JP2002243368A - 平面ガラス基板用連続式焼成炉 - Google Patents
平面ガラス基板用連続式焼成炉Info
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- JP2002243368A JP2002243368A JP2001043266A JP2001043266A JP2002243368A JP 2002243368 A JP2002243368 A JP 2002243368A JP 2001043266 A JP2001043266 A JP 2001043266A JP 2001043266 A JP2001043266 A JP 2001043266A JP 2002243368 A JP2002243368 A JP 2002243368A
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- Japan
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- zone
- furnace
- atmosphere
- glass substrate
- flat glass
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- Tunnel Furnaces (AREA)
- Furnace Details (AREA)
- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高価な耐熱フィルタの使用を極力抑え、か
つ、加熱効率の高い平面ガラス基板用連続式焼成炉を提
供する。 【解決手段】 炉内壁表面に不銹金属材料を用いたエア
タイト構造とするとともに、独立して温度制御可能な複
数のゾーンから構成し、各ゾーンにそれぞれ給気量制御
用ダンパ１６を有するクリーンエアー供給管１ａと排気
量制御用ダンパ１７を有する炉内雰囲気排気管１ｂを接
続し、かつ、ゾーン内温度が２５０〜３００℃以下の装
入側あるいは抽出側のゾーンのうち少なくとも装入側ゾ
ーン内にそれぞれ雰囲気循環通路９を形成するバッフル
７およびこの雰囲気循環通路中に循環ファン１１と加熱
手段１０を配設し、前記バッフル内への循環雰囲気入口
部に耐熱フィルタ１２を配置した平面ガラス基板用連続
式焼成炉。
つ、加熱効率の高い平面ガラス基板用連続式焼成炉を提
供する。 【解決手段】 炉内壁表面に不銹金属材料を用いたエア
タイト構造とするとともに、独立して温度制御可能な複
数のゾーンから構成し、各ゾーンにそれぞれ給気量制御
用ダンパ１６を有するクリーンエアー供給管１ａと排気
量制御用ダンパ１７を有する炉内雰囲気排気管１ｂを接
続し、かつ、ゾーン内温度が２５０〜３００℃以下の装
入側あるいは抽出側のゾーンのうち少なくとも装入側ゾ
ーン内にそれぞれ雰囲気循環通路９を形成するバッフル
７およびこの雰囲気循環通路中に循環ファン１１と加熱
手段１０を配設し、前記バッフル内への循環雰囲気入口
部に耐熱フィルタ１２を配置した平面ガラス基板用連続
式焼成炉。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＰＤＰ（プラズマ
ディスプレイパネル）等の平面ガラス基板用連続式焼成
炉に関するものである。
ディスプレイパネル）等の平面ガラス基板用連続式焼成
炉に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＰＤＰ等の製造工程には、平面ガラス基
板上に形成した隔壁、蛍光体あるいはシールフリット等
を焼成する工程があり、この焼成工程に使用する連続式
焼成炉は清浄な雰囲気中で処理する必要があることか
ら、たとえば、炉内に耐熱ガラスを上下左右に配置して
処理室を形成し、この処理室内で結晶化ガラスセッター
（架台）上に基板を水平に保持し、ハースローラで炉内
移送しながら輻射主体で加熱する形式のものと、炉内
に、上部に耐熱フィルタを配置したバッフルで処理室を
形成し、架台上に略垂直に平面ガラス基板を保持し、前
記架台をハースローラで炉内移送しながら、平面ガラス
基板を強制対流主体で加熱および冷却する形式のものが
ある。
板上に形成した隔壁、蛍光体あるいはシールフリット等
を焼成する工程があり、この焼成工程に使用する連続式
焼成炉は清浄な雰囲気中で処理する必要があることか
ら、たとえば、炉内に耐熱ガラスを上下左右に配置して
処理室を形成し、この処理室内で結晶化ガラスセッター
（架台）上に基板を水平に保持し、ハースローラで炉内
移送しながら輻射主体で加熱する形式のものと、炉内
に、上部に耐熱フィルタを配置したバッフルで処理室を
形成し、架台上に略垂直に平面ガラス基板を保持し、前
記架台をハースローラで炉内移送しながら、平面ガラス
基板を強制対流主体で加熱および冷却する形式のものが
ある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前者
は、炉内雰囲気がフィルタを介して循環するものでない
ため炉内で発生したパーティクル等は除去されず、積極
的クリーン化機能が小さくパーティクル対応が不安定で
あるばかりか、輻射主体の加熱であることからガラス基
板への熱伝達速度が小さく、また、平面ガラス基板は水
平状態で連続的に搬送されるから温度分布差が大きいと
いう問題点を有する。
は、炉内雰囲気がフィルタを介して循環するものでない
ため炉内で発生したパーティクル等は除去されず、積極
的クリーン化機能が小さくパーティクル対応が不安定で
あるばかりか、輻射主体の加熱であることからガラス基
板への熱伝達速度が小さく、また、平面ガラス基板は水
平状態で連続的に搬送されるから温度分布差が大きいと
いう問題点を有する。
【０００４】一方、後者は、強制対流主体の加熱である
ことから前者の問題点の一部（平面ガラス基板への熱伝
達速度が小さく、また温度分布差が大きい）は解消でき
るものの、耐熱フィルタによる圧損が大きく、単位面積
通過風速が小さいという問題を、また、２５０〜３００
℃超の各ゾーンでは耐熱フィルタが高温酸化してパーテ
ィクルが発生し雰囲気の清浄化を一定に保持できないと
ともに高価な耐熱フィルタを多数必要とするため設備が
高価になるという問題があった。
ことから前者の問題点の一部（平面ガラス基板への熱伝
達速度が小さく、また温度分布差が大きい）は解消でき
るものの、耐熱フィルタによる圧損が大きく、単位面積
通過風速が小さいという問題を、また、２５０〜３００
℃超の各ゾーンでは耐熱フィルタが高温酸化してパーテ
ィクルが発生し雰囲気の清浄化を一定に保持できないと
ともに高価な耐熱フィルタを多数必要とするため設備が
高価になるという問題があった。
【０００５】したがって、本発明は、前記課題を簡単な
構成で解決することのできる平面ガラス基板用連続式焼
成炉を提供することを目的とする。
構成で解決することのできる平面ガラス基板用連続式焼
成炉を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達
成するために、炉内壁表面に不銹金属材料を用いたエア
タイト構造とするとともに、独立して温度制御可能な複
数のゾーンから構成し、各ゾーンにそれぞれ給気量制御
用ダンパを有するクリーンエアー供給管と排気量制御用
ダンパを有する炉内雰囲気排気管を接続し、かつ、ゾー
ン内温度が２５０〜３００℃以下の装入側あるいは抽出
側のゾーンのうち少なくとも装入側ゾーン内にそれぞれ
雰囲気循環通路を形成するバッフルおよびこの雰囲気循
環通路中に循環ファンと加熱手段を配設し、前記バッフ
ル内への循環雰囲気入口部に耐熱フィルタを配置した構
成としたものである。
成するために、炉内壁表面に不銹金属材料を用いたエア
タイト構造とするとともに、独立して温度制御可能な複
数のゾーンから構成し、各ゾーンにそれぞれ給気量制御
用ダンパを有するクリーンエアー供給管と排気量制御用
ダンパを有する炉内雰囲気排気管を接続し、かつ、ゾー
ン内温度が２５０〜３００℃以下の装入側あるいは抽出
側のゾーンのうち少なくとも装入側ゾーン内にそれぞれ
雰囲気循環通路を形成するバッフルおよびこの雰囲気循
環通路中に循環ファンと加熱手段を配設し、前記バッフ
ル内への循環雰囲気入口部に耐熱フィルタを配置した構
成としたものである。
【０００７】また、平面ガラス基板を水平保持する場
合、平面ガラス基板を各ゾーン毎のタクト送りで搬送す
るのが好ましい。
合、平面ガラス基板を各ゾーン毎のタクト送りで搬送す
るのが好ましい。
【０００８】さらに、ゾーン内温度が２５０〜３００℃
超の各ゾーン内に耐熱性板を上下左右に配置して処理室
を形成し、この処理室内に平面ガラス基板を位置させ、
処理室の外方に配設した加熱手段で平面ガラス基板を輻
射加熱するようにしてもよい。
超の各ゾーン内に耐熱性板を上下左右に配置して処理室
を形成し、この処理室内に平面ガラス基板を位置させ、
処理室の外方に配設した加熱手段で平面ガラス基板を輻
射加熱するようにしてもよい。
【０００９】
【発明の実施の形態】つぎに、本発明の実施の形態につ
いて図にしたがって説明する。まず、本発明にかかる平
面ガラス基板用連続式焼成炉（以下、焼成炉という）Ｔ
は、図１に示すように、炉天井と炉床に設けた仕切壁
２，３によって区画された複数のゾーン（図では１３ゾ
ーン）で構成され、各ゾーンは図２に示すように、所定
温度にそれぞれ制御される。
いて図にしたがって説明する。まず、本発明にかかる平
面ガラス基板用連続式焼成炉（以下、焼成炉という）Ｔ
は、図１に示すように、炉天井と炉床に設けた仕切壁
２，３によって区画された複数のゾーン（図では１３ゾ
ーン）で構成され、各ゾーンは図２に示すように、所定
温度にそれぞれ制御される。
【００１０】前記焼成炉Ｔは、下部に多数のハースロー
ラ６が炉長方向にわたって等ピッチに設けられるととも
に、その装入側には装入扉４が、また、抽出側には抽出
扉５が設けてある。
ラ６が炉長方向にわたって等ピッチに設けられるととも
に、その装入側には装入扉４が、また、抽出側には抽出
扉５が設けてある。
【００１１】また、炉壁１は炉内側表面に不銹金属板を
内張りした溶接エアタイト構造とし、断熱材からのアウ
トガスやパーティクルの炉内侵入を防止してある。
内張りした溶接エアタイト構造とし、断熱材からのアウ
トガスやパーティクルの炉内侵入を防止してある。
【００１２】そして、２５０〜３００℃以下のゾーン、
すなわち、前記焼成炉Ｔの装入側ゾーン（Ｎｏ.１ゾー
ン、Ｎｏ.２ゾーン）と抽出側ゾーン（Ｎｏ.１１〜Ｎ
ｏ.１３ゾーン）は図３の構成に、その他のゾーンでは
図４の構成となっている。
すなわち、前記焼成炉Ｔの装入側ゾーン（Ｎｏ.１ゾー
ン、Ｎｏ.２ゾーン）と抽出側ゾーン（Ｎｏ.１１〜Ｎ
ｏ.１３ゾーン）は図３の構成に、その他のゾーンでは
図４の構成となっている。
【００１３】すなわち、図３において、７は、下方が開
口し天井部が多孔板８からなる炉内に設けたバッフル
で、その一側は炉壁１と一体構造となり、バッフル７の
他側と炉壁１の間に形成される雰囲気循環通路９には加
熱手段であるヒータ１０と循環ファン１１が配設され、
循環ファン１１の回転により、雰囲気は耐熱フィルタ１
２、多孔板８を通ってバッフル７内に流入し、架台Ａに
略垂直に保持された平面ガラス基板Ｐを上方から下方に
向かって吹き付けられ、炉内循環するようになってい
る。これは、２５０〜３００℃以下のゾーン、特に、装
入側ゾーンにおいては、平面ガラス基板Ｐ上に隔壁等を
形成するために樹脂バインダ等を使用するが、この帯域
においては樹脂バインダ等有機物の蒸発が激しく、バッ
フル７の内部でのパーティクル発生が大きく、当該バッ
フル７内で発生するパーティクルが循環して再度バッフ
ル７内への流入と、他のバッフル７からのパーティクル
の流入を防止するためである。
口し天井部が多孔板８からなる炉内に設けたバッフル
で、その一側は炉壁１と一体構造となり、バッフル７の
他側と炉壁１の間に形成される雰囲気循環通路９には加
熱手段であるヒータ１０と循環ファン１１が配設され、
循環ファン１１の回転により、雰囲気は耐熱フィルタ１
２、多孔板８を通ってバッフル７内に流入し、架台Ａに
略垂直に保持された平面ガラス基板Ｐを上方から下方に
向かって吹き付けられ、炉内循環するようになってい
る。これは、２５０〜３００℃以下のゾーン、特に、装
入側ゾーンにおいては、平面ガラス基板Ｐ上に隔壁等を
形成するために樹脂バインダ等を使用するが、この帯域
においては樹脂バインダ等有機物の蒸発が激しく、バッ
フル７の内部でのパーティクル発生が大きく、当該バッ
フル７内で発生するパーティクルが循環して再度バッフ
ル７内への流入と、他のバッフル７からのパーティクル
の流入を防止するためである。
【００１４】なお、前記耐熱フィルタ１２は、たとえ
ば、ニッケルマットや耐熱合金繊維マットからなり、１
〜５μｍ程度の塵やパーティクルを９５％以上、５μｍ
以上の粒子を１００％除去できるものである。
ば、ニッケルマットや耐熱合金繊維マットからなり、１
〜５μｍ程度の塵やパーティクルを９５％以上、５μｍ
以上の粒子を１００％除去できるものである。
【００１５】また、前記雰囲気循環通路９には、炉外に
設置した給気ファン１４により外気が給気フィルタ１５
を通って清浄化されたのち、給気量制御ダンパ１６の開
度に応じてクリーンエアー供給管１ａから供給される。
設置した給気ファン１４により外気が給気フィルタ１５
を通って清浄化されたのち、給気量制御ダンパ１６の開
度に応じてクリーンエアー供給管１ａから供給される。
【００１６】一方、ゾーンを構成する焼成炉Ｔの天井部
には炉内雰囲気排気管１ｂが設けられ、前記循環雰囲気
の一部が排気量制御ダンパ１７開度に応じて排気される
ようになっている。なお、Ｎｏ.１１〜Ｎｏ.１３ゾーン
においては加熱手段１０を備えていない。
には炉内雰囲気排気管１ｂが設けられ、前記循環雰囲気
の一部が排気量制御ダンパ１７開度に応じて排気される
ようになっている。なお、Ｎｏ.１１〜Ｎｏ.１３ゾーン
においては加熱手段１０を備えていない。
【００１７】図４は、図３と比較すれば明らかなよう
に、図３における耐熱フィルタ１２を設けていない点に
おいてのみ相違する。
に、図３における耐熱フィルタ１２を設けていない点に
おいてのみ相違する。
【００１８】これは、３００℃超の高温ゾーンにおいて
は、樹脂バインダ等からのパーティクルの発生は少ない
ため、クリーンエアーの給気と排気とによる内部雰囲気
希釈により高価な耐熱フィルタ１２がなくても充分にク
リーン度が維持できるため省略し、かつ、耐熱フィルタ
１２の高温酸化によるパーティクルの発生をも防止した
ものである。
は、樹脂バインダ等からのパーティクルの発生は少ない
ため、クリーンエアーの給気と排気とによる内部雰囲気
希釈により高価な耐熱フィルタ１２がなくても充分にク
リーン度が維持できるため省略し、かつ、耐熱フィルタ
１２の高温酸化によるパーティクルの発生をも防止した
ものである。
【００１９】つぎに、前記構成からなる焼成炉Ｔを使用
して、平面ガラス基板Ｐに形成された隔壁、蛍光体ある
いはシールフリット等の焼成方法について説明する。
して、平面ガラス基板Ｐに形成された隔壁、蛍光体ある
いはシールフリット等の焼成方法について説明する。
【００２０】まず、隔壁等が形成された複数の平面ガラ
ス基板Ｐを架台Ａ上の治具（図示せず）に縦方向に所定
間隔で装着して焼成炉Ｔの装入口から装入する。炉内に
装入された平面ガラス基板Ｐは、ハースローラ６によっ
て抽出側に向けて順次搬送される。
ス基板Ｐを架台Ａ上の治具（図示せず）に縦方向に所定
間隔で装着して焼成炉Ｔの装入口から装入する。炉内に
装入された平面ガラス基板Ｐは、ハースローラ６によっ
て抽出側に向けて順次搬送される。
【００２１】Ｎｏ.１ゾーンとＮｏ.２ゾーンでは、前記
図３に示すように、雰囲気循環通路９でラジアントチュ
ーブバーナやヒータ等の加熱手段１０で各ゾーンに対応
した所定温度に加熱された循環雰囲気が循環ファン１１
により耐熱フィルタ１２を通ってバッフル７内に送り込
まれるが、この循環雰囲気は耐熱フィルタ１２を通過す
る際に塵や埃あるいは樹脂バインダからのパーティクル
が除去されるとともに整流され、清浄な雰囲気となって
平面ガラス基板Ｐに向けて上方より吹き付けられ、平面
ガラス基板Ｐは対流加熱により５〜１５℃／分の昇降速
度で加熱され、この間に、隔壁等中に含まれる樹脂バイ
ンダが熱・酸化分解されて大半が気化し、これとともに
発生するパーティクルの一部は炉内に供給されたクリー
ンエアーとともに炉内雰囲気排気管１ｂから炉外に排出
され、残りのパーティクルは耐熱フィルタ１２に捕捉さ
れる。なお、前記クリーンエアーは、たとえば、ＪＩＳ
Ｂ９９２０で示される清浄度クラス７で露点−１０℃程
度の空気であることが好ましい。
図３に示すように、雰囲気循環通路９でラジアントチュ
ーブバーナやヒータ等の加熱手段１０で各ゾーンに対応
した所定温度に加熱された循環雰囲気が循環ファン１１
により耐熱フィルタ１２を通ってバッフル７内に送り込
まれるが、この循環雰囲気は耐熱フィルタ１２を通過す
る際に塵や埃あるいは樹脂バインダからのパーティクル
が除去されるとともに整流され、清浄な雰囲気となって
平面ガラス基板Ｐに向けて上方より吹き付けられ、平面
ガラス基板Ｐは対流加熱により５〜１５℃／分の昇降速
度で加熱され、この間に、隔壁等中に含まれる樹脂バイ
ンダが熱・酸化分解されて大半が気化し、これとともに
発生するパーティクルの一部は炉内に供給されたクリー
ンエアーとともに炉内雰囲気排気管１ｂから炉外に排出
され、残りのパーティクルは耐熱フィルタ１２に捕捉さ
れる。なお、前記クリーンエアーは、たとえば、ＪＩＳ
Ｂ９９２０で示される清浄度クラス７で露点−１０℃程
度の空気であることが好ましい。
【００２２】その後、平面ガラス基板Ｐは、Ｎｏ.３ゾ
ーンからＮｏ.１０ゾーンにおいて、図４に示すよう
に、雰囲気循環通路９で加熱手段１０により各ゾーンに
対応した所定温度に循環雰囲気が保持され、循環ファン
１１によりバッフル７内に吹き込まれ、平面ガラス基板
Ｐは加熱、焼成および除冷されたのちＮｏ.１１〜Ｎｏ.
１３ゾーンで冷却されて炉外に抽出される。
ーンからＮｏ.１０ゾーンにおいて、図４に示すよう
に、雰囲気循環通路９で加熱手段１０により各ゾーンに
対応した所定温度に循環雰囲気が保持され、循環ファン
１１によりバッフル７内に吹き込まれ、平面ガラス基板
Ｐは加熱、焼成および除冷されたのちＮｏ.１１〜Ｎｏ.
１３ゾーンで冷却されて炉外に抽出される。
【００２３】なお、各ゾーンは、仕切壁２，３で区画さ
れているため、隣接ゾーン間での雰囲気の混合が少な
く、各ゾーンは独立した温度に保持される。
れているため、隣接ゾーン間での雰囲気の混合が少な
く、各ゾーンは独立した温度に保持される。
【００２４】前記第１の実施の形態では、平面ガラス基
板Ｐを搬送方向と直角に垂直に起立させ、炉内雰囲気を
バッフル７内で上方から下方に循環させる強制対流方式
の場合を示したが、Ｎｏ.１、Ｎｏ.２、Ｎｏ.１１〜Ｎ
ｏ.１３ゾーンを図５に、残りのゾーンを図６に示す構
造として、炉内雰囲気をバッフル７内で横方向に循環さ
せる強制対流方式としてもよい。この形式にあっては、
図７に示すように、架台Ａ上に平面ガラス基板Ｐを所定
間隔で水平状に載置して焼成する場合にも適用すること
ができ、この場合、架台Ａの搬送はゾーン毎のタクト送
りとし、平面ガラス基板Ｐの温度分布の悪化を防止す
る。
板Ｐを搬送方向と直角に垂直に起立させ、炉内雰囲気を
バッフル７内で上方から下方に循環させる強制対流方式
の場合を示したが、Ｎｏ.１、Ｎｏ.２、Ｎｏ.１１〜Ｎ
ｏ.１３ゾーンを図５に、残りのゾーンを図６に示す構
造として、炉内雰囲気をバッフル７内で横方向に循環さ
せる強制対流方式としてもよい。この形式にあっては、
図７に示すように、架台Ａ上に平面ガラス基板Ｐを所定
間隔で水平状に載置して焼成する場合にも適用すること
ができ、この場合、架台Ａの搬送はゾーン毎のタクト送
りとし、平面ガラス基板Ｐの温度分布の悪化を防止す
る。
【００２５】また、２５０〜３００℃超の各ゾーンを図
８に示すように、耐熱ガラス、インコネル、ＳＵＳ３０
９系、ＳＵＳ３１０系等の耐熱性板を上下左右に配置し
て炉内マッフル（処理室）１８を形成し、加熱手段１０
を炉内マッフル１８の外方に配置して平面ガラス基板Ｐ
を輻射加熱するようにしてもよい。なお、この場合、ク
リーンエアーは炉内マッフル１８内に直接供給され、排
気されるものである。
８に示すように、耐熱ガラス、インコネル、ＳＵＳ３０
９系、ＳＵＳ３１０系等の耐熱性板を上下左右に配置し
て炉内マッフル（処理室）１８を形成し、加熱手段１０
を炉内マッフル１８の外方に配置して平面ガラス基板Ｐ
を輻射加熱するようにしてもよい。なお、この場合、ク
リーンエアーは炉内マッフル１８内に直接供給され、排
気されるものである。
【００２６】なお、前記説明では、２５０〜３００℃以
下の装入側と抽出側ゾーンに耐熱フィルタ１２を用いる
ようにしたが、抽出側ゾーンでは樹脂バインダからのパ
ーティクルの発生がないため耐熱フィルタ１２を必ずし
も設ける必要はない。
下の装入側と抽出側ゾーンに耐熱フィルタ１２を用いる
ようにしたが、抽出側ゾーンでは樹脂バインダからのパ
ーティクルの発生がないため耐熱フィルタ１２を必ずし
も設ける必要はない。
【００２７】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
平面ガラス基板用連続焼成炉によれば、ゾーン内温度が
２５０〜３００℃以下の装入側あるいは抽出側ゾーンの
うち少なくとも樹脂バインダから多量にパーティクルが
発生する装入側ゾーンに設けたバッフルへの循環雰囲気
入口部にのみ高価な耐熱フィルタを設け、他のゾーンに
は耐熱フィルタを設けないため、それだけ従来のものよ
り装置が安価である。
平面ガラス基板用連続焼成炉によれば、ゾーン内温度が
２５０〜３００℃以下の装入側あるいは抽出側ゾーンの
うち少なくとも樹脂バインダから多量にパーティクルが
発生する装入側ゾーンに設けたバッフルへの循環雰囲気
入口部にのみ高価な耐熱フィルタを設け、他のゾーンに
は耐熱フィルタを設けないため、それだけ従来のものよ
り装置が安価である。
【００２８】また、前記循環雰囲気入口部に耐熱フィル
タを設けると、流通抵抗が増加し循環ファン能力を増大
する必要があるが、殆どのゾーンに耐熱フィルタを設け
ないため循環ファンも安価なものとなる。
タを設けると、流通抵抗が増加し循環ファン能力を増大
する必要があるが、殆どのゾーンに耐熱フィルタを設け
ないため循環ファンも安価なものとなる。
【００２９】また、請求項２においては、平面ガラス基
板を水平に保持し、各ゾーン毎にタクト送りとするた
め、平面ガラス基板の一部が隣接ゾーンに位置すること
がなく均熱化を図ることができる。
板を水平に保持し、各ゾーン毎にタクト送りとするた
め、平面ガラス基板の一部が隣接ゾーンに位置すること
がなく均熱化を図ることができる。
【図１】 本発明にかかる平面ガラス基板用連続式焼成
炉の一部省略断面図。
炉の一部省略断面図。
【図２】 図１における各ゾーンの炉温と平面ガラス基
板温度を示すグラフ。
板温度を示すグラフ。
【図３】 図１のＮｏ.２ゾーンの断面図。
【図４】 図１のＮｏ.３ゾーンの断面図。
【図５】 図３の他の形態を示す断面図。
【図６】 図４の他の形態を示す断面図。
【図７】 平面ガラス基板を水平送りする場合の図１に
おけるＮｏ.２ゾーンの断面図。
おけるＮｏ.２ゾーンの断面図。
【図８】 図４のその他の形態を示す断面図。
１〜炉壁、１ａ〜クリーンエアー供給管、１ｂ〜炉内雰
囲気排気管、２，３〜仕切壁、６〜ハースローラ、７〜
バッフル、８〜多孔板、９〜雰囲気循環通路、１０〜加
熱手段、１１〜循環ファン、１２〜耐熱フィルタ、１４
〜給気ファン、１５〜給気フィルタ、１８〜炉内マッフ
ル、Ａ〜架台、Ｐ〜平面ガラス基板、Ｔ〜焼成炉。
囲気排気管、２，３〜仕切壁、６〜ハースローラ、７〜
バッフル、８〜多孔板、９〜雰囲気循環通路、１０〜加
熱手段、１１〜循環ファン、１２〜耐熱フィルタ、１４
〜給気ファン、１５〜給気フィルタ、１８〜炉内マッフ
ル、Ａ〜架台、Ｐ〜平面ガラス基板、Ｔ〜焼成炉。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｆ２７Ｄ 7/06 Ｆ２７Ｄ 7/06 Ｂ Ｆターム(参考） 4G015 EA00 4K050 AA04 BA07 BA16 CA04 CA11 CB03 CC07 CC08 CC09 CC10 CD12 4K063 AA06 AA15 BA06 BA12 CA01 CA08 DA14 DA15 DA22 DA24 DA26 DA28
Claims (3)
- 【請求項１】 炉内壁表面に不銹金属材料を用いたエア
タイト構造とするとともに、独立して温度制御可能な複
数のゾーンから構成し、各ゾーンにそれぞれ給気量制御
用ダンパを有するクリーンエアー供給管と排気量制御用
ダンパを有する炉内雰囲気排気管を接続し、かつ、ゾー
ン内温度が２５０〜３００℃以下の装入側あるいは抽出
側のゾーンのうち少なくとも装入側ゾーン内にそれぞれ
雰囲気循環通路を形成するバッフルおよびこの雰囲気循
環通路中に循環ファンと加熱手段を配設し、前記バッフ
ル内への循環雰囲気入口部に耐熱フィルタを配置したこ
とを特徴とする平面ガラス基板用連続式焼成炉。 - 【請求項２】 前記平面ガラス基板を水平保持して基板
を各ゾーン毎のタクト送りとすることを特徴とする前記
請求項１に記載の平面ガラス基板用連続式焼成炉。 - 【請求項３】 ゾーン内温度が２５０〜３００℃超の各
ゾーン内に耐熱性板を上下左右に配置して処理室を形成
し、この処理室内に平面ガラス基板を位置させ、処理室
の外方に配設した加熱手段で平面ガラス基板を輻射加熱
することを特徴とする前記請求項１および請求項２に記
載の平面ガラス基板用連続式焼成炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001043266A JP4402846B2 (ja) | 2001-02-20 | 2001-02-20 | 平面ガラス基板用連続式焼成炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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