態で
は、第１実施形態と同様の手順で、樹脂製突部４を被覆
する導電層１６０を形成（導電層６の形成）した後、樹
脂製突部頂部４ａを被覆する導電層１６０の上面を公知
の表面粗化エッチング（回路基板製造等において、銅層
の表面を粗して絶縁層との密着性を向上すること等に用
いられている表面粗化エッチング）、レーザ加工等によ
り粗面化して（粗面化領域７２の形成）、頂部の上面７
１に凹凸を有するポスト７０を形成し、このポスト７０
の上面７１上の粗面化領域７２を含む領域に半田バンプ
１１を形成する。この実施形態でも、ポスト頂部（詳細
には上面７１）の凹凸によって、ポスト７０と半田バン
プ１１との間の接合強度を向上でき、回路基板等の接続
時の応力分散、吸収を効果的に行える。

【００４８】本発明に係る半導体パッケージは、ウェハ
１上の導電層６（再配線層６ａ）上に積層回路を形成す
ることで、これ自体で半導体装置を構成することができ
る。また、この半導体パッケージは、半田バンプを回路
基板に接続して、例えば電子装置に組み込まれる。電子
装置とは、前記回路基板と周辺機器を組み合わせたもの
であり、例えば、モービルホンやパーソナルコンピュー
タ等である。

【００４９】第２、第３実施形態のポスト頂部の導電層
被覆除外部は、ポスト頂部の凹凸を形成する凹部として
機能するものであり、具体的形状としては、例えば第１
実施形態と同様に、図２、図４、図５（ａ）、（ｂ）に
例示したような溝状、穴状である。

【００５０】なお、本発明は、前記実施の形態に限定さ
れず、各種変更が可能である。例えば、ウェハ上に形成
するポストは、樹脂製突部外形にしたがったほぼ円錐台
状のものに限定されず、例えば円柱状、角錐台状等、各
種形状が採用可能であるが、いずれの形状のポストであ
っても、その頂部の凹凸によって、半田バンプとの接合
強度を向上できる。樹脂製突部の頂部に、該頂部の凹凸
に沿った凹凸の表面形状を有する導電層を被覆形成する
場合、導電層の凹凸の表面形状は、樹脂製突部の頂部の
凹凸と精密に一致されている必要は無く、樹脂製突部の
頂部の凹凸形状に概略沿った凹凸になっていれば良い。
つまり、樹脂製突部の頂部の凹凸に沿った凹凸形状の導
電層表面は、半田バンプとの接触面積の増大、凹凸の凹
部に入り込んだ半田バンプの半田の引き抜き抵抗等によ
って、半田バンプとの接合強度を高めるものであり、導
電層表面の凹凸の形状の詳細は半田バンプとの接合強度
を高められるものであれば良く、各種形状が採用可能で
ある。また、ポスト頂部の凹凸の形成は、樹脂製突部の
頂部の凹凸を利用して凹凸の表面形状を有する導電層を
形成することに限定されず、樹脂製突部頂部に被覆され
た導電層の表面粗化エッチング、一部除去、樹脂製突部
頂部への導電層の被覆形成時に導電層が形成されない導
電層被覆除外部を確保すること、等の手法によっても形
成可能であるが、いずれの手法でも、ポスト頂部の凹凸
の形状は、半田バンプとの接触面積の増大や、凹凸の凹
部に入り込んだ半田バンプの半田の引き抜き抵抗等によ
って半田バンプとの接合強度を高めるものであれば良
く、各種形状が採用可能である。前記「各種形状」の凹
凸とは、例えば図４、図５等に例示したようにポスト上
面に規則的に形成された凹凸のみを意味するものでは無
く、ポスト上面上に不規則に配置されたものや、ポスト
上面に樹枝状になっているもの、溝や穴の断面（深さ方
向に沿った断面）が樹枝状になっているもの等も、本発
明における凹凸に含まれる。

【００５１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体パ
ッケージによれば、回路基板等が接続されるポストが、
樹脂製突部に導電層を形成したものであるため、接続時
にポストに発生した応力を柔軟性を有する樹脂製突部に
よって分散、吸収できる。しかも、ポストの頂部に形成
された凹凸によって、ポストと半田バンプとの接合強度
を充分に確保できるため、回路基板等と半導体パッケー
ジとの間に発生した応力をポストに確実に伝達でき、ポ
ストによって効果的に分散、吸収させることができる。
また、この接合強度の向上によって、半田バンプの剥
離、抵抗値の増大等の不都合を確実に防止でき、信頼性
を向上できる。この構成により、回路基板等の接続時に
発生する応力の吸収用の緩衝部材を設けたり、ポストを
大型化する必要が無くなるから、半導体パッケージの回
路基板との接続時の厚さ寸法の縮小、低コスト化が可能
であり、この半導体パッケージのウェハに積層回路が形
成されている半導体装置、この半導体パッケージの半田
バンプに回路基板を接続した電子装置等も、小型化、低
コスト化できる。また、本発明に係る半導体パッケージ
の製造方法では、樹脂製突部に導電層を被覆することで
ポストを形成するので、金属めっきにより大型のポスト
を形成することに比べて、短時間かつ低コストでポスト
を形成でき、半導体パッケージの製造能率の向上、低コ
スト化を実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１実施形態の半導体パッケージを
示す断面図である。

【図２】 図１の半導体パッケージのポストを示す斜視
図である。

【図３】 第１実施形態の半導体パッケージのポスト上
面の凹凸形状の別態様を示す断面図である。

【図４】 図３の半導体パッケージのポスト上面を示す
平面図である。

【図５】 （ａ）、（ｂ）は、第１実施形態の半導体パ
ッケージのポスト上面の凹凸形状の別態様を示す平面図
である。

【図６】 （ａ）〜（ｄ）は第１実施形態の半導体パッ
ケージの製造方法を工程順に示す断面図である。

【図７】 （ａ）〜（ｃ）は第１実施形態の半導体パッ
ケージの製造方法の図６以降の工程を工程順に示す断面
図である。

【図８】 第１実施形態の半導体パッケージのポストの
導電層として、該ポストの頂部上面を被覆する頂部導電
層と、該ポストの側面の一部を被覆する側面導電層とを
有する導電層を形成した例を示す図であって、（ａ）は
断面図、（ｂ）はポストとその近傍を示す平面図であ
る。

【図９】 本発明に係る半導体パッケージのウェハ上に
形成する封止樹脂層の別態様を示す断面図である。

【図１０】 本発明に係る半導体パッケージのウェハ上
に形成する封止樹脂層の別態様を示す断面図である。

【図１１】 本発明の第２実施形態の半導体パッケージ
を示す断面図である。

【図１２】 第２実施形態の半導体パッケージの製造方
法を示す図であって、（ａ）は平坦な上面を有する樹脂
製突部にＵＢＭ層を被覆した状態を示す断面図、（ｂ）
は（ａ）の樹脂製突部上面上のＵＢＭ層上に導電層被覆
除外部を確保して導電層を被覆した状態を示す断面図で
ある。

【図１３】 （ａ）〜（ｄ）は第３実施形態の半導体パ
ッケージの製造方法を工程順に示す断面図である。

【図１４】 本発明の第４実施形態の半導体パッケージ
を示す断面図である。

【図１５】 従来例のＣＳＰを示す断面図である。

【図１６】 （ａ）〜（ｅ）は、図１５のＣＳＰの製造
方法を工程順に示す断面図である。

【符号の説明】

１…ウェハ（Ｓｉウェハ）、２…電極（Ａｌパッド）、
３…絶縁層、３ａ…開口部、４…樹脂製突部、４ａ…頂
部、６ａ…再配線層、７，３７，４１，７０…ポスト、
７ａ，３７ａ，４１ａ…頂部、７ｂ，７ｄ，７ｅ…凹
部、７ｃ，３７ｂ，４１ｂ，７１…上面、８，８ａ，８
ｂ，８ｃ…封止樹脂層、１１，８６，９５…半田バン
プ、２０，３０…半導体パッケージ、３１…導電層被覆
除外部、７２…粗面化領域、１６０，１６１…導電層。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 孝直 千葉県佐倉市六崎1440番地 株式会社フジ クラ佐倉事業所内 (72)発明者 定方 伸行 千葉県佐倉市六崎1440番地 株式会社フジ クラ佐倉事業所内

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電極（２）が設けられたウェハ（１）上
   に形成された絶縁層（３）と、この絶縁層の前記電極に
   整合する領域に形成された開口部（３ａ）を介して前記
   電極に接続された再配線層（６ａ）と、前記ウェハ、前
   記絶縁層及び前記再配線層を封止する封止樹脂層（８、
   ８ａ、８ｂ、８ｃ）と、この封止樹脂層を貫通し頂部
   （７ａ、３７ａ、４１ａ）に半田バンプ（１１）が形成
   されたポスト（７、３７、４１、７０）とを有し、 前記ポストは、前記絶縁層上に形成された樹脂製突部
   （４）と、この樹脂製突部の頂部（４ａ）を含んで前記
   樹脂製突部を被覆して前記再配線層と前記半田バンプと
   に接続された導電層（１６０、１６１）とを有し、該ポ
   ストの頂部には凹凸が形成されていることを特徴とする
   半導体パッケージ（２０、３０）。
2. 【請求項２】 前記ポスト頂部の凹凸が、前記樹脂製突
   部頂部の凹凸に沿って被覆された導電層によって形成さ
   れていることを特徴とする請求項１記載の半導体パッケ
   ージ。
3. 【請求項３】 前記ポストの頂部には、前記導電層が形
   成されていない導電層被覆除外部（３１）が前記導電層
   を穴状あるいは溝状に切り欠いた形状に確保され、この
   導電層被覆除外部と前記導電層とによって、前記ポスト
   頂部の凹凸が形成されていることを特徴とする請求項１
   記載の半導体パッケージ。
4. 【請求項４】 電極（２）が設けられたウェハ（１）上
   に、前記電極に整合する領域に開口部（３ａ）が設けら
   れた絶縁層（３）を形成する工程と、前記絶縁層上に樹
   脂製突部（４）を形成する工程と、前記開口部を介して
   前記電極に接続された再配線層（６ａ）を形成する工程
   と、前記樹脂製突部の頂部（４ａ）に凹凸を形成する工
   程と、前記樹脂製突部の頂部を含んで前記樹脂製突部を
   被覆する導電層（１６０、１６１）を前記再配線層に接
   続させて形成する工程と、前記導電層上に半田バンプ
   （１１）を形成する工程とを有し、 前記樹脂製突部に前記導電層を形成するにあたって、前
   記樹脂製突部の頂部では、該頂部の凹凸に沿った凹凸の
   表面形状を有する導電層を前記頂部の凹凸に沿わせて被
   覆形成することを特徴とする半導体パッケージの製造方
   法。
5. 【請求項５】 電極（２）が設けられたウェハ（１）上
   に、前記電極に整合する領域に開口部（３ａ）が設けら
   れた絶縁層（３）を形成する工程と、前記絶縁層上に樹
   脂製突部（４）を形成する工程と、前記開口部を介して
   前記電極に接続された再配線層（６ａ）を形成する工程
   と、前記樹脂製突部をその頂部を含んで被覆する導電層
   を前記再配線層に接続させて形成し、前記樹脂製突部の
   頂部には、前記導電層が形成されていない導電層被覆除
   外部（３１）を前記導電層を穴状あるいは溝状に切り欠
   いた形状に確保して前記導電層を形成する工程と、前記
   樹脂製突部の頂部を被覆する導電層上に半田バンプ（１
   １）を形成する工程とを有することを特徴とする半導体
   パッケージの製造方法。
6. 【請求項６】 電極（２）が設けられたウェハ（１）上
   に、前記電極に整合する領域に開口部（３ａ）が設けら
   れた絶縁層（３）を形成する工程と、前記絶縁層上に樹
   脂製突部（４）を形成する工程と、前記開口部を介して
   前記電極に接続された再配線層（６ａ）を形成する工程
   と、前記樹脂製突部をその頂部を含んで被覆する導電層
   を前記再配線層に接続させて形成する工程と、前記樹脂
   製突部の頂部を被覆する導電層を粗面化する工程と、前
   記樹脂製突部の頂部を被覆する導電層上に半田バンプ
   （１１）を形成する工程とを有することを特徴とする半
   導体パッケージの製造方法。