JP7453853B2 - 処理条件決定システムおよび処理条件探索方法 - Google Patents
処理条件決定システムおよび処理条件探索方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7453853B2 JP7453853B2 JP2020092150A JP2020092150A JP7453853B2 JP 7453853 B2 JP7453853 B2 JP 7453853B2 JP 2020092150 A JP2020092150 A JP 2020092150A JP 2020092150 A JP2020092150 A JP 2020092150A JP 7453853 B2 JP7453853 B2 JP 7453853B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing
- condition
- sample
- conditions
- processing condition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 422
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 69
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 58
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 23
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 17
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 16
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 13
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 10
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000010801 machine learning Methods 0.000 claims description 9
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 65
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 14
- 238000011165 process development Methods 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 5
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000013528 artificial neural network Methods 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000012417 linear regression Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 238000004566 IR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000003066 decision tree Methods 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 238000010978 in-process monitoring Methods 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000004093 laser heating Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70533—Controlling abnormal operating mode, e.g. taking account of waiting time, decision to rework or rework flow
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B19/00—Programme-control systems
- G05B19/02—Programme-control systems electric
- G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
- G05B19/41885—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM] characterised by modeling, simulation of the manufacturing system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B19/00—Programme-control systems
- G05B19/02—Programme-control systems electric
- G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
- G05B19/4184—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM] characterised by fault tolerance, reliability of production system
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06N—COMPUTING ARRANGEMENTS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
- G06N5/00—Computing arrangements using knowledge-based models
- G06N5/04—Inference or reasoning models
- G06N5/046—Forward inferencing; Production systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N2021/8411—Application to online plant, process monitoring
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
- G01N2021/8854—Grading and classifying of flaws
- G01N2021/8877—Proximity analysis, local statistics
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B2219/00—Program-control systems
- G05B2219/20—Pc systems
- G05B2219/26—Pc applications
- G05B2219/2602—Wafer processing
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06N—COMPUTING ARRANGEMENTS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
- G06N20/00—Machine learning
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06N—COMPUTING ARRANGEMENTS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
- G06N5/00—Computing arrangements using knowledge-based models
- G06N5/01—Dynamic search techniques; Heuristics; Dynamic trees; Branch-and-bound
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Software Systems (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Artificial Intelligence (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- Evolutionary Computation (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Data Mining & Analysis (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Pathology (AREA)
- Immunology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Medical Informatics (AREA)
- Computational Linguistics (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- General Factory Administration (AREA)
- Hardware Redundancy (AREA)
- Selective Calling Equipment (AREA)
Description
解析システムは、
処理装置が試料を処理する処理条件の1つ以上のパラメータを説明変数、処理装置が当該処理条件で試料を処理した処理結果の1つ以上のパラメータを目的変数とし、説明変数と目的変数の組であるデータを格納する処理条件-処理結果データベースと、
処理条件-処理結果データベースに格納されたデータを用いて、説明変数と目的変数の相関モデルを推定する処理条件-処理結果相関モデル解析部と、
処理条件-処理結果相関モデル解析部の推定した相関モデルを用いて、目標処理結果を与える処理条件を設定する処理条件解析部と、
処理中モニタシステムのモニタデータに基づいて、処理装置による処理終了後に目的変数のいずれか1つ以上にかかわる不良が発生する可能性が高まった際に不良発生予防信号を出力する不良予測部と、を備え、
処理装置は、処理条件解析部が設定した処理条件で試料を処理し、不良予測部からの不良発生予防信号を受けて、当該処理条件での処理を中断するとともに、処理条件解析部は、目標処理結果を与える新たな処理条件を再設定する。
Claims (14)
- 試料を処理する処理装置と、前記処理装置における処理中の状態をモニタする処理中モニタシステムと、目標処理結果を与える前記処理装置の処理条件を設定する解析システムとを有する処理条件決定システムであって、
前記解析システムは、
前記処理装置が前記試料を処理する処理条件の1つ以上のパラメータを説明変数、前記処理装置が当該処理条件で前記試料を処理した処理結果の1つ以上のパラメータを目的変数とし、前記説明変数と前記目的変数の組であるデータを格納する処理条件-処理結果データベースと、
前記処理条件-処理結果データベースに格納された前記データを用いて、前記説明変数と前記目的変数の相関モデルを推定する処理条件-処理結果相関モデル解析部と、
前記処理条件-処理結果相関モデル解析部の推定した相関モデルを用いて、前記目標処理結果を与える処理条件を設定する処理条件解析部と、
前記処理中モニタシステムのモニタデータに基づいて、前記処理装置による処理終了後に前記目的変数のいずれか1つ以上にかかわる不良が発生する可能性が高まった際に不良発生予防信号を出力する不良予測部と、を備え、
前記処理装置は、前記処理条件解析部が設定した処理条件で前記試料を処理し、前記不良予測部からの前記不良発生予防信号を受けて、当該処理条件での処理を中断するとともに、前記処理条件解析部は、前記目標処理結果を与える新たな処理条件を再設定する処理条件決定システム。 - 請求項1において、
前記処理条件解析部が設定した処理条件で、前記処理装置が前記試料を処理して得られた処理結果が前記目標処理結果を満たさない場合には、前記処理条件-処理結果データベースは、当該処理条件に対応する前記説明変数と当該処理結果に対応する前記目的変数の組であるデータが格納されることにより更新され、
前記処理条件-処理結果相関モデル解析部は、更新された前記処理条件-処理結果データベースを用いて前記説明変数と前記目的変数の相関モデルを推定する処理条件決定システム。 - 請求項1において、
前記解析システムは、前記不良予測部から前記不良発生予防信号が出力された場合には、当該処理条件での処理を中止する、または前記処理装置の処理条件を再設定する選択を可能とする処理条件決定システム。 - 請求項3において、
前記解析システムは、前記処理条件解析部による新たな処理条件の再設定とユーザによる新たな処理条件の入力による再設定とを選択可能とする処理条件決定システム。 - 請求項1において、
前記処理条件-処理結果相関モデル解析部は、機械学習により相関モデルを推定する処理条件決定システム。 - 請求項1において、
前記処理装置は、半導体製造装置であり、
前記試料は、半導体デバイスであり、
前記処理中モニタシステムは、干渉光モニタである処理条件決定システム。 - 請求項1において、
前記処理装置は、付加製造装置であり、
前記試料は、造形物であり、
前記処理中モニタシステムは、熱分布モニタカメラである処理条件決定システム。 - 試料を処理する処理装置と、前記処理装置における処理中の状態をモニタする処理中モニタシステムと、目標処理結果を与える前記処理装置の処理条件を解析する解析システムとを有する処理条件決定システムを用いた処理条件探索方法であって、
前記解析システムは、前記処理装置が前記試料を処理する処理条件の1つ以上のパラメータを説明変数、前記処理装置が当該処理条件で前記試料を処理した処理結果の1つ以上のパラメータを目的変数とし、前記説明変数と前記目的変数の組であるデータを格納する処理条件-処理結果データベースを備え、
前記解析システムは、前記処理条件-処理結果データベースに格納された前記データを用いて、前記説明変数と前記目的変数の相関モデルを推定し、
前記解析システムは、推定した相関モデルを用いて、前記目標処理結果を与える処理条件を設定し、
前記処理装置は、前記解析システムが設定した処理条件で前記試料を処理し、
前記解析システムは、前記処理中モニタシステムのモニタデータに基づいて、前記処理装置による処理終了後に前記目的変数のいずれか1つ以上にかかわる不良が発生する可能性が高まった際に不良発生予防信号を出力し、
前記処理装置は、前記不良発生予防信号を受けて、当該処理条件での処理を中断し、
前記解析システムは、前記不良発生予防信号が出力された場合には、前記目標処理結果を与える新たな処理条件を設定する処理条件探索方法。 - 請求項8において、
前記解析システムが設定した処理条件で、前記処理装置が前記試料を処理して得られた処理結果が前記目標処理結果を満たさない場合には、前記処理条件-処理結果データベースは、当該処理条件に対応する前記説明変数と当該処理結果に対応する前記目的変数の組であるデータが格納されることにより更新され、
前記解析システムは、更新された前記処理条件-処理結果データベースを用いて前記説明変数と前記目的変数の相関モデルを推定する処理条件探索方法。 - 請求項8において、
前記解析システムは、前記不良発生予防信号が出力された場合には、当該処理条件での処理を中止する、または前記処理装置の処理条件を再設定する選択を可能とする処理条件探索方法。 - 請求項10において、
前記解析システムは、前記解析システムによる新たな処理条件の再設定とユーザによる新たな処理条件の入力による再設定とを選択可能とする処理条件探索方法。 - 請求項8において、
前記解析システムは、機械学習により相関モデルを推定する処理条件探索方法。 - 請求項8において、
前記処理装置は、半導体製造装置であり、
前記試料は、半導体デバイスであり、
前記処理中モニタシステムは、干渉光モニタである処理条件探索方法。 - 請求項8において、
前記処理装置は、付加製造装置であり、
前記試料は、造形物であり、
前記処理中モニタシステムは、熱分布モニタカメラである処理条件探索方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020092150A JP7453853B2 (ja) | 2020-05-27 | 2020-05-27 | 処理条件決定システムおよび処理条件探索方法 |
KR1020210033800A KR20210146784A (ko) | 2020-05-27 | 2021-03-16 | 처리 조건 결정 시스템 및 처리 조건 탐색 방법 |
US17/209,735 US11609188B2 (en) | 2020-05-27 | 2021-03-23 | Processing condition determination system and processing condition searching method |
TW110110831A TWI782460B (zh) | 2020-05-27 | 2021-03-25 | 處理條件決定系統及處理條件探索方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020092150A JP7453853B2 (ja) | 2020-05-27 | 2020-05-27 | 処理条件決定システムおよび処理条件探索方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021190491A JP2021190491A (ja) | 2021-12-13 |
JP7453853B2 true JP7453853B2 (ja) | 2024-03-21 |
Family
ID=78704815
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020092150A Active JP7453853B2 (ja) | 2020-05-27 | 2020-05-27 | 処理条件決定システムおよび処理条件探索方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11609188B2 (ja) |
JP (1) | JP7453853B2 (ja) |
KR (1) | KR20210146784A (ja) |
TW (1) | TWI782460B (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023008391A1 (ja) | 2021-07-26 | 2023-02-02 | 日本精工株式会社 | 食用油劣化抑制フィルタ及びその製造方法 |
KR20230092293A (ko) * | 2021-12-17 | 2023-06-26 | 한국전자기술연구원 | 데이터 기반 pbf 방식 적층제조 공정 최적화 시스템 |
JP2023098237A (ja) * | 2021-12-28 | 2023-07-10 | 株式会社日立製作所 | 付加製造条件探索装置、および、付加製造条件探索方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003068717A (ja) | 2001-08-28 | 2003-03-07 | Hitachi Ltd | 半導体処理装置 |
JP2018117116A (ja) | 2016-12-23 | 2018-07-26 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | 処理のエンドポイントを制御するためのスペクトルの時系列からの特徴強要方法 |
JP2019047100A (ja) | 2017-08-31 | 2019-03-22 | 株式会社日立製作所 | 計算機、処理の制御パラメータの決定方法、代用試料、計測システム、及び計測方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4128339B2 (ja) * | 2001-03-05 | 2008-07-30 | 株式会社日立製作所 | 試料処理装置用プロセスモニタ及び試料の製造方法 |
US7308367B2 (en) * | 2003-02-03 | 2007-12-11 | Qcept Technologies, Inc. | Wafer inspection system |
US7877161B2 (en) * | 2003-03-17 | 2011-01-25 | Tokyo Electron Limited | Method and system for performing a chemical oxide removal process |
US9855698B2 (en) | 2013-08-07 | 2018-01-02 | Massachusetts Institute Of Technology | Automatic process control of additive manufacturing device |
JP6751871B2 (ja) | 2014-11-25 | 2020-09-09 | ピーディーエフ ソリューションズ,インコーポレイテッド | 半導体製造プロセスのための改善されたプロセス制御技術 |
KR101661818B1 (ko) | 2014-12-23 | 2016-09-30 | (주)해인씨앤에스 | 제조 공정 라인의 공정 및 품질 관리 방법 |
JP6516583B2 (ja) * | 2015-06-22 | 2019-05-22 | パナソニック株式会社 | 半導体試料の結晶欠陥検出装置及び結晶欠陥検出方法 |
WO2017022234A1 (ja) * | 2015-08-06 | 2017-02-09 | 日本電気株式会社 | 製造プロセス分析装置、製造プロセス分析方法、及び、製造プロセス分析プログラムが格納された記録媒体 |
KR102440742B1 (ko) * | 2017-05-25 | 2022-09-05 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 검사 시스템 및 그 동작 방법 |
JP2019138660A (ja) * | 2018-02-06 | 2019-08-22 | 東芝メモリ株式会社 | 欠陥検査装置および欠陥検査方法 |
-
2020
- 2020-05-27 JP JP2020092150A patent/JP7453853B2/ja active Active
-
2021
- 2021-03-16 KR KR1020210033800A patent/KR20210146784A/ko not_active Application Discontinuation
- 2021-03-23 US US17/209,735 patent/US11609188B2/en active Active
- 2021-03-25 TW TW110110831A patent/TWI782460B/zh active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003068717A (ja) | 2001-08-28 | 2003-03-07 | Hitachi Ltd | 半導体処理装置 |
JP2018117116A (ja) | 2016-12-23 | 2018-07-26 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | 処理のエンドポイントを制御するためのスペクトルの時系列からの特徴強要方法 |
JP2019047100A (ja) | 2017-08-31 | 2019-03-22 | 株式会社日立製作所 | 計算機、処理の制御パラメータの決定方法、代用試料、計測システム、及び計測方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI782460B (zh) | 2022-11-01 |
US20210372943A1 (en) | 2021-12-02 |
US11609188B2 (en) | 2023-03-21 |
JP2021190491A (ja) | 2021-12-13 |
KR20210146784A (ko) | 2021-12-06 |
TW202144771A (zh) | 2021-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7453853B2 (ja) | 処理条件決定システムおよび処理条件探索方法 | |
TWI745723B (zh) | 探索裝置 | |
JP5162778B2 (ja) | プロセスパラメータを分散に関連づける分散関数を用いた構造のプロファイルパラメータの決定 | |
JP3708031B2 (ja) | プラズマ処理装置および処理方法 | |
US9727049B2 (en) | Qualitative fault detection and classification system for tool condition monitoring and associated methods | |
KR101311640B1 (ko) | 웨이퍼 균일성 제어에서의 동적 계측 샘플링을 이용한 웨이퍼 처리 방법 | |
JP5026326B2 (ja) | エッチング処理状態の判定方法、システム | |
US7580767B2 (en) | Methods of and apparatuses for maintenance, diagnosis, and optimization of processes | |
KR102065820B1 (ko) | 공정 모니터링 및 수율 관리를 위한 계산된 전기적 성능 메트릭 | |
TW201838053A (zh) | 由光譜之時間序列的特徵部抽取以控制程序終點的方法 | |
JP2005521235A (ja) | 半導体ウエハの処理装置及び方法 | |
US8452441B2 (en) | Process quality predicting system and method thereof | |
KR20140069290A (ko) | 고처리량 박막 특성화 및 결함 검출 | |
US9519285B2 (en) | Systems and associated methods for tuning processing tools | |
JP2005172830A (ja) | 集積回路構造のプロファイルを決定する方法及びシステム又はコンピュータ読取可能な記録媒体 | |
JP2009532869A (ja) | 光計測を用いたウエハ上に形成された損傷構造の測定 | |
US7369697B2 (en) | Process variable of interest monitoring and control | |
KR100455559B1 (ko) | 측정 가능한 장비 신호들을 이용한 공정수행 인-라인모니터링을 위한 방법 및 시스템 | |
JP2006074067A (ja) | プラズマ処理装置および処理方法 | |
KR102533948B1 (ko) | 플라즈마 처리를 위한 플라즈마 소스에 대한 안정성 모니터링 및 개선을 위한 방법 | |
CN113994453A (zh) | 半导体装置制造系统以及半导体装置制造方法 | |
JP4480482B2 (ja) | プラズマエッチング処理装置の制御方法およびトリミング量制御システム | |
TW202145082A (zh) | 處理條件探索裝置及處理條件探索方法 | |
JP4344674B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
US7393459B2 (en) | Method for automatic determination of substrates states in plasma processing chambers |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230119 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20231127 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231205 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240227 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240308 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7453853 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |