JP2005295350A - アンテナ切換モジュールおよびアンテナ切換回路形成用の積層体 - Google Patents

Abstract

【課題】 スイッチ回路での信号経路の切り換えに伴って発生したノイズを速やかに低減させることを目的とする。
【解決手段】 アンテナ切換モジュール１０では、積層体１００の最上面に、スイッチ回路ＳＷ１を構成する実装部品としてのダイオードＤ２を装着するための一対の端子パッド１１１，１１２ａが設けられると共に、この一対の端子パッド１１１，１１２ａの間の位置に、グランドに接続されるグランドパターン１９８が設けられている。これにより、ダイオードＤ２は、グランドパターン１９８を跨ぐようにして実装される。
【選択図】 図８

Description

本発明は、誘電体セラミック層を積層した積層体にアンテナ切換回路の少なくとも一部を形成する技術に関するものである。

携帯電話等の移動体通信機器には、通信周波数帯域の異なる複数の通信システムにおいて通信が可能な、いわゆるマルチバンド対応の通信機器が知られている。マルチバンド対応の通信機器は、通信周波数帯域の異なる複数の通信システムのそれぞれに対応した送信回路および受信回路と、通信電波の送受信を行うアンテナと、これら複数の送信回路および受信回路とアンテナとの接続を切り換えるアンテナ切換回路を形成するアンテナ切換モジュールとを備える。

アンテナ切換モジュールとしては、小型化・高集積化を図るため、誘電体セラミックス層を積層した積層体にアンテナ切換回路を形成したものが知られている。こうしたアンテナ切換回路には、アンテナに接続される回路を送信回路または受信回路のいずれかに切り換えるスイッチ回路が含まれており、スイッチ回路による切り換えは、従来、送信回路，受信回路との間の信号経路に配置されたダイオードにバイアス電流を流すことによって行なわれていた。

特開２００３−２３３７０号公報

しかしながら、上記の従来の手法では、ダイオードにバイアス電流を流すことによってノイズが発生した場合に、このノイズが、受信信号や送信信号に乗って、受信回路やアンテナに至る回路に回り込むおそれがあった。

本発明は、上記の課題を解決し、スイッチ回路での信号経路の切り換えに伴って発生したノイズを速やかに低減させることを目的として、以下の構成を採った。

本発明のアンテナ切換モジュールは、誘電体セラミック層を積層した積層体に、所定の通信周波数帯域の通信システムに対応する送信回路および受信回路と通信電波の送受信を行なうアンテナとの接続を切り換えるアンテナ切換回路の少なくとも一部を備えたアンテナ切換モジュールであって、
前記アンテナ切換回路は、所定の信号を受けて駆動するスイッチング素子の駆動状態を変更することにより、前記アンテナと前記送信回路または前記受信回路のいずれかに接続を切り換えるスイッチ回路を備え、
前記積層体の表面には、前記スイッチング素子が有する端子と導通するための少なくとも一対のスイッチング素子用端子パッドが設けられると共に、該一対のスイッチング素子用端子パッドの間の位置に、グランドに接続されるグランドパターンが設けられており、
前記スイッチング素子は、前記端子を前記スイッチング素子用端子パッドに接続することにより、前記グランドパターンを跨ぐようにして実装されたことを要旨とする。

本発明のアンテナ切換モジュールによれば、積層体が備えたアンテナ切換回路には、所定の信号を受けて駆動するスイッチング素子の駆動状態を変更することにより、アンテナと送信回路または受信回路のいずれかに接続を切り換えるスイッチ回路が含まれている。スイッチング素子が受ける所定の信号としては、電気信号や磁気信号等、ノイズの発生源となり得る種々の信号を考えることができる。こうしたスイッチ回路を含むアンテナ切換モジュールでは、積層体の表面には、スイッチング素子が有する端子と導通するための少なくとも一対のスイッチング素子用端子パッドが設けられると共に、該一対のスイッチング素子用端子パッドの間の位置に、グランドに接続されるグランドパターンが設けられており、スイッチング素子が、前記端子を前記スイッチング素子用端子パッドに接続することにより、グランドパターンを跨ぐようにして実装されている。このため、スイッチング素子が所定の信号を受けたことによってノイズが発生した場合に、このノイズは、スイッチング素子が跨いでいるグランドパターンに速やかに導かれる。従って、スイッチ回路での切り換えに伴って発生したノイズを速やかに低減させることができる。

上記のアンテナ切換モジュールにおいて、アンテナ切換回路が、特定の周波数帯域の信号を通過させるフィルタ回路を備え、該フィルタ回路は、スイッチ回路と受信回路との間に接続されている場合に、フィルタ回路が形成されたフィルタ素子が実装される積層体の表面に、該フィルタ素子が有する端子と導通するための少なくとも一つのフィルタ回路用端子パッドが形成され、該フィルタ回路用端子パッドのうち、グランドに接続される端子パッドと前記グランドパターンとが接続されていてもよい。こうすれば、フィルタ回路のグランド端子にグランドパターンが接続されることによってグランドに接続される経路が増えるので、フィルタ回路のグランド電極のグランド電位が安定し、フィルタ特性が向上する。この場合に、フィルタ回路用端子パッドのうちの入力端子パッドとスイッチング素子用端子パッドのうちの前記所定の信号が入ってくるパッドとの間に、グランドパターンが配置されていてもよい。こうすれば、スイッチング素子が所定の信号を受けたことによって発生したノイズが、フィルタ素子の入力側に回り込んでしまうことを防止することができる。

アンテナ切換回路が、通信周波数帯域の異なる複数の通信システムのそれぞれに対応する前記送信回路および前記受信回路と前記アンテナとの接続を切り換える回路であり、この複数の通信システムのそれぞれに対応する送信回路および受信回路ごとに別々のスイッチ回路を備える場合には、上記のスイッチング素子用端子パッドを、別々のスイッチ回路のそれぞれが備えるスイッチング素子の端子との導通に対応して、積層体の表面の複数の箇所に設け、それぞれのスイッチング素子を、対応するスイッチング素子用端子パッドに接続して、前記グランドパターンを跨ぐように実装することが好ましい。こうすれば、複数の各スイッチ回路での切り換えに伴って発生したノイズを速やかに低減させることができる。こうした別々のスイッチ回路を備える場合において、アンテナ切換回路が、特定の周波数帯域の信号を通過させるフィルタ回路を複数備えており、該複数のフィルタ回路のそれぞれは、別々の各スイッチ回路とそれぞれのスイッチ回路に対応した受信回路との間に接続されている場合には、この複数の各フィルタ回路が形成された複数の各フィルタ素子が実装される積層体の表面に、各フィルタ素子が有する端子と導通するための少なくとも一つのフィルタ回路用端子パッドが形成され、該フィルタ回路用端子パッドのうち、グランドに接続される端子パッドと前記グランドパターンとが接続されていることも望ましい。こうすれば、各フィルタ回路のグランド端子にグランドパターンが接続されることによってグランドに接続される経路が増えるので、各フィルタ回路のグランド電極のグランド電位が安定し、フィルタ特性が向上する。

上記のアンテナ切換モジュールが、積層体の表面に実装された複数の素子を収納する収納部と積層体の周縁に装着される端部とを備えたシールドキャップを備えており、このシールドキャップが、端部の近傍における収納部の高さが該端部に近づくにつれて漸減された形状を有している場合、積層体の表面には、その近傍における収納部の高さが漸減されている前記端部が装着される前記周縁寄りの位置に、相対的に高さの低い前記素子が実装されることが好ましい。シールドキャップの端部が装着される「積層体の周縁」は、積層体の周りや縁の領域のことをいい、具体的には、積層体の表面の縁や積層体の側面のような、素子が実装されていない領域を考えることができる。こうすれば、シールドキャップの端部を積層体の表面の周縁に装着して積層体の表面に実装された素子をシールドキャップの収納部に収納しようとする場合に、周縁付近に実装された素子が、シールドキャップにおける収納部の高さが漸減された部位に干渉しにくくなり、素子とシールドキャップとの干渉によって生じ得る種々の不具合（例えば、素子と配線パターンとの接続不良や素子自体の破損）を回避することができる。例えば、積層体の表面に実装される素子のうち、相対的に高さの低い素子がスイッチング素子であり、最も高さの高い素子が、特定の周波数帯域の信号を通過させるフィルタ回路が形成されたフィルタ素子である構成を考えることができる。

上記のアンテナ切換モジュールにおいて、スイッチング素子が、バイアス電流を受けて駆動するダイオードである構成を採用してもよい。こうした構成を採用した場合には、積層体の表面に、バイアス電流を受けて駆動するダイオードを含む全てのダイオードが、極性の向きが同じ向きになるように実装されることも、製造段階でのダイオードの誤った実装を回避し易くなる点で望ましい。また、ダイオードが樹脂モールドされていることも、ダイオードの強度を確保できる点で好ましい。

本発明の第１の積層体は、誘電体セラミック層を積層することによって構成され、所定の通信周波数帯域の通信システムに対応する送信回路および受信回路と通信電波の送受信を行なうアンテナとの接続を切り換えるアンテナ切換回路の少なくとも一部が形成される積層体であって、
前記アンテナ切換回路は、所定の信号の入力によってスイッチング素子を駆動させることにより、前記アンテナに接続される回路を前記送信回路または前記受信回路のいずれかに切り換えるスイッチ回路を備え、
前記積層体の表面には、前記スイッチング素子が有する端子に導通するための端子パッドが設けられており、
前記端子パッドのうち前記所定の信号が通過する端子パッドと、それ以外のパッドとの間に、グランドに接続されるグランドパターンが設けられていることを要旨とする。

本発明の第１の積層体は、所定の通信周波数帯域の通信システムに対応する送信回路および受信回路とアンテナとの接続を切り換えるアンテナ切換回路の少なくとも一部が形成されるものであり、形成されるアンテナ切換回路には、所定の信号の入力によってスイッチング素子を駆動させることにより、アンテナに接続される回路を送信回路または受信回路のいずれかに切り換えるスイッチ回路が含まれるものである。こうした積層体の表面には、スイッチング素子が有する端子に導通するための端子パッドが設けられており、該端子パッドのうち前記所定の信号が通過する端子パッドとそれ以外のパッドとの間に、グランドに接続されるグランドパターンが設けられている。このような積層体の端子パッドにスイッチング素子が有する端子が装着されると、スイッチング素子は、グランドパターンを跨ぐようにして積層体の表面に実装される。このため、端子パッドが受けた所定の信号が端子パッドから漏れた場合やスイッチング素子が所定の信号を受けたことによってノイズが発生した場合に、この漏れ信号やノイズは、スイッチング素子が跨いでいるグランドパターンに速やかに導かれる。従って、スイッチ回路での切り換えに際して入力した所定の信号がパッド間で漏れてしまうことを防止でき、かつ、スイッチ回路での切り換えに伴って発生したノイズを速やかに低減させることが可能な積層体を提供することができる。

本発明の第２の積層体は、誘電体セラミック層を積層することによって構成され、所定の通信周波数帯域の通信システムに対応する送信回路および受信回路と通信電波の送受信を行なうアンテナとの接続を切り換えるアンテナ切換回路の少なくとも一部が形成される積層体であって、
前記アンテナ切換回路は、所定の信号の入力によってスイッチング素子を駆動させることにより、前記アンテナに接続される回路を前記送信回路または前記受信回路のいずれかに切り換えるスイッチ回路を備え、
前記積層体の表面には、前記スイッチング素子が有する端子に接続される複数個の端子パッドが設けられており、
該複数個の端子パッドの間に、グランドに接続されるグランドパターンを設けたことを要旨とする。

本発明の第２の積層体は、所定の通信周波数帯域の通信システムに対応する送信回路および受信回路とアンテナとの接続を切り換えるアンテナ切換回路の少なくとも一部が形成されるものであり、形成されるアンテナ切換回路には、所定の信号の入力によってスイッチング素子を駆動させることにより、アンテナに接続される回路を送信回路または受信回路のいずれかに切り換えるスイッチ回路が含まれるものである。こうした積層体の表面には、スイッチング素子が有する端子に接続される複数個の端子パッドが設けられており、該複数個の端子パッドの間に、グランドに接続されるグランドパターンが設けられている。このような積層体の端子パッドにスイッチング素子が有する端子が装着されると、スイッチング素子は、グランドパターンを跨ぐようにして積層体の表面に実装される。このため、スイッチング素子が所定の信号を受けたことによってノイズが発生した場合に、このノイズは、スイッチング素子が跨いでいるグランドパターンに速やかに導かれる。従って、スイッチ回路での切り換えに伴って発生したノイズを速やかに低減させることが可能な積層体を提供することができる。

以上説明した本発明の構成および作用を一層明らかにするために、以下本発明を適用したアンテナ切換モジュールについて、次の順序で説明する。

Ａ．実施例（デュアルバンド）
Ａ−（１）．アンテナ切換モジュール１０の構造
Ａ−（２）．アンテナ切換モジュール１０の回路構成
Ａ−（３）．アンテナ切換モジュール１０の細部構造
Ａ−（４）．アンテナ切換モジュール１０の製造方法
Ｂ．その他の実施形態

Ａ．実施例（デュアルバンド）：
本発明の実施例であるアンテナ切換モジュール１０は、ＧＳＭ(Global System for Mobile Communications)，ＤＣＳ(Digital Communication System)の２つの通信システムに準拠した、いわゆるデュアルバンドの携帯電話に搭載されるモジュールである。

Ａ−（１）．アンテナ切換モジュール１０の構造：
アンテナ切換モジュール１０の構造について説明する。図１は、アンテナ切換モジュール１０の外観構造を示す斜視図である。アンテナ切換モジュール１０は、携帯電話における通信周波数の異なる複数の通信システムと、通信電波の送受信を行なうアンテナとの間に実装されるモジュールである。このアンテナ切換モジュール１０は、誘電体セラミックス（ガラスセラミック）層を積層した四角柱状の積層体１００を備える。積層体１００のガラスセラミック層は、アルミナを基調としたガラスセラミック材料から成る。本実施例では、９層のガラスセラミック層を積層することによって１つの積層体１００を構成している。なお、積層体１００の積層面の一辺は、５ミリメートル（以下、ｍｍと表記する）程度である。

積層体１００の各層には、その表面に導体パターンが設けられると共に、各層間の導通を図るためのビア電極が設けられている。この導体パターンやビア電極は、銀を主成分とした導体材料から成る。更に、積層体１００の最上層表面の導体パターン上には実装部品が実装される。この導体パターン，ビア電極および実装部品によって、積層体１００には、携帯電話における複数の通信システムのそれぞれに対応した送信回路および受信回路とアンテナとの接続を切り換えるアンテナ切換回路ＡＣ１が形成されている。なお、積層体１００の各層の詳細構造については後述する。

積層体１００の最上層表面には、実装部品として、アンテナ切換回路ＡＣ１を形成するフィルタ素子であるＳＡＷ(Surface Acoustic Wave)フィルタ１２１、スイッチング素子であるダイオード１３１，コイル１４１，抵抗器１５１，コンデンサなどの種々のチップ部品が実装されている。これら実装部品の上部は、積層体１００の最上面に半田付けによって装着された導体金属製のシールドキャップ１６０によって覆われている。シールドキャップ１６０は、積層体１００の最上面に装着された際に、積層体１００の最上面に設けられたグランドパターン１９５，１９６から積層体１００の各層を介してグランドに接続される（図４を参照）。

Ａ−（２）．アンテナ切換モジュール１０の回路構成：
アンテナ切換モジュール１０に形成されたアンテナ切換回路ＡＣ１について説明する。図２は、アンテナ切換回路ＡＣ１を示す回路図である。なお、以下の説明において、アンテナ切換回路ＡＣ１の一部を構成する複数の回路素子のうち他の回路素子間を電気的に接続するコンデンサを「非接地コンデンサ」という。図１では、非接地コンデンサの符号に下線が付されている。

アンテナ切換回路ＡＣ１は、入出力端子として、アンテナに接続されるアンテナ端子ＡＮＴと、ＧＳＭ系の送信回路に接続される送信端子ＴＸ１と、ＧＳＭ系の受信回路に接続される受信端子ＲＸ１ａ，ＲＸ１ｂと、ＧＳＭ系の送受信経路の切換を制御する制御回路に接続される制御端子ＶＣ１と、ＤＣＳ系の送信回路に接続される送信端子ＴＸ２と、ＤＣＳ系の受信回路に接続される受信端子ＲＸ２ａ，ＲＸ２ｂと、ＤＣＳ系の送受信経路の切換を制御する制御回路に接続される制御端子ＶＣ２とを有する。アンテナ切換回路ＡＣ１は、ＧＳＭ系の信号経路の切換を行うスイッチ回路ＳＷ１と、ＤＣＳ系の信号経路の切換を行うスイッチ回路ＳＷ２と、スイッチ回路ＳＷ１，ＳＷ２に対して各受信信号および各送信信号の分配を行うダイプレクサ回路ＤＰとを主要な回路として構成されている。

アンテナ端子ＡＮＴとダイプレクサ回路ＤＰとを接続する信号経路には、ローパスフィルタ回路ＬＰＦ３が配設されている。ローパスフィルタ回路ＬＰＦ３には、アンテナ端子ＡＮＴ側から順に、片側がグランドに接続されるコンデンサＣ２，Ｃ３が接続されている。コンデンサＣ２，Ｃ３間には、コンデンサＣ１とコイルＬ１とが並行して接続され、ローパスフィルタ（ＬＣエリピティックフィルタ）として構成されている。このローパスフィルタ回路ＬＰＦ３は、ＤＣＳシステムの通信周波数帯域に対する二次高調波（３．４２〜３．５７ギガヘルツ（以下、ＧＨｚと表記））以上の信号を減衰させる。なお、コンデンサＣ１は、非接地コンデンサである。

ダイプレクサ回路ＤＰにおけるスイッチ回路ＳＷ１側に接続する信号経路には、ローパスフィルタ回路ＬＰＦ３側にコイルＬ２が接続され、その後段は、コンデンサＣ７を介してグランドに接続されるコイルＬ３が接続され、ＬＣローパスフィルタとして構成されている。このＬＣローパスフィルタは、ＧＳＭシステムの通信周波数帯域（０．８８０〜０．９６０ＧＨｚ）の信号を通過させ、それよりも高い周波数の信号を減衰させる。

ダイプレクサ回路ＤＰにおけるスイッチ回路ＳＷ２側に接続する信号経路には、ローパスフィルタ回路ＬＰＦ３側から順に、コンデンサＣ４，Ｃ５が直列に接続されている。コンデンサＣ４，Ｃ５間は、コンデンサＣ６を介してグランドに接続されるコイルＬ４が接続され、ＬＣハイパスフィルタとして構成されている。このＬＣハイパスフィルタは、ＤＣＳシステムの通信周波数帯域（１．７１０〜１．８８０ＧＨｚ）の信号を通過させ、それよりも低い周波数の信号を減衰させる。なお、コンデンサＣ４，Ｃ５は、非接地コンデンサである。

スイッチ回路ＳＷ１における受信端子ＲＸ１ａ，ＲＸ１ｂ側の信号経路には、ダイプレクサ回路ＤＰ側から順に、片側がグランドに接続されるコンデンサＣ８と、コイルＬ５と、片側がグランドに接続されるコンデンサＣ９とが接続され、その後段には、アノード側がコンデンサＣ１０を介してグランドに接続されるダイオードＤ２が接続されている。ダイオードＤ２とコンデンサＣ１０との間には、制御端子ＶＣ１が接続されている。

スイッチ回路ＳＷ１における送信端子ＴＸ１側の信号経路には、ダイプレクサ回路ＤＰ側から順に、アノード側がダイプレクサ回路ＤＰ側に接続されたダイオードＤ１と、片側が抵抗器Ｒ１を介してグランドに接続されるコイルＬ１０とが接続されている。スイッチ回路ＳＷ１は、制御端子ＶＣ１に印加される制御電圧によるダイオードＤ１，Ｄ２のＯＮ／ＯＦＦによって、受信端子ＲＸ１ａ，ＲＸ１ｂ側および送信端子ＴＸ１側の信号経路の切換を行う。

スイッチ回路ＳＷ１と受信端子ＲＸ１ａ，ＲＸ１ｂとの間の信号経路には、平衡型のＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ１が接続されている。このＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ１は、ＧＳＭシステムの受信周波数帯域（０．９２５〜０．９６０ＧＨｚ）の信号を通過させ、それ以外の周波数の信号を減衰させる。なお、ＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ１は、ＳＡＷフィルタ１２１に形成されている。

スイッチ回路ＳＷ１と送信端子ＴＸ１とを接続する信号経路には、ローパスフィルタ回路ＬＰＦ１が配設されている。ローパスフィルタ回路ＬＰＦ１には、スイッチ回路ＳＷ１側から順に、片側がグランドに接続されるコンデンサＣ１２，Ｃ１３が接続されている。コンデンサＣ１２，Ｃ１３間には、コンデンサＣ１１とコイルＬ６とが並行して接続され、ローパスフィルタ（ＬＣエリピティックフィルタ）として構成されている。このローパスフィルタ回路ＬＰＦ１は、ＧＳＭシステムの送信周波数帯域（０．８８０〜０．９１５ＧＨｚ）以上の信号を減衰させる。なお、コンデンサＣ１１は、非接地コンデンサである。

スイッチ回路ＳＷ２における受信端子ＲＸ２ａ，ＲＸ２ｂ側の信号経路には、ダイプレクサ回路ＤＰ側から順に、片側がグランドに接続されるコンデンサＣ１４と、コイルＬ７と、片側がグランドに接続されるコンデンサＣ１５とが接続され、その後段には、アノード側がコンデンサＣ１６を介してグランドに接続されるダイオードＤ４が接続されている。ダイオードＤ４とコンデンサＣ１６との間には、抵抗器Ｒ２を介して制御端子ＶＣ２が接続されている。

スイッチ回路ＳＷ２における送信端子ＴＸ２側の信号経路には、ダイプレクサ回路ＤＰ側から順に、アノード側がダイプレクサ回路ＤＰ側に接続されたダイオードＤ３と、コンデンサＣ２０およびコイルＬ９とが並列に接続され、その後段には、片側がグランドに接続されるコイルＬ１１が接続されている。スイッチ回路ＳＷ２は、制御端子ＶＣ２に印加される制御電圧によるダイオードＤ４のＯＮ／ＯＦＦによって、受信端子ＲＸ２ａ，ＲＸ２ｂ側および送信端子ＴＸ２側の信号経路の切換を行う。なお、コンデンサＣ２０は、非接地コンデンサである。

スイッチ回路ＳＷ２と受信端子ＲＸ２ａ，ＲＸ２ｂとの間の信号経路には、平衡型のＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ２が接続されている。このＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ２は、ＤＣＳシステムの受信周波数帯域（１．８０５〜１．８８０ＧＨｚ）の信号を通過させ、それ以外の周波数の信号を減衰させる。なお、ＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ２は、ＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ１と共に、ＳＡＷフィルタ１２１に形成されている。

スイッチ回路ＳＷ２と送信端子ＴＸ２とを接続する信号経路には、ローパスフィルタ回路ＬＰＦ２が配設されている。ローパスフィルタ回路ＬＰＦ２には、スイッチ回路ＳＷ２側から順に、片側がグランドに接続されるコンデンサＣ１８，Ｃ１９が接続されている。コンデンサＣ１８，Ｃ１９間には、コンデンサＣ１７とコイルＬ８とが並行して接続され、ローパスフィルタ（ＬＣエリピティックフィルタ）として構成されている。このローパスフィルタ回路ＬＰＦ１は、ＤＣＳシステムの送信周波数帯域（１．７１０〜１．７８５ＧＨｚ）以上の信号を減衰させる。なお、コンデンサＣ１７は、非接地コンデンサである。

これらの回路構成によって、アンテナ切換回路ＡＣ１は、制御端子ＶＣ１，ＶＣ２の各制御電圧に基づいて、スイッチング素子であるダイオードをＯＮ/ＯＦＦする、即ち、スイッチング素子の駆動状態を変更することにより、ＧＳＭシステムおよびＤＣＳシステムの各送受信系と、１つのアンテナとの間における信号経路の切換を行うことができる。

Ａ−（３）．アンテナ切換モジュール１０の細部構造：
図３はシールドキャップ１６０の構造を示す説明図である。図３（Ａ），図３（Ｂ）は、それぞれ、シールドキャップ１６０の上面、底面を表わしている。図３（Ｃ），図３（Ｄ）は、図３（Ａ）に示すシールドキャップ１６０を、それぞれ、３Ｃ−３Ｃ線，３Ｄ−３Ｄ線に沿って切断したときの概略断面を表わしている。

図示するように、シールドキャップ１６０は、１個の天壁１６１と、この天壁１６１の周りを囲む４個の側壁１６２〜１６５とから構成されている。この４個の側壁１６２〜１６５のうち、互いに向かい合う横方向の側壁１６２，１６４は、天壁１６１と略直角に天壁１６１と一体化されており、互いに向かい合う縦方向の側壁１６３，１６５は、天壁１６１の外側方向に傾斜しつつ、天壁１６１と一体化されている。これにより、天壁１６１の裏面１６１ｂと側壁１６２〜１６５の裏面１６２ｂ〜１６５ｂとで囲まれた範囲には、各実装部品を収納可能な容積の空間である収納部１７０が形成されている。

４個の側壁１６２〜１６５は、天壁１６１とは反対側に、各側壁１６２，１６３，１６４，１６５の厚みによって形成された端部１６７ｐ，１６７ｑ，１６７ｒ，１６７ｓを備える。以下、この４つの端部１６７ｐ〜ｓをまとめて、端部１６７とも呼ぶ。端部１６７ｑ，１６７ｓの近傍における収納部１７０の高さは、側壁１６３，１６５に付与された傾斜により、端部１６７ｑ，１６７ｓに近づくにつれて漸減されている。

シールドキャップ１６０の端部１６７ｑ，１６７ｓが積層体１００の最上面に装着されると、図１に示したように、積層体１００の最上層表面に実装された実装部品が収納部１７０内に収納され、天壁１６１の表面１６１ａおよび側壁１６２〜１６５の表面１６２ａ〜１６５ａが外部に露出した状態となる。これにより、積層体１００の最上層表面に実装された実装部品がシールドキャップ１６０によって覆われる。よって、こうしたシールドキャップ１６０によれば、積層体１００の最上層表面に形成された回路を外部からの衝撃から保護すると共に、外部からの電磁波が回路に侵入することを抑制することができる。

なお、本実施例では、天壁１６１の形状を略矩形としているため、横方向の側壁１６２，１６４の幅が縦方向の側壁１６３，１６５よりも長くなっている。この天壁１６１の形状としては、略矩形のほか、略正方形、矩形や正方形以外の四角形、四角形以外の多角形、略円形、略楕円形等を採用することができ、この場合には、採用した形状の天壁の周りを囲むように側壁を設ければよい。

図４は上記のシールドキャップ１６０が装着される積層体１００の最上面の様子を示す説明図である。図４（Ａ），図４（Ｂ）は、それぞれ、シールドキャップ１６０の装着前，装着後の積層体１００の最上面を表わしている。この図４（Ｂ）では、シールドキャップ１６０で覆われた部位を破線で表わしている。図４（Ｃ）は、シールドキャップ１６０装着後の積層体１００を、図４（Ｂ）に示す４Ｃ−４Ｃ線に沿って切断したときの概略断面を表わしている。

図示するように、積層体１００の最上面は、互いに対向する２つの辺部として、第１長辺部１０１と第２長辺部１０２、第１短辺部１０３と第２短辺部１０４とを備える。この積層体１００の最上面における上記の２つの辺部１０３，１０４付近の領域（以下、周縁という）に、シールドキャップ１６０の端部１６７ｑ，１６７ｓが装着される。積層体１００の最上面の周縁の一部（短辺側）には、グランドに接続されるグランドパターン１９５，１９６が設けられている。このグランドパターン１９５，１９６には、それぞれ、シールドキャップ１６０の端部１６７ｓ，１６７ｑが半田を介して接続される。

一方、積層体１００の最上面の周縁よりも内側の領域には、既述したように、２つのフィルタ回路（ＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ３，ＳＡＷ４）が内蔵された１個のＳＡＷフィルタ１２１，ダイオード１３１，コイル１４１，抵抗器１５１，コンデンサなどの実装部品が実装されている。図４では、積層体１００の最上面の各所に配置された実装部品としてのダイオード１３１，コイル１４１，抵抗器１５１，コンデンサの符号を、図２に示した回路番号を用いて表している。ＳＡＷフィルタ１２１は、ダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４、コイルＬ９，Ｌ１０，Ｌ１１、抵抗器Ｒ１，Ｒ２，コンデンサＣ１０とは高さおよび実装面積が異なっており、積層体１００の最上面に実装される実装部品の中で、最も高さが高く、最も広い実装面積を有する。このため、ダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４、コイルＬ９，Ｌ１０，Ｌ１１、抵抗器Ｒ１，Ｒ２，コンデンサＣ１０は、積層体１００の最上面に実装される実装部品の中で、相対的に高さが低く、相対的に実装面積が狭い素子となっている。なお、ＳＡＷフィルタ１２１の積層体１００に装着される側の面とは反対側の面（以下、頂上面という）には、図示しない接地ラインが設けられている。

積層体１００の最上面において、端部１６７ｓが装着される周縁寄りの位置には、抵抗器Ｒ２，ダイオードＤ４、コイルＬ９（以下、この３つの部品を第１の部品群という）が配置されており、端部１６７ｑが装着される周縁寄りの位置には、ダイオードＤ１，Ｄ２，コンデンサＣ１０（以下、この３つの部品を第２の部品群という）が配置されている。こうした第１の部品群と第２の部品群との間の領域に、ＳＡＷフィルタ１２１が配置されている。また、４つのダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４は、樹脂モールドされており、積層体１００の最上面に、極性の向きが同じ向きになるように実装されている。このように実装部品が実装された積層体１００にシールドキャップ１６０が装着されると、図４（Ｃ）に示すように、ＳＡＷフィルタ１２１が天壁１６１の直下の収納部１７０に収納される。これにより、シールドキャップ１６０の天壁１６１の裏面１６１ｂは、ＳＡＷフィルタ１２２の頂上面の接地ラインに接する。また、天壁１６１の直下よりも高さの低い空間である、側壁１６３，１６５の直下の収納部１７０には、相対的に高さの低い第１の部品群および第２の部品群が収納される。

次に、積層体１００に形成された導体パターンにつき、スイッチ回路ＳＷ１，ＳＷ２を中心として説明する。図５は積層体１００の最上層である第９層の上面を示す説明図であり、図６は、最下層である第１層の下面、即ち、アンテナ切換モジュール１０が備える積層体１００の底面を表わしている。図７は積層体１００の第９層の上面を覆うオーバコート層１１０の上面を示す説明図である。なお、図５，図６と後述する図８では、導体パターン，ビア電極を、それぞれ、右上がりの斜線ハッチング，右下がりの斜線ハッチングで表わすと共に、導体パターンの下に位置するビア電極の図示を省略している。

図５に示すように、第９層の表面には、図４（Ａ）に示した各種の実装部品の端子と導通される導体パターンが形成されている。この導体パターンには、ダイオードＤ２の入力端子に接続される端子パッド１１１と、ダイオードＤ２，ＳＡＷフィルタ１２１のそれぞれの端子に接続される端子パッド１１２と、ＳＡＷフィルタ１２１のＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ１側の出力端子に接続される端子パッド１１３，１１４と、抵抗器Ｒ２の出力端子およびダイオードＤ４の入力端子に接続される端子パッド１１５と、抵抗器Ｒ２の入力端子に接続される端子パッド１１９と、ダイオードＤ４，ＳＡＷフィルタ１２１のそれぞれの端子に接続される端子パッド１１６と、ＳＡＷフィルタ１２１のＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ２側の出力端子に接続される端子パッド１１７，１１８と、ＳＡＷフィルタ１２１のグランド端子に接続されるグランドパターン１９７とが含まれている。端子パッド１１２は、ダイオードＤ２の出力端子に接続される端子パッド１１２ａと、ＳＡＷフィルタ１２１のＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ１側の入力端子に接続される端子パッド１１２ｂとを備えており、端子パッド１１６は、ダイオードＤ４の出力端子に接続される端子パッド１１６ａと、ＳＡＷフィルタ１２１のＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ２側の入力端子に接続される端子パッド１１６ｂとを備えている。

図６に示すように、積層体１００の底面である第１層の下面には、図１のアンテナ切換回路ＡＣ１に示したアンテナ端子ＡＮＴと、送信端子ＴＸ１，ＴＸ２と、受信端子ＲＸ１ａ，ＲＸ１ｂ，ＲＸ２ａ，ＲＸ２ｂと、制御端子ＶＣ１，ＶＣ２との他、グランドに接続されるグランド端子ＧＮＤ４，ＧＮＤ５，ＧＮＤ６とが設けられている。これらの端子は、積層体１００の底面の互いに対向する２つの長辺に沿って、端子間の間隔をとりながら配置されている。一方の長辺側に配置された端子群と他方の長辺側に配置された端子群の間には、アンテナ切換モジュール１０が実装された際にグランドに接続されるグランドパターン１９１，１９２，１９３，１９４が設けられている。

ダイオードＤ２の入力端子に接続される端子パッド１１１は、積層体１００内部の各層を介して、積層体１００の底面の制御端子ＶＣ１に接続されている。制御端子ＶＣ１に対して制御電圧が印加されると、この電圧の印加によって生じたバイアス電流が端子パッド１１１に供給される。こうしたバイアス電流が端子パッド１１１を通じてダイオードＤ２の入力端子に入力されることにより、ダイオードＤ２が駆動（ＯＮ状態）する。これにより、アンテナに接続される信号経路が、送信端子ＴＸ１側から受信端子ＲＸ１ａ，ＲＸ１ｂ側に切り換えられる。

抵抗器Ｒ２の出力端子およびダイオードＤ４の入力端子に接続される端子パッド１１５は、抵抗器Ｒ２，端子パッド１１９および積層体１００内部の各層を介して、積層体１００の底面の制御端子ＶＣ２に接続されている。制御端子ＶＣ２に対して制御電圧が印加されると、この電圧の印加によって生じたバイアス電流が端子パッド１１５に供給される。こうしたバイアス電流が端子パッド１１５を通じてダイオードＤ４の入力端子に入力されることによりダイオードＤ４が駆動（ＯＮ状態）する。これにより、アンテナに接続される信号経路が、送信端子ＴＸ２側から受信端子ＲＸ２ａ，ＲＸ２ｂ側に切り換えられる。

ＳＡＷフィルタ１２１との接続用のグランドパターン１９７は、第９層の表面のほぼ中央部に設けられ、積層体１００内部の各層を介してグランドに接続されている。このグランドパターン１９７は、第９層の表面において、その周縁の一部に設けられたシールドキャップ１６０用のグランドパターン１９６に、グランドパターン１９８を介して連結されている。この連結用のグランドパターン１９８は、連結対象となるグランドパターン１９６，１９７よりも狭い幅で、ダイオードＤ２との接続用の端子パッド１１１とダイオードＤ２およびＳＡＷフィルタ１２１との接続用の端子パッド１１２の間を通って設けられている。また、ＳＡＷフィルタ１２１との接続用のグランドパターン１９７は、グランドパターン１９９を介して、第９層の表面のグランドパターン１９６に対向する周縁領域に設けられた、もう１つのシールドキャップ１６０用のグランドパターン１９５にも連結されている。この連結用のグランドパターン１９９は、グランドパターン１９８と同様に、連結対象となるグランドパターン１９５，１９７よりも狭い幅で、ダイオードＤ４との接続用の端子パッド１１５とダイオードＤ４およびＳＡＷフィルタ１２１との接続用の端子パッド１１６の間を通って設けられている。

図７に示すように、オーバコート層１１０は、第９層の上面とほぼ同じ外形形状を有する。オーバコート層１１０には、複数の開口部ＯＰＴが設けられている。この複数の開口部ＯＰＴは、第９層の導体パターンに対応する位置に形成されている。

オーバコート層１１０が第９層の上面にコーティングされたときの様子を図８に示した。なお、図８では、オーバコート層１１０に覆われた端子パッドを破線で表わすと共に、ＳＡＷフィルタ１２１、ダイオードＤ２，Ｄ４が実装される位置を二点鎖線で表わしている。図８に示すように、オーバコート層１１０が第９層の表面にコーティングされると、第９層の表面に形成されている導体パターンの一部がオーバコート層１１０の開口部ＯＰＴから露出した状態となる。この導体パターンのうちの端子パッドが露出した部分に、図４（Ａ）に示した各種の実装部品の端子が半田付けによって実装される。こうした開口部ＯＰＴから露出した端子パッドには、図８に示すように、ダイオードＤ２の入力端子が装着される端子パッド１１１と、ダイオードＤ２の出力端子が装着される端子パッド１１２ａと、ＳＡＷフィルタ１２１のＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ１側の入力端子が装着される端子パッド１１２ｂと、ダイオードＤ４の入力端子が装着される端子パッド１１５と、ダイオードＤ４の出力端子が装着される端子パッド１１６ａと、ＳＡＷフィルタ１２１のＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ２側の入力端子が装着される端子パッド１１６ｂと、ＳＡＷフィルタ１２１のグランド端子が装着される端子パッドＰＧ１ａ〜ｄとが含まれている。端子パッド１１１，端子パッド１１２ａに、それぞれ、ダイオードＤ２の入力端子，出力端子が装着されると、ダイオードＤ２は連結用のグランドパターン１９８を跨ぐようにして実装される。また、端子パッド１１５，端子パッド１１６ａに、それぞれ、ダイオードＤ４の入力端子，出力端子が装着されると、ダイオードＤ４は連結用のグランドパターン１９９を跨ぐようにして実装される。

Ａ−（４）．アンテナ切換モジュール１０の製造方法：
アンテナ切換モジュール１０の製造方法について説明する。図９は、アンテナ切換モジュール１０の製造工程の概略を示す説明図である。アンテナ切換モジュール１０を製造する際には、始めに、誘電体材料の一つである低温焼成可能なガラスセラミックス材料から成るグリーンシートを複数用意する（工程Ｓ１１０）。グリーンシートの大きさは、複数個分の積層体１００の大きさである。

その後、各グリーンシートに、積層体１００の隣接する各層を導通させるスルーホールと、アンテナ切換回路ＡＣ１を形成する導体パターンとを、積層体１００の各層に対応させて形成する（工程Ｓ１２０）。スルーホールについては、スルーホールを形成する箇所に穴を開けた後、その穴に導体ペーストを充填させることによってビア電極を形成する。導体パターンについては、グリーンシートの表面に導体ペーストを印刷することによって形成する。なお、本実施例の導体ペーストの材料は、銀を主体とする材料を用いる。この工程において、積層体１００の最下層表面や最上層表面に対応するグリーンシートには、既述した種々の接続端子や端子パッド１１１〜１１９、グランドパターン１９１〜１９９となる導体パターンが形成される。

導体パターンおよびビア電極を形成した後（工程Ｓ１２０）、積層体１００の各層の導体パターンおよびビア電極が形成されたグリーンシートを、積層体１００における各層の並びの順で積層する（工程Ｓ１３０）。この工程において、第９層に対応するグリーンシートには、図７に示したオーバコート層１１０がコーティングされる。オーバコート層１１０は、第９層と同様のアルミナを基調としたガラスセラミック材料から成る。

こうしてグリーンシートを積層した後（工程Ｓ１３０）、積層したグリーンシートを焼成する（工程Ｓ１４０）。その後、焼成したグリーンシートにおける各積層体１００の表面に現れている導体パターンにニッケル−金メッキを施し（工程Ｓ１５０）、積層体１００の最上層表面に、ＳＡＷフィルタ１２１やダイオードＤ２，Ｄ４等の実装部品やシールドキャップ１６０を半田付けする（工程Ｓ１６０）。この工程において、ダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４が極性の向きが同じ向きになるように実装され、ダイオードＤ２，Ｄ４が、それぞれ、連結用のグランドパターン１９８，１９９を跨ぐようにして実装される。その後、各積層体１００を形成する個片毎に分割することで（工程Ｓ１７０）、アンテナ切換モジュール１０が完成する。

以上説明した本実施例のアンテナ切換モジュール１０によれば、積層体１００の最上面に、スイッチ回路ＳＷ１を構成する実装部品としてのダイオードＤ２を装着するための一対の端子パッド１１１，１１２ａが設けられると共に、この一対の端子パッド１１１，１１２ａの間の位置に、グランドに接続されるグランドパターン１９８が設けられている。これにより、ダイオードＤ２は、グランドパターン１９８を跨ぐようにして実装される。スイッチ回路ＳＷ２を構成する実装部品としてのダイオードＤ４も、ダイオードＤ２と同様に、グランドパターン１９９を跨ぐようにして実装される。このため、ダイオードＤ２，Ｄ４がバイアス電流を受けたことによってノイズが発生した場合に、このノイズは、ダイオードＤ２，Ｄ４が跨いでいるグランドパターン１９８，１９９に速やかに導かれる。従って、各スイッチ回路ＳＷ１，ＳＷ２での信号経路の切り換えに伴って発生したノイズを速やかに低減させることができる。

また、ダイオードＤ２，Ｄ４が跨いでいるグランドパターン１９８，１９９は、各グランドパターン１９８，１９９よりも大きな面積を有するＳＡＷフィルタ１２１接続用のグランドパターン１９７に連結されることにより、それぞれ、ＳＡＷフィルタ１２１のグランド端子が装着される端子パッドＰＧ１ｄ，ＰＧ１ａに接続されている。こうすれば、各グランドパターン１９８，１９９がグランドに接続される経路として、ＳＡＷフィルタ１２１接続用のグランドパターン１９７を介してグランドに接続される経路が増えるので、ＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ１，ＳＡＷ２のグランド電極のグランド電位が安定し、フィルタ特性が向上する。しかも、グランドパターン１９８，１９９が連結されるＳＡＷフィルタ１２１接続用のグランドパターン１９７は、各グランドパターン１９８，１９９よりも大きな面積を有するので、ＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ１，ＳＡＷ２におけるグランド電位の安定度合いを更に高めることができる。

更に、ダイオードＤ２，Ｄ４が跨いでいるグランドパターン１９８，１９９は、ＳＡＷフィルタ１２１の入力端子が装着される端子パッド１１２ｂ，１１６ｂとダイオードＤ２，Ｄ４の入力端子が装着される端子パッド１１１，１１５の間に配置されている。従って、ダイオードＤ２，Ｄ４が端子パッド１１１，１１５を介してバイアス電流を受けたことによって発生したノイズが、ＳＡＷフィルタ１２１の入力側に回り込んでしまうことを防止することができる。

加えて、端子パッド１１１，１１５が受けたバイアス電流が、端子パッド１１１，１１５から他の端子（例えば、図８に示す端子パッド１１２ａ，１１６ａや端子パッド１１２ｂ，１１６ｂ）に漏れた場合に、この漏れ信号は、ダイオードＤ２，Ｄ４が跨いでいるグランドパターン１９８，１９９に速やかに導かれる。従って、スイッチ回路での切り換えに際して受けたバイアス電流がパッド間で漏れてしまうことを防止することができる。

本実施例のアンテナ切換モジュール１０は、積層体１００の最上面に装着されるシールドキャップ１６０は、互いに向かい合う縦方向の側壁１６３，１６５に付与された傾斜により、側壁１６３，１６５が有する端部１６７ｑ，１６７ｓの近傍における収納部１７０の高さが端部１６７ｑ，１６７ｓに近づくにつれて漸減されている。こうした形状のシールドキャップ１６０が装着される積層体１００の最上面には、端部１６７ｓ，端部１６７ｑが装着される周縁寄りの位置に、相対的に高さの低い実装部品（第１の部品群、第２の部品群）が配置されている。シールドキャップ１６０を装着したときに、周縁付近に実装された実装部品が、収納部１７０の高さを漸減させている側壁１６３，１６５に干渉しにくくなり、実装部品とシールドキャップ１６０との干渉によって生じ得る種々の不具合（例えば、実装部品と導体パターンとの接続不良や実装部品自体の破損）を回避することができる。

本実施例のアンテナ切換モジュール１０では、積層体１００の最上面に、４つのダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４が、極性の向きが同じ向きになるように実装されるので、製造段階でのダイオードの誤った実装を回避し易くなる。また、４つのダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４は樹脂モールドされているので、ダイオードの強度を確保することができる。

Ｂ．その他の実施形態：
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明はこうした実施の形態に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において様々な形態で実施し得ることは勿論である。例えば、アンテナ切換モジュールが対応する通信システムは、デュアルに限るものではなく、トリプルバンドやクワッドバンド、更に５つ以上の通信方式に対応するものに適用できることは勿論である。また、上記実施例では、積層体１００に、ＧＳＭおよびＤＣＳの２つの通信システムのそれぞれに対応したアンテナ切換回路ＡＣ１を形成したが、１つの通信システムに対応したアンテナ切換回路ＡＣ１を積層体１００に形成することとしても差し支えない。

上記実施例において、各接続端子の並設の順序は、実施例の順序に限定されるものではなく、本発明の範囲を逸脱しない範囲で適宜変更することができる。また、並設された送信端子と受信端子との間のグランドパターンや各接続端子の形状・大きさは、実施例のものに限定するものではなく、円形や多角形など種々の態様を採ることができる。

上記実施例において説明した製造工程において、各接続端子やグランドパターンを、積層工程前のグリーンシートに形成するのではなく、焼成後に形成することとしても良い。また、積層工程（図９の工程Ｓ１３０）において、オーバコート層１１０によるコーティングをしないこととしても差し支えない。

上記実施例では、スイッチ回路に用いるスイッチング素子をダイオードとしたが、ダイオード以外のスイッチング素子（例えば、ＧａＡｓ（ガリウム・ヒ素）スイッチ）を用いてスイッチ回路を構成することも可能である。こうしたスイッチング素子を駆動させるトリガーとしては、上記実施例のようなバイアス電流のほか、各種の電気信号や磁気信号等、ノイズの発生源となり得る種々の信号を考えることができる。

上記実施例では、シールドキャップ１６０を、実装部品の配置が予定されていない部位である「積層体１００の最上面の周縁」に装着したが、実装部品の配置が予定されていない他の部位にシールドキャップ１６０を装着してもよい。こうした他の部位としては、例えば、積層体１００の側面などを考えることができる。

更に、上記実施例では、ローパスフィルタ回路ＬＰＦ３、ダイプレクサ回路ＤＰ、スイッチ回路ＳＷ１、ＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ１、ローパスフィルタ回路ＬＰＦ１、スイッチ回路ＳＷ２、ＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ２、ローパスフィルタ回路ＬＰＦ２から構成されるアンテナ切換回路ＡＣ１を１つの積層体１００に形成したが、上記のアンテナ切換回路ＡＣ１を構成する一部の回路のみを１つの積層体に形成することとしても差し支えない。この場合には、上記の各回路を複数の積層体に分けて形成しておき、積層体同士を導通可能に接続すれば、上記実施例のアンテナ切換モジュール１０と同様の機能を実現することができる。

本発明の実施例であるアンテナ切換モジュール１０の外観構造を示す斜視図である。 アンテナ切換回路ＡＣ１を示す回路図である。 シールドキャップ１６０の構造を示す説明図である。 シールドキャップ１６０が装着される積層体１００の最上面の様子を示す説明図である。 積層体１００の最上層である第９層の上面を示す説明図である。 積層体１００の底面を示す説明図である。 オーバコート層１１０の上面を示す説明図である。 オーバコート層１１０が第９層の上面にコーティングされたときの様子を示す説明図である。 アンテナ切換モジュール１０の製造工程の概略を示す説明図である。

符号の説明

１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ...アンテナ切換モジュール
１００...積層体
１０１...第１長辺部
１０２...第２長辺部
１０３...第１短辺部
１０４...第２短辺部
１１０...オーバコート層
１１１〜１１９...端子パッド
１２１...ＳＡＷフィルタ
１３１，Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４...ダイオード
１４１，Ｌ９，Ｌ１０，Ｌ１１...コイル
１５１，Ｒ１，Ｒ２...抵抗器
１６０...シールドキャップ
１６１...天壁
１６１ａ...表面
１６１ｂ...裏面
１６２〜１６５...側壁
１６２ａ〜１６５ａ...表面
１６２ｂ〜１６５ｂ...裏面
１６７、１６７ｐ〜ｓ...端部
１７０...収納部
１９１〜１９９...グランドパターン
ＡＣ１...アンテナ切換回路
ＡＮＴ...アンテナ端子
Ｃ１０...コンデンサ
ＤＰ...ダイプレクサ回路
ＧＮＤ４〜６...グランド端子
ＬＰＦ１，ＬＰＦ２，ＬＰＦ３...ローパスフィルタ回路
ＳＷ１，ＳＷ２...スイッチ回路
ＯＰＴ...開口部
ＰＧ１ａ〜ｄ...端子パッド
ＲＸ１ａ，ＲＸ１ｂ，ＲＸ２ａ，ＲＸ２ｂ...受信端子
ＳＡＷ１，ＳＡＷ２...ＳＡＷフィルタ回路
ＴＸ１，ＴＸ２...送信端子
ＶＣ１，ＶＣ２...制御端子

Claims (10)

1. 誘電体セラミック層を積層した積層体に、所定の通信周波数帯域の通信システムに対応する送信回路および受信回路と通信電波の送受信を行なうアンテナとの接続を切り換えるアンテナ切換回路の少なくとも一部を備えたアンテナ切換モジュールであって、
   前記アンテナ切換回路は、所定の信号を受けて駆動するスイッチング素子の駆動状態を変更することにより、前記アンテナと前記送信回路または前記受信回路のいずれかに接続を切り換えるスイッチ回路を備え、
   前記積層体の表面には、前記スイッチング素子が有する端子と導通するための少なくとも一対のスイッチング素子用端子パッドが設けられると共に、該一対のスイッチング素子用端子パッドの間の位置に、グランドに接続されるグランドパターンが設けられており、
   前記スイッチング素子は、前記端子を前記スイッチング素子用端子パッドに接続することにより、前記グランドパターンを跨ぐようにして実装された
   アンテナ切換モジュール。
2. 請求項１に記載のアンテナ切換モジュールであって、
   前記アンテナ切換回路は、特定の周波数帯域の信号を通過させるフィルタ回路を備え、
   該フィルタ回路は、前記スイッチ回路と前記受信回路との間に接続され、
   前記積層体の表面には、前記フィルタ回路が形成されたフィルタ素子が実装され、
   前記積層体の表面には、該フィルタ素子が有する端子と導通するための少なくとも一つのフィルタ回路用端子パッドが形成され、
   該フィルタ回路用端子パッドのうち、グランドに接続される端子パッドと前記グランドパターンとが接続されている
   アンテナ切換モジュール。
3. 請求項１または２に記載のアンテナ切換モジュールであって、
   前記アンテナ切換回路は、通信周波数帯域の異なる複数の通信システムのそれぞれに対応する前記送信回路および前記受信回路と前記アンテナとの接続を切り換える回路であり、
   前記アンテナ切換回路は、前記複数の通信システムのそれぞれに対応する送信回路および受信回路ごとに、別々の前記スイッチ回路を備えており、
   前記スイッチング素子用端子パッドは、前記別々のスイッチ回路のそれぞれが備える前記スイッチング素子の端子との導通に対応して、前記積層体の表面の複数の箇所に設けられており、
   前記それぞれのスイッチング素子が、対応する前記スイッチング素子用端子パッドへの接続によって、前記グランドパターンを跨ぐように実装された
   アンテナ切換モジュール。
4. 請求項３に記載のアンテナ切換モジュールであって、
   前記アンテナ切換回路は、特定の周波数帯域の信号を通過させるフィルタ回路を複数備えており、該複数のフィルタ回路のそれぞれは、前記別々の各スイッチ回路とそれぞれのスイッチ回路に対応した受信回路との間に接続され、
   前記積層体の表面には、前記複数の各フィルタ回路が形成された複数の各フィルタ素子が実装され、
   前記積層体の表面には、各フィルタ素子が有する端子と導通するための少なくとも一つのフィルタ回路用端子パッドが形成され、
   該フィルタ回路用端子パッドのうち、グランドに接続される端子パッドと前記グランドパターンとが接続されている
   アンテナ切換モジュール。
5. 請求項１ないし４のいずれかに記載のアンテナ切換モジュールであって、
   前記積層体の表面に実装された複数の素子を収納する収納部と前記積層体の周縁に装着される端部とを備えたシールドキャップを備え、
   該シールドキャップは、前記端部の近傍における前記収納部の高さが該端部に近づくにつれて漸減された形状を有しており、
   前記積層体の表面には、その近傍における収納部の高さが漸減されている前記端部が装着される前記周縁寄りの位置に、相対的に高さの低い前記素子が実装されている
   アンテナ切換モジュール。
6. 前記積層体の表面に実装される素子のうち、前記相対的に高さの低い素子が前記スイッチング素子であり、最も高さの高い素子が、特定の周波数帯域の信号を通過させるフィルタ回路が形成されたフィルタ素子である請求項５に記載のアンテナ切換モジュール。
7. 前記スイッチング素子が、バイアス電流を受けて駆動するダイオードである請求項１ないし６のいずれかに記載のアンテナ切換モジュール。
8. 前記積層体の表面には、前記バイアス電流を受けて駆動するダイオードを含む全てのダイオードの極性の向きが同じ向きになるように実装された請求項７に記載のアンテナ切換モジュール。
9. 誘電体セラミック層を積層することによって構成され、所定の通信周波数帯域の通信システムに対応する送信回路および受信回路と通信電波の送受信を行なうアンテナとの接続を切り換えるアンテナ切換回路の少なくとも一部が形成される積層体であって、
   前記アンテナ切換回路は、所定の信号の入力によってスイッチング素子を駆動させることにより、前記アンテナに接続される回路を前記送信回路または前記受信回路のいずれかに切り換えるスイッチ回路を備え、
   前記積層体の表面には、前記スイッチング素子が有する端子に導通するための端子パッドが設けられており、
   前記端子パッドのうち前記所定の信号が通過する端子パッドと、それ以外のパッドとの間に、グランドに接続されるグランドパターンが設けられている
   積層体。
10. 誘電体セラミック層を積層することによって構成され、所定の通信周波数帯域の通信システムに対応する送信回路および受信回路と通信電波の送受信を行なうアンテナとの接続を切り換えるアンテナ切換回路の少なくとも一部が形成される積層体であって、
    前記アンテナ切換回路は、所定の信号の入力によってスイッチング素子を駆動させることにより、前記アンテナに接続される回路を前記送信回路または前記受信回路のいずれかに切り換えるスイッチ回路を備え、
    前記積層体の表面には、前記スイッチング素子が有する端子に接続される複数個の端子パッドが設けられており、
    該複数個の端子パッドの間に、グランドに接続されるグランドパターンを設けた
    積層体。

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