JPH06232218A - フィルムキャリアおよびそのフィルムキャリアを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】この発明は、多種類ある半導体素子上の電極ピ
ッチ又は基板配線ピッチに対応させたフィルムキャリア
を提供する。 【構成】絶縁フィルム21の上にインナ−リ−ド27a およ
びアウタ−リ−ド27b を有する複数の配線27を設けてい
る。これらインナ−リ−ド27a の先端は前記デバイス孔
22の上に位置している。前記先端におけるインナ−リ−
ド27a の下に絶縁体からなる弾性体28を設けており、こ
の弾性体28は断面が鋸刃形状となっている。前記弾性体
28によりインナ−リ−ド27a を連結・保持している。前
記弾性体28を図示せぬ上型に挿入し、インナ−リ−ド27
a の先端が所定のピッチとなるように強制的に弾性変形
させる。この状態で、前記上型によってインナ−リ−ド
27aを熱・圧着させることにより、半導体素子とインナ
−リ−ド27a とを電気的に接続している。従って、多種
類ある半導体素子上の電極ピッチに対応させることがで
きる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、汎用性・柔軟性があ
るフィルム・キャリアおよびそのフィルム・キャリアを
用いた半導体装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来技術】近年の高密度実装の要求に対応した半導体
パッケージとしては、ＴＣＰ(TapeCarrier Package)が
ある。

【０００３】図１２は、従来のフィルム・キャリアを示
す平面図である。絶縁フィルム１にはデバイス孔２、第
１乃至第４の孔３〜６および複数の位置合わせ用の穴７
が設けられている。前記絶縁フィルム１の上にはインナ
−リ−ド８ａおよびアウタ−リ−ド８ｂを有する複数の
銅の配線８が設けられている。

【０００４】図１３は、図１２に示すフィルム・キャリ
アを用いて半導体素子が基板に実装された半導体装置を
示す断面図である。基板１１の上には配線パタ−ン１２
が設けられており、この配線パタ−ン１２は銅の配線８
におけるアウタ−リ−ド８ｂと電気的に接続されてい
る。前記銅の配線８におけるインナ−リ−ド８ａは絶縁
フィルム１におけるデバイス孔２の下に位置する半導体
素子９と電気的に接続されている。この半導体素子９は
樹脂１３によって保護されている。

【０００５】前記インナーリード８ａと半導体素子９と
の接続および前記アウターリード８ｂと配線パタ−ン１
２との接続は、加圧治具の平坦部によって熱・圧着され
ることにより一括して行われる。このため、接続工程の
時間が短く、効率が良い。さらに、ピン数が多く、ピン
相互の間隔が狭いパッケ−ジの場合においても、フィル
ム・キャリアは半導体素子９とインナ−リ−ド８ａとの
接続に適している。これとともに、パッケ−ジの薄型化
に有利なことから、前記フィルム・キャリアは高密度実
装パッケージとして増々使用される傾向にある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、インナ−リ
−ド８ａと接続される半導体素子９上の電極ピッチが多
種類ある場合、個々の電極ピッチに対応するフィルム・
キャリア、即ち汎用性・柔軟性があるフィルム・キャリ
アが必要となる。これと同様に、アウタ−リ−ド８ｂと
接続される配線パタ−ン１２が多種類ある場合において
も、個々の配線パタ−ン１２に対応するフィルム・キャ
リアが必要となる。この際、ワイヤーボンディング方式
による接続であれば、ボンディング装置のプログラムを
変更することによって個々の電極ピッチまたは配線パタ
ーンに対応させることは可能であるが、従来のフィルム
・キャリアでは困難である。これは、フィルム・キャリ
アの短所である。

【０００７】また、上記従来のフィルム・キャリアで
は、平面形状を有する絶縁フィルム１の上にインナ−リ
ード８ａおよびアウタ−リ−ド８ｂが形成されており、
このインナ−リ−ド８ａと半導体素子９とが接続される
面およびアウタ−リ−ド８ｂと配線パタ−ン１２とが接
続される面は平面に限られていた。したがって、前記面
が平面以外の形状である半導体装置に前記フィルム・キ
ャリアを用いることはできなかった。

【０００８】本発明の目的は、多種類ある半導体素子上
の電極ピッチ又は基板配線ピッチに対応できるととも
に、前記電極とインナ−リ−ドとの接続面および前記基
板配線とアウタ−リ−ドとの接続面それぞれを任意形状
とすることが可能であるフィルム・キャリアおよびその
フィルム・キャリアを用いた半導体装置の製造方法を提
供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】この発明は、上記課題を
解決するため、絶縁性フィルムと、前記絶縁性フィルム
の上に設けられた複数のインナ−リ−ドと、前記インナ
−リ−ドの先端を一体的に保持するとともに、半導体素
子上の電極のピッチに前記インナ−リ−ドの先端間隔を
合わせるための金型治具に挿入される弾性体とを具備す
ることを特徴としている。

【００１０】また、絶縁性フィルムと、前記絶縁性フィ
ルムの上に設けられた複数のアウタ−リ−ドと、前記ア
ウタ−リ−ドを一体的に保持するとともに、基板上の配
線のピッチに前記アウタ−リ−ドの間隔を合わせるため
の金型治具に挿入される弾性体とを具備することを特徴
としている。

【００１１】また、絶縁フィルムの上に設けられ弾性体
により先端が一体的に保持された複数のインナ−リ−ド
を、半導体素子上の電極のピッチと合うように形成され
た金型治具の第１の型の凹部に挿入し、前記インナ−リ
−ドを弾性的に変形させる工程と、前記金型治具におい
て前記凹部に対応する第２の型の凸部によって前記イン
ナ−リ−ドを前記電極に加圧することにより、前記イン
ナ−リ−ドを前記半導体素子に接続する工程とを具備す
ることを特徴としている。

【００１２】また、絶縁フィルムの上に設けられ弾性体
により先端が一体的に保持された複数のアウタ−リ−ド
を、基板上の配線のピッチと合うように形成された金型
治具の第１の型の凹部に挿入し、前記アウタ−リ−ドを
弾性的に変形させる工程と、前記金型治具において前記
凹部に対応する第２の型の凸部によって前記アウタ−リ
−ドを前記配線に加圧することにより、前記アウタ−リ
−ドを前記配線に接続する工程とを具備することを特徴
としている。

【００１３】

【作用】この発明は、絶縁フィルムの上に複数のインナ
−リ−ドを設け、これらインナ−リ−ドの先端を弾性体
により一体的に保持し、前記インナ−リ−ドを金型治具
の第１の型の凹部に挿入する。この際、前記弾性体によ
りインナ−リ−ドを一体的に保持しているため、それぞ
れのインナ−リ−ドを所定の前記凹部に挿入することが
できる。これにより、前記インナ−リ−ドを弾性的に変
形させることができる。この後、前記凹部に対応する第
２の型の凸部によって前記インナ−リ−ドを半導体素子
上の電極に加圧する。この際、前記凹部は前記電極のピ
ッチと合うように形成されているため、それぞれのイン
ナ−リ−ドを所定の前記電極と接続することができる。
したがって、弾性体により保持されたインナ−リ−ドを
有するフィルムキャリアを用いれば、多種類ある半導体
素子上の電極ピッチに対応できるとともに、前記電極と
インナ−リ−ドとの接続面を任意形状とすることが可能
である。

【００１４】また、前記インナ−リ−ドと同様に、アウ
タ−リ−ドにおいても所定の配線と接続することができ
る。したがって、弾性体により保持されたアウタ−リ−
ドを有するフィルムキャリアを用いれば、多種類ある基
板上の配線ピッチに対応できるとともに、前記基板上の
配線とアウタ−リ−ドとの接続面を任意形状とすること
が可能である。

【００１５】

【実施例】図１は、この発明の第１の実施例によるフィ
ルム・キャリアを示す平面図である。絶縁フィルム２１
にはデバイス孔２２および第１乃至第４の孔２３〜２６
が設けられている。前記絶縁フィルム２１の上にはイン
ナ−リ−ド２７ａおよびアウタ−リ−ド２７ｂを有する
複数の配線２７が設けられている。これらインナ−リ−
ド２７ａの先端は前記デバイス孔２２の上に位置してい
る。前記先端におけるインナ−リ−ド２７ａの下には絶
縁体からなる弾性体２８が設けられている。

【００１６】図２（ａ）は、図１に示す弾性体２８の一
部を拡大した平面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）
に示す２ｂ−２ｂ線に沿った断面図である。インナ−リ
−ド２７ａの先端近傍には弾性体２８が設けられてお
り、この弾性体２８は断面が図２（ｂ）に示す鋸刃形状
となっている。前記弾性体２８によりインナ−リ−ド２
７ａは一体的に連結・保持されている。

【００１７】図３乃至図５は、この発明の図１に示すフ
ィルム・キャリアを用いた半導体装置の製造方法を示す
ものであり、図３は、フィルム・キャリアにおけるイン
ナ−リ−ド相互間を金型治具により所定の間隔とする工
程、即ちインナ−リ−ドの先端間隔を金型治具により合
わせる工程を示す断面図である。金型治具３１は上型３
１ａおよび下型３１ｂから形成されている。この下型３
１ｂは第１、第２の側部３１ｃ、３１ｄおよび底部３１
ｅから構成されている。前記第１、第２の側部３１ｃ、
３１ｄは、所定の角度に傾けて設けられている。この結
果、前記側部３１ｃ、３１ｄには傾斜部３１ｆが形成さ
れている。前記底部３１ｅには断面が鋸刃形状となるよ
うな複数の第１の凸部３１ｇが設けられており、これら
第１の凸部３１ｇの相互間には第１の凹部３１ｊが形成
されている。

【００１８】前記上型３１ａには複数の第２の凹部３１
ｉが設けられており、これら第２の凹部３１ｉの相互間
には第２の凸部３１ｈが設けられている。前記第２の凹
部３１ｉは前記第１の凸部３１ｇと噛み合い、前記第１
の凹部３１ｊは前記第２の凸部３１ｈと噛み合うように
形成されている。前記第２の凸部３１ｈは、図示せぬ半
導体素子上の電極にインナ−リ−ド２７ａを図示せぬ加
圧用治具によって圧着する際、前記インナ−リ−ド２７
ａに圧力を加えるためのものである。

【００１９】上記構成において、先ず、下型３１ｂの内
側にはインナ−リ−ド２７ａが連結・保持された弾性体
２８が載置され、この弾性体２８の上には上型３１ａが
載置される。次に、前記下型３１ｂを固定した状態で上
型３１ａを下に押すことにより、弾性体２８とともにイ
ンナ−リ−ド２７ａは前記傾斜部３１ｆに沿ってスライ
ドされる。これにより、前記インナ−リ−ド２７ａは内
側に弾性的に変形され、インナ−リ−ド２７ａの先端の
ピッチが縮められる。この際、前記弾性体２８は、イン
ナ−リ−ド２７ａをガイドし、保持する役目を果たして
いる。この後、前記インナ−リ−ド２７ａは、下型３１
ｂにおける第１の凹部３１ｊに挿入される。前記弾性体
２８は、上型３１ａの第２の凹部３１ｉおよび下型３１
ｂの第１の凸部３１ｇに噛み合わされた状態で挟入され
る。

【００２０】次に、図４に示すように、前記インナ−リ
−ド２７ａから金型治具３１の下型３１ｂは離型され
る。前記金型治具３１の上型３１ａにおいて、インナ−
リード２７ａの先端側に対応する第２の凹部３１ｉのピ
ッチは基端側に対応するそれより狭くなっている。この
ような第２の凹部３１ｉに弾性体２８が挿入されること
により、インナ−リ−ド２７ａは強制的に弾性変形さ
れ、このインナ−リード２７ａの先端は狭ピッチに保持
される。

【００２１】この後、図５に示すように、前記狭ピッチ
に保持された状態で、前記上型３１ａは加熱される。次
に、この上型３１ａによってインナ−リ−ド２７ａは、
図１に示すインナ−リ−ド２７ａのピッチより狭いピッ
チの半導体素子３２上の電極３３に圧着される。これに
より、前記電極３３とインナ−リ−ド２７ａとは電気的
に接続される。

【００２２】上記実施例によれば、絶縁フィルム２１の
上に複数のインナ−リ−ド２７ａを設け、これらインナ
−リ−ド２７ａの先端近傍に鋸刃形状の弾性体２８を設
け、この弾性体２８により前記インナ−リ−ド２７ａを
連結・保持している。前記弾性体２８は前記インナ−リ
−ド２７ａを弾性変形させるためのガイド及び保持の役
目を果たしている。前記弾性変形させる際、金型治具３
１の下型３１ｂの第１の凹部３１ｊにインナ−リ−ド２
７ａを挿入する。これにより、インナ−リード２７ａを
強制的に弾性変形させ、インナ−リ−ド２７ａの先端を
狭ピッチとすることができる。次に、前記上型３１ａの
第２の凸部３１ｈによって、半導体素子３２上の電極３
３にインナ−リ−ド２７ａを熱・圧着させている。この
際、前記第２の凸部３１ｈを前記電極３３のピッチに合
うように形成しているため、前記インナ−リ−ド２７ａ
を前記電極３３に電気的に接続することができる。した
がって、前記フィルム・キャリアを狭い電極ピッチに対
応させることができ、フィルム・キャリアの汎用性・柔
軟性を向上させることができる。

【００２３】図６は、この発明の第２の実施例によるフ
ィルム・キャリアを用いた半導体装置の要部を示す平面
図であり、図５と同一部分には同一符号を付し、異なる
部分についてのみ説明する。この第２の実施例において
も第１の実施例と同様な方法により、半導体装置は製造
される。

【００２４】すなわち、インナ−リ−ド２７ａの先端が
基端より広いピッチに保持された状態で、上型３１ａは
加熱される。次に、この上型３１ａによってインナ−リ
−ド２７ａは、図１に示すインナ−リ−ド２７ａのピッ
チより広いピッチの半導体素子３２上の電極３３に圧着
される。これにより、前記電極３３とインナ−リ−ド２
７ａとは電気的に接続される。

【００２５】上記第２の実施例においても第１の実施例
と同様の効果を得ることができる。すなわち、フィルム
・キャリアを広い電極ピッチに対応させることができ、
フィルム・キャリアの汎用性・柔軟性を向上させること
ができる。

【００２６】図７は、この発明の第３の実施例によるフ
ィルム・キャリアを用いた半導体装置の要部を示す平面
図であり、図５と同一部分には同一符号を付し、異なる
部分についてのみ説明する。この第３の実施例において
も第１の実施例と同様な方法により、半導体装置は製造
される。

【００２７】すなわち、インナ−リ−ド２７ａの先端が
不等ピッチに保持された状態で、上型３１ａは加熱され
る。次に、この上型３１ａによってインナ−リ−ド２７
ａは、図１に示すインナ−リ−ド２７ａのピッチとは異
なる不等ピッチの半導体素子３２上の電極３３に圧着さ
れる。これにより、前記電極３３とインナ−リ−ド２７
ａとは電気的に接続される。

【００２８】上記第３の実施例においても第１の実施例
と同様の効果を得ることができる。すなわち、フィルム
・キャリアを不等電極ピッチに対応させることができ、
フィルム・キャリアの汎用性・柔軟性を向上させること
ができる。図８は、この発明の第４の実施例によるフィ
ルム・キャリアを示す平面図であり、図１と同一部分に
は同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
第２の孔２４の上に位置するアウタ−リ−ド２７ｂの下
には絶縁体からなる弾性体２８が設けられている。

【００２９】図９（ａ）は、図８に示す弾性体２８の一
部を拡大した平面図であり、図９（ｂ）は、図９（ａ）
に示す９ｂ−９ｂ線に沿った断面図である。アウタ−リ
−ド２７ｂには弾性体２８が設けられており、この弾性
体２８は断面が図９（ｂ）に示す鋸刃形状となってい
る。前記弾性体２８によりアウタ−リ−ド２７ｂは連結
・保持されている。

【００３０】図１０は、図８に示すフィルム・キャリア
を用いた半導体装置の要部を示す平面図であり、図５と
同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ
説明する。この第４の実施例においても第１の実施例と
同様な方法により、半導体装置は製造される。

【００３１】すなわち、図示せぬ金型治具によって強制
的に弾性変形させることによりアウタ−リ−ド２７ｂが
不等ピッチに保持された状態で、図示せぬ上型は加熱さ
れる。次に、この上型によってアウタ−リ−ド２７ｂ
は、図８に示すアウタ−リ−ド２７ｂのピッチとは異な
る不等ピッチの基板３５上の配線３６に圧着される。こ
れにより、前記配線３６とアウタ−リ−ド２７ｂとは電
気的に接続される。

【００３２】上記第４の実施例によれば、絶縁フィルム
２１の上に複数のアウタ−リ−ド２７ｂを設け、これら
アウタ−リ−ド２７ｂに鋸刃形状の弾性体２８を設け、
この弾性体２８により前記アウタ−リ−ド２７ｂを連結
・保持している。前記弾性体２８は前記アウタ−リ−ド
２７ｂを弾性変形させるためのガイド及び保持の役目を
果たしている。前記弾性変形させる際、金型治具３１の
上型３１ａの第２の凹部３１ｉに前記弾性体２８を挿入
する。これにより、アウタ−リード２７ｂを強制的に弾
性変形させ、アウタ−リ−ド２７ｂを不等ピッチとする
ことができる。次に、前記上型３１ａの第２の凸部３１
ｈによって、基板３５上の配線３６にアウタ−リ−ド２
７ｂを熱・圧着させている。この際、前記第２の凸部３
１ｈを前記配線のピッチに合うように形成しているた
め、前記アウタ−リ−ド２７ｂを前記配線３６に電気的
に接続することができる。したがって、前記フィルム・
キャリアを不等配線ピッチに対応させることができ、フ
ィルム・キャリアの汎用性・柔軟性を向上させることが
できる。

【００３３】図１１は、この発明の第５の実施例による
フィルム・キャリアを用いた半導体装置の製造方法を示
すものであり、第１の実施例と同一部分には同一符号を
付し、異なる部分についてのみ説明する。この第５の実
施例においても第１の実施例と同様の方法により、半導
体装置は製造される。

【００３４】すなわち、湾曲した金型治具３１の上型３
１ａには第２の凹部３１ｉおよび第２の凸部３１ｈが設
けられており、この上型３１ａは図示せぬ基板の曲面形
状に合わせた形状とされている。前記第２の凹部３１ｉ
に弾性体２８が挿入されることによって、アウタ−リ−
ド２７ｂは強制的に弾性変形させられる。これにより、
前記アウタ−リ−ド２７ｂは曲面形状とされる。この
後、上型３１ａは加熱される。次に、この上型３１ａの
第２の凸部３１ｈによって、アウタ−リ−ド２７ｂは前
記基板上の配線３６に圧着される。これにより、前記配
線３６とアウタ−リ−ド２７ｂとは電気的に接続され
る。

【００３５】上記第５の実施例によれば、前記基板の曲
面形状に合わせた金型治具３１の上型３１ａにより、ア
ウタ−リ−ド２７ｂを前記基板に対応した形状にしてい
る。このため、従来のフィルム・キャリアは平面状の基
板にしか用いることができなかったのに対し、この発明
のフィルム・キャリアは曲面形状の基板においても用い
ることができる。したがって、金型治具３１の形状を変
更すれば、種々の形状の基板に対応させることができ、
フィルム・キャリアの汎用性・柔軟性を向上させること
ができる。これとともに、高密度実装を行う上でＴＣＰ
の三次元的な実装が可能となる。

【００３６】尚、この発明のフィルム・キャリアは上記
の実施例に限定されることなく、インナ−リ−ド２７ａ
またはアウタ−リ−ド２７ｂそれぞれのピッチは種々変
更可能であり、前記ピッチに合わせて金型治具３１にお
ける第１、第２の凹部３１ｊ、３１ｉおよび第１、第２
の凸部３１ｇ、３１ｈのピッチにおいても変更可能であ
る。

【００３７】

【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
絶縁フィルムの上にインナ−リ−ドを設け、このインナ
−リ−ドを弾性体により一体的に保持している。また、
絶縁フィルムの上にアウタ−リ−ドを設け、このアウタ
−リ−ドを弾性体により一端的に保持している。したが
って、多種類ある半導体素子上の電極ピッチ又は基板上
の配線ピッチに対応できるとともに、前記電極とインナ
−リ−ドとの接続面および前記配線とアウタ−リ−ドと
の接続面それぞれを任意形状とすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施例によるフィルム・キャ
リアを示す平面図。

【図２】図２（ａ）は、この発明の図１に示す弾性体の
一部を拡大した平面図であり、図２（ｂ）は、図２
（ａ）に示す２ｂ−２ｂ線に沿った断面図。

【図３】この発明の図１に示すフィルム・キャリアを用
いた半導体装置の製造方法を示す断面図。

【図４】この発明の図３の次の工程を示すものであり、
金型治具の上型に弾性体が挿入された状態を示す平面
図。

【図５】この発明の図４の次の工程を示す平面図。

【図６】この発明の第２の実施例によるフィルム・キャ
リアを用いた半導体装置の要部を示す平面図。

【図７】この発明の第３の実施例によるフィルム・キャ
リアを用いた半導体装置の要部を示す平面図。

【図８】この発明の第４の実施例によるフィルム・キャ
リアを示す平面図。

【図９】図９（ａ）は、図８に示す弾性体の一部を拡大
した平面図であり、図９（ｂ）は、図９（ａ）に示す９
ｂ−９ｂ線に沿った断面図。

【図１０】この発明の図８に示すフィルム・キャリアを
用いた半導体装置の要部を示す平面図。

【図１１】この発明の第５の実施例によるフィルム・キ
ャリアを用いた半導体装置の要部を示す断面図。

【図１２】従来のフィルム・キャリアを示す平面図。

【図１３】図１２に示すフィルム・キャリアを用いて半
導体素子が基板に実装された半導体装置を示す断面図。

【符号の説明】

21…絶縁フィルム、22…デバイス孔、23…第１の孔、24
…第２の孔、25…第３の孔、26…第４の孔、27…配線、
27a …インナ−リ−ド、27b …アウタ−リ−ド、28…弾
性体、31…金型治具、31a …上型、31b …下型、31c …
第１の側部、31d …第２の側部、31e …底部、31f …傾
斜部、31g …第１の凸部、31h …第２の凸部、31i …第
２の凹部、31j …第１の凹部、32…半導体素子、33…電
極、35…基板、36…配線。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁性フィルムと、 前記絶縁性フィルムの上に設けられた複数のインナ−リ
   −ドと、 前記インナ−リ−ドの先端を一体的に保持するととも
   に、半導体素子上の電極のピッチに前記インナ−リ−ド
   の先端間隔を合わせるための金型治具に挿入される弾性
   体と、 を具備することを特徴とするフィルムキャリア。
2. 【請求項２】 絶縁性フィルムと、 前記絶縁性フィルムの上に設けられた複数のアウタ−リ
   −ドと、 前記アウタ−リ−ドを一体的に保持するとともに、基板
   上の配線のピッチに前記アウタ−リ−ドの間隔を合わせ
   るための金型治具に挿入される弾性体と、 を具備することを特徴とするフィルムキャリア。
3. 【請求項３】 絶縁フィルムの上に設けられ弾性体によ
   り先端が一体的に保持された複数のインナ−リ−ドを、
   半導体素子上の電極のピッチと合うように形成された金
   型治具の第１の型の凹部に挿入し、前記インナ−リ−ド
   を弾性的に変形させる工程と、 前記金型治具において前記凹部に対応する第２の型の凸
   部によって前記インナ−リ−ドを前記電極に加圧するこ
   とにより、前記インナ−リ−ドを前記半導体素子に接続
   する工程と、 を具備することを特徴とするフィルムキャリアを用いた
   半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 絶縁フィルムの上に設けられ弾性体によ
   り先端が一体的に保持された複数のアウタ−リ−ドを、
   基板上の配線のピッチと合うように形成された金型治具
   の第１の型の凹部に挿入し、前記アウタ−リ−ドを弾性
   的に変形させる工程と、 前記金型治具において前記凹部に対応する第２の型の凸
   部によって前記アウタ−リ−ドを前記配線に加圧するこ
   とにより、前記アウタ−リ−ドを前記配線に接続する工
   程と、 を具備することを特徴とするフィルムキャリアを用いた
   半導体装置の製造方法。