JP2002260978A - 試料処理装置用プロセスモニタ及び試料処理装置の制御方法 - Google Patents
試料処理装置用プロセスモニタ及び試料処理装置の制御方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】プラズマ処理装置の状態変化を正確に捉える監
視システムを提供する。 【解決手段】センサを介して処理装置における試料の処
理状態に関係する複数のモニタデータを取得するモニタ
データ取得部と、該複数のモニタデータの中から前記試
料の任意の処理区分に属するモニタデータを選択するデ
ータ選択手段と、前記データ選択手段により選択された
処理区分に属するモニタデータを監視信号として生成す
る監視信号生成部と、前記処理装置において処理された
複数の試料に関して得られた前記監視信号を、時系列的
に表示部に表示する表示設定コントローラとを備えたプ
ロセスモニタ。
視システムを提供する。 【解決手段】センサを介して処理装置における試料の処
理状態に関係する複数のモニタデータを取得するモニタ
データ取得部と、該複数のモニタデータの中から前記試
料の任意の処理区分に属するモニタデータを選択するデ
ータ選択手段と、前記データ選択手段により選択された
処理区分に属するモニタデータを監視信号として生成す
る監視信号生成部と、前記処理装置において処理された
複数の試料に関して得られた前記監視信号を、時系列的
に表示部に表示する表示設定コントローラとを備えたプ
ロセスモニタ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、試料処理装置用プ
ロセスモニタ及び試料処理装置の制御方法に係り、特
に、半導体デバイスの微細加工に好適な真空処理装置用
プロセスモニタ及び及びそれを利用した半導体デバイス
の製造装置の制御方法に関する。
ロセスモニタ及び試料処理装置の制御方法に係り、特
に、半導体デバイスの微細加工に好適な真空処理装置用
プロセスモニタ及び及びそれを利用した半導体デバイス
の製造装置の制御方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】年々、半導体デバイスの寸法は微細化し
ており、加工の寸法精度に対する要求も厳しくなってい
る。一方、熱やプラズマを用いて半導体ウエハを物理化
学的に加工する半導体製造装置では、装置内部の化学反
応により生成される反応生成物などが装置の内壁に付着
して残留し、時間と共にウエハの処理状態を変化させて
しまうことがしばしばある。このためウエハの処理を何
枚も重ねるにつれて、半導体デバイスの加工形状が徐々
に変わり性能が劣化してしまうという問題がある。この
問題に対応するために、通常はチャンバ内壁の付着物を
プラズマによってクリーニングしたり、チャンバ壁の温
度を上げて付着物が付き難くするなどの対策が行われて
いる。しかし、大抵の場合、これらの対策は完全ではな
く、結局半導体デバイスの加工形状は徐々に変化してし
まう。このため、加工形状が問題となるほど変わる前に
製造装置の部品の交換や洗浄が行われる。また、堆積膜
以外にも様々な装置状態の変動がウエハの加工形状の変
動に関与する。したがって、半導体製造装置内部の処理
状態の変化を検出し、検出結果をプラズマ処理装置の入
力にフィードバックして処理状態を一定に保つなどの工
夫が考案されてきた。
ており、加工の寸法精度に対する要求も厳しくなってい
る。一方、熱やプラズマを用いて半導体ウエハを物理化
学的に加工する半導体製造装置では、装置内部の化学反
応により生成される反応生成物などが装置の内壁に付着
して残留し、時間と共にウエハの処理状態を変化させて
しまうことがしばしばある。このためウエハの処理を何
枚も重ねるにつれて、半導体デバイスの加工形状が徐々
に変わり性能が劣化してしまうという問題がある。この
問題に対応するために、通常はチャンバ内壁の付着物を
プラズマによってクリーニングしたり、チャンバ壁の温
度を上げて付着物が付き難くするなどの対策が行われて
いる。しかし、大抵の場合、これらの対策は完全ではな
く、結局半導体デバイスの加工形状は徐々に変化してし
まう。このため、加工形状が問題となるほど変わる前に
製造装置の部品の交換や洗浄が行われる。また、堆積膜
以外にも様々な装置状態の変動がウエハの加工形状の変
動に関与する。したがって、半導体製造装置内部の処理
状態の変化を検出し、検出結果をプラズマ処理装置の入
力にフィードバックして処理状態を一定に保つなどの工
夫が考案されてきた。
【０００３】このようなプラズマ処理の変動を監視する
方法は、例えば特開平１０−１２５６６０号公報に開示
されている。この開示例では、プラズマ処理特性と装置
の電気信号の関係式を用いて装置性能を予測したりプラ
ズマの状態を診断する方法が示されている。その方法と
しては３つの電気信号と装置のプラズマ処理特性との関
係を表す近似式を重回帰分析により求める方法が開示さ
れている。またもう一つの例が特開平１１−８７３２３
号公報に開示されている。この開示例では、既存の複数
の検出器を取り付けた一般的な検出システムをプラズマ
処理装置に当てはめ、その検出信号の相関信号から装置
の状態を監視する方法が示されている。その相関信号を
生成する方法としては、６つの電気信号の比による計算
式が開示されている。またもう一つの開示例が米国特許
第５６５８４２３号にある。この開示例では、光や質量
分析器の数多くの信号を取り込んで相関信号を生成し装
置の状態を監視する方法が示されている。この相関信号
を生成する方法としては主成分分析を用いる方法が開示
されている。
方法は、例えば特開平１０−１２５６６０号公報に開示
されている。この開示例では、プラズマ処理特性と装置
の電気信号の関係式を用いて装置性能を予測したりプラ
ズマの状態を診断する方法が示されている。その方法と
しては３つの電気信号と装置のプラズマ処理特性との関
係を表す近似式を重回帰分析により求める方法が開示さ
れている。またもう一つの例が特開平１１−８７３２３
号公報に開示されている。この開示例では、既存の複数
の検出器を取り付けた一般的な検出システムをプラズマ
処理装置に当てはめ、その検出信号の相関信号から装置
の状態を監視する方法が示されている。その相関信号を
生成する方法としては、６つの電気信号の比による計算
式が開示されている。またもう一つの開示例が米国特許
第５６５８４２３号にある。この開示例では、光や質量
分析器の数多くの信号を取り込んで相関信号を生成し装
置の状態を監視する方法が示されている。この相関信号
を生成する方法としては主成分分析を用いる方法が開示
されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
１０−１２５６６０号公報記載の方法では、多数ある処
理条件を軸とする多次元空間のマップ上で、３つの電気
信号と処理特性の関係を表す近似式を重回帰分析を用い
て導く。このように処理特性を広大なマップ上で測定す
るにはきわめて多くのウエハが必要となり、実際の運用
は困難である。さらに、測定時に考慮されなかった処理
条件が変動したときには、求められた近似式は使えな
い。また、実用上最も問題となるチャンバ内部の堆積膜
のような観測困難な内部条件の影響を近似式に採り入れ
るには、さらに膨大な数の処理特性の取得実験が必要と
なる。さらに、特開平１１−８７３２３号公報記載の方
法は、よく知られた複数の検出手段からの複数の検出信
号の相関をとった信号を診断に用いると言った一般的な
方法であるが、開示された相関をとる方法もいくつかの
信号の比をとるという従来の手法であり、多くの変動原
因に応じて多様な状態を取るプラズマ処理装置の状態を
正確に監視するシステムの具体的実現手段を見出すこと
は困難である。
１０−１２５６６０号公報記載の方法では、多数ある処
理条件を軸とする多次元空間のマップ上で、３つの電気
信号と処理特性の関係を表す近似式を重回帰分析を用い
て導く。このように処理特性を広大なマップ上で測定す
るにはきわめて多くのウエハが必要となり、実際の運用
は困難である。さらに、測定時に考慮されなかった処理
条件が変動したときには、求められた近似式は使えな
い。また、実用上最も問題となるチャンバ内部の堆積膜
のような観測困難な内部条件の影響を近似式に採り入れ
るには、さらに膨大な数の処理特性の取得実験が必要と
なる。さらに、特開平１１−８７３２３号公報記載の方
法は、よく知られた複数の検出手段からの複数の検出信
号の相関をとった信号を診断に用いると言った一般的な
方法であるが、開示された相関をとる方法もいくつかの
信号の比をとるという従来の手法であり、多くの変動原
因に応じて多様な状態を取るプラズマ処理装置の状態を
正確に監視するシステムの具体的実現手段を見出すこと
は困難である。
【０００５】これとは異なり、米国特許第５６５８４２
３号では装置からモニタした多量のデータを主成分分析
して装置状態の変動を捉えることにより多様なプラズマ
の状態を監視する方法を提供している。しかしこの開示
例から、様々なデバイス構造を持つウエハを様々な条件
で処理する実際のプラズマ処理装置での有効な実施方法
を見出すにはさらに工夫が必要である。特に、これらの
公知例では、一枚のウエハの処理でも通常はいくつかの
処理条件の組み合わせで行われ、各処理ステップが加工
精度に与える影響が異なることが考慮されていない。例
え処理の条件が一定であったとしても処理時間の前半と
後半では加工形状に与える影響は異なる。今後の半導体
デバイスの性能は極めて微小な加工形状の変化にも敏感
で、このような微小な加工形状の変動をモニタして制御
するには、処理の時間シーケンスを意識した具体的な処
理のモニタ方法が不可欠である。
３号では装置からモニタした多量のデータを主成分分析
して装置状態の変動を捉えることにより多様なプラズマ
の状態を監視する方法を提供している。しかしこの開示
例から、様々なデバイス構造を持つウエハを様々な条件
で処理する実際のプラズマ処理装置での有効な実施方法
を見出すにはさらに工夫が必要である。特に、これらの
公知例では、一枚のウエハの処理でも通常はいくつかの
処理条件の組み合わせで行われ、各処理ステップが加工
精度に与える影響が異なることが考慮されていない。例
え処理の条件が一定であったとしても処理時間の前半と
後半では加工形状に与える影響は異なる。今後の半導体
デバイスの性能は極めて微小な加工形状の変化にも敏感
で、このような微小な加工形状の変動をモニタして制御
するには、処理の時間シーケンスを意識した具体的な処
理のモニタ方法が不可欠である。
【０００６】本発明の目的は、試料処理装置の多様な処
理状態に対応可能で、運用が容易なプロセスモニタ及び
試料処理装置の制御方法および試料の製造方法を提供す
ることにある。
理状態に対応可能で、運用が容易なプロセスモニタ及び
試料処理装置の制御方法および試料の製造方法を提供す
ることにある。
【０００７】本発明の他の目的は、試料処理装置の処理
状態をモニタし、正確にかつ容易に処理状態の変化を監
視し、処理条件の制御を行うことができるプロセスモニ
タ及び試料処理装置の制御方法および試料の製造方法を
提供することにある。
状態をモニタし、正確にかつ容易に処理状態の変化を監
視し、処理条件の制御を行うことができるプロセスモニ
タ及び試料処理装置の制御方法および試料の製造方法を
提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、センサ
を介して処理装置における試料の処理状態に関係する複
数のモニタデータを取得するモニタデータ取得部と、該
複数のモニタデータの中から前記試料の任意の処理区分
に属するモニタデータを選択するデータ選択手段と、前
記データ選択手段により選択された処理区分に属するモ
ニタデータを監視信号として生成する監視信号生成部
と、前記処理装置において処理された複数の試料に関し
て得られた前記監視信号を、時系列的に表示部に表示す
る表示設定コントローラとを備えたことにある。
を介して処理装置における試料の処理状態に関係する複
数のモニタデータを取得するモニタデータ取得部と、該
複数のモニタデータの中から前記試料の任意の処理区分
に属するモニタデータを選択するデータ選択手段と、前
記データ選択手段により選択された処理区分に属するモ
ニタデータを監視信号として生成する監視信号生成部
と、前記処理装置において処理された複数の試料に関し
て得られた前記監視信号を、時系列的に表示部に表示す
る表示設定コントローラとを備えたことにある。
【０００９】本発明の他の特徴は、センサを介して処理
装置における試料の処理状態に関係する複数のモニタデ
ータを取得するモニタデータ取得部と、該複数のモニタ
データの中から前記試料の任意の処理区分に属するモニ
タデータを選択するデータ選択手段と、前記データ選択
手段により選択された処理区分に属するモニタデータを
監視信号として生成する監視信号生成部と、前記処理装
置において処理された複数の試料に関して得られた前記
監視信号を、時系列的に表示部に表示する表示設定コン
トローラと、前記処理装置の使用状況によって表示を切
り替える表示切替手段とを備えたプロセスモニタにあ
る。
装置における試料の処理状態に関係する複数のモニタデ
ータを取得するモニタデータ取得部と、該複数のモニタ
データの中から前記試料の任意の処理区分に属するモニ
タデータを選択するデータ選択手段と、前記データ選択
手段により選択された処理区分に属するモニタデータを
監視信号として生成する監視信号生成部と、前記処理装
置において処理された複数の試料に関して得られた前記
監視信号を、時系列的に表示部に表示する表示設定コン
トローラと、前記処理装置の使用状況によって表示を切
り替える表示切替手段とを備えたプロセスモニタにあ
る。
【００１０】本発明の他の特徴は、センサを介して処理
装置における試料の処理状態に関係する複数のモニタデ
ータを取得するモニタデータ取得部と、該複数のモニタ
データの中から該モニタデータを加工してモニタした数
より少ない数の監視信号を抽出する監視信号生成部と、
前記処理装置において処理された複数の試料に関して得
られた前記監視信号を、時系列的に表示部に表示する表
示設定コントローラとを有することにある。
装置における試料の処理状態に関係する複数のモニタデ
ータを取得するモニタデータ取得部と、該複数のモニタ
データの中から該モニタデータを加工してモニタした数
より少ない数の監視信号を抽出する監視信号生成部と、
前記処理装置において処理された複数の試料に関して得
られた前記監視信号を、時系列的に表示部に表示する表
示設定コントローラとを有することにある。
【００１１】本発明によれば、処理条件や試料の累積処
理枚数などによって複雑多様な状態を持つ試料処理装置
の処理状態をモニタし、その多様な処理シーケンスの中
から装置の監視を行う装置監視信号を取得する手段を提
供することにより、運用が容易なプロセスモニタおよび
その表示方法および試料処理装置の制御方法および半導
体デバイスの製造方法を提供することができる。
理枚数などによって複雑多様な状態を持つ試料処理装置
の処理状態をモニタし、その多様な処理シーケンスの中
から装置の監視を行う装置監視信号を取得する手段を提
供することにより、運用が容易なプロセスモニタおよび
その表示方法および試料処理装置の制御方法および半導
体デバイスの製造方法を提供することができる。
【００１２】また、本発明によれば、さらに、プラズマ
装置からセンサによりモニタデータを取得し、試料の処
理性能に関わる最も重要な試料処理区分のデータから装
置監視信号を生成することにより、正確にかつ容易に処
理状態の変化を監視し、処理条件の制御を行うことがで
きる。
装置からセンサによりモニタデータを取得し、試料の処
理性能に関わる最も重要な試料処理区分のデータから装
置監視信号を生成することにより、正確にかつ容易に処
理状態の変化を監視し、処理条件の制御を行うことがで
きる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施例を、図面に
従って説明する。図１に本発明の第１の実施例を示す。
図１は、センサと表示装置を備えた本発明の第１の実施
例になる試料処理装置の構成を示す図である。１は、半
導体製造装置やLCD製造装置などの試料処理装置であ
る。試料処理装置１は、ここでは、試料として半導体デ
バイス製造のためのシリコンウエハが処理される半導体
製造用の装置として説明する。試料処理装置１は、真空
容器と、その内部にプラズマ生成部を形成するための放
電部と、真空容器内において被処理物である試料、例え
ば、ウエハを配置するための電極が設置された処理部と
から成る。試料処理装置１の真空容器内にはガス供給装
置から処理ガスが供給され、真空容器内は排気装置によ
って所定の圧力に減圧排気される。電極には、高周波電
源が接続されている。
従って説明する。図１に本発明の第１の実施例を示す。
図１は、センサと表示装置を備えた本発明の第１の実施
例になる試料処理装置の構成を示す図である。１は、半
導体製造装置やLCD製造装置などの試料処理装置であ
る。試料処理装置１は、ここでは、試料として半導体デ
バイス製造のためのシリコンウエハが処理される半導体
製造用の装置として説明する。試料処理装置１は、真空
容器と、その内部にプラズマ生成部を形成するための放
電部と、真空容器内において被処理物である試料、例え
ば、ウエハを配置するための電極が設置された処理部と
から成る。試料処理装置１の真空容器内にはガス供給装
置から処理ガスが供給され、真空容器内は排気装置によ
って所定の圧力に減圧排気される。電極には、高周波電
源が接続されている。
【００１４】上記のように構成された試料処理装置１で
は、ウエハ（試料）が搬入され電極上に配置される。そ
して、ガス供給装置によって真空容器内に処理ガスを供
給し、該処理ガスを電界の作用によって、プラズマ化す
る。試料は処理ガスとプラズマにより処理、例えばプラ
ズマエッチングされる。なお、プラズマ化されたガスは
後に、排気装置によって排気される。試料処理装置１内
における試料の処理は、コントローラ３によって制御さ
れている。
は、ウエハ（試料）が搬入され電極上に配置される。そ
して、ガス供給装置によって真空容器内に処理ガスを供
給し、該処理ガスを電界の作用によって、プラズマ化す
る。試料は処理ガスとプラズマにより処理、例えばプラ
ズマエッチングされる。なお、プラズマ化されたガスは
後に、排気装置によって排気される。試料処理装置１内
における試料の処理は、コントローラ３によって制御さ
れている。
【００１５】試料処理装置１には、試料処理装置内の多
様な処理状態に関する情報をモニタデータとして検出
し、取得するための複数のセンサ２が設置されている。
センサ２は試料処理装置内の試料の処理状態や試料の処
理環境（以下単に試料の処理状態）をモニタしており、
一定あるいは任意の時間間隔でモニタデータを取得す
る。具体的には、処理装置に供給される処理ガスに関す
る情報、処理装置内部の圧力、処理装置内部に生成され
るプラズマの状態、試料の処理加工に関する情報、など
が含まれる。
様な処理状態に関する情報をモニタデータとして検出
し、取得するための複数のセンサ２が設置されている。
センサ２は試料処理装置内の試料の処理状態や試料の処
理環境（以下単に試料の処理状態）をモニタしており、
一定あるいは任意の時間間隔でモニタデータを取得す
る。具体的には、処理装置に供給される処理ガスに関す
る情報、処理装置内部の圧力、処理装置内部に生成され
るプラズマの状態、試料の処理加工に関する情報、など
が含まれる。
【００１６】センサ２は光スペクトル分光器やモノクロ
メータのような光検出手段であってもよいし、電圧検出
器や電流検出器やインピーダンスモニタなどの電気信号
検出器であってもよいし、装置内部の圧力検出器であっ
てもよいし、処理ガスの流量検出器や装置の稼動部分の
位置検出器や温度検出器であってもよいし、質量分析器
などの処理装置内部のガス組成検出器であってもよい。
メータのような光検出手段であってもよいし、電圧検出
器や電流検出器やインピーダンスモニタなどの電気信号
検出器であってもよいし、装置内部の圧力検出器であっ
てもよいし、処理ガスの流量検出器や装置の稼動部分の
位置検出器や温度検出器であってもよいし、質量分析器
などの処理装置内部のガス組成検出器であってもよい。
【００１７】ただし、処理装置内部の複雑な処理状態を
把握するために、できるだけ多種かつ多数のモニタデー
タを取得することが望ましい。つまり、プラズマ発光を
波長分解したスペクトルデータや電気信号を周波数分解
したスペクトルデータなどはモニタデータとして最適で
ある。
把握するために、できるだけ多種かつ多数のモニタデー
タを取得することが望ましい。つまり、プラズマ発光を
波長分解したスペクトルデータや電気信号を周波数分解
したスペクトルデータなどはモニタデータとして最適で
ある。
【００１８】センサ２で取得されたモニタデータはデー
タ選択手段４に送られる。センサ２は、例えば１秒に１
回処理装置からの発光のスペクトルを取得して選択手段
４に送る。
タ選択手段４に送られる。センサ２は、例えば１秒に１
回処理装置からの発光のスペクトルを取得して選択手段
４に送る。
【００１９】データ選択手段４は送られたモニタデータ
から装置の監視に用いる部分を選択する。最も単純に
は、データ選択手段４は全てのモニタデータを選択して
も良い。データ選択手段４により選択されたモニタデー
タは装置監視信号生成部５に送られる。装置監視信号生
成部５は受け取ったモニタデータから監視タイプに応じ
た装置監視信号を生成し、出力データバッファ６に送
る。監視タイプとは、試料の加工形状を監視する場合、
処理装置内部の堆積膜の状態を監視する場合、処理装置
の各部の部品の消耗度合いを監視する場合、試料毎の処
理状態の変化を複数の試料を比較して監視する場合、試
料のロット毎の処理状態の変化を複数のロットを比較し
て監視する場合など試料の処理に関して監視する対象の
ことである。
から装置の監視に用いる部分を選択する。最も単純に
は、データ選択手段４は全てのモニタデータを選択して
も良い。データ選択手段４により選択されたモニタデー
タは装置監視信号生成部５に送られる。装置監視信号生
成部５は受け取ったモニタデータから監視タイプに応じ
た装置監視信号を生成し、出力データバッファ６に送
る。監視タイプとは、試料の加工形状を監視する場合、
処理装置内部の堆積膜の状態を監視する場合、処理装置
の各部の部品の消耗度合いを監視する場合、試料毎の処
理状態の変化を複数の試料を比較して監視する場合、試
料のロット毎の処理状態の変化を複数のロットを比較し
て監視する場合など試料の処理に関して監視する対象の
ことである。
【００２０】出力データバッファ６は必要な数だけの複
数の装置監視信号を保持し、表示部７に複数の装置監視
信号を送る。また、表示部７は送られた装置監視信号を
表示画面に表示するとともに表示設定コントローラ８を
備える。表示設定コントローラ８は、データ選択手段４
での選択方法や、装置監視信号生成部５の監視タイプ
や、出力データバッファ６の出力数を設定する機能を持
つ。出力データバッファ６は表示部７に組み込まれてい
てもよいし、表示設定コントローラ８は必ずしも表示部
７に付属している必要はなく、独立して存在していても
よい。
数の装置監視信号を保持し、表示部７に複数の装置監視
信号を送る。また、表示部７は送られた装置監視信号を
表示画面に表示するとともに表示設定コントローラ８を
備える。表示設定コントローラ８は、データ選択手段４
での選択方法や、装置監視信号生成部５の監視タイプ
や、出力データバッファ６の出力数を設定する機能を持
つ。出力データバッファ６は表示部７に組み込まれてい
てもよいし、表示設定コントローラ８は必ずしも表示部
７に付属している必要はなく、独立して存在していても
よい。
【００２１】図２に、図１の試料処理装置１における表
示部７の表示画面の一例を示す。表示部７の表示画面
は、表示部７や表示設定コントローラ８に対する入出力
部としての機能を備えており、このウィンドウ２２の表
示は表示設定コントローラ８により制御される。
示部７の表示画面の一例を示す。表示部７の表示画面
は、表示部７や表示設定コントローラ８に対する入出力
部としての機能を備えており、このウィンドウ２２の表
示は表示設定コントローラ８により制御される。
【００２２】図２において、表示部７のウィンドウ２２
はウエハ毎の処理状態の変動を表示している。ウィンド
ウ２２は、例えば、横軸に処理の終了したウエハを時系
列に並べ、縦軸には各ウエハの装置監視信号をとったグ
ラフを表示する。ウィンドウ２２には装置に起こったイ
ベントの表記２１が追加されていても良い。このイベン
トは、現在処理中の処理装置で起こったイベントや、表
示されているウエハが過去に処理された半導体製造装置
で起こったイベントをLANなどにより取得して表示して
もよい。
はウエハ毎の処理状態の変動を表示している。ウィンド
ウ２２は、例えば、横軸に処理の終了したウエハを時系
列に並べ、縦軸には各ウエハの装置監視信号をとったグ
ラフを表示する。ウィンドウ２２には装置に起こったイ
ベントの表記２１が追加されていても良い。このイベン
トは、現在処理中の処理装置で起こったイベントや、表
示されているウエハが過去に処理された半導体製造装置
で起こったイベントをLANなどにより取得して表示して
もよい。
【００２３】ボタン２４は、現在ウィンドウ２２に表示
している装置監視信号の監視タイプを表示するととも
に、監視タイプの設定ウィンドウを開くコマンドボタン
の役割を果たしていてもよい。同様に、ボタン２５は、
ウィンドウ２２に表示されるウエハ数を表示すると共に
表示試料数設定ウィンドウを開くコマンドボタンでもあ
る。また、ボタン２６はウィンドウ２２に表示するデバ
イスタイプすなわち試料の種類を表示するとともに、デ
バイスタイプ設定ウィンドウを開くコマンドボタンでも
ある。また、ボタン２７はウィンドウ２２に表示する装
置監視信号を生成するための試料処理区分を表示すると
ともに、該試料処理区分を選択するウィンドウを開くコ
マンドボタンでもある。
している装置監視信号の監視タイプを表示するととも
に、監視タイプの設定ウィンドウを開くコマンドボタン
の役割を果たしていてもよい。同様に、ボタン２５は、
ウィンドウ２２に表示されるウエハ数を表示すると共に
表示試料数設定ウィンドウを開くコマンドボタンでもあ
る。また、ボタン２６はウィンドウ２２に表示するデバ
イスタイプすなわち試料の種類を表示するとともに、デ
バイスタイプ設定ウィンドウを開くコマンドボタンでも
ある。また、ボタン２７はウィンドウ２２に表示する装
置監視信号を生成するための試料処理区分を表示すると
ともに、該試料処理区分を選択するウィンドウを開くコ
マンドボタンでもある。
【００２４】図３に、図２の表示を実施するため表示設
定コントローラ８の処理系の一構成例を示し、図４にそ
のデータ処理の流れの一実施例を示す。半導体製造装置
において、試料の処理は複数の処理条件の組み合わせに
より行われることが多い。ここでは、試料処理中の各処
理条件に当たる部分を試料処理区分と呼ぶことにする。
試料処理区分は、処理条件の区切りにかかわらず、もっ
と細かく分けてもよいし、もっと大きく例えば処理の前
半と後半のように分けてもよい。例えば、監視タイプが
試料の加工形状であるときに、最終的な試料の加工形状
は全ての試料処理区分に均等に影響されるわけではな
く、重点的に監視すべき試料処理区分がある。このた
め、センサ２で取得されたモニタデータはデータ選択手
段４に送られる（図４、Ｓ４００〜Ｓ４０２）。
定コントローラ８の処理系の一構成例を示し、図４にそ
のデータ処理の流れの一実施例を示す。半導体製造装置
において、試料の処理は複数の処理条件の組み合わせに
より行われることが多い。ここでは、試料処理中の各処
理条件に当たる部分を試料処理区分と呼ぶことにする。
試料処理区分は、処理条件の区切りにかかわらず、もっ
と細かく分けてもよいし、もっと大きく例えば処理の前
半と後半のように分けてもよい。例えば、監視タイプが
試料の加工形状であるときに、最終的な試料の加工形状
は全ての試料処理区分に均等に影響されるわけではな
く、重点的に監視すべき試料処理区分がある。このた
め、センサ２で取得されたモニタデータはデータ選択手
段４に送られる（図４、Ｓ４００〜Ｓ４０２）。
【００２５】この実施例の場合、データ選択手段４は試
料処理区分選択部９のみで構成されており、試料処理区
分選択ボタン１０によって、どの試料処理区分のモニタ
データを出力するか選べる。選択されたモニタデータは
装置監視信号生成部５に送られる（Ｓ４０４）。監視タ
イプ設定ボタン１１により選択された種類の装置監視信
号が装置監視信号生成部５により生成され（Ｓ４０
６）、出力データバッファ６に送られる（Ｓ４０８）。
通常は、選ばれた各試料処理区分の間に多数のモニタデ
ータが取得され、その結果として装置監視信号の時間変
化のデータが多数生成される。処理状態の時間変化を監
視する場合には装置監視信号の時間変化がそのまま出力
データバッファ６に送られ、試料毎の処理状態変化を監
視する場合には、試料毎に装置監視信号を平均化するな
どの処理をしてから出力データバッファ６に送られる。
出力データバッファ６は表示試料数設定ボタン１２で指
定された数の試料に対応する装置監視信号を表示デバイ
ス選択部１３に送る（Ｓ４１０）。表示デバイス選択ボ
タン１４で指定された種類の試料の装置監視信号のみが
表示部７に送られ、表示される（Ｓ４１２）。
料処理区分選択部９のみで構成されており、試料処理区
分選択ボタン１０によって、どの試料処理区分のモニタ
データを出力するか選べる。選択されたモニタデータは
装置監視信号生成部５に送られる（Ｓ４０４）。監視タ
イプ設定ボタン１１により選択された種類の装置監視信
号が装置監視信号生成部５により生成され（Ｓ４０
６）、出力データバッファ６に送られる（Ｓ４０８）。
通常は、選ばれた各試料処理区分の間に多数のモニタデ
ータが取得され、その結果として装置監視信号の時間変
化のデータが多数生成される。処理状態の時間変化を監
視する場合には装置監視信号の時間変化がそのまま出力
データバッファ６に送られ、試料毎の処理状態変化を監
視する場合には、試料毎に装置監視信号を平均化するな
どの処理をしてから出力データバッファ６に送られる。
出力データバッファ６は表示試料数設定ボタン１２で指
定された数の試料に対応する装置監視信号を表示デバイ
ス選択部１３に送る（Ｓ４１０）。表示デバイス選択ボ
タン１４で指定された種類の試料の装置監視信号のみが
表示部７に送られ、表示される（Ｓ４１２）。
【００２６】図５、図６に表示部７のウィンドウ及び表
示設定コントローラ８の他の例を示す。図５は監視タイ
プ選択ウィンドウの一例を示しており、図６は表示設定
コントローラ８の動作フロー例を示す。ボタン２４が押
されると監視タイプ選択ウィンドウが表示される（Ｓ６
０２〜Ｓ６０６）。そして、監視タイプがメニュー２８
により選択できる（Ｓ６０８〜Ｓ６１２）。メニュー２
８の選択の項目は、例えば、「総合レベル１」はおおま
かな装置の処理状態を表示する監視タイプで、「総合レ
ベル２」はさらに細かな処理状態の変動を監視する処理
状態の監視タイプ、「総合レベル３」はさらに細かい変
動を監視する監視タイプなどとなっている。その他に
も、加工寸法精度や加工スピードに関連した「処理性
能」の項目があってもよいし、装置内部の部品の消耗度
合いを示す「部品消耗」の項目があっても良い。なお、
チェックボックス２８は複数種類選択できるようになっ
ていても良く、複数種類選ばれた場合は、ウィンドウ２
２に複数種類の装置監視信号が表示される。
示設定コントローラ８の他の例を示す。図５は監視タイ
プ選択ウィンドウの一例を示しており、図６は表示設定
コントローラ８の動作フロー例を示す。ボタン２４が押
されると監視タイプ選択ウィンドウが表示される（Ｓ６
０２〜Ｓ６０６）。そして、監視タイプがメニュー２８
により選択できる（Ｓ６０８〜Ｓ６１２）。メニュー２
８の選択の項目は、例えば、「総合レベル１」はおおま
かな装置の処理状態を表示する監視タイプで、「総合レ
ベル２」はさらに細かな処理状態の変動を監視する処理
状態の監視タイプ、「総合レベル３」はさらに細かい変
動を監視する監視タイプなどとなっている。その他に
も、加工寸法精度や加工スピードに関連した「処理性
能」の項目があってもよいし、装置内部の部品の消耗度
合いを示す「部品消耗」の項目があっても良い。なお、
チェックボックス２８は複数種類選択できるようになっ
ていても良く、複数種類選ばれた場合は、ウィンドウ２
２に複数種類の装置監視信号が表示される。
【００２７】図７、図８に表示部７のウィンドウ及び表
示設定コントローラ８の他の例を示す。図７は表示試料
数設定ウィンドウを示し、図８に表示設定コントローラ
８の動作フローの例を示す。図７の表示試料数設定ウィ
ンドウは、表示試料数設定ボタン２５を押すことにより
表示される（Ｓ８０２〜Ｓ８０６）。ウィンドウ２２の
ような試料毎の表示の場合には表示試料数を入力部２９
で設定し、後述のウィンドウ２３のようなロット毎の表
示の場合には表示ロット数が入力部２９により設定され
る（Ｓ８０８〜Ｓ８１４）。
示設定コントローラ８の他の例を示す。図７は表示試料
数設定ウィンドウを示し、図８に表示設定コントローラ
８の動作フローの例を示す。図７の表示試料数設定ウィ
ンドウは、表示試料数設定ボタン２５を押すことにより
表示される（Ｓ８０２〜Ｓ８０６）。ウィンドウ２２の
ような試料毎の表示の場合には表示試料数を入力部２９
で設定し、後述のウィンドウ２３のようなロット毎の表
示の場合には表示ロット数が入力部２９により設定され
る（Ｓ８０８〜Ｓ８１４）。
【００２８】図９、図１０に表示部７のウィンドウ及び
表示設定コントローラ８の他の例を示す。図９はデバイ
ス選択ウィンドウの一例を示し、図１０に表示設定コン
トローラ８の動作フローの例を示す。デバイス選択ウィ
ンドウはボタン２６を押すと表示され（Ｓ１００２〜Ｓ
１００６）、試料のデバイス種類がチェックボックス３
１により複数個選択できる（Ｓ１００８〜Ｓ１０１
２）。チェックボックス３１に対応するデバイスラベル
３２はデバイスの種類がリストアップしてある。例え
ば、デバイス名が「T１２３４５F」という場合で、該デ
バイス名中の「T」と「F」がそれぞれデバイス構造上の
意味を持つ場合、表示デバイス名を「T１２３４５F」ひ
とつでなく、「T」で始まるデバイス全て、もしくは
「F」で終わるデバイス名全て、といった選び方ができ
ることが望ましい。デバイスラベル３２では、直前に処
理が終わった試料と同じデバイス全てといった選び方が
できるようにもなっている。同じデバイスで複数種類の
レシピすなわち処理条件の組み合わせがあるときには、
それぞれ別のデバイスとして認識してデバイス選択でき
るようにしてもよいし、別のレシピ選択ウィンドウを用
意してもよい。表示するデバイス種類を選び終わった
ら、終了ボタン３０を押すと選択したデバイス種類が確
定し、デバイス種類選択ウィンドウが終了する（Ｓ１０
１４）。
表示設定コントローラ８の他の例を示す。図９はデバイ
ス選択ウィンドウの一例を示し、図１０に表示設定コン
トローラ８の動作フローの例を示す。デバイス選択ウィ
ンドウはボタン２６を押すと表示され（Ｓ１００２〜Ｓ
１００６）、試料のデバイス種類がチェックボックス３
１により複数個選択できる（Ｓ１００８〜Ｓ１０１
２）。チェックボックス３１に対応するデバイスラベル
３２はデバイスの種類がリストアップしてある。例え
ば、デバイス名が「T１２３４５F」という場合で、該デ
バイス名中の「T」と「F」がそれぞれデバイス構造上の
意味を持つ場合、表示デバイス名を「T１２３４５F」ひ
とつでなく、「T」で始まるデバイス全て、もしくは
「F」で終わるデバイス名全て、といった選び方ができ
ることが望ましい。デバイスラベル３２では、直前に処
理が終わった試料と同じデバイス全てといった選び方が
できるようにもなっている。同じデバイスで複数種類の
レシピすなわち処理条件の組み合わせがあるときには、
それぞれ別のデバイスとして認識してデバイス選択でき
るようにしてもよいし、別のレシピ選択ウィンドウを用
意してもよい。表示するデバイス種類を選び終わった
ら、終了ボタン３０を押すと選択したデバイス種類が確
定し、デバイス種類選択ウィンドウが終了する（Ｓ１０
１４）。
【００２９】図１１に表示部７のウィンドウ及び表示設
定コントローラ８の他の例を示す。図は試料処理区分選
択ウィンドウの一例を示しており、装置監視信号を生成
するために用いられる試料処理区分がチェックボックス
３３により複数個選択できる。表示設定コントローラ８
の動作は図１０と同様である。複数の試料処理区分から
一つの装置監視信号を生成して表示してもよいし、複数
の装置監視信号を生成して表示しても良い。チェックボ
ックス３３に対応する試料処理区分ラベル３４は試料処
理区分名が表示される。装置監視信号を生成するのに必
要な試料処理区分は監視タイプによってことなるので、
試料処理区分名ラベル３４はプルダウンメニュー２８で
選ばれた監視タイプに応じて変化することが望ましい。
定コントローラ８の他の例を示す。図は試料処理区分選
択ウィンドウの一例を示しており、装置監視信号を生成
するために用いられる試料処理区分がチェックボックス
３３により複数個選択できる。表示設定コントローラ８
の動作は図１０と同様である。複数の試料処理区分から
一つの装置監視信号を生成して表示してもよいし、複数
の装置監視信号を生成して表示しても良い。チェックボ
ックス３３に対応する試料処理区分ラベル３４は試料処
理区分名が表示される。装置監視信号を生成するのに必
要な試料処理区分は監視タイプによってことなるので、
試料処理区分名ラベル３４はプルダウンメニュー２８で
選ばれた監視タイプに応じて変化することが望ましい。
【００３０】図１２に表示部７のウィンドウ及び表示設
定コントローラ８の他の例を示す。この例では、あらか
じめ定義された試料処理区分ではなく、任意の処理区分
を選択できるようになっている。ステップ開始点３５と
ステップ終了点３５´を時間軸３６上で指定することに
より、試料処理区分として任意の時間範囲を抽出するこ
とができる。
定コントローラ８の他の例を示す。この例では、あらか
じめ定義された試料処理区分ではなく、任意の処理区分
を選択できるようになっている。ステップ開始点３５と
ステップ終了点３５´を時間軸３６上で指定することに
より、試料処理区分として任意の時間範囲を抽出するこ
とができる。
【００３１】図１３に本発明の表示部７のウィンドウ及
び表示設定コントローラ８の他の例を示す。この例の全
体的な動作シーケンスは図３と同じである。ただ、試料
処理区分自動選択部１５が追加されている点でことな
る。この例では、ユーザが表示する試料処理区分を選択
しなくても監視タイプ設定ボタン１１によって設定され
た監視タイプに最適な試料処理区分を試料処理区分自動
選択部１５が判断して試料処理区分選択手段９の動作を
設定する。ここで選択する処理ステップは一つの監視タ
イプに対していくつかの処理ステップを選択してもよ
い。
び表示設定コントローラ８の他の例を示す。この例の全
体的な動作シーケンスは図３と同じである。ただ、試料
処理区分自動選択部１５が追加されている点でことな
る。この例では、ユーザが表示する試料処理区分を選択
しなくても監視タイプ設定ボタン１１によって設定され
た監視タイプに最適な試料処理区分を試料処理区分自動
選択部１５が判断して試料処理区分選択手段９の動作を
設定する。ここで選択する処理ステップは一つの監視タ
イプに対していくつかの処理ステップを選択してもよ
い。
【００３２】図１４に本発明の表示部７のウィンドウ及
び表示設定コントローラ８の他の例を示す。この実施例
では、センサ２で取得されたデータはモニタデータ保存
手段１６に蓄積される。次に、表示試料数設定ボタン１
２で選択された数だけデータロード部１７がデータをモ
ニタデータ保存手段１６から取り出してデバイス選択部
１３に送る。デバイス選択部はデバイス選択ボタン１４
で指定された種類の試料のモニタデータのみを試料処理
区分選択部に送る。すると試料処理区分選択ボタン１５
で指定されたモニタデータのみが装置監視信号生成部５
に送られ、監視タイプ設定ボタン１１に対応する装置監
視信号が表示部７に表示される。
び表示設定コントローラ８の他の例を示す。この実施例
では、センサ２で取得されたデータはモニタデータ保存
手段１６に蓄積される。次に、表示試料数設定ボタン１
２で選択された数だけデータロード部１７がデータをモ
ニタデータ保存手段１６から取り出してデバイス選択部
１３に送る。デバイス選択部はデバイス選択ボタン１４
で指定された種類の試料のモニタデータのみを試料処理
区分選択部に送る。すると試料処理区分選択ボタン１５
で指定されたモニタデータのみが装置監視信号生成部５
に送られ、監視タイプ設定ボタン１１に対応する装置監
視信号が表示部７に表示される。
【００３３】図１５に本発明の表示部７のウィンドウ及
び表示設定コントローラ８の他の例を示す。図１４では
過去の処理のモニタデータが保存されているが、図１５
の例では、過去の試料の処理の装置監視信号のみを装置
監視信号データベース２０に保存しておき、過去の試料
の装置監視信号はここから取得する。この方法では、モ
ニタデータが非常に多く、保存容量が膨大になる場合な
どに情報が圧縮された装置監視信号のみを保存しておく
ことにより保存のための容量が少なくて済むと言う利点
がある。
び表示設定コントローラ８の他の例を示す。図１４では
過去の処理のモニタデータが保存されているが、図１５
の例では、過去の試料の処理の装置監視信号のみを装置
監視信号データベース２０に保存しておき、過去の試料
の装置監視信号はここから取得する。この方法では、モ
ニタデータが非常に多く、保存容量が膨大になる場合な
どに情報が圧縮された装置監視信号のみを保存しておく
ことにより保存のための容量が少なくて済むと言う利点
がある。
【００３４】図１６、図１７に本発明の表示部７のウィ
ンドウ及び表示設定コントローラ８の他の例を示す。こ
の例のウィンドウ２３はロット毎の処理状態の変動を表
示している。ウエハ毎の表示かロット毎の表示かを選択
するには、例えば図５の監視タイプ選択ウィンドウで試
料毎表示選択ボタン２８´やロット毎表示選択ボタン２
８´´により選択できるようになっている。ウィンドウ
２３は例えば、横軸に処理済みのロットを時系列に並
べ、縦軸に各ロットの装置監視信号がプロットされたグ
ラフである。半導体デバイスの製造では試料はロットと
いう数個の試料のまとまりごとに処理される。
ンドウ及び表示設定コントローラ８の他の例を示す。こ
の例のウィンドウ２３はロット毎の処理状態の変動を表
示している。ウエハ毎の表示かロット毎の表示かを選択
するには、例えば図５の監視タイプ選択ウィンドウで試
料毎表示選択ボタン２８´やロット毎表示選択ボタン２
８´´により選択できるようになっている。ウィンドウ
２３は例えば、横軸に処理済みのロットを時系列に並
べ、縦軸に各ロットの装置監視信号がプロットされたグ
ラフである。半導体デバイスの製造では試料はロットと
いう数個の試料のまとまりごとに処理される。
【００３５】８インチのウエハの場合は２５枚のウエハ
のまとまりが１ロットであることが多い。しかし、１ロ
ットに含まれる試料の数は場合により異なる。装置内壁
のクリーニングなどは１つ１つの試料の間にも行われる
ことがあるが、ロットとロットの間に特別なクリーニン
グ処理などが入ることがある。また、ロットとロットの
間の空き時間には処理チャンバの各所の温度が変わるこ
となどがある。このため、安定に試料を処理している状
況においても装置監視信号は一定の値となるのではな
く、ロットごとに或る変動パターンを繰り返すことが多
い。この変動パターンは試料のデバイス種類によって異
なる。このような場合には、信号がある一定のレンジに
入っていることだけをチェックする従来の監視方法では
不充分である。
のまとまりが１ロットであることが多い。しかし、１ロ
ットに含まれる試料の数は場合により異なる。装置内壁
のクリーニングなどは１つ１つの試料の間にも行われる
ことがあるが、ロットとロットの間に特別なクリーニン
グ処理などが入ることがある。また、ロットとロットの
間の空き時間には処理チャンバの各所の温度が変わるこ
となどがある。このため、安定に試料を処理している状
況においても装置監視信号は一定の値となるのではな
く、ロットごとに或る変動パターンを繰り返すことが多
い。この変動パターンは試料のデバイス種類によって異
なる。このような場合には、信号がある一定のレンジに
入っていることだけをチェックする従来の監視方法では
不充分である。
【００３６】本発明では、データベースから取得された
該当デバイスの処理中に得られる標準的な装置監視信号
の変動パターンとモニタされる装置監視信号の変動パタ
ーンが比較され、その比較データがロット毎の装置監視
信号として表示され、処理の異常があったロットが容易
に見出せる。また、各ロットの表示部をマウスなどで選
択すると、該ロットの中の各資料の装置監視信号がウィ
ンドウ２２に表示されるようになっているとなお良い。
この場合、ウィンドウ２３で異常と思われるロットが見
つかったときに、このロットの表示部を選択すると該異
常ロットに属する試料の処理状態がウィンドウ２２に表
示され、異常のあったロットのうちでどの試料の処理が
異常であったか容易に見出せる。ウィンドウ２３の表示
もウィンドウ２２と同様な機能を持ったボタン群２４
´、２５´、２６´、２７´によって表示を制御でき
る。
該当デバイスの処理中に得られる標準的な装置監視信号
の変動パターンとモニタされる装置監視信号の変動パタ
ーンが比較され、その比較データがロット毎の装置監視
信号として表示され、処理の異常があったロットが容易
に見出せる。また、各ロットの表示部をマウスなどで選
択すると、該ロットの中の各資料の装置監視信号がウィ
ンドウ２２に表示されるようになっているとなお良い。
この場合、ウィンドウ２３で異常と思われるロットが見
つかったときに、このロットの表示部を選択すると該異
常ロットに属する試料の処理状態がウィンドウ２２に表
示され、異常のあったロットのうちでどの試料の処理が
異常であったか容易に見出せる。ウィンドウ２３の表示
もウィンドウ２２と同様な機能を持ったボタン群２４
´、２５´、２６´、２７´によって表示を制御でき
る。
【００３７】図１７に、図１６の表示を実施するための
表示設定コントローラ８のデータ処理系の構成を示す。
センサ２で取得されたモニタデータはデータ選択手段４
と装置監視信号生成部５により装置監視信号に変換され
処理状態比較判定部１９に送られる。同時に、データベ
ース１８から取り出されたモニタデータの標準データか
らも同様に装置監視信号が生成され、標準装置監視信号
として処理状態比較判定部１９に送られる。
表示設定コントローラ８のデータ処理系の構成を示す。
センサ２で取得されたモニタデータはデータ選択手段４
と装置監視信号生成部５により装置監視信号に変換され
処理状態比較判定部１９に送られる。同時に、データベ
ース１８から取り出されたモニタデータの標準データか
らも同様に装置監視信号が生成され、標準装置監視信号
として処理状態比較判定部１９に送られる。
【００３８】これらの二つの信号を比較したグラフの一
例を図１８に示す。処理状態比較判定部１９はロット内
の装置監視信号５３の標準装置監視信号５２からの偏差
を計算して図１９のようなロット毎の比較データを生成
する。データを処理状態比較判定部１９が生成して表示
部７に表示する。装置監視信号が選択された試料処理区
分の間の平均データ等であるときには前記の二つの信号
の比較データは差をとるだけで得られる。また装置監視
信号が試料処理区分の間の時間変動情報を保持している
ときには、二つの信号の時間変動パターンのグラフのず
れの部分の面積を比較データとすることもできる。ま
た、標準データは半導体製造装置メーカーがデータベー
スにあらかじめ設定しておいてもよいし、過去の試料の
処理の結果で処理結果が正常であったときのモニタデー
タを採用するなどしてもよい。さらに、比較結果の閾値
を設け、比較データが閾値を越えると処理が異常であっ
たと判断して警告を表示することもできる。
例を図１８に示す。処理状態比較判定部１９はロット内
の装置監視信号５３の標準装置監視信号５２からの偏差
を計算して図１９のようなロット毎の比較データを生成
する。データを処理状態比較判定部１９が生成して表示
部７に表示する。装置監視信号が選択された試料処理区
分の間の平均データ等であるときには前記の二つの信号
の比較データは差をとるだけで得られる。また装置監視
信号が試料処理区分の間の時間変動情報を保持している
ときには、二つの信号の時間変動パターンのグラフのず
れの部分の面積を比較データとすることもできる。ま
た、標準データは半導体製造装置メーカーがデータベー
スにあらかじめ設定しておいてもよいし、過去の試料の
処理の結果で処理結果が正常であったときのモニタデー
タを採用するなどしてもよい。さらに、比較結果の閾値
を設け、比較データが閾値を越えると処理が異常であっ
たと判断して警告を表示することもできる。
【００３９】また、前記の標準的な装置監視信号の変動
パターンのデータベースを用いると試料処理区分のうち
どの区分で処理が異常になっているかの検知もできる。
複数の試料処理区分ごとに装置監視信号の変化の標準か
らのずれが大きい順に試料処理区分を並べ、この序列を
表示することにより一つの試料の処理中のどの試料処理
区分で異常が起こっているかを示すことができる。
パターンのデータベースを用いると試料処理区分のうち
どの区分で処理が異常になっているかの検知もできる。
複数の試料処理区分ごとに装置監視信号の変化の標準か
らのずれが大きい順に試料処理区分を並べ、この序列を
表示することにより一つの試料の処理中のどの試料処理
区分で異常が起こっているかを示すことができる。
【００４０】図２０は本発明の試料処理装置１の他の実
施例を示す。この試料処理装置１の動作は図１７の実施
例とほぼ同じであるが、過去の試料の処理のモニタデー
タを保存する代わりに装置監視信号データベース２０に
過去の装置監視信号を保存しておく点が異なる。これに
よりデータベースの容量を削減できる。
施例を示す。この試料処理装置１の動作は図１７の実施
例とほぼ同じであるが、過去の試料の処理のモニタデー
タを保存する代わりに装置監視信号データベース２０に
過去の装置監視信号を保存しておく点が異なる。これに
よりデータベースの容量を削減できる。
【００４１】図２１に、本発明の試料処理装置１におけ
る表示部７の表示画面の他の一例を示す。ウィンドウ２
２はウエハ毎の処理状態の変動を表示している。ウィン
ドウ２２は、例えば、横軸に処理の終了したウエハを時
系列に並べてあり、縦軸には各ウエハの装置監視信号が
プロットされる。ウィンドウ２２には装置に起こったイ
ベントの表記２１が追加されていても良い。このイベン
トは、現在処理中の処理装置だけでなく、表示されてい
るウエハが過去に処理された半導体製造装置で起こった
イベントをLANなどにより取得して表示してもよい。ボ
タン２４は、現在ウィンドウ２２に表示している装置監
視信号の監視タイプを表示するとともに、監視タイプの
設定ウィンドウを開くコマンドボタンの役割を果たして
いてもよい。同様に、ボタン２５は、ウィンドウ２２に
表示されるウエハ数を表示すると共に表示試料数設定ウ
ィンドウを開くコマンドボタンでもある。また、ボタン
２６はウィンドウ２２に表示するデバイスタイプすなわ
ち試料の種類を表示するとともに、デバイスタイプ設定
ウィンドウを開くコマンドボタンでもある。また、ボタ
ン２７はウィンドウ２２に表示する装置監視信号を生成
するための試料処理区分を表示するとともに、該試料処
理区分を選択するウィンドウを開くコマンドボタンでも
ある。
る表示部７の表示画面の他の一例を示す。ウィンドウ２
２はウエハ毎の処理状態の変動を表示している。ウィン
ドウ２２は、例えば、横軸に処理の終了したウエハを時
系列に並べてあり、縦軸には各ウエハの装置監視信号が
プロットされる。ウィンドウ２２には装置に起こったイ
ベントの表記２１が追加されていても良い。このイベン
トは、現在処理中の処理装置だけでなく、表示されてい
るウエハが過去に処理された半導体製造装置で起こった
イベントをLANなどにより取得して表示してもよい。ボ
タン２４は、現在ウィンドウ２２に表示している装置監
視信号の監視タイプを表示するとともに、監視タイプの
設定ウィンドウを開くコマンドボタンの役割を果たして
いてもよい。同様に、ボタン２５は、ウィンドウ２２に
表示されるウエハ数を表示すると共に表示試料数設定ウ
ィンドウを開くコマンドボタンでもある。また、ボタン
２６はウィンドウ２２に表示するデバイスタイプすなわ
ち試料の種類を表示するとともに、デバイスタイプ設定
ウィンドウを開くコマンドボタンでもある。また、ボタ
ン２７はウィンドウ２２に表示する装置監視信号を生成
するための試料処理区分を表示するとともに、該試料処
理区分を選択するウィンドウを開くコマンドボタンでも
ある。
【００４２】図２１の実施例において、ウィンドウ２３
はロット毎の処理状態の変動を表示している。ウィンド
ウ２３は例えば、横軸に処理済みのロットを時系列に並
べ、縦軸に各ロットの装置監視信号がプロットされたグ
ラフである。半導体デバイスの製造では試料はロットと
いう数個の試料のまとまりごとに処理される。
はロット毎の処理状態の変動を表示している。ウィンド
ウ２３は例えば、横軸に処理済みのロットを時系列に並
べ、縦軸に各ロットの装置監視信号がプロットされたグ
ラフである。半導体デバイスの製造では試料はロットと
いう数個の試料のまとまりごとに処理される。
【００４３】８インチのウエハの場合は２５枚のウエハ
のまとまりが１ロットであることが多い。しかし、１ロ
ットに含まれる試料の数は場合により異なる。装置内壁
のクリーニングなどは試料１つ１つの間にも行われるこ
とがあるが、ロットとロットの間に特別なクリーニング
などが入ることがある。また、ロットとロットの間の空
き時間によりチャンバの温度が変わることなどがある。
このため、試料の処理を監視した装置監視信号は、安定
に試料を処理している時でも一定の値となるのではな
く、ロット毎に一定のパターンを繰り返すことが多い。
このような場合には、モニタ信号がある一定のレンジに
入っていることだけをチェックする従来の監視方法では
不充分である。
のまとまりが１ロットであることが多い。しかし、１ロ
ットに含まれる試料の数は場合により異なる。装置内壁
のクリーニングなどは試料１つ１つの間にも行われるこ
とがあるが、ロットとロットの間に特別なクリーニング
などが入ることがある。また、ロットとロットの間の空
き時間によりチャンバの温度が変わることなどがある。
このため、試料の処理を監視した装置監視信号は、安定
に試料を処理している時でも一定の値となるのではな
く、ロット毎に一定のパターンを繰り返すことが多い。
このような場合には、モニタ信号がある一定のレンジに
入っていることだけをチェックする従来の監視方法では
不充分である。
【００４４】本実施例では、装置監視信号がデータベー
スから取得された該当デバイスの処理中に得られる標準
的な装置監視信号の変動パターンと比較され、その比較
データがロット毎の装置監視信号として表示され、処理
の異常があったロットが容易に見出せる。また、各ロッ
トの表示部をマウスなどで選択すると、該ロットの中の
各資料の装置監視信号がウィンドウ２２に表示されるよ
うになっているとなお良い。この場合、ウィンドウ２３
で異常と思われるロットが見つかったときに、このロッ
トの表示部を選択すると該異常ロットの各試料の処理状
態がウィンドウ２２に表示され、異常のあったロットの
うちでどの試料の処理が異常であったか容易に見出せ
る。ウィンドウ２３の表示もウィンドウ２２と同様な機
能を持ったボタン群２４´、２５´、２６´、２７´に
よって表示を制御できる。
スから取得された該当デバイスの処理中に得られる標準
的な装置監視信号の変動パターンと比較され、その比較
データがロット毎の装置監視信号として表示され、処理
の異常があったロットが容易に見出せる。また、各ロッ
トの表示部をマウスなどで選択すると、該ロットの中の
各資料の装置監視信号がウィンドウ２２に表示されるよ
うになっているとなお良い。この場合、ウィンドウ２３
で異常と思われるロットが見つかったときに、このロッ
トの表示部を選択すると該異常ロットの各試料の処理状
態がウィンドウ２２に表示され、異常のあったロットの
うちでどの試料の処理が異常であったか容易に見出せ
る。ウィンドウ２３の表示もウィンドウ２２と同様な機
能を持ったボタン群２４´、２５´、２６´、２７´に
よって表示を制御できる。
【００４５】また、前記の標準的な装置監視信号の変動
パターンのデータベースを用いると試料処理区分のうち
どの区分で処理が異常になっているかの検知もできる。
複数の試料処理区分ごとに装置監視信号の変化の標準か
らのずれが大きい順に試料処理区分を並べ、この序列を
表示することにより一つの試料の処理中のどの試料処理
区分で異常が起こっているかを示すことができる。
パターンのデータベースを用いると試料処理区分のうち
どの区分で処理が異常になっているかの検知もできる。
複数の試料処理区分ごとに装置監視信号の変化の標準か
らのずれが大きい順に試料処理区分を並べ、この序列を
表示することにより一つの試料の処理中のどの試料処理
区分で異常が起こっているかを示すことができる。
【００４６】図２２に、本発明の試料処理装置１におけ
る表示部７の表示画面の他の実施例を示す。図は監視タ
イプ選択ウィンドウの一例を示しており、監視タイプが
メニュー２８により選択できる。選択の項目は、例え
ば、「総合レベル１」はおおまかな装置の処理状態を表
示する監視タイプで、「総合レベル２」はさらに細かな
処理状態の変動を監視する処理状態の監視タイプ、「総
合レベル３」はさらに細かい変動を監視する監視タイプ
などとなっている。その他にも、加工寸法精度や加工ス
ピードに関連した「処理性能」などの項目があってもよ
いし、装置内部の部品の消耗度合いを示す「部品消耗」
といった項目があっても良い。なお、チェックボックス
２８は複数種類選択できるようになっていても良く、複
数種類選ばれた場合は、ウィンドウ２２やウィンドウ２
３に複数種類の装置監視信号が表示される。さらに、試
料毎表示選択ボタン２８´やロット毎表示選択ボタン２
８´´を備えていてもよい。
る表示部７の表示画面の他の実施例を示す。図は監視タ
イプ選択ウィンドウの一例を示しており、監視タイプが
メニュー２８により選択できる。選択の項目は、例え
ば、「総合レベル１」はおおまかな装置の処理状態を表
示する監視タイプで、「総合レベル２」はさらに細かな
処理状態の変動を監視する処理状態の監視タイプ、「総
合レベル３」はさらに細かい変動を監視する監視タイプ
などとなっている。その他にも、加工寸法精度や加工ス
ピードに関連した「処理性能」などの項目があってもよ
いし、装置内部の部品の消耗度合いを示す「部品消耗」
といった項目があっても良い。なお、チェックボックス
２８は複数種類選択できるようになっていても良く、複
数種類選ばれた場合は、ウィンドウ２２やウィンドウ２
３に複数種類の装置監視信号が表示される。さらに、試
料毎表示選択ボタン２８´やロット毎表示選択ボタン２
８´´を備えていてもよい。
【００４７】図２３に、本発明の試料処理装置１におけ
る表示部７の他の実施例を示す。図は表示試料数設定ウ
ィンドウの一例を示しており、ウィンドウ２２のような
試料毎の表示の場合には表示試料数２９が選べ、ウィン
ドウ２３のようなロット毎の表示の場合には表示ロット
数３０が選べる。
る表示部７の他の実施例を示す。図は表示試料数設定ウ
ィンドウの一例を示しており、ウィンドウ２２のような
試料毎の表示の場合には表示試料数２９が選べ、ウィン
ドウ２３のようなロット毎の表示の場合には表示ロット
数３０が選べる。
【００４８】図２４に、本発明の試料処理装置１におけ
る表示部７の他の例を示す。図はデバイス選択ウィンド
ウの一例を示しており、表示する試料のデバイス種類が
チェックボックス３１により複数個選択できる。チェッ
クボックス３１に対応するデバイスラベル３２はデバイ
スの種類がリストアップしてある。例えば、デバイス名
が「T１２３４５F」という場合で、該デバイス名中の
「T」と「F」がそれぞれデバイス構造上の意味を持つ場
合、表示デバイス名を「T１２３４５F」ひとつでなく、
「T」で始まるデバイス全て、もしくは「F」で終わるデ
バイス名全て、といった選び方ができることが望まし
い。デバイスラベル３２では、直前に処理が終わった試
料と同じデバイス全てといった選び方ができるようにも
なっている。同じデバイスで複数種類のレシピすなわち
処理条件の組み合わせがあるときには、それぞれ別のデ
バイスとして認識してデバイス選択できるようにしても
よいし、別のレシピ選択ウィンドウを用意してもよい。
る表示部７の他の例を示す。図はデバイス選択ウィンド
ウの一例を示しており、表示する試料のデバイス種類が
チェックボックス３１により複数個選択できる。チェッ
クボックス３１に対応するデバイスラベル３２はデバイ
スの種類がリストアップしてある。例えば、デバイス名
が「T１２３４５F」という場合で、該デバイス名中の
「T」と「F」がそれぞれデバイス構造上の意味を持つ場
合、表示デバイス名を「T１２３４５F」ひとつでなく、
「T」で始まるデバイス全て、もしくは「F」で終わるデ
バイス名全て、といった選び方ができることが望まし
い。デバイスラベル３２では、直前に処理が終わった試
料と同じデバイス全てといった選び方ができるようにも
なっている。同じデバイスで複数種類のレシピすなわち
処理条件の組み合わせがあるときには、それぞれ別のデ
バイスとして認識してデバイス選択できるようにしても
よいし、別のレシピ選択ウィンドウを用意してもよい。
【００４９】図２５に、本発明の試料処理装置１におけ
る表示部７の他の実施例を示す。図は試料処理区分選択
ウィンドウの一例を示しており、装置監視信号を生成す
るために用いられる試料処理区分がチェックボックス３
３により複数個選択できる。複数の試料処理区分から一
つの装置監視信号を生成して表示してもよいし、複数の
装置監視信号を生成して表示しても良い。チェックボッ
クス３３に対応する試料処理区分ラベル３４は試料処理
区分名が表示される。装置監視信号を生成するのに必要
な試料処理区分は監視タイプによってことなるので、試
料処理区分名ラベル３４はプルダウンメニュー２８で選
ばれた監視タイプに応じて変化することが望ましい。
る表示部７の他の実施例を示す。図は試料処理区分選択
ウィンドウの一例を示しており、装置監視信号を生成す
るために用いられる試料処理区分がチェックボックス３
３により複数個選択できる。複数の試料処理区分から一
つの装置監視信号を生成して表示してもよいし、複数の
装置監視信号を生成して表示しても良い。チェックボッ
クス３３に対応する試料処理区分ラベル３４は試料処理
区分名が表示される。装置監視信号を生成するのに必要
な試料処理区分は監視タイプによってことなるので、試
料処理区分名ラベル３４はプルダウンメニュー２８で選
ばれた監視タイプに応じて変化することが望ましい。
【００５０】図２６に、本発明の試料処理装置１におけ
る表示部７の他の実施例を示す。図は試料処理区分選択
ウィンドウのもう一つの例を示しており、ステップ開始
点３５とステップ終了点３５´を時間軸３６上で指定す
ることにより、試料処理区分として任意の時間範囲を抽
出する手段を示している。
る表示部７の他の実施例を示す。図は試料処理区分選択
ウィンドウのもう一つの例を示しており、ステップ開始
点３５とステップ終了点３５´を時間軸３６上で指定す
ることにより、試料処理区分として任意の時間範囲を抽
出する手段を示している。
【００５１】図２７に、本発明の試料処理装置１におけ
る表示部７の他の実施例を示す。図は装置の使用状況に
よって表示する装置監視信号や表示方法を自動的に選択
するシステムである。たとえば、「プロセスレシピ開
発」ボタン３７を押すとプロセスレシピを開発するとき
に必要な、例えば加工形状予測値などの装置監視信号が
自動的に選ばれて表示される。また、「装置洗浄後」ボ
タン３８を押すと、装置の洗浄後に必要な、例えば残留
ガスを示す装置監視信号などが自動的に表示される。ま
た、「安定稼動期」ボタン３９を押すと、装置の安定稼
動期に監視すべき部品消耗度や加工形状を示す装置監視
信号が複数個表示される。また、「故障対応」ボタンを
押せば、装置の部品のかみ合わせなどを反映する装置監
視信号がインピーダンスモニタなどから生成されて表示
される。また、各ボタンごとに適切な装置のイベント表
記部４１がウィンドウ４２に表示される。
る表示部７の他の実施例を示す。図は装置の使用状況に
よって表示する装置監視信号や表示方法を自動的に選択
するシステムである。たとえば、「プロセスレシピ開
発」ボタン３７を押すとプロセスレシピを開発するとき
に必要な、例えば加工形状予測値などの装置監視信号が
自動的に選ばれて表示される。また、「装置洗浄後」ボ
タン３８を押すと、装置の洗浄後に必要な、例えば残留
ガスを示す装置監視信号などが自動的に表示される。ま
た、「安定稼動期」ボタン３９を押すと、装置の安定稼
動期に監視すべき部品消耗度や加工形状を示す装置監視
信号が複数個表示される。また、「故障対応」ボタンを
押せば、装置の部品のかみ合わせなどを反映する装置監
視信号がインピーダンスモニタなどから生成されて表示
される。また、各ボタンごとに適切な装置のイベント表
記部４１がウィンドウ４２に表示される。
【００５２】図２８に、本発明の試料処理装置１におけ
る表示部７の他の実施例を示す。これまでの実施例で、
例えばプラズマなどを使った半導体製造装置では、装置
の処理状態を正確に把握するためにできるだけ多くの種
類と数のセンサを用いた方がよい。しかし、多数のセン
サを用いて装置を監視すると、大量のモニタデータが時
々刻々と生成されて、これから装置監視信号を生成する
のは困難である。
る表示部７の他の実施例を示す。これまでの実施例で、
例えばプラズマなどを使った半導体製造装置では、装置
の処理状態を正確に把握するためにできるだけ多くの種
類と数のセンサを用いた方がよい。しかし、多数のセン
サを用いて装置を監視すると、大量のモニタデータが時
々刻々と生成されて、これから装置監視信号を生成する
のは困難である。
【００５３】このため、この実施例では、センサ２から
取得した多種多様なモニタデータを信号フィルタ４３に
より少数の有効信号４９に変換し、この少数の有効信号
をモデル式４５に入れることにより装置監視信号４４を
得る、という手法が有効である。モデル式は多数用意さ
れているのが普通で、選択された監視タイプによって対
応するモデル式が選択される。モデル式に代入する有効
信号４９を生成する信号フィルタ４３も監視タイプによ
って異なってもよく、信号フィルタデータベース４６か
ら信号フィルタ選択手段４７によって取得されて用いら
れる。信号フィルタデータベース４６に蓄積される信号
フィルタは事前に保存されていても良いし、また、正常
に処理が完了したときのモニタデータを主成分分析によ
り分析して得た固有ベクトルを信号フィルタとして信号
フィルタデータベースに保存しておいてもよい。主成分
分析は多数の信号から有効信号を重要な順に取り出すこ
とができる一般的な統計分析方法である。
取得した多種多様なモニタデータを信号フィルタ４３に
より少数の有効信号４９に変換し、この少数の有効信号
をモデル式４５に入れることにより装置監視信号４４を
得る、という手法が有効である。モデル式は多数用意さ
れているのが普通で、選択された監視タイプによって対
応するモデル式が選択される。モデル式に代入する有効
信号４９を生成する信号フィルタ４３も監視タイプによ
って異なってもよく、信号フィルタデータベース４６か
ら信号フィルタ選択手段４７によって取得されて用いら
れる。信号フィルタデータベース４６に蓄積される信号
フィルタは事前に保存されていても良いし、また、正常
に処理が完了したときのモニタデータを主成分分析によ
り分析して得た固有ベクトルを信号フィルタとして信号
フィルタデータベースに保存しておいてもよい。主成分
分析は多数の信号から有効信号を重要な順に取り出すこ
とができる一般的な統計分析方法である。
【００５４】ある装置状態信号を生成するためのモデル
式４５に用いる有効信号４９を得るために特別な処理設
定の組み合わせを処理して主成分分析し、その時の装置
状態に最適な信号フィルタを再生成してもよい。モデル
式４５は、監視したい装置性能、例えば加工形状のずれ
の値、などと有効信号４９との間で重回帰分析などの線
形モデル化をしても得られるし、処理の物理モデルから
モデル式４５の関数形を予想し、その係数をフィッティ
ングするなどしても得られる。図２８のシステムによ
り、試料の加工形状など、試料の処理後に計測が必要な
物理量の予測値を計測することなく試料の処理の直後に
表示することができ、早期の異常検知ができる。
式４５に用いる有効信号４９を得るために特別な処理設
定の組み合わせを処理して主成分分析し、その時の装置
状態に最適な信号フィルタを再生成してもよい。モデル
式４５は、監視したい装置性能、例えば加工形状のずれ
の値、などと有効信号４９との間で重回帰分析などの線
形モデル化をしても得られるし、処理の物理モデルから
モデル式４５の関数形を予想し、その係数をフィッティ
ングするなどしても得られる。図２８のシステムによ
り、試料の加工形状など、試料の処理後に計測が必要な
物理量の予測値を計測することなく試料の処理の直後に
表示することができ、早期の異常検知ができる。
【００５５】図２９に、本発明の試料処理装置１におけ
る表示部７の他の実施例を示す。これまでに述べた装置
状態の監視および表示方法は、装置の制御にも使える。
この実施例は、装置監視信号生成部５で得られた装置監
視信号を処理性能予測部５０に渡し、該処理性能予測部
５０で予測された処理性能を処理パラメータ修正量計算
部５１に渡し、該処理性能の予測値の標準値からのずれ
を解消するための処理パラメータの補正量を計算して半
導体製造装置のコントローラ３に渡し、次の試料の処理
条件を制御するシステムである。
る表示部７の他の実施例を示す。これまでに述べた装置
状態の監視および表示方法は、装置の制御にも使える。
この実施例は、装置監視信号生成部５で得られた装置監
視信号を処理性能予測部５０に渡し、該処理性能予測部
５０で予測された処理性能を処理パラメータ修正量計算
部５１に渡し、該処理性能の予測値の標準値からのずれ
を解消するための処理パラメータの補正量を計算して半
導体製造装置のコントローラ３に渡し、次の試料の処理
条件を制御するシステムである。
【００５６】既に述べたように、半導体製造装置の試料
の処理はロット単位で繰り返すので、該補正量を記憶し
ておき、次のロットの同じ位置の試料の処理条件を補正
してもよい。次のロットのデバイスの種類が異なるとき
には、デバイス間の補正量変換テーブルが必要になる場
合もある。
の処理はロット単位で繰り返すので、該補正量を記憶し
ておき、次のロットの同じ位置の試料の処理条件を補正
してもよい。次のロットのデバイスの種類が異なるとき
には、デバイス間の補正量変換テーブルが必要になる場
合もある。
【００５７】以上述べた各実施例の表示部は、処理装置
に付属していてもよいし、ネットワークを経由してオフ
ィスやリモート監視会社などにある端末に表示されるよ
うにも実装できる。特に、装置監視データはモニタデー
タよりも非常にサイズが小さいことが多いので、ネット
ワークに対する負荷も少なく、リモート診断などに用い
るのに最適である。
に付属していてもよいし、ネットワークを経由してオフ
ィスやリモート監視会社などにある端末に表示されるよ
うにも実装できる。特に、装置監視データはモニタデー
タよりも非常にサイズが小さいことが多いので、ネット
ワークに対する負荷も少なく、リモート診断などに用い
るのに最適である。
【００５８】また、これらの実施例は、主に半導体デバ
イスに関して説明したが、同様な監視機能をLCDデバイ
ス等の他の試料の製造装置や製造方法にも適用できる。
イスに関して説明したが、同様な監視機能をLCDデバイ
ス等の他の試料の製造装置や製造方法にも適用できる。
【００５９】
【発明の効果】本発明によれば、処理条件や試料の累積
処理枚数などによって複雑多様な状態を持つ試料処理装
置の処理状態をモニタし、その多様な処理シーケンスの
中から装置の監視を行う装置監視信号を取得する手段を
提供することにより、運用が容易なプロセスモニタおよ
びその表示方法および試料処理装置の制御方法および半
導体デバイスの製造方法を提供することができる。
処理枚数などによって複雑多様な状態を持つ試料処理装
置の処理状態をモニタし、その多様な処理シーケンスの
中から装置の監視を行う装置監視信号を取得する手段を
提供することにより、運用が容易なプロセスモニタおよ
びその表示方法および試料処理装置の制御方法および半
導体デバイスの製造方法を提供することができる。
【００６０】また、本発明によれば、さらに、プラズマ
装置からセンサによりモニタデータを取得し、試料の処
理性能に関わる最も重要な試料処理区分のデータから装
置監視信号を生成することにより、正確にかつ容易に処
理状態の変化を監視し、処理条件の制御を行うことがで
きる。
装置からセンサによりモニタデータを取得し、試料の処
理性能に関わる最も重要な試料処理区分のデータから装
置監視信号を生成することにより、正確にかつ容易に処
理状態の変化を監視し、処理条件の制御を行うことがで
きる。
【図１】本発明の第１の実施例になる試料処理装置の全
体構成を示す図である。
体構成を示す図である。
【図２】図１の試料処理装置１における表示部７の表示
画面の一例を示す図である。
画面の一例を示す図である。
【図３】図２の表示を実施するため表示設定コントロー
ラの処理系の一構成例を示す図である。
ラの処理系の一構成例を示す図である。
【図４】図３のデータ処理の流れの一実施例を示す図で
ある。
ある。
【図５】図１の試料処理装置における監視タイプ選択ウ
ィンドウの一例を示す図である。
ィンドウの一例を示す図である。
【図６】図５の表示設定コントローラ８の動作フローの
例を示す図である。
例を示す図である。
【図７】図１の試料処理装置における表示試料数設定ウ
ィンドウの他の例を示す図である。
ィンドウの他の例を示す図である。
【図８】図７の表示設定コントローラ８の動作フローの
例を示す図である。
例を示す図である。
【図９】図１の試料処理装置における表示試料数設定ウ
ィンドウの他の例を示す図である。
ィンドウの他の例を示す図である。
【図１０】図９の表示設定コントローラの動作フローの
例を示す図である。
例を示す図である。
【図１１】本発明の表示部のウィンドウ及び表示設定コ
ントローラの他の例を示す図である。
ントローラの他の例を示す図である。
【図１２】本発明の表示部のウィンドウ及び表示設定コ
ントローラの他の例を示す図である。
ントローラの他の例を示す図である。
【図１３】本発明の表示部のウィンドウ及び表示設定コ
ントローラの他の例を示す図である。
ントローラの他の例を示す図である。
【図１４】本発明の表示部のウィンドウ及び表示設定コ
ントローラの他の例を示す図である。
ントローラの他の例を示す図である。
【図１５】本発明の表示部のウィンドウ及び表示設定コ
ントローラの他の例を示す図である。
ントローラの他の例を示す図である。
【図１６】本発明の表示部のウィンドウ及び表示設定コ
ントローラの他の例を示す図である。
ントローラの他の例を示す図である。
【図１７】図１６の表示を実施するための表示設定コン
トローラのデータ処理系の構成を示す図である。
トローラのデータ処理系の構成を示す図である。
【図１８】図１７の二つの信号を比較したグラフの一例
を示す図である。
を示す図である。
【図１９】図１６の実施例によるロット毎の比較データ
一例を示す図である。
一例を示す図である。
【図２０】本発明の試料処理装置の他の実施例を示す図
である。
である。
【図２１】本発明の試料処理装置における表示部の表示
画面の他の一例を示す図である。
画面の他の一例を示す図である。
【図２２】本発明の試料処理装置における表示部の表示
画面の他の実施例を示す図である。
画面の他の実施例を示す図である。
【図２３】本発明の試料処理装置における表示部の他の
実施例を示す図である。
実施例を示す図である。
【図２４】本発明の試料処理装置における表示部の他の
実施例を示す図である。
実施例を示す図である。
【図２５】本発明の試料処理装置における表示部の他の
実施例を示す図である。
実施例を示す図である。
【図２６】本発明の試料処理装置における表示部の他の
実施例を示す図である。
実施例を示す図である。
【図２７】本発明の試料処理装置における表示部の他の
実施例を示す図である。
実施例を示す図である。
【図２８】本発明の試料処理装置における表示部の他の
実施例を示す図である。
実施例を示す図である。
【図２９】本発明の試料処理装置における表示部の他の
実施例を示す図である。
実施例を示す図である。
１…半導体製造装置、２…センサ、３…コントローラ、
４…データ選択手段、５…装置監視信号生成部、６…出
力データバッファ、７…表示部、８…表示設定コントロ
ーラ、９…試料処理区分選択部、１０…試料処理区分選
択ボタン、１１…監視タイプ設定ボタン、１２…表示試
料数設定ボタン、１３…デバイス選択部、１４…デバイ
ス選択ボタン、１５…試料処理区分自動選択部、１６…
モニタデータ保存手段、１７…データロード部、１８…
過去の信号および標準データのデータベース、１９…処
理状態比較判定部、２０…装置監視信号データベース、
２１…イベント表記部、２２…ウィンドウ、２３…ウィ
ンドウ、２４…ボタン、２４´…ボタン、２５…ボタ
ン、２５´…ボタン、２６…ボタン、２６´…ボタン、
２７…ボタン、２７´…ボタン、２８…監視タイプメニ
ュー、２８´…試料毎表示選択ボタン、２８´´…ロッ
ト毎選択ボタン、２９…入力部、３０…終了ボタン、３
１…チェックボックス、３２…デバイスラベル、３３…
チェックボックス、３４…試料処理区分ラベル、３５…
ステップ開始点、３５´…ステップ終了点、３６…時間
軸、３７…ボタン、３８…ボタン、３９…ボタン、４０
…ボタン、４１…イベント表記部、４２…ウィンドウ、
４３…信号フィルタ、４４…装置監視信号、４５…モデ
ル式、４６…信号フィルタデータベース、４７…信号フ
ィルタ選択部、４８…信号フィルタ生成部、４９…有効
信号、５０…処理性能予測部、５１…処理パラメータ修
正量計算部、５２…標準装置監視信号、５３…装置監視
信号。
４…データ選択手段、５…装置監視信号生成部、６…出
力データバッファ、７…表示部、８…表示設定コントロ
ーラ、９…試料処理区分選択部、１０…試料処理区分選
択ボタン、１１…監視タイプ設定ボタン、１２…表示試
料数設定ボタン、１３…デバイス選択部、１４…デバイ
ス選択ボタン、１５…試料処理区分自動選択部、１６…
モニタデータ保存手段、１７…データロード部、１８…
過去の信号および標準データのデータベース、１９…処
理状態比較判定部、２０…装置監視信号データベース、
２１…イベント表記部、２２…ウィンドウ、２３…ウィ
ンドウ、２４…ボタン、２４´…ボタン、２５…ボタ
ン、２５´…ボタン、２６…ボタン、２６´…ボタン、
２７…ボタン、２７´…ボタン、２８…監視タイプメニ
ュー、２８´…試料毎表示選択ボタン、２８´´…ロッ
ト毎選択ボタン、２９…入力部、３０…終了ボタン、３
１…チェックボックス、３２…デバイスラベル、３３…
チェックボックス、３４…試料処理区分ラベル、３５…
ステップ開始点、３５´…ステップ終了点、３６…時間
軸、３７…ボタン、３８…ボタン、３９…ボタン、４０
…ボタン、４１…イベント表記部、４２…ウィンドウ、
４３…信号フィルタ、４４…装置監視信号、４５…モデ
ル式、４６…信号フィルタデータベース、４７…信号フ
ィルタ選択部、４８…信号フィルタ生成部、４９…有効
信号、５０…処理性能予測部、５１…処理パラメータ修
正量計算部、５２…標準装置監視信号、５３…装置監視
信号。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 橘内 浩之 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内 (72)発明者 山本 秀之 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸事業所内 (72)発明者 幾原 祥二 山口県下松市大字東豊井794番地 日立テ クノエンジニアリング株式会社笠戸事業所 内 (72)発明者 高橋 主人 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸事業所内 Ｆターム(参考） 5F045 AF03 BB20 GB06 GB07 GB08 GB16
Claims (24)
- 【請求項１】センサを介して処理装置における試料の処
理状態に関係する複数のモニタデータを取得するモニタ
データ取得部と、 該複数のモニタデータの中から前記試料の任意の処理区
分に属するモニタデータを選択するデータ選択手段と、 前記データ選択手段により選択された処理区分に属する
モニタデータを監視信号として生成する監視信号生成部
と、 前記処理装置において処理された複数の試料に関して得
られた前記監視信号を、時系列的に表示部に表示する表
示設定コントローラとを備えたことを特徴とするプロセ
スモニタ。 - 【請求項２】請求項１記載のプロセスモニタにおいて、
前記複数のモニタデータは、前記試料の処理ステップ、
試料単位、ロット単位、及び試料処理間の空き時間を含
む任意の試料処理区分に属するデータであり、 前記モニタデータを前記試料処理区分毎に蓄積するデー
タベースを有することを特徴とするプロセスモニタ。 - 【請求項３】請求項１または２において、前記装置監視
信号に関する標準データを蓄積するデータベースと、該
標準データと前記監視信号とを比較する比較手段を有
し、該比較結果を時系列的に前記表示部に表示すること
を特徴とするプロセスモニタ。 - 【請求項４】請求項３において、前記標準データは、同
種のレシピかつ同種の試料の過去の処理で得られた監視
信号あるいはこれを加工したデータであることを特徴と
するプロセスモニタ。 - 【請求項５】請求項３において、前記比較結果により試
料の処理状態の確認や処理装置の異常検出を行う異常検
出手段を有することを特徴とするプロセスモニタ。 - 【請求項６】請求項１〜５のいずれかにおいて、前記処
理装置に過去に起こったイベントを記録し蓄積するデー
タベースを有し、該イベントを前記時系列的表示に追記
して表示することを特徴とするプロセスモニタ。 - 【請求項７】請求項１〜６のいずれかにおいて、前記試
料が過去に経由した他の処理装置のイベントを取得する
イベント取得手段を有し、該イベントを前記時系列的表
示に追記することを特徴とするプロセスモニタ。 - 【請求項８】請求項１〜７のいずれかにおいて、表示す
る試料の数または種類の少なくとも１つを選択する手段
を有することを特徴とするプロセスモニタ。 - 【請求項９】請求項１〜８のいずれかにおいて、前記の
プロセスモニタで、過去に処理した試料の監視信号の中
から直前に処理した試料と同種の試料の処理の監視信号
を選択して表示することを特徴とするプロセスモニタ。 - 【請求項１０】請求項１〜９のいずれかにおいて、複数
タイプの監視信号を生成する手段と、表示する監視信号
のタイプを選択する手段を有することを特徴とするプロ
セスモニタ。 - 【請求項１１】請求項１〜１０のいずれかにおいて、前
記監視信号の標準データからのずれの度合いに応じて前
記試料処理区分間での序列を付ける序列生成部と、該序
列により試料の処理の異常が起こっている試料処理区分
を異常区分として判定し表示する異常区分判定部とを有
することを特徴とするプロセスモニタ。 - 【請求項１２】センサを介して処理装置における試料の
処理状態に関係する複数のモニタデータを取得するモニ
タデータ取得部と、 該複数のモニタデータの中から前記試料の任意の処理区
分に属するモニタデータを選択するデータ選択手段と、 前記データ選択手段により選択された処理区分に属する
モニタデータを監視信号として生成する監視信号生成部
と、 前記処理装置において処理された複数の試料に関して得
られた前記監視信号を、時系列的に表示部に表示する表
示設定コントローラと、 前記処理装置の使用状況によって表示を切り替える表示
切替手段とを備えたことを特徴とするプロセスモニタ。 - 【請求項１３】センサを介して処理装置における試料の
処理状態に関係する複数のモニタデータを取得するモニ
タデータ取得部と、 該複数のモニタデータの中から該モニタデータを加工し
てモニタした数より少ない数の監視信号を抽出する監視
信号生成部と、 前記処理装置において処理された複数の試料に関して得
られた前記監視信号を、時系列的に表示部に表示する表
示設定コントローラとを有することを特徴とするプロセ
スモニタ。 - 【請求項１４】請求項１３において、前記モニタデータ
を加工する手段として主成分分析を用いることを特徴と
するプロセスモニタ。 - 【請求項１５】請求項１３において、前記の少数の監視
信号から、モデル式を用いて試料の処理性能を予測した
結果を表示することを特徴とするプロセスモニタ。 - 【請求項１６】センサを介して試料の処理状態に関係す
る複数のモニタデータを取得するプロセスモニタを備え
た処理装置により試料を処理するものにおいて、 センサを介して前記処理装置における試料の処理状態に
関係する複数のモニタデータを取得し、 該複数のモニタデータの中から前記試料の任意の処理区
分に属するモニタデータを選択し、 前記データ選択手段により選択された処理区分に属する
モニタデータを監視信号として生成すし、 前記監視信号を利用して試料処理の制御を行うことを特
徴とする試料処理装置の制御方法。 - 【請求項１７】請求項１６において、前記モニタデータ
の中から処理ステップ、試料単位、ロット単位、試料処
理間の空き時間を含む任意の試料処理区分に属するデー
タを選択し、該選択されたモニタデータを加工して監視
信号を作成し、該監視信号を用いて試料処理の制御を行
うことを特徴とする試料処理装置の制御方法。 - 【請求項１８】請求項１７において、前記監視信号の標
準データと前記監視信号を比較し、該比較結果を用いて
処理の制御を行うことを特徴とする試料処理装置の制御
方法。 - 【請求項１９】請求項１８において、前記比較結果から
前記監視信号が正常範囲から外れた異常を検出した場
合、異常処理の制御を行うことを特徴とする試料処理装
置の制御方法。 - 【請求項２０】請求項１８において、前記監視信号の標
準データからのずれの度合いに応じて前記試料処理区分
間での序列を付け、該序列により試料の処理の異常の程
度が高い試料処理区分の処理の制御を優先して行うこと
を特徴とする試料処理装置の制御方法。 - 【請求項２１】請求項１６〜１８のいずれかにおいて、
試料処理装置から複数のモニタデータを取得し、該モニ
タデータを加工してモニタした数より少ない数の監視信
号を抽出し、該監視信号を用いて試料処理の制御を行う
ことを特徴とする試料処理装置の制御方法。 - 【請求項２２】請求項２１において、前記の少数の監視
信号から、モデル式を用いて試料の処理性能を予測し、 該予測に基づいて試料処理の制御を行うことを特徴とす
る試料処理装置の制御方法。 - 【請求項２３】センサにより試料処理装置から試料の処
理状態のモニタデータを取得し、該モニタデータの中か
ら任意の試料処理区分に属するデータを選択し、前記選
択されたモニタデータを加工して監視信号を作成し、該
監視信号を用いて前記試料の処理制御を行い、試料の製
造を行うことを特徴とする試料の製造方法。 - 【請求項２４】センサを介して処理装置における試料の
処理状態に関係する複数のモニタデータを取得し、 該複数のモニタデータの中から該モニタデータを加工し
てモニタした数より少ない数の監視信号を抽出生成し、 前記処理装置において処理された複数の試料に関して得
られた前記監視信号を用いて前記試料の処理制御を行
い、試料の製造を行うことを特徴とする試料の製造方
法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001060995A JP4128339B2 (ja) | 2001-03-05 | 2001-03-05 | 試料処理装置用プロセスモニタ及び試料の製造方法 |
| KR10-2001-0053014A KR100446925B1 (ko) | 2001-03-05 | 2001-08-30 | 시료처리장치용 공정모니터장치 및 시료처리장치의 제어방법 |
| US09/945,691 US6879867B2 (en) | 2001-03-05 | 2001-09-05 | Process monitoring device for sample processing apparatus and control method of sample processing apparatus |
| TW090121993A TWI272639B (en) | 2001-03-05 | 2001-09-05 | Process monitoring device for sample processing apparatus and control method of sample processing apparatus |
| US10/987,121 US7058467B2 (en) | 2001-03-05 | 2004-11-15 | Process monitoring device for sample processing apparatus and control method of sample processing apparatus |
| US11/356,099 US7158848B2 (en) | 2001-03-05 | 2006-02-17 | Process monitoring device for sample processing apparatus and control method of sample processing apparatus |
| US11/645,680 US7376479B2 (en) | 2001-03-05 | 2006-12-27 | Process monitoring device for sample processing apparatus and control method of sample processing apparatus |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001060995A JP4128339B2 (ja) | 2001-03-05 | 2001-03-05 | 試料処理装置用プロセスモニタ及び試料の製造方法 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002260978A true JP2002260978A (ja) | 2002-09-13 |
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ID=18920355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001060995A Expired - Lifetime JP4128339B2 (ja) | 2001-03-05 | 2001-03-05 | 試料処理装置用プロセスモニタ及び試料の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US6879867B2 (ja) |
| JP (1) | JP4128339B2 (ja) |
| KR (1) | KR100446925B1 (ja) |
| TW (1) | TWI272639B (ja) |
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