JP2002198183A - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
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Abstract
機EL素子を提供すること。 【解決手段】 一対の電極と、これらの電極間に挟持さ
れた有機発光媒体層とを有する有機エレクトロルミネッ
センス素子であって、該有機発光媒体層が(A)少なく
とも一種の正孔輸送性化合物と、(B)少なくとも一種
の電子輸送性化合物とを含有する混合層を有し、前記正
孔輸送性化合物のエネルギーギャップEg1と前記電子
輸送性化合物のEg2が、Eg1<Eg2の関係を満た
し、前記有機発光媒体層中で、電子と正孔が再結合し発
光することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス
素子である。
Description
ミネッセンス(以下、「EL」と略記する。)素子に関
し、さらに詳しくは、寿命が長く、かつ高効率の発光が
得られる有機EL素子に関するものである。
光のため視認性が高く、かつ完全固体素子であるため、
耐衝撃性に優れるなどの特徴を有することから、各種表
示装置における発光素子としての利用が注目されてい
る。このEL素子には、発光材料に無機化合物を用いて
なる無機EL素子と有機化合物を用いてなる有機EL素
子とがあり、このうち、特に有機EL素子は、印加電圧
を大幅に低くしうる上、小型化が容易であって、消費電
力が小さく、面発光が可能であり、かつ三原色発光も容
易であることから、次世代の発光素子としてその実用化
研究が積極的になされている。有機EL素子の構成とし
ては、陽極/有機発光層/陰極の構成を基本とし、これ
に正孔注入輸送層や電子注入層を適宜設けたもの、例え
ば、陽極/正孔注入輸送層/有機発光層/陰極や、陽極
/正孔注入輸送層/有機発光層/電子注入層/陰極など
が知られている。
ては、寿命が長く、かつ高効率の発光素子を得るべく、
種々検討が行われてきたが、より低消費電力を目指しさ
らに高効率で、長寿命な素子の要望がある。例えば、国
際公開98/08360及び米国特許5853905に
は、エネルギーギャップが3eV以上である正孔輸送性
のアミン誘導体と電子輸送性化合物である8−ヒドロキ
シキノリンのAl錯体(Alq)の混合層を発光媒体に
用いた素子が開示されている。Alqのエネルギーギャ
ップは2.7eVであるので、この発光媒体では、より
低エネルギーギャップであるAlqにおいて正孔と電子
が再結合して発光する。また、Alq自体は蛍光量子収
率が小さいので、さらにクマリン、ルブレン等の発光性
ドーパントが添加され高効率化されている。しかしなが
ら、これらの文献に記載の技術は、長寿命化に限界があ
る。すなわち、一般に高い電子移動を実現できる化合物
で通電耐久性のある有機材料は少なかった。Alqにお
いては電子の輸送に対し耐久性はあるものの、正孔がA
lqに注入されると劣化することが認められた。前記発
光媒体では、正孔輸送性化合物のエネルギーギャップE
g1と電子輸送性化合物AlqのEg2が、Eg1>E
g2であったため、エネルギーギャップの小さいAlq
に正孔が注入され易く、長寿命化には限界があった。ま
た、クマリン、ルブレン等の発光性ドーパントが添加さ
れた場合、Alqの耐久性は向上することが知られてい
るが、さらに改良求められていた。
状況下で、従来の有機EL素子よりも、寿命が長く、か
つ高効率の発光が得られる有機EL素子を提供するこを
目的とするものである。
を達成するために鋭意研究を重ねた結果、有機発光媒体
層を有する有機EL素子において、該有機発光媒体層が
(A)少なくとも一種の正孔輸送性化合物と、(B)少
なくとも一種の電子輸送性化合物とを含有する混合層を
有し、前記正孔輸送性化合物のエネルギーギャップEg
1が前記電子輸送性化合物のEg2より小さいと、従来
の有機EL素子よりも、寿命が長く、かつ高効率の発光
が得られることを見出した。本発明は、かかる知見に基
づいて完成したものである。
らの電極間に挟持された有機発光媒体層とを有する有機
EL素子であって、該有機発光媒体層が(A)少なくと
も一種の正孔輸送性化合物と、(B)少なくとも一種の
電子輸送性化合物とを含有する混合層を有し、前記正孔
輸送性化合物のエネルギーギャップEg1と前記電子輸
送性化合物のEg2が、Eg1<Eg2の関係を満た
し、前記有機発光媒体層中で、前記正孔輸送性化合物に
より正孔が輸送されるとともに、再結合領域において電
子と正孔が再結合し発光することを特徴とする有機EL
素子を提供するものである。
電極と、これらの電極間に挟持された有機発光媒体層と
を有する有機EL素子であって、有機発光媒体層が
(A)少なくとも一種の正孔輸送性化合物と、(B)少
なくとも一種の電子輸送性化合物とを含有する混合層を
有し、正孔輸送性化合物のエネルギーギャップEg1と
前記電子輸送性化合物のEg2が、Eg1<Eg2の関
係を満たす。このため、有機発光媒体層中で、正孔輸送
性化合物により正孔が輸送されるとともに再結合領域に
おいて、正孔輸送性化合物に電子が注入され、電子と正
孔が再結合し発光する。したがって、電子輸送性化合物
に正孔が注入されにくいため、電子輸送性化合物が劣化
しにくく、素子が長寿命化する。また、正孔輸送性化合
物は電子注入に対し耐久性を付与することが可能であ
る。
ーIP1と前記電子輸送性化合物のイオン化エネルギー
IP2が、IP1≦IP2の関係を満たすことが好まし
い。このようにすることで、正孔が、発光媒体の外部層
より正孔輸送性化合物の最低被占軌道に注入されやすく
なる。ここで外部層とは、発光媒体以外の層であり、陽
極、正孔注入層、正孔輸送層又はバッファー層等であ
る。
と前記電子輸送性化合物の電子親和力Af2が、Af1
≦Af2の関係を満たすことが好ましい。電子親和力A
f1及びAf2は、電子の真空準位を基準に測った最低
非被占軌道のエネルギー値である。このようにすること
で、電子が、発光媒体の外部層より電子輸送性化合物の
最低非被占軌道に注入されやすくなる。ここで外部層と
は、発光媒体以外の層であり、陰極、電子注入層、電子
輸送層、正孔阻止層又はバッファー層等である。このと
き、ΔEv=IP2−IP1とΔEc=Af2−Af1
が、ΔEv≧ΔEcの関係を満たすことが好ましい。こ
のようにすることで、電子輸送性化合物を介し、正孔輸
送性化合物の最低非被占軌道に電子が注入されやすくな
る。一方、電子輸送性化合物の最低非被占軌道には正孔
が注入されにくくなる。
Af1と前記電子輸送性化合物の電子親和力Af2が、
Af1>Af2の関係を満たしていてもよい。このよう
な場合、正孔輸送性化合物は実質的に電子を輸送しない
か、又はその電子移動度が電子輸送性化合物の電子移動
度より低い場合である。このとき、ΔEv=IP2−I
P1とΔEc’=Af1−Af2が、ΔEv≧ΔEc’
の関係を満たすことが好ましい。このようにすること
で、正孔輸送性化合物のトラップ作用が弱まり電子輸送
性化合物により伝達される電子が再結合領域に到達しや
すくなる。
輸送性化合物は、縮合環を有する芳香族アミンであるこ
とが好ましい。この芳香族アミンは、下記一般式(1)
又は(2)で表されるものであることが好ましい。
くは無置換の炭素数6〜40の芳香族炭化水素基、置換
もしくは無置換の炭素数3〜40の芳香族複素環基を表
す。Yは、置換もしくは無置換の炭素数2〜60の2価
の芳香族基を表す。ただし、Ar1 〜Ar4 及びYのう
ち少なくとも一つは環数が3以上の縮合環基を含有し、
Ar1 〜Ar4 及びYの置換基は、Ar1 〜Ar4 及び
Yのうちの任意の2つと環を形成していてもよい。)
くは無置換の炭素数6〜40の芳香族炭化水素基、置換
もしくは無置換の炭素数3〜40の芳香族複素環基を表
す。Zは、置換もしくは無置換の炭素数3〜60の3価
の芳香族基を表す。ただし、Ar1 〜Ar6 及びZのう
ち少なくとも一つは環数が3以上の縮合環基を含有し、
Ar1 〜Ar6 及びZの置換基は、Ar1 〜Ar6 及び
Zのうちの任意の2つと環を形成していてもよい。)
r1 〜Ar6 、Y及びZの好ましい例としては、アント
ラセン、クリセン、フルオレン、ピレン、ペリレン、ナ
フタセン、ペンタセン、コロネン、フルオランテン、ペ
リレン、ピセン、ルビセン又はアセナフトフルオランテ
ンよりなる芳香族残基である。
ては、下記一般式(7)〜(11)のいずれかで表され
ると好ましい。
ロゲン原子、ヒドロキシル基、置換もしくは無置換のア
ミノ基、ニトロ基、シアノ基、置換もしくは無置換の炭
素数1〜30のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素
数2〜30のアルケニル基、置換もしくは無置換の炭素
数5〜30のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の
炭素数1〜30のアルコキシ基、置換もしくは無置換の
炭素数6〜40の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置
換の炭素数3〜40の芳香族複素環基、置換もしくは無
置換の炭素数7〜40のアラルキル基、置換もしくは無
置換の炭素数6〜40のアリールオキシ基、置換もしく
は無置換の炭素数2〜40のアルコシキカルボニル基又
はカルボキシル基を表す。R8 〜R19は、それらのうち
の2つで環を形成していてもよい。ただし、R8 〜R19
のうち少なくとも一つは−NAr7 Ar8 (Ar7 、A
r8 は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数
6〜20のアリール基を表す。)で表されるジアリール
アミノ基である。)
ロゲン原子、ヒドロキシル基、置換もしくは無置換のア
ミノ基、ニトロ基、シアノ基、置換もしくは無置換の炭
素数1〜30のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素
数2〜30のアルケニル基、置換もしくは無置換の炭素
数5〜30のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の
炭素数1〜30のアルコキシ基、置換もしくは無置換の
炭素数6〜40の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置
換の炭素数3〜40の芳香族複素環基、置換もしくは無
置換の炭素数7〜40のアラルキル基、置換もしくは無
置換の炭素数6〜40のアリールオキシ基、置換もしく
は無置換の炭素数2〜40のアルコシキカルボニル基又
はカルボキシル基を表す。R21〜R38は、それらのうち
の2つで環を形成していてもよい。ただし、R21〜R38
のうち少なくとも一つは−NAr7 Ar8 (Ar7 、A
r8 は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数
6〜20のアリール基を表す。)で表されるジアリール
アミノ基である。)
は、それぞれ独立に、置換もしくは未置換の炭素数1〜
30のアルキル基、置換もしくは未置換の単環基、置換
または未置換の炭素数6〜40の縮合多環基を表し、r
は1〜6の整数を表す。)
くは未置換の炭素数6〜16のアリール基を表す。式
中、R41〜R48は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲ
ン原子、ヒドロキシル基、置換もしくは無置換のアミノ
基、ニトロ基、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数
1〜30のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数2
〜30のアルケニル基、置換もしくは無置換の炭素数5
〜30のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素
数1〜30のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素
数6〜40の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の
炭素数3〜40の芳香族複素環基、置換もしくは無置換
の炭素数7〜40のアラルキル基、置換もしくは無置換
の炭素数6〜40のアリールオキシ基、置換もしくは無
置換の炭素数2〜40のアルコシキカルボニル基又はカ
ルボキシル基を表す。R 41〜R48は、それらのうちの2
つで環を形成していてもよい。)
くは未置換の炭素数1〜30のアルキル基、置換もしく
は未置換の単環基、置換もしくは未置換の炭素数8〜4
0の縮合多環基、またはAr15とAr16、Ar17とAr
18が一体となって窒素原子を結合手とする縮合多環基を
表す。Qは、単環基または複数の環基が結合した2価の
結合基を表し、置換基を有しても有さなくてもよい。R
51〜R66は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原
子、ヒドロキシル基、置換もしくは無置換のアミノ基、
ニトロ基、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜
30のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数2〜3
0のアルケニル基、置換もしくは無置換の炭素数5〜3
0のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1
〜30のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6
〜40の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の炭素
数3〜40の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭
素数7〜40のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭
素数6〜40のアリールオキシ基、置換もしくは無置換
の炭素数2〜40のアルコシキカルボニル基又はカルボ
キシル基を表す。R51〜R66は、それらのうちの2つで
環を形成していてもよい。)
香族ジアミン化合物及び芳香族トリアミン化合物は、上
記で一般式(1)、(2)及び(7)〜(11)で表さ
れる構造を有する化合物であり、各一般式において、好
ましい置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル
基、置換もしくは無置換のアミノ基、ニトロ基、シアノ
基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無
置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のシクロアル
キル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もし
くは無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の
芳香族複素環基、置換もしくは無置換のアラルキル基、
置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換
のアリールオキシ基、置換もしくは無置換のアルコキシ
カルボニル基又はカルボキシル基である。
は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、n−ブチル基、s−ブチル基、イソブチル基、t−
ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプ
チル基、n−オクチル基、ヒドロキシメチル基、1−ヒ
ドロキシエチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−ヒド
ロキシイソブチル基、1,2−ジヒドロキシエチル基、
1,3−ジヒドロキシイソプロピル基、2,3−ジヒド
ロキシ−t−ブチル基、1,2,3−トリヒドロキシプ
ロピル基、クロロメチル基、1−クロロエチル基、2−
クロロエチル基、2−クロロイソブチル基、1,2−ジ
クロロエチル基、1,3−ジクロロイソプロピル基、
2,3−ジクロロ−t−ブチル基、1,2,3−トリク
ロロプロピル基、ブロモメチル基、1−ブロモエチル
基、2−ブロモエチル基、2−ブロモイソブチル基、
1,2−ジブロモエチル基、1,3−ジブロモイソプロ
ピル基、2,3−ジブロモt−ブチル基、1,2,3−
トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、1−ヨードエ
チル基、2−ヨードエチル基、2−ヨードイソブチル
基、1,2−ジヨードエチル基、1,3−ジヨードイソ
プロピル基、2,3−ジヨードt−ブチル基、1,2,
3−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、1−アミ
ノエチル基、2−アミノエチル基、2−アミノイソブチ
ル基、1,2−ジアミノエチル基、1,3−ジアミノイ
ソプロピル基、2,3−ジアミノt−ブチル基、1,
2,3−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、1−
シアノエチル基、2−シアノエチル基、2−シアノイソ
ブチル基、1,2−ジシアノエチル基、1,3−ジシア
ノイソプロピル基、2,3−ジシアノt−ブチル基、
1,2,3−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、
1−ニトロエチル基、2−ニトロエチル基、2−ニトロ
イソブチル基、1,2−ジニトロエチル基、1,3−ジ
ニトロイソプロピル基、2,3−ジニトロt−ブチル
基、1,2,3−トリニトロプロピル基等が挙げられ
る。
は、ビニル基、アリル基、1−ブテニル基、2−ブテニ
ル基、3−ブテニル基、1,3−ブタンジエニル基、1
−メチルビニル基、スチリル基、2,2−ジフェニルビ
ニル基、1,2−ジフェニルビニル基、1−メチルアリ
ル基、1,1−ジメチルアリル基、2−メチルアリル
基、1−フェニルアリル基、2−フェニルアリル基、3
−フェニルアリル基、3,3−ジフェニルアリル基、
1,2−ジメチルアリル基、1−フェニル−1−ブテニ
ル基、3−フェニル−1−ブテニル基等が挙げられる。
置換もしくは無置換のシクロアルキル基としては、シク
ロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シ
クロヘキシル基、4−メチルシクロヘキシル基等が挙げ
られる。
Y1 で表され、Y1 としては、メチル基、エチル基、プ
ロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、s−ブチル
基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n
−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、ヒド
ロキシメチル基、1−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロ
キシエチル基、2−ヒドロキシイソブチル基、1,2−
ジヒドロキシエチル基、1,3−ジヒドロキシイソプロ
ピル基、2,3−ジヒドロキシ−t−ブチル基、1,
2,3−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、
1−クロロエチル基、2−クロロエチル基、2−クロロ
イソブチル基、1,2−ジクロロエチル基、1,3−ジ
クロロイソプロピル基、2,3−ジクロロ−t−ブチル
基、1,2,3−トリクロロプロピル基、ブロモメチル
基、1−ブロモエチル基、2−ブロモエチル基、2−ブ
ロモイソブチル基、1,2−ジブロモエチル基、1,3
−ジブロモイソプロピル基、2,3−ジブロモt−ブチ
ル基、1,2,3−トリブロモプロピル基、ヨードメチ
ル基、1−ヨードエチル基、2−ヨードエチル基、2−
ヨードイソブチル基、1,2−ジヨードエチル基、1,
3−ジヨードイソプロピル基、2,3−ジヨードt−ブ
チル基、1,2,3−トリヨードプロピル基、アミノメ
チル基、1−アミノエチル基、2−アミノエチル基、2
−アミノイソブチル基、1,2−ジアミノエチル基、
1,3−ジアミノイソプロピル基、2,3−ジアミノt
−ブチル基、1,2,3−トリアミノプロピル基、シア
ノメチル基、1−シアノエチル基、2−シアノエチル
基、2−シアノイソブチル基、1,2−ジシアノエチル
基、1,3−ジシアノイソプロピル基、2,3−ジシア
ノt−ブチル基、1,2,3−トリシアノプロピル基、
ニトロメチル基、1−ニトロエチル基、2−ニトロエチ
ル基、2−ニトロイソブチル基、1,2−ジニトロエチ
ル基、1,3−ジニトロイソプロピル基、2,3−ジニ
トロt−ブチル基、1,2,3−トリニトロプロピル基
等が挙げられる。
しては、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル
基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アント
リル基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル
基、3−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9
−フェナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタ
セニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−
ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、
3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、p−タ
ーフェニル−4−イル基、p−ターフェニル−3−イル
基、p−ターフェニル−2−イル基、m−ターフェニル
−4−イル基、m−ターフェニル−3−イル基、m−タ
ーフェニル−2−イル基、o−トリル基、m−トリル
基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基、p−
(2−フェニルプロピル)フェニル基、3−メチル−2
−ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基、4−メチ
ル−1−アントリル基、4’−メチルビフェニルイル
基、4’’−t−ブチル−p−ターフェニル−4−イル
基等が挙げられる。
ては、1−ピロリル基、2−ピロリル基、3−ピロリル
基、ピラジニル基、2−ピリジニル基、3−ピリジニル
基、4−ピリジニル基、1−インドリル基、2−インド
リル基、3−インドリル基、4−インドリル基、5−イ
ンドリル基、6−インドリル基、7−インドリル基、1
−イソインドリル基、2−イソインドリル基、3−イソ
インドリル基、4−イソインドリル基、5−イソインド
リル基、6−イソインドリル基、7−イソインドリル
基、2−フリル基、3−フリル基、2−ベンゾフラニル
基、3−ベンゾフラニル基、4−ベンゾフラニル基、5
−ベンゾフラニル基、6−ベンゾフラニル基、7−ベン
ゾフラニル基、1−イソベンゾフラニル基、3−イソベ
ンゾフラニル基、4−イソベンゾフラニル基、5−イソ
ベンゾフラニル基、6−イソベンゾフラニル基、7−イ
ソベンゾフラニル基、2−キノリル基、3−キノリル
基、4−キノリル基、5−キノリル基、6−キノリル
基、7−キノリル基、8−キノリル基、1−イソキノリ
ル基、3−イソキノリル基、4−イソキノリル基、5−
イソキノリル基、6−イソキノリル基、7−イソキノリ
ル基、8−イソキノリル基、2−キノキサリニル基、5
−キノキサリニル基、6−キノキサリニル基、1−カル
バゾリル基、2−カルバゾリル基、3−カルバゾリル
基、4−カルバゾリル基、9−カルバゾリル基、1−フ
ェナンスリジニル基、2−フェナンスリジニル基、3−
フェナンスリジニル基、4−フェナンスリジニル基、6
−フェナンスリジニル基、7−フェナンスリジニル基、
8−フェナンスリジニル基、9−フェナンスリジニル
基、10−フェナンスリジニル基、1−アクリジニル
基、2−アクリジニル基、3−アクリジニル基、4−ア
クリジニル基、9−アクリジニル基、フェナンスロリ
ル、2−チエニル基、3−チエニル基、2−メチルピロ
ール−1−イル基、2−メチルピロール−3−イル基、
2−メチルピロール−4−イル基、2−メチルピロール
−5−イル基、3−メチルピロール−1−イル基、3−
メチルピロール−2−イル基、3−メチルピロール−4
−イル基、3−メチルピロール−5−イル基、2−t−
ブチルピロール−4−イル基、3−(2−フェニルプロ
ピル)ピロール−1−イル基、2−メチル−1−インド
リル基、4−メチル−1−インドリル基、2−メチル−
3−インドリル基、4−メチル−3−インドリル基、2
−t−ブチル1−インドリル基、4−t−ブチル1−イ
ンドリル基、2−t−ブチル3−インドリル基、4−t
−ブチル3−インドリル基等が挙げられる。
は、ベンジル基、1−フェニルエチル基、2−フェニル
エチル基、1−フェニルイソプロピル基、2−フェニル
イソプロピル基、フェニル−t−ブチル基、α−ナフチ
ルメチル基、1−α−ナフチルエチル基、2−α−ナフ
チルエチル基、1−α−ナフチルイソプロピル基、2−
α−ナフチルイソプロピル基、β−ナフチルメチル基、
1−β−ナフチルエチル基、2−β−ナフチルエチル
基、1−β−ナフチルイソプロピル基、2−β−ナフチ
ルイソプロピル基、1−ピロリルメチル基、2−(1−
ピロリル)エチル基、p−メチルベンジル基、m−メチ
ルベンジル基、o−メチルベンジル基、p−クロロベン
ジル基、m−クロロベンジル基、o−クロロベンジル
基、p−ブロモベンジル基、m−ブロモベンジル基、o
−ブロモベンジル基、p−ヨードベンジル基、m−ヨー
ドベンジル基、o−ヨードベンジル基、p−ヒドロキシ
ベンジル基、m−ヒドロキシベンジル基、o−ヒドロキ
シベンジル基、p−アミノベンジル基、m−アミノベン
ジル基、o−アミノベンジル基、p−ニトロベンジル
基、m−ニトロベンジル基、o−ニトロベンジル基、p
−シアノベンジル基、m−シアノベンジル基、o−シア
ノベンジル基、1−ヒドロキシ−2−フェニルイソプロ
ピル基、1−クロロ−2−フェニルイソプロピル基等が
挙げられる。
は、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1
−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル
基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル基、3
−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9−フェ
ナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル
基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニ
ル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビ
フェニルイル基、4−ビフェニルイル基、p−ターフェ
ニル−4−イル基、p−ターフェニル−3−イル基、p
−ターフェニル−2−イル基、m−ターフェニル−4−
イル基、m−ターフェニル−3−イル基、m−ターフェ
ニル−2−イル基、o−トリル基、m−トリル基、p−
トリル基、p−t−ブチルフェニル基、p−(2−フェ
ニルプロピル)フェニル基、3−メチル−2−ナフチル
基、4−メチル−1−ナフチル基、4−メチル−1−ア
ントリル基、4’−メチルビフェニルイル基、4’’−
t−ブチル−p−ターフェニル−4−イル基、2−ピロ
リル基、3−ピロリル基、ピラジニル基、2−ピリジニ
ル基、3−ピリジニル基、4−ピリジニル基、2−イン
ドリル基、3−インドリル基、4−インドリル基、5−
インドリル基、6−インドリル基、7−インドリル基、
1−イソインドリル基、3−イソインドリル基、4−イ
ソインドリル基、5−イソインドリル基、6−イソイン
ドリル基、7−イソインドリル基、2−フリル基、3−
フリル基、2−ベンゾフラニル基、3−ベンゾフラニル
基、4−ベンゾフラニル基、5−ベンゾフラニル基、6
−ベンゾフラニル基、7−ベンゾフラニル基、1−イソ
ベンゾフラニル基、3−イソベンゾフラニル基、4−イ
ソベンゾフラニル基、5−イソベンゾフラニル基、6−
イソベンゾフラニル基、7−イソベンゾフラニル基、2
−キノリル基、3−キノリル基、4−キノリル基、5−
キノリル基、6−キノリル基、7−キノリル基、8−キ
ノリル基、1−イソキノリル基、3−イソキノリル基、
4−イソキノリル基、5−イソキノリル基、6−イソキ
ノリル基、7−イソキノリル基、8−イソキノリル基、
2−キノキサリニル基、5−キノキサリニル基、6−キ
ノキサリニル基、1−カルバゾリル基、2−カルバゾリ
ル基、3−カルバゾリル基、4−カルバゾリル基、1−
フェナンスリジニル基、2−フェナンスリジニル基、3
−フェナンスリジニル基、4−フェナンスリジニル基、
6−フェナンスリジニル基、7−フェナンスリジニル
基、8−フェナンスリジニル基、9−フェナンスリジニ
ル基、1−アクリジニル基、2−アクリジニル基、3−
アクリジニル基、4−アクリジニル基、9−アクリジニ
ル基、1,フェナンスロリル2−チエニル基、3−チエ
ニル基、2−メチルピロール−1−イル基、2−メチル
ピロール−3−イル基、2−メチルピロール−4−イル
基、2−メチルピロール−5−イル基、3−メチルピロ
ール−1−イル基、3−メチルピロール−2−イル基、
3−メチルピロール−4−イル基、3−メチルピロール
−5−イル基、2−t−ブチルピロール−4−イル基、
3−(2−フェニルプロピル)ピロール−1−イル基、
2−メチル−1−インドリル基、4−メチル−1−イン
ドリル基、2−メチル−3−インドリル基、4−メチル
−3−インドリル基、2−t−ブチル1−インドリル
基、4−t−ブチル1−インドリル基、2−t−ブチル
3−インドリル基、4−t−ブチル3−インドリル基等
が挙げられる。
−OZ1 で表され、Z1 としては、フェニル基、1−ナ
フチル基、2−ナフチル基、1−アントリル基、2−ア
ントリル基、9−アントリル基、1−フェナントリル
基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、4
−フェナントリル基、9−フェナントリル基、1−ナフ
タセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル
基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル
基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4
−ビフェニルイル基、p−ターフェニル−4−イル基、
p−ターフェニル−3−イル基、p−ターフェニル−2
−イル基、m−ターフェニル−4−イル基、m−ターフ
ェニル−3−イル基、m−ターフェニル−2−イル基、
o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−
ブチルフェニル基、p−(2−フェニルプロピル)フェ
ニル基、3−メチル−2−ナフチル基、4−メチル−1
−ナフチル基、4−メチル−1−アントリル基、4’−
メチルビフェニルイル基、4’’−t−ブチル−p−タ
ーフェニル−4−イル基、2−ピロリル基、3−ピロリ
ル基、ピラジニル基、2−ピリジニル基、3−ピリジニ
ル基、4−ピリジニル基、2−インドリル基、3−イン
ドリル基、4−インドリル基、5−インドリル基、6−
インドリル基、7−インドリル基、1−イソインドリル
基、3−イソインドリル基、4−イソインドリル基、5
−イソインドリル基、6−イソインドリル基、7−イソ
インドリル基、2−フリル基、3−フリル基、2−ベン
ゾフラニル基、3−ベンゾフラニル基、4−ベンゾフラ
ニル基、5−ベンゾフラニル基、6−ベンゾフラニル
基、7−ベンゾフラニル基、1−イソベンゾフラニル
基、3−イソベンゾフラニル基、4−イソベンゾフラニ
ル基、5−イソベンゾフラニル基、6−イソベンゾフラ
ニル基、7−イソベンゾフラニル基、2−キノリル基、
3−キノリル基、4−キノリル基、5−キノリル基、6
−キノリル基、7−キノリル基、8−キノリル基、1−
イソキノリル基、3−イソキノリル基、4−イソキノリ
ル基、5−イソキノリル基、6−イソキノリル基、7−
イソキノリル基、8−イソキノリル基、2−キノキサリ
ニル基、5−キノキサリニル基、6−キノキサリニル
基、1−カルバゾリル基、2−カルバゾリル基、3−カ
ルバゾリル基、4−カルバゾリル基、1−フェナンスリ
ジニル基、2−フェナンスリジニル基、3−フェナンス
リジニル基、4−フェナンスリジニル基、6−フェナン
スリジニル基、7−フェナンスリジニル基、8−フェナ
ンスリジニル基、9−フェナンスリジニル基、1−アク
リジニル基、2−アクリジニル基、3−アクリジニル
基、4−アクリジニル基、9−アクリジニル基、1,フ
ェナンスロリル2−チエニル基、3−チエニル基、2−
メチルピロール−1−イル基、2−メチルピロール−3
−イル基、2−メチルピロール−4−イル基、2−メチ
ルピロール−5−イル基、3−メチルピロール−1−イ
ル基、3−メチルピロール−2−イル基、3−メチルピ
ロール−4−イル基、3−メチルピロール−5−イル
基、2−t−ブチルピロール−4−イル基、3−(2−
フェニルプロピル)ピロール−1−イル基、2−メチル
−1−インドリル基、4−メチル−1−インドリル基、
2−メチル−3−インドリル基、4−メチル−3−イン
ドリル基、2−t−ブチル1−インドリル基、4−t−
ブチル1−インドリル基、2−t−ブチル3−インドリ
ル基、4−t−ブチル3−インドリル基等が挙げられ
る。
ル基は−COOY2 で表され、Y2としては、メチル
基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチ
ル基、s−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n
−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−
オクチル基、ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエチ
ル基、2−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシイソブ
チル基、1,2−ジヒドロキシエチル基、1,3−ジヒ
ドロキシイソプロピル基、2,3−ジヒドロキシ−t−
ブチル基、1,2,3−トリヒドロキシプロピル基、ク
ロロメチル基、1−クロロエチル基、2−クロロエチル
基、2−クロロイソブチル基、1,2−ジクロロエチル
基、1,3−ジクロロイソプロピル基、2,3−ジクロ
ロ−t−ブチル基、1,2,3−トリクロロプロピル
基、ブロモメチル基、1−ブロモエチル基、2−ブロモ
エチル基、2−ブロモイソブチル基、1,2−ジブロモ
エチル基、1,3−ジブロモイソプロピル基、2,3−
ジブロモt−ブチル基、1,2,3−トリブロモプロピ
ル基、ヨードメチル基、1−ヨードエチル基、2−ヨー
ドエチル基、2−ヨードイソブチル基、1,2−ジヨー
ドエチル基、1,3−ジヨードイソプロピル基、2,3
−ジヨードt−ブチル基、1,2,3−トリヨードプロ
ピル基、アミノメチル基、1−アミノエチル基、2−ア
ミノエチル基、2−アミノイソブチル基、1,2−ジア
ミノエチル基、1,3−ジアミノイソプロピル基、2,
3−ジアミノt−ブチル基、1,2,3−トリアミノプ
ロピル基、シアノメチル基、1−シアノエチル基、2−
シアノエチル基、2−シアノイソブチル基、1,2−ジ
シアノエチル基、1,3−ジシアノイソプロピル基、
2,3−ジシアノt−ブチル基、1,2,3−トリシア
ノプロピル基、ニトロメチル基、1−ニトロエチル基、
2−ニトロエチル基、2−ニトロイソブチル基、1,2
−ジニトロエチル基、1,3−ジニトロイソプロピル
基、2,3−ジニトロt−ブチル基、1,2,3−トリ
ニトロプロピル基等が挙げられる。
性化合物は、含窒素複素環化合物又は含窒素錯体である
ことが好ましく、含窒素錯体が特に好ましい。含窒素複
素環化合物又は含窒素錯体は、電子親和力が2.7eV
以上と大きく、また、電子移動度も1×10-6cm2 /
V・S以上と速いためである。含窒素複素環化合物とし
ては、例えば、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−
tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジア
ゾール、ビス[2−(4−tert−ブチルフェニル)
−1,3,4−オキサジアゾール]−m−フェニレン等
のオキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、キノ
キサリンキノリン誘導体等が挙げられる。
されることが好ましい。 M−Am Bn (3) (式中、Mは1〜3価の金属、Aは窒素含有配位子、B
は窒素を含有しない配位子を表し、mは1〜4の整数、
nは0〜2の整数、m+n≦4である。)Mの金属の種
類としては、例えば、Li、Na、Cs、Be、Mg、
Ca、Ba、Zn、Cd、Al、Ga、In、又はYb
等が挙げられ、Al,Be又はGaが好ましい。窒素含
有配位子Aとしては,例えばキノリノール系配位子又は
ベンゾキノリノール系配位子が挙げられる。
式(i)〜(iii) で表されるものであってもよい。 (i)M+ A又はM+ A’(M+ は一価金属イオン) (ii)M2+A2 、M2+AA’又はM2+A'2(M2+は二価
金属イオン) (iii) M3+A3 、M3+A2 A’、M3+AA'2又はM
3+A'3(M3+は三価金属イオン) 窒素含有配位子A及びA’は、それぞれ独立に、下記一
般式(iv)表される配位子である。ただし、AとA’は、
置換基の部分が相違していてもよい。置換基としては、
アルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリー
ル基等が挙げられる。
は未置換の芳香族環であり、同一でも異なっていてもよ
い。)
表わし、Ar21〜Ar25は、それぞれ独立に、置換基を
有していてもよい、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環
基を表わす。)であってもよく、さらにベンゾアゾール
であってもよく、ベンゾアゾールとしては、ベンゾイミ
ダゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾオキサゾール誘導
体が挙げられる。
配位子A及びA’としては、下記の一般式(4)で表さ
れるものである。
ロゲン原子、ヒドロキシル基、置換もしくは無置換のア
ミノ基、ニトロ基、シアノ基、置換もしくは無置換の炭
素数1〜30のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素
数2〜30のアルケニル基、置換もしくは無置換の炭素
数5〜30のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の
炭素数1〜30のアルコキシ基、置換もしくは無置換の
炭素数6〜40の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置
換の炭素数3〜40の芳香族複素環基、置換もしくは無
置換の炭素数7〜40のアラルキル基、置換もしくは無
置換の炭素数6〜40のアリールオキシ基、置換もしく
は無置換の炭素数2〜40のアルコシキカルボニル基又
はカルボキシル基を表し、R2 〜R7 は、任意の2つで
環を形成していてもよい。)
有する錯体は、例えば、8−キノリノールないしその誘
導体から導かれる窒素含有配位子からなるトリス(8−
キノリノラト)アルミニウム、ビス(8−キノリノラ
ト)マグネシウム、ビス(ベンゾ[f]−8−キノリノ
ラト)亜鉛、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)ア
ルミニウムオキシド、トリス(8−キノリノラト)イン
ジウム、トリス(5−メチル−8−キノリノラト)アル
ミニウム,8−キノリノラトリチウム、トリス(5−メ
チル−8−キノリノラト)ガリウム、ビス(5−クロロ
−8−キノリノラト)カルシウム、5,7−ジクロロ−
8−8−キノリノラトアルミニウム,トリス(5,7−
ジブロモ−8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウ
ム、ポリ[亜鉛(II)−ビス(8−ヒドロキシ−5−
キノリニル)メタン]等が挙げられる。
ない配位子も有する錯体としては、例えば、ビス(2−
メチル−8−キノリラト)(フェノラト)アルミニウム
(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリラト)(オルト
−クレゾラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル
−8−キノリラト)(メタ−クレゾラト)アルミニウム
(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリラト)(パラ−
クレゾラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−
8−キノリラト)(オルト−フェニルフェノラト)アル
ミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリラト)
(メタ−フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビ
ス(2−メチル−8−キノリラト)(パラ−フェニルフ
ェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8
−キノリラト)(2,3−ジメチルフェノラト)アルミ
ニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリラト)
(2,6−ジメチルフェノラト)アルミニウム(III) ,
ビス(2−メチル−8−キノリラト)(3,4−ジメチ
ルフェノラト)アルミニウム(III) ,ビス(2−メチル
−8−キノリラト)(3,5−ジメチルフェノラト)ア
ルミニウム(III) ,ビス(2−メチル−8−キノリラ
ト)(3,5−ジ−tert−ブチルフェノラト)アル
ミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリラト)
(2,6−ジ−フェニルフェノラト)アルミニウム(II
I) 、ビス(2−メチル−8−キノリラト)(2,4,
6−ジ−トリフェニルフェノラト)アルミニウム(III)
、ビス(2−メチル−8−キノリラト)(2,3,6
−トリメチルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス
(2−メチル−8−キノリラト)(2,3,5,6−テ
トラメチルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2
−メチル−8−キノリラト)(1−ナフトラト)アルミ
ニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリラト)
(2−ナフトラト)アルミニウム(III) 、ビス(2,4
−ジメチル−8−キノリラト)(オルト−フェニルフェ
ノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2,4−ジメチル
−8−キノリラト)(パラ−フェニルフェノラト)アル
ミニウム(III) 、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリ
ラト)(メタ−フェニルフェノラト)アルミニウム(II
I) 、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリラト)
(3,5−ジメチルフェノト)アルミニウム(III) 、ビ
ス(2,4−ジメチル−8−キノリラト)(3,5−ジ
−tert−ブチルフェノラト)アルミニウム(III) 、
ビス(2−メチル−4−エチル−8−キノリラト)(パ
ラクレゾラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル
−4−メトキシ−8−キノリラト)(パラフェニルフェ
ノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−5−
シアノ−8−キノリラト)(オルト−クレゾラト)アル
ミニウム(III) 、ビス(2−メチル−6−トリフルオロ
メチル−8−キノリラト)(2−ナフトラト)アルミニ
ウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリラト)アル
ミニウム(III) −μ−オキソ−ビス(2−メチル−8−
キノリラト)アルミニウム(III) 、ビス(2,4−ジメ
チル−8−キノリラト)アルミニウム(III) −μ−オキ
ソ−ビス(2,4−ジメチル−8−キノリラト)アルミ
ニウム(III) ,ビス(4−エチル−2メチル−8−キノ
リラト)アルミニウム(III) −μ−オキソ−ビス(4−
エチル−2メチル−8−キノリラト)アルミニウム(II
I) 、ビス(2メチル−4−メトキシキノリラト)アル
ミニウム(III) −μ−オキソ−ビス(2−メチル−4−
メトキシキノリラト)アルミニウム(III) 、ビス(5−
シアノ−2−メチル−8−キノリラト)アルミニウム(I
II) −μ−オキソ−ビス(5−シアノ−2−メチル−8
−キノリラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル
−5−トリフルオロメチル−8−キノリラト)アルミニ
ウム(III) −μ−オキソ−ビス(2−メチル−5−トリ
フルオロメチル−8−キノリラト)アルミニウム(III)
等が挙げられる。
性化合物は、下記一般式(5)又は(6)で表されるア
ントラセン誘導体であってもよい。 A1 −L−A2 (5) (式中、A1 及びA2 は、それぞれ独立に、置換もしく
は無置換のモノフェニルアントリル基又は置換もしくは
無置換のジフェニルアントリル基を表し、それらはたが
いに同一でも異なっていてもよく、Lは、単結合又は二
価の連結基を表す。) A3 −An−A4 (6) (式中、Anは、置換もしくは無置換の二価のアントラ
セン残基を示し、A3 及びA4 は、それぞれ独立に、置
換もしくは無置換の炭素数10〜40の一価の縮合芳香
族環基又は置換もしくは無置換の炭素数12〜40の非
縮合環系アリール基を示し、それらはたがいに同一でも
異なっていてもよい。)
基としては、例えば、炭素数1〜6のアルキル基,炭素
数3〜6のシクロアルキル基、炭素数1〜6のアルコキ
シ基、炭素数5〜18のアリールオキシ基、炭素数7〜
18のアラルキルオキシ基、炭素数5〜16のアリール
基で置換されたアミノ基、ニトロ基、シアノ基、炭素数
1〜6のエステル基、ハロゲン原子及びアルケニル基等
が挙げられる。炭素数1〜6のアルキル基としては、メ
チル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチ
ル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブ
チル基、各種ペンチル基、各種ヘキシル基等が挙げられ
る。炭素数3〜6のシクロアルキル基としては、シクロ
プロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シク
ロヘキシル基等が挙げられる。炭素数1〜6のアルコキ
シル基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、
sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、各種ペン
チルオキシ基、各種ヘキシルオキシ基等が挙げられる。
炭素数5〜18のアリールオキシ基としては、フェノキ
シ基、トリルオキシ基、ナフチルオキシ基等が挙げられ
る。炭素数7〜18のアラルキルオキシ基としては、ベ
ンジルオキシ基、フェネチルオキシ基、ナフチルメトキ
シ基等が挙げられる。炭素数5〜16のアリール基で置
換されたアミノ基としては、ジフェニルアミノ基、ジト
リルアミノ基、ジナフチルアミノ基、ナフチルフェニル
アミノ基等が挙げられる。炭素数1〜6のエステル基と
しては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル
基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニ
ル基等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原
子、塩素原子、臭素原子等が挙げられる。また、前記ア
リール基としては、スチリルフェニル、スチリルビフェ
ニル、スチリルナフチル等も含まれる。
誘導体としては、例えば、下記一般式(5−a)又は一
般式(5−b)で表されるものが挙げられる。
シクロアルキル基、アルケニル基、置換もしくは無置換
のアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アル
キルアミノ基、アリールアミノ基又は置換もしくは無置
換の複素環基を表し、a及びbは、それぞれ0〜5の整
数、c、d、e及びfは、それぞれ0〜4の整数を表
し、それらが2以上の場合、R71同士、R72同士、R73
同士、R74同士、R75同士又はR76同士は、それぞれ同
一でも異なっていてもよく、R71同士、R72同士、R73
同士、R74同士、R75同士又はR76同士は結合して環を
形成していてもよい。L1 は、単結合、−O−、−S
−、−N(R)−(Rはアルキル基又は置換もしくは無
置換のアリール基である)又はアリーレン基を示す。)
シクロアルキル基、アルケニル基、置換もしくは無置換
のアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アル
キルアミノ基、アリールアミノ基又は置換もしくは無置
換の複数環基を示し、g及びhは、それぞれ0〜4の整
数、i、j、k及びlは、それぞれ0〜5の整数、p及
びqは、それぞれ0〜3の整数を示し、それらが2以上
の場合、R 77同士、R78同士、R79同士、R80同士、R
81同士又はR82同士は、それぞれ同一でも異なっていて
もよく、またR77同士、R78同士、R79同士、R80同
士、R 81同士又はR82同士が結合して環を形成していて
もよい。L2 は、単結合、−O−、−S−、−N(R)
−(Rはアルキル基又は置換もしくは無置換のアリール
基である)又はアリーレン基を示す。)
71〜R84において、アルキル基としては炭素数1〜6の
ものが、シクロアルキル基としては炭素数3〜6のもの
が、アリール基としては炭素数5〜18のものが、アル
コキシ基としては炭素数1〜6のものが、アリールオキ
シ基としては炭素数5〜18のものが、アリールアミノ
基としては炭素数5〜16のアリール基で置換されたア
ミノ基が、複素環式基としてはトリアゾール基、オキサ
ジアゾール基、キノキサリン基、フラニル基やチエニル
基等が好ましい。また、L1 及びL2 の−N(R)−に
おいて、Rで示されるアルキル基としては炭素数1〜6
のものが、アリール基としては炭素数5〜18のものが
好ましい。
誘導体としては、例えば、下記一般式(6−a) A3'−An−A4' (6−a) (式中、Anは、置換もしくは無置換の二価のアントラ
セン残基を示し、A3'及びA4'は、それぞれ独立に、い
ずれも置換もしくは無置換のビフェニル、フルオランテ
ン、ナフタレン、フェナントレン、アントラセン、ピレ
ン、ペリレン、コロネン、クリセン、ピセン、フルオレ
ン、ターフェニル、ジフェニルアントラセン、ビフェニ
ル、N−アルキルもしくはアリールカルバゾール、トリ
フェニレン、ルビセン、ベンゾアントラセン又はジベン
ゾアントラセンの一価の残基、又は下記一般式(6−
b)
フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル
基、アントリル基を示す。)で表される基を表す。)が
好ましい。なお、上記一般式(6−a)におけるAn、
A3'及びA4'の置換基としては、一般式(5)及び
(6)と同様のものが挙げられる。本発明においては、
アントラセン誘導体は一種用いてもよく、二種以上を組
み合わせて用いてもよい。
性化合物は、Si含有環誘導体であってもよく、例え
ば、シラシクロペンタジエン誘導体等が挙げられる。本
発明の有機EL素子において、有機発光媒体層の厚さと
しては、5〜200nmが好ましく、特に素子の印加電
圧を非常に低くしうることから、10〜100nmが好
適である。本発明の有機EL素子は、前記(A)成分と
(B)成分とを混合して有機発光媒体層に用いることに
より、有機発光媒体層がより非晶質となって、結晶化が
抑制され、安定性が向上し、耐熱性に優れるものにな
る。(B)成分の化合物としては、ガラス転移温度が1
10℃以上のものが好ましい。このようなガラス転移温
度を有する化合物を混合することにより、有機発光媒体
層のガラス転移点を110℃以上にすることができ、8
5℃、500時間以上での保存耐熱性も得ることが可能
となる さらに、(A)成分と(B)成分の配合比率を調整する
ことにより、発光色の色度や発光スペクトルのピーク波
長を制御できる。(A)成分の割合を増やすと、発光ス
ペクトルのピークは長波長に移動し、色度座標のx座標
は増加する。これは(A)成分に関与する発光帯のスペ
クトルピークが長波長であるため、発光が再び(A)成
分により吸収されるからである。
率は、重量比8:92〜92:8の割合であることが好
ましい。(A)成分が8重量%より少ないと、正孔輸送
性化合物の最低被占軌道を通して再結合領域まで正孔が
輸送されにくくなる。これは、(A)成分が8重量%よ
り少ないと素子の印加電圧が高くなることより判明す
る。また、92重量%より多いと、電子輸送性化合物の
最低非被占軌道を通して電子が輸送されにくくなる。
(A)成分と(B)成分の混合比率は、重量比15:6
0〜85:40の割合であると、素子が長寿命になるこ
とから好ましい。
発光媒体層の混合層が、さらに(C)蛍光性化合物を含
有すると、一層耐熱性と発光効率が向上することから好
ましい。特に、前記有機発光媒体層の混合層が、(A)
成分と(B)成分の合計量と(C)成分とを、重量比1
00:1〜10:1の割合で含有すると好ましい。本発
明の有機EL素子は、電極と有機発光媒体層の間に種々
の中間層を介在させるのが好ましい。中間層としては、
例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸
送層等が挙げられる。これらの中間層を形成する物質と
しては、有機、無機の種々の化合物が知られている。
としては、 陽極/有機発光媒体層/陰極 陽極/正孔注入層/有機発光媒体層/陰極 陽極/有機発光媒体層/電子注入層/陰極 陽極/正孔注入層/有機発光媒体層/電子注入層/陰極 陽極/有機半導体層/有機発光媒体層/陰極 陽極/有機半導体層/電子障壁層/有機発光媒体層/陰
極 陽極/有機半導体層/有機発光媒体層/付着改善層/陰
極 陽極/正孔注入層/正孔輸送層/有機発光媒体層/電子
注入層/陰極 等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
に作製する。この透光性基板は有機EL素子を支持する
基板であり、その透光性については、400〜700n
mの可視領域の光の透過率が50%以上、好ましくは8
0%以上であるものが望ましく、さらに平滑な基板を用
いるのが好ましい。前記透光性基板としては、例えば、
ガラス板、合成樹脂板等が好ましい。ガラス板として
は、特にソーダ石灰ガラス、バリウム−ストロンチウム
含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケ
イ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等で成形
された板等が挙げられる。また、合成樹脂板としては、
ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレンテ
レフタレート樹脂、ポリエーテルサルファイド樹脂、ポ
リサルフォン樹脂の板等が挙げられる。
eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物又はこれらの
混合物を電極物質とするものが好ましい。このような電
極物質としては、Au等の金属、CuI、ITO(イン
ジウムチンオキシド)、SnO2 、ZnO又はIn−Z
n−O等の導電性材料が挙げられる。陽極は、これらの
電極物質を、蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜
を形成させることができる。前記陽極は、前記発光層か
らの発光を陽極から取り出す場合、陽極の発光に対する
透過率が10%より大きくなるような特性を有している
ことが好ましい。また、陽極のシート抵抗は、数百Ω/
□以下が好ましい。さらに、陽極の膜厚は、材料にもよ
るが通常10nm〜1μm、好ましくは10〜200n
mの範囲である。
eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物又はこれらの
混合物を電極物質とするものが好ましい。このような電
極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カ
リウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム−
銀合金、アルミニウム/酸化アルミニウム、Al/Li
2 O、Al/LiO2 、Al/LiF、アルミニウム−
リチウム合金、インジウム、希土類金属等が挙げられ
る。陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング
等の方法で薄膜を形成させることができる。この陰極
は、前記有機発光媒体層からの発光を陰極から取り出す
場合、陰極の発光に対する透過率は10%より大きくす
ることが好ましい。また、陰極としてのシート抵抗は、
数百Ω/□以下が好ましく、さらに、陰極の膜厚は、材
料にもよるが通常10nm〜1μm、好ましくは50〜
200nmである。
うにして作製された一対の電極の少なくとも一方の表面
に、カルコゲナイド層、ハロゲン化金属層又は金属酸化
物層(以下、これらを表面層ということがある。)を設
けるのが好ましい。具体的には、有機発光媒体層側の陽
極表面にケイ素やアルミニウム等の金属のカルコゲナイ
ド(酸化物を含む)層を、また、有機発光媒体層側の陰
極表面にハロゲン化金属層又は金属酸化物層を配置する
のがよい。これにより、より発光媒体に正孔または電子
が注入されやすくなり、素子が低電圧駆動となる。
iOx(1≦X≦2)、AlOx(1≦X≦1.5)、
SiON又はSiAlON等が好ましく、ハロゲン化金
属としては、例えば、LiF、MgF2 、CaF2 又は
フッ化希土類金属等が好ましく、金属酸化物としては、
例えば、Cs2 O、Li2 O、MgO、SrO、BaO
又はCaO等が好ましい。
(A)成分と(B)成分との使用割合によって、有機発
光媒体層の電子輸送性及び正孔輸送性共に良好となり、
前記した正孔注入層、正孔輸送層及び電子注入層などの
中間層を省略することが可能となる。この場合において
も、前記表面層を設けることが好ましい。
極の少なくとも一方の表面に、還元性ドーパントと電子
伝達化合物の混合領域又は酸化性ドーパントと正孔伝達
化合物の混合領域が設けられていることが好ましい。こ
のようにすると、電子伝達化合物が還元され、アニオン
となり混合領域がより発光媒体に電子を注入、伝達しや
すくなり、素子が低電圧駆動となる。また、正孔伝達化
合物は酸化され、カチオンとなり混合領域がより発光媒
体に正孔を注入、伝達しやすくなる。酸化性ドーパント
としては、各種ルイス酸やアクセプター化合物等が挙げ
られる。還元性ドーパントとしては、アルカリ金属、ア
ルカリ金属化合物、アルカリ土類金属、希土類金属又は
これらの化合物等が挙げられる。
光媒体層は、(1)注入機能;電界印加時に陽極又は正
孔注入層より正孔を注入することができ、陰極又は電子
注入層より電子を注入することができる機能、(2)輸
送機能;注入した電荷(電子と正孔)を電界の力で移動
させる機能、(3)発光機能;電子と正孔の再結合の場
を提供し発光させる機能を有する。さらに、本発明の有
機EL素子は、前記有機発光媒体層に正孔を注入する陽
極の仕事関数WFと、前記正孔輸送性化合物のイオン化
エネルギーIP1が、IP1−WF≦0.2eVの関係
を満たすことが好ましい。このようにすることで、発光
媒体に対する陽極からの正孔注入が高まり、さらには正
孔注入層を省くことも可能となり素子が簡素化するた
め、素子の製造コストを低下できる。
は、例えば蒸着法、スピンコート法、ラングミュア・ブ
ロジェット法(LB法)等の公知の方法を適用すること
ができる。有機発光媒体層は、特に分子堆積膜であるこ
とが好ましい。ここで分子堆積膜とは、気相状態の材料
化合物から沈着されることにより形成された薄膜や、溶
液状態又は液相状態の材料化合物から固体化されること
により形成された膜のことであり、通常この分子堆積膜
は、LB法により形成された薄膜(分子累積膜)とは、
凝集構造、高次構造の相違や、それに起因する機能的な
相違により区分することができる。また、特開昭57−
51781号公報に開示されているように、樹脂等の結
着剤と材料化合物とを溶剤に溶かして溶液とした後、こ
れをスピンコート法等により薄膜化することによって
も、有機発光媒体層を形成することができる。
れない範囲で、所望により、有機発光媒体層に、前記
(A)成分、(B)成分及び(C)成分以外の他の公知
の有機発光媒体を含有させてもよく、本発明に係る化合
物を含有する有機発光媒体層に、他の公知の有機発光媒
体を含有する有機発光媒体層を積層してもよい。
光媒体層への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する層
であって、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが
通常5.5eV以下と小さい。このような正孔注入層及
び正孔輸送層としては、より低い電界強度で正孔を有機
発光媒体層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移
動度が、例えば104 〜106 V/cmの電界印加時
に、少なくとも10-6cm2 /V・秒であるものが好ま
しい。このような材料としては、従来、光導伝材料にお
いて正孔の電荷輸送材料として使用されているものや、
有機EL素子の正孔注入層に使用されている公知のもの
の中から任意のものを選択して用いることができる。こ
の正孔注入層及び正孔輸送層を形成するには、正孔注入
層及び正孔輸送層の材料物質を、例えば、真空蒸着法、
スピンコート法、キャスト法、LB法等の公知の方法に
より薄膜化すればよい。この場合、正孔注入層及び正孔
輸送層としての膜厚は、特に制限はないが、通常は5n
m〜5μmである。
子の注入を助ける層であって、電子移動度が大きく、ま
た前記付着改善層は、この電子注入層の中で特に陰極と
の付着がよい材料からなる層である。電子注入層に用い
られる材料としては、8−ヒドロキシキノリン又はその
誘導体の金属錯体が好ましい。前記8−ヒドロキシキノ
リン又はその誘導体の金属錯体としては、オキシン(一
般に8−キノリノール又は8−ヒドロキシキノリン)の
キレートを含む金属キレートオキシノイド化合物、例え
ば、トリス(8−キノリノール)アルミニウムを電子注
入材料として用いることができる。
例えば前記した各種材料及び方法により陽極、有機発光
媒体層、必要に応じて正孔注入層、電子注入層を形成
し、最後に陰極を形成すればよい。また、陰極から陽極
へ、前記と逆の順序で有機EL素子を作製することもで
きる。
/有機発光媒体層/電子注入層/陰極が順次設けられた
構成の有機EL素子の作製例について説明する。まず、
適当な透光性基板上に、陽極材料からなる薄膜を1μm
以下、好ましくは10〜200nmの範囲の膜厚になる
ように、蒸着法又はスパッタリング法により形成し、陽
極とする。次に、この陽極上に正孔注入層を設ける。正
孔注入層の形成は、前述したように真空蒸着法、スピン
コート法、キャスト法、LB法等の方法により行うこと
ができるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホール
が発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成するこ
とが好ましい。真空蒸着法により正孔注入層を形成する
場合、その蒸着条件は正孔注入層の材料として使用する
化合物、目的とする正孔注入層の結晶構造や再結合構造
等により異なるが、一般に蒸着源温度50〜450℃、
真空度10-7〜10-3torr、蒸着速度0.01〜5
0nm/秒、基板温度−50〜300℃、膜厚5nm〜
5μmの範囲で適宜選択することが好ましい。
を設ける。この有機発光媒体層の形成も、本発明に係る
有機発光媒体を用いて真空蒸着法、スパッタリング、ス
ピンコート法、キャスト法等の方法により、有機発光媒
体を薄膜化することにより形成できるが、均質な膜が得
られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から
真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法
により有機発光媒体層を形成する場合、その蒸着条件は
使用する化合物により異なるが、一般的に正孔注入層の
形成と同様な条件範囲の中から選ばれる。膜厚は10〜
40nmの範囲が好ましい。
を設ける。この場合にも正孔注入層、有機発光媒体層と
同様、均質な膜を得る必要から真空蒸着法により形成す
ることが好ましい。蒸着条件は正孔注入層、有機発光媒
体層と同様の条件範囲から選択することができる。最後
に、電子注入層上に陰極を積層して有機EL素子を得る
ことができる。陰極は金属から構成され、蒸着法、スパ
ッタリングを用いることができ、特に、下地の有機物層
を製膜時の損傷から守るためには真空蒸着法が好まし
い。
で、一貫して陽極から陰極まで作製することが好まし
い。この有機EL素子に直流電圧を印加する場合、陽極
を+、陰極を−の極性にして、3〜40Vの電圧を印加
すると、発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印
加しても電流は流れず、発光は全く生じない。さらに、
交流電圧を印加した場合には、陽極が+、陰極が−の極
性になった時のみ均一な発光が観測される。この場合、
印加する交流の波形は任意でよい。
説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定
されるものではない。 実施例1(重量比40:20) 25×75×1.1mm厚のガラス基板上に、膜厚12
0nmのインジウムスズ酸化物からなる透明電極を設け
た。このガラス基板に紫外線及びオゾンを照射して洗浄
を行ったのち、真空蒸着装置にこのガラス基板を設置し
た。まず、透明電極に正孔注入層として下記TPD10
6
として下記TPD78
として下記DC5
リンのAl錯体)を、重量比67.7:32.3で同時
蒸着し、厚さ40nmの有機発光媒体層を形成した。そ
の後、電子注入層としてAlqを20nmの厚さに蒸着
した。尚、DC5のエネルギーギャップ(Eg1)は
2.57eVであり、Alqのエネルギーギャップ(E
g2)2.7eVより小さく、DC5のイオン化エネル
ギー(Ip1)は5.6eVであり、Alqのイオン化
エネルギー(Ip2)5.7eVより小さく、DC5の
電子親和力(Af1)は3.0eVであり、Alqの電
子親和力(Af2)3.0eVと同じである。
Fを0.3nmの厚さに蒸着し、さらにAlを100n
mの厚さに蒸着した。このAl/LiFは陰極である。
以上のようにして有機EL素子を作製した。得られた有
機EL素子について、通電試験を行ったところ、電圧
4.5V、電流密度2.46mA/cm2 にて、発光輝
度110cd/m2 の赤橙色発光が得られ、色度座標
(0.6039,0.3931)、発光効率は4.47
cd/Aであった。また、初期光輝度500cd/m2
にて定電流駆動の連続試験を行ったところ、半減寿命は
3120時間であり、極めて長寿命であった。
Alqの比率を、重量比44.4:55.6とした以外
は同様にして有機EL素子を作製した。得られた有機E
L素子について、通電試験を行ったところ、電圧4.0
V、電流密度2.71mA/cm2 にて、発光輝度10
9cd/m2 の赤色発光が得られ、色度座標(0.58
86,0.4072)、発光効率は4.02cd/Aで
あった。また、初期光輝度500cd/m2 にて定電流
駆動の連続試験を行ったところ、半減寿命は3760時
間であり、極めて長寿命であった。
Alqの比率を、重量比28.6:71.4とした以外
は同様にして有機EL素子を作製した。得られた有機E
L素子について、通電試験を行ったところ、電圧4.0
V、電流密度2.96mA/cm2 にて、発光輝度12
4cd/m2 の赤色発光が得られ、色度座標(0.57
41,0.4228)、発光効率は4.19cd/Aで
あった。また、初期光輝度500cd/m2 にて定電流
駆動の連続試験を行ったところ、半減寿命は4100時
間であり、極めて長寿命であった。
Alqの比率を、重量比12:88とした以外は同様に
して有機EL素子を作製した。得られた有機EL素子に
ついて、通電試験を行ったところ、電圧4.5V,電流
密度3.0mA/cm2 にて、発光輝度135cd/m
2 の赤色発光が得られ、色度座標(0.5652,0.
4352)、発光効率は4.50cd/Aであった。ま
た、初期光輝度500cd/m2 にて定電流駆動の連続
試験を行ったところ、半減寿命は2900時間であり、
極めて長寿命であった。
Alqの比率を、重量比2.4:97.6とした以外は
同様にして有機EL素子を作製した。得られた有機EL
素子について、電圧6Vで1.30mA/cm2 の電流
が流れた。したがって実施例1〜4の有機EL素子より
印加電圧が高くなっている。また発光輝度は173cd
/m2 であり、色度座標は(0.5416,0.455
0)、発光効率は8.78cd/Aであった。したがっ
て、実施例1〜4に比較して赤色純度が不十分であっ
た。また、初期光輝度500cd/m2 で直流の連続通
電テストを行ったところ、半減寿命は970時間であ
り、実施例1〜4に比較して非常に短かった。
Alqの比率を、重量比4.8:95.2とした以外は
同様にして有機EL素子を作製した。得られた有機EL
素子について、比較例1と同じ輝度を示す電圧を測定し
たところ7.3Vと高電圧化した。 比較例3 実施例1において、有機発光媒体層を形成するDC5と
Alqの比率を、重量比9.1:90.9とした以外は
同様にして有機EL素子を作製した。得られた有機EL
素子について、比較例1と同じ輝度を示す電圧を測定し
たところ7.1Vと高電圧化した。比較例2及び3よ
り、明らかにDC5により輸送される正孔に対してAl
qがトラップとなり印加電圧が高くなったと結論でき
た。一方、10重量%を超えてDC5が添加された素子
は急激に低電圧化している。これはDC5が正孔輸送性
の化合物として機能し正孔が高効率で輸送されたため低
電圧化したと結論できる。
プ(Eg1)が3.0eVのTPD(N,N’−ビス
(m−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニル−1,
1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン)を使用した以
外は同様にして有機EL素子を作製した。得られた有機
EL素子について、電圧5.6Vで2.8mA/cm2
の電流が流れた。発光輝度は56cd/m2 の緑色発光
であった。発光効率は2.0cd/Aであった。また、
初期光輝度500cd/m2 で直流の連続通電テストを
行ったところ、半減寿命はわずか130時間であった。
したがって、発光効率及び寿命ともに実施例1の方が、
比較例4より優れ、Eg1≧Eg2の有機EL素子は実
用上問題がある。
よれば、従来より寿命が長く、かつ発光効率が高い有機
EL素子が得られる。このため、本発明の有機EL素子
は、例えば情報機器のディスプレイなどに好適に用いら
れる。
Claims (20)
- 【請求項1】 一対の電極と、これらの電極間に挟持さ
れた有機発光媒体層とを有する有機エレクトロルミネッ
センス素子であって、該有機発光媒体層が(A)少なく
とも一種の正孔輸送性化合物と、(B)少なくとも一種
の電子輸送性化合物とを含有する混合層を有し、前記正
孔輸送性化合物のエネルギーギャップEg1と前記電子
輸送性化合物のEg2が、 Eg1<Eg2 の関係を満たし、前記有機発光媒体層中で、前記正孔輸
送性化合物により正孔が輸送されるとともに再結合領域
において電子と正孔が再結合し発光することを特徴とす
る有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項2】 前記正孔輸送性化合物のイオン化エネル
ギーIP1と前記電子輸送性化合物のイオン化エネルギ
ーIP2が、 IP1≦IP2 の関係を満たすことを特徴とする請求項1に記載の有機
エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項3】 前記正孔輸送性化合物の電子親和力Af
1と前記電子輸送性化合物の電子親和力Af2が、 Af1≦Af2 の関係を満たすことを特徴とする請求項2に記載の有機
エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項4】 前記正孔輸送性化合物の電子親和力Af
1と前記電子輸送性化合物の電子親和力Af2が、 Af1>Af2 の関係を満たすことを特徴とする請求項2に記載の有機
エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項5】 ΔEv=IP2−IP1とΔEc=Af
2−Af1が、 ΔEv≧ΔEc の関係を満たすことを特徴とする請求項3に記載の有機
エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項6】 ΔEv=IP2−IP1とΔEc’=A
f1−Af2が、 ΔEv≧ΔEc’ の関係を満たすことを特徴とする請求項4に記載の有機
エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項7】 前記正孔輸送性化合物が、縮合環を有す
る芳香族アミンであることを特徴とする請求項1に記載
の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項8】 前記芳香族アミンが、下記一般式(1)
で表されることを特徴とする請求項7に記載の有機エレ
クトロルミネッセンス素子。 【化1】 (式中、Ar1 〜Ar4 は、それぞれ独立に、置換もし
くは無置換の炭素数6〜40の芳香族炭化水素基、置換
もしくは無置換の炭素数3〜40の芳香族複素環基を表
す。Yは、置換もしくは無置換の炭素数2〜60の2価
の芳香族基を表す。ただし、Ar1 〜Ar4 及びYのう
ち少なくとも一つは環数が3以上の縮合環基を含有し、
Ar1 〜Ar4 及びYの置換基は、Ar1 〜Ar4 及び
Yのうちの任意の2つと環を形成していてもよい。) - 【請求項9】 前記芳香族アミンが、下記一般式(2)
で表されることを特徴とする請求項7に記載の有機エレ
クトロルミネッセンス素子。 【化2】 (式中、Ar1 〜Ar6 は、それぞれ独立に、置換もし
くは無置換の炭素数6〜40の芳香族炭化水素基、置換
もしくは無置換の炭素数3〜40の芳香族複素環基を表
す。Zは、置換もしくは無置換の炭素数3〜60の3価
の芳香族基を表す。ただし、Ar1 〜Ar6 及びZのう
ち少なくとも一つは環数が3以上の縮合環基を含有し、
Ar1 〜Ar6 及びZの置換基は、Ar1 〜Ar6 及び
Zのうちの任意の2つと環を形成していてもよい。) - 【請求項10】 前記電子輸送性化合物が、含窒素複素
環化合物又は含窒素錯体であることを特徴とする請求項
1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項11】 前記含窒素錯体が、下記一般式(3)
で表されることを特徴とする請求項10に記載の有機エ
レクトロルミネッセンス素子。 M−Am Bn (3) (式中、Mは1〜3価の金属、Aは窒素含有配位子、B
は窒素を含有しない配位子を表し、mは1〜4の整数、
nは0〜2の整数、m+n≦4である。) - 【請求項12】 前記窒素含有配位子が、下記の一般式
(4)で表されることを特徴とする請求項11に記載の
有機エレクトロルミネッセンス素子。 【化3】 (式中、R2 〜R7 は、それぞれ独立に、水素原子、ハ
ロゲン原子、ヒドロキシル基、置換もしくは無置換のア
ミノ基、ニトロ基、シアノ基、置換もしくは無置換の炭
素数1〜30のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素
数2〜30のアルケニル基、置換もしくは無置換の炭素
数5〜30のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の
炭素数1〜30のアルコキシ基、置換もしくは無置換の
炭素数6〜40の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置
換の炭素数3〜40の芳香族複素環基、置換もしくは無
置換の炭素数7〜40のアラルキル基、置換もしくは無
置換の炭素数6〜40のアリールオキシ基、置換もしく
は無置換の炭素数2〜40のアルコシキカルボニル基又
はカルボキシル基を表し、R2 〜R7 は、任意の2つで
環を形成していてもよい。) - 【請求項13】 前記電子輸送性化合物が、下記一般式
(5)又は(6)で表されることを特徴とする請求項1
に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 A1 −L−A2 (5) (式中、A1 及びA2 は、それぞれ独立に、置換もしく
は無置換のモノフェニルアントリル基又は置換もしくは
無置換のジフェニルアントリル基を表し、それらはたが
いに同一でも異なっていてもよく、Lは、単結合又は二
価の連結基を表す。) A3 −An−A4 (6) (式中、Anは、置換もしくは無置換の二価のアントラ
セン残基を示し、A3 及びA4 は、それぞれ独立に、置
換もしくは無置換の炭素数10〜40の一価の縮合芳香
族環基又は置換もしくは無置換の炭素数12〜40の非
縮合環系アリール基を示し、それらはたがいに同一でも
異なっていてもよい。) - 【請求項14】 前記電子輸送性化合物が、Si含有環
誘導体であることを特徴とする請求項1に記載の有機エ
レクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項15】 前記有機発光媒体層の混合層が、
(A)少なくとも一種の正孔輸送性化合物と、(B)少
なくとも一種の電子輸送性化合物とを、重量比8:92
〜92:8の割合で含有することを特徴とする請求項1
に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項16】 前記有機発光媒体層の混合層が、さら
に(C)蛍光性化合物を含有することを特徴とする請求
項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項17】 前記有機発光媒体層が、(A)成分と
(B)成分の合計量と(C)成分とを、重量比100:
1〜10:1の割合で含有することを特徴とする請求項
15又は16に記載の有機エレクトロルミネッセンス素
子。 - 【請求項18】 一対の電極の少なくとも一方の表面
に、カルコゲナイド層、ハロゲン化金属層又は金属酸化
物層が設けられていることを特徴とする請求項1に記載
の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項19】 一対の電極の少なくとも一方の表面
に、還元性ドーパントと電子伝達化合物の混合領域又は
酸化性ドーパントと正孔伝達化合物の混合領域が設けら
れていることを特徴とする請求項1に記載の有機エレク
トロルミネッセンス素子。 - 【請求項20】 前記有機発光媒体層に正孔を注入する
陽極の仕事関数WFと、前記正孔輸送性化合物のイオン
化エネルギーIP1が、 IP1−WF≦0.2eV の関係を満たすことを特徴とする請求項1に記載の有機
エレクトロルミネッセンス素子。
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