JP2002134645A - 配線基板 - Google Patents
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- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ニッケルめっき層９と半田７・８との間で剥
離が発生し、搭載する電子部品３を外部電気回路に長期
間にわたり、正常に接続することができない。 【解決手段】 配線導体２の表面に被着させたニッケル
めっき層９上に金めっき層10を被着させて成る配線基板
であって、金めっき層10表面の酸素存在領域の深さを３
ｎｍ以下とした。
離が発生し、搭載する電子部品３を外部電気回路に長期
間にわたり、正常に接続することができない。 【解決手段】 配線導体２の表面に被着させたニッケル
めっき層９上に金めっき層10を被着させて成る配線基板
であって、金めっき層10表面の酸素存在領域の深さを３
ｎｍ以下とした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子等の電
子部品を搭載するために用いられる配線基板に関するも
のである。
子部品を搭載するために用いられる配線基板に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子等の電子部品を搭載す
るために用いられる配線基板は、例えばガラス−エポキ
シ板等から成る絶縁板やエポキシ樹脂等から成る絶縁層
を複数層積層して成る絶縁基体の内部および表面に銅箔
等から成る配線導体を設けて成る。この配線基板におい
ては、絶縁基体表面の配線導体の一部が半導体素子等の
電子部品の電極を接続するための電子部品接続用パッド
や外部電気回路基板に接続される外部接続用パッドを形
成している。そして、この配線基板は、電子部品接続用
パッドに電子部品の電極を半田を介して接合して電子部
品を搭載することにより電子装置となり、この電子装置
は外部接続用パッドを外部電気回路基板の配線導体に半
田を介して接合することにより外部電気回路基板に実装
される。
るために用いられる配線基板は、例えばガラス−エポキ
シ板等から成る絶縁板やエポキシ樹脂等から成る絶縁層
を複数層積層して成る絶縁基体の内部および表面に銅箔
等から成る配線導体を設けて成る。この配線基板におい
ては、絶縁基体表面の配線導体の一部が半導体素子等の
電子部品の電極を接続するための電子部品接続用パッド
や外部電気回路基板に接続される外部接続用パッドを形
成している。そして、この配線基板は、電子部品接続用
パッドに電子部品の電極を半田を介して接合して電子部
品を搭載することにより電子装置となり、この電子装置
は外部接続用パッドを外部電気回路基板の配線導体に半
田を介して接合することにより外部電気回路基板に実装
される。
【０００３】なお、このような配線基板においては、配
線導体が酸化腐食するのを防止するとともに電子部品接
続用パッドや外部接続用パッドと半田との接合を良好と
するために、配線導体の露出表面に厚みが0.5〜10μｍ
程度のニッケルめっき層および厚みが0.01〜0.8μｍ程
度の金めっき層が順次被着されている。この場合、ニッ
ケルめっき層上に被着させた金めっき層は、ニッケルめ
っき層と半田との濡れ性を良好とするためのものであ
り、ニッケルめっき層と半田との接合時に半田中に拡散
吸収されて消滅してしまう。そして、この金めっき層の
厚みが0.01μｍ未満では、ニッケルめっき層と半田との
濡れ性が低下する傾向にあり、他方0.8μｍを超えると
電子部品接続用パッドや外部接続用パッドに半田を接合
させたときに半田中に脆弱な金−錫合金が多量に形成さ
れて半田の機械的強度が低下してしまう。したがって、
配線導体に半田を接合させる場合、配線導体の表面に被
着させたニッケルめっき層上の金めっき層の厚みは通常
0.01〜０．８μｍ程度に設定される。
線導体が酸化腐食するのを防止するとともに電子部品接
続用パッドや外部接続用パッドと半田との接合を良好と
するために、配線導体の露出表面に厚みが0.5〜10μｍ
程度のニッケルめっき層および厚みが0.01〜0.8μｍ程
度の金めっき層が順次被着されている。この場合、ニッ
ケルめっき層上に被着させた金めっき層は、ニッケルめ
っき層と半田との濡れ性を良好とするためのものであ
り、ニッケルめっき層と半田との接合時に半田中に拡散
吸収されて消滅してしまう。そして、この金めっき層の
厚みが0.01μｍ未満では、ニッケルめっき層と半田との
濡れ性が低下する傾向にあり、他方0.8μｍを超えると
電子部品接続用パッドや外部接続用パッドに半田を接合
させたときに半田中に脆弱な金−錫合金が多量に形成さ
れて半田の機械的強度が低下してしまう。したがって、
配線導体に半田を接合させる場合、配線導体の表面に被
着させたニッケルめっき層上の金めっき層の厚みは通常
0.01〜０．８μｍ程度に設定される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の配線基板によると、これに半導体素子等の電子部品
を搭載して電子装置となした後、これを外部電気回路基
板に実装して半導体素子等の電子部品を長期間にわたり
作動させると、半導体素子等の電子部品が作動時に発生
する熱等に起因する熱応力が半田と電子部品接続用パッ
ドや外部接続用パッドとの間に繰返し印加されることに
よりニッケルめっき層と半田との間で剥離が生じ、その
ため、搭載する電子部品を外部電気回路に長期間にわた
り正常に接続することができないという問題点を有して
いた。
来の配線基板によると、これに半導体素子等の電子部品
を搭載して電子装置となした後、これを外部電気回路基
板に実装して半導体素子等の電子部品を長期間にわたり
作動させると、半導体素子等の電子部品が作動時に発生
する熱等に起因する熱応力が半田と電子部品接続用パッ
ドや外部接続用パッドとの間に繰返し印加されることに
よりニッケルめっき層と半田との間で剥離が生じ、その
ため、搭載する電子部品を外部電気回路に長期間にわた
り正常に接続することができないという問題点を有して
いた。
【０００５】そこで、本発明者は、鋭意研究の結果、金
めっき層の厚みが0.01〜0.8μｍと薄いことから、ニッ
ケルめっき層上に金めっき層を被着させた後に行われる
配線基板の洗浄や乾燥の際にニッケルめっき層を十分に
保護することができず、そのためニッケルめっき層の表
面に酸化物や水酸化物が形成されるとともにこれが拡散
して金めっき層の表面に酸素を含む領域を形成して半田
との濡れ性を阻害し、それによりニッケルと半田との接
合強度が低下するためであると考え、本発明を完成する
に至った。
めっき層の厚みが0.01〜0.8μｍと薄いことから、ニッ
ケルめっき層上に金めっき層を被着させた後に行われる
配線基板の洗浄や乾燥の際にニッケルめっき層を十分に
保護することができず、そのためニッケルめっき層の表
面に酸化物や水酸化物が形成されるとともにこれが拡散
して金めっき層の表面に酸素を含む領域を形成して半田
との濡れ性を阻害し、それによりニッケルと半田との接
合強度が低下するためであると考え、本発明を完成する
に至った。
【０００６】本発明は、かかる上述の問題点に鑑み完成
されたものであり、その目的は、ニッケルめっき層と半
田との間で剥離が発生することがなく、搭載する電子部
品を外部電気回路に長期間にわたり、正常に接続するこ
とが可能な配線基板を提供することにある。
されたものであり、その目的は、ニッケルめっき層と半
田との間で剥離が発生することがなく、搭載する電子部
品を外部電気回路に長期間にわたり、正常に接続するこ
とが可能な配線基板を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の配線基板は、絶
縁基体に形成した配線導体の表面に被着させたニッケル
めっき層上に金めっき層を被着させて成る配線基板であ
って、金めっき層はその表面の酸素存在領域の深さを３
ｎｍ以下としたことを特徴とするものである。
縁基体に形成した配線導体の表面に被着させたニッケル
めっき層上に金めっき層を被着させて成る配線基板であ
って、金めっき層はその表面の酸素存在領域の深さを３
ｎｍ以下としたことを特徴とするものである。
【０００８】本発明の配線基板によれば、金めっき層表
面の酸素存在領域の深さが３ｎｍ以下であることから、
半田接合時の半田濡れ性が良好である。したがって、こ
れに電子部品を半田を介して搭載するとともに外部電気
回路基板に半田を介して実装した後、電子部品を長期間
にわたり作動させたとしても、ニッケルめっき層と半田
とは強固に接合されて両者の間に剥離が発生するような
ことはない。
面の酸素存在領域の深さが３ｎｍ以下であることから、
半田接合時の半田濡れ性が良好である。したがって、こ
れに電子部品を半田を介して搭載するとともに外部電気
回路基板に半田を介して実装した後、電子部品を長期間
にわたり作動させたとしても、ニッケルめっき層と半田
とは強固に接合されて両者の間に剥離が発生するような
ことはない。
【０００９】
【発明の実施の形態】つぎに、本発明を添付の図面に基
づき詳細に説明する。図１は、本発明を半導体素子を搭
載するための配線基板に適用した場合の実施の形態の一
例を示す断面図であり、１は絶縁基体、２は配線導体で
ある。この絶縁基体１と配線導体２とで本発明の配線基
板が構成される。
づき詳細に説明する。図１は、本発明を半導体素子を搭
載するための配線基板に適用した場合の実施の形態の一
例を示す断面図であり、１は絶縁基体、２は配線導体で
ある。この絶縁基体１と配線導体２とで本発明の配線基
板が構成される。
【００１０】絶縁基体１は、例えばガラス繊維を縦横に
織り込んだガラス織物にエポキシ樹脂やビスマレイミド
トリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて成る板状
の芯体１ａの上下面にエポキシ樹脂やビスマレイミドト
リアジン樹脂等の熱硬化性樹脂から成る絶縁層１ｂをそ
れぞれ複数層ずつ積層して成り、その上面から下面にか
けては銅箔から成る複数の配線導体２が形成されてい
る。
織り込んだガラス織物にエポキシ樹脂やビスマレイミド
トリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて成る板状
の芯体１ａの上下面にエポキシ樹脂やビスマレイミドト
リアジン樹脂等の熱硬化性樹脂から成る絶縁層１ｂをそ
れぞれ複数層ずつ積層して成り、その上面から下面にか
けては銅箔から成る複数の配線導体２が形成されてい
る。
【００１１】絶縁基体１を構成する芯体１ａは、厚みが
0.3〜1.5ｍｍ程度であり、その上面から下面にかけて直
径が0.2〜1.0ｍｍ程度の複数の貫通孔４を有している。
そして、その上下面および各貫通孔４の内壁には配線導
体２の一部が被着されており、上下面の配線導体２が貫
通孔４を介して電気的に接続されている。
0.3〜1.5ｍｍ程度であり、その上面から下面にかけて直
径が0.2〜1.0ｍｍ程度の複数の貫通孔４を有している。
そして、その上下面および各貫通孔４の内壁には配線導
体２の一部が被着されており、上下面の配線導体２が貫
通孔４を介して電気的に接続されている。
【００１２】このような芯体１ａは、ガラス織物に未硬
化の熱硬化性樹脂を含浸させたシートを熱硬化させた
後、これに上面から下面にかけてドリル加工を施すこと
により製作される。なお、芯体１ａ上下面の配線導体２
は、芯体１ａ用のシートの上下全面に厚みが５〜50μｍ
程度の銅箔を貼着しておくとともにこの銅箔をシートの
硬化後にエッチング加工することにより所定のパターン
に形成される。また、貫通孔４内壁の配線導体２は、芯
体１ａに貫通孔４を設けた後に、この貫通孔４内壁に無
電解めっきおよび電解めっき法により厚みが５〜50μｍ
程度の銅箔を析出させることにより形成される。
化の熱硬化性樹脂を含浸させたシートを熱硬化させた
後、これに上面から下面にかけてドリル加工を施すこと
により製作される。なお、芯体１ａ上下面の配線導体２
は、芯体１ａ用のシートの上下全面に厚みが５〜50μｍ
程度の銅箔を貼着しておくとともにこの銅箔をシートの
硬化後にエッチング加工することにより所定のパターン
に形成される。また、貫通孔４内壁の配線導体２は、芯
体１ａに貫通孔４を設けた後に、この貫通孔４内壁に無
電解めっきおよび電解めっき法により厚みが５〜50μｍ
程度の銅箔を析出させることにより形成される。
【００１３】さらに、芯体１ａは、その貫通孔４の内部
にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱
硬化性樹脂から成る樹脂柱５が充填されている。樹脂柱
５は、貫通孔４を塞ぐことにより貫通孔４の直上および
直下に絶縁層１ｂを形成可能とするためのものであり、
未硬化のペースト状の熱硬化性樹脂を貫通孔４内にスク
リーン印刷法により充填し、これを熱硬化させた後、そ
の上下面を略平坦に研磨することにより形成される。そ
して、この樹脂柱５を含む芯体１ａの上下面に絶縁層１
ｂが積層されている。
にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱
硬化性樹脂から成る樹脂柱５が充填されている。樹脂柱
５は、貫通孔４を塞ぐことにより貫通孔４の直上および
直下に絶縁層１ｂを形成可能とするためのものであり、
未硬化のペースト状の熱硬化性樹脂を貫通孔４内にスク
リーン印刷法により充填し、これを熱硬化させた後、そ
の上下面を略平坦に研磨することにより形成される。そ
して、この樹脂柱５を含む芯体１ａの上下面に絶縁層１
ｂが積層されている。
【００１４】芯体１ａの上下面に積層された絶縁層１ｂ
は、それぞれの厚みが20〜50μｍ程度であり、各層の上
面から下面にかけて直径が30〜100μｍ程度の複数の貫
通孔６を有している。これらの絶縁層１ｂは、配線導体
２を高密度に配線するための絶縁間隔を提供するための
ものであり、最表層を除く絶縁層１ｂにはその表面およ
び貫通孔６内に配線導体２の一部が被着されている。そ
して、上層の配線導体２と下層の配線導体２とを貫通孔
６を介して電気的に接続することにより高密度配線を立
体的に形成可能としている。このような絶縁層１ｂは、
厚みが20〜50μｍ程度の未硬化の熱硬化性樹脂のフィル
ムを芯体１ａ上下面に貼着し、これを熱硬化させるとと
もにレーザー加工により貫通孔６を穿孔し、さらにその
上に同様にして次の絶縁層１ｂを順次積み重ねることに
よって形成される。なお、各絶縁層１ｂ表面および貫通
孔６内に被着された配線導体２は、各絶縁層１ｂを形成
する毎に各絶縁層１ｂの表面および貫通孔６内に５〜50
μｍ程度の厚みの銅箔を公知のセミアディティブ法やフ
ルアディティブ法等のパターン形成法により所定のパタ
ーンに被着させることによって形成される。
は、それぞれの厚みが20〜50μｍ程度であり、各層の上
面から下面にかけて直径が30〜100μｍ程度の複数の貫
通孔６を有している。これらの絶縁層１ｂは、配線導体
２を高密度に配線するための絶縁間隔を提供するための
ものであり、最表層を除く絶縁層１ｂにはその表面およ
び貫通孔６内に配線導体２の一部が被着されている。そ
して、上層の配線導体２と下層の配線導体２とを貫通孔
６を介して電気的に接続することにより高密度配線を立
体的に形成可能としている。このような絶縁層１ｂは、
厚みが20〜50μｍ程度の未硬化の熱硬化性樹脂のフィル
ムを芯体１ａ上下面に貼着し、これを熱硬化させるとと
もにレーザー加工により貫通孔６を穿孔し、さらにその
上に同様にして次の絶縁層１ｂを順次積み重ねることに
よって形成される。なお、各絶縁層１ｂ表面および貫通
孔６内に被着された配線導体２は、各絶縁層１ｂを形成
する毎に各絶縁層１ｂの表面および貫通孔６内に５〜50
μｍ程度の厚みの銅箔を公知のセミアディティブ法やフ
ルアディティブ法等のパターン形成法により所定のパタ
ーンに被着させることによって形成される。
【００１５】絶縁基体１の上面から下面にかけて形成さ
れた配線導体２は、半導体素子３の各電極を外部電気回
路基板に接続するための導電路として機能し、絶縁基体
１の上面に露出している部位が半導体素子３の各電極に
鉛−錫共晶合金から成る半田７を介して接続される電子
部品接続用パッド２ａを、絶縁基体１の下面に露出した
部位が外部電気回路基板に鉛−錫共晶合金から成る半田
８を介して接続される外部接続用パッド２ｂを形成して
いる。
れた配線導体２は、半導体素子３の各電極を外部電気回
路基板に接続するための導電路として機能し、絶縁基体
１の上面に露出している部位が半導体素子３の各電極に
鉛−錫共晶合金から成る半田７を介して接続される電子
部品接続用パッド２ａを、絶縁基体１の下面に露出した
部位が外部電気回路基板に鉛−錫共晶合金から成る半田
８を介して接続される外部接続用パッド２ｂを形成して
いる。
【００１６】そして、この配線基板においては、電子部
品接続用パッド２ａに半導体素子３の各電極を半田７を
介して接続して半導体素子３を搭載することによって電
子装置となり、この電子装置における外部接続用パッド
２ｂを外部電気回路基板の配線導体に半田８を介して接
続することにより外部電気回路基板に実装されることと
なる。
品接続用パッド２ａに半導体素子３の各電極を半田７を
介して接続して半導体素子３を搭載することによって電
子装置となり、この電子装置における外部接続用パッド
２ｂを外部電気回路基板の配線導体に半田８を介して接
続することにより外部電気回路基板に実装されることと
なる。
【００１７】なお、電子部品接続用パッド２ａおよび外
部接続用パッド２ｂの表面には、図２に要部拡大断面図
で示すように、厚みが0.5〜10μｍ程度のニッケルめっ
き層９が被着されており、その上に厚みが0.01〜0.8μ
ｍ程度の金めっき層10が被着されている。
部接続用パッド２ｂの表面には、図２に要部拡大断面図
で示すように、厚みが0.5〜10μｍ程度のニッケルめっ
き層９が被着されており、その上に厚みが0.01〜0.8μ
ｍ程度の金めっき層10が被着されている。
【００１８】ニッケルめっき層９は、例えばリンを４〜
12重量％程度含有する無電解ニッケル−リンめっきから
成り、銅から成る配線導体２を保護するとともに半田７
・８が接合される接合用下地金属層として機能する。
12重量％程度含有する無電解ニッケル−リンめっきから
成り、銅から成る配線導体２を保護するとともに半田７
・８が接合される接合用下地金属層として機能する。
【００１９】このようなニッケルめっき層９は、先ず、
配線導体２が形成された配線基板を界面活性剤と塩酸水
溶液から成る温度が25〜50℃の酸性の洗浄液に１〜５分
間浸漬して銅から成る配線導体２の表面を清浄とし、次
にこれを純水で洗浄した後、塩化パラジウム4.0ｇ／
ｌ，水酸化カリウム50.0ｇ／ｌ，エチレンジアミンテト
ラアセティクアシッド5.0ｇ／ｌから成る温度が25〜40
℃のパラジウム活性液中に１〜５分間程度浸漬して配線
導体２の表面にパラジウム触媒を付着させ、次にこれを
純水で洗浄した後、硫酸ニッケル40ｇ／ｌ，クエン酸ナ
トリウム24ｇ／ｌ，酢酸ナトリウム14ｇ／ｌ，次亜リン
酸ナトリウム20ｇ／ｌ，塩化アンモニウム５ｇ／ｌから
成る温度が50〜90℃の無電解ニッケルめっき液中に２〜
60分間浸漬することによって配線導体２の表面に被着さ
れる。
配線導体２が形成された配線基板を界面活性剤と塩酸水
溶液から成る温度が25〜50℃の酸性の洗浄液に１〜５分
間浸漬して銅から成る配線導体２の表面を清浄とし、次
にこれを純水で洗浄した後、塩化パラジウム4.0ｇ／
ｌ，水酸化カリウム50.0ｇ／ｌ，エチレンジアミンテト
ラアセティクアシッド5.0ｇ／ｌから成る温度が25〜40
℃のパラジウム活性液中に１〜５分間程度浸漬して配線
導体２の表面にパラジウム触媒を付着させ、次にこれを
純水で洗浄した後、硫酸ニッケル40ｇ／ｌ，クエン酸ナ
トリウム24ｇ／ｌ，酢酸ナトリウム14ｇ／ｌ，次亜リン
酸ナトリウム20ｇ／ｌ，塩化アンモニウム５ｇ／ｌから
成る温度が50〜90℃の無電解ニッケルめっき液中に２〜
60分間浸漬することによって配線導体２の表面に被着さ
れる。
【００２０】なお、ニッケルめっき層９は、その厚みが
0.5μｍ未満では、電子部品接続用パッド２ａおよび外
部接続用パッド２ｂを良好に被覆することができずに、
配線導体２の表面に酸化や変色をきたして半田７・８と
の接合が弱いものとなる傾向にあり、他方、10μｍを超
えると、ニッケルめっき層９の内部応力によりニッケル
めっき層９にクラックや剥がれが発生してしまいやす
い。したがって、ニッケルめっき層９の厚みは0.5〜10
μｍの範囲が好ましい。
0.5μｍ未満では、電子部品接続用パッド２ａおよび外
部接続用パッド２ｂを良好に被覆することができずに、
配線導体２の表面に酸化や変色をきたして半田７・８と
の接合が弱いものとなる傾向にあり、他方、10μｍを超
えると、ニッケルめっき層９の内部応力によりニッケル
めっき層９にクラックや剥がれが発生してしまいやす
い。したがって、ニッケルめっき層９の厚みは0.5〜10
μｍの範囲が好ましい。
【００２１】また、ニッケルめっき層９を上述のように
ニッケル−リンめっきから形成する場合、ニッケルめっ
き層９中のリンの含有量が４重量％未満であると、配線
導体２にニッケルめっき層９を被着させる際、ニッケル
めっきの析出速度が遅くなり、所定の厚みのニッケルめ
っき層９を得るために長時間を要するので配線基板の生
産性が極めて悪くなり、他方、12重量％を超えると、ニ
ッケルめっき層９上に被着させる金めっき層10との反応
性が悪くなり、ニッケルめっき層９を金めっき層10で良
好に被覆することが困難となる傾向にある。したがっ
て、ニッケルめっき層９中のリンの含有量は、４〜12重
量％の範囲が好ましい。
ニッケル−リンめっきから形成する場合、ニッケルめっ
き層９中のリンの含有量が４重量％未満であると、配線
導体２にニッケルめっき層９を被着させる際、ニッケル
めっきの析出速度が遅くなり、所定の厚みのニッケルめ
っき層９を得るために長時間を要するので配線基板の生
産性が極めて悪くなり、他方、12重量％を超えると、ニ
ッケルめっき層９上に被着させる金めっき層10との反応
性が悪くなり、ニッケルめっき層９を金めっき層10で良
好に被覆することが困難となる傾向にある。したがっ
て、ニッケルめっき層９中のリンの含有量は、４〜12重
量％の範囲が好ましい。
【００２２】さらに、ニッケルめっき層９は、その表面
の結晶粒界に沿って形成される溝の深さを0.2μｍ以下
としておくことが好ましい。ニッケルめっき層９表面の
結晶粒界に沿って形成される溝の深さが0.2μｍを超え
ると、ニッケルめっき層９上に無電解金めっき層10を被
着させる際に、この粒界に沿った部位でニッケルめっき
層９中のニッケルが局所的に多量に溶出して腐食が発生
しやすい。そのような腐食が発生すると、この部位での
ニッケルめっき層９と半田７・８との反応性が阻害され
てニッケルめっき層９と半田７・８との接合強度が劣っ
たものとなる。
の結晶粒界に沿って形成される溝の深さを0.2μｍ以下
としておくことが好ましい。ニッケルめっき層９表面の
結晶粒界に沿って形成される溝の深さが0.2μｍを超え
ると、ニッケルめっき層９上に無電解金めっき層10を被
着させる際に、この粒界に沿った部位でニッケルめっき
層９中のニッケルが局所的に多量に溶出して腐食が発生
しやすい。そのような腐食が発生すると、この部位での
ニッケルめっき層９と半田７・８との反応性が阻害され
てニッケルめっき層９と半田７・８との接合強度が劣っ
たものとなる。
【００２３】なお、ニッケルめっき層９表面の結晶粒界
に沿って形成される溝の深さを0.2μｍ以下とするに
は、例えば、ニッケルめっき液中に非イオン性の界面活
性剤を数ｐｐｍ添加し、析出するニッケルめっき層９と
めっき液との界面張力を小さなものとした状態でニッケ
ルめっきをすることにより、溝の深さを0.2μｍ以下と
することができる。また、ニッケルめっき層９表面の結
晶粒界に形成される溝の深さは下地の配線導体２表面の
微視的な凹凸のばらつきにも影響を受けるので、そのよ
うな微視的凹凸のばらつきがある場合、これを均一とす
るために配線導体２の表面を例えば100〜200ｇ／ｌの過
硫酸ナトリウムからなる20〜30℃のエッチング液で1〜3
分程度エッチングすることが好ましい。
に沿って形成される溝の深さを0.2μｍ以下とするに
は、例えば、ニッケルめっき液中に非イオン性の界面活
性剤を数ｐｐｍ添加し、析出するニッケルめっき層９と
めっき液との界面張力を小さなものとした状態でニッケ
ルめっきをすることにより、溝の深さを0.2μｍ以下と
することができる。また、ニッケルめっき層９表面の結
晶粒界に形成される溝の深さは下地の配線導体２表面の
微視的な凹凸のばらつきにも影響を受けるので、そのよ
うな微視的凹凸のばらつきがある場合、これを均一とす
るために配線導体２の表面を例えば100〜200ｇ／ｌの過
硫酸ナトリウムからなる20〜30℃のエッチング液で1〜3
分程度エッチングすることが好ましい。
【００２４】また、ニッケルめっき層９上に被着された
金めっき層10は、ニッケルめっき層９が酸化腐食するの
を防止するとともにニッケルめっき層９と半田７・８と
の濡れ性を良好なものとする作用をなし、配線導体２表
面のニッケルめっき層９上に半田７・８を接合させる
と、半田７・８中に拡散吸収されて消滅してしまう。
金めっき層10は、ニッケルめっき層９が酸化腐食するの
を防止するとともにニッケルめっき層９と半田７・８と
の濡れ性を良好なものとする作用をなし、配線導体２表
面のニッケルめっき層９上に半田７・８を接合させる
と、半田７・８中に拡散吸収されて消滅してしまう。
【００２５】このような金めっき層10は、配線導体２の
表面にニッケルめっき層９を被着させた後、これを純水
で洗浄し、次にこれをシアン化金カリウム5.0ｇ／ｌ，
クエン酸カリウム50.0ｇ／ｌ，エチレンジアミンテトラ
アセティクアシッド5.0ｇ／ｌから成る温度が50〜90℃
の無電解金めっき液中に２〜10分間浸漬することによっ
てニッケルめっき層９の表面に被着され、その後、この
配線基板を純水で洗浄した後、乾燥させると本発明の配
線基板が完成する。
表面にニッケルめっき層９を被着させた後、これを純水
で洗浄し、次にこれをシアン化金カリウム5.0ｇ／ｌ，
クエン酸カリウム50.0ｇ／ｌ，エチレンジアミンテトラ
アセティクアシッド5.0ｇ／ｌから成る温度が50〜90℃
の無電解金めっき液中に２〜10分間浸漬することによっ
てニッケルめっき層９の表面に被着され、その後、この
配線基板を純水で洗浄した後、乾燥させると本発明の配
線基板が完成する。
【００２６】そして、本発明の配線基板では、金めっき
層10を被着した後にニッケルめっき層９の表面にニッケ
ルの酸化物や水酸化物が形成されることおよびそれが金
めっき層10の表面に拡散することを防止し、それにより
金めっき層10表面の酸素存在領域の深さを３ｎｍ以下と
している。このように、金めっき層10表面の酸素存在領
域の深さを３ｎｍ以下としたことから、電子部品接続用
パッド２ａおよび外部接続用パッド２ｂに半田を接合さ
せる際に半田とニッケルめっき層９とが良好に濡れ、そ
の結果、ニッケルめっき層９と半田７・８とが極めて強
固に接合される。そして、本発明の配線基板によれば、
電子部品の電極と電子部品接続用パッド２ａとを半田７
を介して接合して電子部品を搭載するとともに外部接続
用パッド２ｂを半田８を介して外部電気回路基板の配線
導体に接合して外部電気回路基板に実装した後、搭載す
る電子部品３を長期間にわたり作動させたとしても電子
部品接続用パッド２ａや外部接続用パッド２ｂと半田７
や８とがニッケルめっき層９と半田７・８との間で剥離
することがなく、搭載する電子部品３を外部電気回路に
長期間にわたり正常に接続することが可能である。
層10を被着した後にニッケルめっき層９の表面にニッケ
ルの酸化物や水酸化物が形成されることおよびそれが金
めっき層10の表面に拡散することを防止し、それにより
金めっき層10表面の酸素存在領域の深さを３ｎｍ以下と
している。このように、金めっき層10表面の酸素存在領
域の深さを３ｎｍ以下としたことから、電子部品接続用
パッド２ａおよび外部接続用パッド２ｂに半田を接合さ
せる際に半田とニッケルめっき層９とが良好に濡れ、そ
の結果、ニッケルめっき層９と半田７・８とが極めて強
固に接合される。そして、本発明の配線基板によれば、
電子部品の電極と電子部品接続用パッド２ａとを半田７
を介して接合して電子部品を搭載するとともに外部接続
用パッド２ｂを半田８を介して外部電気回路基板の配線
導体に接合して外部電気回路基板に実装した後、搭載す
る電子部品３を長期間にわたり作動させたとしても電子
部品接続用パッド２ａや外部接続用パッド２ｂと半田７
や８とがニッケルめっき層９と半田７・８との間で剥離
することがなく、搭載する電子部品３を外部電気回路に
長期間にわたり正常に接続することが可能である。
【００２７】なお、金めっき層10表面の酸素存在領域の
深さが３ｎｍを超えると、電子部品接続用パッド２ａお
よび外部接続用パッド２ｂに半田を接合させる際に半田
とニッケルめっき層９とが良好に濡れずに両者の接合が
弱いものとなる傾向にある。したがって、金めっき層10
表面の酸素存在領域の深さは３ｎｍ以下の範囲に特定さ
れる。
深さが３ｎｍを超えると、電子部品接続用パッド２ａお
よび外部接続用パッド２ｂに半田を接合させる際に半田
とニッケルめっき層９とが良好に濡れずに両者の接合が
弱いものとなる傾向にある。したがって、金めっき層10
表面の酸素存在領域の深さは３ｎｍ以下の範囲に特定さ
れる。
【００２８】このように、金めっき層表面の酸素存在領
域の深さを３ｎｍ以下とするには、配線導体２の表面の
ニッケルめっき層９上に金めっき層10を被着させた後の
純水洗浄を60℃以下の温度の純水で行い、最後に30〜60
℃の純水に配線基板を１〜２分間浸漬した後、100〜300
ｍｍ／秒の速度で引き上げて乾燥させればよい。このと
き、金めっき層10を被着させた後の純水洗浄の温度が60
℃を超えると、ニッケルめっき層９の表面にニッケルの
水酸化物が形成されるとともにこれが拡散して金めっき
層10の表面に深さが３ｎｍを超える酸素存在領域が形成
されてしまいやすい。また最後に配線基板を浸漬する純
水の温度が30℃未満では、配線基板を引き上げる際に配
線基板に付着した水分が十分に乾燥除去されずに、ニッ
ケルめっき層９に腐食を発生させやすい。したがって、
ニッケルめっき層９上に金めっき層10を被着させた後の
純水洗浄の温度は60℃以下に特定される。また、配線基
板を最後に浸漬する純水の温度は30〜60℃の範囲に特定
される。
域の深さを３ｎｍ以下とするには、配線導体２の表面の
ニッケルめっき層９上に金めっき層10を被着させた後の
純水洗浄を60℃以下の温度の純水で行い、最後に30〜60
℃の純水に配線基板を１〜２分間浸漬した後、100〜300
ｍｍ／秒の速度で引き上げて乾燥させればよい。このと
き、金めっき層10を被着させた後の純水洗浄の温度が60
℃を超えると、ニッケルめっき層９の表面にニッケルの
水酸化物が形成されるとともにこれが拡散して金めっき
層10の表面に深さが３ｎｍを超える酸素存在領域が形成
されてしまいやすい。また最後に配線基板を浸漬する純
水の温度が30℃未満では、配線基板を引き上げる際に配
線基板に付着した水分が十分に乾燥除去されずに、ニッ
ケルめっき層９に腐食を発生させやすい。したがって、
ニッケルめっき層９上に金めっき層10を被着させた後の
純水洗浄の温度は60℃以下に特定される。また、配線基
板を最後に浸漬する純水の温度は30〜60℃の範囲に特定
される。
【００２９】また、金めっき層10表面の酸素存在領域の
深さの測定は、例えばＥＳＣＡ（Electron Spectrosco
py for Chemical Analysis）等を用いて、アルゴン
イオンのスパッタリングによる酸素の検出を金めっき層
10の表面から深さ方向に行い、酸素が検出できなくなる
までのスパッタリング時間により算出することができ
る。
深さの測定は、例えばＥＳＣＡ（Electron Spectrosco
py for Chemical Analysis）等を用いて、アルゴン
イオンのスパッタリングによる酸素の検出を金めっき層
10の表面から深さ方向に行い、酸素が検出できなくなる
までのスパッタリング時間により算出することができ
る。
【００３０】かくして、本発明の配線基板によれば、搭
載する電子部品を外部電気回路に長期間にわたり正常に
接続することができる。
載する電子部品を外部電気回路に長期間にわたり正常に
接続することができる。
【００３１】なお、本発明は、上述の実施の形態の一例
に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない
範囲であれば種々の変更は可能であり、例えば上述の実
施の形態の一例では、絶縁基体１はガラス織物に熱硬化
性樹脂を含浸させた材料および熱硬化性樹脂から形成さ
れていたが、絶縁基体１は、セラミックス材料等の他の
絶縁材料から形成されていてもよく、また、配線導体２
としては、タングステンやモリブデン・銅・銀等の金属
粉末のメタライズ導体等の他の導電材料を使用すること
ができる。
に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない
範囲であれば種々の変更は可能であり、例えば上述の実
施の形態の一例では、絶縁基体１はガラス織物に熱硬化
性樹脂を含浸させた材料および熱硬化性樹脂から形成さ
れていたが、絶縁基体１は、セラミックス材料等の他の
絶縁材料から形成されていてもよく、また、配線導体２
としては、タングステンやモリブデン・銅・銀等の金属
粉末のメタライズ導体等の他の導電材料を使用すること
ができる。
【００３２】
【発明の効果】本発明の配線基板および電子装置によれ
ば、ニッケルめっき層上の金めっき層表面の酸素存在領
域の深さを３ｎｍ以下としたことから、電子部品接続用
パッドや外部接続用パッドに半田を接合させる際に半田
とニッケルめっき層とが良好に濡れ、その結果、ニッケ
ルめっき層と半田とが極めて強固に接合される。したが
って、これに電子部品を半田を介して搭載するとともに
外部電気回路基板に半田を介して実装した後、電子部品
を長期間にわたり作動させたとしても、ニッケルめっき
層と半田とは強固に接合されて両者の間に剥離が発生す
るようなことはなく、搭載する電子部品を長期間にわた
り正常に接続することが可能である。
ば、ニッケルめっき層上の金めっき層表面の酸素存在領
域の深さを３ｎｍ以下としたことから、電子部品接続用
パッドや外部接続用パッドに半田を接合させる際に半田
とニッケルめっき層とが良好に濡れ、その結果、ニッケ
ルめっき層と半田とが極めて強固に接合される。したが
って、これに電子部品を半田を介して搭載するとともに
外部電気回路基板に半田を介して実装した後、電子部品
を長期間にわたり作動させたとしても、ニッケルめっき
層と半田とは強固に接合されて両者の間に剥離が発生す
るようなことはなく、搭載する電子部品を長期間にわた
り正常に接続することが可能である。
【図１】本発明の配線基板および電子装置の実施形態の
一例を示す断面図である。
一例を示す断面図である。
【図２】図１に示す配線基板および電子装置の要部拡大
断面図である。
断面図である。
１・・・・・絶縁基体 ２・・・・・配線導体 ３・・・・・電子部品としての半導体素子 ７，８・・・半田 ９・・・・・ニッケルめっき層 10・・・・・金めっき層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4E351 AA01 AA06 BB01 BB23 BB24 BB33 BB36 CC06 DD04 DD06 DD19 GG13 GG15 5E343 AA02 AA11 BB09 BB17 BB23 BB24 BB44 BB61 BB71 CC32 DD43 DD44 EE02 EE13 GG18
Claims (1)
- 【請求項１】 絶縁基体に形成した配線導体の表面に被
着させたニッケルめっき層上に金めっき層を被着させて
成る配線基板であって、前記金めっき層は、その表面の
酸素存在領域の深さを３ｎｍ以下としたことを特徴とす
る配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000329627A JP4511011B2 (ja) | 2000-10-27 | 2000-10-27 | 配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000329627A JP4511011B2 (ja) | 2000-10-27 | 2000-10-27 | 配線基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002134645A true JP2002134645A (ja) | 2002-05-10 |
| JP4511011B2 JP4511011B2 (ja) | 2010-07-28 |
Family
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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|---|---|
| JP (1) | JP4511011B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008177261A (ja) * | 2007-01-17 | 2008-07-31 | Okuno Chem Ind Co Ltd | 多層めっき皮膜及びプリント配線板 |
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|---|---|---|---|---|
| JP2000059009A (ja) * | 1998-08-13 | 2000-02-25 | Nec Corp | プリント配線板の製造方法 |
| JP2000169970A (ja) * | 1998-12-07 | 2000-06-20 | Yoshinobu Abe | 不活性雰囲気めっき方法 |
| JP2000212754A (ja) * | 1999-01-22 | 2000-08-02 | Sony Corp | めっき方法及びその装置、並びにめっき構造 |
| JP2000277897A (ja) * | 1999-03-24 | 2000-10-06 | Hitachi Chem Co Ltd | はんだボール接続用端子とその形成方法並びに半導体搭載用基板の製造方法 |
| JP2002115076A (ja) * | 2000-10-11 | 2002-04-19 | Hitachi Chem Co Ltd | 置換金めっき方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH101530A (ja) * | 1996-06-18 | 1998-01-06 | Nippon Kayaku Co Ltd | 樹脂組成物及びその硬化物 |
| JPH1050751A (ja) * | 1996-07-30 | 1998-02-20 | Kyocera Corp | ワイヤボンディング細線の接合方法 |
| JPH10144813A (ja) * | 1996-11-06 | 1998-05-29 | Sumitomo Kinzoku Electro Device:Kk | Ｉｃパッケージの電極構造及びその製造方法 |
| JPH11135921A (ja) * | 1997-10-28 | 1999-05-21 | Matsushita Electric Works Ltd | めっき方法 |
-
2000
- 2000-10-27 JP JP2000329627A patent/JP4511011B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000059009A (ja) * | 1998-08-13 | 2000-02-25 | Nec Corp | プリント配線板の製造方法 |
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| JP2000212754A (ja) * | 1999-01-22 | 2000-08-02 | Sony Corp | めっき方法及びその装置、並びにめっき構造 |
| JP2000277897A (ja) * | 1999-03-24 | 2000-10-06 | Hitachi Chem Co Ltd | はんだボール接続用端子とその形成方法並びに半導体搭載用基板の製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008177261A (ja) * | 2007-01-17 | 2008-07-31 | Okuno Chem Ind Co Ltd | 多層めっき皮膜及びプリント配線板 |
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