JP2002184905A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
フロー時に、半導体装置から水分を効果的に外部に排出
できるようにする。 【解決手段】 半導体チップ1が回路基板2上に接着樹
脂層3を介して搭載され、回路基板2に水分排出孔7が
形成されている。接着樹脂層3における水分排出孔7に
露出する部分には、水分排出孔7の開口径より大きい開
口幅を有する凹部8が形成されている。
Description
を樹脂層を介して回路基板上に搭載し、例えばBGA
(Ball Grid Array)やCSP(Chi
p Scale Package)などのパッケージ構
造を有する半導体装置およびその製造方法に関するもの
である。
導体装置の軽薄短小化への要求がますます高まってい
る。これらの要求に対応して、BGAやCSPタイプの
樹脂封止型の半導体装置が広く用いられるようになって
いる。
グタイプのCSPの一例を示す。この半導体装置では、
半導体チップ51が接着フィルムやペースト状の接着樹
脂層53を用いて回路基板52上に固定されている。半
導体チップ51は回路基板52の上面に形成された金属
配線54とワイヤー55(ワイヤーボンディング)によ
り接続され、金属配線54は回路基板52の下面に設け
られたはんだボール56と回路基板52に形成された貫
通孔57を通じて接続されている。この半導体装置で
は、半導体チップ51およびワイヤー55の保護のため
に、回路基板52上の半導体チップ搭載面が樹脂モール
ド層58により被覆されている。
のCSPの一例を示す。この半導体装置では、半導体チ
ップ51が接着樹脂層53を用いて回路基板52の上面
に固定されている。上記接着樹脂層53としては、絶縁
性あるいは異方導電性のシート状やペースト状のものが
用いられる。半導体チップ51の電極(図示せず)上に
形成された突起電極59は回路基板52の電極と接続さ
れ、回路基板52上の金属配線54は、同様に、回路基
板52の下面に設けられたはんだボール56と回路基板
52に形成された貫通孔57を通じて接続されている。
ップ51を回路基板52上に搭載する他の方法として
は、回路基板52上に半導体チップ51をフリップチッ
プ接続した後、半導体チップ51と回路基板52の界面
に液状の封止樹脂を注入する手法もある。これらフリッ
プチップ接続の場合、前記樹脂モールド層58は必ずし
も必要ではない。
置は別の実装基板上にリフロー接続して使用される。し
かしながら、このような半導体装置において、回路基板
52を形成する基材や、樹脂などの半導体装置の構成材
料は空気中の水分を吸湿する。この水分は、上記のリフ
ローによる実装時に温度の上昇とともに蒸気となって膨
張し、半導体装置内部での膨れや剥離の原因となる、い
わゆるポップコーン現象を引き起こすことがある。した
がって、半導体装置では上記水分の存在が問題となって
いる。
技術では、図9(a)に示すように、回路基板52にお
ける接着樹脂層53を露出させる位置に、回路基板52
を貫通する小孔、即ち水分排出孔60を形成し、この水
分排出孔60を通じて、半導体装置の内部に溜まった水
分を効率よく排出するようにしている。
技術では、図9(b)に示すように、回路基板52の裏
面から回路基板52と接着樹脂層53を貫通する小孔、
即ち水分排出孔61を形成し、この水分排出孔61を通
じて水分の排出を容易にする手法が提案されている。
半導体装置には次のような問題がある。即ち、特開平9
−121002号公報の技術では、回路基板52に半導
体チップ51を搭載する前に、あらかじめ水分排出孔6
0を形成している。このような構成では、回路基板52
上への半導体チップ51の搭載に、ペースト状の接着剤
などの流動性の接着剤や加熱により一時的に粘度が低下
し流動する樹脂を接着樹脂層53の材料として使用する
ことができない。即ち、前記接着剤や樹脂が水分排出孔
60から洩れ出す虞、あるいはそれら流出物により水分
排出孔60が塞がれてしまう虞がある。同様の理由か
ら、フリップチップ接続においても、接着樹脂層53と
してフィルム状あるいはペースト状の異方導電性接着剤
や熱硬化性の接着剤やアンダーフィル剤を用いることが
できない。このため、使用材料や製造工程に大幅な制限
を受けることになる。
技術では、これらの問題に対処すべく、半導体チップ5
1を回路基板52に搭載した後、回路基板52および接
着樹脂層53に水分排出孔61を形成している。
ーザーにより回路基板52の裏面から水分排出孔61を
形成する際に、孔開け作業の終点を決めるのが困難であ
る。即ち、半導体装置が図9(b)に示したようなワイ
ヤーボンディングタイプの場合、半導体チップ51の非
接続面が回路基板52と対向しているので、レーザーが
半導体チップ51の背面に達することで終点とすること
ができる。これに対し、半導体装置がフリップチップタ
イプの場合、半導体チップ51の接続面が回路基板52
と対向しているので、半導体チップ51の接続面(表
面)にレーザーが達することとなり、半導体装置の特性
に悪影響を与える。また、半導体チップ51の接続面が
水分排出孔61を通じて露出し、外気に晒されることに
なるので、半導体チップ51の耐湿性が劣化するという
問題が生じる。
装置からの水分の排出機能は水分排出孔60、61の径
に影響され、径が大きい程、水分排出機能が高くなる。
一方、水分排出孔60、61の径は、水分排出孔60、
61を形成するレーザービームの径あるいはドリルの径
により決定される。例えば、作業効率の良いレーザービ
ームを使用した場合、その径は大きくし難く、したがっ
て水分排出孔60、61の径も大きくし難い。また、ド
リルを使用した場合、水分排出孔60、61の径を大き
くすることは容易であるものの、回路基板52に形成さ
れている配線パターン(金属配線54)との関係等か
ら、水分排出孔60、61の径を十分に大きくし、十分
な水分排出機能を得ることが困難である。
実装基板に搭載する際のリフロー時に、回路基板に形成
した水分排出孔を通じて半導体装置から水分を効果的に
外部に排出できる半導体装置の提供を目的としている。
さらに、回路基板に水分排出孔を形成する際の孔開け処
理から半導体チップを保護でき、かつ回路基板に半導体
チップを搭載する際に、回路基板の水分排出孔から、回
路基板と半導体チップとの間の接着樹脂層等の中間層の
材料が流出することを防止できる半導体装置の製造方法
の提供を目的としている。
めに、本発明の半導体装置は、半導体チップが回路基板
上に中間層(例えば半導体チップを回路基板上に固定す
るための接着樹脂層、あるいはソルダーレジスト層など
の樹脂層)を介して搭載され、前記回路基板に水分排出
孔が形成されている半導体装置において、前記中間層に
おける前記水分排出孔に露出する部分には、前記水分排
出孔の開口径より大きい開口幅を有する凹部が形成され
ていることを特徴としている。
を封止するモールド樹脂層、回路基板と半導体チップと
の間の中間層としての例えば半導体チップを回路基板に
固定する接着樹脂層やソルダーレジスト層、あるいは半
導体チップを搭載する回路基板が含んでいる水分は、例
えば半導体装置を他の実装基板に搭載するリフロー時に
おいて、中間層に形成された凹部および回路基板に形成
された水分排出孔を通じ、例えば蒸気として排出され
る。
路基板に形成された水分排出孔の径よりも大きい開口幅
を有しているので、凹部の開口幅が水分排出孔の径と同
一である場合と比較して、水分排出孔の径を大きくする
ことなく水分の排出機能を高めることができる。この結
果、例えば前記リフロー時に生じる蒸気が半導体装置内
部において膨張し、中間層と回路基板との間や、モール
ド樹脂と回路基板との間にて剥離を生ずるような不具合
を確実に防ぐことができる。
数個形成され、前記凹部が複数の前記水分排出孔を連結
するように形成されている構成としてもよい。
た水分排出孔の複数個が中間層に形成された凹部により
連結されているので、凹部および水分排出孔を通じての
半導体装置からの水分の排出を効率よく行うことができ
る。
モールド樹脂層にて覆われている構成としてもよい。
ルド樹脂層にて覆われている半導体装置であっても、前
記凹部および水分排出孔を通じての半導体装置からの水
分の排出を適切に行うことができる。
板の半導体チップ搭載面上に中間層(例えば半導体チッ
プを回路基板上に固定するための接着樹脂層、あるいは
ソルダーレジスト層などの樹脂層)を介して半導体チッ
プを搭載するとともに、回路基板に水分排出孔を形成す
る半導体装置の製造方法において、回路基板の半導体チ
ップ搭載面における前記水分排出孔を形成する位置に、
前記水分排出孔の半導体チップ搭載面側端部を覆うよう
に保護用仮配線を形成する保護用仮配線形成工程と、前
記保護用仮配線形成工程の後に、回路基板の半導体チッ
プ搭載面上に中間層を介して半導体チップを搭載する半
導体チップ搭載工程と、前記保護用仮配線形成工程の後
に、回路基板の前記半導体チップ搭載面とは反対側の面
から回路基板に前記水分排出孔を形成する水分排出孔形
成工程と、前記半導体チップ搭載工程の後に、前記水分
排出孔を通じて、前記保護用仮配線を除去する保護用仮
配線除去工程とを備えていることを特徴としている。
程にて、回路基板の半導体チップ搭載面における水分排
出孔を形成する位置に、半導体チップ搭載面側端部を覆
うように保護用仮配線が形成され、この保護用仮配線形
成工程の後の半導体チップ搭載工程にて、回路基板の半
導体チップ搭載面上に中間層を介して半導体チップが搭
載される。次に、保護用仮配線形成工程の後の水分排出
孔形成工程にて、回路基板の半導体チップ搭載面とは反
対側の面から回路基板に水分排出孔が形成される。この
水分排出孔に形成には例えばレーザーが使用され、レー
ザーが回路基板を貫通し、保護用仮配線に到達したとき
に、水分排出孔の形成が終了する。次に、半導体チップ
搭載工程の後の保護用仮配線除去工程にて、水分排出孔
を通じて保護用仮配線が除去される。この保護用仮配線
の除去は、水分排出孔を通じての例えばエッチングによ
り行われる。この工程の結果、中間層には、回路基板の
水分排出孔とつながった保護用仮配線の形状の凹部が形
成される。
て回路基板に搭載する半導体チップ搭載工程において、
中間層を形成する材料、例えば半導体チップを回路基板
上に固定するための接着樹脂、あるいはソルダーレジス
トなどの樹脂材料が水分排出孔から流出する事態を防止
することができる。
レーザーを使用して水分排出孔を形成する場合に、水分
排出孔の形成処理の終点は、レーザーが回路基板を貫通
し、保護用仮配線に到達したときとなるので、その終点
の判定が容易となる。この結果、レーザーが半導体チッ
プに照射されて半導体チップが損傷する事態や半導体チ
ップの特性に悪影響を受ける事態を防止することができ
る。また、半導体チップが外気に晒され、半導体チップ
の耐湿性が劣化する事態も防止することができる。
体チップ搭載面側端部を覆うように形成されたものであ
るから、この保護用仮配線を除去して形成される凹部
は、水分排出孔の径よりも大きい開口幅を有するものと
なる。したがって、凹部の開口幅が水分排出孔の径と同
一である場合と比較して、半導体装置からの凹部および
水分排出孔を通じての水分の排出機能を、水分排出孔の
径を大きくすることなく高めることができる。この結
果、例えば前記リフロー時に生じる蒸気が半導体装置内
部において膨張し、中間層と回路基板との間や、モール
ド樹脂と回路基板との間にて剥離を生ずるような不具合
を確実に防ぐことができる。
板の半導体チップ搭載面上に中間層(例えば半導体チッ
プを回路基板上に固定するための接着樹脂層、あるいは
ソルダーレジスト層などの樹脂層)を介して半導体チッ
プを搭載するとともに、回路基板に水分排出孔を形成す
る半導体装置の製造方法において、回路基板の半導体チ
ップ搭載面に前記水分排出孔を形成する水分排出孔形成
工程と、前記水分排出孔形成工程の後に、回路基板の半
導体チップ搭載面に前記水分排出孔の半導体チップ搭載
面側端部を覆うように保護用仮配線を形成する保護用仮
配線形成工程と、前記保護用仮配線形成工程の後に、回
路基板の半導体チップ搭載面上に中間層を介して半導体
チップを搭載する半導体チップ搭載工程と、前記半導体
チップ搭載工程の後に、前記水分排出孔を通じて、前記
保護用仮配線を除去する保護用仮配線除去工程とを備え
ていることを特徴としている。
層を介して回路基板に搭載する半導体チップ搭載工程に
おいては、水分排出孔の半導体チップ搭載面側端部が保
護用仮配線にて覆われているので、中間層を形成する材
料、例えば半導体チップを回路基板上に固定するための
接着樹脂、あるいはソルダーレジストなどの樹脂材料が
水分排出孔から流出する事態を防止することができる。
プ搭載工程に先立って行われるので、例えばレーザーを
使用して水分排出孔を形成する場合に、レーザーが半導
体チップに照射されて半導体チップが損傷する事態や半
導体チップの特性に悪影響を受ける事態を防止すること
ができる。また、半導体チップが外気に晒され、半導体
チップの耐湿性が劣化する事態も防止することができ
る。
体チップ搭載面側端部を覆うように形成されたものであ
るから、この保護用仮配線を除去して形成される凹部
は、水分排出孔の径よりも大きい開口幅を有するものと
なる。したがって、凹部の開口幅が水分排出孔の径と同
一である場合と比較して、半導体装置からの凹部および
水分排出孔を通じての水分の排出機能を、水分排出孔の
径を大きくすることなく高めることができる。この結
果、例えば前記リフロー時に生じる蒸気が半導体装置内
部において膨張し、中間層と回路基板との間や、モール
ド樹脂と回路基板との間にて剥離を生ずるような不具合
を確実に防ぐことができる。
板の半導体チップ搭載面上に中間層(例えば半導体チッ
プを回路基板上に固定するための接着樹脂層、あるいは
ソルダーレジスト層などの樹脂層)を介して半導体チッ
プを搭載するとともに、回路基板に水分排出孔を形成す
る半導体装置の製造方法において、回路基板の前記水分
排出孔の半導体チップ搭載面側端部を覆う位置に保護用
仮配線を形成するとともに、回路基板に水分排出孔を形
成する保護用仮配線・水分排出孔形成工程と、前記保護
用仮配線・水分排出孔形成工程の後に、回路基板の半導
体チップ搭載面上に中間層を介して半導体チップを搭載
する半導体チップ搭載工程と、前記半導体チップ搭載工
程の後に、前記水分排出孔を通じて、前記保護用仮配線
を除去する保護用仮配線除去工程とを備えていることを
特徴としている。
排出孔形成工程にて、回路基板の水分排出孔の半導体チ
ップ搭載面側端部を覆う位置に保護用仮配線が形成さ
れ、回路基板に水分排出孔が形成される。これら保護用
仮配線と水分排出孔との形成順序は何れが先であっても
よい。次に、保護用仮配線・水分排出孔形成工程の後の
半導体チップ搭載工程にて、回路基板の半導体チップ搭
載面上に中間層を介して半導体チップをが搭載され、半
導体チップ搭載工程の後の保護用仮配線除去工程にて、
水分排出孔を通じて、例えばエッチングにより保護用仮
配線が除去される。
て回路基板に搭載する半導体チップ搭載工程において
は、水分排出孔の半導体チップ搭載面側端部が保護用仮
配線にて覆われているので、中間層を形成する材料、例
えば半導体チップを回路基板上に固定するための接着樹
脂、あるいはソルダーレジストなどの樹脂材料が水分排
出孔から流出する事態を防止することができる。
プ搭載工程に先立って行われるので、例えばレーザーを
使用して水分排出孔を形成する場合に、レーザーが半導
体チップに照射されて半導体チップが損傷する事態や半
導体チップの特性に悪影響を受ける事態を防止すること
ができる。また、半導体チップが外気に晒され、半導体
チップの耐湿性が劣化する事態も防止することができ
る。
体チップ搭載面側端部を覆うように形成されたものであ
るから、この保護用仮配線を除去して形成される凹部
は、水分排出孔の径よりも大きい開口幅を有するものと
なる。したがって、凹部の開口幅が水分排出孔の径と同
一である場合と比較して、半導体装置からの凹部および
水分排出孔を通じての水分の排出機能を、水分排出孔の
径を大きくすることなく高めることができる。この結
果、例えば前記リフロー時に生じる蒸気が半導体装置内
部において膨張し、中間層と回路基板との間や、モール
ド樹脂と回路基板との間にて剥離を生ずるような不具合
を確実に防ぐことができる。
配線・水分排出孔形成工程にて、前記水分排出孔を複数
個形成し、前記保護用仮配線を複数個の水分排出孔を連
結するように形成する構成としてもよい。
孔が複数個形成され、保護用仮配線が複数個の水分排出
孔を連結するように形成されるので、保護用仮配線を除
去して中間層に形成される凹部は、複数個の水分排出孔
を連結したものとなる。これにより、凹部および水分排
出孔を通じての半導体装置からの水分の排出を効率よく
行うことができる。
用仮配線を、回路基板に形成する他の配線と同じ材料を
使用して他の配線の形成工程内にて行う構成としてもよ
い。
程を独立した工程とせず、回路基板の形成工程に含める
ことができる。これにより、工程の増加を回避すること
ができる。
排出孔の形成をレーザーを使用して行う構成としてもよ
い。
分排出孔の形成を効率のよいレーザーを使用して行う構
成に適したものであり、レーザーを使用して水分排出孔
を形成する場合に、レーザーが半導体チップに照射され
て半導体チップが損傷し、あるいは特性の悪化を生じる
事態を確実に防止することができる。
体チップをフリップチップ接続にて回路基板に搭載する
構成としてもよい。
導体チップの接続面を回路基板に対向させて搭載するフ
リップチップ接続にて回路基板に搭載する構成に適した
ものであり、水分排出孔形成工程において、半導体チッ
プの接続面に損傷等を受ける事態を確実に防止すること
ができる。
分を効果的に外部に排出することで半導体装置の信頼性
を確保し、かつ流動性の良い接着剤を用いるさまざまな
接続方法に対応できる半導体装置とその製造方法を提供
する。
線が形成され、さらにその一部は、後工程で形成される
水分排出孔を覆うように形成される。また、はんだボー
ル搭載用の貫通孔はこの時点で形成されていても、後工
程で形成してもよい。また必要に応じて、回路基板の半
導体チップ搭載面側の配線上には接続端子部分以外にソ
ルダーレジスト層を形成することも可能である。
ースト状の接着剤が供給され、半導体チップが搭載され
る。ワイヤーボンディング法の場合はダイボンドペース
トやダイボンドシートが用いられ、フリップチップ接続
の場合には異方導電性接着剤や、絶縁性の接着剤を介し
て半導体チップが搭載される。また、これらの接着剤を
用いないでフリップチップ接続した場合は、回路基板と
半導体チップの界面にアンダーフィル剤と呼ばれる液状
の封止樹脂を注入し硬化することもできる。これらの接
続方法や材料はここに示したものに限らない。
側を樹脂モールドし、回路基板のはんだボール搭載部に
はんだボールを搭載する。
ーザーやドリルを用いて回路基板に水分排出孔を形成す
る。回路基板の半導体チップ搭載面には保護用仮配線が
形成されているため、レーザーは回路基板だけを貫通し
保護用仮配線で止まる。
保護用仮配線を除去する。これにより、レーザーやドリ
ルにて形成した場合よりも大きい開口幅(径)の水分排
出孔を中間層内に形成可能となり、リフロー時に効果的
に水分を外部に排出することが可能となる。また、半導
体装置チップ表面は外気に露出しないので、信頼性の低
下を招く恐れが少なくなる。
護用仮配線を形成しておけば、中間層内に水路のように
凹部が形成可能であり、リフロー時の水分をより効果的
に排出可能である。また、エッチング後の洗浄が容易と
なる。
めはんだボール搭載用の貫通孔および水分排出孔を形成
する。これら孔の形成は、ドリリング、レーザー、パン
チングなどが利用できる。次に、例えばCu箔を回路基
板に張り付け、保護用仮配線および回路基板に必要な配
線として所定の配線パターンを形成する。このとき、水
分排出孔の半導体チップ搭載面側端部は保護用仮配線に
より覆われるようにする。その後、半導体チップを回路
基板上に搭載し、必要に応じて半導体チップ搭載面を樹
脂モールドする。半導体チップの搭載は、ワイヤーボン
ディング法やフリップチップ接続法などがあり、またフ
リップチップ接続法においてもシート状や液状の接着樹
脂(中間層)を用いることが可能である。次に、外部接
続端子を形成する場合には、それ用のはんだボールを所
定の位置に搭載する。次に、水分排出孔から保護用仮配
線をエッチング除去する。
率的に排出する水分排出孔および凹部を形成可能であ
り、中間層として流動性の良い接着樹脂を用いる半導体
装置の搭載手法を用いることが可能となる。
減したり、ワイヤーボンディングを可能とするために、
回路基板の金属配線にはNiメッキおよびAuメッキが
施される場合が多い。しかしながら、はんだボール搭載
面側の水分排出孔から露出している保護用仮配線の部分
は、後工程で保護用仮配線をエッチングするためメッキ
は行わないことが望ましい。
じめ形成する場合において、上記メッキを行う場合に
は、水分排出孔から露出している保護用仮配線部分にメ
ッキが付着しないように、その部分をあらかじめレジス
トで覆い、メッキ後にレジストを除去するなどの処理を
行うことが好ましい。
保護用仮配線の幅を水分排出孔の径よりも大きくし、あ
るいは保護用仮配線の面積を大きくすることで、水分の
排出経路が大きくなり、水分の排出がさらに容易にな
る。また、複数の水分排出孔をつなぐように保護用仮配
線を形成し、エッチング除去することで、凹部での中間
層の露出面積が大きくなるので、これによっても水分の
排出が容易になる。
一形態を図1ないし図3に基づいて以下説明する。本実
施の形態の半導体装置は、図1(a)に示すように、半
導体チップ1が回路基板2の上面に接着樹脂層(中間
層)3により固定されている。回路基板2の上面には所
定の配線パターンを有する金属配線4が形成され、回路
基板2の裏面には、外部接続端子となる多数のはんだボ
ール5が設けられている。これらはんだボール5は、回
路基板2に形成された貫通孔6を介してそれぞれ対応す
る金属配線4と接続されている。上記はんだボール5
は、半導体チップ1の裏面における外周部に沿って設け
られている。
水分排出孔7が形成されている。前記接着樹脂層3にお
ける水分排出孔7に露出する部分には、水分排出孔7の
開口径より大きい開口幅を有する凹部8が形成されてい
る。この凹部8は溝状をなしており、複数の水分排出孔
7を連結している。水分排出孔7は、回路基板2、即ち
半導体チップ1における中央部あるいはその付近に形成
され、中央部にはんだボール5が接続される金属配線4
(ランド)が存在するときには、金属配線4(ランド)
同士の間に形成されている。
式となっており、半導体チップ1の接続面は回路基板2
と対向している。前記接続面には電極(図示せず)が設
けられ、この電極上に形成された突起電極9は回路基板
2の電極と接続されている。また、半導体チップ1は、
回路基板2の上面に設けられた樹脂モールド層10にて
被覆され、保護されている。
の製造方法を説明する。まず、図2(a)に示すよう
に、回路基板2(回路基板2となる基材)にはんだボー
ル5搭載用の貫通孔6のみを形成する。
2(回路基板2となる基材)における半導体チップ1の
搭載面(上面)に金属配線4と凹部8形成用の保護用仮
配線11とを形成する。金属配線4は、はんだボール5
搭載用の貫通孔6上を覆うように形成されている。保護
用仮配線11は、後工程において水分排出孔7を形成す
る位置を覆うように形成される。通常、金属配線4およ
び保護用仮配線11はCuからなる。
2上に、接着樹脂層3となる異方導電性接着樹脂12を
供給する。この異方導電性接着樹脂12は、シート状や
ペースト状が一般的である。シート状の場合は加熱ツー
ルにて回路基板2上に圧着する。ペースト状の場合はデ
ィスペンスや印刷により回路基板2上に供給する。ここ
ではシート状の場合を図示している。
ップ1の電極上に形成された突起電極9と回路基板2の
電極との位置合わせを行い、両者を接触させるととも
に、異方導電性接着樹脂12を硬化させて接着樹脂層3
とするために加熱する。
続は、突起電極9が金からなる場合には、突起電極9を
回路基板2の電極に圧接させ、接着樹脂層3を加熱硬化
することで可能となる。突起電極9がはんだからなる場
合には、はんだを溶融して回路基板2の電極にはんだ付
けを行うことにより可能となる。なお、上記両者の接続
方法はどのような手法をもちいても構わない。ただし、
このようにフリップチップ接続時に接着樹脂層3を用い
なかった場合には、上記両者の接続後、樹脂を半導体チ
ップ1と回路基板2との間に注入し、硬化させておく必
要がある。
2の半導体チップ1搭載面(上面)側を樹脂で封止して
樹脂モールド層10を形成する。この樹脂モールド層1
0の形成は必要に応じて行う。樹脂モールドの手法は、
一般的なトランスファーモールドや液状の樹脂を印刷し
て硬化させる手法などが採用可能である。
2における保護用仮配線11の形成位置に、回路基板2
の裏面側からレーザーを照射し、水分排出孔7を形成す
る。レーザーの照射は、レーザーにより回路基板2の基
材が除去され、レーザーが保護用仮配線11に達したと
ころで終点となる。
ール5搭載用のランド(金属配線4)にはんだボール5
を搭載する。即ち、貫通孔6にはんだボール5を設け、
はんだボール5を貫通孔6を通じて上記ランド(金属配
線4)と接続する。なお、ここでは水分排出孔7の形成
後にはんだボール5を搭載したが、この工程は、水分排
出孔7を形成する前に行ってもよい。
孔7を通じて保護用仮配線11をエッチングにより除去
し、凹部8を形成する。前述のように、保護用仮配線1
1はCuからなるので、はんだボール5を溶解せずに保
護用仮配線11をエッチングするには、ヤマト屋商会製
のアルカエッチ液(商品名)やメルテックス(株)製の
エープロセス(商品名)などのエッチング液が使用可能
である。
導体装置が得られる。上記の半導体装置では、半導体装
置を他の実装基板に搭載するリフロー時において、樹脂
モールド層10、接着樹脂層3、あるいは回路基板2が
含んでいる水分が蒸気となって膨張する場合において
も、この蒸気(水分)を凹部8および水分排出孔7を通
じて適切に外部に排出することができる。
8は、回路基板2に形成された水分排出孔7の径よりも
大きい開口幅を有しているので、凹部8の開口幅が水分
排出孔7の径と同一である場合と比較して、水分の排出
機能を高めることができる。したがって、上記の蒸気
(水分)を効率よく排出することができ、例えば接着樹
脂層3と回路基板2との剥離や、樹脂モールド層10と
回路基板2との剥離を適切に防止することができる。ま
た、半導体チップ1の表面は接着樹脂層3に覆われ、外
部に露出しないので、半導体チップ1の耐湿性が劣化す
ることもない。
板2に水分排出孔7を形成する際、レーザーによる穿孔
作業の終点は、レーザーが保護用仮配線11に到達した
時となるので、容易に判断可能であり、かつ上記終点以
上のレーザーの進行が保護用仮配線11によって阻止さ
れるので、半導体チップ1をレーザーの照射から保護す
ることができる。
ップ1の接続面が回路基板2と対向しているフリップチ
ップ接続方式の半導体装置の製造方法として特に好適で
ある。
ール5搭載用のランドには、はんだボール5搭載時のは
んだ濡れ性を向上するために、はんだボール5搭載面の
みにNiおよびAuメッキを施すことが望ましい。後述
する実施の形態2の製造方法では、回路基板2に水分排
出孔7をあらかじめ形成しておく手法を例示するが、C
uからなる金属配線4にNi,Auメッキを形成した場
合、水分排出孔7から露出している部分にもメッキが付
着するために後工程にて金属配線4をエッチングする際
に障害となる。そのため、水分排出孔7から露出してい
るCuにはメッキが付着しないような処理が必要とな
る。一方、本実施の形態のように、最終行程(実際には
凹部8形成工程の前)において水分排出孔7の形成が可
能な製造方法では、金属配線4に対して特別の処理が必
要でないと言う利点がある。
を図4および図5に基づいて以下に説明する。本実施の
形態の半導体装置は、図4に示すように、上下に半導体
チップ21、22が設けられ、半導体チップの上下2層
構造を有している。半導体チップ21は、前記半導体チ
ップ1と同様、フリップチップ接続により回路基板2上
に設けられ、半導体チップ22は、非接続面を下に向け
た状態で半導体チップ21上に積載されている。半導体
チップ21と半導体チップ22とは、これら両者間に配
されたチップ間接着剤層23により貼着されている。半
導体チップ22は上面に複数の電極24を有し、これら
電極24がワイヤ25を使用したワイヤーボンディング
により、回路基板2の金属配線4と接続されている。こ
の半導体装置における他の構成、即ち回路基板2に水分
排出孔7を有し、接着樹脂層3に凹部8を有する構成等
は、図1(a)に示した前記半導体装置と同様である。
造方法を以下に説明する。なお、以下の製造方法は、上
記半導体チップ21のみを有する半導体装置、即ち前記
図1(a)に示した半導体装置においても適用可能であ
る。
2(回路基板2となる基材)にはんだボール5搭載用の
貫通孔6および水分排出孔7を形成する。貫通孔6およ
び水分排出孔7は、ドリルやレーザーや金型を用いたパ
ンチングなどの手法により形成可能である。
材)にCu箔をラミネートする。次に、図5(b)に示
すように、Cu箔をエッチング加工し、回路基板2の半
導体装置1搭載面側に金属配線4および保護用仮配線1
1を形成する。金属配線4は、はんだボール5搭載用の
ランドに接続されている。回路基板2において、金属配
線4は貫通孔を上面側から覆うように形成され、保護用
仮配線11は水分排出孔7を上面側から覆うように形成
されている。また、少なくとも1本の保護用仮配線11
は、複数の水分排出孔7をつなぐように形成されてい
る。
はCuからなる。また、金属配線4には必要に応じてN
iメッキおよびAuメッキが施される。ただし、保護用
仮配線11には前記メッキがされないような処理が施さ
れる。なお、金属配線4の最上面がAu層であれば、フ
リップチップ接続時の接続抵抗の低下が期待でき望まし
い。
(c)の工程と同様にして、回路基板2上に、接着樹脂
層3となる異方導電性接着樹脂12を供給する。
れた突起電極9と回路基板2の電極との位置合わせを行
い、両者を接触させるとともに、異方導電性接着樹脂1
2を硬化させて接着樹脂層3とするために加熱する。上
記突起電極9と回路基板2の電極との接続については、
実施の形態1において説明した通りである。
ップ21の上面(非接続面)に半導体チップ22を非接
続面を下にして載置し、両者をチップ間接着剤層23に
より貼着する。チップ間接着剤層23としては、シート
状あるいはペースト状の接着剤を使用する。
ヤ25を使用したワイヤーボンディングにより回路基板
2と接続する。
載面を樹脂モールド層10により被覆する。
ボール5を搭載するとともに、水分排出孔7を通じてエ
ッチングにより保護用仮配線11を除去して凹部8を形
成する。
が得られる。この半導体装置における水分排出孔7およ
び凹部8による水分排出機能は、前述の半導体装置と同
様である。また、上記製造方法において、レーザー等に
よる水分排出孔7の形成時における保護用仮配線11に
よる半導体チップ21の保護機能についても、前述の製
造方法の場合と同様である。
の形態を図6および図7に基づいて以下に説明する。本
実施の形態の半導体装置は、図6に示すように、両面回
路基板31を備えるとともに、この両面回路基板31上
にワイヤーボンディングタイプの半導体チップ32が搭
載されている。
ジスト14が形成された場合を示しているが必ずしも必
要ではない。
プ32の搭載面)側に金属配線4が形成され、裏面側に
外部接続端子としてのはんだボール5搭載用のランド3
3が形成されている。なお、ここでは、半導体装置が、
表面と裏面とにそれぞれ一層ずつの回路パターン(金属
配線4、ランド33)を有する両面回路基板31を備え
た場合を示しているが、この両面回路基板31に代え
て、3層以上の回路パターンを有する多層基板を備えて
いる構成であってもよい。
の上面には、金属配線4が形成され、さらにその上にソ
ルダーレジスト(中間層)層34が形成されている。両
面回路基板31の下面には、上記ランド33が形成さ
れ、ランド33同士の間にソルダーレジスト層35が形
成されている。
形成され、ここではソルダーレジスト層34に前記凹部
8が形成されている。
層3により半導体チップ32が搭載され、この半導体チ
ップ32の電極24がワイヤ25(ワイヤーボンディン
グ)により両面回路基板31と接続されている。
法を以下に説明する。まず、図7(a)に示すように、
両面回路基板31(両面回路基板31となる基材)にお
ける上面に金属配線4を形成するとともに、後工程で形
成される水分排出孔7の形成部を覆うように保護用仮配
線11を形成する。また、両面回路基板31(両面回路
基板31となる基材)の下面に、はんだボール5搭載用
のランド33を形成する。上記金属配線4およびランド
33は、通常、Cuからなる。
属配線4と保護用仮配線11との上に、ソルダーレジス
ト層34を形成し、両面回路基板31の下面におけるラ
ンド33同士の間にソルダーレジスト層35を形成す
る。
キを施す。ワイヤーボンディングを行うには金属配線4
の最上面がAu層であることが望ましい。また、Ni、
Auメッキはソルダーレジスト層34、35の形成後に
施す。このようにすることにより、保護用仮配線11に
はメッキが付着せず、後工程におて、Cuからなる保護
用仮配線11をエッチングする際に、Ni、Auがソル
ダーレジスト層34内に残ることがなく良好な水分排出
機能を得ることができる。
基板31に接着樹脂層3となる接着剤(シート状やペー
スト状が一般的)を供給する。供給方法は前述の通りで
ある。
に搭載し、半導体チップ32の電極24と両面回路基板
31とをワイヤ25(ワイヤーボンディング)により接
続する。
ップ32の搭載面に樹脂モールド層10を形成し、半導
体チップ32およびワイヤ25を被覆する。樹脂モール
ド層10の形成方法は前述の通りである。
孔7をレーザーを用いて形成する。この水分排出孔7の
形成方法は、前述の通りである。
11をエッチングして除去し、凹部8を形成する。エッ
チング液として可能なものは前述の通りである。
置が得られる。この半導体装置は、ランドグリッドアレ
イパッケージと呼ばれる形態である。この半導体装置に
おける水分排出孔7および凹部8による水分排出機能
は、前述の半導体装置と同様である。また、上記製造方
法において、レーザー等による水分排出孔7の形成時に
おける保護用仮配線11による半導体チップ32の保護
機能についても、前述の製造方法の場合と同様である。
半導体チップが回路基板上に中間層(例えば半導体チッ
プを回路基板上に固定するための接着樹脂層、あるいは
ソルダーレジスト層などの樹脂層)を介して搭載され、
前記回路基板に水分排出孔が形成されている半導体装置
において、前記中間層における前記水分排出孔に露出す
る部分には、前記水分排出孔の開口径より大きい開口幅
を有する凹部が形成されている構成である。
凹部は、回路基板に形成された貫通孔の径よりも大きい
開口幅を有しているので、凹部の開口幅が貫通孔の径と
同一である場合と比較して、水分排出孔の径を大きくす
ることなく水分の排出機能を高めることができる。この
結果、例えば半導体装置を別の実装基板に搭載するリフ
ロー時に生じる蒸気が半導体装置内部において膨張し、
中間層と回路基板との間や、モールド樹脂と回路基板と
の間にて剥離を生ずるような不具合を確実に防ぐことが
できる。
数個形成され、前記凹部が複数の前記水分排出孔を連結
するように形成されている構成としてもよい。
た水分排出孔の複数個が中間層に形成された凹部により
連結されているので、凹部および水分排出孔を通じての
半導体装置からの水分の排出を効率よく行うことができ
る。
モールド樹脂層にて覆われている構成としてもよい。
ルド樹脂層にて覆われている半導体装置であっても、前
記凹部および水分排出孔を通じての半導体装置からの水
分の排出を適切に行うことができる。
板の半導体チップ搭載面上に中間層(例えば半導体チッ
プを回路基板上に固定するための接着樹脂層、あるいは
ソルダーレジスト層などの樹脂層)を介して半導体チッ
プを搭載するとともに、回路基板に水分排出孔を形成す
る半導体装置の製造方法において、回路基板の半導体チ
ップ搭載面における前記水分排出孔を形成する位置に、
前記水分排出孔の半導体チップ搭載面側端部を覆うよう
に保護用仮配線を形成する保護用仮配線形成工程と、前
記保護用仮配線形成工程の後に、回路基板の半導体チッ
プ搭載面上に中間層を介して半導体チップを搭載する半
導体チップ搭載工程と、前記保護用仮配線形成工程の後
に、回路基板の前記半導体チップ搭載面とは反対側の面
から回路基板に前記水分排出孔を形成する水分排出孔形
成工程と、前記半導体チップ搭載工程の後に、前記水分
排出孔を通じて、前記保護用仮配線を除去する保護用仮
配線除去工程とを備えている構成である。
層を介して回路基板に搭載する半導体チップ搭載工程に
おいては、水分排出孔の半導体チップ搭載面側端部が保
護用仮配線にて覆われているので、中間層を形成する材
料、例えば半導体チップを回路基板上に固定するための
接着樹脂、あるいはソルダーレジストなどの樹脂材料が
水分排出孔から流出する事態を防止することができる。
レーザーを使用して水分排出孔を形成する場合に、水分
排出孔の形成処理の終点は、レーザーが回路基板を貫通
し、保護用仮配線に到達したときとなるので、その終点
の判定が容易となる。この結果、レーザーが半導体チッ
プに照射されて半導体チップが損傷する事態や半導体チ
ップの特性に悪影響を受ける事態を防止することができ
る。また、半導体チップが外気に晒され、半導体チップ
の耐湿性が劣化する事態も防止することができる。
体チップ搭載面側端部を覆うように形成されたものであ
るから、この保護用仮配線を除去して形成される凹部
は、水分排出孔の径よりも大きい開口幅を有するものと
なる。したがって、凹部の開口幅が水分排出孔の径と同
一である場合と比較して、半導体装置からの凹部および
水分排出孔を通じての水分の排出機能を、水分排出孔の
径を大きくすることなく高めることができる。この結
果、例えば前記リフロー時に生じる蒸気が半導体装置内
部において膨張し、中間層と回路基板との間や、モール
ド樹脂と回路基板との間にて剥離を生ずるような不具合
を確実に防ぐことができる。
板の半導体チップ搭載面上に中間層(例えば半導体チッ
プを回路基板上に固定するための接着樹脂層、あるいは
ソルダーレジスト層などの樹脂層)を介して半導体チッ
プを搭載するとともに、回路基板に水分排出孔を形成す
る半導体装置の製造方法において、回路基板の半導体チ
ップ搭載面に前記水分排出孔を形成する水分排出孔形成
工程と、前記水分排出孔形成工程の後に、回路基板の半
導体チップ搭載面に前記水分排出孔の半導体チップ搭載
面側端部を覆うように保護用仮配線を形成する保護用仮
配線形成工程と、前記保護用仮配線形成工程の後に、回
路基板の半導体チップ搭載面上に中間層を介して半導体
チップを搭載する半導体チップ搭載工程と、前記半導体
チップ搭載工程の後に、前記水分排出孔を通じて、前記
保護用仮配線を除去する保護用仮配線除去工程とを備え
ている構成である。
層を介して回路基板に搭載する半導体チップ搭載工程に
おいては、水分排出孔の半導体チップ搭載面側端部が保
護用仮配線にて覆われているので、中間層を形成する材
料、例えば半導体チップを回路基板上に固定するための
接着樹脂、あるいはソルダーレジストなどの樹脂材料が
水分排出孔から流出する事態を防止することができる。
プ搭載工程に先立って行われるので、例えばレーザーを
使用して水分排出孔を形成する場合に、レーザーが半導
体チップに照射されて半導体チップが損傷する事態や半
導体チップの特性に悪影響を受ける事態を防止すること
ができる。また、半導体チップが外気に晒され、半導体
チップの耐湿性が劣化する事態も防止することができ
る。
体チップ搭載面側端部を覆うように形成されたものであ
るから、この保護用仮配線を除去して形成される凹部
は、水分排出孔の径よりも大きい開口幅を有するものと
なる。したがって、凹部の開口幅が水分排出孔の径と同
一である場合と比較して、半導体装置からの凹部および
水分排出孔を通じての水分の排出機能を、水分排出孔の
径を大きくすることなく高めることができる。この結
果、例えば前記リフロー時に生じる蒸気が半導体装置内
部において膨張し、中間層と回路基板との間や、モール
ド樹脂と回路基板との間にて剥離を生ずるような不具合
を確実に防ぐことができる。
板の半導体チップ搭載面上に中間層(例えば半導体チッ
プを回路基板上に固定するための接着樹脂層、あるいは
ソルダーレジスト層などの樹脂層)を介して半導体チッ
プを搭載するとともに、回路基板に水分排出孔を形成す
る半導体装置の製造方法において、回路基板の前記水分
排出孔の半導体チップ搭載面側端部を覆う位置に保護用
仮配線を形成するとともに、回路基板に水分排出孔を形
成する保護用仮配線・水分排出孔形成工程と、前記保護
用仮配線・水分排出孔形成工程の後に、回路基板の半導
体チップ搭載面上に中間層を介して半導体チップを搭載
する半導体チップ搭載工程と、前記半導体チップ搭載工
程の後に、前記水分排出孔を通じて、前記保護用仮配線
を除去する保護用仮配線除去工程とを備えていることを
特徴としている。
層を介して回路基板に搭載する半導体チップ搭載工程に
おいては、水分排出孔の半導体チップ搭載面側端部が保
護用仮配線にて覆われているので、中間層を形成する材
料、例えば半導体チップを回路基板上に固定するための
接着樹脂、あるいはソルダーレジストなどの樹脂材料が
水分排出孔から流出する事態を防止することができる。
プ搭載工程に先立って行われるので、例えばレーザーを
使用して水分排出孔を形成する場合に、レーザーが半導
体チップに照射されて半導体チップが損傷する事態や半
導体チップの特性に悪影響を受ける事態を防止すること
ができる。また、半導体チップが外気に晒され、半導体
チップの耐湿性が劣化する事態も防止することができ
る。
体チップ搭載面側端部を覆うように形成されたものであ
るから、この保護用仮配線を除去して形成される凹部
は、水分排出孔の径よりも大きい開口幅を有するものと
なる。したがって、凹部の開口幅が水分排出孔の径と同
一である場合と比較して、半導体装置からの凹部および
水分排出孔を通じての水分の排出機能を、水分排出孔の
径を大きくすることなく高めることができる。この結
果、例えば前記リフロー時に生じる蒸気が半導体装置内
部において膨張し、中間層と回路基板との間や、モール
ド樹脂と回路基板との間にて剥離を生ずるような不具合
を確実に防ぐことができる。
配線・水分排出孔形成工程にて、前記水分排出孔を複数
個形成し、前記保護用仮配線を複数個の水分排出孔を連
結するように形成する構成としてもよい。
孔が複数個形成され、保護用仮配線が複数個の水分排出
孔を連結するように形成されるので、保護用仮配線を除
去して中間層に形成される凹部は、複数個の水分排出孔
を連結したものとなる。これにより、凹部および水分排
出孔を通じての半導体装置からの水分の排出を効率よく
行うことができる。
用仮配線を、回路基板に形成する他の配線と同じ材料を
使用して他の配線の形成工程内にて行う構成としてもよ
い。
程を独立した工程とせず、回路基板の形成工程に含める
ことができる。これにより、工程の増加を回避すること
ができる。
排出孔の形成をレーザーを使用して行う構成としてもよ
い。
分排出孔の形成を効率のよいレーザーを使用して行う構
成に適したものであり、レーザーを使用して水分排出孔
を形成する場合に、レーザーが半導体チップに照射され
て半導体チップが損傷し、あるいは特性の悪化を生じる
事態を確実に防止することができる。
体チップをフリップチップ接続にて回路基板に搭載する
構成としてもよい。
導体チップの接続面を回路基板に対向させて搭載するフ
リップチップ接続にて回路基板に搭載する構成に適した
ものであり、水分排出孔形成工程において、半導体チッ
プの接続面に損傷等を受ける事態を確実に防止すること
ができる。
半導体装置の構成を示す縦断面図、図1(b)は図1
(a)に示した半導体装置における水分排出孔付近の拡
大図である。
導体装置の製造方法を示すものであって、図2(a)
は、回路基板にはんだボール搭載用の貫通孔を形成する
工程を示す縦断面図、図2(b)は、回路基板に金属配
線と凹部形成用の仮配線とを形成する工程を示す縦断面
図、図2(c)は、回路基板上に半導体チップを搭載す
る工程を示す縦断面図、図2(d)は、半導体チップと
回路基板の電極との接続工程、および接着樹脂層の形成
工程を示す縦断面図、図2(e)は、樹脂モールド層に
よる半導体チップの封止工程、および回路基板の水分排
出孔の形成工程を示す縦断面図である。
続く半導体装置の製造工程を示すものであって、図3
(a)は、はんだボールの搭載工程を示す縦断面図、図
3(b)は、水分排出用の凹部の形成工程を示す縦断面
図である。
構成を示す縦断面図である。
導体装置の製造方法を示すものであって、図5(a)
は、回路基板にはんだボール搭載用の貫通孔および水分
排出孔を形成する工程を示す縦断面図、図5(b)は、
回路基板に金属配線および保護用仮配線を形成する工程
を示す縦断面図、図5(c)は、回路基板上に第1の半
導体チップを搭載する工程を示す縦断面図、図5(d)
は、第1の半導体チップ上に第2の半導体チップを搭載
して製造された半導体装置を示す縦断面図である。
装置の構成を示す縦断面である。
導体装置の製造方法を示すものであって、図7(a)
は、回路基板には金属配線、保護用仮配線、ランドおよ
びソルダーレジスト層を形成する工程を示す縦断面図、
図7(b)は、回路基板上に半導体チップを搭載し、樹
脂モールドする工程を示す縦断面図、図7(c)は、水
分排出孔および凹部を形成し、製造された半導体装置を
示す縦断面図である。
イプのCSPからなる半導体装置を示す縦断面図、図8
(b)は、従来のフリップチップ方式のCSPからなる
半導体装置を示す縦断面図である。
において、回路基板を貫通する水分排出孔を形成した状
態を示す縦断面図、図9(b)は、図8(a)に示した
半導体装置において、回路基板および接着樹脂層を貫通
する水分排出孔を形成した状態を示す縦断面図である。
Claims (10)
- 【請求項1】半導体チップが回路基板上に中間層を介し
て搭載され、前記回路基板に水分排出孔が形成されてい
る半導体装置において、 前記中間層における前記水分排出孔に露出する部分に
は、前記水分排出孔の開口径より大きい開口幅を有する
凹部が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項2】前記水分排出孔が複数個形成され、前記凹
部が複数の前記水分排出孔を連結するように形成されて
いることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 【請求項3】前記半導体チップがモールド樹脂層にて覆
われていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装
置。 - 【請求項4】回路基板の半導体チップ搭載面上に中間層
を介して半導体チップを搭載するとともに、回路基板に
水分排出孔を形成する半導体装置の製造方法において、 回路基板の半導体チップ搭載面における前記水分排出孔
を形成する位置に、前記水分排出孔の半導体チップ搭載
面側端部を覆うように保護用仮配線を形成する保護用仮
配線形成工程と、 前記保護用仮配線形成工程の後に、回路基板の半導体チ
ップ搭載面上に中間層を介して半導体チップを搭載する
半導体チップ搭載工程と、 前記保護用仮配線形成工程の後に、回路基板の前記半導
体チップ搭載面とは反対側の面から回路基板に前記水分
排出孔を形成する水分排出孔形成工程と、 前記半導体チップ搭載工程の後に、前記水分排出孔を通
じて、前記保護用仮配線を除去する保護用仮配線除去工
程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項5】回路基板の半導体チップ搭載面上に中間層
を介して半導体チップを搭載するとともに、回路基板に
水分排出孔を形成する半導体装置の製造方法において、 回路基板の半導体チップ搭載面に前記水分排出孔を形成
する水分排出孔形成工程と、 前記水分排出孔形成工程の後に、回路基板の半導体チッ
プ搭載面に前記水分排出孔の半導体チップ搭載面側端部
を覆うように保護用仮配線を形成する保護用仮配線形成
工程と、 前記保護用仮配線形成工程の後に、回路基板の半導体チ
ップ搭載面上に中間層を介して半導体チップを搭載する
半導体チップ搭載工程と、 前記半導体チップ搭載工程の後に、前記水分排出孔を通
じて、前記保護用仮配線を除去する保護用仮配線除去工
程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項6】回路基板の半導体チップ搭載面上に中間層
を介して半導体チップを搭載するとともに、回路基板に
水分排出孔を形成する半導体装置の製造方法において、 回路基板の前記水分排出孔の半導体チップ搭載面側端部
を覆う位置に保護用仮配線を形成するとともに、回路基
板に水分排出孔を形成する保護用仮配線・水分排出孔形
成工程と、 前記保護用仮配線・水分排出孔形成工程の後に、回路基
板の半導体チップ搭載面上に中間層を介して半導体チッ
プを搭載する半導体チップ搭載工程と、 前記半導体チップ搭載工程の後に、前記水分排出孔を通
じて、前記保護用仮配線を除去する保護用仮配線除去工
程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項7】前記保護用仮配線・水分排出孔形成工程で
は、水分排出孔を複数個形成し、前記保護用仮配線を複
数個の水分排出孔を連結するように形成することを特徴
とする請求項4から6の何れか1項に記載の半導体装置
の製造方法。 - 【請求項8】前記保護用仮配線を、回路基板に形成する
他の配線と同じ材料を使用して他の配線の形成工程内に
て行うことを特徴とする請求項4または6に記載の半導
体装置の製造方法。 - 【請求項9】前記水分排出孔の形成をレーザーを使用し
て行うことを特徴とする請求項4から6の何れか1項に
記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項10】前記半導体チップをフリップチップ接続
にて回路基板に搭載することを特徴とする請求項4から
6の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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