JPS5815945B2 - リ−ドフレ−ムハンドウタイソウチ - Google Patents
リ−ドフレ−ムハンドウタイソウチInfo
- Publication number
- JPS5815945B2 JPS5815945B2 JP49132326A JP13232674A JPS5815945B2 JP S5815945 B2 JPS5815945 B2 JP S5815945B2 JP 49132326 A JP49132326 A JP 49132326A JP 13232674 A JP13232674 A JP 13232674A JP S5815945 B2 JPS5815945 B2 JP S5815945B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- insulating film
- pellet
- lead pieces
- holes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は混成集積回路への使用に適するリードフレー
ム半導体装置、特にその製造、試験が容易に出来るよう
にした半導体装置に関する。
ム半導体装置、特にその製造、試験が容易に出来るよう
にした半導体装置に関する。
リードフレーム半導体装置の製造に当り、従来は1つの
半導体集積回路素子の各電極にリード片を1本づつ接続
していた。
半導体集積回路素子の各電極にリード片を1本づつ接続
していた。
このような製造では多くの手数を必要とする。
この点より絶縁フィルム上にその長手方向に沿って複数
のリードフレームを形成し、その各リードフレームに半
導体素子を1個づつ取付けるようにすることにより、そ
の素子の電極とリード片との同時ボンティングを次々に
自動的に行なうことが提案されている。
のリードフレームを形成し、その各リードフレームに半
導体素子を1個づつ取付けるようにすることにより、そ
の素子の電極とリード片との同時ボンティングを次々に
自動的に行なうことが提案されている。
リードフレームの製造は、一般に片面に接着剤が被着さ
れ、かつ長手方向に沿って複数のペレット用孔が等間隔
で予め設けられた厚さ100μ〜200μ程度の絶縁体
フィルムを赤外線等で加熱して、その接着剤を軟化させ
、これに銅等の金属箔を接着し、その金属箔に対し、感
光剤塗布、露光、現像、パターンエツチング等の工程を
含む通常のフオ上エツチングで上記ペレット孔内に突出
する所要のリード片を形成し、その後この金属箔に金等
の電解メッキを施して各ペレット孔ごとに1個のリード
フレームが作られる。
れ、かつ長手方向に沿って複数のペレット用孔が等間隔
で予め設けられた厚さ100μ〜200μ程度の絶縁体
フィルムを赤外線等で加熱して、その接着剤を軟化させ
、これに銅等の金属箔を接着し、その金属箔に対し、感
光剤塗布、露光、現像、パターンエツチング等の工程を
含む通常のフオ上エツチングで上記ペレット孔内に突出
する所要のリード片を形成し、その後この金属箔に金等
の電解メッキを施して各ペレット孔ごとに1個のリード
フレームが作られる。
このようにして作られた各リードフレームのリード片の
自由端に半導体素子を接合しだ後、リード片の他端部を
切断することにより、リード片付きの半導体素子が得ら
れる。
自由端に半導体素子を接合しだ後、リード片の他端部を
切断することにより、リード片付きの半導体素子が得ら
れる。
このようにして半導体素子にリード片を取付ける作業が
自動化可能になる。
自動化可能になる。
このリード片付きの半導体素子は混成集積回路用基板あ
るいは一般リードフレーム上に運搬され、各電極を接着
して使用されるが、リード片の接続作業中などにおいて
不良の半導体素子が生じるおそれがある。
るいは一般リードフレーム上に運搬され、各電極を接着
して使用されるが、リード片の接続作業中などにおいて
不良の半導体素子が生じるおそれがある。
このだめの電気的試験を混成集積回路へ搭載後に行ない
、不良品を取換えることはその取換作業が大変なものに
なる。
、不良品を取換えることはその取換作業が大変なものに
なる。
一方絶縁フイルムから離したリード片付半導体素子の状
態でその1個づつに対し電気的試験を行なうことも大変
なことである。
態でその1個づつに対し電気的試験を行なうことも大変
なことである。
このリード片のメッキを充分な厚味にするだめリードフ
レームは前述したように電解メッキにより作られる。
レームは前述したように電解メッキにより作られる。
よって絶縁フィルム上では各リード片及び各リードフレ
ームは電気的に絶縁分離されることなく連続している。
ームは電気的に絶縁分離されることなく連続している。
このだめ絶縁フィルムのリード片に半導体素子を付けた
状態で電気的試験を行なうことができない。
状態で電気的試験を行なうことができない。
絶縁フィルム上にそれぞれ電気的に独立したリード片を
形成し、これに半導体素子を取付けるならば、絶縁フィ
ルムに半導体素子を取付けた状態で電気的試験を行なう
ことができ、よってその試験の自動化も可能になる。
形成し、これに半導体素子を取付けるならば、絶縁フィ
ルムに半導体素子を取付けた状態で電気的試験を行なう
ことができ、よってその試験の自動化も可能になる。
しかしそのようなリード片を電解メッキによって作るこ
とはできず無電解メッキではリード片を充分な厚味にす
ることができない。
とはできず無電解メッキではリード片を充分な厚味にす
ることができない。
この発明の目的はリード片を電解メッキで作ることがで
き、しかも絶縁フィルム上に半導体素子を付けた状態で
電気的試験を可能とするリードフレーム半導体装置を提
案するものである。
き、しかも絶縁フィルム上に半導体素子を付けた状態で
電気的試験を可能とするリードフレーム半導体装置を提
案するものである。
本発明の特徴は、絶縁フィルムにその長手方向に沿って
一定間隔をもって形成された複数のペレット用孔と、こ
れ等ペレット用孔の周辺の絶縁フィルムにそれぞれ取付
けられ、それぞれそのペレット用孔内に集中的に延長さ
れた複数のリード片群と、上記ペレット用孔内にそれぞ
れ配され、その孔内に延長された上記リード片群のリー
ド片が対応する電極にそれぞれ接続された半導体集積回
路素子と、上記絶縁フィルムの少なくとも一部に形成さ
れた共通導体と、その共通導体に対して上記リード片を
集中的に接続する接続線と、その接続線の各集中部にお
いて上記各リード片を電気的に切離すように上記絶縁フ
ィルムに形成された分離用孔とを有するリードフレーム
半導体装置にある。
一定間隔をもって形成された複数のペレット用孔と、こ
れ等ペレット用孔の周辺の絶縁フィルムにそれぞれ取付
けられ、それぞれそのペレット用孔内に集中的に延長さ
れた複数のリード片群と、上記ペレット用孔内にそれぞ
れ配され、その孔内に延長された上記リード片群のリー
ド片が対応する電極にそれぞれ接続された半導体集積回
路素子と、上記絶縁フィルムの少なくとも一部に形成さ
れた共通導体と、その共通導体に対して上記リード片を
集中的に接続する接続線と、その接続線の各集中部にお
いて上記各リード片を電気的に切離すように上記絶縁フ
ィルムに形成された分離用孔とを有するリードフレーム
半導体装置にある。
以下図面を参照して説明しよう。
従来のリードフレーム半導体装置は第1図及び第2図に
示すように絶縁フィルム1の中央部にその長手方向に沿
って等間隔でペレット用孔2が複数個形成され、各ペレ
ット用孔2の中央と対応してフィルム1の両側部に位置
合せ用小孔6がそれぞれ形成されている。
示すように絶縁フィルム1の中央部にその長手方向に沿
って等間隔でペレット用孔2が複数個形成され、各ペレ
ット用孔2の中央と対応してフィルム1の両側部に位置
合せ用小孔6がそれぞれ形成されている。
各ペレット用孔20周縁部でフィルム1に固着して、孔
2の中心に向って突出して複数のリード片3が設けられ
る。
2の中心に向って突出して複数のリード片3が設けられ
る。
各ペレット用孔2の中央部に半導体集積回路素子5が配
され、その電極に対応するリード片3の自由端が接着さ
れる。
され、その電極に対応するリード片3の自由端が接着さ
れる。
リード片3は電解メッキを施すだめペレット用孔2を取
囲むフレーム4にリード片3のフィルム側の端は連結さ
れ、フレーム4は隣接のものが順次連結される。
囲むフレーム4にリード片3のフィルム側の端は連結さ
れ、フレーム4は隣接のものが順次連結される。
この従来の装置においてはリード片3及びフレーム4を
電解メッキにより作った後、位置決め用小孔6により絶
縁フィルム1を位置決めして半導体素子5をペレット用
孔2内の所定の位置に配置更にその各電極にリード片3
の対応するものを同時にポンディングし、次に絶縁フィ
ルム1を所定量移動して同様のことを繰返すことにより
自動的に半導体素子及びリード片の接続を行なうことが
できる。
電解メッキにより作った後、位置決め用小孔6により絶
縁フィルム1を位置決めして半導体素子5をペレット用
孔2内の所定の位置に配置更にその各電極にリード片3
の対応するものを同時にポンディングし、次に絶縁フィ
ルム1を所定量移動して同様のことを繰返すことにより
自動的に半導体素子及びリード片の接続を行なうことが
できる。
このリード片を接続した各半導体装置を電気的に試験す
るには、各リード片が電気的に接続されているだめ絶縁
フィルム1から分離した後にしか行なえなかった。
るには、各リード片が電気的に接続されているだめ絶縁
フィルム1から分離した後にしか行なえなかった。
第3図はこの発明半導体装置の一例を示し、この発明に
おいては絶縁フィルム1の少なくとも1側部、この例で
は両端部にこれに沿って延長した共通導体7,8が形成
され、この共通導体7,8に対してリード片3が接続線
9,10をそれぞれ通じて集中的に接続される。
おいては絶縁フィルム1の少なくとも1側部、この例で
は両端部にこれに沿って延長した共通導体7,8が形成
され、この共通導体7,8に対してリード片3が接続線
9,10をそれぞれ通じて集中的に接続される。
各ペレット用孔2の間において共通導体7,8にそれぞ
れ集中部11゜12が設けられ、各リード片3は近い集
中部11又は12に接続線9又は10にてそれぞれ接続
される。
れ集中部11゜12が設けられ、各リード片3は近い集
中部11又は12に接続線9又は10にてそれぞれ接続
される。
リード片3、共通導体7,8、接続線9゜10、集中部
11,12は1つのパターンとして形成される。
11,12は1つのパターンとして形成される。
なお、リード片3の自由端は半導体素子5の電極13に
位置を合わせて、パルス電流方式の圧着加熱により接着
されるが、リード片3は金等の電解メッキ、半導体素子
の電極13には金蒸着が施されている。
位置を合わせて、パルス電流方式の圧着加熱により接着
されるが、リード片3は金等の電解メッキ、半導体素子
の電極13には金蒸着が施されている。
リード片3の電解メッキには共通導体7,8、集中部1
1,12、接続線9,10を通じて行なわれる。
1,12、接続線9,10を通じて行なわれる。
リード片3の自由端と半導体素子5上の電極13との正
確な位置合せは絶縁体フィルム1に設けられた位置合せ
用小孔6に同程度の外形寸法を有する円柱形あるいは角
柱形のピンを押し込んで行なわれる。
確な位置合せは絶縁体フィルム1に設けられた位置合せ
用小孔6に同程度の外形寸法を有する円柱形あるいは角
柱形のピンを押し込んで行なわれる。
この小孔6とピンを用いる位置合せはリード片、共通導
体、接続線などのパターンを作るだめの目合せ露光から
全ての工程を通じて使用され、位置合せの誤差を最小限
に保たれる。
体、接続線などのパターンを作るだめの目合せ露光から
全ての工程を通じて使用され、位置合せの誤差を最小限
に保たれる。
このようにしてリード片3及び半導体素子の電極のボン
ディングが行なわれだ後、各リード片を電気的に分離す
るため接続線の各集中部において絶縁フィルム1に分離
用孔があけられる。
ディングが行なわれだ後、各リード片を電気的に分離す
るため接続線の各集中部において絶縁フィルム1に分離
用孔があけられる。
即ち第4図に示すように各集中部11.12をそれぞれ
含んで分離用孔14.15がそれぞれ絶縁フィルム1に
打抜かれる。
含んで分離用孔14.15がそれぞれ絶縁フィルム1に
打抜かれる。
この分離用孔14.15の部分で各リード片3は互いに
分離され、電気的に絶縁状態にされる。
分離され、電気的に絶縁状態にされる。
この発明半導体装置はこの第4図に示すように、絶縁フ
ィルム1に各半導体素子5が保持されたま\、各リード
片3は電気的に分離されている。
ィルム1に各半導体素子5が保持されたま\、各リード
片3は電気的に分離されている。
よって絶縁フィルム1に半導体素子5が保持した状態で
第5図に示す如く、微調接触子16を各リード片3に接
触させ、リード片を通じて半導体素子5の電気的試験を
行なうことができる。
第5図に示す如く、微調接触子16を各リード片3に接
触させ、リード片を通じて半導体素子5の電気的試験を
行なうことができる。
この試験も、位置合せ用小孔6にて各リード片3と接触
子16とを容易に位置合せでき、必要に応じて自動化も
容易である。
子16とを容易に位置合せでき、必要に応じて自動化も
容易である。
この試験後にリード片3を切り、残ったリード片を有す
る半導体素子75゛が得られ、その際に不良素子を除去
し、不良素子を混成集積回路用基板などへ搭載すること
を防止できる。
る半導体素子75゛が得られ、その際に不良素子を除去
し、不良素子を混成集積回路用基板などへ搭載すること
を防止できる。
以上述べたように、この発明リードフレーム半導体装置
によれば、リード片を電解メッキで作ることがでもかつ
半導体素子の取付けを自動化でき、しかもその後の電気
的試験も自動化可能である。
によれば、リード片を電解メッキで作ることがでもかつ
半導体素子の取付けを自動化でき、しかもその後の電気
的試験も自動化可能である。
第1図は従来のリードフレーム半導体装置を示す斜視図
、第2図はその連続した平面図、第3図はこの発明半導
体装置が得られる前の状態を示す斜視図、第4図はこの
発明リードフレーム半導体装置の一例を示す斜視図、第
5図はその電気的試験の状態を示す斜視図である。 1…絶縁フイルム、2…ペレツト用孔、3…リ一ド片、
5…半導体集積回路素子、7,8…共通導体、9,10
…接続線、13…電極。
、第2図はその連続した平面図、第3図はこの発明半導
体装置が得られる前の状態を示す斜視図、第4図はこの
発明リードフレーム半導体装置の一例を示す斜視図、第
5図はその電気的試験の状態を示す斜視図である。 1…絶縁フイルム、2…ペレツト用孔、3…リ一ド片、
5…半導体集積回路素子、7,8…共通導体、9,10
…接続線、13…電極。
Claims (1)
- 1 絶縁フィルムの長手方向に沿って一定間隔をもって
形成された複数のペレット用孔と、該ペレット用孔の周
辺の前記絶縁フィルムにそれぞれ取付けられたそれぞれ
前記ペレット用孔内に集中的に延長された複数のリード
片群と、前記ペレット用孔内にそれぞれ配さね、該孔内
に延長された前記リード片群のリード片が対応する電極
にそれぞれ接続された半導体集積回路素子と、前記絶縁
フィルムの少なくとも一部に形成された共通導体と、該
共通導体に対して前記リード片を集中的に接続する接続
線と、該接続線の各集中部において前記各リード片を電
気的に切離すように前記絶縁フィルムに形成された分離
用孔とを有することを特徴とするリードフレーム半導体
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP49132326A JPS5815945B2 (ja) | 1974-11-15 | 1974-11-15 | リ−ドフレ−ムハンドウタイソウチ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP49132326A JPS5815945B2 (ja) | 1974-11-15 | 1974-11-15 | リ−ドフレ−ムハンドウタイソウチ |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18330981A Division JPS5921175B2 (ja) | 1981-11-16 | 1981-11-16 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5158066A JPS5158066A (ja) | 1976-05-21 |
JPS5815945B2 true JPS5815945B2 (ja) | 1983-03-28 |
Family
ID=15078692
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP49132326A Expired JPS5815945B2 (ja) | 1974-11-15 | 1974-11-15 | リ−ドフレ−ムハンドウタイソウチ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5815945B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5732596Y2 (ja) * | 1977-08-24 | 1982-07-17 | ||
JPS60229344A (ja) * | 1984-04-27 | 1985-11-14 | Nec Corp | ボンデイング方法 |
JPS6190453A (ja) * | 1984-10-09 | 1986-05-08 | Nec Corp | フイルムキャリヤーテープ |
JPS63132432U (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-30 | ||
JPH03106740U (ja) * | 1989-12-01 | 1991-11-05 |
-
1974
- 1974-11-15 JP JP49132326A patent/JPS5815945B2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5158066A (ja) | 1976-05-21 |
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