JP4331634B2

JP4331634B2 - アンテナ切換モジュールおよびその製造方法

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Publication number: JP4331634B2
Application number: JP2004075565A
Authority: JP
Inventors: 哲司塚田; 和弘山田
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Priority date: 2004-03-17
Filing date: 2004-03-17
Publication date: 2009-09-16
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Description

本発明は、セラミック層を積層した積層体を用いてアンテナ切換回路を形成したアンテナ切換モジュールおよびその製造方法に関するものである。

携帯電話等の移動体通信機器には、通信周波数帯域の異なる複数の通信システムにおいて通信が可能な、いわゆるマルチバンド対応の通信機器が知られている。マルチバンド対応の通信機器は、通信周波数帯域の異なる複数の通信システムのそれぞれに対応した送信回路および受信回路と、通信電波の送受信を行うアンテナ部と、これら複数の送信回路および受信回路とアンテナ部との間における信号経路の切換を行うアンテナ切換回路を形成するアンテナ切換モジュールとを備える。

従来、アンテナ切換モジュールには、小型化・高集積化を図るため、ガラスセラミックス層を積層した積層体を用いてアンテナ切換回路を形成したアンテナ切換モジュールが知られている。積層体の内部には、アンテナ切換回路の一部を構成する導体部が形成されている。

積層体の内部の導体部で構成することのできないＳＡＷ(Surface Acoustic Wave)フィルタ，ダイオード，コイル，抵抗器等の種々の回路素子は、表面実装部品として積層体上に実装されている。積層体の最外層表面には、表面実装部品と導体部との間を電気的に接続するランドパターンが形成されている。下記特許文献には、種々の表面実装部品が積層体に実装されたアンテナ切換モジュールが開示されている。

特開２００１−２１１０９７号公報

従来のアンテナ切換モジュールは、耐衝撃性の向上が課題とされていた。すなわち、アンテナ切換モジュールに衝撃が加わる際に、表面実装部品の衝撃モーメントがランドパターンを積層体表面から引き離す方向に作用することによって、ランドパターンの損傷を招いてしまう場合があった。

本発明は、上記した課題を解決することを目的としてなされ、耐衝撃性を向上させることができるアンテナ切換モジュールを提供することを目的とする。

上記した課題を解決するため、本発明のアンテナ切換モジュールは、通信システムの送信回路および受信回路と、通信電波の送受信を行うアンテナ部との間における信号経路の切換を行うアンテナ切換回路を、セラミック層を積層した積層体に形成したアンテナ切換モジュールであって、前記積層体に実装された表面実装部品と、前記積層体の内部に形成された導体部と、前記積層体における第１の最外層表面に前記表面実装部品が実装される部分として形成され、前記表面実装部品と前記導体部との間を電気的に接続する複数のランドパターンと、前記第１の最外層表面に形成され、前記複数のランドパターン間を電気的に接続するブリッジパターンと、前記積層体において前記第１の最外層表面とは反対側に位置する第２の最外層表面に形成され、グランドに接続されるグランド端子とを備え、前記導体部は、前記積層体を貫通して前記ランドパターンを前記グランド端子に電気的に接続する第１のスルーホールと、前記積層体を貫通して前記ブリッジパターンを前記グランド端子に電気的に接続する第２のスルーホールとを含むことを特徴とする。

このアンテナ切換モジュールによれば、ランドパターンは、セラミック層との密着力に加えて、ブリッジパターンのセラミック層との密着力、さらには、ブリッジパターンによる結合力とによって積層体表面に強固に形成される。その結果、ランドパターンは、単独で積層体表面に形成されただけの場合に比べて、より大きな衝撃モーメントに耐えることができる。従って、アンテナ切換モジュールの耐衝撃性を向上させることができる。

上記の構成を有する本発明のアンテナ切換モジュールは、以下の態様を採ることもできる。前記複数のランドパターンの各外縁部および前記ブリッジパターンを、前記最外層表面のセラミック層と共に、該セラミック層と同じセラミック材料を含むオーバコート材で被覆しても良い。これによって、ランドパターンがより一層強固に形成される。また、前記複数のランドパターンは、それぞれ前記導体部を介してグランドに接続されることによって、前記接続する表面実装部品にグランド電位を提供するものであっても良い。このアンテナ切換モジュールによれば、ランドパターンとグランド端子との間の各導体部をブリッジパターンによって並列に接続し、各導体部に寄生するインダクタンス要素の影響を小さくすることができる。その結果、耐衝撃性向上の効果に加え、ランドパターンのグランド機能を向上させることができる。

また、前記複数のランドパターンが電気的に接続する表面実装部品は、それぞれ異なる部品であっても良い。これによって、ブリッジパターンによる耐衝撃性向上を、より多くのランドパターンに対して適用することができる。

また、前記複数のランドパターンが電気的に接続する表面実装部品は、ＳＡＷフィルタであっても良い。ＳＡＷフィルタは、積層体に実装される種々の表面実装部品の中でも比較的に質量が大きく、その衝撃モーメントも大きくなる。ＳＡＷフィルタのランドパターンに本発明を適用することによって、効果的に耐衝撃性の向上を図ることができる。

また、前記ブリッジパターンの形成幅は、前記複数のランドパターンよりも狭い形成幅であっても良い。これによって、オーバコート材とセラミック層との間の接着面積が拡大し、これらの間の密着力を向上させることができる。

上記した課題を解決するため、本発明のアンテナ切換モジュールの製造方法は、通信システムの送信回路および受信回路と、通信電波の送受信を行うアンテナ部との間における信号経路の切換を行うアンテナ切換回路を、セラミック層を積層した積層体に形成したアンテナ切換モジュールであって、前記積層体に実装された表面実装部品と、前記積層体の内部に形成された導体部とを備えるアンテナ切換モジュールの製造方法であって、前記積層体における第１の最外層表面に、前記表面実装部品と前記導体部との間を電気的に接続する複数のランドパターンを、前記表面実装部品が実装される部分として形成し、前記第１の最外層表面に、前記複数のランドパターン間を電気的に接続するブリッジパターンを形成し、前記積層体において前記第１の最外層表面とは反対側に位置する第２の最外層表面に、グランドに接続されるグランド端子を形成し、前記導体部の一部として、前記積層体を貫通して前記ランドパターンを前記グランド端子に電気的に接続する第１のスルーホールを形成し、前記導体部の一部として、前記積層体を貫通して前記ブリッジパターンを前記グランド端子に電気的に接続する第２のスルーホールを形成し、前記複数のランドパターンの各外縁部および前記ブリッジパターンを、前記最外層表面のセラミック層と共に、該セラミック層と同じセラミック材料を含むオーバコート材で被覆することを特徴とする。この製造方法によれば、耐衝撃性を向上させたアンテナ切換モジュールを製造することができる。

上記の構成を有する本発明のアンテナ切換モジュールは、以下の態様を採ることもできる。前記複数のランドパターンは、それぞれ前記導体部を介してグランドに接続されることによって、前記接続する表面実装部品にグランド電位を提供するものであっても良い。また、前記複数のランドパターンが電気的に接続する表面実装部品は、それぞれ異なる部品であっても良いし、前記複数のランドパターンが電気的に接続する表面実装部品は、ＳＡＷフィルタであっても良い。また、前記ブリッジパターンの形成幅は、前記複数のランドパターンよりも狭い形成幅であっても良い。

以上説明した本発明の構成および作用を一層明らかにするために、以下本発明を適用したアンテナ切換モジュールについて、次の順序で説明する。

目次
Ａ．実施例
Ａ−（１）．アンテナ切換モジュール１０の構造
Ａ−（２）．積層体１００の最上層の詳細構造
Ａ−（３）．積層体１００の最下層の詳細構造
Ａ−（４）．アンテナ切換モジュール１０の回路構成
Ａ−（５）．アンテナ切換モジュール１０の製造方法
Ｂ．その他の実施形態

Ａ．実施例：
本発明の実施例の一つであるアンテナ切換モジュール１０について説明する。アンテナ切換モジュール１０は、ＥＧＳＭ(Extended Global System for Mobile Communications)，ＤＣＳ(Digital Communication System)，ＰＣＳ(Personal Communication Service)の３つの通信システムに準拠した、いわゆるトリプルバンドの携帯電話用のモジュールである。アンテナ切換モジュール１０は、携帯電話における複数の通信システムのそれぞれに対応した送信回路および受信回路と、通信電波の送受信を行うアンテナ部との間の基板上に実装される。

Ａ−（１）．アンテナ切換モジュール１０の構造：
アンテナ切換モジュール１０の構造について説明する。図１は、アンテナ切換モジュール１０の外観構造を示す斜視図である。アンテナ切換モジュール１０は、ガラスセラミック層を積層した四角柱状の積層体１００を用いて、携帯電話の送信回路および受信回路とアンテナ部との間における信号経路の切換を行うアンテナ切換回路ＡＣ１を形成する。なお、積層体１００の積層面の一辺は、５ミリメートル（以下、ｍｍと表記する）程度である。

積層体１００のガラスセラミック層は、アルミナおよびガラスを含むガラスセラミック材料から成る。積層体１００の内部には、アンテナ切換回路ＡＣ１の一部を構成する導体部が、各ガラスセラミック層に形成された導体パターンや、ガラスセラミック層を貫通するスルーホールもしくはビアホールとして、銀を主成分とした導体材料で形成されている。

図２は、表面実装部品が実装された積層体１００の最上層表面を示す上面図である。積層体１００の最上層表面には、積層体１００内部の導体部と共にアンテナ切換回路ＡＣ１を構成する種々の表面実装部品（チップ部品）が実装されている。これらの表面実装部品として、ＳＡＷフィルタＳＦ１，ＳＦ２、５個のダイオードＤ１〜５、８個のコイルＬ１〜８、コンデンサＣ１，Ｃ２、抵抗器Ｒ１，Ｒ２が実装されている。これら表面実装部品の上部は、積層体１００の最層表面に半田付けされた導体金属製のシールドキャップＳＣによって覆われている。シールドキャップＳＣは、アンテナ切換モジュール１０が携帯電話のプリント基板（図示しない）に実装された際に、積層体１００内部の導体部を介してグランドへ電気的に接続される。

Ａ−（２）．積層体１００の最上層の詳細構造：
積層体１００の最上層の詳細構造について説明する。図３は、積層体１００の最上層表面を示す上面図である。図４は、積層体１００の最上層の導体パターン１５２を示す上面図である。図５は、積層体１００の最上層のオーバコート材１６０を示す上面図である。なお、図３ないし図５には、積層体１００に実装されるＳＡＷフィルタＳＦ１，ＳＦ２を投影した外形が示されている。

積層体１００の最上層であるガラスセラミック層１５０の表面には、図４に示すように、導体パターン１５２が形成されている。導体パターン１５２が形成されたガラスセラミック層１５０は、図５に示す複数の開口部ＯＰＴを有するようにオーバコート材１６０でコーティング（被覆）されている。オーバコート材１６０は、ガラスセラミック層１５０と同様のアルミナおよびガラスを含むガラスセラミック材料にコバルトを添加した材料から成る。なお、図面の認識の容易化を図るため、図３および図４における導体パターン１５２には、右下がりのハッチングが施され、図３および図５における開口部ＯＰＴには、右下がりのハッチングが施されている。

図３に示すように、オーバコート材１６０の各開口部ＯＰＴは、導体パターン１５２の内側に位置する。導体パターン１５２は、開口部ＯＰＴと重なり合う部分（図３中の各ハッチングが重なり合う部分）で積層体１００の表面に露出する。図２に示した種々の表面実装部品は、開口部ＯＰＴから露出した導体パターン１５２の各部分に、それぞれ半田付けによって実装される。

図６は、ＳＡＷフィルタＳＦ１，ＳＦ２が実装される積層体１００の最上層表面を示す部分拡大図である。ガラスセラミック層１５０の内部には、積層体１００内の導体部の一部であるスルーホールとして、スルーホールＴＨ１〜８等が形成されている。スルーホールＴＨ１〜８は、アンテナ切換モジュール１０が携帯電話のプリント基板（図示しない）に実装された際に、グランドへ電気的に接続される。

導体パターン１５２は、表面実装部品が実装される部分として、ＳＡＷフィルタＳＦ１とスルーホールＴＨ１との間を電気的に接続するランドパターン部ＬＳ１ａと、ＳＡＷフィルタＳＦ１とスルーホールＴＨ２との間を電気的に接続するランドパターン部ＬＳ１ｂと、ＳＡＷフィルタＳＦ２とスルーホールＴＨ３との間を電気的に接続するランドパターン部ＬＳ２ａと、ＳＡＷフィルタＳＦ２とスルーホールＴＨ４との間を電気的に接続するランドパターン部ＬＳ２ｂと、シールドキャップＳＣとスルーホールＴＨ６〜８との間を電気的に接続するランドパターン部ＬＧとを有する。各ランドパターン部は、ガラスセラミック層１５０と接する面で、各スルーホールと電気的に接続されている。

表面実装部品が実装されるランドパターン部の他、導体パターン１５２は、ランドパターン部ＬＧ，ＬＳ１ａ間を電気的に接続するブリッジパターン部ＢＰ１と、ランドパターン部ＬＳ１ａ，ＬＳ１ｂ間を電気的に接続するブリッジパターン部ＢＰ２と、ランドパターン部ＬＳ１ｂ，ＬＳ２ａ間を電気的に接続するブリッジパターン部ＢＰ３と、ランドパターン部ＬＳ２ａ，ＬＳ２ｂ間を電気的に接続するブリッジパターン部ＢＰ４とを有する。これらのブリッジパターン部ＢＰ１〜４の形成幅（線幅）は、それぞれ接続するランドパターン部よりも狭い形成幅（線幅）である。ブリッジパターン部ＢＰ４は、ガラスセラミック層１５０と接する面で、スルーホールＴＨ５と電気的に接続されている。

図７は、図６におけるＡ−Ａ線に沿ってランドパターン部ＬＳ１ａを切断した形状を示す矢視断面図である。ランドパターン部ＬＳ１ａのガラスセラミック層１５０に接していない面の外縁部は、ガラスセラミック層１５０と共にオーバコート材１６０でコーティング（被覆）されている。ランドパターン部ＬＳ１ａと同様に、ランドパターン部ＬＳ１ｂ，ＬＳ２ａ，ＬＳ２ｂ，ＬＧの外縁部についても、オーバコート材１６０でコーティングされている。

ガラスセラミック層１５０の下層には、ガラスセラミック層１４０が形成されている。スルーホールＴＨ１は、ガラスセラミック層１４０に形成された導体パターン１４２に電気的に接続されている。

図８は、図６におけるＢ−Ｂ線に沿ってブリッジパターン部ＢＰ２を切断した形状を示す矢視断面図である。ブリッジパターン部ＢＰ２の全体は、ガラスセラミック層１５０と共にオーバコート材１６０でコーティングされている。ブリッジパターン部ＢＰ２と同様に、ブリッジパターン部ＢＰ１，ＢＰ３，ＢＰ４の全体についても、ガラスセラミック層１５０と共にオーバコート材１６０でコーティングされている。

Ａ−（３）．積層体１００の最下層の詳細構造：
積層体１００の最下層の詳細構造について説明する。図９は、積層体１００の最下層表面を示す底面図である。図１０は、積層体１００の最下層の導体パターン１１２を示す底面図である。図１１は、積層体１００の最下層のオーバコート材１０５を示す底面図である。

積層体１００の最下層であるガラスセラミック層１１０の表面には、図１０に示すように、導体パターン１１２が形成されている。導体パターン１１２が形成されたガラスセラミック層１１０の上には、図１１に示す複数の開口部ＯＰＢを有するようにオーバコート材１０５でコーティングされている。オーバコート材１０５は、ガラスセラミック層１１０と同様のアルミナおよびガラスを含むガラスセラミック材料にコバルトを添加した材料から成る。なお、図面の認識の容易化を図るため、図９および図１０における導体パターン１１２には、右下がりのハッチングが施され、図９および図１１における開口部ＯＰＢには、右下がりのハッチングが施されている。

図９に示すように、オーバコート材１０５の各開口部ＯＰＢは、導体パターン１１２の内側に位置する。導体パターン１１２は、開口部ＯＰＢと重なり合う部分（図９中の各ハッチングが重なり合う部分）で積層体１００の表面に露出する。開口部ＯＰＢから露出した導体パターン１１２の各部分は、アンテナ切換モジュール１０を携帯電話のプリント基板（図示しない）に実装するための種々の接続端子を構成する。

種々の接続端子として、アンテナ切換モジュール１０が実装された際にグランドに接続される５つのグランド端子ＧＮＤ１〜５や、アンテナ部に接続されるアンテナ端子ＡＮＴが構成されている。長方形状のグランド端子ＧＮＤ１，ＧＮＤ２，ＧＮＤ４に対して、グランド端子ＧＮＤ３は、長方形の１つの角を切り取った５角形状に構成されている。なお、既述したスルーホールＴＨ１〜８の各々は、グランド端子ＧＮＤ１〜５のいずれかへ電気的に接続されている。

これらの接続端子の他、ＥＧＳＭ系に関する接続端子としては、ＥＧＳＭ系の送信回路に接続される送信端子ＴＸ２と、ＥＧＳＭ系の受信回路に接続される受信端子ＲＸ２ａ，ＲＸ２ｂと、ＥＧＳＭ系の送受信経路の切換を制御する制御回路に接続される制御端子ＶＣ２とが構成されている。ＤＣＳ／ＰＣＳ系に関する接続端子としては、ＤＣＳ／ＰＣＳ系の送信回路に接続される送信端子ＴＸ３４と、ＤＣＳ系の受信回路に接続される受信端子ＲＸ３ａ，ＲＸ３ｂと、ＰＣＳ系の受信回路に接続される受信端子ＲＸ４と、ＤＣＳ／ＰＣＳ系の送受信経路の入り切りの切換を制御する制御端子ＶＣ３４と、ＰＣＳ系の受信経路の入り切りの切換を制御する制御端子ＶＣ４とが構成されている。

Ａ−（４）．アンテナ切換モジュール１０の回路構成：
アンテナ切換モジュール１０が形成するアンテナ切換回路ＡＣ１について説明する。図１２は、アンテナ切換回路ＡＣ１の概略を示すブロック図である。アンテナ切換回路ＡＣ１は、ＥＧＳＭ系の信号経路の切換を行うスイッチ回路ＳＷ２と、ＤＣＳ／ＰＣＳ系の信号経路の切換を行うスイッチ回路ＳＷ３４と、スイッチ回路ＳＷ２，ＳＷ３４に対して各受信信および各送信信号の分配を行うダイプレクサ回路ＤＰとを主要な回路として構成されている。

アンテナ端子ＡＮＴとダイプレクサ回路ＤＰとを接続する信号経路には、ローパスフィルタ回路ＬＰＦ１が配設されている。ダイプレクサ回路ＤＰには、スイッチ回路ＳＷ２に接続する信号経路にローパスフィルタ回路ＬＰＦ２が配設され、スイッチ回路ＳＷ３４に接続する信号経路にハイパスフィルタ回路ＨＰＦが配設されている。スイッチ回路ＳＷ２と送信端子ＴＸ２とを接続する信号経路には、ローパスフィルタ回路ＬＰＦ３が配設されている。

スイッチ回路ＳＷ２と受信端子ＲＸ２ａ，ＲＸ２ｂとを接続する信号経路には、ＥＧＳＭシステムの受信周波数帯域に対応したＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ２が配設されている。スイッチ回路ＳＷ３４と受信端子ＲＸ３ａ，ＲＸ３ｂとを接続する信号経路には、ＤＣＳシステムの受信周波数帯域に対応したＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ３が配設されている。ＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ２は、ＳＡＷフィルタＳＦ１に形成され、ＳＡＷフィルタ回路ＳＡＷ３は、ＳＡＷフィルタＳＦ２に形成されている。

Ａ−（５）．アンテナ切換モジュール１０の製造方法
アンテナ切換モジュール１０の製造方法について説明する。図１３は、アンテナ切換モジュール１０の製造工程の概略を示す説明図である。アンテナ切換モジュール１０を製造する際には、始めに、誘電体材料の一つである低温焼成可能なガラスセラミック材料から成るグリーンシートを複数用意する（工程Ｓ１１０）。グリーンシートの大きさは、複数個分の積層体１００の大きさである。

その後、各グリーンシートに、積層体１００の隣接する各層を導通させるスルーホールと、アンテナ切換回路ＡＣ１を形成する導体パターンとを、積層体１００の各層に対応させて形成する（工程Ｓ１２０）。スルーホールについては、スルーホールを形成する箇所に穴を開けた後、その穴に導体ペーストを充填させることによって形成する。導体パターンについては、導体ペーストを印刷することによって形成する。なお、本実施例の導体ペーストの材料は、銀を主体とする材料を用いる。

この工程において、ガラスセラミック層１５０に対応するグリーンシートには、図４に示した導体パターン１５２が形成され、図５に示したオーバコート材１６０がコーティングされる。ガラスセラミック層１１０に対応するグリーンシートには、図１０に示した導体パターン１１２が形成され、図１１に示したオーバコート材１０５がコーティングされる。

導体パターンを形成した後（工程Ｓ１２０）、積層体１００の各層の導体パターンが形成されたグリーンシートを、積層体１００における各層の並びの順で積層する（工程Ｓ１３０）。

グリーンシートを積層した後（工程Ｓ１３０）、積層したグリーンシートを焼成する（工程Ｓ１４０）。その後、焼成したグリーンシートにおける各積層体１００の表面に現れている導体パターンにニッケル−金メッキを施し（工程Ｓ１５０）、各積層体１００の最上層表面に、ＳＡＷフィルタＳＦ１，ＳＦ２等の表面実装部品やシールドキャップＳＣを半田付けする（工程Ｓ１６０）。その後、各積層体１００を形成する個片毎に分割することで（工程Ｓ１７０）、アンテナ切換モジュール１０が完成する。

以上説明した本発明のアンテナ切換モジュール１０によれば、ランドパターン部ＬＳ１ａ，ＬＳ１ｂ，ＬＳ２ａ，ＬＳ２ｂは、ガラスセラミック層１５０との密着力に加えて、外縁部におけるオーバコート材１６０による押圧力と、ブリッジパターン部ＢＰ１〜ＢＰ４による結合力とによって積層体１００の表面に固定される。その結果、各ランドパターン部は、単独で積層体１００の表面に形成されただけの場合に比べて、より大きな衝撃モーメントに耐えることができる。従って、アンテナ切換モジュール１０の耐衝撃性を向上させることができる。

また、ランドパターン部ＬＳ１ａ，ＬＳ１ｂ，ＬＳ２ａ，ＬＳ２ｂとグランド端子ＧＮＤ１〜４との間の各導体部をブリッジパターン部ＢＰ２〜４によって並列に接続し、各導体部に寄生するインダクタンス要素の影響を小さくすることができる。

図１４は、本実施例の積層体１００における寄生インダクタンスの様子を示す説明図である。図１５は、積層体９００における寄生インダクタンスの様子を示す説明図である。積層体９００は、本実施例の積層体１００に対する比較例であり、その構造は、積層体１００に形成された各ブリッジパターンが形成されていない点以外は、積層体１００の構造と同様である。積層体９００の場合には、図１５に示すように、寄生インダクタンスＬｐ１〜４が、各ランドパターン部に対して、それぞれ単独で接続される。本実施例における積層体１００の場合には、図１４に示すように、ブリッジパターン部ＢＰ２〜４によって、寄生インダクタンスＬｐ１〜４が、各ランドパターン部に対して並列に接続される。寄生インダクタンスＬｐ１〜４の大きさが全て同じであると仮定すると、本実施例における積層体１００の場合には、各ランドパターン部に接続されるインダクタンスの大きさは、積層体９００の場合に比べて４分の１の大きさとなる。その結果、耐衝撃性向上の効果に加え、ランドパターン部ＬＳ１ａ，ＬＳ１ｂ，ＬＳ２ａ，ＬＳ２ｂのグランド機能を向上させることができる。

また、ブリッジパターン部ＢＰ１，ＢＰ３は、それぞれ異なる表面実装部品が実装される電気的に同電位のランドパターン部間に形成されるため、ブリッジパターン部による耐衝撃性向上を、より多くのランドパターン部に対して適用することができる。

また、積層体に実装される種々の表面実装部品の中でも比較的に質量が大きなＳＡＷフィルタＳＦ１，ＳＦ２が実装されるランドパターン部に対してブリッジパターン部ＢＰ１〜４を形成したため、効果的に耐衝撃性の向上を図ることができる。

また、ブリッジパターン部ＢＰ１〜４の形成幅が、各ランドパターンよりも狭い形成幅であるため、オーバコート材１６０とガラスセラミック層１５０との間の接着面積が拡大し、これらの間の密着力を向上させることができる。

Ｂ．その他の実施形態：
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明はこうした実施の形態に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において様々な形態で実施し得ることは勿論である。例えば、ブリッジパターン部を形成するランドパターン部は、ＳＡＷフィルタＳＦ１，ＳＦ２が実装されるものに限るものではなく、他の表面実装部品が実装されるもの（例えば、ＧａＡｓスイッチＩＣに代表されるＩＣ等）に適用しても良い。また、実装部品が実装されるランドパターン部間にブリッジパターン部を形成するのではなく、実装部品が実装されるランドパターン部と、ノイズ防止等のために形成されたランドパターン部との間にブリッジパターン部を形成することとしても良い。

アンテナ切換モジュール１０の外観構造を示す斜視図である。表面実装部品が実装された積層体１００の最上層表面を示す上面図である。積層体１００の最上層表面を示す上面図である。積層体１００の最上層の導体パターン１５２を示す上面図である。積層体１００の最上層のオーバコート材１６０を示す上面図である。ＳＡＷフィルタＳＦ１，ＳＦ２が実装される積層体１００の最上層表面を示す部分拡大図である。図６におけるＡ−Ａ線に沿ってランドパターン部ＬＳ１ａを切断した形状を示す矢視断面図である。図６におけるＢ−Ｂ線に沿ってブリッジパターン部ＢＰ２を切断した形状を示す矢視断面図である。積層体１００の最下層表面を示す底面図である。積層体１００の最下層の導体パターン１１２を示す底面図である。積層体１００の最下層のオーバコート材１０５を示す底面図である。アンテナ切換回路ＡＣ１の概略を示すブロック図である。アンテナ切換モジュール１０の製造工程の概略を示す説明図である。本実施例の積層体１００における寄生インダクタンスの様子を示す説明図である。積層体９００における寄生インダクタンスの様子を示す説明図である。

符号の説明

１０...アンテナ切換モジュール
１００...積層体
１０５，１６０...オーバコート材
１１０，１４０，１５０...ガラスセラミック層
１１２，１４２，１５２...導体パターン
ＬＳ１ａ，ＬＳ１ｂ，ＬＳ２ａ，ＬＳ２ｂ，ＬＧ...ランドパターン部
ＢＰ１〜４...ブリッジパターン部
ＯＰＴ，ＯＰＢ...開口部
ＴＨ１〜８...スルーホール
ＧＮＤ１〜５...グランド端子
ＡＮＴ...アンテナ端子
ＴＸ２，ＴＸ３４...送信端子
ＲＸ２ａ，ＲＸ２ｂ，ＲＸ３ａ，ＲＸ３ｂ，ＲＸ４...受信端子
ＶＣ２，ＶＣ３４，ＶＣ４...制御端子
ＳＦ１，２...ＳＡＷフィルタ
Ｄ１〜５...ダイオード
Ｌ１〜８...コイル
Ｃ１...コンデンサ
Ｒ１...抵抗器
ＳＣ...シールドキャップ
ＡＣ１...アンテナ切換回路
ＤＰ...ダイプレクサ回路
ＳＷ２，ＳＷ３４...スイッチ回路
ＳＡＷ２，３...ＳＡＷフィルタ回路
ＨＰＦ...ハイパスフィルタ回路
ＬＰＦ１〜３...ローパスフィルタ回路
Ｌｐ１〜４...寄生インダクタンス

Claims

通信システムの送信回路および受信回路と、通信電波の送受信を行うアンテナ部との間における信号経路の切換を行うアンテナ切換回路を、セラミック層を積層した積層体に形成したアンテナ切換モジュールであって、
前記積層体に実装された表面実装部品と、
前記積層体の内部に形成された導体部と、
前記積層体における第１の最外層表面に前記表面実装部品が実装される部分として形成され、前記表面実装部品と前記導体部との間を電気的に接続する複数のランドパターンと、
前記第１の最外層表面に形成され、前記複数のランドパターン間を電気的に接続するブリッジパターンと、
前記積層体において前記第１の最外層表面とは反対側に位置する第２の最外層表面に形成され、グランドに接続されるグランド端子と
を備え、
前記導体部は、
前記積層体を貫通して前記ランドパターンを前記グランド端子に電気的に接続する第１のスルーホールと、
前記積層体を貫通して前記ブリッジパターンを前記グランド端子に電気的に接続する第２のスルーホールと
を含む、アンテナ切換モジュール。
前記複数のランドパターンの各外縁部および前記ブリッジパターンを、前記最外層表面のセラミック層と共に、該セラミック層と同じセラミック材料を含むオーバコート材で被覆した請求項１に記載のアンテナ切換モジュール。
前記複数のランドパターンが電気的に接続する表面実装部品は、ＳＡＷフィルタである請求項１または請求項２に記載のアンテナ切換モジュール。
前記ブリッジパターンの形成幅は、前記複数のランドパターンよりも狭い形成幅である請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載のアンテナ切換モジュール。
通信システムの送信回路および受信回路と、通信電波の送受信を行うアンテナ部との間における信号経路の切換を行うアンテナ切換回路を、セラミック層を積層した積層体に形成したアンテナ切換モジュールであって、前記積層体に実装された表面実装部品と、前記積層体の内部に形成された導体部とを備えるアンテナ切換モジュールの製造方法であって、
前記積層体における第１の最外層表面に、前記表面実装部品と前記導体部との間を電気的に接続する複数のランドパターンを、前記表面実装部品が実装される部分として形成し、
前記第１の最外層表面に、前記複数のランドパターン間を電気的に接続するブリッジパターンを形成し、
前記積層体において前記第１の最外層表面とは反対側に位置する第２の最外層表面に、グランドに接続されるグランド端子を形成し、
前記導体部の一部として、前記積層体を貫通して前記ランドパターンを前記グランド端子に電気的に接続する第１のスルーホールを形成し、
前記導体部の一部として、前記積層体を貫通して前記ブリッジパターンを前記グランド端子に電気的に接続する第２のスルーホールを形成し、
前記複数のランドパターンの各外縁部および前記ブリッジパターンを、前記最外層表面のセラミック層と共に、該セラミック層と同じセラミック材料を含むオーバコート材で被覆する、アンテナ切換モジュールの製造方法。
前記ブリッジパターンの形成幅は、前記複数のランドパターンよりも狭い形成幅である請求項５に記載のアンテナ切換モジュールの製造方法。