JP4177282B2 - アンテナ切換モジュール - Google Patents

Description

本発明は、複数の誘電体セラミック層を積層した積層体を用いてアンテナ切換回路を形成したアンテナ切換モジュールに関するものである。

携帯電話等の移動体通信機器には、通信周波数帯域の異なる複数の通信システムにおいて通信が可能な、いわゆるマルチバンド対応の通信機器が知られている。マルチバンド対応の通信機器は、通信周波数帯域の異なる複数の通信システムのそれぞれに対応した送信回路および受信回路と、通信電波の送受信を行うアンテナ部と、これら複数の送信回路および受信回路とアンテナ部との間における信号経路の切換を行うアンテナ切換回路を形成したアンテナ切換モジュールとを備える。

従来、アンテナ切換モジュールには、小型化・高集積化を図るため、複数の誘電体セラミックス層を積層した積層体を用いてアンテナ切換回路を形成したアンテナ切換モジュールが知られている。積層体の内部には、アンテナ切換回路の一部を構成する複数の回路素子が導体パターンによって形成されている。

積層体内部の導体パターンによって構成することのできない種々の回路素子は、表面実装部品（チップ部品）として積層体の表面に実装されている。この表面実装部品としては、ＳＡＷ(Surface Acoustic Wave)フィルタ回路をチップに形成したＳＡＷチップや、ダイオード，コイル，抵抗器等がある。

積層体の表面には、表面実装部品と積層体内部の回路素子とを電気的に接続する複数のランドが導体パターンによって形成され、これらのランドとしては、ＳＡＷチップにグランド電位を提供するＳＡＷ接地ランドがある。下記特許文献には、積層体の表面にＳＡＷ接地ランドが形成されたアンテナ切換モジュールが開示されている。

特開２００３−２３３７０号公報

しかしながら、従来、ＳＡＷ接地ランドに対する積層体内部の回路素子の配置に十分な配慮がなされていなかった。つまり、ＳＡＷ接地ランドを形成する導体パターンと、積層体内部の回路素子を形成する導体パターンとの間に寄生回路素子が形成されることによって、アンテナ切換回路の電気特性に悪影響を及ぼす場合があった。

本発明は、上記した課題を踏まえ、アンテナ切換モジュールにおいて電気特性の向上を図ることを目的とする。

上記した課題を解決するため、本発明のアンテナ切換モジュールは、通信周波数の異なる複数の通信システムのそれぞれに対応する送信回路および受信回路と、通信電波の送受信を行うアンテナ部との間における信号経路の切換を行うアンテナ切換回路を、複数の誘電体セラミック層を積層した積層体に形成したアンテナ切換モジュールであって、前記アンテナ切換回路の一部を構成するＳＡＷフィルタ回路をチップに形成したＳＡＷチップを備え、前記積層体の最外層表面に、前記ＳＡＷチップに対してグランド電位を提供する複数のＳＡＷ接地ランドを、該複数のＳＡＷ接地ランドを一体的に連結した導体パターンによって形成し、前記積層体の内部に、前記アンテナ切換回路の一部を構成する複数の回路素子のうち他の回路素子間を電気的に接続する少なくとも一つの非接地コンデンサを導体パターンによって形成し、全ての前記非接地コンデンサは、前記ＳＡＷ接地ランドが形成されている層よりも下層に形成されると共に、前記ＳＡＷ接地ランドを形成する導体パターンが前記最外層表面に占める領域を前記積層体の積層方向に沿って該内部に投影した接地投影領域の外に形成されたことを特徴とする。

このアンテナ切換モジュールによれば、ＳＡＷ接地ランドを形成する導体パターンと、非接地コンデンサを形成する導体パターンとの間に寄生コンデンサが形成されることを回避できるため、アンテナ切換回路の電気特性の向上を図ることができる。

上記の構成を有する本発明のアンテナ切換モジュールは、以下の態様を採ることもできる。前記最外層に隣接する誘電体セラミック層の面上における前記接地投影領域に、グランドに接続されるグランドパターンを導体パターンによって形成しても良い。これによって、ＳＡＷ接地ランドを形成する導体パターンが、グランドパターンによって隔離され、積層体内部における回路素子を形成する導体パターンとの間に寄生回路素子が形成されることを防止することができる。

また、前記接地投影領域に、前記アンテナ切換回路の一部を構成するコイルを導体パターンによって形成しても良い。非接地コンデンサと比較してＳＡＷ接地ランドとの関係で電気特性に与える影響が小さいコイルを接地投影領域に形成することによって、電気特性の向上を図りつつ、アンテナ切換モジュールの小型化を図ることができる。

また、本発明のアンテナ切換モジュールの前記アンテナ切換回路は、前記複数の通信システムのうち所定通信周波数以上の高周波側通信システムに対する前記信号経路の切換を行う高周波側スイッチ回路と、前記複数の通信システムのうち前記高周波側通信システムとは異なる低周波側通信システムに対する前記信号経路の切換を行う低周波側スイッチ回路と、前記高周波側スイッチ回路および前記低周波側スイッチ回路と前記アンテナ部との間における各受信信号および各送信信号の分配を行うダイプレクサ回路とを備えたものであっても良い。

このアンテナ切換回路を備えたアンテナ切換モジュールの場合には、前記ダイプレクサ回路は、前記低周波側スイッチ回路に接続する信号経路に内部ローパスフィルタ回路を備え、前記接地投影領域に、前記内部ローパスフィルタ回路の一部を構成するコイルを導体パターンによって形成した態様や、前記接地投影領域に、前記高周波側スイッチ回路および前記低周波側スイッチ回路の少なくとも一方の一部を構成するコイルを導体パターンによって形成した態様を採用しても良い。

以上説明した本発明の構成および作用を一層明らかにするために、以下本発明を適用したアンテナ切換モジュールについて、次の順序で説明する。

目次
Ａ．実施例
Ａ−（１）．アンテナ切換モジュール１０の回路構成
Ａ−（２）．アンテナ切換モジュール１０の構造
Ａ−（３）．積層体１００の上面の詳細構造
Ａ−（４）．積層体１００の各層の詳細構造
Ａ−（５）．積層体１００の底面の詳細構造
Ａ−（６）．アンテナ切換モジュール１０の製造方法
Ｂ．その他の実施形態

Ａ．実施例：
本発明の実施例の一つであるアンテナ切換モジュール１０について説明する。アンテナ切換モジュール１０は、ＧＳＭ(Global System for Mobile Communications)およびＤＣＳ(Digital Communication System)の２つの通信システムに準拠した、いわゆるデュアルバンドの携帯電話の基板上に実装されるモジュールである。アンテナ切換モジュール１０には、携帯電話におけるＧＳＭシステムおよびＤＣＳシステムのそれぞれに対応した送信回路および受信回路と、通信電波の送受信を行うアンテナ部との間における信号経路の切換を行うアンテナ切換回路ＡＣ１が形成されている。

Ａ−（１）．アンテナ切換モジュール１０の回路構成：
アンテナ切換モジュール１０に形成されたアンテナ切換回路ＡＣ１について説明する。図１は、アンテナ切換回路ＡＣ１を示す回路図である。なお、以下の説明において、アンテナ切換回路ＡＣ１の一部を構成する複数の回路素子のうち他の回路素子間を電気的に接続するコンデンサを「非接地コンデンサ」という。図１では、非接地コンデンサの符号に下線が付されている。

アンテナ切換回路ＡＣ１は、入出力端子として、アンテナ部に接続されるアンテナ端子ＡＮＴと、ＧＳＭ系の送信回路に接続される送信端子ＴＸ１と、ＧＳＭ系の受信回路に接続される受信端子ＲＸ１ａ，ＲＸ１ｂと、ＧＳＭ系の送受信経路の切換を制御する制御回路に接続される制御端子ＶＣ１と、ＤＣＳ系の送信回路に接続される送信端子ＴＸ２と、ＤＣＳ系の受信回路に接続される受信端子ＲＸ２ａ，ＲＸ２ｂと、ＤＣＳ系の送受信経路の切換を制御する制御回路に接続される制御端子ＶＣ２とを有する。

アンテナ切換回路ＡＣ１を構成する主要な回路として、ＧＳＭ系の信号経路の切換を行うスイッチ回路ＳＷ１と、ＤＣＳ系の信号経路の切換を行うスイッチ回路ＳＷ２と、スイッチ回路ＳＷ１，ＳＷ２に対して各受信信号および各送信信号の分配を行うダイプレクサ回路ＤＰとがある。

アンテナ端子ＡＮＴとダイプレクサ回路ＤＰとを接続する信号経路には、ローパスフィルタ回路ＬＰＦ３が配設されている。ローパスフィルタ回路ＬＰＦ３には、アンテナ端子ＡＮＴ側から順に、片側がグランドに接続されるコンデンサＣ２，Ｃ３が接続されている。コンデンサＣ２，Ｃ３間には、コンデンサＣ１とコイルＬ１とが並行して接続され、ローパスフィルタ（ＬＣエリピティックフィルタ）として構成されている。このローパスフィルタ回路ＬＰＦ３は、ＤＣＳシステムの通信周波数帯域に対する二次高調波（３．４２〜３．５７ギガヘルツ（以下、ＧＨｚと表記））以上の信号を減衰させる。なお、コンデンサＣ１は、非接地コンデンサである。

ダイプレクサ回路ＤＰにおけるスイッチ回路ＳＷ１側に接続する信号経路には、ローパスフィルタ回路ＬＰＦ３側にコイルＬ２が接続され、その後段は、コンデンサＣ７を介してグランドに接続されるコイルＬ３が接続され、ＬＣローパスフィルタとして構成されている。このＬＣローパスフィルタは、ＧＳＭシステムの通信周波数帯域（０．８２４〜０．８９４ＧＨｚ）の信号を通過させ、それよりも高い周波数の信号を減衰させる。

ダイプレクサ回路ＤＰにおけるスイッチ回路ＳＷ２側に接続する信号経路には、ローパスフィルタ回路ＬＰＦ３側から順に、コンデンサＣ４，Ｃ５が直列して接続されている。コンデンサＣ４，Ｃ５間は、コンデンサＣ６を介してグランドに接続されるコイルＬ４が接続され、ＬＣハイパスフィルタとして構成されている。このＬＣハイパスフィルタは、ＤＣＳシステムの通信周波数帯域（１．７１０〜１．８８０ＧＨｚ）の信号を通過させ、それよりも低い周波数の信号を減衰させる。なお、コンデンサＣ４，Ｃ５は、非接地コンデンサである。

スイッチ回路ＳＷ１における受信端子ＲＸ１ａ，ＲＸ１ｂ側の信号経路には、ダイプレクサ回路ＤＰ側から順に、片側がグランドに接続されるコンデンサＣ８と、コイルＬ５と、片側がグランドに接続されるコンデンサＣ９とが接続され、その後段には、アノード側がコンデンサＣ１０を介してグランドに接続されるダイオードＤ２が接続されている。ダイオードＤ２とコンデンサＣ１０との間には、制御端子ＶＣ１が接続されている。

スイッチ回路ＳＷ１における送信端子ＴＸ１側の信号経路には、ダイプレクサ回路ＤＰ側から順に、アノード側がダイプレクサ回路ＤＰ側に接続されたダイオードＤ１と、片側が抵抗器Ｒ１を介してグランドに接続されるコイルＬ１０とが接続されている。スイッチ回路ＳＷ１は、制御端子ＶＣ１に印加される制御電圧によるダイオードＤ１，Ｄ２のＯＮ／ＯＦＦによって、受信端子ＲＸ１ａ，ＲＸ１ｂ側および送信端子ＴＸ１側の信号経路の切換を行う。

スイッチ回路ＳＷ１と受信端子ＲＸ１ａ，ＲＸ１ｂとの間の信号経路には、平衡型のＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ１が接続されている。このＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ１は、ＧＳＭシステムの受信周波数帯域（０．８６９〜０．８９４ＧＨｚ）の信号を通過させ、それ以外の周波数の信号を減衰させる。

スイッチ回路ＳＷ１と送信端子ＴＸ１とを接続する信号経路には、ローパスフィルタ回路ＬＰＦ１が配設されている。ローパスフィルタ回路ＬＰＦ１には、スイッチ回路ＳＷ１側から順に、片側がグランドに接続されるコンデンサＣ１２，Ｃ１３が接続されている。コンデンサＣ１２，Ｃ１３間には、コンデンサＣ１１とコイルＬ６とが並行して接続され、ローパスフィルタ（ＬＣエリピティックフィルタ）として構成されている。このローパスフィルタ回路ＬＰＦ１は、ＧＳＭシステムの送信周波数帯域（０．８２４〜０．８４９ＧＨｚ）以上の信号を減衰させる。なお、コンデンサＣ１１は、非接地コンデンサである。

スイッチ回路ＳＷ２における受信端子ＲＸ２ａ，ＲＸ２ｂ側の信号経路には、ダイプレクサ回路ＤＰ側から順に、片側がグランドに接続されるコンデンサＣ１４と、コイルＬ７と、片側がグランドに接続されるコンデンサＣ１５とが接続され、その後段には、アノード側がコンデンサＣ１６を介してグランドに接続されるダイオードＤ４が接続されている。ダイオードＤ４とコンデンサＣ１６との間には、抵抗器Ｒ２を介して制御端子ＶＣ２が接続されている。

スイッチ回路ＳＷ２における送信端子ＴＸ２側の信号経路には、ダイプレクサ回路ＤＰ側から順に、アノード側がダイプレクサ回路ＤＰ側に接続されたダイオードＤ３と、コンデンサＣ２０およびコイルＬ９とが並列に接続され、その後段には、片側がグランドに接続されるコイルＬ１１が接続されている。スイッチ回路ＳＷ２は、制御端子ＶＣ２に印加される制御電圧によるダイオードＤ３，Ｄ４のＯＮ／ＯＦＦによって、受信端子ＲＸ２ａ，ＲＸ２ｂ側および送信端子ＴＸ２側の信号経路の切換を行う。なお、コンデンサＣ２０は、非接地コンデンサである。

スイッチ回路ＳＷ２と受信端子ＲＸ２ａ，ＲＸ２ｂとの間の信号経路には、平衡型のＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ２が接続されている。このＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ２は、ＤＣＳシステムの受信周波数帯域（１．８０５〜１．８８０ＧＨｚ）の信号を通過させ、それ以外の周波数の信号を減衰させる。

スイッチ回路ＳＷ２と送信端子ＴＸ２とを接続する信号経路には、ローパスフィルタ回路ＬＰＦ２が配設されている。ローパスフィルタ回路ＬＰＦ２には、スイッチ回路ＳＷ２側から順に、片側がグランドに接続されるコンデンサＣ１８，Ｃ１９が接続されている。コンデンサＣ１８，Ｃ１９間には、コンデンサＣ１７とコイルＬ８とが並行して接続され、ローパスフィルタ（ＬＣエリピティックフィルタ）として構成されている。このローパスフィルタ回路ＬＰＦ２は、ＤＣＳシステムの送信周波数帯域（１．７１０〜１．７８５ＧＨｚ）以上の信号を減衰させる。なお、コンデンサＣ１７は、非接地コンデンサである。

これらの回路構成によって、アンテナ切換回路ＡＣ１は、制御端子ＶＣ１，ＶＣ２の各制御電圧に基づいて、ＧＳＭシステムおよびＤＣＳシステムの各送受信系と、１つのアンテナ部との間における信号経路の切換を行うことができる。

Ａ−（２）．アンテナ切換モジュール１０の構造：
アンテナ切換モジュール１０の構造について説明する。図２は、アンテナ切換モジュール１０の外観構造を示す斜視図である。アンテナ切換モジュール１０は、９層の誘電体（ガラス）セラミック層を積層した四角柱状の積層体１００と、積層体１００の最上層表面に実装された種々の表面実装部品と、これらの表面実装部品の上部を覆う導体金属製のシールドキャップＳＣとを備える。既述したアンテナ切換回路ＡＣ１は、積層体１００および種々の表面実装部品によって形成されている。なお、積層体１００の積層面の一辺は、５ミリメートル（以下、ｍｍと表記する）程度である。

積層体１００のガラスセラミック層は、アルミナおよびガラスを含むガラスセラミック材料から成る。積層体１００の内部には、アンテナ切換回路ＡＣ１の一部を構成する種々の回路素子が、各ガラスセラミック層に形成された導体パターンによって形成されている。各層の導体パターン間は、ガラスセラミック層を貫通するスルーホールもしくはビアホールによって電気的に接続されている。積層体内部の導体パターンやスルーホール，ビアホールは、銀を主成分とした導体材料から成る。なお、積層体１００の各層の詳細構造については後述する。

図３は、アンテナ切換モジュール１０の上面図である。積層体１００に実装された種々の表面実装部品は、図１に示したアンテナ切換回路ＡＣ１の一部を構成する部品である。これらの表面実装部品としては、ＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ１，ＳＡＷ２をチップに形成したＳＡＷチップＳＦと、ダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４と、コイルＬ９，Ｌ１０，Ｌ１１と、コンデンサＣ１０と、抵抗器Ｒ１，Ｒ２とがある。これら表面実装部品の上部を覆うシールドキャップＳＣは、積層体１００の最層表面に半田付けされ、アンテナ切換モジュール１０が携帯電話のプリント基板（図示しない）に実装された際に積層体１００の各層を介してグランドへ電気的に接続される。

Ａ−（３）．積層体１００の上面の詳細構造：
積層体１００の上面の詳細構造について説明する。図４は、積層体１００の最上層表面のオーバコート材１９５を示す上面図である。図５は、積層体１００の最上層である第９セラミック層１９０を示す上面図である。

積層体１００の最上層である第９セラミック層１９０の表面には、図５に示すように、導体パターン１９２が形成されている。なお、図面の認識の容易化を図るため、図５における導体パターン１９２には、ハッチングが施されている。導体パターン１９２が形成された第９セラミック層１９０の上には、図４に示すように、複数の開口部ＯＰＴを有するオーバコート材１９５がコーティング（被覆）されている。オーバコート材１９５は、第９セラミック層１９０と同様のアルミナおよびガラスを含むガラスセラミック材料にコバルトを添加した材料から成る。

図３に示した種々の表面実装部品は、オーバコート材１９５の開口部ＯＰＴから露出した導体パターン１９２の各部分に、それぞれ半田付けによって実装される。図５に示した導体パターン１９２は、表面実装部品のうちのＳＡＷチップＳＦに対してグランド電位を提供するＳＡＷ接地ランドパターン部ＬＳＧを有する。ＳＡＷ接地ランドパターン部ＬＳＧは、アンテナ切換モジュール１０が携帯電話のプリント基板（図示しない）に実装された際に積層体１００内部の各層を介してグランドへ電気的に接続される。

ＳＡＷ接地ランドパターン部ＬＳＧは、オーバコート材１９５の開口部ＯＰＴによってＳＡＷチップＳＦに対して４箇所で露出する。ＳＡＷ接地ランドパターン部ＬＳＧの形状は、露出する４箇所間を各露出箇所の幅で連結したような形状である。なお、ＳＡＷ接地ランドパターン部ＬＳＧは、コイルＬ１１や抵抗器Ｒ１，シールドキャップＳＣに対してグランド電位を提供する各部分に対しても、これらの露出部の幅よりも細い部分によって連結されている。

Ａ−（４）．積層体１００の各層の詳細構造：
積層体１００の各層の詳細構造について説明する。図６〜図１３は、積層体１００の第８セラミック層１８０から第１セラミック層１１０の順に各層を示す上面図である。図６〜図１３には、図５に示したＳＡＷ接地ランドパターン部ＬＳＧが第９セラミック層１９０に占める領域を積層体１００の積層方向に沿って各層に投影した接地投影領域ＧＰＡが示され、非接地コンデンサの符号に下線が付されている。なお、図６〜図１３では、図面の認識の容易化を図るため、各導体パターンには左下がりのハッチングが施され、各スルーホールには右下がりのハッチングが施され、導体パターンの下に位置するスルーホールの図示は省略されている。

第８セラミック層１８０の上面には、図６に示すように、種々の回路素子を形成する導体パターン１８２と、複数のスルーホール１８４とが形成されている。導体パターン１８２は、図１に示したアンテナ切換回路ＡＣ１を構成する回路素子の一部であるコイルＬ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ５，Ｌ６，Ｌ７，Ｌ８と、コンデンサＣ５，Ｃ２０とを形成する。ダイプレクサ回路ＤＰ内部のローパスフィルタの一部を構成するコイルＬ２，Ｌ３や、スイッチ回路ＳＷ１の一部を構成するＬ５は、接地投影領域ＧＰＡに重なる位置に形成されている。非接地コンデンサであるコンデンサＣ５，Ｃ２０は、接地投影領域ＧＰＡの外に形成されている。

第７層セラミック層１７０の上面には、図７に示すように、種々の回路素子を形成する導体パターン１７２と、複数のスルーホール１７４とが形成されている。導体パターン１７２は、図１に示したアンテナ切換回路ＡＣ１を構成する回路素子の一部であるコンデンサＣ４，Ｃ５，Ｃ２０を形成する。非接地コンデンサであるコンデンサＣ４，Ｃ５，Ｃ２０は、接地投影領域ＧＰＡの外に形成されている。

第６セラミック層１６０の上面には、図８に示すように、種々の回路素子を形成する導体パターン１６２と、複数のスルーホール１６４とが形成されている。導体パターン１６２は、図１に示したアンテナ切換回路ＡＣ１を構成する回路素子の一部であるコイルＬ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ５，Ｌ６，Ｌ７，Ｌ８と、コンデンサＣ４とを形成する。ダイプレクサ回路ＤＰ内部のローパスフィルタの一部を構成するコイルＬ２，Ｌ３は、接地投影領域ＧＰＡに重なる位置に形成されている。非接地コンデンサであるコンデンサＣ４は、接地投影領域ＧＰＡの外に形成されている。

第５セラミック層１５０の上面には、図９に示すように、図１に示したアンテナ切換回路ＡＣ１を構成する回路素子の一部であるコイルＬ４を形成する導体パターン１５２と、複数のスルーホール１５４とが形成されている。

第４セラミック層１４０の上面には、図１０に示すように、図１に示したアンテナ切換回路ＡＣ１を構成する回路素子の一部であるコイルＬ４を形成する導体パターン１４２と、複数のスルーホール１４４とが形成されている。

第３セラミック層１３０の上面には、図１１に示すように、種々の回路素子を形成する導体パターン１３２と、複数のスルーホール１３４とが形成されている。導体パターン１３２は、グランドに接続されるグランドパターンＧＰ１と、図１に示したアンテナ切換回路ＡＣ１を構成する回路素子の一部であるコンデンサＣ１，Ｃ３，Ｃ１１，Ｃ１７とを形成する。非接地コンデンサであるコンデンサＣ１，Ｃ１１，Ｃ１７は、接地投影領域ＧＰＡの外に形成されている。

第２セラミック層１２０の上面には、図１２に示すように、種々の回路素子を形成する導体パターン１２２と、複数のスルーホール１２４とが形成されている。導体パターン１２２は、図１に示したアンテナ切換回路ＡＣ１を構成する回路素子の一部であるコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ６，Ｃ７，Ｃ８，Ｃ９，Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４，Ｃ１５，Ｃ１６，Ｃ１７，Ｃ１８，Ｃ１９を形成する。非接地コンデンサであるコンデンサＣ１，Ｃ１１，Ｃ１７は、接地投影領域ＧＰＡの外に形成されている。

第１セラミック層１１０の上面には、図１３に示すように、グランドに接続されるグランドパターンＧＰ２を形成する導体パターン１１２と、スルーホール１１４とが形成されている。

Ａ−（５）．積層体１００の底面の詳細構造：
積層体１００の底面の詳細構造について説明する。図１４は、積層体１００の底面図である。なお、図１４に示す積層体１００の底面は、図１３に示した第１セラミック層１１０の裏面でもある。

積層体１００の底面である第１セラミック層１１０の裏面には、図１４に示すように、種々の接続端子を形成する導体パターン１１６が形成されている。導体パターン１１６は、図１のアンテナ切換回路ＡＣ１に示したアンテナ端子ＡＮＴと、送信端子ＴＸ１，ＴＸ２と、受信端子ＲＸ１ａ，ＲＸ１ｂ，ＲＸ２ａ，ＲＸ２ｂと、制御端子ＶＣ１，ＶＣ２との他、グランドに接続されるグランド端子ＧＮＤ１，ＧＮＤ２，ＧＮＤ３，ＧＮＤ４，ＧＮＤ４，ＧＮＤ５，ＧＮＤ６とを形成する。

Ａ−（６）．アンテナ切換モジュール１０の製造方法：
アンテナ切換モジュール１０の製造方法について説明する。図１５は、アンテナ切換モジュール１０の製造工程の概略を示す説明図である。アンテナ切換モジュール１０を製造する際には、始めに、誘電体材料の一つである低温焼成可能なガラスセラミック材料から成るグリーンシートを複数用意する（工程Ｓ１１０）。グリーンシートの大きさは、複数個分の積層体１００の大きさである。

その後、各グリーンシートに、図５〜１４に示したように、スルーホールおよび導体パターンを積層体１００の各層に対応させて形成する（工程Ｓ１２０）。スルーホールについては、スルーホールを形成する箇所に穴を開けた後、その穴に導体ペーストを充填させることによって形成する。導体パターンについては、導体ペーストを印刷することによって形成する。なお、本実施例の導体ペーストの材料は、銀を主体とする材料を用いる。この工程において、第９セラミック層１９０に対応するグリーンシートには、図４に示したオーバコート材１９５がコーティングされる。

導体パターンを形成した後（工程Ｓ１２０）、積層体１００の各層の導体パターンが形成されたグリーンシートを、積層体１００における各層の並びの順で積層する（工程Ｓ１３０）。

グリーンシートを積層した後（工程Ｓ１３０）、積層したグリーンシートを焼成する（工程Ｓ１４０）。その後、焼成したグリーンシートにおける各積層体１００の表面に現れている導体パターンにニッケル−金メッキを施し（工程Ｓ１５０）、各積層体１００の最上層表面に、ＳＡＷチップＳＦやダイオードＤ３等の表面実装部品やシールドキャップＳＣを半田付けする（工程Ｓ１６０）。その後、各積層体１００を形成する個片毎に分割することで（工程Ｓ１７０）、アンテナ切換モジュール１０が完成する。

以上説明した本発明のアンテナ切換モジュール１０によれば、ＳＡＷ接地ランドパターン部ＬＳＧと、非接地コンデンサであるコンデンサＣ１，Ｃ４，Ｃ５，Ｃ１１，Ｃ１７，Ｃ２０を形成する導体パターンとの間に寄生コンデンサが形成されることを回避できるため、アンテナ切換回路ＡＣ１の電気特性の向上を図ることができる。

また、非接地コンデンサと比較してＳＡＷ接地ランドパターン部ＬＳＧとの関係で電気特性に与える影響が小さいコイルＬ２，Ｌ３，Ｌ５を接地投影領域ＧＰＡに重なる位置に形成することによって、電気特性の向上を図りつつ、アンテナ切換モジュール１０の小型化を図ることができる。

Ｂ．その他の実施形態：
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明はこうした実施の形態に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において様々な形態で実施し得ることは勿論である。

例えば、積層体１００の第９セラミック層１９０と第８セラミック層１８０との間に、図１６に示す第８．５セラミック層１８５を挿入しても良い。第８．５セラミック層１８５の面上における接地投影領域ＧＰＡには、グランドに接続されるグランドパターンＧＰ３が導体パターン１８７によって形成されている。グランドパターンＧＰ３は、接地投影領域ＧＰＡの全体を覆う形状である。第８．５セラミック層１８５および導体パターン１８７の材質は、他の層のものと同様である。この場合には、ＳＡＷ接地ランドパターン部ＬＳＧが、グランドパターンＧＰ３によって隔離され、積層体１００内部における回路素子を形成する導体パターンとの間に寄生回路素子が形成されることを防止することができる。なお、図１６では、第８．５セラミック層１８５におけるスルーホールの図示は省略されている。

また、アンテナ切換モジュールが取り扱う通信システムは、ＧＳＭおよびＤＣＳに限るものではなく、ＥＧＳＭ(Extended Global System for Mobile Communications)やＰＣＳ(Personal Communication Service)などの他の通信システムを取り扱うモジュールに本発明を適用しても良い。また、アンテナ切換モジュールが形成するアンテナ切換回路は、デュアルバンドに対応したものに限るものではなく、トリプルバンドやクワッドバンドに対応したものであっても良い。

アンテナ切換回路ＡＣ１を示す回路図である。 アンテナ切換モジュール１０の外観構造を示す斜視図である。 アンテナ切換モジュール１０の上面図である。 積層体１００の最上層表面のオーバコート材１９５を示す上面図である。 積層体１００の最上層である第９セラミック層１９０を示す上面図である。 積層体１００の第８セラミック層１８０を示す上面図である。 積層体１００の第７セラミック層１７０を示す上面図である。 積層体１００の第６セラミック層１６０を示す上面図である。 積層体１００の第５セラミック層１５０を示す上面図である。 積層体１００の第４セラミック層１４０を示す上面図である。 積層体１００の第３セラミック層１３０を示す上面図である。 積層体１００の第２セラミック層１２０を示す上面図である。 積層体１００の第１セラミック層１１０を示す上面図である。 積層体１００の底面図である。 アンテナ切換モジュール１０の製造工程の概略を示す説明図である。 その他の実施形態における第８．５セラミック層１８５を示す上面図である。

符号の説明

１０...アンテナ切換モジュール
１００...積層体
１１０...第１セラミック層
１１２，１１６，１２２，１３２，１４２，１５２，１６２，１７２，１８２，１８７，１９２...導体パターン
１１４，１２４，１３４，１４４，１５４，１６４，１７４，１８４...スルーホール
１２０...第２セラミック層
１３０...第３セラミック層
１４０...第４セラミック層
１５０...第５セラミック層
１６０...第６セラミック層
１７０...第７セラミック層
１８０...第８セラミック層
１８５...第８．５セラミック層
１９０...第９セラミック層
１９５...オーバコート材
ＧＰＡ...接地投影領域
ＯＰＴ...開口部
ＡＣ１...アンテナ切換回路
ＳＡＷ１，ＳＡＷ２...ＳＡＷフィルタ回路
ＤＰ...ダイプレクサ回路
ＬＰＦ１〜３...ローパスフィルタ回路
Ｃ１〜２０...コンデンサ
Ｄ１〜４...ダイオード
ＧＰ１〜３...グランドパターン
Ｌ１〜１１...コイル
Ｒ１，Ｒ２...抵抗器
ＳＣ...シールドキャップ
ＳＷ１，ＳＷ２...スイッチ回路
ＡＮＴ...アンテナ端子
ＴＸ１，ＴＸ２...送信端子
ＲＸ１ａ，ＲＸ１ｂ，ＲＸ２ａ，ＲＸ２ｂ...受信端子
ＶＣ１，ＶＣ２...制御端子
ＧＮＤ１〜６...グランド端子

Claims (6)

1. 通信周波数の異なる複数の通信システムのそれぞれに対応する送信回路および受信回路と、通信電波の送受信を行うアンテナ部との間における信号経路の切換を行うアンテナ切換回路を、複数の誘電体セラミック層を積層した積層体に形成したアンテナ切換モジュールであって、
   前記アンテナ切換回路の一部を構成するＳＡＷフィルタ回路をチップに形成したＳＡＷチップを備え、
   前記積層体の最外層表面に、前記ＳＡＷチップに対してグランド電位を提供する複数のＳＡＷ接地ランドを、該複数のＳＡＷ接地ランドを一体的に連結した導体パターンによって形成し、
   前記積層体の内部に、前記アンテナ切換回路の一部を構成する複数の回路素子のうち他の回路素子間を電気的に接続する少なくとも一つの非接地コンデンサを導体パターンによって形成し、
   全ての前記非接地コンデンサは、前記ＳＡＷ接地ランドが形成されている層よりも下層に形成されると共に、前記ＳＡＷ接地ランドを形成する導体パターンが前記最外層表面に占める領域を前記積層体の積層方向に沿って該内部に投影した接地投影領域の外に形成された
   アンテナ切換モジュール。
2. 前記最外層に隣接する誘電体セラミック層の面上における前記接地投影領域に、グランドに接続されるグランドパターンを導体パターンによって形成した請求項１記載のアンテナ切換モジュール。
3. 前記接地投影領域に、前記アンテナ切換回路の一部を構成するコイルを導体パターンによって形成した請求項１または２記載のアンテナ切換モジュール。
4. 請求項１ないし３のいずれか記載のアンテナ切換モジュールであって、
   前記アンテナ切換回路は、
   前記複数の通信システムのうち所定通信周波数以上の高周波側通信システムに対する前記信号経路の切換を行う高周波側スイッチ回路と、
   前記複数の通信システムのうち前記高周波側通信システムとは異なる低周波側通信システムに対する前記信号経路の切換を行う低周波側スイッチ回路と、
   前記高周波側スイッチ回路および前記低周波側スイッチ回路と前記アンテナ部との間における各受信信号および各送信信号の分配を行うダイプレクサ回路と
   を備えた
   アンテナ切換モジュール。
5. 請求項４記載のアンテナ切換モジュールであって、
   前記ダイプレクサ回路は、前記低周波側スイッチ回路に接続する信号経路に内部ローパスフィルタ回路を備え、
   前記接地投影領域に、前記内部ローパスフィルタ回路の一部を構成するコイルを導体パターンによって形成した
   アンテナ切換モジュール。
6. 請求項４または５記載のアンテナ切換モジュールであって、
   前記接地投影領域に、前記高周波側スイッチ回路および前記低周波側スイッチ回路の少なくとも一方の一部を構成するコイルを導体パターンによって形成した
   アンテナ切換モジュール。

Images