JP2002198179A - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンス素子

Info

Publication number
JP2002198179A
JP2002198179A JP2000392906A JP2000392906A JP2002198179A JP 2002198179 A JP2002198179 A JP 2002198179A JP 2000392906 A JP2000392906 A JP 2000392906A JP 2000392906 A JP2000392906 A JP 2000392906A JP 2002198179 A JP2002198179 A JP 2002198179A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
organic
formula
cathode
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000392906A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3977011B2 (ja
Inventor
Hitoshi Ishikawa
石川  仁志
Tatsu Azumaguchi
東口  達
Hiroshi Tada
多田  宏
Atsushi Oda
小田  敦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP2000392906A priority Critical patent/JP3977011B2/ja
Priority to US10/023,741 priority patent/US20020079489A1/en
Publication of JP2002198179A publication Critical patent/JP2002198179A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3977011B2 publication Critical patent/JP3977011B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/10Transparent electrodes, e.g. using graphene
    • H10K2102/101Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
    • H10K2102/103Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/30Doping active layers, e.g. electron transporting layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高効率かつ良好な色純度を有する青色の有機
EL素子を提供することにある。 【解決手段】 陽極と陰極との間に少なくとも発光層及
び一層又は複数層の有機薄膜を有する有機EL素子にお
いて、該有機薄膜層が下記一般式[I]、[II]又は
[III]で表される化合物、又は該化合物と金属との
混合物を含有することを特徴とする有機EL素子。 【化1】 (式[I]でXは縮合多環式炭化水素化合物を除くn価
の連結有機基(nは2〜4)、Aは式[IV]で表され
るn個のポリフェニレン基(aは0〜18)等、式[I
I]でA1及びA2は式[IV]で表されるポリフェニレ
ン基、式[III]でB1及びB2は式[I]で表される
基を示す)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光特性に優れた
有機エレクトロルミネッセンス(以下有機ELとする)
素子に関する。
【0002】
【従来の技術】有機EL素子は、電界を印加することに
より陽極より注入された正孔と陰極より注入された電子
との再結合エネルギーによって、蛍光性物質が発光する
原理を利用した自発光素子である。
【0003】イーストマン・コダック社のC.W.Ta
ngらによる積層型素子による低電圧駆動有機EL素子
の報告(C.W.Tang、S.A.VanSlyk
e、アプライドフィジックスレターズ(Applied
Physics Letters)、51巻、913
頁、1987年 など)がなされて以来、有機材料を構
成材料とする有機エレクトロルミネッセンス素子に関す
る研究が盛んに行われている。
【0004】Tangらは、積層構造の有機EL素子の
発光層としてトリス(8−キノリノール)アルミニウム
を、正孔輸送層としてトリフェニルジアミン誘導体を用
いている。積層構造の利点としては、発光層への正孔の
注入効率を高めること、陰極より注入された電子をブロ
ックして再結合により生成する励起子の生成効率を高め
ること、発光層内で生成した励起子を閉じこめること等
が挙げられる。この例のように、有機EL素子の素子構
造としては、正孔輸送(注入)層、電子輸送性発光層の
2層型、又は正孔輸送(注入)層、発光層、電子輸送
(注入)層の3層型等がよく知られている。こうした積
層型構造素子では、これまでに、注入された正孔と電子
の再結合効率を高めるため、素子構造や形成方法の工夫
がなされている。
【0005】前記正孔輸送層に用いられる正孔輸送性材
料としては、例えば、スターバースト分子である4,
4’,4’’−トリス(3−メチルフェニルフェニルア
ミノ)トリフェニルアミンやN,N’−ジフェニル−
N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−[1,1’−
ビフェニル]−4,4’−ジアミン等のトリフェニルア
ミン誘導体や芳香族ジアミン誘導体が、特開平8−20
771号公報、特開平8−40995号公報、特開平8
−40997号公報、特開平8−53397号公報及び
特開平8−87122号公報等に開示されている。
【0006】前記電子輸送層に用いられる電子輸送性材
料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体やトリア
ゾール誘導体等がよく知られている。また、前記発光層
に用いられる発光材料としては、例えば、トリス(8−
キノリノラート)アルミニウム錯体等のキレート錯体、
クマリン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ビ
ススチリルアリーレン誘導体及びオキサジアゾール誘導
体等の発光材料が知られている。そして、これら発光材
料によって、青色から赤色までの可視領域の発光が得ら
れることが、特開平8−239655号公報、特開平7
−138561号公報及び特開平3−200889号公
報等に報告されており、カラー表示素子の実現が期待さ
れている。
【0007】近年、高輝度・高効率な有機EL素子が開
示あるいは報告されている。しかしながら、高輝度・高
効率な有機EL素子においては、発光層のみならず電子
輸送層中の材料からの発光が観測される場合が多く、カ
ラー表示素子、特に青色発光素子においては、これまで
純青色発光を示す発光材料はいくつか報告されているも
のの、これらを発光層として作製した有機EL素子で
は、発光材料からのEL発光に電子輸送層からの発光が
重なり、結果として青色発光が得られないという問題が
あった。
【0008】また、素子の性能向上のためには電荷の注
入特性の向上が必要であり、注入特性に優れた材料の開
発が求められている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高効
率かつ良好な色純度を有する青色の有機エレクトロルミ
ネッセンス素子を提供することにある。
【0010】本発明の別の目的は、電子注入特性に優れ
た材料を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子を提
供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明に従って、陽極と
陰極との間に少なくとも発光層及び一層又は複数層の有
機薄膜を有する有機エレクトロルミネッセンス素子にお
いて、該有機薄膜層が下記一般式[I]、[II]又は
[III]で表される化合物、又は該化合物と金属との
混合物を含有することを特徴とする有機エレクトロルミ
ネッセンス素子が提供される。
【0012】また、本発明に従って、少なくとも陽極、
発光帯域及び陰極を含んでなり、該発光帯域は一層又は
複数層の有機薄膜層から形成される有機エレクトロルミ
ネッセンス素子において、該発光帯域は陽極に隣接し、
発光帯域と陰極との界面に一般式[I]、[II]又は
[III]で表される化合物、又は該化合物と金属との
混合物を含有することを特徴とする有機エレクトロルミ
ネッセンス素子が提供される。
【0013】
【化2】
【0014】式[I]において、Xは縮合多環式炭化水
素化合物を除くn価の連結有機基(nは2〜4の整数)
を示し、Aはそれぞれ独立に式[IV]で表されるn個
の置換もしくは無置換のポリフェニレン基(aは0〜1
8の整数)、また、Xがベンゼン環の場合は、Aはそれ
ぞれ独立に式[IV]で表されるnが3又は4の置換も
しくは無置換のポリフェニレン基(aは0〜18の整
数)、また、Xがビニレン基の場合は、Aはそれぞれ独
立に式[IV]で表されるnが2の置換もしくは無置換
のポリフェニレン基(aは1〜18の整数)を示す。ま
た、式[II]において、A1及びA2はそれぞれ独立に
式[IV]で表される置換もしくは無置換のポリフェニ
レン基を示す。また、式[III]において、B1及び
2はそれぞれ独立に式[I]で表される基を示す。
【0015】本発明に用いられる式[I]のXは、非環
式炭化水素、単環式炭化水素、橋かけ環式炭化水素、ス
ピロ炭化水素又は環集合炭化水素から水素原子を2〜4
個を除いた2価〜4価の連結有機基が好ましく、特に
は、シクロヘキサン、アダマンタン又はベンゼンから水
素原子を2〜4個を除いた2価〜4価の連結有機基が好
ましい。
【0016】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を詳
細に説明する。
【0017】本発明者は鋭意検討した結果、陽極と陰極
間に少なくとも発光層、電子輸送層を有する有機EL素
子において、発光層と電子輸送層との間にポリフェニレ
ンユニットを有する特定の化合物からなる中間層を挿入
することにより電子輸送層からの発光を抑制することが
できることを見出した。これを用いることにより電子輸
送層を含有しない単層型素子の作製が可能となり発光層
のみからの青色発光が得られることを見出し本発明に至
った。
【0018】また、このアリーレンポリフェニレンユニ
ットを有する特定の化合物を金属でドープした層が電子
輸送特性を有し、発光層又は電子輸送層に混合すること
により素子性能が向上することを見出し本発明に至っ
た。
【0019】つまり本発明は、発光層と電子輸送層との
界面部の中間層に含有されるポリフェニレンユニットを
複数結合(直鎖状ではなく)させることによって、直鎖
状で起こり易い結晶化を制御したものであり、また、単
なる直鎖状のものに、縮合多環式炭化水素化合物以外の
連結有機基や、分岐構造を導入することで結晶化を抑制
するものである。
【0020】本発明における一般式[IV]で表されるA
は、置換もしくは無置換のポリフェニレン基である。こ
の基が有してもよい置換基としては、ハロゲン原子、ヒ
ドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、カルボニル基、置
換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換の
アルケニル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル
基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは
無置換のアリールオキシ基、置換もしくは無置換のアル
コキカルボニル基及び置換もしくは無置換のアミノ基が
挙げられる。
【0021】置換もしくは無置換のアルキル基として
は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、n−ブチル基、s−ブチル基、イソブチル基、t−
ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプ
チル基、n−オクチル基、ヒドロキシメチル基、1−ヒ
ドロキシエチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−ヒド
ロキシイソブチル基、1,2−ジヒドロキシエチル基、
1,3−ジヒドロキシイソプロピル基、2,3−ジヒド
ロキシ−t−ブチル基、1,2,3−トリヒドロキシプ
ロピル基、クロロメチル基、1−クロロエチル基、2−
クロロエチル基、2−クロロイソブチル基、1,2−ジ
クロロエチル基、1,3−ジクロロイソプロピル基、
2,3−ジクロロ−t−ブチル基、1,2,3−トリク
ロロプロピル基、ブロモメチル基、1−ブロモエチル
基、2−ブロモエチル基、2−ブロモイソブチル基、
1,2−ジブロモエチル基、1,3−ジブロモイソプロ
ピル基、2,3−ジブロモ−t−ブチル基、1,2,3
−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、1−ヨード
エチル基、2−ヨードエチル基、2−ヨードイソブチル
基、1,2−ジヨードエチル基、1,3−ジヨードイソ
プロピル基、2,3−ジヨード−t−ブチル基、1,
2,3−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、1−
アミノエチル基、2−アミノエチル基、2−アミノイソ
ブチル基、1,2−ジアミノエチル基、1,3−ジアミ
ノイソプロピル基、2,3−ジアミノ−t−ブチル基、
1,2,3−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、
1−シアノエチル基、2−シアノエチル基、2−シアノ
イソブチル基、1,2−ジシアノエチル基、1,3−ジ
シアノイソプロピル基、2,3−ジシアノ−t−ブチル
基、1,2,3−トリシアノプロピル基、ニトロメチル
基、1−ニトロエチル基、2−ニトロエチル基、2−ニ
トロイソブチル基、1,2−ジニトロエチル基、1,3
−ジニトロイソプロピル基、2,3−ジニトロ−t−ブ
チル基及び1,2,3−トリニトロプロピル基等が挙げ
られる。
【0022】置換もしくは無置換のアルケニル基として
は、ビニル基、アリル基、1−ブテニル基、2−ブテニ
ル基、3−ブテニル基、1,3−ブタンジエニル基、1
−メチルビニル基、スチリル基、2,2−ジフェニルビ
ニル基、1,2−ジフェニルビニル基、1−メチルアリ
ル基、1,1−ジメチルアリル基、2−メチルアリル
基、1−フェニルアリル基、2−フェニルアリル基、3
−フェニルアリル基、3,3−ジフェニルアリル基、
1,2−ジメチルアリル基、1−フェニル−1−ブテニ
ル基及び3−フェニル−1−ブテニル基等が挙げられ
る。
【0023】置換もしくは無置換のシクロアルキル基と
しては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペ
ンチル基、シクロヘキシル基及び4−メチルシクロヘキ
シル基等が挙げられる。
【0024】置換もしくは無置換のアルコキシ基は、−
OYで表される基であり、Yとしては、メチル基、エチ
ル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、s
−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ペンチ
ル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル
基、ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエチル基、2
−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシイソブチル基、
1,2−ジヒドロキシエチル基、1,3−ジヒドロキシ
イソプロピル基、2,3−ジヒドロキシ−t−ブチル
基、1,2,3−トリヒドロキシプロピル基、クロロメ
チル基、1−クロロエチル基、2−クロロエチル基、2
−クロロイソブチル基、1,2−ジクロロエチル基、
1,3−ジクロロイソプロピル基、2,3−ジクロロ−
t−ブチル基、1,2,3−トリクロロプロピル基、ブ
ロモメチル基、1−ブロモエチル基、2−ブロモエチル
基、2−ブロモイソブチル基、1,2−ジブロモエチル
基、1,3−ジブロモイソプロピル基、2,3−ジブロ
モ−t−ブチル基、1,2,3−トリブロモプロピル
基、ヨードメチル基、1−ヨードエチル基、2−ヨード
エチル基、2−ヨードイソブチル基、1,2−ジヨード
エチル基、1,3−ジヨードイソプロピル基、2,3−
ジヨード−t−ブチル基、1,2,3−トリヨードプロ
ピル基、アミノメチル基、1−アミノエチル基、2−ア
ミノエチル基、2−アミノイソブチル基、1,2−ジア
ミノエチル基、1,3−ジアミノイソプロピル基、2,
3−ジアミノ−t−ブチル基、1,2,3−トリアミノ
プロピル基、シアノメチル基、1−シアノエチル基、2
−シアノエチル基、2−シアノイソブチル基、1,2−
ジシアノエチル基、1,3−ジシアノイソプロピル基、
2,3−ジシアノ−t−ブチル基、1,2,3−トリシ
アノプロピル基、ニトロメチル基、1−ニトロエチル
基、2−ニトロエチル基、2−ニトロイソブチル基、
1,2−ジニトロエチル基、1,3−ジニトロイソプロ
ピル基、2,3−ジニトロ−t−ブチル基及び1,2,
3−トリニトロプロピル基等が挙げられる。
【0025】置換もしくは無置換のアリールオキシ基
は、−OZと表され、Zとしては、フェニル基、1−ナ
フチル基、2−ナフチル基、1−アントリル基、2−ア
ントリル基、9−アントリル基、1−フェナントリル
基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、4
−フェナントリル基、9−フェナントリル基、1−ナフ
タセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル
基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル
基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4
−ビフェニルイル基、p−ターフェニル−4−イル基、
p−ターフェニル−3−イル基、p−ターフェニル−2
−イル基、m−ターフェニル−4−イル基、m−ターフ
ェニル−3−イル基、m−ターフェニル−2−イル基、
o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−
ブチルフェニル基、p−(2−フェニルプロピル)フェ
ニル基、3−メチル−2−ナフチル基、4−メチル−1
−ナフチル基、4−メチル−1−アントリル基、4’−
メチルビフェニルイル基、4’’−t−ブチル−p−タ
ーフェニル−4−イル基、2−ピロリル基、3−ピロリ
ル基、ピラジニル基、2−ピリジニル基、3−ピリジニ
ル基、4−ピリジニル基、2−インドリル基、3−イン
ドリル基、4−インドリル基、5−インドリル基、6−
インドリル基、7−インドリル基、1−イソインドリル
基、3−イソインドリル基、4−イソインドリル基、5
−イソインドリル基、6−イソインドリル基、7−イソ
インドリル基、2−フリル基、3−フリル基、2−ベン
ゾフラニル基、3−ベンゾフラニル基、4−ベンゾフラ
ニル基、5−ベンゾフラニル基、6−ベンゾフラニル
基、7−ベンゾフラニル基、1−イソベンゾフラニル
基、3−イソベンゾフラニル基、4−イソベンゾフラニ
ル基、5−イソベンゾフラニル基、6−イソベンゾフラ
ニル基、7−イソベンゾフラニル基、2−キノリル基、
3−キノリル基、4−キノリル基、5−キノリル基、6
−キノリル基、7−キノリル基、8−キノリル基、1−
イソキノリル基、3−イソキノリル基、4−イソキノリ
ル基、5−イソキノリル基、6−イソキノリル基、7−
イソキノリル基、8−イソキノリル基、2−キノキサリ
ニル基、5−キノキサリニル基、6−キノキサリニル
基、1−カルバゾリル基、2−カルバゾリル基、3−カ
ルバゾリル基、4−カルバゾリル基、1−フェナンスリ
ジニル基、2−フェナンスリジニル基、3−フェナンス
リジニル基、4−フェナンスリジニル基、6−フェナン
スリジニル基、7−フェナンスリジニル基、8−フェナ
ンスリジニル基、9−フェナンスリジニル基、10−フ
ェナンスリジニル基、1−アクリジニル基、2−アクリ
ジニル基、3−アクリジニル基、4−アクリジニル基、
9−アクリジニル基、1,7−フェナンスロリン−2−
イル基、1,7−フェナンスロリン−3−イル基、1,
7−フェナンスロリン−4−イル基、1,7−フェナン
スロリン−5−イル基、1,7−フェナンスロリン−6
−イル基、1,7−フェナンスロリン−8−イル基、
1,7−フェナンスロリン−9−イル基、1,7−フェ
ナンスロリン−10−イル基、1,8−フェナンスロリ
ン−2−イル基、1,8−フェナンスロリン−3−イル
基、1,8−フェナンスロリン−4−イル基、1,8−
フェナンスロリン−5−イル基、1,8−フェナンスロ
リン−6−イル基、1,8−フェナンスロリン−7−イ
ル基、1,8−フェナンスロリン−9−イル基、1,8
−フェナンスロリン−10−イル基、1,9−フェナン
スロリン−2−イル基、1,9−フェナンスロリン−3
−イル基、1,9−フェナンスロリン−4−イル基、
1,9−フェナンスロリン−5−イル基、1,9−フェ
ナンスロリン−6−イル基、1,9−フェナンスロリン
−7−イル基、1,9−フェナンスロリン−8−イル
基、1,9−フェナンスロリン−10−イル基、1,1
0−フェナンスロリン−2−イル基、1,10−フェナ
ンスロリン−3−イル基、1,10−フェナンスロリン
−4−イル基、1,10−フェナンスロリン−5−イル
基、2,9−フェナンスロリン−1−イル基、2,9−
フェナンスロリン−3−イル基、2,9−フェナンスロ
リン−4−イル基、2,9−フェナンスロリン−5−イ
ル基、2,9−フェナンスロリン−6−イル基、2,9
−フェナンスロリン−7−イル基、2,9−フェナンス
ロリン−8−イル基、2,9−フェナンスロリン−10
−イル基、2,8−フェナンスロリン−1−イル基、
2,8−フェナンスロリン−3−イル基、2,8−フェ
ナンスロリン−4−イル基、2,8−フェナンスロリン
−5−イル基、2,8−フェナンスロリン−6−イル
基、2,8−フェナンスロリン−7−イル基、2,8−
フェナンスロリン−9−イル基、2,8−フェナンスロ
リン−10−イル基、2,7−フェナンスロリン−1−
イル基、2,7−フェナンスロリン−3−イル基、2,
7−フェナンスロリン−4−イル基、2,7−フェナン
スロリン−5−イル基、2,7−フェナンスロリン−6
−イル基、2,7−フェナンスロリン−8−イル基、
2,7−フェナンスロリン−9−イル基、2,7−フェ
ナンスロリン−10−イル基、1−フェナジニル基、2
−フェナジニル基、1−フェノチアジニル基、2−フェ
ノチアジニル基、3−フェノチアジニル基、4−フェノ
チアジニル基、1−フェノキサジニル基、2−フェノキ
サジニル基、3−フェノキサジニル基、4−フェノキサ
ジニル基、2−オキサゾリル基、4−オキサゾリル基、
5−オキサゾリル基、2−オキサジアゾリル基、5−オ
キサジアゾリル基、3−フラザニル基、2−チエニル
基、3−チエニル基、2−メチルピロール−1−イル
基、2−メチルピロール−3−イル基、2−メチルピロ
ール−4−イル基、2−メチルピロール−5−イル基、
3−メチルピロール−1−イル基、3−メチルピロール
−2−イル基、3−メチルピロール−4−イル基、3−
メチルピロール−5−イル基、2−t−ブチルピロール
−4−イル基、3−(2−フェニルプロピル)ピロール
−1−イル基、2−メチル−1−インドリル基、4−メ
チル−1−インドリル基、2−メチル−3−インドリル
基、4−メチル−3−インドリル基、2−t−ブチル−
1−インドリル基、4−t−ブチル−1−インドリル
基、2−t−ブチル−3−インドリル及び4−t−ブチ
ル−3−インドリル基等が挙げられる。
【0026】置換もしくは無置換のアルコキシカルボニ
ル基は−COOYと表され、Yとしては、メチル基、エ
チル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、
s−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ペン
チル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチ
ル基、ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエチル基、
2−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシイソブチル
基、1,2−ジヒドロキシエチル基、1,3−ジヒドロ
キシイソプロピル基、2,3−ジヒドロキシ−t−ブチ
ル基、1,2,3−トリヒドロキシプロピル基、クロロ
メチル基、1−クロロエチル基、2−クロロエチル基、
2−クロロイソブチル基、1,2−ジクロロエチル基、
1,3−ジクロロイソプロピル基、2,3−ジクロロ−
t−ブチル基、1,2,3−トリクロロプロピル基、ブ
ロモメチル基、1−ブロモエチル基、2−ブロモエチル
基、2−ブロモイソブチル基、1,2−ジブロモエチル
基、1,3−ジブロモイソプロピル基、2,3−ジブロ
モ−t−ブチル基、1,2,3−トリブロモプロピル
基、ヨードメチル基、1−ヨードエチル基、2−ヨード
エチル基、2−ヨードイソブチル基、1,2−ジヨード
エチル基、1,3−ジヨードイソプロピル基、2,3−
ジヨード−t−ブチル基、1,2,3−トリヨードプロ
ピル基、アミノメチル基、1−アミノエチル基、2−ア
ミノエチル基、2−アミノイソブチル基、1,2−ジア
ミノエチル基、1,3−ジアミノイソプロピル基、2,
3−ジアミノ−t−ブチル基、1,2,3−トリアミノ
プロピル基、シアノメチル基、1−シアノエチル基、2
−シアノエチル基、2−シアノイソブチル基、1,2−
ジシアノエチル基、1,3−ジシアノイソプロピル基、
2,3−ジシアノ−t−ブチル基、1,2,3−トリシ
アノプロピル基、ニトロメチル基、1−ニトロエチル
基、2−ニトロエチル基、2−ニトロイソブチル基、
1,2−ジニトロエチル基、1,3−ジニトロイソプロ
ピル基、2,3−ジニトロ−t−ブチル基及び1,2,
3−トリニトロプロピル基等が挙げられる。
【0027】置換もしくは無置換のアミノ基は−NX1
2と表され、X1、X2としては、それぞれ独立に、水
素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピ
ル基、n−ブチル基、s−ブチル基、イソブチル基、t
−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘ
プチル基、n−オクチル基、ヒドロキシメチル基、1−
ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−ヒ
ドロキシイソブチル基、1,2−ジヒドロキシエチル
基、1,3−ジヒドロキシイソプロピル基、2,3−ジ
ヒドロキシ−t−ブチル基、1,2,3−トリヒドロキ
シプロピル基、クロロメチル基、1−クロロエチル基、
2−クロロエチル基、2−クロロイソブチル基、1,2
−ジクロロエチル基、1,3−ジクロロイソプロピル
基、2,3−ジクロロ−t−ブチル基、1,2,3−ト
リクロロプロピル基、ブロモメチル基、1−ブロモエチ
ル基、2−ブロモエチル基、2−ブロモイソブチル基、
1,2−ジブロモエチル基、1,3−ジブロモイソプロ
ピル基、2,3−ジブロモ−t−ブチル基、1,2,3
−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、1−ヨード
エチル基、2−ヨードエチル基、2−ヨードイソブチル
基、1,2−ジヨードエチル基、1,3−ジヨードイソ
プロピル基、2,3−ジヨード−t−ブチル基、1,
2,3−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、1−
アミノエチル基、2−アミノエチル基、2−アミノイソ
ブチル基、1,2−ジアミノエチル基、1,3−ジアミ
ノイソプロピル基、2,3−ジアミノ−t−ブチル基、
1,2,3−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、
1−シアノエチル基、2−シアノエチル基、2−シアノ
イソブチル基、1,2−ジシアノエチル基、1,3−ジ
シアノイソプロピル基、2,3−ジシアノ−t−ブチル
基、1,2,3−トリシアノプロピル基、ニトロメチル
基、1−ニトロエチル基、2−ニトロエチル基、2−ニ
トロイソブチル基、1,2−ジニトロエチル基、1,3
−ジニトロイソプロピル基、2,3−ジニトロ−t−ブ
チル基及び1,2,3−トリニトロプロピル基等が挙げ
られる。
【0028】本発明の化合物は、一般式[I]、[I
I]又は[III]で表される化合物である。具体的な
例として以下に挙げるが、本発明はこれらに限定される
ものではない。
【0029】
【化3】
【0030】
【化4】
【0031】上記本発明の化合部(1)〜(6)におい
て、化合物(1)は式[I]で表されるXがシクロヘキシ
リデン基、n=2、a=2であり、化合物(2)は式
[I]で表されるXがアダマンチリデン基、n=2、a=
1であり、化合物(3)は式[I]で表されるXがアダマ
ンチリデン基、n=2、a=4であり、化合物(4)は
式[II]で表されるA及びAが共にa=3であり、
化合物(5)は式[III]で表されるB及びBが共
にシクロヘキシリデン基、n=2、a=1であり、化合
物(6)は式[I]で表されるXがベンゼン環、n=3、
a=4である。
【0032】本発明における一般式[I]、[II]又
は[III]で表される化合物との混合に用いられる金
属は、該化合物との混合により電子注入性が向上するよ
うな金属であるLi、Na、K、Rb、Cs及びFr等
のアルカリ金属、Be、Mg、Ca、Sr、Ba及びR
a等のアルカリ土類金属や、Al、Ga、In及びTl
等の金属が好ましい。
【0033】本発明の有機EL素子としては、例えば、
図1に示すような、基板1、陽極2、正孔輸送層3、発
光層4、中間層7、電子輸送層5及び陰極6からなる積
層構造のものや、図2に示すような、基板1、陽極2、
発光層4、中間層7、電子輸送層5及び陰極6からなる
積層構造のもの、図3に示すような、基板1、陽極2、
発光層4、中間層7及び陰極6からなる単層構造のもの
等が挙げられる。中でも、図2及び図4に示すように発
光層4が陽極2に隣接して配置されている積層構造の有
機EL素子が、より色純度の高い発光が得られることか
ら好ましい。
【0034】また、電荷注入特性の向上や絶縁破壊の抑
制あるいは発光効率のを向上を目的として、弗化リチウ
ム、弗化マグネシウム、酸化珪素、二酸化珪素及び窒化
珪素等の無機の誘電体、絶縁体からなる薄膜層;有機層
と電極材料又は金属との混合層;ポリアニリン、ポリア
セチレン誘導体、ポリジアセチレン誘導体、ポリビニル
カルバゾール誘導体及びポリパラフェニレンビニレン誘
導体等の有機高分子薄膜等を、発光層4、中間層7及び
電子輸送層5の各層間以外に挿入しても構わない。
【0035】本発明における発光層4に用いられる発光
材料は、特に限定されず、通常、発光材料として使用さ
れている化合物であれば何を使用してもよい。例えば、
下記のビスジフェニルビニルビフェニル(BDPVB
i)[1]、1,3−ビス(p−t−ブチルフェニル−
1,3,4−オキサジアゾールイル)フェニル(OXD
−7)[2]、N,N’−ビス(2,5−ジ−t−ブチ
ルフェニル)ペリレンテトラカルボン酸ジイミド(BP
PC)[3]、1,4−ビス(N−p−トリル−N−4
−(4−メチルスチリル)フェニルアミノ)ナフタレン
[4]等の低分子発光材料や、ポリフェニレンビニレン系
ポリマー等の高分子系発光材料が使用可能である。
【0036】
【化5】
【0037】また、発光層4には電荷輸送材料に蛍光材
料をドープしたものを発光材料として用いることもでき
る。例えば、Alq3等のキノリノール金属錯体に、4
−ジシアノメチレン−2−メチル−6−(p−ジメチル
アミノスチリル)−4H−ピラン(DCM)[5]、
2,3−キナクリドン[6]等のキナクリドン誘導体、
3−(2’−ベンゾチアゾール)−7−ジエチルアミノ
クマリン[7]等のクマリン誘導体をドープした層;電
子輸送材料であるビス(2−メチル−8−ヒドロキシキ
ノリン)−4−フェニルフェノール−アルミニウム錯体
[8]にペリレン[9]等の縮合多環芳香族をドープし
た層;正孔輸送材料である4,4’−ビス(m−トリル
フェニルアミノ)ビフェニル (TPD)[10]にル
ブレン[11]等をドープしたもの等を用いることがで
きる。
【0038】
【化6】
【0039】本発明における正孔輸送層3に用いられる
正孔輸送材料は、特に限定されず、通常、正孔輸送材料
として使用されている化合物であれば何を使用してもよ
い。例えば、ビス(ジ(p−トリル)アミノフェニル)
−1,1−シクロヘキサン[12]、N,N’−ジフェ
ニル−N、N’−ビス(1−ナフチル)−1,1’−ビ
フェニル)−4,4’−ジアミン(NPB)[13]等
のトリフェニルジアミン類;スターバースト型分子
([14]〜[16]等)等が挙げられる。
【0040】
【化7】
【0041】
【化8】
【0042】本発明における電子輸送層5に用いられる
電子輸送材料は、特に限定されず、通常、電子輸送材料
として使用されている化合物であれば何を使用してもよ
い。例えば、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−t
−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール
(Bu−PBD)[17]、OXD−7[2]等のオキ
サジアゾール誘導体;トリアゾール誘導体([18]、
[19]等);キノリノール系の金属錯体(Alq3
[9]、[20]〜[23]等)等が挙げられる。
【0043】
【化9】
【0044】
【化10】
【0045】本発明の有機EL素子における陽極2は、
正孔輸送層3に正孔を注入する役割を担うものであり、
4.5eV以上の仕事関数を有するものが効果的であ
る。本発明に用いられる陽極材料の具体例としては、酸
化インジウム錫合金(ITO)、酸化錫(NESA)、
金、銀、白金及び銅等が挙げられる。
【0046】また、陰極6は、電子輸送層5、金属ドー
プ層あるいは発光層4に電子を注入する役割を担うもの
であり、その材料としては、仕事関数の小さい材料が好
ましい。陰極材料としては、特に限定されないが、具体
的には、インジウム、アルミニウム、マグネシウム、マ
グネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニ
ウム合金、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム
−スカンジウム−リチウム合金又はマグネシウム−銀合
金等が使用できる。
【0047】本発明の有機EL素子における各層の形成
方法は、特に限定されない。各層の形成方法としては、
従来公知の真空蒸着法又はスピンコーティング法等を用
いることができる。特に、前記の化合物を含有する有機
層は、真空蒸着法、分子線蒸着法(MBE法)あるいは
溶媒に溶かした溶液のディッピング法、スピンコーティ
ング法、キャスティング法、バーコート法及びロールコ
ート法等の公知の方法で形成することができる。
【0048】本発明における有機EL素子の発光層4、
正孔輸送層3、電子輸送層5の膜厚は、特に制限されな
いが、一般に膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生
じ易く、逆に厚すぎると高い印加電圧が必要となり効率
が悪くなるため、通常は数nm〜1μmの範囲が好まし
い。
【0049】
【実施例】以下、実施例をもとに、本発明を詳細に説明
するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施
例に限定されない。
【0050】(実施例1)以下に実施例1に用いる有機
EL素子の作製手順について説明する。この有機EL素
子は、図1に示す断面構造を有するものである。まず、
50mm×25mmのガラス基板(HOYA製、NA4
5、1.1mm 厚)上にITOをスパッタリングによ
ってシート抵抗が20Ω/□になるように製膜し、陽極
とした。陽極の上に化合物[13]を真空蒸着して50n
m膜厚の正孔輸送層を形成した。次いで化合物[4]を真
空蒸着して、60nm膜厚の発光層を形成した。次い
で、発光層の上に化合物(1)を真空蒸着して、5nm
膜厚の中間層を形成した。次いで、中間層の上に、化合
物[18]を真空蒸着して25nm膜厚の電子輸送層を
形成した。次に、電子輸送層の上にマグネシウム−銀合
金を真空蒸着して、200nm膜厚の陰極を形成し、有
機EL素子を作製した。この有機EL素子に直流電圧を
7V印加したところ、13,000cd/m2の青色発
光が得られた。
【0051】(実施例2)以下に実施例2に用いる有機
EL素子の作製手順について説明する。この有機EL素
子は、図2に示す断面構造を有するものである。まず、
50mm×25mmのガラス基板(HOYA製、NA4
5、1.1mm 厚)上にITOをスパッタリングによ
ってシート抵抗が20Ω/□になるように製膜し、陽極
とした。陽極の上に化合物[4]を真空蒸着して、60n
m膜厚の発光層を形成した。次に、発光層の上に化合物
(2)を真空蒸着して、5nm膜厚の中間層を形成し
た。次いで、中間層の上に、化合物[18]を真空蒸着
して25nm膜厚の電子輸送層を形成した。次に、電子
輸送層の上にマグネシウム−銀合金を真空蒸着して、2
00nm膜厚の陰極を形成し、有機EL素子を作製し
た。この有機EL素子に直流電圧を7V印加したとこ
ろ、11,000cd/m2の青色発光が得られた。
【0052】(実施例3)以下に実施例3に用いる有機
EL素子の作製手順について説明する。この有機EL素
子は、図3に示す断面構造を有するものである。まず、
50mm×25mmのガラス基板(HOYA製、NA4
5、1.1mm 厚)上にITOをスパッタリングによ
ってシート抵抗が20Ω/□になるように製膜し、陽極
とした。陽極の上に化合物[13]を真空蒸着して50n
m膜厚の正孔輸送層を形成した。次いで化合物[4]を真
空蒸着して、60nm膜厚の発光層を形成した。次い
で、発光層の上に化合物(4)を真空蒸着して、5nm
膜厚の中間層を形成した。次に、中間層の上にマグネシ
ウム−銀合金を真空蒸着して、200nm膜厚の陰極を
形成し、有機EL素子を作製した。この有機EL素子に
直流電圧を7V印加したところ、9,000cd/m2
の青色発光が得られた。
【0053】(実施例4)中間層として、化合物(4)
とCs(サエス・ゲッター社製、Csディスペンサーを
使用)を共蒸着して15nm膜厚の金属ドープ層を形成
した以外は、実施例3と同様の操作を行い有機EL素子
を作製した。この有機EL素子に直流電圧を7V印加し
たところ、8,000cd/m2の青色発光が得られ
た。
【0054】(実施例5)以下に実施例5に用いる有機
EL素子の作製手順について説明する。この有機EL素
子は、図4に示す断面構造を有するものである。まず、
50mm×25mmのガラス基板(HOYA製、NA4
5、1.1mm厚)上にITOをスパッタリングによっ
てシート抵抗が20Ω/□になるように製膜し、陽極と
した。陽極の上に化合物[4]を真空蒸着して、60nm
膜厚の発光層を形成した。次に、発光層の上に化合物
(1)を真空蒸着して、5nm膜厚の中間層を形成し
た。次に、中間層の上にマグネシウム−銀合金を真空蒸
着して、200nm膜厚の陰極を形成し、有機EL素子
を作製した。この有機EL素子に直流電圧を7V印加し
たところ、7,000cd/m2の青色発光が得られ
た。
【0055】(実施例6)中間層として化合物(1)と
Cs(サエス・ゲッター社製Csディスペンサーを使
用)を共蒸着して15nm膜厚の金属ドープ層を形成し
た以外は、実施例5と同様の操作を行い有機EL素子を
作製した。この有機EL素子に直流電圧を7V印加した
ところ、6,000cd/m2の青色発光が得られた。
【0056】(実施例7)以下に実施例7に用いる有機
EL素子の作製手順について説明する。この有機EL素
子は、図5に示す断面構造を有するものである。まず、
50mm×25mmのガラス基板(HOYA製、NA4
5、1.1mm厚)上にITOをスパッタリングによっ
てシート抵抗が20Ω/□になるように製膜し、陽極と
した。陽極の上に化合物[13]を真空蒸着して50nm
膜厚の正孔輸送層を形成した。次いで化合物[4]を真空
蒸着して、60nm膜厚の発光層を形成した。次いで、
発光層の上に、化合物[18]を真空蒸着して25nm
膜厚の電子輸送層を形成した。次いで、電子輸送層の上
に化合物(2)を真空蒸着して、5nm膜厚の中間層を
形成した。次に、中間層の上にマグネシウム−銀合金を
真空蒸着して、200nm膜厚の陰極を形成し、有機E
L素子を作製した。この有機EL素子に直流電圧を7V
印加したところ、9,000cd/m2の青色発光が得
られた。
【0057】(実施例8)中間層として化合物(2)と
Cs(サエス・ゲッター社製、Csディスペンサーを使
用)を共蒸着して15nm膜厚の金属ドープ層を形成し
た以外は、実施例7と同様の操作を行い有機EL素子を
作製した。この有機EL素子に直流電圧を7V印加した
ところ、8,000cd/m2の青色発光が得られた。
【0058】(実施例9)以下に実施例9に用いる有機
EL素子の作製手順について説明する。この有機EL素
子は、図6に示す断面構造を有するものである。まず、
50mm×25mmのガラス基板(HOYA製、NA4
5、1.1mm厚)上にITOをスパッタリングによっ
てシート抵抗が20Ω/□になるように製膜し、陽極と
した。陽極の上に化合物[4]を真空蒸着して、60nm
膜厚の発光層を形成した。次いで、発光層の上に、化合
物[18]を真空蒸着して25nm膜厚の電子輸送層を
形成した。次に、電子輸送層の上に化合物(1)を真空
蒸着して、5nm膜厚の中間層を形成した。次に、中間
層の上にマグネシウム−銀合金を真空蒸着して、200
nm膜厚の陰極を形成し、有機EL素子を作製した。こ
の有機EL素子に直流電圧を7V印加したところ、1
2,000cd/m2の青色発光が得られた。
【0059】(実施例10)中間層として化合物(1)
とCs(サエス・ゲッター社製、Csディスペンサーを
使用)を共蒸着して15nm膜厚の金属ドープ層を形成
した以外は、実施例9と同様の操作を行い有機EL素子
を作製した。この有機EL素子に直流電圧を7V印加し
たところ、10,000cd/m2の青色発光が得られ
た。
【0060】(比較例1)比較例として、発光層形成
後、中間層の形成を行わず電子輸送層を形成する以外
は、実施例2と同様の操作を行い有機EL素子を作製し
た。この有機EL素子に直流電圧を7V印加したとこ
ろ、8,000cd/m2の青緑色の発光が得られた。
【0061】(比較例2)比較例として、実施例4にお
いて発光層形成後、金属ドープ層の形成を行わず、化合
物[18]を真空蒸着して25nm膜厚の電子輸送層を
形成する以外は、実施例4と同様の操作を行い有機EL
素子を作製した。この有機EL素子に直流電流を7V印
加したところ、6,000cd/m2の青緑色の発光が
得られた。
【0062】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明のポリフェニ
レンユニットを有する化合物からなる層を発光層と電子
輸送層との間に挿入することにより電子輸送層からの発
光が抑制され、発光材料本来の青色発光が得られた。ま
た、本発明のポリフェニレンユニットを有する化合物あ
るいは同化合物を金属でドープした化合物は、電子輸送
性を示しこれらを発光層に混合することにより素子性能
が向上し、本発明の効果は大である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の
一例を示す模式的断面図である。
【図2】本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の
他の例を示す模式的断面図である。
【図3】本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の
他の例を示す模式的断面図である。
【図4】本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の
他の例を示す模式的断面図である。
【図5】本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の
他の例を示す模式的断面図である。
【図6】本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の
他の例を示す模式的断面図である。
【符号の説明】
1 基板 2 陽極 3 正孔輸送層 4 発光層 5 電子輸送層 6 陰極 7 界面部分(中間層)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 多田 宏 東京都港区芝五丁目7番1号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 小田 敦 東京都港区芝五丁目7番1号 日本電気株 式会社内 Fターム(参考) 3K007 AB02 AB04 AB06 CA01 CB01 DA01 DB03 DC00 EB00

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 陽極と陰極との間に少なくとも発光層及
    び一層又は複数層の有機薄膜を有する有機エレクトロル
    ミネッセンス素子において、該有機薄膜層が下記一般式
    [I]、[II]又は[III]で表される化合物を含
    有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス
    素子。 【化1】 (式[I]において、Xは縮合多環式炭化水素化合物を
    除くn価の連結有機基(nは2〜4の整数)を示し、A
    はそれぞれ独立に式[IV]で表されるn個の置換もし
    くは無置換のポリフェニレン基(aは0〜18の整
    数)、また、Xがベンゼン環の場合は、Aはそれぞれ独
    立に式[IV]で表されるnが3又は4の置換もしくは
    無置換のポリフェニレン基(aは0〜18の整数)、ま
    た、Xがビニレン基の場合は、Aはそれぞれ独立に式
    [IV]で表されるnが2の置換もしくは無置換のポリ
    フェニレン基(aは1〜18の整数)を示す。また、式
    [II]において、A1及びA2はそれぞれ独立に式[I
    V]で表される置換もしくは無置換のポリフェニレン基
    を示す。また、式[III]において、B1及びB2はそ
    れぞれ独立に式[I]で表される基を示す。)
  2. 【請求項2】 発光層と陰極との界面に一般式[I]、
    [II]又は[III]で表される化合物を含有する請
    求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  3. 【請求項3】 少なくとも発光層と電子輸送層を有し、
    発光層と電子輸送層の界面に一般式[I]、[II]又
    は[III]で表される化合物を含有する請求項1に記
    載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  4. 【請求項4】 少なくとも陽極、発光帯域及び陰極を含
    んでなり、該発光帯域は一層又は複数層の有機薄膜層か
    ら形成される有機エレクトロルミネッセンス素子におい
    て、該発光帯域は陽極に隣接し、発光帯域と陰極との界
    面に一般式[I]、[II]又は[III]で表される
    化合物を含有することを特徴とする有機エレクトロルミ
    ネッセンス素子。
  5. 【請求項5】 少なくとも陽極、発光帯域、電子輸送層
    及び陰極を含んでなり、電子輸送層と陰極との界面に一
    般式[I]、[II]又は[III]で表される化合物
    を含有する請求項4に記載の有機エレクトロルミネッセ
    ンス素子。
  6. 【請求項6】 陽極と陰極との間に少なくとも発光層及
    び一層又は複数層の有機薄膜を有する有機エレクトロル
    ミネッセンス素子において、該有機薄膜層が一般式
    [I]、[II]又は[III]で表される化合物と金
    属との混合物を含有することを特徴とする有機エレクト
    ロルミネッセンス素子。
  7. 【請求項7】 発光層と陰極との界面に一般式[I]、
    [II]又は[III]で表される化合物と金属との混
    合物を含有する請求項6に記載の有機エレクトロルミネ
    ッセンス素子。
  8. 【請求項8】 少なくとも発光層と電子輸送層を有し、
    電子輸送層と陰極との界面に一般式[I]、[II]又
    は[III]で表される化合物と金属との混合物を含有
    する請求項6に記載の有機エレクトロルミネッセンス素
    子。
  9. 【請求項9】 少なくとも陽極、発光帯域及び陰極を含
    んでなり、該発光帯域は一層又は複数層の有機薄膜層か
    ら形成される有機エレクトロルミネッセンス素子におい
    て、該発光帯域は陽極に隣接し、該発光帯域と陰極との
    界面に一般式[I]、[II]又は[III]で表され
    る化合物と金属との混合物を含有することを特徴とする
    有機エレクトロルミネッセンス素子。
  10. 【請求項10】 少なくとも陽極、発光帯域、電子輸送
    層及び陰極を含んでなり、電子輸送層と陰極との界面に
    一般式[I]、[II]又は[III]で表される化合
    物と金属との混合物を含有する請求項9に記載の有機エ
    レクトロルミネッセンス素子。
  11. 【請求項11】 前記金属が、Li、Na、K、Rb、
    Cs、Frのアルカリ金属、Mg、Ca、Sr、Ba、
    Raのアルカリ土類金属及びAl、Ga、In、Tlか
    らなる群より選ばれる少なくとも1種である請求項6〜
    10のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス
    素子。
  12. 【請求項12】 前記Xが、非環式炭化水素、単環式炭
    化水素、橋かけ環式炭化水素、スピロ炭化水素又は環集
    合炭化水素から水素原子を2〜4個を除いた2価〜4価
    の連結有機基である請求項1〜11のいずれかに記載の
    有機エレクトロルミネッセンス素子。
  13. 【請求項13】 前記Xが、シクロヘキサン、アダマン
    タン又はベンゼンから水素原子を2〜4個を除いた2価
    〜4価の連結有機基である請求項1〜12のいずれかに
    記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
JP2000392906A 2000-12-25 2000-12-25 有機エレクトロルミネッセンス素子 Expired - Fee Related JP3977011B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000392906A JP3977011B2 (ja) 2000-12-25 2000-12-25 有機エレクトロルミネッセンス素子
US10/023,741 US20020079489A1 (en) 2000-12-25 2001-12-21 Organic electroluminescent device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000392906A JP3977011B2 (ja) 2000-12-25 2000-12-25 有機エレクトロルミネッセンス素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002198179A true JP2002198179A (ja) 2002-07-12
JP3977011B2 JP3977011B2 (ja) 2007-09-19

Family

ID=18858819

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000392906A Expired - Fee Related JP3977011B2 (ja) 2000-12-25 2000-12-25 有機エレクトロルミネッセンス素子

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20020079489A1 (ja)
JP (1) JP3977011B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005107329A1 (ja) * 2004-04-27 2005-11-10 Fuji Photo Film Co., Ltd. 有機el素子およびその製造方法
KR100832763B1 (ko) * 2006-11-23 2008-05-27 후지필름 가부시키가이샤 유기 el 소자와 그 제조 방법, 및 유기 el 표시 패널
JP2017533893A (ja) * 2014-10-30 2017-11-16 エルジー・ケム・リミテッド 環化合物およびこれを含む有機発光素子

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9224958B2 (en) * 2013-07-19 2015-12-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
CN114364660A (zh) * 2019-11-21 2022-04-15 株式会社Lg化学 化合物及包含其的有机发光器件

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0347890A (ja) * 1989-03-20 1991-02-28 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2001072971A (ja) * 1999-09-02 2001-03-21 Univ Osaka エレクトロルミネッセンス素子
JP2001110572A (ja) * 1999-08-04 2001-04-20 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 電界発光素子
JP2002203683A (ja) * 2000-10-30 2002-07-19 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 有機電界発光素子

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0347890A (ja) * 1989-03-20 1991-02-28 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2001110572A (ja) * 1999-08-04 2001-04-20 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 電界発光素子
JP2001072971A (ja) * 1999-09-02 2001-03-21 Univ Osaka エレクトロルミネッセンス素子
JP2002203683A (ja) * 2000-10-30 2002-07-19 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 有機電界発光素子

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005107329A1 (ja) * 2004-04-27 2005-11-10 Fuji Photo Film Co., Ltd. 有機el素子およびその製造方法
JPWO2005107329A1 (ja) * 2004-04-27 2008-03-21 富士フイルム株式会社 有機el素子およびその製造方法
US7737632B2 (en) 2004-04-27 2010-06-15 Fujifilm Corporation Organic EL element with lamination structure and its manufacturing method
JP5193465B2 (ja) * 2004-04-27 2013-05-08 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機el素子の製造方法、有機el素子、及び有機el表示パネル
KR100832763B1 (ko) * 2006-11-23 2008-05-27 후지필름 가부시키가이샤 유기 el 소자와 그 제조 방법, 및 유기 el 표시 패널
JP2017533893A (ja) * 2014-10-30 2017-11-16 エルジー・ケム・リミテッド 環化合物およびこれを含む有機発光素子
US10431748B2 (en) 2014-10-30 2019-10-01 Lg Chem, Ltd. Cyclic compound and organic light-emitting element comprising same

Also Published As

Publication number Publication date
US20020079489A1 (en) 2002-06-27
JP3977011B2 (ja) 2007-09-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3159259B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4029071B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3424812B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3092584B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2998707B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3548839B2 (ja) 正孔輸送性発光材料を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3389905B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH11228951A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3836300B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3102414B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3961200B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3008917B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2001237078A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3977011B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3898441B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3233206B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子
JP3898442B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3084708B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子
JP3005980B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子
JP3578954B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3285085B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子
JP4139055B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2001176664A (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子
JP3625764B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3548843B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20040316

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20040316

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20040413

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060822

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061122

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20061219

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20070319

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070328

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20070425

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070522

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070620

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100629

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100629

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100629

Year of fee payment: 3

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100629

Year of fee payment: 3

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100629

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110629

Year of fee payment: 4

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees