KR100550916B1 - 전력증폭 및 듀플렉스 복합 장치 - Google Patents

전력증폭 및 듀플렉스 복합 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 주파수 대역을 송수신 대역으로 각각 분리하는 SAW 듀플렉서를 고온 동시소성 세라믹(HTCC) 내부에 형성하여 상기 SAW 듀플렉서, 전력증폭부 및 집적수동소자(Integrated Passive Device)를 하나의 패키지로 형성하여 제작한 복합 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명은, 안테나(ANT)에 연결되어 송신 및 수신신호를 각각 분리하여 통과시키는 듀플렉서(45)와, 송신신호의 전력을 증폭하는 전력증폭부(42)를 포함하는 복합 장치에 있어서, 복수개의 유전체층이 적층되고 소자를 실장하기 위한 상면부 및 하면부를 갖고, 상기 하면부에 송수신단자가 형성된 기판(41); 상기 전력증폭부(42)에 연결된 매칭소자, 상기 안테나에 연결된 수신 매칭 소자, 및 전원과 신호를 분리하기 위한 수동소자를 집적화하여, 상기 기판(41) 상면부에 실장한 집적수동소자(43); 및 상기 기판(43)의 내부에 밀폐된 공간이 형성되고, 이 밀폐된 공간에 상기 듀플렉서(45)를 내장하며, 상기 듀플렉서(45)와 상기 송수신단자 및 집적수동소자(43) 각각과 연결하기 위한 형성된 연결단자를 포함하는 소자 수용부(44)를 구비함을 특징으로 한다.
전력증폭, 듀플렉스, 복합 장치, 매칭 소자, 위상변환, λ/4

Description

전력증폭 및 듀플렉스 복합 장치{POWER AMPLIFIER AND DUPLEXER COMPOSITE APPARATUS}
도 1은 종래 전력증폭 및 듀플렉스 복합 장치의 회로도이다.
도 2a,2b는 종래 전력증폭 및 듀플렉스 복합 장치의 단면도 및 SAW 듀플렉서 단면도이다.
도 3은 종래 다른 전력증폭 및 듀플렉스 복합 장치의 단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 전력증폭 및 듀플렉스 복합 장치의 단면 구조도이다.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 복합 장치의 단면 구조도이다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 복합 장치의 단면 구조도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
40 : 복합장치 41 : 기판
42 : 전력증폭부 43 : 집적수동소자
44 : 소자 수용부 45 : 듀플렉서
본 발명은 휴대폰 등의 무선 통신 단말기에 적용 가능한 전력증폭 및 듀플렉스 복합 장치에 관한 것으로, 특히 주파수 대역을 송수신 대역으로 각각 분리하는 SAW 듀플렉서를 고온 동시소성 세라믹(HTCC) 내부에 형성하여 상기 SAW 듀플렉서, 전력증폭부 및 집적수동소자(Integrated Passive Device)를 하나의 패키지로 형성하여 제작함으로서, 듀플렉서의 자체 높이를 보다 더 줄일 수 있어 적용되는 이동 통신 단말기를 더욱 더 소형화시킬 수 있는 전력증폭 및 듀플렉스 복합 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 셀룰러(Cellular) 또는 PCS 휴대폰 단말기 또는 기타 무선 통신 단말기는, 안테나(ANT)에 접속하여 대략 824-894MHz의 셀룰러 밴드 또는 대략 1750-1910MHz의 PCS 밴드를 구분하여 통과시키는 다이플렉서와, 상기 셀룰러 밴드를 대략 824-849MHz의 송신(TX)대역 및 대략 869-894MHz의 수신(RX)대역으로 구분하는 듀플렉서 또는 상기 PCS 밴드를 송신(TX)대역 및 수신(TX)대역으로 구분하는 듀플렉서를 포함한다.
최근, 휴대폰 등의 이동 통신 단말기에 있어서, 기능적인 측면에서는 여러 가지 기능을 복합화한 다기능화와, 사이즈 측면에서는 전체 크기 또는 높이 등의 사이즈를 줄이는 소형화에 대한 요구에 만족하여야 하는데, 이중에서 소형화의 요구에 대응하여 송신신호의 전력을 증폭하는 전력증폭모듈과 듀플렉서를 하나의 모 듈내에 형성한 복합 장치에 대한 연구 및 개발이 이루어지고 있다.
도 1은 종래 전력증폭 및 듀플렉스 복합 장치의 회로도이다.
도 1을 참조하면, 종래 전력증폭 및 듀플렉스 복합 장치는 송신신호의 전력을 증폭하는 전력증폭부(11)와, 상기 전력증폭부(11)의 임피던스 매칭 및 전원 노이즈 제거를 위한 수동소자를 포함하는 수동회로부(12)(12A,12B)와, 상기 전력증폭부(11)의 출력신호를 검출하기 위한 커플링부(13)와, 소정의 주파수에 대응되는 송신 및 수신신호를 각각 분리하여 통과시키는 듀플렉서(14)를 포함한다. 상기 수동회로부(12)는 상기 전력증폭부(11)의 임피던스 매칭회로부(12A)와 전원 노이즈의 제거를 위한 회로부(12B)를 포함한다.
도 2a,2b는 종래 전력증폭 및 듀플렉스 복합 장치의 단면도 및 SAW 듀플렉서 단면도이다.
도 2a를 참조하면, 종래 전력증폭 및 듀플렉스 복합 장치는 복수개의 유전체층으로 이루어진 기판(PCB)상에 전력증폭부(11), 수동회로부(12), 듀플렉서(14)가 실장되어 있고, 상기 기판(PCB) 내부층에 도전성 패턴으로 이루어진 커플링부(13)가 형성되어 있다. 이러한 기판(PCB)은 커플링부(13) 등을 내부층에 형성하므로 대략 4개의 유전체층이 적층되어 있다.
도 2b를 참조하면, 종래 SAW 듀플렉서(14)에 있어서, 14A는 저온 동시소성 세라믹(LTCC)으로 이루어지고, 소자 수용을 위한 내부공간을 갖는 패키지, 14B는 상기 패키지(14A)의 소자 수용 공간을 밀폐시키기 위한 캡, 14C는 상기 패키지(14A)의 내부공간에 장착되어 수신(RX) 필터부 및 송신(TX) 필터부를 갖는 SAW 소자, 14D는 상기 SAW 소자(14C)의 수신(RX) 필터부 및 송신(TX) 필터부 사이에 연결되어 상기 수신(RX) 및 송신(TX) 필터 사이의 임피던스를 매칭시키기 위한 λ/4 임피던스 매칭 소자, CP는 상기 패키지(14A)의 내부공간의 내부면에서 외부 바닥면까지 형성된 도전성 패턴, BW는 상기 SAW 소자(14C)의 단자와 상기 패키지(14A)에 형성된 도전성 패턴(CP)을 본딩하는 본딩 와이어이다. 특히, 상기 임피던스 매칭 소자(14D)는 패키지(14A)의 내부층에 형성되는데, 이를 위해서 상기 패키지(14A)가 저온 동시소성 세라믹(LTCC)으로 이루어진다.
이와 같은 종래 전력증폭 및 듀플렉스 복합 장치에 있어서, 상기 복합 장치의 높이는 "SAW 듀플렉서의 높이(최대 1.5mm) + 기판(PCB)의 높이(최대 0.4mm) + 기타 높이(몰딩 높이)"로서, 이는 최대 2mm(1.5mm+0.4mm+0.1mm)가 되는데, 이는 높이가 상대적으로 높아서 이동 통신 단말기의 높이를 낮추는데 한계가 있다. 여기서, 상기 SAW 듀플렉서의 높이가 전체 높이의 대략 75% 정도 차지하는데, 이 이유는 SAW 듀플렉서의 패키지 내부에 상기 임피던스 매칭 소자(14D)가 형성되기 때문이다.
또한, 종래의 SAW 듀플렉서는 도 3에 도시된 바와 같이, 저온 동시소성 세라믹(LTCC) 패키지에 임피던스 매칭 소자를 구현하였기 때문에 고가의 저온 동시소성 세라믹의 재료비로 인하여 공정 비용이 상승되어 복합 장치의 전체 재료비가 상승되는 문제점이 있고, 뿐만 아니라 저온 동시소성 세라믹(LTCC)은 깨짐이나 습기 침투 등에서 신뢰성이 약하다는 단점을 갖기 때문에, 이러한 저온 동시소성 세라믹(LTCC) 패키지는 기계적 강도가 약하다는 문제점이 있었다.
이러한 문제점을 개선하기 위해, 도 3에 도시된 바와 같은 전력증폭 및 듀플렉스 복합 장치가 제안된바 있다.
도 3은 종래 다른 전력증폭 및 듀플렉스 복합 장치의 단면도이다.
도 3을 참조하면, 종래 전력증폭 및 듀플렉스 복합 장치는 복수개의 유전체층이 적층된 기판(PCB)과, 상기 기판(PCB) 상에 실장되고, 송신신호의 전력을 증폭시키는 전력증폭부(31)와, 상기 기판(PCB) 상에 실장되고, 상기 전력증폭부(31)의 임피던스 매칭 및 전원 노이즈 제거를 위해서 상기 전력증폭부(31)에 연결되는 수동회로부(32)와, 상기 기판(PCB) 상에 실장되며, 소정의 주파수 대역에 해당하는 송신신호 및 수신신호를 각각 분리하여 통과시키는 수신(RX) 필터부 및 송신(TX) 필터부를 포함하는 듀플렉서(34)와, 상기 기판(PCB)의 복수개의 유전체층의 일부에 도전성 패턴으로 형성되고, 상기 전력증폭부(31)로부터의 송신 전력을 감지하기 위해, 상기 전력증폭부(31)와 상기 듀플렉서(34) 사이에 연결된 커플링부(33)와, 상기 기판(PCB)의 복수개의 유전체층의 일부에 도전성 패턴으로 형성되고, 상기 듀플렉서(34)의 수신(RX) 및 송신(TX) 필터간의 임피던스 매칭을 위해서, 상기 듀플렉서(34)의 수신(RX) 필터부 및 송신(TX) 필터부 사이에 연결된 임피던스 매칭 소자(35)로 구성한다.
또한, 상기 임피던스 매칭 소자(35)가 도 2a에 도시된 상기 듀플렉서(34)에 형성되는 것과는 달리, 상기 기판(PCB)의 내부층에 형성함으로서, 상기 듀플렉서(34)에 포함되는 패키지를 저가이면서도 기계적인 강도가 우수한 고온 동시소성 세라믹(HTCC)으로 형성할 수 있으며, 뿐만 아니라, 상기 듀플렉서(34)의 자체 높이를 낮출 수 있게 된다.
도 3에 도시된 종래의 복합장치는 대략 1.8mm 정도의 높이를 갖게 되는데, 이 높이는 도 2a에 도시된 종래의 복합장치의 높이가 대략 2mm에 비하면 상대적으로 낮은 높이임을 알 수 있다.
그러나, 이와같이, 도 3에 도시된 종래의 복잡장치에서는, SAW 듀플렉서가 고온 동시소성 세라믹(HTCC) 또는 기판(PCB) 상부에 실장되므로, SAW 듀플렉서의 높이로 인하여 복잡장치의 높이를 더 낮출 수가 없다는 한계가 있으며, 이로 인하여 이러한 복합장치가 적용되는 이동 통신 단말기를 더 소형화시키는 데에 한계가 존재하는 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로, 그 목적은 주파수 대역을 송수신 대역으로 각각 분리하는 SAW 듀플렉서를 고온 동시소성 세라믹(HTCC) 내부에 형성하여 상기 SAW 듀플렉서, 전력증폭부 및 집적수동소자(Integrated Passive Device)를 하나의 패키지로 형성하여 제작함으로서, 듀플렉서의 자체 높이를 보다 더 줄일 수 있어 적용되는 이동 통신 단말기를 더욱 더 소형화시킬 수 있는 전력증폭 및 듀플렉스 복합 장치를 제공하는데 있다.
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 전력증폭 및 듀플렉스 복합 장치는
안테나에 연결되어 송신 및 수신신호를 각각 분리하여 통과시키는 듀플렉서와, 송신신호의 전력을 증폭하는 전력증폭부를 포함하는 복합 장치에 있어서,
복수개의 유전체층이 적층되고 소자를 실장하기 위한 상면부 및 하면부를 갖고, 상기 하면부에 송수신단자가 형성된 기판;
상기 전력증폭부에 연결된 매칭소자, 상기 안테나에 연결된 수신 매칭 소자, 및 전원과 신호를 분리하기 위한 수동소자를 집적화하여, 상기 기판 상면부에 실장한 집적수동소자; 및
상기 기판의 내부에 밀폐된 공간이 형성되고, 이 밀폐된 공간에 상기 듀플렉서를 내장하며, 상기 듀플렉서와 상기 송수신단자 및 집적수동소자 각각과 연결하기 위한 형성된 연결단자를 포함하는 소자 수용부
를 구비함을 특징으로 한다.
또한, 상기 듀플렉서는 상기 기판의 소자 수용부에 내장되며, 소정의 주파수 대역에 해당하는 송신신호 및 수신신호를 각각 분리하여 통과시키는 SAW 수신(RX) 필터부 및 송신(TX) 필터부를 포함하는 SAW 듀플렉서인 것을 특징으로 한다.
게다가, 본 발명의 듀플렉서는 상기 기판의 소자 수용부에 내장되며, 상기 듀플렉서의 연결단자는 상기 기판의 외부 송수신단자에 연결된 도전성 패턴 및 상기 집적수동소자에 연결된 도전성 패턴 각각과 와이어본딩 또는 플립칩 본딩에 의해 연결될 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 본 발명에 참조된 도면에서 실질적으로 동일한 구성과 기능을 가진 구성요소들은 동일한 부호를 사용할 것이다.
도 4는 본 발명에 따른 전력증폭 및 듀플렉스 복합 장치의 단면 구조도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 전력증폭 및 듀플렉스 복합 장치는 안테나(ANT)에 연결되어 송신 및 수신신호를 각각 분리하여 통과시키는 듀플렉서(45)와, 송신신호의 전력을 증폭하는 전력증폭부(42)를 포함하는 복합 장치로서, 이에 대해서 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 전력증폭 및 듀플렉스 복합 장치는 복수개의 유전체층이 적층되고 소자를 실장하기 위한 상면부 및 하면부를 갖고, 상기 하면부에 송수신단자가 형성된 기판(41)을 포함하는데, 이 기판(41)의 상면부에는 전력증폭부(42) 및 집적수동소자(43)가 실장되고, 상기 기판(41)의 내부의 소자 수용부(44)에는 듀플렉서(45)가 내장된다.
상기 전력증폭부(42)는 상기 기판(41) 상부면에 실장되고, 상기 기판(41)의 하면부에 형성된 입력단자(IN)와 도전성 물질로 채워진 비아홀(VH1)을 통해 연결되고, 상기 비아홀(VH1)은 상기 기판(41)의 하면부에 형성된 입력단자(IN)와 연결된다. 이때, 상기 전력증폭부(42)는 상기 입력단자(IN)를 통해 입력되는 송신할 신호를 송신에 필요한 충분한 전력으로 증폭시켜 상기 집적수동소자(43)를 통해 상기 듀플렉서(45)로 출력한다.
상기 집적수동소자(43)는 상기 전력증폭부(42)에 연결된 매칭소자, 상기 안테나에 연결된 수신 매칭 소자, 및 전원과 신호를 분리하기 위한 수동소자를 집적화하여, 상기 기판(41) 상면부에 실장된다.
상기 소자 수용부(44)는 상기 기판(43)의 내부에 밀폐된 공간이 형성되고, 이 밀폐된 공간에 상기 듀플렉서(45)를 내장하며, 상기 듀플렉서(45)와 상기 송수신단자 및 집적수동소자(43) 각각과 연결하기 위한 형성된 연결단자(CT1,CT2)를 포함한다.
여기서, 상기 전력증폭부(42)에 연결된 매칭소자는 상기 전력증폭부(42)에서 출력되는 신호를 거의 손실없이 후단으로 전송하기 위한 임피던스 매칭소자이며, 그리고, 상기 안테나에 연결된 수신 매칭 소자는 상기 듀플렉서(45)의 수신(RX) 필터부와 안테나(ANT) 사이에 연결되고, 상기 송신신호의 주파수에 대해 위상을 변환시키는 위상변환소자로서, 이 위상변환소자는 상기 송신 주파수에 대해 λ/4의 전기적인 길이를 갖는 것이 바람직하다.
이러한 집적수동소자(43)의 수신 매칭 소자에 의해 송신 주파수에 대해서는 상기 듀플렉서(45)의 수신(RX) 필터부가 오픈된 상태가 되므로, 상기 송신신호는 안테나(ANT)로 전송되지만, 상기 듀플렉서(45)의 수신(RX) 필터부로는 전송되지 않는다.
상기 기판(43)은 상기 듀플렉서(45)를 내장하기 위해서, 그 내부에 소자 수용부(44)를 포함하고, 상기 소자 수용부(44)는 밀폐된 공간으로 형성되며, 이 소자 수용부(44)에 대해서는 도 5 및 도 6을 참조하여 자세히 설명한다.
상기 듀플렉서(45)는 상기 기판(41)의 소자 수용부(44)에 내장되며, 상기 기판(41)의 외부 송수신단자(TX/RX)에 연결된 도전성 패턴(CP5) 및 상기 집적수동소자(43)에 연결된 도전성 패턴(CP4) 각각에 연결된 연결단자(CT1,CT2)와, 이 연결단자(CT1,CT2)를 통한 소정의 주파수 대역에 해당하는 송신신호 및 수신신호를 각각 분리하여 통과시키는 수신(RX) 필터부 및 송신(TX) 필터부를 포함한다.
여기서, 상기 듀플렉서(45)는 상기 기판(41)의 소자 수용부(44)에 내장되며, 소정의 주파수 대역에 해당하는 송신신호 및 수신신호를 각각 분리하여 통과시키는 SAW 수신(RX) 필터부 및 SAW 송신(TX) 필터부를 포함하는 SAW 듀플렉서로 구현될 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 SAW 듀플렉서가 기판 상부에 실장되지 않고, 기판의 내부에 내장되므로 인하여, 본 발명의 복잡장치 높이는 "기판 상면부 높이(최대 0.5mm) + 기판(PCB)의 높이(0.9mm-1.0mm)"로서, 이는 대략 1.4-1.5mm가 되는데, 이 높이는 종래의 복합장치의 높이가 대략 1.8mm에 비하면 상당히 낮은 높이임을 알 수 있다.
한편, 상기 기판(41)은 상기 전력증폭부(42)에서 발생되는 열을 외부로 전달 하기 위해, 상기 전력증폭부(42)가 실장된 기판의 상면부에서 상기 기판(41)의 하면부까지 관통하여 형성한 비아홀(VH2)을 포함하며, 이 비아홀(VH2)은 상기 전력증폭부(42)와 상기 기판(41)의 하면부에 형성된 접지면(G)과 연결되는 도전성물질로 채워져 있다.
또한, 상기 기판(41)의 상면부에는 보호층이 장착되고, 이 보호층은 상기 기판(41)에 실장되는 회로부 및 소자들을 보호하기 위해 상기 기판 상부 전체에 몰딩된 절연수지(47)와, 상기 절연수지 상부에 형성된 금속 케이스(48)를 포함한다. 이에 따라, 본 발명의 복합장치는 소형이면서도 외부로부터의 충격에 강하다.
이하, 본 발명의 전력증폭 및 듀플렉스 복합 장치에서, 상기 기판(41)의 내부에 형성된 소자 수용부(44)와, 이 소자 수용부(44)에 내장되는 듀플렉서(45)에 대해서 구체적으로 설명한다. 이하 도 4와 중복되는 참조부호에 대한 설명은 생략된다.
본 발명의 소자 수용부(44)는 상기 듀플렉서(45)를 내장하고, 상기 듀플렉서(45)는 연결단자(CT1,CT2)에 의해 상기 송수신단자 및 집적수동소자(43)와 각각 연결되는데, 이러한 연결단자(CT1,CT2)는 본딩방식에 따라 서로 다르게 형성된다.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 복합 장치의 단면 구조도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 소자 수용부(44)는 상기 듀플렉서(45)를 내장하고, 상기 듀플렉서(45)는 연결단자(CT1,CT2)에 의해 상기 송수신단자 및 집적수동소자(43)와 각각 연결되는데, 이러한 연결단자(CT1,CT2)는 상기 송수신단자 및 상기 집적수동소자(43) 각각을 상기 듀플렉서(45)에 연결하기 위한 와이어 본딩(BW1,BW2)으로 이루어진다.
이에 대해서 구체적으로 설명하면, 본 발명의 소자 수용부(44)는 상기 듀플렉서(45)를 와이어본딩(BW1,BW2)으로 연결하여 장착하기 위해서는 종래의 듀플렉서 패키지의 내부 공간의 형상과 같이 소자 장착부(44A)와, 이 소자 장착부와 높이를 달리하는 스텝부(ST1,ST2)를 포함하고, 상기 소자 장착부(44A)에 본 발명의 듀플렉서(45)가 장착되고, 상기 스텝부(ST1,ST2)에 형성된 도전성 패턴(CP4,CP5)과 연결된다. 그리고, 상기 소자 수용부(44)에 듀플렉서가 장착된 후에는 상기 소자 수용부(44)가 덮개(44B)에 의해 덮여져서 밀폐된다.
본 발명의 듀플렉서(45)는 상기 기판(41)의 소자 수용부(44)에 내장되며, 상기 듀플렉서의 연결단자(45A)는 도전성 패턴(CP5)을 통해 상기 기판(41)의 외부 송수신단자(TX/RX)에 연결되고, 또한 도전성 패턴(CP4,CP2), 비아홀(VH2) 및 본딩와이어(BW3)에 의해 상기 집적수동소자(43)에 연결된다. 이러한 연결경로를 통해 입력되는 소정의 주파수 대역에 해당하는 송신신호 및 수신신호를 각각 분리하여 통 과시키는 수신(RX) 필터부 및 송신(TX) 필터부를 포함한다.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 복합 장치의 단면 구조도이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 소자 수용부(44)는 상기 듀플렉서(45)를 내장하고, 상기 듀플렉서(45)는 연결단자(CT1,CT2)에 의해 상기 송수신단자 및 집적수동소자(43)와 각각 연결되는데, 이러한 연결단자(CT1,CT2)는 상기 송수신단자 및 상기 집적수동소자(43) 각각을 상기 듀플렉서(45)에 연결하기 위한 펌브볼(BB1,BB2)에 의한 플립칩본딩으로 이루어진다.
이에 대해서 구체적으로 설명하면, 상기 듀플렉서(45)는 상기 기판(41)의 소자 수용부(44)에 내장되며, 상기 기판(41)의 외부 송수신단자(TX/RX)와 상기 집적수동소자(43)와 플립칩 본딩으로 연결되어 소정의 주파수 대역에 해당하는 송신신호 및 수신신호를 각각 분리하여 통과시키는 수신(RX) 필터부 및 송신(TX) 필터부를 포함한다. 또한, 상기 소자 수용부(44)에 듀플렉서가 장착된 후에는 상기 수저 수용자(44)에 덮개(44B)가 덮여져서 밀폐된다.
상술한 바와 같은 본 발명에 따르면, 휴대폰 등의 무선 통신 단말기에 적용 가능한 전력증폭 및 듀플렉스 복합 장치에서, 주파수 대역을 송수신 대역으로 각각 분리하는 SAW 듀플렉서를 고온 동시소성 세라믹(HTCC) 내부에 형성하여 상기 SAW 듀플렉서, 전력증폭부 및 집적수동소자(Integrated Passive Device)를 하나의 패키지로 형성하여 제작함으로서, 듀플렉서의 자체 높이를 보다 더 줄일 수 있어 적용되는 이동 통신 단말기를 더욱 더 소형화시킬 수 있는 효과가 있다.
이상의 설명은 본 발명의 구체적인 실시 예에 대한 설명에 불과하므로, 본 발명은 이러한 구체적인 실시 예에 한정되지 않으며, 또한, 본 발명에 대한 상술한 구체적인 실시 예로부터 그 구성의 다양한 변경 및 개조가 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 쉽게 알 수 있다.

Claims (7)

  1. 안테나(ANT)에 연결되어 송신 및 수신신호를 각각 분리하여 통과시키는 듀플렉서(45)와, 송신신호의 전력을 증폭하는 전력증폭부(42)를 포함하는 복합 장치에 있어서,
    복수개의 유전체층이 적층되고 소자를 실장하기 위한 상면부 및 하면부를 갖고, 상기 하면부에 송수신단자가 형성된 기판(41);
    상기 전력증폭부(42)에 연결된 매칭소자, 상기 안테나에 연결된 수신 매칭 소자, 및 전원과 신호를 분리하기 위한 수동소자를 집적화하여, 상기 기판(41) 상면부에 실장한 집적수동소자(43); 및
    상기 기판(43)의 내부에 밀폐된 공간이 형성되고, 이 밀폐된 공간에 상기 듀플렉서(45)를 내장하며, 상기 듀플렉서(45)와 상기 송수신단자 및 집적수동소자(43) 각각과 연결하기 위해 형성된 연결단자(CT1,CT2)를 포함하는 소자 수용부(44)
    를 구비함을 특징으로 하는 전력증폭 및 듀플렉서 복합 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판(41)은
    상기 전력증폭부(42)에서 발생되는 열을 외부로 전달하기 위해, 상기 전력증폭부(42)가 실장된 기판의 상면부에서 상기 기판(41)의 하면부까지 관통하여 형성한 비아홀(VH2)을 포함하는 것을 특징으로 하는 전력증폭 및 듀플렉서 복합 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기판(41)의 상면부에는 보호층이 장착되고,
    이 보호층은
    상기 기판(41)에 실장되는 회로부 및 소자들을 보호하기 위해 상기 기판 상부 전체에 몰딩된 절연수지(47); 및
    상기 절연수지 상부에 형성된 금속 케이스(48)
    를 포함한 것을 특징으로 하는 전력증폭 및 듀플렉서 복합 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 듀플렉서(45)는
    소정의 주파수 대역에 해당하는 송신신호 및 수신신호를 각각 분리하여 통과시키는 SAW 수신(RX) 필터부 및 SAW 송신(TX) 필터부를 포함하는 SAW 듀플렉서인 것을 특징으로 하는 전력증폭 및 듀플렉서 복합 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 집적수동소자(43)의 수신 매칭 소자는
    상기 듀플렉서(45)의 수신(RX) 필터부와 안테나(ANT) 사이에 연결되고, 상기 송신신호의 주파수에 대해 λ/4의 전기적인 길이를 갖는 위상변환소자로 이루어진 것을 특징으로 하는 전력증폭 및 듀플렉서 복합 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 소자 수용부(44)에 형성된 연결단자(CT1,CT2)는
    상기 송수신단자 및 상기 집적수동소자(43) 각각을 상기 듀플렉서(45)에 연결하기 위한 와이어 본딩(BW1,BW2)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 전력증폭 및 듀플렉서 복합 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 소자 수용부(44)에 형성된 연결단자(CT1,CT2)는
    상기 송수신단자 및 상기 집적수동소자(43) 각각을 상기 듀플렉서(45)에 연결하기 위한 펌프볼(BB1,BB2)에 의한 플립칩 본딩으로 이루어진 것을 특징으로 하는 전력증폭 및 듀플렉서 복합 장치.
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