JP2002190519A - 保護膜形成材料 - Google Patents
保護膜形成材料Info
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L81/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing sulfur with or without nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of polysulfones; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L81/06—Polysulfones; Polyethersulfones
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ホールのアスペクト比が大きくなってもボイ
ドを形成することなく、しかもＤｅｎｓｅ部とＩｓｏ部
の上に設けた場合にも、両者間に膜厚差を生じることの
ない保護膜形成材料を提供する。 【解決手段】 樹脂成分と架橋剤成分とを質量比２：８
ないし４：６の割合で含む固形分と有機溶剤からなる組
成物において、上記固形分の質量平均分子量を１３００
〜４５００の範囲に調整する。
ドを形成することなく、しかもＤｅｎｓｅ部とＩｓｏ部
の上に設けた場合にも、両者間に膜厚差を生じることの
ない保護膜形成材料を提供する。 【解決手段】 樹脂成分と架橋剤成分とを質量比２：８
ないし４：６の割合で含む固形分と有機溶剤からなる組
成物において、上記固形分の質量平均分子量を１３００
〜４５００の範囲に調整する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、デュアルダマシン
プロセスに用いる微細構造レジストパターンにおいて、
保護膜を設ける際に、密集パターン部分と孤立パターン
部分との間に生じる膜厚差を平坦化しうる保護膜形成材
料に関するものである。
プロセスに用いる微細構造レジストパターンにおいて、
保護膜を設ける際に、密集パターン部分と孤立パターン
部分との間に生じる膜厚差を平坦化しうる保護膜形成材
料に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近、半導体集積回路に関し、配線抵抗
又は配線遅延の問題を解決するために、配線材料として
銅を用いることが検討されるとともに、従来の金属膜を
エッチングにより加工して電子デバイスの配線を形成す
る代わりに、金属材料をめっきにより埋め込んで配線を
形成するデュアルダマシンプロセスが注目されるように
なってきた。
又は配線遅延の問題を解決するために、配線材料として
銅を用いることが検討されるとともに、従来の金属膜を
エッチングにより加工して電子デバイスの配線を形成す
る代わりに、金属材料をめっきにより埋め込んで配線を
形成するデュアルダマシンプロセスが注目されるように
なってきた。
【０００３】ところで、このデュアルダマシンプロセス
により、ビアホール（接続溝）を形成した後で、トレン
チホール（配線溝）を設ける場合には、基板表面に既に
設けられている配線材料がホール形成後のトレンチ形成
時に損傷するのを防ぐために、ホール内に保護膜を設け
る必要がある。そして、このような保護膜については、
露光放射線の基板からの反射を防止する反射防止特性、
ホール内を隙間なく埋め込むための埋込み特性、及び埋
込み後の基板の膜厚を一定にする平坦化特性が要求され
ている。
により、ビアホール（接続溝）を形成した後で、トレン
チホール（配線溝）を設ける場合には、基板表面に既に
設けられている配線材料がホール形成後のトレンチ形成
時に損傷するのを防ぐために、ホール内に保護膜を設け
る必要がある。そして、このような保護膜については、
露光放射線の基板からの反射を防止する反射防止特性、
ホール内を隙間なく埋め込むための埋込み特性、及び埋
込み後の基板の膜厚を一定にする平坦化特性が要求され
ている。
【０００４】ところで、通常、保護膜としては、有機系
材料、例えばアルカリ現像液に可溶なホトレジスト材料
が用いられているが（特開平１０−２２３７５５号公
報）、これらの有機系材料においては、ホールのアスペ
クト比が大きくなると、ベーク時に気泡、すなわちボイ
ドをホール内に形成し、金属材料の保護効果が不十分に
なる上に、図１に示すように密集パターン部分（以下Ｄ
ｅｎｓｅ部という）と孤立パターン部分（以下Ｉｓｏ部
という）とを含む基板上に塗布して塗膜形成させると、
パターンに膜厚差を生じ、後続のトレンチ形成のための
リソグラフィー処理に悪影響を与えるという欠点を生じ
る。
材料、例えばアルカリ現像液に可溶なホトレジスト材料
が用いられているが（特開平１０−２２３７５５号公
報）、これらの有機系材料においては、ホールのアスペ
クト比が大きくなると、ベーク時に気泡、すなわちボイ
ドをホール内に形成し、金属材料の保護効果が不十分に
なる上に、図１に示すように密集パターン部分（以下Ｄ
ｅｎｓｅ部という）と孤立パターン部分（以下Ｉｓｏ部
という）とを含む基板上に塗布して塗膜形成させると、
パターンに膜厚差を生じ、後続のトレンチ形成のための
リソグラフィー処理に悪影響を与えるという欠点を生じ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
従来の保護膜形成材料のもつ欠点を克服し、ホールのア
スペクト比が大きくなってもボイドを形成することな
く、しかもＤｅｎｓｅ部とＩｓｏ部の上に設けた場合に
も、両者間に膜厚差を生じることのない保護膜形成材料
を提供することを目的としてなされたものである。
従来の保護膜形成材料のもつ欠点を克服し、ホールのア
スペクト比が大きくなってもボイドを形成することな
く、しかもＤｅｎｓｅ部とＩｓｏ部の上に設けた場合に
も、両者間に膜厚差を生じることのない保護膜形成材料
を提供することを目的としてなされたものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、デュアル
ダマシンプロセスにおける従来の保護膜形成材料のもつ
欠点を克服するために鋭意研究を重ねた結果、樹脂成分
と架橋剤成分とを特定の割合で含み、かつその中の固形
分が特定の質量平均分子量の範囲内に調整した材料で保
護膜を形成させれば、ホール内におけるボイドの形成を
抑制することができ、しかもＤｅｎｓｅ部とＩｓｏ部と
の間の膜厚を一定にしうることを見出し、この知見に基
づいて本発明をなすに至った。
ダマシンプロセスにおける従来の保護膜形成材料のもつ
欠点を克服するために鋭意研究を重ねた結果、樹脂成分
と架橋剤成分とを特定の割合で含み、かつその中の固形
分が特定の質量平均分子量の範囲内に調整した材料で保
護膜を形成させれば、ホール内におけるボイドの形成を
抑制することができ、しかもＤｅｎｓｅ部とＩｓｏ部と
の間の膜厚を一定にしうることを見出し、この知見に基
づいて本発明をなすに至った。
【０００７】すなわち、本発明は、樹脂成分と架橋剤成
分とを質量比２：８ないし４：６の割合で含む固形分と
有機溶剤からなる組成物において、上記固形分の質量平
均分子量を１３００〜４５００の範囲に調整したことを
特徴とするデュアルダマシンプロセス用保護膜形成材料
を提供するものである。
分とを質量比２：８ないし４：６の割合で含む固形分と
有機溶剤からなる組成物において、上記固形分の質量平
均分子量を１３００〜４５００の範囲に調整したことを
特徴とするデュアルダマシンプロセス用保護膜形成材料
を提供するものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の保護膜形成材料は、樹脂
成分と架橋剤成分とからなる固形分を有機溶剤に溶解し
た組成物からなっている。そして、上記の樹脂成分とし
ては、例えば、ポリアミド酸、ポリスルホン、ハロゲン
化重合体、ポリブテンスルホン酸、アクリル系樹脂など
が用いられるが、中でも、少なくとも１個の水酸基を有
するビスフェニルスルホン類、ベンゾフェノン類、アン
トラセン類及びナフタレン類の中から選ばれた少なくと
も１種のヒドロキシ化合物とアクリル酸又はメタクリル
酸とのエステルをモノマーの少なくとも一部として用い
て得られる重合体又は共重合体が好ましい。
成分と架橋剤成分とからなる固形分を有機溶剤に溶解し
た組成物からなっている。そして、上記の樹脂成分とし
ては、例えば、ポリアミド酸、ポリスルホン、ハロゲン
化重合体、ポリブテンスルホン酸、アクリル系樹脂など
が用いられるが、中でも、少なくとも１個の水酸基を有
するビスフェニルスルホン類、ベンゾフェノン類、アン
トラセン類及びナフタレン類の中から選ばれた少なくと
も１種のヒドロキシ化合物とアクリル酸又はメタクリル
酸とのエステルをモノマーの少なくとも一部として用い
て得られる重合体又は共重合体が好ましい。
【０００９】すなわち、一般式
【化１】 （式中のＲ1は水素原子又はメチル基であり、Ｒ2は少な
くとも１個の水酸基をもつビスフェニルスルホン類、ベ
ンゾフェノン類、アントラセン類及びナフタレン類の中
から選ばれたヒドロキシル化合物の水酸基から水素原子
を除いた残基である）で表わされるアクリル酸又はメタ
クリル酸エステルの重合体あるいはこれらと他のアクリ
ル酸又はメタクリル酸エステルとの共重合体が好まし
い。
くとも１個の水酸基をもつビスフェニルスルホン類、ベ
ンゾフェノン類、アントラセン類及びナフタレン類の中
から選ばれたヒドロキシル化合物の水酸基から水素原子
を除いた残基である）で表わされるアクリル酸又はメタ
クリル酸エステルの重合体あるいはこれらと他のアクリ
ル酸又はメタクリル酸エステルとの共重合体が好まし
い。
【００１０】この一般式（Ｉ）中のＲ2の例としては、
一般式
一般式
【化２】 （式中のＸは−ＳＯ2−基又は−ＣＯ−基、Ｒ3及びＲ4
は水素原子、水酸基、アルキル基、アルコキシ基、ハロ
ゲン原子、アミノ基、低級ジアルキルアミノ基、カルボ
キシル基、ｔｅｒｔ‐ブトキシ基、ｔｅｒｔ‐ブトキシ
カルボニルオキシ基、低級アルコキシアルキル基、低級
ヒドロキシアルキル基、テトラヒドロピラニルオキシ基
又はテトラヒドロフラニルオキシ基、ｎは４以下、ｍは
５以下の整数である）で表わされるビスフェニルスルホ
ン残基又はベンゾフェノン残基、一般式
は水素原子、水酸基、アルキル基、アルコキシ基、ハロ
ゲン原子、アミノ基、低級ジアルキルアミノ基、カルボ
キシル基、ｔｅｒｔ‐ブトキシ基、ｔｅｒｔ‐ブトキシ
カルボニルオキシ基、低級アルコキシアルキル基、低級
ヒドロキシアルキル基、テトラヒドロピラニルオキシ基
又はテトラヒドロフラニルオキシ基、ｎは４以下、ｍは
５以下の整数である）で表わされるビスフェニルスルホ
ン残基又はベンゾフェノン残基、一般式
【化３】 （式中のＲ5は水酸基、アルキル基、アルコキシ基、ハ
ロゲン原子、アミノ基、低級ジアルキルアミノ基、カル
ボキシル基、ｔｅｒｔ‐ブトキシ基、ｔｅｒｔ‐ブトキ
シカルボニルオキシ基、低級アルコキシアルキル基、低
級ヒドロキシアルキル基、テトラヒドロピラニルオキシ
基又はテトラヒドロフラニルオキシ基、ｘは８以下の整
数である）で表わされるアントリル基、あるいは一般式
ロゲン原子、アミノ基、低級ジアルキルアミノ基、カル
ボキシル基、ｔｅｒｔ‐ブトキシ基、ｔｅｒｔ‐ブトキ
シカルボニルオキシ基、低級アルコキシアルキル基、低
級ヒドロキシアルキル基、テトラヒドロピラニルオキシ
基又はテトラヒドロフラニルオキシ基、ｘは８以下の整
数である）で表わされるアントリル基、あるいは一般式
【化４】 （式中のＲ6は水酸基、アルキル基、アルコキシ基、ハ
ロゲン原子、アミノ基、低級ジアルキルアミノ基、カル
ボキシル基、ｔｅｒｔ‐ブトキシ基、ｔｅｒｔ‐ブトキ
シカルボニルオキシ基、低級アルコキシアルキル基、低
級ヒドロキシアルキル基、テトラヒドロピラニルオキシ
基又はテトラヒドロフラニルオキシ基、ｙは６以下の整
数である）で表わされるナフチル基を挙げることができ
る。
ロゲン原子、アミノ基、低級ジアルキルアミノ基、カル
ボキシル基、ｔｅｒｔ‐ブトキシ基、ｔｅｒｔ‐ブトキ
シカルボニルオキシ基、低級アルコキシアルキル基、低
級ヒドロキシアルキル基、テトラヒドロピラニルオキシ
基又はテトラヒドロフラニルオキシ基、ｙは６以下の整
数である）で表わされるナフチル基を挙げることができ
る。
【００１１】したがって、樹脂成分を構成するモノマー
の例としては、ビス（４‐ヒドロキシフェニル）スルホ
ン、ビス（３‐ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス
（２‐ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（２，４‐
ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，４‐ジヒ
ドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，５‐ジヒドロ
キシフェニル）スルホン、ビス（３，６‐ジヒドロキシ
フェニル）スルホン、ビス（３，５‐ジメチル‐４‐ヒ
ドロキシフェニル）スルホン及びこれらの水酸基が少な
くとも１個を残してｔｅｒｔ‐ブトキシ基、ｔｅｒｔ‐
ブトキシカルボニルオキシ基、エトキシエトキシ基、テ
トラヒドロキシピラニルオキシ基で置換された化合物、
２，４‐ジヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４‐ト
リヒドロキシベンゾフェノン、２，２′，４，４′‐テ
トラヒドロキシベンゾフェノン、２，２′，５，６′‐
テトラヒドロキシベンゾフェノン、２‐ヒドロキシ‐４
‐メトキシベンゾフェノン、２‐ヒドロキシ‐４‐オク
トキシベンゾフェノン、２‐ヒドロキシ‐４‐ドデシル
オキシベンゾフェノン、２，２′‐ジヒドロキシ‐４‐
メトキシベンゾフェノン、２，６‐ジヒドロキシ‐４‐
メトキシベンゾフェノン、２，２′‐ジヒドロキシ‐
４，４′‐ジメトキシベンゾフェノン、４‐アミノ‐
２′‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジメチルアミノ
‐２′‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジエチルアミ
ノ‐２′‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジメチルア
ミノ‐４′‐メトキシ‐２′‐ヒドロキシベンゾフェノ
ン、４‐ジメチルアミノ‐２′，４′‐ジヒドロキシベ
ンゾフェノン、４‐ジメチルアミノ‐３′，４′‐ジヒ
ドロキシベンゾフェノン及びこれらの水酸化物が少なく
とも１個を残してｔｅｒｔ‐ブトキシ基、ｔｅｒｔ‐ブ
トキシカルボニルオキシ基、エトキシエトキシ基、及び
テトラピラニルオキシ基で置換された化合物、１‐ヒド
ロキシアントラセン、９‐ヒドロキシアントラセン、
１，２‐ジヒドロキシアントラセン、１，５‐ジヒドロ
キシアントラセン、９，１０‐ジヒドロキシアントラセ
ン、１，２，３‐トリヒドロキシアントラセン、１，
２，３，４‐テトラヒドロキシアントラセン、１，２，
３，４，５，６‐ヘキサヒドロキシアントラセン、１，
２，３，４，５，６，７，８‐オクタヒドロキシアント
ラセン、１‐ヒドロキシメチルアントラセン、９‐ヒド
ロキシメチルアントラセン、１‐ヒドロキシエチルアン
トラセン、９‐ヒドロキシエチルアントラセン、９‐ヒ
ドロキシヘキシルアントラセン、９‐ヒドロキシオクチ
ルアントラセン、９，１０‐ジヒドロキシメチルアント
ラセン、９‐アントラセンカルボン酸、グリシジル化ア
ントラセンカルボン酸、グリシジル化アントリルメチル
アルコール、アントリルメチルアルコールと多価カルボ
ン酸、例えばシュウ酸、マロン酸、メチルマロン酸、エ
チルマロン酸、ジメチルマロン酸、コハク酸、メチルコ
ハク酸、２，２‐ジメチルコハク酸、グルタル酸、アジ
ピン酸、ピメリン酸との縮合生成物、１‐ナフトール、
２‐ナフトール、ナフタレンジオール、ナフタレントリ
オール、１‐ナフタレンメタノール、２‐ナフタレンメ
タノール、１‐（２‐ナフチル）エタノール、ナフタレ
ンカルボン酸、１‐ナフトール‐４‐カルボン酸、１，
８‐ナフタレンジカルボン酸、ナフトールスルホン酸な
どを挙げることができる。また、上記一般式（ＩＩ）〜
（ＩＶ）で表わされる置換基は、用いられる露光光の波
長に対して吸収の高いものを用いることが好ましい。例
えばｉ線（３６５ｎｍ）を用いた場合、ベンゾフェノン
系置換基が好ましく、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８
ｎｍ）を用いた場合、スルホン系あるいはアントラセン
系置換基が好ましい。これらの樹脂成分の質量平均分子
量は、４０００〜１５０００の範囲のものが好ましい。
の例としては、ビス（４‐ヒドロキシフェニル）スルホ
ン、ビス（３‐ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス
（２‐ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（２，４‐
ジヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，４‐ジヒ
ドロキシフェニル）スルホン、ビス（３，５‐ジヒドロ
キシフェニル）スルホン、ビス（３，６‐ジヒドロキシ
フェニル）スルホン、ビス（３，５‐ジメチル‐４‐ヒ
ドロキシフェニル）スルホン及びこれらの水酸基が少な
くとも１個を残してｔｅｒｔ‐ブトキシ基、ｔｅｒｔ‐
ブトキシカルボニルオキシ基、エトキシエトキシ基、テ
トラヒドロキシピラニルオキシ基で置換された化合物、
２，４‐ジヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４‐ト
リヒドロキシベンゾフェノン、２，２′，４，４′‐テ
トラヒドロキシベンゾフェノン、２，２′，５，６′‐
テトラヒドロキシベンゾフェノン、２‐ヒドロキシ‐４
‐メトキシベンゾフェノン、２‐ヒドロキシ‐４‐オク
トキシベンゾフェノン、２‐ヒドロキシ‐４‐ドデシル
オキシベンゾフェノン、２，２′‐ジヒドロキシ‐４‐
メトキシベンゾフェノン、２，６‐ジヒドロキシ‐４‐
メトキシベンゾフェノン、２，２′‐ジヒドロキシ‐
４，４′‐ジメトキシベンゾフェノン、４‐アミノ‐
２′‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジメチルアミノ
‐２′‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジエチルアミ
ノ‐２′‐ヒドロキシベンゾフェノン、４‐ジメチルア
ミノ‐４′‐メトキシ‐２′‐ヒドロキシベンゾフェノ
ン、４‐ジメチルアミノ‐２′，４′‐ジヒドロキシベ
ンゾフェノン、４‐ジメチルアミノ‐３′，４′‐ジヒ
ドロキシベンゾフェノン及びこれらの水酸化物が少なく
とも１個を残してｔｅｒｔ‐ブトキシ基、ｔｅｒｔ‐ブ
トキシカルボニルオキシ基、エトキシエトキシ基、及び
テトラピラニルオキシ基で置換された化合物、１‐ヒド
ロキシアントラセン、９‐ヒドロキシアントラセン、
１，２‐ジヒドロキシアントラセン、１，５‐ジヒドロ
キシアントラセン、９，１０‐ジヒドロキシアントラセ
ン、１，２，３‐トリヒドロキシアントラセン、１，
２，３，４‐テトラヒドロキシアントラセン、１，２，
３，４，５，６‐ヘキサヒドロキシアントラセン、１，
２，３，４，５，６，７，８‐オクタヒドロキシアント
ラセン、１‐ヒドロキシメチルアントラセン、９‐ヒド
ロキシメチルアントラセン、１‐ヒドロキシエチルアン
トラセン、９‐ヒドロキシエチルアントラセン、９‐ヒ
ドロキシヘキシルアントラセン、９‐ヒドロキシオクチ
ルアントラセン、９，１０‐ジヒドロキシメチルアント
ラセン、９‐アントラセンカルボン酸、グリシジル化ア
ントラセンカルボン酸、グリシジル化アントリルメチル
アルコール、アントリルメチルアルコールと多価カルボ
ン酸、例えばシュウ酸、マロン酸、メチルマロン酸、エ
チルマロン酸、ジメチルマロン酸、コハク酸、メチルコ
ハク酸、２，２‐ジメチルコハク酸、グルタル酸、アジ
ピン酸、ピメリン酸との縮合生成物、１‐ナフトール、
２‐ナフトール、ナフタレンジオール、ナフタレントリ
オール、１‐ナフタレンメタノール、２‐ナフタレンメ
タノール、１‐（２‐ナフチル）エタノール、ナフタレ
ンカルボン酸、１‐ナフトール‐４‐カルボン酸、１，
８‐ナフタレンジカルボン酸、ナフトールスルホン酸な
どを挙げることができる。また、上記一般式（ＩＩ）〜
（ＩＶ）で表わされる置換基は、用いられる露光光の波
長に対して吸収の高いものを用いることが好ましい。例
えばｉ線（３６５ｎｍ）を用いた場合、ベンゾフェノン
系置換基が好ましく、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８
ｎｍ）を用いた場合、スルホン系あるいはアントラセン
系置換基が好ましい。これらの樹脂成分の質量平均分子
量は、４０００〜１５０００の範囲のものが好ましい。
【００１２】また、架橋剤成分としては、加熱により自
己同士、あるいは併用する樹脂成分との間で架橋を形成
しうる官能基をもつもの、例えばヒドロキシアルキル基
又はアルコキシアルキル基あるいはその両方で置換され
たアミノ基を少なくとも２個有する含窒素化合物を挙げ
ることができる。このような化合物としては、例えばア
ミノ基の水素原子がメチロール基又はアルコキシメチル
基あるいはその両方で置換されたメラミン、尿素、グア
ナミン、ベンゾグアナミン、グリコールウリル、スクシ
ニルアミド、エチレン尿素などがある。
己同士、あるいは併用する樹脂成分との間で架橋を形成
しうる官能基をもつもの、例えばヒドロキシアルキル基
又はアルコキシアルキル基あるいはその両方で置換され
たアミノ基を少なくとも２個有する含窒素化合物を挙げ
ることができる。このような化合物としては、例えばア
ミノ基の水素原子がメチロール基又はアルコキシメチル
基あるいはその両方で置換されたメラミン、尿素、グア
ナミン、ベンゾグアナミン、グリコールウリル、スクシ
ニルアミド、エチレン尿素などがある。
【００１３】これらの含窒素化合物は、例えばメラミ
ン、尿素、グアナミン、ベンゾグアナミン、グリコール
ウリル、スクシニルアミド、エチレン尿素などを沸騰水
中においてホルマリンと反応させてメチロール化するこ
とにより、あるいはこれにさらにメチルアルコール、エ
チルアルコール、ｎ‐プロピルアルコール、イソプロピ
ルアルコールのような低級アルコールを反応させてアル
コキシ化することにより容易に得ることができる。
ン、尿素、グアナミン、ベンゾグアナミン、グリコール
ウリル、スクシニルアミド、エチレン尿素などを沸騰水
中においてホルマリンと反応させてメチロール化するこ
とにより、あるいはこれにさらにメチルアルコール、エ
チルアルコール、ｎ‐プロピルアルコール、イソプロピ
ルアルコールのような低級アルコールを反応させてアル
コキシ化することにより容易に得ることができる。
【００１４】これらの含窒素化合物の中で、特に一般式
【化５】 （式中のＡは水素原子、アルキル基、アラルキル基、ア
リール基又は−ＮＲ11Ｒ12基を示し、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、
Ｒl0、Ｒ11及びＲ12は互いに同じか異なったもので、そ
れぞれ水素原子、メチロール基又はアルコキシメチル基
を示すが、分子中に存在する４〜６個のＲ7、Ｒ8、
Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11及びＲ12の中の少なくとも２個はメチ
ロール基又はアルコキシメチル基である）で表わされる
化合物は架橋反応性がよいので好ましい。この一般式で
表わされる化合物のメラミン誘導体はメラミン環１個当
り、メチロール基又はアルコキシメチル基を平均３個以
上６個未満有するものが好ましい。このようなメラミン
誘導体又はベンゾグアナミン誘導体の例としては、市販
品のトリアジン環１個当りメトキシメチル基が平均３．
７個置換されているＭＸ−７５０、トリアジン環１個当
りメトキシメチル基が平均５．８個置換されているＭＷ
−３０（いずれも三和ケミカル社製）や、サイメル３０
０、３０１、３０３、３５０、３７０、７７１、３２
５、３２７、７０３、７１２などのメトキシメチル化メ
ラミン、サイメル２３５、２３６、２３８、２１２、２
５３、２５４などのメトキシメチル化ブトキシメチル化
メラミン、サイメル５０６、５０８などのブトキシメチ
ル化メラミン、サイメル１１４１のようなカルボキシル
基含有メトキシメチル化イソブトキシメチル化メラミ
ン、サイメル１１２３のようなメトキシメチル化エトキ
シメチル化ベンゾグアナミン、サイメル１１２３−１０
のようなメトキシメチル化ブトキシメチル化ベンゾグア
ナミン、サイメル１１２８のようなブトキシメチル化ベ
ンゾグアナミン、サイメル１１２５−８０のようなカル
ボキシル基含有メトキシメチル化エトキシメチル化ベン
ゾグアナミン（いずれも三井サイアナミッド社製）など
が挙げられる。また、グリコールウリルの例としては、
サイメル１１７０のようなブトキシメチル化グリコール
ウリル、サイメル１１７２のようなメチロール化グリコ
ールウリルなどが挙げられる。
リール基又は−ＮＲ11Ｒ12基を示し、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、
Ｒl0、Ｒ11及びＲ12は互いに同じか異なったもので、そ
れぞれ水素原子、メチロール基又はアルコキシメチル基
を示すが、分子中に存在する４〜６個のＲ7、Ｒ8、
Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11及びＲ12の中の少なくとも２個はメチ
ロール基又はアルコキシメチル基である）で表わされる
化合物は架橋反応性がよいので好ましい。この一般式で
表わされる化合物のメラミン誘導体はメラミン環１個当
り、メチロール基又はアルコキシメチル基を平均３個以
上６個未満有するものが好ましい。このようなメラミン
誘導体又はベンゾグアナミン誘導体の例としては、市販
品のトリアジン環１個当りメトキシメチル基が平均３．
７個置換されているＭＸ−７５０、トリアジン環１個当
りメトキシメチル基が平均５．８個置換されているＭＷ
−３０（いずれも三和ケミカル社製）や、サイメル３０
０、３０１、３０３、３５０、３７０、７７１、３２
５、３２７、７０３、７１２などのメトキシメチル化メ
ラミン、サイメル２３５、２３６、２３８、２１２、２
５３、２５４などのメトキシメチル化ブトキシメチル化
メラミン、サイメル５０６、５０８などのブトキシメチ
ル化メラミン、サイメル１１４１のようなカルボキシル
基含有メトキシメチル化イソブトキシメチル化メラミ
ン、サイメル１１２３のようなメトキシメチル化エトキ
シメチル化ベンゾグアナミン、サイメル１１２３−１０
のようなメトキシメチル化ブトキシメチル化ベンゾグア
ナミン、サイメル１１２８のようなブトキシメチル化ベ
ンゾグアナミン、サイメル１１２５−８０のようなカル
ボキシル基含有メトキシメチル化エトキシメチル化ベン
ゾグアナミン（いずれも三井サイアナミッド社製）など
が挙げられる。また、グリコールウリルの例としては、
サイメル１１７０のようなブトキシメチル化グリコール
ウリル、サイメル１１７２のようなメチロール化グリコ
ールウリルなどが挙げられる。
【００１５】また、本発明においては、これらの架橋剤
は単独で用いてもよいし、２種以上組み合せて用いても
よい。これらの架橋剤成分は、その質量平均分子量が５
００〜１０００のものを用いることが好ましい。
は単独で用いてもよいし、２種以上組み合せて用いても
よい。これらの架橋剤成分は、その質量平均分子量が５
００〜１０００のものを用いることが好ましい。
【００１６】また、本発明では、上記樹脂成分及び架橋
剤成分からなる固形分の質量平均分子量が１３００〜４
５００、特に２０００〜４０００であることが好まし
い。なお、この範囲を超えるとホール内部にボイドと呼
ばれる隙間が生じ、保護膜としての機能を低下させる。
また、この範囲を下回るとＤｅｎｓｅとＩｓｏの間で膜
厚差が生じ、その後のエッチングの制御が非常に難しく
なる。この固形分の質量平均分子量は、ＧＰＣ測定（カ
ラムにはポリスチレン系ゲルを使用し、装置にはＳＨＯ
ＤＥＸ社製，「ＧＰＣ ＳＹＳＴＥＭ−２１」）で得ら
れるものである。
剤成分からなる固形分の質量平均分子量が１３００〜４
５００、特に２０００〜４０００であることが好まし
い。なお、この範囲を超えるとホール内部にボイドと呼
ばれる隙間が生じ、保護膜としての機能を低下させる。
また、この範囲を下回るとＤｅｎｓｅとＩｓｏの間で膜
厚差が生じ、その後のエッチングの制御が非常に難しく
なる。この固形分の質量平均分子量は、ＧＰＣ測定（カ
ラムにはポリスチレン系ゲルを使用し、装置にはＳＨＯ
ＤＥＸ社製，「ＧＰＣ ＳＹＳＴＥＭ−２１」）で得ら
れるものである。
【００１７】本発明における有機溶剤としては、上記２
成分を溶解しうるものであればどのようなものでもよ
く、特に制限はない。このようなものの例としては、ア
セトン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シク
ロヘキサノン、メチルイソアミルケトン、２‐ヘプタノ
ン、１，１，１‐トリメチルアセトンなどのケトン類
や、エチレングリコール、エチレングリコールモノアセ
テート、ジエチレングリコール又はジエチレングリコー
ルモノアセテート、あるいはこれらのモノメチルエーテ
ル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル又はモ
ノフェニルエーテルなどの多価アルコール類及びその誘
導体や、ジオキサンのような環状エーテル類や、乳酸エ
チル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン
酸メチル、ピルビン酸エチル、３‐メトキシプロピオン
酸メチル、３‐エトキシプロピオン酸エチルなどのエス
テル類などがある。これらは単独で用いてもよいし、２
種以上を混合して用いてもよい。
成分を溶解しうるものであればどのようなものでもよ
く、特に制限はない。このようなものの例としては、ア
セトン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シク
ロヘキサノン、メチルイソアミルケトン、２‐ヘプタノ
ン、１，１，１‐トリメチルアセトンなどのケトン類
や、エチレングリコール、エチレングリコールモノアセ
テート、ジエチレングリコール又はジエチレングリコー
ルモノアセテート、あるいはこれらのモノメチルエーテ
ル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル又はモ
ノフェニルエーテルなどの多価アルコール類及びその誘
導体や、ジオキサンのような環状エーテル類や、乳酸エ
チル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン
酸メチル、ピルビン酸エチル、３‐メトキシプロピオン
酸メチル、３‐エトキシプロピオン酸エチルなどのエス
テル類などがある。これらは単独で用いてもよいし、２
種以上を混合して用いてもよい。
【００１８】また、本発明の保護膜形成材料には、塗布
性の向上やストリエーション防止のために、所望により
界面活性剤を添加することもできる。このような界面活
性剤としては、例えばサーフロンＳＣ−１０３、ＳＲ−
１００（旭硝子社製）、ＥＦ−３５１（東北肥料社
製）、フロラードＦｃ−４３１、フロラードＦｃ−１３
５、フロラードＦｃ−９８、フロラードＦｃ−４３０、
フロラードＦｃ−１７６（住友３Ｍ社製）などのフッ素
系界面活性剤を挙げることができる。この場合の添加量
としては、反射防止膜層の形成用溶液の固形分に対し
て、２０００ｐｐｍ未満の範囲で選ぶのが好ましい。
性の向上やストリエーション防止のために、所望により
界面活性剤を添加することもできる。このような界面活
性剤としては、例えばサーフロンＳＣ−１０３、ＳＲ−
１００（旭硝子社製）、ＥＦ−３５１（東北肥料社
製）、フロラードＦｃ−４３１、フロラードＦｃ−１３
５、フロラードＦｃ−９８、フロラードＦｃ−４３０、
フロラードＦｃ−１７６（住友３Ｍ社製）などのフッ素
系界面活性剤を挙げることができる。この場合の添加量
としては、反射防止膜層の形成用溶液の固形分に対し
て、２０００ｐｐｍ未満の範囲で選ぶのが好ましい。
【００１９】本発明の保護膜形成材料は、Ｄｅｎｓｅ部
とＩｓｏ部からなるパターンを有する基板上に塗布する
のに適しているが、このＤｅｎｓｅ部とＩｓｏ部との関
係は、例えば図２に示すように、Ｄｅｎｓｅ部が複数個
のホールがそのホールの直径の２〜３倍程度又はそれ以
内の距離に密集し、それから前記の距離以上のある一定
の距離を距てて孤立したホールからなるＩｓｏ部が設け
られているものをいう。
とＩｓｏ部からなるパターンを有する基板上に塗布する
のに適しているが、このＤｅｎｓｅ部とＩｓｏ部との関
係は、例えば図２に示すように、Ｄｅｎｓｅ部が複数個
のホールがそのホールの直径の２〜３倍程度又はそれ以
内の距離に密集し、それから前記の距離以上のある一定
の距離を距てて孤立したホールからなるＩｓｏ部が設け
られているものをいう。
【００２０】
【実施例】次に実施例、比較例により本発明をさらに詳
細に説明する。なお、各例で用いたＤｅｎｓｅ部−Ｉｓ
ｏ部のホールパターンのサンプルは、Ｄｅｎｓｅ部とし
て直径２５０ｎｍのホール３個が５００ｎｍの間隔で設
けられ、Ｉｓｏ部としてＤｅｎｓｅ部の最外部のホール
から５０００ｎｍ離れて、上記と同じホールを有するも
のである。
細に説明する。なお、各例で用いたＤｅｎｓｅ部−Ｉｓ
ｏ部のホールパターンのサンプルは、Ｄｅｎｓｅ部とし
て直径２５０ｎｍのホール３個が５００ｎｍの間隔で設
けられ、Ｉｓｏ部としてＤｅｎｓｅ部の最外部のホール
から５０００ｎｍ離れて、上記と同じホールを有するも
のである。
【００２１】実施例１ ジヒドロキシフェニルスルホン構造を有するアクリル系
樹脂である質量平均分子量が５８２１のＰＡＣ１０２
（ダイトー社製）及びメラミン誘導体である質量平均分
子量が５９９のＭＸ−７５０（三和ケミカル社製）の
６：４の混合物をプロピレングリコールに溶解させ、こ
の固形分濃度を２質量％として保護膜形成材料を調製し
た。この際の固形分質量平均分子量は４２２６であっ
た。また、図２に示すようなＤｅｎｓｅ部−Ｉｓｏ部の
ホールパターンが形成された基板に対して、上記保護膜
形成材料をスピンナー塗布し、１８０℃にて９０秒間ベ
ークし、ホールパターン上に保護膜を形成させた。その
断面図をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）により観察したと
ころ、パターン内部でのボイドの発生はなく、Ｄｅｎｓ
ｅ部−Ｉｓｏ部パターン間での膜厚差は２４３ｎｍ程度
であった。
樹脂である質量平均分子量が５８２１のＰＡＣ１０２
（ダイトー社製）及びメラミン誘導体である質量平均分
子量が５９９のＭＸ−７５０（三和ケミカル社製）の
６：４の混合物をプロピレングリコールに溶解させ、こ
の固形分濃度を２質量％として保護膜形成材料を調製し
た。この際の固形分質量平均分子量は４２２６であっ
た。また、図２に示すようなＤｅｎｓｅ部−Ｉｓｏ部の
ホールパターンが形成された基板に対して、上記保護膜
形成材料をスピンナー塗布し、１８０℃にて９０秒間ベ
ークし、ホールパターン上に保護膜を形成させた。その
断面図をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）により観察したと
ころ、パターン内部でのボイドの発生はなく、Ｄｅｎｓ
ｅ部−Ｉｓｏ部パターン間での膜厚差は２４３ｎｍ程度
であった。
【００２２】実施例２ 実施例１で用いたＰＡＣ１０２とＭＸ−７５０の配合割
合を４：６とした以外は、実施例１と同様の操作により
ホールパターン上に保護膜を形成させた。この際の固形
分質量平均分子量は３２３５であった。その結果、パタ
ーン内にボイドの発生もなく、Ｄｅｎｓｅ部−Ｉｓｏ部
間の膜厚差は２０９．５ｎｍ程度であった。
合を４：６とした以外は、実施例１と同様の操作により
ホールパターン上に保護膜を形成させた。この際の固形
分質量平均分子量は３２３５であった。その結果、パタ
ーン内にボイドの発生もなく、Ｄｅｎｓｅ部−Ｉｓｏ部
間の膜厚差は２０９．５ｎｍ程度であった。
【００２３】比較例１ 実施例１で用いたＰＡＣ１０２とＭＸ−７５０の配合割
合を８：２とした以外は、実施例１と同様の操作により
ホールパターン上に保護膜を形成させた。この際の固形
分質量平均分子量は５０８６であった。その結果、ホー
ル内にボイドが発生したため、完全にホールを埋込むこ
とができなかった。
合を８：２とした以外は、実施例１と同様の操作により
ホールパターン上に保護膜を形成させた。この際の固形
分質量平均分子量は５０８６であった。その結果、ホー
ル内にボイドが発生したため、完全にホールを埋込むこ
とができなかった。
【００２４】比較例２ 実施例１で用いたＰＡＣ１０２とＭＸ−７５０の配合割
合を１：９とした以外は、実施例１と同様の操作により
ホールパターン上に保護膜を形成させた。この際の固形
分質量平均分子量は１２６８であった。その結果、パタ
ーン内にボイドの発生はなかったものの、Ｄｅｎｓｅ部
−Ｉｓｏ部間での膜厚差が４２５．２μｍとなり、それ
以降のリソグラフィー工程の障害となった。
合を１：９とした以外は、実施例１と同様の操作により
ホールパターン上に保護膜を形成させた。この際の固形
分質量平均分子量は１２６８であった。その結果、パタ
ーン内にボイドの発生はなかったものの、Ｄｅｎｓｅ部
−Ｉｓｏ部間での膜厚差が４２５．２μｍとなり、それ
以降のリソグラフィー工程の障害となった。
【００２５】
【発明の効果】本発明の保護膜形成材料を用いると、デ
ュアルダマシンプロセスにおいて形成された微細構造レ
ジストパターン上に保護膜を設ける場合に、Ｄｅｎｓｅ
部とＩｓｏ部との間に生じる膜厚差を平坦化することが
でき、後続のトレンチ形成のためのリソグラフィー処理
を円滑に行うことができる。
ュアルダマシンプロセスにおいて形成された微細構造レ
ジストパターン上に保護膜を設ける場合に、Ｄｅｎｓｅ
部とＩｓｏ部との間に生じる膜厚差を平坦化することが
でき、後続のトレンチ形成のためのリソグラフィー処理
を円滑に行うことができる。
【図１】 従来方法における保護膜の状態を示す断面
図。
図。
【図２】 Ｄｅｎｓｅ部とＩｓｏ部を有するレジストパ
ターンの断面図。
ターンの断面図。
フロントページの続き (72)発明者 脇屋 和正 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内 Ｆターム(参考） 5F033 MM02 QQ01 WW00 5F058 AA06 AC02 AC10 AF04 AG01 AH02
Claims (5)
- 【請求項１】 樹脂成分と架橋剤成分とを質量比２：８
ないし４：６の割合で含む固形分と有機溶剤からなる組
成物において、上記固形分の質量平均分子量を１３００
〜４５００の範囲に調整したことを特徴とするデュアル
ダマシンプロセス用保護膜形成材料。 - 【請求項２】 固形分中の樹脂成分の質量平均分子量が
４０００〜１５０００の範囲にある請求項１記載のデュ
アルダマシンプロセス用保護膜形成材料。 - 【請求項３】 樹脂成分がアクリル系樹脂である請求項
１又は２記載のデュアルダマシンプロセス用保護膜形成
材料。 - 【請求項４】 架橋剤成分がトリアジン構造を有する化
合物である請求項１ないし３のいずれかに記載のデュア
ルダマシンプロセス用保護膜形成材料。 - 【請求項５】 架橋剤成分の質量平均分子量が５００〜
１０００の範囲にある請求項４記載のデュアルダマシン
プロセス用保護膜形成材料。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000387638A JP3568158B2 (ja) | 2000-12-20 | 2000-12-20 | 保護膜形成材料 |
| TW090130672A TWI283259B (en) | 2000-12-20 | 2001-12-11 | Protective coating composition for dual damascene process |
| US10/011,277 US6734258B2 (en) | 2000-12-20 | 2001-12-11 | Protective coating composition for dual damascene process |
| KR10-2001-0080420A KR100489313B1 (ko) | 2000-12-20 | 2001-12-18 | 듀얼다마신프로세스용 보호피막조성물 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000387638A JP3568158B2 (ja) | 2000-12-20 | 2000-12-20 | 保護膜形成材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002190519A true JP2002190519A (ja) | 2002-07-05 |
| JP3568158B2 JP3568158B2 (ja) | 2004-09-22 |
Family
ID=18854528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000387638A Expired - Fee Related JP3568158B2 (ja) | 2000-12-20 | 2000-12-20 | 保護膜形成材料 |
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| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP3568158B2 (ja) |
| KR (1) | KR100489313B1 (ja) |
| TW (1) | TWI283259B (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004074938A1 (ja) | 2003-02-21 | 2004-09-02 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | アクリル系ポリマーを含有するリソグラフィー用ギャップフィル材形成組成物 |
| WO2005013601A1 (ja) | 2003-07-30 | 2005-02-10 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 保護されたカルボキシル基を有する化合物を含むリソグラフィー用下層膜形成組成物 |
| WO2006003850A1 (ja) | 2004-07-02 | 2006-01-12 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | ハロゲン原子を有するナフタレン環を含むリソグラフィー用下層膜形成組成物 |
| WO2006115044A1 (ja) | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 光架橋硬化のレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成組成物 |
| WO2008047638A1 (fr) | 2006-10-12 | 2008-04-24 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur à l'aide d'un film sous-résist durci par photoréticulation |
| US7365023B2 (en) | 2003-04-17 | 2008-04-29 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Porous underlayer coating and underlayer coating forming composition for forming porous underlayer coating |
| US7687223B2 (en) | 2004-11-01 | 2010-03-30 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Underlayer coating forming composition for lithography containing cyclodextrin compound |
| US7794919B2 (en) | 2003-04-02 | 2010-09-14 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Composition for forming underlayer coating for lithography containing epoxy compound and carboxylic acid compound |
| US8048615B2 (en) | 2005-12-06 | 2011-11-01 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Silicon-containing resist underlayer coating forming composition for forming photo-crosslinking cured resist underlayer coating |
| US8481247B2 (en) | 2006-08-28 | 2013-07-09 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Resist underlayer film forming composition containing liquid additive |
| US8916327B2 (en) | 2003-10-30 | 2014-12-23 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Underlayer coating forming composition containing dextrin ester compound |
| CN107229185A (zh) * | 2016-03-25 | 2017-10-03 | 东京应化工业株式会社 | 能量敏感性组合物、固化物及固化物的制造方法 |
| US10509320B2 (en) | 2005-01-21 | 2019-12-17 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Underlying coating forming composition for lithography containing compound having protected carboxyl group |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7038328B2 (en) * | 2002-10-15 | 2006-05-02 | Brewer Science Inc. | Anti-reflective compositions comprising triazine compounds |
| KR20240001536A (ko) | 2022-06-27 | 2024-01-03 | (주)아모레퍼시픽 | 발광 기능을 갖는 화장료 도포기구 및 이를 포함하는 화장품 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59184265A (ja) * | 1983-04-02 | 1984-10-19 | Nippon Paint Co Ltd | 塗料組成物 |
| DE19525375A1 (de) | 1995-07-12 | 1997-01-16 | Herberts Gmbh | Überzugsmittel, deren Verwendung und Verfahren zur Herstellung von Mehrschichtüberzügen |
| DE19529124C1 (de) | 1995-08-08 | 1996-11-21 | Herberts Gmbh | Überzugsmittel und deren Verwendung in Verfahren zur Herstellung von Mehrschichtüberzügen |
| DE19715694B4 (de) * | 1996-04-17 | 2006-01-19 | Kansai Paint Co., Ltd., Amagasaki | Verfahren zur Bildung eines mehrschichtigen Überzugs und nach dem Verfahren beschichteter Gegenstand |
| US6080296A (en) | 1996-06-12 | 2000-06-27 | Herberts Gmbh | Process for the production of multi-layer lacquer coatings on electrically conductive substrates |
| US6017639A (en) * | 1996-10-23 | 2000-01-25 | Valspar Corporation | Vinylidene difluoride-based coating compositions |
| DE19712940C2 (de) | 1997-03-27 | 1999-06-02 | Basf Coatings Ag | Wäßriges Beschichtungsmittel und Verfahren zur Herstellung eines mehrschichtigen Überzugs |
| JP3501280B2 (ja) * | 1998-08-31 | 2004-03-02 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| KR20000033546A (ko) * | 1998-11-24 | 2000-06-15 | 윤종용 | 다마신 공정으로 형성된 도전성 배선을 구비하는 반도체장치 및그 제조방법 |
| JP4082812B2 (ja) * | 1998-12-21 | 2008-04-30 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法および多層配線構造の形成方法 |
| JP2000299377A (ja) * | 1999-04-14 | 2000-10-24 | Sony Corp | 多層配線およびその形成方法 |
| CN1658375B (zh) * | 1999-08-26 | 2011-03-30 | 布鲁尔科技公司 | 改进的用于双金属镶嵌方法中的填充物料 |
-
2000
- 2000-12-20 JP JP2000387638A patent/JP3568158B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-12-11 TW TW090130672A patent/TWI283259B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-12-11 US US10/011,277 patent/US6734258B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-12-18 KR KR10-2001-0080420A patent/KR100489313B1/ko active IP Right Grant
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004074938A1 (ja) | 2003-02-21 | 2004-09-02 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | アクリル系ポリマーを含有するリソグラフィー用ギャップフィル材形成組成物 |
| US8007979B2 (en) | 2003-02-21 | 2011-08-30 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Acrylic polymer-containing gap fill material forming composition for lithography |
| EP2343597A2 (en) | 2003-04-02 | 2011-07-13 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Composition for forming underlayer coating for lithography containing epoxy compound and carboxylic acid compound |
| US8460855B2 (en) | 2003-04-02 | 2013-06-11 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Composition for forming underlayer coating for litography containing epoxy compound and carboxylic acid compound |
| US7794919B2 (en) | 2003-04-02 | 2010-09-14 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Composition for forming underlayer coating for lithography containing epoxy compound and carboxylic acid compound |
| US7365023B2 (en) | 2003-04-17 | 2008-04-29 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Porous underlayer coating and underlayer coating forming composition for forming porous underlayer coating |
| WO2005013601A1 (ja) | 2003-07-30 | 2005-02-10 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | 保護されたカルボキシル基を有する化合物を含むリソグラフィー用下層膜形成組成物 |
| US7226721B2 (en) | 2003-07-30 | 2007-06-05 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Underlayer coating forming composition for lithography containing compound having protected carboxyl group |
| US8916327B2 (en) | 2003-10-30 | 2014-12-23 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Underlayer coating forming composition containing dextrin ester compound |
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