JP2002237739A

JP2002237739A - 分波器デバイス

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Publication number: JP2002237739A
Application number: JP2001034109A
Authority: JP
Inventors: Yasuhide Iwamoto; 康秀岩本; Osamu Igata; 理伊形; Nobuaki Hirasawa; 暢朗平沢; Hidekuni Fukushima; 英訓福島
Original assignee: Fujitsu Ltd; Fujitsu Media Devices Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd; Fujitsu Media Devices Ltd
Priority date: 2001-02-09
Filing date: 2001-02-09
Publication date: 2002-08-23
Anticipated expiration: 2021-02-09
Also published as: US20020109561A1; KR100642612B1; DE10138812B4; CN1169393C; DE10138812A1; KR20020066361A; CN1368831A; JP3532158B2; SG101984A1; US6466103B2

Abstract

(57)【要約】【課題】この発明は、分波器デバイスに関し、整合回
路を形成する線路パターンとの形状とこれに接続される
分波器パッケージのパッドの位置とを適切に設定するこ
とにより、分波器デバイスの小型化とフィルタ特性の安
定化を図ることを課題とする。【解決手段】異なる帯域中心周波数を有する２つの弾
性表面波フィルタと、２つの弾性表面波フィルタ同士の
位相を整合させるための線路パターンとを備えた分波器
デバイスであって、前記線路パターンと各弾性表面波フ
ィルタ上の端子及び前記線路パターンと外部アンテナに
接続される共通端子とを接続するためのパッドを含む複
数のパッドが形成されたワイヤボンディングパッド層を
備え、一方の弾性表面波フィルタと線路パターンの第１
の端部とに接続される第１のパッドと、前記共通端子と
線路パターンの第２の端部とに接続される第２のパッド
とが、ワイヤボンディングパッド層内において最も離れ
た位置に形成されたことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、分波器デバイス
に関し、特に、弾性表面波フィルタを用いた分波器デバ
イスに関する。近年、移動体通信システムの発展に伴っ
て、携帯電話，携帯情報端末が急速に普及しており、さ
らに、小型化かつ高性能化が求められている。また、使
用周波数も、８００ＭＨｚ〜１ＧＨｚ帯，１．５ＧＨｚ
〜２．０ＧＨｚ等、多岐にわたっている。

【０００２】

【従来の技術】近年の携帯電話の開発では、システムの
多様化によりデュアルモード（アナログとディジタルの
併用、ディジタルのＴＤＭＡ：時間分割変調方式、とＣ
ＤＭＡ：コード分割変調方式の併用）あるいはデュアル
バンド(800MHz帯と1.9GHz帯の併用、900MHz帯と1.8GHz
帯あるいは1.5GHz帯の併用)化を行うことで端末を高機
能化することが行われている。

【０００３】これに伴い、携帯電話に用いる部品（たと
えばフィルタ）も高機能化が求められている。さらに、
高機能化以外に小型且つ低コスト化の要求も当然のよう
に求められている。これらの移動体通信機器では、アン
テナを通して送受信される信号の分岐、生成を行うＲＦ
部における部品として、アンテナ分波器が用いられてい
る。

【０００４】図３６に、従来から用いられている携帯電
話の高周波部の構成ブロック図を示す。マイクから入力
された音声信号１００は、変調器１０１によって携帯電
話システムの変調方式の変調信号に変換され、さらに局
部発信器１０８によって所定の搬送周波数に変換された
後、その所定の送信周波数の信号のみを選択する段間フ
ィルタ１０２を通過し、パワーアンプ１０３によって所
望の信号強度にまで増幅され、アンテナ分波器１０５に
送られる。アンテナ分波器１０５は、所定の送信周波数
の信号のみをアンテナ１０４に送り、アンテナ１０４か
ら無線信号として空気中に送信する。

【０００５】一方、アンテナ１０４で受信された信号
は、アンテナ分波器１０５に送られ、所定の周波数の信
号だけが選択される。選択された受信信号は、ローノイ
ズアンプ１０６により増幅され、段間フィルタ１０７を
経由した後、通話信号のみをＩＦフィルタにより選択し
て復調器１１１により音声信号１００として取り出され
る。アンテナ分波器１０５は、アンテナ１０４といわゆ
る音声信号の処理回路との間に位置し、送信信号及び受
信信号を分配し、それぞれが干渉しないようにする機能
を備えたものである。

【０００６】アンテナ分波器は少なくとも送信用フィル
タと受信用フィルタが必要であり、さらに、送信信号と
受信信号が干渉しないようにするための整合回路（ある
いは位相整合用回路，位相整合のための線路パターンと
もいう）を有する。

【０００７】高機能端末におけるアンテナ分波器は、誘
電体あるいは少なくとも一方に誘電体を用いた弾性表面
波フィルタとの複合分波器、あるいは弾性表面波フィル
タのみで構成されたものがある。誘電体を用いた分波器
は、サイズが大きいために、携帯端末機器の小型化や薄
型化が非常に難しい。また、片方に弾性表面波分波器を
用いる場合でも誘電体デバイスのサイズが小型・薄型化
を難しくしている。

【０００８】従来の弾性表面波フィルタを用いた分波器
デバイスは、プリント板上に個別のフィルタと整合回路
を搭載したモジュール型のものや多層セラミックパッケ
ージに送信及び受信用フィルタチップを搭載し整合回路
をパッケージ内に設けた一体型のものがある。これら
は、誘電体を用いた分波器に比べ体積を１／３から１／
１５程度の、高さ方向だけでみると１／２から１／３程
度の小型薄型化が可能となる。この弾性表面波デバイス
を用い且つデバイスサイズを小型にすることで、誘電体
デバイスと同等のコストにすることが可能となってい
る。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】今後、更なる小型化が
要求されているが、その小型化のためには、特開平１０
−１２６２１３号公報に記載したような多層セラミクス
パッケージを用いた構造を用いること、さらにはひとつ
のチップ上に２つのフィルタを形成することやワイヤ接
続を用いないフリップチップ実装技術を適用することが
必須である。いずれの場合においても、２つの弾性表面
波フィルタを搭載する気密封止可能な「分波器パッケー
ジ」と、２つのフィルタを分波器構成する場合の「整合
回路」は必要となる。

【００１０】「整合回路」は、多層構造のパッケージの
中のいずれかの層に、所定の長さの線路パターンを配置
することによって形成されている。ここで、要求される
分波器としての特性を満たし、分波器パッケージの小型
化の要請に対応するためには、特に「整合回路」の線路
パターンの配置が問題となる。特に、この線路パターン
と、分波器パッケージ側に配置された外部接続用端子
（ワイヤボンディングパッド）がかなり接近しているよ
うな場合には、十分なアイソレーションが得られず、分
波器を構成する２つの弾性表面波フィルタの互いの通過
帯域外の抑圧特性が劣化するという問題があった。

【００１１】この発明は、以上のような事情を考慮して
なされたものであり、整合回路の線路パターンと分波器
パッケージの信号端子などの間のアイソレーションが十
分とれ、分波器としての特性を安定化させることのでき
る構成を持つ分波器デバイスを提供することを課題とす
る。

【００１２】

【課題を解決するための手段】この発明は、異なる帯域
中心周波数を有する２つの弾性表面波フィルタと、２つ
の弾性表面波フィルタ同士の位相を整合させるための線
路パターンとを備えた分波器デバイスであって、前記線
路パターンと各弾性表面波フィルタ上の端子及び前記線
路パターンと外部アンテナに接続される共通端子とを接
続するためのパッドを含む複数のパッドが形成されたワ
イヤボンディングパッド層を備え、一方の弾性表面波フ
ィルタと線路パターンの第１の端部とに接続される第１
のパッドと、前記共通端子と線路パターンの第２の端部
とに接続される第２のパッドとが、ワイヤボンディング
パッド層内において最も離れた位置に形成されたことを
特徴とする分波器デバイスを提供するものである。

【００１３】また、この発明は、異なる帯域中心周波数
を有する２つの弾性表面波フィルタと、２つの弾性表面
波フィルタ同士の位相を整合させるための線路パターン
とを備えた分波器デバイスであって、前記線路パターン
と各弾性表面波フィルタ上の端子、及び前記線路パター
ンと外部アンテナに接続される共通端子とを接続するた
めのパッドを含む複数のパッドが形成されたワイヤボン
ディングパッド層と、ワイヤボンディングパッド層の下
方であって前記線路パターンが形成された線路パターン
層と、線路パターン層の下方であって各弾性表面波フィ
ルタと外部回路とを接続するための外部接続端子を備え
た外部接続端子層とを備え、前記線路パターン層におい
て前記弾性表面波フィルタ上の端子と前記外部接続端子
とを接続する経路が前記線路パターン層と交差する点
と、前記線路パターンの任意の位置との距離ｄＳが、所
定値以上となるように前記線路パターンを形成したこと
を特徴とする分波器デバイスを提供するものである。こ
れによれば、小型化、かつ相手側通過帯域の抑圧特性を
安定化させた分波器デバイスを提供することができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】この発明において、前記ワイヤボ
ンディングパッド層は、そのほぼ中央に２つの弾性表面
波フィルタを搭載するための矩形空間を有し、その矩形
空間の周囲に複数個のパッドが形成されており、前記第
１のパッド及び第２のパッドとが、前記矩形空間をはさ
んで対角位置に配置されるようにすることが好ましい。

【００１５】また、前記共通端子が前記外部接続端子層
に形成され、前記第２のパッドと共通端子とを接続する
ための共通端子引き出し線が、前記線路パターン層と異
なる層に形成されるようにしてもよい。特に、前記共通
端子引き出し線は、前記ワイヤボンディングパッド層に
形成してもよく、前記線路パターン層の下方の層に形成
してもよい。これによれば、線路パターンと外部接続端
子とのアイソレーションが改善できる。

【００１６】さらに、前記共通端子引き出し線が形成さ
れた層と、前記線路パターン層との間に、ＧＮＤパター
ンが形成された共通ＧＮＤ層を備えてもよい。また、外
部ノイズの影響を防止する観点からは、前記各層の側面
をＧＮＤで覆うようにしてもよい。

【００１７】また、前記弾性表面波フィルタを搭載する
ためのダイアタッチ層を、前記ワイヤボンディングパッ
ド層の下方であって前記線路パターン層の上方に備え、
前記弾性表面波フィルタをＧＮＤに接続するためのダイ
アタッチパターンが、２分割以上のパターンとしてダイ
アタッチ層上に形成され、分割されたダイアタッチパタ
ーンと弾性表面波フィルタとが導電ペーストを介して接
触しているようにしてもよい。

【００１８】さらに、前記ワイヤボンディングパッド層
に形成された複数個のパッドが、互いに所定の距離以上
離れて形成されていることが好ましい。ここで、良好な
分波器の周波数特性を得るためには、前記所定の距離は
０．３ｍｍ以上、弾性表面波フィルタを搭載するための
矩形空間よりも小さくすることが好ましい。また、前記
した距離ｄＳは、良好な抑圧特性を得るためには、５ｍ
ｍ（横）×５ｍｍ（縦）×１．５ｍｍ（高さ）のサイズ
の分波器デバイスにおいて、１．０７５ｍｍ≦ｄＳとす
ることができる。

【００１９】以下、図面に示す実施の形態に基づいてこ
の発明を詳述する。なお、これによってこの発明が限定
されるものではない。図１に、この発明で対象とする分
波器の構成の概略ブロック図を示す。この分波器は、２
つのＳＡＷフィルタ２（Ｆ１）、３（Ｆ２）と１つの整
合回路１とからなり、アンテナに接続される共通端子Ｔ
０と、外部回路に接続される入出力用の外部接続端子Ｔ
１，Ｔ２とを備える。

【００２０】ここでフィルタＦ１，Ｆ２は、小型化、要
求される性能の観点から弾性表面波共振器を組み合わせ
た弾性表面波フィルタ（以下、ＳＡＷフィルタという）
を用いる。整合回路１は、２つのＳＡＷフィルタの互い
の干渉を低減して、所望のフィルタ特性を得るために共
通端子Ｔ０とＳＡＷフィルタとの間に設けられる。整合
回路１は、共通端子Ｔ０とフィルタＦ１の間、及び共通
端子Ｔ０とフィルタＦ２の間にそれぞれ設けてもよい
が、特に小型化の観点からは共通端子Ｔ０とどちらか一
方のフィルタとの間に１つだけ設けることが好ましい。
以下の説明では、共通端子Ｔ０とフィルタＦ２の間に設
けるものとする。

【００２１】図２に、この発明において、整合回路１
を、共通端子Ｔ０とフィルタＦ２の間に設けた構成ブロ
ック図を示す。ここで、後述するように、ＦＰで始まる
符号はパッケージ側面の配線部分（Foot Pad）を示し、
ＷＰで始まる符号は、ワイヤボンディングパット層のワ
イヤボンディングパッド（Wire Pad、以下、単にパッド
とも呼ぶ）を示し、ＩＮ及びＯＵＴは、搭載するフィル
タチップ２，３上に配置されている接続端子を示してい
る。

【００２２】また、整合回路１は、一般に、タングステ
ンや銅を主成分とする材料で作成され、一定の長さを有
する細長い線路で形成される。この整合回路１は、幅
０．１〜０．２ｍｍ程度で線路長は数十ｍｍ程度である
が、要求されるＳＡＷフィルタの中心周波数との関係
で、その線路長は特定される。以下の実施例では、整合
回路１を線路パターンとも呼び、線路パターンは２つの
端部を持つが、一方の端部（第１の端部）をＬＰ１，他
方の端部（第２の端部）をＬＰ２で表わすものとする。

【００２３】図３に、この発明の分波器に用いられる２
つのＳＡＷフィルタＦ１，Ｆ２の周波数特性のグラフを
示す。ここで、ＳＡＷフィルタＦ１，Ｆ２は、互いに異
なる帯域中心周波数（Ｆ１＜Ｆ２）を有しているが、た
とえば、ＳＡＷフィルタＦ１の帯域中心周波数を８３６
ＭＨｚ、ＳＡＷフィルタＦ２の帯域中心周波数を８８１
ＭＨｚとするものを作ることができる。

【００２４】図４に、この発明のＳＡＷフィルタを搭載
した分波器パッケージの一実施例の概略断面図を示す。
また、この実施例では分波器パッケージは５つの層（Ｌ
１〜Ｌ５）からなる多層構造を備えている。多層構造の
層の数は５層に限られるものではないが、少ない方が低
背化の点で有利である。

【００２５】各層（レイヤＬ１〜Ｌ５）を構成する材料
は、誘電率εが９．５程度のアルミナまたはガラスセラ
ミックを用いる。また、各層と層との間に、整合回路の
線路パターン１やＧＮＤパターン１３などが形成され
る。

【００２６】図４において、レイヤＬ１の上側の表面を
キャップ搭載層４、レイヤＬ１とレイヤＬ２の間であっ
てレイヤＬ２の表面をワイヤボンディングパット層５，
レイヤＬ２とレイヤＬ３の間であってレイヤＬ３の表面
をダイヤタッチ層６、レイヤＬ３とレイヤＬ４の間であ
ってレイヤＬ４の表面を線路パターン層７、レイヤＬ４
とレイヤＬ５の間であってレイヤＬ５の表面を共通ＧＮ
Ｄ層８、レイヤＬ５の下側の表面を外部接続端子層９ま
たはフットパターン層９と呼ぶ。

【００２７】また、レイヤＬ１の上面の一部、レイヤＬ
５の下面の一部及び各レイヤの側面部分をおおうよう
に、サイドキャステレーション１０を形成する。このサ
イドキャステレーションを設けるのは、外部ノイズが内
部のフィルタ等へ侵入するのを防止するためである。ま
た、このサイドキャステレーション１０を通して、線路
パターン１やＳＡＷフィルタと、共通端子Ｔ０及び外部
接続端子Ｔ１，Ｔ２とが接続される。

【００２８】最上層であるレイヤＬ１の上には、内部の
フィルタ２，３を保護する蓋１２が配置される。蓋１２
は、ＡｕメッキあるいはＮｉメッキ等の金属材料、また
はパッケージと同じセラミック材料で作られる。レイヤ
Ｌ１は、上記蓋１２をのせるためのパッケージの枠であ
る。

【００２９】レイヤＬ２の表面は、ＳＡＷフィルタ２，
３上の端子と分波器パッケージとの接続を形成する層で
あり、いわゆるワイヤボンディングパッドが配置されて
いる。このワイヤボンディングパッド層５の表面に設け
られたパッド（端子）（図２のパッドＷＰ３，ＷＰ５，
ＷＰ８，ＷＰ１０に相当）と、ＳＡＷフィルタ上の端子
（ＩＮ，ＯＵＴ）とは、ワイヤ１１により接続される。
レイヤＬ２の表面の端子及び配線パターンは、タングス
テン、Ｃｕ、Ａｇ等の導体材料の表面をＡｕメッキ処理
して作成される。またワイヤ１１はＡｌ−Ｓｉ等の材料
を用いればよい。

【００３０】レイヤＬ３の表面（ダイアタッチ層６）に
は、フィルタチップ２，３が、ダイアタッチパターン１
４とペースト（導電性または非導電性）１５を介して接
着配置される。

【００３１】レイヤＬ４の表面（線路パターン層７）
に、整合回路の線路パターン１が形成される。図４で
は、この線路パターン１は８つの長方形で示されている
が、実際には連続した１本の線路である。

【００３２】線路パターンは、線路パターン層７上に、
全長８０から１２０μｍ程度の幅を持つ全長約λ／４の
導体パターンとして形成される。この線路パターンは、
共通ＧＮＤ層８よりも上の層に形成する。図のように直
上の層に形成してもよく、また、共通ＧＮＤ層の上の複
数の層に分割して形成してもよい。

【００３３】共通ＧＮＤ層８は、信号用の側面のサイド
キャステレーション１０のパターン部分を除き、シール
ドのためのＧＮＤパターン１３が形成されたものであ
る。共通ＧＮＤパターン１３も、線路パターン１と同様
に、タングステンもしくは銅を用いることができる。

【００３４】ただし、共通ＧＮＤパターン及び線路パタ
ーンとして用いる材料は、パッケージ材料の焼成温度を
考慮して選定する必要がある。パッケージ材料としてア
ルミナを用いる場合、その焼成温度は１６００℃程度で
あるので、タングステンを用いることが好ましい。一
方、パッケージ材料としてガラスセラミックを用いる場
合、その焼成温度は９５０℃程度であるので、銅を用い
ることが好ましい。銅はタングステンよりも抵抗値が近
いので、分波器の周波数特性のうち、挿入損失（通過強
度）が良好となる。

【００３５】また、ＧＮＤパターン１３等の露出してい
る部分は、酸化防止処理をすることが好ましいので、た
とえば、銅の上にニッケル、金をこの順に成膜してもよ
い。ここでニッケルは銅と金の密着性の改善のために用
いられる。

【００３６】外部接続端子層（フットパターン層）９に
は、共通端子Ｔ０、外部接続端子（Ｔ１，Ｔ２）が設け
られている。これらの端子（Ｔ０，Ｔ１，Ｔ２）は、サ
イドキャステレーション１０を介して、それぞれ図２に
示した端子ＦＰ５，ＦＰ８，ＦＰ２と電気的に接続され
ている。

【００３７】図５に、この発明の一実施例の分波器パッ
ケージを上から見た平面図を示す。図５は、図４に示し
た断面図のうち蓋１２を取り除いた平面図であり、主と
してワイヤボンディングパッド層５の平面構造を示した
ものである。ほぼ中央の空洞部分に、２つの弾性表面波
フィルタチップＦ１、Ｆ２を１つのパッケージで構成さ
れたものが配置された状態を示している。すなわち、ワ
イヤボンディングパッド層５は、ほぼ中央にＳＡＷフィ
ルタを搭載するための矩形空間を備えている。また、こ
の矩形空間の周囲にパッドが配置されている。図５では
１０個のパッド（ＷＰ１〜ＷＰ１０）が示されている
が、パッドの数はこれに限定されるものではない。

【００３８】図５において、ＦＰで始まる符号の端子、
ＷＰで始まる端子及びフィルタチップのＯＵＴ，ＩＮ
は、図２に示した構成ブロックと同じ部分を意味してい
る。

【００３９】図６に、線路パターン層７に形成される線
路パターン１のパターン形状の一実施例を示す。ここ
で、線路パターン１の端部Ｌ１と、図５のパッドＷＰ１
０とは、層間（レイヤＬ２，レイヤＬ３）を貫くビアに
よって電気的に接続されており、端部Ｌ２と、図５のパ
ッドＷＰ５とは、層間（レイヤＬ２，レイヤＬ３）を貫
くビアによって電気的に接続されている。

【００４０】電気的接続を説明すると、たとえば、図２
に示した外部接続端子Ｔ１は、フットパターン層９にあ
るが、ここからサイドキャステレーション１０を介し
て、ワイヤボンディングパッド層５において図２及び図
５に示した端子ＦＰ８に接続されており、さらに、図５
に示すように端子ＦＰ８は、配線パターンによってワイ
ヤボンディングパッドＷＰ８に接続されている。また、
パットＷＰ８と、弾性表面波フィルタチップＦ１上の端
子ＩＮとが、ワイヤ１１よって接続される。

【００４１】また、同様に図２の端子Ｔ２は、サイドキ
ャステレーション１０を介して図５のＦＰ２に接続さ
れ、配線パターンによってさらにパッドＷＰ３に接続さ
れて、弾性表面波フィルタＦ２上の端子ＯＵＴに接続さ
れる。また、共通端子Ｔ０は、サイドキャステレーショ
ンを介してワイヤボンディング層５の端子ＦＰ５に接続
され、さらに共通端子引き出し線２０によってパッドＷ
Ｐ５に接続されて、弾性表面波フィルタＦ１上の端子Ｏ
ＵＴに接続される。

【００４２】このような構成を持つこの発明の分波器パ
ッケージでは、８００ＭＨＺ帯の分波器の場合は、その
外形サイズを５．０（横）×５．０（縦）×１．５ｍｍ
（高さ）とすることができる。従来から携帯電話等で用
いられている分波器パッケージのサイズは小さなもので
も９．５（横）×７．５（縦）×２．１（高さ）ｍｍ程
度であることを考えると、この発明の分波器パッケージ
では約２５％程度にまで小型化できる。

【００４３】また、１．９ＧＨｚ帯の分波器の場合は、
３．８（横）×３．８（横）×１．５（高さ）ｍｍ程度
とすることができ、そのサイズを従来の分波器パッケー
ジの１４％程度とすることができる。以下の実施例で
は、特に明記した場合を除き、５．０×５．０×１．５
ｍｍの小型化された分波器パッケージの構成について説
明する。

【００４４】また、弾性表面波フィルタチップ２，３
は、１ポート弾性表面波共振器を梯子型に接続したラダ
ー型設計（図７参照）とし、基板材料にはＬｉＴａＯ３
（例えば方位：４２Ｙｒｏｔ−Ｘ伝播）を用い、電極材
料にはＡｌを主成分とする合金（Ａｌ−Ｃｕ，Ａｌ−Ｍ
ｇ等）及びその多層膜（Ａｌ−Ｃｕ／Ｃｕ／Ａｌ−Ｃ
ｕ，Ａｌ／Ｃｕ／Ａｌ，Ａｌ／Ｍｇ／ＡＬ，Ａｌ−Ｍｇ
／Ｍｇ／Ａｌ−Ｍｇ等）をスパッタにより形成し、露
光、エッチングによりパターン形成したものを用いるこ
とができる。

【００４５】次に、この発明の特徴となる整合回路の線
路パターン１と、ワイヤボンディング層５に配置される
ワイヤボンディングパッド及び端子の位置関係について
説明する。図５に示したこの発明の一実施例では、ワイ
ヤボンディングパッド層５において、線路パターン１の
両端（ＬＰ１，ＬＰ２）に接続されるパッド（以下、整
合パッドと呼ぶ）は、ＷＰ５及びＷＰ１０であるが、両
整合パッドは、フィルタチップを搭載する矩形空間をは
さんで、ワイヤボンディング層５の最も遠い対角位置に
配置されている。すなわち、整合パッド（ＷＰ５，ＷＰ
１０）は、ワイヤボンディングパッド層５において、配
置されたパッドのうち互いに最も離れた位置に形成され
ている。また、両整合パッド（ＷＰ５，ＷＰ１０）は、
それぞれ線路パターン１の端部（ＬＰ２，ＬＰ１）の真
上に配置され、整合パッドと線路パターンの端部とがビ
アを介して電気的に接続される。パッドＷＰ５と端部Ｌ
Ｐ１とが接続され、パッドＷＰ１０と端部ＬＰ２とが接
続されている。

【００４６】図６において、この発明の一実施例の線路
パターンの全長は、約λ／４（λ＝Ｃ／ｆ₀，Ｃ＝Ｃ₀／
√ε、Ｃ₀＝３×１０⁸ｍ／ｓ）とする。線路パターンの
全長は、フィルタの通過帯域の中心周波数やパターンの
特性インピーダンス値により決定される。次に、図６に
示したこの発明の一実施例の線路パターンと、弾性表面
波フィルタＦ１側の外部接続端子Ｔ１に接続される端子
（図６のＦＰ８）との最短距離ｄＳ１について考える。
図６のような線路パターン１の引きまわしでは、ＦＰ８
から線路パターンの折れ点部分までの距離が最短距離ｄ
Ｓ１となる。

【００４７】同様に、弾性表面波フィルタＦ２側の外部
接続端子Ｔ２に接続される端子（図６のＦＰ２）との最
短距離ｄＳ２は、ＦＰ２から図６で示されるような折れ
点部分までの距離となる。たとえば、一般にｄＳ１≠ｄ
Ｓ２であるが、この実施例では、最短距離ｄＳ１＝ｄＳ
２＝１．１ｍｍ程度とすることができる。以下、この２
つの最短距離（ｄＳ１，ｄＳ２）を代表してｄＳと表わ
す。すなわち、距離ｄＳは、線路パターン層７におい
て、フットパターン層９にある外部接続端子（Ｔ１，Ｔ
２）とＳＡＷフィルタ上の端子（ＩＮ，ＯＵＴ）とを接
続する経路が、線路パターン層７と交差する点（ＦＰ
８）と、線路パターン１の任意の位置との距離であっ
て、最短の長さと定義する。

【００４８】比較のために、図８及び図９に、この発明
では採用しないパッドの配置と線路パターンの実施例を
示す。図８は、ワイヤボンディング層のパッドの配置を
示したものであるが、ここでは、ＷＰ１０及びＷＰ５よ
りも内側のＷＰ９及びＷＰ４の位置に、線路パターン１
の端部ＬＰ１，ＬＰ２と接続する整合パッドを配置して
いる。

【００４９】また、線路パターン１は、図９に示すよう
に引きまわしているとすると、端子ＦＰ８とＦＰ２から
のこの線路パターン１までの最短距離ｄＳ１，ｄＳ２
は、それぞれ図に示すようなところとなる。ここで、線
路パターン１の全長は、図６に示したものと同じ長さで
ある。たとえば、この場合の最短距離ｄＳ１＝ｄＳ２＝
０．５ｍｍ程度となる。したがって、この発明の図６の
場合の線路パターンの方が、この発明ではない図９の線
路パターンよりも、最短距離ｄＳ１，ｄＳ２はどちらも
長くできるということがわかる。後述するように、十分
なアイソレーションをとって分波器の周波数特性のうち
抑圧特性を良好なものとするためには、この距離ｄＳ
１，ｄＳ２はできるだけ長い方が好ましい。

【００５０】また、この発明の図５の場合は、パッドＷ
Ｐ５と共通端子Ｔ０への接続端子ＦＰ５とを接続するラ
イン２０は、図８に示した場合のライン２０よりも短く
できる。

【００５１】ところで、外部接続端子Ｔ１，Ｔ２と線路
パターン１との間のアイソレーションが悪いと分波器の
抑圧特性が劣化することがわかっているが、この両者の
距離が接近しすぎると、アイソレーションが悪くなり所
望の抑圧特性が満たされない。したがって、要求される
良好な分波器の抑圧特性を得るためには、外部接続端子
Ｔ１，Ｔ２，及び、この端子Ｔ１，Ｔ２と電気的に接続
されている端子ＦＰ８，ＦＰ２と、線路パターン１の任
意の位置との距離は、できるだけ離れている方が好まし
い。すなわち、最短距離ｄＳ１，ｄＳ２ができるだけ長
い方が、外部接続端子Ｔ１，Ｔ２と線路パターン１との
アイソレーションが向上できると言える。

【００５２】また、図５において、弾性表面波フィルタ
上の端子などと接続するワイヤボンディングパッドは全
部で１０個配置される場合を示しているが、線路パター
ンの端部ＬＰ１，ＬＰ２と接続するパッドの配置は、図
６及び図９に示した２つの実施例以外にも考えられる。
この考えられる配置については後述するが、図５に示す
ように線路パターンの端部ＬＰ１，ＬＰ２と接続する整
合パッドを矩形空間をはさんで対角配置し、且つこの整
合パッドを外部接続端子Ｔ１，Ｔ２への接続端子（ＦＰ
８，ＦＰ２）との距離が最も長くなるような位置に配置
した場合（すなわち図５の配置）、図６に示す最短距離
ｄＳ１，ｄＳ２は最も長くできる。

【００５３】また、考えられる他の配置において、図６
に示したものとほぼ同等の最短距離ｄＳ１，ｄＳ２を得
ることができても、図８に示すように、ワイヤボンディ
ング層上における共通端子Ｔ０への端子ＦＰ５に接続す
るためのライン２０の長さを長くせざるを得なくなるな
ど、他のパターンの引きまわしによってアイソレーショ
ンの劣化の要因が新たに発生してしまう場合もある。

【００５４】そこで、この発明において、線路パターン
と外部接続端子との間のアイソレーションを良好なもの
とするためには、少なくとも次のような条件のうちどち
らか一方を満たす位置に、線路パターンの端部ＬＰ１及
びＬＰ２と接続する２つの整合パッドを配置するように
することが好ましい。

【００５５】１）２つの整合パッドが、ワイヤボンディ
ングパッド層においてフィルタチップを配置するための
矩形空間をはさんだ対角位置であって、両整合パッドの
直線距離が最も長くなるような位置関係にあること。
２）それぞれの整合パッドが、ワイヤボンディングパッ
ド層において外部接続端子への接続端子との直線距離が
最も長くなるような位置に配置されること。

【００５６】ただし、この２つの条件の両方を満たした
ものがさらに好ましい。また、この第２の条件と関連す
るが、線路パターン層７においては、前記したように外
部接続端子とＳＡＷフィルタ上の端子とを接続する経路
が線路パターン層７と交差する点と、線路パターン１の
任意の位置との距離ｄＳができるだけ長い方が好まし
く、要求される設定仕様を満たすためには、この距離ｄ
Ｓは、この仕様より定められる所定値以上とすることが
必要となる。

【００５７】図１０に、フィルタチップを搭載していな
いフランクパッケージにおいて、前記した最短距離ｄＳ
（ｄＳ１，ｄＳ２）と、共通端子Ｔ０及び外部接続端子
（Ｔ１，Ｔ２）間のアイソレーション（ｄＢ）との関係
のグラフを示す。ここで、最短距離ｄＳ（ｄＳ１，ｄＳ
２）が短い方が、アイソレーション（ｄＢ）が悪く、最
短距離が長い方がアイソレーションが良いと言える。た
とえば、このアイソレーションを−５０ｄＢ以上とるこ
と、という設計時の要求仕様があったとすると、この最
短距離ｄＳ（ｄＳ１，ｄＳ２）は、１．０７５ｍｍ以上
とする必要がある。

【００５８】また、良好なアイソレーションが保たれる
ように最短距離ｄＳ１，ｄＳ２を選択した場合において
も、線路パターンの引きまわし方によっても、アイソレ
ーション（ｄＢ）が変化することがわかった。すなわ
ち、端子ＦＰ８及びＦＰ２と線路パターンとの距離に関
して前記最短距離（ｄＳ１，ｄＳ２）の次に近い距離を
“ｄ”とすると、この距離ｄをできるだけ長くした方が
アイソレーション（ｄＢ）が良くなることがわかった。

【００５９】図１０のグラフにおいて、点Ａは距離ｄが
１．４ｍｍの場合であり、点Ｂは距離ｄが１．１５ｍｍ
の場合を示している。これによれば距離ｄが大きい方が
アイソレーション（ｄＢ）が改善されることがわかる。

【００６０】図１２に、外部接続端子Ｔ１，Ｔ２に接続
される端子ＦＰ８，ＦＰ２と線路パターンとの距離につ
いて２番目に近い距離ｄ（ただしｄ＞ｄＳ１，ｄＳ２）
の一実施例の説明図を示す。これは、図１１において、
最短距離（ｄＳ１，ｄＳ２）を１．１３ｍｍとした場合
であって、距離ｄ（ｄ＞ｄＳ１，ｄＳ２）を変化させた
場合のアイソレーションのグラフを示す。図１１によれ
ば、グラフはほぼ直線上に並び、距離ｄが小さいほどア
イソレーションは悪く、長いほどアイソレーションが良
いことがわかる。たとえば、アイソレーションを−５０
ｄＢ以上とるためには、距離ｄを１．０７５ｍｍ以上と
なるように、線路パターンの引きまわしを配置する必要
がある。

【００６１】次に、分波器パッケージのフィルタ特性、
すなわち周波数（ＭＨｚ）−通過強度（ｄＢ）について
説明する。まず、図１３に、従来用いられている分波器
パッケージのフィルタ特性のグラフを示す。この従来の
分波器パッケージのサイズは、９．５ｍｍ（横）×７．
５ｍｍ（縦）×２．１ｍｍ（高さ）であり、この発明の
分波器パッケージよりもかなり大きいものである。

【００６２】図１４に、この従来の分波器パッケージの
線路パターン層７の線路パターン１の平面図を示す。図
１４において、フィルタＦ１の外部接続端子Ｔ１に接続
される端子と線路パターン１との距離ｄＳ及びｄは、そ
れぞれ１．５ｍｍ，１．６ｍｍであり、この発明の場合
よりも長い。

【００６３】これは、分波器パッケージのサイズが、こ
の発明よりもかなり大きいので、距離ｄＳ及びｄも長く
とれるからである。すなわち、従来のものでは、図１３
に示すように送信側フィルタの抑圧度は−５２ｄＢで、
受信側フィルタの抑圧度は−４６ｄＢであって、アイソ
レーションが十分とれるが、その代わり分波器パッケー
ジのサイズが大きい。

【００６４】次に、分波器パッケージのサイズをこの発
明の分波器パッケージと同じサイズ（５ｍｍ（横）×５
ｍｍ（縦））とするが、ワイヤボンディングパッドの最
適配置は考慮していない場合の、分波器パッケージのフ
ィルタ特性のグラフを図１５に、線路パターン層の線路
パターン形状を図１６に示す。

【００６５】図１６において、外部接続端子Ｔ１に接続
される端子ＦＰ８と線路パターン１との距離ｄＳ及びｄ
は、それぞれ０．５ｍｍ，０．６ｍｍであり、この発明
の実施例の図６の場合よりもかなり短い。

【００６６】また、図１５において、送信側フィルタの
抑圧度は−４２ｄＢ、受信側フィルタの抑圧度は−３７
ｄＢであるので、図１３の従来のものと比べてもかなり
抑圧度は悪い。すなわち、この図１６の実施例は、分波
器パッケージは小型化されたが、距離ｄＳ及びｄが短い
ためにアイソレーションが十分でなく通過帯域外の抑圧
度が悪い例を示したものである。

【００６７】次に、この発明の分波器パッケージのフィ
ルタ特性について説明する。図１７に、前記した図５に
示したようにパッドの配置を考慮したこの発明の分波器
パッケージのフィルタ特性のグラフを示す。

【００６８】図１８に、この発明の図１７に対応する線
路パターン層７のパターン形状の平面図を示す。ここ
で、距離ｄＳ＝０．９ｍｍ、距離ｄ＝１．２ｍｍであ
り、分波器パッケージのサイズは、５ｍｍ×５ｍｍ×
１．５ｍｍである。

【００６９】図１７によれば、送信側フィルタの抑圧度
は−４７ｄＢ、受信側フィルタの抑圧度は−３９ｄＢで
あるので、抑圧度は図１３の従来のものに比べて悪い
が、図１５に示した分波器パッケージを単に小さくした
ものよりは良好である。すなわち、分波器パッケージの
サイズが同じであれば、図１８のようにワイヤボンディ
ングパッドの配置を考慮し、距離ｄＳ及びｄの長さを長
くした方が、アイソレーションが改善され、抑圧度が向
上することがわかる。

【００７０】図１９、図２０に、前記した図１８に対し
て距離ｄＳ及びｄをさらに大きく設定した場合のこの発
明の一実施例を示す。図１９は、この発明の分波器パッ
ケージのフィルタ特性であり、図２０は、線路パターン
の全長は図１８に示したものと同じ３５ｍｍであるが、
距離ｄＳ，ｄを大きくした場合の線路パターンのパター
ン形状の平面図である。

【００７１】ここで、最短距離ｄＳ＝１．１ｍ、距離ｄ
＝１．４ｍｍであり、分波器パッケージのサイズは５ｍ
ｍ×５ｍｍ×１．５ｍｍである。図１９によれば、送信
側フィルタの抑圧度は−５５ｄＢ、受信側フィルタの抑
圧度は−４３ｄＢであるので、図１５、図１７に示した
分波器パッケージよりも大きく抑圧度が改善されてお
り、図１３の従来のものに比べて送信側フィルタの抑圧
度が良くなっていることがわかる。すなわち、図２０に
示すように、小型化された分波器パッケージにおいて距
離ｄＳ，ｄを長く設定すれば、アイソレーションが改善
され、抑圧度が向上すると言うことができる。

【００７２】以上の説明により、この発明の実施例にお
いては、最短距離ｄＳ１，ｄＳ２と距離ｄの両者を１．
０７５ｍｍ以上とし、最短距離ｄＳ１，ｄＳ２が前記し
た条件を満たすように、線路パターンを配置するように
すれば、十分なアイソレーションが確保でき、良好な抑
圧度を持つ分波器特性の分波器パッケージを得ることが
できる。

【００７３】次に、この発明において、アイソレーショ
ンをさらに改善した他の実施例について説明する。図４
に示したこの発明の実施例では、ワイヤボンディングパ
ッド層５に、共通端子Ｔ０への接続端子ＦＰ５とパッド
ＷＰ５とを接続するライン２０（以下、このラインを共
通端子引き出し線と呼ぶ）があった（図５参照）。

【００７４】この場合は、線路パターン１が形成される
層（線路パターン層７）と、共通端子引き出し線２０が
形成されている層（ワイヤボンディング層５）とは異な
っていた。今、この線路パターン１が形成される層７
に、共通端子引き出し線２０も形成された場合を考え
る。図２６にこの場合の線路パターン層７のパターン形
状の一実施例を示す。

【００７５】図２６の場合、共通端子引き出し線２０を
線路パターンと同一層内に設けているので、線路パター
ンの引きまわしに余裕がなく、最短距離ｄＳと距離ｄは
長くとることはできない。この場合、図６のものより
も、距離ｄＳは約０．１８ｍｍ短い。図２７に、図２６
のようにパターン形成した場合の距離ｄＳとアイソレー
ション特性の関係グラフを示す。

【００７６】ここで、黒点は図４に示した場合のアイソ
レーション特性であり、白点は、図２６に示した場合の
アイソレーション特性を示している。すなわち、線路パ
ターン１と共通端子引き出し線が同一層にない場合（黒
点）の方が、同一層にない場合よりもアイソレーション
が良く（６．７〜９．９ｄＢ程度）、分波器パッケージ
の抑圧度も良好である。したがって、線路パターン１と
共通端子引き出し線２０とは異なる層に形成した方がよ
い。

【００７７】また、図４に示した実施例では、−５０ｄ
Ｂ以上のアイソレーションが確保できていたが、次に示
すように、共通ＧＮＤ層８の下に「共通端子引き出し線
層」を新たに設けた方がアイソレーションが改善され
る。これは、共通端子引き出し線２０が、このアイソレ
ーションの特性に大きな影響を及ぼしているからと考え
られる。

【００７８】図２１に、この発明の分波器パッケージの
他の実施例の断面図を示す。ここで、図５とは異なり、
共通ＧＮＤ層８の下に共通端子引き出し線層２１を設け
ている。線路パターン１のパターン形状は図６と同一と
する。図２２に、この図２１におけるワイヤボンディン
グパッド層５、共通ＧＮＤ層８、共通端子引き出し線層
２１の表面パターンの平面図を示す。

【００７９】図２２において、ワイヤボンディングパッ
ド層５のパッドＷＰ５と共通端子引き出し線層２１の共
通端子引き出し線２０の端部２３とは、各層を貫くビア
（共通ＧＮＤ層８では符号２２の部分）を介して電気的
に接続される。図２３に、図２１のように構成したこの
発明の分波器のブランクパッケージにおけるアイソレー
ションと最短距離ｄＳとの関係のグラフを示す。

【００８０】ここで、図２３の白ぬき点（Ｃ１〜Ｃ４）
は、線路パターン１と共通端子引き出し線２０との間に
共通ＧＮＤ層８を介さない場合（図４参照）であり、図
２３の黒点（Ｄ１〜Ｄ４）は、線路パターン１と共通端
子引き出し線層２１との間に共通ＧＮＤ層８を設けた場
合（図２１）を示している。

【００８１】これによれば、共通端子引き出し線層２１
を、共通ＧＮＤ層８の下に設けているので、共通端子引
き出し線層２１を設けない場合よりも、アイソレーショ
ンが９〜１４ｄＢ程度向上することがわかる。

【００８２】また、図２４に示すように、共通端子引き
出し線層２１をはさむように、その上下に共通ＧＮＤ層
８−１，８−２を設けてもよい。図２５に、この構成の
場合のワイヤボンディングパッド層５、共通ＧＮＤ層８
−１、共通端子引き出し線層２１の表面パターンの平面
図を示す。この場合も、パッドＷＰ５と共通端子ＦＰ５
の端部２３とは、各層を貫くビア（符号２２の部分）を
介して電気的に接続される。

【００８３】これによれば、共通端子引き出し線層２１
が、２つの共通ＧＮＤ層８−１，８−２にはさまれてシ
ールドされているので、さらに３〜５ｄＢ程度アイソレ
ーションが向上できる。

【００８４】また、この発明の他の実施例としては、整
合回路の線路パターンを一つの層に形成するのではな
く、複数の層に分けて形成するようにしてもよい。この
ように複数の層に分ければ、各層内の線路パターンの長
さは短くてよいので、前記した距離ｄＳとｄとを長くと
ることができ、したがってアイソレーションが向上でき
る。ただし、複数の層に分ける場合は、両層の線路パタ
ーンどうしの干渉を防止するために、両層の線路パター
ンの配置を異ならせるようにすることが好ましい。

【００８５】また、フィルタチップ上の端子（ＩＮ，Ｏ
ＵＴ）と、ワイヤボンディングパッドとを接続するワイ
ヤは少なくとも４本あるが、これらのワイヤが接近しす
ぎるとその干渉によりフィルタ特性のうち抑圧度の劣化
となる。したがって、ワイヤどうしの距離もできるだけ
離れるように配慮して、ワイヤボンディングパッドの位
置を決める必要がある。

【００８６】このワイヤの観点からは、図５に示したこ
の発明の実施例では、フィルタチップからのワイヤがパ
ッドＷＰ３とＷＰ５に接続されているので、隣接するパ
ッドＷＰ３とＷＰ４に接続されている図８に示した実施
例よりもワイヤ間距離は長く、フィルタ特性上好まし
い。

【００８７】また、図４のこの発明の実施例では、パッ
ケージの外層全体をＧＮＤで覆い、外部ノイズがフィル
タチップ及び整合回路に影響しないようにしているが、
図２８に示すように、レイヤＬ１においてビアを設け
て、キャップ搭載層４と、ワイヤボンディングパッド層
５のＧＮＤ部分とをこのビアを介して接続するようにし
てもよい。このような構造によっても外部ノイズが内部
パターンへ侵入するのを防止することができる。

【００８８】また、ダイアタッチ層６のダイアタッチパ
ターン１４上に導電ペースト１５を介してフィルタチッ
プが搭載された場合、整合回路のインピーダンスマッチ
ングの観点のおいて、ダイアタッチパターン１４は１つ
のべた膜で形成されるよりも分割形状のパターンで形成
されることが好ましい。

【００８９】ダイアタッチパターン１４は、サイドキャ
ステレーション１０を介して最下層のフットパターン層
９のＧＮＤパターンと接続されているＧＮＤパターンで
ある。図２９は、従来から用いられているダイアタッチ
層６のパターン形状の平面図である。図２９（ａ）は、
ダイアタッチパターン１４は一つのべた膜パターンで形
成されていることを示し、図２９（ｂ）はこのダイアタ
ッチパターン１４の上に導電ペースト１５が塗布されて
いることを示している。

【００９０】図３０は、この発明で用いられるダイアタ
ッチ層のパターン形状の平面図である。図３０（ａ）で
は、ダイアタッチパターン１４は、４分割されている場
合を示している。図３０（ｂ）は、この４分割されたダ
イアタッチパターン１４の上に導電ペースト１５が塗布
された状態を示している。

【００９１】図３１は、ダイアタッチ層６のダイアタッ
チパターン１４を４分割させた場合と分割していない場
合において、線路パターンの特性インピーダンス値
（Ω）と、線路パターンの長さとの関係のグラフを示し
たものである。図３１によれば、４分割させた場合の方
が、どの長さにおいても特性インピーダンス値が高いこ
とがわかる。すなわち、ダイアタッチパターン１４を分
割した方が、線路パターンの特性インピーダンス値が高
く、したがってインピーダンスマッチングがよいと言え
る。

【００９２】これは、ダイアタッチパターン１４と、ペ
ースト１５との接続関係によるものと考えられる。ペー
スト１５は、フィルタチップをダイアタッチパターンに
接着させるためのものであり、またフィルタチップとパ
ッケージ基材の熱膨張係数が異なるためにフィルタチッ
プが破壊されるのを防止するために用いられている。た
とえば、ペースト１５は、導電性または非導電性のどち
らを用いてもよく、たとえばＡｇ，Ｃｕ，Ｓｉ等の材料
が用いられている。

【００９３】ダイアタッチパターン１４が分割されて、
各分割されたダイアタッチパターン間の接続を導電ペー
スト１５のみで接続させると、一つのべた膜で形成され
たダイアタッチパターンよりも特性インピーダンス値が
高くなると言える。逆に言えば、一つのべた膜でダイア
タッチパターン１４を形成した場合は、特性インピーダ
ンス値が低くなるので、ダイアタッチパターン１４は線
路パターン１と干渉し、整合回路のインピーダンスマッ
チングが劣化する。

【００９４】また、フィルタチップをダイアタッチ層６
に搭載するときに、ダイアタッチパターン１４を分割し
てその上に導電ペースト１５を塗布した方が、分割しな
いべた膜の上に導電ペーストを塗布した場合よりも、フ
ィルタチップのレイヤＬ３の表面に対する平面度は良好
である。したがって、整合回路のインピーダンスマッチ
ング、フィルタチップの破壊防止、フィルタチップの平
行度の観点において、ダイアタッチパターン１４は図３
０に示すように、分割して形成した方が好ましい。分割
数は２分割以上であればいずれでもよいが、分割数があ
まりに多いと、パターンの形状が複雑となり、サイドキ
ャステレーションとの接続数も増加するので、４分割程
度が好ましい。

【００９５】また、図４などでわかるように、線路パタ
ーン１は、ダイアタッチ層６のダイアタッチパターン１
４の下方に配置されている。ここで、パッケージの上方
から見て、ダイアタッチパターン１４の直下の領域に含
まれている線路パターンの長さの、全長に対する割合が
３３％以下の場合、ダイアタッチパターンが線路パター
ンのインピーダンスに与える影響が小さいことがわかっ
た。たとえば、上記割合が７０％程度の場合と比べる
と、３０％程度の方が特性インピーダンス値の劣化が１
６％程度良いことがわかった。したがって、線路パター
ンができるだけダイアタッチパターンの直下を通らない
ように、パターン形状を形成することが好ましい。

【００９６】次に、図５などに示すワイヤボンディング
パッド層５のパッド（ＷＰ１など）の間隔について説明
する。ワイヤボンディングパッドの間隔を０．３ｍｍ未
満（たとえば０．１５ｍｍ）とした場合と、０．３ｍｍ
以上とした場合（たとえば０．３３ｍｍ）とした場合に
ついてパッド間の干渉がどの程度起こるかの比較シミュ
レーションを実施した。

【００９７】外部接続端子Ｔ₀，Ｔ₁，Ｔ₂とＧＮＤ間に
電流を流したときのワイヤボンディングパッドのそれぞ
れについての電流分布シミュレーションを測定した。こ
のシミュレーションによれば、ワイヤボンディングパッ
ドの間隔が０．３ｍｍ未満のときは分波器のフィルタ特
性に影響を及ぼすような電流の干渉が、隣接するワイヤ
ボンディング端子間で発生することが確認されたが、
０．３ｍｍ以上のときには、顕著な電流の干渉は確認さ
れなかった。したがって、この発明において、図４、図
５に示すような５×５×１．５ｍｍ程度の小型の分波器
を構成するときでも、ワイヤボンディングパッド間隔は
０．３ｍｍ以上とることが好ましい。ただし、このサイ
ズの分波器ではパッケージサイズの制約から、このパッ
ド間隔は最大で０．４５ｍｍ程度が限界である。

【００９８】最後に、この発明において良好なフィルタ
特性が得られた分波器パッケージのワイヤボンディング
パッドの配置の実施例を図３２から図３５に示す。いず
れもワイヤボンディングパッド層５の平面図を示してお
り、線路パターン１の端部ＬＰ１と接続するパッドＰＤ
１と、線路パターン１の端部ＬＰ２と接続するパッドＰ
Ｄ２との好ましい配置を示している。これらのいずれの
配置についても前記した最短距離ｄＳを１．０７５ｍｍ
以上とするようにして、全長約λ／４ｍｍの線路パター
ンを形成することができる。

【００９９】図３３は、共通端子Ｔ０へ接続される側面
の端子ＦＰ４，ＦＰ５を２つ設けた場合を示している。
図３４は、線路パターンと接続されるパッドＰＤ１とＰ
Ｄ２とをフィルタを搭載する矩形空間に対して同じ側で
最も離れた位置に配置した場合を示している。図３５
（ａ），（ｂ）は、パッドを配置する領域の方向が図３
２の構成と９０°回転された方向の実施例であり、図３
５（ｃ），（ｄ）は、フィルタを搭載する矩形空間の周
囲全体に、パッドを配置する領域を設けた実施例であ
る。

【０１００】

【発明の効果】この発明によれば、線路パターンの形状
及びワイヤボンディングパッド層に形成された線路パタ
ーンに接続されるパッドの配置を適切に設定しているの
で、小型、かつ弾性表面波フィルタの通過帯域における
相手方の弾性表面波フィルタの抑圧特性が安定した分波
器デバイスを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の分波器の構成の概略ブロック図であ
る。

【図２】この発明の分波器の一実施例の概略ブロック図
である。

【図３】この発明の分波器に用いられる２つのＳＡＷフ
ィルタの周波数特性のグラフである。

【図４】この発明の分波器デバイスの一実施例の断面構
造の説明図である。

【図５】この発明の分波器デバイスのワイヤボンディン
グパッド層の平面構造の説明図である。

【図６】この発明の分波器デバイスの線路パターン層の
平面構造の説明図である。

【図７】この発明のラダー型ＳＡＷフィルタを用いた場
合の分波器の概略回路図である。

【図８】この発明では採用されないワイヤボンディング
パッド層の平面構造の説明図である。

【図９】図８に対応する線路パターン層の平面構造の説
明図である。

【図１０】この発明において、ブランクパッケージにお
ける最短距離ｄＳとアイソレーション［ｄＢ］との関係
グラフである。

【図１１】この発明において、ブランクパッケージにお
ける線路パターンとの距離ｄとアイソレーション［ｄ
Ｂ］との関係グラフである。

【図１２】この発明の分波器デバイスの線路パターン層
の平面構造の一実施例において、距離ｄの説明図であ
る。

【図１３】従来の分波器デバイスの一実施例の周波数特
性のグラフである。

【図１４】従来の分波器デバイス（図１３）の線路パタ
ーン層の平面構造の説明図である。

【図１５】線路パターンに接続されるパッドを最適配置
していない場合の分波器デバイスの周波数特性のグラフ
である。

【図１６】線路パターンに接続されるパッドを最適配置
していない場合の線路パターン層の平面構造の説明図で
ある。

【図１７】この発明の分波器デバイスの一実施例の周波
数特性のグラフである。

【図１８】この発明の一実施例の線路パターン層の平面
構造の説明図である。

【図１９】この発明の分波器デバイスの一実施例の周波
数特性のグラフである。

【図２０】この発明の一実施例の線路パターン層の平面
構造の説明図である。

【図２１】この発明の分波器デバイスの一実施例の断面
構造の説明図である。

【図２２】図２１に示したこの発明の分波器デバイスの
各層の平面構造の説明図である。

【図２３】この発明において、ブランクパッケージにお
ける最短距離ｄＳとアイソレーション［ｄＢ］との関係
グラフである。

【図２４】この発明の分波器デバイスの一実施例の断面
構造の説明図である。

【図２５】図２４に示したこの発明の分波器デバイスの
各層の平面構造の説明図である。

【図２６】線路パターンと共通端子引き出し線とが同一
層（線路パターン層）に形成された平面構造の説明図で
ある。

【図２７】この発明において、ブランクパッケージにお
ける最短距離ｄＳとアイソレーション［ｄＢ］との関係
グラフである。

【図２８】この発明の分波器デバイスの一実施例の断面
構造の説明図である。

【図２９】従来の分波器デバイスのダイアタッチ層の平
面構造の説明図である。

【図３０】この発明の分波器デバイスのダイアタッチ層
の平面構造の一実施例の説明図である。

【図３１】ダイアタッチ層における線路パターンの抵抗
値のグラフである。

【図３２】この発明のワイヤボンディングパッド層の一
実施例の平面図である。

【図３３】この発明のワイヤボンディングパッド層の一
実施例の平面図である。

【図３４】この発明のワイヤボンディングパッド層の一
実施例の平面図である。

【図３５】この発明のワイヤボンディングパッド層の一
実施例の平面図である。

【図３６】従来の携帯電話の高周波部の構成ブロック図
である。

【符号の説明】

１整合回路（線路パターン）２ＳＡＷフィルタ３ＳＡＷフィルタ４キャップ搭載層５ワイヤボンディングパッド層６ダイアタッチ層７線路パターン層８共通ＧＮＤ層８−１共通ＧＮＤ層８−２共通ＧＮＤ層９フットパターン層（外部接続端子層）１０サイドキャステレーション１１ワイヤ１２蓋１３共通ＧＮＤパターン２０共通端子引き出し線１４ダイアタッチパターン１５ペースト２１共通端子引き出し線層２２ビア２３共通端子引き出し線の端部Ｔ０共通端子Ｔ１外部接続端子Ｔ２外部接続端子ｄＳ最短距離ｄＳ１最短距離ｄＳ２最短距離Ｌ１レイヤＬ２レイヤＬ３レイヤＬ４レイヤＬ５レイヤＦ１第１フィルタＦ２第２フィルタＬＰ１線路パターンの端部ＬＰ２線路パターンの端部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者伊形理神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番１号富士通株式会社内 (72)発明者平沢暢朗長野県須坂市大字小山460番地富士通メディアデバイス株式会社内 (72)発明者福島英訓長野県須坂市大字小山460番地富士通メディアデバイス株式会社内Ｆターム(参考） 5J097 AA13 AA29 BB15 HA04 JJ08 KK10 LL07

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】異なる帯域中心周波数を有する２つの弾
性表面波フィルタと、２つの弾性表面波フィルタ同士の
位相を整合させるための線路パターンとを備えた分波器
デバイスであって、前記線路パターンと各弾性表面波フ
ィルタ上の端子とを接続するためのパッド及び外部アン
テナに接続される共通端子と前記線路パターンとを接続
するためのパッドを含む複数のパッドが形成されたワイ
ヤボンディングパッド層を備え、一方の弾性表面波フィ
ルタと線路パターンの第１の端部とに接続される第１の
パッドと、前記共通端子と線路パターンの第２の端部と
に接続される第２のパッドとが、ワイヤボンディングパ
ッド層内において最も離れた位置に形成されたことを特
徴とする分波器デバイス。
【請求項２】前記ワイヤボンディングパッド層が、そ
のほぼ中央に２つの弾性表面波フィルタを搭載するため
の矩形空間を有し、その矩形空間の周囲に複数個の前記
パッドが形成されており、前記第１のパッド及び第２の
パッドとが、前記矩形空間をはさんで対角位置に配置さ
れていることを特徴とする請求項１の分波器デバイス。
【請求項３】異なる帯域中心周波数を有する２つの弾
性表面波フィルタと、２つの弾性表面波フィルタ同士の
位相を整合させるための線路パターンとを備えた分波器
デバイスであって、前記線路パターンと各弾性表面波フ
ィルタ上の端子とを接続するためのパッド及び外部アン
テナに接続される共通端子と前記線路パターンとを接続
するためのパッドを含む複数のパッドが形成されたワイ
ヤボンディングパッド層と、ワイヤボンディングパッド
層の下方であって前記線路パターンが形成された線路パ
ターン層と、線路パターン層の下方であって各弾性表面
波フィルタと外部回路とを接続するための外部接続端子
を備えた外部接続端子層とを備え、前記線路パターン層
において前記弾性表面波フィルタ上の端子と前記外部接
続端子とを接続する経路が前記線路パターン層と交差す
る点と、前記線路パターンの任意の位置との距離ｄＳ
が、所定値以上となるように前記線路パターンを形成し
たことを特徴とする分波器デバイス。
【請求項４】前記一方の弾性表面波フィルタと線路パ
ターンの第１の端部とに接続される第１のパッドと、前
記共通端子と線路パターンの第２の端部とに接続される
第２のパッドとが、前記ワイヤボンディングパッド層内
において最も離れた位置に形成されたことを特徴とする
請求項３の分波器デバイス。
【請求項５】前記ワイヤボンディングパッド層が、そ
のほぼ中央に２つの弾性表面波フィルタを搭載するため
の矩形空間を有し、その矩形空間の周囲に複数個の前記
パッドが形成されており、前記第１のパッド及び第２の
パッドとが、前記矩形空間をはさんで対角位置に配置さ
れていることを特徴とする請求項４の分波器デバイス。
【請求項６】前記共通端子が前記外部接続端子層に形
成され、前記第２のパッドと共通端子とを接続するため
の共通端子引き出し線が、前記線路パターン層と異なる
層に形成されることを特徴とする請求項４または５の分
波器デバイス。
【請求項７】前記共通端子引き出し線が、前記ワイヤ
ボンディングパッド層に形成されることを特徴とする請
求項６の分波器デバイス。
【請求項８】前記共通端子引き出し線が、前記線路パ
ターン層の下方の層に形成されることを特徴とする請求
項６の分波器デバイス。
【請求項９】前記共通端子引き出し線が形成された層
と、前記線路パターン層との間に、ＧＮＤパターンが形
成された共通ＧＮＤ層が備えられたことを特徴とする請
求項６，７または８の分波器デバイス。
【請求項１０】前記距離ｄＳが、１．０７５ｍｍ以上
であることを特徴とする請求項３乃至９に記載したいず
れかの分波器デバイス。
【請求項１１】前記各層の側面をＧＮＤで覆ったこと
を特徴とする請求項１または３の分波器デバイス。
【請求項１２】前記弾性表面波フィルタを搭載するた
めのダイアタッチ層を、前記ワイヤボンディングパッド
層の下方であって前記線路パターン層の上方に備え、前
記弾性表面波フィルタをＧＮＤに接続するためのダイア
タッチパターンが、２分割以上のパターンとしてダイア
タッチ層上に形成され、分割されたダイアタッチパター
ンと弾性表面波フィルタとがペーストを介して接触して
いることを特徴とする請求項３の分波器デバイス。
【請求項１３】前記ワイヤボンディングパッド層に形
成された複数個のパッドが、互いに所定の距離以上離れ
て形成されていることを特徴とする請求項１または３の
分波器デバイス。
【請求項１４】前記複数のパッドが形成される所定の
距離が０．３ｍｍ以上、弾性表面波フィルタを搭載する
ための矩形空間よりも小さくしたことを特徴とする請求
項１３の分波器デバイス。