JP2000203881A - 連続式焼成炉におけるガラス材の焼成方法 - Google Patents

連続式焼成炉におけるガラス材の焼成方法

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JP2000203881A
JP2000203881A JP11004846A JP484699A JP2000203881A JP 2000203881 A JP2000203881 A JP 2000203881A JP 11004846 A JP11004846 A JP 11004846A JP 484699 A JP484699 A JP 484699A JP 2000203881 A JP2000203881 A JP 2000203881A
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Shunsuke Yamada
俊介 山田
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    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B25/00Annealing glass products
    • C03B25/04Annealing glass products in a continuous way
    • C03B25/06Annealing glass products in a continuous way with horizontal displacement of the glass products
    • C03B25/08Annealing glass products in a continuous way with horizontal displacement of the glass products of glass sheets

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  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 焼成中のガラス材の前端部と後端部の温度差
が少量に抑制され、焼成後のガラス材の歪みや割れを防
止できる連続式焼成炉におけるガラス材の焼成方法を提
供する。 【解決手段】 連続式焼成炉1の炉体2内を炉長方向に
複数個のゾーン11,12,……に区画し、1ゾーンお
きに配置したガラス材Wを、所定の停止時間をおいて隣
接する前側のゾーン内へと順次間欠的に搬送し、ガラス
材が停止している停止ゾーンにおいては、ガラス材の加
熱冷却曲線の該停止ゾーン相当部分曲線H ,H……
に従って炉温を制御するとともに、ガラス材が停止して
いない非停止ゾーンにおいては、前記停止時間の終了時
における隣接する後側のゾーンの炉温とほぼ等しくなる
ように炉温を制御する

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、連続式焼成炉に
おいてたとえばプラズマディスプレイパネルのガラス基
板のようなガラス材を焼成する焼成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】一般にプラズマディスプレイパネルの背
面基板、前面基板、およびこれら両基板の貼合体などの
製造工程においては、螢光層や隔壁、電極、周縁部封着
層などを形成するために、螢光体ペーストやガラスペー
ストなどの各種ペーストを塗布したガラス基板を焼成す
る必要があり、この焼成にはローラハース式などの連続
式焼成炉が用いられている。
【0003】そして上記の焼成は、図6に示すように連
続式焼成炉40の炉体41内を炉長方向に複数個(この
例では10個)のゾーン42に区画し、マッフルにより
包囲され各ゾーンを貫通する搬送路43内においてガラ
ス基板Wを一定の低速度で連続搬送するとともに、各ゾ
ーンにおいてはガラス基板Wに対する加熱、保温、冷却
の各処理に応じて、図中破線で示すように各ゾーン内を
常時一定の設定炉温に維持するよう炉温制御をおこなっ
て、図示しないヒータによる輻射加熱および冷却器によ
る輻射冷却によって、ガラス基板Wを加熱冷却曲線Hに
従って加熱冷却し、焼成をおこなっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところが上記の焼成法
においては、連続移動中のガラス基板が設定炉温の異な
る2つのゾーンにまたがった状態となったとき、ガラス
基板の前端部と後端部は、大きく異なる温度で加熱ある
いは冷却されることになり、ガラス面内には前側と後側
で温度差を生じ、このような温度差発生過程を繰返して
受けた焼成後のガラス基板は、歪みを発生して扇板状に
変形したり、内部応力により割れを発生したりするとい
う問題点を有するものであった。
【0005】この発明は上記問題点を解決するもので、
焼成中のガラス材の前端部と後端部の温度差が少量に抑
制され、焼成後のガラス材の歪みや割れを防止できる連
続式焼成炉におけるガラス材の焼成方法を提供しようと
するものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】この発明の連続式焼成炉
におけるガラス材の焼成方法は、連続式焼成炉の炉体内
を炉長方向に複数個のゾーン(詳しくは温度制御ゾー
ン)に区画し、1ゾーンおきに配置したガラス材を、所
定の停止時間をおいて隣接する前側のゾーン内へと順次
間欠的に搬送し、ガラス材が停止している停止ゾーンに
おいては、ガラス材の加熱冷却曲線の該停止ゾーン相当
部分曲線に従って炉温を制御してガラス材を加熱または
冷却するとともに、ガラス材が停止していない非停止ゾ
ーンにおいては、前記停止時間の終了時における隣接す
る後側のゾーンの炉温とほぼ等しくなるように炉温を制
御することを特徴とする。
【0007】この発明において「前」側とはガラス材の
搬送時進行方向側を称し、「後」側とはその反対側を称
するものとする。
【0008】この発明において停止ゾーンにおけるガラ
ス材の加熱または冷却は、輻射伝熱によりおこなっても
よいが、請求項2記載の発明のように前記停止ゾーンに
おいてガラス材を対流伝熱により加熱または冷却する構
成とすれば、ガラス基板を炉温の昇降に追従させて迅速
に加熱あるいは冷却できるとともに、ガラス面各部での
温度差の少ない均一温度で加熱あるいは冷却でき、焼成
によるガラス基板の歪みや割れの発生をさらに確実に防
止できるので、好ましい。
【0009】
【発明の実施の形態】以下図1〜図5によりこの発明の
実施の形態の一例を説明する。図中、1は連続式焼成炉
で、炉内搬送装置としてハースローラ2をそなえ、炉体
3内は炉長方向に第1ゾーン11、第2ゾーン12、…
…第10ゾーン20の10個のゾーン(詳しくは温度制
御ゾーン)に区画されている。隣り合うゾーン間は、焼
成処理対象のガラス材であるガラス基板Wの搬送路4以
外の部分を隔壁5で仕切ってあり、各ゾーンに対応する
10個の区画室6が形成してある。3aは炉体3の入
口、7はこの入口に連設した装入室、7aはこの装入室
の入口扉、3bは炉体3の出口、8はこの出口に連設し
た送出室、8aはこの送出室の出口扉である。
【0010】各区画室6には、図2に示すように搬送路
4の上面部を覆う上板21と、搬送路4の一方の側面部
に配置したセラミックフィルタから成るエアフィルタ2
2とを設け、このエアフィルタ22の出口22b側から
搬送路4を横切って搬送路4の他方の側面部から上板2
1の上側を経てエアフィルタ22の入口22a側に至る
循環路23を形成してある。24は循環路23内に炉内
雰囲気を循環させる循環ファンで、上板21の上側を仕
切る炉長方向に延びる上部壁25に設けた吸気口26
に、その羽根車部を臨ませてある。
【0011】また27は炉内雰囲気加熱用のラジアント
チューブから成る加熱器、28は炉内雰囲気冷却用の熱
交換器から成る冷却器である。なお後述の炉温制御パタ
ーンに示すように専ら保温のみをおこなう第5ゾーン1
5および第6ゾーン16の区画室6においては、冷却器
28の設置は省略してよい。一方31はハースローラ2
により支承され炉内搬送される多段式のラックで、4段
に設けられたアーム32上に、計8枚のガラス基板Wが
積載されている。このガラス基板Wは、基板ガラスの片
面に隔壁を形成したものの上に螢光体ペーストを塗布し
た、背面基板形成用のものである。
【0012】次に上記構成の装置を用いた焼成方法を説
明する。この例では、図6に示す従来例の連続搬送によ
る焼成法との差異が明確となるように、図6におけるガ
ラス基板Wに対する加熱冷却曲線Hによる焼成と同処理
をおこなう場合について説明する。先ず多段積みしたガ
ラス基板Wは、ハースローラ2上に1ゾーンおきに配置
され、図4に示すように入口3aから数えて奇数番目の
各ゾーンにガラス基板Wを所定時間(たとえば20分
間)停止させたのち、短時間(たとえば20秒)で隣接
する前側のゾーンへと各ガラス基板Wを一斉に搬送して
図5に示すように偶数番目の各ゾーンに停止させ、以下
同様にしてガラス基板Wを順次間欠的に前方へ搬送す
る。
【0013】そしてこの間欠搬送されるガラス基板Wに
対して、該間欠搬送(停止ゾーンの切換え)に連動させ
て図4に示す炉温制御パターンによる炉温制御と、図5
に示す炉温制御パターンによる炉温制御を交互に切換え
て、ガラス基板の加熱(小熱量の加熱である「保温」を
含む)および冷却をおこなうことにより、以下のように
焼成をおこなう。なお図4および図5の各パターン(時
間−温度線図)において、実線はガラス基板温度を、破
線は炉温制御の設定温度を、一点鎖線は炉温を、それぞ
れ示すものであり、また図4に上記実線で非連続的に示
されるガラス基板温度は図6の加熱冷却曲線Hの奇数番
目のゾーン相当部分曲線と、同じく図5に上記実線で非
連続的に示されるガラス基板温度は図6の加熱冷却曲線
Hの偶数番目のゾーン相当部分曲線と、それぞれ同じで
あり、図4および図5のガラス基板温度を合成すると、
図6の加熱冷却曲線Hとなる。(なお厳密には、ガラス
基板Wの隣接ゾーンへの搬送時間が付加されることにな
るが、この搬送時間は前述のように停止時間に比べて極
めて小さくすることができるので、無視する。)
【0014】すなわち先ず図4に示す炉温制御パターン
において、図示しない装入テーブル上から装入室7内に
装入され待機していたガラス基板Wを、入口3aから最
初の第1ゾーン11内へ搬送し停止させたら、該ゾーン
の区画室6内の加熱器27により雰囲気を加熱して、炉
温を加熱冷却曲線Hの第1ゾーン相当部分曲線Hに従
って設定温度曲線Qに示すようにプログラム制御等に
より制御し、ガラス基板Wを加熱し昇温させる。この
間、ガラス基板の停止していない第2ゾーン12におい
ては、第1ゾーン11におけるガラス基板Wの停止終了
時に達する炉温t とほぼ等しく(たとえば±10℃)
なるように炉温を制御し、これによって第2ゾーン12
の炉温Tは、先行するガラス基板Wの前回の加熱によ
り達していた高温t(図5参照)から上記設定炉温t
まで降下して、第1ゾーン11からのガラス基板の進
入にそなえる。
【0015】またこれらと平行して、ガラス基板が停止
している第3,5,7,9の各ゾーンにおいても、上記
第1ゾーン11と同様にして各停止ゾーン相当曲線
,H ,……に従って炉温を制御してガラス基板W
の加熱または冷却(第7,9ゾーン)をおこない、ガラ
ス基板の停止していない第4,6,8,10の各ゾーン
においても、上記第2ゾーンと同様にして炉温を降温ま
たは昇温(第6,8,10ゾーン)させる。
【0016】ガラス基板Wの所定の停止時間(たとえば
20分間)が経過したら、各ガラス基板Wを前側のゾー
ンへ移送し、図5に示す炉温制御パターンにより、第2
ゾーン12においては炉温を加熱冷却曲線Hの第2ゾー
ン相当部分曲線Hに従って制御してガラス基板Wを加
熱し昇温させ、ガラス基板通過後の第1ゾーン11にお
いては、隣接する後側のゾーンに相当する装入室7の温
度(装入室7を用いない場合は入口3aの外のガラス基
板待機位置の温度)tとほぼ等しくなるように、炉温
を降温制御する。
【0017】またこれらと平行して第4,6,8,10
の各ゾーンにおいても、上記と同様にして各停止ゾーン
相当曲線H,H,……に従って炉温を制御してガラ
ス基板Wの加熱または冷却(第8,10ゾーン)をおこ
ない、第3,5,7,9の各ゾーンにおいても、上記と
同様にして炉温を降温または昇温(第7,9ゾーン)さ
せる。
【0018】再びガラス基板Wの所定の停止時間が経過
したら、各ガラス基板Wを再度前側のゾーンへ搬送し、
図4に示す炉温制御パターンにより各ゾーンの炉温の制
御をおこない、以下同様にしてガラス基板の間欠搬送と
炉温制御パターンの切換えをおこなう。これによって第
1ゾーン11に装入されたガラス基板Wは、各ゾーン内
を順次間欠進行して、加熱冷却曲線H(図6参照)によ
る焼成処理を施され、炉体3の出口3bから送出室8を
経て、蛍光層が形成された背面基板焼成品として炉外へ
送出される。
【0019】そして上記焼成工程において、停止ゾーン
において加熱あるいは冷却されたガラス基板Wが間欠搬
送により隣接する前側のゾーンに移送される際には、こ
れら両ゾーンの炉温は、前側の非停止ゾーンの前述の炉
温制御によって、ほぼ等しい炉温となっているので、ガ
ラス基板Wはその前端部と後端部が大きな温度差のある
雰囲気にさらされるということはなく、ガラス全面は常
にほぼ均一な温度の雰囲気中に保持された状態で加熱あ
るいは冷却がおこなわれる。これによって、従来の焼成
法においてガラス基板の前端部と後端部が大きな温度差
の雰囲気にさらされることにより生じていたガラス基板
の歪みや割れを、一掃することができるのである。
【0020】またこの例においては、各ゾーンを構成す
る区画室6において、加熱器27により加熱され、ある
いは冷却器28により冷却された循環路23内の雰囲気
を、循環ファン24により循環させてエアフィルタ22
により除塵後、ガラス基板W近傍部を強制流通させるこ
とにより、ガラス基板Wを対流伝熱により加熱あるいは
冷却するようにしたので、ガラス基板を炉温の昇降に追
従させて迅速に加熱あるいは冷却できるとともに、ガラ
ス面各部での温度差の少ない均一温度で加熱あるいは冷
却でき、焼成によるガラス基板の歪みや割れの発生をさ
らに確実に防止できるのである。
【0021】この発明は上記の例および後記の実施例に
限定されるものではなく、たとえば加熱冷却曲線Hは、
加熱工程の途中で所定時間の保温をおこなうなど、上記
以外のパターンのものであってもよく、また停止ゾーン
におけるガラス材の加熱および冷却は、輻射伝熱により
おこなってもよい。
【0022】またこの発明は、上記の背面基板用のガラ
ス基板の他に、前面基板用のガラス基板や背面および前
面基板の貼合体など、プラズマディスプレイパネルに用
いられる各種ガラス基板の焼成に広く適用できるととも
に、2枚のガラス板を小間隙をおいて貼合せた複層ガラ
スの製造工程において、ガラスペーストを用いてガラス
板周縁部封着層を形成するためのガラス板の焼成にも適
用できるものである。
【0023】
【実施例】次に実施例によってこの発明をさらに具体的
に説明する。 実施例 前記構成の連続式焼成炉1(但し炉長=15m)を用
い、巾600mm,長さ1000mm,板厚3mmの基板ガラ
スの片面に常法により隔壁を形成したものにスクリーン
印刷により螢光体ペーストを塗布して成るガラス基板W
に対して、装入時基板温度=30℃、焼成(保温)温度
=600℃、送出時基板温度=50℃、加熱時間=80
分、保温時間=40分、冷却時間=80分、各ゾーン中
の停止時間=20分の条件で、図4および図5に示す炉
温制御パターンに基づいて焼成をおこなった。
【0024】上記焼成中のガラス基板Wのガラス面内温
度差は、図6に示す従来の連続搬送による場合は±50
℃であったのに対し、本実施例では±10℃に改善さ
れ、得られた焼成品の歪みは小さく、扇板状の変形は見
られず、また内部応力によるガラスの割れも発生せず、
プラズマディスプレイパネル形成時における画像の歪み
の少ない良好な背面基板が得られた。
【0025】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
停止ゾーンにおいて加熱あるいは冷却されたガラス材が
間欠搬送により隣接する前側のゾーンに移送される際に
は、これら両ゾーンの炉温は、前側の非停止ゾーンの炉
温制御によって、ほぼ等しい炉温となっているので、ガ
ラス材はその前端部と後端部が大きな温度差のある雰囲
気にさらされるということはなく、ガラス全面は常にほ
ぼ均一な温度の雰囲気中に保持された状態で加熱あるい
は冷却がおこなわれるため、焼成中のガラス材の前端部
と後端部の温度差が少量に抑制され、焼成後のガラス材
の歪みや割れを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の形態の一例を示す連続式焼成
炉の装入口側部分の縦断面図である。
【図2】図1のA−A線断面図である。
【図3】図2のB−B線断面図である。
【図4】図1の焼成炉における2つの炉温制御パターン
のうちの一方のパターンを焼成炉略示縦断面図に対応さ
せて示す線図である。
【図5】図1の焼成炉における2つの炉温制御パターン
のうちの他方のパターンを焼成炉略示縦断面図に対応さ
せて示す線図である。
【図6】従来の焼成方法における炉温制御パターンを焼
成炉略示縦断面図に対応させて示す線図である。
【符号の説明】
1…連続式焼成炉、3…炉体、4…搬送路、11…第1
ゾーン、12…第2ゾーン、13…第3ゾーン、14…
第4ゾーン、15…第5ゾーン、16…第6ゾーン、1
7…第7ゾーン、18…第8ゾーン、19…第9ゾー
ン、20…第10ゾーン、23…循環路、24…循環フ
ァン、27…加熱器、28…冷却器、31…ラック、W
…ガラス基板。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 連続式焼成炉の炉体内を炉長方向に複数
    個のゾーンに区画し、1ゾーンおきに配置したガラス材
    を、所定の停止時間をおいて隣接する前側のゾーン内へ
    と順次間欠的に搬送し、ガラス材が停止している停止ゾ
    ーンにおいては、ガラス材の加熱冷却曲線の該停止ゾー
    ン相当部分曲線に従って炉温を制御してガラス材を加熱
    または冷却するとともに、ガラス材が停止していない非
    停止ゾーンにおいては、前記停止時間の終了時における
    隣接する後側のゾーンの炉温とほぼ等しくなるように炉
    温を制御することを特徴とする連続式焼成炉におけるガ
    ラス材の焼成方法。
  2. 【請求項2】 前記停止ゾーンにおいてガラス材を対流
    伝熱により加熱または冷却する請求項1記載の連続式焼
    成炉におけるガラス材の焼成方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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