JPS6155247B2 - - Google Patents

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JPS6155247B2
JPS6155247B2 JP3232081A JP3232081A JPS6155247B2 JP S6155247 B2 JPS6155247 B2 JP S6155247B2 JP 3232081 A JP3232081 A JP 3232081A JP 3232081 A JP3232081 A JP 3232081A JP S6155247 B2 JPS6155247 B2 JP S6155247B2
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electrode lead
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置の製造方法に関する。
従来の一般的な半導体装置の量産方法は金属薄
板のパンチングフレームを用いていた。しかしな
がら斯るフレームでは高々14連程度で区切られる
ため、連続してフレームを供給して行くことは不
可能であつた。この欠点を改善するために第１図
の如く、ポリイミド、ポリアミドイミド等の耐熱
性プラスチツク層１上に銅箔２を貼つたフレキシ
ブルフイルム基板３が提案された。しかしこのフ
レキシブルフイルム基板３は耐熱性プラスチツク
層１が極めて高価であり、半導体装置の量産方法
としては不適当であつた。
本発明は斯点に鑑みてなされ、従来の穴点を除
去した半導体装置の製造方法を提供するものであ
る。以下に第２図乃至第８図を参照して本発明の
一実施例を詳述する。
本発明の第１の工程は第２図および第３図に示
す如く、フレキシブルなフイルム基板１０を形成
することにある。このフイルム基板１０は二枚の
銅箔１１，１２を互いに熱硬化性樹脂の接着剤１
３で圧着して形成される。この二枚の銅箔１１，
１２はプリント基板等に用いられる約35μ厚の銅
箔を用い、一方あるいは両方の銅箔１１，１２の
一面にエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から成る接
着剤１３を塗布した後にローラーで圧着して二枚
の銅箔１１，１２を一体化してフイルム状にす
る。ここで用いられる熱硬化性樹脂としては例え
ば特公昭55−20394号公報に記載されたものを用
いれば良い。この様に二枚の銅箔は互いに約30μ
厚の薄い接着剤１３で電気的に絶縁され、最低で
も600V、平均では約2500Vの絶縁耐圧が得られ
る。
斯るフイルム基板１０は所定の巾例えば50mm巾
に切断して帯状にして例えば長さ50ｍ単位でカー
トリツジに巻き取り、製造に供する。この帯状の
フイルム基板１０には第３図の如く所望の導電パ
ターンを設けない両端部分に一定間隔でインデツ
クス孔１４を打抜いて形成し、以降の製造工程で
インデツクス孔１４を用いて位置の割出しやフイ
ルム基板１０の移送を行う。
本発明の第２の工程は第４図に示す如く、フイ
ルム基板１０の一方の銅箔１１をエツチングして
所望の導電パターン１５を多数長さ方向に一定間
隔で連続して形成することにある。導電パターン
１５はフイルム基板１０のほぼ中央部に設けた半
導体素子の配置領域１６の近傍から四方向に延在
された複数本の電極リード１７より構成され、こ
の電極リード１７は各方向毎に平行且つ一定間隔
で配列されており、最終的に外部端子として働
く。
なお製造中にフイルム基板１０を移送する際に
加わる力から各導電パターン１５を保護するため
に、フイルム基板１０の両端にインデツクス孔１
４を含んで連続した帯状パターン１８を設け、更
に必要あれば帯状パターン１８をはしご状に接続
する連結パターン１９を設けて完全に導電パター
ン１５を囲む。このとき導電パターン１５は帯状
パターン１８および連結パターン１９を電気的に
独立させ、且つ各電極リード１７も夫々電気的に
独立させておく。
本発明の第３の工程は第５図に示す如く、フイ
ルム基板１０の他方の銅箔１２をエツチングして
固着パターン２０を各導電パターン１５に対応し
て形成することにある。固着パターン２０は点線
で示した導電パターン１５の各電極リード１７の
半導体素子の配置領域１６と隣接した端部と重畳
して、配置領域１６を囲む様にリング状に形成さ
れる。この固着パターン２０はすべての電極リー
ド１７の端部を接着剤１３を介して一体的に支持
し、支持機能を全く有さない接着剤１３の薄層に
代つて導電パターン１５を支持すると同時に金属
片の固着手段となる。
また前述した帯状パターン１８および連結パタ
ーン１９を補強するために帯状パターン１８およ
び連結パターン１９と対応する部分に他方の銅箔
１２を残して補強パターン２１を設ける。更に各
電極リード１７の外部端子として働く部分に対応
して他方の銅箔１２を残して裏リード２２を設
け、且つこの裏リード２２を延長して補強パター
ン２１と接続し各電極リード１７の他端も補強パ
ターン２１により一体的に支持する。
上述した如く導電パターン１５は夫々電気的に
独立していても裏面に設けた固着パターン２０、
補強パターン２１および裏リード２２によつて接
着剤１３を介して帯状パターン１８および連結パ
ターン１９で形成される枠内に一体に支持できる
のでフイルム基板１０の状態で製造に用いられ
る。
前述した第２の工程および本工程の銅箔１１，
１２のエツチングは同時に行うことができる。即
ちフイルム基板１０の両面の銅箔１１，１２に所
望形状にレジストをスクリーン印刷した後に両面
エツチング装置内にフイルム基板１０を連続して
送り込み、エツチング液を対向するノズルからフ
イルム基板１０の両面に吹き付けて同時に両面エ
ツチングを行う。
更に導電パターン１５の必要な部分例えば電極
リード１７の少なくとも超音波ボンデイングを行
う固着パターン２０側の端部にニツケルメツキ層
を付着形成しておく。
本発明の第４の工程は第６図に示す如く、固着
パターン２０に点線で示す金属片２３を半田付け
して固着した後、金属片２３の配置領域１６上に
半導体素子２４を固着し、半導体素子２４の電極
と対応するニツケルメツキした電極リード１７と
をボンデイング細線により接続する。
導電パターン１５等を形成したフイルム基板１
０を収納したカートリツジからインデツクス孔１
４を用いてコマ送りしてフイルム基板１０を供給
し、固着パターン２０に銅等の良熱導電性金属か
らなり固着パターン２０と略同じ大きさの正方形
状の板体である金属片２３を半田付けしてフイル
ム基板１０と一体とし、配置領域１６にある接着
剤１３の薄層を除去してそこに半導体素子２４を
銀ペーストあるいは半田を用いて固着した後に自
動ボンデイング装置により半導体素子２４の電極
と対応する電極リード１７とをアルミニウムのボ
ンデイング細線で接続する。
この際金属片２３は電極リード１７のボンデイ
ングを端部も支持しているので良好な超音波ボン
デイングが行なえる。
前述した如く各電極リード１７は電気的に独立
しているのでボンデイング終了後各電極リード１
７に検査用の針をたてて通電し各半導体素子２４
の回路機能検査を行ない必要あればフアンクシヨ
ナルトリミング等を行い、不良の場合には半導体
素子２４を交換して再生するかあるいは特別のマ
ークを付けて以後の組立工程を中止して完成品の
歩留の向上を図る。
この検査後半導体素子２４およびボンデイング
細線をシリコンレジン等の保護樹脂で被覆する。
本発明の第５の工程は第７図に示す如く、フイ
ルム基板１０の導電パターン１５の外部端子とな
る電極リード１７を残して他を樹脂２５でモール
ドすることにある。
樹脂モールドはフイルム基板のままでコマ送り
をして１個ないし数個づつ粉末のエポキシ樹脂を
吹き付けて加熱硬化させて外部端子となる部分の
電極リード１７を露出させて全体をモールドす
る。
しかし放熱のために必要であれば第８図の如く
金属片２３の一面を樹脂２５から露出しても良
い。その後第７図で一点鎖線で示す部分で電極リ
ード１７および補強パターン２１を切断して個別
の半導体装置に分離する。なお電極リード１７と
裏リード２２とは接着剤１３で絶縁されているの
で、第８図に示す如く貫通孔２６を設けてその孔
に半田２７を充填して電極リード１７と裏リード
２２を電気的に接続する。
また裏リード２２はプリント基板への半田付け
の際に用いられる。
以上に詳述した如く本発明に依れば、二枚の銅
箔を貼り合せたフイルム基板によりポリイミド膜
等を用いない安価なフイルムキヤリア方式の量産
ができる。また本発明に依れば、従来では実現さ
れない高消費電力の半導体装置にフイルムキヤリ
ア方式を採用できる。更に本発明では半導体素子
の固着後にフイルム状のままで半導体素子の回路
機能検査を行え完成品の歩留を大巾に向上でき
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は周知のフレキシブル基板を説明する断
面図、第２図は本発明を適用するフレキシブルフ
イルム基板を説明する断面図、第３図乃至第７図
は本発明の各工程を説明する平面図、第８図は本
発明により完成した半導体装置を説明する断面図
である。 主な図番の説明、１０はフイルム基板、１１，
１２は二枚の銅箔、１５は導電パターン、１７は
電極リード、２０は固着パターン、２３は金属
片、２４は半導体素子、２５はモールド樹脂。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 二枚の銅箔を熱硬化性樹脂で接着し且つ該樹
    脂で互いに絶縁されたフイルム基板を形成する工
    程と、該基板の一方の銅箔をエツチングして形成
    した半導体素子の配置領域近傍から延在される複
    数本の電極リードより成る導電パターンを形成す
    る工程、前記基板の他方の銅箔をエツチングして
    形成され前記配置領域を囲み且つ前記電極リード
    の一部と重畳する固着パターンを形成する工程
    と、該固着パターンに金属片を固着し該金属片上
    の前記配置領域に半導体素子を固着し該素子と前
    記電極リードとをボンデイングにより接続する工
    程と、前記電極リードの外部端子となる部分を露
    出して全体をモールドする工程を具備することを
    特徴とする半導体装置の製造方法。
JP3232081A 1981-03-05 1981-03-05 Manufacture of semiconductor device Granted JPS57147262A (en)

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JPS57147262A JPS57147262A (en) 1982-09-11
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JPH01227285A (ja) * 1988-03-08 1989-09-11 Sanyo Electric Co Ltd ディスクプレーヤの駆動機構

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