JP2002141377A - Ｔａｂテープ及び放射線撮像装置 - Google Patents
Ｔａｂテープ及び放射線撮像装置Info
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- JP2002141377A JP2002141377A JP2000335003A JP2000335003A JP2002141377A JP 2002141377 A JP2002141377 A JP 2002141377A JP 2000335003 A JP2000335003 A JP 2000335003A JP 2000335003 A JP2000335003 A JP 2000335003A JP 2002141377 A JP2002141377 A JP 2002141377A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 複数のＴＡＢテープを並べて実装する際に各
ＴＡＢテープの両サイドの余白部分が干渉し、うまく接
続できない。 【解決手段】 ベースフィルム上にＩＣチップ３を複数
個実装し、且つ、ＩＣチップ３とベースフィルムのリー
ドとの接続部における接続ピッチよりも、ベースフィル
ムの少なくとも一方のアウターリード部の接続ピッチを
小さく形成する。
ＴＡＢテープの両サイドの余白部分が干渉し、うまく接
続できない。 【解決手段】 ベースフィルム上にＩＣチップ３を複数
個実装し、且つ、ＩＣチップ３とベースフィルムのリー
ドとの接続部における接続ピッチよりも、ベースフィル
ムの少なくとも一方のアウターリード部の接続ピッチを
小さく形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子機器等に部品
実装用に用いられるＴＡＢテープ及びそれを用いた放射
線撮像装置に関するものである。
実装用に用いられるＴＡＢテープ及びそれを用いた放射
線撮像装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶パネル、或いはＸ線センサー
パネルに代表されるデバイスには表示画素、或いはセン
サーのＴＦＴの駆動用、読み出し用のＩＣがＴＡＢ方式
で実装されている。特に、Ｘ線撮像装置に於いては、光
電変換素子と蛍光体が組み合わせて構成され、光電変換
素子材料としては非晶質シリコン（以下ａ−Ｓｉ膜と称
する）が利用されている。
パネルに代表されるデバイスには表示画素、或いはセン
サーのＴＦＴの駆動用、読み出し用のＩＣがＴＡＢ方式
で実装されている。特に、Ｘ線撮像装置に於いては、光
電変換素子と蛍光体が組み合わせて構成され、光電変換
素子材料としては非晶質シリコン（以下ａ−Ｓｉ膜と称
する）が利用されている。
【０００３】特に、このようなａ−Ｓｉ膜は大面積ガラ
ス基板に容易に形成することが可能であること、更に
は、光電変換素子としてばかりではなくスイッチＴＦＴ
の半導体材料としても用いることが可能なため、光変換
素子とスイッチＴＦＴを同時に形成でき、光電変換素子
の半導体材料として広く利用されている。
ス基板に容易に形成することが可能であること、更に
は、光電変換素子としてばかりではなくスイッチＴＦＴ
の半導体材料としても用いることが可能なため、光変換
素子とスイッチＴＦＴを同時に形成でき、光電変換素子
の半導体材料として広く利用されている。
【０００４】図４は従来例の放射線撮像装置を示す断面
図である。図４において、光電変換素子２ａを形成した
基板２ｂ（以下、センサー基板と言う）には、半導体と
の化学作用が無いこと、半導体形成プロセスの温度に耐
えること、寸法安定性等の必要性から硝子基板が多く用
いられる。
図である。図４において、光電変換素子２ａを形成した
基板２ｂ（以下、センサー基板と言う）には、半導体と
の化学作用が無いこと、半導体形成プロセスの温度に耐
えること、寸法安定性等の必要性から硝子基板が多く用
いられる。
【０００５】蛍光板１は金属化合物の蛍光材料を樹脂板
に塗布したものが用いられる。蛍光板１と光電変換素子
２ａの間隔は、光電変換素子２ａの画素寸法（１６０μ
ｍ）に比べて十分小さい値（例えば十数μｍ程度）に保
持する必要があり、実際には蛍光板１と基板２ｂを接着
剤９ａで接着することが行われている。また、光電変換
素子２ａに耐湿性が求められる場合は、不透湿且つＸ線
透過性フィルム（例えばＡｌ蒸着フィルム等）の防湿フ
ィルム６で覆い、蛍光板１と光電変換素子２ａを密封し
ている。
に塗布したものが用いられる。蛍光板１と光電変換素子
２ａの間隔は、光電変換素子２ａの画素寸法（１６０μ
ｍ）に比べて十分小さい値（例えば十数μｍ程度）に保
持する必要があり、実際には蛍光板１と基板２ｂを接着
剤９ａで接着することが行われている。また、光電変換
素子２ａに耐湿性が求められる場合は、不透湿且つＸ線
透過性フィルム（例えばＡｌ蒸着フィルム等）の防湿フ
ィルム６で覆い、蛍光板１と光電変換素子２ａを密封し
ている。
【０００６】更に、これらの光電変換素子２ａを形成し
た基板端部に、図５に示すセンサー及び読み出し用のス
イッチであるＴＦＴを駆動するためのドライバー及びセ
ンサーからの信号である電荷を読み出すためのアンプＩ
Ｃが実装されたＴＡＢテープ５のアウターリード側が、
センサー基板２ｂの引き出し電極に異方性導電フィルム
等を用いて複数個接続されている。ＴＡＢテープ５には
４００で示す１個のＴＦＴドライバー或いはアンプＩＣ
が実装され、ＩＣ側のインナーリードピッチ４１０はＴ
ＡＢのアウターリードピッチ４２０より狭くなってい
る。
た基板端部に、図５に示すセンサー及び読み出し用のス
イッチであるＴＦＴを駆動するためのドライバー及びセ
ンサーからの信号である電荷を読み出すためのアンプＩ
Ｃが実装されたＴＡＢテープ５のアウターリード側が、
センサー基板２ｂの引き出し電極に異方性導電フィルム
等を用いて複数個接続されている。ＴＡＢテープ５には
４００で示す１個のＴＦＴドライバー或いはアンプＩＣ
が実装され、ＩＣ側のインナーリードピッチ４１０はＴ
ＡＢのアウターリードピッチ４２０より狭くなってい
る。
【０００７】また、ＴＡＢテープ５のもう一方のアウタ
ーリード４３０はセンサー基板２ｂの駆動、信号処理を
行う回路基板１３に半田付けによって接続されている。
１４は、この半田付け部を示している。また、センサー
基板２ｂを駆動、信号処理を行うための回路基板１３を
スペーサー１７を介して基台７に接着剤層９で固定した
上で、筐体８ｃにスペーサー３ａを介して取り付け、放
射線撮像装置が構成されている。従来、この種の撮像装
置は、解像度が前述のように画素ピッチで１６０μｍで
あったが、近年、高精度な撮影を可能にするために解像
度の向上が望まれ、画素ピッチ１００μｍの解像度の高
いＸ線撮像装置が求められるようになってきている。
ーリード４３０はセンサー基板２ｂの駆動、信号処理を
行う回路基板１３に半田付けによって接続されている。
１４は、この半田付け部を示している。また、センサー
基板２ｂを駆動、信号処理を行うための回路基板１３を
スペーサー１７を介して基台７に接着剤層９で固定した
上で、筐体８ｃにスペーサー３ａを介して取り付け、放
射線撮像装置が構成されている。従来、この種の撮像装
置は、解像度が前述のように画素ピッチで１６０μｍで
あったが、近年、高精度な撮影を可能にするために解像
度の向上が望まれ、画素ピッチ１００μｍの解像度の高
いＸ線撮像装置が求められるようになってきている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成で画素ピッチを１００μｍとし、信号の処理ＩＣを２
５６ｂｉｔ処理とした場合、センサー基板端面の引き出
し配線部は、０．１ｍｍ×２５６＝２５．６ｍｍとな
り、画素と同一ピッチで引き出した場合、ＩＣを搭載し
たＴＡＢテープ間のスペースを考慮するとセンサー基板
端面にＴＡＢテープが並ばないことになる。従って、撮
像素子を形成した基板からの引き出し、及び接続部分は
８５μｍピッチ程度以下にしないと複数のＴＡＢテープ
を並べて実装する場合に、各ＴＡＢテープのアウターリ
ードのベースフィルム両サイドの余白部分が干渉し、接
続がうまく出来ない問題があった。
成で画素ピッチを１００μｍとし、信号の処理ＩＣを２
５６ｂｉｔ処理とした場合、センサー基板端面の引き出
し配線部は、０．１ｍｍ×２５６＝２５．６ｍｍとな
り、画素と同一ピッチで引き出した場合、ＩＣを搭載し
たＴＡＢテープ間のスペースを考慮するとセンサー基板
端面にＴＡＢテープが並ばないことになる。従って、撮
像素子を形成した基板からの引き出し、及び接続部分は
８５μｍピッチ程度以下にしないと複数のＴＡＢテープ
を並べて実装する場合に、各ＴＡＢテープのアウターリ
ードのベースフィルム両サイドの余白部分が干渉し、接
続がうまく出来ない問題があった。
【０００９】また、特に信号読み出し用のアンプＩＣは
配線抵抗を低減する為の配線幅、ノイズ、ダイナミック
レンジ等の制約によりアンプ部分のサイズを小さくする
ことには限界がある。アンプ回路をＩＣチップ内に並列
に複数個配列し、各アンプに入力端子を１箇所配置した
場合、端子は１００μｍピッチになり、インターリード
も１００μｍピッチとなり、アウターリード部を１００
μｍピッチとすると、通常のＴＡＢテープの設計ではイ
ンターリード部とアウターリード部の寸法が同程度にな
るため、ＴＡＢテープそのものの幅が接続部寸法より大
きくなり、センサー基板の端面に並ばない問題があっ
た。
配線抵抗を低減する為の配線幅、ノイズ、ダイナミック
レンジ等の制約によりアンプ部分のサイズを小さくする
ことには限界がある。アンプ回路をＩＣチップ内に並列
に複数個配列し、各アンプに入力端子を１箇所配置した
場合、端子は１００μｍピッチになり、インターリード
も１００μｍピッチとなり、アウターリード部を１００
μｍピッチとすると、通常のＴＡＢテープの設計ではイ
ンターリード部とアウターリード部の寸法が同程度にな
るため、ＴＡＢテープそのものの幅が接続部寸法より大
きくなり、センサー基板の端面に並ばない問題があっ
た。
【００１０】本発明は、上記従来の問題点に鑑み、隣り
合うテープキャリアどうしが干渉することなく基板端面
に配列可能なＴＡＢテープ及び放射線撮像装置を提供す
ることを目的とする。
合うテープキャリアどうしが干渉することなく基板端面
に配列可能なＴＡＢテープ及び放射線撮像装置を提供す
ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、可撓性
のベースフィルムにＩＣチップが実装され、前記ベース
フィルムには実装されたＩＣチップの端子を接続するた
めの複数のリードが形成され、且つ、前記ベースフィル
ムの両端部には前記リードを引き出すためのアウターリ
ード部が設けられたＴＡＢテープにおいて、前記ＩＣチ
ップは複数個実装され、ＴＡＢテープ内で該ＩＣチップ
を互いに上下左右にずらして配置し、且つ、前記ＩＣチ
ップと前記リードとの接続部における接続ピッチより
も、前記ベースフィルムの少なくとも一方のアウターリ
ード部の接続ピッチが小さく形成されていることを特徴
とするＴＡＢテープによって達成される。
のベースフィルムにＩＣチップが実装され、前記ベース
フィルムには実装されたＩＣチップの端子を接続するた
めの複数のリードが形成され、且つ、前記ベースフィル
ムの両端部には前記リードを引き出すためのアウターリ
ード部が設けられたＴＡＢテープにおいて、前記ＩＣチ
ップは複数個実装され、ＴＡＢテープ内で該ＩＣチップ
を互いに上下左右にずらして配置し、且つ、前記ＩＣチ
ップと前記リードとの接続部における接続ピッチより
も、前記ベースフィルムの少なくとも一方のアウターリ
ード部の接続ピッチが小さく形成されていることを特徴
とするＴＡＢテープによって達成される。
【００１２】また、本発明の目的は、上記ＴＡＢテープ
を複数有することを特徴とする放射線撮像装置によって
達成される。
を複数有することを特徴とする放射線撮像装置によって
達成される。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明のＴＡ
Ｂテープの一実施形態を示す図、図２は図１のＴＡＢテ
ープを接続するセンサー基板のレイアウト図、図３は図
１のＴＡＢテープを実装した放射線撮像装置の斜視図で
ある。
て図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明のＴＡ
Ｂテープの一実施形態を示す図、図２は図１のＴＡＢテ
ープを接続するセンサー基板のレイアウト図、図３は図
１のＴＡＢテープを実装した放射線撮像装置の斜視図で
ある。
【００１４】図１に於いて、１００は読み出し用アンプ
ＩＣであり、ＴＡＢテープ上に２個実装されている。２
個のアンプＩＣ１００は互いに左右上下方向にずらして
配置されている。１１０は可撓性のＴＡＢベースフィル
ム、１２０はセンサー基板に接続されるアウターリード
部で、本実施形態においては、アウターリード部１２０
は８０μｍピッチで形成されている。１３０はテープキ
ャリア上のＩＣとの接続インナーリードで、本実施形態
においてはＩＣ側の配線抵抗を低減する為の配線幅、ノ
イズマージン、ダイナミックレンジ等の設計制約から１
００μｍピッチで配列されている。
ＩＣであり、ＴＡＢテープ上に２個実装されている。２
個のアンプＩＣ１００は互いに左右上下方向にずらして
配置されている。１１０は可撓性のＴＡＢベースフィル
ム、１２０はセンサー基板に接続されるアウターリード
部で、本実施形態においては、アウターリード部１２０
は８０μｍピッチで形成されている。１３０はテープキ
ャリア上のＩＣとの接続インナーリードで、本実施形態
においてはＩＣ側の配線抵抗を低減する為の配線幅、ノ
イズマージン、ダイナミックレンジ等の設計制約から１
００μｍピッチで配列されている。
【００１５】また、接続部にはバンプが形成されてい
る。１４０はアウターリードから一方のＩＣに至る配線
のピッチ変換部（８０μｍから１００μｍに変換）、１
４５はアウターリードからもう一方のＩＣに至る配線で
ある。２５６ｂｉｔ読み出し用アンプＩＣを用いた場
合、センサー基板の接続部の制約からくるＴＡＢテープ
幅は２１．６ｍｍとなり、ＴＡＢテープの両サイドの余
白を考慮するとアウターリード部を８５μｍピッチ以下
にしないとセンサー基板端面部に並ばない。
る。１４０はアウターリードから一方のＩＣに至る配線
のピッチ変換部（８０μｍから１００μｍに変換）、１
４５はアウターリードからもう一方のＩＣに至る配線で
ある。２５６ｂｉｔ読み出し用アンプＩＣを用いた場
合、センサー基板の接続部の制約からくるＴＡＢテープ
幅は２１．６ｍｍとなり、ＴＡＢテープの両サイドの余
白を考慮するとアウターリード部を８５μｍピッチ以下
にしないとセンサー基板端面部に並ばない。
【００１６】次に、図２に於いて、２００はセンサー基
板で、本実施形態においては硝子基板を用いている。２
１０はセンサーで、本実施形態ではセンサー２１０は７
０μｍ□であり、１００μｍピッチで配置してある。２
２０はセンサー間を通り、基板端面まで引き出された読
み出し配線で、下層のＣｒ配線（図示せず）と上層のＡ
ｌ配線の間で容量を形成し、センサーからの電荷を蓄積
し電圧に変換るものである。２３０はテープキャリアと
の接続部で、本実施形態においては８０μｍピッチで並
べられている。
板で、本実施形態においては硝子基板を用いている。２
１０はセンサーで、本実施形態ではセンサー２１０は７
０μｍ□であり、１００μｍピッチで配置してある。２
２０はセンサー間を通り、基板端面まで引き出された読
み出し配線で、下層のＣｒ配線（図示せず）と上層のＡ
ｌ配線の間で容量を形成し、センサーからの電荷を蓄積
し電圧に変換るものである。２３０はテープキャリアと
の接続部で、本実施形態においては８０μｍピッチで並
べられている。
【００１７】２４０はテープキャリアを接続する場合の
テープキャリア間のスペースで、本実施形態においては
１．２ｍｍに設定されている。このようにテープキャリ
ア間のスペースを設けることにより、テープキャリア相
互に干渉することが無くなり容易にセンサー基板端面に
テープキャリアを配置する事が可能になる。２５０はセ
ンサーピッチの１００μｍから８０μｍピッチのアウタ
ーリード接続部に至るピッチ変換部である。
テープキャリア間のスペースで、本実施形態においては
１．２ｍｍに設定されている。このようにテープキャリ
ア間のスペースを設けることにより、テープキャリア相
互に干渉することが無くなり容易にセンサー基板端面に
テープキャリアを配置する事が可能になる。２５０はセ
ンサーピッチの１００μｍから８０μｍピッチのアウタ
ーリード接続部に至るピッチ変換部である。
【００１８】また、図３に於いて、３００はＴＡＢテー
プ、３１０は信号読み出し用ＩＣ、３２０はセンサーの
ＴＦＴ駆動用ドライバーである。ここで、図５に示すよ
うなＴＡＢテープの場合、Ｘ線センサー基板に読み出し
用の２５６ｂｉｔ処理のアンプＩＣを接続すると、セン
サーピッチが０．１ｍｍのため、センサー基板端面の接
続配線部はＴＡＢテープのアウターリードの余白部分を
片側０．６ｍｍずつ、隣り合うＴＡＢテープ間のスペー
スを片側２．５ｍｍずつとる場合には、｛（０．１ｍｍ
×（１２８×２−１）＋０．１ｍｍ）−０．６ｍｍ×２
−２．５ｍｍ｝÷２５６＝０．０８５ｍｍとなり、セン
サーの接続配線部のピッチは０．０８５ｍｍ以下で設定
することになる。
プ、３１０は信号読み出し用ＩＣ、３２０はセンサーの
ＴＦＴ駆動用ドライバーである。ここで、図５に示すよ
うなＴＡＢテープの場合、Ｘ線センサー基板に読み出し
用の２５６ｂｉｔ処理のアンプＩＣを接続すると、セン
サーピッチが０．１ｍｍのため、センサー基板端面の接
続配線部はＴＡＢテープのアウターリードの余白部分を
片側０．６ｍｍずつ、隣り合うＴＡＢテープ間のスペー
スを片側２．５ｍｍずつとる場合には、｛（０．１ｍｍ
×（１２８×２−１）＋０．１ｍｍ）−０．６ｍｍ×２
−２．５ｍｍ｝÷２５６＝０．０８５ｍｍとなり、セン
サーの接続配線部のピッチは０．０８５ｍｍ以下で設定
することになる。
【００１９】本実施形態の場合、接続部分のピッチを
０．０８ｍｍで設定し、ＩＣ側は少なくとも、ＩＣ端面
から一番端部のパッド中心までの距離０．１１ｍｍ、Ｔ
ＡＢのデバイスホールとＩＣチップのクリアランス０．
３ｍｍ、ＴＡＢ端面の余白０．６ｍｍ、アウターリード
接続部両端の余白等を１．０ｍｍと設定すると、０．０
８ｍｍ×（２５６−１）＋１．０ｍｍ×２＝２２．４ｍ
ｍとなり、０．１ｍｍピッチで２５６ライン並べる幅で
ある２５．６ｍｍより小さくなりセンサー基板端部に並
べることが充分可能になる。
０．０８ｍｍで設定し、ＩＣ側は少なくとも、ＩＣ端面
から一番端部のパッド中心までの距離０．１１ｍｍ、Ｔ
ＡＢのデバイスホールとＩＣチップのクリアランス０．
３ｍｍ、ＴＡＢ端面の余白０．６ｍｍ、アウターリード
接続部両端の余白等を１．０ｍｍと設定すると、０．０
８ｍｍ×（２５６−１）＋１．０ｍｍ×２＝２２．４ｍ
ｍとなり、０．１ｍｍピッチで２５６ライン並べる幅で
ある２５．６ｍｍより小さくなりセンサー基板端部に並
べることが充分可能になる。
【００２０】また、本実施形態では、ＩＣチップ側の入
力端子ピッチを狭く出来ないため、従来２５６ｂｉｔで
あったＩＣチップを１２８ｂｉｔ用のＩＣチップ２個に
分割し、これをＴＡＢテープ上に上下、左右にずらして
配置し、前記ＩＣが左右方向で重なり合う部分を設け、
ＴＡＢテープの端面からの配線ピッチを変えて接続部分
のピッチ変換を行うことにより、ＩＣの端子部分のピッ
チを狭くできない場合でもＴＡＢテープの幅を広くする
こと無く、ＩＣの実装が可能になりセンサー基板端面に
ＴＡＢテープを並べることができる。
力端子ピッチを狭く出来ないため、従来２５６ｂｉｔで
あったＩＣチップを１２８ｂｉｔ用のＩＣチップ２個に
分割し、これをＴＡＢテープ上に上下、左右にずらして
配置し、前記ＩＣが左右方向で重なり合う部分を設け、
ＴＡＢテープの端面からの配線ピッチを変えて接続部分
のピッチ変換を行うことにより、ＩＣの端子部分のピッ
チを狭くできない場合でもＴＡＢテープの幅を広くする
こと無く、ＩＣの実装が可能になりセンサー基板端面に
ＴＡＢテープを並べることができる。
【００２１】更に、本実施形態に於いては、センサー基
板側のアウターリード部からＩＣチップまでの距離が２
個のチップ間で異なるため、配線抵抗を揃えるためセン
サー基板側のアウターリードからの近い方のＩＣに至る
ベースフィルム上の配線の配線幅を細くして配線抵抗を
合わせることにより、チップ間でのノイズ等の差が無い
ように設定している。
板側のアウターリード部からＩＣチップまでの距離が２
個のチップ間で異なるため、配線抵抗を揃えるためセン
サー基板側のアウターリードからの近い方のＩＣに至る
ベースフィルム上の配線の配線幅を細くして配線抵抗を
合わせることにより、チップ間でのノイズ等の差が無い
ように設定している。
【００２２】なお、Ｘ線撮像装置に限ることなく、液晶
パネル、ＬＥＤパネル等で基板端面にＴＡＢテープを並
べて接続する形態に於いてＩＣの端子ピッチより基板側
の表示部ピッチ或いはセンサー画素ピッチが等しいか或
いは小さい場合に、本発明の複数ＩＣを搭載したＴＡＢ
テープを用いることは有用である。
パネル、ＬＥＤパネル等で基板端面にＴＡＢテープを並
べて接続する形態に於いてＩＣの端子ピッチより基板側
の表示部ピッチ或いはセンサー画素ピッチが等しいか或
いは小さい場合に、本発明の複数ＩＣを搭載したＴＡＢ
テープを用いることは有用である。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、複
数の同一回路構成のＩＣを同一のテープキャリア上に搭
載し、テープキャリア内で上下、左右に互いにＩＣチッ
プをずらし、テープキャリア全体の幅を撮像素子基板の
端面に配列可能な幅を維持した状態で、ＩＣのインナー
リードの接続ピッチより撮像素子基板側のアウターリー
ドピッチを小さくすることにより、隣り合うテープキャ
リアどうしが干渉することなく、撮像素子基板の端面に
読み出し用ＩＣを実装したキャリアテープを配列するこ
とができる。また、本発明のＴＡＢテープを用いること
により、放射線撮像装置においてＩＣの設計上のノイズ
マージン、ダイナミックレンジ等を損ねることなく、画
素ピッチをより高精細にすることが可能になる。
数の同一回路構成のＩＣを同一のテープキャリア上に搭
載し、テープキャリア内で上下、左右に互いにＩＣチッ
プをずらし、テープキャリア全体の幅を撮像素子基板の
端面に配列可能な幅を維持した状態で、ＩＣのインナー
リードの接続ピッチより撮像素子基板側のアウターリー
ドピッチを小さくすることにより、隣り合うテープキャ
リアどうしが干渉することなく、撮像素子基板の端面に
読み出し用ＩＣを実装したキャリアテープを配列するこ
とができる。また、本発明のＴＡＢテープを用いること
により、放射線撮像装置においてＩＣの設計上のノイズ
マージン、ダイナミックレンジ等を損ねることなく、画
素ピッチをより高精細にすることが可能になる。
【図１】本発明のＴＡＢテープの一実施形態を示す平面
図である。
図である。
【図２】図１のＴＡＢテープを接続したセンサー基板の
レイアウトを示す図である。
レイアウトを示す図である。
【図３】図１のＴＡＢテープを用いた放射線撮像装置を
示す図である。
示す図である。
【図４】従来例の放射線撮像装置を示す図である。
【図５】従来例のＴＡＢテープを示す図である。
１ 蛍光板 ２ａ センサー ２ｂ センサー基板 ３ センサー基板スペーサー ５ ＴＡＢフィルム ６ 防湿フィルム ８ａ 枠体 ８ｂ 蓋 ８ｃ 筐体 ９ センサーと蛍光板の接着層 １３ 回路基板 １４ テープキャリアーとの半田付け部 １６ 放熱部材 １７ 回路基板のスペーサー １００ アンプＩＣ １１０ ベースフィルム １２０ センサー基板とのアウターリード １３０ ＩＣ入力側インナーリード １３５ ＩＣ出力側インナーリード １４０ ＩＣに至る配線のピッチ変換部 １４５ 回路基板との接続アウターリード １５０ デバイスホール ２００ センサー基板 ２１０ センサー ２２０ 読み出し配線 ２３０ テープキャリアーとの接続部 ２４０ 接続部間のスペース ３００ ２チップのＩＣを実装したＴＡＢ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｎ 5/32 Ｈ０１Ｌ 31/00 Ａ Ｆターム(参考） 2G088 EE01 FF02 GG19 GG20 JJ05 JJ09 JJ33 JJ37 5C024 AX11 CY47 CY49 EX25 GX09 GX15 HX02 HX40 5F044 KK03 KK09 RR01 5F088 AA01 AB05 BA10 BB03 EA04 GA02
Claims (5)
- 【請求項１】 可撓性のベースフィルムにＩＣチップが
実装され、前記ベースフィルムには実装されたＩＣチッ
プの端子を接続するための複数のリードが形成され、且
つ、前記ベースフィルムの両端部には前記リードを引き
出すためのアウターリード部が設けられたＴＡＢテープ
において、前記ＩＣチップは複数個実装され、且つ、前
記ＩＣチップと前記リードとの接続部における接続ピッ
チよりも前記ベースフィルムの少なくとも一方のアウタ
ーリード部の接続ピッチが小さく形成されていることを
特徴とするＴＡＢテープ。 - 【請求項２】 前記複数のＩＣチップは、ベースフィル
ム内で互いに上下、左右方向でずらして配置されている
ことを特徴とする請求項１に記載のＴＡＢテープ。 - 【請求項３】 前記複数のＩＣチップは同一回路構成で
あることを特徴とする請求項１又は２に記載のＴＡＢテ
ープ。 - 【請求項４】 前記ベースフィルムのアウターリード部
からＩＣチップまでの距離に応じて当該フィルム上の配
線の配線幅を変えてあることを特徴とする請求項１〜３
のいずれかに記載のＴＡＢテープ。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか１項に記載のＴ
ＡＢテープを複数有することを特徴とする放射線撮像装
置。
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